JPH11505376A - ダイオードポンプ式の多軸モードキャビティ内倍周波数レーザ - Google Patents

ダイオードポンプ式の多軸モードキャビティ内倍周波数レーザ

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JPH11505376A JP8535086A JP53508696A JPH11505376A JP H11505376 A JPH11505376 A JP H11505376A JP 8535086 A JP8535086 A JP 8535086A JP 53508696 A JP53508696 A JP 53508696A JP H11505376 A JPH11505376 A JP H11505376A
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Abstract

(57)【要約】 レゾネータキャビティを画成する少なくとも2つのレゾネータミラーを有するダイオードポンプド、多軸モード、イントラキャビティダブルド、イントラキャビティトリプルドレーザー。レーザークリスタルとダブリングクリスタルがレゾネータキャビティに配置されている。トリプリングクリスタルがさらにレゾネータキャビティに配置されている。ダイオードポンプソースがレーザークリスタルにポンプビームを供給し、ダブリングクリスタルに入射する複数の軸モードを有するレーザークリスタルを発生させる。これは、周波数ダブルド出力ビームを発生させる。さらに、ダイオードポンプド、多軸モード、イントラキャビティ非線形変換レーザーはレゾネータキャビティを画成する少なくとも2つのレゾネータミラー、レーザークリスタルおよびレーザーキャビティ内に配置された非線形変換装置を備えている。非線形変換装置もレゾネータキャビティ内に配置される。ポンプビームをレーザークリスタルに供給するダイオードポンプソースは非線形変換装置に入射する複数の軸モードを有するレーザークリスタルビームを発生する。この効果は、3%未満のRMSノイズを有する非線形に変換された出力ビームである。

Description

【発明の詳細な説明】 ダイオードポンプ式の多軸モードキャビティ内倍周波数レーザクロスレファレンス 本発明は、参考としてここに取り上げる1995年2月4日に出願のナイアン 氏等の「ダイオードポンプ式の多軸モードキャビティ内倍周波数レーザ(DIODE P UMPED,MULTIAXIAL MODE,INTRACAVITY DOUBLE DLASER)」と題する米国特許出願 第08/191,656号の一部継続出願である。 又、本発明は、1995年5月19日(本発明と同じ出願日)に出願のナイア ン氏等の「ダイオードポンプ式の多軸モードキャビティ内倍周波数レーザ(DIODE PUMPED,MULTIAXIAL MODE,INTRACAVITY DOUBLED LASER)」と題する別の米国特 許出願もクロスレファレンスする。発明の分野 本発明は、一般に、ダイオードポンプ式キャビティ内倍周波数レーザに係り、 より詳細には、高い振幅安定性を示す多軸モードレーザである連続波ダイオード ポンプ式キャビティ内倍周波数レーザに係る。先行技術の説明 連続波のイオンレーザは、振幅ノイズの低い連続波のグリーンレーザ光の比較 的信頼性のある光源であり、多数のワットレベルの出力パワーを発生する。これ らの装置は、電気的パワーを光学的パワーに変換するが、その効率は1パーセン ト未満に過ぎない。多数のワットレベルで、比較的振幅安定性があって、効率が 高く、コストが安く、ダイオードポンプ式で、連続波のソリッドステートのグリ ーン、ブルー、レッド、近赤外線又はUVレーザソースの開発により利益がもた らされる分野は多数ある。 キャビティ内倍周波数ソリッドステートレーザに伴う幾つかの基本的な問題点 がベア氏の初期の研究において発見されそして数値的にモデリングされている。 例えば、T.ベア著のJ.Opt.Soc.Am.B.第3巻、第9号、第11 75−1180ページ(1986年)及び米国特許第4,656,635号及び 第4,701,929号を参照されたい。KTPのような周波数増倍結晶が振幅 安定性多軸モードダイオードポンプ式のNd:YAGレーザに導入されたと きには、グリーン出力ビーム及びキャビティ内赤外線レーザビームに関してレー ザ振幅変動が観察されることが報告され、開示されている。又、単一軸モード発 振を強制する適当なエタロンをレーザキャビティに配置すると、グリーン出力ビ ームのレーザ振幅ノイズが消えることも報告されている。2ないし4つのモード が発振する多軸モードの場合には、グリーン出力パワーが100%までの変調深 さで変動することが観察される。ベア氏の実験研究及び理論的モデルは、この多 軸モードレーザに周波数倍増結晶を挿入した場合に、和の周波数の発生により赤 外線軸モードのロスの非直線的結合が生じることを示している。1つの軸モード における高いピークパワーは、他の軸モードに対し高い非直線性ロスを誘起し、 予期しない不所望なパルス作用を生じる。 ベア氏により説明された作用の例として、2つの赤外線軸モードを有するレー ザは、3つのグリーン周波数を発生し、その2つは倍周波数モードであり、そし て他の1つは、和の周波数モードである。和の周波数プロセスは、2つの赤外線 軸モードを、それらが順次にスイッチオン及びオフさせられるように結合する。 このモード結合の典型的な周期は、非直線性変換の大きさの関数であることが分 かっている。弱い変換の場合には、周期が短く、モードの変調は最小となる。強 い変換の場合には、モードの結合周期が長くなり、モードは、半周期的形態で互 いに完全に位相ずれして高いピークパワーのパルスにおいてオン及びオフにスイ ッチする。このようなレーザのノイズスペクトルは、通常、グリーン又は赤外線 のいずれかに対して10ないし数百kHzの範囲で実質的なピークを示し、これ は、著しい振幅変動に対応する。 この形式の振幅変調を伴うソースは、振幅ノイズが低く、ひいては、振幅安定 性が高いものとしては一般的に有用ではない。例えば、網膜の光凝固術のような 眼科療法に利用する場合には、治療効果を正確にコントロールするために典型的 な露光時間という時間スケールで振幅の安定性が要求される。別の例は、グリー ンレーザをダイ又はTi:Al23レーザのような第2のレーザのポンプとして 使用することである。ある周波数における深い振幅変調は、第2レーザの出力に 不所望な振幅変調を生じさせる。 ダイオードポンプ式のソリッドステートレーザのキャビティ内倍周波数出力を 安定化するための多数の方法が説明され実証されている。最も一般的な材料は、 レーザ媒体としてはNd:YAGであり、そして非直線性倍増媒体としてはKT Pである。このため、最も一般的な形式の位相マッチングは、形式IIである。 このようなシステムからの倍周波数出力を安定化する試みに使用されている1つ の技術は、キャビティ内1/4波長プレートを挿入することを含む(M.オカ及 びS.クボタ著のOpt.Lett.13.805(1988年)を参照)。オ カ氏の1/4波長技術は、和の周波数発生によって結合されない2つの直交する 偏光赤外線固有モード(eigenmode)を生じる。オカ氏の構成は、ある条件のもと では振幅安定性を示している。しかしながら、出力パワーが高い場合には、この 構成は、エタロンの追加を必要とする(M.オカ氏等の1993年アドバンスド ・ソリッドステート・レーザ・コンファレンス、論文AMGI)。このシステム は、一度に数時間しか安定しないことが報告されている。この技術ではKTPの 温度制御が必須である。キャビティ内倍周波数ソリッドステートレーザの出力を 安定化するのに使用される他の技術は、光学的なキャビティ温度制御(1989 年11月28日付けのアンソン氏等の米国特許第4,884,277号参照)、 並びに強制的な単一周波数動作(1992年11月17日付けのG.J.ルーカ ス氏等の米国特許第5,164,947号、及びW.ウェイチマン氏等の199 5年アドバンスド・ソリッドステート・レーザ・コンファレンス、論文TuD4 及びWD4参照)を含む。 又、低ノイズ動作を達成する別の方法は、単一周波数動作をベースとするもの で、J.ナイチンゲール氏等は、ダイオードポンプ式のNd:YAG及びKTP をもつキャビティ内倍周波数単一方向性リングレーザを開発した(米国特許第5 ,052,815号、第5,136,597号及び第5,170,409号、並 びに1994年コンパクト・ブルー・グリーン・レーザ・コンファレンス、締め 切り後の論文PD6)。 これらの技術は、全て、倍周波数出力が低い振幅ノイズを有すると測定される 動作方式を実証するが、全ての場合に、温度のような環境条件の変化に対応する 確実で且つコストの低い形態で実施することが困難である。使用される技術は、 通常、本来的に振幅不安定なシステムを、そのシステムが安定である狭い範囲の パラメータスペース内に維持しなければならない。単一周波数のキャビティ内倍 周波数システムは、出力パワーに不所望な不連続性を招くモードホップに悩まさ れる。これを回避するために、単一周波数システムは、このようなモードホップ に耐えるように設計されねばならない。更に、現在入手できるシステムをより高 いパワーへとスケールアップする潜在性に制約がある。 そこで、能動的な安定化又は単一軸モード動作を必要としない本来振幅安定性 のあるキャビティ内倍周波数ソリッドステートレーザを提供することが強く要望 される。更に、周囲温度の変化のようなある範囲の環境条件にわたって安定性を 維持するこの形式のレーザが要望される。単一周波数システムのように出力パワ ーに不連続性を示すことのないキャビティ内倍周波数レーザが要望される。又、 高いパワーへとスケールアップすることのできる振幅安定性のあるキャビティ内 倍周波数レーザが要望される。発明の要旨 本発明の目的は、振幅安定性の高い、連続波(CW)、ダイオードポンプ式、 多軸モード、キャビティ内倍周波数のソリッドステートレーザを提供することで ある。 本発明の別の目的は、パーセント実効値ノイズ(%RMS)が広い範囲の動作 パラメータにわたって約0.5%未満であるCW、ダイオードポンプ式、多軸モ ード、キャビティ内倍周波数のレーザを提供することである。 本発明の更に別の目的は、パーセント実効値ノイズ(%RMS)が広い範囲の 動作パラメータにわたって約0.5%未満であり、Nd:YVO4及びLBO、 Nd:YVO4及び別の非直線性結晶、又はLBO及び別の利得媒体の組合せを 使用するCW、ダイオードポンプ式、多軸モード、キャビティ内倍周波数のレー ザを提供することである。 本発明の更に別の目的は、Nd:YVO4を有し、1ワット以上の倍出力パワ ーを発生するCW、ダイオードポンプ式、キャビティ内倍周波数のレーザを提供 することである。 本発明の更に別の目的は、ダイオードバーを使用するダイオードポンプ式、多 軸モード、キャビティ内倍周波数のレーザを提供することである。 本発明の更に別の目的は、ファイバ結合されたダイオードポンプソースを使用 するダイオードポンプ式、多軸モード、キャビティ内倍周波数のレーザを提供す ることである。 本発明の更に別の目的は、強力な熱収束特性を有するレーザ結晶を使用するダ イオードポンプ式、多軸モード、キャビティ内倍周波数のレーザを提供すること である。 本発明の更に別の目的は、レーザ結晶のTEM00モードサイズより大きなポン プビームスポットをレーザ結晶に使用するダイオードポンプ式、多軸モード、キ ャビティ内倍周波数のレーザを提供することである。 本発明の更に別の目的は、ブルー又は紫外線出力を発生する振幅安定性の高い CW、ダイオードポンプ式、多軸モード、キャビティ内倍周波数レーザ及びキャ ビティ内3倍周波数レーザを提供することである。 本発明の更に別の目的は、非直線性の変換機構が、キャビティ内高調波発生、 光学パラメータ発振、光学パラメータ発生及び/又は周波数混合を含むようなC W、ダイオードポンプ式、多軸モード、キャビティ内非直線的変換のレーザを提 供することである。 本発明のこれら及び他の目的は、振幅安定性の高い、CW、ダイオードポンプ 式、多軸モード、キャビティ内倍周波数レーザにおいて達成される。このレーザ は、共振キャビティを画成する少なくとも2つの共振ミラーを備えている。共振 キャビティにはレーザ結晶及び倍増結晶が配置される。ダイオードポンプソース は、ポンプビームをレーザ結晶に供給し、複数の軸モードをもつレーザ結晶ビー ムを発生する。これら軸モードは、倍増結晶に入射し、%RMSノイズが1%未 満の倍周波数出力ビームを発生する。 本発明の倍周波数レーザは、Nd:YVO4レーザ結晶及びLBO倍増結晶を もつことができる。レーザの出力パワーは、1ワット以上となる。 本発明の周波数変換レーザは、(i)共振キャビティに配置された倍増結晶、 (ii)共振キャビティに配置された3倍増結晶、(iii)共振キャビティに配置さ れた非直線的な変換装置、(iv)0.5%未満の%RMSノイズ、(v)0.2% 未満の%RMSノイズ、(vi)0.1%未満の%RMSノイズ、(vii)ダイオー ドバ ー又は複数のダイオードバーであるポンプソース、及び/又は(viii)ファイバ 結合されたダイオードポンプソースを含むことができる。 更に、本発明の倍周波数レーザは、第2レーザのポンプソースでもあり、眼科 治療の分野に使用することもできる。多軸モード装置は、他の形態のキャビティ 内非直線性変換に使用することもでき、これは、キャビティ内高調波発生、光学 パラメータ発生、及び/又は周波数混合を含むが、これに限定されるものではな い。 本発明では、約10程度から、約200の、そして好ましくは約100の非常 に多数の軸モードで発振する。この構成では、各軸モードの相対的なパワーが2 ないし4軸モードの場合より小さい。それ故、軸モードの非直線的結合の相対的 な大きさが減少される。しかしながら、和の周波数発生を介してあるモードを他 のモードに結合する統計学的確率は、モードの数が増加されたことにより高めら れる。本発明では、ベア氏の初期の研究で観察されたスパイク特性は、発振する 多数の個々の軸モードのいづれについても観察されない。これは、本発明におい ては、1つの軸モードが高いピークパワーに到達して他の軸モードに対して高い 非直線性ロスを誘起することはないことを示す。従って、本発明は、非常に多数 の軸モードの発振を与え、非常に振幅安定性の良い出力ビームを生じる。 各個々の軸モードは、高い振幅安定性を示さないが、多数の倍増され加算され た軸モードの重畳である複合出力ビームは、非常に高い振幅安定性を示す。上記 したように、本発明のRMSノイズは、同じ出力パワーレベルの標準的なアルゴ ンイオンレーザについて測定された値より低い。 1つの実施形態においては、Nd:YLF結晶を9W/結晶までのパワーで長 手方向にポンピングするために、ファイバ束結合されたダイオードバーが使用さ れる。ダイオードバーの高速軸発散は、ベア氏の米国特許第4,785,459 号に開示された円筒状のマイクロレンズにより減少され、そしてバーの各放射ア レーは、多モード光ファイバに接続される。この高輝度のポンプソースは、19 92年6月30日付けのベア氏等の米国特許第5,127,068号に開示され ている。出力パワーは、キャビティ内周波数倍増によりレーザ共振器から抽出さ れる。非直線的結晶は、ルチウムトリボレート又はLBOであり、そして形 式1の非結晶位相マッチング(NCPM)を使用することができる。出力パワー は、通常、単一の20WのCW、〜797nmダイオードレーザバーからの16 Wの入射ダイオードポンプ光に対して約2W以上である。これは約12.5%の 光学的効率(Pout/Pincident)に対応する。85%のファイバ束伝達効率と 、40%のダイオード電気的パワー/光学パワー効率を含むと、Nd:YLFを 用いたキャビティ内倍周波数レーザのダイオード電気的パワー/光学パワー効率 は、4.25%程度となる。これは、グリーンのイオンレーザソースに対して典 型的な1%未満の小さな値に比して大きな数値となる。 別の実施形態においては、Nd:YVO4レーザ結晶(1つ又は複数)をポン ピングするのに用いられる2つのファイバ束結合ダイオードバーを使用すること によりパワーのスケーリングが達成される。更に、1Wより大きな倍増出力及び ほぼ回折制限された出力を有するキャビティ内倍増Nd:YVO4レーザが形成 される。高いパワーのNd:YVO4実施形態においては、一般に、レーザ結晶 のポンプビームサイズがレーザ結晶のTEM00モードのサイズより若干大きいと きに最適な性能が達成される。これは、ポンプビームサイズが一般にTEM00モ ードより若干小さいダイオードポンプ式ソリッドステートレーザの古典的モード マッチングの教示とは逆である。モードサイズは、ポンプビームサイズの0.8 という程度に小さい。この比が最適な理由は、Nd:YVO4の熱レンズに強力 な収差があるためである。 高パワーのNd:YVO4実施形態においては、全ポンプパワーの約26Wが レーザ結晶の励起に使用され、結晶の各端に〜13Wが入射する。又、多数のレ ーザ結晶を使用することもできる。レーザ結晶(1つ又は複数)により放射され たキャビティ内赤外線ビームの周波数を倍増するのにLBOが使用される。出力 パワーは、通常、TEM00モードにおいてグリーンで6W程度であり、これは、 約23%の光学的効率(Pout/Pincident)に対応する。85%のファイバ束 伝達効率と、40%のダイオード電気的パワー/光学パワー効率を含むと、キャ ビティ内倍周波数レーザのダイオード電気的パワー/光学出力パワー効率は、約 16%までとなる。TEM00を必要としないか、又は非常に低ノイズであること を必要としない場合には、同じ26Wのポンプパワーに対して8Wまでの532 nm出力を得ることができ、非常に高い効率を表す。TEM00動作については、 通常は、孔が必要とされる。低いノイズ即ち高い振幅安定性に対して最適化され るときには、6Wの倍周波数出力に対しRMSノイズを0.5%より低くするこ とができる。通常、出力ビームは、この場合に実質的にTEM00である。振動又 は水冷に関連した音響ノイズを除去することに注意が払われる場合には、約0. 2%未満のRMSノイズが達成される。これらレーザの非常に振幅安定性の良い 出力は、温度のような環境パラメータに比較的不感である。 本発明のこれら実施形態において、グリーンの即ち倍増された出力ビームは、 実質的に丸いものである。というのは、形式1の非臨界位相マッチング(NCP M)が使用され、これは、当業者に明らかなように、大きな許容角を与えそして ウオークオフを最小にするからである。これは、「ダブルパス構成」が使用され るときに非常に有用である。KTPのように非ゼロのウオークオフを伴う非直線 的な結晶が使用される場合には、ダブルパス構成は、2つの倍増ビーム間に不完 全な重畳を生じ、即ち一方のビームは第1パスに発生されそして第2のビームは 第2パスに発生される。非直線性の結晶であるリチウムトリボレート、LBOが 使用される。位相マッチング及び効率の倍増は、結晶の温度を145ないし17 5℃の付近に最適化することにより最適にされ、1064nmないし532nm の高調波の変換については、〜155℃が典型的である。ある実施形態では、グ リーンのビーム及び赤外線ビームは、ほぼ回折制限され、そしてRFノイズスペ クトルは、約140MHzにおける一次c/2Lピーク以外のヘテロダインピー クを示さない。これは、レーザが最も低い次数の空間モードで発振することを指 示する。10Hzないし10MHzのRMSノイズは、0.5%より低くするこ とができ、そして0.1%以下にすることもできるが、3%RMS以下のノイズ であれば有用である。Nd:YVO4実施形態においては、高い振幅安定性を伴 うTEM00動作を確保するために、通常は、孔が使用される。 非直線的結晶KTPは、本発明の多軸モード技術に関連したキャビティ内倍増 に使用することができる。ナイチンゲール氏等及びウイッチマン氏等により示さ れたように位相マッチング及び適当な偏光回転を確保するよう注意が払われる。 これらの技術を本発明の多軸モード倍増と組み合わせることにより、健全な低ノ イズの倍出力ビームが得られる。1つの実施形態では、2つのファイバ結合ダイ オードバーからの26WのダイオードポンプパワーによりポンピングされるNd :YVO4と、LBOに使用されるものと同様の共振器構成とを使用し、532 nmの約5WのTEM00出力が、約0.5%RMSノイズで発生される。KTP 結晶の配向、角度及び温度は、キャビティの1ラウンドトリップの際の固有モー ドの偏光を防止する形式11キャビティ内相互作用に対して最適化されねばなら ない。図面の簡単な説明 図1は、振幅安定性の高いマルチポート、ダイオードポンプ式、多軸モード、 キャビティ内倍周波数レーザ共振器を示す概略図である。 図2は、図1に示すレーザ共振器の入射光学入力パワーの関数として倍周波数 出力パワーを示すグラフである。 図3は、振幅安定性の高い単一ポート、ダイオードポンプ式、多軸モード、キ ャビティ内倍周波数レーザを示す概略図である。 