JP4969021B2 - 高調波レーザ装置及び高調波レーザ溶接方法 - Google Patents
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Description
本発明は、概して光高調波発生装置に係わり、より詳細にはレーザスポット溶接またはレーザシーム溶接で用いるレーザビームを発生するための高調波レーザ装置に関する。
近年、レーザは、製造業、特に溶接、切断および表面処理の分野で利用されている。実際、レーザ溶接技術は、高精度および高速の加工を実現できること、被加工物に与える熱歪が小さいこと、高度の自動化が可能であることから、ますますその重要性を高めている。現行のレーザ溶接装置では、波長１０．６μｍ（ミクロンメートル）の光ビームを発生するＣＯ2（二酸化炭素）レーザや、波長約１．０６４μｍの光ビームを発生するＮd：ＹＡＧ（Neodymium Yttrium Aluminum Garnet）レーザなどの固体素子がよく用いられている。
しかしながら、ＣＯ2レーザより生成されるレーザ光は、特定の金属や合金と光学的に結合しなかったり、または効率的に吸収されないことがある。たとえば、典型的なＣＯ2レーザの高波長の光は、チタニウム、鉄等の金属や合金において室温でよく反射する。同様に、低パワー（５００ワット以下）の溶接加工でよく用いられているＹＡＧレーザは、銅、金、アルミニウム等において室温で光学的に結合しなかったり、または効率的な吸収されないことがある。
現行のレーザ溶接装置は、室温での光学的結合性に対する金属の初期抵抗を克服するため、典型的には、パルスレーザのピークパワーを高くして低吸収性を補うようにしている。つまり、金属が融点温度に達するとその吸収性は大きく増加する。しかしながら、融点温度に達する前に、パルスの開始直後の期間にレーザビームの主要部分が当該金属に吸収されないという点で、高エネルギーのパルスレーザを用いてもかなり効果の低い結果となってしまう。さらに、そのような高エネルギーのパルスレーザがいったん金属材料と光学的に結合すると、当該金属材料に過剰のエネルギーが加えられ、材料のスプラッシュ（溶融金属の粒を飛散する現象）や、金属または合金成分の好ましかざる蒸発を招くおそれがある。このような望ましかざる非効率性やスプラッシュにより、溶接結果のばらつきを生ずる。
本発明は、上記従来技術の問題点を解決するものであり、レーザ溶接に適したパルス幅の長いパルス出力を有する高調波のレーザビームを高い変換効率で生成する高調波レーザ装置を提供することを目的とする。
本発明は、上記従来技術の問題点を解決するものであり、銅、金、アルミニウム等の金属からなる被加工物に対するレーザ溶接に適したパルス幅の長いパルス出力を有する高調波のレーザビームを高い変換効率で生成する高調波レーザ装置および高調波レーザ溶接方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明の高調波レーザ装置は、銅、金またはアルミニウムからなる被加工物に対するレーザ溶接で用いる高調波のレーザビームを発生するための高調波レーザ装置であって、光学的に相対向する第１の終端ミラーと第２の終端ミラーとを有する発振器空洞と、前記第１の終端ミラー側に寄って前記発振器空洞内に配置される活性媒質と、基本波長を有する第１のパルスレーザ光を生成するために前記活性媒質を光学的にポンピングする電気光学励起装置と、前記第１のパルスレーザ光の基本波長に対する高調波の波長を有する第２のパルスレーザ光を生成するために、前記第２の終端ミラー側に寄って前記発振器空洞内に配置される非線形光学結晶と、前記活性媒質側からの前記第１のパルスレーザ光を前記非線形光学結晶の一端