JPH1149727A - ジアリールカーボネートの精製法 - Google Patents
ジアリールカーボネートの精製法Info
- Publication number
- JPH1149727A JPH1149727A JP9208991A JP20899197A JPH1149727A JP H1149727 A JPH1149727 A JP H1149727A JP 9208991 A JP9208991 A JP 9208991A JP 20899197 A JP20899197 A JP 20899197A JP H1149727 A JPH1149727 A JP H1149727A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbonate
- diaryl carbonate
- aryloxycarbonyl
- arene
- hydroxy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アリーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）−
アレーンとジアリールカーボネートを含有する混合物か
ら蒸留のような簡便な操作によって高純度のジアリール
カーボネートを得る方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 アリーロキシカルボニル−（ヒドロキ
シ）−アレーンとジアリールカーボネートを含有する混
合物を触媒の存在下で加熱し、該混合物中のアリーロキ
シカルボニル−（ヒドロキシ）−アレーンに対するアリ
ーロキシカルボニル−（アリーロキシカルボキシル）−
アレーンの割合を重量比で０．１以上として、蒸留精製
する。
アレーンとジアリールカーボネートを含有する混合物か
ら蒸留のような簡便な操作によって高純度のジアリール
カーボネートを得る方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 アリーロキシカルボニル−（ヒドロキ
シ）−アレーンとジアリールカーボネートを含有する混
合物を触媒の存在下で加熱し、該混合物中のアリーロキ
シカルボニル−（ヒドロキシ）−アレーンに対するアリ
ーロキシカルボニル−（アリーロキシカルボキシル）−
アレーンの割合を重量比で０．１以上として、蒸留精製
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアリーロキシカルボ
ニル−（ヒドロキシ）−アレーンを不純物として含有す
るジアリールカーボネートの精製法に関する。
ニル−（ヒドロキシ）−アレーンを不純物として含有す
るジアリールカーボネートの精製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ジアリールカーボネートは、近年エンジ
ニアリングプラスチックとしてその有用性が高まりつつ
ある芳香族ポリカーボネートを、有毒なホスゲンを用い
ないで製造するための原料等として有用である。ジアリ
ールカーボネートを芳香族ポリカーボネート製造用のモ
ノマーとして用いる場合、ジアリールカーボネート中の
不純物が重合速度や製造された芳香族ポリカーボネート
の品質等に悪影響を及ぼすことは良く知られている。
ニアリングプラスチックとしてその有用性が高まりつつ
ある芳香族ポリカーボネートを、有毒なホスゲンを用い
ないで製造するための原料等として有用である。ジアリ
ールカーボネートを芳香族ポリカーボネート製造用のモ
ノマーとして用いる場合、ジアリールカーボネート中の
不純物が重合速度や製造された芳香族ポリカーボネート
の品質等に悪影響を及ぼすことは良く知られている。
【０００３】例えば、特開昭６１−１７２８５２号公報
には、ジメチルカーボネートをフェノールでエステル交
換してジフェニルカーボネートを製造する際、ジフェニ
ルカーボネートと同程度の沸点を持つ不純物を副生し、
この不純物がジフェニルカーボネートに混入することに
より、最終目的物、例えばポリカーボネートの着色を起
こすことが記載されている。該公報には具体的に記載さ
れていないが、ジアリールカーボネートと同程度の沸点
を持つ不純物として、ジアリールカーボネートのフリー
ス転移による異性体であるアリーロキシカルボニル−
（ヒドロキシ）−アレーンが挙げられる。例えばジアリ
ールカーボネートがジフェニルカーボネートの場合に
は、アリーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）−アレー
ンに対応する化合物としてサリチル酸フェニルが挙げら
れる。サリチル酸フェニルとジフェニルカーボネートと
の沸点差は４〜５℃と小さい。
には、ジメチルカーボネートをフェノールでエステル交
換してジフェニルカーボネートを製造する際、ジフェニ
ルカーボネートと同程度の沸点を持つ不純物を副生し、
この不純物がジフェニルカーボネートに混入することに
より、最終目的物、例えばポリカーボネートの着色を起
こすことが記載されている。該公報には具体的に記載さ
れていないが、ジアリールカーボネートと同程度の沸点
を持つ不純物として、ジアリールカーボネートのフリー
ス転移による異性体であるアリーロキシカルボニル−
（ヒドロキシ）−アレーンが挙げられる。例えばジアリ
ールカーボネートがジフェニルカーボネートの場合に
は、アリーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）−アレー
ンに対応する化合物としてサリチル酸フェニルが挙げら
れる。サリチル酸フェニルとジフェニルカーボネートと
の沸点差は４〜５℃と小さい。
【０００４】特開平６−１７９７４４号公報では、サリ
チル酸フェニル、ｏ−フェノキシ安息香酸、及びｏ−フ
ェノキシ安息香酸フェニルを実質的に含有しないジフェ
ニルカーボネートと芳香族ジヒドロキシ化合物を溶融重
縮合して芳香族ポリカーボネートを製造する方法が開示
され、これらの不純物を含む場合には、芳香族ポリカー
ボネートの着色及び耐熱安定性に悪影響を及ぼすことが
述べられている。同様に特開平７−６２０７４号公報に
は、エステル誘導体が１００ｐｐｍ以下であるジアリー
ルカーボネートと芳香族ジヒドロキシ化合物を溶融重縮
合して芳香族ポリカーボネートを製造する方法が記載さ
れており、エステル誘導体としてはサリチル酸フェニル
等が例示されている。
チル酸フェニル、ｏ−フェノキシ安息香酸、及びｏ−フ
ェノキシ安息香酸フェニルを実質的に含有しないジフェ
ニルカーボネートと芳香族ジヒドロキシ化合物を溶融重
縮合して芳香族ポリカーボネートを製造する方法が開示
され、これらの不純物を含む場合には、芳香族ポリカー
ボネートの着色及び耐熱安定性に悪影響を及ぼすことが
述べられている。同様に特開平７−６２０７４号公報に
は、エステル誘導体が１００ｐｐｍ以下であるジアリー
ルカーボネートと芳香族ジヒドロキシ化合物を溶融重縮
合して芳香族ポリカーボネートを製造する方法が記載さ
れており、エステル誘導体としてはサリチル酸フェニル
等が例示されている。
【０００５】一方、不純物を含まないジアリールカーボ
ネートを得るための精製法についても種々の提案がなさ
れている。代表的な精製法の例としては、塩基性物質と
接触させることによって、ジフェニルカーボネート中の
酸性不純物を除去する試みである。例えば、特公昭３８
−１３７３号公報では、ジフェニルカーボネートを溶融
状態で熱水または熱弱塩基性水溶液と接触せしめて処理
する方法、特公昭４１−９１８０号公報では、ジフェニ
ルカーボネートにアンモニアを通ずるか、あるいは炭酸
アンモンで処理する方法、特公昭４２−９８２０号公報
では、ジフェニルカーボネートに尿素を加えて加熱溶融
させる方法等が記載されている。これらの方法は、いず
れもホスゲン法で製造したジフェニルカーボネートの精
製法であり、フェニルクロロホーメイトを除去すること
を主目的としたものである。特開平８−１９８８１６号
公報には、ジフェニルカーボネートを塩基性物質の存在
下に蒸留することにより、酸性重合阻害物質を含有しな
く、エステル交換法ポリカーボネート製造用のモノマー
として有用なジフェニルカーボネートを得ることができ
ることが開示されている。該公報には、塩基性物質を加
水分解性塩素等の酸性重合阻害物質に対し数倍モル量か
ら数十倍モル量必要であることが記載されている。すな
わち塩基性物質と接触させるこれらの方法は、塩基性物
質が触媒的に作用するのではなく酸性重合阻害物質の中
和剤として消費され、酸性重合阻害物質の量が多くなる
ほど必要となる塩基性物質の量も増えるという問題を有
していた。また、サリチル酸フェニル等のジフェニルカ
ーボネートと沸点の近い不純物を効果的に除去できるか
否かについては明らかにされていない。
ネートを得るための精製法についても種々の提案がなさ
れている。代表的な精製法の例としては、塩基性物質と
接触させることによって、ジフェニルカーボネート中の
酸性不純物を除去する試みである。例えば、特公昭３８
−１３７３号公報では、ジフェニルカーボネートを溶融
状態で熱水または熱弱塩基性水溶液と接触せしめて処理
する方法、特公昭４１−９１８０号公報では、ジフェニ
ルカーボネートにアンモニアを通ずるか、あるいは炭酸
アンモンで処理する方法、特公昭４２−９８２０号公報
では、ジフェニルカーボネートに尿素を加えて加熱溶融
させる方法等が記載されている。これらの方法は、いず
れもホスゲン法で製造したジフェニルカーボネートの精
製法であり、フェニルクロロホーメイトを除去すること
を主目的としたものである。特開平８−１９８８１６号
公報には、ジフェニルカーボネートを塩基性物質の存在
下に蒸留することにより、酸性重合阻害物質を含有しな
く、エステル交換法ポリカーボネート製造用のモノマー
として有用なジフェニルカーボネートを得ることができ
ることが開示されている。該公報には、塩基性物質を加
水分解性塩素等の酸性重合阻害物質に対し数倍モル量か
ら数十倍モル量必要であることが記載されている。すな
わち塩基性物質と接触させるこれらの方法は、塩基性物
質が触媒的に作用するのではなく酸性重合阻害物質の中
和剤として消費され、酸性重合阻害物質の量が多くなる
ほど必要となる塩基性物質の量も増えるという問題を有
していた。また、サリチル酸フェニル等のジフェニルカ
ーボネートと沸点の近い不純物を効果的に除去できるか
否かについては明らかにされていない。
【０００６】アダクトの形成やを晶析操作等によって、
ジフェニルカーボネートを精製する方法についても知ら
れている。例えば、特開平６−１７２２７０号公報で
は、ジフェニルカーボネートとフェノールの液相混合物
を冷却して結晶性アダクトを形成し、これを回収した
後、加熱してフェノールを分離する方法が記載されてい
る。この方法により、サリチル酸フェニル等の不純物は
アダクト形成の際母液に残り精製できることが記載され
ているが、精製の程度が不十分である上に精製操作が煩
雑であるという問題を有していた。特開平８−３１１９
号公報には、分別溶融結晶化によってジフェニルカーボ
ネートを精製する方法が記載されており、サリチル酸フ
ェニルも除去できることが実施例に示されているが、分
別結晶化の操作が煩雑であるという問題を有していた。
特開平９−１００２５７号公報でも同様に晶析による方
法が提案されているが、やはり、煩雑な操作を必要とし
ていた。
ジフェニルカーボネートを精製する方法についても知ら
れている。例えば、特開平６−１７２２７０号公報で
は、ジフェニルカーボネートとフェノールの液相混合物
を冷却して結晶性アダクトを形成し、これを回収した
後、加熱してフェノールを分離する方法が記載されてい
る。この方法により、サリチル酸フェニル等の不純物は
アダクト形成の際母液に残り精製できることが記載され
ているが、精製の程度が不十分である上に精製操作が煩
雑であるという問題を有していた。特開平８−３１１９
号公報には、分別溶融結晶化によってジフェニルカーボ
ネートを精製する方法が記載されており、サリチル酸フ
ェニルも除去できることが実施例に示されているが、分
別結晶化の操作が煩雑であるという問題を有していた。
特開平９−１００２５７号公報でも同様に晶析による方
法が提案されているが、やはり、煩雑な操作を必要とし
ていた。
【０００７】アルミノシリケートを用いてジアリールカ
ーボネートを精製する方法も知られている。例えば、特
開平７−２５８３０号公報には、ジフェニルカーボネー
トをアルミノシリケートの存在下で加熱減圧処理する方
法、特開平８−３２５２０９号公報には、ジアリールカ
ーボネートにアルミノシリケートを添加し、ついでアル
ミノシリケートを仕込んだ充填カラムを通してろ過及び
又は蒸留することによりアルミノシリケートを分離する
方法が記載されている。これらの方法は、不純物をアル
ミノシリケートに吸着させて除去するため、不純物を吸
着したアルミノシリケートの交換または再生が必要とな
るという問題を有している。
ーボネートを精製する方法も知られている。例えば、特
