JPH1169581A - ガス絶縁母線及びガス絶縁開閉装置 - Google Patents
ガス絶縁母線及びガス絶縁開閉装置Info
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- H02B5/00—Non-enclosed substations; Substations with enclosed and non-enclosed equipment
- H02B5/06—Non-enclosed substations; Substations with enclosed and non-enclosed equipment gas-insulated
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明の目的は、相配置変換部が存在しても、
絶縁性能及び運転の信頼性を向上できるコンパクトなガ
ス絶縁母線及びこれを備えたガス絶縁開閉装置を提供す
ることにある。 【解決手段】三相交流高電圧が印加される３本の三相導
体３と、三相導体３及び絶縁性ガスを封入し接地される
容器１とを備え、３本の三相導体３の周方向の位置を変
換する相配置変換部を有するガス絶縁母線において、３
本の高電圧導体３のうち容器１の底部に最も近い１本の
導体３１の変換部における形状がほぼ直線状に形成さ
れ、残りの２本の導体３２の変換部における形状が径方
向の外側に凸となるように形成されている。
絶縁性能及び運転の信頼性を向上できるコンパクトなガ
ス絶縁母線及びこれを備えたガス絶縁開閉装置を提供す
ることにある。 【解決手段】三相交流高電圧が印加される３本の三相導
体３と、三相導体３及び絶縁性ガスを封入し接地される
容器１とを備え、３本の三相導体３の周方向の位置を変
換する相配置変換部を有するガス絶縁母線において、３
本の高電圧導体３のうち容器１の底部に最も近い１本の
導体３１の変換部における形状がほぼ直線状に形成さ
れ、残りの２本の導体３２の変換部における形状が径方
向の外側に凸となるように形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はガス絶縁開閉装置に
係り、特に三相高電圧の相配置変換部を有するガス絶縁
母線に関する。
係り、特に三相高電圧の相配置変換部を有するガス絶縁
母線に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガス絶縁開閉装置（以下、ＧＩＳと略
す）は、変電所内で三相高電圧電源と気中送電線の間に
配置され、雷サージなどの異常電圧を検知して、電流を
遮断するもので、三相高電圧電源から受電するブッシン
グ，ブッシングからガス絶縁遮断器（以下、ＧＣＢと略
す）へ配電するガス絶縁母線（以下、ＧＩＢと略す）、
電流を遮断するＧＣＢなどから構成される。
す）は、変電所内で三相高電圧電源と気中送電線の間に
配置され、雷サージなどの異常電圧を検知して、電流を
遮断するもので、三相高電圧電源から受電するブッシン
グ，ブッシングからガス絶縁遮断器（以下、ＧＣＢと略
す）へ配電するガス絶縁母線（以下、ＧＩＢと略す）、
電流を遮断するＧＣＢなどから構成される。
【０００３】近年、機器のコンパクト化や立地面積の縮
小化が進み、ブッシングからＧＩＢ内へ導体を配線する
際やＧＩＢからＧＣＢへ導体を配線する際に、ＧＩＢ内
の三相導体を配置変換し、各相を一方向へ配線する必要
がある。ＧＩＢの容器内は絶縁ガスとして六フッ化硫黄
（ＳＦ6 ）などで満たされており、ガスの種類によって
ガス絶縁破壊電界強度が異なる。三相導体の導体間およ
び導体と容器間は、導体表面および容器表面の電界強度
がガス絶縁破壊電界強度より低くなるように配置され
る。
小化が進み、ブッシングからＧＩＢ内へ導体を配線する
際やＧＩＢからＧＣＢへ導体を配線する際に、ＧＩＢ内
の三相導体を配置変換し、各相を一方向へ配線する必要
がある。ＧＩＢの容器内は絶縁ガスとして六フッ化硫黄
