JPH1168321A - 回路基板 - Google Patents

回路基板

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JPH1168321A
JPH1168321A JP9217681A JP21768197A JPH1168321A JP H1168321 A JPH1168321 A JP H1168321A JP 9217681 A JP9217681 A JP 9217681A JP 21768197 A JP21768197 A JP 21768197A JP H1168321 A JPH1168321 A JP H1168321A
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JP
Japan
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layer
wiring
wiring layer
resin
insulating layer
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Application number
JP9217681A
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English (en)
Inventor
Motoaki Tani
元昭 谷
Nobuyuki Hayashi
伸之 林
Hiroyuki Machida
裕幸 町田
Hiroyasu Kawano
浩康 川野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 配線層の高密度化を課題とする。 【解決手段】 基材に樹脂を含浸及び硬化して形成され
る第1絶縁層2と第1配線層1とが交互に積層されたプ
リント配線板Aと、プリント配線板Aの表面に露出する
第1配線層1上に第2絶縁層4と第2配線層5とが交互
に積層された多層回路Bとからなり、第1絶縁層2を形
成する樹脂が、180〜350℃の硬化温度を有するポ
リイミド樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂の前駆
体を硬化することにより得られ、第2絶縁層4を形成す
る樹脂が、180〜350℃の硬化温度を有するポリイ
ミド樹脂の前駆体を硬化することにより得られることを
特徴とする回路基板により上記課題を解決する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板に関す
る。更に詳しくは、本発明は、高耐熱性であり、かつ高
密度に配線層が形成された回路基板に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、高密度実装用、マルチチップモジ
ュール用の回路基板には、ビルドアップ基板が使用され
てきた。ビルドアップ基板は、コア材の上に絶縁層と配
線層とが交互に積層された多層回路からなる。また、絶
縁層には、配線層を電気的に接続するために、ビアホー
ルと称される微細な穴が一般的に形成されている。
【0003】ここで、一般に、コア材がシリコンウエハ
ー、セラミック、金属等からなる場合は、MCM−Dと
呼ばれ、コア材がプリント配線板からなる場合は、MC
M−Lと呼ばれている。例えば、特開昭62−1199
51号公報には、MCM−Dが記載されている。MCM
−Lは、MCM−Dと比較して、コア材のプリント配線
板の表面及び内面に形成されている配線層も利用するこ
とができるため、コア材上に形成される多層回路の配線
層数を少なくすることができる。また、プリント配線板
は、シリコンウエハー、セラミック、金属等と比較して
大面積での製造が可能であるため、製造コストを低減で
きるという利点がある。更に、プリント配線板は、シリ
コンウエハー、セラミック、金属等と比較して軽いた
め、回路基板の重量を低減できるという利点もある。
【0004】ここで、プリント配線板には、FR−4と
