JPH1168033A - マルチチップモジュール - Google Patents
マルチチップモジュールInfo
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- JPH1168033A JPH1168033A JP9220361A JP22036197A JPH1168033A JP H1168033 A JPH1168033 A JP H1168033A JP 9220361 A JP9220361 A JP 9220361A JP 22036197 A JP22036197 A JP 22036197A JP H1168033 A JPH1168033 A JP H1168033A
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- JP
- Japan
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- wiring
- antenna
- semiconductor element
- serving
- driving
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 無線により通信を行うことによって、安定し
て信号を伝えることを可能にする。 【解決手段】 第1の半導体素子1の内表面4に送信ア
ンテナとなる第1の配線12を形成し、さらに、この第1
の配線12の周囲を同じ配線層においてシールドするため
の第2の配線13を形成する。一方、第1の半導体素子1
の内表面4と対向する第2の半導体素子2の内表面5に
受信アンテナとなる第3の配線22を形成し、さらに、こ
の第3の配線22の周囲を同じ配線層においてシールドす
るための第4の配線23を形成する。この構成によって、
アンテナによって無線通信を行うことができるため、半
導体素子1,2間において非接触によって安定した信号
の授受が行われる。
て信号を伝えることを可能にする。 【解決手段】 第1の半導体素子1の内表面4に送信ア
ンテナとなる第1の配線12を形成し、さらに、この第1
の配線12の周囲を同じ配線層においてシールドするため
の第2の配線13を形成する。一方、第1の半導体素子1
の内表面4と対向する第2の半導体素子2の内表面5に
受信アンテナとなる第3の配線22を形成し、さらに、こ
の第3の配線22の周囲を同じ配線層においてシールドす
るための第4の配線23を形成する。この構成によって、
アンテナによって無線通信を行うことができるため、半
導体素子1,2間において非接触によって安定した信号
の授受が行われる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品を実装す
る実装分野におけるマルチチップモジュールに関するも
のである。
る実装分野におけるマルチチップモジュールに関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】近年における電子機器は、ますます小型
化、高機能化されており、マルチチップモジュール化が
進行している。また、これらマルチチップモジュールの
なかに、半導体素子上に別の半導体素子を搭載した構成
のものも提案されている。以後、このようなマルチチッ
プモジュールを、通常の基板を用いたマルチチップモジ
ュールと区別するため、便宜上、システムモジュールと
呼ぶことにする。
化、高機能化されており、マルチチップモジュール化が
進行している。また、これらマルチチップモジュールの
なかに、半導体素子上に別の半導体素子を搭載した構成
のものも提案されている。以後、このようなマルチチッ
プモジュールを、通常の基板を用いたマルチチップモジ
ュールと区別するため、便宜上、システムモジュールと
呼ぶことにする。
【0003】以下、図面を参照しながら、従来のシステ
ムモジュールの一例について説明する。
ムモジュールの一例について説明する。
【0004】図5は従来のシステムモジュールにおける
半導体素子接合部の断面図である。図5において、第1
の半導体素子101には複数の第1の金属突起103が形成さ
れ、また第2の半導体素子102には第1の金属突起103に
対応させて複数の第2の金属突起104が形成され、第1
の半導体素子101と第2の半導体素子102は対向隙間に入
れられた樹脂109によって固定されている。そして第1
の金属突起103と第2の金属突起104がそれぞれ当接する
ことによって電気的に接続されている。
半導体素子接合部の断面図である。図5において、第1
の半導体素子101には複数の第1の金属突起103が形成さ
れ、また第2の半導体素子102には第1の金属突起103に
対応させて複数の第2の金属突起104が形成され、第1
の半導体素子101と第2の半導体素子102は対向隙間に入
れられた樹脂109によって固定されている。そして第1
の金属突起103と第2の金属突起104がそれぞれ当接する
ことによって電気的に接続されている。
【0005】図6は図5のシステムモジュールにおける
半導体素子の等価回路図である。図6において、第1の
半導体素子101内で信号は、信号線105より第1の駆動回
路107を介して、第1の金属突起103に伝わる。第1の金
属突起103と第2の金属突起104とが電気的に接続されて
いるため、前記信号は、第2の金属突起104を介して第
2の半導体素子102内で第2の駆動回路108を通って、信
号線106へと伝わることになる。
半導体素子の等価回路図である。図6において、第1の
半導体素子101内で信号は、信号線105より第1の駆動回
路107を介して、第1の金属突起103に伝わる。第1の金
属突起103と第2の金属突起104とが電気的に接続されて
いるため、前記信号は、第2の金属突起104を介して第
2の半導体素子102内で第2の駆動回路108を通って、信
号線106へと伝わることになる。
【0006】
【発明が解決使用とする課題】しかし、このような従来
の構成では、第1の金属突起103と第2の金属突起104が
樹脂109の状態により非接触の状態を引き起こし、電気
的な接続が安定せず、時として信号の伝達において誤動
作を生じることがあるという問題があった。
の構成では、第1の金属突起103と第2の金属突起104が
樹脂109の状態により非接触の状態を引き起こし、電気
的な接続が安定せず、時として信号の伝達において誤動
作を生じることがあるという問題があった。
【0007】そこで、本発明は、前記従来の問題を解決
し、金属突起による電気的接続を必要とすることなく、
安定した通信が行われるようにしたシステムモジュール
を提供することを目的とする。
し、金属突起による電気的接続を必要とすることなく、
安定した通信が行われるようにしたシステムモジュール
を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明のシステムモジュールは、第1の半導体素子
と、第2の半導体素子にアンテナとなる配線を設け、前
記第1の半導体素子と第2の半導体素子を対向させ、そ
れぞれの対応するアンテナを介して無線で通信を行うこ
とにより、従来のような金属突起による電気的接続を必
要とすることなく、信号を伝えることが可能になる。
め、本発明のシステムモジュールは、第1の半導体素子
と、第2の半導体素子にアンテナとなる配線を設け、前
記第1の半導体素子と第2の半導体素子を対向させ、そ
れぞれの対応するアンテナを介して無線で通信を行うこ
とにより、従来のような金属突起による電気的接続を必
要とすることなく、信号を伝えることが可能になる。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、互いに対向する第1の半導体素子と第2の半導体素
子とにそれぞれアンテナとなる配線を設け、それぞれの
対応するアンテナを介して無線により通信可能にしたも
のであり、この構成によって、従来のような不安定な電
気的接続となるおそれのある金属突起による接続構造に
はならないため、安定した通信が行われる。
は、互いに対向する第1の半導体素子と第2の半導体素
子とにそれぞれアンテナとなる配線を設け、それぞれの
対応するアンテナを介して無線により通信可能にしたも
のであり、この構成によって、従来のような不安定な電
気的接続となるおそれのある金属突起による接続構造に
はならないため、安定した通信が行われる。
【0010】請求項2に記載の発明は、前記アンテナが
形成される配線層と同じ配線層に、前記アンテナとなる
第1の配線の周囲に第2の配線を設け、この第2の配線
を接地電位にするか、または電源電位に固定したもので
あり、この構成によって、アンテナをシールドすること
ができるため、複数の信号を無線によって通信すること
が可能になる。
形成される配線層と同じ配線層に、前記アンテナとなる
第1の配線の周囲に第2の配線を設け、この第2の配線
を接地電位にするか、または電源電位に固定したもので
あり、この構成によって、アンテナをシールドすること
ができるため、複数の信号を無線によって通信すること
が可能になる。
【0011】請求項3に記載の発明は、無線の受信側と
なる半導体素子において、アンテナを介して無線を受信
可能にし、このアンテナとなる配線を駆動する能動素子
を設け、この能動素子の駆動能力をアンテナから受信さ
れる駆動能力よりも小さく設定したものであり、この構
成によって、受信側の回路規模を小さくすることができ
る。
なる半導体素子において、アンテナを介して無線を受信
可能にし、このアンテナとなる配線を駆動する能動素子
を設け、この能動素子の駆動能力をアンテナから受信さ
れる駆動能力よりも小さく設定したものであり、この構
成によって、受信側の回路規模を小さくすることができ
る。
【0012】以下、本発明の実施の形態について、図面
を用いて説明する。
を用いて説明する。
【0013】図1は本発明の一実施形態を説明するため
のシステムモジュールの説明図であり、図1(a)はシス
テムモジュールにおける半導体素子接合部の断面図、図
1(b),(c)は要部の等価回路図である。
のシステムモジュールの説明図であり、図1(a)はシス
テムモジュールにおける半導体素子接合部の断面図、図
1(b),(c)は要部の等価回路図である。
【0014】図1(a)において、第1の半導体素子1に
は内表面4に送信アンテナとなる第1の配線12が形成さ
れ、さらに、この第1の配線12の周囲を同じ配線層にお
いてシールドするための第2の配線13が形成されてい
る。第1の配線12は信号線15に第1の駆動回路14を介し
て接続され、さらに第2の配線13は接地(GND)電位に
ある(電源電位に固定するようにしてもよい)。
は内表面4に送信アンテナとなる第1の配線12が形成さ
れ、さらに、この第1の配線12の周囲を同じ配線層にお
いてシールドするための第2の配線13が形成されてい
る。第1の配線12は信号線15に第1の駆動回路14を介し
て接続され、さらに第2の配線13は接地(GND)電位に
ある(電源電位に固定するようにしてもよい)。
【0015】一方、第1の半導体素子1の内表面4と対
向する第2の半導体素子2の内表面5には受信アンテナ
となる第3の配線22が形成され、さらに、この第3の配
線22の周囲を同じ配線層においてシールドするための第
4の配線23が形成されている。第3の配線22は比較的駆
動能力の弱い第2の駆動回路26によって駆動され、信号
線25は駆動能力の強い第3の駆動回路24によって駆動さ
れる。さらに第4の配線23は接地電位にある(電源電位
に固定するようにしてもよい)。
向する第2の半導体素子2の内表面5には受信アンテナ
となる第3の配線22が形成され、さらに、この第3の配
線22の周囲を同じ配線層においてシールドするための第
4の配線23が形成されている。第3の配線22は比較的駆
動能力の弱い第2の駆動回路26によって駆動され、信号
線25は駆動能力の強い第3の駆動回路24によって駆動さ
れる。さらに第4の配線23は接地電位にある(電源電位
に固定するようにしてもよい)。
【0016】第1の半導体素子1と第2の半導体素子2
とは、送信アンテナとなる第1の配線12と受信アンテナ
となる第3の配線22が同じ部位に配置されるように対向
し、かつ対向隙間に樹脂3を入れることによって固定さ
れている。
とは、送信アンテナとなる第1の配線12と受信アンテナ
となる第3の配線22が同じ部位に配置されるように対向
し、かつ対向隙間に樹脂3を入れることによって固定さ
れている。
【0017】図2は図1のシステムモジュールの半導体
素子の等価回路図を示すものであり、図2(a)は全体の
等価回路、図2(b)は図2(a)におけるアンテナ部分の等
価回路であり、図2(b)において、送信アンテナとなる
第1の配線12と受信アンテナとなる第3の配線22と
は、対向による物理的な配置により電気的に共有インダ
クタI,共有コンデンサCによって無線で結合され、図
示した等価回路6によって示される。
素子の等価回路図を示すものであり、図2(a)は全体の
等価回路、図2(b)は図2(a)におけるアンテナ部分の等
価回路であり、図2(b)において、送信アンテナとなる
第1の配線12と受信アンテナとなる第3の配線22と
は、対向による物理的な配置により電気的に共有インダ
クタI,共有コンデンサCによって無線で結合され、図
示した等価回路6によって示される。
【0018】図3は前記送信アンテナとなる第1の配線
12と受信アンテナとなる第3の配線22とが対向する同じ
部位に配置された場合の構造図であり、一例として、そ
れぞれ2つのアンテナ対からなる場合を示しており、送
信アンテナとなる一対の配線12a,12bと受信アンテナと
なる一対の配線22a,22bとは互いに対向して配置されて
いる。また両配線12a,12bの周囲はシールド用の配線13
によって、さらに両配線22a,22bの周囲はシールド用の
配線23によってアイソレートされ、2つの信号を無線に
よって相互に干渉することなく通信することを可能にし
ている。
12と受信アンテナとなる第3の配線22とが対向する同じ
部位に配置された場合の構造図であり、一例として、そ
れぞれ2つのアンテナ対からなる場合を示しており、送
信アンテナとなる一対の配線12a,12bと受信アンテナと
なる一対の配線22a,22bとは互いに対向して配置されて
いる。また両配線12a,12bの周囲はシールド用の配線13
によって、さらに両配線22a,22bの周囲はシールド用の
配線23によってアイソレートされ、2つの信号を無線に
よって相互に干渉することなく通信することを可能にし
ている。
【0019】以下、前記システムモジュールにおける具
体的な動作について説明する。
体的な動作について説明する。
【0020】図2において、第1の半導体素子1内で信
号は、信号線15より第1の駆動回路14を介して、送信ア
ンテナとなる第1の配線12に伝わる。図4(a)に信号線1
5の入力信号波形31を示す。
号は、信号線15より第1の駆動回路14を介して、送信ア
ンテナとなる第1の配線12に伝わる。図4(a)に信号線1
5の入力信号波形31を示す。
【0021】送信アンテナとなる第1の配線12は、等価
回路6における受信アンテナとなる第3の配線22を無線
で駆動する。図4(b)に無線で受信アンテナとなる第3
の配線22を駆動する駆動能力の波形32を示す。
回路6における受信アンテナとなる第3の配線22を無線
で駆動する。図4(b)に無線で受信アンテナとなる第3
の配線22を駆動する駆動能力の波形32を示す。
【0022】受信アンテナとなる第3の配線22は、駆動
能力の弱い第2の駆動回路26によっても駆動されてい
る。図4(b)にその駆動能力の波形33を示す。
能力の弱い第2の駆動回路26によっても駆動されてい
る。図4(b)にその駆動能力の波形33を示す。
【0023】そして、時間軸A点まで受信アンテナとな
る第3の配線22は、駆動能力の弱い第2の駆動回路26に
よってGND電位に駆動されており、GND電位を保持
している。時間軸A点において、送信アンテナとなる第
1の配線12は、等価回路6における受信アンテナとなる
第3の配線22を無線で正の方向へ駆動する。その駆動能
力は、駆動能力の弱い第2の駆動回路26の負の駆動能力
よりも大きいため、受信アンテナとなる第3の配線22は
VDD電位に駆動される。これにより、第3の駆動回路
24を介して、信号線25はVDD電位に駆動される。図4
(c)に信号線25の出力信号波形34を示す。
る第3の配線22は、駆動能力の弱い第2の駆動回路26に
よってGND電位に駆動されており、GND電位を保持
している。時間軸A点において、送信アンテナとなる第
1の配線12は、等価回路6における受信アンテナとなる
第3の配線22を無線で正の方向へ駆動する。その駆動能
力は、駆動能力の弱い第2の駆動回路26の負の駆動能力
よりも大きいため、受信アンテナとなる第3の配線22は
VDD電位に駆動される。これにより、第3の駆動回路
24を介して、信号線25はVDD電位に駆動される。図4
(c)に信号線25の出力信号波形34を示す。
【0024】また信号線25がVDD電位になるため、時
間軸B点まで受信アンテナとなる第3の配線22は、駆動
能力の弱い第2の駆動回路26によってVDD電位に保持
される。
間軸B点まで受信アンテナとなる第3の配線22は、駆動
能力の弱い第2の駆動回路26によってVDD電位に保持
される。
【0025】そして、時間軸B点において、送信アンテ
ナとなる第1の配線12は等価回路6における受信アンテ
ナとなる第3の配線22を無線で負の方向へ駆動する。そ
の駆動能力は駆動能力の弱い第2の駆動回路26の正の駆
動能力よりも大きいため、受信アンテナとなる第3の配
線22はGND電位に駆動される。これにより、第3の駆
動回路24を介して、信号線25はGND電位に駆動され
る。
ナとなる第1の配線12は等価回路6における受信アンテ
ナとなる第3の配線22を無線で負の方向へ駆動する。そ
の駆動能力は駆動能力の弱い第2の駆動回路26の正の駆
動能力よりも大きいため、受信アンテナとなる第3の配
線22はGND電位に駆動される。これにより、第3の駆
動回路24を介して、信号線25はGND電位に駆動され
る。
【0026】また信号線25がGND電位になるため、時
間軸C点まで受信アンテナとなる第3の配線22は、駆動
能力の弱い第2の駆動回路26によって、GND電位に保
持される。
間軸C点まで受信アンテナとなる第3の配線22は、駆動
能力の弱い第2の駆動回路26によって、GND電位に保
持される。
【0027】以下、同様に駆動を繰り返すことによっ
て、信号を信号線15から信号線25に無線によって伝える
ことができる。
て、信号を信号線15から信号線25に無線によって伝える
ことができる。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のマルチチ
ップモジュールは、第1の半導体素子と第2の半導体素
子とのそれぞれに対応して設けられたアンテナを介し
て、無線によって通信を行うことができるため、非接触
で安定して信号を通信することができる。
ップモジュールは、第1の半導体素子と第2の半導体素
子とのそれぞれに対応して設けられたアンテナを介し
て、無線によって通信を行うことができるため、非接触
で安定して信号を通信することができる。
【0029】また、アンテナとなる第1の配線の周囲が
接地された第2の配線によってシールドされることによ
って、複数の信号がそれぞれに対応するアンテナ同士で
相互に干渉しあうことなく、非接触で安定して信号を通
信することができる。
接地された第2の配線によってシールドされることによ
って、複数の信号がそれぞれに対応するアンテナ同士で
相互に干渉しあうことなく、非接触で安定して信号を通
信することができる。
【0030】また、アンテナを介して無線を受信する半
導体素子における能動素子を、アンテナから受信される
駆動能力よりも小さい駆動能力にすることにより、受信
側の回路規模を小さく、かつ安定して信号を伝えること
ができる。
導体素子における能動素子を、アンテナから受信される
駆動能力よりも小さい駆動能力にすることにより、受信
側の回路規模を小さく、かつ安定して信号を伝えること
ができる。
【図1】本発明の一実施形態を説明するためのシステム
モジュールの説明図であり、(a)はシステムモジュール
における半導体素子接合部の断面図、(b),(c)は要部の
等価回路図である。
モジュールの説明図であり、(a)はシステムモジュール
における半導体素子接合部の断面図、(b),(c)は要部の
等価回路図である。
【図2】図1のシステムモジュールの半導体素子の等価
回路図を示すものであり、(a)は全体の等価回路、(b)は
(a)におけるアンテナ部分の等価回路である。
回路図を示すものであり、(a)は全体の等価回路、(b)は
(a)におけるアンテナ部分の等価回路である。
【図3】本発明の一実施形態における送信アンテナとな
る第1の配線と受信アンテナとなる第3の配線とが対向
する同じ部位に配置された場合の構造図である。
る第1の配線と受信アンテナとなる第3の配線とが対向
する同じ部位に配置された場合の構造図である。
【図4】図2に示した回路における信号波形と駆動能力
の波形図であり、(a)は信号線15の入力信号波形を示
し、(b)は無線で受信アンテナとなる第3の配線を駆動
する駆動能力の波形を示し、(c)は信号線25の出力信号
波形を示す。
の波形図であり、(a)は信号線15の入力信号波形を示
し、(b)は無線で受信アンテナとなる第3の配線を駆動
する駆動能力の波形を示し、(c)は信号線25の出力信号
波形を示す。
【図5】従来のシステムモジュールにおける半導体素子
接合部の断面図である。
接合部の断面図である。
【図6】図5のシステムモジュールにおける半導体素子
の等価回路図である。
の等価回路図である。
1…第1の半導体素子、 2…第2の半導体素子、 3
…樹脂、 6…アンテナの等価回路、 12…送信アンテ
ナとなる配線、 13,23…シールド用の配線、14…駆動
回路、 15,25…信号線、 22…受信アンテナとなる配
線、 24…駆動能力の強い駆動回路、 26…駆動能力の
弱い駆動回路、 31…入力信号波形、32…アンテナによ
る駆動能力の波形、 33…駆動能力の弱い駆動回路26に
よる駆動能力の波形、 34…出力信号波形。
…樹脂、 6…アンテナの等価回路、 12…送信アンテ
ナとなる配線、 13,23…シールド用の配線、14…駆動
回路、 15,25…信号線、 22…受信アンテナとなる配
線、 24…駆動能力の強い駆動回路、 26…駆動能力の
弱い駆動回路、 31…入力信号波形、32…アンテナによ
る駆動能力の波形、 33…駆動能力の弱い駆動回路26に
よる駆動能力の波形、 34…出力信号波形。
Claims (3)
- 【請求項1】 互いに対向する第1の半導体素子と第2
の半導体素子とにそれぞれアンテナとなる配線を設け、
それぞれの対応するアンテナを介して無線により通信可
能にしたことを特徴とするマルチチップモジュール。 - 【請求項2】 前記アンテナが形成される配線層と同じ
配線層に、前記アンテナとなる第1の配線の周囲に第2
の配線を設け、この第2の配線を接地電位にするか、ま
たは電源電位に固定したことを特徴とする請求項1記載
のマルチチップモジュール。 - 【請求項3】 無線の受信側となる半導体素子におい
て、アンテナとなる配線を駆動する能動素子を設け、こ
の能動素子の駆動能力をアンテナから受信される駆動能
力よりも小さく設定したことを特徴とする請求項1また
は請求項2記載のマルチチップモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9220361A JPH1168033A (ja) | 1997-08-15 | 1997-08-15 | マルチチップモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9220361A JPH1168033A (ja) | 1997-08-15 | 1997-08-15 | マルチチップモジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1168033A true JPH1168033A (ja) | 1999-03-09 |
Family
ID=16749940
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9220361A Pending JPH1168033A (ja) | 1997-08-15 | 1997-08-15 | マルチチップモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1168033A (ja) |
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001060130A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-03-06 | Nst:Kk | 半導体装置 |
US6777775B2 (en) | 2001-07-04 | 2004-08-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit, D-A converter device, and A-D converter device |
WO2005078795A1 (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Keio University | 電子回路 |
JP2006325031A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Hiroshima Univ | 信号伝達装置および信号伝達方法 |
JP2006324525A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Hiroshima Univ | 信号伝達方法 |
JP2007073812A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2007129412A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Sony Corp | 通信用半導体チップ、キャリブレーション方法、並びにプログラム |
WO2007145086A1 (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-21 | Nec Corporation | 半導体装置、信号伝送装置および信号伝送方法 |
JP2008067012A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Univ Of Tokushima | 高周波信号伝送装置 |
WO2008102814A1 (ja) * | 2007-02-23 | 2008-08-28 | Nec Corporation | インダクタ結合を用いて信号伝送を行う半導体装置 |
JP2008270787A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-11-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2008277521A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2009504004A (ja) * | 2005-07-28 | 2009-01-29 | ケアストリーム ヘルス インク | デジタル放射線撮影での低雑音データ取り込み |
JP2009177337A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Sony Corp | 光通信装置及びその製造方法 |
JP2009246400A (ja) * | 2004-01-28 | 2009-10-22 | Panasonic Corp | モジュール及びこれを用いた実装構造体 |
JP2010003907A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US7764235B2 (en) | 2005-07-27 | 2010-07-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
JP2010533387A (ja) * | 2007-05-08 | 2010-10-21 | スキャニメトリクス,インコーポレイテッド | 超高速信号送受信 |
KR101139396B1 (ko) * | 2004-08-24 | 2012-04-27 | 소니 주식회사 | 반도체 장치 및 기판 |
CN102623807A (zh) * | 2010-12-28 | 2012-08-01 | Tdk株式会社 | 无线通信用天线以及无线通信装置 |
US8362481B2 (en) | 2007-05-08 | 2013-01-29 | Scanimetrics Inc. | Ultra high speed signal transmission/reception |
JP5213087B2 (ja) * | 2011-02-18 | 2013-06-19 | 学校法人慶應義塾 | モジュール間通信装置 |
