JPH1171580A - 蛍光体層形成方法 - Google Patents
蛍光体層形成方法Info
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- JPH1171580A JPH1171580A JP23421597A JP23421597A JPH1171580A JP H1171580 A JPH1171580 A JP H1171580A JP 23421597 A JP23421597 A JP 23421597A JP 23421597 A JP23421597 A JP 23421597A JP H1171580 A JPH1171580 A JP H1171580A
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- paste
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマディスプレイ等に使用される蛍光体
層の形成方法に関し、焼成工程の焼成温度を低く抑え、
高輝度のカラー発光を生じる蛍光体層を提供すること。 【解決手段】 基板上に蛍光体層を形成する方法であっ
て、蛍光体ペーストを基板上に塗布する塗布工程と、塗
布された蛍光体ペーストを乾燥する乾燥工程と、乾燥さ
れた蛍光体ペーストに紫外線を照射する紫外線照射工程
と、紫外線が照射された蛍光体ペーストを焼成する焼成
工程とからなることを特徴とする。
層の形成方法に関し、焼成工程の焼成温度を低く抑え、
高輝度のカラー発光を生じる蛍光体層を提供すること。 【解決手段】 基板上に蛍光体層を形成する方法であっ
て、蛍光体ペーストを基板上に塗布する塗布工程と、塗
布された蛍光体ペーストを乾燥する乾燥工程と、乾燥さ
れた蛍光体ペーストに紫外線を照射する紫外線照射工程
と、紫外線が照射された蛍光体ペーストを焼成する焼成
工程とからなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、プラズマディス
プレイパネル（以下、ＰＤＰと呼ぶ）等に使用される蛍
光体層を形成する方法に関する。
プレイパネル（以下、ＰＤＰと呼ぶ）等に使用される蛍
光体層を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＤＰは放電空間をはさんで対向する一
対の基板を基体とする構造の表示パネルである。放電空
間は、基板表面上に設けられたメッシュ形状またはスト
ライプ形状の隔壁によって区画されている。ＰＤＰで
は、この放電空間内に紫外線励起型の蛍光体層が設けら
れ、蛍光体層の放電励起によって、放電ガスの発光色と
異なる色の表示が可能となる。一般に、カラー表示用Ｐ
ＤＰは、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の三色の蛍光体
層を有している。
対の基板を基体とする構造の表示パネルである。放電空
間は、基板表面上に設けられたメッシュ形状またはスト
ライプ形状の隔壁によって区画されている。ＰＤＰで
は、この放電空間内に紫外線励起型の蛍光体層が設けら
れ、蛍光体層の放電励起によって、放電ガスの発光色と
異なる色の表示が可能となる。一般に、カラー表示用Ｐ
ＤＰは、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の三色の蛍光体
層を有している。
【０００３】従来、蛍光体層は、次のような３つの工程
から製造されている。図５に、従来の蛍光体層の製造工
程のフローチャートを示す。粉末状の蛍光体粒子を主成
分とする蛍光体ペーストを各色ごとに、順にスクリーン
印刷法などによって基板上の所定の位置に塗布する塗布
工程Ｓ１と、塗布した蛍光体ペーストを所定の時間乾燥
させる乾燥工程Ｓ２と、乾燥後、ペーストに含まれる有
機溶剤を燃焼分解させる焼成工程Ｓ３である（例えば、
特開平５−２９９０１９号公報参照）。
から製造されている。図５に、従来の蛍光体層の製造工
程のフローチャートを示す。粉末状の蛍光体粒子を主成
分とする蛍光体ペーストを各色ごとに、順にスクリーン
印刷法などによって基板上の所定の位置に塗布する塗布
工程Ｓ１と、塗布した蛍光体ペーストを所定の時間乾燥
させる乾燥工程Ｓ２と、乾燥後、ペーストに含まれる有
機溶剤を燃焼分解させる焼成工程Ｓ３である（例えば、
特開平５−２９９０１９号公報参照）。
【０００４】蛍光体ペーストは、隔壁間の空隙をほぼ埋
め尽くすように塗布され、焼成工程においてその体積が
減少させられ、隔壁の側面と基板の表面上に所定の厚さ
の蛍光体層が形成される。
め尽くすように塗布され、焼成工程においてその体積が
減少させられ、隔壁の側面と基板の表面上に所定の厚さ
の蛍光体層が形成される。
【０００５】また、蛍光体層を形成する別の方法として
は、カラーブラウン管（ＣＲＴ）の蛍光体面形成方法と
して一般的に使用されているフォトリソグラフィ技術を
用いて、ガラス平板上にＲ，Ｇ，Ｂ三色の蛍光体層を形
成する方法が知られている。
は、カラーブラウン管（ＣＲＴ）の蛍光体面形成方法と
して一般的に使用されているフォトリソグラフィ技術を
用いて、ガラス平板上にＲ，Ｇ，Ｂ三色の蛍光体層を形
成する方法が知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来、前記した焼成工
程では、蛍光体ペーストに含まれる有機成分（アクリル
樹脂系溶剤）を十分焼成分解させるために、４５０℃程
度に温度設定した炉内に１時間程度基板を投入してい
た。一般に、蛍光体粒子を高温状態にさらすと、熱劣化
することが知られており、熱劣化のために電圧・光学特
性が悪化する。
程では、蛍光体ペーストに含まれる有機成分（アクリル
樹脂系溶剤）を十分焼成分解させるために、４５０℃程
度に温度設定した炉内に１時間程度基板を投入してい
た。一般に、蛍光体粒子を高温状態にさらすと、熱劣化
することが知られており、熱劣化のために電圧・光学特
性が悪化する。
【０００７】たとえば、蛍光体粒子自体を４５０℃で一
時間焼成した場合、あるいは５００℃で３０分間焼成し
た場合、励起される蛍光の輝度は、焼成しない場合に比
べて９０％程度にまで悪化する。また、蛍光体層を形成
するのに従来用いられている蛍光体ペーストを焼成した
場合も、同様に焼成温度が高いほど励起される蛍光の輝
度は悪化する。
時間焼成した場合、あるいは５００℃で３０分間焼成し
た場合、励起される蛍光の輝度は、焼成しない場合に比
べて９０％程度にまで悪化する。また、蛍光体層を形成
するのに従来用いられている蛍光体ペーストを焼成した
場合も、同様に焼成温度が高いほど励起される蛍光の輝
度は悪化する。
【０００８】図４に、蛍光体ペーストの焼成温度と励起
輝度の関係グラフを示す。ここで縦軸は、焼成しない蛍
光体粒子自体の輝度を１００としたときの励起輝度を％
で示したものである。同図によれば、焼成温度が高くな
ればなるほど輝度は低くなり、４５０℃で６０分間焼成
すれば、輝度は約５０％となり、５００℃で３０分間焼
成すれば輝度は約４５％となることがわかる。また、比
較的低温である３５０℃では、輝度は７８％程度を保っ
ている。したがってできるだけ明るいカラー表示ができ
るＰＤＰを製造するためには、焼成温度は低いほどよ
い。
輝度の関係グラフを示す。ここで縦軸は、焼成しない蛍
光体粒子自体の輝度を１００としたときの励起輝度を％
で示したものである。同図によれば、焼成温度が高くな
ればなるほど輝度は低くなり、４５０℃で６０分間焼成
すれば、輝度は約５０％となり、５００℃で３０分間焼
成すれば輝度は約４５％となることがわかる。また、比
較的低温である３５０℃では、輝度は７８％程度を保っ
ている。したがってできるだけ明るいカラー表示ができ
るＰＤＰを製造するためには、焼成温度は低いほどよ
い。
【０００９】この発明は、以上のような事情を考慮して
なされたものであり、蛍光体層の形成時に、紫外線照射
工程を設けることにより、焼成工程での焼成温度を低く
抑え、蛍光体の熱劣化を低減して輝度の高いカラー発光
を得るようにすることを課題とする。
なされたものであり、蛍光体層の形成時に、紫外線照射
工程を設けることにより、焼成工程での焼成温度を低く
抑え、蛍光体の熱劣化を低減して輝度の高いカラー発光
を得るようにすることを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明は、基板上に蛍
光体層を形成する方法であって、蛍光体ペーストを基板
上に塗布する塗布工程と、塗布された蛍光体ペーストを
乾燥する乾燥工程と、乾燥された蛍光体ペーストに紫外
線を照射する紫外線照射工程と、紫外線が照射された蛍
光体ペーストを焼成する焼成工程とからなることを特徴
とする蛍光体層形成方法を提供するものである。ここ
で、この発明では、紫外線照射工程を設けているため、
前記焼成工程において、蛍光体ペーストを焼成する温度
を２５０℃以上３５０℃以下とすることができる。
光体層を形成する方法であって、蛍光体ペーストを基板
上に塗布する塗布工程と、塗布された蛍光体ペーストを
乾燥する乾燥工程と、乾燥された蛍光体ペーストに紫外
線を照射する紫外線照射工程と、紫外線が照射された蛍
光体ペーストを焼成する焼成工程とからなることを特徴
とする蛍光体層形成方法を提供するものである。ここ
で、この発明では、紫外線照射工程を設けているため、
前記焼成工程において、蛍光体ペーストを焼成する温度
を２５０℃以上３５０℃以下とすることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】この発明に用いる基板はたとえば
ガラス基板が用いられ、その一方の表面上には、複数の
隔壁が並列に設けられる。各隔壁は直線状であることが
好ましいが、曲線状であってもよい。隔壁は、高さが１
００〜１５０μｍ，幅が底部で７０〜１００μｍ，間隔
が１５０〜２００μｍ程度であり、低融点ガラスが用い
られる。
ガラス基板が用いられ、その一方の表面上には、複数の
隔壁が並列に設けられる。各隔壁は直線状であることが
好ましいが、曲線状であってもよい。隔壁は、高さが１
００〜１５０μｍ，幅が底部で７０〜１００μｍ，間隔
が１５０〜２００μｍ程度であり、低融点ガラスが用い
られる。
【００１２】隔壁の形成方法としては、スクリーン印刷
や、ベタ膜状の低融点ガラス層の上にフォトリソグラフ
ィによってエッチングマスクを設けサンドブラストでパ
ターニングする方法を用いることができる。蛍光体層の
塗布工程は、従来から用いられているスクリーン印刷法
を用いればよい。塗布される蛍光体ペーストは、発光色
の赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）に対して、たとえば
（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ3：Ｅｕ3+，Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ，Ｂ
ａＭｇＡｌ1 4Ｏ23：Ｅｎ2+をそれぞれ用いることができ
る。
や、ベタ膜状の低融点ガラス層の上にフォトリソグラフ
ィによってエッチングマスクを設けサンドブラストでパ
ターニングする方法を用いることができる。蛍光体層の
塗布工程は、従来から用いられているスクリーン印刷法
を用いればよい。塗布される蛍光体ペーストは、発光色
の赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）に対して、たとえば
（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ3：Ｅｕ3+，Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ，Ｂ
ａＭｇＡｌ1 4Ｏ23：Ｅｎ2+をそれぞれ用いることができ
る。
【００１３】蛍光体層の乾燥工程は、蛍光体ペーストを
塗布した基板を乾燥炉の中に搬入して、所定の加熱条件
のもと行われる。乾燥炉はバッチ式のものを用いること
ができる。加熱条件は、基板の大きさ、蛍光体ペースト
の材料等によって異なるが、たとえば１００〜１５０°
の比較的低温で１時間程度の加熱が実施すればよい。
塗布した基板を乾燥炉の中に搬入して、所定の加熱条件
のもと行われる。乾燥炉はバッチ式のものを用いること
ができる。加熱条件は、基板の大きさ、蛍光体ペースト
の材料等によって異なるが、たとえば１００〜１５０°
の比較的低温で１時間程度の加熱が実施すればよい。
【００１４】この発明の特徴となる紫外線照射工程は、
乾燥を行った基板に対して、隔壁を形成した表面の上方
から、１０００ｍＪから６０００ｍＪ程度の紫外線を一
定時間照射する工程である。照射条件は基板の大きさ，
蛍光体ペーストの材料等によって異なる。
乾燥を行った基板に対して、隔壁を形成した表面の上方
から、１０００ｍＪから６０００ｍＪ程度の紫外線を一
定時間照射する工程である。照射条件は基板の大きさ，
蛍光体ペーストの材料等によって異なる。
【００１５】焼成工程は、紫外線照射を行った基板を焼
成炉に搬入して、従来と同様の所定の温度プロファイル
に基づいて連続的に加熱することによって行われる。こ
の発明では、従来よりも１００℃程度低い２５０℃〜３
５０℃に設定すればよい。このように、焼成温度を低く
設定することによって、蛍光体の熱劣化を低減させるこ
とができる。
成炉に搬入して、従来と同様の所定の温度プロファイル
に基づいて連続的に加熱することによって行われる。こ
の発明では、従来よりも１００℃程度低い２５０℃〜３
５０℃に設定すればよい。このように、焼成温度を低く
設定することによって、蛍光体の熱劣化を低減させるこ
とができる。
【００１６】以下、図面を用いてこの発明の実施例を具
体的に説明する。なお、これによってこの発明が限定さ
れるものではない。図１は、この発明を適用するＰＤＰ
１の内部構造を示した斜視図である。ここでは、マトリ
クス表示形式のＡＣ駆動型ＰＤＰを示す。
体的に説明する。なお、これによってこの発明が限定さ
れるものではない。図１は、この発明を適用するＰＤＰ
１の内部構造を示した斜視図である。ここでは、マトリ
クス表示形式のＡＣ駆動型ＰＤＰを示す。
【００１７】放電空間３０を挟む基板対のうち、利用者
が表示を見る前面側のガラス基板１１の下側に、基板面
に沿って面放電を生じさせるためのサステイン電極（１
２）Ｘ，Ｙが、ライン毎に一対ずつ配列される。サステ
イン電極Ｘ，Ｙは、それぞれがＩＴＯ薄膜からなる幅の
広い直線帯状の透明電極４１と、金属薄膜からなる幅の
狭い直線帯状のバス電極４２とから構成される。バス電
極４２は、適性な導電性を確保するための補助電極であ
る。
が表示を見る前面側のガラス基板１１の下側に、基板面
に沿って面放電を生じさせるためのサステイン電極（１
２）Ｘ，Ｙが、ライン毎に一対ずつ配列される。サステ
イン電極Ｘ，Ｙは、それぞれがＩＴＯ薄膜からなる幅の
広い直線帯状の透明電極４１と、金属薄膜からなる幅の
狭い直線帯状のバス電極４２とから構成される。バス電
極４２は、適性な導電性を確保するための補助電極であ
る。
【００１８】また、サステイン電極Ｘ，Ｙ、を被覆する
ように誘電体層１７が設けられ、誘電体層１７の表面に
は保護膜１８が蒸着される。この誘電体層１７及び保護
膜１８は透光性を有している。誘電体層１７の材料とし
ては、ＰｂＯ系低融点ガラス（誘電率は約１０）が用い
られ、保護膜１８としてはＭｇＯ膜（約７０００Å）が
用いられる。背面側のガラス基板２１の内面には、サス
テイン電極Ｘ，Ｙと直交するようにアドレス電極Ａが配
列される。
ように誘電体層１７が設けられ、誘電体層１７の表面に
は保護膜１８が蒸着される。この誘電体層１７及び保護
膜１８は透光性を有している。誘電体層１７の材料とし
ては、ＰｂＯ系低融点ガラス（誘電率は約１０）が用い
られ、保護膜１８としてはＭｇＯ膜（約７０００Å）が
用いられる。背面側のガラス基板２１の内面には、サス
テイン電極Ｘ，Ｙと直交するようにアドレス電極Ａが配
列される。
【００１９】各アドレス電極Ａの間に直線上の隔壁２９
が一つずつ設けられる。この隔壁２９によって放電空間
３０がライン方向に単位発光領域（サブピクセル）ＥＵ
毎に区画され、且つ放電空間３０の間隔寸法が規定され
る。放電空間３０には、ネオンに微量のキセノンを混合
した放電ガスが充填される。また、アドレス電極Ａの上
部及び隔壁２０の側面を含めて背面側のガラス基板２１
の表面を被覆するように、カラー表示のためのＲ，Ｇ，
Ｂの３色の蛍光体層２８が設けられる。隔壁２９は紫外
線に対して不透明である。
が一つずつ設けられる。この隔壁２９によって放電空間
３０がライン方向に単位発光領域（サブピクセル）ＥＵ
毎に区画され、且つ放電空間３０の間隔寸法が規定され
る。放電空間３０には、ネオンに微量のキセノンを混合
した放電ガスが充填される。また、アドレス電極Ａの上
部及び隔壁２０の側面を含めて背面側のガラス基板２１
の表面を被覆するように、カラー表示のためのＲ，Ｇ，
Ｂの３色の蛍光体層２８が設けられる。隔壁２９は紫外
線に対して不透明である。
【００２０】マトリクス表示の１ラインにはサステイン
電極対１２が対応し、１列には１本のアドレス電極Ａが
対応する。そして、３列が１ピクセル（画素）ＥＧに対
応する。つまり、１ピクセルＥＧはライン方向に並ぶ
Ｒ，Ｇ，Ｂの３つのサブピクセルＥＵからなる。
電極対１２が対応し、１列には１本のアドレス電極Ａが
対応する。そして、３列が１ピクセル（画素）ＥＧに対
応する。つまり、１ピクセルＥＧはライン方向に並ぶ
Ｒ，Ｇ，Ｂの３つのサブピクセルＥＵからなる。
【００２１】アドレス電極Ａとサステイン電極Ｙとの間
の対向放電によって、誘電体層１７における壁電荷の蓄
積状態が制御される。サステイン電極Ｘ，Ｙに交互のサ
ステインパルスを印加すると、所定量の壁電荷が存在す
るサブピクセルＥＵで面放電が生じる。
の対向放電によって、誘電体層１７における壁電荷の蓄
積状態が制御される。サステイン電極Ｘ，Ｙに交互のサ
ステインパルスを印加すると、所定量の壁電荷が存在す
るサブピクセルＥＵで面放電が生じる。
【００２２】蛍光体層２８は、面放電で生じた紫外線に
よって局部的に励起されて所定色の可視光を放つ。この
可視光の内、ガラス基板１１を透過する光が表示光とな
る。隔壁２９の配置パターンがいわゆるストライプパタ
ーンであることから、放電空間３０の内の各列に対応し
た部分は、すべてのラインにまたがって列方向に連続し
ている。各列内のサブピクセルＥＵの発光色は同一であ
る。
よって局部的に励起されて所定色の可視光を放つ。この
可視光の内、ガラス基板１１を透過する光が表示光とな
る。隔壁２９の配置パターンがいわゆるストライプパタ
ーンであることから、放電空間３０の内の各列に対応し
た部分は、すべてのラインにまたがって列方向に連続し
ている。各列内のサブピクセルＥＵの発光色は同一であ
る。
【００２３】以上の構造のＰＤＰ１は、各ガラス基板１
１，２１について別個に所定の構成要素を設けて前面パ
ネル及び背面パネルを作製し、両パネルを重ね合わせて
対向間隙の周縁を封止し、内部の排気及び放電ガスの充
填を行う一連の工程によって製造される。以上のように
ＰＤＰは製造されるが、蛍光体層２８は、ガラス基板２
１の上にアドレス電極Ａと隔壁２９とを設けた後に形成
される。
１，２１について別個に所定の構成要素を設けて前面パ
ネル及び背面パネルを作製し、両パネルを重ね合わせて
対向間隙の周縁を封止し、内部の排気及び放電ガスの充
填を行う一連の工程によって製造される。以上のように
ＰＤＰは製造されるが、蛍光体層２８は、ガラス基板２
１の上にアドレス電極Ａと隔壁２９とを設けた後に形成
される。
【００２４】以下、この発明における蛍光体層２８の製
造工程について説明する。図２に、この発明の蛍光体層
２８の製造工程のフローチャートを示す。蛍光体の塗布
工程Ｓ１及び乾燥工程Ｓ２は、従来とほぼ同様の手順で
行うことができる。
造工程について説明する。図２に、この発明の蛍光体層
２８の製造工程のフローチャートを示す。蛍光体の塗布
工程Ｓ１及び乾燥工程Ｓ２は、従来とほぼ同様の手順で
行うことができる。
【００２５】塗布工程Ｓ１では、所定幅の開口部を有す
るラインパターンマスクをガラス基板２１に対して位置
合わせして隔壁上に配置し、蛍光体ペーストを開口部を
介して隔壁の間に落とし込む。ラインパターンマスクは
Ｒ，Ｇ，Ｂ各色ごとに用意し、蛍光体ペーストを各色ご
とにこのラインパターンマスクを用いて印刷する。蛍光
体ペーストは、蛍光体粒子と、アクリル樹脂等の有機樹
脂成分を基材とするフォトレジストとからなり、通常、
蛍光体粒子の含有量は１０〜５０重量％程度のものが用
いられる。この場合、蛍光体層の膜厚は５０μｍ程度以
下にすることができる。
るラインパターンマスクをガラス基板２１に対して位置
合わせして隔壁上に配置し、蛍光体ペーストを開口部を
介して隔壁の間に落とし込む。ラインパターンマスクは
Ｒ，Ｇ，Ｂ各色ごとに用意し、蛍光体ペーストを各色ご
とにこのラインパターンマスクを用いて印刷する。蛍光
体ペーストは、蛍光体粒子と、アクリル樹脂等の有機樹
脂成分を基材とするフォトレジストとからなり、通常、
蛍光体粒子の含有量は１０〜５０重量％程度のものが用
いられる。この場合、蛍光体層の膜厚は５０μｍ程度以
下にすることができる。
【００２６】乾燥工程Ｓ２では、３色の蛍光体ペースト
を塗布したガラス基板２１をたとえばバッチ式乾燥炉に
導入して乾燥させる。ここで乾燥は、炉内を約１２０℃
に保ち、約６０分間静置することによって行う。
を塗布したガラス基板２１をたとえばバッチ式乾燥炉に
導入して乾燥させる。ここで乾燥は、炉内を約１２０℃
に保ち、約６０分間静置することによって行う。
【００２７】次に紫外線照射工程Ｓ４において、乾燥さ
せたガラス基板２１を炉から出し、ガラス基板２１の隔
壁を形成した表面の上方から紫外線を照射する。紫外線
の露光量の最適値は、蛍光体ペーストの材質，蛍光体粒
子の含有量等によっても異なるが、約１０００ｍＪ以上
であればよい。紫外線の露光量は、後述する焼成工程に
おける加熱温度と、焼成後の蛍光体の結晶度に関係す
る。
せたガラス基板２１を炉から出し、ガラス基板２１の隔
壁を形成した表面の上方から紫外線を照射する。紫外線
の露光量の最適値は、蛍光体ペーストの材質，蛍光体粒
子の含有量等によっても異なるが、約１０００ｍＪ以上
であればよい。紫外線の露光量は、後述する焼成工程に
おける加熱温度と、焼成後の蛍光体の結晶度に関係す
る。
【００２８】このように乾燥させた蛍光体ペーストに紫
外線を照射することによって、蛍光体ペースト中の蛍光
体粒子と有機樹脂成分との結合が弱められる。したがっ
て、焼成工程において従来よりも比較的低温で、有機樹
脂成分を焼成・分解させることが可能となる。
外線を照射することによって、蛍光体ペースト中の蛍光
体粒子と有機樹脂成分との結合が弱められる。したがっ
て、焼成工程において従来よりも比較的低温で、有機樹
脂成分を焼成・分解させることが可能となる。
【００２９】焼成工程Ｓ５において、紫外線照射後のガ
ラス基板２１を、３５０℃程度に設定した炉内に約２５
分間投入する。これにより、蛍光体層２８中に残存して
いた有機樹脂成分が燃焼・分解され、蛍光体粒子のみで
形成された蛍光体層が得られる。
ラス基板２１を、３５０℃程度に設定した炉内に約２５
分間投入する。これにより、蛍光体層２８中に残存して
いた有機樹脂成分が燃焼・分解され、蛍光体粒子のみで
形成された蛍光体層が得られる。
【００３０】図３に、この発明における蛍光体の結晶度
と、焼成工程の加熱温度との関係グラフを示す。グラフ
は紫外線照射の有無及び照射の程度別に示している。蛍
光体の結晶度は、焼成後の蛍光体粒子の純度に相当する
ものであり、この結晶度が高いほど、十分有機樹脂成分
が燃焼・分解されて、純度の高い蛍光体粒子が残存して
いることを示す。
と、焼成工程の加熱温度との関係グラフを示す。グラフ
は紫外線照射の有無及び照射の程度別に示している。蛍
光体の結晶度は、焼成後の蛍光体粒子の純度に相当する
ものであり、この結晶度が高いほど、十分有機樹脂成分
が燃焼・分解されて、純度の高い蛍光体粒子が残存して
いることを示す。
【００３１】図３によれば、たとえば加熱温度３５０℃
において、紫外線照射を行わない場合が最も結晶度が低
く、紫外線露光量を増加させるほど結晶度が高くなって
いることがわかる。すなわち、紫外線露光量が多いほど
結晶度が高く、蛍光体粒子以外の成分の残存を少なくす
ることができる。また、加熱温度が２５０℃から３５０
℃程度において、紫外線を照射しない場合よりも照射し
た方が結晶度が高くなるという同様の傾向を示してい
る。したがって、紫外線を照射することによって、従来
より低い加熱温度でも高い結晶度の蛍光体層が得られる
ことがわかる。
において、紫外線照射を行わない場合が最も結晶度が低
く、紫外線露光量を増加させるほど結晶度が高くなって
いることがわかる。すなわち、紫外線露光量が多いほど
結晶度が高く、蛍光体粒子以外の成分の残存を少なくす
ることができる。また、加熱温度が２５０℃から３５０
℃程度において、紫外線を照射しない場合よりも照射し
た方が結晶度が高くなるという同様の傾向を示してい
る。したがって、紫外線を照射することによって、従来
より低い加熱温度でも高い結晶度の蛍光体層が得られる
ことがわかる。
【００３２】また、前記したように、図４によれば、焼
成工程の加熱温度が低いほど蛍光の励起輝度の悪化の程
度は低く、すなわち、熱劣化が少ない。たとえば、加熱
温度が２５０℃から３５０℃程度であれば、８０％近い
励起輝度を保つことができ、熱劣化を低減できる。
成工程の加熱温度が低いほど蛍光の励起輝度の悪化の程
度は低く、すなわち、熱劣化が少ない。たとえば、加熱
温度が２５０℃から３５０℃程度であれば、８０％近い
励起輝度を保つことができ、熱劣化を低減できる。
【００３３】図３より、１０００ｍＪ程度の紫外線を照
射した場合、焼成工程において２５０℃から３５０℃の
加熱温度とすれば、輝度劣化の少ない蛍光体層を形成す
ることができる。さらに、紫外線の露光量を増加させて
６０００ｍＪ程度としてもよい。このように比較的低温
の加熱温度で結晶度の高い蛍光体粒子からなる蛍光体層
が形成されるということは、表示に有効に寄与できる熱
劣化の少ない蛍光体粒子が多いことを意味し、従来より
もＰＤＰの輝度を高めることが可能である。
射した場合、焼成工程において２５０℃から３５０℃の
加熱温度とすれば、輝度劣化の少ない蛍光体層を形成す
ることができる。さらに、紫外線の露光量を増加させて
６０００ｍＪ程度としてもよい。このように比較的低温
の加熱温度で結晶度の高い蛍光体粒子からなる蛍光体層
が形成されるということは、表示に有効に寄与できる熱
劣化の少ない蛍光体粒子が多いことを意味し、従来より
もＰＤＰの輝度を高めることが可能である。
【００３４】
【発明の効果】この発明によれば、乾燥工程の後に紫外
線照射を行っているので、従来に比べて焼成工程におけ
る焼成温度を低くすることができ、蛍光体の熱劣化を低
減させることができる。したがって、輝度の高いＰＤＰ
等を製造することができる。
線照射を行っているので、従来に比べて焼成工程におけ
る焼成温度を低くすることができ、蛍光体の熱劣化を低
減させることができる。したがって、輝度の高いＰＤＰ
等を製造することができる。
【図１】この発明を適用するＰＤＰの内部構造を示す斜
視図である。
視図である。
【図２】この発明の蛍光体層の製造工程のフローチャー
トである。
トである。
【図３】この発明の蛍光体の結晶度と焼成工程の加熱温
度との関係のグラフである。
度との関係のグラフである。
【図４】蛍光体ペーストの焼成温度と励起輝度の関係の
グラフである。
グラフである。
【図５】従来の蛍光体層の製造工程のフローチャートで
ある。
ある。
１ ＰＤＰ １１ ガラス基板 １２ サステイン電極 １７ 誘電体層 １８ 保護膜 ２１ ガラス基板 ２８ 蛍光体層 ２９ 隔壁 ３０ 放電空間 ４１ 透明電極 ４２ バス電極
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に蛍光体層を形成する方法であっ
て、蛍光体ペーストを基板上に塗布する塗布工程と、塗
布された蛍光体ペーストを乾燥する乾燥工程と、 乾燥
された蛍光体ペーストに紫外線を照射する紫外線照射工
程と、紫外線が照射された蛍光体ペーストを焼成する焼
成工程とからなることを特徴とする蛍光体層形成方法。 - 【請求項２】 前記焼成工程において、蛍光体ペースト
を焼成する温度が２５０℃以上３５０℃以下であること
を特徴とする請求項１記載の蛍光体層形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23421597A JP3931929B2 (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 蛍光体層形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23421597A JP3931929B2 (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 蛍光体層形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1171580A true JPH1171580A (ja) | 1999-03-16 |
| JP3931929B2 JP3931929B2 (ja) | 2007-06-20 |
Family
ID=16967508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23421597A Expired - Fee Related JP3931929B2 (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 蛍光体層形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3931929B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CZ309041B6 (cs) * | 2021-05-13 | 2021-12-15 | Fyzikální Ústav Av Čr, V. V. I. | Způsob nanášení vrstev na senzorové platformy pro detekci plynů |
-
1997
- 1997-08-29 JP JP23421597A patent/JP3931929B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CZ309041B6 (cs) * | 2021-05-13 | 2021-12-15 | Fyzikální Ústav Av Čr, V. V. I. | Způsob nanášení vrstev na senzorové platformy pro detekci plynů |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3931929B2 (ja) | 2007-06-20 |
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