開平７−２５８３０号公報には、ジフェニルカーボネー
トをアルミノシリケートの存在下で加熱減圧処理する方
法、特開平８−３２５２０９号公報には、ジアリールカ
ーボネートにアルミノシリケートを添加し、ついでアル
ミノシリケートを仕込んだ充填カラムを通してろ過及び
又は蒸留することによりアルミノシリケートを分離する
方法が記載されている。これらの方法は、不純物をアル
ミノシリケートに吸着させて除去するため、不純物を吸
着したアルミノシリケートの交換または再生が必要とな
るという問題を有している。
【０００８】特開平７−１３８２０８号公報には、ジア
リールカーボネートの溶融物を水で洗浄した後蒸留する
方法が記載されている。この方法は、水洗により金属イ
オン、鉄化合物、及び有機及び無機塩化物を抽出するも
のであるが、ジフェニルカーボネートに沸点の近い化合
物を除去する方法を提供するものではない。上述したよ
うに、アリーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）−アレ
ーンのような、ジアリールカーボネートと沸点の近い不
純物を蒸留のような簡便な操作でで分離してジアリール
カーボネートを精製する方法については、従来全く知ら
れていない。
リールカーボネートの溶融物を水で洗浄した後蒸留する
方法が記載されている。この方法は、水洗により金属イ
オン、鉄化合物、及び有機及び無機塩化物を抽出するも
のであるが、ジフェニルカーボネートに沸点の近い化合
物を除去する方法を提供するものではない。上述したよ
うに、アリーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）−アレ
ーンのような、ジアリールカーボネートと沸点の近い不
純物を蒸留のような簡便な操作でで分離してジアリール
カーボネートを精製する方法については、従来全く知ら
れていない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、アリーロキ
シカルボニル−（ヒドロキシ）−アレーンとジアリール
カーボネートを含有する混合物からジアリールカーボネ
ートを精製する方法として、上記の欠点がなく、蒸留の
ような簡便な操作によって高純度のジアリールカーボネ
ートを得る方法を提供することを目的とする。
シカルボニル−（ヒドロキシ）−アレーンとジアリール
カーボネートを含有する混合物からジアリールカーボネ
ートを精製する方法として、上記の欠点がなく、蒸留の
ような簡便な操作によって高純度のジアリールカーボネ
ートを得る方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、アリーロ
キシカルボニル−（ヒドロキシ）−アレーンとジアリー
ルカーボネートとの反応生成物であるアリーロキシカル
ボニル−（アリーロキシカルボキシル）−アレーンの濃
度が、蒸留精製によって高純度のジアリールカーボネー
トを得る上で重要であるという事実の発見に基づき、前
記課題を解決できることを見い出し、本発明を完成する
に至った。
キシカルボニル−（ヒドロキシ）−アレーンとジアリー
ルカーボネートとの反応生成物であるアリーロキシカル
ボニル−（アリーロキシカルボキシル）−アレーンの濃
度が、蒸留精製によって高純度のジアリールカーボネー
トを得る上で重要であるという事実の発見に基づき、前
記課題を解決できることを見い出し、本発明を完成する
に至った。
【００１１】すなわち本発明は、（１） アリーロキシ
カルボニル−（ヒドロキシ）−アレーンとジアリールカ
ーボネートを含有する混合物からジアリールカーボネー
トを精製するにあたり、該混合物を触媒の存在下で加熱
し、該混合物中のアリーロキシカルボニル−（ヒドロキ
シ）−アレーンに対するアリーロキシカルボニル−（ア
リーロキシカルボキシル）−アレーンの割合を重量比で
０．１以上として、蒸留精製することを特徴とするジア
リールカーボネートの精製法、（２） アリーロキシカ
ルボニル−（ヒドロキシ）−アレーンとジアリールカー
ボネートを含有する混合物が、該アリーロキシカルボニ
ル−（ヒドロキシ）−アレーン以外の芳香族モノヒドロ
キシ化合物を５重量％を超えて含有しないことを特徴と
する上記（１）のジアリールカーボネートの精製法、
（３） アリーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）−ア
レーンとジアリールカーボネートを含有する混合物が、
ジアルキルカーボネートと芳香族モノヒドロキシ化合物
からジアリールカーボネートを製造する際に用いる反応
器の抜き出し液であることを特徴とする上記（１）又は
（２）のジアリールカーボネートの精製法、（４） ジ
アルキルカーボネートと芳香族モノヒドロキシ化合物か
らジアリールカーボネートを製造する際に用いる反応器
が、連続多段蒸留塔であることを特徴とする上記（３）
のジアリールカーボネートの精製法、（５） 上記
（１）、（２）、（３）又は（４）のジアリールカーボ
ネートの精製法で精製したジアリールカーボネートを用
い、エステル交換法で芳香族ポリカーボネート製造する
ことを特徴とする芳香族ポリカーボネートの製造方法、
を提供するものである。
カルボニル−（ヒドロキシ）−アレーンとジアリールカ
ーボネートを含有する混合物からジアリールカーボネー
トを精製するにあたり、該混合物を触媒の存在下で加熱
し、該混合物中のアリーロキシカルボニル−（ヒドロキ
シ）−アレーンに対するアリーロキシカルボニル−（ア
リーロキシカルボキシル）−アレーンの割合を重量比で
０．１以上として、蒸留精製することを特徴とするジア
リールカーボネートの精製法、（２） アリーロキシカ
ルボニル−（ヒドロキシ）−アレーンとジアリールカー
ボネートを含有する混合物が、該アリーロキシカルボニ
ル−（ヒドロキシ）−アレーン以外の芳香族モノヒドロ
キシ化合物を５重量％を超えて含有しないことを特徴と
する上記（１）のジアリールカーボネートの精製法、
（３） アリーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）−ア
レーンとジアリールカーボネートを含有する混合物が、
ジアルキルカーボネートと芳香族モノヒドロキシ化合物
からジアリールカーボネートを製造する際に用いる反応
器の抜き出し液であることを特徴とする上記（１）又は
（２）のジアリールカーボネートの精製法、（４） ジ
アルキルカーボネートと芳香族モノヒドロキシ化合物か
らジアリールカーボネートを製造する際に用いる反応器
が、連続多段蒸留塔であることを特徴とする上記（３）
のジアリールカーボネートの精製法、（５） 上記
（１）、（２）、（３）又は（４）のジアリールカーボ
ネートの精製法で精製したジアリールカーボネートを用
い、エステル交換法で芳香族ポリカーボネート製造する
ことを特徴とする芳香族ポリカーボネートの製造方法、
を提供するものである。
【００１２】本発明は、アリーロキシカルボニル−（ヒ
ドロキシ）−アレーンとジアリールカーボネートを含有
する混合物を、触媒の存在下で加熱することによってア
リーロキシカルボニル−（アリーロキシカルボキシル）
−アレーンに転化でき、かつアリーロキシカルボニル−
（ヒドロキシ）−アレーンに対するアリーロキシカルボ
ニル−（アリーロキシカルボキシル）−アレーンの割合
が特定値以上の場合には、アリーロキシカルボニル−
（ヒドロキシ）−アレーンはアリールカーボネートと蒸
留分離しやすい、という驚くべき事実の発見に基づいて
いる。この理由については明らかではないが、アリーロ
キシカルボニル−（アリーロキシカルボキシル）−アレ
ーンは沸点が高いので、容易にジアリールカーボネート
と蒸留分離することができると共に、アリーロキシカル
ボニル−（ヒドロキシ）−アレーンも触媒との相互作用
により見かけ上高沸点化し、高純度のジアリールカーボ
ネートを製造することが可能となったものと考えられ
る。このように、ジアリールカーボネートと沸点の近い
不純物を反応により更に高沸点化させて高純度のジアリ
ールカーボネートを得る方法は、従来全く知られていな
い新しい概念である。
ドロキシ）−アレーンとジアリールカーボネートを含有
する混合物を、触媒の存在下で加熱することによってア
リーロキシカルボニル−（アリーロキシカルボキシル）
−アレーンに転化でき、かつアリーロキシカルボニル−
（ヒドロキシ）−アレーンに対するアリーロキシカルボ
ニル−（アリーロキシカルボキシル）−アレーンの割合
が特定値以上の場合には、アリーロキシカルボニル−
（ヒドロキシ）−アレーンはアリールカーボネートと蒸
留分離しやすい、という驚くべき事実の発見に基づいて
いる。この理由については明らかではないが、アリーロ
キシカルボニル−（アリーロキシカルボキシル）−アレ
ーンは沸点が高いので、容易にジアリールカーボネート
と蒸留分離することができると共に、アリーロキシカル
ボニル−（ヒドロキシ）−アレーンも触媒との相互作用
により見かけ上高沸点化し、高純度のジアリールカーボ
ネートを製造することが可能となったものと考えられ
る。このように、ジアリールカーボネートと沸点の近い
不純物を反応により更に高沸点化させて高純度のジアリ
ールカーボネートを得る方法は、従来全く知られていな
い新しい概念である。
【００１３】以下に本発明について詳細に説明する。本
発明では、アリーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）−
アレーンとジアリールカーボネートを含有する混合物か
らジアリールカーボネートを精製する。混合物中のアリ
ーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）−アレーンの量に
特に制限はないが、通常、１重量ｐｐｍ〜３０重量％の
範囲であり、好ましくは１重量ｐｐｍ〜５重量％の範囲
であり、さらに好ましくは１重量ｐｐｍ〜１重量％の範
囲である。
発明では、アリーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）−
アレーンとジアリールカーボネートを含有する混合物か
らジアリールカーボネートを精製する。混合物中のアリ
ーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）−アレーンの量に
特に制限はないが、通常、１重量ｐｐｍ〜３０重量％の
範囲であり、好ましくは１重量ｐｐｍ〜５重量％の範囲
であり、さらに好ましくは１重量ｐｐｍ〜１重量％の範
囲である。
【００１４】本発明のジアリールカーボネートは、下記
化１で示されるものである。
化１で示されるものである。
【００１５】
【化１】
【００１６】（式中、Ａｒ1 、Ａｒ2 はそれぞれ１価の
芳香族基を表す。） Ａｒ1 及びＡｒ2 は、１価の炭素環式又は複素環式芳香
族基を表すが、このＡｒ1 、Ａｒ2 において、１つ以上
の水素原子が、他の置換基、例えば、炭素数１〜１０の
アルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル
基、フェノキシ基などによって置換されたものであって
も良い。Ａｒ1 、Ａｒ2 は同じものであっても良いし、
異なるものであっても良い。
芳香族基を表す。） Ａｒ1 及びＡｒ2 は、１価の炭素環式又は複素環式芳香
族基を表すが、このＡｒ1 、Ａｒ2 において、１つ以上
の水素原子が、他の置換基、例えば、炭素数１〜１０の
アルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル
基、フェノキシ基などによって置換されたものであって
も良い。Ａｒ1 、Ａｒ2 は同じものであっても良いし、
異なるものであっても良い。
【００１７】１価の芳香族基Ａｒ1 及びＡｒ2 の代表例
としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ピ
リジル基を挙げる事ができる。これらは、上述の１種以
上の置換基で置換されたものでも良い。Ａｒ1 及びＡｒ
2 の具体例としては、それぞれ例えば、下記化２に示さ
れるものなどが挙げられる。
としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ピ
リジル基を挙げる事ができる。これらは、上述の１種以
上の置換基で置換されたものでも良い。Ａｒ1 及びＡｒ
2 の具体例としては、それぞれ例えば、下記化２に示さ
れるものなどが挙げられる。
【００１８】
【化２】
【００１９】ジアリールカーボネートの代表的な例は、
下記化３で示される。
下記化３で示される。
【００２０】
【化３】
【００２１】（式中、Ｒ1 及びＲ2 は、各々独立に水素
原子、炭素数１〜１０を有するアルキル基、炭素数１〜
１０を有するアルコキシ基、環構成炭素数５〜１０のシ
クロアルキル基又はフェニル基を示し、ｐ及びｑは１〜
５の整数で、ｐが２以上の場合には、各Ｒ1 はそれぞれ
異なるものであっても良いし、ｑが２以上の場合には、