（ＳＦ6 ）などで満たされており、ガスの種類によって
ガス絶縁破壊電界強度が異なる。三相導体の導体間およ
び導体と容器間は、導体表面および容器表面の電界強度
がガス絶縁破壊電界強度より低くなるように配置され
る。
【０００４】近年、容器内に混入した金属製異物が絶縁
強度を劣化する原因として問題になってきている。金属
製異物は、重力の影響で容器底部に集まる傾向があり、
容器底部の電界によって帯電し、帯電した電荷に働く電
界力により浮上する。容器底部の電界強度が高くなる
と、金属製異物の帯電量が増加して浮上高さが高くな
り、導体に接触する場合がある。導体に金属製異物が接
触すると、導体と金属製異物間で生じる放電により、金
属製異物が導体に溶着して絶縁強度を著しく低下させ
る。従って、容器底部の電界強度は金属製異物が導体に
接触しない電界強度（金属製異物の浮上許容電界強度）
を下回る必要がある。
強度を劣化する原因として問題になってきている。金属
製異物は、重力の影響で容器底部に集まる傾向があり、
容器底部の電界によって帯電し、帯電した電荷に働く電
界力により浮上する。容器底部の電界強度が高くなる
と、金属製異物の帯電量が増加して浮上高さが高くな
り、導体に接触する場合がある。導体に金属製異物が接
触すると、導体と金属製異物間で生じる放電により、金
属製異物が導体に溶着して絶縁強度を著しく低下させ
る。従って、容器底部の電界強度は金属製異物が導体に
接触しない電界強度（金属製異物の浮上許容電界強度）
を下回る必要がある。
【０００５】上記したように、容器内で導体の配置を決
める場合、導体間の表面電界強度，導体と容器間の表面
電界強度がガス絶縁破壊電界強度を下回ること、及び容
器底部の電界強度が金属製異物の浮上許容電界強度を下
回ることが必要となる。また、金属製異物の浮上許容電
界強度はガス絶縁破壊電界強度よりも低いので、容器底
部は絶縁強度上弱い部分となる。
める場合、導体間の表面電界強度，導体と容器間の表面
電界強度がガス絶縁破壊電界強度を下回ること、及び容
器底部の電界強度が金属製異物の浮上許容電界強度を下
回ることが必要となる。また、金属製異物の浮上許容電
界強度はガス絶縁破壊電界強度よりも低いので、容器底
部は絶縁強度上弱い部分となる。
【０００６】容器内で相配置変換を行う従来方法を図６
乃至図８を用いて説明する。容器１の側面図を図６に、
図６の相配置変換前のＢ−Ｂ矢視図を図７に、図６の相
配置変換後のＣ−Ｃ矢視図を図８に、それぞれ示す。容
器１の底部は絶縁強度上弱い部分であるため、図７のよ
うに容器１内の三相導体３の配置は、三相導体３の各々
の導体の中心を結ぶ三角形の頂点の一つが鉛直方向にお
ける上側にくる配置を取っている。
乃至図８を用いて説明する。容器１の側面図を図６に、
図６の相配置変換前のＢ−Ｂ矢視図を図７に、図６の相
配置変換後のＣ−Ｃ矢視図を図８に、それぞれ示す。容
器１の底部は絶縁強度上弱い部分であるため、図７のよ
うに容器１内の三相導体３の配置は、三相導体３の各々
の導体の中心を結ぶ三角形の頂点の一つが鉛直方向にお
ける上側にくる配置を取っている。
【０００７】容器１の内径が大きく、相配置を変換する
空間において容器１の底部と最短距離となる導体との距
離が十分であれば、容器１底部の電界強度が金属製異物
の浮上許容電界強度を下回ることができる。従って、三
相導体３間の表面電界強度がガス絶縁破壊電界強度を下
回るように、中心軸Ｏの周りに、三相導体３の位置を鋭
角θだけ同一方向に移動し、移動前と移動後の導体を直
線状導体で結び、これを繰り返して相配置変換を行って
いた。
空間において容器１の底部と最短距離となる導体との距
離が十分であれば、容器１底部の電界強度が金属製異物
の浮上許容電界強度を下回ることができる。従って、三
相導体３間の表面電界強度がガス絶縁破壊電界強度を下
回るように、中心軸Ｏの周りに、三相導体３の位置を鋭
角θだけ同一方向に移動し、移動前と移動後の導体を直
線状導体で結び、これを繰り返して相配置変換を行って
