JP2002151483A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング装置Info
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- JP2002151483A JP2002151483A JP2001237596A JP2001237596A JP2002151483A JP 2002151483 A JP2002151483 A JP 2002151483A JP 2001237596 A JP2001237596 A JP 2001237596A JP 2001237596 A JP2001237596 A JP 2001237596A JP 2002151483 A JP2002151483 A JP 2002151483A
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- glassy carbon
- electrode plate
- plasma etching
- electrode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極板を均等かつ安定に冷却することにより
電極板のプラズマ発生面の温度分布を均等化し、半導体
ウエハのエッチング速度を均一にすることができ、安定
したウエハ歩留りが達成されるとともに、電極板の使用
寿命の向上も保たれるガラス状カーボン電極を配設した
プラズマエッチング装置を提供する。 【解決手段】 電極板として、板面の反りが最大で0.
3mm以下の平坦形状を備えたガラス状カーボン板を配
設したことを特徴とする。
電極板のプラズマ発生面の温度分布を均等化し、半導体
ウエハのエッチング速度を均一にすることができ、安定
したウエハ歩留りが達成されるとともに、電極板の使用
寿命の向上も保たれるガラス状カーボン電極を配設した
プラズマエッチング装置を提供する。 【解決手段】 電極板として、板面の反りが最大で0.
3mm以下の平坦形状を備えたガラス状カーボン板を配
設したことを特徴とする。
Description
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
製造工程において、ウエハ面のシリコン酸化膜をプラズ
マエッチングする装置に係り、とくに電極板として特定
形状のガラス状カーボン板を配設した平行平板電極型プ
ラズマエッチング装置に関する。
製造工程において、ウエハ面のシリコン酸化膜をプラズ
マエッチングする装置に係り、とくに電極板として特定
形状のガラス状カーボン板を配設した平行平板電極型プ
ラズマエッチング装置に関する。
【0002】プラズマエッチング加工は、チャンバ内の
下部に設けたウエハ基板を載置する下部電極と、これに
対向するチャンバ内の上部に設けた多数のガス噴出用の
貫通小孔をもつ上部電極との一対の平行平面電極を設置
したエッチング装置にハロゲンガスやフレオンガスなど
の反応性ガスを上部電極側より導入しながら電極間に高
周波電力を印加して放電させ、生じたガスプラズマを用
いて基板のフォトレジストされていない部分をエッチン
グすることにより高精度で微細な回路パターンを形成す
る工程である。このプラズマエッチング加工に用いられ
る上部電極には、優れた導電性の他、ウエハを汚染しな
い高純度性ならびに容易にエッチングされない化学的安
定性が必要とされており、現状ではこれらの材質要件を
満たすものとしてガラス状カーボン材で形成された電極
板が有用されている。
下部に設けたウエハ基板を載置する下部電極と、これに
対向するチャンバ内の上部に設けた多数のガス噴出用の
貫通小孔をもつ上部電極との一対の平行平面電極を設置
したエッチング装置にハロゲンガスやフレオンガスなど
の反応性ガスを上部電極側より導入しながら電極間に高
周波電力を印加して放電させ、生じたガスプラズマを用
いて基板のフォトレジストされていない部分をエッチン
グすることにより高精度で微細な回路パターンを形成す
る工程である。このプラズマエッチング加工に用いられ
る上部電極には、優れた導電性の他、ウエハを汚染しな
い高純度性ならびに容易にエッチングされない化学的安
定性が必要とされており、現状ではこれらの材質要件を
満たすものとしてガラス状カーボン材で形成された電極
板が有用されている。
【0003】ガラス状カーボン材は、熱硬化性樹脂を炭
化して得られる巨視的に無孔組織の硬質炭素物質で、高
強度、低化学反応性、ガス不透過性、自己潤滑性、堅牢
性などに優れ、不純物が少ない等の特性を有している
が、特にプラズマエッチング処理中にウエハーを汚損す
る原因となる微細パーティクルが組織から離脱し難い利
点がある。
化して得られる巨視的に無孔組織の硬質炭素物質で、高
強度、低化学反応性、ガス不透過性、自己潤滑性、堅牢
性などに優れ、不純物が少ない等の特性を有している
が、特にプラズマエッチング処理中にウエハーを汚損す
る原因となる微細パーティクルが組織から離脱し難い利
点がある。
【0004】
【従来の技術】しかしながら、半導体集積度が増大する
に伴ってプラズマエッチング用の電極材にも厳しい材質
要求が課せられており、ウエハ面に付着するパーティク
ルレベルや消耗度合の低減化が厳しく要求されている。
このため、プラズマエッチング用のガラス状カーボン電
極を対象とする材質的改良の試みが数多く提案されてい
る。
に伴ってプラズマエッチング用の電極材にも厳しい材質
要求が課せられており、ウエハ面に付着するパーティク
ルレベルや消耗度合の低減化が厳しく要求されている。
このため、プラズマエッチング用のガラス状カーボン電
極を対象とする材質的改良の試みが数多く提案されてい
る。
【0005】例えば、純度、気孔率、気孔径、結晶構造
などの性状を改良対象とするものとして、気孔率が0.
