JPH1161388A

JPH1161388A - 真空アーク蒸着装置

Info

Publication number: JPH1161388A
Application number: JP21356097A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Suzuki; 毅鈴木; Hiroshi Tamagaki; 浩玉垣
Original assignee: Kobe Steel Ltd
Current assignee: Kobe Steel Ltd
Priority date: 1997-08-07
Filing date: 1997-08-07
Publication date: 1999-03-05
Anticipated expiration: 2017-08-07
Also published as: JP3708686B2

Abstract

(57)【要約】【課題】カソード上の全域にわたってアークスポット
の位置を検知して、カソード上のアークスポットの位置
を任意に制御することにより、基材の表面に所望の膜厚
の蒸着膜を形成することができる真空アーク蒸着装置を
提供する。【解決手段】アノードとカソードを有し、このカソー
ドを構成する金属を基材の表面に蒸着する真空アーク蒸
着装置において、前記カソードが棒状であり、この棒状
のカソードの軸方向に平行に、複数個のアークスポット
検出用センサーを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、真空アーク放電を
利用してカソードを構成する金属を基材の表面に蒸着す
る真空アーク蒸着装置に関するもので、特に、長尺のカ
ソード上のアークスポットの位置を検出し、アークスポ
ットの位置を制御する真空アーク蒸着装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】真空アーク蒸着装置は、真空チャンバー
内に設置したカソードとアノードとの間に真空アーク放
電させ、アークの高エネルギーにより、カソードを構成
する金属を蒸発させイオン化して、基材の表面に蒸着す
る装置である。蒸発源をカソードとする真空アーク蒸着
装置として、例えば、図８に示す特開平５−１０６０２
５号公報に記載のものが知られている。この従来のもの
は、真空チャンバー１内の中央に棒状のカソード２が配
置され、真空チャンバー１がアノードとして用いられて
いる。アーク電源１３の陰極が前記カソード２の両端と
接続され、アーク電源の陽極が真空チャンバー１と接続
されている。

【０００３】本従来例では、アーク電源１３からカソー
ド２の両端に投入するアーク電流のバランスを変化させ
ることにより、アークスポットを制御している。カソー
ドの両端部のセンサー１５はアークスポットがカソード
２の端部に到達したときに信号を出して、アーク電流の
バランスを自動的に調節して、アークスポットをカソー
ド２の他端に押し返して、カソード上のアークスポット
を、上下方向にくまなく走査させるものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来例では、アークスポットがカソードの端部に到達した
ときのみ、アークスポットの位置を検知できるものであ
る。このため、一端から他端へ移動中のアークスポット
の位置が検知できず不明となり、所望の膜厚を有する蒸
着膜形成に必要なアーク電流バランスの調節が困難であ
った。特に、長尺（例えば、３００ｍｍ以上）の棒状カ
ソードを用いる真空アーク蒸着装置では、カソード上の
アークスポットの移動速度が一定でなく、アークスポッ
トが偏在する確率が高くなる。このため、長尺のカソー
ドでは、アークスポット位置の不明な領域が長くなるた
め、アーク電流のバランスの調節がさらに困難となり、
基材の表面に所望の膜厚分布の蒸着膜を形成することが
できない場合がある。

【０００５】そこで本発明は、カソード上の全域にわた
ってアークスポットの位置を検知して、カソード上のア
ークスポットの位置を任意に制御することにより、基材
の表面に所望の膜厚の蒸着膜を形成することができる真
空アーク蒸着装置を提供することを目的とするものであ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明のうちで請求項１記載の発明は、アノー
ドとカソードを有し、このカソードを構成する金属を基
材の表面に蒸着する真空アーク蒸着装置において、前記
カソード面に正対し、カソード面から等距離に、かつ、
カソードの長辺又は長径方向に複数個のアークスポット
検出用センサーを設けてなることを特徴とするものであ
る。複数個のアークスポット検出用センサーを、カソー
ド面に正対し、かつ、カソード面から等距離に設けるこ
とによって、カソード上のアークスポットの位置を検知
することができる。カソード上のアークスポットから飛
び出した金属イオンを複数個のアークスポット検出用セ
ンサーにより検出して、この検出した金属イオン量が最
大となるアークスポット検出用センサーの近傍に、アー
クスポットが存在することになる。

【０００７】前記アークスポット検出用センサーは、カ
ソードの上のアークスポットから飛び出した金属イオン
からの電荷を検出するものであればよく、例えば、イオ
ンセンサーを用いることができる。

【０００８】特に、請求項１記載の発明は、カソードの
長辺又は長径が１００ｍｍ以上、好ましくは３００ｍｍ
以上である真空アーク蒸着装置に適用することが望まし
い。カソードの長辺又は長径が１００ｍｍ以上になると
カソード上のアークスポットが偏在しやすくなり、長辺
又は長径が３００ｍｍ以上ではアークスポットの偏在の
傾向が著しくなる。このため、カソード上のアークスポ
ット位置を的確に知り、所望の膜厚分布になるように、
真空アーク蒸着装置を制御する必要性が高くなるからで
ある。

【０００９】また請求項２記載の発明は、請求項１記載
の発明の構成のうち、前記カソードが棒状であり、この
棒状のカソードの軸方向に平行に、複数個のアークスポ
ット検出用センサーを設けてなることを特徴とするもの
である。複数個のアークスポット検出用センサーを軸方
向に平行に設けたことによって、棒状のカソード上のア
ークスポットの位置を検知することができる。なお、棒
状のカソードの長さに応じて、アークスポット検出用セ
ンサーを設けることが好ましい。例えば、カソードの長
さ：約１００ｍｍ（５０から１５０ｍｍ）当たり、アー
クスポット検出用センサーを１個設けることが好まし
い。１５０ｍｍを越えると、アークスポット検出用セン
サーの金属イオンの検出範囲を越えることとなり、アー
クスポット位置を求めることができない場合がある。ア
ークスポットから飛び出す金属イオンは広がりを持って
いるので、５０ｍｍ未満では、隣同士のアークスポット
検出用センサーが金属イオンを大部分重複して検出する
ので、不必要なアークスポット検出用センサーが生じ
る。

【００１０】また請求項３記載の発明は、請求項１記載
の発明の構成に加え、アークスポット検出用センサーを
基材位置のカソードと反対側の離れた位置に設けたこと
を特徴とするものである。アークスポット検出用センサ
ーを基材位置のカソードと反対側の離れた位置に設けた
のは、アークスポット検出用センサーによる基材への蒸
着の阻害、および、アークスポット検出用センサーの蒸
着によるセンサー機能の劣化を防止するためである。

【００１１】また請求項４記載の発明は、請求項１又は
２又は３記載の発明の構成に加え、各アークスポット検
出用センサーのアークスポットの電流の積分値を等しく
なるように制御可能としたアーク電源装置を設けたこと
を特徴とするものである。各アークスポットの電流の積
分値を等しくなるように制御可能な電源装置を設けるこ
とより、基材の表面に所望の膜厚の蒸着膜を形成するこ
とができる。

【００１２】また請求項５記載の発明は、請求項１乃至
４のいずれかに記載の発明の構成に加え、アークスポッ
ト検出用センサーのアークスポット信号を受信する受信
手段と、所定の蒸着条件を記憶する記憶手段と、受信し
たアークスポット信号の電流の積分値を演算する演算手
段と、各アークスポット信号の電流の積分値を比較して
真空アーク放電のアーク電流の制御をする制御手段と、
前記蒸着条件と前記各アークスポット信号の電流の積分
値の差異を判断する判断手段とを備えたことを特徴とす
るものである。成膜状況に応じて、アークスポットの位
置を自動制御することができ、基材の表面に、所望の膜
厚の蒸着膜の形成をすることができる。

【００１３】また請求項６記載の発明は、請求項１乃至
５のいずれかに記載の発明の構成に加え、前記金属イオ
ンと反応させるプロセスガスの吹出口を前記基板の近傍
（例えば、１０〜１００ｍｍ離れた距離）に配設し、こ
の吹出口の位置を、前記アークスポット検出用センサー
が検出したアークスポット位置に合わせて、移動させる
吹出口移動機構を設けてなることを特徴とするものであ
る。プロセスガスの吹出口を、アークスポット検出用セ
ンサーが検出したアークスポット位置に合わせて移動さ
せることにより、金属イオンとプロセスガスの成分比を
一定の保つとともに、金属イオンとプロセスガスの反応
を迅速に行うことができる。この結果、基材表面の蒸着
膜の中のガス成分濃度を一定に保つことにより、蒸着膜
の品質を向上でき、さらに真空蒸着の生産性を飛躍的に
高めることができる。

【００１４】また請求項７記載の発明は、請求項１乃至
５のいずれかに記載の発明の構成に加え、前記金属イオ
ンと反応させるプロセスガスの吹出口を前記基板の近傍
（例えば、１０〜１００ｍｍ離れた距離）に複数個配設
し、前記アークスポット検出用センサーが検出したアー
クスポット位置に近い前記吹出口からプロセスガスを吹
出す機構を設けてなることを特徴とするものである。ア
ークスポット検出用センサーが検出したアークスポット
位置に近い前記吹出口からプロセスガスを吹出すことに
より、同様に、基材表面の蒸着膜の中のガス成分濃度を
一定に保つことにより、蒸着膜の品質を向上でき、さら
に真空蒸着の生産性を飛躍的に高めることができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
き説明する。図１は本発明の実施の形態の構成を示す図
であり、図２は本発明の実施の形態のアークスポット検
出用センサーの取付状態を示す図であり、図３は本発明
の実施の形態のアークスポット検出用センサーからの信
号を示す図である。図１に示すように、本実施の形態の
真空アーク蒸着装置は、真空チャンバー１の内部に棒状
のカソード２（長さは６００ｍｍ）が配置されている。
なお、カソードを冷却するために中空となっている。

【００１６】このカソード２の外周に、棒状アノード９
が配設され、この棒状アノード９は、上部リング状アノ
ード３と下部リング状アノード４により固定されてい
る。

【００１７】基材８は前記棒状のカソード２の外周側に
配設され、前記基材８は図示しない回転機構により、カ
ソード２の外周を公転するとともに自転する構成になっ
ている。これは、基材の全面を蒸着させるためである。

【００１８】さらに、前記右側の基材８の外周側にカソ
ードの軸方向に平行に等間隔で６ヶ所にイオンセンサー
５Ａ（アークスポット検出用センサー）を設けたアーク
スポット検出用センサー群５が配設されている。アーク
スポット検出用センサー群の詳細な取付状態を図２に示
す。

【００１９】アークスポット検出用センサーに用いたイ
オンセンサーは長さ１００ｍｍの金属パイプの上下端を
絶縁して６個連結したものである。この金属パイプの表
面で、アークスポットから飛び出した金属イオンを補足
するものである。

【００２０】前記イオンセンサー５Ａは、図１に示すよ
うに、電流計６と直流電源７に接続されており、アース
２０により接地されている。イオンセンサー５Ａが真空
アーク放電により蒸発した金属イオンを捕捉し、その金
属イオン量を電流計６で読み取った電流量の大小によっ
て判断する。この検出した金属イオン量が最大となるイ
オンセンサー、すなわち、アークスポット検出用センサ
ーに正対する位置のカソードの上に、アークスポットが
存在することになる。このとき、予め、カソード上のア
ークスポットの位置変化を、複数個のアークスポット検
出用センサーが検出する金属イオン量の差異に基づいて
測定しておき、この測定結果を基に、カソード上のアー
クスポット位置を求めることができる。

【００２１】アーク電源１０は第１アーク電源１０Ａと
第２アーク電源１０Ｂとからなり、上部のリング状アノ
ード３は第１アーク電源１０Ａの陽極に接続し、前記下
部のリング状アノード４は第２アーク電源１０Ｂの陽極
に接続されている。また、前記カソード２の上端部は第
１アーク電源１０Ａの陰極に接続され、前記カソード２
の下端部は第２アーク電源１０Ｂの陰極に接続されてい
る。前記各アーク電源１０は、制御装置１１によりその
出力電流値を独立して制御され、真空容器１とは絶縁さ
れている。

【００２２】本実施の形態の真空アーク蒸着装置の作動
について説明する。前記基材８の表面に蒸着膜を形成さ
せるには、前記カソード２から真空アーク放電を発生さ
せ、カソードを構成する金属を蒸発させて、イオン化さ
せるものである。真空アーク放電の発生は、図示されて
いない真空ポンプにより真空チャンバー１内を排気して
所定圧の真空状態を保ち、その後、図示しないストライ
カ（点火装置）によりカソードに真空アーク放電を発生
させるものである。カソードの表面にアーク電流が集中
したアークスポットが現れ、カソードを構成する金属を
蒸発させ、イオン化させることとなる。この時、アーク
スポットはカソード上を移動する。

【００２３】前記金属イオンは、真空チャンバー１内に
設置した基材８に向かって移動し、前記基材８の表面に
蒸着膜を形成する。基材８には、必要に応じて図示しな
い電源によって負の電圧（バイアス電圧）が印加し、前
記金属イオンを加速しながら蒸着膜形成をすることがで
きる。

【００２４】基材８の蒸着膜形成に関与しなかった金属
イオンの一部は、前記基材８の後方にあるアークスポッ
ト検出用センサー群５に達し、各イオンセンサーに捕捉
され、各イオンセンサーは電流値より捕捉したイオン量
を計測する。この場合は、棒状のカソードの軸方向の各
位置での平均的なイオン量を計測することになる。通
常、アークスポットは棒状のカソードの円周方向で回転
しながら軸方向に移動するので、ある一定時間をとれば
円周方向のアークスポットの存在確率がほぼ等しくなる
と考えることができるため棒状のカソードの軸方向の各
位置での平均的なイオン量を計測することになるもので
ある。

【００２５】各イオンセンサーは電流値の測定結果を図
３に示す。（１）から（６）までの信号が、図２の６つのイオンセ
ンサー５Ａからの信号であり、横軸は時間軸であり、縦
軸は電流値を示す。各信号の波の高い部分が金属イオン
をより多く捕捉したことを示し、同じ時間軸で最大の電
流量を示している位置がアークスポットが存在する位置
となる。（１）から（６）までの信号の波が交互に大き
くなっているのは、アークスポットがカソード上を動い
ていることを示しているものである。

【００２６】これらイオンセンサーからの信号を基に、
真空アーク放電のアーク電流の制御することにより、基
体の表面の成膜状況に応じてアークスポットの位置を任
意に制御できる。例えば、イオンセンサーの各信号の積
分値を制御パラメータとして、積分値が一定になるよう
にアークスポット位置を制御することにより、基体の表
面に所望の膜厚分布の蒸着膜を形成する。

【００２７】アークスポットの位置の制御による所望の
膜厚の蒸着膜の形成方法について、図５に基づきさらに
説明する。（ステップ１）において、所定の蒸着条件を
記憶手段を記憶する。蒸着条件として、例えば、アーク
スポットの電流の積分設定値を入力手段により前記記憶
手段に入力して記憶させるものである。このアークスポ
ットの電流の積分の設定値は予め、実験等により求めて
おく。

【００２８】（ステップ２）において、各イオンセンサ
ーのアークスポット信号を受信手段により受信する。こ
の各アークスポット信号を（ステップ３）の演算手段に
より、各アークスポット信号の電流の積分値を演算す
る。次に、（ステップ４）の制御手段により、各アーク
スポット信号の電流の積分値を比較して、各アークスポ
ット検出用センサーのアークスポットの電流の積分値が
等しくなるようにアーク電流を制御をする。

【００２９】さらに、（ステップ４）の判断手段によ
り、前記蒸着条件（アークスポットの電流の積分設定
値）と前記各アークスポット信号の電流の積分値の差異
を判断し、前記各アークスポット信号の電流の積分値が
小さい場合は、（ステップ２）にもどり、引き続き真空
蒸着を行う。前記各アークスポット信号の電流の積分値
が大きくなった場合は、真空蒸着を完了する（ステップ
６）。

【００３０】このときの真空アーク放電のアーク電流の
制御について説明する。真空アーク放電のアーク電流の
制御には、アノードに流すアーク電流を調整する方法
と、カソードに流すアーク電流を調整する方法がある。
アークスポット位置を制御は、アノードに流すアーク電
流を調整方法（例えば、特願平５−１５３１８６号公
報）を用いることにより、より効果的に制御することが
でる。この調整方法を図１により説明する。なお、制御
電源１２は制御装置１１により、その極性及び制御電流
の大きさを変えることができる構成になっている。

【００３１】上下のアーク電源１０Ａ、１０Ｂからは、
等しいアーク電流Ｉを投入し、制御電源１２から制御電
流Ｉｘを上部リング状アノード３に向かって投入すれ
ば、上部リング状アノード３にはＩ＋Ｉｘのアーク電流
が流れ、下部リング状アノード４にはＩ−Ｉｘのアーク
電流が流れることになる。すなわち、制御装置１１によ
り制御電流Ｉｘの極性および大きさを変化させることに
より、アノードに流すアーク電流を変えることができ
る。

【００３２】このアノードに流すアーク電流を調整する
ことにより、アークスポットの位置を制御できる。例え
ば、上部リング状アノードへのアーク電流を下部リング
状アノードへのアーク電流の比率を上部リング状アノード／下部リング状アノード比＝３／１１３／１２１２／１３１／３に変えた場合の基体の成膜速度分布量を図４に示す。こ
のように、アノードに流すアーク電流を調整することに
より、アークスポットの位置を制御するものである。図
４において、各ピークの位置がアークスポットの存在確
率が高い領域となり、成膜量が多い。このようにして、
棒状のカソードの軸方向のアークスポットの位置を制御
することができる。前述したように、ある一定時間をと
れば円周方向のアークスポットの存在確率ほぼ等しくな
ると考えることができるために、棒状のカソードの円周
方向の制御を考慮する必要性はすくない。

【００３３】さらに、真空チャンバー１には窒素、酸
素、炭化水素等のプロセスガスを導入し、前記カソード
を構成する金属との化合物（窒化物、酸化物、炭化物ま
たはこれらの複合化合物）の蒸着膜を形成する別実施の
形態を図６、図７に基づきさらに説明する。本実施の形
態は、前述の実施の形態の真空アーク蒸着装置に、反応
性ガスの導入口を設けたものである。図６は、アクチュ
エータにより上下に動く構造のプロセスガス導入管を設
けた真空アーク蒸着装置を示す図であり、図７は、複数
本のプロセスガス導入管を設けた図である。

【００３４】まず、図６により説明する。プロセスガス
の吹出口を基材の外周側の外側１０〜１００ｍｍに設け
る。このプロセスガスの吹出口２２はプロセスガス導入
管２１により真空チャンバー１の外の窒素、酸素、炭化
水素等のプロセスガスの供給機構と連結されている。こ
のプロセスガス導入管２１は真空チャンバー１上に配設
されたアクチュエータ２３により上下に動く構造になっ
ている。このアクチュエータ２３は、アークスポット検
出用センサー５より得られるカソード２上のアークスポ
ット位置に合わせて、プロセスガス導入管を移動させて
プロセスガスの吹出口を、カソード上のアークスポット
位置に正対させる。例えば、図６において、カソード上
のアークスポット位置がＡの場合は、プロセスガスの吹
出口をＡ’に、カソード上のアークスポット位置がＢの
場合は、プロセスガスの吹出口をＢ’にするものであ
る。

【００３５】このように、アークスポット位置にあわせ
て、プロセスガスの吹出口を移動させるので、基材表面
に蒸着される反応生成物中のガス成分濃度を一定に保つ
ことができる。このため、従来のプロセスガスの吹出口
が固定されている場合に比べ、蒸着膜のガス成分のバラ
ツキが少なくなり、蒸着膜の品質を飛躍的に向上させ
る。さらに、金属イオンとプロセスガスの反応をより迅
速に行うことができ、蒸着の生産性が向上する。

【００３６】次に、図７について説明する。図７は、金
属イオンと反応させるプロセスガスの吹出口２２を基板
８から基板の外周方向に１０〜１００ｍｍの位置に、１
００ｍｍ毎にアークスポット検出用センサー５のそれぞ
れに正対する位置に６個配設したものである。カソード
２上のアークスポット位置と対応するアークスポット検
出用センサーに正対するプロセスガスの吹出口２２から
フロセスガスを吹出し機構２４によりプロセスガスを吹
き出させて金属イオンと反応させるものである。前述の
図５の実施の形態と同様に、蒸着膜のガス成分のバラツ
キが少なくなり、蒸着膜の品質を飛躍的に向上させる。
さらに、金属イオンとプロセスガスの反応をより迅速に
行うことができ、蒸着の生産性が向上する。

【００３７】以上、本実施の形態は、アークスポット検
出用センサー群が有するイオンセンサーの数が６個で、
アークスポット検出用センサー群の設置は１か所の例を
示したが、本実施の態様に限定されるものでない。アー
クスポット検出用センサー群の配設位置や設置個数、お
よびアークスポット検出用センサー群が有するイオンセ
ンサーの数は、蒸着条件により変えることができる。本
実施の形態では、基材８はカソード２の外周を公転する
ので、イオンセンサー群は、１ヶ所あればばよい。な
お、基材８はカソード２の外周を公転しない場合は、イ
オンセンサー群を複数ヶ所設ける必要がある。

【００３８】本実施の形態は、長尺で棒状のカソードで
あるが、長方形や楕円状の平板のカソードも本発明の技
術的範囲に入る。平板のカソードの長辺又は長径方向
に、アークスポット検出用センサーを配設することによ
り、棒状のカソードの場合と同様にアークスポット位置
を検出でき、所望の膜厚分布を有する蒸着膜を得ること
ができる。

【００３９】

【発明の効果】そこで本発明は、カソード上の全域にわ
たってアークスポットの位置を検知して、カソード上の
アークスポットの位置を任意に制御することにより、基
材の表面に所望の膜厚分布の蒸着膜を形成することを可
能となる。また、プロセスガスの吹出口を、アークスポ
ット位置にあわせて移動することにより、蒸着膜のガス
成分のバラツキが少なくでき、蒸着膜の品質を飛躍的に
向上させる。さらに、金属イオンとプロセスガスの反応
をより迅速に行うことができ、蒸着の生産性を向上でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の構成を示す図である。

【図２】本発明の実施の形態のアークスポット検出用セ
ンサーの取付状態を示す図である。

【図３】本発明の実施の形態のアークスポット検出用セ
ンサーからの信号を示す図である。

【図４】アーク電流バランスと成膜速度分布の関係を示
す図である。

【図５】アークスポットの位置の制御による基体の表面
への均一な蒸着膜および所望の膜厚の蒸着膜の形成方法
を示す図である。

【図６】本発明の他の実施の形態の構成を示す図であ
る。

【図７】本発明の別の実施の形態の構成を示す図であ
る。

【図８】従来の真空アーク蒸着装置の構成を示す図であ
る。

【符号の説明】

１真空チャンバー２カソード３上部リング状アノード４下部リング状アノード５アークスポット検出用センサー群５Ａイオンセンサー（アークスポット検出用センサ
ー）６電流計７直流電源８基材９棒状アノード１０アーク電源１０Ａ第１アーク電源１０Ｂ第２アーク電源１１制御装置１２制御電源１３アーク電源１４制御回路１５センサー１６コイル電源１７電磁コイル１８ストライカ１９絶縁器２０アース２１プロセスガス導入管２２プロセスガスの吹出口２３アクチュエータ２４吹出し機構

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】アノードとカソードを有し、このカソー
ドを構成する金属を基材の表面に蒸着する真空アーク蒸
着装置において、前記カソード面に正対し、カソード面から等距離に、か
つ、カソードの長辺又は長径方向に、複数個のアークス
ポット検出用センサーを設けてなることを特徴とする真
空アーク蒸着装置。
【請求項２】前記カソードが棒状であり、この棒状の
カソードの軸方向に平行に、複数個のアークスポット検
出用センサーを設けてなることを特徴とする請求項１記
載の真空アーク蒸着装置。
【請求項３】前記アークスポット検出用センサーを基
材位置のカソードの反対側の離れた位置に設けてなる請
求項１又は２記載の真空アーク蒸着装置。
【請求項４】前記各アークスポット検出用センサーが
検出した金属イオン量の積分値を等しくなるように制御
可能としたアーク電源装置を設けてなる請求項１又は２
又は３記載の真空アーク蒸着装置。
【請求項５】前記各アークスポット検出用センサーの
金属イオン量を受信する受信手段と、所定の蒸着条件を
記憶する記憶手段と、受信した各金属イオン量の積分値
を演算する演算手段と、各金属イオン量の積分値を平均
化するように、カソードのアーク電流の制御をする制御
手段とを備えてなる請求項１乃至４のいずれかに記載の
真空アーク蒸着装置。
【請求項６】前記金属イオンと反応させるプロセスガ
スの吹出口を前記基板の近傍に配設し、この吹出口の位
置を、前記アークスポット検出用センサーが検出したア
ークスポット位置に合わせて、移動させる吹出口移動機
構を設けてなることを特徴とする請求項１乃至５のいず
れかに記載の真空アーク蒸着装置。
【請求項７】前記金属イオンと反応させるプロセスガ
スの吹出口を前記基板の近傍に複数個配設し、前記アー
クスポット検出用センサーが検出したアークスポット位
置に近い前記吹出口からプロセスガスを吹出す機構を設
けてなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに
記載の真空アーク蒸着装置。