JPH1174255A - ガラス状炭素製プラズマエッチング用電極板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラズマ消耗しても、プラズマエッチング用
電極板とバックプレートとの密着性を高度に保ち、電極
板の外周部と中央部でのエッチングレートを均一に保つ
ことが可能なプラズマエッチング用電極板を提供するも
のである。 【解決手段】 プラズマによって消耗されるに従い、プ
ラズマエッチング用電極板自体が取付け面側に凸に反る
圧縮応力が付与されてなるガラス状炭素製プラズマエッ
チング用電極板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、平行平板型のプラ
ズマエッチング装置に使用されるガラス状炭素製プラズ
マエッチング用電極板に関する。

【０００２】

【従来の技術】ガラス状炭素は、一般の炭素材料が有す
る軽量、耐熱性、耐食性、電気伝導性、高純度化が可能
等の性質を備えているほか、ガス不透過性で硬度が高
い、発塵性が低い等の特徴を持っていることから、エレ
クトロニクス産業、原子力産業、航空産業等各種の分野
での広範な用途に使用されつつある。最近は、炭素粒子
の脱落や付着がない性質を利用して、半導体集積回路を
製造する際のウェハーのプラズマエッチング用電極板と
して使用されている。

【０００３】しかしながら、近年の半導体製造工程にお
いてウェハーの大口径化にともない、プラズマエッチン
グ時にウェハーの中央部と外周部とでエッチングレート
のばらつきが大きくなるという問題が生じている。エッ
チングレートのばらつきの原因としては、プラズマエッ
チング用電極板にソリや歪みがあるためにウェハーとプ
ラズマエッチング用電極板との距離が不均一となり、ウ
ェハーの中央部と外周部とでプラズマの生成状態が微妙
に異なることが挙げられる。

【０００４】プラズマエッチング用電極板にソリや歪み
が発生するのは、プラズマエッチング用電極板がプラズ
マによって消耗し、プラズマエッチング用電極板が持つ
圧縮応力のバランスが崩れるためである。

【０００５】プラズマエッチング用電極板に内在する圧
縮応力は、原料となる樹脂を成形し、硬化、不融化等の
処理をする段階において、得られる樹脂板が、成形時の
形状の履歴を保持しているか、樹脂板の内部と表面で樹
脂の硬化、不融化等の状態がわずかに異なるために不可
避的に生成する力である。

【０００６】プラズマ損傷によって、プラズマエッチン
グ電極板に内在する圧縮応力のバランスが崩れると、ソ
リや歪みが発生する。このソリや歪みがプラズマエッチ
ング用電極板のプラズマ面側に凸に発生すると、プラズ
マエッチング用電極板とウェハー間の距離に中央部と外
周部とで差異が生じ、中央部の方が外周部よりもウェハ
ーに近くなることとなる。その結果、ウェハー中央部の
方がプラズマ生成の確率が高くなり、中央部のエッチン
グレートが高くなり、エッチングの均一性が低下する。
この様な不具合を防ぐためには、エッチング時にプラズ
マエッチング用電極板がプラズマ消耗しても、プラズマ
エッチング用電極板とバックプレートとの密着性が保た
れる必要がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の要求を
満足するものである。即ち請求項１及び２記載の発明
は、プラズマ消耗しても、プラズマエッチング用電極板
とバックプレートとの密着性を高度に保ち、電極板の外
周部と中央部でのエッチングレートを均一に保つことが
可能なプラズマエッチング用電極板を提供するものであ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、プラズマによ
って消耗されるに従い、プラズマエッチング用電極板自
体が取付け面側に凸に反る圧縮応力が付与されてなるガ
ラス状炭素製プラズマエッチング用電極板に関する。ま
た本発明は、消耗量が０．１〜２mmの際の、取付面側へ
の反り量が、０．１〜３mmであることを特徴とする前記
のガラス状炭素製プラズマエッチング用電極板に関す
る。

【０００９】本発明のプラズマエッチング用電極板は、
一般に円板形状である。本発明では、ガラス状炭素製プ
ラズマエッチング用電極板の圧縮応力を、プラズマによ
って消耗されるに従い、プラズマエッチング用電極板自
体が取付け面側に凸に反るように付与される。前記の圧
縮応力の付与する量は、電極消耗量が０．１〜２mmの範
囲の何れか、好ましくは消耗量が１．０〜１．５mmの際
に、プラズマエッチング電極を装置からはずした際の、
取付面側への反り量により規定することができる。電極
消耗量は、最も消耗の多い部分の消耗量で定義すること
ができる。この電極反り量は、電極をはずした際の電極
取付面側（バックプレート側）の外周部１２点の平均の
高さと中心１点の高さの差をもって示すことができる。
その量は、０．１〜３mmであることが好ましく、０．２
〜２mmであることがより好ましい。

【００１０】プラズマエッチング用電極板の大きさは、
エッチングするシリコンウエハの大きさにより異なる
が、その直径が２００mm〜４５０mmのものであることが
好ましい。前記圧縮応力を付与する方法としては、ガラ
ス状炭素に積極的に片面に反る圧縮応力を付与し、取付
け面側に凸に反るように表面と裏面を選択して加工する
方法がある。具体的には次の方法が挙げられる。

【００１１】１つは、ガラス状炭素材の出発原料となる
樹脂を液体状態で、円筒状の金型内で遠心成形法により
均一肉厚に成形する方法がある。このときに得られる樹
脂板は、円筒状であるが、成形直後に一片で切断する
と、ゴム状で柔軟性があるために平板状となる。遠心成
形機の金型が曲面であるために、遠心成形機の金型に接
していた面に凸になる履歴を保持している。この履歴
は、続く硬化、焼成炭素化、高温での熱処理を通して消
滅せず、プラズマエッチング用電極板にまで保持させる
ことが可能である。

【００１２】別の方法としては、ガラス状炭素材の出発
原料となる樹脂を注形法により適当な大きさの樹脂板に
した後、赤外線照射、熱風等により、樹脂板の片面を他
面よりも硬化促進することによって樹脂板内の硬化度に
傾斜を付け、硬化度の相違によって、樹脂板に圧縮応力
を付与する方法が挙げられる。この圧縮応力もまた、続
く焼成炭素化、高温での熱処理を通して消滅せず、プラ
ズマエッチング用電極板にまで保持させることが可能で
ある。なお、その他、本発明のプラズマエッチング用電
極板が得られる方法であれば特にその方法は制限されな
い。

【００１３】ガラス状炭素材の出発原料となる熱硬化性
樹脂としては、フラン樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹
脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキッ
ド樹脂、キシレン樹脂等を挙げることができる。また、
これら樹脂の混合物を用いることもできる。これらの中
で、炭化性、成形加工性等を考慮すると、フラン樹脂又
はフェノール樹脂が好ましく、フラン樹脂がより好まし
い。前記フラン樹脂の種類としては、フルフラール樹
脂、フルフラールフェノール樹脂、フルフラールケトン
樹脂、フルフリルアルコール樹脂、フルフリルアルコー
ルフェノール樹脂などの樹脂の初期縮合物が好ましいも
のとして挙げられる。

【００１４】樹脂の硬化剤として、通常、酸又はアルカ
リが用いられる。酸としては硫酸、塩酸、硝酸、りん酸
等の無機酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン
酸等の有機スルホン酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフ
ロロ酢酸等の有機カルボン酸等が好ましい。アルカリと
してはアンモニア、アミン類、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、水酸化リチウム等が好ましい。

【００１５】硬化剤の使用量は、使用した樹脂の種類な
どによって変動するが、少なすぎると十分に硬化でき
ず、多すぎると急激に硬化反応がおこり発泡等がおこっ
てきれいな成形体を製造することが困難になるので、熱
硬化性樹脂に対して０．００１〜２０重量％の範囲とす
ることが好ましく、０．０１〜１５重量％の範囲とする
ことがより好ましい。硬化剤は、そのまま、又は適宜溶
媒に溶解して熱硬化性樹脂に添加する。ここで用いる溶
媒としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコ
ール等のアルコール類、アセトン等のケトン類、トルエ
ン等の芳香族類などが挙げられる。