面に収束照射するために、前記発振器空洞内で前記非線形光学結晶の前記端面からその焦点距離に等しい距離だけ離れた位置に配置される収束レンズと、前記第２のパルスレーザ光を前記第１のパルスレーザ光から分離して出力するために、前記活性媒質と前記収束レンズとの間で前記発振器空洞内に配置される高調波分離器ミラーとを有し、前記第１の終端ミラーが、それと対向する前記活性媒質の面と光学的に結合される凹面の反射面を有し、前記第２の終端ミラーが、それと対向する前記非線形光学結晶の面と光学的に結合される凹面の反射面を有し、前記第１および第２のパルスレーザ光のパルス幅が１００マイクロ秒よりも大きい、構成とした。
また、本発明の高調波レーザ溶接方法は、高調波のパルスレーザビームを用いて銅、金またはアルミニウムからなる被加工物に溶接加工を施すための高調波レーザ溶接方法であって、光学的に相対向する第１の終端ミラーと第２の終端ミラーとを有する発振器空洞内に、前記第１の終端ミラー側に寄って活性媒質を配置するとともに、前記第２の終端ミラー側に寄って非線形光学結晶を配置する工程と、前記発振器空洞内で前記非線形光学結晶と前記活性媒質との間に収束レンズを前記非線形光学結晶の一端面からその焦点距離に等しい距離だけ離して配置する工程と、前記発振器空洞内で前記活性媒質と前記収束レンズとの間に高調波分離器ミラーを配置する工程と、前記活性媒質を光学的にポンピングして、パルス幅が１００マイクロ秒よりも大きい基本波長を有する第１のパルスレーザ光を生成する工程と、前記発振器空洞内で前記第１のパルスレーザ光を前記収束レンズを介して前記非線形光学結晶の前記端面に収束照射して、前記第１のパルスレーザ光の基本波長に対する高調波の波長を有する第２のパルスレーザ光を生成する工程と、前記高調波分離器ミラーにより前記第２のパルスレーザ光を選択的に前記発振器空洞の外に取り出す工程と、前記発振器空洞の外に取り出した前記第２のパルスレーザ光を前記被加工物に照射して、前記第２のパルスレーザ光のエネルギーによって前記被加工物を溶接する工程とを有する。
また、本発明の高調波レーザ溶接方法は、高調波のパルスレーザビームを用いて銅、金またはアルミニウムからなる被加工物に溶接加工を施すための高調波レーザ溶接方法であって、光学的に相対向する第１の終端ミラーと第２の終端ミラーとを有する発振器空洞内に、前記第１の終端ミラー側に寄って活性媒質を配置するとともに、前記第２の終端ミラー側に寄って非線形光学結晶を配置する工程と、前記発振器空洞内で前記非線形光学結晶と前記活性媒質との間に収束レンズを前記非線形光学結晶の一端面からその焦点距離に等しい距離だけ離して配置する工程と、前記発振器空洞内で前記活性媒質と前記収束レンズとの間に高調波分離器ミラーを配置する工程と、前記活性媒質を光学的にポンピングして、パルス幅が１００マイクロ秒よりも大きい基本波長を有する第１のパルスレーザ光を生成する工程と、前記発振器空洞内で前記第１のパルスレーザ光を前記収束レンズを介して前記非線形光学結晶の前記端面に収束照射して、前記第１のパルスレーザ光の基本波長に対する高調波の波長を有する第２のパルスレーザ光を生成する工程と、前記高調波分離器ミラーにより前記第２のパルスレーザ光を選択的に前記発振器空洞の外に取り出す工程と、前記発振器空洞の外に取り出した前記第２のパルスレーザ光を前記被加工物に照射して、前記第２のパルスレーザ光のエネルギーによって前記被加工物を溶接する工程とを有する。
本発明においては、電気光学励起装置により活性媒質がポンピングされ、その両端面より軸方向に出る一定波長の光ビームが第１および第２の終端ミラーの間で共振増幅され、発振器空洞内で第１（基本波）のパルスレーザ光が生成される。この第１（基本波）のパルスレーザ光は、活性媒質から非線形光学結晶に向かう途中で収束レンズを透過する。ここで、収束レンズは非線形光学結晶の一端面からその焦点距離に等しい距離だけ離して配置されているので、収束レンズを透過した第１（基本波）のパルスレーザ光は非線形光学結晶の上記端面に収束して非線形光学結晶に入射し（光学的に結合し）、非線形光学結晶より第２（高調波）のパルスレーザ光を発生させる。このように、このように非線形光学結晶に入射する第１（基本波）のパルスレーザ光を収束レンズにより非線形光学結晶の一端面に収束させてそのパワー密度を増大させることより、第１（基本波）のパルスレーザ光から第２（高調波）のパルスレーザ光への変換効率を大きく向上させることができる。
また、上記の高調波レーザ装置においては、非線形光学結晶から第２の終端ミラー側に出た第１（基本波）のパルスレーザ光および第２（高調波）のパルスレーザ光は、第２の終端ミラーの凹面の反射面で反射して非線形光学結晶に戻る。そして、非線形光学結晶から第１の終端ミラー側に出た第１（基本波）のパルスレーザ光および第２（高調波）のパルスレーザ光は、収束レンズを透過して高調波分離器ミラーに入射する。この高調波分離器ミラーで第２（高調波）のパルスレーザ光が取り出されて発振器空洞の外へ出力され、第１（基本波）のパルスレーザ光は発振器空洞内に留まる。こうして、高調波分離器ミラーから第１（基本波）のパルスレーザ光のみが活性媒質に入射する。そして、活性媒質から第１の終端ミラー側に出た第１（基本波）のパルスレーザ光は、第１の終端ミラーの凹面の反射面で反射して活性媒質に戻り、再び活性媒質を通り抜けてから高調波分離器ミラーと収束ミラーとを通って非線形光学結晶に入射する。
本発明によれば、レーザ溶接用の高調波レーザビームとして、パルス幅が１００マイクロ秒よりも大きい高エネルギーの第２（高調波）のパルスレーザ光を生成できるので、従来技術の問題点、つまり銅、金、アルミニウム等の溶接において室温で光学的に結合しなかったり、または効率的に吸収されないこと、さらには、望ましくない非効率性やスプラッシュにより溶接結果のばらつきを生ずること等が解決される。
本発明の好適な一態様によれば、活性媒質が、気体媒質とレーザ結晶とからなる群より選ばれる。別の好適な一態様によれば、電気光学励起装置が、レーザダイオードと励起ランプとからなる群より選ばれる。
本発明の好適な一態様によれば、基本波長が１０６４ｎｍであり、高調波波長が５３２ｎｍである。
本発明によれば、上記のような構成と作用により、パルス幅の長いパルス出力または連続波出力を有する高調波のレーザビームを生成することができる。また、基本波長から高調波波長への変換効率を向上させることも可能である。
本発明の一実施形態によれば、Ｎ次（Ｎ≧２）高調波の光ビームを発生する方法および装置が提供される。一実施形態による光高調波発生装置は、活性媒質に光学的に結合されるポンピング放射出力を発生する電気光学励起装置または手段（たとえば、レーザダイオード、励起ランプ等）を光共振器内に配置し、活性媒質をポンピングして光共振器を基本波長で励起する。この実施形態では、非線形電気光学媒質が光共振器の励起基本光学モードに光学的に結合され、基本波長との非線形的な相互作用によって高調波波長の光を発生させる。本発明の利点は、以下に述べる本発明の適用例、たとえばレーザ溶接装置の文脈の中で十分に理解されるであろう。
