JPH1151793A - 薄膜素子及びその製造方法 - Google Patents
薄膜素子及びその製造方法Info
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- JPH1151793A JPH1151793A JP9206184A JP20618497A JPH1151793A JP H1151793 A JPH1151793 A JP H1151793A JP 9206184 A JP9206184 A JP 9206184A JP 20618497 A JP20618497 A JP 20618497A JP H1151793 A JPH1151793 A JP H1151793A
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- Japan
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- atomic
- thin
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高いゲージ率と高い抵抗率とを有し、かつ、
耐熱性に優れた及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 金属基板１上にプラズマＣＶＤ法により
シリコン酸化膜２を形成し、シリコン酸化膜２上に、マ
グネトロンスパッタ法を用いて、Ｃｒ，酸素及び窒素を
含んで成り、かつ、酸素含有量が４０〜５０原子％とな
り、窒素含有量が６〜１０原子％となる薄膜歪みゲージ
３を形成し、薄膜歪みゲージ３の端末部に、アルミニウ
ム（Ａｌ）から成る電極配線４を形成する。そして、金
属基板１の電極配線４が形成された面側に、プラズマＣ
ＶＤ法によりシリコン酸化膜５を形成し、電極配線４上
のシリコン酸化膜５にエッチングによりコンタクトホー
ル６を形成する。
耐熱性に優れた及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 金属基板１上にプラズマＣＶＤ法により
シリコン酸化膜２を形成し、シリコン酸化膜２上に、マ
グネトロンスパッタ法を用いて、Ｃｒ，酸素及び窒素を
含んで成り、かつ、酸素含有量が４０〜５０原子％とな
り、窒素含有量が６〜１０原子％となる薄膜歪みゲージ
３を形成し、薄膜歪みゲージ３の端末部に、アルミニウ
ム（Ａｌ）から成る電極配線４を形成する。そして、金
属基板１の電極配線４が形成された面側に、プラズマＣ
ＶＤ法によりシリコン酸化膜５を形成し、電極配線４上
のシリコン酸化膜５にエッチングによりコンタクトホー
ル６を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜素子及びその
製造方法に関するものであり、金属ダイヤフラム上に形
成される薄膜歪みゲージに関する。
製造方法に関するものであり、金属ダイヤフラム上に形
成される薄膜歪みゲージに関する。
【０００２】
【従来の技術】これまで開発された代表的な薄膜歪みゲ
ージとしては、シリコン（Ｓｉ）やゲルマニウム（Ｇ
ｅ）から成る半導体薄膜（特開昭６１−７０７１６号公
報）や、クロム（Ｃｒ）合金等から成る金属薄膜（特公
平６−６６１６２号公報）がある。半導体薄膜は、ゲー
ジ率は高いが、抵抗温度係数が大きいという欠点があ
り、金属薄膜は、抵抗温度係数は小さいが、ゲージ率が
低いという欠点がある。
ージとしては、シリコン（Ｓｉ）やゲルマニウム（Ｇ
ｅ）から成る半導体薄膜（特開昭６１−７０７１６号公
報）や、クロム（Ｃｒ）合金等から成る金属薄膜（特公
平６−６６１６２号公報）がある。半導体薄膜は、ゲー
ジ率は高いが、抵抗温度係数が大きいという欠点があ
り、金属薄膜は、抵抗温度係数は小さいが、ゲージ率が
低いという欠点がある。
【０００３】上述の薄膜歪みゲージの代表的な応用分野
としては圧力センサがあり、圧力センサには、Ｓｉ微細
加工によるＳｉダイヤフラム型圧力センサと、耐腐食性
に優れ、超高圧に耐える金属ダイヤフラム型圧力センサ
がある。
としては圧力センサがあり、圧力センサには、Ｓｉ微細
加工によるＳｉダイヤフラム型圧力センサと、耐腐食性