【００１６】硬化剤を樹脂に添加し、撹拌混合して組成
物とした後、好ましくは５０〜２００℃で、前述のいず
れかの方法にて成形し硬化する。所定の形状に成形した
後、更に、好ましくは８０〜２００℃の温度で硬化処理
する。次いで、電極板の形状にするために必要な加工を
行なう。なお、これらの加工においては、樹脂板の成
形、硬化条件を考慮し、プラズマエッチング用電極板が
取付け面側に凸に反る圧縮応力が付与されるよう、表面
及び裏面を決定し、加工することが必要である。

【００１７】ついで炭素化を行う。炭素化には、高度に
純化された治具及び炉などを用いることができる。炭素
化における温度は３００〜２５００℃が好ましい。炭化
時間は５時間以上が好ましい。炭化が終了した後、必要
に応じて、更に高温で熱処理することができる。このと
きの温度は、炭化の温度以上３５００℃以下が好まし
い。時間は２時間以上が好ましい。

【００１８】なお、前記方法により得られた樹脂板に
は、圧縮応力が内在しているため、樹脂板に反りが発生
し易い。その発生を抑えるため、前記炭素化時及び／又
は高温熱処理時には、高純度化した任意基材のホルダー
などで保持し反りの発生を抑制することもできる。こう
してガラス状の破面を有する炭素化物が得られる。さら
に、必要に応じて、熱処理終了後、放電加工又は超音波
加工で、所定の形状への加工、ガス吹出し穴の形成など
を行ってもよい。その後、脱灰炉などにより塩素、フレ
オン等の精製ガスを吹込んで高純度化処理することが好
ましい。

【００１９】以上のようにして得られる本発明のプラズ
マエッチング用電極板は、エッチング時にプラズマによ
って消耗し、圧縮応力のバランスが崩れると、取付面側
に凸に反り、プラズマエッチング用電極板とバックプレ
ートとの密着性が維持される。そのため、プラズマエッ
チング電極板が消耗しても中央部および外周部からウェ
ハーまでの距離が常に一定に保たれるため、エッチング
レートの均一性が維持される。

【００２０】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 実施例１ 原料樹脂にフラン樹脂（日立化成工業株式会社製、ヒタ
フランＶＦ３０３）を用い、これに硬化剤としてトリク
ロロ酢酸７重量％（フラン樹脂に対して）を加え、７０
℃の加熱下、円筒状の金型を有する遠心成形機を用いて
周速７００ｍ／分で１０時間成形を行い、得られた円筒
状の樹脂成型品の一片を直線状に切断し、ゴム硬度７
０、厚み６mmのゴム状樹脂板を得た。この樹脂板を直径
４００mmの円盤状に切出し、７０℃で３日、９０℃で３
日で加熱硬化した後、１℃／分の昇温速度で最高９００
℃で焼成炭素化し、次いで昇温速度５℃／分で２８００
℃まで昇温して熱処理した。得られたガラス状炭素平板
に、樹脂成形時に遠心成形機の金型面に接していた面が
バックプレート側になるように、放電加工によってガス
吹出し穴等を形成してプラズマエッチング用電極板の形
状とし、次いで塩素ガスを用いて脱灰処理を行った。高
純度化処理後のプラズマエッチング用電極板の不純物は
３ppm以下であった。なお、ゴム硬度は、ＪＩＳ−Ｋ６
３０１に準拠してゴム硬度計（(株)テクロック製 ゴム
硬度計 ＧＳ−７０６Ｎ）を用いて測定した。

【００２１】上記の高純度プラズマエッチング用電極板
を、プラズマエッチング装置に取付け、反応ガスとして
トリフロロメタン、フッ化メタンを流し、電源周波数４
００KHz、反応チャンバー内のガス圧０．０５Torrの条
件でシリコン酸化膜のエッチング加工を行った。評価結
果を表１に示した。