呼ばれるガラス布基材エポキシ樹脂積層プリント配線板
が現在主に用いられており、このプリント配線板の耐熱
性は200℃以下であることが知られている。更に、プ
リント配線板上の多層回路を構成する絶縁層は、硬化温
度が150〜200℃の感光性のエポキシ樹脂の前駆体
を硬化させることにより形成されている。エポキシ樹脂
は、耐熱性が200℃以下と低いため、更に耐熱性の向
上が望まれていた。また、エポキシ樹脂からなる絶縁層
は、絶縁性を確保する観点から厚さを40μm以上にす
る必要がある。そのため、絶縁層に形成することができ
るビアホールの直径は70μm程度が限界であった。
【0005】上記課題を解決するために特開昭54−9
4668号公報、特開平7−297546号公報及び特
開昭62−230091号公報には、高耐熱性のポリイ
ミド樹脂を使用したプリント配線板及び多層回路が記載
されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】また、特開昭54−9
4668号公報及び特開平7−297546号公報に
は、ガラス布基材ポリイミド樹脂積層プリント配線板が
記載されている。しかしながら、これら公報では、配線
層はコア材の表面のみに形成されており、配線層の高密
度化は望めなかった。また、スルホールを使用してコア
材中に形成されている配線層を導通させており、配線密
度が低いためモールドされていない裸の電子部品(IC
チップ等)、所謂ベアチップをそのまま搭載できなかっ
た。
【0007】更に、特開昭62−230091号公報は
プリント配線板について記載されており、ガラス布基材
ポリイミド樹脂板の上にポリイミド樹脂からなる絶縁層
と配線層を交互に積層して多層回路を形成したプリント
配線板が記載されている。しかしながら、この公報で
は、プリント配線板の表面に形成されている配線層を利
用することが記載されているだけであり、プリント配線
板上に更に多層回路は形成されていなかった。そのた
め、配線層の高密度化は不十分であり、更なる配線層の
高密度化が望まれていた。
【0008】
【課題を解決するための手段】かくして本発明によれ
ば、基材に樹脂を含浸及び硬化して形成される第1絶縁
層と第1配線層とが交互に積層されたプリント配線板
と、プリント配線板の表面に露出する第1配線層上に第
2絶縁層と第2配線層とが交互に積層された多層回路と
からなり、第1絶縁層を形成する樹脂が、180〜35
0℃の硬化温度を有するポリイミド樹脂又はビスマレイ
ミドトリアジン樹脂の前駆体を硬化することにより得ら
れ、第2絶縁層を形成する樹脂が、180〜350℃の
硬化温度を有するポリイミド樹脂の前駆体を硬化するこ
とにより得られることを特徴とする回路基板が提供され
る。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の回路基板は、複数の配線
層が形成されたプリント配線板と多層回路とからなり、
所謂MCM−Lと称される。プリント配線板は、第1絶
縁層と第1配線層とが交互に積層された積層体からな
る。更に、第1絶縁層は、基材にポリイミド樹脂又はビ
スマレイミドトリアジン樹脂を含浸及び硬化して形成さ
れる。これらの樹脂は、180〜350℃の硬化温度を
有する対応する樹脂の前駆体から形成されることが好ま
しい。この硬化温度は、従来のエポキシ樹脂の硬化温度
より高い。従って、従来のプリント配線板より耐熱性が
向上したプリント配線板を形成することができるので、
本発明の回路基板の耐熱性を向上させることも可能とな
る。
【0010】本発明に使用できる基材としては、特に限
定されず、当該分野で公知の基材をいずれも使用するこ
とができる。例えば、ガラス布基材、紙基材、合成樹脂
繊維(ポリエステル繊維、アラミド繊維等)基材等が挙
げられる。この内、ガラス布基材が好ましい。第1絶縁
層の厚さは、例えば0.1〜1.6mm程度が好まし
い。
【0011】次に、第1配線層は、例えば、銅、ニッケ
ル、銀、パラジウム又はそれらの合金を使用することが
