JP2003510821A - 内部に周波数2倍手段を備えた、ダイオードでポンピングされるレーザー - Google Patents
内部に周波数2倍手段を備えた、ダイオードでポンピングされるレーザーInfo
- Publication number
- JP2003510821A JP2003510821A JP2001525811A JP2001525811A JP2003510821A JP 2003510821 A JP2003510821 A JP 2003510821A JP 2001525811 A JP2001525811 A JP 2001525811A JP 2001525811 A JP2001525811 A JP 2001525811A JP 2003510821 A JP2003510821 A JP 2003510821A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- diode
- crystal
- pumped
- resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 105
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 43
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 24
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000002207 retinal effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005312 nonlinear dynamic Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 210000001525 retina Anatomy 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
- H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
- H01S3/0405—Conductive cooling, e.g. by heat sinks or thermo-electric elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
- H01S3/042—Arrangements for thermal management for solid state lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
- H01S3/0604—Crystal lasers or glass lasers in the form of a plate or disc
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
- H01S3/09415—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode the pumping beam being parallel to the lasing mode of the pumped medium, e.g. end-pumping
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
Description
に対し大部分平行に指向する温度勾配を持った固体と、光路内においてこの固体
の下流側に配置され、レーザー基本波長のレーザー光線を、他の波長のレーザー
光線に変換する非線形光学結晶とが設けられている、内部に周波数2倍手段を備
えた、ダイオードでポンピングされるレーザーに関するものである。
hotonics" Advanced Solid-State Lasers、第26巻、Martin M. Fejer, Hagop
Injeyan, Ursula Keller 編 (Optical Society of America, Washington DC 199
9)、第38−44頁から知られている。
とえば非線形光学結晶を用いて第2高調波を生成させると、種々の原理的な理由
から非線形ダイナミックスの問題が伴い、その結果出力が不安定な挙動を示す。
このような不安定性の原因は種々ある。
ーモードが非線形的にカップリングすると、レーザーの出力が揺らぎ、いわゆる
「グリーン問題」が発生する( T. Baer, J. Opt. Soc. Am. B3, 1175, 1986)。
されると、通電時に、出力がダイオード電流の関数として複雑に応答する。これ
は、サーマルレンズが共振器内のレーザーモードに影響し、よって周波数2倍器
結晶内のレーザーフィールドの強度に依存している周波数2倍作用に影響するか
らである。このため、ダイオード電流を介して出力の調整ができなくなる。
、個々の要件をその全体において充足するものではない。 安定なレーザー出力を生じさせるため、レーザー共振器を多モードで作動させ
るか(>100)、或いはシングルモードで作動させることが知られている。
装置が設けられている。多数の縦方向のモードを励起することにより、振幅が安
定な作動が得られる。レーザーの出力は、使用されるレーザー結晶棒の内部にダ
イオード電流を介して強いサーマルレンズが形成されるので、調整は不可能であ
る。というのは、出力の設定開始時に、第2高調波が発生したときに出力の変動
が生じるからである。共振器が特に長いので、このように構成されたレーザーは
サイズが大型になり、高コストの要因になる。
振器内部で周波数を2倍にすることにより第2高調波を発生させることが知られ
ている(S. Erhard 著、Trends in Optics and Photonics 第26巻、Advanced
