JPH1149789A - 光学活性ジホスフィン配位子、その製造方法、遷移金属錯体、その製造方法およびこれらの使用 - Google Patents

光学活性ジホスフィン配位子、その製造方法、遷移金属錯体、その製造方法およびこれらの使用

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JPH1149789A
JPH1149789A JP10168299A JP16829998A JPH1149789A JP H1149789 A JPH1149789 A JP H1149789A JP 10168299 A JP10168299 A JP 10168299A JP 16829998 A JP16829998 A JP 16829998A JP H1149789 A JPH1149789 A JP H1149789A
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ヘルムヒェン ギュンター
Christoph Dr Muermann
ミュルマン クリストフ
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 光学活性ジホスフィン配位子、その製造方
法、遷移金属錯体、その製造方法およびこれらの使用を
提供する。 【解決手段】 式Ｉ： 【化１】 ［式中、Ｒ1〜Ｒ6は請求項１に記載のものを表す］の光
学活性ジホスフィン配位子ならびにそのボラン付加物を
使用し、遷移金属化合物と反応させて得られた式ＩＶの
遷移金属錯体を不斉水素添加および不斉異性化に使用す
る。 【効果】 従来技術に比べて、技術的に容易かつコスト
がかからない。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光学活性ジホスフィ
ン、光学活性ジホスフィンおよびその遷移金属錯体の製
造方法ならびにエナンチオ選択合成のための金属錯体の
使用に関する。
【０００２】
【従来の技術】光学活性化合物の合成のためには、ロジ
ウムおよびルテニウム錯体でのエナンチオ選択水素添加
および異性化が重要な役割を果たす［例えばTani et a
l., J.Am. Chem. Soc. １０６、５２１１（１９８
４）； R. Noyori, Acc Chem. Res.２３、３４５（１９
９０）］。この場合特に使用される触媒は、大抵光学活
性ジホスフィン配位子およびロジウム化合物またはルテ
ニウム化合物から製造され、極めて高価であり、かつコ
ストのかかる製造方法によってのみ得ることができるも
のである。
【０００３】光学活性ホスフィンおよびジホスフィンの
公知の製造方法は、一貫して煩雑であり、かつ大抵技術
的にコストがかかる高価なラセミ化合物の分離を含む
（例えば欧州特許出願公開第０６１４９０１号明細書；
同第０２７１３１１号明細書；H. B. Kagan, "Chiral L
igands for Asymmetric Catalysis" in Asymmetric Syn
thesis,第５巻（１９８５）第１３〜２３頁、欧州特許
出願公開第０１５１２８２号明細書；同第０１８５８８
２号明細書; R. Noyori, Acc. Chem. Res.２３、３４５
（１９９０）；欧州特許出願公開第０２６９３９５号明
細書； M. J. Burk, Tetrahedron, Asymmetry,第５６９
〜５９２頁（１９９１）； J. Am. Chem.Soc.１１３、
８５１８〜１９（１９９１）、同１１５、１０１２５〜
１３８（１９９３）、同１１７、９３７５〜７６（１９
９５）、同１１８、５１４２（１９９６）。前記の欠点
は該触媒の工業用の使用をこれまで困難かつ不経済にし
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の課題
は、遷移金属錯体触媒のための配位子として適切であ
り、その製造の際に前記の欠点を回避する、光学活性ジ
ホスフィンを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題は式Ｉ：
【０００６】
【化６】
【０００７】［式中、置換基は以下のものを表す：Ｒ1
は水素；それぞれ直鎖または分枝であってもよいＣ1〜
Ｃ10−アシル、Ｃ1〜Ｃ10−アルキル、Ｃ2〜Ｃ10−アル
ケニル；環系がそれぞれ置換されていてもよいアリー
ル、アリールアルキレン；
【０００８】
【化７】
【０００９】Ｒ2、Ｒ3は互いに無関係に直鎖または分枝
であってもよいＣ1〜Ｃ10−アルキル；環系がそれぞれ
置換されていてもよいアリール、アリールアルキレン、
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は互いに無関係に直鎖または分枝であっ
てもよいＣ1〜Ｃ10−アルキル；環系がそれぞれ置換さ
れていてもよいアリール、アリールアルキレン］の光学
活性ジホスフィンを提供することにより解決された。
【００１０】本発明による式Ｉのジホスフィン配位子の
場合、Ｒ1のためのアシル基として、分枝または非分枝
で、飽和または不飽和の、場合により多不飽和のＣ1〜
Ｃ10−アシル鎖、特にホルミル、アセチル、プロピオニ
ル、ｎ−ブチリル、イソ−ブチリル、ピバロイルと解釈
する。
【００１１】アルキル基Ｒ1〜Ｒ6として、分枝または非
分枝のＣ1〜Ｃ10−アルキル鎖、有利にはメチル、エチ
ル、ｎ−プロピル、１−メチルエチル、ｎ−ブチル、１
−メチルプロピル、２−メチルプロピル、１，１−ジメ
チルエチル、ｎ−ペンチル、１−メチルブチル、２−メ
チルブチル、３−メチルブチル、２，２−ジメチルプロ
ピル、１−エチルプロピル、ｎ−ヘキシル、１，１−ジ
メチルプロピル、１，２−ジメチルプロピル、１−メチ
ルペンチル、２−メチルペンチル、３−メチルペンチ
ル、４−メチルペンチル、１，１−ジメチルブチル、
１，２−ジメチルブチル、１，３−ジメチルブチル、
２，２−ジメチルブチル、２，３−ジメチルブチル、
３，３−ジメチルブチル、１−エチルブチル、２−エチ
ルブチル、１，１，２−トリメチルプロピル、１，２，
２−トリメチルプロピル、１−エチル−１−メチルプロ
ピル、１−エチル−２−メチルプロピル、ｎ−ヘプチ
ル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシルが挙げられ
る。
【００１２】アルケニル基Ｒ1として、分枝または非分
枝のＣ2〜Ｃ10−アルケニル鎖、有利にはビニル、プロ
ペニル、イソプロペニル、１−ブテニル、２−ブテニ
ル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、２−メチル−１
−ブテニル、２−メチル−２−ブテニル、３−メチル−
１−ブテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、１−
ヘプテニル、２−ヘプテニル、１−オクテニルまたは２
−オクテニルが挙げられる。
【００１３】Ｒ1〜Ｒ6のためのアリールは、芳香族環ま
たは環系中に６〜１８個の炭素原子を有する環系、例え
ばフェニルまたはナフチルと解釈し、該基は場合により
１つまたは複数の基、例えばハロゲン、例えばフッ素、
塩素または臭素、シアノ、ニトロ、アミノ、Ｃ1〜Ｃ4−
アルキルアミノ、Ｃ1〜Ｃ4−ジアルキルアミノ、ヒドロ
キシ、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル、Ｃ1〜Ｃ4−アルコキシまた
はその他の基、特にスルホン酸で置換されていてもよ
い。場合により置換されたフェニル、メトキシフェニル
およびナフチルは有利である。
【００１４】Ｒ1〜Ｒ6のためのアリールアルキレン基と
して、分枝または非分枝のフェニル−（Ｃ1〜Ｃ5−アル
キレン）−またはナフチル−（Ｃ1〜Ｃ5−アルキレン）
−基、例えばフェニルメチレン、フェニルエチレン、フ
ェニルプロピレン、フェニル−１−メチルエチレン、フ
ェニルブチレン、フェニル−１−メチルプロピレン、フ
ェニル−２−メチルプロピレン、フェニル−１，１−ジ
メチルエチレン、フェニルペンチレン、フェニル−１−
メチルブチレン、フェニル−２−メチルブチレン、フェ
ニル−３−メチルブチレン、フェニル−２，２−ジメチ
ルプロピレン、フェニル−１−エチルプロピレン、ナフ
チルメチレン、ナフチルエチレン、ナフチルプロピレ
ン、ナフチル−１−メチルエチレン、ナフチルブチレ
ン、ナフチル−１−メチルプロピレン、ナフチル−２−
メチルプロピレン、ナフチル−１，１−ジメチルエチレ
ン、ナフチルペンチレン、ナフチル−１−メチルブチレ
ン、ナフチル−２−メチルブチレン、ナフチル−３−メ
チルブチレン、ナフチル２，２−ジメチルプロピレン、
またはナフチル−１−エチルプロピレン、ならびにこれ
らの異性体または立体異性体型が挙げられる。アリール
基として置換または非置換のフェニル基またはナフチル
基が挙げられる。
【００１５】さらにＲ1のためのアルキレンアリール基
は、Ｃ（Ｐｈ）3と解釈し、その際に、フェニル環は場
合により１つまたは複数の基、例えばハロゲン、例えば
フッ素、塩素または臭素、シアノ、ニトロ、アミノ、Ｃ
1〜Ｃ4−アルキルアミノ、Ｃ1〜Ｃ4−ジアルキルアミ
ノ、ヒドロキシ、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル、Ｃ1〜Ｃ4−アル
コキシまたはその他の基で置換されていてもよい。
【００１６】式Ｉａ：
【００１７】
【化８】
【００１８】［式中で置換基は以下のものを表す：Ｒ1
はＣ（ＣＨ3）3、Ｃ（Ｐｈ）3、
【００１９】
【化９】
【００２０】Ｒ2、Ｒ3は互いに無関係に環系がそれぞれ
置換されていてもよいアリール、アリールアルキレン、
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は互いに無関係に直鎖または分枝であっ
てもよいＣ1〜Ｃ10−アルキル；環系がそれぞれ置換さ
れていてもよいアリール、アリールアルキレン］の光学
活性ジホスフィン配位子は特に有利である。
【００２１】本発明はさらに式Ｉの光学活性ジホスフィ
ン配位子の製造方法に関し、その特徴は、 ａ）一般式ＩＩ：
【００２２】
【化１０】
【００２３】の光学活性のα,β−不飽和ラクトンをマ
イケルアクセプタ(Michael acceptor)としてＨＰ
（Ｒ2）2のアニオンと、および引き続きＨａｌＰ
（Ｒ3）2と反応させ、その際置換基Ｒ1は請求項１に記
載したものを表し、かつ ｂ）一般式ＩＩＩ：
【００２４】
【化１１】
【００２５】のジホスフィン置換されたラクトンのカル
ボニル官能基を還元してメチレン基にすることである。
【００２６】従って本発明の対象は、式中で置換基が請
求項１に記載したものを表す、式ＩＩＩの光学活性ジホ
スフィン配位子でもある。
【００２７】「マイケルアクセプタ」として機能する光
学活性α,β−不飽和ラクトンＩＩは、公知の方法で、T
etrahedron ４３（２１）、５０５５（１９８７）によ
りＤ−リボノ−１，４−ラクトンから、またはTetrahed
ron ３８ （１５） 、２３７７（１９８２）に記載のよ
うにグリセリンアルデヒドから製造することができる。
【００２８】アニオンＰ（Ｒ2）2 -は相応するホスフィ
ン［ＨＰ（Ｒ2）2］から強塩基の存在下で製造すること
ができる。強塩基として特に有機リチウム化合物、例え
ばブチルリチウムまたはリチウムジイソプロピルアミド
（ＬＤＡ）ならびにアルコラートを自体公知の方法で使
用することができる。対イオン（カチオン）として、ナ
トリウム、カリウム、マグネシウムならびにアルミニウ
ム以外に、有利にはリチウムを使用する。
【００２９】第二のホスフィン基の導入はハロゲンジア
ルキルホスフィンまたはハロゲンジアリールホスフィン
により、有利にはハロゲンジアリールホスフィンによ
り、特にクロロジフェニルホスフィンにより行う。
【００３０】前記の反応のための溶剤として、すべての
通例の不活性溶剤を使用することができる。有利な溶剤
は例えば、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサン、ＴＨ
Ｆ、ＭＴＢならびにジエチルエーテルである。
【００３１】反応は−１００℃および＋５０℃の間の、
有利には−８０℃および＋３０℃の間の温度で、酸素を
厳密に遮断して行う。
【００３２】形成される式ＩＩＩのジホスフィン置換ラ
クトンの、高い加水分解感受性および酸化感受性に基づ
いて、該ラクトンをＢＨ3との反応により相応する安定
したボラン付加物に変換することは有利である。
【００３３】式ＩＩＩのラクトンまたはそのボラン付加
物の、相応する環式エーテルへの還元は、自体公知の方
法で（Organikum、第１９版、Edition Deutscher Verla
g der Wissenschaften、１９９３、第５１０〜５１４
頁）錯金属水素化物、例えばＬｉＡｌＨ４、ＮａＢＨ４
またはＤＩＢＡＨにより行うことができる。有利な還元
剤は水素化アルミニウムジイソブチル（ＤＩＢＡＨ）と
シラン、例えばＥｔ3ＳｉＨ、Ｐｈ3ＳｉＨまたはＰｈＳ
ｉＨ3との組み合わせ、ならびにその後のラクトールの
還元のためのＢＦ3との組み合わせである。
【００３４】光学活性ジホスフィン配位子の、そのボラ
ン付加物からの遊離は、塩基性反応試薬、特に有機アミ
ンでの処理により、特にジエチルアミンまたはトリエチ
レンジアミン（１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］
オクタン、ＤＡＢＣＯ）での処理により行う。この場合
有利には、ボラン付加物をアミンの存在下で短時間加熱
し、かつその後に揮発性成分を数回蒸発させて分離を行
う。
【００３５】以下の反応図式は、本発明によるジホスフ
ィンのための有利な製造方法の例を示すものである。
【００３６】
【化１２】
【００３７】新規の光学活性ジホスフィン配位子は、遷
移金属化合物の錯体形成に著しく適切である。
【００３８】従って本発明の対象はまた、一般式ＩＶ： ［Ｍ（Ｌn）（Ａ）］p(+)Ｄq(-) ＩＶ の遷移金属錯体であり、前記式中の記号は以下のものを
表す：ＭはＣｏ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒ
ｕ、Ａは式Ｉの、特に有利には式Ｉａの光学活性ジホス
フィン配位子、Ｌは有機配位子、Ｄは非配位アニオンの
等価、ｎは１または２、ｐ、ｑは０〜４。
【００３９】Ｍは有利にはＲｕ、ＲｈおよびＩｒの群か
らの金属である。Ｄは有利にはＣＦ 3ＣＯＯ-、ＢＦ4 -、
ＳｂＦ6 -、ＳｂＣｌ6 -、ＰＦ6 -、（Ｃ6Ｈ5）4Ｂ-を表
す。
【００４０】Ｌは本発明の範囲では、容易に交換可能な
配位子、例えばオレフィン、例えばエチレン、プロピレ
ン、シクロオクテン、１，５−ヘキサジエンまたは１，
５−シクロオクタジエンを表す。
【００４１】さらに本発明の対象は、前記の遷移金属錯
体の製造方法に関し、その特徴は式Ｉの光学活性ジホス
フィン配位子を自体公知の方法で遷移金属化合物［ＭＬ
n］p (+)Ｄq(-)（式中、Ｌは前記に定義した、交換可能
な配位子を表す）と反応させることである。
【００４２】従って例えば前記の新規のホスフィンから
公知の方法［例えばUson, Inorganic Chim. Acta ７
３、２７５（１９８３）、欧州特許出願公開第０１５８
８７５号明細書、同第０４３７６９０号明細書］で、不
安定な配位子を有する遷移金属錯体との、特に［ＲｕＣ
ｌ2（ＣＯＤ）］n、Ｒｈ（ＣＯＤ）2ＢＦ4、Ｒｈ（ＣＯ
Ｄ）2ＣｌＯ4、［Ｉｒ（ＣＯＤ）Ｃｌ］2、ｐ−サイモ
ール−塩化ルテニウム（p-Cymol-Rutheniumchloride）
−二量体との反応により触媒活性錯体を合成することが
できる。
【００４３】一般式ＩＶの遷移金属錯体は、不斉反応の
ための、特にＣ−Ｃ、Ｃ−ＮおよびＣ−Ｏ多重結合を有
する化合物の不斉水素添加、特にここではβ−ケトエス
テル、アリルアルコール、エナミド（Enamiden）および
デヒドロアミノ酸の水素添加が挙げられるが、のための
触媒として適切である。同様に一般式ＩＶの遷移金属錯
体は、アリルアミンをエナミンに不斉異性化するため
に、および不斉ヒドロホルミル化反応のために適切であ
る。
【００４４】以下の実施例は本発明による光学活性ジホ
スフィン配位子およびその遷移金属錯体の製造ならびに
エナンチオ選択合成のための該金属錯体の使用を詳細に
説明する。
【００４５】
【実施例】
例１：式：
【００４６】
【化１３】
【００４７】のジフェニルホスフィン−ボラン付加物の
製造 ジフェニルホスフィン３．２７ｇ（１７．６ミリモル）
をＴＨＦ５０ｍｌに溶解し、かつ−７８℃でｎ−ブチル
リチウム１９．１ミリモルにより脱プロトンした。ＴＨ
Ｆ５０ｍｌ中の式ＩＩ（Ｒ1＝ｔＢｕＰｈ2Ｓｉ）の「マ
イケルアクセプタ」５．５４３ｇ（１５．７ミリモル）
の溶液を−７８℃に冷却し、かつ両頭針でホスフィン溶
液に滴加した。３０分後にＴＨＦ５０ｍｌ中に溶解させ
たクロロジフェニルホスフィン４．２０ｇ（１９．１ミ
リモル）を添加した。該反応溶液を室温で一晩溶かし、
かつ再度−７８℃に冷却して１Ｍ−ボラン−ＴＨＦ−溶
液４５ｍｌを添加した。１時間後に中真空下で溶剤を蒸
発させ、残留物を酢酸エチルエステル中に取り、かつ該
溶液を水で洗浄した。シリカゲルを介したフラッシュク
ロマトグラフィーにより、９．４５ｇ（８１％）の収量
で生成物が無色の無定形固体の形で得られた。
【００４８】融点：１３３〜１３４℃。
【００４９】
【外１】
【００５０】例２：式：
【００５１】
【化１４】
【００５２】のエーテルへの、ラクトンの還元 例１により得られたジホスフィン２．１ｇ（２．７４ミ
リモル）をトルエン２０ｍｌ中に溶解し、−７８℃に冷
却し、かつ１Ｍ−ＤＩＢＡＬ−Ｈ−溶液２．９ｍｌを滴
加した。水性の後処理後に、残留物をジクロロメタン２
０ｍｌ中に溶解した。−７８℃に冷却した該溶液にトリ
エチルシラン６６６ｍｇ（５．７３ミリモル）および三
フッ化ホウ素−ジエチルエーテラート４１２．３ｍｇ
（２．９１ミリモル）を添加した。室温で一晩溶かし、
かつ完全な反応のためにさらに三フッ化ホウ素−ジエチ
ルエーテラート３滴を添加した。１Ｍ−ＢＨ3−ＴＨＦ
−溶液６ｍｌを添加後に、保護ガスなしで後処理した。
無定形粉末として１．３７４３ｇ（６８％）が得られ
た。
【００５３】
【外２】
【００５４】例３：ホスフィンのボラン付加物：
【００５５】
【化１５】
【００５６】からホスフィンの遊離 例２からのボラン付加物１ミリモルにジエチルアミン
０．５ｍｌを添加し、かつ還流で３０分撹拌した。引き
続き高真空下で２回揮発性成分を留去した。遊離ホスフ
ィンが空気感受性の白色粉末として得られた。
【００５７】例４：ロジウム錯体の製造およびα−アセ
トアミドケイ皮酸の不斉水素添加 例３による光学活性ジフェニルホスフィン配位子１１０
μモルをＴＨＦ５ｍｌ中に溶解し、Ｒｈ（ＣＯＤ）2Ｂ
Ｆ4 １００μモルを添加し、かつ室温で２０分撹拌し
た。清澄な黄色の該溶液にα−アセトアミドケイ皮酸１
００ミリモルおよびＴＨＦ２５０ｍｌを添加した。該溶
液を３０℃および２０バールの水素で水素添加した。反
応は２０分後に完了した。後処理後にＮ−アセチル−
（Ｓ）−フェニルアラニンが収率９７％および９９．６
％ｅｅの光学的純度で単離された。
【００５８】例５：Ｎ−アセチル−（Ｓ）−シクロヘキ
シルアラニンの製造 例３による光学活性ジフェニルホスフィン配位子１１０
μモルをＴＨＦ５ｍｌ中に溶解し、Ｒｈ（ＣＯＤ）2Ｂ
Ｆ4 １００μモルを添加し、かつ室温で２０分撹拌し
た。清澄な黄色の該溶液にα−アセトアミドケイ皮酸１
００ミリモルおよびＴＨＦ２５０ｍｌを添加した。該溶
液を３０℃および２０バールの水素で水素添加した。反
応は２０分後に完了した。引き続きオートクレーブをあ
け、かつホスフィン配位子の酸化のために５分間空気を
導入した。酸化ルテニウム水和物０．５ｇを添加後に３
時間以内に１６０℃および１００バールの水素で核水素
添加を実施した。Ｎ−アセチル−（Ｓ）−シクロヘキシ
ルアラニンが９５％より高い収率で、９９．６％のｅｅ
値で単離された。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 式Ｉ： 【化１】 ［式中、置換基は以下のものを表す：Ｒ1は水素；それ
    ぞれ直鎖または分枝であってもよいＣ1〜Ｃ10−アシ
    ル、Ｃ1〜Ｃ10−アルキル、Ｃ2〜Ｃ10−アルケニル；環
    系がそれぞれ置換されていてもよいアリール、アリール
    アルキレン； 【化２】 Ｒ2、Ｒ3は互いに無関係に直鎖または分枝であってもよ
    いＣ1〜Ｃ10−アルキル；環系がそれぞれ置換されてい
    てもよいアリール、アリールアルキレン、 Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は互いに無関係に直鎖または分枝であっ
    てもよいＣ1〜Ｃ10−アルキル；環系がそれぞれ置換さ
    れていてもよいアリール、アリールアルキレン］の光学
    活性ジホスフィン配位子ならびにそのボラン付加物。
  2. 【請求項２】 式Ｉａ： 【化３】 ［式中、置換基は請求項１に記載したものを表す］の光
    学活性ジホスフィン配位子ならびにそのボラン付加物。
  3. 【請求項３】 式Ｉの光学活性ジホスフィン配位子の製
    造方法において、 ａ）一般式ＩＩ： 【化４】 の光学活性のα,β−不飽和ラクトンをマイケルアクセ
    プタとしてＨＰ（Ｒ2）2のアニオンと、および引き続き
    ＨａｌＰ（Ｒ3）2と反応させ、その際置換基Ｒ1〜Ｒ3は
    請求項１に記載したものを表し、かつ ｂ）一般式ＩＩＩ： 【化５】 のジホスフィン置換されたラクトンのカルボニル官能基
    を還元してメチレン基にすることを特徴とする、一般式
    Ｉの光学活性ジホスフィン配位子の製造方法。
  4. 【請求項４】 置換基が請求項１に記載したものを表
    す、式ＩＩＩの光学活性ジホスフィン配位子。
  5. 【請求項５】 式ＩＶ： ［Ｍ（Ｌn）（Ａ）］p(+)Ｄq(-) ＩＶ ［式中の記号は以下のものを表す：ＭはＣｏ、Ｉｒ、Ｎ
    ｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａは請求項１に記載の式
    Ｉの光学活性ジホスフィン配位子、Ｌは有機配位子、Ｄ
    は非配位アニオンの等価、ｎは１または２、ｐ、ｑは０
    〜４］の遷移金属錯体。
  6. 【請求項６】 請求項５記載の遷移金属錯体の製造方法
    において、請求項１に記載した式Ｉの光学活性ジホスフ
    ィン配位子と、式中の記号が請求項５に記載のものを表
    す遷移金属化合物［ＭＬn］p(+)Ｄq(-)とを自体公知の
    方法で反応させることを特徴とする、遷移金属錯体の製
    造方法。
  7. 【請求項７】 Ｃ−Ｃ、Ｃ−ＮおよびＣ−Ｏ多重結合を
    有する化合物の不斉水素添加のための触媒としての、請
    求項５記載の式ＩＶの金属錯体の使用。
  8. 【請求項８】 アリルアミンを不斉異性化してエナミン
    にするための触媒としての請求項５記載の式ＩＶの金属
    錯体の使用。
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