【００２２】実施例２ 原料樹脂にフラン樹脂（日立化成工業株式会社製、ヒタ
フランＶＦ３０３）を用い、これに硬化剤としてトリク
ロロ酢酸７重量％（フラン樹脂に対して）を加え、７０
℃の加熱下、円筒状の金型を有する遠心成形機を用いて
周速１２００ｍ／分で１０時間成形を行い、得られた円
筒状の樹脂成型品の一片を直線状に切断し、ゴム硬度７
２、厚み６mmのゴム状樹脂板を得た。この樹脂板を直径
４００mmの円盤状に切出し、７０℃で３日、９０℃で３
日で加熱硬化した後、１℃／分の昇温速度で最高９００
℃で焼成炭素化し、次いで昇温速度５℃／分で２８００
℃まで昇温して熱処理した。得られたガラス状炭素平板
に、樹脂成形時に遠心成形機の金型面に接していた面が
バックプレート側になるように、放電加工によってガス
吹出し穴等を形成してプラズマエッチング用電極板の形
状とし、次いで塩素ガスを用いて脱灰処理を行った。高
純度化処理後のプラズマエッチング用電極板の不純物は
３ppm以下であった。上記の高純度プラズマエッチング
用電極板を用いて、実施例１と同様にエッチング加工を
行った。評価結果を表１に示した。

【００２３】実施例３ 原料樹脂にフェノール樹脂（日立化成工業株式会社製、
ＶＰ−１１２Ｎ）を用い、これに硬化剤としてパラトル
エンスルホン酸０．６重量％（前記フェノール樹脂に対
して）を加え、７０℃の加熱下、円筒状の金型を有する
遠心成形機を用いて周速７００ｍ／分で１０時間成形を
行い、得られた円筒状の樹脂成型品の一片を直線状に切
断し、ゴム硬度６３、厚さ６mmのゴム状樹脂板を得た。
この樹脂板を直径４００mmの円盤状に切出し、７０℃で
３日、９０℃で３日で加熱硬化した後、１℃／分の昇温
速度で最高９００℃で焼成炭素化し、次いで昇温速度５
℃／分で最高２８００℃まで昇温し熱処理した。得られ
たガラス状炭素平板に、樹脂成形時に遠心成形機の金型
面に接していた面がバックプレート側になるように、放
電加工によってガス吹出し穴等を形成してプラズマエッ
チング用電極板の形状とし、次いで塩素ガスを用いて脱
灰処理を行った。高純度化処理後のプラズマエッチング
用電極板の不純物は３ppm以下であった。上記の高純度
プラズマエッチング用電極板を用いて、実施例１と同様
にエッチング加工を行った。評価結果を表１に示した。

【００２４】実施例４ 原料樹脂にフラン樹脂（日立化成工業株式会社製、ヒタ
フランＶＦ３０３）を用い、これに硬化剤としてトリク
ロロ酢酸１４重量％（フラン樹脂に対して）を加え、５
０℃の加熱下、アルミシャーレに注形して１０時間成形
を行い、ゴム硬度６１、厚み６mmのゴム状樹脂板を得
た。この樹脂板を直径４００mmに切出し、熱風を一定の
面に吹きかけながら５０℃で３日、７０℃で３日、９０
℃で３日で加熱硬化した後、１℃／分の昇温速度で最高
９００℃で焼成炭素化し、次いで昇温速度５℃／分で最
高２８００℃まで昇温し熱処理した。得られたガラス状
炭素平板に、樹脂成形時に遠心成形機の金型面に接して
いた面がバックプレート側になるように、放電加工によ
ってガス吹出し穴等を形成してプラズマエッチング用電
極板の形状とし、次いで塩素ガスを用いて脱灰処理を行
った。高純度化処理後のプラズマエッチング用電極板の
不純物は３ppm以下であった。上記の高純度プラズマエ
ッチング用電極板を用いて、実施例１と同様にエッチン
グ加工を行った。評価結果を表１に示した。

【００２５】実施例５ 原料樹脂にフラン樹脂（日立化成工業株式会社製、ヒタ
フランＶＦ３０３）を用い、これに硬化剤としてトリク
ロロ酢酸１４重量％（フラン樹脂に対して）を加え、５
０℃の加熱下、アルミシャーレに注型して１０時間成形
を行い、ゴム硬度６１、厚み７mmのゴム状樹脂板を得
た。この樹脂板を直径４００mmの円盤状に切出し、熱風
を成型時に空気に接していた面に吹きかけながら、５０
℃で３日、７０℃で３日、９０℃で３日で加熱硬化した
後、１℃／分の昇温速度で最高９００℃で焼成炭素化
し、次いで昇温速度５℃／分で２８００℃まで昇温して
熱処理した。得られたガラス状炭素平板に、樹脂成形時
にアルミシャーレの底に接していた面がバックプレート
側になるように、放電加工によってガス吹出し穴等を形
成してプラズマエッチング用電極板の形状とした。つい
でラップ機を用いて樹脂成型時にアルミシャーレの底面
に接していた面から、０．４０mm、反対面から０．１mm
削って厚さを５mmとした。次いで塩素ガスを用いて脱灰
処理を行った。高純度化処理後のプラズマエッチング用
電極板の不純物は３ppm以下であった。上記の高純度プ
ラズマエッチング用電極板を、実施例１と同様にエッチ
ング加工を行った。評価結果を表１に示した。

