JPH1154424A - 基板縁部の薄膜除去装置 - Google Patents
基板縁部の薄膜除去装置Info
- Publication number
- JPH1154424A JPH1154424A JP9220921A JP22092197A JPH1154424A JP H1154424 A JPH1154424 A JP H1154424A JP 9220921 A JP9220921 A JP 9220921A JP 22092197 A JP22092197 A JP 22092197A JP H1154424 A JPH1154424 A JP H1154424A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- solvent
- edge
- discharge
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 角型の基板例えばＬＣＤ基板の一辺全体をカ
バーできる大きさの溶剤吐出部を用いて基板縁部の不要
な薄膜を溶剤により除去するにあたり、小さな吸引能力
で効率よく除去すること。 【解決手段】 コ字型の基体３の上部に溶剤タンク４を
設け、タンク４の底面を湾曲させると共に、この湾曲部
分に筒状体５を接合し、前記底面及び筒状体５の周方向
に沿った３ケ所に、スリット幅が基板２中央側のもの程
大きくなるようにスリット（４ａ、５ａ）、（４ｂ、５
ｂ）、（４ｃ、５ｃ）を形成する。筒状体５内に、スリ
ット５２を有するロッド体５１を設け、ロッド体５１を
回動させてスリット５２を上記の３ケ所のスリットに連
通させることにより、溶剤吐出部５０を基板２の外側に
傾けながら、溶剤の吐出流量を多くする。
バーできる大きさの溶剤吐出部を用いて基板縁部の不要
な薄膜を溶剤により除去するにあたり、小さな吸引能力
で効率よく除去すること。 【解決手段】 コ字型の基体３の上部に溶剤タンク４を
設け、タンク４の底面を湾曲させると共に、この湾曲部
分に筒状体５を接合し、前記底面及び筒状体５の周方向
に沿った３ケ所に、スリット幅が基板２中央側のもの程
大きくなるようにスリット（４ａ、５ａ）、（４ｂ、５
ｂ）、（４ｃ、５ｃ）を形成する。筒状体５内に、スリ
ット５２を有するロッド体５１を設け、ロッド体５１を
回動させてスリット５２を上記の３ケ所のスリットに連
通させることにより、溶剤吐出部５０を基板２の外側に
傾けながら、溶剤の吐出流量を多くする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面に薄膜が形成
された角型の基板の縁部の不要な膜を除去する装置に関
する。
された角型の基板の縁部の不要な膜を除去する装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、液晶表示ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）装置の製造工程においては、ＬＣＤ基板（ガラス基
板）上に例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）の薄膜や電極パターン等を形成するために、半導
体製造工程において用いられるものと同様なフォトリソ
グラフィ技術を用いて回路パタ−ン等を縮小してフォト
レジストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施
される。
Ｄ）装置の製造工程においては、ＬＣＤ基板（ガラス基
板）上に例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）の薄膜や電極パターン等を形成するために、半導
体製造工程において用いられるものと同様なフォトリソ
グラフィ技術を用いて回路パタ−ン等を縮小してフォト
レジストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施
される。
【０００３】上記のような処理を行う場合、例えば、レ
ジスト膜の形成方法として、角形のＬＣＤ基板（以下に
基板という）を、処理容器内に配設される保持手段例え
ばスピンチャック上に載置固定した状態で、処理容器の
開口部を蓋体で閉止して、処理容器とスピンチャックを
回転させ、例えば、この基板上面の中心部に溶剤と感光
性樹脂とからなるレジスト液を滴下し、そのレジスト液
を基板の回転力と遠心力とにより基板中心部から周縁部
に向けて放射状に拡散させて塗布する回転カップ式の塗
布膜形成方法が知られている。
ジスト膜の形成方法として、角形のＬＣＤ基板（以下に
基板という）を、処理容器内に配設される保持手段例え
ばスピンチャック上に載置固定した状態で、処理容器の
開口部を蓋体で閉止して、処理容器とスピンチャックを
回転させ、例えば、この基板上面の中心部に溶剤と感光
性樹脂とからなるレジスト液を滴下し、そのレジスト液
を基板の回転力と遠心力とにより基板中心部から周縁部
に向けて放射状に拡散させて塗布する回転カップ式の塗
布膜形成方法が知られている。
【０００４】この塗布処理の際、塗布直後における膜厚
は均一であっても、回転が停止して遠心力が働かなくな
った後や時間が経つに従い表面張力の影響で基板周縁部
でレジスト液が盛り上がるように厚くなる。また、レジ
スト液が基板の下面周縁部にまで回り込んで不要な膜が
形成される現象が発生する。このように基板の周縁部に
不均一な厚い膜が形成されていると、集積回路パターン
等の現像時に周縁部のレジスト膜が完全には除去されず
に残存することになり、その後の基板の搬送工程中にそ
の残存したレジストが剥がれ、パーティクル発生の原因
となる。
は均一であっても、回転が停止して遠心力が働かなくな
った後や時間が経つに従い表面張力の影響で基板周縁部
でレジスト液が盛り上がるように厚くなる。また、レジ
スト液が基板の下面周縁部にまで回り込んで不要な膜が
形成される現象が発生する。このように基板の周縁部に
不均一な厚い膜が形成されていると、集積回路パターン
等の現像時に周縁部のレジスト膜が完全には除去されず
に残存することになり、その後の基板の搬送工程中にそ
の残存したレジストが剥がれ、パーティクル発生の原因
となる。
【０００５】そこで、従来では、基板の表面にレジスト
液等を塗布した後、基板の周縁部の不要な塗布膜を除去
する処理が行われている。このような不要な塗布膜を除
去する装置としては従来例えば特開平８−１３１９７１
号公報に示す技術がある。この技術は、図１２及び図１
３に示すように基板１の一辺に沿って形成された溶剤吐
出口１１を備えた溶剤吐出部１２を、基板１の端縁より
も若干中央寄りの位置にて基板１の表面と対向するよう
にコ字型の基体１３に設け、溶剤吐出口１１から溶剤を
吐出させながら溶剤吐出部１２を外側に向かって（縁に
向かって）移動させ、溶剤によりレジスト膜１４を溶解
するものである。
液等を塗布した後、基板の周縁部の不要な塗布膜を除去
する処理が行われている。このような不要な塗布膜を除
去する装置としては従来例えば特開平８−１３１９７１
号公報に示す技術がある。この技術は、図１２及び図１
３に示すように基板１の一辺に沿って形成された溶剤吐
出口１１を備えた溶剤吐出部１２を、基板１の端縁より
も若干中央寄りの位置にて基板１の表面と対向するよう
にコ字型の基体１３に設け、溶剤吐出口１１から溶剤を
吐出させながら溶剤吐出部１２を外側に向かって（縁に
向かって）移動させ、溶剤によりレジスト膜１４を溶解
するものである。
【０００６】前記基体１３によって囲まれる空間は吸引
排出空間を形成するものであり、この基体の側方に形成
された吸引口１５から、溶剤及びレジスト膜の溶解物が
除去される。また前記公報には、溶剤吐出部１２をスラ
イドさせる代りに外側に徐々に傾けていく技術も記載さ
れている。このように基板１の一辺全体をカバーできる
ように例えば多数の穴を配列してなる溶剤吐出口１１を
設けて、一辺全体の縁部の不要なジレスト膜を一括して
除去できるようにすれば、ＬＣＤ基板が大型化しても短
時間でレジスト膜を除去することができるという利点が
ある。
排出空間を形成するものであり、この基体の側方に形成
された吸引口１５から、溶剤及びレジスト膜の溶解物が
除去される。また前記公報には、溶剤吐出部１２をスラ
イドさせる代りに外側に徐々に傾けていく技術も記載さ
れている。このように基板１の一辺全体をカバーできる
ように例えば多数の穴を配列してなる溶剤吐出口１１を
設けて、一辺全体の縁部の不要なジレスト膜を一括して
除去できるようにすれば、ＬＣＤ基板が大型化しても短
時間でレジスト膜を除去することができるという利点が
ある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら溶剤吐出
部１２をスライドさせるかあるいは傾けることにより溶
剤の供給位置を基板１の端縁に向かって移動させると、
レジスト膜１４の溶解物が内側から外側に押されて移動
するので、図１４に示すように端縁付近では溶解物が盛
り上がり、この結果溶解物を吸引して排出するために大
きな吸引能力が必要となる。
部１２をスライドさせるかあるいは傾けることにより溶
剤の供給位置を基板１の端縁に向かって移動させると、
レジスト膜１４の溶解物が内側から外側に押されて移動
するので、図１４に示すように端縁付近では溶解物が盛
り上がり、この結果溶解物を吸引して排出するために大
きな吸引能力が必要となる。
【０００８】ところで基板２の一辺全体をカバ−できる
大きさの溶剤吐出部を設ける構造は、ＬＣＤ基板の大型
化に対して有効であるが、その反面短い溶剤吐出部を一
辺に沿って移動させながらレジスト膜を除去させるタイ
プの構造に比べて格段に大きな吸引能力を必要とする。
従ってこの点を加え合わせると上述の装置は吸引排気能
力の大きいポンプを必要とし、ランニングコストも高く
なるという課題がある。
大きさの溶剤吐出部を設ける構造は、ＬＣＤ基板の大型
化に対して有効であるが、その反面短い溶剤吐出部を一
辺に沿って移動させながらレジスト膜を除去させるタイ
プの構造に比べて格段に大きな吸引能力を必要とする。
従ってこの点を加え合わせると上述の装置は吸引排気能
力の大きいポンプを必要とし、ランニングコストも高く
なるという課題がある。
【０００９】本発明は、このような事情の下になされた
ものであり、その目的は小さな吸引能力で効率よく基板
の縁部の不要な薄膜を除去することができる装置を提供
することにある。
ものであり、その目的は小さな吸引能力で効率よく基板
の縁部の不要な薄膜を除去することができる装置を提供
することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、表面
に薄膜が形成された角型の基板の縁部の不要な膜を除去
する装置において、 前記基板を保持する基板保持部と、 前記基板の一辺に対応する長さに形成された溶剤吐出口
を有し、前記基板保持部に保持された基板の縁部に対向
して位置するように設けられると共に、前記一辺に沿っ
て伸びる水平な軸の回りに回動自在な溶剤吐出部と、 前記溶剤吐出口が基板にほぼ真向かうように位置し、次
いで基板の端縁側斜めに向いた位置となるように前記溶
剤吐出部を回動させる回動機構と、 前記溶剤吐出口が基板にほぼ真向かっているときよりも
基板の端縁側斜めに向いているときの方が、溶剤の吐出
流量が多くなるように溶剤吐出流量を調整する調整部
と、 前記溶剤及び溶剤による薄膜の溶解物を吸引して排出す
るための吸引排出路と、を備えたことを特徴とする。
に薄膜が形成された角型の基板の縁部の不要な膜を除去
する装置において、 前記基板を保持する基板保持部と、 前記基板の一辺に対応する長さに形成された溶剤吐出口
を有し、前記基板保持部に保持された基板の縁部に対向
して位置するように設けられると共に、前記一辺に沿っ
て伸びる水平な軸の回りに回動自在な溶剤吐出部と、 前記溶剤吐出口が基板にほぼ真向かうように位置し、次
いで基板の端縁側斜めに向いた位置となるように前記溶
剤吐出部を回動させる回動機構と、 前記溶剤吐出口が基板にほぼ真向かっているときよりも
基板の端縁側斜めに向いているときの方が、溶剤の吐出
流量が多くなるように溶剤吐出流量を調整する調整部
と、 前記溶剤及び溶剤による薄膜の溶解物を吸引して排出す
るための吸引排出路と、を備えたことを特徴とする。
【００１１】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、吸引排出路は、基板保持部に保持された基板の上方
側でかつ溶剤吐出口の近傍に設けられることを特徴とす
る。
て、吸引排出路は、基板保持部に保持された基板の上方
側でかつ溶剤吐出口の近傍に設けられることを特徴とす
る。
【００１２】請求項３の発明は、表面に薄膜が形成され
た角型の基板の縁部の不要な膜を除去する装置におい
て、 前記基板を保持する基板保持部と、 前記基板の一辺に対応する長さに形成された溶剤吐出口
を有し、前記基板保持部に保持された基板の縁部に対向
して位置するように設けられた溶剤吐出部と、前記基板
保持部に保持された基板に対向して設けられると共に溶
剤の吐出が進むにつれて基板の端縁側に向かって移動
し、前記溶剤及び溶剤による薄膜の溶解物を吸引して排
出するための吸引排出路と、を備えたことを特徴とす
る。
た角型の基板の縁部の不要な膜を除去する装置におい
て、 前記基板を保持する基板保持部と、 前記基板の一辺に対応する長さに形成された溶剤吐出口
を有し、前記基板保持部に保持された基板の縁部に対向
して位置するように設けられた溶剤吐出部と、前記基板
保持部に保持された基板に対向して設けられると共に溶
剤の吐出が進むにつれて基板の端縁側に向かって移動
し、前記溶剤及び溶剤による薄膜の溶解物を吸引して排
出するための吸引排出路と、を備えたことを特徴とす
る。
【００１３】請求項４の発明は、表面に薄膜が形成され
た角型の基板の縁部の不要な膜を除去する装置におい
て、 前記基板を保持する基板保持部と、 前記基板の一辺に対応する長さに形成された溶剤吐出口
を有し、前記基板保持部に保持された基板の縁部に対向
して位置するように設けられた溶剤吐出部と、 前記溶剤吐出口よりの溶剤の供給位置が基板の端縁側に
向かって移動するように前記溶剤吐出部を制御する制御
機構と、 前記基板保持部に保持された基板に対向して設けられる
と共に前記溶剤の供給位置の移動に伴って基板の端縁側
に向かって移動し、前記溶剤及び溶剤による薄膜の溶解
物を吸引して排出するための吸引排出路と、を備えたこ
とを特徴とする。
た角型の基板の縁部の不要な膜を除去する装置におい
て、 前記基板を保持する基板保持部と、 前記基板の一辺に対応する長さに形成された溶剤吐出口
を有し、前記基板保持部に保持された基板の縁部に対向
して位置するように設けられた溶剤吐出部と、 前記溶剤吐出口よりの溶剤の供給位置が基板の端縁側に
向かって移動するように前記溶剤吐出部を制御する制御
機構と、 前記基板保持部に保持された基板に対向して設けられる
と共に前記溶剤の供給位置の移動に伴って基板の端縁側
に向かって移動し、前記溶剤及び溶剤による薄膜の溶解
物を吸引して排出するための吸引排出路と、を備えたこ
とを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１〜図３は本発明に係る基板縁
部の薄膜除去装置の実施の形態の構造を示す図である。
この装置は、基板２例えば長方形のＬＣＤ基板の下面を
真空吸着して当該基板２を水平（本願でいう水平とはほ
ぼ水平も含む）に保持すると共に、鉛直軸のまわりに回
動可能な基板保持部をなす保持台２０と、この保持台２
０に保持された基板２の互いに対向する２辺の縁部（端
縁から多少中央へ寄った位置までの領域）を基板２に対
して間隔をとった状態で上下両面から挟むように設けら
れ、断面がコ字型の一対の基体３、３とを備えている。
基体３の両端部にはアーム３１、３２が取り付けられ、
このアーム３１、３２が図示しない進退機構により進退
することにより基体３、３は互いに接離することにな
る。
部の薄膜除去装置の実施の形態の構造を示す図である。
この装置は、基板２例えば長方形のＬＣＤ基板の下面を
真空吸着して当該基板２を水平（本願でいう水平とはほ
ぼ水平も含む）に保持すると共に、鉛直軸のまわりに回
動可能な基板保持部をなす保持台２０と、この保持台２
０に保持された基板２の互いに対向する２辺の縁部（端
縁から多少中央へ寄った位置までの領域）を基板２に対
して間隔をとった状態で上下両面から挟むように設けら
れ、断面がコ字型の一対の基体３、３とを備えている。
基体３の両端部にはアーム３１、３２が取り付けられ、
このアーム３１、３２が図示しない進退機構により進退
することにより基体３、３は互いに接離することにな
る。
【００１５】基体３は、基板２の長辺が収まる長さに作
られており、両端には端板３３、３４が設けられてい
る。基体３の上側には溶剤例えばシンナーを収納する石
英製の溶剤タンク４が設けられ、この溶剤タンク４の下
方側には、タンク４の長さ方向に沿って伸びると共に下
部側の一部が切り欠かれた石英製の筒状体５がタンク４
の底面に接合されている。なおこの溶剤タンク４は、基
体３とは別個に設けられた図示しないタンクにフレキシ
ブルなチューブで接続され、常時満液の状態になってい
る。溶剤タンク４の底面の一部は、前記筒状体５の外周
面に適合するように湾曲しており、筒状体５の上部はこ
の湾曲部分に密接している。
られており、両端には端板３３、３４が設けられてい
る。基体３の上側には溶剤例えばシンナーを収納する石
英製の溶剤タンク４が設けられ、この溶剤タンク４の下
方側には、タンク４の長さ方向に沿って伸びると共に下
部側の一部が切り欠かれた石英製の筒状体５がタンク４
の底面に接合されている。なおこの溶剤タンク４は、基
体３とは別個に設けられた図示しないタンクにフレキシ
ブルなチューブで接続され、常時満液の状態になってい
る。溶剤タンク４の底面の一部は、前記筒状体５の外周
面に適合するように湾曲しており、筒状体５の上部はこ
の湾曲部分に密接している。
【００１６】筒状体５の中には、筒状体５の内周面に密
合した状態で周方向に回動することができるように例え
ば石英製のロッド体５１が設けられ、このロッド体５１
には、図２〜図４に示すように直径方向に貫通しかつロ
ッド体５１の長さ方向に伸びるスリット５２が形成され
ている。スリット５２を備えたロッド体５１は、溶剤吐
出部５０を構成し、またスリット５２の出口は溶剤吐出
口５３に相当する。
合した状態で周方向に回動することができるように例え
ば石英製のロッド体５１が設けられ、このロッド体５１
には、図２〜図４に示すように直径方向に貫通しかつロ
ッド体５１の長さ方向に伸びるスリット５２が形成され
ている。スリット５２を備えたロッド体５１は、溶剤吐
出部５０を構成し、またスリット５２の出口は溶剤吐出
口５３に相当する。
【００１７】溶剤タンク４の底面の湾曲部分及び筒状体
５の管壁には、頂部から図２中時計方向（図３では反時
計方向）に沿って孔部４０が形成されている。この孔部
４０は溶剤タンク４内とロッド体５１のスリット５２と
を連通するものであり、ロッド体５１の回動により溶剤
吐出部５０が基板２の端縁側に回動するにつれて、言い
換えればスリット５２の上部側の入口（溶剤流入口）が
基板２の内方側に回動するにつれて、連通面積が大きく
なるように形成されている。
５の管壁には、頂部から図２中時計方向（図３では反時
計方向）に沿って孔部４０が形成されている。この孔部
４０は溶剤タンク４内とロッド体５１のスリット５２と
を連通するものであり、ロッド体５１の回動により溶剤
吐出部５０が基板２の端縁側に回動するにつれて、言い
換えればスリット５２の上部側の入口（溶剤流入口）が
基板２の内方側に回動するにつれて、連通面積が大きく
なるように形成されている。
【００１８】即ち孔部４０は前記湾曲部分の頂部から湾
曲面に沿って下るにつれて末広がりとなるように形成さ
れており、従って溶剤吐出口５３を真下に向けておき、
この位置から基板２の端縁側に回動させると、前記孔部
４０を覗くスリット５２の入口から長さが漸次大きくな
り、溶剤吐出流量が大きくなっていく。この孔部４０及
びスリット５２は溶剤吐出流量を調整する調整部をなす
ものである。
曲面に沿って下るにつれて末広がりとなるように形成さ
れており、従って溶剤吐出口５３を真下に向けておき、
この位置から基板２の端縁側に回動させると、前記孔部
４０を覗くスリット５２の入口から長さが漸次大きくな
り、溶剤吐出流量が大きくなっていく。この孔部４０及
びスリット５２は溶剤吐出流量を調整する調整部をなす
ものである。
【００１９】前記ロッド体５１の両端には図４に示すよ
うに回転軸５４が設けられ、回転軸５４の一端は基体３
の端板３４にて軸受けされると共に他端は基体３の外側
に設けられた駆動部５５に連結されていてこの駆動部５
４により回転軸５４が回転するようになっている。
うに回転軸５４が設けられ、回転軸５４の一端は基体３
の端板３４にて軸受けされると共に他端は基体３の外側
に設けられた駆動部５５に連結されていてこの駆動部５
４により回転軸５４が回転するようになっている。
【００２０】一方前記基体３の下面側には、レジスト塗
布時に基板２の裏面側に回り込んだレジスト膜を除去す
るために、基板２の端縁に近い位置に溶剤を吹き付ける
ように、基体３の長さ方向に伸びるスリット状の溶剤吐
出部３５が設けられている。また基体３の側面には、吸
引排出路をなす複数の吸引管６が間隔をおいて接続され
ており、図示しない吸引ポンプによって吸引管６を通じ
て、基板２のレジスト膜の溶解物及び溶剤を吸引排出す
るようになっている。
布時に基板２の裏面側に回り込んだレジスト膜を除去す
るために、基板２の端縁に近い位置に溶剤を吹き付ける
ように、基体３の長さ方向に伸びるスリット状の溶剤吐
出部３５が設けられている。また基体３の側面には、吸
引排出路をなす複数の吸引管６が間隔をおいて接続され
ており、図示しない吸引ポンプによって吸引管６を通じ
て、基板２のレジスト膜の溶解物及び溶剤を吸引排出す
るようになっている。
【００２１】次に上述装置の作用について説明する。レ
ジスト液が例えばスピンコーティングにより塗布されて
レジスト膜が表面に形成された基板２例えば長方形のＬ
ＣＤ基板が図示しない搬送アームにより図１に示す保持
台２０の上に受け渡され、この保持台２０により吸引保
持される。このとき一対の基体３、３は基板２の両側に
開いた状態で待機しており、その待機位置からアーム３
１、３２により図２の矢印で示すように互いに接近する
ように移動し、図３に示すようにコ字型の基体３、３が
基板２の縁部を挟み込む状態となる。
ジスト液が例えばスピンコーティングにより塗布されて
レジスト膜が表面に形成された基板２例えば長方形のＬ
ＣＤ基板が図示しない搬送アームにより図１に示す保持
台２０の上に受け渡され、この保持台２０により吸引保
持される。このとき一対の基体３、３は基板２の両側に
開いた状態で待機しており、その待機位置からアーム３
１、３２により図２の矢印で示すように互いに接近する
ように移動し、図３に示すようにコ字型の基体３、３が
基板２の縁部を挟み込む状態となる。
【００２２】図５（ａ）は、このときの基板２と溶剤吐
出部５０との位置関係を示しており、先ず溶剤吐出口５
３は真下に向いている。溶剤タンク４は既述したように
例えば図示しないタンクに接続されており、そのタンク
内の溶剤も含めた溶剤の自重により、図５（ｂ）に示す
ように孔部４０及びスリット５２を通じて、基板２の表
面における端縁から少し中央に寄った位置に溶剤を吹き
付けると共に、吸引管６に設けられた図示しないバルブ
を開いて吸引を行う。
出部５０との位置関係を示しており、先ず溶剤吐出口５
３は真下に向いている。溶剤タンク４は既述したように
例えば図示しないタンクに接続されており、そのタンク
内の溶剤も含めた溶剤の自重により、図５（ｂ）に示す
ように孔部４０及びスリット５２を通じて、基板２の表
面における端縁から少し中央に寄った位置に溶剤を吹き
付けると共に、吸引管６に設けられた図示しないバルブ
を開いて吸引を行う。
【００２３】そして図５（ｃ）、（ｄ）に示すようにロ
ッド体５１を回動してスリット５２を徐々に傾け、こう
して溶剤吐出口５３を基板２の端縁側に徐々に傾けなが
ら溶剤の吹き付けを行う。また例えば溶剤吐出口５３が
基板２の端縁に向くときに即ちいわば最終段の溶剤の吹
き付けを行うときに、基板２の下方側の溶剤吐出部３５
から溶剤を、基板２の裏面における端縁に近い位置に吹
き付ける。なお基板２表面に対する溶剤の吹き付け（供
給）の開始及びその停止は、例えば溶剤タンク４と図示
しないタンクとの間にバルブを設けてそのバルブを開閉
することにより行うことができる。
ッド体５１を回動してスリット５２を徐々に傾け、こう
して溶剤吐出口５３を基板２の端縁側に徐々に傾けなが
ら溶剤の吹き付けを行う。また例えば溶剤吐出口５３が
基板２の端縁に向くときに即ちいわば最終段の溶剤の吹
き付けを行うときに、基板２の下方側の溶剤吐出部３５
から溶剤を、基板２の裏面における端縁に近い位置に吹
き付ける。なお基板２表面に対する溶剤の吹き付け（供
給）の開始及びその停止は、例えば溶剤タンク４と図示
しないタンクとの間にバルブを設けてそのバルブを開閉
することにより行うことができる。
【００２４】このようにして溶剤を吹き付けると、先ず
溶剤吐出口５３の真下付近のレジスト膜Ｒが溶解して切
り込まれ、次いで溶剤吐出部５０が順次回動して吐出口
５３が斜めに向き、溶剤の吹き付け位置（供給位置）が
順次基板２の端縁に寄っていく。この結果基板２の表面
の縁部の内側からレジスト膜Ｒが順次溶解し、その溶解
物と溶剤とが、溶剤の吹き付け力と吸引管６による吸引
力とにより端縁に向かって移動し、端縁付近で盛り上が
りが形成される（図５（ｄ））。
溶剤吐出口５３の真下付近のレジスト膜Ｒが溶解して切
り込まれ、次いで溶剤吐出部５０が順次回動して吐出口
５３が斜めに向き、溶剤の吹き付け位置（供給位置）が
順次基板２の端縁に寄っていく。この結果基板２の表面
の縁部の内側からレジスト膜Ｒが順次溶解し、その溶解
物と溶剤とが、溶剤の吹き付け力と吸引管６による吸引
力とにより端縁に向かって移動し、端縁付近で盛り上が
りが形成される（図５（ｄ））。
【００２５】この実施の形態では、既述のように溶剤吐
出口５３がほぼ真下に向いているときには、溶剤の吐出
流量は少ないので、レジスト膜Ｒを両側に大きく跳ね飛
ばして中央に寄った広い領域に亘ってレジスト膜Ｒを溶
かしてしまうといったことがなく、レジスト膜Ｒに対し
ていわばきれいな切り込みを入れてそこから基板２の端
縁に向かって溶かしていくことができると共に、レジス
ト膜が必要な領域の膜厚を変化させるおそれもない。
出口５３がほぼ真下に向いているときには、溶剤の吐出
流量は少ないので、レジスト膜Ｒを両側に大きく跳ね飛
ばして中央に寄った広い領域に亘ってレジスト膜Ｒを溶
かしてしまうといったことがなく、レジスト膜Ｒに対し
ていわばきれいな切り込みを入れてそこから基板２の端
縁に向かって溶かしていくことができると共に、レジス
ト膜が必要な領域の膜厚を変化させるおそれもない。
【００２６】そして溶剤吐出口５３が斜めに向くにつれ
て吐出流量が多くなるので、端縁に近い溶剤及びレジス
ト膜Ｒの溶解物の盛り上がり部分に対して勢いよく溶剤
を吹き付けて吹き飛ばすことができる。また基板２の裏
面側の不要なレジスト膜Ｒも溶剤により溶解され、吸引
管６内に吸引されて除去される。従ってレジスト膜Ｒを
除去すべき領域のみを除去することができ、また前記盛
り上がり部分に対して小さな吸引力で吸引管６内に引き
込むことができる。基板２の一辺全体をカバーできる大
きさの溶剤吐出部５０を設ける構造は、吸引能力が課題
の一つであるため、この実施の形態は非常に有効であ
る。
て吐出流量が多くなるので、端縁に近い溶剤及びレジス
ト膜Ｒの溶解物の盛り上がり部分に対して勢いよく溶剤
を吹き付けて吹き飛ばすことができる。また基板２の裏
面側の不要なレジスト膜Ｒも溶剤により溶解され、吸引
管６内に吸引されて除去される。従ってレジスト膜Ｒを
除去すべき領域のみを除去することができ、また前記盛
り上がり部分に対して小さな吸引力で吸引管６内に引き
込むことができる。基板２の一辺全体をカバーできる大
きさの溶剤吐出部５０を設ける構造は、吸引能力が課題
の一つであるため、この実施の形態は非常に有効であ
る。
【００２７】こうして基板２の長辺における縁部の薄膜
が除去されると、基体３、３が開き、次いで基板２を保
持台２０により９０度回転させて基体３、３を閉じ、同
様にして基板２の短辺における薄膜の除去を行う。
が除去されると、基体３、３が開き、次いで基板２を保
持台２０により９０度回転させて基体３、３を閉じ、同
様にして基板２の短辺における薄膜の除去を行う。
【００２８】以上において本発明では、下側の溶剤吐出
部３５の角度を変えることができるように構成し、上側
の溶剤吐出部５０と同様にはじめ吐出口を真上に向けて
溶剤を基板２の裏面に吹き付け、次いで基板２の端縁に
向かって傾けるようにしてもよい。
部３５の角度を変えることができるように構成し、上側
の溶剤吐出部５０と同様にはじめ吐出口を真上に向けて
溶剤を基板２の裏面に吹き付け、次いで基板２の端縁に
向かって傾けるようにしてもよい。
【００２９】また溶剤吐出部５０は、上述のように溶剤
タンク４の湾曲部に孔部４０を形成する代りに、ロッド
体５１の長さ方向に伸びるスリットを湾曲部の周方向に
間隔をおいて形成すると共に、各スリットのスリット幅
を下方に位置するものほど大きくし、ロッド体５１内の
スリット５２を順次これらのスリットに適合させること
により段階的に吐出流量が増えるように構成してもよ
い。なお溶剤タンク４から溶剤を送り出すためには、例
えばこのタンク４内に窒素ガスを供給し、そのガス圧で
送り出すようにしてもよい。溶剤吐出部５０、３５の吐
出口は、基板２の一辺に沿って伸びるスリット状に形成
する代りに、多数の穴を前記一辺に沿って配列したもの
であってもよい。
タンク４の湾曲部に孔部４０を形成する代りに、ロッド
体５１の長さ方向に伸びるスリットを湾曲部の周方向に
間隔をおいて形成すると共に、各スリットのスリット幅
を下方に位置するものほど大きくし、ロッド体５１内の
スリット５２を順次これらのスリットに適合させること
により段階的に吐出流量が増えるように構成してもよ
い。なお溶剤タンク４から溶剤を送り出すためには、例
えばこのタンク４内に窒素ガスを供給し、そのガス圧で
送り出すようにしてもよい。溶剤吐出部５０、３５の吐
出口は、基板２の一辺に沿って伸びるスリット状に形成
する代りに、多数の穴を前記一辺に沿って配列したもの
であってもよい。
【００３０】更に本発明の他の実施の形態を図６に示す
と、この例は上記の実施の形態において吸引排出路に工
夫を加えたものである。即ち吸引排出路は、図７にも示
すように基体３の側壁を軸受け７０を介して貫通し、先
端部が下方側に屈曲した第１の吸引ダクト７１と、基体
３の底壁を貫通し、下部側の溶剤吐出部３５の外方側に
隣接して固定された第２の吸引ダクト７２とから構成さ
れる。
と、この例は上記の実施の形態において吸引排出路に工
夫を加えたものである。即ち吸引排出路は、図７にも示
すように基体３の側壁を軸受け７０を介して貫通し、先
端部が下方側に屈曲した第１の吸引ダクト７１と、基体
３の底壁を貫通し、下部側の溶剤吐出部３５の外方側に
隣接して固定された第２の吸引ダクト７２とから構成さ
れる。
【００３１】第１の吸引ダクト７１は、先端部の吸引口
が保持台２０上の基板２の上面の近傍に位置し、基板２
における基体３に挟まれた辺と直交する方向に、図示し
ない駆動機構により移動できるように構成されている。
が保持台２０上の基板２の上面の近傍に位置し、基板２
における基体３に挟まれた辺と直交する方向に、図示し
ない駆動機構により移動できるように構成されている。
【００３２】この装置の作用について述べると、溶剤吐
出口５３が真下に向いているときには第１の吸引ダクト
７１の吸引口を溶剤吐出部５０側にかなり寄せて、溶剤
吐出口５３の真下付近のレジスト膜Ｒの溶解物及び溶剤
を吸引するようにし（図８（ａ））、溶剤吐出口５３を
順次傾けるにつれて吸引ダクト７１を基板２の外方側へ
順次移動させる。また基板２の裏面側では、溶剤吐出部
３５からの溶剤により溶解されたレジスト膜の溶解物及
び溶剤を第２の吸引ダクト７２により吸引する。溶剤の
供給停止に係るシーケンスとしては、例えば溶剤吐出部
５０の溶剤の供給を停止した後、第１の吸引ダクト７１
の吸引を停止し、続いて溶剤吐出ノズル３５の溶剤の供
給を停止した後、第２の吸引ダクト７２を停止する。こ
のような実施の形態によれば、溶剤吐出部５０によりレ
ジスト膜Ｒの溶解物が外側へ押しやられるにつれて、吸
引ダクト７１を基板２表面の近傍に位置させた状態で、
吸引目標点を外側にずらしているので、盛り上がりも抑
えられて溶解物が効率よく吸引され、吸引能力がより一
層小さくて済む。
出口５３が真下に向いているときには第１の吸引ダクト
７１の吸引口を溶剤吐出部５０側にかなり寄せて、溶剤
吐出口５３の真下付近のレジスト膜Ｒの溶解物及び溶剤
を吸引するようにし（図８（ａ））、溶剤吐出口５３を
順次傾けるにつれて吸引ダクト７１を基板２の外方側へ
順次移動させる。また基板２の裏面側では、溶剤吐出部
３５からの溶剤により溶解されたレジスト膜の溶解物及
び溶剤を第２の吸引ダクト７２により吸引する。溶剤の
供給停止に係るシーケンスとしては、例えば溶剤吐出部
５０の溶剤の供給を停止した後、第１の吸引ダクト７１
の吸引を停止し、続いて溶剤吐出ノズル３５の溶剤の供
給を停止した後、第２の吸引ダクト７２を停止する。こ
のような実施の形態によれば、溶剤吐出部５０によりレ
ジスト膜Ｒの溶解物が外側へ押しやられるにつれて、吸
引ダクト７１を基板２表面の近傍に位置させた状態で、
吸引目標点を外側にずらしているので、盛り上がりも抑
えられて溶解物が効率よく吸引され、吸引能力がより一
層小さくて済む。
【００３３】なおこのような吸引ダクトの構成は、溶剤
吐出部を傾ける代りに垂直に立てたまま外方側に移動さ
せる場合に適用してもよい。また下方側の第２の吸引ダ
クト７２については、例えば溶剤吐出部３５と一体型に
作ってもよいが、外側に移動させるようにしてもよい。
吐出部を傾ける代りに垂直に立てたまま外方側に移動さ
せる場合に適用してもよい。また下方側の第２の吸引ダ
クト７２については、例えば溶剤吐出部３５と一体型に
作ってもよいが、外側に移動させるようにしてもよい。
【００３４】更にまた基板２の下方側に設ける第２の吸
引ダクト７２については、図９に示すように吸引口を、
基板２の端縁の内側及び外側に跨った大きな受け口とし
て形成してもよく、このようにすれば、基板２からの溶
剤が吸引されずに吸引ダクト７２以外の個所に垂れ落ち
てその蒸気が作業雰囲気内に飛散することを防止でき
る。
引ダクト７２については、図９に示すように吸引口を、
基板２の端縁の内側及び外側に跨った大きな受け口とし
て形成してもよく、このようにすれば、基板２からの溶
剤が吸引されずに吸引ダクト７２以外の個所に垂れ落ち
てその蒸気が作業雰囲気内に飛散することを防止でき
る。
【００３５】ここで溶剤吐出部の角度を変えながら吐出
流量を変えるための構造としては、例えば図１０に示す
ようにスリット状の吐出口を有する溶剤吐出部８１を回
動自在に基体３に設けると共に、基体３から離れた位置
に溶剤供給ユニット８２を設け、このユニット８２から
溶剤吐出部８１にチューブ８１ａを通じて溶剤を供給す
るようにしてもよい。溶剤供給ユニット８２としては例
えば先の実施の形態で用いた溶剤タンク４及び溶剤吐出
部５０と同様の構造である溶剤タンク８４及び溶剤吐出
流量の調整部８５を用い、この調整部８５のロッド体８
３と溶剤吐出部８１とを同期をとって回動させるように
すればよい。なお前記調整部８５の下方側には、調整部
８５の回動に伴う溶剤の垂れを考慮して、排液、排気ラ
イン８６を備えた受け皿８７を設けることが好ましい。
流量を変えるための構造としては、例えば図１０に示す
ようにスリット状の吐出口を有する溶剤吐出部８１を回
動自在に基体３に設けると共に、基体３から離れた位置
に溶剤供給ユニット８２を設け、このユニット８２から
溶剤吐出部８１にチューブ８１ａを通じて溶剤を供給す
るようにしてもよい。溶剤供給ユニット８２としては例
えば先の実施の形態で用いた溶剤タンク４及び溶剤吐出
部５０と同様の構造である溶剤タンク８４及び溶剤吐出
流量の調整部８５を用い、この調整部８５のロッド体８
３と溶剤吐出部８１とを同期をとって回動させるように
すればよい。なお前記調整部８５の下方側には、調整部
８５の回動に伴う溶剤の垂れを考慮して、排液、排気ラ
イン８６を備えた受け皿８７を設けることが好ましい。
【００３６】また前記ロッド体８３と溶剤吐出部８１と
を同期をとって回動させる手法としては、図１１に示す
ように両方の回動軸９１、９２をギヤ機構９３、９４を
介して伝達軸９５で連結するようにしてもよい。
を同期をとって回動させる手法としては、図１１に示す
ように両方の回動軸９１、９２をギヤ機構９３、９４を
介して伝達軸９５で連結するようにしてもよい。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、角型の基板の一辺全体
をカバーできる大きさの溶剤吐出部を用いて基板縁部の
不要な薄膜を溶剤により除去するにあたり、小さな吸引
能力で効率よく除去することができるという効果があ
る。
をカバーできる大きさの溶剤吐出部を用いて基板縁部の
不要な薄膜を溶剤により除去するにあたり、小さな吸引
能力で効率よく除去することができるという効果があ
る。
【図１】本発明の実施の形態の全体構成を示す斜視図で
ある。
ある。
【図２】上記実施の形態の要部を示す斜視図である。
【図３】上記実施の形態の要部を示す断面図である。
【図４】上記実施の形態で用いる溶剤吐出部を示す斜視
図である。
図である。
【図５】上記実施の形態における溶剤の薄膜の除去処理
の様子を示す説明図である。
の様子を示す説明図である。
【図６】本発明の他の実施の形態の要部を示す断面図で
ある。
ある。
【図７】本発明の他の実施の形態で用いる吸引排出ダク
トを示す斜視図である。
トを示す斜視図である。
【図８】本発明の他の実施の形態における薄膜の除去処
理の様子を示す説明図である。
理の様子を示す説明図である。
【図９】基板の裏面側の溶剤吐出部及び吸引排出ダクト
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１０】本発明の更に他の実施の形態の要部を示す断
面図である。
面図である。
【図１１】本発明の更にまた他の実施の形態の要部を示
す平面図である。
す平面図である。
【図１２】従来の基板縁部の薄膜除去装置を示す断面図
である。
である。
【図１３】従来の基板縁部の薄膜除去装置を示す平面図
である。
である。
【図１４】従来の基板縁部の薄膜除去装置における薄膜
の除去の様子を示す説明図である。
の除去の様子を示す説明図である。
２ 基板 ３ 基体 ３１、３２ アーム ３３、３４ 端板 ３ａ〜３ｃ スリット ３５ 溶剤吐出部 ４ 溶剤タンク ４０ 孔部 ５ 筒状体 ５０ 溶剤吐出部 ５１ ロッド体 ５２ スリット ６ 吸引管 ７１ 第１の吸引ダクト ７２ 第２の吸引ダクト ８１ 溶剤吐出部 ８２ 溶剤供給ユニット ８４ 溶剤タンク ８５ 調整機構 ９３、９４ ギヤ機構 ９５ 伝達軸
Claims (4)
- 【請求項１】 表面に薄膜が形成された角型の基板の縁
部の不要な膜を除去する装置において、 前記基板を保持する基板保持部と、 前記基板の一辺に対応する長さに形成された溶剤吐出口
を有し、前記基板保持部に保持された基板の縁部に対向
して位置するように設けられると共に、前記一辺に沿っ
て伸びる水平な軸の回りに回動自在な溶剤吐出部と、 前記溶剤吐出口が基板にほぼ真向かうように位置し、次
いで基板の端縁側斜めに向いた位置となるように前記溶
剤吐出部を回動させる回動機構と、 前記溶剤吐出口が基板にほぼ真向かっているときよりも
基板の端縁側斜めに向いているときの方が、溶剤の吐出
流量が多くなるように溶剤吐出流量を調整する調整部
と、 前記溶剤及び溶剤による薄膜の溶解物を吸引して排出す
るための吸引排出路と、を備えたことを特徴とする基板
縁部の薄膜除去装置。 - 【請求項２】 吸引排出路は、基板保持部に保持された
基板の上方側でかつ溶剤吐出口の近傍に設けられること
を特徴とする請求項１記載の基板縁部の薄膜除去装置。 - 【請求項３】 表面に薄膜が形成された角型の基板の縁
部の不要な膜を除去する装置において、 前記基板を保持する基板保持部と、 前記基板の一辺に対応する長さに形成された溶剤吐出口
を有し、前記基板保持部に保持された基板の縁部に対向
して位置するように設けられた溶剤吐出部と、 前記基板保持部に保持された基板に対向して設けられる
と共に溶剤の吐出が進むにつれて基板の端縁側に向かっ
て移動し、前記溶剤及び溶剤による薄膜の溶解物を吸引
して排出するための吸引排出路と、を備えたことを特徴
とする基板縁部の薄膜除去装置。 - 【請求項４】 表面に薄膜が形成された角型の基板の縁
部の不要な膜を除去する装置において、 前記基板を保持する基板保持部と、 前記基板の一辺に対応する長さに形成された溶剤吐出口
を有し、前記基板保持部に保持された基板の縁部に対向
して位置するように設けられた溶剤吐出部と、 前記溶剤吐出口よりの溶剤の供給位置が基板の端縁側に
向かって移動するように前記溶剤吐出部を制御する制御
機構と、 前記基板保持部に保持された基板に対向して設けられる
と共に前記溶剤の供給位置の移動に伴って基板の端縁側
に向かって移動し、前記溶剤及び溶剤による薄膜の溶解
物を吸引して排出するための吸引排出路と、を備えたこ
とを特徴とする基板縁部の薄膜除去装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22092197A JP3265237B2 (ja) | 1997-08-01 | 1997-08-01 | 基板縁部の薄膜除去装置 |
| TW087112487A TW386913B (en) | 1997-08-01 | 1998-07-29 | Apparatus for removing coated film from peripheral portion of substrate |
| US09/126,276 US6079428A (en) | 1997-08-01 | 1998-07-30 | Apparatus for removing coated film from peripheral portion of substrate |
| KR10-1998-0031131A KR100367163B1 (ko) | 1997-08-01 | 1998-07-31 | 기판 둘레가장자리부의 도포막 제거장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22092197A JP3265237B2 (ja) | 1997-08-01 | 1997-08-01 | 基板縁部の薄膜除去装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154424A true JPH1154424A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3265237B2 JP3265237B2 (ja) | 2002-03-11 |
Family
ID=16758642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22092197A Expired - Fee Related JP3265237B2 (ja) | 1997-08-01 | 1997-08-01 | 基板縁部の薄膜除去装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6079428A (ja) |
| JP (1) | JP3265237B2 (ja) |
| KR (1) | KR100367163B1 (ja) |
| TW (1) | TW386913B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008277359A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-13 | Mtc:Kk | 角形被処理体のフォトレジストの除去装置 |
| KR20150035388A (ko) * | 2013-09-27 | 2015-04-06 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP2015070023A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2018065109A (ja) * | 2016-10-20 | 2018-04-26 | 東京応化工業株式会社 | 洗浄装置および洗浄方法 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW319751B (ja) * | 1995-05-18 | 1997-11-11 | Toshiba Co Ltd | |
| US6413436B1 (en) * | 1999-01-27 | 2002-07-02 | Semitool, Inc. | Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece |
| TW385489B (en) * | 1997-08-26 | 2000-03-21 | Tokyo Electron Ltd | Method for processing substrate and device of processing device |
| US20050217707A1 (en) * | 1998-03-13 | 2005-10-06 | Aegerter Brian K | Selective processing of microelectronic workpiece surfaces |
| DE19854743A1 (de) * | 1998-11-27 | 2000-06-08 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Vorrichtung zum Naßätzen einer Kante einer Halbleiterscheibe |
| TW464970B (en) * | 1999-04-21 | 2001-11-21 | Sharp Kk | Ultrasonic cleaning device and resist-stripping device |
| JP4245743B2 (ja) * | 1999-08-24 | 2009-04-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | エッジリンス装置およびエッジリンス方法 |
| US6453916B1 (en) * | 2000-06-09 | 2002-09-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low angle solvent dispense nozzle design for front-side edge bead removal in photolithography resist process |
| KR100436361B1 (ko) * | 2000-12-15 | 2004-06-18 | (주)케이.씨.텍 | 기판 가장자리를 세정하기 위한 장치 |
| JP3944368B2 (ja) * | 2001-09-05 | 2007-07-11 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| KR100845559B1 (ko) * | 2001-09-25 | 2008-07-10 | 삼성전자주식회사 | 기판 제조용 에지 비드 제거 장치 |
| KR100481277B1 (ko) * | 2002-05-10 | 2005-04-07 | 한국디엔에스 주식회사 | 반도체 제조 장치 및 방법 |
| WO2004006318A1 (ja) * | 2002-07-08 | 2004-01-15 | Tokyo Electron Limited | 処理装置及び処理方法 |
| JP3920831B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2007-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜除去装置及び塗布膜除去方法 |
| EP1671359A1 (de) * | 2003-10-08 | 2006-06-21 | Steag HamaTech AG | Vorrichtung und verfahren zur randreinigung von substraten |
| US7476290B2 (en) * | 2003-10-30 | 2009-01-13 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US8118044B2 (en) * | 2004-03-12 | 2012-02-21 | Applied Materials, Inc. | Single workpiece processing chamber with tilting load/unload upper rim |
| KR100557222B1 (ko) * | 2004-04-28 | 2006-03-07 | 동부아남반도체 주식회사 | 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치 및 방법 |
| US20080017613A1 (en) * | 2004-07-09 | 2008-01-24 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Method for processing outer periphery of substrate and apparatus thereof |
| EP1801861B1 (en) * | 2004-07-09 | 2012-10-03 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Method and device for treating outer periphery of a substrate |
| JP5186161B2 (ja) | 2007-09-06 | 2013-04-17 | 東京応化工業株式会社 | 塗布装置及び塗布装置のクリーニング方法 |
| JP2013220422A (ja) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 塗布装置及び塗布方法 |
| CN105499091A (zh) * | 2016-01-04 | 2016-04-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种配向液的涂布方法及涂布装置 |
| US11747742B2 (en) * | 2017-04-11 | 2023-09-05 | Visera Technologies Company Limited | Apparatus and method for removing photoresist layer from alignment mark |
| KR102175076B1 (ko) * | 2018-12-12 | 2020-11-05 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5718763A (en) * | 1994-04-04 | 1998-02-17 | Tokyo Electron Limited | Resist processing apparatus for a rectangular substrate |
| JPH07297121A (ja) * | 1994-04-26 | 1995-11-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板端縁洗浄装置 |
| JPH08131971A (ja) * | 1994-11-08 | 1996-05-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板端縁洗浄装置 |
| US5993552A (en) * | 1996-08-08 | 1999-11-30 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus |
-
1997
- 1997-08-01 JP JP22092197A patent/JP3265237B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-07-29 TW TW087112487A patent/TW386913B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-07-30 US US09/126,276 patent/US6079428A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-07-31 KR KR10-1998-0031131A patent/KR100367163B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008277359A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-13 | Mtc:Kk | 角形被処理体のフォトレジストの除去装置 |
| KR20150035388A (ko) * | 2013-09-27 | 2015-04-06 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP2015070023A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US10199231B2 (en) | 2013-09-27 | 2019-02-05 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US10720333B2 (en) | 2013-09-27 | 2020-07-21 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US11342190B2 (en) | 2013-09-27 | 2022-05-24 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2018065109A (ja) * | 2016-10-20 | 2018-04-26 | 東京応化工業株式会社 | 洗浄装置および洗浄方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW386913B (en) | 2000-04-11 |
| KR100367163B1 (ko) | 2003-02-19 |
| US6079428A (en) | 2000-06-27 |
| JP3265237B2 (ja) | 2002-03-11 |
| KR19990023268A (ko) | 1999-03-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3265237B2 (ja) | 基板縁部の薄膜除去装置 | |
| EP1879216B1 (en) | Liquid processing apparatus and method | |
| KR100277516B1 (ko) | 용액 도포 장치 | |
| JP2004273845A (ja) | 塗布処理装置及び塗布処理方法 | |
| JPH10270358A (ja) | 半導体製造用フォトレジストコーティング装置 | |
| JP2001319861A (ja) | 現像処理装置及び現像処理方法 | |
| JP3819270B2 (ja) | 塗布液供給装置および該装置を用いた塗布装置 | |
| JPH07115060A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| JP3189087B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| JP2002359220A (ja) | 基板の処理装置 | |
| JP3416031B2 (ja) | 塗布膜形成装置 | |
| JP3782294B2 (ja) | レジスト塗布処理装置およびレジスト塗布処理方法 | |
| JP3605541B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| WO2019146241A1 (ja) | 塗布方法 | |
| TWI231950B (en) | Substrate processing apparatus and cleaning method | |
| JPH1147675A (ja) | 塗布装置及びその方法 | |
| JP3602225B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2000271524A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| JPH1176908A (ja) | 塗布膜形成装置及びその方法並びに基板搬送装置 | |
| JPH11226474A (ja) | 処理液吐出ノズルおよび基板処理装置 | |
| JPH07297121A (ja) | 基板端縁洗浄装置 | |
| JP3499438B2 (ja) | 塗布方法 | |
| JP2002045772A (ja) | 塗布装置及び塗布方法 | |
| JP4181379B2 (ja) | 基板の処理装置及び処理方法 | |
| JP2001345251A (ja) | 薄膜形成装置および薄膜除去装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101228 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |