JP3499438B2 - 塗布方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は例えば、液晶表示装
置（以下、この液晶表示装置を「ＬＣＤ」と記す）の製
造工程でＬＣＤ用ガラス基板上にレジスト液などの処理
剤を塗布する塗布方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ＬＣＤ用ガラス基板（以下、
このＬＣＤ用ガラス基板を単に「ガラス基板」と記す）
上にレジスト液などの処理剤を塗布するには「スピンコ
ート法」と呼ばれる方法を用いるのが一般的であった。
このスピンコート法では、ガラス基板を水平面内で高速
回転させ、その回転中心の近傍にレジスト液を滴下し、
ガラス基板の遠心力によりガラス基板全体に塗布せし
め、余分なレジスト液を遠心力で振り切り除去するとと
もに薄膜化する方法である。

【０００３】このスピンコート法によれば、比較的単純
な構造の塗布装置で塗布できるという利点があるもの
の、ガラス基板全体にレジスト液を広げるため不要な部
分にまでレジスト液を塗布することになり、レジスト塗
布が必要な面積に比較して多量のレジスト液を必要とす
るという問題がある。

【０００４】また、基板上に形成される半導体素子の集
積度の増大に伴い、レジスト塗膜の薄膜化が要請されて
いるが、スピンコート法ではレジスト塗膜の膜厚は滴下
するレジスト液の粘度とガラス基板の回転速度により定
まるため、薄膜化には自ずと限界がある。

【０００５】そのため、これらスピンコート法の問題を
解決するために種々の提案がなされてきた。

【０００６】例えば、特開平４−１１８０７３号には
「コーティングすべきワークのコーティング面に、コー
ティング材を吐出するスロットを有しており、該スロッ
トの延出方向と直交する方向へ該ワークとは相対的に移
動されるスロットコータと、該スロットコータに並設さ
れており、コーティング面にコーティング材が塗布され
たワークを、該コーティング面がほぼ水平状態になるよ
うに保持して高速回転させるスピン型塗膜調整機構と、
を具備するコーティング装置」が開示されている。

【０００７】この方法によれば、少量のコーティング材
で効率よくコーティングできるという利点がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記コーテ
ィング装置には以下のような問題点がある。

【０００９】即ち、スロットとワーク（基板）との間隙
が変動するとコーティング膜の膜厚が変動したり、スロ
ットの中央部と端の部分とで吐出される際の膜厚が相違
したりするため、スロットと基板との間隙を狭くかつ一
定になるように高精度の制御が必要であるという問題が
ある。

【００１０】また、このコーティング装置ではワークに
向けてスロットから液膜状態でコーティング材を吐出さ
せるため、この液膜を形成するようにある程度高い粘度
のコーティング材を用いる必要がある。このように比較
的高粘度の溶液は乾燥しやすく、そのためスロットの目
づまりを起こし易いという問題がある。

【００１１】更に、このコーティング材のように比較的
高い粘度の液体は溶剤含有率が低く粘度が変動しやすい
ため、この粘度管理を高精度に行う必要があるという問
題もある。

【００１２】また、ワーク表面に吐出された高粘度のコ
ーティング材を回転させて薄膜化したり膜厚を均一化す
るためには高速で回転させる必要がある。しかし、画面
の大きいＬＣＤを高速回転させるのは困難であるため、
大型のＬＣＤには使用できないという問題もある。

【００１３】更に、高粘度のコーティング材を用いて回
転させる場合、余分のコーティング材は遠心力で降り飛
ばされ、ローターカップの内壁に付着するが、高粘度ゆ
えにコーティング材を除去しにくいという問題もある。

【００１４】また、スロットを形成する溝として連続的
で寸法の大きいものが必要となるため、ダイスの強度を
維持する必要上、ダイへッドが大型化するという問題も
ある。

【００１５】本発明は上記のような課題を解決するため
になされたものである。

【００１６】即ち、本発明はノズルと基板との間隙のよ
うな、機械的精度や動作的精度の条件を緩和できる塗布
方法を提供することを目的とする。

【００１７】また、本発明は低粘度の処理剤を使用でき
る塗布方法を提供することを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の塗布方法は、被処理基板の表面の、所定
間隔隔てた複数の位置に処理剤を供給する工程と、密閉
状態で前記被処理基板を回転して前記処理剤どうしをつ
なげて一体化する工程とを具備した塗布方法であって、
前記処理剤を供給する前の前記被処理基板の表面に、溶
剤を供給する工程を具備し、かつ、前記溶剤を予め加熱
し、この熱で前記処理剤の粘度を低下させることを特徴
とする。

【００１９】 請求項２の塗布方法は、被処理基板の表
面の、所定間隔隔てた複数の位置に処理剤を供給する工
程と、密閉状態で前記被処理基板を揺動して前記処理剤
どうしをつなげて一体化する工程と、前記被処理基板を
回転して前記処理剤を均一に薄膜化する工程とを具備し
た塗布方法であって、前記処理剤を供給する前の前記被
処理基板の表面に、溶剤を供給する工程を具備し、か
つ、前記溶剤を予め加熱し、この熱で前記処理剤の粘度
を低下させることを特徴とする。

【００２０】 請求項３は、請求項１又は２記載の塗布
方法であって、前記被処理基板の表面に供給された前記
処理剤の表面に気体を供給し、前記処理剤の表面に圧力
を作用させて前記処理剤を前記被処理基板表面に押し広
げる工程を具備することを特徴とする。

【００２１】 請求項４は、請求項３記載の塗布方法で
あって、前記気体を予め加熱し、この熱で前記処理剤の
粘度を低下させることを特徴とする。

【００２２】 請求項５は、請求項１〜４いずれか１項
記載の塗布方法であって、前記被処理基板を加熱し、前
記処理剤が前記被処理基板に供給されたときに当該処理
剤を低粘度化させることを特徴とする。

【００２３】 請求項６は、被処理基板の表面の、所定
間隔隔てた複数の位置に処理剤を供給する工程と、密閉
状態で前記被処理基板を回転して前記処理剤どうしをつ
なげて一体化する工程とを具備した塗布方法であって、
前記被処理基板の表面に供給された前記処理剤の表面に
気体を供給し、前記処理剤の表面に圧力を作用させて前
記処理剤を前記被処理基板表面に押し広げる工程を具備
することを特徴とする。

【００２４】 請求項７は、被処理基板の表面の、所定
間隔隔てた複数の位置に処理剤を供給する工程と、密閉
状態で前記被処理基板を揺動して前記処理剤どうしをつ
なげて一体化する工程と、前記被処理基板を回転して前
記処理剤を均一に薄膜化する工程とを具備した塗布方法
であって、前記被処理基板の表面に供給された前記処理
剤の表面に気体を供給し、前記処理剤の表面に圧力を作
用させて前記処理剤を前記被処理基板表面に押し広げる
工程を具備することを特徴とする。請求項８は、請求項
６又は７記載の塗布方法であって、前記処理剤を供給す
る前の前記被処理基板の表面に、溶剤を供給する工程を
具備することを特徴とする。請求項９は、請求項６〜８
いずれか１項記載の塗布方法であって、前記気体を予め
加熱し、この熱で前記処理剤の粘度を低下させることを
特徴とする。請求項１０は、請求項６〜９いずれか１項
記載の塗布方法であって、前記被処理基板を加熱し、前
記処理剤が前記被処理基板に供給されたときに当該処理
剤を低粘度化させることを特徴とする。

【００２５】

【００２６】

【００２７】

【００２８】

【００２９】

【００３０】次に、請求項中の用語の意義について説明
する。

【００３１】塗布液を供給する「所定間隔を隔てた複数
の位置」とは、被処理基板表面へ供給された処理剤自身
が広がることを前提にしており、上面全体ではない、と
いう趣旨である。

【００３２】例えば、左右への広がりを前提としている
場合には線状に供給するし、四方への広がりを前提とし
ている場合には点状に吐出する。

【００３３】また、「供給」とは連続的に供給する場合
と、断続的に供給する場合の双方を含む。

【００３４】「処理剤」とは、塗布膜を形成するための
もの、基板を洗浄するためのもの、溶剤、処理液など、
また粘度の高いものから低いものまで様々な液体を含
む。

【００３５】「相対的に移動させる」とは、保持手段を
動かさずに供給手段を移動させる場合、または供給手段
を動かさずに保持手段を移動させる場合だけでなく、両
手段を逆方向へ移動させる場合、および両手段を同方向
へ異なる速度で移動させる場合を含む。また、移動の方
向は、直線的であることが一般的であるが、回転的であ
ったり、蛇行的であったりする場合も含む。

【００３６】以下、請求項各項記載の発明の作用につい
て説明する。

【００３７】

【００３８】

【００３９】

【００４０】

【００４１】

【００４２】

【００４３】

【００４４】

【００４５】

【００４６】

【００４７】

【００４８】

【００４９】

【００５０】

【００５１】

【００５２】

【００５３】

【００５４】

【００５５】

【００５６】

【００５７】

【００５８】請求項１の塗布方法では、処理剤の供給と
処理剤の薄膜化とを別々の操作に分け、処理剤の供給は
処理供給手段で行う一方、処理剤の薄膜化は、薄膜化手
段で行うようにした。そのため上記各操作の段階で求め
られる機械的精度や動作的精度の条件が緩和される。

【００５９】また、被処理基板の表面に対して複数の位
置に処理剤を供給するので、比較的低粘度の処理剤を使
用することができる。そのため溶剤含有率が高く、処理
剤が乾燥しにくいので、ノズルの目づまりがおこりにく
い。

【００６０】更に、処理剤の粘度が膜厚に及ぼす影響は
低いので処理剤の粘度管理も容易になる。

【００６１】また、低粘度の処理剤を使用できるので、
処理後に回転して薄膜化する場合にも低回転で薄膜化で
き、大型のＬＣＤ基板にも適用できる。

【００６２】更に、低粘度であるため、ローターカップ
に付着しても除去しやすい。

【００６３】また、複数の位置に別けて供給するので、
スロットのような大型の開口部を備えた処理剤ノズルを
用いる必要はなく、処理剤ノズルが大型化することもな
い。更に、密閉状態で回転させることにより薄膜化する
ので、気流が乱れることがなく、膜厚の均一な塗膜が得
られる。

【００６４】請求項２の塗布方法では、請求項１の塗布
方法に加え、前記被処理基板を回転して前記処理剤を均
一に薄膜化する工程を更に具備している。そのため、均
一で膜厚の薄い塗膜がより確実に形成される。

【００６５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態の詳細を
図面に従って説明する。

【００６６】図１は本発明の一実施形態に係る塗布・現
像装置の斜視図であり、図２はその平面図である。

【００６７】塗布・現像装置１は、その一端側にカセッ
トステーションＣ／Ｓを備えている。

【００６８】また、塗布・現像装置１の他端側には、露
光装置（図示せず）との間でＬＣＤ用ガラス基板Ｇ（以
下、ＬＣＤ用ガラス基板を「基板」と略記する。）の受
け渡しを行うためのインターフェースユニットＩ／Ｆが
配置されている。

【００６９】このカセットステーションＣ／ＳにはＬＣ
Ｄ用基板等の基板Ｇを収容した複数、例えば４組のカセ
ット２が載置されている。カセットステーションＣ／Ｓ
のカセット２の正面側には、被処理基板である基板Ｇの
搬送及び位置決めを行うとともに、基板Ｇを保持してメ
インアーム３との間で受け渡しを行うための補助アーム
４が設けられている。

【００７０】インターフェースユニットＩ／Ｆには、露
光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡しを行う補
助アーム５が設けられている。また、インターフェース
ユニットＩ／Ｆには、メインアーム３との間で基板Ｇの
受け渡しを行うためのエクステンション部６及び基板Ｇ
を一旦待機させるバッファユニット７が配置されてい
る。

【００７１】メインアーム３は、塗布・現像装置１の中
央部を長手方向に移動可能に、二基直列に配置されてお
り、各メインアーム３の搬送路の両側にはそれぞれ第１
の処理ユニット群Ａ、第２の処理ユニット群Ｂが配置さ
れている。第１の処理ユニット群Ａと第２の処理ユニッ
ト群Ｂとの間には、基板Ｇを一旦保持するとともに冷却
する中継部８が配置されている。

【００７２】第１の処理ユニット群Ａでは、カセットス
テーションＣ／Ｓの側方に基板Ｇを洗浄する洗浄処理ユ
ニットＳＣＲと現像処理を行う現像処理ユニットＤＥＶ
とが並設されている。また、メインアーム３の搬送路を
挟んで洗浄処理ユニットＳＣＲ及び現像処理ユニットＤ
ＥＶの反対側には、上下に２段配置された２組の熱処理
ユニットＨＰと、上下に２段配置されたＵＶ処理ユニッ
トＵＶ及び冷却ユニットＣＯＬとが隣り合うように配置
されている。

【００７３】第２の処理ユニット群Ｂでは、レジスト塗
布処理及びエッジリムーブ処理を行う塗布処理ユニット
ＣＯＴが配置されている。また、メインアーム３の搬送
路を挟んで塗布処理ユニットＣＯＴの反対側には、上下
に２段配置された基板Ｇを疎水処埋するアドヒージョン
ユニットＡＤ及び冷却ユニットＣＯＬと、上下に２段配
置された熱処理ユニットＨＰ及び冷却ユニットＣＯＬ
と、上下に２段配置された２組の熱処理ユニットＨＰと
が隣り合うように配置されている。熱処理ユニットＨＰ
と冷却ユニットＣＯＬとを上下に２段配置する場合、熱
処理ユニットＨＰを上に冷却ユニットＣＯＬを下に配置
することによって、相互の熱的干渉を避けている。これ
により、より正確な温度制御が可能となる。

【００７４】メインアーム３は、Ｘ軸駆動機構，Ｙ軸駆
動機構およびＺ軸駆動機構を備えており、更に、Ｚ軸を
中心に回転する回転駆動機構をそれぞれ備えている。こ
のメインアーム３が塗布・現像装置１の中央通路に沿っ
て適宜走行して、各処理ユニット間で基坂Ｇを搬送す
る。そして、メインアーム３は、各処理ユニット内に処
理前の基板Ｇを搬入し、また、各処理ユニット内から処
理済の基板Ｇを搬出する。

【００７５】本実施形態の塗布・現像装置１では、この
ように各処理ユニットを集約して一体化することによ
り、省スペース化およぴ処理の効率化を図ることができ
る。

【００７６】このように構成される塗布・現像装置１に
おいては、まずカセット２内の基板Ｇが、補助アーム４
及びメインアーム３を介して洗浄処理ユニットＳＣＲへ
搬送されて洗浄処理される。

【００７７】次に、メインアーム３、中継部８及びメイ
ンアーム３を介してアドヒージョンユニットＡＤへ搬送
されて疎水化処理される。これにより、レジストの定着
性が高められる。

【００７８】次に、メインアーム３を介して冷却ユニッ
トＣＯＬへ搬送されて冷却される。その後、メインアー
ム３を介して塗布処理ユニットＣＯＴへ搬送されてレジ
ストが塗布される。

【００７９】次に、基板Ｇは、メインアーム３を介して
加熱処理ユニットＨＰへ搬送されてプリベーク処理され
る。そして、メインアーム３を介して冷却ユニットＣＯ
Ｌへ搬送されて冷却された後、メインアーム３及びイン
ターフェース部Ｉ／Ｆを介して露光装置に搬送されてそ
こで所定のパターンが露光される。

【００８０】そして、再び露光された基板Ｇは、インタ
ーフェース部Ｉ／Ｆを介して装置１内へ搬入され、メイ
ンアーム３を介して加熱処理ユニットＨＰへ搬送されて
ポストエクスポージャーベーク処理が施される。

【００８１】その後、基板Ｇは、メインアーム３、中継
部８及びメインアーム３を介して冷却ユニットＣＯＬへ
搬入されて冷却される。そして、基板Ｇは、メインアー
ム３を介して現像処理ユニットＤＥＶへ搬入されて現像
処理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理
された基板Ｇは、メインアーム３を介してポストベーク
処理ユニットＨＰへ搬入されてポストベーク処理され
る。

【００８２】そして、ポストベーク処理された基板Ｇ
は、メインアーム３及び補助アーム４を介してカセット
ステーションＣ／Ｓ上の所定のカセット２に収容され
る。

【００８３】次に、本実施形態に係る塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）について説明する。図３は本実施形態に係る
塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の平面図、図４は側面図で
あり、図５は斜視図である。

【００８４】図３に示すように、この塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）内にはレジスト塗布装置ＲＣとエッジリムー
バＥＲとが隣接配置されている。このうち、レジスト塗
布装置ＲＣは洗浄処理やプリベーキングなどの前段階の
処理が施された基板Ｇ表面にレジスト液等の処理剤を塗
布する装置であり、エッジリムーバＥＲはレジスト塗布
装置ＲＣで表面にレジスト塗膜が形成された基板Ｇのう
ち、レジスト塗布が不要な外周縁部（エッジ）のレジス
ト塗膜を剥離除去する装置である。

【００８５】なお基板Ｇ表面のうち、レジスト塗布が必
要な部分にのみ選択的に塗膜を形成する場合にはこのエ
ッジリムーバＥＲは必ずしも必要ではなく、省略するこ
とができる。

【００８６】このレジスト塗布装置ＲＣでは、被処理基
板としての基板Ｇを回転可能に保持する基板保持装置と
してのローターカップ１０と、このローターカップ１０
に保持された基板Ｇの上面からレジスト液や溶剤を供給
する塗布液供給装置６０と、塗布液供給装置６０をロー
ターカップ１０に対して移動させる移動装置７０とから
構成されている。

【００８７】ローターカップ１０の外観は、鉛直方向の
軸を備えた円柱管状の側壁部１１と、この側壁部１１の
上部端面を塞ぐ蓋１２とからなり、この蓋１２には昇降
アーム１３が着脱可能に取り付けられている。

【００８８】図３は塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の蓋１
２を閉じた状態を示した平面図であり、図４は塗布処理
ユニット（ＣＯＴ）の垂直断面図である。

【００８９】ローターカップ１０内の空間には、基板Ｇ
を回転可能に保持するスピンチャック１５とこのスピン
チャック１５を回転するための回転駆動機構が配設され
ている。

【００９０】ローターカップ１０の内側には環状のカッ
プＣＰが配設され、その内側にスピンチャック１５が配
置されている。スピンチャック１５は真空吸着によって
基板Ｇを固定保持した状態で、駆動モータ１６の回転駆
動力で回転するように構成されている。

【００９１】また、スピンチャック１５上面の基板Ｇと
当接する面には基板Ｇを揺動させるためのアクチュエー
タ（振動体）ＡＣが配設されている。このアクチュエー
タＡＣは電圧が印加されると振動する振動体であり、後
述する制御部１００を介して印加電圧が制御され、その
電圧により振動してスピンチャック１５上面に保持され
た基板Ｇを揺動させる。

【００９２】駆動モータ１６は、歯車列１７を介して回
転軸１８に回転駆動力を伝達するようになっており、更
に、回転軸１８は昇降駆動手段１９により昇降ガイド手
段２０に沿って図中上下方向に移動可能に取り付けられ
ている。

【００９３】レジスト塗布時には、図４に示すように、
スピンチャック１５はカップＣＰの上端より低い位置ま
で下がる。一方、ローターカップ１０から基板Ｇを出し
入れする際の、スピンチャック１５とメインアーム４と
の間で基板Ｇの受け渡しが行われる時は、昇降駆動手段
１９が回転軸１８とスピンチャック１５とを上方へ持ち
上げ、スピンチャック１５はカップＣＰの上端より高い
位置まで変位する。

【００９４】一方、前記スピンチャック１５上にセット
された基板Ｇ上にレジスト液を吐出する塗布液供給装置
６０はこのローターカップ１０をＹ方向に跨るように配
設されている。

【００９５】この塗布液供給装置６０では、ローターカ
ップ１０の上端面と平行に配設され、Ｙ方向にわたって
基板Ｇの上面を横切るように配設されたレジストパイプ
６１と、このレジストパイプ６１の両端部を閉塞すると
ともにこのレジストパイプ６１を支持する脚部材６４及
び６５とからなり、これら脚部材６４及び６５は後述す
る移動装置７０のガイドレール７１及び７２とそれぞれ
係合する。

【００９６】移動装置７０，７０は細長い箱型の部材で
あり、ローターカップ１０のＹ方向の両隣に一機ずつ配
設され、それぞれＸ方向に沿って、ローターカップ１０
の位置からエッジリムーバＥＲの位置にまでわたって配
設されている。この移動装置７０の上面には細長い溝が
それぞれ二本ずつＸ方向に沿って設けられている。

【００９７】これらの溝はそれぞれ、塗布液供給装置６
０の脚部材６４及び６５が係合するガイドレール７１，
７２と搬送部材８０，８１が係合するガイドレール７
３，７４である。

【００９８】これらの移動装置７０，７０の内部には、
駆動モータの駆動力を無端ベルトで伝達するベルト駆動
機構などの既知の移動機構（図示省略）が配設されてお
り、駆動モータの駆動力を脚部材６４，６５と、搬送部
材８０，８１とをそれぞれ独立してＸ方向に移動するよ
うになっている。

【００９９】また、図３に示すように、レジストパイプ
６１のＸ方向両隣にはそれぞれ溶剤パイプ６２と気体パ
イプ６３とがそれぞれ配設されている。これらレジスト
パイプ６１、溶剤パイプ６２、気体パイプ６３はいずれ
も中空管状の構造となっており、下面即ちスピンチャッ
ク１５上に保持された基板Ｇと対向する面にはＹ方向に
わたり所定間隔で複数の開口部がそれぞれ設けられ、そ
れぞれレジストノズル６１ａ，６１ｂ，６１ｃ、溶剤ノ
ズル６２ａ，６２ａ…、気体ノズル６３ａ，６３ａ…を
それぞれ構成している。これらのレジストパイプ６１、
溶剤パイプ６２、気体パイプ６３にはレジスト供給管６
６、溶剤供給管６７、気体供給管６８がそれぞれ配設さ
れており、図示しないレジスト供給系、溶剤供給系、気
体供給系とそれぞれ接続され、これらのレジストパイプ
６１、溶剤パイプ６２、気体パイプ６３にレジスト液、
溶剤、溶剤蒸気を含む気体をそれぞれ供給するようにな
っている。

【０１００】図６は基板Ｇと塗布液供給装置６０の垂直
断面図を部分的に拡大した図であり、図７はこれらのレ
ジストパイプ６１、溶剤パイプ６２、気体パイプ６３を
下側から見上げた状態を示した図である。

【０１０１】図６に示すように、レジストパイプ６１
は、例えば、角型パイプの下部を絞ってテーパを形成し
た台形或いは変形６角形の断面形状を備えており、基板
Ｇと対向する面に上記複数のレジストノズル、例えば３
つのレジストノズル６１ａ，６１ｂ，６１ｃがそれぞれ
所定間隔を隔ててＹ方向にわたって設けられている。こ
のレジストノズル６１ａと６１ｂ、及び、６１ｂと６１
ｃとのＹ方向の間隔は、隣接するレジストノズル、即
ち、６１ａと６１ｂ、６１ｂと６１ｃからそれぞれ供給
された処理剤が基板Ｇに供給されたとき、隣接して供給
された処理剤と処理剤とが被処理基板上でつながって一
体化するような間隔である。この間隔の具体的な値は設
計事項であり、処理剤の粘度、レジストノズル６１ａ〜
６１ｃの大きさ、レジストノズル６１ａ〜６１ｃと基板
Ｇとの間隙、レジストの供給速度等の各パラメータとの
関係により定められる。

【０１０２】溶剤パイプ６２、気体パイプ６８は共に丸
形のパイプであり、レジストパイプ６１と同様に下面側
に複数の開口部が形成されており、複数の溶剤ノズル６
２ａ，６２ａ…、気体ノズル６３ａ，６３ａ…を構成し
ている。

【０１０３】ローターカップ１０では、このローターカ
ップ本体１０の上部開口を蓋１２で覆うようになってお
り、この蓋１２は昇降アーム１３により着脱可能に保持
されている。

【０１０４】図３と図４に示すように、昇降アーム１３
は蓋１２をその先端で挟持する二本のアーム１３ａ，１
３ｂと、これら二本のアーム１３ａ，１３ｂの間に配設
され、これら二本のアーム１３ａ，１３ｂを連結する連
結部材１４とで構成されている。

【０１０５】そして昇降アーム１３の根元側即ち蓋１２
を保持する側と反対側はカップリフタ３０内まで伸びて
おり、カップリフタ３０に内蔵された蓋昇降機構により
蓋１２を昇降せるようになっている。なお、説明の便宜
上、図５では昇降アーム１３及びカップリフタ３０を省
略した。

【０１０６】上記ローターカップ１０と上記カップリフ
タ３０との間にはレジストノズル６１ａを洗浄するため
の洗浄バス２０が配設されている。この洗浄バス２０に
ついては後述する。

【０１０７】図８は本実施形態に係る塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）の制御系を図示したブロック図である。

【０１０８】この図８に示したように、ローターカップ
１０、アクチュエータＡＣ、塗布液供給装置６０、塗布
液供給装置６０を移動させる移動装置７０、塗布液供給
装置６０へレジスト液を供給するレジスト液供給系Ｒ
Ｓ、塗布液供給装置６０へ気体を供給する気体供給系Ｇ
Ｓ、及び塗布液供給装置６０へ溶剤を供給する溶剤供給
系ＳＳが制御部１００と接続されており、この制御部１
００により統括的に制御されている。

【０１０９】以下、本実施形態に係る塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）の動作について説明する。

【０１１０】この塗布処理ユニット（ＣＯＴ）では、基
板Ｇ上へのレジスト塗膜の形成をレジスト液の供給動作
と、供給されたレジスト液の拡散動作との二つの動作に
分けて行う。

【０１１１】まず、基板Ｇ上へのレジスト液の供給動作
は、ローターカップ１０と塗布液供給装置６０とを相対
的に移動させながら、レジストノズル６１ａ〜６１ｃか
ら基板Ｇの表面にほぼ垂直にレジスト液を吐出させるこ
とにより行う。なお、この動作ではレジスト液が基板Ｇ
の表面に供給されればよく、必ずしも基板表面全体を覆
う必要はない。

【０１１２】図９はレジストパイプ６１から基板Ｇにレ
ジスト液を連続的に供給する状態を模式的に示したＹ方
向の垂直断面図である。

【０１１３】図９に示すように、移動装置３０を作動さ
せて塗布液供給装置６０とローターカップ１０とを互い
に反対方向に移動させることによりレジストノズル６１
ａ〜６１ｃに対して基板Ｇを図中矢印の方向に相対的に
移動させる。

【０１１４】この状態でレジストノズル６１ａ〜６１ｃ
からレジスト液を供給する。

【０１１５】本実施形態ではレジスト液を連続的に供給
する。図１０は図９の状態のＡ−Ａ切断面をＸ方向から
見た図であり、図１１は図９の状態のＢ−Ｂ切断面をＸ
方向から見た図であり、図１２は図９の状態のＣ−Ｃ切
断面をＸ方向から見た図である。

【０１１６】図９及び図１０に示すように、レジスト液
の粘度が適当な場合には、レジスト液はレジストパイプ
６１の各レジストノズル６１ａ〜６１ｃから基板Ｇの表
面まで連続的に流れる。

【０１１７】このとき、図１０に示すように、基板Ｇ表
面に供給されたレジスト液は各レジストノズル６１ａ〜
６１ｃの真下部分で盛り上がり、互いに離れた３つのレ
ジスト液の島を形成する。この島と島との間の部分には
直接にはレジスト液は供給されないため、基板Ｇの表面
が露出している。

【０１１８】図１１に示すように、Ｂ−Ｂ切断面では、
レジスト液の表面張力と重力とでレジスト液の表面が丸
くなり、隣接するレジスト液の島と島との間が幾分狭ま
るものの、くっついて一体化するには至らず、依然とし
て基板Ｇの表面が露出したままの状態が続いている。

【０１１９】次に、供給されたレジスト液を拡散させる
ため揺動動作を行う。

【０１２０】本実施形態に係る塗布処理ユニットでは、
揺動動作はスピンチャック１５の表面に配設され、基板
Ｇの図中下側の面と接触するアクチュエータＡＣを作動
させることにより行う。

【０１２１】いま、図１１に示したようにレジスト液が
３つの島状に離れた状態で基板Ｇ表面上に載置されてい
るところでアクチュエータＡＣに電圧を印加すると、こ
のアクチュエータＡＣが振動を発生し、このアクチュエ
ータＡＣ上で当接している基板Ｇとその上に載置された
レジスト液とを揺動させる。この揺動により、上記レジ
スト液は流動性を増し、Ｚ方向の高さが減少するととも
に水平方向に広がる。このとき、上述したように、基板
Ｇ上へレジスト液を供給する際の間隔は、アクチュエー
タのような薄膜化手段により基板Ｇ表面でレジスト液ど
うしが一体化するような間隔となっている。

【０１２２】そのため、アクチュエータＡＣからの振動
により揺動されると、隣接するレジスト液の島と島とが
その端どうしで繋がる。それと同時に基板Ｇの露出部分
がなくなり、基板Ｇの表面全体がレジスト液で覆われ
る。この状態を示したのが図１２である。ただし、この
段階では、まだレジスト液の表面が全体に波を打った状
態であり、膜厚は未だ厚く、均一性も不十分である。

【０１２３】更に揺動を継続すると水平方向にわたって
膜厚の均一化が図られる。この膜厚が均一に薄膜化され
る様子を示したのが図１３と図１４である。

【０１２４】これら図１３と図１４に示したように、時
間の経過と共に膜厚の均一化が進み、水平方向全体にわ
たって膜厚の均一化が図られる。

【０１２５】なお、本実施形態では使用しなかったが、
溶剤パイプ６２や気体パイプ６３を併用することによ
り、より短時間で確実に均一に薄膜化することが可能と
なる。図１５は気体パイプ２２と溶剤パイプ２３とを作
動させた状態を模式的に示した垂直断面図である。

【０１２６】即ち、溶剤パイプ６２からレジスト塗布前
の基板Ｇ表面に溶剤を供給することにより基板Ｇを濡ら
すと、この溶剤は表面張力が低いため、基板Ｇ表面に広
く拡散し、基板表面に膜厚の薄い溶剤層を形成する。こ
の溶剤層は次に供給するレジスト液と基板Ｇとの馴染み
性を良くする。次いでこの溶剤層上にレジストパイプ６
１からレジスト液を供給すると、このレジスト液は上記
溶剤層の表面に沿って速やかに拡散し、溶剤層全体に広
がってゆく。

【０１２７】そのため、レジストノズル６１ａ〜６１ｃ
から基板Ｇ表面上に吐出されたレジスト液は、吐出後ご
く短い時間の間で基板Ｇ表面に広がり易くなる。

【０１２８】その結果、この状態でアクチュエータ１５
のような薄膜化手段により揺動させると容易に基板Ｇ全
体に広がり、隣接するレジスト液どうしが繋がって一体
化し、薄くて膜厚の均一なレジスト塗膜を形成する。

【０１２９】一方、気体パイプ６３から溶剤蒸気を含ん
だ気体を噴出させると、基板Ｇ上に供給されたレジスト
液の液面に圧力が作用してレジスト液が基板Ｇ表面に押
し広げられる。そのため、均一で膜薄の塗膜を形成する
のがより容易かつ迅速に行われるようになる。

【０１３０】なお、この場合、上記の波形になったレジ
スト塗膜の山を形成する部分に気体を当てて押し広げる
のが効果的であるので、気体パイプ６３の開口部は基板
Ｇの幅方向（Ｙ方向）に関してレジストパイプ６１の開
口部と同じ位置に配設するのが好ましい。また、溶剤パ
イプ６２や気体パイプ６３から供給される溶剤や気体を
予め加熱しておき、この熱でレジスト液の粘度を低下す
るようにしても良い。更に、本実施形態では省略した
が、基板Ｇを保持するスピンチャック１５の内部に例え
ばニクロム線などのヒータを内蔵しておき、このヒータ
により基板Ｇを加熱し、レジスト液が基板Ｇ上に供給さ
れたときに低粘度化させることも可能である。その場合
には、方形の基板Ｇを均一に加熱できるよう、基板Ｇよ
り一回り大きい方形のスピンチャックを用い、スピンチ
ャック全体が一様に加熱されるようにヒータを配設する
のが好ましい。

【０１３１】以上のように、本実施形態に係る塗布処理
ユニットでは、レジスト液の供給と供給されたレジスト
塗膜の薄膜化を別々の動作で行い、実際の薄膜化は基板
Ｇ上にレジスト液が供給された後に行われる。

【０１３２】そのため、レジストノズル６１ａ〜６１ｃ
から吐出されたレジスト液を基板Ｇ表面に供給できれば
よく、レジストノズル６１ａ〜６１ｃから基板Ｇまでの
間で加工などの操作は行わないので、ノズルの形状や直
径などのレジストノズル６１ａ〜６１ｃの機械的精度
や、吐出量や吐出速度などの管理精度はあまり厳格には
要求されない。

【０１３３】また、ノズルは小径のものを多数開けても
ノズルパイプ６１の剛性を失う程度は低いのでノズルパ
イプ６１の変形を来すことも少なく、レジストノズル６
１ａ〜６１ｃの寸法精度を確保し易い。

【０１３４】更に、低粘度のレジスト液を用いることが
できるのでノズルの乾燥の問題がし生じにくい。

【０１３５】なお、本発明はこの明細書中に記載された
実施形態には限定されない。

【０１３６】例えば、本実施形態では、レジストノズル
６１ａ〜６１ｃとして角型のレジストパイプ６１の下面
に３つの開口を設けたものを用いたが、一つ一つが独立
した細い口金状の部材に配管を接続したものを一列に並
べたものでもよい。

【０１３７】更に、上記第１の実施形態ではレジストパ
イプ６１のノズルとして円形のノズル６１ａ〜６１ｃの
ものを用いたが、これ以外にも、例えば、図１６に示す
ようにスリット状のノズル６１ｂを備えたものであって
もよい。

【０１３８】更に、上記第１の実施形態ではレジストパ
イプ６１は一本のみ用いているが、基板Ｇの移動方向に
わたって二本以上のレジストパイプ６１，６１´を備え
ていてもよい。その場合には、図１７に示すように、レ
ジストノズル６１ａの開口位置をこの二本のレジストパ
イプ６１，６１´の間で互い違いになるようにするのが
好ましい。このような配置にすることにより、基板Ｇ上
に供給されたレジスト液の液面の隆起の密度が細かくな
り、その後の薄膜化する段階で膜厚を均一にし易く、好
都合だからである。

【０１３９】次に、本実施形態のレジスト塗布処理ユニ
ットに搭載されたノズル点検機構について説明する。図
１８は溶剤バス２０を切断したところを示した斜視図で
ある。

【０１４０】図１８に示すように、この溶剤バス２０は
矩形断面のハウジング２１を備えており、このハウジン
グ２１の内側の図中Ｘ方向左側には洗浄ロール２２が配
設され、図中Ｘ方向右側には吐出台２５が配設されてい
る。

【０１４１】洗浄ロール２２はハウジング２１のＹ方向
全般にわたって伸びており、レジストパイプ６１のレジ
ストノズル６１ａ〜６１ｃが配設された部分より若干大
きい寸法である。この洗浄ロールはハウジング２１に固
定された回転軸２２ａの回りに回転するようになってお
り、図示しない駆動力伝達機構から伝達された駆動力に
より図中矢印の方向に回転するようになっている。な
お、図１８では省略したがこの溶剤バス２０の内側には
溶剤が収容されており、液面の高さは後述する吐出台２
５上の圧力センサ２６，２６…の上面が露出する程度の
高さである。

【０１４２】この洗浄ロール２２の図中左斜めの位置に
はこの洗浄ロール２２表面についたレジスト液を除去す
るためのワイパー２３が配設されている。このワイパー
２３はワイパーボックス２４に対して出没可能に収容さ
れており、制御部１００からの信号に応答してワイパー
２３の先端を洗浄ロール２２の表面に当接させたり、ワ
イパーボックス２４内に収容したりできるようになって
いる。

【０１４３】一方、吐出台２５はハウジング２１の図中
右側の位置に配設された、低い棚状の部材であり、この
上面にはＹ方向にわたって複数個の圧力センサ２６，２
６…が配設されている。これらの圧力センサ２６，２６
…はレジストノズル６１ａ〜６１ｃのそれぞれと対応す
る位置に配設されており、レジストパイプ６１が吐出台
２５の真上の位置に来たときにはレジストノズル６１ａ
〜６１ｃの一つ一つに対して圧力センサ２６，２６…の
一つ一つが対向するような位置に配設されている。ま
た、これら圧力センサ２６，２６…の一つ一つはそれぞ
れ別個に制御部１００と接続されており、これらの圧力
センサ２６，２６…の一つ一つで検出した吐出圧を制御
部１００が認識できるようになっている。

【０１４４】次に、このノズル点検機構の動作について
説明する。

【０１４５】基板Ｇへのレジスト吐出が終了すると、制
御部１００は移動装置を駆動させてレジストパイプ６１
を洗浄位置、即ちレジストノズル６１ａ〜６１ｃが洗浄
ロール２２の回転軸２２ａの真上にくる位置まで移動さ
せる。この状態でレジストノズル６１ａ〜６１ｃからレ
ジスト液を洗浄ロール２２の表面に向けて吐出させ、洗
浄ロール２２の表面にレジスト液を付着させる。このと
き、洗浄ロール２２は回転しており、付着したレジスト
液を先端としてレジストノズル６１ａ〜６１ｃ表面に付
着した余分なレジスト液をこの洗浄ロールが巻き取る。
一方、このときワイパー２３はワイパーボックス２４か
ら突出しており、その先端が洗浄ロール表面に当接して
いる。そのため、レジストノズル６１ａ〜６１ｃから巻
き取った余分のレジスト液はこのワイパー２３でそぎ落
され、レジスト液のない状態の洗浄ロール表面がレジス
トノズル６１ａ〜６１ｃと対向し、再び余分のレジスト
液を巻きとって除去する。

【０１４６】所定時間洗浄位置で洗浄を行ったあと、レ
ジストパイプ６１を図中右方向に移動させ、待機位置、
即ち、レジストノズル６１ａ〜６１ｃが圧力センサ２
６，２６…と対向する位置まで移動させる。この状態で
レジストノズル６１ａ〜６１ｃからダミーディスペン
ス、即ちレジスト液の吐出を行わせ、圧力センサ２６，
２６…に向けてレジスト液が吐出される。それぞれの圧
力センサ２６，２６…は各レジストノズル６１ａ〜６１
ｃから吐出されたレジスト液の吐出圧を検出し、その結
果を制御部１００に送信する。

【０１４７】制御部１００では圧力センサ２６，２６…
からの信号に基づいて各各レジストノズル６１ａ〜６１
ｃの吐出圧を認識する。そして各吐出圧が規定の範囲に
あるか否かを判断し、各レジストノズル６１ａ〜６１ｃ
の状態を把握する。その結果、吐出圧が低く、レジスト
ノズル６１ａ〜６１ｃのいずれかがつまっていると判断
した場合には、再びレジストパイプ６１を上記した洗浄
位置まで戻し、再度洗浄操作を行う。この操作は待機位
置でのダミーディスペンスの結果が良好な状態となるま
で繰り返される。

【０１４８】一方、ダミーディスペンスの結果、レジス
トノズル６１ａ〜６１ｃのいずれにも以上がない場合に
は、そのままレジストパイプ６１を図中Ｘ方向に移動さ
せて、基板Ｇへのレジスト液供給に供する。

【０１４９】なお、ノズル２１ａに異常があった場合、
光や音声による警告を発するようにしてもよい。

【０１５０】このように、このノズル点検機構によれ
ば、基板Ｇにレジストを吐出する前の段階でレジストノ
ズル６１ａ〜６１ｃに目づまりがないか否かを検出でき
るので、基板Ｇへの吐出ミスによる不良品の製造が未然
に防止され、歩留まりの向上、ひいては製品一枚当たり
の生産コストを削減することができる。

【０１５１】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態に係る塗布処理ユニットについて説明する。

【０１５２】なお、第２の実施形態に係る塗布処理ユニ
ットのうち、上記第１の実施形態に係る塗布処理ユニッ
トと共通する部分については説明を省略する。

【０１５３】本実施形態に係る塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）では、スピンチャック１５上面の基板Ｇと当接する
面にアクチュエーター（振動体）を配設する代わりに、
このスピンチャック１５を高速回転させることにより基
板Ｇ上のレジスト塗膜の膜厚を薄膜化するとともに均一
化する構造とした。

【０１５４】本実施形態に係る塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）では、スピンチャック１５上に基板Ｇを保持し、こ
の状態でレジストパイプ６１を図５のＸ方向に移動させ
ながらレジスト液を基板上に吐出させる。

【０１５５】この状態で基板上に形成されるレジスト塗
膜は図１１のように不均一な膜厚の塗膜である。

【０１５６】次いで、制御部から上記スピンチャック１
５を駆動するモータ１６に電圧を印加して基板Ｇとその
表面に形成されたレジスト塗膜を高速回転させる。この
高速回転により、レジスト塗膜の膜厚は薄膜化されると
ともに均一化され、図１３に示したような膜厚が薄く、
しかも膜厚の均一なレジスト塗膜が得られる。

【０１５７】なお、本実施形態では、スピンチャック１
５を用いて基板Ｇを高速回転させる構成としたが、この
高速回転させる前に、更に、スピンチャック１５自体を
回転軸１８の回りに微小角度で短い周期で正逆反転させ
ることにより上記アクチュエータと同様に基板Ｇを揺動
させることができる。この場合にはアクチュエーターと
いう追加の部材を用いる必要がないので、構造的にもコ
スト的にも好ましい。 （第３の実施形態）次に、本発明の第３の実施形態に係
る塗布処理ユニットについて説明する。

【０１５８】なお、第３の実施形態に係る塗布処理ユニ
ットのうち、上記実施形態に係る塗布処理ユニットと共
通する部分については説明を省略する。

【０１５９】図１８は本発明の第２の実施形態に係る塗
布処理ユニット（ＣＯＴ）のレジストパイプ６１周辺の
構造を模式的に描いた垂直断面図である。

【０１６０】この塗布処理ユニット（ＣＯＴ）では、レ
ジストパイプ６１からのレジスト液の供給は断続的に行
うようになっており、溶剤パイプ６２はレジストパイプ
６１の基板Ｇ移動方向上流側（図中左側）に配設されて
いる。

【０１６１】図１８（ａ）に示すように、この塗布処理
ユニット（ＣＯＴ）では、まず基板Ｇの表面に溶剤ノズ
ル６２ａから溶剤が吐出され、その後にレジスト液を吐
出供給する構造になっている。

【０１６２】以下、レジストノズル６１ａから吐出され
たレジスト液が基板Ｇ上で均一に薄膜化される様子につ
いて時系列に従って説明する。

【０１６３】図１９（ａ）〜図２０（ｆ）はレジストパ
イプ６１から吐出されたレジスト液が基板Ｇ上で薄膜化
されるまでの変化を模式的に描いた垂直断面図である。

【０１６４】スピンチャック１５上に保持された基板Ｇ
の上面に溶剤ノズル６２ａから所定量の溶剤が吐出され
る。吐出された溶剤は基板Ｇの表面に広がり、薄い溶剤
層を形成する。

【０１６５】次いでレジストパイプ６１と溶剤パイプ６
２とを図中左方向に移動させる。なお、説明の便宜上、
図１９と図２０では基板Ｇを図中右方向に移動させるも
のとして説明する。

【０１６６】上記移動により基板Ｇはレジストパイプ６
１及び溶剤パイプ６２に対して相対的に図中右方向に移
動する。この移動により上記の溶剤層はレジストノズル
６１ａの真下の位置まで移動する。この状態でレジスト
ノズル６１ａからレジスト液の吐出を行う（図１９
（ｂ））。レジストノズル６１ａから吐出されたレジス
ト液は上記溶剤層と当接するとこの溶剤層に対してただ
ちに拡散し、この溶剤層に沿って基板Ｇ表面に広がる
（図１９（ｃ）） その後上記溶剤層と上記レジスト液とは完全に溶解し、
基板Ｇ表面に広がったレジスト塗膜を形成する。（図２
０（ｄ）） 同様にして基板Ｇの図中左側には溶剤が吐出されて薄い
溶剤層を形成し、その上からレジスト液が吐出され、図
中右から左方向にわたって順次薄いレジスト塗膜が形成
されていく（図２０（ｅ））。一方、この間も基板Ｇ上
に形成されたレジスト塗膜は基板Ｇ上に広がってゆき、
Ｘ方向及びＹ方向で隣接するレジスト塗膜どうしがその
端の部分で重なりあい、一体化してゆく（図２０
（ｆ）） こうして、基板Ｇ上で断続的に吐出されたレジスト液に
よるレジスト塗膜どうしがつながり、膜厚が薄くなると
ともに膜厚が均一し、基板Ｇ表面に薄くて膜厚の均一な
レジスト塗膜が形成される（図２０（ｆ））。

【０１６７】この後、上記アクチュエータＡＣで揺動し
たり、スピンチャック１５により基板Ｇを高速回転する
ことにより、より膜厚の均一化や薄膜化が図られる。

【０１６８】

【０１６９】

【０１７０】

【０１７１】

【０１７２】

【０１７３】

【０１７４】

【０１７５】

【０１７６】

【０１７７】

【０１７８】

【０１７９】

【０１８０】

【０１８１】

【０１８２】

【０１８３】

【０１８４】

【０１８５】

【０１８６】

【０１８７】請求項１記載の本発明によれば、処理剤の
供給と処理剤の薄膜化とを別々の操作に分け、処理剤の
供給は処理供給手段で行う一方、処理剤の薄膜化は、薄
膜化手段で行うようにした。そのため上記各操作の段階
で求められる機械的精度や動作的精度の条件が緩和され
る。

【０１８８】また、被処理基板の表面に対して複数の位
置に処理剤を供給するので、比較的低粘度の処理剤を使
用することができる。そのため溶剤含有率が高く、処理
剤が乾燥しにくいので、ノズルの目づまりがおこりにく
い。

【０１８９】更に、処理剤の粘度が膜厚に及ぼす影響は
低いので処理剤の粘度管理も容易になる。

【０１９０】また、低粘度の処理剤を使用できるので、
処理後に回転して薄膜化する場合にも低回転で薄膜化で
き、大型のＬＣＤ基板にも適用できる。

【０１９１】更に、低粘度であるため、ローターカップ
に付着しても除去しやすい。

【０１９２】また、複数の位置に別けて供給するので、
スロットのような大型の開口部を備えた処理剤ノズルを
用いる必要はなく、処理剤ノズルが大型化することもな
い。更に、密閉状態で回転させることにより薄膜化する
ので、気流が乱れることがなく、膜厚の均一な塗膜が得
られる。

【０１９３】請求項２記載の本発明によれば、請求項１
の塗布方法に加え、前記被処理基板を回転して前記処理
剤を均一に薄膜化する工程を更に具備している。そのた
め、均一で膜厚の薄い塗膜がより確実に形成される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る塗布・現像装置
の斜視図である。

【図２】本発明の第１の実施形態に係る塗布・現像装置
の平面図である。

【図３】本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布処
理ユニットの平面図である。

【図４】本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布処
理ユニットの側面図である。

【図５】本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布処
理ユニットの斜視図である。

【図６】本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布処
理ユニットの垂直断面図である。

【図７】本発明の第１の実施形態に係る塗布液供給装置
を下から見た図である。

【図８】本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布処
理ユニットのブロック図である。

【図９】本発明の第１の実施形態に係るレジストパイプ
の垂直断面図である。

【図１０】本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布
処理ユニットの垂直断面図である。

【図１１】本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布
処理ユニットの垂直断面図である。

【図１２】本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布
処理ユニットの垂直断面図である。

【図１３】本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布
処理ユニットの垂直断面図である。

【図１４】本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布
処理ユニットの垂直断面図である。

【図１５】本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布
処理ユニットの垂直断面図である。

【図１６】本発明の第１の実施形態に係るレジストパイ
プの変形例を示した図である。

【図１７】本発明の第１の実施形態に係るレジストパイ
プの変形例を示した図である。

【図１８】本発明の第１の実施形態に係るノズル点検機
構の展開斜視図である。

【図１９】本発明の第３の実施形態のレジスト塗布処理
ユニットの作動状態を示す垂直断面図である。

【図２０】本発明の第３の実施形態のレジスト塗布処理
ユニットの作動状態を示す垂直断面図である。

【符号の説明】

Ｇ 基板 １０ ローターカップ １５ スピンチャック ２０ 溶剤バス ２６ 圧力センサ ６４，６５ 脚部材 ６０ 塗布液供給装置 ６１ レジストパイプ ６１ａ〜６１ｃ レジストノズル ＲＳ レジスト供給系 ＡＣ アクチュエータ ７０ 移動装置 ７１〜７４ ガイドレール ６３ 気体パイプ ＧＳ 気体供給系 ６２ 溶剤パイプ ＳＳ 溶剤供給系 １００ 制御部 ＣＯＴ 塗布処理ユニット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 雅文 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成 272番地の４ 東京エレクトロン九州株 式会社大津事業所内 (72)発明者 立山 清久 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成 272番地の４ 東京エレクトロン九州株 式会社大津事業所内 (72)発明者 大森 伝 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成 272番地の４ 東京エレクトロン九州株 式会社大津事業所内 (56)参考文献 特開 平10−34055（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−74691（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−144720（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−329938（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 7/16 501 H01L 21/027 B05C 11/08

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板の表面の、所定間隔隔てた複
   数の位置に処理剤を供給する工程と、 密閉状態で前記被処理基板を回転して前記処理剤どうし
   をつなげて一体化する工程とを具備した塗布方法であっ
   て、 前記処理剤を供給する前の前記被処理基板の表面に、溶
   剤を供給する工程を具備し、かつ、前記溶剤を予め加熱
   し、この熱で前記処理剤の粘度を低下させる ことを特徴
   とする塗布方法。
2. 【請求項２】 被処理基板の表面の、所定間隔隔てた複
   数の位置に処理剤を供給する工程と、 密閉状態で前記被処理基板を揺動して前記処理剤どうし
   をつなげて一体化する工程と、 前記被処理基板を回転して前記処理剤を均一に薄膜化す
   る工程とを具備した塗布方法であって、 前記処理剤を供給する前の前記被処理基板の表面に、溶
   剤を供給する工程を具備し、かつ、前記溶剤を予め加熱
   し、この熱で前記処理剤の粘度を低下させる ことを特徴
   とする塗布方法。
3. 【請求項３】 前記被処理基板の表面に供給された前記
   処理剤の表面に気体を供給し、前記処理剤の表面に圧力
   を作用させて前記処理剤を前記被処理基板表面に押し広
   げる工程を具備することを特徴とする請求項１又は２記
   載の塗布方法。
4. 【請求項４】 前記気体を予め加熱し、この熱で前記処
   理剤の粘度を低下させることを特徴とする請求項３記載
   の塗布方法。
5. 【請求項５】 前記被処理基板を加熱し、前記処理剤が
   前記被処理基板に供給されたときに当該処理剤を低粘度
   化させることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項記
   載の塗布方法。
6. 【請求項６】 被処理基板の表面の、所定間隔隔てた複
   数の位置に処理剤を供給する工程と、 密閉状態で前記被処理基板を回転して前記処理剤どうし
   をつなげて一体化する工程とを具備した塗布方法であっ
   て、 前記被処理基板の表面に供給された前記処理剤の表面に
   気体を供給し、前記処理剤の表面に圧力を作用させて前
   記処理剤を前記被処理基板表面に押し広げる工程を具備
   することを特徴とする塗布方法。
7. 【請求項７】 被処理基板の表面の、所定間隔隔てた複
   数の位置に処理剤を供給する工程と、 密閉状態で前記被処理基板を揺動して前記処理剤どうし
   をつなげて一体化する工程と、 前記被処理基板を回転して前記処理剤を均一に薄膜化す
   る工程とを具備した塗布方法であって、 前記被処理基板の表面に供給された前記処理剤の表面に
   気体を供給し、前記処理剤の表面に圧力を作用させて前
   記処理剤を前記被処理基板表面に押し広げる工程を具備
   することを特徴とする塗布方法。
8. 【請求項８】 前記処理剤を供給する前の前記被処理基
   板の表面に、溶剤を供給する工程を具備することを特徴
   とする請求項６又は７記載の塗布方法。
9. 【請求項９】 前記気体を予め加熱し、この熱で前記処
   理剤の粘度を低下させることを特徴とする請求項６〜８
   いずれか１項記載の塗布方法。
10. 【請求項１０】 前記被処理基板を加熱し、前記処理剤
    が前記被処理基板に供給されたときに当該処理剤を低粘
    度化させることを特徴とする請求項６〜９いずれか１項
    記載の塗布方法。