0002〜0.0020%で結晶子がX線回析で検出さ
れず、かつ不純物含有量が5ppm以下のガラス状カー
ボン材料からなるプラズマ装置用カーボン部材(特開平
3−33007号公報)、最大気孔径1μm以下、平均
気孔径0.7μm以下で気孔率が1%以下の組織特性を
有する高純度ガラス状カーボンからなるプラズマエッチ
ング用電極板(特開平3−119723号公報)、高純度のガ
ラス状カーボンからなる厚さ2mm以上の板状体であ
り、表面および内部組織に粒界が実質的に存在せず、最
大気孔径が1μm以下のプラズマエッチング用電極板
(特開平3−285086号公報)、純度特性が総灰分
5ppm以下、金属不純物2ppm以下、総硫黄分30
ppm以下で、結晶特性が結晶面間隔(002) 0.3
75nm以下、結晶子(002) の大きさが1.3nm
以上で、かつ材質特性が比重1.50以上、曲げ強度が
1100kg/cm2 以上のガラス状カーボンからなる
プラズマエッチング用電極板(特開平5−320955
号公報)、格子定数Coが6.990オングストローム
以下の結晶を有するガラス状炭素からなるプラズマエッ
チング用電極板(特開平6−128761号公報)等が
提案されている。
などの性状を改良対象とするものとして、気孔率が0.
0002〜0.0020%で結晶子がX線回析で検出さ
れず、かつ不純物含有量が5ppm以下のガラス状カー
ボン材料からなるプラズマ装置用カーボン部材(特開平
3−33007号公報)、最大気孔径1μm以下、平均
気孔径0.7μm以下で気孔率が1%以下の組織特性を
有する高純度ガラス状カーボンからなるプラズマエッチ
ング用電極板(特開平3−119723号公報)、高純度のガ
ラス状カーボンからなる厚さ2mm以上の板状体であ
り、表面および内部組織に粒界が実質的に存在せず、最
大気孔径が1μm以下のプラズマエッチング用電極板
(特開平3−285086号公報)、純度特性が総灰分
5ppm以下、金属不純物2ppm以下、総硫黄分30
ppm以下で、結晶特性が結晶面間隔(002) 0.3
75nm以下、結晶子(002) の大きさが1.3nm
以上で、かつ材質特性が比重1.50以上、曲げ強度が
1100kg/cm2 以上のガラス状カーボンからなる
プラズマエッチング用電極板(特開平5−320955
号公報)、格子定数Coが6.990オングストローム
以下の結晶を有するガラス状炭素からなるプラズマエッ
チング用電極板(特開平6−128761号公報)等が
提案されている。
【0006】このほか、表面性状を対象とするものとし
て、プラズマにより消耗する部位の表面平滑度がRma
x6μm以下であるガラス状炭素からなるプラズマエッ
チング用電極板(特開平6−128762号公報)が、
またガラス状炭素の原料系を特定する技術としてはフェ
ノール樹脂およびポリカルボジイミド樹脂を原料として
製造したガラス状炭素材からなるプラズマエッチング用
電極板(特開平5−347276号公報)や、ポリカル
ボジイミド樹脂を原料として製造したガラス状炭素材か
らなるプラズマエッチング用電極板(特開平5−347
278号公報)等が提案されている。
て、プラズマにより消耗する部位の表面平滑度がRma
x6μm以下であるガラス状炭素からなるプラズマエッ
チング用電極板(特開平6−128762号公報)が、
またガラス状炭素の原料系を特定する技術としてはフェ
ノール樹脂およびポリカルボジイミド樹脂を原料として
製造したガラス状炭素材からなるプラズマエッチング用
電極板(特開平5−347276号公報)や、ポリカル
ボジイミド樹脂を原料として製造したガラス状炭素材か
らなるプラズマエッチング用電極板(特開平5−347
278号公報)等が提案されている。
【0007】更に、近年、半導体集積度が増大するにつ
れてプラズマエッチング加工における技術的要素の一つ
としてエッチング速度が重要視されており、加工精度を
高めるためにはこのエッチング速度の均一性を確保する
必要がある。エッチング速度の均一性とは、ウエハ内の
各部におけるエッチング深さの均一性の他にエッチング
処理毎のエッチング深さの均一性の両方を意味し、この
エッチング速度の均一化は反応部の温度、とくに電極板
表面の温度分布に著しく支配され、この表面温度に変動
があると均一かつ安定な速度でエッチングすることが困
難となる。このため、従来、プラズマ照射により発熱す
る電極板の温度を均一に保持するために電極板の裏面に
金属製の冷却板を密着した状態で均等に冷却する方法が
採られている。
れてプラズマエッチング加工における技術的要素の一つ
としてエッチング速度が重要視されており、加工精度を
高めるためにはこのエッチング速度の均一性を確保する
必要がある。エッチング速度の均一性とは、ウエハ内の
各部におけるエッチング深さの均一性の他にエッチング
処理毎のエッチング深さの均一性の両方を意味し、この
エッチング速度の均一化は反応部の温度、とくに電極板
表面の温度分布に著しく支配され、この表面温度に変動
があると均一かつ安定な速度でエッチングすることが困
難となる。このため、従来、プラズマ照射により発熱す
る電極板の温度を均一に保持するために電極板の裏面に
金属製の冷却板を密着した状態で均等に冷却する方法が
採られている。
【0008】ところが、電極板と冷却板との間には僅か
な空隙部が生じ易く、この空隙部が生じると伝熱抵抗と
なって電極板の均等な冷却を阻害して、冷却効率を低下
させる現象を招く。そこで、特開平2−290984号
公報にはプラズマ生成用の電極の少なくとも一つを、複
数の導電板を接触積み重ねて構成したプラズマ装置にお
いて、上記導電板に柔軟な導電性シートを介在配置した
ことを特徴とするプラズマ装置が提案されている。
な空隙部が生じ易く、この空隙部が生じると伝熱抵抗と
なって電極板の均等な冷却を阻害して、冷却効率を低下
させる現象を招く。そこで、特開平2−290984号
公報にはプラズマ生成用の電極の少なくとも一つを、複
数の導電板を接触積み重ねて構成したプラズマ装置にお
いて、上記導電板に柔軟な導電性シートを介在配置した
ことを特徴とするプラズマ装置が提案されている。
【0009】
【本発明が解決しようとする課題】前記の特開平2−2
90984号公報で提案されているプラズマ装置は、ア
モルファスカーボン電極と導電性補強板との間に生じる
熱的抵抗となる空隙部に柔軟性を有する導電性シートを
介在させることにより効果的な放熱を確保しようとする
ものである。しかしながら、導電性シートとして例示さ
れているシリコンゴムシートは耐プラズマ性や耐蝕性に
劣り、また電導性を付与するために添加混合されている
導電性物質がエッチング時に脱落してパーティクルが発
生するなどの問題点がある。
90984号公報で提案されているプラズマ装置は、ア
モルファスカーボン電極と導電性補強板との間に生じる
熱的抵抗となる空隙部に柔軟性を有する導電性シートを
介在させることにより効果的な放熱を確保しようとする
ものである。しかしながら、導電性シートとして例示さ
れているシリコンゴムシートは耐プラズマ性や耐蝕性に
劣り、また電導性を付与するために添加混合されている
導電性物質がエッチング時に脱落してパーティクルが発
生するなどの問題点がある。
【0010】本発明者らは、プラズマエッチング用のガ
ラス状カーボン電極板の形状とエッチング速度の均一性
との関係について多角的に検討した結果、電極板と冷却
板との接触を均等に密着させて電極板の表面温度を均等
に保持するためには、ガラス状カーボン板の形状、特に
反りが大きく影響し、電極板の反りを一定限度以下に抑
制するとエッチング速度の均一性ならびに安定性が著し
く向上することを知見した。
ラス状カーボン電極板の形状とエッチング速度の均一性
との関係について多角的に検討した結果、電極板と冷却
板との接触を均等に密着させて電極板の表面温度を均等
に保持するためには、ガラス状カーボン板の形状、特に
反りが大きく影響し、電極板の反りを一定限度以下に抑
制するとエッチング速度の均一性ならびに安定性が著し
く向上することを知見した。
【0011】本発明は、上記の知見に基づいてなされた
ものであり、その目的は、プラズマエッチング時のガラ
ス状カーボン電極板表面の温度分布を均等かつ安定化す
ることによりエッチング速度の均一性および安定性の向
上を図り、長期間安定して半導体ウエハのエッチング加
工を行うことのできるガラス状カーボン板を配設したプ
ラズマエッチング装置を提供することにある。
ものであり、その目的は、プラズマエッチング時のガラ
ス状カーボン電極板表面の温度分布を均等かつ安定化す
ることによりエッチング速度の均一性および安定性の向
上を図り、長期間安定して半導体ウエハのエッチング加
工を行うことのできるガラス状カーボン板を配設したプ
ラズマエッチング装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明によるプラズマエッチング装置は、電極板と
して、板面の反りが最大で0.3mm以下の平坦形状を
備えたガラス状カーボン板を配設したことを特徴とす
る。但し、ガラス状カーボン板の反りは、ガラス状カー
ボン板を定盤上に置き、ガラス状カーボン板の中心部お
よび外周部を4〜10等分した各点についてダイヤルゲ
ージにより定盤からの寸法および各測定点におけるガラ
ス状カーボン板の厚さを測定し、その差から算出する。
めの本発明によるプラズマエッチング装置は、電極板と
して、板面の反りが最大で0.3mm以下の平坦形状を