に優れ、超高圧に耐える金属ダイヤフラム型圧力センサ
がある。
【０００４】ここで、金属ダイヤフラム型圧力センサと
しては、金属ダイヤフラム上に歪みゲージを接着剤で貼
り付ける方式と、金属ダイヤフラムの変位をシリコンオ
イルを介して別のダイヤフラムに伝える二重ダイヤフラ
ム方式とがある。また、上述の２つの方式に対して、よ
り高精度でシンプルな構造を持つタイプとして、金属ダ
イヤフラム上に絶縁膜を介して薄膜歪みゲージを形成す
る方法も既に実用化されている。
しては、金属ダイヤフラム上に歪みゲージを接着剤で貼
り付ける方式と、金属ダイヤフラムの変位をシリコンオ
イルを介して別のダイヤフラムに伝える二重ダイヤフラ
ム方式とがある。また、上述の２つの方式に対して、よ
り高精度でシンプルな構造を持つタイプとして、金属ダ
イヤフラム上に絶縁膜を介して薄膜歪みゲージを形成す
る方法も既に実用化されている。
【０００５】ここで用いられる薄膜歪みゲージには、高
ゲージ率，低温度係数，適度な抵抗率，耐熱安定性，製
法の簡便性等様々な特性が要求される。
ゲージ率，低温度係数，適度な抵抗率，耐熱安定性，製
法の簡便性等様々な特性が要求される。
【０００６】そこで、最近ではクロム（Ｃｒ）を主体と
した薄膜歪みゲージが、高いゲージ率を要する材料とし
て注目を集めている。代表的なものとして、特公平７−
５４２８１号公報には、Ｃｒ−Ｍｏ合金をスパッタリン
グによって成膜することによりゲージ率が１０以上の薄
膜歪みゲージを生成できることが示されており、特公平
６−６６１６２号公報には、Ｃｒ（６０〜９８原子
％），酸素（２〜３０原子％），その他の添加金属（０
〜１０原子％）から成る合金薄膜を２元スパッタリング
によって成膜することによりゲージ率５以上，抵抗温度
係数±１００ｐｐｍ以下の薄膜歪みゲージを生成できる
ことが示されている。また、特開平６−２１３６１３号
公報には、クロム（Ｃｒ）を成膜後、４００℃以上でア
ニールし、ｂｃｃクロムと三方晶Ｃｒ２Ｏ３から成る薄
膜歪みゲージとしてゲージ率２０以上のものが示されて
いる。
した薄膜歪みゲージが、高いゲージ率を要する材料とし
て注目を集めている。代表的なものとして、特公平７−
５４２８１号公報には、Ｃｒ−Ｍｏ合金をスパッタリン
グによって成膜することによりゲージ率が１０以上の薄
膜歪みゲージを生成できることが示されており、特公平
６−６６１６２号公報には、Ｃｒ（６０〜９８原子
％），酸素（２〜３０原子％），その他の添加金属（０
〜１０原子％）から成る合金薄膜を２元スパッタリング
によって成膜することによりゲージ率５以上，抵抗温度
係数±１００ｐｐｍ以下の薄膜歪みゲージを生成できる
ことが示されている。また、特開平６−２１３６１３号
公報には、クロム（Ｃｒ）を成膜後、４００℃以上でア
ニールし、ｂｃｃクロムと三方晶Ｃｒ２Ｏ３から成る薄
膜歪みゲージとしてゲージ率２０以上のものが示されて
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
なクロム（Ｃｒ）を主体とする薄膜歪みゲージにおいて
は、抵抗率が低いという問題点があった。
なクロム（Ｃｒ）を主体とする薄膜歪みゲージにおいて
は、抵抗率が低いという問題点があった。
【０００８】一般的に、圧力センサのインピーダンスは
数ｋΩになるよう調整されており、半導体薄膜の場合、
ドーピング濃度により抵抗率を幅広く制御することが可
能であり、例えば、３ｋΩの抵抗を作る場合、抵抗率を
１０-2Ω・cm，膜厚を０．１μｍとすると、長さ／幅の
比は３になる。
数ｋΩになるよう調整されており、半導体薄膜の場合、
ドーピング濃度により抵抗率を幅広く制御することが可
能であり、例えば、３ｋΩの抵抗を作る場合、抵抗率を
１０-2Ω・cm，膜厚を０．１μｍとすると、長さ／幅の
比は３になる。
【０００９】しかし、上述のクロム（Ｃｒ）を主体とす
る薄膜歪みゲージの抵抗率は、１０ -6〜１０-4Ω・cmで
あり、例えば、圧力センサのダイヤフラム上にホイート
ストンブリッジ状に抵抗体を４個形成しようとした場
合、膜厚を０．１μｍとすると、抵抗体の占める面積が
大きくなりすぎて、ダイヤフラムを小型化しようとした