図4は、発生された倍周波数光の一部分が失われる振幅安定性の高い単一ポー ト、ダイオードポンプ式、多軸モード、キャビティ内倍周波数レーザを示す概略 図である。 図5は、Nd:YVO4及びLBOを用いる2ポート、ダイオードポンプ式、 多軸モード、キャビティ内倍周波数レーザを示す概略図である。 図6は、Nd:YVO4及びLBOを使用するが、図5のレーザより少数のミ ラー及び光学素子を用いた2ポート、ダイオードポンプ式、多軸モード、キャビ ティ内倍周波数レーザを示す概略図である。 図7は、Nd:YVO4及びLBOを使用し、更に、周波数3倍増結晶を含む 2ポート、ダイオードポンプ式、多軸モード、キャビティ内倍周波数レーザを示 す概略図である。 図8は、Ti:Al23のような別のレーザのポンプソースとして使用される ダイオードポンプ式、多軸モード、キャビティ内倍周波数レーザを示す回路図で ある。 図9は、レーザソースとして使用されるダイオードポンプ式、多軸モード、キ ャビティ内倍周波数レーザを組み込んだ網膜の光凝固システムを示す回路図であ る。好ましい実施形態の詳細な説明 本発明の以下の説明に対し、次の用語定義を使用する。 「高いパワー」の倍周波数出力とは、1ワット以上の出力パワー(Pout)で ある。 「高い光学的効率」とは、5%より高い光学/光学効率(Pout/Pincident, diode )である。レーザ結晶に入射するレーザダイオードからの光学的ポンプパ ワーは、(Pincident,diode)である。ファイバ結合されたダイオードポンプソ ースの場合には、(Pincident,diode)の値は、ファイバにより放射されるパワ ーである。 ダイオードポンプ式キャビティ内倍周波数レーザの「高い電気/光学効率」と は、1%より高い効率(Pout/Pelectrical,diode)である。(Pelectrical, diode )の値は、ダイオードに送られる電力の値であって、動作電流とレーザダ イオードにまたがる電圧降下の積の形態である。20Wダイオードバーに対する (Pelectrical,diode)の値は、通常、ダイオードバーの光学的出力パワーの2. 5倍であり、これらのばーは、典型的に、40%効率である。高い電気的効率の この推定に対し、ダイオードを冷却するのに必要な電力量は含まれないが、ある 場合には、この電力を考慮することが必要である。 「多軸」モードのキャビティ内倍周波数レーザとは、レーザ共振器において基 本的な赤外線波長で約3つ以上の軸方向モードが発振するようなレーザである。 ある場合には、その数が約100ないし200となる。 「振幅安定性の高い」キャビティ内倍周波数レーザ、又は「高い振幅安定性」 をもつキャビティ内倍周波数レーザとは、出力ビームが10Hzないし10MH zのパーセント実効値3%未満を示すレーザである。好ましい実施形態では、こ のノイズレベルが0.2%程度であり、高い振幅安定性は、低い振幅ノイズと同 等である。 本発明のダイオードポンプ式、多軸モード、キャビティ内倍周波数レーザは、 共振キャビティに配置された少なくとも1つのレーザ結晶及び少なくとも1つの 倍増結晶を備えている。このレーザは振幅安定性が高く、そして倍周波数出力ビ ームは高いパワーである。ダイオードポンプソースは、レーザ結晶にポンプビー ムを供給し、そして複数の軸モードでキャビティ内赤外線レーザ結晶ビームを発 生し、これは、倍増結晶に入射して、複数の光周波数において倍周波数出力ビー ムを発生する。この出力ビームは、振幅安定性が高く、これは、%RMSが1% 未満であり、好ましくは0.5%未満であり、更に好ましくは0.2%未満であり 、そして最も好ましくは0.1%未満であることを意味する。レーザは、非常に 光学的効率が良く、光学的効率は5%より高く、そして好ましくは12%より高 く、好ましいNd:YVO4の実施形態では約23%である。レーザは、電気/ 光学効率が良く、電気/光学効率は、1%より高く、そして好ましくは4%より 高く、好ましいNd:YVO4の実施形態では約8%である。システムは、通常 、良質のビームを発生するように構成され、これは、出力パワーの実質的な部分 がほぼ回折制限され、即ち実質的にTEM00であることを意味する。 図1には、1053nmのための境界定めされた定在波共振器10が示されて いる。共振器10は、マルチポート、ダイオードポンプ式のもので、4つのアー ムを有し、各アームは、それ自身の光学軸を有する。第1のアームは、1053 nmにおいて高度に反射しそして797nmのポンプ波長において高度に透過す る高度な反射器12と、1053nmにおいて高度に反射しそして797nmに おいて高度に透過する高度な反射器14とにより画成される。反射器12と14 の間の距離は、L1である。共振器10の第2のアームは、1053nmにおい て高度に反射しそして527nmにおいて高度に反射する高度な反射器16と、 1053nmにおいて高度に反射しそして527nmにおいて高度に透過する出 力カプラー18とにより画成される。その長さは、L2である。長さがL3の第 3のアームは、高度な反射器14と、1053nmにおいて高度に反射する高度 な反射器20とにより画成される。高度な反射器20は、本質的に、折り返しミ ラーである。長さがL4の第4のアームは、高度な反射器20と、出力カプラー 18とにより画成される。このアームには、任意のブルースタープレート34を 配置することができる。この実施形態の光学素子は、1053nm、797nm 及び527nmに対して特定であるが、明らかなように、これらの光学素子は、 ポンプソース、レーザ結晶及び倍増結晶に基づいて他の透過及び反射特性をもつ ことができる。 共振器10の長さはLであり、4つのアームの全長に等しい。共振器の光学経 路長さは、Lに非常に近い。これは、良く知られたように、単にキャビティ内の 光学的に濃密な材料のために、4つのアームの長さの和とは異なる。例えば、当 業者に良く知られたように、所与の波長において長さL0及び指数ncのレーザ結 晶は、nc0の光学経路長さを有する。 第1のアームには、その光学軸に沿って1つ以上のレーザ結晶22が配置され る。適当な結晶は、Nd:YLF、Nd:YAG、Nd:YVO4、Nd:GV O4、Nd:YPO4、Nd:BEL、Nd:YALO、並びにNd:LSB及び Nd:YVO4を含むが、これに限定されるものではない。好ましい結晶材料は 、特に図3ないし7に示されたNd:YVO4である。反射器12及び14に隣 接配置されているのは、一対のレンズ24及び26であり、これらは、テレスコ ープ形態で構成されている。ファイバ結合ダイオードポンプソース28の出力は 、ポンプビーム30を発生し、これは、レンズ24及び26により所望のサイズ に収束される。テレスコープ構成は、ダイオードソース28からのポンプビーム 30を収束する。ポンプビームのサイズは、有用なポンプパワーを増加しながら 結晶22の入射面の破壊を回避するためにレンズ24及び26で最適なものにさ れる。レーザ結晶における赤外線ビームのTEM00モードサイズ直径は、Nd: YLFを使用する実施形態では約1mmであるが、Nd:YVO4を使用する実 施形態では約0.5mmである。ポンプビーム直径は、いずれの実施形態でも約 0.6ないし0.7mmである。このポンピング構成は、当業者に良く知られたよ うに、長手方向ポンピング又は端末ポンピングである。振幅安定性の多軸モード 、キャビティ内倍周波数レーザは、横方向にポンピングされるシステム又はファ イバ結合ダイオードを使用しない直接ポンピングされるシステムへと拡張できる ことが明らかである。 ダイオードポンプソース28は、単一ダイオード、空間放射器、ダイオードバ ー又は複数のダイオード、或いは高速軸発散を減少した複数のダイオードバーで ある。適当なダイオードソース28は、カリフォルニア州、シティ・オブ・イン ダストリーのオプトパワーコーポレーションから入手できるモデル番号OPC− A020−797−CSである。別の適当なダイオードは、B020で表される ものである。ダイオードポンプソース28の好ましい波長は、795ないし81 5nmの範囲である。特定のレーザ結晶22のピーク吸収波長は、ほぼ次の通り である。Tm:YAG−785nm;Nd:YLF−797nm;及びNd:Y AG、Nd:YVO4−809nm。オプトパワー社の製品番号の「797」呼 称は、809nmの波長が所望されるときには「809」となる。現在、良く知 られたように、このようなGaA1Asベースのダイオードの出力の波長は、ダ イオードの温度を調整することにより同調できる。同調レートは、良く知られた ように、約0.3nm/℃である。 図1の実施形態においては、2つのレーザ結晶22が長手方向にポンピングさ れ、又は端末でポンピングされる。図5ないし7のように、1つの結晶のみを含 み、その両端をポンピングすることもできるし、或いは又図3及び4のように、 単一結晶22の片側のみをポンピングすることもできる。図1に示すように、単 一のダイオードポンプソース28が使用される。共振器10の第1アームの各端 に対し、又は図5ないし7の共振器に対し、個別のポンプソースを使用すること ができる。安定な多軸モードのキャビティ内倍増の原理は、横方向ポンプ型又は 側部ポンプ型のレーザへと拡張できることが明らかであろう。 ダイオードポンプソース28は、1つ以上の光ファイバ32に接続される。好 ましくは、光ファイバ32の束が使用される。適当なファイバは、シリカクラッ ドを伴うシリカコアを有するものであるが、これに限定されない。 1つの実施形態では、ファイバ束結合されたダイオードバーを用いて、Nd: YLF結晶が9W/結晶までのパワーで長手方向にポンピングされる。ダイオー ドバーの高速軸発散は、ベア氏の米国特許第4,785,459号に開示された ように、円筒状のマイクロレンズにより減少され、バーの各放射アレーがマルチ モードの光ファイバに結合される。この高輝度のポンプソースは、1992年6 月30日付けのベア氏等の米国特許第5,127,068号に開示されている。 出力パワーは、キャビティ内周波数倍増によりレーザ共振器から抽出される。非 直線的結晶は、リチウムトリボレート又はLBOであり、形式1の非結晶位相マ ッチング(NCPM)を使用することができる。出力パワーは、単一の20Wの CW、〜797nmダイオードレーザバーからの16Wの入射ダイオードポンプ 光に対し通常は約2W以上である。これは、約12.5%の光学的効率(Pout/ Pincident)に対応する。85%のファイバ束伝達効率及び40%のダイオード 電気的パワー/光学パワー効率を含むと、キャビティ内倍周波数レーザのダイオ ード電気的パワー/光学パワー効率は、約4.25%となる。これは、イオンレ ーザソースにとって典型的である1%以内の小さな値に比して大きな数値である 。 共振器10に任意に含まれるのは、特定の偏光における動作の確保に使用でき るブルースタープレート34又は他の偏光器具である。これは、利得媒体として Nd:YAGが使用されるときに特に有用である。ブルースタープレート34は 第3又は第4のいずれかのアームの光学軸に沿って配置することができる。第2 のアームには、倍増結晶36が配置される。1つの実施形態では、倍増結晶36 がLBOである。他の適当な倍増結晶は、KTP、KDP、BBO、LBO、L iNbO3及びKNbO3を含む。LBOが使用されるときには、加熱素子38が 含まれる。適当な加熱素子38は、抵抗性ヒータ、又はメルコア社から入手でき るサーモエレクトリックデバイス、トレントンNJ08648である。 LBO倍増結晶36は、1.053−1.064μmから527−532nmへ と倍増するときに典型的に約145−175℃の温度で位相マッチングが制御さ れる形式1の非臨界位相マッチング(NCPM)型構成で使用される。典型的な 温度は、155℃である。LBO倍増結晶36における非臨界位相マッチング( NCPM)の高い受け入れ角度は、高いビームの質及びほぼTEM00動作を生じ るように共振器10を調整できるようにする。他の形式の位相マッチングは、緊 密な収束でビームの質を保持することができず、これは、多空間モード特性又は 楕円状の倍増ビームを生じさせる。 本発明のこれらの実施形態では、グリーン又は倍増出力ビームが実質的に丸い ものである。というのは、形式1の非臨界位相マッチング(NCPM)が使用さ れ、これは、当業者に良く知られたように、大きな受け入れ角を与えそしてウオ ークオフ(walk-off)を最小にするからである。これは、「ダブルパス構成」が使 用されるときに非常に有用である。KTPのように非ゼロのウオークオフを伴う 非直線的結晶が使用される場合には、ダブルパス構成は、2つの倍増ビーム間に 不完全な重畳を生じ、即ち一方のビームは第1パスに発生されそして第2のビー ムは第2パスを経て発生される。非直線性の結晶であるリチウムトリボレート、 LBOが使用される。位相マッチング及び効率の倍増は、結晶の温度を145な いし175℃の付近に最適化することにより最適にされ、1064nmないし5 32nmの高調波の変換については、〜155℃が典型的である。 Nd:YLFがレーザ結晶22として使用され、そして結晶22のポンプビー ム30のサイズが最適化されたときには、キャビティ内の孔をもたずに実質的に TEM00出力ビームを発生することができる。しかしながら、他の利得媒体が使 用されるときには、TEM00動作が望まれる場合に、孔を使用しなければならな いこともある。 別の実施形態では、Nd:YVO4レーザ結晶をポンピングするのに使用され る2つのファイバ束結合ダイオードバーの使用によりパワースケーリングが達成 される。更に、1Wより大きい出力及びほぼ回折制限された出力をもつキャビテ ィ内倍増Nd:YVO4レーザが形成される。高いパワーのNd:YVO4実施形 態では、通常、レーザ結晶のポンプビームサイズがレーザ結晶のTEM00モード のサイズより若干大きいときに最適な性能が達成される。これは、ポンプビーム サイズが一般にTEM00モードより若干小さいダイオードポンプ式ソリッドステ ートレーザの古典的モードマッチングの教示とは逆である。モードサイズは、ポ ンプビームサイズの0.8という程度に小さい。この構成が最適な理由は、端末 ポンプ型のレーザ結晶に強力な収差があるためである。これは、強力な熱収束特 性をもつ他の材料(Nd:YAGを含むが、これに限定されない)についても言 えることである。 出力パワーは、通常、TEM00モードにおいてグリーンで6W程度であり、こ れは、約23%の光学的効率(Pout/Pincident)に対応する。85%のファ イバ束伝達効率と、40%のダイオード電気的パワー/光学的パワー効率を含む と、キャビティ内倍周波数レーザのダイオード電気的パワー/光学的パワー効率 は、8%程度となる。TEM00を必要としないか、又は非常に低ノイズであるこ とを必要としない場合には、同じ26Wのポンプパワーに対して8Wまでの 532nm出力を得ることができ、非常に高い効率を表す。低いノイズ即ち高い 振幅安定性に対して最適化されるときには、6Wの倍周波数出力に対しRMSノ イズを0.5%より低くすることができる。一般に、この実施形態では、出力ビ ームは、実質的にTEM00である。振動又は水冷に関連した音響ノイズを除去す ることに注意が払われる場合には、約0.2%未満のRMSノイズを達成できる 。これらレーザの高い振幅安定性の出力は、温度のような環境パラメータに比較 的不感である。 ある実施形態では、グリーンビーム及び赤外線ビームは、ほぼ回折制限され、 そしてRFノイズスペクトルは、約140MHzの一次c/2Lピーク以外のヘ テロダインピークを示さない。これは、レーザが最も低次の空間モードで発振す ることを指示する。10Hzないし10MHzのRMSノイズは、0.5%より 低くすることができ、そして0.1%以下にすることもできるが、3%RMS未 満のノイズであれば有用である。Nd:YVO4実施形態においては、高い振幅 安定性を伴うTEM00動作を確保するために、通常は、孔が使用される。 高い振幅安定性は、LBO結晶を直角に対していずれかの側に傾斜した場合、 LBO倍増結晶36及び/又は高度な反射器16のZ位置を並進移動した場合、 及びLBOを最適温度の±3℃だけ温度同調した場合にも維持される。これらの 調整は、共振器10の有効な出力パワーの僅かな量を犠牲にするだけである。好 ましい実施形態では、LBO結晶36の端がカットされ、そして互いに非平行で 且つLBO結晶36を通る赤外線キャビティ内ビーム伝播方向に非直角であるよ うに研磨される。LBO結晶36の表面から端ミラー16に当たるスプリアスな 反射は、倍増出力ビームの振幅安定性を低下させることがある。これらのスプリ アスビームは、端ミラーに当たり、そしてキャビティの主ビームへと結合されて 戻され、不所望な性能低下を生じさせる。これらのスプリアスなビームが主キャ ビティ内ビームへ結合されて戻されるのを防止するのが重要である。この機能を 作用させるために結晶36と端ミラー16との間に孔を使用することができる。 ポンプビーム30は、レーザクリスタル22を通過し、イントラ−キャビティ赤 外線レーザークリスタルビームが形成される。レーザークリスタルビームはつぎ にLBOクリスタル36の表面に入射する。図1のレーザでは、好ましくは約 50μm径のオーダーで小さなウエストがLBOダブリングクリスタル36の内 部に発生する。この結果、LBOクリスタル36内に極めて強力な赤外線ビーム を生成する。高い強度が必要とされるのは、赤外線をグリーンに変換することに よって赤外線強度が非線形に(2乗として)増加するからである。LBOクリス タル36は通常イントラキャビティ(intracavity)ダブルド(doubled)レーザに対 しては、赤外線およびダブル波長のいずれにおいても耐反射被覆されている。こ れらの被覆クリスタルは中国のフジアン−キャステク(Fujian-Castech)から入手 できる。LBOクリスタル36の被覆は1.064μm未満で、例えば<1パー セント、好ましくは、<0.1パーセントといった極めて低い反射率を与えるも のでなけばならない。この被覆はまた例えば532nmにおいて、例えば、<1 パーセントあるいはそれより良好な極めて低い反射率を与えるものでなければな らない。 さらに、この被覆は、レーザー内の高い平均電力濃度に対処しなければならな い。この赤外線レーザークリスタルビームは出力カプラ18とLBOダブルクリ スタル36との間のレンズを含むことによっておよび合焦電力を有する高リフレ クタを使用することによって、極めて小さいウエスト径に合焦される。好適のレ ンズ40が赤外線および2倍波長で耐反射被覆されており、焦点距離30から5 0mmを有する。高リフレクタ16は、約100mmの曲率R1を有する。 赤外線レーザークリスタルビーム(Nd:YLFに対しては、波長は1.05 3、NdYVOに対しては、1064nm)がレゾネータ10の第4アームにお いて2方向に進行する。これは、LBOダブリングクリスタル36およびレンズ 40を介して出力カプラ18から高リフレクタ16に進み、高リフレクタ16か ら反射されてダブリングクリスタルを介して戻る。このLBOクリスタル36を 介したダブルパスの結果として、527nm−532nmの出力ビームが発生す る。出力カプラ18が527nm−532nmにおいて極めて透過性が高いので 、527nm−532nmにおける出力ビーム42がレゾネータ10で発生する 。527nm−532nmの光は第4アームでLBOダブリングクリスタル36 に対して右手の527nm−532nm光と左手の527nm−532nm光と の2方向で発生する。出力カプラ18と高リフレクタ16との間の第4アームの LBOダブルクリスタル36を位置決めすることによって、ダブルパス幾何形状 が形成される。527nm−532nm光が双方向で生成され、出力ビーム42 がこれらのビームの和となるからである。1.053−1.064μmおよび52 7nm−532nmビームの相対フェーズは重要である。この2つのビームはク リスタル36およびミラーを介したダブルパスによって互いにフェーズシフトさ れる。ミラー16上のミラーコーティングはさらにフェーズシフトを付加する。 この効果は公知である。たとえば、コークナー(Koechner,Solid State Laser E ngineering,vol.3,p.534)を参照。ネットフェーズシフトは理想的には、この 往復の後においては、2πの倍数であり、1.053μm(1.064)ビームと 527nm−532nm光はダブルクリスタル36を介しての第2の往復で位相 が符合する。2πの倍数が不完全である場合には、ダブリングクリスタル36の 温度を調整することによって補償することができる。これによって、1.053 nmビームと、527nmビームとの間の全体的な位相整合を効果的に最適化す ることができる。この技術は、他の波長のペアについても(例えば、1.064 μmから532nm、1.34μmから670nm、1.047μmから523n m等)についても拡張できることは明らかである。 図1のレゾネータ10を用いた実施例では、ファイバ束結合ダイオードバーが Nd:YLFクリスタルに対して8Wまでの長手方向のポンプNd:YLFレー ザークリスタル22に対するダイオードソース28に用いられている。有用な出 力はイントラキャビティ周波数ダブリングを介して抽出され、単一の20WCW ダイオードレーザーバーからの入力ポンプ光の16Wに対して527nmで2W 以上の出力になる。出力ビーム42は実質的に円形で高品質である。ダブリング 効率は、約140から175℃の好ましい温度からLBOダブリングクリスタル 36の温度を変化させることによって良好に調整することができる。527nm 出力ビーム42と赤外線レーザクリスタルビームの両方がほぼ回折限界となる。 このRFスペクトルは、一定の条件下では、ほぼ140MHz でc/2Lピーク以 外のヘテロダインピークは存在しないことを示しており、レゾネータ10がその 最小オーダーの空間モードで振動することを示す。これによって、Nd:YLF がレーザークリスタル22とし使用されているときには、開口なしで達成するこ とができる。しかし、標準の開口が場合によってはTEM00動作を確実にするた めに必要となり、Nd:YLFが使用される場合には通常は必要となる。 この実施例では、レゾネータ10は約1メートルの長さLを有する。Lは全体 のレゾネータ10の光学通路長さである。Lは公称ではL1、L2、L3および L4の全体に等しい。さらに、レゾネータ10は、レゾネータアラインメント、 LBOダブリングクリスタル36角度およびLBOダブリングクリスタル36温 度が基本的にRFスペクトルのc/2L周波数における単一ピークとなるように 調整されているときに、最小のノイズの大きさを示す。LBOダブリングクリス タル36はこの効果対するキャビティモードに関して法線方向の入射からわずか にはずれている。この状態で、10Hzから10MHz の範囲を超える標準RMSm で測定したとき、%RMSノイズは3パーセント、好ましくは、2パーセント、 もっとも好ましくは1パーセントの低さとなっている。 さらに、この実施例では、527nm出力ビームおよび1053nmレーザー クリスタルビームのいずれにおいてもレゾネータの光学スペクトルは、通常少な くとも10軸方向モードが任意に時間に、100もの単位で振動し、さらに多く の軸方向モードが振動することを示している。イントラキャビティ赤外線レーザ ービームのバンド幅は527nmが生成するとき、約35GHzであり、100 〜200の軸方向モードが発振することを示しており、一定のアラインメント形 態では光学スペクトルは、LBOダブリングクリスタル36がエタロンのように 動作することを示す構造を持つことができる。LBOダブリングクリスタル36 を除去すると、赤外線軸方向モードは安定化し、約10の軸方向モードが発振し 、約30GHzのバンド幅を有する。c/2Lモード間隔は1メートル長さのレ ゾネータキャビティ10に対して150MHz である。527nm出力ビーム42 は約70GHz以上のバンド幅を有する。 レーザークリスタル22からより多くの赤外線出力が発生すると、より多くの 周波数ダブル化出力が得られる。Nd:YVO4のような付加的なポンプポート とポンプソースあるいは他のレーザークリスタルによってスケーリングを容易に することができる。Nd:YAGを通常イントラキャビティ偏光装置と組み合わ せて使用することができる。本発明者らは高い増幅安定性を得るためには多数の 赤外線軸方向モードが発振しなければならないことを見いだした。活性化媒体と してNd:YLFの場合には、これは、1メートル未満の長いキャビティで達成 された。公知のイントラキャビティダブリングのダイオードポンプドレゾネータ のキャビティ長さ(すなわちレゾネータ長さ)は通常極めて短く、10cm以下で ある。短いことによって、c/2L軸方向空間が増大し、したがって、通常、レ ーザークリスタルの有効バンド幅内で発振する軸方向モードの数が減少する。 バンド幅を増大させる他の技術はNd:LMAのような広いバンド幅材料を使 用することである。長いレゾネータ長さと多くの軸方向モードを与える他のレゾ ネータ構造が光ファイバを備えたレゾネータ構造である。極めて小さいc/2L 空間は適当なカップリングオプティクスを有する長いファイバの、配置されたイ ントラキャビティによって達成される。 図3にしめされたレゾネータ44は図1のレゾネータ10よりも簡単の形状を 有する。レゾネータ44は高リフレクタ44および出力カップラ46によって形 成される第1アームを有する。レーザークリスタル22が第1アームの光軸にそ って位置決めされている。ダイオードポンプソース28は光ファイバ32あるい は1束のファイバを介してポンプビームを伝送する。レンズ24および26はポ ンプビーム30に合焦し、したがって、レーザークリスタル22に入射し、レー ザークリスタルビームか発生する。レゾネータ44の第2アームは出力カプラ4 6と高リフレクタ48によって形成される。レゾネータ44は、第1および第2 アームの全長さに等しい長さLを有する。光学的ブルースター(Brewster)プレー ト34、すなわち偏光装置はレゾネータ44たとえば第1アームに配置すること ができる。ブルースタープレート34あるいは他の偏光装置は特にNd:YAG が使用される場合には、望ましい。 レーザークリスタルビームは出力カプラー46から反射され、ダブリングクリ スタル36に入射する。第2アームは周波数ダブル化出力ビーム42を発生させ るためにダブルパス形状を与える。LBOがダブリングクリスタル36として使 用される場合には、図示しない加熱エレメントが必要となる。さらに、図3には 図示されていないが、レンズがダブリングクリスタル36と出力カプラ46との 間に設けられる。このレンズを含めるかどうかは、使用されるダブリングクリス タル36の形態、および高リフレクタ48および出力カプラ46の曲率半径およ び合焦力に依存する。 レゾネータ52、図4に示すように、折り畳みアームを含んでいない。レゾネ ータ52は、ダブリングクリスタル36を介しての赤外線ビームのダブルパス幾 何形状を与えるものではない。周波数ダブル化出力ビーム42の一部は、レゾネ ータ52で失われる。繰り返していえば、ダブリング゛クリスタル36を介して 、周波数ダブル化出力ビーム42は両方向で発生する。しかし、レゾネータ52 に関していえば、ダブリングクリスタル36の左側に進む周波数ダブル化出力ビ ーム42の一部は失われる。 図5に示すように、電源が設けられ、ダイオードモジュールと協働する。各ダ イオードモジュール28は、20ワットダイオードバーであり、オプトパワー(O ptoPower)から市販されている。ダイオードモジュール28は、ファイバ束32 に結合されている。各ファイバ束32は、迅速遮断装置を有するレゾネータに接 続されている。迅速遮断装置はレンズ24および26の近傍に設けられており、 各ファイバ束32の出力をNd:YVO4クリスタル56に像形成する。この像 形成は、標準光学的被覆に覆われ、約809nmのポンピング波長で極めて高い 透過性を有する一方で1.064ミクロンのイントラキャビティ波長では高い反 射性を有するポンプウインド58および60を介して達成される。標準多層誘電 被覆が使用され、コンポーネントアンドアクセサリーズオブスペクトラ−フイジ ックスレーザース(Components and Accessories Group of Spectra-Physics Las ers)マウンテンビュー、カリフォルニアから市販されている。ポンプソース28 はNd:YVO4クリスタルの長手方向軸に沿って法線方向に推進する。レゾネ ータのNd:YVO4クリスタルの周辺領域は”Z”形状をなし、ミラー28は、 レゾネータの赤外線部分の終わりの部分に配置される。装置68は、レゾネータ の最小オーダー空間モードでの動作を確実にするために使用される。ミラー62 は、106で極めて高度の反射性を有しており、約60cmの曲率を有する。ミラ ー58および60は、フラットであり、該ミラー58および60で形成されるZ 形状は赤外線モジュール67あるいは赤外線レーザーの形態を取ることができ、 ここでは出力カプラは取り除かれている。赤外線モジュール67は、つぎに より大型のレーザーに挿入される。しかし、別々の赤外線モジュール67を含め る必要のないことを理解されたい。代わりに、ミラー58、60および62を含 めることかできる。ビームパスに続いて、ミラー64に到達する。このミラーは 局面であってもフラットであってもよい。ミラー64は、106で高い反射性を 有する。 イントラキャビティ赤外線ビームはミラー68に伝播する。このミラーは、グ リーンで高い透過性を有し、1.064ミクロンで高い反射性を有する被覆ミラ ーである。ビームは、つぎに、イントラキャビティ赤外線ビームを正確にLBO クリスタル36に合焦するレンズ72を通過する。繰り返して述べると、LBO 36は、ヒータ38上に配置されており、LBOクリスタルの内部に高電力濃度 を形成する。LBOあるいは他のダブリングクリスタルは通常くさび止めされて いるか、あるいは、その表面から反射される任意のビームの不要なフィードバッ クを阻止できるようになっている。このことは、増幅安定性のある、イントラキ ャビティダブリングにとって好ましいことである。赤外線ビームは、極めて小さ いウエストを有しており、LBOクリスタル36を通過して、ミラー70に到達 する。このミラー70は、532nmおよび1.064ミクロンで極めて反射性 の高い2重リフレクタである。赤外線ビームはその後これが来た方向に戻り、し たがって、レーザーキャビティを形成する。また、LBOクリスタル36を介し て第1パス上の発生するグリーンを反射して戻す。グリーンは次にレンズ72を 通過して、出力カプラ68を介してキャビティからでて、出力ビーム42のなか に入る。出力ビーム42は、6、5、4、2、あるいは1ワットとすることがで きる。図5は、ダブルパス形状を示しており、赤外線ビームは、LBOクリスタ ル36を介して左右に通過し、グリーンを発生させる。ミラー70は、左方向に 進むグリーンを反射させ、つぎに、右方向に進むグリーンを反射する。この場合 、その双方は、レゾネータ44からビーム42として出ていく。 図6を参照すると、2ポート、ダイオードポンプド、多重軸モード、イントラ キャビティ周波数ダブルドレーザー活用Nd:YVO4およびLBOが図示され ている。図6のレーザーは、i)例えば、約0.6メートルのように図5のレゾ ネータよりも短く、かつii)より単純にすることができる。これは、1つ少ない ミラーおよび1つ少ないレンズを有する。図5のレンズ72およびミラー64は 、図6には含まれていない。