できる。第1配線層の厚さは、例えば5〜50μm程度
が好ましい。このプリント配線板は、例えば、以下の方
法により形成することができる。まず、ポリイミド樹脂
又はビスマレイミドトリアジン樹脂の前駆体に、必要に
応じて硬化剤、難燃剤、溶剤等が添加されたワニスに基
材を浸漬し、基材に樹脂原料を塗布・含浸させる。な
お、この塗布・含浸は、ワニス槽内に基材を一定速度で
通過させることにより、樹脂原料が基材に十分かつ均一
に塗布・含浸するように行うことが好ましい。
【0012】ワニスが塗布・含浸された基材は、乾燥処
理に付されることにより前駆体が半硬化し、いわゆるプ
リプレグとなる。なお、半硬化とは、前駆体が、後の基
材の積層工程の際のプレス工程で溶融軟化する程度の状
態(いわゆる、Bステージ)を意味する。なお、乾燥処
理は、ワニスがポリイミド樹脂の前駆体を含む場合、8
0〜200℃、ビスマレイミドトリアジン樹脂の前駆体
を含む場合、60〜180℃で行うことが好ましい。な
お、プリプレグは、所望の大きさ及び形状に切断されて
いてもよい。
【0013】次に、プリント配線板の具体的な形成方法
としては、例えばピンラミネート方法、マスラミネート
方法等が挙げられる。ピンラミネート方法とは、次のよ
うな方法である。まず、複数枚のプリプレグからなる積
層体の片面又は両面に金属箔を積層し、プレス工程に付
す。更に金属箔を公知の方法でエッチングして所望パタ
ーンを有する第1配線層を形成すことにより、プリント
配線板の構成部材を形成する。得られた構成部材を複数
枚のプリプレグを介して2部以上積層し、プレス工程に
付すことによりプリント配線板を形成することができ
る。なお、金属箔には、電解箔、圧延箔のいずれも使用
することができる。また、プレス工程では、Bステージ
の前駆体が、加熱加圧されることにより硬化して、ポリ
イミド樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂となる。
【0014】マスラミネート方式とは、次のような方法
である。まず、上記ピンラミネート方式と同様にしてプ
リント配線板の構成部材を形成する。得られた構成部材
の両面又は片面に複数枚のプリプレグを介して金属箔を
積層し、プレス工程に付す。更に金属箔を公知の方法で
エッチングして所望パターンを有する第1配線層を形成
する。この方法を繰り返すことにより、所望数の第1配
線層が積層されたプリント配線板を形成することができ
る。
【0015】なお、プリント配線板の表面に露出する第
1配線層は、その表面が粗面化されていることが好まし
い。粗面化することにより、第1配線層とその上に形成
される第2絶縁層との密着性が向上するからである。粗
面化方法としては、黒化処理法、化学的研磨法、物理的
研磨法、ニッケルの無電解メッキ法が挙げられる。本発
明のプリント配線板は、スルホールを利用して所望の第
1配線層間が電気的に接続されていてもよい。
【0016】第1絶縁層にポリイミド樹脂又はビスマレ
イミドトリアジン樹脂を含むプリント配線板は、従来の
絶縁層にエポキシ樹脂を含むプリント配線板(例えば、
ガラス布基材エポキシ樹脂積層プリント配線板、FR−
4)より高い耐熱性や寸法安定性を有する。上記プリン
ト配線板の両面又は片面に露出する第1配線層上には、
多層回路が形成される。多層回路は、ポリイミド樹脂か
らなる第2絶縁層と第2配線層とを交互に積層すること
により形成される。ポリイミド樹脂は、180〜350
℃の硬化温度を有する対応する樹脂の前駆体から形成さ
れることが好ましい。この硬化温度は、従来のエポキシ
樹脂の硬化温度より高い。従って、従来の多層回路より
耐熱性が向上した多層回路を形成することができるの
で、本発明の回路基板の耐熱性を向上させることも可能
となる。なお、ポリイミド樹脂の前駆体には、ポリカル
ボン酸(例えば、任意の置換基を有するピロメリット
酸、ビフェニルテトラカルボン酸、ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸等)とジアミン(例えば、任意の置換基を
有するオキシジアニリン、パラフェニレンジアミン、ベ
ンゾフェノンジアミン等)の重縮合により形成されるポ
リアミック酸が主成分として含まれる。このポリアミッ
ク酸は、後の加熱工程により脱水閉環反応が進行しポリ
イミド樹脂に転化する。
【0017】第2絶縁層の厚さは、例えば10〜70μ
m程度が好ましい。次に、第2配線層は、例えば、銅、
ニッケル、銀、パラジウム、アルミニウム又はそれらの
合金を使用することができる。第2配線層の厚さは、例
えば5〜20μm程度が好ましい。この多層回路は、例
えば、以下の方法により形成することができる。
【0018】まず、ポリイミド樹脂の前駆体を含むワニ
スをプリント配線板の両面又は片面に塗布する。ここ
で、ポリイミド樹脂の前駆体は、感光性であっても、非
感光性であってもよい。感光性のポリイミド樹脂の前駆
体を使用した場合は、ワニスを乾燥させた後、露光する
ことによりビアホール等の所望のパターンを転写する。
なお、エポキシ樹脂を使用した絶縁層よりも薄い厚さで
絶縁性を確保できるため、微細な直径のビアホールを形
成することができ、具体的には10〜100μm程度の
直径のビアホールを形成することができる。次いで、現
像することにより不要部を除去し、加熱することにより
前駆体を硬化させて第2絶縁層を形成することができ
る。なお、感光性のポリイミド樹脂の前駆体としては、
イオン結合型や、エステル結合型のポリイミド樹脂の前
駆体が知られている。この内、エステル結合型のポリイ
ミド樹脂の前駆体は、硬化温度が300〜450℃と比
較的高い。そのため回路基板の形成時に、回路基板に対
する熱処理が繰り返されることとなり、回路基板を構成
する樹脂が熱劣化する恐れがある。一方、イオン結合型
のポリイミド樹脂の前駆体は、硬化温度が250〜35
0℃と比較的低く、上記エステル結合型のポリイミド樹
脂の前駆体のような問題は生じない。従って、イオン結
合型のポリイミド樹脂の前駆体を使用することが好まし
い。イオン結合型のポリイミド樹脂の前駆体としては、
例えばフォトニース(東レ製)等が挙げられる。
【0019】なお、ポリイミド樹脂の前駆体には、例え
ば特開昭4−18450号公報に記載されているよう
な、非感光性のポリイミド樹脂の前駆体と、感光性を有
する他の前駆体(例えば光重合性モノマーと光重合開始
剤との混合物)との混合物からなるワニスを使用しても
よい。このワニスを使用すれば、ポリイミド樹脂と他の
前駆体から得られるポリマーとの混合物からなる第2絶
縁層を形成することが可能となる。他の前駆体に耐熱性
の良好な樹脂を形成しうる前駆体を使用すれば、第2絶
縁層の耐熱性を更に向上させることができる。
【0020】非感光性のポリイミド樹脂の前駆体を使用
した場合は、公知のフォトエッチング法により所望のパ
ターンの第2絶縁層を形成することができる。また、フ
ォトエッチング法以外にもエキシマレーザーや炭酸ガス
レーザー等のレーザー光で直接エッチングすることで所
望のパターンを形成してもよい。なお、ポリイミド樹脂
の前駆体には、感光性のポリイミド樹脂の前駆体を使用
することが、第2絶縁層の形成の際の工程数を減らすこ
とができるので好ましい。
【0021】次に、第2絶縁層上に第2配線層が形成さ
れる。この時、第2絶縁層の表面を公知のアルカリ性の
液で粗化することが密着性の観点から好ましい。第2配
線層の形成方法は、特に限定されないが、メッキ法とフ
ォトエッチング法の組み合わせが好ましい。また、特
に、電解メッキにより第2絶縁層上に銅層を形成し、フ
ォトエッチング法により第2配線層を形成することが好
ましい。更に、電解メッキにより銅からなる第2配線層
を形成する場合、第2配線層と第2絶縁層との密着性を
向上させるために、電解メッキに先立って、無電解メッ
キにより第2絶縁層上にニッケルを析出させておくこと
がより好ましい。また、第2配線層上に、更に他の第2
絶縁層を積層する場合は、無電解メッキにより第2配線
層上にニッケルを析出させておくことがより好ましい。
なお、第2絶縁層にビアホールが形成されている場合
は、ビアホール内にも第2配線層を形成することができ
るので、第2配線層間を電気的に接続することが可能と
なる。
【0022】上記の第2絶縁層と第2配線層の形成を所
望回繰り返すことにより、プリント配線板上に第2絶縁
層と第2配線層とが交互に積層された多層回路が形成さ
れることとなる。なお、第2配線層と第1配線層は、第
2絶縁層にビアホールを形成することにより、電気的に
接続することができる。また、スルーホールを形成する
ことにより、第1配線層と第2配線層及び第2配線層間
を電気的に接続してもよい。最上層の第2配線層には、
モールドされていない裸の電子部品(ICチップ等)、
所謂ベアチップをそのまま搭載でき、またモールドされ
ている電子部品も容易に搭載することができる。
【0023】なお、図1に回路基板の一例を示す。図1
の回路基板は、プリント配線板Aと、プリント配線板A
の両面に形成された多層回路Bとからなる。プリント配
線板Aは、両面に2層及び内層に2層の計4層の第1配
線層1からなり、第1配線層1は互いに第1絶縁層2を
介して積層されている。また、第1配線層1間の電気的
接続はスルーホール3を介して行われている。
【0024】多層回路Bは、プリント配線板A上から、
第2絶縁層4、第2配線層5、第2絶縁層4及び第2配
線層5の順で積層されおり、計2層の第2配線層が形成
されている。また、プリント配線板Aの表面の第1配線
層1と第2配線層5、第2配線層5間の電気的接続はビ
アホール6を介して行われている。
【0025】図1から判るように、本発明によれば、高
密度に配線層が形成された回路基板を得ることができ
る。なお、本発明は、上記図1の構成に限定されること
なく、所望数の第1配線層及び第2配線層を形成するこ
とができる。
【0026】
【実施例】
実施例1 所定のパターンの第1配線層が2層形成されている銅張
りガラス布基材ポリイミド樹脂積層プリント配線板(1
00mm×100mm)の表面の第1配線層を無電解メ
ッキ法によりニッケルで被覆した。ニッケルで第1配線
層を被覆するのは、第1配線層上に形成される第2絶縁
層と第1配線層との密着性を向上させるためである。
【0027】次に、イオン結合型の感光性のポリイミド
樹脂の前駆体(フォトニース:東レ製)をプリント配線
板上にスピンコート法により塗布し、100℃で30分
間プリベークした。次に、最小直径20μmのビアホー
ルパターンが形成されたガラスマスクをワニスが塗布さ
れたプリント配線板上に設置し、紫外線露光機で紫外線
をプリント配線板上に照射した。なお、紫外線の露光量
は、500mJ/cm 2 とした。次いで、N−メチル−
2−ピロリドンを含む現像液で現像し、更に、アルコー
ルを含むリンス液で洗浄することにより未照射部分を除
去した。この後、窒素雰囲気中、300℃で60分間ポ
ストベークすることにより、厚さ20μmの第2絶縁層
が得られた。この第2絶縁層をアルカリ性過マンガン酸
水溶液で表面粗化を行った。
【0028】次に、無電解メッキ法により厚さ0.5μ
mのニッケル層を第2絶縁層の全面に積層した。この
後、電解メッキ法により厚さ7μmの銅層をニッケル層
上に積層した。次いで、ポジ型レジストからなる所定の
パターン(L/S=40μm/40μm)を常法で銅層
上に形成した。このパターンを使用して常法で銅層及び
ニッケル層をエッチングし、レジストを除去することに
より第2配線層を形成した。更に、第2配線層上に形成
される第2絶縁層と第2配線層との密着性を向上させる
ために、第2配線層上に無電解メッキ法により厚さ0.
5μmのニッケル層を第2配線層の全面に積層した。上
記第2絶縁層及び第2配線層の形成を2回繰り返した
後、最上層の第2配線層に回路基板接続用のパッドを形
成することにより回路基板を作成した。
【0029】実施例2 所定のパターンの第1配線層が4層形成されている銅張
りガラス布基材ポリイミド樹脂積層プリント配線板(1
20mm×120mm)の表面の第1配線層を無電解メ
ッキ法によりニッケルで被覆した。ニッケルで第1配線
層を被覆するのは、第1配線層上に形成される第2絶縁
層と第1配線層との密着性を向上させるためである。
【0030】次に、非感光性のポリイミド樹脂の前駆体
(PIX−3400:日立化成製)をプリント配線板上
にスピンコート法により塗布し、80℃で60分間プリ
ベークした。次いで、ポリイミド樹脂上にポジ型のフォ
トレジストをスピンコート法により塗布した。次に、最
小直径20μmのビアホールパターンが形成されたガラ
スマスクをフォトレジストが塗布されたプリント配線板
上に設置し、紫外線露光機で紫外線をプリント配線板上
に照射した。なお、紫外線の露光量は、200mJ/c
2 とした。次いで、テトラメチルアンモニウムハライ
ドを含む現像液で現像し、更に、水で洗浄することによ
り未照射部分のフォトレジストと対応する部分のポリイ
ミド樹脂を除去した。フォトレジストを除去した後、窒
素雰囲気中、300℃で60分間ポストベークすること
により、厚さ25μmの第2絶縁層が得られた。この第
2絶縁層をアルカリ性過マンガン酸水溶液で表面粗化を
行った。
【0031】次に、無電解メッキ法により厚さ0.5μ
mのニッケル層を第2絶縁層の全面に積層した。この
後、電解メッキ法により厚さ10μmの銅層をニッケル
層上に積層した。次いで、ポジ型レジストからなる所定
のパターン(L/S=50μm/50μm)を常法で銅
層上に形成した。このパターンを使用して常法で銅層及
びニッケル層をエッチングし、レジストを除去すること
により第2配線層を形成した。更に、第2配線層上に形
成される第2絶縁層と第2配線層との密着性を向上させ
るために、第2配線層上に無電解メッキ法により厚さ
0.5μmのニッケル層を第2配線層の全面に積層し
た。上記第2絶縁層及び第2配線層の形成を2回繰り返
した後、最上層の第2配線層に回路基板接続用のパッド
を形成することにより回路基板を作成した。
【0032】実施例3 所定のパターンの第1配線層が4層形成されている銅張
りガラス布基材BTレジン積層プリント配線板(120
mm×120mm)の表面の第1配線層を無電解メッキ
法によりニッケルで被覆した。ニッケルで第1配線層を
被覆するのは、第1配線層上に形成される第2絶縁層と
第1配線層との密着性を向上させるためである。
【0033】次に、非感光性のポリイミド樹脂の前駆体
(セミコファイン:東レ製)に、下記光重合性モノマ
ー、光重合開始剤等を添加してワニスを調整した。な
お、本実施例で使用する光重合性モノマーは、硬化後優
れた耐熱性を第2絶縁層に付与することができる。この
ワニスをプリント配線板上にスピンコート法により塗布
し、120℃で60分間プリベークした。
【0034】 ワニスの主な組成: 非感光性のポリイミド樹脂の前駆体(樹脂分16重量%) 50.0g 光重合性モノマー 10.0g
【0035】
【化1】
【0036】光重合開始剤(2,2−ジメトキシ−2−
ファニルアセトフェノン)1.00g 次に、最小直径30μmのビアホールパターンが形成さ
れたガラスマスクをこの膜上に設置し、紫外線露光機で
紫外線をプリント配線板上に照射した。なお、紫外線の
露光量は、700mJ/cm2 とした。次いで、N−メ
チル−2−ピロリドンを含む現像液で現像し、更に、ア
ルコールを含むリンス液で洗浄することにより未照射部
分を除去した。この後、窒素雰囲気下、210℃で30
分間ポストベークすることにより、厚さ20μmの第2
絶縁層が得られた。この第2絶縁層をアルカリ性過マン
ガン酸水溶液で表面粗化を行った。
【0037】次に、無電解メッキ法により厚さ0.5μ
mのニッケル層を第2絶縁層の全面に積層した。この
後、電解メッキ法により厚さ7μmの銅層をニッケル層
上に積層した。次いで、ポジ型レジストからなる所定の
パターン(L/S=50μm/50μm)を常法で銅層
上に形成した。このパターンを使用して常法で銅層及び
ニッケル層をエッチングし、レジストを除去することに
より第2配線層を形成した。更に、第2配線層上に形成
される第2絶縁層と第2配線層との密着性を向上させる
ために、第2配線層上に無電解メッキ法により厚さ0.
5μmのニッケル層を第2配線層の全面に積層した。上
記第2絶縁層及び第2配線層の形成を1回繰り返した
後、最上層の第2配線層に回路基板接続用のパッドを形
成することにより回路基板を作成した。
【0038】比較例1 所定のパターンの第1配線層が形成されている両面銅張
りガラス布基材エポキシ樹脂積層プリント配線板(11
0mm×110mm)の表面の第1配線層を無電解メッ
キ法によりニッケルで被覆した。ニッケルで第1配線層
を被覆するのは、第1配線層上に形成される第2絶縁層
と第1配線層との密着性を向上させるためである。
【0039】次に、イオン結合型の感光性のポリイミド
樹脂の前駆体(フォトニース:東レ製)をプリント配線
板上にスピンコート法により塗布し、110℃で30分
間プリベークした。次に、最小直径20μmのビアホー
ルパターンが形成されたガラスマスクをポリイミド樹脂
上に設置し、紫外線露光機で紫外線をプリント配線板上
に照射した。なお、紫外線の露光量は、500mJ/c
2 とした。次いで、N−メチル−2−ピロリドンを含
む現像液で現像し、更に、アルコールを含むリンス液で
洗浄することにより未照射部分を除去した。この後、窒
素雰囲気中、300℃で60分間ポストベークすること
により、厚さ22μmの第2絶縁層が得られた。ポスト
ベーク後のプリント配線板は、エポキシ樹脂が褐色に変
色しており、更にプリント配線板自体も大きく反ってい
た。
【0040】
【発明の効果】本発明の回路基板は、基材に樹脂を含浸
及び硬化して形成される第1絶縁層と第1配線層とが交
互に積層されたプリント配線板と、プリント配線板の表
面に露出する第1配線層上に第2絶縁層と第2配線層と
が交互に積層された多層回路とからなり、第1絶縁層を
形成する樹脂が、180〜350℃の硬化温度を有する
ポリイミド樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂の前
駆体を硬化することにより得られ、第2絶縁層を形成す
る樹脂が、180〜350℃の硬化温度を有するポリイ
ミド樹脂の前駆体を硬化することにより得られる。
【0041】従って、エポキシ樹脂を絶縁層に使用した
従来の回路基板と比較してより高い耐熱性の回路基板を
得ることができる。また、多層回路の最上層に積層され
る第2配線層上に、ベアチップを搭載することができる
ので回路基板の面積を小さくすることができる。更に、
プリント配線板の第1配線層と多層回路の第2配線層と
を、多層回路の第2絶縁層に形成されたビアホールを介
して容易に電気的に接続することができる。
【0042】また、本発明によれば、従来のエポキシ樹
脂を使用した絶縁層に形成されるビアホールより小さ
い、10〜100μmの直径のビアホールを形成するこ
とができる。更に、第2配線層が銅からなり、第2配線
層がニッケルで覆われてなることにより、第2配線層と
第2絶縁層の密着性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の回路基板の概略断面図である。
【符号の説明】
1 第1配線層 2 第1絶縁層 3 スルーホール 4 第2絶縁層 5 第2配線層 6 ビアホール A プリント配線板 B 多層回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI // H01L 23/12 H01L 23/12 N (72)発明者 町田 裕幸 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 (72)発明者 川野 浩康 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基材に樹脂を含浸及び硬化して形成され
    る第1絶縁層と第1配線層とが交互に積層されたプリン
    ト配線板と、プリント配線板の表面に露出する第1配線
    層上に第2絶縁層と第2配線層とが交互に積層された多
    層回路とからなり、第1絶縁層を形成する樹脂が、18
    0〜350℃の硬化温度を有するポリイミド樹脂又はビ
    スマレイミドトリアジン樹脂の前駆体を硬化することに
    より得られ、第2絶縁層を形成する樹脂が、180〜3
    50℃の硬化温度を有するポリイミド樹脂の前駆体を硬
    化することにより得られることを特徴とする回路基板。
  2. 【請求項2】 多層回路の最上層に積層される第2配線
    層上に、ベアチップが搭載されてなる請求項1の回路基
    板。
  3. 【請求項3】 プリント配線板の第1配線層と多層回路
    の第2配線層とが、多層回路の第2絶縁層に形成された
    ビアホールを介して電気的に接続されてなる請求項1又
    は2の回路基板。
  4. 【請求項4】 ビアホールが、10〜100μmの直径
    を有する請求項3の回路基板。
  5. 【請求項5】 第2配線層が銅からなり、第2配線層が
    ニッケルで覆われてなる請求項1〜4いずれかの回路基
    板。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002064162A (ja) * 2000-08-21 2002-02-28 Ibiden Co Ltd 半導体チップ
JP2002118384A (ja) * 2000-08-01 2002-04-19 Mitsubishi Electric Corp 電子機器
JP2009081464A (ja) * 2008-12-25 2009-04-16 Dainippon Printing Co Ltd 多層配線基板

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