【００２６】実施例６ 原料樹脂にフラン樹脂（日立化成工業株式会社製、ヒタ
フランＶＦ３０３）を用い、これに硬化剤としてトリク
ロロ酢酸１４重量％（フラン樹脂に対して）を加え、５
０℃の加熱下、アルミシャーレに注型して１０時間成形
を行い、ゴム硬度６１、厚み７mmのゴム状樹脂板を得
た。この樹脂板を直径４００mmの円盤状に切出し、熱風
を成型時に空気に接していた面に吹きかけながら、５０
℃で３日、７０℃で３日、９０℃で３日で加熱硬化した
後、１℃／分の昇温速度で最高９００℃で焼成炭素化
し、次いで昇温速度５℃／分で２８００℃まで昇温して
熱処理した。得られたガラス状炭素平板に、樹脂成形時
にアルミシャーレの底に接していた面がバックプレート
側になるように、放電加工によってガス吹出し穴等を形
成してプラズマエッチング用電極板の形状とした。つい
でラップ機を用いて樹脂成型時にアルミシャーレの底面
に接していた面から、０．１mm、反対面から０．４mm削
って厚さを５mmとした。次いで塩素ガスを用いて脱灰処
理を行った。高純度化処理後のプラズマエッチング用電
極板の不純物は３ppm以下であった。上記の高純度プラ
ズマエッチング用電極板を、実施例１と同様にエッチン
グ加工を行った。評価結果を表１に示した。

【００２７】比較例１ 原料樹脂にフラン樹脂（ＶＦ３０３）を用い、これに硬
化剤としてトリクロロ酢酸１４重量％（フラン樹脂に対
して）を加え、５０℃の加熱下、アルミシャーレに注形
して１０時間成形を行い、ゴム硬度６１、厚み６mmのゴ
ム状樹脂板を得た。この樹脂板を、５０℃で３日、７０
℃で３日、９０℃で３日で加熱硬化した後、１℃／分の
昇温速度で最高９００℃で焼成炭素化し、次いで昇温速
度５℃／分で最高２８００℃まで昇温して熱処理した。
得られたガラス状炭素平板に、アルミシャーレの底部に
接していた面がバックプレート側になるように、放電加
工によってガス吹出し穴等を形成してプラズマエッチン
グ用電極板の形状とし、次いで塩素ガスを用いて脱灰処
理を行った。高純度化処理後のプラズマエッチング用電
極板の不純物は３ppm以下であった。上記の高純度プラ
ズマエッチング用電極板を用いて、実施例１と同様にエ
ッチング加工を行った。評価結果を表１に示した。

【００２８】比較例２ 原料樹脂にフラン樹脂（ＶＦ３０３）を用い、これに硬
化剤としてパラトルエンスルホン酸０．５重量％（フラ
ン樹脂に対して）を加え、５０℃の加熱下、アルミシャ
ーレに注形して１０時間成形を行い、ゴム硬度５９、厚
み６mmのゴム状樹脂板を得た。この樹脂板を５０℃で３
日、７０℃で３日、９０℃で３日で加熱硬化した後、１
℃／分の昇温速度で最高９００℃で焼成炭素化し、次い
で昇温速度５℃／分で最高２８００℃まで昇温して熱処
理した。得られたガラス状炭素平板にアルミシャーレの
底部に接していた面がバックプレート側になるように、
放電加工によってガス吹出し穴等を形成してプラズマエ
ッチング用電極板の形状とし、次いで塩素ガスを用いて
脱灰処理を行った。高純度化処理後のプラズマエッチン
グ用電極板の不純物は３ppm以下であった。上記の高純
度プラズマエッチング用電極板を用いて、実施例１と同
様にエッチング加工を行った。評価結果を表１に示し
た。