いた。
【０００８】この方法では、機器のコンパクト化が進み
容器の内径が小さくなると、容器底部の電界強度が増大
し、金属製異物の浮上許容電界強度を上回ってしまう。
また、相配置変換部に用いる部材が多く、相配置変換の
開始位置から相配置変換の終了位置までの容器の長手
（軸）方向の距離が長くなり、機器が大型になるという
欠点があった。
容器の内径が小さくなると、容器底部の電界強度が増大
し、金属製異物の浮上許容電界強度を上回ってしまう。
また、相配置変換部に用いる部材が多く、相配置変換の
開始位置から相配置変換の終了位置までの容器の長手
（軸）方向の距離が長くなり、機器が大型になるという
欠点があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、相配
置変換部が存在しても、絶縁性能及び運転の信頼性を向
上できるコンパクトなガス絶縁母線及びこれを備えたガ
ス絶縁開閉装置を提供することにある。
置変換部が存在しても、絶縁性能及び運転の信頼性を向
上できるコンパクトなガス絶縁母線及びこれを備えたガ
ス絶縁開閉装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、三相交流高電圧が印加される３本の高
電圧導体と、該高電圧導体及び絶縁性ガスを封入し接地
される容器とを備えたガス絶縁母線であって、前記３本
の高電圧導体の周方向の位置を変換する相配置変換部を
有するガス絶縁母線において、前記３本の高電圧導体の
うち前記容器の底部に最も近い１本の前記変換部におけ
る形状がほぼ直線状に形成され、残りの２本の前記変換
部における形状が径方向の外側に凸となるように形成さ
れる。
に、本発明では、三相交流高電圧が印加される３本の高
電圧導体と、該高電圧導体及び絶縁性ガスを封入し接地
される容器とを備えたガス絶縁母線であって、前記３本
の高電圧導体の周方向の位置を変換する相配置変換部を
有するガス絶縁母線において、前記３本の高電圧導体の
うち前記容器の底部に最も近い１本の前記変換部におけ
る形状がほぼ直線状に形成され、残りの２本の前記変換
部における形状が径方向の外側に凸となるように形成さ
れる。
【００１１】本発明によれば、高電圧導体間の距離を余
り短くすることなしに、容器の底部に最も近い高電圧導
体と容器底部との距離を従来よりも長く取れるので、絶
縁強度上弱い容器（容器）底部の電界強度を金属製異物
の浮上許容電界強度よりも低くできる。従って、絶縁性
能及び運転の信頼性を向上できる。また、相配置変換に
用いる部材が従来よりも少なくなるので、その分ガス絶
縁母線をコンパクトにできる。
り短くすることなしに、容器の底部に最も近い高電圧導
体と容器底部との距離を従来よりも長く取れるので、絶
縁強度上弱い容器（容器）底部の電界強度を金属製異物
の浮上許容電界強度よりも低くできる。従って、絶縁性
能及び運転の信頼性を向上できる。また、相配置変換に
用いる部材が従来よりも少なくなるので、その分ガス絶
縁母線をコンパクトにできる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明によるＧＩＳの第１実施例
を図１乃至図５を用いて説明する。図４はＧＩＳの第１
実施例の概略構成を示す側面図、図５は図４の上面図、
図１はGIBの第１実施例の側面図、図２は図１の相配置
変換前のＢ−Ｂ矢視図、図３は図１の相配置変換後のＣ
−Ｃ矢視図である。
を図１乃至図５を用いて説明する。図４はＧＩＳの第１
実施例の概略構成を示す側面図、図５は図４の上面図、
図１はGIBの第１実施例の側面図、図２は図１の相配置
変換前のＢ−Ｂ矢視図、図３は図１の相配置変換後のＣ
−Ｃ矢視図である。
【００１３】本ＧＩＳは、三相高電圧電源から受電する
ブッシング１００，ブッシング100からGCB102へ配電す
るGIB101、各相毎に電流を遮断するGCB102を備える。GI
B101は、接地されている容器１，容器１同士を結合する
