JP2004214674A - 光高調波発生装置及び方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】パルス幅の長いパルス出力または連続波出力を有する高調波のレーザビームを生成すること。
【解決手段】 光高調波発生装置10は、たとえばNd:YAGロッドのような活性媒質30を電気光学励起装置20によりポンピングして光共振器を基本波長で励起する。活性媒質30と非線形結晶40とは、3つの反射器(つまりミラー)60,70,80によって構成される三角型発振器空洞のビーム光路上に配置される。非線形電気光学結晶40を基本波長と相互作用させることにより、活性媒質30より放射される電磁波の周波数のN次高調波を生成する。高調波分離器出力ミラー70は、基本波長の光ビームを反射し、高調波波長の光ビームを透過させる。

【選択図】 図1

Description

本発明は、概して光高調波発生装置および方法に係わり、より詳細にはレーザスポット溶接またはレーザシーム溶接で用いるレーザビームを発生するための光高調波発生装置および方法に関する。
近年、レーザは、製造業、特に溶接、切断および表面処理の分野で利用されている。実際、レーザ溶接技術は、高精度および高速の加工を実現できること、被加工物に与える熱歪が小さいこと、高度の自動化が可能であることから、ますますその重要性を高めている。現行のレーザ溶接装置では、波長10.6μm(ミクロンメートル)の光ビームを発生するCO2(二酸化炭素)レーザや、波長約1.064μmの光ビームを発生するNd:YAG(Neodymium Yttrium Aluminum Garnet)レーザなどの固体素子がよく用いられている。
しかしながら、CO2レーザより生成されるレーザ光は、特定の金属や合金と光学的に結合しなかったり、または効率的に吸収されないことがある。たとえば、典型的なCO2レーザの高波長の光は、チタニウム、鉄等の金属や合金において室温でよく反射する。同様に、低パワー(500ワット以下)の溶接加工でよく用いられているYAGレーザは、銅、金、アルミニウム等において室温で光学的に結合しなかったり、または効率的な吸収されないことがある。
現行のレーザ溶接装置は、室温での光学的結合性に対する金属の初期抵抗を克服するため、典型的には、パルスレーザのピークパワーを高くして低吸収性を補うようにしている。つまり、金属が融点温度に達するとその吸収性は大きく増加する。しかしながら、融点温度に達する前に、パルスの開始直後の期間にレーザビームの主要部分が当該金属に吸収されないという点で、高エネルギーのパルスレーザを用いてもかなり効果の低い結果となってしまう。さらに、そのような高エネルギーのパルスレーザがいったん金属材料と光学的に結合すると、当該金属材料に過剰のエネルギーが加えられ、材料のスプラッシュ(溶融金属の粒を飛散する現象)や、金属または合金成分の好ましかざる蒸発を招くおそれがある。このような望ましかざる非効率性やスプラッシュにより、溶接結果のばらつきを生ずる。
本発明は、上記従来技術の問題点を解決するものであり、パルス幅の長いパルス出力または連続波出力を有する高調波のレーザビームを生成できる高調波レーザ装置および高調波レーザ発生方法を提供することを目的とする。
本発明の別の目的は、基本波長から高調波波長への変換効率を向上させる高調波レーザ装置および光高調波発生方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、高調波レーザ装置は、第1の終端ミラーと高調波分離器ミラーとを有する発振器空洞と、前記発振器空洞内に配置された活性媒質と、基本波長を有する第1の光ビームを生成するために前記活性媒質を光学的にポンピングする電気光学励起装置と、前記第1の光ビームの基本波長に対する高調波の波長を有する第2の光ビームを生成するために前記発振器空洞内に配置された非線形光学結晶とを有し、前記高調波分離器ミラーが前記第1の光ビームを反射して前記第2の光ビームを出力する。
本発明の一態様によれば、第2の光ビームによって第1の被加工物を第2の被加工物に溶接する。別の態様によれば、第2の光ビームによって被加工物を加熱し、被加工物の材料特性の変更、被加工物の成形加工または被加工物の材料除去を行う。
本発明の好適な一態様によれば、第1の光ビームを非線形光学結晶に収束するための収束レンズを具備し、第1の光ビームを非線形光学結晶の一面に収束照射する。この場合、収束レンズの焦点距離が約100mmと約150mmとの間に設定されるのが好ましい。
本発明の好適な一態様によれば、高調波分離器ミラーが、第1の光ビームを非線形光学結晶の一面に収束させるための凹面の反射面を有し、それによって第1の光ビームを非線形光学結晶の一面に収束照射する。
別の好適な一態様によれば、第1および第2の光ビームがパルスレーザ光である。
本発明の好適な一態様によれば、パルスレーザ光のパルスエネルギーがQスイッチを使用せずに生成される。この場合、パルスレーザ光のパルス幅が100マイクロ秒よりも大きいのが好ましい。別の好適な一態様として、第1および第2の光ビームを連続波レーザ光としてもよい。
本発明の好適な一態様によれば、非線形光学結晶が、周波数を2倍に倍増(2倍化)する非線形結晶、3倍化する非線形結晶および4倍化する非線形結晶からなる群より選ばれる。別の好適な一態様によれば、非線形光学結晶が、高次(N>3)の高調波を発生することによって第2の光ビームの変換効率を増大させるように直列に配置された複数個の非線形結晶を含む。
本発明の好適な一態様によれば、活性媒質が、気体媒質とレーザ結晶とからなる群より選ばれる。別の好適な一態様によれば、電気光学励起装置が、レーザダイオードと励起ランプとからなる群より選ばれる。
本発明の好適な一態様によれば、活性媒質と非線形光学結晶とが互いに同一直線配列で配置される。別の好適な一態様によれば、発振器空洞が、第1の光ビームと第2の光ビームとを互いに所定の角度をなすような折り返し型発振器空洞を有し、この折り返し型発振器空洞が、第1および第2の光ビームのいずれをも非線形光学結晶に向けて反射するように非線形光学結晶と同一直線配列で配置される第2の終端ミラーを有する。
本発明の好適な一態様によれば、基本波長が1064nmであり、高調波波長が532nmである。
本発明の光高調波発生方法は、第1の光ビームの波長に対して高調波の波長を有する第2の光ビームを発生するための光高調波発生方法であって、活性媒質を光学的にポンピングすることによって前記基本波長の第1の光ビームを生成する工程と、前記第1の光ビームを非線形光学結晶に入射させて前記高調波波長を有する前記第2の光ビームを生成する工程と、前記第1の光ビームと前記第2の光ビームとを高調波分離器ミラーに入射せしめ、前記高調波分離器ミラーで前記第2の光ビームを透過させるとともに前記第1の光ビームを反射させる。
本発明の好適な一態様によれば、収束レンズを用いて前記第1の光ビームを非線形光学結晶に収束させる工程が含まれる。
別の好適な一態様によれば、高調波分離器ミラーが凹面の反射面を有し、高調波分離器ミラーの凹形反射面を用いて第1の光ビームを非線形光学結晶に収束させる工程が含まれる。
好適な一態様として、第1の光ビームと前記第2の光ビームとが高調波分離器ミラーに対して法線方向で入射するようにしてよい。別の好適な一態様として、第1の光ビームと第2の光ビームとが高調波分離器ミラーに対して非法線方向で互いに所定の角度をなして入射するようにしてもよい。
本発明の好適な一態様によれば、第2の光ビームを用いて第1の被加工物を第2の被加工物に溶接する工程が含まれる。
別の好適な一態様によれば、被加工物の材料特性の変更、被加工物の成形加工または被加工物の材料除去を行うために第2の光ビームを用いて被加工物で熱を発生させる工程が含まれる。
本発明によれば、上記のような構成と作用により、パルス幅の長いパルス出力または連続波出力を有する高調波のレーザビームを生成することができる。また、基本波長から高調波波長への変換効率を向上させることも可能である。
本発明の一実施形態によれば、N次(N≧2)高調波の光ビームを発生する方法および装置が提供される。一実施形態による光高調波発生装置は、活性媒質に光学的に結合されるポンピング放射出力を発生する電気光学励起装置または手段(たとえば、レーザダイオード、励起ランプ等)を光共振器内に配置し、活性媒質をポンピングして光共振器を基本波長で励起する。この実施形態では、非線形電気光学媒質が光共振器の励起基本光学モードに光学的に結合され、基本波長との非線形的な相互作用によって高調波波長の光を発生させる。本発明の利点は、以下に述べる本発明の適用例、たとえばレーザ溶接装置の文脈の中で十分に理解されるであろう。
図1に、被加工物190を溶接する光ビームを発生するための一実施例による光高調波発生装置10の構成を模式的に示す。この光高調波発生装置10で発生される光ビームはパルスレーザまたは連続波レーザのいずれであってもよい。この実施形態における光高調波発生装置10は、たとえばNd:YAGロッドのような活性媒質30に光学的に結合される電気光学励起装置20を折り返し型空洞光共振器内に配置し、活性媒質30をポンピングして光共振器を基本波長で励起する。一実施例として、電気光学励起装置20は励起ランプであってよい。他の実施例として、活性媒質30は、レーザダイオードあるいは当業者に知られている他の好適なポンピング装置によって励起されてもよい。
この実施形態において、活性媒質30は、レーザ蛍光寿命や光学的および機械的特性などの所望のレーザ特性に応じて選択されてよい。活性媒質30としては、たとえば、レーザ結晶、気体媒質その他の当業者に知られている任意の好適なレーザ媒質が含まれる。
本発明の一実施例によれば、KTP(Potassium Titanyl Phosphate)またはLBO(Lithium Triborate)などの非線形電気光学媒質40が光共振器の励起された基本モードに光学的に結合され、基本波長との非線形相互作用により高調波を生成する。レーザ光の高調波は基本周波数(つまり原レーザ光の周波数)の倍数の周波数を有する別個のレーザ光として定義される。換言すれば、高調波の波長を全数の整数倍したものが基本波長に等しい(すなわち、λf=Nλh)。
作用面において、非線形結晶40を通り抜ける電磁波は、この結晶40中の双極子と相互作用してそれらの双極子を発振させる。実際面では、この発振振動の振幅および結果的に生成される高調波の振幅は、電磁波のパワー密度が高くなるほど大きくなる。このことから、たとえばQスイッチングを用いた従来の高調波装置では、一般に、ピークパワーが高く(たとえば20〜100kW)、発散性が低く、パルス幅の短い(たとえば1μsec以下、典型的にはナノ秒領域の)光ビームを用いる。そのような光ビームは、基本光学波長から高調波への変換効率が高い。もっとも、パルス幅が短いために、大抵の溶接加工で必要とされる熱入力が得られない。
一方で、パルス幅の長い(たとえば200μsec以上)パルスまたは連続波で、ピークパワーが比較的低く(1〜10kW)、発散性が比較的大きい出力ビームを用いる用途、たとえばレーザ溶接装置で使用される高調波発生装置は、比較的低い変換効率を与える。したがって、本発明の一実施形態では、基本波長から高調波波長への変換効率を高めるために、光共振器内に収束レンズ50を配置し、非線形結晶40に入射する基本波長の光ビームのパワー密度を増大させるようにしている。収束レンズ50は、高発散性を補償して、変換効率を増大させる。一例として、変換効率は、収束レンズ50を使用しないときは0.01%以下であるのに対して、収束レンズ50を使用すると約40%になる。レーザ空洞内のレーザ光路にQスイッチを用いる場合にはパルス幅が制限されるが、この実施形態においてはそのような制限を伴なうことなくパワー密度の大きな高調波を実現することができる。別言すると、高調波波長を有する光ビームを生成するためにQスイッチを使用した場合、典型的には1μsec以下のパルス幅でしかパルスレーザを発生することができない。そのようなパルスレーザは精密な穴開け加工やマーキングには向いているが、一般のレーザ溶接には適していない。本発明の実施形態においては、Qスイッチを使用せずに1個または複数個の非線形結晶を用いて高調波を生成し、これによって、長いパルス幅(たとえば、200μsec以上、典型的には3msec)のパルス出力または連続波出力を有する高調波を生成することが可能となっている。パルス幅を増大させることで、被加工物と相互作用する時間を長くできるとともに、被加工物の物質を溶融するのに十分なエネルギーを維持し、これによってレーザ溶接の品質を向上できる。
この実施形態では、活性媒質30と非線形結晶40とが、3つの反射器(つまりミラー)60,70,80によって構成される三角型空洞発振器のビーム光路上に配置される。終端ミラー60は、ロッド形の活性媒質30(たとえばレーザ結晶)の第1の出力面100と光学的に結合される凹面の反射面90とを有している。一実施例として、終端ミラー60の凹形反射面90に、基本波長(たとえば1.064μm)に対して高反射性の膜をコーティングしてもよい。
一例として、この実施形態では、終端ミラー60の凹形反射面90に、基本波長に対して約99%以上の反射率を有する誘電体多層膜をコーティングしてよい。さらに、終端ミラー60の凹形反射面90を、電気光学励起装置20の波長に対して非反射性のものに構成してよい。また、活性媒質30の両出力面100,110を実質的に平坦な面に構成し、かつ基本波長(たとえば1.064μm)に対して非反射性の膜をコーティングしてもよい。
この実施形態において、活性媒質30の出力面110は、高調波分離器出力ミラー70に光学的に結合されてよい。高調波分離器ミラー70は、活性媒質30の光軸に対して約20〜160゜の範囲内の角度をなす向きで配置されてよい。また、高調波分離器出力ミラー70は、研磨された高純度石英ガラス(SiO2)のような光学ガラス、あるいは光学用成型樹脂、GaAs(Gallium Arsenide)、CaF2(Clalcium Fluoride)などの当業者に知られている他の材料で構成されてよい。一実施例として、高調波分離器出力ミラー70の一つの面130を、基本波長(たとえば1.064μm)に対しては高い反射性を有し、高調波(たとえば532nm(ナノメートル))に対しては実質的に透過性のものにしてよい。
この実施形態における光高調波発生装置10は波長532nmでレーザ光を出力する。このレーザ光は、その波長532nmが緑色の光に対応するので、これを緑色レーザと称することができる。この実施形態では、非線形結晶40がレーザ周波数を2倍に倍増する2倍波結晶であることから、532nm(基本波長の1/2)の波長を有する高調波が得られる。他の実施例として、3倍波結晶(N=3)、4倍波結晶(N=4)等を非線形結晶40に用いて、レーザ周波数を3倍または4倍にし、それぞれ355nm、266nmの波長を得ることもできる。また、他の実施例として、4倍の周波数(N=4)を実現するために、直列に2つの2倍波結晶を用いることも可能である。
一例として、この実施形態では、高調波分離器出力ミラー70の一面130に基本波長に対して高反射性の膜をコーティングし、高調波波長に対して非反射性の膜をコーティングしてもよい。また、高調波分離器出力ミラー70の一面140に高調波波長に対して非反射性の膜をコーティングすることも可能であり、これによって高調波分離器出力ミラー70における高調波波長の透過性を向上させることができる。
この実施形態では、高調波分離出力ミラー70の一面130に収束レンズ50を光学的に結合させて、基本波長の光ビームを非線形電気光学結晶40に収束入射するようにしている。収束レンズ50は、研磨された高純度石英ガラス(SiO2)のような光学ガラス、あるいは光学用成形樹脂、GaAs、CaF2などの当業者に知られている他の材料で作製される平凸レンズで構成されてよい。一実施例として、収束レンズ50の両面145,150を、基本波長および高調波波長のいずれに対しても高透過性のものに構成することができる。たとえば、上記の実施形態では、収束レンズ50の両面145,150に、基本波長および高調波波長に対して非反射性の誘電体膜をコーティングしてよい。
上記した実施形態では、収束レンズ50の焦点距離を約50〜500ミリメートル(mm)の範囲内に選んでよく、特に好ましくは100mm〜150mmの間に選んでよい。また、収束レンズ50と非線形結晶40とを収束レンズ50の焦点距離にほぼ等しい距離だけ離すことで、非線形電気光学結晶40の実質的に平坦な面160に入射する光ビームのパワー密度を高めることができる。
一実施形態においては、非線形電気光学結晶40を基本波長と相互作用させることにより、活性媒質30から放射される電磁波の周波数のN次高調波を生成する。一実施例として、KTP結晶またはLBO結晶を基本モードに光学的に結合させることにより、2次高調波を生成することができる。たとえば、上記実施形態では、活性媒質30を約1064nmの基本波長を有するNd:YAGレーザで構成し、非線形結晶40は約532nmの高調波出力を生成することができる。
上記実施形態では、第2の終端ミラー180が、非線形結晶40の第2の実質的に平坦な面180に光学的に結合可能な凹面の反射面170を有してよい。一実施例として、非線形結晶40の反射面170に、1064nmの基本波長に対して高反射性の膜および高調波波長(この実施例では、たとえば532nm)に対して高反射性の膜をコーティングしてよい。したがって、非線形結晶40を透過した基本波長および高調波波長の光ビームは、第2の終端ミラー80で反射し非線形結晶40に戻り、さらに収束レンズ50を透過して高調波分離器出力ミラー70に入射する。
上記実施形態では、高調波分離器ミラー70の一面130に1064nmに対して高反射性の膜が形成されているので、基本波長の光ビームはこの反射膜で反射して活性媒質30に戻り、活性媒質30を通り抜けて終端ミラー60に入射する。ここで、終端ミラー60は、光共振器内で基本波長の光ビームを捕える。一方で、高調波分離器出力ミラー70は高調波波長の光ビームを透過させるため、該光ビームは光共振器を抜け出ることができる。こうして光共振器より出力されたビームが被加工物190に入射し、所望の溶接加工が行われる。
本発明は、上記した三角型共振器構造に限定されるものではない。むしろ、当業者であれば、活性媒質30と非線形電気光学結晶40との間に適切な光路を与えるために種々の共振器構造が利用可能であることがわかるであろう。
たとえば、図2に示す一実施形態においては、光高調波発生装置11の高調波分離器出力ミラー71に凹面の反射面131を設けることで、収束レンズを用いることなく基本波長の光ビームを非線形電気光学結晶40に収束入射させることができる。この実施形態では、高調波分離器ミラー71が、収束レンズ無しで約50〜500mmの焦点距離を与える曲率半径を有してよい。また、高調波分離器ミラー71と非線形電気光学結晶40とを凹面分離器ミラー71の焦点距離にほぼ等しい距離だけ離してもよい。
高調波分離器出力ミラー71の凹面の反射面131に、基本波長に対して高反射性の膜と高調波波長に対して非反射性の膜とをコーティングすることもできる。高調波分離器出力ミラー71の一面141にも高調波波長に対して非反射性の膜をコーティングし、それによって高調波分離器出力ミラー71における高調波波長の透過性を一層向上させることができる。
図3につき、別の変形例として、活性媒質30と非線形電気光学結晶40とを同一直線配列型の光共振器200内に配置することも可能である。この光共振器200においても、高調波分離器出力ミラー70が光ビームを基本波成分と高調波成分とに分割する機能を有している。図3に示すように、基本波長および高調波波長のいずれも高調波分離器ミラー70に法線方向(つまり90゜の角度または垂直)で入射する。
以上、本発明の実施形態を説明したが、上記した実施形態は本発明を限定するものでない。当業者においては、上記した実施形態に様々な変形・変更を施せることや、上記と同様の結果を達成するための様々な構成を採用できることが理解されよう。また、様々な技術分野の当業者において、本発明が上記実施形態以外の用途における他の課題や適合性に対する解法を示唆していることがわかるであろう。開示目的のために本明細書に記載された実施形態に対して本発明の技術思想および技術範囲から逸脱せずに種々の変形・変更を加えることが可能であり、それらの全てを特許請求の範囲でカバーすることが本出願人の意図するところである。
たとえば、上記した実施形態は主としてレーザ溶接に係わるものであったが、本発明は他の用途たとえばレーザ曲げ加工やレーザ熱処理その他の物理的プロセスにも適用可能である。レ―ザ光は熱を発生すること、およびパルス幅の長いパルスレーザまたは連続波レーザのためQスイッチを用いた装置より相互作用時間が長いことから、本発明は加熱を必要とする多種多様なレーザ用途に好適である。
本発明の一実施形態におけるレーザ溶接装置に用いる折り返し型空洞光共振器内の光高調波発生装置の構成を模式的に示す図である。 本発明の別の実施形態におけるレーザ溶接装置に用いる折り返し型空洞光共振器内の光高調波発生装置の構成を模式的に示す図である。 本発明の更に別の実施形態におけるレーザ溶接装置に用いる同一直線型空洞光共振器内の光高調波発生装置の構成を模式的に示す図である。
符号の説明
10 光高調波発生装置
20 電気光学励起装置
30 活性媒質
40 非線形電気光学結晶
50 収束レンズ
60 終端ミラー
70,71 高調波分離器出力ミラー
80 終端ミラー

Claims (24)

  1. 第1の終端ミラーと高調波分離器ミラーとを有する発振器空洞と、
    前記発振器空洞内に配置された活性媒質と、
    基本波長を有する第1の光ビームを生成するために前記活性媒質を光学的にポンピングする電気光学励起装置と、
    前記第1の光ビームの基本波長に対する高調波の波長を有する第2の光ビームを生成するために前記発振器空洞内に配置された非線形光学結晶と
    を有し、前記高調波分離器ミラーが前記第1の光ビームを反射して前記第2の光ビームを出力する高調波レーザ装置。
  2. 前記第2の光ビームによって第1の被加工物を第2の被加工物に溶接する請求項1に記載の高調波レーザ装置。
  3. 前記第2の光ビームにより被加工物で熱を発生し、前記被加工物の材料特性の変更、前記被加工物の成形加工または前記被加工物の材料除去を行う請求項1に記載の高調波レーザ装置。
  4. 前記第1の光ビームを前記非線形光学結晶に収束するための収束レンズを具備し、前記第1の光ビームを前記非線形光学結晶の一面に収束照射する請求項1〜3のいずれか一項に記載の高調波レーザ装置。
  5. 前記収束レンズの焦点距離が約100mmと約150mmとの間に設定される請求項4に記載の高調波レーザ装置。
  6. 前記高調波分離器ミラーが、前記第1の光ビームを前記非線形光学結晶の一面に収束させるための凹面の反射面を有し、それによって前記第1の光ビームを前記非線形光学結晶の一面に収束照射する請求項1〜5のいずれか一項に記載の高調波レーザ装置。
  7. 前記第1および第2の光ビームがパルスレーザ光である請求項1〜6のいずれか一項に記載の高調波レーザ装置。
  8. 前記パルスレーザ光のパルスエネルギーがQスイッチを使用せずに生成される請求項7に記載の高調波レーザ装置。
  9. 前記パルスレーザ光のパルス幅が100マイクロ秒よりも大きい請求項7に記載の高調波レーザ装置。
  10. 前記第1および第2の光ビームが連続波レーザ光である請求項1〜9のいずれか一項に記載の高調波レーザ装置。
  11. 前記非線形光学結晶が、周波数を2倍に倍増する非線形結晶、3倍化する非線形結晶および4倍化する非線形結晶からなる群より選ばれる請求項1〜10のいずれか一項に記載の高調波レーザ装置。
  12. 前記非線形光学結晶が、高次(N>3)の高調波を発生することによって前記第2の光ビームの変換効率を増大させるように直列に配置された複数個の非線形結晶を含む請求項1〜10のいずれか一項に記載の高調波レーザ装置。
  13. 前記活性媒質が、気体媒質とレーザ結晶とからなる群より選ばれる請求項1〜12のいずれか一項に記載の高調波レーザ装置。
  14. 前記電気光学励起装置が、レーザダイオードと励起ランプとからなる群より選ばれる請求項1〜13のいずれか一項に記載の高調波レーザ装置。
  15. 前記活性媒質と前記非線形光学結晶とが互いに同一直線配列で配置される請求項1〜14のいずれか一項に記載の高調波レーザ装置。
  16. 前記発振器空洞が、前記第1の光ビームと前記第2の光ビームとを互いに所定の角度をなすような折り返し型発振器空洞を有し、
    前記折り返し型発振器空洞が、前記第1および第2の光ビームをいずれも前記非線形光学結晶に向けて反射するように前記非線形光学結晶と同一直線配列で配置される第2の終端ミラーを有する請求項1〜15のいずれか一項に記載の高調波レーザ装置。
  17. 前記基本波長が1064nmであり、前記高調波波長が532nmである請求項1〜16のいずれか一項に記載の高調波レーザ装置。
  18. 第1の光ビームの波長に対して高調波の波長を有する第2の光ビームを発生するための光高調波発生方法であって、
    活性媒質を光学的にポンピングすることによって前記基本波長の第1の光ビームを生成する工程と、
    前記第1の光ビームを非線形光学結晶に入射させて前記高調波波長を有する前記第2の光ビームを生成する工程と、
    前記第1の光ビームと前記第2の光ビームとを高調波分離器ミラーに入射せしめ、前記高調波分離器ミラーで前記第2の光ビームを透過させるとともに前記第1の光ビームを反射させる光高調波発生方法。
  19. 収束レンズを用いて前記第1の光ビームを前記非線形光学結晶に収束させる工程を含む請求項18に記載の光高調波発生方法。
  20. 前記高調波分離器ミラーが凹面の反射面を有し、前記高調波分離器ミラーの凹形反射面を用いて前記第1の光ビームを前記非線形光学結晶に収束させる工程を含む請求項18に記載の光高調波発生方法。
  21. 前記第1の光ビームと前記第2の光ビームとが前記高調波分離器ミラーに対して法線方向で入射する請求項18〜20のいずれか一項に記載の光高調波発生方法。
  22. 前記第1の光ビームと前記第2の光ビームとが前記高調波分離器ミラーに対して非法線方向で互いに所定の角度をなして入射する請求項18〜20のいずれか一項に記載の光高調波発生方法。
  23. 前記第2の光ビームを用いて第1の被加工物を第2の被加工物に溶接する工程を含む請求項18〜22のいずれか一項に記載の光高調波発生方法。
  24. 前記被加工物の材料特性の変更、前記被加工物の成形加工または前記被加工物の材料除去を行うために前記第2の光ビームを用いて被加工物に熱を発生させる工程を含む請求項18〜23のいずれか一項に記載の光高調波発生方法。
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