備えたガラス状カーボン板を配設したことを特徴とす
る。但し、ガラス状カーボン板の反りは、ガラス状カー
ボン板を定盤上に置き、ガラス状カーボン板の中心部お
よび外周部を4〜10等分した各点についてダイヤルゲ
ージにより定盤からの寸法および各測定点におけるガラ
ス状カーボン板の厚さを測定し、その差から算出する。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明のプラズマエッチング装置
の電極板は、熱硬化性樹脂を焼成炭化して得られる均一
組織を有するガラス状カーボン板からなることを前提と
し、純度特性として総灰分5ppm以下、金属不純物2
ppm以下、総硫黄分30ppm以下の高純度材質を有
し、可及的に表面平滑度の高い平面板であることが好ま
しい。
の電極板は、熱硬化性樹脂を焼成炭化して得られる均一
組織を有するガラス状カーボン板からなることを前提と
し、純度特性として総灰分5ppm以下、金属不純物2
ppm以下、総硫黄分30ppm以下の高純度材質を有
し、可及的に表面平滑度の高い平面板であることが好ま
しい。
【0014】一般にガラス状カーボン板は、フェノール
系やフラン系などの炭化残留率の高い熱硬化性樹脂を所
定の形状に成形し、加熱硬化したのち非酸化性雰囲気中
で加熱して焼成炭化する方法で製造されている。熱硬化
性樹脂の硬化反応は熱硬化性樹脂初期縮合物の重縮合反
応により架橋構造を形成して進行するが、この過程で成
形体の収縮が生じるため、硬化反応を均等に進行させな
いと収縮率にばらつきが生じて成形体の形状精度が低下
する。また、ガラス質組織に転化する焼成炭化過程にお
いても大きな材質収縮を伴うために内部歪みが蓄積し
て、得られるガラス状カーボン材の形状精度が悪化す
る。特に、薄板形状のガラス状カーボン板においては反
りや凹凸が発生し易くなる。
系やフラン系などの炭化残留率の高い熱硬化性樹脂を所
定の形状に成形し、加熱硬化したのち非酸化性雰囲気中
で加熱して焼成炭化する方法で製造されている。熱硬化
性樹脂の硬化反応は熱硬化性樹脂初期縮合物の重縮合反
応により架橋構造を形成して進行するが、この過程で成
形体の収縮が生じるため、硬化反応を均等に進行させな
いと収縮率にばらつきが生じて成形体の形状精度が低下
する。また、ガラス質組織に転化する焼成炭化過程にお
いても大きな材質収縮を伴うために内部歪みが蓄積し
て、得られるガラス状カーボン材の形状精度が悪化す
る。特に、薄板形状のガラス状カーボン板においては反
りや凹凸が発生し易くなる。
【0015】本発明は、このガラス状カーボン板面の反
りを最大で0.3mm以下に規制した平坦形状のガラス
状カーボン板でプラズマエッチング装置の電極板を構成
する点に特徴を有するものである。ガラス状カーボン板
をプラズマエッチング装置に装着する際には、プラズマ
を発生するガラス状カーボン板表面(ウエハに対面する
面)の裏側すなわち裏面を冷却板に接触した状態に取り
付けられるが、ガラス状カーボン板面に反りがあると、
冷却板面に均等かつ密着状態に取り付けることが困難と
なる。したがって、ガラス状カーボン面を均等に安定し
て冷却することができず、エッチング加工時において電
極表面部の温度分布が変動し、均一なエッチング速度で
精密に加工することができなくなる。
りを最大で0.3mm以下に規制した平坦形状のガラス
状カーボン板でプラズマエッチング装置の電極板を構成
する点に特徴を有するものである。ガラス状カーボン板
をプラズマエッチング装置に装着する際には、プラズマ
を発生するガラス状カーボン板表面(ウエハに対面する
面)の裏側すなわち裏面を冷却板に接触した状態に取り
付けられるが、ガラス状カーボン板面に反りがあると、
冷却板面に均等かつ密着状態に取り付けることが困難と
なる。したがって、ガラス状カーボン面を均等に安定し
て冷却することができず、エッチング加工時において電
極表面部の温度分布が変動し、均一なエッチング速度で
精密に加工することができなくなる。
【0016】また、プラズマを発生してエッチング加工
をする過程においてもガラス状カーボン板の表面はプラ
ズマ照射により次第に消耗していくが、温度分布の不均
一によって板面の反りは更に大きくなり、冷却板面との
均等な接触が損なわれて電極板面の温度分布が変動して
エッチング速度の不均一化が生じる。
をする過程においてもガラス状カーボン板の表面はプラ
ズマ照射により次第に消耗していくが、温度分布の不均
一によって板面の反りは更に大きくなり、冷却板面との
均等な接触が損なわれて電極板面の温度分布が変動して
エッチング速度の不均一化が生じる。
【0017】本発明は、電極を構成するガラス状カーボ
ン板面の反りを最大でも0.3mm以下の値に設定した
平坦形状にすることによって冷却板面との均等な接触を
可能とし、エッチング加工時において上部電極板面を均
等かつ安定に冷却して、その表面温度分布の変動を抑制
することにより均一で安定したエッチング速度が確保さ
れる。より好ましい反りの最大値は、0.2mm以下で
ある。反りの最大値が0.3mmを超えると、冷却板面
との均等な接触が妨げられて表面温度分布の変動が大き
くなり、エッチング速度の不均一化を招く。ガラス状カ
ーボン板の反りを最大0.3mm以下の値に設定するこ
とによって、均一に電極板を冷却することが可能とな
る。
ン板面の反りを最大でも0.3mm以下の値に設定した
平坦形状にすることによって冷却板面との均等な接触を
可能とし、エッチング加工時において上部電極板面を均
等かつ安定に冷却して、その表面温度分布の変動を抑制
することにより均一で安定したエッチング速度が確保さ
れる。より好ましい反りの最大値は、0.2mm以下で
ある。反りの最大値が0.3mmを超えると、冷却板面
との均等な接触が妨げられて表面温度分布の変動が大き
くなり、エッチング速度の不均一化を招く。ガラス状カ
ーボン板の反りを最大0.3mm以下の値に設定するこ
とによって、均一に電極板を冷却することが可能とな
る。
【0018】本発明で特定するガラス状カーボン板面の
反りは、次の方法で測定される。ガラス状カーボン板を
定盤上に置き、ガラス状カーボン板の中心部および外周
部を4〜10等分した各点についてダイヤルゲージによ
り定盤からの寸法および各測定点におけるガラス状カー
ボン板の厚さを測定し、その差から反りを算出する。な
お、ダイヤルゲージの代わりにレーザートレーサーなど
の電気計測器で測定することもできる。
反りは、次の方法で測定される。ガラス状カーボン板を
定盤上に置き、ガラス状カーボン板の中心部および外周
部を4〜10等分した各点についてダイヤルゲージによ
り定盤からの寸法および各測定点におけるガラス状カー
ボン板の厚さを測定し、その差から反りを算出する。な
お、ダイヤルゲージの代わりにレーザートレーサーなど
の電気計測器で測定することもできる。
【0019】本発明のプラズマエッチング装置の電極用
ガラス状カーボン板の製造方法について説明すると、原
料樹脂には予め精製処理した残炭率40%以上のフェノ
ール系樹脂、フラン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカ
ルボジイミド系樹脂あるいはこれらを混合した熱硬化性
樹脂が用いられ、これらの樹脂は粉末状あるいは液状な
どの性状により、モールド成形、射出成形、遠心成形、
注型成形など適宜な成形手段により所定の板状に成形さ
れる。
ガラス状カーボン板の製造方法について説明すると、原
料樹脂には予め精製処理した残炭率40%以上のフェノ
ール系樹脂、フラン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカ
ルボジイミド系樹脂あるいはこれらを混合した熱硬化性
樹脂が用いられ、これらの樹脂は粉末状あるいは液状な
どの性状により、モールド成形、射出成形、遠心成形、
注型成形など適宜な成形手段により所定の板状に成形さ
れる。
【0020】板状成形体は、大気中150〜300℃の
温度に加熱して硬化処理する。硬化反応は発熱反応であ
るので硬化反応を均等に進行させるために加熱硬化時の
昇温速度はできるだけ緩徐に行う必要があり、10℃/
hr以下、好ましくは5℃/hr以下、更に好ましくは
2℃/hr以下の昇温速度に設定される。硬化処理は所
定の温度に到達したのち、その温度に適宜時間保持する
ことにより行うが、硬化時間は樹脂組成や硬化剤、硬化
温度などによって適宜調整する。
温度に加熱して硬化処理する。硬化反応は発熱反応であ
るので硬化反応を均等に進行させるために加熱硬化時の
昇温速度はできるだけ緩徐に行う必要があり、10℃/
hr以下、好ましくは5℃/hr以下、更に好ましくは
2℃/hr以下の昇温速度に設定される。硬化処理は所
定の温度に到達したのち、その温度に適宜時間保持する
ことにより行うが、硬化時間は樹脂組成や硬化剤、硬化
温度などによって適宜調整する。
【0021】硬化後の樹脂成形体はフライス加工などの
機械研削や機械研磨により板面のうねりや凹凸を矯正し
たのち、非酸化性雰囲気に保持された加熱炉に詰め、8
00℃以上の温度に加熱して焼成炭化することによりガ
ラス状カーボン板が得られる。焼成炭化過程においては
成形体の収縮を伴うので均一に加熱処理することが重要
であり、また内部歪みを放出しその蓄積を防止するため
にも昇温速度は10℃/hr以下、好ましくは5℃/h
r以下に設定する。また、焼成は硬化樹脂成形板を熱伝
導率80kcal/m・h・℃以上、弾性率900kg
f/mm2 以上の表面平滑な等方性黒鉛板の間に挟持
し、所定温度に加熱処理することにより行われる。
機械研削や機械研磨により板面のうねりや凹凸を矯正し
たのち、非酸化性雰囲気に保持された加熱炉に詰め、8
00℃以上の温度に加熱して焼成炭化することによりガ
ラス状カーボン板が得られる。焼成炭化過程においては
成形体の収縮を伴うので均一に加熱処理することが重要
であり、また内部歪みを放出しその蓄積を防止するため
にも昇温速度は10℃/hr以下、好ましくは5℃/h
r以下に設定する。また、焼成は硬化樹脂成形板を熱伝
導率80kcal/m・h・℃以上、弾性率900kg
f/mm2 以上の表面平滑な等方性黒鉛板の間に挟持
し、所定温度に加熱処理することにより行われる。
【0022】焼成炭化して得られたガラス状カーボン板
は、更に高純度化処理される。高純度化処理は、例えば
雰囲気置換可能な電気式加熱炉に入れて精製したハロゲ
ン系のガスを流通させながら1400〜3000℃の温
度で加熱処理することにより行われる。高純度化処理し
たガラス状カーボン板は表面をバフ研磨あるいはダイヤ
モンドラッピングなどにより研磨し、表面平滑度を高め
て本発明のプラズマエッチング用の電極板が得られる。
なお、研磨後に高純度化処理する方法では高純度化処理
時の温度分布の不均一や焼成品内部に蓄積された内部歪
みにより、反りが大きくなり本発明のプラズマエッチン
グ用電極板を得ることが非常に困難となる。
は、更に高純度化処理される。高純度化処理は、例えば
雰囲気置換可能な電気式加熱炉に入れて精製したハロゲ
ン系のガスを流通させながら1400〜3000℃の温
度で加熱処理することにより行われる。高純度化処理し
たガラス状カーボン板は表面をバフ研磨あるいはダイヤ
モンドラッピングなどにより研磨し、表面平滑度を高め
て本発明のプラズマエッチング用の電極板が得られる。
なお、研磨後に高純度化処理する方法では高純度化処理
時の温度分布の不均一や焼成品内部に蓄積された内部歪
みにより、反りが大きくなり本発明のプラズマエッチン
グ用電極板を得ることが非常に困難となる。
【0023】また、電極板に設ける反応性ガス導入用の
貫通小孔は、樹脂成形段階の硬化樹脂成形板に予め焼成
炭化時の寸法収縮率を見込んで穿設するか、焼成炭化し
たガラス状カーボン板に放電加工により穿設するかのい
ずれかの方法で行う。
貫通小孔は、樹脂成形段階の硬化樹脂成形板に予め焼成
炭化時の寸法収縮率を見込んで穿設するか、焼成炭化し
たガラス状カーボン板に放電加工により穿設するかのい
ずれかの方法で行う。
【0024】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と対比して具
体的に説明するが、本発明の実施態様はこれら実施例に
限定されるものではない。
体的に説明するが、本発明の実施態様はこれら実施例に
限定されるものではない。
【0025】実施例1〜5 原料樹脂として精製処理したフラン樹脂初期縮合物を用
い、この原料樹脂100重量部に対して硬化剤(パラト
ルエンスルホン酸)0.6重量部を添加混合して原料樹
脂液を調製した。この原料樹脂液をポリプロピレン製の
バットに流し込み、10Torr以下の減圧下で3時間
脱気処理したのち、80℃の電気オーブンに入れて一昼
夜放置した。この成形物をバットから取り出して直径2
50mmの円板を得た。
い、この原料樹脂100重量部に対して硬化剤(パラト
ルエンスルホン酸)0.6重量部を添加混合して原料樹
脂液を調製した。この原料樹脂液をポリプロピレン製の
バットに流し込み、10Torr以下の減圧下で3時間
脱気処理したのち、80℃の電気オーブンに入れて一昼
夜放置した。この成形物をバットから取り出して直径2
50mmの円板を得た。
【0026】次いで、大気中200℃の温度で24時間
加熱して硬化処理したのち、この硬化樹脂成形体をフラ
イス旋盤で厚さ5mmに平面加工した。このようにして
得られた直径250mm、厚さ5mmの樹脂成形体に超
硬質金属材料からなるドリルにより2.5mmの等間隔
で直径1.0mmの貫通小孔を穿設した。次いで、不純
物5ppm以下、熱伝導率110kcal/m・h・
℃、弾性率1100kgf/mm2 の表面平滑な黒鉛板
〔東海カーボン(株)製、G347〕に挟持した状態で
カンタル焼成炉にセットし、N2 ガスを送入しながら2
℃/hrの昇温速度により1000℃の温度に加熱して
焼成炭化処理した。
加熱して硬化処理したのち、この硬化樹脂成形体をフラ
イス旋盤で厚さ5mmに平面加工した。このようにして
得られた直径250mm、厚さ5mmの樹脂成形体に超
硬質金属材料からなるドリルにより2.5mmの等間隔
で直径1.0mmの貫通小孔を穿設した。次いで、不純
物5ppm以下、熱伝導率110kcal/m・h・
℃、弾性率1100kgf/mm2 の表面平滑な黒鉛板
〔東海カーボン(株)製、G347〕に挟持した状態で
カンタル焼成炉にセットし、N2 ガスを送入しながら2
℃/hrの昇温速度により1000℃の温度に加熱して
焼成炭化処理した。
【0027】次いで、雰囲気調整可能な電気式加熱炉に
移し、精製した塩素ガス(Cl2 /Arのモル比:5/
95)を5リットル/分の割合で供給しながら2000
℃の温度に加熱して高純度化処理を行ったのち、ダイヤ
モンド砥粒を用いて研磨し表面を平滑処理した。このよ
うにして反りの程度が異なる直径200mm、厚さ4m
mで多数の貫通小孔を有する総灰分2ppm の高純度のガ
ラス状カーボン板を製造した。
移し、精製した塩素ガス(Cl2 /Arのモル比:5/
95)を5リットル/分の割合で供給しながら2000
℃の温度に加熱して高純度化処理を行ったのち、ダイヤ
モンド砥粒を用いて研磨し表面を平滑処理した。このよ
うにして反りの程度が異なる直径200mm、厚さ4m
mで多数の貫通小孔を有する総灰分2ppm の高純度のガ
ラス状カーボン板を製造した。
【0028】これらのガラス状カーボン板を定盤上に置
き、その中心部および外周部を8等分した各測定点につ
いて、ダイヤルゲージにより定盤からの寸法と各測定点
におけるガラス上カーボン板の厚さを測定し、その差か
ら各測定点における反りを算出して、反りの最大値を求
めた。
き、その中心部および外周部を8等分した各測定点につ
いて、ダイヤルゲージにより定盤からの寸法と各測定点
におけるガラス上カーボン板の厚さを測定し、その差か
ら各測定点における反りを算出して、反りの最大値を求
めた。
【0029】このようにして得られた各ガラス状カーボ
ン板からなる電極板をプラズマエッチング装置にセット
し、プラズマ反応ガスとしてトリクロロメタン、キャリ
アガスにアルゴンを用い、反応チャンバ内のガス圧1T
orr、電源周波数13.5MHzの条件で6インチの
シリコンウエハ酸化膜のプラズマエッチング処理を行っ
た。エッチング処理を50時間および100時間行った
後におけるウエハ内の9箇所のエッチングされた深さ及
びそのばらつきを測定して、エッチング速度および均一
性を評価し、その結果を表1に示した。
ン板からなる電極板をプラズマエッチング装置にセット
し、プラズマ反応ガスとしてトリクロロメタン、キャリ
アガスにアルゴンを用い、反応チャンバ内のガス圧1T
orr、電源周波数13.5MHzの条件で6インチの
シリコンウエハ酸化膜のプラズマエッチング処理を行っ
た。エッチング処理を50時間および100時間行った
後におけるウエハ内の9箇所のエッチングされた深さ及
びそのばらつきを測定して、エッチング速度および均一
性を評価し、その結果を表1に示した。
【0030】比較例1〜4 実施例1〜5と同一の原料樹脂を用い、実施例1〜5と
同一の方法により硬化処理および焼成炭化処理したの
ち、ダイヤモンド砥粒を用いて研磨し、表面を平滑処理
した。次いで、実施例1〜5と同一の方法により高純度
化処理して反りの程度が異なる直径200mm、厚さ4
mmで多数の貫通小孔を有する総灰分2ppmの高純度
のガラス状カーボン板を製造した。得られたガラス状カ
ーボン板について実施例1〜5と同一の方法により反り
の最大値を求め、また実施例1〜5と同一の方法により
プラズマエッチング処理を行って、エッチング速度およ
び均一性を評価して、その結果を表1に併載した。
同一の方法により硬化処理および焼成炭化処理したの
ち、ダイヤモンド砥粒を用いて研磨し、表面を平滑処理
した。次いで、実施例1〜5と同一の方法により高純度
化処理して反りの程度が異なる直径200mm、厚さ4
mmで多数の貫通小孔を有する総灰分2ppmの高純度
のガラス状カーボン板を製造した。得られたガラス状カ
ーボン板について実施例1〜5と同一の方法により反り
の最大値を求め、また実施例1〜5と同一の方法により
プラズマエッチング処理を行って、エッチング速度およ
び均一性を評価して、その結果を表1に併載した。
【0031】
【表1】 (表注)*1 オングストローム/hr、 *2 オングストローム
【0032】表1の結果から、反りが小さくその最大値
が0.3mm以下のガラス状カーボン電極板を用いた場
合は、50時間および100時間エッチング処理後のエ
ッチング深さのばらつきが、反りの最大値が0.4mm
を超える比較例のガラス状カーボン電極板を用いた場合
に比べていずれも小さく、エッチング速度の均一性が高
いことが判る。なお、100時間エッチング処理した後
のウエハーの状況から比較例においては中央部のエッチ
ング速度が外周に比較して早いことが認められた。
が0.3mm以下のガラス状カーボン電極板を用いた場
合は、50時間および100時間エッチング処理後のエ
ッチング深さのばらつきが、反りの最大値が0.4mm
を超える比較例のガラス状カーボン電極板を用いた場合
に比べていずれも小さく、エッチング速度の均一性が高
いことが判る。なお、100時間エッチング処理した後
のウエハーの状況から比較例においては中央部のエッチ
ング速度が外周に比較して早いことが認められた。
【0033】
【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば、板面の
反りが最大0.3mm以下の平坦形状のガラス状カーボ
ン板を電極板として用いることにより、冷却板との均等
かつ密接な接触が図られて均等に冷却することができ、
したがって、電極板の表面温度は安定化し、その結果エ
ッチング速度の均一性が向上して、安定したウエハー歩
留りが保証されるとともに、電極板の使用寿命の向上も
達成できるプラズマエッチング装置が提供される。
反りが最大0.3mm以下の平坦形状のガラス状カーボ
ン板を電極板として用いることにより、冷却板との均等
かつ密接な接触が図られて均等に冷却することができ、
したがって、電極板の表面温度は安定化し、その結果エ
ッチング速度の均一性が向上して、安定したウエハー歩
留りが保証されるとともに、電極板の使用寿命の向上も
達成できるプラズマエッチング装置が提供される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4G075 AA30 BC06 CA25 EB42 EC21 FB03 FC11 5F004 AA01 BA00 BB25 BB26 BB28 BB29 DB03
Claims (1)
- 【請求項1】 電極板として、板面の反りが最大で0.
3mm以下の平坦形状を備えたガラス状カーボン板を配
設したことを特徴とするプラズマエッチング装置。但
し、ガラス状カーボン板の反りは、ガラス状カーボン板
を定盤上に置き、ガラス状カーボン板の中心部および外
周部を4〜10等分した各点についてダイヤルゲージに
より定盤からの寸法および各測定点におけるガラス状カ
ーボン板の厚さを測定し、その差から算出する。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001237596A JP2002151483A (ja) | 2001-08-06 | 2001-08-06 | プラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001237596A JP2002151483A (ja) | 2001-08-06 | 2001-08-06 | プラズマエッチング装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP05246696A Division JP3437026B2 (ja) | 1996-02-15 | 1996-02-15 | プラズマエッチング用電極板およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002151483A true JP2002151483A (ja) | 2002-05-24 |
Family
ID=19068655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001237596A Pending JP2002151483A (ja) | 2001-08-06 | 2001-08-06 | プラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002151483A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008264740A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 水素透過金属膜の製造方法 |
-
2001
- 2001-08-06 JP JP2001237596A patent/JP2002151483A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008264740A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 水素透過金属膜の製造方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040524 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041004 |