図１に、被加工物１９０を溶接する光ビームを発生するための一実施例による光高調波発生装置１０の構成を模式的に示す。この光高調波発生装置１０で発生される光ビームはパルスレーザまたは連続波レーザのいずれであってもよい。この実施形態における光高調波発生装置１０は、たとえばＮd：ＹＡＧロッドのような活性媒質３０に光学的に結合される電気光学励起装置２０を折り返し型空洞光共振器内に配置し、活性媒質３０をポンピングして光共振器を基本波長で励起する。一実施例として、電気光学励起装置２０は励起ランプであってよい。他の実施例として、活性媒質３０は、レーザダイオードあるいは当業者に知られている他の好適なポンピング装置によって励起されてもよい。
この実施形態において、活性媒質３０は、レーザ蛍光寿命や光学的および機械的特性などの所望のレーザ特性に応じて選択されてよい。活性媒質３０としては、たとえば、レーザ結晶、気体媒質その他の当業者に知られている任意の好適なレーザ媒質が含まれる。
本発明の一実施例によれば、ＫＴＰ（Potassium Titanyl Phosphate）またはＬＢＯ（Lithium Triborate）などの非線形電気光学媒質４０が光共振器の励起された基本モードに光学的に結合され、基本波長との非線形相互作用により高調波を生成する。レーザ光の高調波は基本周波数（つまり原レーザ光の周波数）の倍数の周波数を有する別個のレーザ光として定義される。換言すれば、高調波の波長を全数の整数倍したものが基本波長に等しい（すなわち、λf＝Ｎλh）。
作用面において、非線形結晶４０を通り抜ける電磁波は、この結晶４０中の双極子と相互作用してそれらの双極子を発振させる。実際面では、この発振振動の振幅および結果的に生成される高調波の振幅は、電磁波のパワー密度が高くなるほど大きくなる。このことから、たとえばＱスイッチングを用いた従来の高調波装置では、一般に、ピークパワーが高く（たとえば２０〜１００ｋＷ）、発散性が低く、パルス幅の短い（たとえば１μｓｅｃ以下、典型的にはナノ秒領域の）光ビームを用いる。そのような光ビームは、基本光学波長から高調波への変換効率が高い。もっとも、パルス幅が短いために、大抵の溶接加工で必要とされる熱入力が得られない。
一方で、パルス幅の長い（たとえば２００μｓｅｃ以上）パルスまたは連続波で、ピークパワーが比較的低く（１〜１０ｋＷ）、発散性が比較的大きい出力ビームを用いる用途、たとえばレーザ溶接装置で使用される高調波発生装置は、比較的低い変換効率を与える。したがって、本発明の一実施形態では、基本波長から高調波波長への変換効率を高めるために、光共振器内に収束レンズ５０を配置し、非線形結晶４０に入射する基本波長の光ビームのパワー密度を増大させるようにしている。収束レンズ５０は、高発散性を補償して、変換効率を増大させる。一例として、変換効率は、収束レンズ５０を使用しないときは０．０１％以下であるのに対して、収束レンズ５０を使用すると約４０％になる。レーザ空洞内のレーザ光路にＱスイッチを用いる場合にはパルス幅が制限されるが、この実施形態においてはそのような制限を伴なうことなくパワー密度の大きな高調波を実現することができる。別言すると、高調波波長を有する光ビームを生成するためにＱスイッチを使用した場合、典型的には１μｓｅｃ以下のパルス幅でしかパルスレーザを発生することができない。そのようなパルスレーザは精密な穴開け加工やマーキングには向いているが、一般のレーザ溶接には適していない。本発明の実施形態においては、Ｑスイッチを使用せずに１個または複数個の非線形結晶を用いて高調波を生成し、これによって、長いパルス幅（たとえば、２００μｓｅｃ以上、典型的には３ｍｓｅｃ）のパルス出力または連続波出力を有する高調波を生成することが可能となっている。パルス幅を増大させることで、被加工物と相互作用する時間を長くできるとともに、被加工物の物質を溶融するのに十分なエネルギーを維持し、これによってレーザ溶接の品質を向上できる。
この実施形態では、活性媒質３０と非線形結晶４０とが、３つの反射器（つまりミラー）６０，７０，８０によって構成される三角型空洞発振器のビーム光路上に配置される。終端ミラー６０は、ロッド形の活性媒質３０（たとえばレーザ結晶）の第１の出力面１００と光学的に結合される凹面の反射面９０とを有している。一実施例として、終端ミラー６０の凹形反射面９０に、基本波長（たとえば１．０６４μｍ）に対して高反射性の膜をコーティングしてもよい。
一例として、この実施形態では、終端ミラー６０の凹形反射面９０に、基本波長に対して約９９％以上の反射率を有する誘電体多層膜をコーティングしてよい。さらに、終端ミラー６０の凹形反射面９０を、電気光学励起装置２０の波長に対して非反射性のものに構成してよい。また、活性媒質３０の両出力面１００，１１０を実質的に平坦な面に構成し、かつ基本波長（たとえば１．０６４μｍ）に対して非反射性の膜をコーティングしてもよい。
この実施形態において、活性媒質３０の出力面１１０は、高調波分離器出力ミラー７０に光学的に結合されてよい。高調波分離器ミラー７０は、活性媒質３０の光軸に対して約２０〜１６０゜の範囲内の角度をなす向きで配置されてよい。また、高調波分離器出力ミラー７０は、研磨された高純度石英ガラス（ＳiＯ2）のような光学ガラス、あるいは光学用成型樹脂、ＧaＡs（Gallium Arsenide）、ＣaＦ2（Clalcium Fluoride）などの当業者に知られている他の材料で構成されてよい。一実施例として、高調波分離器出力ミラー７０の一つの面１３０を、基本波長（たとえば１．０６４μｍ）に対しては高い反射性を有し、高調波（たとえば５３２ｎｍ（ナノメートル））に対しては実質的に透過性のものにしてよい。
この実施形態における光高調波発生装置１０は波長５３２ｎｍでレーザ光を出力する。このレーザ光は、その波長５３２ｎｍが緑色の光に対応するので、これを緑色レーザと称することができる。この実施形態では、非線形結晶４０がレーザ周波数を２倍に倍増する２倍波結晶であることから、５３２ｎｍ（基本波長の１／２）の波長を有する高調波が得られる。他の実施例として、３倍波結晶（Ｎ＝３）、４倍波結晶（Ｎ＝４）等を非線形結晶４０に用いて、レーザ周波数を３倍または４倍にし、それぞれ３５５ｎｍ、２６６ｎｍの波長を得ることもできる。また、他の実施例として、４倍の周波数（Ｎ＝４）を実現するために、直列に２つの２倍波結晶を用いることも可能である。
一例として、この実施形態では、高調波分離器出力ミラー７０の一面１３０に基本波長に対して高反射性の膜をコーティングし、高調波波長に対して非反射性の膜をコーティングしてもよい。また、高調波分離器出力ミラー７０の一面１４０に高調波波長に対して非反射性の膜をコーティングすることも可能であり、これによって高調波分離器出力ミラー７０における高調波波長の透過性を向上させることができる。
この実施形態では、高調波分離出力ミラー７０の一面１３０に収束レンズ５０を光学的に結合させて、基本波長の光ビームを非線形電気光学結晶４０に収束入射するようにしている。収束レンズ５０は、研磨された高純度石英ガラス（ＳiＯ2）のような光学ガラス、あるいは光学用成形樹脂、ＧaＡs、ＣaＦ2などの当業者に知られている他の材料で作製される平凸レンズで構成されてよい。一実施例として、収束レンズ５０の両面１４５，１５０を、基本波長および高調波波長のいずれに対しても高透過性のものに構成することができる。たとえば、上記の実施形態では、収束レンズ５０の両面１４５，１５０に、基本波長および高調波波長に対して非反射性の誘電体膜をコーティングしてよい。
上記した実施形態では、収束レンズ５０の焦点距離を約５０〜５００ミリメートル（ｍｍ）の範囲内に選んでよく、特に好ましくは１００ｍｍ〜１５０ｍｍの間に選んでよい。また、収束レンズ５０と非線形結晶４０とを収束レンズ５０の焦点距離にほぼ等しい距離だけ離すことで、非線形電気光学結晶４０の実質的に平坦な面１６０に入射する光ビームのパワー密度を高めることができる。
一実施形態においては、非線形電気光学結晶４０を基本波長と相互作用させることにより、活性媒質３０から放射される電磁波の周波数のＮ次高調波を生成する。一実施例として、ＫＴＰ結晶またはＬＢＯ結晶を基本モードに光学的に結合させることにより、２次高調波を生成することができる。たとえば、上記実施形態では、活性媒質３０を約１０６４ｎｍの基本波長を有するＮd：ＹＡＧレーザで構成し、非線形結晶４０は約５３２ｎｍの高調波出力を生成することができる。
上記実施形態では、第２の終端ミラー１８０が、非線形結晶４０の第２の実質的に平坦な面１８０に光学的に結合可能な凹面の反射面１７０を有してよい。一実施例として、非線形結晶４０の反射面１７０に、１０６４ｎｍの基本波長に対して高反射性の膜および高調波波長（この実施例では、たとえば５３２ｎｍ）に対して高反射性の膜をコーティングしてよい。したがって、非線形結晶４０を透過した基本波長および高調波波長の光ビームは、第２の終端ミラー８０で反射し非線形結晶４０に戻り、さらに収束レンズ５０を透過して高調波分離器出力ミラー７０に入射する。
上記実施形態では、高調波分離器ミラー７０の一面１３０に１０６４ｎｍに対して高反射性の膜が形成されているので、基本波長の光ビームはこの反射膜で反射して活性媒質３０に戻り、活性媒質３０を通り抜けて終端ミラー６０に入射する。ここで、終端ミラー６０は、光共振器内で基本波長の光ビームを捕える。一方で、高調波分離器出力ミラー７０は高調波波長の光ビームを透過させるため、該光ビームは光共振器を抜け出ることができる。こうして光共振器より出力されたビームが被加工物１９０に入射し、所望の溶接加工が行われる。
本発明は、上記した三角型共振器構造に限定されるものではない。むしろ、当業者であれば、活性媒質３０と非線形電気光学結晶４０との間に適切な光路を与えるために種々の共振器構造が利用可能であることがわかるであろう。
たとえば、図２に示す一実施形態においては、光高調波発生装置１１の高調波分離器出力ミラー７１に凹面の反射面１３１を設けることで、収束レンズを用いることなく基本波長の光ビームを非線形電気光学結晶４０に収束入射させることができる。この実施形態では、高調波分離器ミラー７１が、収束レンズ無しで約５０〜５００ｍｍの焦点距離を与える曲率半径を有してよい。また、高調波分離器ミラー７１と非線形電気光学結晶４０とを凹面分離器ミラー７１の焦点距離にほぼ等しい距離だけ離してもよい。
高調波分離器出力ミラー７１の凹面の反射面１３１に、基本波長に対して高反射性の膜と高調波波長に対して非反射性の膜とをコーティングすることもできる。高調波分離器出力ミラー７１の一面１４１にも高調波波長に対して非反射性の膜をコーティングし、それによって高調波分離器出力ミラー７１における高調波波長の透過性を一層向上させることができる。
図３につき、一構成例として、活性媒質３０と非線形電気光学結晶４０とを同一直線配列型の光共振器２００内に配置することも可能である。この光共振器２００においても、高調波分離器出力ミラー７０が光ビームを基本波成分と高調波成分とに分割する機能を有している。図３に示すように、基本波長および高調波波長のいずれも高調波分離器ミラー７０に法線方向（つまり９０゜の角度または垂直）で入射する。
以上、本発明の実施形態を説明したが、上記した実施形態は本発明を限定するものでない。当業者においては、上記した実施形態に様々な変形・変更を施せることや、上記と同様の結果を達成するための様々な構成を採用できることが理解されよう。また、様々な技術分野の当業者において、本発明が上記実施形態以外の用途における他の課題や適合性に対する解法を示唆していることがわかるであろう。開示目的のために本明細書に記載された実施形態に対して本発明の技術思想および技術範囲から逸脱せずに種々の変形・変更を加えることが可能であり、それらの全てを特許請求の範囲でカバーすることが本出願人の意図するところである。
１０ 光高調波発生装置
２０ 電気光学励起装置
３０ 活性媒質
４０ 非線形電気光学結晶
５０ 収束レンズ
６０ 終端ミラー
７０，７１ 高調波分離器出力ミラー
８０ 終端ミラー
２０ 電気光学励起装置
３０ 活性媒質
４０ 非線形電気光学結晶
５０ 収束レンズ
６０ 終端ミラー
７０，７１ 高調波分離器出力ミラー
８０ 終端ミラー
Claims (2)
- 銅、金またはアルミニウムからなる被加工物に対するレーザ溶接で用いる高調波のレーザビームを発生するための高調波レーザ装置であって、
光学的に相対向する第１の終端ミラーと第２の終端ミラーとを有する発振器空洞と、
前記第１の終端ミラー側に寄って前記発振器空洞内に配置される活性媒質と、
基本波長を有する第１のパルスレーザ光を生成するために前記活性媒質を光学的にポンピングする電気光学励起装置と、
前記第１のパルスレーザ光の基本波長に対する高調波の波長を有する第２のパルスレーザ光を生成するために、前記第２の終端ミラー側に寄って前記発振器空洞内に配置される非線形光学結晶と、
前記活性媒質側からの前記第１のパルスレーザ光を前記非線形光学結晶の一端面に収束照射するために、前記発振器空洞内で前記非線形光学結晶の前記端面からその焦点距離に等しい距離だけ離れた位置に配置される収束レンズと、
前記第２のパルスレーザ光を前記第１のパルスレーザ光から分離して出力するために、前記活性媒質と前記収束レンズとの間で前記発振器空洞内に配置される高調波分離器ミラーと
を有し、
前記第１の終端ミラーが、それと対向する前記活性媒質の面と光学的に結合される凹面の反射面を有し、
前記第２の終端ミラーが、それと対向する前記非線形光学結晶の面と光学的に結合される凹面の反射面を有し、
前記第１および第２のパルスレーザ光のパルス幅が１００マイクロ秒よりも大きい、
高調波レーザ装置。 - 高調波のパルスレーザビームを用いて銅、金またはアルミニウムからなる被加工物に溶接加工を施すための高調波レーザ溶接方法であって、
光学的に相対向する第１の終端ミラーと第２の終端ミラーとを有する発振器空洞内に、前記第１の終端ミラー側に寄って活性媒質を配置するとともに、前記第２の終端ミラー側に寄って非線形光学結晶を配置する工程と、
前記発振器空洞内で前記非線形光学結晶と前記活性媒質との間に収束レンズを前記非線形光学結晶の一端面からその焦点距離に等しい距離だけ離して配置する工程と、
前記発振器空洞内で前記活性媒質と前記収束レンズとの間に高調波分離器ミラーを配置する工程と、
前記活性媒質を光学的にポンピングして、パルス幅が１００マイクロ秒よりも大きい基本波長を有する第１のパルスレーザ光を生成する工程と、
前記発振器空洞内で前記第１のパルスレーザ光を前記収束レンズを介して前記非線形光学結晶の前記端面に収束照射して、前記第１のパルスレーザ光の基本波長に対する高調波の波長を有する第２のパルスレーザ光を生成する工程と、
前記高調波分離器ミラーにより前記第２のパルスレーザ光を選択的に前記発振器空洞の外に取り出す工程と、
前記発振器空洞の外に取り出した前記第２のパルスレーザ光を前記被加工物に照射して、前記第２のパルスレーザ光のエネルギーによって前記被加工物を溶接する工程と
を有する高調波レーザ溶接方法。
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