各Ｒ2は、それぞれ異なるものであっても良い。） 芳香族ポリカーボネートのモノマーとして使用されるジ
アリールカーボネートとしては、これらのジアリールカ
ーボネート類の中でも、非置換のジフェニルカーボネー
トや、ジトリルカーボネート、ジ−ｔ−ブチルフェニル
カーボネートのような低級アルキル置換ジフェニルカー
ボネートなどの対称型ジアリールカーボネートが好まし
いが、特にもっとも簡単な構造のジアリールカーボネー
トであるジフェニルカーボネートが好適である。
原子、炭素数１〜１０を有するアルキル基、炭素数１〜
１０を有するアルコキシ基、環構成炭素数５〜１０のシ
クロアルキル基又はフェニル基を示し、ｐ及びｑは１〜
５の整数で、ｐが２以上の場合には、各Ｒ1 はそれぞれ
異なるものであっても良いし、ｑが２以上の場合には、
各Ｒ2は、それぞれ異なるものであっても良い。） 芳香族ポリカーボネートのモノマーとして使用されるジ
アリールカーボネートとしては、これらのジアリールカ
ーボネート類の中でも、非置換のジフェニルカーボネー
トや、ジトリルカーボネート、ジ−ｔ−ブチルフェニル
カーボネートのような低級アルキル置換ジフェニルカー
ボネートなどの対称型ジアリールカーボネートが好まし
いが、特にもっとも簡単な構造のジアリールカーボネー
トであるジフェニルカーボネートが好適である。
【００２２】本発明のアリーロキシカルボニル−（ヒド
ロキシ）−アレーンは、下記化４で示される化合物であ
る。
ロキシ）−アレーンは、下記化４で示される化合物であ
る。
【００２３】
【化４】
【００２４】（式中、Ａｒ1 、Ａｒ2 は前記と同じであ
る。） アリーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）−アレーンの
代表的な例は、下記化５、化６で示される。
る。） アリーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）−アレーンの
代表的な例は、下記化５、化６で示される。
【００２５】
【化５】
【００２６】
【化６】
【００２７】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、ｐ、ｑは前記と同じ
である。） これらのアリーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）−ア
レーンの中でも、サリチル酸フェニルが最も代表的であ
る。本発明のアリーロキシカルボニル−（アリーロキシ
カルボキシル）−アレーンは、下記化７で示される化合
物である。
である。） これらのアリーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）−ア
レーンの中でも、サリチル酸フェニルが最も代表的であ
る。本発明のアリーロキシカルボニル−（アリーロキシ
カルボキシル）−アレーンは、下記化７で示される化合
物である。
【００２８】
【化７】
【００２９】（式中、Ａｒ1 、Ａｒ2 は、前記と同じで
ある。Ａｒ3 は、Ａｒ1 と同じである。） アリーロキシカルボニル−（アリーロキシカルボキシ
ル）−アレーンの代表的な例は、下記化８、化９で示さ
れる。
ある。Ａｒ3 は、Ａｒ1 と同じである。） アリーロキシカルボニル−（アリーロキシカルボキシ
ル）−アレーンの代表的な例は、下記化８、化９で示さ
れる。
【００３０】
【化８】
【００３１】
【化９】
【００３２】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、ｐ、ｑは前記と同じ
である。Ｒ3 はＲ1 と同じである。ｒはｐと同じであ
る。ｒが２以上の場合には、各Ｒ3 はそれぞれ異なるも
のであっても良い。） これらのアリーロキシカルボニル−（アリーロキシカル
ボキシル）−アレーンの中でも、サリチル酸フェニルが
ジフェニルカーボネートと反応して生成する、１−フェ
ノキシカルボニル−２−フェノキシカルボキシル−フェ
ニレンが最も代表的である。
である。Ｒ3 はＲ1 と同じである。ｒはｐと同じであ
る。ｒが２以上の場合には、各Ｒ3 はそれぞれ異なるも
のであっても良い。） これらのアリーロキシカルボニル−（アリーロキシカル
ボキシル）−アレーンの中でも、サリチル酸フェニルが
ジフェニルカーボネートと反応して生成する、１−フェ
ノキシカルボニル−２−フェノキシカルボキシル−フェ
ニレンが最も代表的である。
【００３３】本発明のジアリールカーボネートの精製法
においては、アリーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）
−アレーンとジアリールカーボネートを含有する混合物
を触媒の存在下で加熱し、該混合物中のアリーロキシカ
ルボニル−（ヒドロキシ）−アレーンに対するアリーロ
キシカルボニル−（アリーロキシカルボキシル）−アレ
ーンの割合を重量比で０．１以上として蒸留精製するこ
とが必要である。
においては、アリーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）
−アレーンとジアリールカーボネートを含有する混合物
を触媒の存在下で加熱し、該混合物中のアリーロキシカ
ルボニル−（ヒドロキシ）−アレーンに対するアリーロ
キシカルボニル−（アリーロキシカルボキシル）−アレ
ーンの割合を重量比で０．１以上として蒸留精製するこ
とが必要である。
【００３４】本発明のジアリールカーボネートの精製法
において用いる触媒としては、一般的なエステル交換触
媒を使用することが可能であり、例えば下記の化合物か
ら選択される。 （鉛化合物）ＰｂＯ、ＰｂＯ2 、Ｐｂ3 Ｏ4 等の酸化鉛
類；ＰｂＳ、Ｐｂ2 Ｓ等の硫化鉛類；Ｐｂ（ＯＨ）2 、
Ｐｂ2 Ｏ2 （ＯＨ）2 等の水酸化鉛類；Ｎａ2 Ｐｂ
Ｏ2 、Ｋ2ＰｂＯ2 、ＮａＨＰｂＯ2 、ＫＨＰｂＯ2 等
の亜ナマリ酸塩類；Ｎａ2 ＰｂＯ3、Ｎａ2 Ｈ2 ＰｂＯ
4 、Ｋ2 ＰｂＯ3 、Ｋ2 ［Ｐｂ（ＯＨ）6 ］、Ｋ4 Ｐｂ
Ｏ4、Ｃａ2 ＰｂＯ4 、ＣａＰｂＯ3 等の鉛酸塩類；Ｐ
ｂＣＯ3 、２ＰｂＣＯ3 ・Ｐｂ（ＯＨ）2 等の鉛の炭酸
塩及びその塩基性塩類；Ｐｂ（ＯＣＯＣＨ3 ）2 、Ｐｂ
（ＯＣＯＣＨ3 ）4 、Ｐｂ（ＯＣＯＣＨ3 ）2 ・ＰｂＯ
・３Ｈ2 Ｏ等の有機酸の鉛塩及びその炭酸塩や塩基性塩
類；Ｂｕ4 Ｐｂ、Ｐｈ4 Ｐｂ、Ｂｕ3 ＰｂＣｌ、Ｐｈ3
ＰｂＢｒ、Ｐｈ3 Ｐｂ（又はＰｈ6 Ｐｂ2 ）、Ｂｕ3 Ｐ
ｂＯＨ、Ｐｈ3ＰｂＯ等の有機鉛化合物類（Ｂｕはブチ
ル基、Ｐｈはフェニル基を示す）；Ｐｂ（ＯＣ
Ｈ3 ）2 、（ＣＨ3 Ｏ）Ｐｂ（ＯＰｈ）、Ｐｂ（ＯＰ
ｈ）2 等のアルコキシ鉛類、アリールオキシ鉛類；Ｐｂ
−Ｎａ、Ｐｂ−Ｃａ、Ｐｂ−Ｂａ、Ｐｂ−Ｓｎ、Ｐｂ−
Ｓｂ等の鉛の合金類；ホウエン鉱、センアエン鉱等の鉛
鉱物類、及びこれらの鉛化合物の水和物； （銅族金属の化合物）ＣｕＣｌ、ＣｕＣｌ2 、ＣｕＢ
ｒ、ＣｕＢｒ2 、ＣｕＩ、ＣｕＩ2 、Ｃｕ（ＯＡ
ｃ）2 、Ｃｕ（ａｃａｃ）2 、オレフイン酸銅、Ｂｕ2
Ｃｕ、（ＣＨ3 Ｏ）2Ｃｕ、ＡｇＮＯ3 、ＡｇＢｒ、ピ
クリン酸銀、ＡｇＣ6 Ｈ6 ＣｌＯ4 Ａｇ（ブルバレン）
3 ＮＯ3 、［ＡｕＣ≡Ｃ−Ｃ（ＣＨ3 ）3 ］n ［Ｃｕ
（Ｃ7 Ｈ8 ）Ｃｌ］4 等の銅族金属の塩及び錯体（ａｃ
ａｃはアセチルアセトンキレート配位子を表す。）； （亜鉛の錯体）Ｚｎ（ａｃａｃ）2 等の亜鉛の錯体； （カドミウムの錯体）Ｃｄ（ａｃａｃ）2 等のカドミウ
ムの錯体； （鉄族金属の化合物）Ｆｅ（Ｃ10Ｈ8 ）（ＣＯ）5 、Ｆ
ｅ（ＣＯ）5 、Ｆｅ（Ｃ4 Ｈ6 ）（ＣＯ）3、Ｃｏ（メ
シチレン）2 （ＰＥｔ2 Ｐｈ）2 、ＣｏＣ5 Ｆ6 （Ｃ
Ｏ）7 、Ｎｉ−π−Ｃ5 Ｈ5 ＮＯ、フェロセン等の鉄族
金属の錯体； （ジルコニウム錯体）Ｚｒ（ａｃａｃ）4 、ジルコノセ
ン等のジルコニウムの錯体； （ルイス酸類化合物）ＡｌＸ3 、ＴｉＸ3 、ＴｉＸ4 、
ＶＯＸ3 、ＶＸ5 、ＺｎＸ2 、ＦｅＸ3 、ＳｎＸ4 （こ
こでＸはハロゲン、アセトキシ基、アルコキシ基、アリ
ールオキシ基である。）等のルイス酸及びルイス酸を発
生する遷移金属化合物； （有機スズ化合物）（ＣＨ3 ）3 ＳｎＯＣＯＣＨ3 、
（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ＳｎＯＣＯＣ6 Ｈ5 、Ｂｕ3 ＳｎＯＣＯ
ＣＨ3 、Ｐｈ3 ＳｎＯＣＯＣＨ3 、Ｂｕ2 Ｓｎ（ＯＣＯ
ＣＨ3 ）2 、Ｂｕ2 Ｓｎ（ＯＣＯＣ11Ｈ23）2 、Ｐｈ3
ＳｎＯＣＨ3 、（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ＳｎＯＰｈ、Ｂｕ2 Ｓｎ
（ＯＣＨ3 ）2 、Ｂｕ2 Ｓｎ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、Ｂｕ2
Ｓｎ（ＯＰｈ）2 、Ｐｈ2 Ｓｎ（ＯＣＨ3 ）2 、（Ｃ2
Ｈ5 ）3 ＳｎＯＨ、Ｐｈ3 ＳｎＯＨ、Ｂｕ2 ＳｎＯ、
（Ｃ8 Ｈ17）2 ＳｎＯ、Ｂｕ2 ＳｎＣｌ2 、ＢｕＳｎＯ
（ＯＨ）等の有機スズ化合物； （無機酸化物）チタニア、シリカチタニア、酸化亜鉛、
酸化ジルコニウム、酸化ガリウム、希土類酸化物等の固
体触媒、これらの固体触媒の表面酸点をシリル化等の方
法で修飾したもの；等が用いられる。
において用いる触媒としては、一般的なエステル交換触
媒を使用することが可能であり、例えば下記の化合物か
ら選択される。 （鉛化合物）ＰｂＯ、ＰｂＯ2 、Ｐｂ3 Ｏ4 等の酸化鉛
類；ＰｂＳ、Ｐｂ2 Ｓ等の硫化鉛類；Ｐｂ（ＯＨ）2 、
Ｐｂ2 Ｏ2 （ＯＨ）2 等の水酸化鉛類；Ｎａ2 Ｐｂ
Ｏ2 、Ｋ2ＰｂＯ2 、ＮａＨＰｂＯ2 、ＫＨＰｂＯ2 等
の亜ナマリ酸塩類；Ｎａ2 ＰｂＯ3、Ｎａ2 Ｈ2 ＰｂＯ
4 、Ｋ2 ＰｂＯ3 、Ｋ2 ［Ｐｂ（ＯＨ）6 ］、Ｋ4 Ｐｂ
Ｏ4、Ｃａ2 ＰｂＯ4 、ＣａＰｂＯ3 等の鉛酸塩類；Ｐ
ｂＣＯ3 、２ＰｂＣＯ3 ・Ｐｂ（ＯＨ）2 等の鉛の炭酸
塩及びその塩基性塩類；Ｐｂ（ＯＣＯＣＨ3 ）2 、Ｐｂ
（ＯＣＯＣＨ3 ）4 、Ｐｂ（ＯＣＯＣＨ3 ）2 ・ＰｂＯ
・３Ｈ2 Ｏ等の有機酸の鉛塩及びその炭酸塩や塩基性塩
類；Ｂｕ4 Ｐｂ、Ｐｈ4 Ｐｂ、Ｂｕ3 ＰｂＣｌ、Ｐｈ3
ＰｂＢｒ、Ｐｈ3 Ｐｂ（又はＰｈ6 Ｐｂ2 ）、Ｂｕ3 Ｐ
ｂＯＨ、Ｐｈ3ＰｂＯ等の有機鉛化合物類（Ｂｕはブチ
ル基、Ｐｈはフェニル基を示す）；Ｐｂ（ＯＣ
Ｈ3 ）2 、（ＣＨ3 Ｏ）Ｐｂ（ＯＰｈ）、Ｐｂ（ＯＰ
ｈ）2 等のアルコキシ鉛類、アリールオキシ鉛類；Ｐｂ
−Ｎａ、Ｐｂ−Ｃａ、Ｐｂ−Ｂａ、Ｐｂ−Ｓｎ、Ｐｂ−
Ｓｂ等の鉛の合金類；ホウエン鉱、センアエン鉱等の鉛
鉱物類、及びこれらの鉛化合物の水和物； （銅族金属の化合物）ＣｕＣｌ、ＣｕＣｌ2 、ＣｕＢ
ｒ、ＣｕＢｒ2 、ＣｕＩ、ＣｕＩ2 、Ｃｕ（ＯＡ
ｃ）2 、Ｃｕ（ａｃａｃ）2 、オレフイン酸銅、Ｂｕ2
Ｃｕ、（ＣＨ3 Ｏ）2Ｃｕ、ＡｇＮＯ3 、ＡｇＢｒ、ピ
クリン酸銀、ＡｇＣ6 Ｈ6 ＣｌＯ4 Ａｇ（ブルバレン）
3 ＮＯ3 、［ＡｕＣ≡Ｃ−Ｃ（ＣＨ3 ）3 ］n ［Ｃｕ
（Ｃ7 Ｈ8 ）Ｃｌ］4 等の銅族金属の塩及び錯体（ａｃ
ａｃはアセチルアセトンキレート配位子を表す。）； （亜鉛の錯体）Ｚｎ（ａｃａｃ）2 等の亜鉛の錯体； （カドミウムの錯体）Ｃｄ（ａｃａｃ）2 等のカドミウ
ムの錯体； （鉄族金属の化合物）Ｆｅ（Ｃ10Ｈ8 ）（ＣＯ）5 、Ｆ
ｅ（ＣＯ）5 、Ｆｅ（Ｃ4 Ｈ6 ）（ＣＯ）3、Ｃｏ（メ
シチレン）2 （ＰＥｔ2 Ｐｈ）2 、ＣｏＣ5 Ｆ6 （Ｃ
Ｏ）7 、Ｎｉ−π−Ｃ5 Ｈ5 ＮＯ、フェロセン等の鉄族
金属の錯体； （ジルコニウム錯体）Ｚｒ（ａｃａｃ）4 、ジルコノセ
ン等のジルコニウムの錯体； （ルイス酸類化合物）ＡｌＸ3 、ＴｉＸ3 、ＴｉＸ4 、
ＶＯＸ3 、ＶＸ5 、ＺｎＸ2 、ＦｅＸ3 、ＳｎＸ4 （こ
こでＸはハロゲン、アセトキシ基、アルコキシ基、アリ
ールオキシ基である。）等のルイス酸及びルイス酸を発
生する遷移金属化合物； （有機スズ化合物）（ＣＨ3 ）3 ＳｎＯＣＯＣＨ3 、
（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ＳｎＯＣＯＣ6 Ｈ5 、Ｂｕ3 ＳｎＯＣＯ
ＣＨ3 、Ｐｈ3 ＳｎＯＣＯＣＨ3 、Ｂｕ2 Ｓｎ（ＯＣＯ
ＣＨ3 ）2 、Ｂｕ2 Ｓｎ（ＯＣＯＣ11Ｈ23）2 、Ｐｈ3
ＳｎＯＣＨ3 、（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ＳｎＯＰｈ、Ｂｕ2 Ｓｎ
（ＯＣＨ3 ）2 、Ｂｕ2 Ｓｎ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、Ｂｕ2
Ｓｎ（ＯＰｈ）2 、Ｐｈ2 Ｓｎ（ＯＣＨ3 ）2 、（Ｃ2
Ｈ5 ）3 ＳｎＯＨ、Ｐｈ3 ＳｎＯＨ、Ｂｕ2 ＳｎＯ、
（Ｃ8 Ｈ17）2 ＳｎＯ、Ｂｕ2 ＳｎＣｌ2 、ＢｕＳｎＯ
（ＯＨ）等の有機スズ化合物； （無機酸化物）チタニア、シリカチタニア、酸化亜鉛、
酸化ジルコニウム、酸化ガリウム、希土類酸化物等の固