【００２９】比較例３ 原料樹脂にフェノール樹脂（ＶＰ−１１２Ｎ）を用い、
これに硬化剤としてトリクロロ酢酸７重量％（フェノー
ル樹脂に対して）を加え、５０℃の加熱下、アルミシャ
ーレに注形して１５時間成形を行い、ゴム硬度６６、厚
み６mmのゴム状樹脂板を得た。この樹脂板を５０℃で３
日、７０℃で３日、９０℃で３日で加熱硬化した後、１
℃／分の昇温速度で最高９００℃で焼成炭素化し、次い
で昇温速度５℃／分で最高２８００℃まで昇温して熱処
理した。得られたガラス状炭素平板にアルミシャーレの
底部に接していた面がバックプレート側になるように、
放電加工によってガス吹出し穴等を形成してプラズマエ
ッチング用電極板の形状とし、次いで塩素ガスを用いて
脱灰処理を行った。高純度化処理後のプラズマエッチン
グ用電極板の不純物は３ppm以下であった。上記の高純
度プラズマエッチング用電極板を用いて、実施例１と同
様にエッチング加工を行った。評価結果を表１に示し
た。

【００３０】表１中、電極消耗量は、プラズマ電極面の
最も消耗の多い部分の消耗量で示した。また、電極反り
量は、電極をはずしてバックプレート側の電極の外周部
１２点の平均高さと中心１点の高さを求め、その差とし
て示した。また、エッチングレートの均一性とあるのは
ウェハー上１５点における消耗量を測定し、消耗量の最
大値と最小値の比率を示すものであり、この値が小さい
ほど優れた特性であることを示す。

【００３１】実施例７ 原料樹脂にフラン樹脂（日立化成工業株式会社製、ヒタ
フランＶＦ３０３）を用い、これに硬化剤としてトリク
ロロ酢酸１４重量％（フラン樹脂に対して）を加え、５
０℃の加熱下、アルミシャーレに注型して１０時間成形
を行い、ゴム硬度６１、厚み７mmのゴム状樹脂板を得
た。この樹脂板を直径４００mmの円盤状に切出し、熱風
を成型時に空気に接していた面に吹きかけながら、５０
℃で３日、７０℃で３日、９０℃で３日で加熱硬化した
後、１℃／分の昇温速度で最高９００℃で焼成炭素化
し、次いで昇温速度５℃／分で２８００℃まで昇温して
熱処理した。得られたガラス状炭素平板に、樹脂成形時
にアルミシャーレの底に接していた面がバックプレート
側になるように、放電加工によってガス吹出し穴等を形
成してプラズマエッチング用電極板の形状とした。つい
でラップ機を用いて樹脂成型時にアルミシャーレの底面
に接していた面から、０．０５mm、反対面から０．４５
mm削って厚さを５mmとした。次いで塩素ガスを用いて脱
灰処理を行った。高純度化処理後のプラズマエッチング
用電極板の不純物は３ppm以下であった。上記の高純度
プラズマエッチング用電極板を、実施例１と同様にエッ
チング加工を行った。しかしながら、使用中に取付部が
破損した。取付部が破損するまでの評価結果を表１に示
した。

【００３２】

【表１】

【００３３】

【発明の効果】本発明になるプラズマエッチング用電極
板は、エッチング処理を行った場合、プラズマエッチン
グ用電極板がプラズマによって消耗されるとともに取り
付け面側に凸に反るものなので、ウェハーのエッチング
レートが均一に維持できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 孝幸 茨城県日立市鮎川町三丁目３番１号 日立 化成工業株式会社山崎工場内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プラズマによって消耗されるに従い、プ
   ラズマエッチング用電極板自体が取付け面側に凸に反る
   圧縮応力が付与されてなるガラス状炭素製プラズマエッ
   チング用電極板。
2. 【請求項２】 消耗量が０．１〜２mmの際の、取付面側
   への反り量が、０．１〜３mmであることを特徴とする請
   求項１記載のガラス状炭素製プラズマエッチング用電極
   板。