JP3550962B2 - ガス絶縁母線及びガス絶縁開閉装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はガス絶縁開閉装置に係り、特に三相高電圧の相配置変換部を有するガス絶縁母線に関する。
【0002】
【従来の技術】
ガス絶縁開閉装置(以下、GISと略す)は、変電所内で三相高電圧電源と気中送電線の間に配置され、雷サージなどの異常電圧を検知して、電流を遮断するもので、三相高電圧電源から受電するブッシング,ブッシングからガス絶縁遮断器(以下、GCBと略す)へ配電するガス絶縁母線(以下、GIBと略す)、電流を遮断するGCBなどから構成される。
【0003】
近年、機器のコンパクト化や立地面積の縮小化が進み、ブッシングからGIB内へ導体を配線する際やGIBからGCBへ導体を配線する際に、GIB内の三相導体を配置変換し、各相を一方向へ配線する必要がある。GIBの容器内は絶縁ガスとして六フッ化硫黄(SF6 )などで満たされており、ガスの種類によってガス絶縁破壊電界強度が異なる。三相導体の導体間および導体と容器間は、導体表面および容器表面の電界強度がガス絶縁破壊電界強度より低くなるように配置される。
【0004】
近年、容器内に混入した金属製異物が絶縁強度を劣化する原因として問題になってきている。金属製異物は、重力の影響で容器底部に集まる傾向があり、容器底部の電界によって帯電し、帯電した電荷に働く電界力により浮上する。容器底部の電界強度が高くなると、金属製異物の帯電量が増加して浮上高さが高くなり、導体に接触する場合がある。導体に金属製異物が接触すると、導体と金属製異物間で生じる放電により、金属製異物が導体に溶着して絶縁強度を著しく低下させる。従って、容器底部の電界強度は金属製異物が導体に接触しない電界強度 (金属製異物の浮上許容電界強度)を下回る必要がある。
【0005】
上記したように、容器内で導体の配置を決める場合、導体間の表面電界強度,導体と容器間の表面電界強度がガス絶縁破壊電界強度を下回ること、及び容器底部の電界強度が金属製異物の浮上許容電界強度を下回ることが必要となる。また、金属製異物の浮上許容電界強度はガス絶縁破壊電界強度よりも低いので、容器底部は絶縁強度上弱い部分となる。
【0006】
容器内で相配置変換を行う従来方法を図6乃至図8を用いて説明する。容器1の側面図を図6に、図6の相配置変換前のB−B矢視図を図7に、図6の相配置変換後のC−C矢視図を図8に、それぞれ示す。容器1の底部は絶縁強度上弱い部分であるため、図7のように容器1内の三相導体3の配置は、三相導体3の各々の導体の中心を結ぶ三角形の頂点の一つが鉛直方向における上側にくる配置を取っている。
【0007】
容器1の内径が大きく、相配置を変換する空間において容器1の底部と最短距離となる導体との距離が十分であれば、容器1底部の電界強度が金属製異物の浮上許容電界強度を下回ることができる。従って、三相導体3間の表面電界強度がガス絶縁破壊電界強度を下回るように、中心軸Oの周りに、三相導体3の位置を鋭角θだけ同一方向に移動し、移動前と移動後の導体を直線状導体で結び、これを繰り返して相配置変換を行っていた。
【0008】
この方法では、機器のコンパクト化が進み容器の内径が小さくなると、容器底部の電界強度が増大し、金属製異物の浮上許容電界強度を上回ってしまう。また、相配置変換部に用いる部材が多く、相配置変換の開始位置から相配置変換の終了位置までの容器の長手(軸)方向の距離が長くなり、機器が大型になるという欠点があった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、相配置変換部が存在しても、絶縁性能及び運転の信頼性を向上できるコンパクトなガス絶縁母線及びこれを備えたガス絶縁開閉装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明のガス絶縁母線は、三相交流高電圧が印加される3本の高電圧導体と、該高電圧導体及び絶縁性ガスを封入し接地される容器とを備えたガス絶縁母線であって、前記3本の高電圧導体の周方向の位置を変換する相配置変換部を有するガス絶縁母線において、前記相配置変換部で、前記3本の高電圧導体のうち前記容器の底部に最も近い1本の形状が、ほぼ直線状に形成され、前記相配置変換部で、残りの2本の形状が、その相対距離を保ち、径方向の外側に凸となるように形成されていることを特徴とする。
【0011】
