JPS63216893A - 非対称ビスホスフイン誘導体 - Google Patents
非対称ビスホスフイン誘導体Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は医薬品、香料、農薬等に用いられる光学活性
を有するα−アミノ酸、各種アルコール。
を有するα−アミノ酸、各種アルコール。
及びアミン等の光学活性物質を製造する際の不斉水素化
反応、不斉異性化反応の触媒用不斉配位子として有用な
非対称ビスホスフィン誘導体に関する。
反応、不斉異性化反応の触媒用不斉配位子として有用な
非対称ビスホスフィン誘導体に関する。
従来、不斉水素化反応触媒として下記一般式(1)で示
すジアリルホスフィノ基又はジアルキルホスフィノ基を
持つ対称不斉ビスホスフィン配位子と各種の遷移金属と
の錯体が利用されてきた。
すジアリルホスフィノ基又はジアルキルホスフィノ基を
持つ対称不斉ビスホスフィン配位子と各種の遷移金属と
の錯体が利用されてきた。
■
■
しかしながら、これら対称な不斉ビスホスフィン配位子
による不斉合成は多くの場合不斉収率、又は反応効率の
いずれか一方が工業的に利用できろ水準に達しておらず
、実操業上満足のいくものではなかった。
による不斉合成は多くの場合不斉収率、又は反応効率の
いずれか一方が工業的に利用できろ水準に達しておらず
、実操業上満足のいくものではなかった。
本発明者等は、上記事情に鑑みて不斉配位子遷移金属触
媒の中で不斉合成の不斉収率と反応効率を同時に高める
不斉配位子の存在を種々検討し、比較的不斉収率の高い
と考えられる上記(1)式で示す対称ビスホスフィン類
の一方のホスフィン基を他方のホスフィン基と異なるよ
うに非対称化することにより不斉収率及び反応効率を同
時に高める乙とを見出し本発明を完成した。
媒の中で不斉合成の不斉収率と反応効率を同時に高める
不斉配位子の存在を種々検討し、比較的不斉収率の高い
と考えられる上記(1)式で示す対称ビスホスフィン類
の一方のホスフィン基を他方のホスフィン基と異なるよ
うに非対称化することにより不斉収率及び反応効率を同
時に高める乙とを見出し本発明を完成した。
即ち、本発明は一般式(2)
(式中、R′はフェニル基、又・はアルコキシ若しくは
アルキルの置換基を持つアリル基、R2はシクロヘキシ
ル基、又はアルキル基であり、かつR;〜R1である)
で表される非対称ビス本スフィン誘導体に関するもので
ある。
アルキルの置換基を持つアリル基、R2はシクロヘキシ
ル基、又はアルキル基であり、かつR;〜R1である)
で表される非対称ビス本スフィン誘導体に関するもので
ある。
この(2)式中の2個のホスフィノ基以外の骨格は(3
)式で示す対称型不斉分子群を示す。
)式で示す対称型不斉分子群を示す。
(イ) (ロ)ま
た、R1及びR2は例えば第1表に示すものである。
た、R1及びR2は例えば第1表に示すものである。
第 1 表
本発明の新規な非対称ビスホスフィン誘導体は酒石酸ジ
エチルを出発原料として容易に合成することができる。
エチルを出発原料として容易に合成することができる。
例えば、R=フェニル基(略、ph) 、R=シクロヘ
キシル基(略、Gy)のものは次に示す(4)式の反応
経路に従って合成される。
キシル基(略、Gy)のものは次に示す(4)式の反応
経路に従って合成される。
(以下余白)
旦 H
: :(I)
(IF)(1)
(IV): (V) (■) (■)(■)
(■)(X)
(−)−D I OCPこの場合(4)式のように
出発原料(I)にL−(十)−酒石酸ジエチルを用いる
と最終製品として(−)−D I OCP!得るが、°
出発原料(I)+CD−(−)−酒石酸ジエチルを用い
ると最終製品として(4a)式に示す(+)−DIOC
Pを得ることができる。
(IF)(1)
(IV): (V) (■) (■)(■)
(■)(X)
(−)−D I OCPこの場合(4)式のように
出発原料(I)にL−(十)−酒石酸ジエチルを用いる
と最終製品として(−)−D I OCP!得るが、°
出発原料(I)+CD−(−)−酒石酸ジエチルを用い
ると最終製品として(4a)式に示す(+)−DIOC
Pを得ることができる。
=
1((+) −D I OCP
〔実施例〕
次に実施例および使用例によって本発明を更に詳しく説
明する。
明する。
実施例(11:DIOCPの製造
(−) −D I OCP ((−) −[:4 R,
S R)−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン−
4−イルメチル(ジシク四ヘキシル)−5−イルメチ・
ル(ジフェニル〕ビスホスフィンの略) ’e fm
記(4)式で示す反応経路で製造した。
S R)−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン−
4−イルメチル(ジシク四ヘキシル)−5−イルメチ・
ル(ジフェニル〕ビスホスフィンの略) ’e fm
記(4)式で示す反応経路で製造した。
(出発物(I)→中間体(II)の製造)L−(+)−
酒石酸ジエチル(i)105.9g(0,512モル)
、P−)ルエンスルホン酸1水塩0.25g (1,3
ミリモル)をベンゼン200−に溶解し、攪拌加熱して
生成するメタノールをベンゼンと共沸留去した。留去温
度が80℃に達したら加熱を止め放冷した。無水炭酸ナ
トリウム0.5gを加えて中和し、ベンゼンを減圧留去
し、赤橙色液体127.3gを得た。この液体20gを
減圧蒸留し、16.8gの2,3−0−イソプロピリデ
ン−L−fi石醋酸ジエチル中間体■)を得た。85−
95℃/ Torr、収率85%(中間体(II)−中
間体(■)) 水素化リチウムアルミニウム2.47g(65ミリモル
)をテトラヒドロフラン150mZに懸濁させ、これに
前工程で得た中間体(II)8.o。
酒石酸ジエチル(i)105.9g(0,512モル)
、P−)ルエンスルホン酸1水塩0.25g (1,3
ミリモル)をベンゼン200−に溶解し、攪拌加熱して
生成するメタノールをベンゼンと共沸留去した。留去温
度が80℃に達したら加熱を止め放冷した。無水炭酸ナ
トリウム0.5gを加えて中和し、ベンゼンを減圧留去
し、赤橙色液体127.3gを得た。この液体20gを
減圧蒸留し、16.8gの2,3−0−イソプロピリデ
ン−L−fi石醋酸ジエチル中間体■)を得た。85−
95℃/ Torr、収率85%(中間体(II)−中
間体(■)) 水素化リチウムアルミニウム2.47g(65ミリモル
)をテトラヒドロフラン150mZに懸濁させ、これに
前工程で得た中間体(II)8.o。
g (32,5s:リモル)のテトラヒドロフラン(5
0mj)溶液を水冷下でゆっくり滴下した。その後、水
冷下で2時間、さらに室温で1時間攪拌を続けた。再び
、氷冷し、水7.02−を加え、30分間攪拌して、加
水分解し、生成した不溶の水酸化アルミニウムをセライ
ト土で吸引ろ取した。
0mj)溶液を水冷下でゆっくり滴下した。その後、水
冷下で2時間、さらに室温で1時間攪拌を続けた。再び
、氷冷し、水7.02−を加え、30分間攪拌して、加
水分解し、生成した不溶の水酸化アルミニウムをセライ
ト土で吸引ろ取した。
この不溶物をさらに200−のテトラヒドロフランに入
れ、加熱還流を1時間行ない、放冷後再び、セライト吸
引ろ取した。得られたろ液を前のる液と合わせ、無水硫
酸マグネシウムで乾燥しな。減圧濃縮し、無色透明液体
4.43gを得た。このものはNMR等により2,3−
ジエチル−〇−イソプロピリデンーL−)レイトール(
中fllf体II )であることを確認しな。収率84
% (中間体(1)→中間体(■)) 水素化ナトリウム(40%流動パラフィン含有)1.4
1g (35,3ミリモル)をn−ヘキサンで含有する
流動パラフィンを洗い落とし、減圧乾燥した後、テトラ
ヒドロフラン50−に懸濁させた。この懸濁液に前工程
で得られた中間体(II)5.16g (31,8ミ
リモル)のテトラヒドロフラン溶液(soy)をゆっく
り滴下し、その後1、時間還流し、反応を完結させた。
れ、加熱還流を1時間行ない、放冷後再び、セライト吸
引ろ取した。得られたろ液を前のる液と合わせ、無水硫
酸マグネシウムで乾燥しな。減圧濃縮し、無色透明液体
4.43gを得た。このものはNMR等により2,3−
ジエチル−〇−イソプロピリデンーL−)レイトール(
中fllf体II )であることを確認しな。収率84
% (中間体(1)→中間体(■)) 水素化ナトリウム(40%流動パラフィン含有)1.4
1g (35,3ミリモル)をn−ヘキサンで含有する
流動パラフィンを洗い落とし、減圧乾燥した後、テトラ
ヒドロフラン50−に懸濁させた。この懸濁液に前工程
で得られた中間体(II)5.16g (31,8ミ
リモル)のテトラヒドロフラン溶液(soy)をゆっく
り滴下し、その後1、時間還流し、反応を完結させた。
次いで水冷上臭化ベンジル5.99g (35ミリモル
)のテトラヒドロフラン溶液(50−)を滴下し、さら
に室温で1晩攪拌した。生成した臭化ナトリウムをろ取
し、ろ液を減圧濃縮して黄色油状物質を得た。
)のテトラヒドロフラン溶液(50−)を滴下し、さら
に室温で1晩攪拌した。生成した臭化ナトリウムをろ取
し、ろ液を減圧濃縮して黄色油状物質を得た。
このものに水100−を加え、エーテル200rI7で
1回100m#で2回抽出し、エーテル層を飽和食塩水
100mjで洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した。エーテルを減圧留去し無色透明液体5.05gを
得た。このものは元素分析、NMR等により (十)−
((43,5s)−5−へイドロキシメチルー2,2−
ジメチル−1,3−ジオキソラン−4−イルメチル〕ベ
ンジルエステル(中間体(■))であることを確認した
。収率63%、b、p、145−150℃(油浴温度)
/ 2 Torro (中間体(It/l→中間体(■)) 前工程で得た中間体(F/)3.12g (12゜4ミ
リモル)をピリジン5mjに溶解し、−30℃で冷却攪
拌した。このものに1)−)ルエンスルホニルクロリド
3.53g (18,5ミリモル)を3回に分けて5分
間隔で加えた。さらに−30℃で一晩攪拌後、水冷下で
水50mZを加えて処理した。塩化メチレン100−で
1回、50−で2回抽出し、飽和型ソウ水50d、飽和
食塩水50rnlで洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥した。次いで減圧wsmし、淡黄色油状物4.92g
を得た。
1回100m#で2回抽出し、エーテル層を飽和食塩水
100mjで洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した。エーテルを減圧留去し無色透明液体5.05gを
得た。このものは元素分析、NMR等により (十)−
((43,5s)−5−へイドロキシメチルー2,2−
ジメチル−1,3−ジオキソラン−4−イルメチル〕ベ
ンジルエステル(中間体(■))であることを確認した
。収率63%、b、p、145−150℃(油浴温度)
/ 2 Torro (中間体(It/l→中間体(■)) 前工程で得た中間体(F/)3.12g (12゜4ミ
リモル)をピリジン5mjに溶解し、−30℃で冷却攪
拌した。このものに1)−)ルエンスルホニルクロリド
3.53g (18,5ミリモル)を3回に分けて5分
間隔で加えた。さらに−30℃で一晩攪拌後、水冷下で
水50mZを加えて処理した。塩化メチレン100−で
1回、50−で2回抽出し、飽和型ソウ水50d、飽和
食塩水50rnlで洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥した。次いで減圧wsmし、淡黄色油状物4.92g
を得た。
このものは元素分析、NMR等により(−)−[(4s
、53) −s−ペンレルオキレメチル−2,2−ジメ
チル−1,3−ジオキソラン−4−イルメチル)−p−
トルエンスルホネ−1−(中ff41体(■))である
ことを確認した。収率98%。
、53) −s−ペンレルオキレメチル−2,2−ジメ
チル−1,3−ジオキソラン−4−イルメチル)−p−
トルエンスルホネ−1−(中ff41体(■))である
ことを確認した。収率98%。
(中間体(V)→(■))
り06ジフエニルホスフイン2.17g (9゜84ミ
リモル)と金属ナトリウム0.566g(24,6i:
リモル)を乾燥したジオキサン3゜−に入れ、アルゴン
ガス雰囲気上攪拌還流し、溶液が黄色を呈してからさら
に3時間続けた。放冷後、テトラヒドロフラン10−を
加え、氷冷し、次いで前工程で得た中間体(V)2.0
g (4゜9ミリモル)をテトラヒドロフラン20−に
溶解した溶液をシリンジでゆっくり滴下した。滴下後水
冷下で2時間、室温で一晩攪拌した後、生成した塩をセ
ライト土で吸引ろ過した。ろ液を減圧濃縮し濃縮物に水
50mJを加え、酢酸エチル100−で1回50−で2
回抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。低温で減
圧濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー(ベンゼン:
酢酸エチル=9:1)で精製し、無色透明油状物1.2
3gを得た。
リモル)と金属ナトリウム0.566g(24,6i:
リモル)を乾燥したジオキサン3゜−に入れ、アルゴン
ガス雰囲気上攪拌還流し、溶液が黄色を呈してからさら
に3時間続けた。放冷後、テトラヒドロフラン10−を
加え、氷冷し、次いで前工程で得た中間体(V)2.0
g (4゜9ミリモル)をテトラヒドロフラン20−に
溶解した溶液をシリンジでゆっくり滴下した。滴下後水
冷下で2時間、室温で一晩攪拌した後、生成した塩をセ
ライト土で吸引ろ過した。ろ液を減圧濃縮し濃縮物に水
50mJを加え、酢酸エチル100−で1回50−で2
回抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。低温で減
圧濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー(ベンゼン:
酢酸エチル=9:1)で精製し、無色透明油状物1.2
3gを得た。
このものはNMRにより((4R,53)−5−ベンジ
ルオキシメチル−2,2−ジメチル−1゜3−ジオキソ
ラン−4−イルメチル〕ジフェニルホスフィン(中間体
(■))であることを確認した。収率60%。
ルオキシメチル−2,2−ジメチル−1゜3−ジオキソ
ラン−4−イルメチル〕ジフェニルホスフィン(中間体
(■))であることを確認した。収率60%。
(中間体(1−中間体(■))
前工程で得た中間体(■)1.23g (2,9ミリモ
ル)をメタノール50−に溶解し、水冷下10%過酸化
水素水1.23g (7,2ミリモル)を滴下した。3
0分間攪拌後、低温でメタノールを減圧留去し、得られ
た油状物に水50m1を加え、塩化メチレン100−で
1回、50−で2回抽出し、飽和食塩水50rnlで洗
浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。次いで減圧濃縮
により白色結晶1.20gを得た。このものはエタノー
ル−イソプロピルエーテルから再結晶を行い、元素分析
、NMR等で(+)−1: (4R,5s)−5−ベン
ジルオキシメチル−2,2−ジメチル−1,3−ジオキ
ソラン−4−イルメチル〕ジフェニルホスフィンオキサ
イド(中間体(■)であることを確認した。m、p、9
1−92℃、収率94%。
ル)をメタノール50−に溶解し、水冷下10%過酸化
水素水1.23g (7,2ミリモル)を滴下した。3
0分間攪拌後、低温でメタノールを減圧留去し、得られ
た油状物に水50m1を加え、塩化メチレン100−で
1回、50−で2回抽出し、飽和食塩水50rnlで洗
浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。次いで減圧濃縮
により白色結晶1.20gを得た。このものはエタノー
ル−イソプロピルエーテルから再結晶を行い、元素分析
、NMR等で(+)−1: (4R,5s)−5−ベン
ジルオキシメチル−2,2−ジメチル−1,3−ジオキ
ソラン−4−イルメチル〕ジフェニルホスフィンオキサ
イド(中間体(■)であることを確認した。m、p、9
1−92℃、収率94%。
(中間体(■)→中間体(■))
前工程で得た中間体(■)2.Og (4,52リモル
)、ラネーニッケルR−205(日間リカ製)4.0g
、無水エタノール25mjをオートクレーブに入れ、水
素ガス加圧下(70気圧)70℃、24時間攪拌しな。
)、ラネーニッケルR−205(日間リカ製)4.0g
、無水エタノール25mjをオートクレーブに入れ、水
素ガス加圧下(70気圧)70℃、24時間攪拌しな。
放冷後、反応液をセライト土で吸引ろ過し、触媒を分取
し、ろ液を減圧濃縮し、無色透明油状物を得た。このも
のをシリカゲルクロマトグラフィー(酢酸エチル:エタ
ノール=5:1v/v)で精製し、白色結晶1.23g
を得た。このものは元素分析、NMR等で(+)−((
4R,53)−5−ハイドロキシメチル−2,2−ジメ
チル−1,3−ジオキソラン−4−イルメチル〕ジシク
ロへキレルホスフィンオキサイド(中間体〈■))であ
ることを確認した。収率75%、m、p、81℃。
し、ろ液を減圧濃縮し、無色透明油状物を得た。このも
のをシリカゲルクロマトグラフィー(酢酸エチル:エタ
ノール=5:1v/v)で精製し、白色結晶1.23g
を得た。このものは元素分析、NMR等で(+)−((
4R,53)−5−ハイドロキシメチル−2,2−ジメ
チル−1,3−ジオキソラン−4−イルメチル〕ジシク
ロへキレルホスフィンオキサイド(中間体〈■))であ
ることを確認した。収率75%、m、p、81℃。
(中間体(■)→中間体(■))
前工程で得た中間体(■)0.927g (2゜59ミ
リモル)をピリジン50−に溶解し、水冷下メタンスル
ホニルクロリド1.48g (12゜9ミリモル)を滴
下した。さらに水冷下1時間、室温で一晩攪拌した。水
冷下50mjの水で処理し、酢酸エチル100 mlで
2回、50n#で1回抽出し、酢酸エチル100rBI
で2回、50n#で1回抽出し、飽和型ソウ水50mj
1飽和食塩水50−で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。減圧濃縮して白色固体0.932gを得た。
リモル)をピリジン50−に溶解し、水冷下メタンスル
ホニルクロリド1.48g (12゜9ミリモル)を滴
下した。さらに水冷下1時間、室温で一晩攪拌した。水
冷下50mjの水で処理し、酢酸エチル100 mlで
2回、50n#で1回抽出し、酢酸エチル100rBI
で2回、50n#で1回抽出し、飽和型ソウ水50mj
1飽和食塩水50−で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。減圧濃縮して白色固体0.932gを得た。
このものはイソプロピルエーテルより再結晶し、元素分
析、NMR等により(−)−[(4s、5R)−5−ジ
シクロへキシルホスフィニルメチル−2,2−ジメチル
−1,3−ジオキソラン−4−イルメチルコメタンスル
ホネート(中間体(■))であることを確認した。収率
82%、m 、 p 、 91、−5−92 。
析、NMR等により(−)−[(4s、5R)−5−ジ
シクロへキシルホスフィニルメチル−2,2−ジメチル
−1,3−ジオキソラン−4−イルメチルコメタンスル
ホネート(中間体(■))であることを確認した。収率
82%、m 、 p 、 91、−5−92 。
5℃。
(中間体(IX)−中間体(X))
ジフェニルホスフィン597mgの(3,21ミリモル
)をテトラヒドロフラン10m1に溶解し、アルゴン雰
囲気下−30℃でn−ブチルリチウム−ヘキサン溶液(
1,6モル)2.2ml (3,53ミリモル)を滴下
し、30分間攪拌した。このものに前工程で得た中間体
(IK)をテトラヒドロフラン10−に溶解させた溶液
をシリンジでゆっくり滴下し、さらに1時間、−30℃
で攪拌しな。
)をテトラヒドロフラン10m1に溶解し、アルゴン雰
囲気下−30℃でn−ブチルリチウム−ヘキサン溶液(
1,6モル)2.2ml (3,53ミリモル)を滴下
し、30分間攪拌した。このものに前工程で得た中間体
(IK)をテトラヒドロフラン10−に溶解させた溶液
をシリンジでゆっくり滴下し、さらに1時間、−30℃
で攪拌しな。
反応液を水冷下30分撹拌した後低温で減圧濃縮し、得
られた黄色油状物をアルミナカラムク四7トグラフイー
(#酸エチル:エタノール=9: 1)で精製し、白
色の固体418■を得た。このものはNMRにより((
4R,5R)−5−ジシクロへキシルホスフィニルメチ
ル−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン−4−イ
ルメチル〕ジフェニルホスフィン(中間体(X))であ
ることを確認した。収率50% (中間体(X)→DIOCP) 前工程で得た中間体(X)418mg(0,8ミリモル
)、トリエチルアミン803IIIg(7−9ミリモル
)を脱気した乾燥ベンゼン10mJに溶解し、十分にア
ルゴン置換をした後、水冷下トリクロルシラン538I
IIg(3,8ミリモル)のベンゼン(3−)溶液を加
える。このものを2時間還流後放冷し、ベンゼン10m
Zを加え氷冷した。次いで25%水酸化ナトリウム水溶
液20mJをすばやく加え、ベンゼン層が透明になるま
で80℃で攪拌した。放冷後ベンゼン層を取り、脱気し
た水20−1脱気飽和重ソウ水20I!L#、脱気飽和
食塩水20mjで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した。
られた黄色油状物をアルミナカラムク四7トグラフイー
(#酸エチル:エタノール=9: 1)で精製し、白
色の固体418■を得た。このものはNMRにより((
4R,5R)−5−ジシクロへキシルホスフィニルメチ
ル−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン−4−イ
ルメチル〕ジフェニルホスフィン(中間体(X))であ
ることを確認した。収率50% (中間体(X)→DIOCP) 前工程で得た中間体(X)418mg(0,8ミリモル
)、トリエチルアミン803IIIg(7−9ミリモル
)を脱気した乾燥ベンゼン10mJに溶解し、十分にア
ルゴン置換をした後、水冷下トリクロルシラン538I
IIg(3,8ミリモル)のベンゼン(3−)溶液を加
える。このものを2時間還流後放冷し、ベンゼン10m
Zを加え氷冷した。次いで25%水酸化ナトリウム水溶
液20mJをすばやく加え、ベンゼン層が透明になるま
で80℃で攪拌した。放冷後ベンゼン層を取り、脱気し
た水20−1脱気飽和重ソウ水20I!L#、脱気飽和
食塩水20mjで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した。
低温で減圧濃縮し、得られた無色透明油状物をシリカゲ
ルクロマトクラフィー(ベンゼン:酢酸エチル=10:
i)で精製し、白色結晶193mgを得た。このも
のはエタノールより再度結晶し、元素分析、NMR等に
より (−)−[: (4R,5R)−2,2−ジメチ
ル−1,3−ジオキソラン−4−イルメチル(ジシクロ
ヘキシル)−5−イルメチル(ジフェニル)] ビスホ
スフィン< (−) −DIOCP)であることを確認
した。収率48%、m、p、52.5−54℃、 [a
′fニー24 、13゜(co、so、ベンゼン) ’
H−NMR(CDCI、)、δ1.37 (S13H,
CH,) 、1.38 (S3H,CHy)0.80
1−93 (b r、24H。
ルクロマトクラフィー(ベンゼン:酢酸エチル=10:
i)で精製し、白色結晶193mgを得た。このも
のはエタノールより再度結晶し、元素分析、NMR等に
より (−)−[: (4R,5R)−2,2−ジメチ
ル−1,3−ジオキソラン−4−イルメチル(ジシクロ
ヘキシル)−5−イルメチル(ジフェニル)] ビスホ
スフィン< (−) −DIOCP)であることを確認
した。収率48%、m、p、52.5−54℃、 [a
′fニー24 、13゜(co、so、ベンゼン) ’
H−NMR(CDCI、)、δ1.37 (S13H,
CH,) 、1.38 (S3H,CHy)0.80
1−93 (b r、24H。
Cy+−CH2PC51) 2.19−2.78 (
m。
m。
2H,−CH□PPh2)、3,56 4.14 (+
y+。
y+。
2H,−CH−)、7.13−7.62 (br。
10 H、CtHr)元素分析(C31HsOi Pi
)計算値C7,2,92,H8,68,実測値C72,
49,H8、50゜ また、出発物(I)としてD−(−)−酒石酸ジエステ
ルを用いて前述した出発物(I)〜(−)−D I O
CPと同様に処理することによって(+)−[(43,
53)−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン−4
−イルメチル(ジシクロヘキシル)−5−イルメチル(
ジフェニル)] ビスホスフィン((+)−D I 0
CP)を得な。
)計算値C7,2,92,H8,68,実測値C72,
49,H8、50゜ また、出発物(I)としてD−(−)−酒石酸ジエステ
ルを用いて前述した出発物(I)〜(−)−D I O
CPと同様に処理することによって(+)−[(43,
53)−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン−4
−イルメチル(ジシクロヘキシル)−5−イルメチル(
ジフェニル)] ビスホスフィン((+)−D I 0
CP)を得な。
実施例f21:DIOBP又はD I OPPの製造実
施例(1)の中間体(V)をフッ化カリウムで処理した
後、リチウムジ−t−ブチルホスファイト又はリチウム
レイソプロビルホスファイドを作用させ、次いで実施例
(1)の中間体(■)→中間体(■)の酸化工程及び中
間体(■)→中間体(■)の脱ベンジル化工程を経て(
(4R,58)−5−へイドロキシー2,2−ジメチル
−1,3−ジオキソラン−4−イルメチル〕ジーt−ブ
チル(あるいはジイソプロピル)ホスフィン(中ff1
(XI)を生成し、この中間体(XI)を実施例(1)
のとによって(−)−[(4R,5R)−2,2−ジメ
チル−1,3−ジオキソラン−4−イルメチル(ジフェ
ニル)−5−イルメチル(ジ−t−ブチル)〕ビスホス
フィン(DIOBP)、又は(−)−(4R,5R)−
2,2−ジメチル−1゜3−ジオキソラン−4−イルメ
チル(ジフェニル)−5−イルメチルくジイソプロピル
)〕ビスホスフィン(DIOPP)が収率5〜6%で得
られた。
施例(1)の中間体(V)をフッ化カリウムで処理した
後、リチウムジ−t−ブチルホスファイト又はリチウム
レイソプロビルホスファイドを作用させ、次いで実施例
(1)の中間体(■)→中間体(■)の酸化工程及び中
間体(■)→中間体(■)の脱ベンジル化工程を経て(
(4R,58)−5−へイドロキシー2,2−ジメチル
−1,3−ジオキソラン−4−イルメチル〕ジーt−ブ
チル(あるいはジイソプロピル)ホスフィン(中ff1
(XI)を生成し、この中間体(XI)を実施例(1)
のとによって(−)−[(4R,5R)−2,2−ジメ
チル−1,3−ジオキソラン−4−イルメチル(ジフェ
ニル)−5−イルメチル(ジ−t−ブチル)〕ビスホス
フィン(DIOBP)、又は(−)−(4R,5R)−
2,2−ジメチル−1゜3−ジオキソラン−4−イルメ
チル(ジフェニル)−5−イルメチルくジイソプロピル
)〕ビスホスフィン(DIOPP)が収率5〜6%で得
られた。
実施例(31: D I OCA、 又tjD I 0
CX(7)製造 実施例(1)の中間体(IX)−中間体(X)の工程に
おいて、ジフェニルホスフィンに代えて、ジ(2−メト
キシフェニル)ホスフィンまタハジ(2,5−ジメチル
フェニル)ホスフィンを用いて((4R,5R) −5
−ジシクロへキシルホスフィニル−2,2−ジメチル−
1,3−ジオキソラン−4−イルメチル〕ジ(2−メト
キシフェニル)ホスフィン(中間体(XII) )また
は[(4R。
CX(7)製造 実施例(1)の中間体(IX)−中間体(X)の工程に
おいて、ジフェニルホスフィンに代えて、ジ(2−メト
キシフェニル)ホスフィンまタハジ(2,5−ジメチル
フェニル)ホスフィンを用いて((4R,5R) −5
−ジシクロへキシルホスフィニル−2,2−ジメチル−
1,3−ジオキソラン−4−イルメチル〕ジ(2−メト
キシフェニル)ホスフィン(中間体(XII) )また
は[(4R。
SR) −5−ジシクロへキシルホスフィニル−2゜2
−ジメチル−1,3−ジオキソラン−4−イルメチル〕
ジ(2,5−ジメチルフェニル)ホスフィン(中間体(
=))を収率50〜60%で得た。
−ジメチル−1,3−ジオキソラン−4−イルメチル〕
ジ(2,5−ジメチルフェニル)ホスフィン(中間体(
=))を収率50〜60%で得た。
この中間体(■、X111I)を実施例(1)の中間体
(X)→D I OCPの工程に準じた処理をして、そ
れぞれ(−)−[(4R,5R)−2,2−ジメチル−
1,3−ジオキソラン−4−イルメチル(ジシクロヘキ
シル)−5−イルメチルージ(2−メトキシフェニル)
〕ビスホスフィン(DIOCA)、または(−)−C(
4R,5R)−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラ
ン−4−イルメチル(ジシクロヘキシル)−5−イルメ
チルージ(2゜5−ジメチルフェニル)〕ビスホスフィ
ン(DIOCX)を収率40〜50%で得た。
(X)→D I OCPの工程に準じた処理をして、そ
れぞれ(−)−[(4R,5R)−2,2−ジメチル−
1,3−ジオキソラン−4−イルメチル(ジシクロヘキ
シル)−5−イルメチルージ(2−メトキシフェニル)
〕ビスホスフィン(DIOCA)、または(−)−C(
4R,5R)−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラ
ン−4−イルメチル(ジシクロヘキシル)−5−イルメ
チルージ(2゜5−ジメチルフェニル)〕ビスホスフィ
ン(DIOCX)を収率40〜50%で得た。
使用例:
次に本発明の非対称ビスホスフィンを還元触媒として用
いた不斉合成の反応例を示す。
いた不斉合成の反応例を示す。
基質としてケトパントラクトンを10ミリモル用い、こ
れを(5)式に示すように金属触媒(Rh(COD)C
1〕20.5×10ミリモル、及びビスホスフィン誘導
体1,0XIOミリモルを触媒としてテトラヒドロフラ
ン10mjの溶媒中、水素加圧下(15〜50 atf
fi)で反応しな。このとき用いたビスホスフィン誘導
体は本発明品が実施例(1)で得た(−)−DIOCP
であり、対照品が市販の対称ビスホスフィン((−)
−D I OP)である。
れを(5)式に示すように金属触媒(Rh(COD)C
1〕20.5×10ミリモル、及びビスホスフィン誘導
体1,0XIOミリモルを触媒としてテトラヒドロフラ
ン10mjの溶媒中、水素加圧下(15〜50 atf
fi)で反応しな。このとき用いたビスホスフィン誘導
体は本発明品が実施例(1)で得た(−)−DIOCP
であり、対照品が市販の対称ビスホスフィン((−)
−D I OP)である。
一二 ビスホスフィン配位子
その結果、乙の反応における転化率及び光学収率は第2
表の通りである。
表の通りである。
(以下余白)
第2表からも解るように本発明品は対照品に比べて転化
率及び光学収率のいずれも高い値を示している。このこ
とから本発明品は従来品(対照品)に比べて不斉収率及
び反応効率が共に改良された不斉配位子であることが解
る。
率及び光学収率のいずれも高い値を示している。このこ
とから本発明品は従来品(対照品)に比べて不斉収率及
び反応効率が共に改良された不斉配位子であることが解
る。
本発明の非対称ビスホスフィン誘導体は、不斉水素化反
応、不斉異性化反応などに用いられ、従来の対称ビスホ
スフィン誘導体に比べ不斉収率及び反応効率を共に向上
させることのできる工業的触媒である。
応、不斉異性化反応などに用いられ、従来の対称ビスホ
スフィン誘導体に比べ不斉収率及び反応効率を共に向上
させることのできる工業的触媒である。
特許出願え 1.−μ^−ゆ
々 豊玉香料株式会社
代理人 弁理士 佐 藤 英 昭
手続補正書
昭和62乍 4B17日
特許庁長官 黒 1)明 雄 殿
1、事件の表示
昭和62年特許願第51396号
2、発明の名称
非対称ビスホスフィン誘導体
3、補正をする者
名 称 豊玉香料株式会社 (ばか1名)4、代理人
6、補正の対象
〔補正の内容〕
(1) 明細書第6頁(4)式の(X)とあるのを、
と補正する。
Claims (1)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1はフェニル基、又はアルキコシ若しくは
アルキルの置換基を持つアリル基、R^2はシクロヘキ
シル基、又はアルキル基であり、かつR^1≠R^2で
ある)で表される非対称ビスホスフィン誘導体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5139687A JPS63216893A (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 非対称ビスホスフイン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5139687A JPS63216893A (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 非対称ビスホスフイン誘導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63216893A true JPS63216893A (ja) | 1988-09-09 |
Family
ID=12885781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5139687A Pending JPS63216893A (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 非対称ビスホスフイン誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63216893A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1072227C (zh) * | 1997-06-18 | 2001-10-03 | Basf公司 | 光学活性二膦配体 |
JP2009502874A (ja) * | 2005-07-29 | 2009-01-29 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 光学活性ビスホスフィニルアルカンの調製方法 |
-
1987
- 1987-03-06 JP JP5139687A patent/JPS63216893A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1072227C (zh) * | 1997-06-18 | 2001-10-03 | Basf公司 | 光学活性二膦配体 |
JP2009502874A (ja) * | 2005-07-29 | 2009-01-29 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 光学活性ビスホスフィニルアルカンの調製方法 |
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