Solid-State Lasers, Martin M. Fejer, Hagop Injeyan, Ursula Keller 編(Opt
ical Society of America, Washington DC 1999年、第38−44頁)。その
際使用されるレーザー活性固体媒体は薄いディスクの形状を有し、このディスク
の拡がりは、他の許容寸法に比べると、レーザー光線の拡がり方向(レーザー軸
線)においてかなり減縮されている。ドイツ連邦共和国特許公開第434422
7A号公報によれば、このようなレーザー結晶は、レーザー拡がり方向に対し垂
直に指向する面によって堅牢な冷却要素に固定されている。これにより、結晶内
に大部分がレーザー軸線に対し平行な温度勾配が生じ、これによって不具合なサ
ーマルレンズの形成が著しく抑制される。上記のレーザーは、非臨界的に温度位
相整合されたLBO結晶を備える長い共振器(約1mm)を非線形光学結晶とし
て使用している。シングルモード作動は、公知のように、縦方向のモード数を低
減するため、エタロンと二重屈折フィルタとを共振器内に設置することにより得
られる。これは高価なものであり、位置調整が非常に困難であり、共振器内部に
ロスを発生させるので、レーザーの効率は、記載されているように15.5%に
減少する。
かしこのレーザー出力は、初期変位なくしては変化させることができない。この
ような解決法では、連続波以下のミリ秒範囲のパルス長を持った制御可能なパル
ス作動(医学の分野で使用され、たとえば人間の眼の凝血治療に適用される)は
実現できない。共振器の長さが長いこともこの種の適用の障害となっている。
るマイクロチップレーザーの形態のものであり、これは米国特許第551108
5号公報に開示されている。エンドポンピングはすでに横方向のモードを制限す
るものであるが、共振器内部のエタロン作用は、レーザー結晶または非線形結晶
上に付加的なコーティングがなされているので、縦方向のモードスペクトルをさ
らに減少させる。強い熱作用はかなりの程度光学要素にストレスを与え、レーザ
ー出力を制限し、それによってレーザーの適用範囲を制限する。これにより装置
の位置調整も困難である。
力の設定開始時に生じる不具合な出力変動を、簡潔な構成で、よって低コストの
構成で阻止し、しかも共振器内部の出力低下要素と熱的な作用とがレーザー挙動
に影響しないようにすることである。
レーザーにおいて、すなわちレーザー共振器の内部に、レーザー活性媒体として
、レーザー軸線に対し大部分平行に指向する温度勾配を持った固体と、光路内に
おいてこの固体の下流側に配置され、レーザー基本波長のレーザー光線を、他の
波長のレーザー光線に変換する非線形光学結晶とが設けられている、内部に周波
数2倍手段を備えた、ダイオードでポンピングされるレーザーにおいて、レーザ
ー基本波長のレーザー光線から他の波長のレーザー光線への変換を、変換された
レーザー光線の最大出力を達成させるために必要な効率よりも小さな効率で行う
ことによって解決される。
調整され、変換されたレーザー光線の最大出力を達成させる効率の50%−90
%の範囲に設定されている。
器ではいくつかの少ないモードが発生せしめられ、付加的なモード選択要素を設
ける必要はない。このような処置は、公知のように、共振器内部の周波数を2倍
にした状態で安定な出力を生じさせない。このような安定性は、特殊な態様で構
成された非線形結晶を用いた小さな変換効率によってはじめて達成される。
在しているディスク状の固体として構成することにより、モード分布に対するサ
ーマルレンズの不具合な作用がすでにかなり低減する。温度勾配が共振器軸線に
対し大部分平行に指向しているにもかかわらずレーザー活性媒体の中に形成され
るサーマルレンズの残存作用は、その焦点距離が共振器の長さよりも大きく設定
されていることにより低減される。
クオリティの光線を連続作動において獲得するために使用されない。本発明にお
いては、サーマルレンズの安定性という性質を、ポンピング出力を変更するとき
に利用する。ポンピング出力の変更は、大きな動的範囲に対しても、すなわちほ
ぼ20mWという非常に小さな出力で、或いはほぼ4Wという非常に大きな出力
で安定な作動を保証するためにも、また、切換え能(スイッチオン過程)のため
にも必要である。
1と2の間の回折値M2によって特徴づけられている。 非線形光学結晶として、種々の結晶を使用できる。有利には、臨界的な角度位
相整合で周波数を2倍にさせる、2mm−10mmの結晶長さのLBO結晶を使用する
のがよい。これは、補助的に、小さな変換効率の適用に対し有利に作用する。
−5mmのKTP結晶、或いは、タイプIの非線形温度位相整合型で、結晶長さが2mm
−10mmのLBO結晶も使用できる。
ので、KTP結晶の場合には、ディスク状レーザー結晶の場合と同様の効果が生じ
る。さらに、これには位置調整感度が小さいという利点が得られ、これにより、
低コストの組み立ても実現される。温度感度と吸収ロスの減少は、短い周波数2
倍化結晶の他の性質であり、コスト上有利である。
って折畳まれ、且つ非点収差を避けるため、10゜以下の入射角で折畳みミラー
に指向している共振器軸線を有しているのが有利である。
されている少なくとも1列のレーザーダイオードを備えているのが好ましく、或
いはそのポンピング光線が自由放射光学系により伝送されるのが好ましい。
器エンドミラーの形成のため、レーザー基本波と非線形光学結晶により生じせし
められる第2高調波とに対し高反射性を持つ誘電層を備えているのも有利である
。
互いに平行に作用する結晶面に対し垂直に指向している。 レーザー活性媒体に対しては、Ndを0.5%−2%でドーピングしたNd:YV
O4結晶、および、Ndを0.5%−1.5%でドーピングしたNd:YAGレーザ
ー結晶が適している。
持った振幅安定な出力を達成可能である。ダイオード電流を介して、10mWと4w
の間の範囲のレーザー出力を設定可能であり、且つ10msと連続波の間の矩形パ
ルス期間を設定可能であり、すなわち前もって選定した出力がほぼ1msで安定に
達成される。ロスを生じさせる共振器内部要素の数量が少ないことにより、高い
全効率が達成される。本発明の解決法は、強い熱作用を回避するので、レーザー
の高出力にも適しており、たとえば皮膚科学において必要なほどの高出力に対し
ても適している。
ディスクとして構成されたNd:YVO4レーザー結晶1を有し、そのサイズ(0.4
mm×4mm×4mm)のうち、最小の0.4mmのサイズは共振器軸線X1−
X1の方向に拡がっている。図示していないが、冷却要素が設けられており、冷
却要素上には、レーザー結晶ディスクの、共振器内部から離間する方向に指向し
ている大きな面積の側面が固定されている。冷却要素は、固体媒体のなかに共振
器軸線X1−X1に対しほぼ平行に指向するような温度勾配を生じさせるために
用いる。周波数逓倍器として、共振器内には、共振器の唯一の内部要素である非
線形光学結晶2が配置されている。非線形光学結晶2はタイプIIの臨界角度位
相整合型KTP結晶の形態で実施され、そのサイズは2mm×3mm×3mmで
ある。ロスを低減させるため、レーザー光線があたるそれぞれの結晶1と2の面
は互いに平行に作用し、共振器軸線X1−X1に対し垂直に指向している。
延在しており、これにより非線形デカップリングによる基本波長のレーザー光線
から第2高調波への変換の率が非常に小さくなる。変換の率を調整する他の可能
性は、共振器の設計と、非線形光学係数を持った非線形光学結晶とによって決定
されている。図2は、この変換効率ηSHGと、得ることのできる第2高調波P
SHGの出力との関係を示したものである。ここで明らかなことは、出力は変換
効率ηSHG(非線形デカップリング率)が増大するにつれて、最適な変換効率
ηOPTであれば、まず出力最大値PMAXに達するまで上昇する。変換効率η
SHGがさらに増大すると、出力は減少する。本発明によれば、レーザーを構成
するために、最適な変換効率ηOPTよりもかなり小さな変換効率ηSHGが選
択され、これにより変換はより低い有効範囲に設定され、この有効範囲において
は、発生した第2高調波の放射強度とレーザー基本波の回転している放射強度と
の比は比較的小さい。有利には、最適な変換効率ηOPTの50%−90%の範囲
が選定される。この有利な範囲をさらに下回ると、非線形ダイナミックスはます
ます良好になるが、第2高調波の出力はかなり小さくなる。
さくして第2高調波に対し高出力PSHGが得られるようにした通常の方法とは
異なっている。しかし、低変換効率を選定するという処置により、特に非線形光
学結晶に対し短い結晶長さを使用することにより、出力が比較的高い場合でも安
定なレーザー挙動を得ることができる。それにもかかわらず、光ポンピングパワ
ーPpumpを25%以上のレーザーの光出力PSHGへ変換する際に高い全効
率が得られる理由は(図3)、本発明により、ロスを生じさせる構成要素を共振
器から削減したことによる。図3は、時間的に安定で、見本に従って再現可能で
あり、極めて単調に上昇する連続的なレーザー特性曲線を示している。
じる、緑のスペクトル範囲にある第2高調波をデカップリングするため、凹状の
デカップリングミラー3を用いる。その曲率半径は、所望の放射部分が両結晶1
と2で設定されるように選定されている。デカップリングミラー3は1064n
mに対して高反射性があり、532nmに対して高透過性があるように設計され
ている。Nd:YVO4レーザー結晶1によって生じた基本波は偏光方向4を有し、この
偏光方向4は、水平面内に延在している第2高調波の偏光方向5と45゜の角度
を成している。結晶C軸(偏光軸でもある)は共振器水平面に対し45゜の角度
で傾斜しているので、位相整合角は、非線形結晶の結晶z軸を共振器面に対し垂
直に配置してタイプIIの位相整合結晶2を共振器面に対し垂直な軸線Y―Yの
まわりに回転させることにより設定することができる。
ピング装置の場合、レーザーダイオードポンピング放射はファイバー光学系6を
介して凹状のミラー7により結晶1に対し指向している。ミラー7と他のミラー
8とは、ポンピング光線が円板状の結晶1を全部で4回通過することが可能であ
るように配置されている。ポンピング出力密度は、温度勾配が共振器軸線X1−
X1に対しほぼ平行に指向しているにもかかわらず形成されるサーマルレンズの
焦点距離がすべてのポンピング出力に対し共振器の長さよりも著しく長いように
選定されねばならない。これにより、共振器モードおよび出力もわずかに影響を
受けるにすぎない。適切なポンピング出力密度はたとえば1.5kw/cm2以下で
あり、形成されるサーマルレンズは、共振器の長さが100mmである場合、たと
えば1―4mmの焦点距離を持っていなければならない。共振器の長さは50mmな
いし250mmが可能であるが、本例では200mmの長さを選定した。共振器の長
さは、レーザー結晶ディスクの、冷却要素と結合される大きな面積の側面と、凹
状のデカップリングミラー3とにより制限される。本発明によるレーザーの出力
PSHGは図4に図示したように変化する。これから明らかであるように、不具
合な出力変動は、出力設定を開始するときに、ポンピングのために使用されるレ
ーザーダイオードのダイオード電流を用いて低減される。
器が使用され、レーザー共振器は、デカップリングミラーとして用いられる折畳
みミラー9と、エンドミラー10とを備えている。エンドミラー10は、共振器
内部の唯一の構成要素として、非線形光学結晶11(ここではLBO結晶)を有し
ている。共振器軸線X2−X2も、ロスを低減するため、互いに平行に作用する
、結晶11と12の結晶面に対し垂直に指向している。レーザー活性媒体12は
、その種類と構成の点で図1の実施形態に同じで、本実施形態においても、本発
明はNd:YVO4レーザー結晶に限定されるものではない。0.5%―2%のNdドー
ピングを施したNd:YVO4以外に、たとえばNd:YAG(ドーピング0.5%―1.5
%)、Nd:YALO、Nd:YLFまたはNd:LSBを使用することができる。図中13と1
4はそれぞれ、レーザー基本波の偏光方向と、第2高調波の偏光方向である。こ
のレーザー構成におけるポンピング装置は、少なくとも1列のレーザーダイオー
ド15を有しており、そのレーザー光線は、通常使用される光学的結像要素、た
とえばp―n接合部の面に対し垂直に作用する筒状のコリメーションレンズ16
と非球面レンズ17とにより、結晶11に対し指向されている。結晶11は2つ
の側面で研削されて、結晶11に対し10゜−30゜の光線入射角を実現できる
ようにするのが有利である。ポンピング光線が結晶11を3回目と4回目に通過
するに際して、ポンピング光線が結晶11から射出後反射して再び自動的に戻っ
てくるように、球面ミラー18は適宜配置される。楕円形のポンピング焦点は、
共振器の長さが50mm−250mmで短い場合に、回折値M2がM2<5を特徴と
するようなクォリティの光線を設定するために必要であるような大きさの半径で
設定される。しかしながら、回折値M2が1ないし10の範囲にあっても使用目
的に対しては十分である。本発明によるレーザーを医学の分野に適用するために
は、特に網膜の凝血に適用するためには、治療スポットがその均質性によって十
分優れた凝結効果を生じさせることができるようなクオリティの光線が必要であ
る。同様に、発生した周波数2倍のレーザー光線の少なくとも90%がレーザー
出力部下流側の反射防止膜のないガラスファイバーに効果的にカップリングおよ
びデカップリングするよう保証されていなければならない。
ればならない。これにより、レーザー基本波からの、周波数2倍にされた光線の
非線形デカップリングが少なくなり、結果的にレーザー出力の非線形揺らぎが少
なくなる。非線形光学結晶を、ディスクレーザー技術にしたがって薄いディスク
として構成してもよい。
望どおりに減少させることができるが、通常の非臨界的温度位相整合型のLBO結
晶を使用してもよい。
使用することにより、非線形結晶11をレーザー基本波および第2高調波に対し
高反射性を持つように構成してもよい。
ー結晶と非線形光学結晶とに同時に最適な光線スロート(Strahltaille)が発生し
、その際レーザー結晶を折畳みミラーとしても用いることができるようにサイズ
を選定された簡単な線形2ミラー共振器を使用するかは周知である。共振器の光
学的に活性な要素の端面を結像面として実施してもよい。
光線の得られる出力との関係を示す図である。
し比較したグラフである。
Claims (18)
- 【請求項1】レーザー共振器の内部に、レーザー活性媒体として、レーザー
軸線に対し大部分平行に指向する温度勾配を持った固体と、光路内においてこの
固体の下流側に配置され、レーザー基本波長のレーザー光線を、他の波長のレー
ザー光線に変換する非線形光学結晶とが設けられている、内部に周波数2倍手段
を備えた、ダイオードでポンピングされるレーザーにおいて、 レーザー基本波長のレーザー光線から他の波長のレーザー光線への変換を、変
換されたレーザー光線の最大出力(PMAX)を達成させるために必要な効率よ
りも小さな効率(ηSHG)で行うことを特徴とする、前記ダイオードでポンピ
ングされるレーザー。 - 【請求項2】変換の効率(ηSHG)が、変換されたレーザー光線の最大出
力(PMAX)を達成させる効率の50%−90%の範囲に設定されていること
を特徴とする、請求項1に記載のダイオードでポンピングされるレーザー。 - 【請求項3】変換効率(ηSHG)が、実質的に、共振器軸線(X1−X1
,X2−X2)に沿った非線形光学結晶(2,11)の長さによって設定されて
いることを特徴とする、請求項2に記載のダイオードでポンピングされるレーザ
ー。 - 【請求項4】温度勾配が共振器軸線(X1−X1,X2−X2)に対し大部
分平行に指向しているにもかかわらずレーザー活性媒体の中に形成されるサーマ
ルレンズが、共振器の長さよりも大きい焦点距離を有していることを特徴とする
、請求項3に記載のダイオードでポンピングされるレーザー。 - 【請求項5】非線形光学結晶(2,11)を用いて発生せしめられるレーザ
ー光線の放射クオリティが、1と2の間の回折値M2によって特徴づけられてい
ることを特徴とする、請求項4に記載のダイオードでポンピングされるレーザー
。 - 【請求項6】非線形光学結晶(11)として、臨界的な角度位相整合で周波
数を2倍にさせる、2mm−10mmの結晶長さのLBO結晶を使用することを特徴と
する、請求項5に記載のダイオードでポンピングされるレーザー。 - 【請求項7】非線形光学結晶(2)として、タイプIIの臨界的角度位相整合
型で、結晶長さが1mm−5mmのKTP結晶を使用することを特徴とする、請求項5
に記載のダイオードでポンピングされるレーザー。 - 【請求項8】非線形光学結晶が、タイプIの非線形温度位相整合型で、結晶
長さが2mm−10mmのLBO結晶として構成されていることを特徴とする、請求項
5に記載のダイオードでポンピングされるレーザー。 - 【請求項9】レーザー共振器が、デカップリングミラーとして用いられる折
畳みミラー(9)によって折畳まれ、且つ10゜以下の入射角で折畳みミラー(
9)に指向している共振器軸線(X2−X2)を有していることを特徴とする、
請求項6から8までのいずれか一つに記載のダイオードでポンピングされるレー
ザー。 - 【請求項10】ポンピング装置として、ファイバー光学系(6)とカップリ
ングされている少なくとも1列のレーザーダイオードを使用することを特徴とす
る、請求項9に記載のダイオードでポンピングされるレーザー。 - 【請求項11】ポンピング装置として、ポンピング光線を伝送するための自
由放射光学系(16,17)を備えた少なくとも1列のレーザーダイオードを使
用することを特徴とする、請求項9に記載のダイオードでポンピングされるレー
ザー。 - 【請求項12】非線形光学結晶(2,11)の、共振器内部から離間する方
向に指向している端面が、共振器エンドミラーの形成のため、レーザー基本波と
非線形光学結晶により生じせしめられる第2高調波とに対し高反射性を持つ誘電
層を備えていることを特徴とする、請求項11に記載のダイオードでポンピング
されるレーザー。 - 【請求項13】共振器軸線(X1−X1,X2−X2)が、レーザー活性媒
体と非線形光学結晶(2,11)との互いに平行に作用する結晶面に対し垂直に
指向していることを特徴とする、請求項12に記載のダイオードでポンピングさ
れるレーザー。 - 【請求項14】レーザー活性媒体として、Ndを0.5%−2%でドーピング
したNd:YVO4結晶を用いることを特徴とする、請求項13に記載のダイオー
ドでポンピングされるレーザー。 - 【請求項15】レーザー活性媒体として、Ndを0.5%−1.5%でドーピ
ングしたNd:YAGレーザー結晶を用いることを特徴とする、請求項13に記載
のダイオードでポンピングされるレーザー。 - 【請求項16】レーザー活性媒体としてNd:YALO結晶を用いることを特徴と
する、請求項13に記載のダイオードでポンピングされるレーザー。 - 【請求項17】レーザー活性媒体としてNd:YLF結晶を用いることを特徴
とする、請求項13に記載のダイオードでポンピングされるレーザー。 - 【請求項18】レーザー活性媒体としてNd:LSB結晶を用いることを特徴
とする、請求項13に記載のダイオードでポンピングされるレーザー。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19946176.7A DE19946176B4 (de) | 1999-09-21 | 1999-09-21 | Diodengepumpter Laser mit interner Frequenzverdopplung |
DE19946176.7 | 1999-09-21 | ||
PCT/EP2000/008826 WO2001022541A1 (de) | 1999-09-21 | 2000-09-09 | Diodengepumpter laser mit interner frequenzverdopplung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003510821A true JP2003510821A (ja) | 2003-03-18 |
Family
ID=7923403
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001525811A Pending JP2003510821A (ja) | 1999-09-21 | 2000-09-09 | 内部に周波数2倍手段を備えた、ダイオードでポンピングされるレーザー |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6711184B1 (ja) |
JP (1) | JP2003510821A (ja) |
AU (1) | AU7652200A (ja) |
CA (1) | CA2351409A1 (ja) |
DE (1) | DE19946176B4 (ja) |
WO (1) | WO2001022541A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005209965A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Miyachi Technos Corp | 高調波パルスレーザ装置及び高調波パルスレーザ発生方法 |
JP2006032768A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Ricoh Co Ltd | Ld励起固体レーザ装置 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4219650B2 (ja) * | 2002-10-18 | 2009-02-04 | 株式会社トプコン | 眼科用手術装置 |
US7593447B2 (en) * | 2004-07-12 | 2009-09-22 | Santanu Basu | Rotary disk laser module |
DE502005005756D1 (de) * | 2005-05-12 | 2008-12-04 | Innovavent Gmbh | Verwendung eines Scheibenlasers zur Kristallisation von Siliziumschichten |
DE102005025128B4 (de) * | 2005-05-27 | 2012-12-27 | Jenoptik Laser Gmbh | Laseranordnung und Verfahren zur Erzeugung eines Multimodebetriebes bei resonatorinterner Frequenzverdopplung |
EP1742308B1 (de) * | 2005-07-05 | 2008-03-12 | TRUMPF Laser GmbH + Co. KG | Wellenleiter-Laseranordnung |
US7573930B2 (en) | 2007-06-14 | 2009-08-11 | Innovavent Gmbh | Anamorphotic solid-sate laser |
CN102593703B (zh) * | 2012-01-16 | 2013-10-16 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种判定自变频晶体最佳热平衡运转条件的装置 |
GB2563005B (en) * | 2017-05-23 | 2021-04-21 | M Squared Lasers Ltd | Nonlinear crystal |
CN112269260B (zh) * | 2020-09-27 | 2023-03-21 | 北京卓镭激光技术有限公司 | 激光切换装置和方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4953166A (en) * | 1988-02-02 | 1990-08-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Microchip laser |
US5256164A (en) * | 1988-02-02 | 1993-10-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of fabricating a microchip laser |
US5025446A (en) * | 1988-04-01 | 1991-06-18 | Laserscope | Intra-cavity beam relay for optical harmonic generation |
US5553088A (en) * | 1993-07-02 | 1996-09-03 | Deutsche Forschungsanstalt Fuer Luft- Und Raumfahrt E.V. | Laser amplifying system |
US6241720B1 (en) * | 1995-02-04 | 2001-06-05 | Spectra Physics, Inc. | Diode pumped, multi axial mode intracavity doubled laser |
FR2734092B1 (fr) * | 1995-05-12 | 1997-06-06 | Commissariat Energie Atomique | Microlaser monolithique declenche et materiau non lineaire intracavite |
US5802086A (en) * | 1996-01-29 | 1998-09-01 | Laser Power Corporation | Single cavity solid state laser with intracavity optical frequency mixing |
US5627849A (en) * | 1996-03-01 | 1997-05-06 | Baer; Thomas M. | Low amplitude noise, intracavity doubled laser |
WO1997045901A1 (en) * | 1996-05-31 | 1997-12-04 | Light Solutions Corporation | Pulsed laser with passive stabilization |
US6002695A (en) * | 1996-05-31 | 1999-12-14 | Dpss Lasers, Inc. | High efficiency high repetition rate, intra-cavity tripled diode pumped solid state laser |
US6101201A (en) * | 1996-10-21 | 2000-08-08 | Melles Griot, Inc. | Solid state laser with longitudinal cooling |
US5949802A (en) * | 1997-10-08 | 1999-09-07 | Uniphase Corporation | High efficiency intracavity doubled laser and method |
US6222869B1 (en) * | 1998-06-03 | 2001-04-24 | Iridex Corporation | Aspheric lensing control for high power butt-coupled end-pumped laser |
-
1999
- 1999-09-21 DE DE19946176.7A patent/DE19946176B4/de not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-09-09 US US09/856,286 patent/US6711184B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-09 CA CA002351409A patent/CA2351409A1/en not_active Abandoned
- 2000-09-09 JP JP2001525811A patent/JP2003510821A/ja active Pending
- 2000-09-09 WO PCT/EP2000/008826 patent/WO2001022541A1/de active Application Filing
- 2000-09-09 AU AU76522/00A patent/AU7652200A/en not_active Abandoned
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005209965A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Miyachi Technos Corp | 高調波パルスレーザ装置及び高調波パルスレーザ発生方法 |
KR101185829B1 (ko) * | 2004-01-23 | 2012-10-02 | 미야치 테크노스 가부시키가이샤 | 레이저 용접 장치 |
JP2006032768A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Ricoh Co Ltd | Ld励起固体レーザ装置 |
JP4496029B2 (ja) * | 2004-07-20 | 2010-07-07 | 株式会社リコー | Ld励起固体レーザ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2001022541A1 (de) | 2001-03-29 |
DE19946176A1 (de) | 2001-04-19 |
US6711184B1 (en) | 2004-03-23 |
DE19946176B4 (de) | 2016-09-15 |
CA2351409A1 (en) | 2001-03-29 |
AU7652200A (en) | 2001-04-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5638388A (en) | Diode pumped, multi axial mode intracavity doubled laser | |
EP0742966B1 (en) | Diode pumped, multi axial mode, intracavity frequency doubled laser | |
US6590911B1 (en) | Passively modelocked harmonic-generating laser | |
US5991317A (en) | Retinal photocoagulator including diode pumped, multi-axial mode intracavity doubled laser | |
EP0715774B1 (en) | Deep blue microlaser | |
JP2004503918A (ja) | 深紫外発生用ダイオード励起カスケードレーザ | |
Eichenholz et al. | Diode-pumped self-frequency doubling in a Nd 3+: YCa 4 O (BO 3) 3 laser | |
JP2004504732A (ja) | 安定な固体ラマンレーザおよびそれを動作させる方法 | |
US6287298B1 (en) | Diode pumped, multi axial mode intracavity doubled laser | |
KR20070022664A (ko) | 레이저 장치 | |
JPH0242778A (ja) | レーザ共振装置 | |
US6931037B2 (en) | Diode pumped, multi axial mode intracavity doubled laser | |
JP2003510821A (ja) | 内部に周波数2倍手段を備えた、ダイオードでポンピングされるレーザー | |
JPH1084155A (ja) | 固体レーザ装置 | |
JP2001077449A (ja) | モード同期固体レーザ | |
US5121402A (en) | Multiple element ring laser | |
US5696780A (en) | Frequency conversion system | |
WO2002021646A1 (en) | Frequency doubled nd: yag laser with yellow light output | |
JP3197820B2 (ja) | 固体レーザ装置 | |
EP4002609A1 (en) | Solid-state laser system | |
JPH09232665A (ja) | 出力安定化第二高調波光源 | |
JP3046562B2 (ja) | レーザ装置 | |
JPH065962A (ja) | レーザ光発生装置 | |
JPH1079550A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
Agnesi et al. | Efficient intra-cavity second harmonic generation by a diode-pumped actively Q-switched Nd: YAG laser |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050701 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060404 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20060704 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20060711 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061002 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061114 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070213 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070514 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070619 |