JPH08260077A - 大きな抵抗温度係数を有する電気抵抗合金とその製造法ならびにセンサデバイス - Google Patents
大きな抵抗温度係数を有する電気抵抗合金とその製造法ならびにセンサデバイスInfo
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- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 162
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 161
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 33
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 128
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 70
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 34
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 194
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 99
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 85
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 71
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 51
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 49
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 46
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 40
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 39
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 38
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 33
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 33
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 32
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 32
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 32
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 32
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 32
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 31
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 238000007084 catalytic combustion reaction Methods 0.000 claims description 29
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 23
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 20
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 16
- NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N isobutane Chemical compound CC(C)C NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 15
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 13
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims description 12
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims description 12
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 claims description 12
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000567 combustion gas Substances 0.000 claims description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 10
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 9
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000001282 iso-butane Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000001273 butane Substances 0.000 claims description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 6
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 5
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 claims description 5
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 17
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 16
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003570 air Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 2
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005491 wire drawing Methods 0.000 description 2
- 108010053481 Antifreeze Proteins Proteins 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002551 Fe-Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015187 FePd Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021065 Pd—Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000002597 Solanum melongena Nutrition 0.000 description 1
- 244000061458 Solanum melongena Species 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 isoptane Chemical compound 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 パラジウム−鉄−マンガンを主成分として、
抵抗温度係数が４０００×１０−６℃−１以上を有する
合金の製造法および該合金を使用した接触燃焼式ガスセ
ンサおよび抵抗変化型温度センサを提供する。 【構成】 Ｆｅ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐ
ｔ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｒｕ，Ｃｒ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｈｆ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｂ
ｅ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｃｕ，Ａ１，Ｓｉ，希土類元素および
残部Ｐｄと小量の不純物からなり、０〜２００℃におけ
る平均の抵抗温度係数が４０００×１０−６℃−１以上
を有する電気抵抗合金。
抵抗温度係数が４０００×１０−６℃−１以上を有する
合金の製造法および該合金を使用した接触燃焼式ガスセ
ンサおよび抵抗変化型温度センサを提供する。 【構成】 Ｆｅ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐ
ｔ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｒｕ，Ｃｒ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｈｆ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｂ
ｅ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｃｕ，Ａ１，Ｓｉ，希土類元素および
残部Ｐｄと小量の不純物からなり、０〜２００℃におけ
る平均の抵抗温度係数が４０００×１０−６℃−１以上
を有する電気抵抗合金。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パラジウム（Ｐｄ）、
鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）および副成分としてニッ
ケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、銀（Ａｇ）、金（Ａ
ｕ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム
（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ルテニウム（Ｒｕ）、
クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、チタン（Ｔｉ）、
ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、モリブデ
ン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、タ
ンタル（Ｔａ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇ
ｅ）、インジウム（Ｉｎ）、ベリリウム（Ｂｅ）、錫
（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、銅（Ｃｕ）、アルミニ
ウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）、炭素（Ｃ）、ホウ素
（Ｂ）、希土類元素からなる電気抵抗合金およびその製
造法ならびに該合金を使用した各種センサデバイスに関
するものである。
鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）および副成分としてニッ
ケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、銀（Ａｇ）、金（Ａ
ｕ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム
（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ルテニウム（Ｒｕ）、
クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、チタン（Ｔｉ）、
ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、モリブデ
ン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、タ
ンタル（Ｔａ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇ
ｅ）、インジウム（Ｉｎ）、ベリリウム（Ｂｅ）、錫
（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、銅（Ｃｕ）、アルミニ
ウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）、炭素（Ｃ）、ホウ素
（Ｂ）、希土類元素からなる電気抵抗合金およびその製
造法ならびに該合金を使用した各種センサデバイスに関
するものである。
【０００２】さらに詳しくは、本発明は、上記電気抵抗
合金と該合金の線材を６００℃以上の高温で熱処理する
ことにより、平均の抵抗温度係数が４０００×１０−６
℃−１以上を有する合金の製造法および該合金を使用し
た接触燃焼式ガスセンサまたは抵抗変化型高性能温度セ
ンサを提供するにある。
合金と該合金の線材を６００℃以上の高温で熱処理する
ことにより、平均の抵抗温度係数が４０００×１０−６
℃−１以上を有する合金の製造法および該合金を使用し
た接触燃焼式ガスセンサまたは抵抗変化型高性能温度セ
ンサを提供するにある。
【０００３】
【従来の技術】従来電気抵抗の温度依存性を利用する接
触燃焼方式ガスセンサや抵抗変化温度センサなどには、
温度またはガス検出用材料として、電気抵抗の温度係数
が大きい純白金、純ニッケルやサーミスターなどが多く
使用されている。
触燃焼方式ガスセンサや抵抗変化温度センサなどには、
温度またはガス検出用材料として、電気抵抗の温度係数
が大きい純白金、純ニッケルやサーミスターなどが多く
使用されている。
【０００４】これらの温度センサやガスセンサなどは、
ほぼ同じ電気回路を使用している。そこでガスセンサを
一例として、つぎにその原理を図１のブリッジ回路によ
り説明する。ここでＲｓおよびＲｃは、それぞれガス検
出用活性抵抗および基準抵抗である。またＲ１およびＲ
２は、いずれもバランス用抵抗である。まず図におい
て、ブリッジ回路の４個の抵抗Ｒｓ、Ｒｃ、Ｒ１および
Ｒ２に電源Ｖｉから電気を供給した後、調整用抵抗Ｒｖ
によりバランス電圧Ｖをゼロに調整する。ついで所定の
一定温度に加熱されたＲｓおよびＲｃにガスが接触する
と、Ｒｓから発生するジュール熱とＲｓを包んでいる触
媒による酸化反応でガスが燃焼してＲｓの抵抗がΔＲだ
け変化する。その結果検知ガスの量または濃度に比例し
た出力（ガス感度）ΔＶが生じる。すなわち
ほぼ同じ電気回路を使用している。そこでガスセンサを
一例として、つぎにその原理を図１のブリッジ回路によ
り説明する。ここでＲｓおよびＲｃは、それぞれガス検
出用活性抵抗および基準抵抗である。またＲ１およびＲ
２は、いずれもバランス用抵抗である。まず図におい
て、ブリッジ回路の４個の抵抗Ｒｓ、Ｒｃ、Ｒ１および
Ｒ２に電源Ｖｉから電気を供給した後、調整用抵抗Ｒｖ
によりバランス電圧Ｖをゼロに調整する。ついで所定の
一定温度に加熱されたＲｓおよびＲｃにガスが接触する
と、Ｒｓから発生するジュール熱とＲｓを包んでいる触
媒による酸化反応でガスが燃焼してＲｓの抵抗がΔＲだ
け変化する。その結果検知ガスの量または濃度に比例し
た出力（ガス感度）ΔＶが生じる。すなわち
【０００５】
【数１】 ここで４Ｒは抵抗Ｒｓ、Ｒｃ、Ｒ１およびＲ２の総和Ｒ
ｔである。式（１）のΔＶがガス感度であり、分解能が
高い場合には数１からガス濃度も求められる。またガス
感度ΔＶは、ガスの種類や温度によっても変化する。例
えば、フイラメントにＰｔを用いたときは、図２に示す
ようにＣＯガスセンサの場合では、ガス感度が１３０〜
２００℃の温度範囲で高く、また水素、エタノール、メ
タンおよびイソブタンなどの場合は、２００℃〜５００
℃の温度範囲で高い。したがって、Ｒｓには検知ガスの
種類に応じて、適用する温度範囲において高い抵抗温度
係数を有する材料を選択して使用することが必要であ
る。
ｔである。式（１）のΔＶがガス感度であり、分解能が
高い場合には数１からガス濃度も求められる。またガス
感度ΔＶは、ガスの種類や温度によっても変化する。例
えば、フイラメントにＰｔを用いたときは、図２に示す
ようにＣＯガスセンサの場合では、ガス感度が１３０〜
２００℃の温度範囲で高く、また水素、エタノール、メ
タンおよびイソブタンなどの場合は、２００℃〜５００
℃の温度範囲で高い。したがって、Ｒｓには検知ガスの
種類に応じて、適用する温度範囲において高い抵抗温度
係数を有する材料を選択して使用することが必要であ
る。
【０００６】また上述の抵抗Ｒｓに触媒を付けない場合
では、環境温度によって抵抗が変化するので、ガスセン
サの場合と同様に数１のΔＶによって精密な温度を求め
ることができる。
では、環境温度によって抵抗が変化するので、ガスセン
サの場合と同様に数１のΔＶによって精密な温度を求め
ることができる。
【０００７】以上説明したように、上述の各種センサデ
バイスにおいては、ガスや温度の検出用抵抗Ｒｓの性能
に大きく影響を受けることが分かる。従来これらの抵抗
材料には、コイルの成形性、電気的信頼性および化学的
安定性等が優れた純白金が最も多く使用されてきた。し
かし各種デバイスに必要とされる抵抗温度係数ＴＣＲが
小さく（０〜２００℃において約４０００×１０−６℃
−１）、比電気抵抗ρがかなり小さく（２０℃において
約１１μΩ・ｃｍ）、しかもビッカース硬さＨｖが小さ
い（約５０）だけでなく、価格も非常に高い等の欠点を
有する。抵抗温度係数ＴＣＲが純白金よりも大きな材料
としては純ニッケルがあるが、比電気抵抗ρが純白金と
同様に小さく（約７μΩ・ｃｍ）、しかも耐酸化性が劣
る等の欠点を有し、実用上困難である。
バイスにおいては、ガスや温度の検出用抵抗Ｒｓの性能
に大きく影響を受けることが分かる。従来これらの抵抗
材料には、コイルの成形性、電気的信頼性および化学的
安定性等が優れた純白金が最も多く使用されてきた。し
かし各種デバイスに必要とされる抵抗温度係数ＴＣＲが
小さく（０〜２００℃において約４０００×１０−６℃
−１）、比電気抵抗ρがかなり小さく（２０℃において
約１１μΩ・ｃｍ）、しかもビッカース硬さＨｖが小さ
い（約５０）だけでなく、価格も非常に高い等の欠点を
有する。抵抗温度係数ＴＣＲが純白金よりも大きな材料
としては純ニッケルがあるが、比電気抵抗ρが純白金と
同様に小さく（約７μΩ・ｃｍ）、しかも耐酸化性が劣
る等の欠点を有し、実用上困難である。
【０００８】また文献『白金族とその工業的利用』（産
業図書出版、Ｐ．４４０）によると、Ｆｅ−Ｐｄ系合金
は、１００℃以下で大きな抵抗温度係数ＴＣＲを示すこ
とから、ガスセンサや温度センサへの応用化が期待され
る。しかしこの合金系は、酸化が急速に進行して、電気
抵抗が著しく変化する欠点があった。また状態図やＦｅ
Ｐｄ３以外の高温のρ−Ｔ特性、加工性や耐酸化性等に
ついては不明な点が多い。これらの解明を困難にしてい
るのは、多分広い組成領域に化学量論的組成に存在する
ＰｄＦｅやＦｅＰｄ３などの規則相、および共晶相や中
間領域相、および磁気変態や規則−不規則変態など複雑
な状態図を持つことの他に、合金が酸化しやすいことな
どが考えられる。
業図書出版、Ｐ．４４０）によると、Ｆｅ−Ｐｄ系合金
は、１００℃以下で大きな抵抗温度係数ＴＣＲを示すこ
とから、ガスセンサや温度センサへの応用化が期待され
る。しかしこの合金系は、酸化が急速に進行して、電気
抵抗が著しく変化する欠点があった。また状態図やＦｅ
Ｐｄ３以外の高温のρ−Ｔ特性、加工性や耐酸化性等に
ついては不明な点が多い。これらの解明を困難にしてい
るのは、多分広い組成領域に化学量論的組成に存在する
ＰｄＦｅやＦｅＰｄ３などの規則相、および共晶相や中
間領域相、および磁気変態や規則−不規則変態など複雑
な状態図を持つことの他に、合金が酸化しやすいことな