EP1990914A3 (en) * | 2007-05-11 | 2014-04-23 | STMicroelectronics Srl | Integrated galvanic isolator using wireless transmission |
JP5491868B2 (ja) * | 2007-11-26 | 2014-05-14 | 学校法人慶應義塾 | 電子回路 |
JP2014090203A (ja) * | 2014-01-07 | 2014-05-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
KR101407481B1 (ko) * | 2010-06-10 | 2014-06-17 | 에스티에스반도체통신 주식회사 | 광 신호 전달, 무선 전원 구동, 및 방열 기능들을 가지는 반도체 패키지 |
WO2017141505A1 (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体チップおよびシステム |
JP2018032680A (ja) * | 2016-08-23 | 2018-03-01 | 日本電信電話株式会社 | 積層集積回路 |
-
1997
- 1997-08-15 JP JP9220361A patent/JPH1168033A/ja active Pending
Cited By (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001060130A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-03-06 | Nst:Kk | 半導体装置 |
US6777775B2 (en) | 2001-07-04 | 2004-08-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit, D-A converter device, and A-D converter device |
US7777293B2 (en) | 2001-07-04 | 2010-08-17 | Panasonic Corporation | Semiconductor integrated circuit, D-A converter device, and A-D converter device |
JP2009246400A (ja) * | 2004-01-28 | 2009-10-22 | Panasonic Corp | モジュール及びこれを用いた実装構造体 |
KR101066128B1 (ko) * | 2004-02-13 | 2011-09-20 | 각고호우징 게이오기주크 | 전자회로 |
WO2005078795A1 (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Keio University | 電子回路 |
US7768790B2 (en) | 2004-02-13 | 2010-08-03 | Keio University | Electronic circuit |
KR101139396B1 (ko) * | 2004-08-24 | 2012-04-27 | 소니 주식회사 | 반도체 장치 및 기판 |
JP2006324525A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Hiroshima Univ | 信号伝達方法 |
JP2006325031A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Hiroshima Univ | 信号伝達装置および信号伝達方法 |
US7764235B2 (en) | 2005-07-27 | 2010-07-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
JP2009504004A (ja) * | 2005-07-28 | 2009-01-29 | ケアストリーム ヘルス インク | デジタル放射線撮影での低雑音データ取り込み |
JP2007073812A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP4592542B2 (ja) * | 2005-09-08 | 2010-12-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2007129412A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Sony Corp | 通信用半導体チップ、キャリブレーション方法、並びにプログラム |
US7995966B2 (en) | 2005-11-02 | 2011-08-09 | Sony Corporation | Communication semiconductor chip, calibration method, and program |
WO2007145086A1 (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-21 | Nec Corporation | 半導体装置、信号伝送装置および信号伝送方法 |
JP2008067012A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Univ Of Tokushima | 高周波信号伝送装置 |
WO2008102814A1 (ja) * | 2007-02-23 | 2008-08-28 | Nec Corporation | インダクタ結合を用いて信号伝送を行う半導体装置 |
US8588681B2 (en) | 2007-02-23 | 2013-11-19 | Nec Corporation | Semiconductor device performing signal transmission by using inductor coupling |
JP2008270787A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-11-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US8619003B2 (en) | 2007-03-26 | 2013-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with wireless communication |
US8902123B2 (en) | 2007-03-26 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with wireless communication |
JP2008277521A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
US8669656B2 (en) | 2007-05-08 | 2014-03-11 | Scanimetrics Inc. | Interconnect having ultra high speed signal transmission/reception |
US8362587B2 (en) | 2007-05-08 | 2013-01-29 | Scanimetrics Inc. | Ultra high speed signal transmission/reception interconnect |
US8362481B2 (en) | 2007-05-08 | 2013-01-29 | Scanimetrics Inc. | Ultra high speed signal transmission/reception |
JP2010533387A (ja) * | 2007-05-08 | 2010-10-21 | スキャニメトリクス,インコーポレイテッド | 超高速信号送受信 |
EP1990914A3 (en) * | 2007-05-11 | 2014-04-23 | STMicroelectronics Srl | Integrated galvanic isolator using wireless transmission |
US9053950B2 (en) | 2007-11-26 | 2015-06-09 | Keio University | Electronic circuit |
JP5491868B2 (ja) * | 2007-11-26 | 2014-05-14 | 学校法人慶應義塾 | 電子回路 |
JP4656156B2 (ja) * | 2008-01-22 | 2011-03-23 | ソニー株式会社 | 光通信装置 |
JP2009177337A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Sony Corp | 光通信装置及びその製造方法 |
KR101249694B1 (ko) * | 2008-06-20 | 2013-04-05 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
JP2010003907A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US8039936B2 (en) | 2008-06-20 | 2011-10-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
KR101407481B1 (ko) * | 2010-06-10 | 2014-06-17 | 에스티에스반도체통신 주식회사 | 광 신호 전달, 무선 전원 구동, 및 방열 기능들을 가지는 반도체 패키지 |
US9054428B2 (en) | 2010-12-28 | 2015-06-09 | Tdk Corporation | Antenna and wireless communication unit |
CN102623807A (zh) * | 2010-12-28 | 2012-08-01 | Tdk株式会社 | 无线通信用天线以及无线通信装置 |
CN102623807B (zh) * | 2010-12-28 | 2015-09-23 | Tdk株式会社 | 无线通信用天线以及无线通信装置 |
JP5213087B2 (ja) * | 2011-02-18 | 2013-06-19 | 学校法人慶應義塾 | モジュール間通信装置 |
JP2014090203A (ja) * | 2014-01-07 | 2014-05-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
WO2017141505A1 (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体チップおよびシステム |
US10629351B2 (en) | 2016-02-16 | 2020-04-21 | Sony Corporation | Semiconductor device, semiconductor chip, and system |
JP2018032680A (ja) * | 2016-08-23 | 2018-03-01 | 日本電信電話株式会社 | 積層集積回路 |
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