容器フランジ２，三相導体３，三相導体３を容器１内で
支持する絶縁スペーサ４を備える。相配置変換の空間
（領域）において、三相導体３のうち容器底部と最短距
離となる導体を３１，導体３１以外の二本の導体を３２
としている。
ブッシング１００，ブッシング100からGCB102へ配電す
るGIB101、各相毎に電流を遮断するGCB102を備える。GI
B101は、接地されている容器１，容器１同士を結合する
容器フランジ２，三相導体３，三相導体３を容器１内で
支持する絶縁スペーサ４を備える。相配置変換の空間
（領域）において、三相導体３のうち容器底部と最短距
離となる導体を３１，導体３１以外の二本の導体を３２
としている。
【００１４】本実施例は、三相導体３の配置を中心軸Ｏ
を中心に１２０°ずつ回転する位置に配置し、図２のよ
うに、三相導体３の各々の導体の中心を結ぶ三角形の頂
点の一つが鉛直方向（上下方向）において上側にくる配
置を取っている。図１に示す相配置変換部における相配
置変換は、中心軸Ｏを中心に１２０°より小さい角度だ
け周方向に変換している。
を中心に１２０°ずつ回転する位置に配置し、図２のよ
うに、三相導体３の各々の導体の中心を結ぶ三角形の頂
点の一つが鉛直方向（上下方向）において上側にくる配
置を取っている。図１に示す相配置変換部における相配
置変換は、中心軸Ｏを中心に１２０°より小さい角度だ
け周方向に変換している。
【００１５】相配置変換の空間において、三本の導体３
のうち二本の導体３２は相配置変換の開始位置から相配
置変換の終了位置までの間、相対距離を保ったまま中心
軸Ｏを中心に螺旋状に回転して相配置変換を行い、導体
３１は相配置変換の開始位置と相配置変換の終了位置と
をほぼ直線状に結んで相配置変換を行っている。
のうち二本の導体３２は相配置変換の開始位置から相配
置変換の終了位置までの間、相対距離を保ったまま中心
軸Ｏを中心に螺旋状に回転して相配置変換を行い、導体
３１は相配置変換の開始位置と相配置変換の終了位置と
をほぼ直線状に結んで相配置変換を行っている。
【００１６】このような相配置変換の構造を有すること
により、導体３１と導体３２間の距離を余り短くするこ
となしに、導体３１と容器底部との距離を従来よりも長
く取れる。従って、導体間の表面電界強度及び導体と容
器間の表面電界強度をガス絶縁破壊電界強度よりも低く
でき、絶縁強度上弱い容器底部の電界強度を金属製異物
の浮上許容電界強度よりも低くできるので、従来に比べ
て絶縁性能及び運転の信頼性を向上できる。また、相配
置変換に用いる部材が従来よりも少なくなるので、その
分ＧＩＢをコンパクトにできる。
により、導体３１と導体３２間の距離を余り短くするこ
となしに、導体３１と容器底部との距離を従来よりも長
く取れる。従って、導体間の表面電界強度及び導体と容
器間の表面電界強度をガス絶縁破壊電界強度よりも低く
でき、絶縁強度上弱い容器底部の電界強度を金属製異物
の浮上許容電界強度よりも低くできるので、従来に比べ
て絶縁性能及び運転の信頼性を向上できる。また、相配
置変換に用いる部材が従来よりも少なくなるので、その
分ＧＩＢをコンパクトにできる。
【００１７】本実施例の効果を確認するために、導体３
を相配置変換の開始位置から相配置変換の終了位置まで
の間、相対距離を保ったまま中心軸Ｏを中心に螺旋状に
回転して相配置変換を行った比較例（図９乃至図１１参
照）と、本実施例の容器底部の電界強度分布を解析的に
求めた。解析結果を図１２に示す。図１２で、縦軸は容
器底部の電界強度分布の相対値で、金属製異物の浮上許
容電界強度を１Ｅ［％／mm］で表わしている。横軸は容
器フランジ間の軸方向距離を表わしている。尚、図９は
比較例の側面図、図１０は図９のＢ−Ｂ矢視図、図１１
は図９のＣ−Ｃ矢視図である。
を相配置変換の開始位置から相配置変換の終了位置まで
の間、相対距離を保ったまま中心軸Ｏを中心に螺旋状に
回転して相配置変換を行った比較例（図９乃至図１１参
照）と、本実施例の容器底部の電界強度分布を解析的に
求めた。解析結果を図１２に示す。図１２で、縦軸は容
器底部の電界強度分布の相対値で、金属製異物の浮上許
容電界強度を１Ｅ［％／mm］で表わしている。横軸は容
器フランジ間の軸方向距離を表わしている。尚、図９は
比較例の側面図、図１０は図９のＢ−Ｂ矢視図、図１１
は図９のＣ−Ｃ矢視図である。
【００１８】図１２で、距離が小さい左端の領域は相配
置変換前に、距離が大きい右端の領域は相配置変換後
に、これらの中間の距離の領域は相配置変換部に、それ
ぞれ対応している。同図に示すように、容器底部の電界
強度は、比較例では金属製異物の浮上許容電界強度の約
１.６ 倍になるのに対して、本実施例では金属製異物の
浮上許容電界強度を下回っていることが判る。即ち、本
実施例によれば、図１乃至図３に示したコンパクトな構
造のガス絶縁母線でも、その絶縁性能を向上でき、運転
の信頼性も向上できる。尚、図示していないが、本実施
例および比較例共に、導体間の表面電界強度及び導体と
容器間の表面電界強度は、ガス絶縁破壊電界強度を下回
っている。
置変換前に、距離が大きい右端の領域は相配置変換後
に、これらの中間の距離の領域は相配置変換部に、それ
ぞれ対応している。同図に示すように、容器底部の電界
強度は、比較例では金属製異物の浮上許容電界強度の約
１.６ 倍になるのに対して、本実施例では金属製異物の
浮上許容電界強度を下回っていることが判る。即ち、本
実施例によれば、図１乃至図３に示したコンパクトな構
造のガス絶縁母線でも、その絶縁性能を向上でき、運転
の信頼性も向上できる。尚、図示していないが、本実施
例および比較例共に、導体間の表面電界強度及び導体と
容器間の表面電界強度は、ガス絶縁破壊電界強度を下回
っている。
【００１９】次に、図１３乃至図１５を用いて、本発明
によるＧＩＢの第２実施例を説明する。図１３は第２実
施例の側面図、図１４は図１３の相配置変換前のＢ−Ｂ
矢視図、図１５は図１３の相配置変換後のＣ−Ｃ矢視図
である。本実施例の構成は第１実施例とほぼ同じである
が、相配置変換を中心軸Ｏを中心に約１２０°で変換し
た点が異なる。
によるＧＩＢの第２実施例を説明する。図１３は第２実
施例の側面図、図１４は図１３の相配置変換前のＢ−Ｂ
矢視図、図１５は図１３の相配置変換後のＣ−Ｃ矢視図
である。本実施例の構成は第１実施例とほぼ同じである
が、相配置変換を中心軸Ｏを中心に約１２０°で変換し
た点が異なる。
【００２０】本実施例でも、相配置変換の空間では、三
本の導体３のうち二本の導体３２は相配置変換の開始位
置から相配置変換の終了位置までの間、相対距離を保っ
たまま中心軸Ｏを中心に約１２０°螺旋状に回転して相
配置変換を行い、導体３１は相配置変換の開始位置と相
配置変換の終了位置をほぼ直線状に結んで相配置変換を
行っている。
本の導体３のうち二本の導体３２は相配置変換の開始位
置から相配置変換の終了位置までの間、相対距離を保っ
たまま中心軸Ｏを中心に約１２０°螺旋状に回転して相
配置変換を行い、導体３１は相配置変換の開始位置と相
配置変換の終了位置をほぼ直線状に結んで相配置変換を
行っている。
【００２１】本実施例でも、第１実施例と同じ効果を達
成できる。更に、本実施例の場合、導体３１と容器底部
の距離が第１実施例よりも長くなるので、第１実施例に
比べて、容器底部の電界強度をより低下できる。
成できる。更に、本実施例の場合、導体３１と容器底部
の距離が第１実施例よりも長くなるので、第１実施例に
比べて、容器底部の電界強度をより低下できる。
【００２２】次に、図１６乃至図１８を用いて、本発明
によるＧＩＢの第３実施例を説明する。図１６は第３実
施例の側面図、図１７は図１６の相配置変換前のＢ−Ｂ
矢視図、図１８は図１６の相配置変換後のＣ−Ｃ矢視図
である。本実施例の構成は第２実施例とほぼ同じで、導
体３１の相配置変換の方法が異なる。
によるＧＩＢの第３実施例を説明する。図１６は第３実
施例の側面図、図１７は図１６の相配置変換前のＢ−Ｂ