どが考えられる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前述のガスセンサや温
度センサなどは、災害防止や省エネルギーなど多くの社
会的問題を解決するためにはなくてはならないものであ
るが、それらの小型化および高性能化の要求が急速に高
まっている。特に近年、毒性の強い一酸化炭素（ＣＯ）
ガスや火燃焼ガスによる事故が多発し多くの犠牲者を出
しており、社会問題化している。特に、近代化が進む
と、都市ガスや工業ガスの利用が増加することから、上
記ＣＯだけでなく水素（Ｈ２）、エタノール（Ｃ２Ｈ２
ＯＨ）、メタン（ＣＨ４）、イゾブタン（ｉＣ
４Ｈ１０）およびブタン（Ｃ４Ｈ１０）などの他に多く
の危険なガスへの対応が重要な課題となっている。
度センサなどは、災害防止や省エネルギーなど多くの社
会的問題を解決するためにはなくてはならないものであ
るが、それらの小型化および高性能化の要求が急速に高
まっている。特に近年、毒性の強い一酸化炭素（ＣＯ）
ガスや火燃焼ガスによる事故が多発し多くの犠牲者を出
しており、社会問題化している。特に、近代化が進む
と、都市ガスや工業ガスの利用が増加することから、上
記ＣＯだけでなく水素（Ｈ２）、エタノール（Ｃ２Ｈ２
ＯＨ）、メタン（ＣＨ４）、イゾブタン（ｉＣ
４Ｈ１０）およびブタン（Ｃ４Ｈ１０）などの他に多く
の危険なガスへの対応が重要な課題となっている。
【００１０】これらのガスを早期に、しかも微量な濃度
を簡単に検知し得るガスセンサとして、小型で、取り扱
いが容易で、信頼性が高く、応答性が優れて、さらに価
格が比較的安価である接触燃焼方式のガスセンサが最近
注目されてきた。
を簡単に検知し得るガスセンサとして、小型で、取り扱
いが容易で、信頼性が高く、応答性が優れて、さらに価
格が比較的安価である接触燃焼方式のガスセンサが最近
注目されてきた。
【００１１】そこで市販の純白金使用の接触燃焼方式の
ガスセンサでＣＯガスを検出してみと、ＣＯ５００ｐｐ
ｍの濃度においてΔＶは０．４６ｍＶが得られたが、こ
れ以上低い濃度では出力が小さいためにＳ／Ｎ比に劣る
欠点があった。また、他のガス、例えばイソブタンの検
出感度と比較すると約１／１０以下で非常に小さいこと
が分かった。またガス濃度に対する出力のばらつきが大
きいだけでなく、他のガスも検出することから、ガスの
選択性が極めて悪いなど、多くの欠点のあることが明ら
かになった。
ガスセンサでＣＯガスを検出してみと、ＣＯ５００ｐｐ
ｍの濃度においてΔＶは０．４６ｍＶが得られたが、こ
れ以上低い濃度では出力が小さいためにＳ／Ｎ比に劣る
欠点があった。また、他のガス、例えばイソブタンの検
出感度と比較すると約１／１０以下で非常に小さいこと
が分かった。またガス濃度に対する出力のばらつきが大
きいだけでなく、他のガスも検出することから、ガスの
選択性が極めて悪いなど、多くの欠点のあることが明ら
かになった。
【００１２】これらの原因としては、センサに組み込ま
れているガス検出用抵抗材料である純白金の電気抵抗お
よびその温度係数が小さいこと、触媒ペーストをコイル
に塗布する際に、強度が弱くコイルの変形やピッチむら
が生じて温度分布が一定にならないことなどが挙げられ
た。
れているガス検出用抵抗材料である純白金の電気抵抗お
よびその温度係数が小さいこと、触媒ペーストをコイル
に塗布する際に、強度が弱くコイルの変形やピッチむら
が生じて温度分布が一定にならないことなどが挙げられ
た。
【００１３】またガスセンサと同様に、従来の温度セン
サでは大きな出力を得るために非常に長く、しかも線径
２０μｍ以下の純白金製極細線を使用しなくてはならな
い不便もあった。
サでは大きな出力を得るために非常に長く、しかも線径
２０μｍ以下の純白金製極細線を使用しなくてはならな
い不便もあった。
【００１４】これらの問題点は、抵抗温度係数ＴＣＲが
白金よりも高いＰｄ−Ｆｅ合金を使用することで、解決
が期待された。しかし、この合金ではガスセンサや温度
センサは、動作温度が比較的高く、耐酸化性が比較的劣
ることから、センサの安定性や性能の劣化などに問題が
あった。この他にもこの合金は、冷間加工によって細線
を得ることが困難であった。
白金よりも高いＰｄ−Ｆｅ合金を使用することで、解決
が期待された。しかし、この合金ではガスセンサや温度
センサは、動作温度が比較的高く、耐酸化性が比較的劣
ることから、センサの安定性や性能の劣化などに問題が
あった。この他にもこの合金は、冷間加工によって細線
を得ることが困難であった。
【００１５】前述した接触燃焼方式のガスセンサにおい
ては、抵抗変化値ΔＲおよび抵抗温度係数ＴＣＲは次式
で与えられる。
ては、抵抗変化値ΔＲおよび抵抗温度係数ＴＣＲは次式
で与えられる。
【００１６】
【数２】
【００１７】
【数３】 ここでΔＲはガスの燃焼によるコイルの抵抗変化値、Ｒ
はセンサのコイルの抵抗値、αは触媒の種類などによっ
て決まる定数、ｍはガス濃度、Ｑはガスの分子燃焼熱お
よびＣはセンサの熱容量である。またＲＴ２およびＲ
Ｔ１は、それぞれ温度Ｔ１およびＴ２における電気抵抗
である。すなわち数３において数２のα、ｍおよびＱを
一定とすれば、抵抗温度係数ＴＣＲが大きく、しかも熱
容量Ｃが小さいほど抵抗変化値ΔＲが大きくなり、数１
のガス感度ΔＶが大きくなることが理解できる。
はセンサのコイルの抵抗値、αは触媒の種類などによっ
て決まる定数、ｍはガス濃度、Ｑはガスの分子燃焼熱お
よびＣはセンサの熱容量である。またＲＴ２およびＲ
Ｔ１は、それぞれ温度Ｔ１およびＴ２における電気抵抗
である。すなわち数３において数２のα、ｍおよびＱを
一定とすれば、抵抗温度係数ＴＣＲが大きく、しかも熱
容量Ｃが小さいほど抵抗変化値ΔＲが大きくなり、数１
のガス感度ΔＶが大きくなることが理解できる。
【００１８】また、ガスセンサや温度センサ等の小型化
に対しては、次式の熱出力性能指数のηで評価を行うこ
ともある。
に対しては、次式の熱出力性能指数のηで評価を行うこ
ともある。
【００１９】
【数４】
【００２０】これらの事柄を踏まえて、従来用いられて
いる抵抗材料の純白金やサーミスターなどについて数２
および数４における各要索毎に分類して検討した結果、
それぞれ一長一短のあることが分かった。
いる抵抗材料の純白金やサーミスターなどについて数２
および数４における各要索毎に分類して検討した結果、
それぞれ一長一短のあることが分かった。
【００２１】そこでガスセンサや温度センサ等に適した
抵抗材料の要求条件をまとめてみると、次のようにな
る。 イ、平均の抵抗温度係数ＴＣＲが大きいこと ロ、比電気抵抗ρが大きいこと ハ、熱出力性能指数ηが大きいこと ニ、電気的特性の経時変化あるいは熱ヒステリシスがな
いこと ホ、適度な硬さＨＶを有すること ヘ、化学的に安定なこと ト、酸化しにくいこと チ、加工性が良好で、極細線が得られること リ、コイルの成形および作業性が優れていること ヌ、価格が安いこと などが挙げられる。この他にも、上記イ〜ハに揚げた電
気特性のバラツキが少ないことや健全なインゴットが得
られることも重要である。
抵抗材料の要求条件をまとめてみると、次のようにな
る。 イ、平均の抵抗温度係数ＴＣＲが大きいこと ロ、比電気抵抗ρが大きいこと ハ、熱出力性能指数ηが大きいこと ニ、電気的特性の経時変化あるいは熱ヒステリシスがな
いこと ホ、適度な硬さＨＶを有すること ヘ、化学的に安定なこと ト、酸化しにくいこと チ、加工性が良好で、極細線が得られること リ、コイルの成形および作業性が優れていること ヌ、価格が安いこと などが挙げられる。この他にも、上記イ〜ハに揚げた電
気特性のバラツキが少ないことや健全なインゴットが得
られることも重要である。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の多くの
問題点を克服するために鋭意研究されたものである。そ
の結果、０〜２００℃または０〜５００℃の温度範囲に
おいて優れた電気特性を有する新規な電気抵抗合金を発
見し、また該合金と各種細線の独創的な製造技術を開発
し、さらに該合金細線を使用した高性能の各種センサデ
バイスの開発にも成功した。
問題点を克服するために鋭意研究されたものである。そ
の結果、０〜２００℃または０〜５００℃の温度範囲に
おいて優れた電気特性を有する新規な電気抵抗合金を発
見し、また該合金と各種細線の独創的な製造技術を開発
し、さらに該合金細線を使用した高性能の各種センサデ
バイスの開発にも成功した。
【００２３】すなわち本発明は、パラジウム（Ｐｄ）、
鉄（Ｆｅ）およびマンガン（Ｍｎ）を主成分として、さ
らに結晶の微細化、酸化抑制や流動性などの改善、およ
び高温における電気的特性の改善などの効果が顕著な副
成分として、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、銀
（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒ
ｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ルテ
ニウム（Ｒｕ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、
チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）ハフニウム（Ｈ
ｆ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングス
テン（Ｗ），タンタル（Ｔａ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲ
ルマニウム（Ｇｅ）、インジウム（Ｉｎ）、ベリリウム
（Ｂｅ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、銅（Ｃ
ｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）、炭素
（ｃ），ホウ素（Ｂ）および希土類元素（Ｙ、Ｓｃ，ラ
ンタン系元素）などの元素を含む新規な電気抵抗合金を
提供すると共に、本発明合金の溶解および健全なインゴ
ットの製造技術と線材の用途別に対する表面処理技術、
および本発明合金を使用した接触燃焼式ガスセンサある
いは高性能温度センサ等を提供することにある。
鉄（Ｆｅ）およびマンガン（Ｍｎ）を主成分として、さ
らに結晶の微細化、酸化抑制や流動性などの改善、およ
び高温における電気的特性の改善などの効果が顕著な副
成分として、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、銀
（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒ
ｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ルテ
ニウム（Ｒｕ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、
チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）ハフニウム（Ｈ
ｆ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングス
テン（Ｗ），タンタル（Ｔａ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲ
ルマニウム（Ｇｅ）、インジウム（Ｉｎ）、ベリリウム
（Ｂｅ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、銅（Ｃ
ｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）、炭素
（ｃ），ホウ素（Ｂ）および希土類元素（Ｙ、Ｓｃ，ラ
ンタン系元素）などの元素を含む新規な電気抵抗合金を
提供すると共に、本発明合金の溶解および健全なインゴ
ットの製造技術と線材の用途別に対する表面処理技術、
および本発明合金を使用した接触燃焼式ガスセンサある
いは高性能温度センサ等を提供することにある。
【００２４】本発明電気抵抗合金の箔材、細線およびリ
ボン等の線材の製造法は次に示す通りである。本発明合
金組成の原料を大気中、好ましくは非酸化性ガス（アル
ゴン、窒素など）、還元性ガス（水素、ヘリウムなど）
または真空中において、適当な溶解炉（高周波誘導溶解
炉、電気炉、タンマン炉、アーク溶解炉など）によって
溶解した後、該合金溶湯を適当な鋳型（金型、耐火性坩
堝など）で鋳造するか、あるいは連続凝固（ゾーンメル
ト法、タンマン−ブリッジマン法、高温鋳型法、引き上
げ法、吸い上げ法、浮遊帯域融解法等）して、所望の形
状、例えばインゴット、スラブあるいは丸棒等の素材と
なす。ついで、必要ならば、該素材を大気中、好ましく
は空気遮断状態、非酸化性ガスまたは還元性ガスなどの
雰囲気中または真空中において、６００〜１３００℃の
温度で適当な時間加熱後室温まで適当な速度で冷却す
る。その後該素材を、必要ならば鍛造などの熱間加工を
施し、さらにスエージング機、圧延機あるいは冷間線引
機等により、また必要ならば加工の中間で６００〜１３
００℃の温度で軟化焼鈍を施しながら、冷間加工、好ま
しくは２５％以上の加工率で加工を施して箔材、細線、
例えば線径１０〜１００μｍあるいはリボン等の線材と
なす。さらに、該線材を、例えば耐熱性の細いパイプを
有する適当な長さの加熱帯と冷却帯から構成された電気
炉により、大気中、好ましくは空気遮断状態、非酸化性
ガス、還元性ガスまたは真空中の６００〜１３００℃の
温度で焼鈍するか、あるいは適度な速度、例えば０．５
〜１０ｍ／ｍｉｎの速度で連続熱処理を施すことによ
り、０〜２００℃における平均の抵抗温度係数が４００
０×１０−６℃−１以上を有することを特徴とする電気
抵抗合金が得られる。
ボン等の線材の製造法は次に示す通りである。本発明合
金組成の原料を大気中、好ましくは非酸化性ガス（アル
ゴン、窒素など）、還元性ガス（水素、ヘリウムなど）
または真空中において、適当な溶解炉（高周波誘導溶解
炉、電気炉、タンマン炉、アーク溶解炉など）によって
溶解した後、該合金溶湯を適当な鋳型（金型、耐火性坩
堝など）で鋳造するか、あるいは連続凝固（ゾーンメル
ト法、タンマン−ブリッジマン法、高温鋳型法、引き上
げ法、吸い上げ法、浮遊帯域融解法等）して、所望の形
状、例えばインゴット、スラブあるいは丸棒等の素材と
なす。ついで、必要ならば、該素材を大気中、好ましく
は空気遮断状態、非酸化性ガスまたは還元性ガスなどの
雰囲気中または真空中において、６００〜１３００℃の
温度で適当な時間加熱後室温まで適当な速度で冷却す
る。その後該素材を、必要ならば鍛造などの熱間加工を
施し、さらにスエージング機、圧延機あるいは冷間線引
機等により、また必要ならば加工の中間で６００〜１３
００℃の温度で軟化焼鈍を施しながら、冷間加工、好ま
しくは２５％以上の加工率で加工を施して箔材、細線、
例えば線径１０〜１００μｍあるいはリボン等の線材と
なす。さらに、該線材を、例えば耐熱性の細いパイプを
有する適当な長さの加熱帯と冷却帯から構成された電気
炉により、大気中、好ましくは空気遮断状態、非酸化性
ガス、還元性ガスまたは真空中の６００〜１３００℃の
温度で焼鈍するか、あるいは適度な速度、例えば０．５
〜１０ｍ／ｍｉｎの速度で連続熱処理を施すことによ
り、０〜２００℃における平均の抵抗温度係数が４００
０×１０−６℃−１以上を有することを特徴とする電気
抵抗合金が得られる。
【００２５】本発明の特徴とする所は下記の点にある。 ［第１発明］原子量比にて、鉄５〜６５％、マンガン
０．００１〜２０％および副成分としてニッケル２０％
以下、コバルト２０％以下、銀２０％以下、金２０％以
下、白金２０％以下、ロジウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ルテニウム１０％
以下、クロム１０％以下、バナジウム５％以下、チタン
５％以下、ジルコニウム５％以下、ハフニウム５％以
下、モリブデン８％以下、ニオブ５％以下、タングステ
ン１０％以下、タンタル８％以下、ガリウム３％以下、
ゲルマニウム３％以下、インジウム３％以下、ベリリウ
ム３％以下、錫５％以下、アンチモン３％以下、銅５％
以下、アルミニウム５％以下、シリコン５％以下、炭素
２％以下、ホウ素２％以下および希土類元素５％以下の
１種または２種以上の合計０．００１〜２０％および残
部パラジウムと少量の不純物からなり、０〜２００℃に
おける平均の抵抗温度係数が４０００×１０−６℃−１
以上を有することを特徴とする電気抵抗合金。
０．００１〜２０％および副成分としてニッケル２０％
以下、コバルト２０％以下、銀２０％以下、金２０％以
下、白金２０％以下、ロジウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ルテニウム１０％
以下、クロム１０％以下、バナジウム５％以下、チタン
５％以下、ジルコニウム５％以下、ハフニウム５％以
下、モリブデン８％以下、ニオブ５％以下、タングステ
ン１０％以下、タンタル８％以下、ガリウム３％以下、
ゲルマニウム３％以下、インジウム３％以下、ベリリウ
ム３％以下、錫５％以下、アンチモン３％以下、銅５％
以下、アルミニウム５％以下、シリコン５％以下、炭素
２％以下、ホウ素２％以下および希土類元素５％以下の
１種または２種以上の合計０．００１〜２０％および残
部パラジウムと少量の不純物からなり、０〜２００℃に
おける平均の抵抗温度係数が４０００×１０−６℃−１
以上を有することを特徴とする電気抵抗合金。
【００２６】［第２発明］原子量比にて、鉄５〜６５
％、マンガン０．００１〜２０％、コバルト０．００１
〜２０％および副成分としてニッケル２０％以下、銀２
０％以下、金２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１
０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以
下、ルテニウム１０％以下、クロム１０％以下、バナジ
ウム５％以下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以
下、ハフニウム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ
５％以下、タングステン１０％以下、タンタル８％以
下、ガリウム３％以下、ゲルマニウム３％以下、インジ
ウム３％以下、ベリリウム３％以下、錫５％以下、アン
チモン３％以下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、
シリコン５％以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下およ
び希土類元素５％以下の１種または２種以上の合計０．
００１〜２０％および残部パラジウムと少量の不純物か
らなり、０〜２００℃における平均の抵抗温度係数が４
０００×１０−６℃−１以上を有することを特徴とする
電気抵抗合金。
％、マンガン０．００１〜２０％、コバルト０．００１
〜２０％および副成分としてニッケル２０％以下、銀２
０％以下、金２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１
０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以
下、ルテニウム１０％以下、クロム１０％以下、バナジ
ウム５％以下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以
下、ハフニウム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ
５％以下、タングステン１０％以下、タンタル８％以
下、ガリウム３％以下、ゲルマニウム３％以下、インジ
ウム３％以下、ベリリウム３％以下、錫５％以下、アン
チモン３％以下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、
シリコン５％以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下およ
び希土類元素５％以下の１種または２種以上の合計０．
００１〜２０％および残部パラジウムと少量の不純物か
らなり、０〜２００℃における平均の抵抗温度係数が４
０００×１０−６℃−１以上を有することを特徴とする
電気抵抗合金。
【００２７】［第３発明］原子量比にて、鉄５〜６５
％、マンガン０．００１〜２０％、および副成分として
ニッケル２０％以下、銀２０％以下、金２０％以下、白
金２０％以下、ロジウム１０％以下、イリジウム１０％
以下、オスミウム１０％以下、ルテニウム１０％以下、
クロム１０％以下、バナジウム５％以下、チタン５％以
下、ジルコニウム５％以下、ハフニウム５％以下、モリ
ブデン８％以下、ニオブ５％以下、タングステン１０％
以下、タンタル８％以下、ガリウム３％以下、ゲルマニ
ウム３％以下、インジウム３％以下、ベリリウム３％以
下、錫５％以下、アンチモン３％以下、銅５％以下、ア
ルミニウム５％以下、シリコン５％以下、炭素２％以
下、ホウ素２％以下および希土類元素５％以下の１種ま
たは２種以上の合計０．００１〜２０％および残部パラ
ジウムと少量の不純物からなり、０〜２００℃における
平均の抵抗温度係数が４０００×１０−６℃−１以上を
有することを特徴とする電気抵抗合金。
％、マンガン０．００１〜２０％、および副成分として
ニッケル２０％以下、銀２０％以下、金２０％以下、白
金２０％以下、ロジウム１０％以下、イリジウム１０％
以下、オスミウム１０％以下、ルテニウム１０％以下、
クロム１０％以下、バナジウム５％以下、チタン５％以
下、ジルコニウム５％以下、ハフニウム５％以下、モリ
ブデン８％以下、ニオブ５％以下、タングステン１０％
以下、タンタル８％以下、ガリウム３％以下、ゲルマニ
ウム３％以下、インジウム３％以下、ベリリウム３％以
下、錫５％以下、アンチモン３％以下、銅５％以下、ア
ルミニウム５％以下、シリコン５％以下、炭素２％以
下、ホウ素２％以下および希土類元素５％以下の１種ま
たは２種以上の合計０．００１〜２０％および残部パラ
ジウムと少量の不純物からなり、０〜２００℃における
平均の抵抗温度係数が４０００×１０−６℃−１以上を
有することを特徴とする電気抵抗合金。
【００２８】［第４発明］原子量比にて、鉄５〜６５
％、マンガン０．００１〜２０％および副成分としてニ
ッケル２０％以下、コバルト２０％以下、銀２０％以
下、金２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１０％以
下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以下、ル
テニウム１０％以下、クロム１０％以下、バナジウム５
％以下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以下、ハフ
ニウム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ５％以
下、タングステン１０％以下、タンタル８％以下、ガリ
ウム３％以下、ゲルマニウム３％以下、インジウム３％
以下、ベリリウム３％以下、錫５％以下、アンチモン３
％以下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、シリコン
５％以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下および希土類
元素５％以下の１種または２種以上の合計０．００１〜
２０％および残部パラジウムと少量の不純物からなる合
金組成の原料を、非酸化性ガス、還元性ガスあるいは真
空中において溶解した後、該合金溶湯を適当な鋳型で鋳
造するか、あるいは連続凝固して所望の形状のインゴッ
ト、スラブまたは丸棒等の素材とし、その後熱間および
冷間加工を施して、箔材、細線またはリボン等の線材と
した後、非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中で６０
０〜１３００℃の温度で焼鈍するか、あるいは適度な速
度で連続熱処理する工程よりなり、０〜２００℃におけ
る平均の抵抗温度係数が４０００×１０−６℃−１以上
を有する合金を得ることを特徴とする電気抵抗合金の製
造法。
％、マンガン０．００１〜２０％および副成分としてニ
ッケル２０％以下、コバルト２０％以下、銀２０％以
下、金２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１０％以
下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以下、ル
テニウム１０％以下、クロム１０％以下、バナジウム５
％以下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以下、ハフ
ニウム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ５％以
下、タングステン１０％以下、タンタル８％以下、ガリ
ウム３％以下、ゲルマニウム３％以下、インジウム３％
以下、ベリリウム３％以下、錫５％以下、アンチモン３
％以下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、シリコン
５％以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下および希土類
元素５％以下の１種または２種以上の合計０．００１〜
２０％および残部パラジウムと少量の不純物からなる合
金組成の原料を、非酸化性ガス、還元性ガスあるいは真
空中において溶解した後、該合金溶湯を適当な鋳型で鋳
造するか、あるいは連続凝固して所望の形状のインゴッ
ト、スラブまたは丸棒等の素材とし、その後熱間および
冷間加工を施して、箔材、細線またはリボン等の線材と
した後、非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中で６０
０〜１３００℃の温度で焼鈍するか、あるいは適度な速
度で連続熱処理する工程よりなり、０〜２００℃におけ
る平均の抵抗温度係数が４０００×１０−６℃−１以上
を有する合金を得ることを特徴とする電気抵抗合金の製
造法。
【００２９】［第５発明］原子量比にて、鉄５〜６５
％、マンガン０．００１〜２０％、コバルト０．００１
〜２０％および副成分としてニッケル２０％以下、銀２
０％以下、金２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１
０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以
下、ルテニウム１０％以下、クロム１０％以下、バナジ
ウム５％以下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以
下、ハフニウム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ
５％以下、タングステン１０％以下、タンタル８％以
下、ガリウム３％以下、ゲルマニウム３％以下、インジ
ウム３％以下、ベリリウム３％以下、錫５％以下、アン
チモン３％以下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、
シリコン５％以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下およ
び希土類元素５％以下の１種または２種以上の合計０．
００１〜２０％および残部パラジウムと少量の不純物か
らなる合金組成の原料を、非酸化性ガス、還元性ガスあ
るいは真空中において溶解した後、該合金溶湯を適当な
鋳型で鋳造するか、あるいは連続凝固して所望の形状の
インゴット、スラブまたは丸棒等の素材とし、その後熱
問および冷間加工を施して、箔材、細線あるいはリボン
等の線材とした後非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空
中で６００〜１３００℃の温度で焼鈍するか、あるいは
適度な速度で連続熱処理する工程よりなり、０〜２００
℃における平均の抵抗温度係数が４０００×１０−６℃
−１以上を有する合金を得ることを特徴とする電気抵抗
合金の製造法。
％、マンガン０．００１〜２０％、コバルト０．００１
〜２０％および副成分としてニッケル２０％以下、銀２
０％以下、金２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１
０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以
下、ルテニウム１０％以下、クロム１０％以下、バナジ
ウム５％以下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以
下、ハフニウム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ
５％以下、タングステン１０％以下、タンタル８％以
下、ガリウム３％以下、ゲルマニウム３％以下、インジ
ウム３％以下、ベリリウム３％以下、錫５％以下、アン
チモン３％以下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、
シリコン５％以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下およ
び希土類元素５％以下の１種または２種以上の合計０．
００１〜２０％および残部パラジウムと少量の不純物か
らなる合金組成の原料を、非酸化性ガス、還元性ガスあ
るいは真空中において溶解した後、該合金溶湯を適当な
鋳型で鋳造するか、あるいは連続凝固して所望の形状の
インゴット、スラブまたは丸棒等の素材とし、その後熱
問および冷間加工を施して、箔材、細線あるいはリボン
等の線材とした後非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空
中で６００〜１３００℃の温度で焼鈍するか、あるいは
適度な速度で連続熱処理する工程よりなり、０〜２００
℃における平均の抵抗温度係数が４０００×１０−６℃
−１以上を有する合金を得ることを特徴とする電気抵抗
合金の製造法。
【００３０】［第６発明］原子量比にて、鉄５〜６５
％、マンガン０．００１〜２０％および副成分としてニ
ッケル２０％以下、銀２０％以下、金２０％以下、白金
２０％以下、ロジウム１０％以下、イリジウム１０％以
下、オスミウム１０％以下、ルテニウム１０％以下、ク
ロム１０％以下、バナジウム５％以下、チタン５％以
下、ジルコニウム５％以下、ハフニウム５％以下、モリ
ブデン８％以下、ニオブ５％以下、タングステン１０％
以下、タンタル８％以下、ガリウム３％以下、ゲルマニ
ウム３％以下、インジウム３％以下、ベリリウム３％以
下、錫５％以下、アンチモン３％以下、銅５％以下、ア
ルミニウム５％以下、シリコン５％以下、炭素２％以
下、ホウ素２％以下および希土類元素５％以下の１種ま
たは２種以上の合計０．００１〜２０％および残部パラ
ジウムと少量の不純物からなる合金組成の原料を、非酸
化性ガス、還元性ガスまたは真空中において溶解した
後、該合金溶湯を適当な鋳型で鋳造するか、あるいは連
続凝固して所望の形状のインゴット、スラブあるいは丸
棒等の索材とし、その後熱間および冷間加工を施して、
箔材、細線またはリボン等の線材とした後、非酸化性ガ
ス、還元性ガスまたは真空中で６００〜１３００℃の温
度で焼鈍するか、あるいは適度な速度で連続熱処理する
工程よりなり、０〜２００℃における平均の抵抗温度係
数が４０００×１０−６℃−１以上を有する合金を得る
ことを特徴とする電気抵抗合金の製造法。
％、マンガン０．００１〜２０％および副成分としてニ
ッケル２０％以下、銀２０％以下、金２０％以下、白金
２０％以下、ロジウム１０％以下、イリジウム１０％以
下、オスミウム１０％以下、ルテニウム１０％以下、ク
ロム１０％以下、バナジウム５％以下、チタン５％以
下、ジルコニウム５％以下、ハフニウム５％以下、モリ
ブデン８％以下、ニオブ５％以下、タングステン１０％
以下、タンタル８％以下、ガリウム３％以下、ゲルマニ
ウム３％以下、インジウム３％以下、ベリリウム３％以
下、錫５％以下、アンチモン３％以下、銅５％以下、ア
ルミニウム５％以下、シリコン５％以下、炭素２％以
下、ホウ素２％以下および希土類元素５％以下の１種ま
たは２種以上の合計０．００１〜２０％および残部パラ
ジウムと少量の不純物からなる合金組成の原料を、非酸
化性ガス、還元性ガスまたは真空中において溶解した
後、該合金溶湯を適当な鋳型で鋳造するか、あるいは連
続凝固して所望の形状のインゴット、スラブあるいは丸
棒等の索材とし、その後熱間および冷間加工を施して、
箔材、細線またはリボン等の線材とした後、非酸化性ガ
ス、還元性ガスまたは真空中で６００〜１３００℃の温
度で焼鈍するか、あるいは適度な速度で連続熱処理する
工程よりなり、０〜２００℃における平均の抵抗温度係
数が４０００×１０−６℃−１以上を有する合金を得る
ことを特徴とする電気抵抗合金の製造法。
【００３１】［第７発明］原子量比にて、鉄５〜６５
％、マンガン０．００１〜２０％および副成分として、
ニッケル２０％以下、コバルト２０％以下、銀２０％以
下、金２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１０％以
下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以下、ル
テニウム１０％以下、クロム１０％以下、バナジウム５
％以下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以下、ハフ
ニウム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ５％以
下、タングステン１０％以下、タンタル８％以下、ガリ
ウム３％以下、ゲルマニウム３％以下、インジウム３％
以下、ベリリウム３％以下、錫５％以下、アンチモン３
％以下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、シリコン
５％以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下および希土類
元素５％以下の１種または２種以上の合計０．００１〜
２０％および残部パラジウムと少量の不純物からなり、
０〜２００℃における平均の抵抗温度係数が４０００×
１０−６℃−１以上を有する電気抵抗合金よりなる接触
燃焼式ガスセンサ。
％、マンガン０．００１〜２０％および副成分として、
ニッケル２０％以下、コバルト２０％以下、銀２０％以
下、金２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１０％以
下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以下、ル
テニウム１０％以下、クロム１０％以下、バナジウム５
％以下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以下、ハフ
ニウム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ５％以
下、タングステン１０％以下、タンタル８％以下、ガリ
ウム３％以下、ゲルマニウム３％以下、インジウム３％
以下、ベリリウム３％以下、錫５％以下、アンチモン３
％以下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、シリコン
５％以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下および希土類
元素５％以下の１種または２種以上の合計０．００１〜
２０％および残部パラジウムと少量の不純物からなり、
０〜２００℃における平均の抵抗温度係数が４０００×
１０−６℃−１以上を有する電気抵抗合金よりなる接触
燃焼式ガスセンサ。
【００３２】［第８発明］原子量比にて、鉄５〜６５
％、マンガン０．００１〜２０％、コバルト０．００１
〜２０％および副成分としてニッケル２０％以下、銀２
０％以下、金２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１
０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以
下、ルテニウム１０％以下、クロム１０％以下、バナジ
ウム５％以下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以
下、ハフニウム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ
５％以下、タングステン１０％以下、タンタル８％以
下、ガリウム３％以下、ゲルマニウム３％以下、インジ
ウム３％以下、ベリリウム３％以下、錫５％以下、アン
チモン３％以下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、
シリコン５％以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下およ
び希土類元素５％以下の１種または２種以上の合計０．
００１〜２０％および残部パラジウムと少量の不純物か
らなり、０〜２００℃における平均の抵抗温度係数が４
０００×１０−６℃−１以上を有する電気抵抗合金より
なる接触燃焼式ガスセンサ。
％、マンガン０．００１〜２０％、コバルト０．００１
〜２０％および副成分としてニッケル２０％以下、銀２
０％以下、金２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１
０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以
下、ルテニウム１０％以下、クロム１０％以下、バナジ
ウム５％以下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以
下、ハフニウム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ
５％以下、タングステン１０％以下、タンタル８％以
下、ガリウム３％以下、ゲルマニウム３％以下、インジ
ウム３％以下、ベリリウム３％以下、錫５％以下、アン
チモン３％以下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、
シリコン５％以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下およ
び希土類元素５％以下の１種または２種以上の合計０．
００１〜２０％および残部パラジウムと少量の不純物か
らなり、０〜２００℃における平均の抵抗温度係数が４
０００×１０−６℃−１以上を有する電気抵抗合金より
なる接触燃焼式ガスセンサ。
【００３３】［第９発明］原子量比にて、鉄５〜６５
％、マンガン０．００１〜２０％、および副成分として
ニッケル２０％以下、銀２０％以下、金２０％以下、白
金２０％以下、ロジウム１０％以下、イリジウム１０％
以下、オスミウム１０％以下、ルテニウム１０％以下、
クロム１０％以下、バナジウム５％以下、チタン５％以
下、ジルコニウム５％以下、ハフニウム５％以下、モリ
ブデン８％以下、ニオブ５％以下、タングステン１０％
以下、タンタル８％以下、ガリウム３％以下、ゲルマニ
ウム３％以下、インジウム３％以下、ベリリウム３％以
下、錫５％以下、アンチモン３％以下、銅５％以下、ア
ルミニウム５％以下、シリコン５％以下、炭素２％以
下、ホウ素２％以下および希土類元素５％以下の１種ま
たは２種以上の合計０．００１〜２０％および残部パラ
ジウムと少量の不純物からなり、０〜２００℃における
平均の抵抗温度係数が４０００×１０−６℃−１以上を
有する電気抵抗合金よりなる接触燃焼式ガスセンサ。
％、マンガン０．００１〜２０％、および副成分として
ニッケル２０％以下、銀２０％以下、金２０％以下、白
金２０％以下、ロジウム１０％以下、イリジウム１０％
以下、オスミウム１０％以下、ルテニウム１０％以下、
クロム１０％以下、バナジウム５％以下、チタン５％以
下、ジルコニウム５％以下、ハフニウム５％以下、モリ
ブデン８％以下、ニオブ５％以下、タングステン１０％
以下、タンタル８％以下、ガリウム３％以下、ゲルマニ
ウム３％以下、インジウム３％以下、ベリリウム３％以
下、錫５％以下、アンチモン３％以下、銅５％以下、ア
ルミニウム５％以下、シリコン５％以下、炭素２％以
下、ホウ素２％以下および希土類元素５％以下の１種ま
たは２種以上の合計０．００１〜２０％および残部パラ
ジウムと少量の不純物からなり、０〜２００℃における
平均の抵抗温度係数が４０００×１０−６℃−１以上を
有する電気抵抗合金よりなる接触燃焼式ガスセンサ。
【００３４】［第１０発明］原子量比にて、鉄５〜６５
％、マンガン０．００１〜２０％、および副成分として
ニッケル２０％以下、コバルト２０％以下、銀２０％以
下、金２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１０％以
下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以下、ル
テニウム１０％以下、クロム１０％以下、バナジウム５
％以下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以下、ハフ
ニウム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ５％以
下、タングステン１０％以下、タンタル８％以下、ガリ
ウム３％以下、ゲルマニウム３％以下、インジウム３％
以下、ベリリウム３％以下、錫５％以下、アンチモン３
％以下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、シリコン
５％以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下および希土類
元素５％以下の１種または２種以上の合計０．００１〜
２０％および残部パラジウムと少量の不純物からなる合
金組成の原料を、非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空
中において溶解した後、該合金溶湯を適当な鋳型で鋳造
するか、あるいは連続凝固して所望の形状のインゴッ
ト、スラブまたは丸棒等の索材とし、その後熱間および
冷間加工を施して、箔材、細線あるいはリボン等の線材
とした後、非酸化性ガス、還元性ガスあるいは真空中で
６００〜１３００℃の温度で焼鈍するか、あるいは適度
な速度で連続熱処理して０〜２００℃における平均の抵
抗温度係数が４０００×１０−６℃−１以上を有する合
金を得る製造法で得られた電気抵抗合金の箔材および線
材をそのままか、あるいは該箔材または該線材に電着、
蒸着、イオンプレーテイングまたはスパッタリングなど
の適当な方法で、樹脂系被膜、金属系被膜または非金属
系被膜等を所望の厚さにコーティングを施して、被膜箔
材または被膜線材となし、ついで該箔材、該線材、該被
膜箔材および該被膜線材をそのままで電極に取り付けて
ガスセンサを構成するか、あるいは所望の形状のコイル
に成形した後、該コイルを電極兼ステムに適当な方法で
固定し、ついで一方のコイルには、ガス活性能を有する
触媒を、また他方のコイルには絶縁体を、それぞれ形成
したことを特徴とする接触燃焼式ガスセンサ。
％、マンガン０．００１〜２０％、および副成分として
ニッケル２０％以下、コバルト２０％以下、銀２０％以
下、金２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１０％以
下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以下、ル
テニウム１０％以下、クロム１０％以下、バナジウム５
％以下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以下、ハフ
ニウム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ５％以
下、タングステン１０％以下、タンタル８％以下、ガリ
ウム３％以下、ゲルマニウム３％以下、インジウム３％
以下、ベリリウム３％以下、錫５％以下、アンチモン３
％以下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、シリコン
５％以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下および希土類
元素５％以下の１種または２種以上の合計０．００１〜
２０％および残部パラジウムと少量の不純物からなる合
金組成の原料を、非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空
中において溶解した後、該合金溶湯を適当な鋳型で鋳造
するか、あるいは連続凝固して所望の形状のインゴッ
ト、スラブまたは丸棒等の索材とし、その後熱間および
冷間加工を施して、箔材、細線あるいはリボン等の線材
とした後、非酸化性ガス、還元性ガスあるいは真空中で
６００〜１３００℃の温度で焼鈍するか、あるいは適度
な速度で連続熱処理して０〜２００℃における平均の抵
抗温度係数が４０００×１０−６℃−１以上を有する合
金を得る製造法で得られた電気抵抗合金の箔材および線
材をそのままか、あるいは該箔材または該線材に電着、
蒸着、イオンプレーテイングまたはスパッタリングなど
の適当な方法で、樹脂系被膜、金属系被膜または非金属
系被膜等を所望の厚さにコーティングを施して、被膜箔
材または被膜線材となし、ついで該箔材、該線材、該被
膜箔材および該被膜線材をそのままで電極に取り付けて
ガスセンサを構成するか、あるいは所望の形状のコイル
に成形した後、該コイルを電極兼ステムに適当な方法で
固定し、ついで一方のコイルには、ガス活性能を有する
触媒を、また他方のコイルには絶縁体を、それぞれ形成
したことを特徴とする接触燃焼式ガスセンサ。
【００３５】［第１１発明］原子量比にて、鉄５〜６５
％、マンガン０．００１〜２０％、コバルト０．００１
〜２０％および副成分としてニッケル２０％以下、銀２
０％以下、金２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１
０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以
下、ルテニウム１０％以下、クロム１０％以下、バナジ
ウム５％以下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以
下、ハフニウム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ
５％以下、タングステン１０％以下、タンタル８％以
下、ガリウム３％以下、ゲルマニウム３％以下、インジ
ウム３％以下、ベリリウム３％以下、錫５％以下、アン
チモン３％以下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、
シリコン５％以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下およ
び希土類元素５％以下の１種または２種以上の合計０．
００１〜２０％および残部パラジウムと少量の不純物か
らなる合金組成の原料を、非酸化性ガス、還元性ガスま
たは真空中において溶解した後、該合金溶湯を適当な鋳
型で鋳造するか、あるいは連続凝固して所望の形状のイ
ンゴット、スラブまたは丸棒等の素材とし、その後熱間
および冷間加工を施して、箔材、細線またはリボン等の
線材とした後、非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中
で６００〜１３００℃の温度で焼鈍するか、あるいは適
度な速度で連続熱処理して０〜２００℃における平均の
抵抗温度係数が４０００×１０−６℃−１以上を有する
合金を得る製造法で得られた電気抵抗合金の箔材または
線材をそのままか、あるいは該箔材または該線材に電
着、蒸着、イオンプレーティングまたはスパッタリング
などの適当な方法で、樹脂系被膜、金属系被膜または非
金属系被膜等を所望の厚さにコーテイングを施して、被
膜箔材または被膜線材となし、ついで該箔材、該線材、
該被膜箔材および該被膜線材をそのままで電極に取り付
けてガスセンサを構成するか、あるいは所望の形状のコ
イルに成形した後、該コイルを電極兼ステムに適当な方
法で固定し、ついで一方のコイルには、ガス活性能を有
する触媒を、また他方のコイルには絶縁体を、それぞれ
形成したことを特徴とする接触燃焼式ガスセンサ。
％、マンガン０．００１〜２０％、コバルト０．００１
〜２０％および副成分としてニッケル２０％以下、銀２
０％以下、金２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１
０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以
下、ルテニウム１０％以下、クロム１０％以下、バナジ
ウム５％以下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以
下、ハフニウム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ
５％以下、タングステン１０％以下、タンタル８％以
下、ガリウム３％以下、ゲルマニウム３％以下、インジ
ウム３％以下、ベリリウム３％以下、錫５％以下、アン
チモン３％以下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、
シリコン５％以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下およ
び希土類元素５％以下の１種または２種以上の合計０．
００１〜２０％および残部パラジウムと少量の不純物か
らなる合金組成の原料を、非酸化性ガス、還元性ガスま
たは真空中において溶解した後、該合金溶湯を適当な鋳
型で鋳造するか、あるいは連続凝固して所望の形状のイ
ンゴット、スラブまたは丸棒等の素材とし、その後熱間
および冷間加工を施して、箔材、細線またはリボン等の
線材とした後、非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中
で６００〜１３００℃の温度で焼鈍するか、あるいは適
度な速度で連続熱処理して０〜２００℃における平均の
抵抗温度係数が４０００×１０−６℃−１以上を有する
合金を得る製造法で得られた電気抵抗合金の箔材または
線材をそのままか、あるいは該箔材または該線材に電
着、蒸着、イオンプレーティングまたはスパッタリング
などの適当な方法で、樹脂系被膜、金属系被膜または非
金属系被膜等を所望の厚さにコーテイングを施して、被
膜箔材または被膜線材となし、ついで該箔材、該線材、
該被膜箔材および該被膜線材をそのままで電極に取り付
けてガスセンサを構成するか、あるいは所望の形状のコ
イルに成形した後、該コイルを電極兼ステムに適当な方
法で固定し、ついで一方のコイルには、ガス活性能を有
する触媒を、また他方のコイルには絶縁体を、それぞれ
形成したことを特徴とする接触燃焼式ガスセンサ。
【００３６】［第１２発明］原子量比にて、鉄５〜６５
％、マンガン０．００１〜２０％、コバルト０．００１
〜２０％および副成分としてニッケル２０％以下、銀２
０％以下、金２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１
０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以
下、ルテニウム１０％以下、クロム１０％以下、バナジ
ウム５％以下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以
下、ハフニウム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ
５％以下、タングステン１０％以下、タンタル８％以
下、ガリウム３％以下、ゲルマニウム３％以下、インジ
ウム３％以下、ベリリウム３％以下、錫５％以下、アン
チモン３％以下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、
シリコン５％以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下およ
び希土類元素５％以下の１種または２種以上の合計０．
００１〜２０％および残部パラジウムと少量の不純物か
らなる合金組成の原料を、非酸化性ガス、還元性ガスま
たは真空中において溶解した後、該合金溶湯を適当な鋳
型で鋳造するか、あるいは連続凝固して所望の形状のイ
ンゴット、スラブまたは丸棒等の素材とし、その後熱間
および冷間加工を施して、箔材、細線またはリボン等の
線材とした後、非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中
で６００〜１３００℃の温度で焼鈍するか、あるいは適
度な速度で連続熱処理して０〜２００℃における平均の
抵抗温度係数が４０００×１０−６℃−１以上を有する
合金を得る製造法で得られた電気抵抗合金の箔材または
線材をそのままか、あるいは該箔材または該線材に電
着、蒸着、イオンプレーティングまたはスパッタリング
などの適当な方法で、樹脂系被膜、金属系被膜または非
金属系被膜等を所望の厚さにコーティングを施して、被
膜箔材または被膜線材となし、ついで該箔材、該線材、
該被膜箔材および該被膜線材をそのままで電極に取り付
けてガスセンサを構成するか、あるいは所望の形状のコ
イルに成形した後、該コイルを電極兼ステムに適当な方
法で固定し、ついで一方のコイルには、ガス活性能を有
する触媒を、また他方のコイルには絶縁体を、それぞれ
形成したことを特徴とする接触燃焼式ガスセンサ。
％、マンガン０．００１〜２０％、コバルト０．００１
〜２０％および副成分としてニッケル２０％以下、銀２
０％以下、金２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１
０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以
下、ルテニウム１０％以下、クロム１０％以下、バナジ
ウム５％以下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以
下、ハフニウム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ
５％以下、タングステン１０％以下、タンタル８％以
下、ガリウム３％以下、ゲルマニウム３％以下、インジ
ウム３％以下、ベリリウム３％以下、錫５％以下、アン
チモン３％以下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、
シリコン５％以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下およ
び希土類元素５％以下の１種または２種以上の合計０．
００１〜２０％および残部パラジウムと少量の不純物か
らなる合金組成の原料を、非酸化性ガス、還元性ガスま
たは真空中において溶解した後、該合金溶湯を適当な鋳
型で鋳造するか、あるいは連続凝固して所望の形状のイ
ンゴット、スラブまたは丸棒等の素材とし、その後熱間
および冷間加工を施して、箔材、細線またはリボン等の
線材とした後、非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中
で６００〜１３００℃の温度で焼鈍するか、あるいは適
度な速度で連続熱処理して０〜２００℃における平均の
抵抗温度係数が４０００×１０−６℃−１以上を有する
合金を得る製造法で得られた電気抵抗合金の箔材または
線材をそのままか、あるいは該箔材または該線材に電
着、蒸着、イオンプレーティングまたはスパッタリング
などの適当な方法で、樹脂系被膜、金属系被膜または非
金属系被膜等を所望の厚さにコーティングを施して、被
膜箔材または被膜線材となし、ついで該箔材、該線材、
該被膜箔材および該被膜線材をそのままで電極に取り付
けてガスセンサを構成するか、あるいは所望の形状のコ
イルに成形した後、該コイルを電極兼ステムに適当な方
法で固定し、ついで一方のコイルには、ガス活性能を有
する触媒を、また他方のコイルには絶縁体を、それぞれ
形成したことを特徴とする接触燃焼式ガスセンサ。
【００３７】［第１３発明］原子量比にて、鉄５〜６５
％、マンガン０．００１〜２０％および副成分としてニ
ッケル２０％以下、コバルト２０％以下、銀２０％以
下、金２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１０％以
下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以下、ル
テニウム１０％以下、クロム１０％以下、バナジウム５
％以下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以下、ハフ
ニウム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ５％以
下、タングステン１０％以下、タンタル８％以下、ガリ
ウム３％以下、ゲルマニウム３％以下、インジウム３％
以下、ベリリウム３％以下、錫５％以下、アンチモン３
％以下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、シリコン
５％以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下および希土類
元素５％以下の１種または２種以上の合計０．００１〜
２０％および残部パラジウムと少量の不純物からなり、
０〜２００℃における平均の抵抗温度係数が４０００×
１０−６℃−１以上を有する電気抵抗合金を、電気絶縁
物表面に電着、蒸着、イオンプレーティングまたはスパ
ッタリングより選択された適当な方法により被膜形成し
た後、所望の形状に打ち抜き、フォトエッチングあるい
はトリミング加工を施し、ついで非酸化性ガス、還元性
ガスまたは真空中で熱処理を施すか、あるいは適度な速
度で連続熱処理を施し、さらに電極を形成してなること
を特徴とする抵抗変化型高性能温度センサ。
％、マンガン０．００１〜２０％および副成分としてニ
ッケル２０％以下、コバルト２０％以下、銀２０％以
下、金２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１０％以
下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以下、ル
テニウム１０％以下、クロム１０％以下、バナジウム５
％以下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以下、ハフ
ニウム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ５％以
下、タングステン１０％以下、タンタル８％以下、ガリ
ウム３％以下、ゲルマニウム３％以下、インジウム３％
以下、ベリリウム３％以下、錫５％以下、アンチモン３
％以下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、シリコン
５％以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下および希土類
元素５％以下の１種または２種以上の合計０．００１〜
２０％および残部パラジウムと少量の不純物からなり、
０〜２００℃における平均の抵抗温度係数が４０００×
１０−６℃−１以上を有する電気抵抗合金を、電気絶縁
物表面に電着、蒸着、イオンプレーティングまたはスパ
ッタリングより選択された適当な方法により被膜形成し
た後、所望の形状に打ち抜き、フォトエッチングあるい
はトリミング加工を施し、ついで非酸化性ガス、還元性
ガスまたは真空中で熱処理を施すか、あるいは適度な速
度で連続熱処理を施し、さらに電極を形成してなること
を特徴とする抵抗変化型高性能温度センサ。
【００３８】［第１４発明］原子量比にて、鉄５〜６５
％、マンガン０．００１〜２０％、コバルト０．００１
〜２０％および副成分としてニッケル２０％以下、銀２
０％以下、金２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１
０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以
下、ルテニウム１０％以下、クロム１０％以下、バナジ
ウム５％以下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以
下、ハフニウム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ
５％以下、タングステン１０％以下、タンタル８％以
下、ガリウム３％以下、ゲルマニウム３％以下、インジ
ウム３％以下、ベリリウム３％以下、錫５％以下、アン
チモン３％以下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、
シリコン５％以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下およ
び希土類元素５％以下の１種または２種以上の合計０．
００１〜２０％および残部パラジウムと少量の不純物か
らなり、０〜２００℃における平均の抵抗温度係数が４
０００×１０−６℃−１以上を有する電気抵抗合金を電
気絶縁物表面に電着、蒸着、イオンプレーティングまた
はスパッタリング等適当な方法によって被膜形成した
後、所望の形状に打ち抜き、フォトエッチングまたはト
リミング加工を施し、ついで非酸化性ガス、還元性ガス
または真空中で熱処理を施すか、あるいは適度な速度で
連続熱処理を施し、さらに電極を形成してなることを特
徴とする抵抗変化型高性能温度センサ。
％、マンガン０．００１〜２０％、コバルト０．００１
〜２０％および副成分としてニッケル２０％以下、銀２
０％以下、金２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１
０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以
下、ルテニウム１０％以下、クロム１０％以下、バナジ
ウム５％以下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以
下、ハフニウム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ
５％以下、タングステン１０％以下、タンタル８％以
下、ガリウム３％以下、ゲルマニウム３％以下、インジ
ウム３％以下、ベリリウム３％以下、錫５％以下、アン
チモン３％以下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、
シリコン５％以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下およ
び希土類元素５％以下の１種または２種以上の合計０．
００１〜２０％および残部パラジウムと少量の不純物か
らなり、０〜２００℃における平均の抵抗温度係数が４
０００×１０−６℃−１以上を有する電気抵抗合金を電
気絶縁物表面に電着、蒸着、イオンプレーティングまた
はスパッタリング等適当な方法によって被膜形成した
後、所望の形状に打ち抜き、フォトエッチングまたはト
リミング加工を施し、ついで非酸化性ガス、還元性ガス
または真空中で熱処理を施すか、あるいは適度な速度で
連続熱処理を施し、さらに電極を形成してなることを特
徴とする抵抗変化型高性能温度センサ。
【００３９】［第１５発明］原子量比にて、鉄５〜６５
％、マンガン０．００１〜２０％および副成分としてニ
ッケル２０％以下、銀２０％以下、金２０％以下、白金
２０％以下、ロジウム１０％以下、イリジウム１０％以
下、オスミウム１０％以下、ルテニウム１０％以下、ク
ロム１０％以下、バナジウム５％以下、チタン５％以
下、ジルコニウム５％以下、ハフニウム５％以下、モリ
ブデン８％以下、ニオブ５％以下、タングステン１０％
以下、タンタル８％以下、ガリウム３％以下、ゲルマニ
ウム３％以下、インジウム３％以下、ベリリウム３％以
下、錫５％以下、アンチモン３％以下、銅５％以下、ア
ルミニウム５％以下、シリコン５％以下、炭素２％以
下、ホウ素２％以下および希土類元素５％以下の１種ま
たは２種以上の合計０．００１〜２０％および残部パラ
ジウムと少量の不純物からなり、０〜２００℃における
平均の抵抗温度係数が４０００×１０−６℃−１以上を
有する電気抵抗合金を電気絶縁物表面に電着、蒸着、イ
オンプレーティングまたはスパッタリング等適当な方法
によって被膜形成した後、所望の形状に打ち抜き、フォ
トエッチングまたはトリミング加工を施し、ついで非酸
化性ガス、還元性ガスまたは真空中で熱処理を施すか、
あるいは適度な速度で連続熱処理を施し、さらに電極を
形成してなることを特徴とする抵抗変化型高性能温度セ
ンサ。
％、マンガン０．００１〜２０％および副成分としてニ
ッケル２０％以下、銀２０％以下、金２０％以下、白金
２０％以下、ロジウム１０％以下、イリジウム１０％以
下、オスミウム１０％以下、ルテニウム１０％以下、ク
ロム１０％以下、バナジウム５％以下、チタン５％以
下、ジルコニウム５％以下、ハフニウム５％以下、モリ
ブデン８％以下、ニオブ５％以下、タングステン１０％
以下、タンタル８％以下、ガリウム３％以下、ゲルマニ
ウム３％以下、インジウム３％以下、ベリリウム３％以
下、錫５％以下、アンチモン３％以下、銅５％以下、ア
ルミニウム５％以下、シリコン５％以下、炭素２％以
下、ホウ素２％以下および希土類元素５％以下の１種ま
たは２種以上の合計０．００１〜２０％および残部パラ
ジウムと少量の不純物からなり、０〜２００℃における
平均の抵抗温度係数が４０００×１０−６℃−１以上を
有する電気抵抗合金を電気絶縁物表面に電着、蒸着、イ
オンプレーティングまたはスパッタリング等適当な方法
によって被膜形成した後、所望の形状に打ち抜き、フォ
トエッチングまたはトリミング加工を施し、ついで非酸
化性ガス、還元性ガスまたは真空中で熱処理を施すか、
あるいは適度な速度で連続熱処理を施し、さらに電極を
形成してなることを特徴とする抵抗変化型高性能温度セ
ンサ。
【００４０】［第１６発明］ガスの種類が、一酸化炭
素、水素、エタノール、メタン、イソプタンまたはプタ
ンの各種ガスのうち何れかからなる請求項７ないし１２
のいずれか１項に記載の接触燃焼式ガスセンサ。
素、水素、エタノール、メタン、イソプタンまたはプタ
ンの各種ガスのうち何れかからなる請求項７ないし１２
のいずれか１項に記載の接触燃焼式ガスセンサ。
【００４１】［第１７発明］ガスの種類が一酸化炭素、
水素、エタノール、メタン、イソブタンまたはブタンの
各種ガスのうち何れかからなり、触媒がＰｔブラック、
ＰｄＯ，Ａｌ２Ｏ３，Ｃｕ２Ｏ，ＺｎＯ，ＭｎＯ２，Ｓ
ｍ２Ｏ３，Ｒｈ２Ｏ３の何れか１種または２種以上を成
分として含有した組成物からなり、絶縁体がＮｉ
２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，ＣｕＯ，Ｃｒ２Ｏ３，ＴｉＯ２の
何れか１種または２種以上を成分として含有した組成物
からなる請求項７ないし１２のいずれか１項に記載の接
触燃焼式ガスセンサ。
水素、エタノール、メタン、イソブタンまたはブタンの
各種ガスのうち何れかからなり、触媒がＰｔブラック、
ＰｄＯ，Ａｌ２Ｏ３，Ｃｕ２Ｏ，ＺｎＯ，ＭｎＯ２，Ｓ
ｍ２Ｏ３，Ｒｈ２Ｏ３の何れか１種または２種以上を成
分として含有した組成物からなり、絶縁体がＮｉ
２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，ＣｕＯ，Ｃｒ２Ｏ３，ＴｉＯ２の
何れか１種または２種以上を成分として含有した組成物
からなる請求項７ないし１２のいずれか１項に記載の接
触燃焼式ガスセンサ。
【００４２】［第１８発明］ガスの種類が、一酸化炭索
ガスからなる請求項７ないし１２のいずれか１項に記載
の接触燃焼式ガスセンサ。
ガスからなる請求項７ないし１２のいずれか１項に記載
の接触燃焼式ガスセンサ。
【００４３】［第１９発明］ガスの種類が一酸化炭素ガ
スからなり、触媒がＰｔブラック、ＰｄＯ，Ａｌ
２Ｏ３，Ｃｕ２Ｏ，ＺｎＯ，ＭｎＯ２，Ｓｍ２Ｏ３，Ｒ
ｈ２Ｏ３の何れか１種または２種以上を成分として含有
した組成物からなり、絶縁体がＮｉ２Ｏ３，Ａｌ
２Ｏ３，ＣｕＯ，Ｃｒ２Ｏ３，ＴｉＯ２の何れか１種ま
たは２種以上を成分として含有した組成物からなる請求
項７ないし１２のいずれか１項に記載の接触燃焼式ガス
センサ。
スからなり、触媒がＰｔブラック、ＰｄＯ，Ａｌ
２Ｏ３，Ｃｕ２Ｏ，ＺｎＯ，ＭｎＯ２，Ｓｍ２Ｏ３，Ｒ
ｈ２Ｏ３の何れか１種または２種以上を成分として含有
した組成物からなり、絶縁体がＮｉ２Ｏ３，Ａｌ
２Ｏ３，ＣｕＯ，Ｃｒ２Ｏ３，ＴｉＯ２の何れか１種ま
たは２種以上を成分として含有した組成物からなる請求
項７ないし１２のいずれか１項に記載の接触燃焼式ガス
センサ。
【００４４】［第２０発明］ガスの種類が、水素ガスか
らなる請求項７ないし１２のいずれか１項に記載の接触
燃焼式ガスセンサ。
らなる請求項７ないし１２のいずれか１項に記載の接触
燃焼式ガスセンサ。
【００４５】［第２１発明］ガスの種類が水素ガスから
なり、触媒がＰｔブラック、ＰｄＯ，Ａｌ２Ｏ３，Ｃｕ
２Ｏ，ＺｎＯ，ＭｎＯ２，Ｓｍ２Ｏ３，Ｒｈ２Ｏ３の何
れか１種または２種以上を成分として含有した組成物か
らなり、絶縁体がＮｉ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，ＣｕＯ，Ｃ
ｒ２Ｏ３，ＴｉＯ２の何れか１種または２種以上を成分
として含有した組成物からなる請求項７ないし１２のい
ずれか１項に記載の接触燃焼式ガスセンサ。
なり、触媒がＰｔブラック、ＰｄＯ，Ａｌ２Ｏ３，Ｃｕ
２Ｏ，ＺｎＯ，ＭｎＯ２，Ｓｍ２Ｏ３，Ｒｈ２Ｏ３の何
れか１種または２種以上を成分として含有した組成物か
らなり、絶縁体がＮｉ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，ＣｕＯ，Ｃ
ｒ２Ｏ３，ＴｉＯ２の何れか１種または２種以上を成分
として含有した組成物からなる請求項７ないし１２のい
ずれか１項に記載の接触燃焼式ガスセンサ。
【００４６】［第２２発明］触媒がＰｔブラック、Ｐｄ
Ｏ，Ａｌ２Ｏ３，Ｃｕ２Ｏ，ＺｎＯ，ＭｎＯ２，Ｓｍ２
Ｏ３，Ｒｈ２Ｏ３の何れか１種または２種以上を成分と
して含有した組成物からなり、絶縁体がＮｉ２Ｏ３，Ａ
ｌ２Ｏ３，ＣｕＯ，Ｃｒ２Ｏ３，ＴｉＯ２の何れか１種
または２種以上を成分として含有した組成物からなる請
求項７ないし１２のいずれか１項に記載の接触燃焼式ガ
スセンサ。
Ｏ，Ａｌ２Ｏ３，Ｃｕ２Ｏ，ＺｎＯ，ＭｎＯ２，Ｓｍ２
Ｏ３，Ｒｈ２Ｏ３の何れか１種または２種以上を成分と
して含有した組成物からなり、絶縁体がＮｉ２Ｏ３，Ａ
ｌ２Ｏ３，ＣｕＯ，Ｃｒ２Ｏ３，ＴｉＯ２の何れか１種
または２種以上を成分として含有した組成物からなる請
求項７ないし１２のいずれか１項に記載の接触燃焼式ガ
スセンサ。
【００４７】
【作用】本発明電気抵抗合金は、前述の手段で達成され
ることについて説明したが、次に合金の製造工程の中
で、特に重要な技術とその評価ならびに作用などについ
て具体的に説明する。本発明の製造法でえられた細線試
料について、０〜６００℃における電気的特性、ビッカ
ース硬さ、および線材断面の酸化層と結晶粒径の観察な
どについて各種評価を行った。なお、これらの実験の他
に、溶融合金が金型に流れ込む状況の観察から、溶融合
金の流動性を調べた。
ることについて説明したが、次に合金の製造工程の中
で、特に重要な技術とその評価ならびに作用などについ
て具体的に説明する。本発明の製造法でえられた細線試
料について、０〜６００℃における電気的特性、ビッカ
ース硬さ、および線材断面の酸化層と結晶粒径の観察な
どについて各種評価を行った。なお、これらの実験の他
に、溶融合金が金型に流れ込む状況の観察から、溶融合
金の流動性を調べた。
【００４８】上記の方法で得られた各種合金について、
比電気抵抗ρおよび０〜２００℃における平均の抵抗温
度係数ＴＣＲと合金組成の副成分の濃度との関係を示し
たものが図３〜図５である。ここで使用した試料は、線
径０．０３ｍｍの線材について水素中１０００℃および
２ｍ／ｍｉｎの条件で、連続熱処理を行ったものであ
る。
比電気抵抗ρおよび０〜２００℃における平均の抵抗温
度係数ＴＣＲと合金組成の副成分の濃度との関係を示し
たものが図３〜図５である。ここで使用した試料は、線
径０．０３ｍｍの線材について水素中１０００℃および
２ｍ／ｍｉｎの条件で、連続熱処理を行ったものであ
る。
【００４９】図６は、本発明合金（合金番号２１０）に
ついて、本発明の製造法により得られた線径０．０３ｍ
ｍの細線を、適当な長さの加熱帯と冷却帯を有した連続
熱処理装置を用いて、水素ガス雰囲気中で種々な温度に
おいて、種々な速度で熱処理した場合の、抵抗温度係数
ＴＣＲと熱処理温度Ｔおよび線材通過速度Ｖとの関係を
示した特性図である。図６により抵抗温度係数ＴＣＲ
は、最適な熱処理温度と最適な線材通過速度を選択する
ことによって、大きな値が得られることを示している。
ついて、本発明の製造法により得られた線径０．０３ｍ
ｍの細線を、適当な長さの加熱帯と冷却帯を有した連続
熱処理装置を用いて、水素ガス雰囲気中で種々な温度に
おいて、種々な速度で熱処理した場合の、抵抗温度係数
ＴＣＲと熱処理温度Ｔおよび線材通過速度Ｖとの関係を
示した特性図である。図６により抵抗温度係数ＴＣＲ
は、最適な熱処理温度と最適な線材通過速度を選択する
ことによって、大きな値が得られることを示している。
【００５０】つぎに、図７および図８は本発明合金（合
金番号２１０）および比較合金（Ｐｄ−３０％Ｆｅ−５
％Ｍｎ）の線材（φ０．５ｍｍ）を大気中１０００℃で
５時間保持後、横断面に見られる酸化層の違いの光顕微
鏡写真から酸化層の深さｄを加熱温度Ｔおよび加熱時間
ｔに対して調べた結果を、それぞれ図示したものであ
る。図８から、比較合金のｄはｔ１／２則により長時間
後も増え続けている。これに対して本発明合金の場合で
はｔ１／３則による変化のため、はじめ急激にｄが増加
するが、約２時間後ではほぼ一定値となり、連続的な酸
化層の形成によって、その後の合金の酸化を抑制してい
る。これらの図から、本発明合金は、酸化抑制の効果が
非常に顕著であることが判明した。
金番号２１０）および比較合金（Ｐｄ−３０％Ｆｅ−５
％Ｍｎ）の線材（φ０．５ｍｍ）を大気中１０００℃で
５時間保持後、横断面に見られる酸化層の違いの光顕微
鏡写真から酸化層の深さｄを加熱温度Ｔおよび加熱時間
ｔに対して調べた結果を、それぞれ図示したものであ
る。図８から、比較合金のｄはｔ１／２則により長時間
後も増え続けている。これに対して本発明合金の場合で
はｔ１／３則による変化のため、はじめ急激にｄが増加
するが、約２時間後ではほぼ一定値となり、連続的な酸
化層の形成によって、その後の合金の酸化を抑制してい
る。これらの図から、本発明合金は、酸化抑制の効果が
非常に顕著であることが判明した。
【００５１】したがって、図７の特徴を本発明合金の表
面処理に採用することによって、高温用高性能センサデ
バイスが可能となった。しかも、その性能は、本来の本
発明合金の優れた電気的特性を損なうものではなかっ
た。
面処理に採用することによって、高温用高性能センサデ
バイスが可能となった。しかも、その性能は、本来の本
発明合金の優れた電気的特性を損なうものではなかっ
た。
【００５２】さらに、この技術を発展させることが可能
であることが判明した。すなわち、ガスセンサにおい
て、ポリイミドやフェノールなどの樹脂系被膜、金やク
ロムなどの金属系被膜、あるいは金属酸化物やガラスな
どの非金属系被膜等を、所望の厚さにコーティングする
技術においても、各種高性能センサデバイスの性能は、
本発明合金の優れた電気的性能を損なうものではないこ
とがわかった。
であることが判明した。すなわち、ガスセンサにおい
て、ポリイミドやフェノールなどの樹脂系被膜、金やク
ロムなどの金属系被膜、あるいは金属酸化物やガラスな
どの非金属系被膜等を、所望の厚さにコーティングする
技術においても、各種高性能センサデバイスの性能は、
本発明合金の優れた電気的性能を損なうものではないこ
とがわかった。
【００５３】なお、全重量１００〜３００ｇの原料を高
周波誘導溶解炉により溶解後、大気中で鍛造して、種々
の大きさのインゴットについて、量産工程を検討した。
その結果、溶融合金の流動性は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ａ
ｕ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｃｕ，ＳｉおよびＢなど
が特に良好で、その他の元索にも流動性の効果がややみ
られた。この結果、使用した坩堝内の汚れが少なく、健
全なインゴットが得られた。また、インゴットの結晶粒
径は、一般に副成分により微細化するが、特にＡｇ，Ａ
ｕ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｒｕ，Ｃｒ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｈｆ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ａｌ，Ｃ，
Ｂおよび希土類元索などが、結晶の微細化に効果があっ
た。したがって、結晶微細化、溶融合金の流動性の改善
や酸化抑制の向上などが相互に関連して、インゴットの
熱間および冷間における加工性が著しく改善されたもの
と考えられる。本発明の加工技術の向上は、副成分によ
るところが大きく、製造工程を大幅に簡素化できること
がわかった。
周波誘導溶解炉により溶解後、大気中で鍛造して、種々
の大きさのインゴットについて、量産工程を検討した。
その結果、溶融合金の流動性は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ａ
ｕ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｃｕ，ＳｉおよびＢなど
が特に良好で、その他の元索にも流動性の効果がややみ
られた。この結果、使用した坩堝内の汚れが少なく、健
全なインゴットが得られた。また、インゴットの結晶粒
径は、一般に副成分により微細化するが、特にＡｇ，Ａ
ｕ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｒｕ，Ｃｒ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｈｆ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ａｌ，Ｃ，
Ｂおよび希土類元索などが、結晶の微細化に効果があっ
た。したがって、結晶微細化、溶融合金の流動性の改善
や酸化抑制の向上などが相互に関連して、インゴットの
熱間および冷間における加工性が著しく改善されたもの
と考えられる。本発明の加工技術の向上は、副成分によ
るところが大きく、製造工程を大幅に簡素化できること
がわかった。
【００５４】以上説明したように、本発明は従来のＰｄ
−Ｆｅ合金やＰｄ−Ｆｅ−Ｍｎ合金の諸問題が解決され
ることが明らかにされた。つぎに、本発明合金の成分と
組成、熱処理および加工率などの数値を限定した理由に
ついて下記に説明する。Ｍｎが０．００１〜２０ａｔ％
の範囲では、電気的特性、加工性および耐酸化性が好ま
しいが、これらの組成範囲外においては総合的に悪化し
て本発明の目的から外れる。Ｆｅが５〜６５ａｔ％の範
囲では、一般に電気的特性が好ましく、特にＦｅ組成が
多いほど高温の電気的特性が向上し、さらに加工性と耐
酸化性の両者には問題がないが、これらの組成範囲外に
おいては、電気的特性が悪化して、本発明の目的から外
れる。したがって、Ｆｅ、Ｍｎ およびＰｄの組成範囲
をＦｅ５〜６５ａｔ％、Ｍｎ０．００１〜２０ａｔ％お
よび残部Ｐｄに限定した。
−Ｆｅ合金やＰｄ−Ｆｅ−Ｍｎ合金の諸問題が解決され
ることが明らかにされた。つぎに、本発明合金の成分と
組成、熱処理および加工率などの数値を限定した理由に
ついて下記に説明する。Ｍｎが０．００１〜２０ａｔ％
の範囲では、電気的特性、加工性および耐酸化性が好ま
しいが、これらの組成範囲外においては総合的に悪化し
て本発明の目的から外れる。Ｆｅが５〜６５ａｔ％の範
囲では、一般に電気的特性が好ましく、特にＦｅ組成が
多いほど高温の電気的特性が向上し、さらに加工性と耐
酸化性の両者には問題がないが、これらの組成範囲外に
おいては、電気的特性が悪化して、本発明の目的から外
れる。したがって、Ｆｅ、Ｍｎ およびＰｄの組成範囲
をＦｅ５〜６５ａｔ％、Ｍｎ０．００１〜２０ａｔ％お
よび残部Ｐｄに限定した。
【００５５】また、副成分の元索の種類および組成の数
値限定の理由を以下に述べる。副成分にＮｉ，Ｃｏ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｒｕ，Ｃｒ，Ｖ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｇａ，Ｇ
ｅ，Ｉｎ，Ｂｅ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃ，
Ｂおよび希土類元素（Ｓｃ，Ｙおよびランタン系元索）
を選んだのは、図３〜図５および表４からも分かるよう
に、電気的特性が好ましく、特に比電気抵抗と抵抗温度
係数が向上するとともに、加工性が改善されるからであ
る。
値限定の理由を以下に述べる。副成分にＮｉ，Ｃｏ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｒｕ，Ｃｒ，Ｖ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｇａ，Ｇ
ｅ，Ｉｎ，Ｂｅ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃ，
Ｂおよび希土類元素（Ｓｃ，Ｙおよびランタン系元索）
を選んだのは、図３〜図５および表４からも分かるよう
に、電気的特性が好ましく、特に比電気抵抗と抵抗温度
係数が向上するとともに、加工性が改善されるからであ
る。
【００５６】さらに、副成分の組成範囲をＮｉ２０％以
下，Ｃｏ２０％以下，Ａｇ２０％以下，Ａｕ２０％以
下，Ｐｔ２０％以下，Ｒｈ１０％以下，Ｉｒ１０％以
下，Ｏｓ１０％以下，Ｒｕ１０％以下，Ｃｒ１０％以
下，Ｖ５％以下，Ｔｉ５％以下，Ｚｒ５％以下，Ｈｆ５
％以下，Ｍｏ８％以下，Ｎｂ５％以下，Ｗ１０％以下，
Ｔａ８％以下，Ｇａ３％以下，Ｇｅ３％以下，Ｉｎ３％
以下，Ｂｅ３％以下，Ｓｎ５％以下，Ｓｂ３％以下，Ｃ
ｕ５％以下，Ａｌ５％以下，Ｓｉ５％以下，Ｃ２％以
下，Ｂ２％以下および希土類元素５％以下の何れか１種
または２種以上の合計が０．００１〜２０％とした理由
を、図３〜図５および表４において説明する。上記の組
成範囲では、電気的特性の改善が顕著となり、結晶微細
化、溶融合金の流動性の改善や酸化抑制の向上などが相
互に関連して加工性を著しく改善する効果が大きい。こ
れに対して、上記各組成の上限以上では、電気的特性、
特に抵抗温度係数が急激に悪化するだけでなく、溶融合
金の流動性が悪化して加工性の効果が薄れ本発明の目的
から外れる。
下，Ｃｏ２０％以下，Ａｇ２０％以下，Ａｕ２０％以
下，Ｐｔ２０％以下，Ｒｈ１０％以下，Ｉｒ１０％以
下，Ｏｓ１０％以下，Ｒｕ１０％以下，Ｃｒ１０％以
下，Ｖ５％以下，Ｔｉ５％以下，Ｚｒ５％以下，Ｈｆ５
％以下，Ｍｏ８％以下，Ｎｂ５％以下，Ｗ１０％以下，
Ｔａ８％以下，Ｇａ３％以下，Ｇｅ３％以下，Ｉｎ３％
以下，Ｂｅ３％以下，Ｓｎ５％以下，Ｓｂ３％以下，Ｃ
ｕ５％以下，Ａｌ５％以下，Ｓｉ５％以下，Ｃ２％以
下，Ｂ２％以下および希土類元素５％以下の何れか１種
または２種以上の合計が０．００１〜２０％とした理由
を、図３〜図５および表４において説明する。上記の組
成範囲では、電気的特性の改善が顕著となり、結晶微細
化、溶融合金の流動性の改善や酸化抑制の向上などが相
互に関連して加工性を著しく改善する効果が大きい。こ
れに対して、上記各組成の上限以上では、電気的特性、
特に抵抗温度係数が急激に悪化するだけでなく、溶融合
金の流動性が悪化して加工性の効果が薄れ本発明の目的
から外れる。
【００５７】つぎに、上記副成分各々の組成範囲につい
て限定理由を以下に説明する。ＮｉあるいはＣｏの組成
範囲を、それぞれ２０％以下と限定したのは、この組成
範囲では、図３〜図５および表４に示してあるように、
０〜２００℃の抵抗温度係数が良好となるが、この上限
以上の組成では加工性がやや悪化するか、高温の電気的
特性が悪化して、本発明の目的から外れる。特にＣｏ
は、磁気変態点を高め高温における電気的特性を改善す
る効果が大きい。
て限定理由を以下に説明する。ＮｉあるいはＣｏの組成
範囲を、それぞれ２０％以下と限定したのは、この組成
範囲では、図３〜図５および表４に示してあるように、
０〜２００℃の抵抗温度係数が良好となるが、この上限
以上の組成では加工性がやや悪化するか、高温の電気的
特性が悪化して、本発明の目的から外れる。特にＣｏ
は、磁気変態点を高め高温における電気的特性を改善す
る効果が大きい。
【００５８】同様に、Ａｇ２０％以下，Ａｕ２０％以
下，Ｐｔ２０％以下，Ｒｈ１０％以下，Ｉｒ１０％以
下，Ｏｓ１０％以下あるいはＲｕ１０％以下と限定した
のは、表４および図３に示すように、この組成範囲で
は、電気的特性が著しく改善されるかあるいは良好とな
るだけでなく、結晶微細化や溶融合金の良好な流動性に
よる、加工性の改善に効果がある。しかし、それぞれの
上限以上の組成では、電気的特性が悪化するだけでな
く、加工が困難となるかあるいはコストが高くなり、本
発明の目的から外れる。
下，Ｐｔ２０％以下，Ｒｈ１０％以下，Ｉｒ１０％以
下，Ｏｓ１０％以下あるいはＲｕ１０％以下と限定した
のは、表４および図３に示すように、この組成範囲で
は、電気的特性が著しく改善されるかあるいは良好とな
るだけでなく、結晶微細化や溶融合金の良好な流動性に
よる、加工性の改善に効果がある。しかし、それぞれの
上限以上の組成では、電気的特性が悪化するだけでな
く、加工が困難となるかあるいはコストが高くなり、本
発明の目的から外れる。
【００５９】同様に、Ｃｒ１０％以下，Ｖ５％以下，Ｔ
ｉ５％以下，Ｚｒ５％以下，Ｈｆ５％以下，Ｍｏ８％以
下，Ｎｂ５％以下，Ｗ１０％以下あるいはＴａ８％以下
と限定したのは、表４、図３および図４に示すように、
この組成範囲では、電気的特性が著しく改善され、ある
いは良好となるだけでなく、連続的な酸化層の形成によ
る酸化抑制効果が顕著で、しかも結晶の微細化により、
加工性の改善に著しく効果がある。しかし、それぞれの
上限以上の組成では、電気的特性の低下や溶融合金の流
動性が悪化して、加工が非常に困難となる欠点が生じる
ので、本発明の目的から外れる。
ｉ５％以下，Ｚｒ５％以下，Ｈｆ５％以下，Ｍｏ８％以
下，Ｎｂ５％以下，Ｗ１０％以下あるいはＴａ８％以下
と限定したのは、表４、図３および図４に示すように、
この組成範囲では、電気的特性が著しく改善され、ある
いは良好となるだけでなく、連続的な酸化層の形成によ
る酸化抑制効果が顕著で、しかも結晶の微細化により、
加工性の改善に著しく効果がある。しかし、それぞれの
上限以上の組成では、電気的特性の低下や溶融合金の流
動性が悪化して、加工が非常に困難となる欠点が生じる
ので、本発明の目的から外れる。
【００６０】同様に、Ｇａ３％以下，Ｇｅ３％以下，Ｉ
ｎ３％以下，Ｂｅ３％以下，Ｓｎ５％以下あるいはＳｂ
３％以下と限定したのは、表４、図４および図５に示す
ように、この組成範囲では電気的特性の改善の効果があ
り、また図８からも分かるように、連続的な酸化層の形
成による酸化抑止効果が顕著で、しかも結晶の微細化に
よる加工性に対する改善の効果も見られる。しかし、そ
れぞれの上限以上の組成では、これらの改善は見られな
いから、本発明の目的から外れる。
ｎ３％以下，Ｂｅ３％以下，Ｓｎ５％以下あるいはＳｂ
３％以下と限定したのは、表４、図４および図５に示す
ように、この組成範囲では電気的特性の改善の効果があ
り、また図８からも分かるように、連続的な酸化層の形
成による酸化抑止効果が顕著で、しかも結晶の微細化に
よる加工性に対する改善の効果も見られる。しかし、そ
れぞれの上限以上の組成では、これらの改善は見られな
いから、本発明の目的から外れる。
【００６１】同様に、Ｃｕ５％以下，Ａ１５％以下，Ｓ
ｉ５％以下，Ｃ２％以下，Ｂ２％以下あるいは希土類元
素５％以下と限定したのは、表４および図５に示すよう
に、この組成範囲では、電気的特性が向上し、連続的な
酸化層の形成による酸化抑制効果が顕著で、溶融合金の
流動性が良好で加工性に対する改善の効果がある。しか
し、この上限以上の組成では、これらの改善は見られな
いので、本発明の目的から外れる。
ｉ５％以下，Ｃ２％以下，Ｂ２％以下あるいは希土類元
素５％以下と限定したのは、表４および図５に示すよう
に、この組成範囲では、電気的特性が向上し、連続的な
酸化層の形成による酸化抑制効果が顕著で、溶融合金の
流動性が良好で加工性に対する改善の効果がある。しか
し、この上限以上の組成では、これらの改善は見られな
いので、本発明の目的から外れる。
【００６２】なお、上記副成分の１種または２種以上の
合計が０．００１以下あるいは２０％以上では、一般に
電気的特性の改善効果が見られなかったり、加工性が悪
化するので、本発明の目的から外れる。
合計が０．００１以下あるいは２０％以上では、一般に
電気的特性の改善効果が見られなかったり、加工性が悪
化するので、本発明の目的から外れる。
【００６３】つぎに、本発明合金の製造工程における数
値を限定した理由を説明する。加熱温度６００〜１３０
０℃では、図６からも分かるように抵抗温度係数が高く
なって電気的特性が改善される。本発明の目的をみたし
ているだけでなく、ビッカース硬さが４００以下とな
り、加工性が良好となる。
値を限定した理由を説明する。加熱温度６００〜１３０
０℃では、図６からも分かるように抵抗温度係数が高く
なって電気的特性が改善される。本発明の目的をみたし
ているだけでなく、ビッカース硬さが４００以下とな
り、加工性が良好となる。
【００６４】つぎに、最終熱処理温度６００〜１３００
℃に限定したのは、図６からも分かるように、抵抗温度
係数が高くなって電気的特性が改善され、本発明の目的
を満たしているからである。
℃に限定したのは、図６からも分かるように、抵抗温度
係数が高くなって電気的特性が改善され、本発明の目的
を満たしているからである。
【００６５】
実施例１ 合金番号２１０，２１３，２２５，２３２お
よび２４６の製造と評価使用した原料は、純度９９，９
％以上の各種元素を用いた。試料を造るには、全重量３
００ｇの原料をアルミナ坩堝に入れ、真空中で高周波誘
導電気炉によって溶解した後、よく撹拌して均質な溶融
合金とした。ついで、これを直径１２ｍｍ、高さ２００
ｍｍの孔をもつ金型に注入し、得られた丸棒状のインゴ
ットをスエージング機および冷間線引機により、直径
０．５ｍｍの細線を造った。最後にこの線材について、
水素、アルゴンあるいは大気の雰囲気中、種々な熱処理
を施して試料とした。得られた試料は、大気中処理を除
いて金属光沢があり、硬さは純白金に比べて約４倍〜５
倍大きかった。この試料について、比電気抵抗ρ−Ｔ特
性の測定から、平均抵抗温度係数ＴＣＲを求めた結果
を、図９（Ａ）および図１０に示す。図に見られるよう
に、各合金のＴＣＲ−Ｔ曲線は１つの極大値を示すが、
この極大値の温度は各合金の磁気変態点（Ｔｃ）に対応
している。すなわち、Ｔｃの上昇により高温における電
気的特性が改善されることがわかる。
よび２４６の製造と評価使用した原料は、純度９９，９
％以上の各種元素を用いた。試料を造るには、全重量３
００ｇの原料をアルミナ坩堝に入れ、真空中で高周波誘
導電気炉によって溶解した後、よく撹拌して均質な溶融
合金とした。ついで、これを直径１２ｍｍ、高さ２００
ｍｍの孔をもつ金型に注入し、得られた丸棒状のインゴ
ットをスエージング機および冷間線引機により、直径
０．５ｍｍの細線を造った。最後にこの線材について、
水素、アルゴンあるいは大気の雰囲気中、種々な熱処理
を施して試料とした。得られた試料は、大気中処理を除
いて金属光沢があり、硬さは純白金に比べて約４倍〜５
倍大きかった。この試料について、比電気抵抗ρ−Ｔ特
性の測定から、平均抵抗温度係数ＴＣＲを求めた結果
を、図９（Ａ）および図１０に示す。図に見られるよう
に、各合金のＴＣＲ−Ｔ曲線は１つの極大値を示すが、
この極大値の温度は各合金の磁気変態点（Ｔｃ）に対応
している。すなわち、Ｔｃの上昇により高温における電
気的特性が改善されることがわかる。
【００６６】なお、合金番号２１０の各種処理条件に対
応した特性等を表１に示す。
応した特性等を表１に示す。
【００６７】
【表１】
【００６８】また、合金番号２１０，２１３，２２５，
２３２および２４６の各温度範囲における抵抗温度係数
を表２に示す。
２３２および２４６の各温度範囲における抵抗温度係数
を表２に示す。
【００６９】
【表２】
【００７０】実施例２ 合金番号２１０の細線の製造、
接触燃焼式一酸化炭索ガスセンサの製造と評価 実施例１の製造法で得られた線径１０．５ｍｍの本発明
合金を、本実施例ではさらに線引き加工して線径０．０
３ｍｍの細線を造った。最後にこの細線を連続熱処理装
置を使用して、水索雰囲気中１０００℃の温度におい
て、２ｍ／ｍｉｎの速度で熱処理を施した。この熱処理
の特徴は、線材の欠陥の有無を確認できること、および
金属光沢処理、直線化と軟化などにすぐれた効果があ
る。得られた細線をコイル径約１ｍｍ、巻き数２５ター
ンおよび長さ約１０ｍｍに密巻きしてコイルを作り、該
コイルを２０ｍｍの間隔を有する電極に取り付けた。そ
の後、このセンサコイルに、ガスに活性を有する触媒
（Ｐｔブラック，ＰｄＯ，Ａｌ２Ｏ３，Ｃｕ２Ｏ，Ｚｎ
Ｏ，ＭｎＯ２，Ｓｍ２Ｏ３，Ｒｈ２Ｏ３）と、ガスに不
感性の絶縁体（Ｎｉ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，ＣｕＯ，Ｃｒ
２Ｏ３，ＴｉＯ２）を、それぞれ別々に塗布し適度に乾
燥して、２種類の素子（図１（Ａ）の１および２）とし
た。これらの素子の中から、抵抗および抵抗温度係数の
一致した１組を選び、これをブリッジ回路の２辺に取り
付ける。図１１は、このようにして構成されたガスセン
サのガス感度特性を示す。ここで、実験の条件として、
図中の回路におけるブリッジ電圧Ｖｉは６Ｖ、素子電流
は４０ｍＡおよび素子抵抗は１００Ωであった。図か
ら、ガス感度は、ＣＯ濃度１０００ｐｐｍにおいて、４
６ｍＶを示し、純白金使用のガスセンサに比較して、約
２５倍の非常に大きな値が得られた。なお該ガスセンサ
は、ＣＯガスに敏感に反応するが、他のガス、例えば都
市ガス、プロパンガスおよびエチルアルコールには、ま
ったく反応しないことから、ガスの選択性が非常に優れ
ている特徴のあることが分かった。
接触燃焼式一酸化炭索ガスセンサの製造と評価 実施例１の製造法で得られた線径１０．５ｍｍの本発明
合金を、本実施例ではさらに線引き加工して線径０．０
３ｍｍの細線を造った。最後にこの細線を連続熱処理装
置を使用して、水索雰囲気中１０００℃の温度におい
て、２ｍ／ｍｉｎの速度で熱処理を施した。この熱処理
の特徴は、線材の欠陥の有無を確認できること、および
金属光沢処理、直線化と軟化などにすぐれた効果があ
る。得られた細線をコイル径約１ｍｍ、巻き数２５ター
ンおよび長さ約１０ｍｍに密巻きしてコイルを作り、該
コイルを２０ｍｍの間隔を有する電極に取り付けた。そ
の後、このセンサコイルに、ガスに活性を有する触媒
（Ｐｔブラック，ＰｄＯ，Ａｌ２Ｏ３，Ｃｕ２Ｏ，Ｚｎ
Ｏ，ＭｎＯ２，Ｓｍ２Ｏ３，Ｒｈ２Ｏ３）と、ガスに不
感性の絶縁体（Ｎｉ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，ＣｕＯ，Ｃｒ
２Ｏ３，ＴｉＯ２）を、それぞれ別々に塗布し適度に乾
燥して、２種類の素子（図１（Ａ）の１および２）とし
た。これらの素子の中から、抵抗および抵抗温度係数の
一致した１組を選び、これをブリッジ回路の２辺に取り
付ける。図１１は、このようにして構成されたガスセン
サのガス感度特性を示す。ここで、実験の条件として、
図中の回路におけるブリッジ電圧Ｖｉは６Ｖ、素子電流
は４０ｍＡおよび素子抵抗は１００Ωであった。図か
ら、ガス感度は、ＣＯ濃度１０００ｐｐｍにおいて、４
６ｍＶを示し、純白金使用のガスセンサに比較して、約
２５倍の非常に大きな値が得られた。なお該ガスセンサ
は、ＣＯガスに敏感に反応するが、他のガス、例えば都
市ガス、プロパンガスおよびエチルアルコールには、ま
ったく反応しないことから、ガスの選択性が非常に優れ
ている特徴のあることが分かった。
【００７１】図１２は、２素子タイプの試作品の概略図
を示す。概略図において、ハーメチック基板１上に立て
たステム２にそれぞれ補賞部素子４および活性部素子３
を固定し、金網５でシールしたものである。
を示す。概略図において、ハーメチック基板１上に立て
たステム２にそれぞれ補賞部素子４および活性部素子３
を固定し、金網５でシールしたものである。
【００７２】実施例３ 合金番号２３２の細線の製造、
接触燃焼式水素ガスセンサの製造と評価 実施例１の製造法で得られた線径０．５ｍｍの本発明合
金を、さらに線引きして線径０．０３ｍｍの細線を造っ
た。つぎに説明する方法で、この細線表面に表面処理を
施した場合と、そうでない場合とについて、それぞれ連
続熱処理を施して細線を造った。ここで、センサデバイ
スの駆動温度が２００℃では表面処理はほとんど不要で
あるが、それ以上の高温で使用する場合には、細線に表
面処理を施して耐酸化性を維持し、センサの長寿命化を
図る必要がある。そこで、実施例２と同様な方法で上記
細線を連続熱処理した後、該細線にポリイミドを塗布し
た場合、金を蒸着してコーティングした場合、およびＳ
ｉＯ２でコーティングした場合のそれぞれについて、実
施例２と同様な方法で活性部素子（触媒）と補賞部素子
（絶縁体）の２種類を作成し、水素ガスセンサを構成し
た。
接触燃焼式水素ガスセンサの製造と評価 実施例１の製造法で得られた線径０．５ｍｍの本発明合
金を、さらに線引きして線径０．０３ｍｍの細線を造っ
た。つぎに説明する方法で、この細線表面に表面処理を
施した場合と、そうでない場合とについて、それぞれ連
続熱処理を施して細線を造った。ここで、センサデバイ
スの駆動温度が２００℃では表面処理はほとんど不要で
あるが、それ以上の高温で使用する場合には、細線に表
面処理を施して耐酸化性を維持し、センサの長寿命化を
図る必要がある。そこで、実施例２と同様な方法で上記
細線を連続熱処理した後、該細線にポリイミドを塗布し
た場合、金を蒸着してコーティングした場合、およびＳ
ｉＯ２でコーティングした場合のそれぞれについて、実
施例２と同様な方法で活性部素子（触媒）と補賞部素子
（絶縁体）の２種類を作成し、水素ガスセンサを構成し
た。
【００７３】これらの水素ガスセンサの感度特性を図１
３に示す。ここで、実験の条件として、図中の回路にお
けるブリッジ電圧Ｖｉは２Ｖ、素子電流は４０ｍＡ、お
よび素子抵抗は２００Ω、１００Ω、６０Ωおよび３５
Ωであった。図から、ガス感度は、Ｈ２濃度２０００ｐ
ｐｍにおいて、素子温度Ｔｓが１００℃では１１ｍＶ、
２００℃では１２０ｍＶ、３００℃では１４８ｍＶおよ
び４００℃では１７０ｍＶを示し、白金使用のガスセン
サ（点線）の４００℃での値７ｍＶに比較して約２４倍
の非常に大きな値が得られた。
３に示す。ここで、実験の条件として、図中の回路にお
けるブリッジ電圧Ｖｉは２Ｖ、素子電流は４０ｍＡ、お
よび素子抵抗は２００Ω、１００Ω、６０Ωおよび３５
Ωであった。図から、ガス感度は、Ｈ２濃度２０００ｐ
ｐｍにおいて、素子温度Ｔｓが１００℃では１１ｍＶ、
２００℃では１２０ｍＶ、３００℃では１４８ｍＶおよ
び４００℃では１７０ｍＶを示し、白金使用のガスセン
サ（点線）の４００℃での値７ｍＶに比較して約２４倍
の非常に大きな値が得られた。
【００７４】また、実施例３と同様にして合金番号２３
２を素子に用いた場合の水素ガス以外のエタノール、メ
タン、イソブタンまたはブタンなどの各種ガスについて
も、各種ガス濃度と出力ΔＶとの関係を検討した。その
結果を表３に示したが、各素子温度Ｔｓにおけるガス濃
度１００ｐｐｍの出力ΔＶ（ｍＶ）である。何れのガス
においても、比較材料（白金）よりも、著しく大きな感
度特性を示すことが明らかとなった。
２を素子に用いた場合の水素ガス以外のエタノール、メ
タン、イソブタンまたはブタンなどの各種ガスについて
も、各種ガス濃度と出力ΔＶとの関係を検討した。その
結果を表３に示したが、各素子温度Ｔｓにおけるガス濃
度１００ｐｐｍの出力ΔＶ（ｍＶ）である。何れのガス
においても、比較材料（白金）よりも、著しく大きな感
度特性を示すことが明らかとなった。
【００７５】
【表３】
【００７６】実施例４ 合金番号２３２の箔材の製造、
温度センサの製造と評価 合金試料の製造法と実験法は、実施例１と同様である。
また合金試料から冷間圧延で厚さ１０μｍの箔材とな
し、図１４に示すように、これを電気絶縁体（Ａ）に貼
り付けて、レーザートリミング加工により種々のパター
ン（Ｂ）を形成した。ついで、実施例２と同様な方法で
熱処理した後、無電解メッキ法により電極（Ｃ）を形成
して、さらに該ゲージ表面全体にＳｉＯ２をスパッタリ
ング法で５ｎｍコーティングして、温度センサ（図１４
内挿入図）を作成した。該温度センサの抵抗は、１００
〜１０００Ωあった。
温度センサの製造と評価 合金試料の製造法と実験法は、実施例１と同様である。
また合金試料から冷間圧延で厚さ１０μｍの箔材とな
し、図１４に示すように、これを電気絶縁体（Ａ）に貼
り付けて、レーザートリミング加工により種々のパター
ン（Ｂ）を形成した。ついで、実施例２と同様な方法で
熱処理した後、無電解メッキ法により電極（Ｃ）を形成
して、さらに該ゲージ表面全体にＳｉＯ２をスパッタリ
ング法で５ｎｍコーティングして、温度センサ（図１４
内挿入図）を作成した。該温度センサの抵抗は、１００
〜１０００Ωあった。
【００７７】この温度センサの出力特性の一部を図１４
に示す。図中比較材料は従来の白金測温抵抗温度センサ
の特性である。図からもわかるように、本発明温度セン
サの性能は５００℃以下では、白金の約２倍以上の出力
が得られた。
に示す。図中比較材料は従来の白金測温抵抗温度センサ
の特性である。図からもわかるように、本発明温度セン
サの性能は５００℃以下では、白金の約２倍以上の出力
が得られた。
【００７８】なお、表４には代表的な合金について、９
０％冷間加工し、さらに大気中１０００℃で１５分間加
熱後空冷処理した場合の比電気抵抗ρおよび抵抗温度係
数ＴＣＲを示す。本発明合金の比電気抵抗ρは、比較材
料（純白金）の１０．６μΩ・ｃｍより数倍大きな値を
示している。このことは、センサデバイスの小型化およ
び性能の安定性に対する大なる寄与が期待できる。
０％冷間加工し、さらに大気中１０００℃で１５分間加
熱後空冷処理した場合の比電気抵抗ρおよび抵抗温度係
数ＴＣＲを示す。本発明合金の比電気抵抗ρは、比較材
料（純白金）の１０．６μΩ・ｃｍより数倍大きな値を
示している。このことは、センサデバイスの小型化およ
び性能の安定性に対する大なる寄与が期待できる。
【００７９】
【表４】
【００８０】また本発明合金の抵抗温度係数ＴＣＲは、
白金の約４０００×１０−６℃−１より高い値である。
したがって、本発明合金は、一酸化炭素、アルコール、
水素、メタン、ブタン、イソブタンおよびその他の各種
ガスを、手軽に検出できる小型高感度ガスセンサ、抵抗
変化型高性能温度センサおよびその他の各種センサデバ
イスに好適であり、本発明合金の特徴である高い電気抵
抗と高い抵抗温度係数の特徴を十分に発揮し、これらセ
ンサデバイスの性能を著しく向上する。
白金の約４０００×１０−６℃−１より高い値である。
したがって、本発明合金は、一酸化炭素、アルコール、
水素、メタン、ブタン、イソブタンおよびその他の各種
ガスを、手軽に検出できる小型高感度ガスセンサ、抵抗
変化型高性能温度センサおよびその他の各種センサデバ
イスに好適であり、本発明合金の特徴である高い電気抵
抗と高い抵抗温度係数の特徴を十分に発揮し、これらセ
ンサデバイスの性能を著しく向上する。
【００８１】さらに本発明は、上記の方法で製造した合
金線材を、そのままでガスセンサあるいは温度センサな
どの抵抗体に使用するか、あるいは該線材表面に適当な
方法で樹脂系被膜、金属系被膜あるいは非金属系被膜
を、線材に所望の厚さにコーテイングを施して、上記各
種のガスセンサあるいは温度センサの抵抗体とする。こ
のようにして得られた種々な高感度ガスセンサあるいは
高性能温度センサを提供するものである。尚、希土類元
素はＳｃ，Ｙおよびランタン系元素からなるものである
が、その効果は均等である。
金線材を、そのままでガスセンサあるいは温度センサな
どの抵抗体に使用するか、あるいは該線材表面に適当な
方法で樹脂系被膜、金属系被膜あるいは非金属系被膜
を、線材に所望の厚さにコーテイングを施して、上記各
種のガスセンサあるいは温度センサの抵抗体とする。こ
のようにして得られた種々な高感度ガスセンサあるいは
高性能温度センサを提供するものである。尚、希土類元
素はＳｃ，Ｙおよびランタン系元素からなるものである
が、その効果は均等である。
【００８２】
【発明の効果】本発明によれば、Ｆｅ５〜６５％，Ｍｎ
０．００１〜２０％および副成分としてＮｉ２０％以
下，Ｃｏ２０％以下，Ａｇ２０％以下，Ａｕ２０％以
下，Ｐｔ２０％以下，Ｒｈ１０％以下，Ｉｒ１０％以
下，Ｏｓ１０％以下，Ｒｕ１０％以下，Ｃｒ１０％以
下，Ｖ５％以下，Ｔｉ５％以下，Ｚｒ５％以下，Ｈｆ５
％以下，Ｍｏ８％以下，Ｎｂ５％以下，Ｗ１０％以下，
Ｔａ８％以下，Ｇａ３％以下，Ｇｅ３％以下，Ｉｎ３％
以下，Ｂｅ３％以下，Ｓｎ５％以下，Ｓｂ３％以下，Ｃ
ｕ５％以下，Ａｌ５％以下，Ｓｉ５％以下，Ｃ２％以
下，Ｂ２％以下および希土類元素５％以下の何れか１種
または２種以上の合計０．００１〜２０％および残部Ｐ
ｄと少量の不純物からなり、大きな抵抗温度係数を有す
る電気抵抗合金であり、加工性と電気的特性が著しく改
善された。具体的には、本発明合金に含まれる副成分
は、溶融合金の流動性の改善、結晶粒径の微細化の促進
あるいは酸化抑制の向上などが相互的に作用して、合金
素材の加工性が一層改善され、断線の少ない良質な線材
の提供を可能にした。また、比電気抵抗およびその温度
係数の改善によって、本発明合金を使用した各種センサ
デバイスの一層の小型化および性能安定性の向上が図ら
れた。さらに、環境性に優れた被覆コーテイング技術の
採用により、各種センサデバイスの高温での使用を可能
にした効果は大きい。
０．００１〜２０％および副成分としてＮｉ２０％以
下，Ｃｏ２０％以下，Ａｇ２０％以下，Ａｕ２０％以
下，Ｐｔ２０％以下，Ｒｈ１０％以下，Ｉｒ１０％以
下，Ｏｓ１０％以下，Ｒｕ１０％以下，Ｃｒ１０％以
下，Ｖ５％以下，Ｔｉ５％以下，Ｚｒ５％以下，Ｈｆ５
％以下，Ｍｏ８％以下，Ｎｂ５％以下，Ｗ１０％以下，
Ｔａ８％以下，Ｇａ３％以下，Ｇｅ３％以下，Ｉｎ３％
以下，Ｂｅ３％以下，Ｓｎ５％以下，Ｓｂ３％以下，Ｃ
ｕ５％以下，Ａｌ５％以下，Ｓｉ５％以下，Ｃ２％以
下，Ｂ２％以下および希土類元素５％以下の何れか１種
または２種以上の合計０．００１〜２０％および残部Ｐ
ｄと少量の不純物からなり、大きな抵抗温度係数を有す
る電気抵抗合金であり、加工性と電気的特性が著しく改
善された。具体的には、本発明合金に含まれる副成分
は、溶融合金の流動性の改善、結晶粒径の微細化の促進
あるいは酸化抑制の向上などが相互的に作用して、合金
素材の加工性が一層改善され、断線の少ない良質な線材
の提供を可能にした。また、比電気抵抗およびその温度
係数の改善によって、本発明合金を使用した各種センサ
デバイスの一層の小型化および性能安定性の向上が図ら
れた。さらに、環境性に優れた被覆コーテイング技術の
採用により、各種センサデバイスの高温での使用を可能
にした効果は大きい。
【００８３】なお、本発明合金の抵抗温度係数は、従来
の白金より著しく大きいことから、これを使用したガス
センサの各種のガス感度がさらに向上した。また該ガス
センサは比電気抵抗が大きいことから、その性能は非常
に安定している。また同様に抵抗変化型温度センサにお
いても、その性能が従来の白金測温抵抗体に比べてさら
に高出力が得られた。
の白金より著しく大きいことから、これを使用したガス
センサの各種のガス感度がさらに向上した。また該ガス
センサは比電気抵抗が大きいことから、その性能は非常
に安定している。また同様に抵抗変化型温度センサにお
いても、その性能が従来の白金測温抵抗体に比べてさら
に高出力が得られた。
【図１】図１は、抵抗変化を利用した各種センサデバイ
スのブリッジ回路図である。
スのブリッジ回路図である。
【図２】図２は、Ｐｔフイラメントを用いたガスセンサ
の各種ガスに対する感度と動作温度との関係を示す特性
図である。
の各種ガスに対する感度と動作温度との関係を示す特性
図である。
【図３】図３は、Ｐｄ−２５％Ｆｅ−５％Ｍｎ−Ｍｅ
（Ｍｅ＝Ｎｉ，Ｃｏ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｉｒ，
Ｏｓ，Ｒｕ，Ｃｒ）系合金の比電気抵抗ρおよび抵抗温
度係数ＴＣＲと濃度との関係を示す特性図である。
（Ｍｅ＝Ｎｉ，Ｃｏ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｉｒ，
Ｏｓ，Ｒｕ，Ｃｒ）系合金の比電気抵抗ρおよび抵抗温
度係数ＴＣＲと濃度との関係を示す特性図である。
【図４】図４は、Ｐｄ−２５％Ｆｅ−５％Ｍｎ−Ｍｅ
（Ｍｅ＝Ｖ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｇａ，Ｇ
ｅ，Ｉｎ，Ｂｅ，Ｚｒ，Ｈｆ）系合金の比電気抵抗ρお
よび抵抗温度係数ＴＣＲと濃度との関係を示す特性図で
ある。
（Ｍｅ＝Ｖ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｇａ，Ｇ
ｅ，Ｉｎ，Ｂｅ，Ｚｒ，Ｈｆ）系合金の比電気抵抗ρお
よび抵抗温度係数ＴＣＲと濃度との関係を示す特性図で
ある。
【図５】図５は、Ｐｄ−２５％Ｆｅ−５％Ｍｎ−Ｍｅ
（Ｍｅ＝Ｓｎ，Ｓｂ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃ，Ｂ，Ｙ，
Ｃｅ，Ｌａ）系合金の比電気抵抗ρおよび抵抗温度係数
ＴＣＲと濃度との関係を示す特性図である。
（Ｍｅ＝Ｓｎ，Ｓｂ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃ，Ｂ，Ｙ，
Ｃｅ，Ｌａ）系合金の比電気抵抗ρおよび抵抗温度係数
ＴＣＲと濃度との関係を示す特性図である。
【図６】図６は、合金番号２１０の抵抗温度係数ＴＣＲ
と連続熱処理条件との関係を示す特性図である。
と連続熱処理条件との関係を示す特性図である。
【図７】図７は、本発明合金（合金番号２１０）と比較
合金（Ｐｄ−３０％Ｆｅ−５％Ｍｎ）の酸化層深さｄと
熱処理温度との関係を示す特性図である。
合金（Ｐｄ−３０％Ｆｅ−５％Ｍｎ）の酸化層深さｄと
熱処理温度との関係を示す特性図である。
【図８】図８は、本発明合金と比較合金の酸化層深さｄ
と熱処理時間との関係を示す特性図である。
と熱処理時間との関係を示す特性図である。
【図９】図９は、本発明合金（合金番号２１０）および
比較材料（白金）のＴＣＲ、ρ−Ｔ曲線図である。
比較材料（白金）のＴＣＲ、ρ−Ｔ曲線図である。
【図１０】図１０は、合金番号２１０，２１３，２２
５，２３２，および２４６のＴＣＲ−Ｔ曲線図である。
５，２３２，および２４６のＴＣＲ−Ｔ曲線図である。
【図１１】図１１は、本発明合金（合金番号２１０）を
使用したＣＯガスセンサのＣＯガス感度特性図である。
使用したＣＯガスセンサのＣＯガス感度特性図である。
【図１２】図１２は、高感度ＣＯガスセンサの試作品
（２素子）を示す斜視図である。
（２素子）を示す斜視図である。
【図１３】図１３は、本発明合金（合金番号２３２）を
使用したＨ２ガスセンサの種々の素子温度Ｔｓに対する
Ｈ２ガス感度特性図である。
使用したＨ２ガスセンサの種々の素子温度Ｔｓに対する
Ｈ２ガス感度特性図である。
【図１４】図１４は、本発明合金（合金番号２３２）を
使用した抵抗変化型温度センサの出力と検出温度との関
係を示す特性図である。
使用した抵抗変化型温度センサの出力と検出温度との関
係を示す特性図である。
１ ハーメチック基板 ２ ステム ３ 活性部素子 ４ 補償部素子 ５ 金網
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０１Ｋ 7/18 Ｇ０１Ｋ 7/18 Ｚ Ｇ０１Ｎ 27/16 Ｇ０１Ｎ 27/16 Ｂ Ｈ０１Ｃ 7/02 Ｈ０１Ｃ 7/02
Claims (22)
- 【請求項１】 原子量比にて、鉄５〜６５％、マンガン
０．００１〜２０％および副成分としてニッケル２０％
以下、コバルト２０％以下、銀２０％以下、金２０％以
下、白金２０％以下、ロジウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ルテニウム１０％
以下、クロム１０％以下、バナジウム５％以下、チタン
５％以下、ジルコニウム５％以下、ハフニウム５％以
下、モリブデン８％以下、ニオブ５％以下、タングステ
ン１０％以下、タンタル８％以下、ガリウム３％以下、
ゲルマニウム３％以下、インジウム３％以下、ベリリウ
ム３％以下、錫５％以下、アンチモン３％以下、銅５％
以下、アルミニウム５％以下、シリコン５％以下、炭素
２％以下、ホウ素２％以下および希土類元素５％以下の
１種または２種以上の合計０．００１〜２０％および残
部パラジウムと少量の不純物からなり、０〜２００℃に
おける平均の抵抗温度係数が４０００×１０−６℃−１
以上を有することを特徴とする電気抵抗合金。 - 【請求項２】 原子量比にて、鉄５〜６５％、マンガン
０．００１〜２０％、コバルト０．００１〜２０％およ
び副成分としてニッケル２０％以下、銀２０％以下、金
２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１０％以下、イ
リジウム１０％以下、オスミウム１０％以下、ルテニウ
ム１０％以下、クロム１０％以下、バナジウム５％以
下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以下、ハフニウ
ム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ５％以下、タ
ングステン１０％以下、タンタル８％以下、ガリウム３
％以下、ゲルマニウム３％以下、インジウム３％以下、
ベリリウム３％以下、錫５％以下、アンチモン３％以
下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、シリコン５％
以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下および希土類元素
５％以下の１種または２種以上の合計０．００１〜２０
％および残部パラジウムと少量の不純物からなり、０〜
２００℃における平均の抵抗温度係数が４０００×１０
−６℃−１以上を有することを特徴とする電気抵抗合
金。 - 【請求項３】 原子量比にて、鉄５〜６５％、マンガン
０．００１〜２０％、および副成分としてニッケル２０
％以下、銀２０％以下、金２０％以下、白金２０％以
下、ロジウム１０％以下、イリジウム１０％以下、オス
ミウム１０％以下、ルテニウム１０％以下、クロム１０
％以下、バナジウム５％以下、チタン５％以下、ジルコ
ニウム５％以下、ハフニウム５％以下、モリブデン８％
以下、ニオブ５％以下、タングステン１０％以下、タン
タル８％以下、ガリウム３％以下、ゲルマニウム３％以
下、インジウム３％以下、ベリリウム３％以下、錫５％
以下、アンチモン３％以下、銅５％以下、アルミニウム
５％以下、シリコン５％以下、炭素２％以下、ホウ素２
％以下および希土類元素５％以下の１種または２種以上
の合計０．００１〜２０％および残部パラジウムと少量
の不純物からなり、０〜２００℃における平均の抵抗温
度係数が４０００×１０−６℃−１以上を有することを
特徴とする電気抵抗合金。 - 【請求項４】 原子量比にて、鉄５〜６５％、マンガン
０．００１〜２０％、および副成分としてニッケル２０
％以下、コバルト２０％以下、銀２０％以下、金２０％
以下、白金２０％以下、ロジウム１０％以下、イリジウ
ム１０％以下、オスミウム１０％以下、ルテニウム１０
％以下、クロム１０％以下、バナジウム５％以下、チタ
ン５％以下、ジルコニウム５％以下、ハフニウム５％以
下、モリブデン８％以下、ニオブ５％以下、タングステ
ン１０％以下、タンタル８％以下、ガリウム３％以下、
ゲルマニウム３％以下、インジウム３％以下、ベリリウ
ム３％以下、錫５％以下、アンチモン３％以下、銅５％
以下、アルミニウム５％以下、シリコン５％以下、炭素
２％以下、ホウ素２％以下および希土類元素５％以下の
１種または２種以上の合計０．００１〜２０％および残
部パラジウムと少量の不純物からなる合金組成の原料
を、非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中において溶
解した後、該合金溶湯を適当な鋳型で鋳造するか、ある
いは連続凝固して所望の形状のインゴット、スラブまた
は丸棒等の素材とし、その後熱間および冷間加工を施し
て、箔材、細線またはリボン等の線材とした後、非酸化
性ガス、還元性ガスまたは真空中で６００〜１３００℃
の温度で焼鈍するか、あるいは適度な速度で連続熱処理
する工程よりなり、０〜２００℃における平均の抵抗温
度係数が４０００×１０−６℃−１以上を有する合金を
得ることを特徴とする電気抵抗合金の製造法。 - 【請求項５】 原子量比にて、鉄５〜６５％、マンガン
０．００１〜２０％、コバルト０．００１〜２０％およ
び副成分としてニッケル２０％以下、銀２０％以下、金
２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１０％以下、イ
リジウム１０％以下、オスミウム１０％以下、ルテニウ
ム１０％以下、クロム１０％以下、バナジウム５％以
下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以下、ハフニウ
ム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ５％以下、タ
ングステン１０％以下、タンタル８％以下、ガリウム３
％以下、ゲルマニウム３％以下、インジウム３％以下、
ベリリウム３％以下、錫５％以下、アンチモン３％以
下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、シリコン５％
以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下および希土類元素
５％以下の１種または２種以上の合計０．００１〜２０
％および残部パラジウムと少量の不純物からなる合金組
成の原料を、非酸化性ガス、還元性ガスあるいは真空中
において溶解した後、該合金溶湯を適当な鋳型で鋳造す
るか、あるいは連続凝固して所望の形状のインゴット、
スラブまたは丸棒等の素材とし、その後熱間および冷間
加工を施して、箔材、細線あるいはリボン等の線材とし
た後非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中で６００〜
１３００℃の温度で焼鈍するか、あるいは適度な速度で
連続熱処理する工程よりなり、０〜２００℃における平
均の抵抗温度係数が４０００×１０−６℃−１以上を有
する合金を得ることを特徴とする電気抵抗合金の製造
法。 - 【請求項６】 原子量比にて、鉄５〜６５％、マンガン
０．００１〜２０％および副成分としてニッケル２０％
以下、銀２０％以下、金２０％以下、白金２０％以下、
ロジウム１０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウ
ム１０％以下、ルテニウム１０％以下、クロム１０％以
下、バナジウム５％以下、チタン５％以下、ジルコニウ
ム５％以下、ハフニウム５％以下、モリブデン８％以
下、ニオブ５％以下、タングステン１０％以下、タンタ
ル８％以下、ガリウム３％以下、ゲルマニウム３％以
下、インジウム３％以下、ベリリウム３％以下、錫５％
以下、アンチモン３％以下、銅５％以下、アルミニウム
５％以下、シリコン５％以下、炭素２％以下、ホウ素２
％以下および希土類元素５％以下の１種または２種以上
の合計０．００１〜２０％および残部パラジウムと少量
の不純物からなる合金組成の原料を、非酸化性ガス、還
元性ガスまたは真空中において溶解した後、該合金溶湯
を適当な鋳型で鋳造するか、あるいは連続凝固して所望
の形状のインゴット、スラブあるいは丸棒等の素材と
し、その後熱間および冷間加工を施して、箔材、細線ま
たはリボン等の線材とした後、非酸化性ガス、還元性ガ
スまたは真空中で６００〜１３００℃の温度で焼鈍する
か、あるいは適度な速度で連続熱処理する工程よりな
り、０〜２００℃における平均の抵抗温度係数が４００
０×１０−６℃−１以上を有する合金を得ることを特徴
とする電気抵抗合金の製造法。 - 【請求項７】 原子量比にて、鉄５〜６５％、マンガン
０．００１〜２０％および副成分としてニッケル２０％
以下、コバルト２０％以下、銀２０％以下、金２０％以
下、白金２０％以下、ロジウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ルテニウム１０％
以下、クロム１０％以下、バナジウム５％以下、チタン
５％以下、ジルコニウム５％以下、ハフニウム５％以
下、モリブデン８％以下、ニオブ５％以下、タングステ
ン１０％以下、タンタル８％以下、ガリウム３％以下、
ゲルマニウム３％以下、インジウム３％以下、ベリリウ
ム３％以下、錫５％以下、アンチモン３％以下、銅５％
以下、アルミニウム５％以下、シリコン５％以下、炭素
２％以下、ホウ素２％以下および希土類元素５％以下の
１種または２種以上の合計０．００１〜２０％および残
部パラジウムと少量の不純物からなり、０〜２００℃に
おける平均の抵抗温度係数が４０００×１０−６℃−１
以上を有する電気抵抗合金よりなる接触燃焼式ガスセン
サ。 - 【請求項８】 原子量比にて、鉄５〜６５％、マンガン
０．００１〜２０％、コバルト０．００１〜２０％およ
び副成分としてニッケル２０％以下、銀２０％以下、金
２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１０％以下、イ
リジウム１０％以下、オスミウム１０％以下、ルテニウ
ム１０％以下、クロム１０％以下、バナジウム５％以
下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以下、ハフニウ
ム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ５％以下、タ
ングステン１０％以下、タンタル８％以下、ガリウム３
％以下、ゲルマニウム３％以下、インジウム３％以下、
ベリリウム３％以下、錫５％以下、アンチモン３％以
下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、シリコン５％
以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下および希土類元素
５％以下の１種または２種以上の合計０．００１〜２０
％および残部パラジウムと少量の不純物からなり、０〜
２００℃における平均の抵抗温度係数が４０００×１０
−６℃−１以上を有する電気抵抗合金よりなる接触燃焼
式ガスセンサ。 - 【請求項９】 原子量比にて、鉄５〜６５％、マンガン
０．００１〜２０％、および副成分としてニッケル２０
％以下、銀２０％以下、金２０％以下、白金２０％以
下、ロジウム１０％以下、イリジウム１０％以下、オス
ミウム１０％以下、ルテニウム１０％以下、クロム１０
％以下、バナジウム５％以下、チタン５％以下、ジルコ
ニウム５％以下、ハフニウム５％以下、モリブデン８％
以下、ニオブ５％以下、タングステン１０％以下、タン
タル８％以下、ガリウム３％以下、ゲルマニウム３％以
下、インジウム３％以下、ベリリウム３％以下、錫５％
以下、アンチモン３％以下、銅５％以下、アルミニウム
５％以下、シリコン５％以下、炭素２％以下、ホウ素２
％以下および希土類元素５％以下の１種または２種以上
の合計０．００１〜２０％および残部パラジウムと少量
の不純物からなり、０〜２００℃における平均の抵抗温
度係数が４０００×１０−６℃−１以上を有する電気抵
抗合金よりなる接触燃焼式ガスセンサ。 - 【請求項１０】 原子量比にて、鉄５〜６５％、マンガ
ン０．００１〜２０％、および副成分としてニッケル２
０％以下、コバルト２０％以下、銀２０％以下、金２０
％以下、白金２０％以下、ロジウム１０％以下、イリジ
ウム１０％以下、オスミウム１０％以下、ルテニウム１
０％以下、クロム１０％以下、バナジウム５％以下、チ
タン５％以下、ジルコニウム５％以下、ハフニウム５％
以下、モリブデン８％以下、ニオブ５％以下、タングス
テン１０％以下、タンタル８％以下、ガリウム３％以
下、ゲルマニウム３％以下、インジウム３％以下、ベリ
リウム３％以下、錫５％以下、アンチモン３％以下、銅
５％以下、アルミニウム５％以下、シリコン５％以下、
炭素２％以下、ホウ素２％以下および希土類元素５％以
下の１種または２種以上の合計０．００１〜２０％およ
び残部パラジウムと少量の不純物からなる合金組成の原
料を、非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中において
溶解した後、該合金溶湯を適当な鋳型で鋳造するか、あ
るいは連続凝固して所望の形状のインゴット、スラブま
たは丸棒等の素材とし、その後熱間および冷間加工を施
して、箔材、細線あるいはリボン等の線材とした後、非
酸化性ガス、還元性ガスあるいは真空中で６００〜１３
００℃の温度で焼鈍するか、あるいは適度な速度で連続
熱処理して０〜２００℃における平均の抵抗温度係数が
４０００×１０−６℃−１以上を有する合金を得る製造
法で得られた電気抵抗合金の箔材および線材をそのまま
か、あるいは該箔材または該線材に電着、蒸着、イオン
プレーティングまたはスパッタリングなどの適当な方法
で、樹脂系被膜、金属系被膜または非金属系被膜等を所
望の厚さにコーティングを施して、被膜箔材または被膜
線材となし、ついで該箔材、該線材、該被膜箔材および
該被膜線材をそのままで電極に取り付けてガスセンサを
構成するか、あるいは所望の形状のコイルに成形した
後、該コイルを電極兼ステムに適当な方法で固定し、つ
いで一方のコイルには、ガス活性能を有する触媒を、ま
た他方のコイルには絶縁体を、それぞれ形成したことを
特徴とする接触燃焼式ガスセンサ。 - 【請求項１１】 原子量比にて、鉄５〜６５％、マンガ
ン０．００１〜２０％、コバルト０．００１〜２０％お
よび副成分としてニッケル２０％以下、銀２０％以下、
金２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１０％以下、
イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以下、ルテニ
ウム１０％以下、クロム１０％以下、バナジウム５％以
下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以下、ハフニウ
ム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ５％以下、タ
ングステン１０％以下、タンタル８％以下、ガリウム３
％以下、ゲルマニウム３％以下、インジウム３％以下、
ベリリウム３％以下、錫５％以下、アンチモン３％以
下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、シリコン５％
以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下および希土類元素
５％以下の１種または２種以上の合計０．００１〜２０
％および残部パラジウムと少量の不純物からなる合金組
成の原料を、非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中に
おいて溶解した後、該合金溶湯を適当な鋳型で鋳造する
か、あるいは連続凝固して所望の形状のインゴット、ス
ラブまたは丸棒等の素材とし、その後熱問および冷間加
工を施して、箔材、細線またはリボン等の線材とした
後、非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中で６００〜
１３００℃の温度で焼鈍するか、あるいは適度な速度で
連続熱処理して０〜２００℃における平均の抵抗温度係
数が４０００×１０−６℃−１以上を有する合金を得る
製造法で得られた電気抵抗合金の箔材または線材をその
ままか、あるいは該箔材または該線材に電着、蒸着、イ
オンプレーティングまたはスパッタリングなどの適当な
方法で、樹脂系被膜、金属系被膜または非金属系被膜等
を所望の厚さにコーティングを施して、被膜箔材または
被膜線材となし、ついで該箔材、該線材、該被膜箔材お
よび該被膜線材をそのままで電極に取り付けてガスセン
サを構成するか、あるいは所望の形状のコイルに成形し
た後、該コイルを電極兼ステムに適当な方法で固定し、
ついで一方のコイルには、ガス活性能を有する触媒を、
また他方のコイルには絶縁体を、それぞれ形成したこと
を特徴とする接触燃焼式ガスセンサ。 - 【請求項１２】 原子量比にて、鉄５〜６５％、マンガ
ン０．００１〜２０％および副成分としてニッケル２０
％以下、銀２０％以下、金２０％以下、白金２０％以
下、ロジウム１０％以下、イリジウム１０％以下、オス
ミウム１０％以下、ルテニウム１０％以下、クロム１０
％以下、バナジウム５％以下、チタン５％以下、ジルコ
ニウム５％以下、ハフニウム５％以下、モリブデン８％
以下、ニオブ５％以下、タングステン１０％以下、タン
タル８％以下、ガリウム３％以下、ゲルマニウム３％以
下、インジウム３％以下、ベリリウム３％以下、錫５％
以下、アンチモン３％以下、銅５％以下、アルミニウム
５％以下、シリコン５％以下、炭素２％以下、ホウ素２
％以下および希土類元素５％以下の１種または２種以上
の合計０．００１〜２０％および残部パラジウムと少量
の不純物からなる合金組成の原料を、非酸化性ガス、還
元性ガスまたは真空中において溶解した後、該合金溶湯
を適当な鋳型で鋳造するか、あるいは連続凝固して所望
の形状のインゴット、スラブまたは丸棒等の素材とし、
その後熱間および冷間加工を施して、箔材、細線または
リボン等の線材とした後、非酸化性ガス、還元性ガスま
たは真空中で６００〜１３００℃の温度で焼鈍するか、
あるいは適度な速度で連続熱処理して０〜２００℃にお
ける平均の抵抗温度係数が４０００×１０−６℃−１以
上を有する合金を得る製造法で得られた電気抵抗合金の
箔材または線材をそのままか、あるいは該箔材または該
線材に電着、蒸着、イオンプレーティングあるいはスパ
ッタリングなどの適当な方法で、樹脂系被膜、金属系被
膜または非金属系被膜等を所望の厚さにコーティングを
施して、被膜箔材または被膜線材となし、ついで該箔
材、該線材、該被膜箔材および該被膜線材をそのままで
電極に取り付けてガスセンサを構成するか、あるいは所
望の形状のコイルに成形した後、該コイルを電極兼ステ
ムに適当な方法で固定し、ついで一方のコイルには、ガ
ス活性能を有する触媒を、また他方のコイルには絶縁体
を、それぞれ形成したことを特徴とする接触燃焼式ガス
センサ。 - 【請求項１３】 原子量比にて、鉄５〜６５％、マンガ
ン０．００１〜２０％および副成分としてニッケル２０
％以下、コバルト２０％以下、銀２０％以下、金２０％
以下、白金２０％以下、ロジウム１０％以下、イリジウ
ム１０％以下、オスミウム１０％以下、ルテニウム１０
％以下、クロム１０％以下、バナジウム５％以下、チタ
ン５％以下、ジルコニウム５％以下、ハフニウム５％以
下、モリブデン８％以下、ニオブ５％以下、タングステ
ン１０％以下、タンタル８％以下、ガリウム３％以下、
ゲルマニウム３％以下、インジウム３％以下、ベリリウ
ム３％以下、錫５％以下、アンチン３％以下、銅５％以
下、アルミニウム５％以下、シリコン５％以下、炭素２
％以下、ホウ素２％以下および希土類元素５％以下の１
種または２種以上の合計０．００１〜２０％および残部
パラジウムと少量の不純物からなり、０〜２００℃にお
ける平均の抵抗温度係数が４０００×１０−６℃−１以
上を有する電気抵抗合金を、電気絶縁物表面に電着、蒸
着、イオンプレーティングまたはスパッタリングより選
択された適当な方法により被膜形成した後、所望の形状
に打ち抜き、フォトエッチングあるいはトリミング加工
を施し、ついで非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中
で熱処理を施すか、あるいは適度な速度で連続熱処理を
施し、さらに電極を形成してなることを特徴とする抵抗
変化型高性能温度センサ。 - 【請求項１４】 原子量比にて、鉄５〜６５％、マンガ
ン０．００１〜２０％、コバルト０．００１〜２０％お
よび副成分としてニッケル２０％以下、銀２０％以下、
金２０％以下、白金２０％以下、ロジウム１０％以下、
イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以下、ルテニ
ウム１０％以下、クロム１０％以下、バナジウム５％以
下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以下、ハフニウ
ム５％以下、モリブデン８％以下、ニオブ５％以下、タ
ングステン１０％以下、タンタル８％以下、ガリウム３
％以下、ゲルマニウム３％以下、インジウム３％以下、
ベリリウム３％以下、錫５％以下、アンチモン３％以
下、銅５％以下、アルミニウム５％以下、シリコン５％
以下、炭素２％以下、ホウ素２％以下および希土類元素
５％以下の１種または２種以上の合計０．００１〜２０
％および残部パラジウムと少量の不純物からなり、０〜
２００℃における平均の抵抗温度係数が４０００×１０
−６℃−１以上を有する電気抵抗合金を電気絶縁物表面
に電着、蒸着、イオンプレーティングまたはスパッタリ
ング等適当な方法によって被膜形成した後、所望の形状
に打ち抜き、フォトエッチングまたはトリミング加工を
施し、ついで非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中で
熱処理を施すか、あるいは適度な速度で連続熱処理を施
し、さらに電極を形成してなることを特徴とする抵抗変
化型高性能温度センサ。 - 【請求項１５】 原子量比にて、鉄５〜６５％、マンガ
ン０．００１〜２０％および副成分としてニッケル２０
％以下、銀２０％以下、金２０％以下、白金２０％以
下、ロジウム１０％以下、イリジウム１０％以下、オス
ミウム１０％以下、ルテニウム１０％以下、クロム１０
％以下、バナジウム５％以下、チタン５％以下、ジルコ
ニウム５％以下、ハフニウム５％以下、モリブデン８％
以下、ニオブ５％以下、タングステン１０％以下、タン
タル８％以下、ガリウム３％以下、ゲルマニウム３％以
下、インジウム３％以下、ベリリウム３％以下、錫５％
以下、アンチモン３％以下、銅５％以下、アルミニウム
５％以下、シリコン５％以下、炭素２％以下、ホウ素２
％以下および希土類元素５％以下の１種または２種以上
の合計０．００１〜２０％および残部パラジウムと少量
の不純物からなり、０〜２００℃における平均の抵抗温
度係数が４０００×１０−６℃−１以上を有する電気抵
抗合金を電気絶縁物表面に電着、蒸着、イオンプレーテ
ィングまたはスパッタリング等適当な方法によって被膜
形成した後、所望の形状に打ち抜き、フォトエッチング
またはトリミング加工を施し、ついで非酸化性ガス、還
元性ガスまたは真空中で熱処理を施すか、あるいは適度
な速度で連続熱処理を施し、さらに電極を形成してなる
ことを特徴とする抵抗変化型高性能温度センサ。 - 【請求項１６】 ガスの種類が、一酸化炭素、水素、エ
タノール、メタン、イソブタンまたはブタンの各種ガス
のうち何れかからなる請求項７ないし１２のいずれか１
項に記載の接触燃焼式ガスセンサ。 - 【請求項１７】 ガスの種類が一酸化炭素、水素、エタ
ノール、メタン、イソブタンまたはブタンの各種ガスの
うち何れかからなり、触媒がＰｔブラック、ＰｄＯ，Ａ
ｌ２Ｏ３，Ｃｕ２Ｏ，ＺｎＯ，ＭｎＯ２，Ｓｍ２Ｏ３，
Ｒｈ２Ｏ３の何れか１種または２種以上を成分として含
有した組成物からなり、絶縁体がＮｉ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ
３，ＣｕＯ，Ｃｒ２Ｏ３，ＴｉＯ２の何れか１種または
２種以上を成分として含有した組成物からなる請求項７
ないし１２のいずれか１項に記載の接触燃焼式ガスセン
サ。 - 【請求項１８】 ガスの種類が、一酸化炭素ガスからな
る請求項７ないし１２のいずれか１項に記載の接触燃焼
式ガスセンサ。 - 【請求項１９】 ガスの種類が一酸化炭素ガスからな
り、触媒がＰｔブラック、ＰｄＯ，Ａｌ２Ｏ３，Ｃｕ２
Ｏ，ＺｎＯ，ＭｎＯ２，Ｓｍ２Ｏ３，Ｒｈ２Ｏ３の何れ
か１種または２種以上を成分として含有した組成物から
なり、絶縁体がＮｉ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，ＣｕＯ，Ｃｒ
２Ｏ３，ＴｉＯ２の何れか１種または２種以上を成分と
して含有した組成物からなる請求項７ないし１２のいず
れか１項に記載の接触燃焼式ガスセンサ。 - 【請求項２０】 ガスの種類が、水素ガスからなる請求
項７ないし１２のいずれか１項に記載の接触燃焼式ガス
センサ。 - 【請求項２１】 ガスの種類が水素ガスからなり、触媒
がＰｔブラック、ＰｄＯ，Ａｌ２Ｏ３，Ｃｕ２Ｏ，Ｚｎ
Ｏ，ＭｎＯ２，Ｓｍ２Ｏ３，Ｒｈ２Ｏ３の何れか１種ま
たは２種以上を成分として含有した組成物からなり、絶
縁体がＮｉ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，ＣｕＯ，Ｃｒ２Ｏ３，
ＴｉＯ２の何れか１種または２種以上を成分として含有
した組成物からなる請求項７ないし１２のいずれか１項
に記載の接触燃焼式ガスセンサ。 - 【請求項２２】 触媒がＰｔブラック、ＰｄＯ，Ａｌ２
Ｏ３，Ｃｕ２Ｏ，ＺｎＯ，ＭｎＯ２，Ｓｍ２Ｏ３，Ｒｈ
２Ｏ３の何れか１種または２種以上を成分として含有し
た組成物からなり、絶縁体がＮｉ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，
ＣｕＯ，Ｃｒ２Ｏ３，ＴｉＯ２の何れか１種または２種
以上を成分として含有した組成物からなる請求項７ない
し１２のいずれか１項に記載の接触燃焼式ガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34596995A JP3696310B2 (ja) | 1994-12-01 | 1995-11-28 | 大きな抵抗温度係数を有する電気抵抗合金とその製造法ならびにセンサデバイス |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29855594 | 1994-12-01 | ||
| JP6-298555 | 1994-12-01 | ||
| JP34596995A JP3696310B2 (ja) | 1994-12-01 | 1995-11-28 | 大きな抵抗温度係数を有する電気抵抗合金とその製造法ならびにセンサデバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08260077A true JPH08260077A (ja) | 1996-10-08 |
| JP3696310B2 JP3696310B2 (ja) | 2005-09-14 |
Family
ID=26561569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34596995A Expired - Fee Related JP3696310B2 (ja) | 1994-12-01 | 1995-11-28 | 大きな抵抗温度係数を有する電気抵抗合金とその製造法ならびにセンサデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3696310B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008096267A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | New Cosmos Electric Corp | 接触燃焼式ガス検知素子及びその製造方法 |
| CN102031457A (zh) * | 2010-12-23 | 2011-04-27 | 龙南龙钇重稀土科技股份有限公司 | 含钇低合金钢板锤 |
| JP2016510173A (ja) * | 2013-03-06 | 2016-04-04 | ヘレーウス ゼンゾール テクノロジー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＨｅｒａｅｕｓ Ｓｅｎｓｏｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＧｍｂＨ | レーザー光線を用いた煤煙センサーの製造方法 |
| US9450260B2 (en) | 2008-08-19 | 2016-09-20 | Lg Fuel Cell Systems Inc. | Method for inferring temperature in an enclosed volume |
| JP2020176991A (ja) * | 2019-04-22 | 2020-10-29 | 新コスモス電機株式会社 | 接触燃焼式水素ガスセンサ及び接触燃焼式水素ガスセンサの製造方法 |
| US10943847B2 (en) | 2016-07-04 | 2021-03-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor chip and semiconductor device |
-
1995
- 1995-11-28 JP JP34596995A patent/JP3696310B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US10107221B2 (en) | 2013-03-06 | 2018-10-23 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Method for producing a soot sensor with a laser beam |
| US10943847B2 (en) | 2016-07-04 | 2021-03-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor chip and semiconductor device |
| JP2020176991A (ja) * | 2019-04-22 | 2020-10-29 | 新コスモス電機株式会社 | 接触燃焼式水素ガスセンサ及び接触燃焼式水素ガスセンサの製造方法 |
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| JP3696310B2 (ja) | 2005-09-14 |
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Legal Events
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041224 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050201 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050310 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050628 |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050629 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080708 Year of fee payment: 3 |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090708 Year of fee payment: 4 |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090708 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100708 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100708 Year of fee payment: 5 |
|
| S802 | Written request for registration of partial abandonment of right |
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