本発明によれば、高電圧導体間の距離を余り短くすることなしに、容器の底部に最も近い高電圧導体と容器底部との距離を従来よりも長く取れるので、絶縁強度上弱い容器(容器)底部の電界強度を金属製異物の浮上許容電界強度よりも低くできる。従って、絶縁性能及び運転の信頼性を向上できる。また、相配置変換に用いる部材が従来よりも少なくなるので、その分ガス絶縁母線をコンパクトにできる。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明によるGISの第1実施例を図1乃至図5を用いて説明する。図4は GISの第1実施例の概略構成を示す側面図、図5は図4の上面図、図1はGIBの第1実施例の側面図、図2は図1の相配置変換前のB−B矢視図、図3は図1の相配置変換後のC−C矢視図である。
【0013】
本GISは、三相高電圧電源から受電するブッシング100,ブッシング100からGCB102へ配電するGIB101、各相毎に電流を遮断するGCB102を備える。GIB101は、接地されている容器1,容器1同士を結合する容器フランジ2,三相導体3,三相導体3を容器1内で支持する絶縁スペーサ4を備える。相配置変換の空間(領域)において、三相導体3のうち容器底部と最短距離となる導体を31,導体31以外の二本の導体を32としている。
【0014】
本実施例は、三相導体3の配置を中心軸Oを中心に120°ずつ回転する位置に配置し、図2のように、三相導体3の各々の導体の中心を結ぶ三角形の頂点の一つが鉛直方向(上下方向)において上側にくる配置を取っている。図1に示す相配置変換部における相配置変換は、中心軸Oを中心に120°より小さい角度だけ周方向に変換している。
【0015】
相配置変換の空間において、三本の導体3のうち二本の導体32は相配置変換の開始位置から相配置変換の終了位置までの間、相対距離を保ったまま中心軸Oを中心に螺旋状に回転して相配置変換を行い、導体31は相配置変換の開始位置と相配置変換の終了位置とをほぼ直線状に結んで相配置変換を行っている。
【0016】
このような相配置変換の構造を有することにより、導体31と導体32間の距離を余り短くすることなしに、導体31と容器底部との距離を従来よりも長く取れる。従って、導体間の表面電界強度及び導体と容器間の表面電界強度をガス絶縁破壊電界強度よりも低くでき、絶縁強度上弱い容器底部の電界強度を金属製異物の浮上許容電界強度よりも低くできるので、従来に比べて絶縁性能及び運転の信頼性を向上できる。また、相配置変換に用いる部材が従来よりも少なくなるので、その分GIBをコンパクトにできる。
【0017】
本実施例の効果を確認するために、導体3を相配置変換の開始位置から相配置変換の終了位置までの間、相対距離を保ったまま中心軸Oを中心に螺旋状に回転して相配置変換を行った比較例(図9乃至図11参照)と、本実施例の容器底部の電界強度分布を解析的に求めた。解析結果を図12に示す。図12で、縦軸は容器底部の電界強度分布の相対値で、金属製異物の浮上許容電界強度を1E[%/mm]で表わしている。横軸は容器フランジ間の軸方向距離を表わしている。尚、図9は比較例の側面図、図10は図9のB−B矢視図、図11は図9のC−C矢視図である。
【0018】
図12で、距離が小さい左端の領域は相配置変換前に、距離が大きい右端の領域は相配置変換後に、これらの中間の距離の領域は相配置変換部に、それぞれ対応している。同図に示すように、容器底部の電界強度は、比較例では金属製異物の浮上許容電界強度の約1.6 倍になるのに対して、本実施例では金属製異物の浮上許容電界強度を下回っていることが判る。即ち、本実施例によれば、図1乃至図3に示したコンパクトな構造のガス絶縁母線でも、その絶縁性能を向上でき、運転の信頼性も向上できる。尚、図示していないが、本実施例および比較例共に、導体間の表面電界強度及び導体と容器間の表面電界強度は、ガス絶縁破壊電界強度を下回っている。
【0019】
次に、図13乃至図15を用いて、本発明によるGIBの第2実施例を説明する。図13は第2実施例の側面図、図14は図13の相配置変換前のB−B矢視図、図15は図13の相配置変換後のC−C矢視図である。本実施例の構成は第1実施例とほぼ同じであるが、相配置変換を中心軸Oを中心に約120°で変換した点が異なる。
【0020】
本実施例でも、相配置変換の空間では、三本の導体3のうち二本の導体32は相配置変換の開始位置から相配置変換の終了位置までの間、相対距離を保ったまま中心軸Oを中心に約120°螺旋状に回転して相配置変換を行い、導体31は相配置変換の開始位置と相配置変換の終了位置をほぼ直線状に結んで相配置変換を行っている。
【0021】
本実施例でも、第1実施例と同じ効果を達成できる。更に、本実施例の場合、導体31と容器底部の距離が第1実施例よりも長くなるので、第1実施例に比べて、容器底部の電界強度をより低下できる。
【0022】
次に、図16乃至図18を用いて、本発明によるGIBの第3実施例を説明する。図16は第3実施例の側面図、図17は図16の相配置変換前のB−B矢視図、図18は図16の相配置変換後のC−C矢視図である。本実施例の構成は第2実施例とほぼ同じで、導体31の相配置変換の方法が異なる。
【0023】
即ち、相配置変換の空間において、三本の導体3のうち二本の導体32は、相配置変換の開始位置から相配置変換の終了位置までの間、相対距離を保ったまま中心軸Oを中心に約120°螺旋状に回転して相配置変換を行っている。一方、導体31は、相配置変換の開始位置から僅かな角度θ1 の第1の中間位置までの間と、相配置変換の終了位置から直前の僅かな角度θ2 の第2の中間位置までの間は、導体32と相対距離を保ったまま中心軸Oを中心に螺旋状に回転して相配置変換を行い、第1の中間位置と第2の中間位置との間はほぼ直線状に結んで相配置変換を行っている。
【0024】
本実施例でも、第2実施例と同じ効果を達成できる。更に、本実施例の場合、第2実施例よりも導体間距離を大きく取れるので、第2実施例に比べて、導体間の表面電界強度を低下できる。
【0025】
次に、図19乃至図21を用いて、本発明によるGIBの第4実施例を説明する。図19は第4実施例の側面図、図20は図19の相配置変換前のB−B矢視図、図21は図19の相配置変換後のC−C矢視図である。本実施例の構成は第3実施例とほぼ同じで、導体32の相配置変換の方法が異なる。
【0026】
即ち、相配置変換の空間において、三本の導体3のうち二本の導体32は、相配置変換の開始位置から角度約60°の中間位置までほぼ直線状に結び、中間位置から角度約60°の相配置変換の終了位置までほぼ直線状に結んで相配置変換を行っている。本実施例でも、第3実施例とほぼ同じ効果を達成できる。
【0027】
【発明の効果】
本発明によれば、ガス絶縁母線内における三相導体の相配置変換を、導体間の表面電界強度及び導体と容器間の表面電界強度をガス絶縁破壊電界強度よりも小さくでき、かつ容器底部の表面電界強度を金属製異物の浮上許容電界強度よりも小さくできるので、絶縁性能及び運転の信頼性を向上できる。また、相配置変換に用いる部材が少なく、コンパクトな構造を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のGIBの第1実施例の側面図。
【図2】図1のB−B矢視図。
【図3】図1のC−C矢視図。
【図4】本発明のGISの第1実施例の概略構成を示す側面図。
【図5】図4の上面図。
【図6】従来の容器の側面図。
【図7】図6のB−B矢視図。
【図8】図6のC−C矢視図。
【図9】比較例の側面図。
【図10】図9のB−B矢視図。
【図11】図9のC−C矢視図。
【図12】容器底部の電界強度分布の解析例を示す図。
【図13】本発明のGIBの第2実施例の側面図。
【図14】図13のB−B矢視図。
【図15】図13のC−C矢視図。
【図16】本発明のGIBの第3実施例の側面図。
【図17】図16のB−B矢視図。
【図18】図16のC−C矢視図。
【図19】本発明のGIBの第4実施例の側面図。
【図20】図19のB−B矢視図。
【図21】図19のC−C矢視図。
【符号の説明】
1…容器、2…容器フランジ、3…三相導体、4…絶縁スペーサ、31,32…導体、100…ブッシング、101…GIB、102…GCB。
Claims (5)
- 三相交流高電圧が印加される3本の高電圧導体と、該高電圧導体及び絶縁性ガスを封入し接地される容器とを備えたガス絶縁母線であって、前記3本の高電圧導体の周方向の位置を変換する相配置変換部を有するガス絶縁母線において、
前記相配置変換部で、前記3本の高電圧導体のうち前記容器の底部に最も近い1本の形状が、ほぼ直線状に形成され、
前記相配置変換部で、残りの2本の形状が、その相対距離を保ち、径方向の外側に凸となるように形成されていることを特徴とするガス絶縁母線。 - 請求項1において、前記残りの2本の前記変換部における形状が、前記容器の中心軸を中心に螺旋状に形成されていることを特徴とするガス絶縁母線。
- 請求項1又は2において、前記3本の高電圧導体の周方向の変換角度が120度より小さい角度であることを特徴とするガス絶縁母線。
- 請求項1又は2において、前記3本の高電圧導体の周方向の変換角度が約120度であることを特徴とするガス絶縁母線。
- 三相高電圧を受電するブッシングと、各相毎に電流を遮断するガス絶縁遮断器と、前記ブッシングから前記ガス絶縁遮断器へ配電するガス絶縁母線とを備えたガス絶縁開閉装置において、
前記ガス絶縁母線として、請求項1乃至4の何れかのガス絶縁母線を用いたことを特徴とするガス絶縁開閉装置。
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