矢視図、図１８は図１６の相配置変換後のＣ−Ｃ矢視図
である。本実施例の構成は第２実施例とほぼ同じで、導
体３１の相配置変換の方法が異なる。
【００２３】即ち、相配置変換の空間において、三本の
導体３のうち二本の導体３２は、相配置変換の開始位置
から相配置変換の終了位置までの間、相対距離を保った
まま中心軸Ｏを中心に約１２０°螺旋状に回転して相配
置変換を行っている。一方、導体３１は、相配置変換の
開始位置から僅かな角度θ1 の第１の中間位置までの間
と、相配置変換の終了位置から直前の僅かな角度θ2 の
第２の中間位置までの間は、導体３２と相対距離を保っ
たまま中心軸Ｏを中心に螺旋状に回転して相配置変換を
行い、第１の中間位置と第２の中間位置との間はほぼ直
線状に結んで相配置変換を行っている。
導体３のうち二本の導体３２は、相配置変換の開始位置
から相配置変換の終了位置までの間、相対距離を保った
まま中心軸Ｏを中心に約１２０°螺旋状に回転して相配
置変換を行っている。一方、導体３１は、相配置変換の
開始位置から僅かな角度θ1 の第１の中間位置までの間
と、相配置変換の終了位置から直前の僅かな角度θ2 の
第２の中間位置までの間は、導体３２と相対距離を保っ
たまま中心軸Ｏを中心に螺旋状に回転して相配置変換を
行い、第１の中間位置と第２の中間位置との間はほぼ直
線状に結んで相配置変換を行っている。
【００２４】本実施例でも、第２実施例と同じ効果を達
成できる。更に、本実施例の場合、第２実施例よりも導
体間距離を大きく取れるので、第２実施例に比べて、導
体間の表面電界強度を低下できる。
成できる。更に、本実施例の場合、第２実施例よりも導
体間距離を大きく取れるので、第２実施例に比べて、導
体間の表面電界強度を低下できる。
【００２５】次に、図１９乃至図２１を用いて、本発明
によるＧＩＢの第４実施例を説明する。図１９は第４実
施例の側面図、図２０は図１９の相配置変換前のＢ−Ｂ
矢視図、図２１は図１９の相配置変換後のＣ−Ｃ矢視図
である。本実施例の構成は第３実施例とほぼ同じで、導
体３２の相配置変換の方法が異なる。
によるＧＩＢの第４実施例を説明する。図１９は第４実
施例の側面図、図２０は図１９の相配置変換前のＢ−Ｂ
矢視図、図２１は図１９の相配置変換後のＣ−Ｃ矢視図
である。本実施例の構成は第３実施例とほぼ同じで、導
体３２の相配置変換の方法が異なる。
【００２６】即ち、相配置変換の空間において、三本の
導体３のうち二本の導体３２は、相配置変換の開始位置
から角度約６０°の中間位置までほぼ直線状に結び、中
間位置から角度約６０°の相配置変換の終了位置までほ
ぼ直線状に結んで相配置変換を行っている。本実施例で
も、第３実施例とほぼ同じ効果を達成できる。
導体３のうち二本の導体３２は、相配置変換の開始位置
から角度約６０°の中間位置までほぼ直線状に結び、中
間位置から角度約６０°の相配置変換の終了位置までほ
ぼ直線状に結んで相配置変換を行っている。本実施例で
も、第３実施例とほぼ同じ効果を達成できる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、ガス絶縁母線内におけ
る三相導体の相配置変換を、導体間の表面電界強度及び
導体と容器間の表面電界強度をガス絶縁破壊電界強度よ
りも小さくでき、かつ容器底部の表面電界強度を金属製
異物の浮上許容電界強度よりも小さくできるので、絶縁
性能及び運転の信頼性を向上できる。また、相配置変換
に用いる部材が少なく、コンパクトな構造を実現でき
る。
る三相導体の相配置変換を、導体間の表面電界強度及び
導体と容器間の表面電界強度をガス絶縁破壊電界強度よ
りも小さくでき、かつ容器底部の表面電界強度を金属製
異物の浮上許容電界強度よりも小さくできるので、絶縁
性能及び運転の信頼性を向上できる。また、相配置変換
に用いる部材が少なく、コンパクトな構造を実現でき
る。
【図１】本発明のＧＩＢの第１実施例の側面図。
【図２】図１のＢ−Ｂ矢視図。
【図３】図１のＣ−Ｃ矢視図。
【図４】本発明のＧＩＳの第１実施例の概略構成を示す
側面図。
側面図。
【図５】図４の上面図。
【図６】従来の容器の側面図。
【図７】図６のＢ−Ｂ矢視図。
【図８】図６のＣ−Ｃ矢視図。
【図９】比較例の側面図。
【図１０】図９のＢ−Ｂ矢視図。
【図１１】図９のＣ−Ｃ矢視図。
【図１２】容器底部の電界強度分布の解析例を示す図。
【図１３】本発明のＧＩＢの第２実施例の側面図。
【図１４】図１３のＢ−Ｂ矢視図。
【図１５】図１３のＣ−Ｃ矢視図。
【図１６】本発明のＧＩＢの第３実施例の側面図。
【図１７】図１６のＢ−Ｂ矢視図。
【図１８】図１６のＣ−Ｃ矢視図。
【図１９】本発明のＧＩＢの第４実施例の側面図。
【図２０】図１９のＢ−Ｂ矢視図。
【図２１】図１９のＣ−Ｃ矢視図。
１…容器、２…容器フランジ、３…三相導体、４…絶縁
スペーサ、３１，３２…導体、１００…ブッシング、１
０１…ＧＩＢ、１０２…ＧＣＢ。
スペーサ、３１，３２…導体、１００…ブッシング、１
０１…ＧＩＢ、１０２…ＧＣＢ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高本 学 茨城県日立市国分町一丁目１番１号 株式 会社日立製作所国分工場内
Claims (5)
- 【請求項１】三相交流高電圧が印加される３本の高電圧
導体と、該高電圧導体及び絶縁性ガスを封入し接地され
る容器とを備えたガス絶縁母線であって、前記３本の高
電圧導体の周方向の位置を変換する相配置変換部を有す
るガス絶縁母線において、 前記３本の高電圧導体のうち前記容器の底部に最も近い
１本の前記変換部における形状がほぼ直線状に形成さ
れ、 残りの２本の前記変換部における形状が径方向の外側に
凸となるように形成されていることを特徴とするガス絶
縁母線。 - 【請求項２】請求項１において、前記残りの２本の前記
変換部における形状が、前記容器の中心軸を中心に螺旋
状に形成されていることを特徴とするガス絶縁母線。 - 【請求項３】請求項１又は２において、前記３本の高電
圧導体の周方向の変換角度が１２０度より小さい角度で
あることを特徴とするガス絶縁母線。 - 【請求項４】請求項１又は２において、前記３本の高電
圧導体の周方向の変換角度が約120度であることを特徴
とするガス絶縁母線。 - 【請求項５】三相高電圧を受電するブッシングと、各相
毎に電流を遮断するガス絶縁遮断器と、前記ブッシング
から前記ガス絶縁遮断器へ配電するガス絶縁母線とを備
えたガス絶縁開閉装置において、 前記ガス絶縁母線として、請求項１乃至４の何れかのガ
ス絶縁母線を用いたことを特徴とするガス絶縁開閉装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21291097A JP3550962B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | ガス絶縁母線及びガス絶縁開閉装置 |
| TW087111811A TW402832B (en) | 1997-08-07 | 1998-07-20 | Gas insulated mother line and gas insulated switch apparature |
| KR1019980031956A KR19990023397A (ko) | 1997-08-07 | 1998-08-06 | 가스절연모선 및 가스절연개폐장치 |
| CN98116211A CN1208275A (zh) | 1997-08-07 | 1998-08-06 | 气体绝缘母线及气体绝缘开关装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21291097A JP3550962B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | ガス絶縁母線及びガス絶縁開閉装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1169581A true JPH1169581A (ja) | 1999-03-09 |
| JP3550962B2 JP3550962B2 (ja) | 2004-08-04 |
Family
ID=16630313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21291097A Expired - Lifetime JP3550962B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | ガス絶縁母線及びガス絶縁開閉装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| CN (1) | CN1208275A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR200472373Y1 (ko) * | 2012-11-01 | 2014-04-22 | 엘에스산전 주식회사 | 가스절연개폐장치 삼상일괄형 모선 구조 |
Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
| DE10325682A1 (de) * | 2003-06-02 | 2004-12-30 | Siemens Ag | Gasisoliertes Sammelschienenbauteil mit Freiluftdurchführung |
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-
1997
- 1997-08-07 JP JP21291097A patent/JP3550962B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-07-20 TW TW087111811A patent/TW402832B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-08-06 CN CN98116211A patent/CN1208275A/zh active Pending
- 1998-08-06 KR KR1019980031956A patent/KR19990023397A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6614648B2 (en) | 2001-12-26 | 2003-09-02 | Hitachi, Ltd. | Bus line conductor container and gas insulated switchgear device using the same |
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| KR200472373Y1 (ko) * | 2012-11-01 | 2014-04-22 | 엘에스산전 주식회사 | 가스절연개폐장치 삼상일괄형 모선 구조 |
| US9431799B2 (en) | 2012-11-01 | 2016-08-30 | Lsis Co., Ltd. | Structure of three-phase integrated bus in gas insulated switchgear |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| TW402832B (en) | 2000-08-21 |
| KR19990023397A (ko) | 1999-03-25 |
| CN1208275A (zh) | 1999-02-17 |
| JP3550962B2 (ja) | 2004-08-04 |
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