出力ビーム42は、出力カプラ74を通って異なる 方向に進む。出力カプラ74は、かなり強い曲率を有しており、グリーンについ ては高い透過性を有し、赤外線に対しては高い反射性を有する。繰り返していう と、図5に示すように、ミラー58、60、および62は、別々の赤外線モジュ ール67に組み込まれている。 非線形クリスタルKTP36は、位相の整合性と適当な偏光回転効果の両方を 保証するように考慮した場合には、本発明の関して有効に使用することができる 。基本的な赤外線ビームの偏光回転がKTPの複屈折のために生じる。この場合 KTPは周知のように多重オーダーウェーブプレートとして作用する。この効果 は、KTPが使用される場合には効率的で、安定なイントラキャビティダブリン グとなるように制御しなければならない。たとえば、ナイティンゲール(Nightin gale)およびウエイクマン(Weichmann)等を参照。これは、KTPクリスタルを最 適タイプIIダブリングの方向に回転させ、最大周波数変換を行うように角度調整 し、KTPクリスタル36を温度制御して、形成された偏光状態を有するレーザ ーキャビティの固有モードに符合する形成された偏光回転を有するレーザーキャ ビティに符合する単一およびダブルパス偏光回転を行うようにすることによって 達成することができる。たとえば、固有モードがレーザークリスタル媒体内の形 成された偏光状態を有する場合には、上記KTPクリスタルの単一およびダブル パスおよび他のイントラキャビティエレメントはレーザーキャビティの1つの往 復行程によって同じ偏光状態を与えるように配置されていなければならない。1 のケースでは、偏光はゲイン媒体で線型(垂直あるいは水平)である。他の偏光 状態は、オカ等に記載されているように使用することができる。 これらと同じ技術を多軸モードケースに適用するが、増幅安定出力を発生する ための高い多軸モードダブリング技術の使用についてはこれまで、他人によって は示されていない。本発明の1実施例では、図5および6と同様の2つのファイ バ結合ダイオードバーとレゾネータ形態からのダイオードポンプパワーの26W でポンプアップされるNd:YVO4を使用して約5WのTEM00 出力が約0. 5%RMSノイズで発生する。 図7は、Nd:YVO4およびLBOを用いた2ポート、ダイオードポンプド 、多軸モード、イントラキャビティ周波数ダブルドレーザーの概略ダイヤグラム であり、さらに周波数トリプリングクリスタル80を備えている。トリプリング クリスタル80は、ヒータ82に装着されており、LBOクリスタル36に近接 して配置されている。ミラー76は、3色性であり、1.064ミクロンで高い 反射性を有し、532nmおよび355nmで高い透過性を有する。対向するミ ラー78は3つの波長の高リフレクタであり、たとえば、1.064ミクロン、 532nmおよび355nmで高い反射性を有する。図7の実施例では、出力ビ ーム46は、UVビームである。他の形態では、2以上のUVビームを発生する ことができる。トリプリングクリスタル80は、LBOとすることができるが、 別の材料とすることもできる。クリスタル80は、LBOクリスタル36とは異 なる角度でカットされており、異なるタイプの位相符合を達成するようになって いる。すなわち、1064および532nmのダブリングとは位相符合しない。 その代わり、1064および532nmの合計に位相符合し、355nmで最高 のUVビームを発生する。LBOクリスタル36およびクリスタル80はもっと も近接した関係で配置されている。このモードが最小であるからである。非線形 トリプリングプロセスを高めるためには、グリーンおよび赤外線のいずれにおい ても高い強度のものを発生することが望ましい。 図8を参照すると、多軸モード、イントラキャビティダブルドレーザーはTi :Al23レーザーに限定されないが、これを含む第2レーザーのポンプとして 使用されている。図8に図示されたレーザーは電源84、ダイオードポンプソー ス88、多軸モードイントラキャビティダブルドレーザー90、ダブルド出力ビ ーム92、オプショナル光学装置94、所望の出力ビーム98を発生する第2レ ーザー96を備えている。 図9を参照すると、電源供給およびシステムコントローラ100、電源112 、ダイオードポンプソース104、多軸モードイントラキャビティダブルドレー ザー106、光学装置108、これに限定されないが光ファイバ装置、付加的な 光ファイバ装置112を含むビーム供給装置110、外科医のための拡大レンズ /光学システム114、スリットランプ116およびミラーの他の光学装置を備 えたレチナル(retinal)フォトコアギュレーター(photocoagulator)が示されてい る。 本発明は、低増幅ノイズを有するダイオードポンプド、多軸モード、イントラ キャビティダブルドレーザーである。これは、たとえば10場合によっては〜1 00もの複数の多軸モードを発振させることによって達成される。1つの実施例 では、長いレゾネータ構造によって該多軸モードが形成される。レゾネータの長 さは0.3メートルから2メートルの範囲とすることができる。他の技術を多軸 モード動作に使用することもできる。たとえば、レーザークリスタル22をレゾ ネータの一端に極力近づけて配置し、レーザークリスタル22が一端に近づくと 最大となる空間ホールバーニングの効果を利用することができる。レーザークリ スタル22の材料は、2、3百のGHzのオーダーで広いバンド幅を有しており 、多数の軸モードを発生させるのに用いることができるものである。 グリーン出力ビームについて記載しているが、ブルー、レッド、近似赤外線お よび他の波長のビームも、レーザーおよびダブリングクリスタルの選択によりも 可能である。 特に説明された実施例における変更および修正が添付の特許請求の範囲によっ てのみ限定されることを意図する本発明の範囲から逸脱することなく実施するこ とができる。
───────────────────────────────────────────────────── 【要約の続き】 は、3%未満のRMSノイズを有する非線形に変換され た出力ビームである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.レゾネータキャビティを画成する少なくとも2つのレゾネータミラーと、レ ゾネータキャビティに配置されたレーザークリスタルと、 レゾネータキャビティに配置されたダブリングクリスタルと、 レゾネータキャビティに配置されたトリプリングクリスタル、 レーザークリスタルにポンプビームに供給し、周波数ダブルド出力ビームを発 生させるためにダブリングクリスタルに入射する複数の軸モードを有するレーザ ークリスタルを発生させるダイオードポンプソースと、および 前記ダイオードポンプソースに電力を供給する電力供給装置とを備えたこと を特徴とする ダイオードポンプド、多軸モード、イントラキャビティダブルド、イントラ キャビティトリプルド、レーザー。 2.出力ビームが3%未満の%RMSノイズを有することを特徴とする請求項1 記載のイントラキャビティダブルド、イントラキャビティトリプルドレーザー。 3.出力ビームが1%未満の%RMSノイズを有することを特徴とする請求項1 記載のイントラキャビティダブルド、イントラキャビティトリプルドレーザー。 4.出力ビームが0.5%未満の%RMSノイズを有することを特徴とする請求 項1記載のイントラキャビティダブルド、イントラキャビティトリプルドレーザ ー。 5.出力ビームが0.2%未満の%RMSノイズを有することを特徴とする請求 項1記載のイントラキャビティダブルド、イントラキャビティトリプルドレーザ ー。 6.出力ビームが0.1%未満の%RMSノイズを有することを特徴とする請求 項1記載のイントラキャビティダブルド、イントラキャビティトリプルドレーザ ー。 7.前記ダイオードポンプソースが1以上のダイオードバーであることを特徴と する請求項1記載のイントラキャビティダブルド、イントラキャビティトリプル ドレーザー。 8.前記ダイオードポンプソースがファイバ結合されたものであることを特徴と する請求項1記載のイントラキャビティダブルド、イントラキャビティトリプル ドレーザー。 9.前記レーザークリスタルが強力な熱合焦特性を有するものであることを特徴 とする請求項1記載のイントラキャビティダブルド、イントラキャビティトリプ ルドレーザー。 10.前記レーザークリスタルのTEM00モードサイズがレーザークリスタルのポ ンプビーム径より小さいことを特徴とする請求項1記載のイントラキャビティダ ブルド、イントラキャビティトリプルドレーザー。 11.前記レーザークリスタルがNd:YVO4であることを特徴とする請求項1 記載のイントラキャビティダブルド、イントラキャビティトリプルドレーザー。 12.前記レーザークリスタルがNd:YAGまたはNd:YLFであることを特 徴とする請求項1記載のイントラキャビティダブルド、イントラキャビティトリ プルドレーザー。 13.前記ダブリングクリスタルがLBOであることを特徴とする請求項1記載の イントラキャビティダブルド、イントラキャビティトリプルドレーザー。 14.前記ダブリングクリスタルがKTPであることを特徴とする請求項1記載の イントラキャビティダブルド、イントラキャビティトリプルドレーザー。 15.レゾネータキャビティを画成する少なくとも2つのレゾネータミラーと、レ ゾネータキャビティに配置されたレーザークリスタルと、 レゾネータキャビティに配置された非線形変換装置と、 レーザークリスタルにポンプビームに供給し、非線形変換出力ビームを発生さ せるために前記非線形変換装置に入射する複数の軸モードを有するレーザークリ スタルを発生させるダイオードポンプソースであって、前記出力ビームが3%未 満の%RMSノイズを有するものと、 および 前記ダイオードポンプソースに電力を供給する電力供給装置とを備えたこと を特徴とするダイオードポンプド、多軸モード、イントラキャビティ非線形変換 レーザー。 16.出力ビームが1%未満の%RMSノイズを有することを特徴とする請求項 15記載の前記イントラキャビティ非線形変換レーザー。 17.出力ビームが0.5%未満の%RMSノイズを有することを特徴とする請求 項15記載のイントラキャビティ非線形変換レーザー。 18.出力ビームが0.2%未満の%RMSノイズを有することを特徴とする請求 項15記載のイントラキャビティ非線形変換レーザー。 19.出力ビームが0.1%未満の%RMSノイズを有することを特徴とする請求 項15記載のイントラキャビティ非線形変換レーザー。 20.前記ダイオードポンプソースが1以上のダイオードバーであることを特徴と する請求項15記載のイントラキャビティ非線形変換レーザー。 21.前記ダイオードポンプソースがファイバ結合されたものであることを特徴と する請求項15記載のイントラキャビティ非線形変換レーザー。 22.前記レーザークリスタルが強力な熱合焦特性を有するものであることを特徴 とする請求項15記載のイントラキャビティ非線形変換レーザー。 23.前記レーザークリスタルのTEM00モードサイズがレーザークリスタルのポ ンプビーム径より小さいことを特徴とする請求項15、16、17、18または 19記載のイントラキャビティ非線形変換レーザー。 24.前記レーザークリスタルがNd:YVO4であることを特徴とする請求項1 5記載のイントラキャビティ非線形変換レーザー。 25.前記レーザークリスタルがNd:YAGまたはNd:YLFであることを特 徴とする請求項15記載のイントラキャビティ非線形変換レーザー。 26.前記レーザークリスタルがLBO、BBO、KTPであることを特徴とする 請求項15記載のイントラキャビティダブルド、イントラキャビティトリプルド レーザー。 27.レゾネータキャビティを画成する少なくとも2つのレゾネータミラーと、 レゾネータキャビティに配置されたレーザークリスタルと、 レゾネータキャビティに配置されたダブリングクリスタルと、 レーザークリスタルにポンプビームに供給し、周波数ダブルド出力ビームを発 生させるためにダブリングクリスタルに入射する複数の軸モードを有するレーザ ークリスタルを発生させるダイオードポンプソースであって、前記ダブルド 出力ビームが3%未満の%RMSノイズを有するものと、 前記ダイオードポンプソースに電力を供給する電力供給装置と、 前記イントラキャビティダブルドレーザーでポンプアップされる第2レーザー とを有するダイオードポンプド、多軸モード、イントラキャビティダブルドレー ザーポンプソースを備えたことを特徴とするレーザーシステム。 28.前記第2レーザーがダイレーザーであることを特徴とする請求項27記載の レーザーシステム。 29.前記第2レーザーがTi:Al23レーザーであることを特徴とする請求項 27記載のレーザーシステム。 30.前記第2レーザーがOPOであることを特徴とする請求項27記載のレーザ ーシステム。 31.10%未満の%RMSノイズのダブルド出力ビームを有するダイオードポン プド多軸モードイントラキャビティダブルドレーザーと、 外科医が前記出力ビームで患者のレチーナ(retina)を処置することができるよ うに前記レーザーと協働するシステムとを備えたことを特徴とするレチナル(ret inal)フォトコアギュレーター(photocoagulator)。 32.前記レーザーと協働するシステムがスリットランプを備えていることを特徴 とする請求項31記載のレチナルフォトコアギュレーター。 33.前記レーザーと協働するシステムが外科医による視覚性を許容する拡大装置 を備えていることを特徴とする請求項31記載のレチナルフォトコアギュレータ ー。 34.前記パーセントRMSノイズが5パーセント未満であることを特徴とする請 求項31記載のレチナルフォトコアギュレーター。
JP8535086A 1995-05-19 1996-05-17 ダイオードポンプ式の多軸モードキャビティ内倍周波数レーザ Pending JPH11505376A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004214674A (ja) * 2003-01-06 2004-07-29 Unitek Miyachi Internatl Ltd 光高調波発生装置及び方法
DE102008014336A1 (de) 2007-03-15 2008-09-18 Keyence Corp. Laserbearbeitungsvorrichtung und fester Laserresonator
JP2010512651A (ja) * 2006-12-15 2010-04-22 エレックス メディカル プロプライエタリー リミテッド レーザ
US7813404B2 (en) 2007-03-15 2010-10-12 Keyence Corporation Laser processing apparatus and solid laser resonator

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6287298B1 (en) * 1994-02-04 2001-09-11 Spectra-Physics Lasers, Inc. Diode pumped, multi axial mode intracavity doubled laser
US6241720B1 (en) * 1995-02-04 2001-06-05 Spectra Physics, Inc. Diode pumped, multi axial mode intracavity doubled laser
US6931037B2 (en) 1995-05-19 2005-08-16 Spectra Physics Lasers, Inc. Diode pumped, multi axial mode intracavity doubled laser
US6002695A (en) * 1996-05-31 1999-12-14 Dpss Lasers, Inc. High efficiency high repetition rate, intra-cavity tripled diode pumped solid state laser
GB2356487B (en) * 1996-05-31 2001-07-18 Liconix Intra-cavity tripled solid state diode pumped laser
US5840239A (en) * 1997-01-31 1998-11-24 3D Systems, Inc. Apparatus and method for forming three-dimensional objects in stereolithography utilizing a laser exposure system having a diode pumped frequency quadrupled solid state laser
US6129884A (en) * 1999-02-08 2000-10-10 3D Systems, Inc. Stereolithographic method and apparatus with enhanced control of prescribed stimulation production and application
DE19946176B4 (de) * 1999-09-21 2016-09-15 Jenoptik Laser Gmbh Diodengepumpter Laser mit interner Frequenzverdopplung
US6853670B2 (en) * 2000-03-27 2005-02-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Laser resonator
AU2001294529A1 (en) * 2000-09-05 2002-03-22 Lumenis Inc. Frequency doubled nd: yag laser with yellow light output
US6804280B2 (en) 2001-09-04 2004-10-12 Pbc Lasers, Ltd. Semiconductor laser based on the effect of photonic band gap crystal-mediated filtration of higher modes of laser radiation and method of making the same
DE10154007B4 (de) * 2001-10-26 2006-06-14 Jenoptik Laser, Optik, Systeme Gmbh Anordnung zum Pumpen eines anisotropen Laserkristalls
JP2005515642A (ja) * 2002-01-19 2005-05-26 スフェロン ヴィアール アクチエンゲゼルシャフト 距離測定するための装置および方法
US6690692B2 (en) 2002-01-29 2004-02-10 Hans Laser Technology Co., Ltd. Third harmonic laser system
US7016389B2 (en) * 2003-01-24 2006-03-21 Spectra Physics, Inc. Diode pumped laser with intracavity harmonics
JP2006518548A (ja) * 2003-02-19 2006-08-10 ピービーシー レーザーズ リミテッド 周波数変換のための装置および方法
WO2004081610A2 (en) * 2003-03-14 2004-09-23 Pbc Lasers Ltd. Apparatus for generating improved laser beam
US7218653B2 (en) * 2003-11-27 2007-05-15 Mitsubishi Materials Corporation Wavelength conversion method and wavelength conversion element
US20070189343A1 (en) * 2006-02-14 2007-08-16 Wolf Seelert White light solid-state laser source with adjustable RGB output
CN102427909B (zh) * 2009-05-15 2014-08-06 丰田自动车株式会社 电池的制造方法
CN101814691A (zh) * 2010-04-15 2010-08-25 上海应用技术学院 透明陶瓷激光器
EP2688505B1 (en) 2011-03-25 2016-05-18 EOS Holdings, LLC Medical laser with electronic shutter
DE102012208912B4 (de) * 2012-05-25 2013-12-12 Crylas Crystal Laser Systems Gmbh Laseranordnung zur Erzeugung einerzweifach frequenzkonvertierten Laserstrahlung
RU2542634C1 (ru) * 2013-09-02 2015-02-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва" Двухмикронный твердотельный лазер
US11400308B2 (en) 2017-11-21 2022-08-02 Cutera, Inc. Dermatological picosecond laser treatment systems and methods using optical parametric oscillator
US10729496B2 (en) 2017-11-21 2020-08-04 Cutera, Inc. Dermatological picosecond laser treatment systems and methods using optical parametric oscillator

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3720213A (en) * 1971-02-05 1973-03-13 Coherent Radiation Laser photocoagulator
US3720273A (en) * 1971-03-03 1973-03-13 Kennametal Inc Mining tool
FR2442622A1 (fr) * 1978-06-08 1980-06-27 Aron Rosa Daniele Appareil de chirurgie ophtalmologique
US4809291A (en) 1984-11-26 1989-02-28 Board Of Trustees, Of Leland Stanford Jr U. Diode pumped laser and doubling to obtain blue light
US4656635A (en) 1985-05-01 1987-04-07 Spectra-Physics, Inc. Laser diode pumped solid state laser
US4713822A (en) * 1985-05-24 1987-12-15 Amada Engineering & Service Co., Inc. Laser device
WO1987000748A1 (fr) * 1985-07-31 1987-02-12 Daniele Sylvie Aron Rosa Dispositif de chirurgie ophtalmologique par photoablation
US4701929A (en) 1985-12-19 1987-10-20 Spectra-Physics, Inc. Laser diode pumped solid state laser
US4884277A (en) 1988-02-18 1989-11-28 Amoco Corporation Frequency conversion of optical radiation
US4951294A (en) 1988-04-22 1990-08-21 The Board Of Trustees Of Leland Stanford, Jr. University Diode pumped modelocked solid state laser
US5052815A (en) 1990-04-13 1991-10-01 Coherent, Inc. Single frequency ring laser with two reflecting surfaces
CN1021269C (zh) * 1990-10-11 1993-06-16 中国科学院上海光学精密机械研究所 内腔式高次谐波激光器
US5151909A (en) 1990-10-16 1992-09-29 Laserscope Frequency doubled solid state laser having programmable pump power modes and method for controllable lasers
US5171242A (en) * 1990-10-26 1992-12-15 Coherent, Inc. Combination lens system for retinal photocoagulator laser system
US5127068A (en) 1990-11-16 1992-06-30 Spectra-Physics, Inc. Apparatus for coupling a multiple emitter laser diode to a multimode optical fiber
US5164947A (en) 1991-02-28 1992-11-17 Amoco Corporation Single-frequency, frequency doubled laser
US5136597A (en) 1991-03-15 1992-08-04 Coherent, Inc. Poynting vector walk-off compensation in type ii phasematching
US5170409A (en) 1991-05-09 1992-12-08 Coherent, Inc. Laser resonator assembly
JPH0538369A (ja) * 1991-08-05 1993-02-19 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 癌の治療装置
US5267252A (en) 1991-08-30 1993-11-30 Hoya Corporation Solid-state laser device comprising a temperature-controlled thermal conductive support
US5377212A (en) * 1991-10-17 1994-12-27 Hitachi, Ltd. Solid-state laser device including uniaxial laser crystal emitting linearly polarized fundamental wave and nonlinear optical crystal emitting linearly polarized harmonic wave
US5181214A (en) 1991-11-18 1993-01-19 Harmonic Lightwaves, Inc. Temperature stable solid-state laser package
JP2704341B2 (ja) * 1991-12-02 1998-01-26 富士写真フイルム株式会社 光波長変換装置
US5253260A (en) 1991-12-20 1993-10-12 Hughes Aircraft Company Apparatus and method for passive heat pipe cooling of solid state laser heads
DE4205011A1 (de) 1992-02-19 1993-08-26 Zeiss Carl Fa Frequenzverdoppelter festkoerperlaser
US5191588A (en) * 1992-02-25 1993-03-02 Alcon Surgical, Inc. High efficiency, harmonic wavelength laser system
US5548604A (en) * 1993-03-19 1996-08-20 Toepel; Michael P. Compact hand held medical device laser
US5638388A (en) * 1995-02-04 1997-06-10 Spectra-Physics Lasers, Inc. Diode pumped, multi axial mode intracavity doubled laser
US6241720B1 (en) * 1995-02-04 2001-06-05 Spectra Physics, Inc. Diode pumped, multi axial mode intracavity doubled laser
US5446749A (en) * 1994-02-04 1995-08-29 Spectra-Physics Lasers Inc. Diode pumped, multi axial mode, intracavity doubled laser

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004214674A (ja) * 2003-01-06 2004-07-29 Unitek Miyachi Internatl Ltd 光高調波発生装置及び方法
JP2010512651A (ja) * 2006-12-15 2010-04-22 エレックス メディカル プロプライエタリー リミテッド レーザ
DE102008014336A1 (de) 2007-03-15 2008-09-18 Keyence Corp. Laserbearbeitungsvorrichtung und fester Laserresonator
US7813404B2 (en) 2007-03-15 2010-10-12 Keyence Corporation Laser processing apparatus and solid laser resonator

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US6241720B1 (en) 2001-06-05
WO1996037023A1 (en) 1996-11-21
DE69632860D1 (de) 2004-08-12
JP2004048049A (ja) 2004-02-12

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