場合使えなくなるという問題があった。
る薄膜歪みゲージの抵抗率は、１０ -6〜１０-4Ω・cmで
あり、例えば、圧力センサのダイヤフラム上にホイート
ストンブリッジ状に抵抗体を４個形成しようとした場
合、膜厚を０．１μｍとすると、抵抗体の占める面積が
大きくなりすぎて、ダイヤフラムを小型化しようとした
場合使えなくなるという問題があった。
【００１０】また、ダイヤフラム上では場所によって歪
み量，歪み方向が異なるため、抵抗体の面積が小さいほ
うがより最適な位置に抵抗体を配置することができる。
み量，歪み方向が異なるため、抵抗体の面積が小さいほ
うがより最適な位置に抵抗体を配置することができる。
【００１１】そこで、クロム（Ｃｒ）を主体とする薄膜
歪みゲージでは、面積を抑えるため、加工寸法を１０μ
ｍ前後のレベルにしなければならず、Ｓｉプロセスなら
１０μｍルールの加工は容易だが、金属ダイヤフラムの
場合は、切削加工によるダイヤフラムにしても、大面積
ＳＵＳ基板を用いる場合であっても、装置に様々な制約
があり加工寸法を１０μｍのレベルにするのが困難であ
り、特に１０ｍｍφ以下の小型のダイヤフラムには適用
が困難であった。
歪みゲージでは、面積を抑えるため、加工寸法を１０μ
ｍ前後のレベルにしなければならず、Ｓｉプロセスなら
１０μｍルールの加工は容易だが、金属ダイヤフラムの
場合は、切削加工によるダイヤフラムにしても、大面積
ＳＵＳ基板を用いる場合であっても、装置に様々な制約
があり加工寸法を１０μｍのレベルにするのが困難であ
り、特に１０ｍｍφ以下の小型のダイヤフラムには適用
が困難であった。
【００１２】また、圧力センサが車載の油圧計測やプラ
ントでの高温流体計測に用いられる場合、薄膜歪みゲー
ジに耐熱性が要求される。ところが、上述のような金属
の薄膜歪みゲージでは高温で酸化しやすく、使用中に特
性が変動するという問題があった。
ントでの高温流体計測に用いられる場合、薄膜歪みゲー
ジに耐熱性が要求される。ところが、上述のような金属
の薄膜歪みゲージでは高温で酸化しやすく、使用中に特
性が変動するという問題があった。
【００１３】本発明は、上記の点に鑑みて成されたもの
であり、その目的とするところは、高いゲージ率と高い
抵抗率とを有し、かつ、耐熱性に優れた及びその製造方
法を提供することにある。
であり、その目的とするところは、高いゲージ率と高い
抵抗率とを有し、かつ、耐熱性に優れた及びその製造方
法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
Ｃｒ，酸素及び窒素を含んで成り、酸素含有量が４０〜
５０原子％であり、窒素含有量が６〜１０原子％である
ことを特徴とするものである。
Ｃｒ，酸素及び窒素を含んで成り、酸素含有量が４０〜
５０原子％であり、窒素含有量が６〜１０原子％である
ことを特徴とするものである。
【００１５】請求項２記載の発明は、請求項１記載の薄
膜素子を、アニール処理するようにしたことを特徴とす
るものである。
膜素子を、アニール処理するようにしたことを特徴とす
るものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面に基づき説明する。
図面に基づき説明する。
【００１７】＝実施形態１＝ 図１は、本発明の一実施形態に係る薄膜歪みゲージ３を
用いた圧力センサを示す略断面図であり、図２は、本実
施形態に係る薄膜歪みゲージ３の形成条件を示すテーブ
ルである。本実施形態においては、特性評価用の金属基
板１として、厚さ０．６ｍｍのＳＵＳ６３０基板を用い
た。先ず、金属基板１上に絶縁膜としてプラズマＣＶＤ
法によりシリコン酸化膜２を約３μｍ形成する。
用いた圧力センサを示す略断面図であり、図２は、本実
施形態に係る薄膜歪みゲージ３の形成条件を示すテーブ
ルである。本実施形態においては、特性評価用の金属基
板１として、厚さ０．６ｍｍのＳＵＳ６３０基板を用い
た。先ず、金属基板１上に絶縁膜としてプラズマＣＶＤ
法によりシリコン酸化膜２を約３μｍ形成する。
【００１８】続いて、マグネトロンスパッタ法により酸
化窒化Ｃｒ薄膜を約０．１μｍ形成する。このとき、ス
パッタターゲットにクロム（Ｃｒ）を用い、導入ガスと
してアルゴン，酸素及び窒素の混合ガスを用い、図２に
示す形成条件にて成膜を行い、フォトリソグラフィ技術
及びエッチング技術を用いて所定形状にパターニングし
て、薄膜歪みゲージ３を形成する。
化窒化Ｃｒ薄膜を約０．１μｍ形成する。このとき、ス
パッタターゲットにクロム（Ｃｒ）を用い、導入ガスと
してアルゴン，酸素及び窒素の混合ガスを用い、図２に
示す形成条件にて成膜を行い、フォトリソグラフィ技術
及びエッチング技術を用いて所定形状にパターニングし
て、薄膜歪みゲージ３を形成する。
【００１９】次に、薄膜歪みゲージ３の端末部に、アル
ミニウム（Ａｌ）から成る電極配線４を約１μｍ形成
し、所定形状にパターニングする。
ミニウム（Ａｌ）から成る電極配線４を約１μｍ形成
し、所定形状にパターニングする。
【００２０】次に、金属基板１の電極配線４が形成され
た面側に、プラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜５を
約０．５μｍ形成し、電極配線４上のシリコン酸化膜５
にエッチングによりコンタクトホール６を形成する。そ
して、製造されたものを矩形に切り出し、コンタクトホ
ール６を介して電極配線４にワイヤボンディングを行っ
て、電気信号を取り出せるようにし、切り出した基板の
一端を固定し、他端を変位させることにより、薄膜歪み
ゲージ３に歪みを与えて特性を評価した。
た面側に、プラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜５を
約０．５μｍ形成し、電極配線４上のシリコン酸化膜５
にエッチングによりコンタクトホール６を形成する。そ
して、製造されたものを矩形に切り出し、コンタクトホ
ール６を介して電極配線４にワイヤボンディングを行っ
て、電気信号を取り出せるようにし、切り出した基板の
一端を固定し、他端を変位させることにより、薄膜歪み
ゲージ３に歪みを与えて特性を評価した。
【００２１】なお、本実施形態における各膜の膜厚は、
本実施形態に示す膜厚に限定されるものではない。
本実施形態に示す膜厚に限定されるものではない。
【００２２】以下、図２のテーブルに基づいて、薄膜歪
みゲージ３の特性について説明する。一般的に、不純物
を含まないＣｒ薄膜歪みゲージは、ゲージ率は高いが、
正の温度係数が大きく抵抗率が低いという問題がある。
そこで、酸素，窒素，他の金属をＣｒ中に含有させて、
温度係数をゼロ付近に調整することが既に行われてい
る。これらの研究では、ゲージ率を１０前後の値に保ち
ながら、温度係数を抑え、抵抗率を上げる方向へ調整で
きるが、不純物を含有させたために組成が複雑になり、
耐熱安定性に劣るという問題があった。
みゲージ３の特性について説明する。一般的に、不純物
を含まないＣｒ薄膜歪みゲージは、ゲージ率は高いが、
正の温度係数が大きく抵抗率が低いという問題がある。
そこで、酸素，窒素，他の金属をＣｒ中に含有させて、
温度係数をゼロ付近に調整することが既に行われてい
る。これらの研究では、ゲージ率を１０前後の値に保ち
ながら、温度係数を抑え、抵抗率を上げる方向へ調整で
きるが、不純物を含有させたために組成が複雑になり、
耐熱安定性に劣るという問題があった。
【００２３】そこで、本願発明の発明者等は、酸素，窒
素を適当な量含有させることにより、耐熱安定性を向上
させ得ることを見出した。具体的には、Ｃｒ中に酸素を
４０〜５０原子％，窒素を６〜１０原子％含有させるこ
とにより耐熱性が向上する。
素を適当な量含有させることにより、耐熱安定性を向上
させ得ることを見出した。具体的には、Ｃｒ中に酸素を
４０〜５０原子％，窒素を６〜１０原子％含有させるこ
とにより耐熱性が向上する。
【００２４】図２のNo.1，2は、本願発明に係る形成条
件により形成された薄膜歪みゲージ３を示し、Ｎｏ．３
〜６が比較例である。成膜条件としては、基板温度３０
０℃，放電電力２００Ｗ一定にして、ガス導入はアルゴ
ン，酸素及び窒素の流量比を変えて試料を作成した。ま
た、ガス導入は、マスフローコントローラーで行い、ア
ニールは大気中で３９０℃，５hr行った。更に、耐熱試
験は、３００℃で１００hr行い、ゲージ率と抵抗率の初
期値に対する変化率を評価した。
件により形成された薄膜歪みゲージ３を示し、Ｎｏ．３
〜６が比較例である。成膜条件としては、基板温度３０
０℃，放電電力２００Ｗ一定にして、ガス導入はアルゴ
ン，酸素及び窒素の流量比を変えて試料を作成した。ま
た、ガス導入は、マスフローコントローラーで行い、ア
ニールは大気中で３９０℃，５hr行った。更に、耐熱試
験は、３００℃で１００hr行い、ゲージ率と抵抗率の初
期値に対する変化率を評価した。
【００２５】図２に示す成膜条件では、高いゲージ率，
低い温度係数を保ち、耐熱試験でゲージ率が多少増加す
る方向に動くが、抵抗率が殆ど変化せず、非常に耐熱安
定性に優れていることがわかる。No.3の試料は、窒素の
含有量を減らしたものであり、抵抗率，ゲージ率の初期
値はNo.1，2の試料と同様な値を示すが、耐熱性試験で
の変化率が大きくなっているのがわかる。No.4の試料
は、窒素を過剰に加えたものであり、初期のゲージ率の
低下が著しいことがわかる。No.5の試料は、酸素の含有
量を少し抑えるため、酸素流量を減らすとともにアニー
ル温度を３００℃とした。ここでは、抵抗率，ゲージ率
の初期値は優れているが、耐熱試験での変化が大きいこ
とがわかる。No.6の試料は、No.2の試料と同じ条件で成
膜して、アニール処理を行わなかったものであり、この
場合、酸素含有量が１２％と非常に少なく、耐熱性も悪
い。
低い温度係数を保ち、耐熱試験でゲージ率が多少増加す
る方向に動くが、抵抗率が殆ど変化せず、非常に耐熱安
定性に優れていることがわかる。No.3の試料は、窒素の
含有量を減らしたものであり、抵抗率，ゲージ率の初期
値はNo.1，2の試料と同様な値を示すが、耐熱性試験で
の変化率が大きくなっているのがわかる。No.4の試料
は、窒素を過剰に加えたものであり、初期のゲージ率の
低下が著しいことがわかる。No.5の試料は、酸素の含有
量を少し抑えるため、酸素流量を減らすとともにアニー
ル温度を３００℃とした。ここでは、抵抗率，ゲージ率
の初期値は優れているが、耐熱試験での変化が大きいこ
とがわかる。No.6の試料は、No.2の試料と同じ条件で成
膜して、アニール処理を行わなかったものであり、この
場合、酸素含有量が１２％と非常に少なく、耐熱性も悪
い。
【００２６】これらの結果より、物性面の考察を行う
と、Ｃｒは非常に酸化されやすい金属で、薄膜の場合、
例えシリコン酸化膜５の保護膜が形成されていても、大
気中で３００℃以上でアニール処理を行うと容易に酸化
が進むという非常に経時安定性の悪い金属である。
と、Ｃｒは非常に酸化されやすい金属で、薄膜の場合、
例えシリコン酸化膜５の保護膜が形成されていても、大
気中で３００℃以上でアニール処理を行うと容易に酸化
が進むという非常に経時安定性の悪い金属である。
【００２７】そこで、耐熱安定性を増すためには、アニ
ール処理により積極的に酸化させてやり、それ以上酸化
させないようにする必要がある。但し、あまり過剰に酸
素を加えると初期特性の劣化につながるので、酸素含有
量は４０〜５０原子％にする必要がある。
ール処理により積極的に酸化させてやり、それ以上酸化
させないようにする必要がある。但し、あまり過剰に酸
素を加えると初期特性の劣化につながるので、酸素含有
量は４０〜５０原子％にする必要がある。
【００２８】また、これだけでは十分な耐熱性が得られ
ず、さらに耐熱性の向上を図るためには酸化Ｃｒより耐
熱安定性に優れる窒化Ｃｒを同時に形成するようにす
る。即ち、酸化Ｃｒだけでは酸素や窒素と結合していな
い不安定なＣｒが存在するが、それらを窒素と結合させ
て固定化してやるのである。これによって、Ｃｒはそれ
以上酸化が進まなくなり、安定な構造を持つようにな
る。
ず、さらに耐熱性の向上を図るためには酸化Ｃｒより耐
熱安定性に優れる窒化Ｃｒを同時に形成するようにす
る。即ち、酸化Ｃｒだけでは酸素や窒素と結合していな
い不安定なＣｒが存在するが、それらを窒素と結合させ
て固定化してやるのである。これによって、Ｃｒはそれ
以上酸化が進まなくなり、安定な構造を持つようにな
る。
【００２９】但し、酸素を十分に含有させた状態で、窒
素を過剰に含有させてやると、ゲージ率の低下が著しい
ので、酸素含有量が４０〜５０原子％の場合、窒素含有
量は６〜１０原子％にしてやるのが好ましい。
素を過剰に含有させてやると、ゲージ率の低下が著しい
ので、酸素含有量が４０〜５０原子％の場合、窒素含有
量は６〜１０原子％にしてやるのが好ましい。
【００３０】
【発明の効果】請求項１記載の発明は、Ｃｒ，酸素及び
窒素を含んで成り、酸素含有量が４０〜５０原子％であ
り、窒素含有量が６〜１０原子％としたことにより、高
いゲージ率と高い抵抗率とを有し、かつ、耐熱性に優れ
た薄膜素子を提供することができた。
窒素を含んで成り、酸素含有量が４０〜５０原子％であ
り、窒素含有量が６〜１０原子％としたことにより、高
いゲージ率と高い抵抗率とを有し、かつ、耐熱性に優れ
た薄膜素子を提供することができた。
【００３１】請求項２記載の発明は、請求項１記載の薄
膜素子を、アニール処理することにより、積極的に酸化
させて、それ以上酸化させないようにすることができ
る。
膜素子を、アニール処理することにより、積極的に酸化
させて、それ以上酸化させないようにすることができ
る。
【図１】本発明の一実施形態に係る薄膜歪みゲージ素子
を示す略断面図である。
を示す略断面図である。
【図２】本実施形態に係る薄膜歪みゲージの形成条件を
示すテーブルである。
示すテーブルである。
１ 金属基板 ２ シリコン酸化膜 ３ 薄膜歪みゲージ ４ 電極配線 ５ シリコン酸化膜 ６ コンタクトホール
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｃｒ，酸素及び窒素を含んで成り、酸素
含有量が４０〜５０原子％であり、窒素含有量が６〜１
０原子％であることを特徴とする薄膜素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の薄膜素子を、アニール処
理するようにしたことを特徴とする薄膜素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20618497A JP3292099B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 薄膜素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20618497A JP3292099B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 薄膜素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1151793A true JPH1151793A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3292099B2 JP3292099B2 (ja) | 2002-06-17 |
Family
ID=16519213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20618497A Expired - Fee Related JP3292099B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 薄膜素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3292099B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003149073A (ja) * | 2001-11-08 | 2003-05-21 | Nikka Kensa Kikai Kk | 包装シール不良品検出方法および装置 |
| JP2008116371A (ja) * | 2006-11-06 | 2008-05-22 | Osaka Prefecture | 触覚センサー及びその製造方法 |
| CN103807174A (zh) * | 2014-03-10 | 2014-05-21 | 吴月广 | 一种三缸滚动转子式压缩机 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02152201A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-12 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 歪ゲージ用薄膜抵抗体 |
| JPH06124808A (ja) * | 1992-08-24 | 1994-05-06 | Nippon Soken Inc | 摺動抵抗体 |
| JPH06213613A (ja) * | 1993-01-14 | 1994-08-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 歪抵抗材料およびその製造方法および薄膜歪センサ |
| JPH06300649A (ja) * | 1993-04-12 | 1994-10-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜歪抵抗材料とその製造方法及び薄膜歪みセンサ |
| JPH07306002A (ja) * | 1994-05-13 | 1995-11-21 | Nok Corp | 歪ゲ−ジ用薄膜およびその製造法 |
| JPH1038727A (ja) * | 1996-07-24 | 1998-02-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 薄膜素子及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-07-31 JP JP20618497A patent/JP3292099B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02152201A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-12 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 歪ゲージ用薄膜抵抗体 |
| JPH06124808A (ja) * | 1992-08-24 | 1994-05-06 | Nippon Soken Inc | 摺動抵抗体 |
| JPH06213613A (ja) * | 1993-01-14 | 1994-08-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 歪抵抗材料およびその製造方法および薄膜歪センサ |
| JPH06300649A (ja) * | 1993-04-12 | 1994-10-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜歪抵抗材料とその製造方法及び薄膜歪みセンサ |
| JPH07306002A (ja) * | 1994-05-13 | 1995-11-21 | Nok Corp | 歪ゲ−ジ用薄膜およびその製造法 |
| JPH1038727A (ja) * | 1996-07-24 | 1998-02-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 薄膜素子及びその製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003149073A (ja) * | 2001-11-08 | 2003-05-21 | Nikka Kensa Kikai Kk | 包装シール不良品検出方法および装置 |
| JP2008116371A (ja) * | 2006-11-06 | 2008-05-22 | Osaka Prefecture | 触覚センサー及びその製造方法 |
| CN103807174A (zh) * | 2014-03-10 | 2014-05-21 | 吴月广 | 一种三缸滚动转子式压缩机 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3292099B2 (ja) | 2002-06-17 |
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