体触媒、これらの固体触媒の表面酸点をシリル化等の方
法で修飾したもの；等が用いられる。
【００３５】これらの触媒は、アリーロキシカルボニル
−（ヒドロキシ）−アレーンとジアリールカーボネート
を含有する混合物を加熱する際、該混合液に溶解し得る
ものであっても溶解しないものであってもよい。また、
これらの触媒は、不活性な化合物や担体と混合したり、
あるいはこれらに担持させて用いることもできる。もち
ろん、これらの触媒成分が該混合物中に存在する有機化
合物、例えば、ジアリールカーボネートや、アリーロキ
シカルボニル−（ヒドロキシ）−アレーンと反応したも
のであっても良い。
−（ヒドロキシ）−アレーンとジアリールカーボネート
を含有する混合物を加熱する際、該混合液に溶解し得る
ものであっても溶解しないものであってもよい。また、
これらの触媒は、不活性な化合物や担体と混合したり、
あるいはこれらに担持させて用いることもできる。もち
ろん、これらの触媒成分が該混合物中に存在する有機化
合物、例えば、ジアリールカーボネートや、アリーロキ
シカルボニル−（ヒドロキシ）−アレーンと反応したも
のであっても良い。
【００３６】これらの触媒の中で特に好ましく用いられ
るのは、ＰｂＯ、ＰｂＯ2 、Ｐｂ3 Ｏ4 等の酸化鉛類；
Ｐｂ（ＯＨ）2 、Ｐｂ2 Ｏ2 （ＯＨ）2 等の水酸化鉛
類；ＰｂＣＯ3 、２ＰｂＣＯ3 ・Ｐｂ（ＯＨ）2 等の鉛
の炭酸塩及びその塩基性塩類；Ｐｂ（ＯＣＨ3 ）2 、
（ＣＨ3 Ｏ）Ｐｂ（ＯＰｈ）、Ｐｂ（ＯＰｈ）2 等のア
ルコキシ鉛類、アリールオキシ鉛類等；ＴｉＣｌ4 、Ｔ
ｉ（ＯＰｈ）4 ；ＳｎＣｌ4 、Ｓｎ（ＯＰｈ）4 、Ｂｕ
2 ＳｎＯ、Ｂｕ2 Ｓｎ（ＯＰｈ）2 ；ＦｅＣｌ3 、Ｆｅ
（ＯＨ）3 、Ｆｅ（ＯＰｈ）3 等であり、さらにはこれ
らの鉛化合物が該混合物中に存在する有機化合物と反応
したものも好ましく用いられる。該混合物中の触媒の濃
度に特に制限はないが、通常、０．０００１〜３０重量
％の範囲であり、好ましくは、０．００１〜１０重量％
の範囲であり、更に好ましくは０．０１〜５重量％の範
囲である。
るのは、ＰｂＯ、ＰｂＯ2 、Ｐｂ3 Ｏ4 等の酸化鉛類；
Ｐｂ（ＯＨ）2 、Ｐｂ2 Ｏ2 （ＯＨ）2 等の水酸化鉛
類；ＰｂＣＯ3 、２ＰｂＣＯ3 ・Ｐｂ（ＯＨ）2 等の鉛
の炭酸塩及びその塩基性塩類；Ｐｂ（ＯＣＨ3 ）2 、
（ＣＨ3 Ｏ）Ｐｂ（ＯＰｈ）、Ｐｂ（ＯＰｈ）2 等のア
ルコキシ鉛類、アリールオキシ鉛類等；ＴｉＣｌ4 、Ｔ
ｉ（ＯＰｈ）4 ；ＳｎＣｌ4 、Ｓｎ（ＯＰｈ）4 、Ｂｕ
2 ＳｎＯ、Ｂｕ2 Ｓｎ（ＯＰｈ）2 ；ＦｅＣｌ3 、Ｆｅ
（ＯＨ）3 、Ｆｅ（ＯＰｈ）3 等であり、さらにはこれ
らの鉛化合物が該混合物中に存在する有機化合物と反応
したものも好ましく用いられる。該混合物中の触媒の濃
度に特に制限はないが、通常、０．０００１〜３０重量
％の範囲であり、好ましくは、０．００１〜１０重量％
の範囲であり、更に好ましくは０．０１〜５重量％の範
囲である。
【００３７】本発明において該混合物を加熱する温度
は、通常、８０〜３００℃、好ましくは１００〜２５０
℃、更に好ましくは１４０〜２３０℃の範囲である。加
熱する時間に特に制限はないが、通常１分〜１００時間
の範囲であり、より一般的には５分〜３０時間の範囲で
ある。本発明では、該混合物を触媒の存在下で加熱し、
該混合物中のアリーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）
−アレーンに対するアリーロキシカルボニル−（アリー
ロキシカルボキシル）−アレーンの割合を重量比で０．
１以上として蒸留精製する。アリーロキシカルボニル−
（ヒドロキシ）−アレーンに対するアリーロキシカルボ
ニル−（アリーロキシカルボキシル）−アレーンの割合
は、好ましくは重量比で０．２以上であり、更に好まし
くは０．５以上である。アリーロキシカルボニル−（ヒ
ドロキシ）−アレーンに対するアリーロキシカルボニル
−（アリーロキシカルボキシル）−アレーンの割合が重
量比で０．１より小さい場合には、蒸留の際、ジアリー
ルカーボネートとアリーロキシカルボニル−（ヒドロキ
シ）−アレーンを分離することが困難となる。
は、通常、８０〜３００℃、好ましくは１００〜２５０
℃、更に好ましくは１４０〜２３０℃の範囲である。加
熱する時間に特に制限はないが、通常１分〜１００時間
の範囲であり、より一般的には５分〜３０時間の範囲で
ある。本発明では、該混合物を触媒の存在下で加熱し、
該混合物中のアリーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）
−アレーンに対するアリーロキシカルボニル−（アリー
ロキシカルボキシル）−アレーンの割合を重量比で０．
１以上として蒸留精製する。アリーロキシカルボニル−
（ヒドロキシ）−アレーンに対するアリーロキシカルボ
ニル−（アリーロキシカルボキシル）−アレーンの割合
は、好ましくは重量比で０．２以上であり、更に好まし
くは０．５以上である。アリーロキシカルボニル−（ヒ
ドロキシ）−アレーンに対するアリーロキシカルボニル
−（アリーロキシカルボキシル）−アレーンの割合が重
量比で０．１より小さい場合には、蒸留の際、ジアリー
ルカーボネートとアリーロキシカルボニル−（ヒドロキ
シ）−アレーンを分離することが困難となる。
【００３８】本発明の蒸留精製の方法に特に制限はな
く、単蒸留、多段蒸留のいずれでも構わない。また、バ
ッチ式、連続式のいずれの蒸留でも可能である。該混合
物中には、ジアリールカーボネートとアリーロキシカル
ボニル−（ヒドロキシ）−アレーン以外の成分、例えば
ジアルキルカーボネートやアルキルアリールカーボネー
ト、芳香族モノヒドロキシ化合物等が含まれていてもか
まわない。ただし、アリーロキシカルボニル−（ヒドロ
キシ）−アレーン以外の芳香族モノヒドロキシ化合物が
含まれている場合には、アリーロキシカルボニル−（ヒ
ドロキシ）−アレーンに対するアリーロキシカルボニル
−（アリーロキシカルボキシル）−アレーンの割合が高
くなりにくいことが明らかとなった。従って、該混合物
中に含まれるアリーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）
−アレーン以外の芳香族モノヒドロキシ化合物の濃度は
５重量％以下が好ましく、３重量％以下であることがよ
り好ましく、１重量％以下であることが更に好ましい。
ここで、芳香族モノヒドロキシ化合物は下記化１０で表
される。
く、単蒸留、多段蒸留のいずれでも構わない。また、バ
ッチ式、連続式のいずれの蒸留でも可能である。該混合
物中には、ジアリールカーボネートとアリーロキシカル
ボニル−（ヒドロキシ）−アレーン以外の成分、例えば
ジアルキルカーボネートやアルキルアリールカーボネー
ト、芳香族モノヒドロキシ化合物等が含まれていてもか
まわない。ただし、アリーロキシカルボニル−（ヒドロ
キシ）−アレーン以外の芳香族モノヒドロキシ化合物が
含まれている場合には、アリーロキシカルボニル−（ヒ
ドロキシ）−アレーンに対するアリーロキシカルボニル
−（アリーロキシカルボキシル）−アレーンの割合が高
くなりにくいことが明らかとなった。従って、該混合物
中に含まれるアリーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）
−アレーン以外の芳香族モノヒドロキシ化合物の濃度は
５重量％以下が好ましく、３重量％以下であることがよ
り好ましく、１重量％以下であることが更に好ましい。
ここで、芳香族モノヒドロキシ化合物は下記化１０で表
される。
【００３９】
【化１０】
【００４０】（式中、Ａｒ1 は前記の通りである。） 該混合物中に含まれるアリーロキシカルボニル−（ヒド
ロキシ）−アレーン以外の芳香族モノヒドロキシ化合物
は、５重量％を超えて含まなければ２種以上含まれてい
ても良く、代表的な芳香族モノヒドロキシ化合物として
は、フェノールが挙げられる。
ロキシ）−アレーン以外の芳香族モノヒドロキシ化合物
は、５重量％を超えて含まなければ２種以上含まれてい
ても良く、代表的な芳香族モノヒドロキシ化合物として
は、フェノールが挙げられる。
【００４１】本発明において、該混合物を加熱する装置
に特に制限はないが、攪拌槽や蒸留塔の塔底部等で加熱
することが好ましい。特に好ましいのは、蒸留塔の塔底
部で触媒の存在下、芳香族モノヒドロキシ化合物を留去
しながら加熱する方法である。本発明の好ましい態様と
して、アリーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）−アレ
ーンとジアリールカーボネートを含有する混合物が、ジ
アルキルカーボネートと該芳香族モノヒドロキシ化合物
からジアリールカーボネートを製造する際に用いる反応
器の抜き出し液である方法が挙げられる。ここで、ジア
ルキルカーボネートは、下記化１１で表わされる。
に特に制限はないが、攪拌槽や蒸留塔の塔底部等で加熱
することが好ましい。特に好ましいのは、蒸留塔の塔底
部で触媒の存在下、芳香族モノヒドロキシ化合物を留去
しながら加熱する方法である。本発明の好ましい態様と
して、アリーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）−アレ
ーンとジアリールカーボネートを含有する混合物が、ジ
アルキルカーボネートと該芳香族モノヒドロキシ化合物
からジアリールカーボネートを製造する際に用いる反応
器の抜き出し液である方法が挙げられる。ここで、ジア
ルキルカーボネートは、下記化１１で表わされる。
【００４２】
【化１１】
【００４３】（Ｒ3 、Ｒ4 は炭素数１〜１０のアルキル
基、炭素数３〜１０の脂環族基、炭素数６〜１０のアラ
ールキル基を表し、Ｒ3 とＲ4 はそれぞれ同じものであ
ってもよいし、異なるものであってもよい。Ｒ3 とＲ4
は互いに結合して環を形成していてもよい。） このようなＲ3 、Ｒ4 としては、例えばメチル、エチ
ル、プロピル（各異性体）、アリル、ブチル（各異性
体）、ブテニル（各異性体）、ペンチル（各異性体）、
ヘキシル（各異性体）、ヘプチル（各異性体）、オクチ
ル（各異性体）、ノニル（各異性体）、デシル（各異性
体）、シクロヘキシルメチル等のアルキル基；シクロプ
ロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシ
ル、シクロヘプチル等の脂環族基；ベンジル、フェネチ
ル（各異性体）、フェニルプロピル（各異性体）、フェ
ニルブチル（各異性体）、メチルベンジル（各異性体）
等のアラールキル基が挙げられる。なお、これらのアル
キル基、脂環族基、アラールキル基において、他の置換
基、例えば低級アルキル基、低級アルコキシ基、シアノ
基、ハロゲン等で置換されていてもよいし、不飽和結合
を有していてもよい。
基、炭素数３〜１０の脂環族基、炭素数６〜１０のアラ
ールキル基を表し、Ｒ3 とＲ4 はそれぞれ同じものであ
ってもよいし、異なるものであってもよい。Ｒ3 とＲ4
は互いに結合して環を形成していてもよい。） このようなＲ3 、Ｒ4 としては、例えばメチル、エチ
ル、プロピル（各異性体）、アリル、ブチル（各異性
体）、ブテニル（各異性体）、ペンチル（各異性体）、
ヘキシル（各異性体）、ヘプチル（各異性体）、オクチ
ル（各異性体）、ノニル（各異性体）、デシル（各異性
体）、シクロヘキシルメチル等のアルキル基；シクロプ
ロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシ
ル、シクロヘプチル等の脂環族基；ベンジル、フェネチ
ル（各異性体）、フェニルプロピル（各異性体）、フェ
ニルブチル（各異性体）、メチルベンジル（各異性体）
等のアラールキル基が挙げられる。なお、これらのアル
キル基、脂環族基、アラールキル基において、他の置換
基、例えば低級アルキル基、低級アルコキシ基、シアノ
基、ハロゲン等で置換されていてもよいし、不飽和結合
を有していてもよい。
【００４４】このようなＲ3 、Ｒ4 を有するジアルキル
カーボネートとしては、例えば、ジメチルカーボネー
ト、ジエチルカーボネート、ジプロピルカーボネート
（各異性体）、ジアリルカーボネート、ジブテニルカー
ボネート（各異性体）、ジブチルカーボネート（各異性
体）、ジペンチルカーボネート（各異性体）、ジヘキシ
ルカーボネート（各異性体）、ジヘキシルカーボネート
（各異性体）、ジヘプチルカーボネート（各異性体）、
ジオクチルカーボネート（各異性体）、ジノニルカーボ
ネート（各異性体）、ジデシルカーボネート（各異性
体）、ジシクロペンチルカーボネート、ジシクロヘキシ
ルカーボネート、ジシクロヘプチルカーボネート、ジベ
ンジルカーボネート、ジフェネチルカーボネート（各異
性体）、ジ（フェニルプロピル）カーボネート（各異性
体）、ジ（フェニルブチル）カーボネート（各異性体）
ジ（クロロベンジル）カーボネート（各異性体）、ジ
（メトキシベンジル）カーボネート（各異性体）、ジ
（メトキシメチル）カーボネート、ジ（メトキシエチ
ル）カーボネート（各異性体）、ジ（クロロエチル）カ
ーボネート（各異性体）、ジ（シアノエチル）カーボネ
ート（各異性体）、メチルエチルカーボネート、メチル
プロピルカーボネート（各異性体）、メチルブチルカー
ボネート（各異性体）、エチルプロピルカーボネート
（各異性体）、エチルブチルカーボネート（各異性
体）、ジベンジルカーボネート、エチレンカーボネー
ト、プロピレンカーボネート等が用いられる。これらの
ジアルキルカーボネートの中で、好ましく用いられるの
は、Ｒ3 、Ｒ4 がそれぞれ炭素数４以下のアルキル基か
らなるジアルキルカーボネートであり、特に好ましいの
はジメチルカーボネートである。
カーボネートとしては、例えば、ジメチルカーボネー
ト、ジエチルカーボネート、ジプロピルカーボネート
（各異性体）、ジアリルカーボネート、ジブテニルカー
ボネート（各異性体）、ジブチルカーボネート（各異性
体）、ジペンチルカーボネート（各異性体）、ジヘキシ
ルカーボネート（各異性体）、ジヘキシルカーボネート
（各異性体）、ジヘプチルカーボネート（各異性体）、
ジオクチルカーボネート（各異性体）、ジノニルカーボ
ネート（各異性体）、ジデシルカーボネート（各異性
体）、ジシクロペンチルカーボネート、ジシクロヘキシ
ルカーボネート、ジシクロヘプチルカーボネート、ジベ
ンジルカーボネート、ジフェネチルカーボネート（各異
性体）、ジ（フェニルプロピル）カーボネート（各異性
体）、ジ（フェニルブチル）カーボネート（各異性体）
ジ（クロロベンジル）カーボネート（各異性体）、ジ
（メトキシベンジル）カーボネート（各異性体）、ジ
（メトキシメチル）カーボネート、ジ（メトキシエチ
ル）カーボネート（各異性体）、ジ（クロロエチル）カ
ーボネート（各異性体）、ジ（シアノエチル）カーボネ
ート（各異性体）、メチルエチルカーボネート、メチル
プロピルカーボネート（各異性体）、メチルブチルカー
ボネート（各異性体）、エチルプロピルカーボネート
（各異性体）、エチルブチルカーボネート（各異性
体）、ジベンジルカーボネート、エチレンカーボネー
ト、プロピレンカーボネート等が用いられる。これらの
ジアルキルカーボネートの中で、好ましく用いられるの
は、Ｒ3 、Ｒ4 がそれぞれ炭素数４以下のアルキル基か
らなるジアルキルカーボネートであり、特に好ましいの
はジメチルカーボネートである。
【００４５】ジアルキルカーボネートと該芳香族モノヒ
ドロキシ化合物からジアリールカーボネートを製造する
反応方法としては、ジアルキルカーボネートと該芳香
族モノヒドロキシ化合物から脂肪族アルコールを抜きな
がら反応させて直接ジアリールカーボネートを得る方
法、まずジアルキルカーボネートと該芳香族モノヒド
ロキシ化合物から脂肪族アルコールを抜きながら反応さ
せてアルキルアリールカーボネートを得、このアルキル
アリールカーボネートの不均化によってジアルキルカー
ボネートを抜きながらジアリールカーボネートを得る方
法、ジアルキルカーボネートと該芳香族モノヒドロキ
シ化合物からアルキルアリールカーボネートとジアリー
ルカーボネートの混合物を得、このうち、アルキルフェ
ニルカーボネートの不均化によって更にジフェニルカー
ボネートを製造する方法のいずれの反応様式でも構わな
い（米国特許第４，９４８，８７１号明細書を参照）。
ドロキシ化合物からジアリールカーボネートを製造する
反応方法としては、ジアルキルカーボネートと該芳香
族モノヒドロキシ化合物から脂肪族アルコールを抜きな
がら反応させて直接ジアリールカーボネートを得る方
法、まずジアルキルカーボネートと該芳香族モノヒド
ロキシ化合物から脂肪族アルコールを抜きながら反応さ
せてアルキルアリールカーボネートを得、このアルキル
アリールカーボネートの不均化によってジアルキルカー
ボネートを抜きながらジアリールカーボネートを得る方
法、ジアルキルカーボネートと該芳香族モノヒドロキ
シ化合物からアルキルアリールカーボネートとジアリー
ルカーボネートの混合物を得、このうち、アルキルフェ
ニルカーボネートの不均化によって更にジフェニルカー
ボネートを製造する方法のいずれの反応様式でも構わな
い（米国特許第４，９４８，８７１号明細書を参照）。
【００４６】本発明の好ましい態様は、アリーロキシカ
ルボニル−（ヒドロキシ）−アレーンとジアリールカー
ボネートを含有する混合物が上記〜の反応を行う反
応器の抜き出し液であることである。特に好ましい態様
は、該混合物が、上記においてアルキルアリールカー
ボネートの不均化を行う反応器の抜き出し液である場合
である。
ルボニル−（ヒドロキシ）−アレーンとジアリールカー
ボネートを含有する混合物が上記〜の反応を行う反
応器の抜き出し液であることである。特に好ましい態様
は、該混合物が、上記においてアルキルアリールカー
ボネートの不均化を行う反応器の抜き出し液である場合
である。
【００４７】通常、該反応器の抜き出し液中には、ジア
リールカーボネートの他にアルキルアリールカーボネー
トや芳香族モノヒドロキシ化合物及びジアリールカーボ
ネートのフリース転移による異性体であるアリーロキシ
カルボニル−（ヒドロキシ）−アレーン等が含まれてい
る。この抜き出し液を、本発明の方法によって触媒の存
在下で加熱し、アリーロキシカルボニル−（ヒドロキ
シ）−アレーンに対するアリーロキシカルボニル−（ア
リーロキシカルボキシル）−アレーンの割合を重量比で
０．１以上として、蒸留精製することにより、高純度の
ジアリールカーボネートを容易に得ることができるので
ある。この際、アリーロキシカルボニル−（アリーロキ
シカルボキシル）−アレーンを生成させる上で、抜き出
し液中のアリーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）−ア
レーン以外の芳香族モノヒドロキシ化合物の濃度が５重
量％を超えないことが好ましい。
リールカーボネートの他にアルキルアリールカーボネー
トや芳香族モノヒドロキシ化合物及びジアリールカーボ
ネートのフリース転移による異性体であるアリーロキシ
カルボニル−（ヒドロキシ）−アレーン等が含まれてい
る。この抜き出し液を、本発明の方法によって触媒の存
在下で加熱し、アリーロキシカルボニル−（ヒドロキ
シ）−アレーンに対するアリーロキシカルボニル−（ア
リーロキシカルボキシル）−アレーンの割合を重量比で
０．１以上として、蒸留精製することにより、高純度の
ジアリールカーボネートを容易に得ることができるので
ある。この際、アリーロキシカルボニル−（アリーロキ
シカルボキシル）−アレーンを生成させる上で、抜き出
し液中のアリーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）−ア
レーン以外の芳香族モノヒドロキシ化合物の濃度が５重
量％を超えないことが好ましい。
【００４８】ジアルキルカーボネートと該芳香族モノヒ
ドロキシ化合物を反応させてジアリールカーボネートを
製造する反応器の形式に特に制限はなく、攪拌槽方式、
多段攪拌槽方式、多段蒸留塔を用いる方式、及びこれら
を組み合わせた方式等、公知の種々の方法が用いられ
る。これらの反応器はバッチ式、連続式のいずれでも使
用できる。平衡を生成系側に効率的にずらすという点
で、多段蒸留塔を用いる方法が好ましく、多段蒸留塔を
用いた連続法が特に好ましい。すなわち、ジアルキルカ
ーボネートと該芳香族モノヒドロキシ化合物からジアリ
ールカーボネートを製造する方法が、反応器として１基
または２基以上の連続多段蒸留塔を用いる方法であるこ
とは、本発明の特に好ましい態様である。連続多段蒸留
塔とは、蒸留の理論段数が２段以上の多段を有する蒸留
塔であって、連続蒸留が可能なものであるならばどのよ
うなものであってもよい。このような多段蒸留塔として
は、例えば泡鍾トレイ、多孔板トレイ、バルブトレイ、
向流トレイ等のトレイを使用した棚段塔方式のものや、
ラシヒリング、レッシングリング、ポールリング、ベル
ルサドル、インタロックスサドル、ディクソンパッキン
グ、マクマホンパッキング、ヘリパック、スルザーパッ
キング、メラパック等の各種充填物を充填した充填塔方
式のものなど、通常多段蒸留塔として用いられるものな
らばどのようなものでも使用することができる。さらに
は、棚段部分と充填物の充填された部分とをあわせもつ
棚段−充填混合塔方式のものも好ましく用いられる。
ドロキシ化合物を反応させてジアリールカーボネートを
製造する反応器の形式に特に制限はなく、攪拌槽方式、
多段攪拌槽方式、多段蒸留塔を用いる方式、及びこれら
を組み合わせた方式等、公知の種々の方法が用いられ
る。これらの反応器はバッチ式、連続式のいずれでも使
用できる。平衡を生成系側に効率的にずらすという点
で、多段蒸留塔を用いる方法が好ましく、多段蒸留塔を
用いた連続法が特に好ましい。すなわち、ジアルキルカ
ーボネートと該芳香族モノヒドロキシ化合物からジアリ
ールカーボネートを製造する方法が、反応器として１基
または２基以上の連続多段蒸留塔を用いる方法であるこ
とは、本発明の特に好ましい態様である。連続多段蒸留
塔とは、蒸留の理論段数が２段以上の多段を有する蒸留
塔であって、連続蒸留が可能なものであるならばどのよ
うなものであってもよい。このような多段蒸留塔として
は、例えば泡鍾トレイ、多孔板トレイ、バルブトレイ、
向流トレイ等のトレイを使用した棚段塔方式のものや、
ラシヒリング、レッシングリング、ポールリング、ベル
ルサドル、インタロックスサドル、ディクソンパッキン
グ、マクマホンパッキング、ヘリパック、スルザーパッ
キング、メラパック等の各種充填物を充填した充填塔方
式のものなど、通常多段蒸留塔として用いられるものな
らばどのようなものでも使用することができる。さらに
は、棚段部分と充填物の充填された部分とをあわせもつ
棚段−充填混合塔方式のものも好ましく用いられる。
【００４９】多段蒸留塔を用いて連続法を実施する場
合、反応原料、すなわち上記の反応様式の場合は、ジ
アルキルカーボネートと該芳香族モノヒドロキシ化合
物、上記又はの反応様式の場合は、ジアルキルカー
ボネートと該芳香族モノヒドロキシ化合物、又はアルキ
ルアリールカーボネートを連続多段蒸留塔内に連続的に
供給し、該蒸留塔内において金属含有触媒の存在下に液
相または気−液相で両物質間のエステル交換反応を行わ
せると同時に、製造されるアルキルアリールカーボネー
ト、ジアリールカーボネート、またはこれらの混合物を
含む高沸点反応混合物を該蒸留塔の下部から液状で抜き
出し、一方、生成する副生物を含む低沸点反応混合物を
蒸留によって該蒸留塔の上部からガス状で連続的に抜き
出すことにより反応が進行する。また、反応器の数は１
基でも構わないが２基以上組み合わせて用いても構わな
い。好ましい反応器の組み合わせの具体例としては、ま
ずジアルキルカーボネートと該芳香族モノヒドロキシ化
合物を多段蒸留塔を用いて反応させて、蒸留塔上部から
脂肪族アルコールを抜きながら、蒸留塔下部からアルキ
ルアリールカーボネートを含む反応液を得、該反応液を
次の多段蒸留塔に供給して、蒸留塔上部からジアルキル
カーボネートを抜きながら反応させて、蒸留塔下部から
ジアリールカーボネートを含む反応液を抜き出す方法等
が挙げられる。
合、反応原料、すなわち上記の反応様式の場合は、ジ
アルキルカーボネートと該芳香族モノヒドロキシ化合
物、上記又はの反応様式の場合は、ジアルキルカー
ボネートと該芳香族モノヒドロキシ化合物、又はアルキ
ルアリールカーボネートを連続多段蒸留塔内に連続的に
供給し、該蒸留塔内において金属含有触媒の存在下に液
相または気−液相で両物質間のエステル交換反応を行わ
せると同時に、製造されるアルキルアリールカーボネー
ト、ジアリールカーボネート、またはこれらの混合物を
含む高沸点反応混合物を該蒸留塔の下部から液状で抜き
出し、一方、生成する副生物を含む低沸点反応混合物を
蒸留によって該蒸留塔の上部からガス状で連続的に抜き
出すことにより反応が進行する。また、反応器の数は１
基でも構わないが２基以上組み合わせて用いても構わな
い。好ましい反応器の組み合わせの具体例としては、ま
ずジアルキルカーボネートと該芳香族モノヒドロキシ化
合物を多段蒸留塔を用いて反応させて、蒸留塔上部から
脂肪族アルコールを抜きながら、蒸留塔下部からアルキ
ルアリールカーボネートを含む反応液を得、該反応液を
次の多段蒸留塔に供給して、蒸留塔上部からジアルキル
カーボネートを抜きながら反応させて、蒸留塔下部から
ジアリールカーボネートを含む反応液を抜き出す方法等
が挙げられる。
【００５０】ジアルキルカーボネートと該芳香族モノヒ
ドロキシ化合物を反応させてジアリールカーボネートを
製造する際の触媒としては、前記した触媒を全く同様に
使用することができる。ジアリールカーボネート製造用
に用いた触媒と、アリーロキシカルボニル−（ヒドロキ
シ）−アレーンとジアリールカーボネートを含有する混
合物を加熱するときに用いる触媒が同種類であること
も、本発明の好ましい態様である。
ドロキシ化合物を反応させてジアリールカーボネートを
製造する際の触媒としては、前記した触媒を全く同様に
使用することができる。ジアリールカーボネート製造用
に用いた触媒と、アリーロキシカルボニル−（ヒドロキ
シ）−アレーンとジアリールカーボネートを含有する混
合物を加熱するときに用いる触媒が同種類であること
も、本発明の好ましい態様である。
【００５１】本発明の好ましい態様として、エステル交
換法芳香族ポリカーボネートに、本発明の方法で精製し
たジアリールカーボネートを利用することが挙げられ
る。エステル交換法で芳香族ポリカーボネートを製造す
るにあたり、本発明の方法で精製されたジアリールカー
ボネートを用いることにより、高い重合速度で重合する
ことが可能となる。また、芳香族ジヒドロキシ化合物と
本発明の方法で精製されたジアリールカーボネートから
得られるエステル交換法芳香族ポリカーボネートは着色
がなく高品質である。
換法芳香族ポリカーボネートに、本発明の方法で精製し
たジアリールカーボネートを利用することが挙げられ
る。エステル交換法で芳香族ポリカーボネートを製造す
るにあたり、本発明の方法で精製されたジアリールカー
ボネートを用いることにより、高い重合速度で重合する
ことが可能となる。また、芳香族ジヒドロキシ化合物と
本発明の方法で精製されたジアリールカーボネートから
得られるエステル交換法芳香族ポリカーボネートは着色
がなく高品質である。
【００５２】本発明の方法を達成する装置の材質に特に
制限はないが、通常ステンレススチールやグラスライニ
ング等から選ばれる。
制限はないが、通常ステンレススチールやグラスライニ
ング等から選ばれる。
【００５３】
【発明の実施の形態】以下に、実施例および比較例を挙
げて本発明を具体的に説明する。なお、触媒濃度はＩＣ
Ｐ（高周波誘導結合型プラズマ発光分析計；セイコー電
子工業（株）製ＪＹ３８ＰＩＩ））を用いて分析した。
液中の有機成分濃度は、ガスクロマトグラフ（島津製作
所ＧＣ−１４Ａ）を用い、検出器；ＦＩＤ、キャリアー
ガス；ヘリウム、カラム；Ｊ＆Ｗ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉ
ｃ ＤＢ−１（３０ｍ）、インジェクション温度２５０
℃の条件で測定した。
げて本発明を具体的に説明する。なお、触媒濃度はＩＣ
Ｐ（高周波誘導結合型プラズマ発光分析計；セイコー電
子工業（株）製ＪＹ３８ＰＩＩ））を用いて分析した。
液中の有機成分濃度は、ガスクロマトグラフ（島津製作
所ＧＣ−１４Ａ）を用い、検出器；ＦＩＤ、キャリアー
ガス；ヘリウム、カラム；Ｊ＆Ｗ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉ
ｃ ＤＢ−１（３０ｍ）、インジェクション温度２５０
℃の条件で測定した。
【００５４】芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）に
より測定した。
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）に
より測定した。
【００５５】
【実施例１】 ＜触媒の調製＞フェノール２０ｋｇと一酸化鉛４ｋｇを
１８０℃で１０時間加熱し、生成する水をフェノールと
共に留去することにより鉛触媒を調製した。 ＜ジフェニルカーボネートの精製＞図１に示されるよう
なＳＵＳ３０４製の蒸留塔１０１を用いて、ジフェニル
カーボネートの精製を行った。蒸留塔１０１の塔底部１
０２は、加熱のためのコイル１０３が設けられている。
塔底部の上部の充填層部１０４にはスルーザーパッキン
が充填され、塔頂部１０５には凝縮器１０６、気液分離
器１０７、及び真空ポンプ１１０が設けられている。
１８０℃で１０時間加熱し、生成する水をフェノールと
共に留去することにより鉛触媒を調製した。 ＜ジフェニルカーボネートの精製＞図１に示されるよう
なＳＵＳ３０４製の蒸留塔１０１を用いて、ジフェニル
カーボネートの精製を行った。蒸留塔１０１の塔底部１
０２は、加熱のためのコイル１０３が設けられている。
塔底部の上部の充填層部１０４にはスルーザーパッキン
が充填され、塔頂部１０５には凝縮器１０６、気液分離
器１０７、及び真空ポンプ１１０が設けられている。
【００５６】サリチル酸フェニル（１００重量ｐｐｍ）
とジフェニルカーボネートの混合物２ｋｇに上記鉛触媒
を鉛ベースで７０００重量ｐｐｍ添加し、液供給口１１
１より塔底部１０２に仕込んだ後、塔頂圧力２００Ｐ
ａ、塔底温度１７５℃の条件で、同じ組成の混合物をさ
らに液供給口１１１より２ｋｇ／ｈｒで２００時間連続
的に供給し、塔頂部１０５では、導管１０８から５ｋｇ
／ｈｒで還流しながら、液抜き出し口１０９より塔底部
の液ホールド量が１０リットルで一定となるように塔頂
留出液を連続的に抜き出した。５０時間後、１００時間
後、及び２００時間後に、液抜き出し口１０９より抜き
出される塔頂留出液はサリチル酸フェニル１重量ｐｐｍ
未満のジフェニルカーボネートであった。結果をまとめ
て表１に示す。
とジフェニルカーボネートの混合物２ｋｇに上記鉛触媒
を鉛ベースで７０００重量ｐｐｍ添加し、液供給口１１
１より塔底部１０２に仕込んだ後、塔頂圧力２００Ｐ
ａ、塔底温度１７５℃の条件で、同じ組成の混合物をさ
らに液供給口１１１より２ｋｇ／ｈｒで２００時間連続
的に供給し、塔頂部１０５では、導管１０８から５ｋｇ
／ｈｒで還流しながら、液抜き出し口１０９より塔底部
の液ホールド量が１０リットルで一定となるように塔頂
留出液を連続的に抜き出した。５０時間後、１００時間
後、及び２００時間後に、液抜き出し口１０９より抜き
出される塔頂留出液はサリチル酸フェニル１重量ｐｐｍ
未満のジフェニルカーボネートであった。結果をまとめ
て表１に示す。
【００５７】
【実施例２〜４】混合物中のサリチル酸フェニルの濃
度、供給量、塔底液の触媒濃度を種々変化させる他は、
実施例１と全く同様にジフェニルカーボネートを精製し
た。結果をまとめて表１に示す。
度、供給量、塔底液の触媒濃度を種々変化させる他は、
実施例１と全く同様にジフェニルカーボネートを精製し
た。結果をまとめて表１に示す。
【００５８】
【実施例５〜６】混合物中にフェノールが含まれている
他は、実施例１と全く同様にジフェニルカーボネートを
精製した。結果をまとめて表１に示す。
他は、実施例１と全く同様にジフェニルカーボネートを
精製した。結果をまとめて表１に示す。
【００５９】
【比較例１】塔底液に鉛触媒を添加しない他は、実施例
１と全く同様にジフェニルカーボネートを精製した。結
果をまとめて表１に示す。
１と全く同様にジフェニルカーボネートを精製した。結
果をまとめて表１に示す。
【００６０】
【比較例２】混合物中のフェノール濃度が異なる他は、
実施例５と全く同様にジフェニルカーボネートを精製し
た。結果をまとめて表１に示す。
実施例５と全く同様にジフェニルカーボネートを精製し
た。結果をまとめて表１に示す。
【００６１】
【実施例７】 ＜触媒の調整＞フェノール３０ｋｇ、メチルフェニルカ
ーボネート１０ｋｇ、及びジブチル錫オキシド８ｋｇを
１８０℃で１０時間加熱し、生成する水をフェノールと
共に留去した。その後常圧で残存するフェノールやメチ
ルフェニルカーボネートの大部分を留去し、窒素雰囲気
下で放冷することにより錫触媒を調製した。 ＜ジフェニルカーボネートの精製＞鉛触媒の替わりに上
記のように調製した錫触媒を錫ベースで７０００重量ｐ
ｐｍ混合液に添加して塔底に仕込む他は、実施例１と全
く同様にジフェニルカーボネートを精製した。５０時間
後、１００時間後、及び２００時間後に、液抜き出し口
１０９より抜き出される塔頂留出液は、サリチル酸フェ
ニル１重量ｐｐｍ未満のジフェニルカーボネートであっ
た。２００時間後の蒸留塔１０１の塔底液中には、サリ
チル酸フェニルが２９００重量ｐｐｍ、１−フェノキシ
カルボニル−２−フェノキシカルボキシル−フェニレン
（ＰＰＰ）が４１００重量ｐｐｍ含まれていた。サリチ
ル酸フェニルに対するＰＰＰの割合は、重量比で１．４
１である。
ーボネート１０ｋｇ、及びジブチル錫オキシド８ｋｇを
１８０℃で１０時間加熱し、生成する水をフェノールと
共に留去した。その後常圧で残存するフェノールやメチ
ルフェニルカーボネートの大部分を留去し、窒素雰囲気
下で放冷することにより錫触媒を調製した。 ＜ジフェニルカーボネートの精製＞鉛触媒の替わりに上
記のように調製した錫触媒を錫ベースで７０００重量ｐ
ｐｍ混合液に添加して塔底に仕込む他は、実施例１と全
く同様にジフェニルカーボネートを精製した。５０時間
後、１００時間後、及び２００時間後に、液抜き出し口
１０９より抜き出される塔頂留出液は、サリチル酸フェ
ニル１重量ｐｐｍ未満のジフェニルカーボネートであっ
た。２００時間後の蒸留塔１０１の塔底液中には、サリ
チル酸フェニルが２９００重量ｐｐｍ、１−フェノキシ
カルボニル−２−フェノキシカルボキシル−フェニレン
（ＰＰＰ）が４１００重量ｐｐｍ含まれていた。サリチ
ル酸フェニルに対するＰＰＰの割合は、重量比で１．４
１である。
【００６２】
【実施例８】図２に示されるような装置で、ジメチルカ
ーボネートとフェノールからジフェニルカーボネートを
製造する反応を行い、反応液を精製してジフェニルカー
ボネートを得た。図２は、（ｉ）ジメチルカーボネート
とフェノールからジフェニルカーボネートを製造するた
めの第１及び第２反応蒸留（それぞれ連続多段蒸留塔１
及び１８を用いて行う。）、(ii)第２反応蒸留の塔底抜
き出し液を精製する第１精製塔３２及び第２精製塔４５
からなっている。
ーボネートとフェノールからジフェニルカーボネートを
製造する反応を行い、反応液を精製してジフェニルカー
ボネートを得た。図２は、（ｉ）ジメチルカーボネート
とフェノールからジフェニルカーボネートを製造するた
めの第１及び第２反応蒸留（それぞれ連続多段蒸留塔１
及び１８を用いて行う。）、(ii)第２反応蒸留の塔底抜
き出し液を精製する第１精製塔３２及び第２精製塔４５
からなっている。
【００６３】運転の初期段階において、フェノール、ジ
メチルカーボネート及び実施例１で製造した鉛触媒を含
む液状混合物を導管４に設けられた導入口（図示しな
い）から供給し、流量２８．８ｋｇ／ｈｒにて導管４か
ら、段数２０のシーブトレーを装着した塔高６ｍの棚段
塔からなる連続多段蒸留塔１の塔頂２から０．５ｍ下の
位置へ供給し、連続多段蒸留塔１内を流下させることに
よって反応を行った。運転の初期段階において導管４か
ら供給された混合物の重量組成は、ジメチルカーボネー
ト：５４．６％、フェノール：４４．６％であり、鉛触
媒はＰｂの濃度として０．４３％だった。さらに、新た
なジメチルカーボネートを、導管８から４２．２ｋｇ／
ｈｒの流量で連続多段蒸留塔１の塔底３に供給した。導
管１６及び導管２５からそれぞれリサイクルされてくる
液状混合物が導管４に導入され始めた時点で、導管４に
設けられた導入口からの液状混合物の供給を停止した。
同時に新たなフェノールを１．８ｋｇ／ｈｒの流量で導
管２６へ供給した。
メチルカーボネート及び実施例１で製造した鉛触媒を含
む液状混合物を導管４に設けられた導入口（図示しな
い）から供給し、流量２８．８ｋｇ／ｈｒにて導管４か
ら、段数２０のシーブトレーを装着した塔高６ｍの棚段
塔からなる連続多段蒸留塔１の塔頂２から０．５ｍ下の
位置へ供給し、連続多段蒸留塔１内を流下させることに
よって反応を行った。運転の初期段階において導管４か
ら供給された混合物の重量組成は、ジメチルカーボネー
ト：５４．６％、フェノール：４４．６％であり、鉛触
媒はＰｂの濃度として０．４３％だった。さらに、新た
なジメチルカーボネートを、導管８から４２．２ｋｇ／
ｈｒの流量で連続多段蒸留塔１の塔底３に供給した。導
管１６及び導管２５からそれぞれリサイクルされてくる
液状混合物が導管４に導入され始めた時点で、導管４に
設けられた導入口からの液状混合物の供給を停止した。
同時に新たなフェノールを１．８ｋｇ／ｈｒの流量で導
管２６へ供給した。
【００６４】連続多段蒸留塔１の反応条件は、塔底温度
は２１０℃、塔頂圧力は１．１ｍＰａ、還流比は０であ
った。連続多段蒸留塔１の塔頂２から留出するガスは導
管５を経て凝縮器６で凝縮され、導管７から反応の副生
物であるメタノールを含む低沸点反応混合物を４２．０
ｋｇ／ｈｒの流量で連続的に抜き出した。連続多段蒸留
塔１の塔底３から連続的に抜き出した反応混合物は導管
１１、１３，リボイラー１４、導管１５を経て２３．６
ｋｇ／ｈｒで蒸発缶１２へ導入された。蒸発によって濃
縮した鉛触媒を含む残留液は蒸発缶１２の底部から導管
１６、４を経て第１連続多段蒸留塔１へ再循環された。
蒸発缶１２からの残留液の一部は導管１３、リボイラー
１４及び導管１５を経て蒸発缶１２へ循環させた。
は２１０℃、塔頂圧力は１．１ｍＰａ、還流比は０であ
った。連続多段蒸留塔１の塔頂２から留出するガスは導
管５を経て凝縮器６で凝縮され、導管７から反応の副生
物であるメタノールを含む低沸点反応混合物を４２．０
ｋｇ／ｈｒの流量で連続的に抜き出した。連続多段蒸留
塔１の塔底３から連続的に抜き出した反応混合物は導管
１１、１３，リボイラー１４、導管１５を経て２３．６
ｋｇ／ｈｒで蒸発缶１２へ導入された。蒸発によって濃
縮した鉛触媒を含む残留液は蒸発缶１２の底部から導管
１６、４を経て第１連続多段蒸留塔１へ再循環された。
蒸発缶１２からの残留液の一部は導管１３、リボイラー
１４及び導管１５を経て蒸発缶１２へ循環させた。
【００６５】蒸発缶１２からメチルフェニルカーボネー
トを含む蒸発物を、２７．７ｋｇ／ｈｒの流量で導管１
７より抜き出し、段数２０のシーブトレーを装着した棚
段塔からなる塔高６ｍの連続多段蒸留塔１８に、塔頂１
９から１．５ｍ下の位置に連続的に供給した。連続多段
蒸留塔に供給されたメチルフェニルカーボネートの大部
分は塔内で液状となり、これが実施例１で製造した鉛触
媒と塔内を流下することによって、反応が行われる。上
記の鉛触媒は、導管３９に設けられたノズル（図示しな
い）より導管５７を経て連続多段蒸留塔に供給される。
尚、鉛触媒は、導管５７中の混合物における鉛濃度が、
０．５重量％に維持されるような量用いた。
トを含む蒸発物を、２７．７ｋｇ／ｈｒの流量で導管１
７より抜き出し、段数２０のシーブトレーを装着した棚
段塔からなる塔高６ｍの連続多段蒸留塔１８に、塔頂１
９から１．５ｍ下の位置に連続的に供給した。連続多段
蒸留塔に供給されたメチルフェニルカーボネートの大部
分は塔内で液状となり、これが実施例１で製造した鉛触
媒と塔内を流下することによって、反応が行われる。上
記の鉛触媒は、導管３９に設けられたノズル（図示しな
い）より導管５７を経て連続多段蒸留塔に供給される。
尚、鉛触媒は、導管５７中の混合物における鉛濃度が、
０．５重量％に維持されるような量用いた。
【００６６】連続多段蒸留塔１８の反応条件は、塔底温
度１９８℃、塔頂圧力３７０００Ｐａ、還流比１．５の
条件であった。連続多段蒸留塔１８の塔頂１９から留出
するジメチルカーボネートを含む低沸点反応混合物は導
管２１を経て凝縮器２２で凝縮された。凝縮液の１部は
導管２３及び２４を経て連続多段蒸留塔１８に還流され
た。残りの凝縮液は導管２３及び２５から連続的に抜き
出され、導管４を経て連続多段蒸留塔１に再循環され
た。連続多段蒸留塔１８の塔底２０はリボイラー２９で
加熱されており、塔底２０から連続的に抜き出された触
媒及びジフェニルカーボネートを含む高沸点反応混合物
は導管２７、３１、３６、３７、リボイラー３５、導管
３８を経て第１精製塔３２の塔底３４へ導入された。
度１９８℃、塔頂圧力３７０００Ｐａ、還流比１．５の
条件であった。連続多段蒸留塔１８の塔頂１９から留出
するジメチルカーボネートを含む低沸点反応混合物は導
管２１を経て凝縮器２２で凝縮された。凝縮液の１部は
導管２３及び２４を経て連続多段蒸留塔１８に還流され
た。残りの凝縮液は導管２３及び２５から連続的に抜き
出され、導管４を経て連続多段蒸留塔１に再循環され
た。連続多段蒸留塔１８の塔底２０はリボイラー２９で
加熱されており、塔底２０から連続的に抜き出された触
媒及びジフェニルカーボネートを含む高沸点反応混合物
は導管２７、３１、３６、３７、リボイラー３５、導管
３８を経て第１精製塔３２の塔底３４へ導入された。
【００６７】第１精製塔３２の運転条件は、塔底温度１
７５℃、塔頂圧力２００Ｐａ、還流比１．５であった。
第１精製塔３２の塔底３４はリボイラー３５で加熱され
ており、塔底３４の液の一部は導管３９、５７を経て連
続多段蒸留塔１８へ循環した。一方、第１精製塔３２の
塔頂３３から留出するメチルフェニルカーボネートとジ
フェニルカーボネートを含む低沸点混合物は導管４０を
経て凝縮器４１で凝縮された。凝縮液の１部は導管４２
及び４３を経て第１精製塔３２に還流された。残りの凝
縮液は導管４４から連続的に抜き出され、第２精製塔４
５に導入された。第２精製塔の塔底４７はリボイラー５
５で加熱されている。一方、第２精製塔４５の塔頂４６
から留出するメチルフェニルカーボネートを含む留分は
導管４８を経て凝縮器４９で凝縮された。凝縮液の１部
は導管５０及び５１を経て第２精製塔４５に還流され
た。残りの凝縮液は導管５２及び５７から連続的に抜き
出され、第１精製塔３２に循環された。第２精製塔の中
段からは、導管５３より精製されたジフェニルカーボネ
ートが２ｋｇ／ｈｒで抜き出された。
７５℃、塔頂圧力２００Ｐａ、還流比１．５であった。
第１精製塔３２の塔底３４はリボイラー３５で加熱され
ており、塔底３４の液の一部は導管３９、５７を経て連
続多段蒸留塔１８へ循環した。一方、第１精製塔３２の
塔頂３３から留出するメチルフェニルカーボネートとジ
フェニルカーボネートを含む低沸点混合物は導管４０を
経て凝縮器４１で凝縮された。凝縮液の１部は導管４２
及び４３を経て第１精製塔３２に還流された。残りの凝
縮液は導管４４から連続的に抜き出され、第２精製塔４
５に導入された。第２精製塔の塔底４７はリボイラー５
５で加熱されている。一方、第２精製塔４５の塔頂４６
から留出するメチルフェニルカーボネートを含む留分は
導管４８を経て凝縮器４９で凝縮された。凝縮液の１部
は導管５０及び５１を経て第２精製塔４５に還流され
た。残りの凝縮液は導管５２及び５７から連続的に抜き
出され、第１精製塔３２に循環された。第２精製塔の中
段からは、導管５３より精製されたジフェニルカーボネ
ートが２ｋｇ／ｈｒで抜き出された。
【００６８】ここで、連続多段蒸留塔１８の塔底２０か
ら抜き出される触媒及びジフェニルカーボネートを含む
高沸点混合物の抜き出し流量は４ｋｇ／ｈｒであり、高
沸点混合物中のサリチル酸フェニル濃度は３０００重量
ｐｐｍ、フェノール濃度は０．５％であった。第１精製
塔３２の塔底液中には、鉛触媒が鉛ベースで１００００
ｐｐｍ含まれており、サリチル酸フェニル２４００重量
ｐｐｍ、ＰＰＰ２８００重量ｐｐｍであった。サリチル
酸フェニルに対するＰＰＰの割合は、重量比で１．１７
である。導管５３から抜き出されたジフェニルカーボネ
ート中のサリチル酸フェニルは１重量ｐｐｍ未満であ
り、ジフェニルカーボネートの純度は、９９．９９９％
であった。
ら抜き出される触媒及びジフェニルカーボネートを含む
高沸点混合物の抜き出し流量は４ｋｇ／ｈｒであり、高
沸点混合物中のサリチル酸フェニル濃度は３０００重量
ｐｐｍ、フェノール濃度は０．５％であった。第１精製
塔３２の塔底液中には、鉛触媒が鉛ベースで１００００
ｐｐｍ含まれており、サリチル酸フェニル２４００重量
ｐｐｍ、ＰＰＰ２８００重量ｐｐｍであった。サリチル
酸フェニルに対するＰＰＰの割合は、重量比で１．１７
である。導管５３から抜き出されたジフェニルカーボネ
ート中のサリチル酸フェニルは１重量ｐｐｍ未満であ
り、ジフェニルカーボネートの純度は、９９．９９９％
であった。
【００６９】
【比較例３】連続多段蒸留塔１８の塔底２０から抜き出
される触媒及びジフェニルカーボネートを含む高沸点混
合物の抜き出し流量を５ｋｇ／ｈｒとする他は、実施例
８と全く同様にジメチルカーボネートとフェノールから
ジフェニルカーボネートを製造する反応を行い、反応液
を精製してジフェニルカーボネートを得た。高沸点混合
物中のサリチル酸フェニル濃度は６５０重量ｐｐｍ、フ
ェノール濃度は６．０％であった。第１精製塔３２の塔
底液中には、鉛触媒が鉛ベースで１００００ｐｐｍ含ま
れており、サリチル酸フェニル２４００重量ｐｐｍ、Ｐ
ＰＰ２００重量ｐｐｍであった。サリチル酸フェニルに
対するＰＰＰの割合は、重量比で０．０８である。導管
５３から抜き出されたジフェニルカーボネート中のサリ
チル酸フェニルは４００重量ｐｐｍであった。
される触媒及びジフェニルカーボネートを含む高沸点混
合物の抜き出し流量を５ｋｇ／ｈｒとする他は、実施例
８と全く同様にジメチルカーボネートとフェノールから
ジフェニルカーボネートを製造する反応を行い、反応液
を精製してジフェニルカーボネートを得た。高沸点混合
物中のサリチル酸フェニル濃度は６５０重量ｐｐｍ、フ
ェノール濃度は６．０％であった。第１精製塔３２の塔
底液中には、鉛触媒が鉛ベースで１００００ｐｐｍ含ま
れており、サリチル酸フェニル２４００重量ｐｐｍ、Ｐ
ＰＰ２００重量ｐｐｍであった。サリチル酸フェニルに
対するＰＰＰの割合は、重量比で０．０８である。導管
５３から抜き出されたジフェニルカーボネート中のサリ
チル酸フェニルは４００重量ｐｐｍであった。
【００７０】
【実施例９】実施例８で得たジフェニルカーボネート２
３５ｇとビスフェノールＡ２２８ｇを攪拌装置を備えた
真空反応装置に入れ、窒素ガスで置換しながら１８０℃
から２２０℃まで徐々に温度を上げながら攪拌した。つ
いで密閉し、１００ｒｐｍで攪拌しながら８０００Ｐａ
で３０分、４０００Ｐａで９０分重合させた。その後、
２７０℃まで昇温し、７０Ｐａで１時間重合させた。得
られた芳香族ポリカーボネートのカラーは無色透明で良
好であり、数平均分子量は１０２００であった。
３５ｇとビスフェノールＡ２２８ｇを攪拌装置を備えた
真空反応装置に入れ、窒素ガスで置換しながら１８０℃
から２２０℃まで徐々に温度を上げながら攪拌した。つ
いで密閉し、１００ｒｐｍで攪拌しながら８０００Ｐａ
で３０分、４０００Ｐａで９０分重合させた。その後、
２７０℃まで昇温し、７０Ｐａで１時間重合させた。得
られた芳香族ポリカーボネートのカラーは無色透明で良
好であり、数平均分子量は１０２００であった。
【００７１】
【比較例４】比較例３で得たジフェニルカーボネートを
用いる他は実施例９と全く同様に芳香族ポリカーボネー
トを製造した。得られた芳香族ポリカーボネートは黄色
着色しており、数平均分子量は８８００であった。
用いる他は実施例９と全く同様に芳香族ポリカーボネー
トを製造した。得られた芳香族ポリカーボネートは黄色
着色しており、数平均分子量は８８００であった。
【００７２】
【表１】
【００７３】
【発明の効果】本発明の方法により、高純度のジアリー
ルカーボネートを、塩基性物質を中和剤として用いるこ
となく、不純物を吸着した充填剤の交換や再生操作もな
く、蒸留のような簡単な操作によって得ることが可能と
なり、該ジアリールカーボネートはエステル交換法芳香
族ポリカーボネートに有用である。
ルカーボネートを、塩基性物質を中和剤として用いるこ
となく、不純物を吸着した充填剤の交換や再生操作もな
く、蒸留のような簡単な操作によって得ることが可能と
なり、該ジアリールカーボネートはエステル交換法芳香
族ポリカーボネートに有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示すプロセス図である。
【図２】本発明の一実施例を示すプロセス図である。
１、１８ 連続多段蒸留塔 ２、１９ 連続多段蒸留塔の塔頂部 ３、２０ 連続多段蒸留塔の塔底 ４、５、７，８、１０、１１、１３、１５、１６、１
７、２１，２３、２４、２５、２６、２７、２８、３
０、３１、３６、３７、３８、３９、４０、４２、４
３、４４、４８、５０、５１、５２、５３、５４、５
６、１０８ 導管 ６、２２、４１、４９、１０６ 凝縮器 ９ 予熱器 １２ 蒸発缶 １４、２９、３５、５５ リボイラー ３２ 第１精製塔 ３３ 第１精製塔の塔頂 ３４ 第１精製塔の塔底 ４５ 第２精製塔 ４６ 第２精製塔の塔頂 ４７ 第２精製塔の塔底 １０１ 蒸留塔 １０２ 塔底部 １０３ コイル １０４ 充填層部 １０５ 塔頂部 １０７ 気液分離器 １０９ 液抜き出し口 １１０ 真空ポンプ １１１ 液供給口
７、２１，２３、２４、２５、２６、２７、２８、３
０、３１、３６、３７、３８、３９、４０、４２、４
３、４４、４８、５０、５１、５２、５３、５４、５
６、１０８ 導管 ６、２２、４１、４９、１０６ 凝縮器 ９ 予熱器 １２ 蒸発缶 １４、２９、３５、５５ リボイラー ３２ 第１精製塔 ３３ 第１精製塔の塔頂 ３４ 第１精製塔の塔底 ４５ 第２精製塔 ４６ 第２精製塔の塔頂 ４７ 第２精製塔の塔底 １０１ 蒸留塔 １０２ 塔底部 １０３ コイル １０４ 充填層部 １０５ 塔頂部 １０７ 気液分離器 １０９ 液抜き出し口 １１０ 真空ポンプ １１１ 液供給口
Claims (5)
- 【請求項１】 アリーロキシカルボニル−（ヒドロキ
シ）−アレーンとジアリールカーボネートを含有する混
合物からジアリールカーボネートを精製するにあたり、
該混合物を触媒の存在下で加熱し、該混合物中のアリー
ロキシカルボニル−（ヒドロキシ）−アレーンに対する
アリーロキシカルボニル−（アリーロキシカルボキシ
ル）−アレーンの割合を重量比で０．１以上として、蒸
留精製することを特徴とするジアリールカーボネートの
精製法。 - 【請求項２】 アリーロキシカルボニル−（ヒドロキ
シ）−アレーンとジアリールカーボネートを含有する混
合物が、該アリーロキシカルボニル−（ヒドロキシ）−
アレーン以外の芳香族モノヒドロキシ化合物を５重量％
を超えて含有しないことを特徴とする請求項１記載のジ
アリールカーボネートの精製法。 - 【請求項３】 アリーロキシカルボニル−（ヒドロキ
シ）−アレーンとジアリールカーボネートを含有する混
合物が、ジアルキルカーボネートと芳香族モノヒドロキ
シ化合物からジアリールカーボネートを製造する際に用
いる反応器の抜き出し液であることを特徴とする請求項
１又は２記載のジアリールカーボネートの精製法。 - 【請求項４】 ジアルキルカーボネートと芳香族モノヒ
ドロキシ化合物からジアリールカーボネートを製造する
際に用いる反応器が、連続多段蒸留塔であることを特徴
とする請求項３記載のジアリールカーボネートの精製
法。 - 【請求項５】 請求項１、２、３又は４記載のジアリー
ルカーボネートの精製法で精製したジアリールカーボネ
ートを用い、エステル交換法で芳香族ポリカーボネート
製造することを特徴とする芳香族ポリカーボネートの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20899197A JP4097306B2 (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | ジアリールカーボネートの精製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20899197A JP4097306B2 (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | ジアリールカーボネートの精製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1149727A true JPH1149727A (ja) | 1999-02-23 |
| JP4097306B2 JP4097306B2 (ja) | 2008-06-11 |
Family
ID=16565525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20899197A Expired - Lifetime JP4097306B2 (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | ジアリールカーボネートの精製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4097306B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002037878A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-02-06 | Asahi Kasei Corp | 芳香族ポリカーボネートの製造法 |
| JP2002037871A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-02-06 | Asahi Kasei Corp | 芳香族ポリカーボネートの製造法 |
| JP2002037877A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-02-06 | Asahi Kasei Corp | 芳香族ポリカーボネートの製造法 |
| JP2002053656A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-19 | Asahi Kasei Corp | 芳香族ポリカーボネートの製造法 |
| JP2002053654A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-19 | Asahi Kasei Corp | 芳香族ポリカーボネートの製造法 |
| JP2002060479A (ja) * | 2000-08-16 | 2002-02-26 | Asahi Kasei Corp | 芳香族ポリカーボネートの製造法 |
| JP2002060478A (ja) * | 2000-08-16 | 2002-02-26 | Asahi Kasei Corp | 芳香族ポリカーボネートの製造法 |
| JP2011241179A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Taoka Chem Co Ltd | 高透明性９，９−ビス（４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル）フルオレン及びその製造法 |
| WO2023068288A1 (ja) * | 2021-10-21 | 2023-04-27 | 旭化成株式会社 | ジフェニルカーボネートの製造方法 |
-
1997
- 1997-08-04 JP JP20899197A patent/JP4097306B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002037878A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-02-06 | Asahi Kasei Corp | 芳香族ポリカーボネートの製造法 |
| JP2002037871A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-02-06 | Asahi Kasei Corp | 芳香族ポリカーボネートの製造法 |
| JP2002037877A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-02-06 | Asahi Kasei Corp | 芳香族ポリカーボネートの製造法 |
| JP2002053656A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-19 | Asahi Kasei Corp | 芳香族ポリカーボネートの製造法 |
| JP2002053654A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-19 | Asahi Kasei Corp | 芳香族ポリカーボネートの製造法 |
| JP2002060479A (ja) * | 2000-08-16 | 2002-02-26 | Asahi Kasei Corp | 芳香族ポリカーボネートの製造法 |
| JP2002060478A (ja) * | 2000-08-16 | 2002-02-26 | Asahi Kasei Corp | 芳香族ポリカーボネートの製造法 |
| JP2011241179A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Taoka Chem Co Ltd | 高透明性９，９−ビス（４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル）フルオレン及びその製造法 |
| WO2023068288A1 (ja) * | 2021-10-21 | 2023-04-27 | 旭化成株式会社 | ジフェニルカーボネートの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4097306B2 (ja) | 2008-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5210268A (en) | Process for continuously producing an aromatic carbonate | |
| JP4224103B2 (ja) | 芳香族カーボネート類を工業的に製造する方法 | |
| JP4166258B2 (ja) | 芳香族カーボネートの工業的製造法 | |
| JP4224104B2 (ja) | 芳香族カーボネート類を工業的に製造する方法 | |
| US7812189B2 (en) | Industrial process for production of high-purity diphenyl carbonate | |
| EP1775280B1 (en) | Industrial process for producing aromatic carbonate | |
| JP4174540B2 (ja) | 副生アルコール類の工業的分離方法 | |
| JP3846926B2 (ja) | 芳香族カーボネートの連続的製造方法 | |
| JP4224511B2 (ja) | 芳香族カーボネート類を工業的に製造する方法 | |
| JP4174541B2 (ja) | 副生アルコール類を工業的に分離する方法 | |
| US20070260095A1 (en) | Process for the Industrial Production of Aromatic Carbonate | |
| JPH03291257A (ja) | 芳香族カーボネート類の連続的製造法 | |
| KR19990029015A (ko) | 방향족 카르보네이트의 제조 방법 | |
| JPH0791234B2 (ja) | 芳香族カーボネートの連続的製造法 | |
| US20080223711A1 (en) | Industrial Process for Production of Aromatic Carbonate | |
| JPH0791235B2 (ja) | ジアリールカーボネートの連続的製造方法 | |
| JPH0768182B2 (ja) | ジアリールカーボネートの連続的製造法 | |
| JP4097306B2 (ja) | ジアリールカーボネートの精製法 | |
| US5834615A (en) | Process for producing diaryl carbonate | |
| JP5014787B2 (ja) | 芳香族カーボネートの製造方法 | |
| JPH0772158B2 (ja) | ジアリールカーボネートの連続的製造方法 | |
| JPH0768179B2 (ja) | ジアリールカーボネート類の連続的製造方法 | |
| JPH06157410A (ja) | 芳香族カ−ボネ−ト類の連続的製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040617 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070313 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070508 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070703 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070824 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071120 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20071220 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080117 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080117 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080218 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080306 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080311 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110321 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110321 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110321 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110321 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120321 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120321 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130321 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140321 Year of fee payment: 6 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |