JPH1144889A - アラインメントマーク付き液晶パネル基板、その製造方法、および液晶表示パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 透明電極と同一の材料から成り、共通な形成
工程を含んで形成され、透明でありながら目視あるいは
画像認識による識別性が優れたアラインメントマークを
有する液晶パネル基板を提供する。 【解決手段】 基板７０上に形成された透明電極１８お
よびアラインメントマーク１４を有する液晶パネル基板
１０である。この液晶パネル基板１０のアラインメント
マーク１４は、基板７０上に膜形成された透明電極１８
と同一材料から成り、透明電極１８より薄い膜厚で基板
７０上に膜形成されている。また、このアラインメント
マーク１４を有する液晶パネル基板１０の部分は、アラ
インメントマーク１４または透明電極１８が膜形成され
ていない液晶パネル基板１０の他の部分より高い反射率
を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アラインメントマ
ーク付き液晶パネル基板、その製造方法、および液晶表
示パネルに関する。

【０００２】

【背景技術および発明が解決しようとする課題】近年、
液晶表示パネルの大型化および高精細化にともない、液
晶表示パネルを構成する液晶パネル基板上に形成される
透明電極は、引き回しが長くなるとともに線幅が細くな
る傾向にある。そのため、従来の厚さ（面積抵抗）の透
明電極を用いたのでは、透明電極に電流が流れる間の電
圧降下が大きくなってしまうという問題が発生する。

【０００３】そこで、透明電極の長さあたりの抵抗を極
力小さくするため、厚さの厚い（面積抵抗の小さい）透
明電極を用いることが行われている。

【０００４】また、液晶パネル基板を貼り合わせて液晶
表示パネルを組み立てる際や、液晶表示パネルに接続基
板やＴＡＢ基板等を取り付ける際の位置合わせのために
用いられるアラインメントマークとして、透明電極と同
一の材料を用い、透明電極と同時に形成可能なアライン
メントマークが使われることが多い。このようなアライ
ンメントマークは、ほぼ透明であるため目立たず、しか
も適度な視認性を持っていた。

【０００５】ところが、前述したように、面積抵抗を低
下させるために透明電極の膜厚を厚くすると、同時に形
成されるアラインメントマークの膜厚も厚くなり、アラ
インメントマークが膜形成された基板部分と、アライン
メントマークの周囲の膜形成がない基板部分との反射率
差が小さくなり、アラインメントマークを目視あるいは
画像認識によって識別することが困難となり、アライン
メントマークとしての利用が難しくなるという問題が発
生している。

【０００６】本発明は、上記のような問題点に鑑みてな
されたものであって、その目的は、透明電極と同一の材
料から成り、共通な形成工程を含んで形成され、目視あ
るいは画像認識による識別性が優れたアラインメントマ
ークを有する液晶パネル基板、その製造方法、および液
晶表示パネルを提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明に
係るアラインメントマーク付き液晶パネル基板は、基板
上に膜形成された透明電極およびアラインメントマーク
を有する液晶パネル基板であって、前記アラインメント
マークは前記透明電極と同一材料からなり、前記アライ
ンメントマークが膜形成されている基板部分と、前記透
明電極または前記アラインメントマークが膜形成されて
いない他の基板部分との反射率差が、０．０５％以上で
あることを特徴とする。

【０００８】請求項１に記載の発明によれば、基板上の
アラインメントマークが、透明電極と同一材料で形成さ
れているため、透明電極と同時の膜形成により形成する
ことができる。しかも透明電極と同一の透明な材料でア
ラインメントマークが形成されているため、目立たない
アラインメントマークを有する液晶パネル基板となる。

【０００９】また、アラインメントマークを有する液晶
パネル基板の部分と、アラインメントマークまたは透明
電極が膜形成されていない、液晶パネル基板の他の部分
との反射率差が０．０５％以上あるため、透明でありな
がら目視あるいは画像認識による識別性に優れたアライ
ンメントマークを有する液晶パネル基板となる。

【００１０】さらに好ましくは、アラインメントマーク
が膜形成された基板部分と、アラインメントマークまた
は透明電極の膜形成がされていない基板部分との反射率
差が、極大値あるいはその近傍であるアラインメントマ
ークであるとよい。これによって、透明であるにも拘わ
らず、目視あるいは画像認識による識別性が特に優れた
アラインメントマークを有する液晶パネル基板となる。

【００１１】請求項２に記載の発明に係るアラインメン
トマーク付き液晶パネル基板は、基板上に膜形成された
透明電極およびアラインメントマークを有する液晶パネ
ル基板であって、前記透明電極および前記アラインメン
トマークは、前記基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）
膜として形成され、前記アラインメントマークの膜厚
は、１１０ｎｍ以下であることを特徴とする。

【００１２】請求項２に記載の発明によれば、アライン
メントマークを１１０ｎｍ以下の膜厚のＩＴＯ膜とする
ことによって、アラインメントマークを有する液晶パネ
ル基板の部分と、透明電極またはアラインメントマーク
が膜形成されていない液晶パネル基板の他の部分すなわ
ちアラインメントマークの周囲との間の十分な反射率差
が得られ、透明でありながら目視あるいは画像認識によ
る識別性が優れたアラインメントマークを有する液晶パ
ネル基板となる。

【００１３】また、基板上のアラインメントマークおよ
び透明電極のいずれもがＩＴＯ膜で形成されているた
め、アラインメントマークおよび透明電極を同時の膜形
成により形成することができる。しかも、ＩＴＯ膜は透
明であるため、目立たないアラインメントマークを有す
る液晶パネル基板となる。

【００１４】請求項３に記載の発明に係る液晶表示パネ
ルは、請求項１または請求項２に記載の液晶パネル基板
を有することを特徴とする。

【００１５】請求項３に記載の発明によれば、請求項１
または請求項２に記載の発明についての、前述の作用効
果を有する液晶表示パネルを得ることができる。

【００１６】請求項４に記載の発明に係るアラインメン
トマーク付き液晶パネル基板の製造方法は、基板上に膜
形成された透明電極およびアラインメントマークを有す
る液晶パネル基板の製造方法であって、前記アラインメ
ントマークおよび前記透明電極を、膜厚が１３０ｎｍな
いし１８０ｎｍのＩＴＯ膜として形成するＩＴＯ膜形成
工程と、前記アラインメントマークを、厚さ方向の途中
までエッチングし、膜厚が１１０ｎｍ以下のＩＴＯ膜と
するエッチング工程と、を有することを特徴とする。

【００１７】請求項４に記載の発明によれば、ＩＴＯ膜
形成工程が透明電極の形成工程と共通な工程であるた
め、透明電極を形成する工程を利用してアラインメント
マークを効率的に形成することができる。

【００１８】また、エッチング工程においては、透明電
極より大幅に表面積の小さいアラインメントマークの部
分のＩＴＯ膜のみがエッチングされるため、エッチング
によるＩＴＯの無駄が少ないアラインメントマーク付き
液晶パネル基板の製造方法となる。

【００１９】さらに、エッチング工程においては、厳密
な厚さ精度の確保が困難なエッチングはアラインメント
マークのＩＴＯ膜に対してのみ行われ、透明電極のＩＴ
Ｏ膜はエッチングされないため、透明電極の厚さ精度の
劣化による表示品質の低下を招くことがないアラインメ
ントマーク付き液晶パネル基板の製造方法となる。

【００２０】また、透明電極は、膜厚が１３０ｎｍない
し１８０ｎｍのＩＴＯ膜として形成され、透明電極の周
囲のＩＴＯ膜が形成されていない基板部分との反射率差
が非常に小さいため、透明電極の存在が視認されること
は殆どない液晶パネル基板の製造方法となる。しかも、
透明電極の面積抵抗は十分に小さな値となる。

【００２１】そして、アラインメントマークとなるＩＴ
Ｏ膜は、エッチング工程においてエッチングされて、１
１０ｎｍ以下の膜厚となるため、ＩＴＯ膜が形成されて
いない基板部分すなわちアラインメントマークの周囲と
の十分な反射率差が確保され、透明であるにも拘わら
ず、視認性が高く、画像認識可能なアラインメントマー
クを有する液晶パネル基板を製造することができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて、図面を参照しながら、さらに具体的に説明す
る。

【００２３】本実施形態の液晶パネル基板１０は、複数
の液晶パネル基板の大きさを持つガラス製の基板７０上
に透明電極１８およびアラインメントマーク１４を膜形
成し、その後、液晶パネル基板１０の個々の大きさに切
断されて形成される。図１は、この基板７０上に形成さ
れる各アラインメントマーク１４の位置を小さな四角形
として示す模式的な平面図である。また、図２は、図１
において円Ｅで囲まれた部分の拡大平面図である。そし
て、図４（Ｄ）は、図２の線Ｓ−Ｓに沿った液晶パネル
基板１０の模式的な断面図である。これらの図に示すよ
うに、液晶パネル基板１０は、基板７０上に透明電極１
８およびアラインメントマーク１４をＩＴＯ膜で形成
し、所定の大きさに分割して形成される。

【００２４】本実施形態の透明電極１８およびアライン
メントマーク１４は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜に
よって形成されている。図５は、本実施形態の液晶パネ
ル基板１０について、人が最も敏感に感じる帯域の可視
光である波長５５０ｎｍの光におけるＩＴＯ膜がある基
板部分とＩＴＯ膜がない基板部分との反射率差を、ＩＴ
Ｏ膜厚の関数として示すグラフである。このグラフか
ら、ＩＴＯ膜が形成された液晶パネル基板１０の部分
は、ＩＴＯ膜が形成されていない液晶パネル基板１０の
他の部分との反射率差が０．０５以上となるように形成
できることがわかる。本実施形態のアラインメントマー
ク１４が形成された液晶パネル基板１０の部分は、ＩＴ
Ｏ膜が形成されていない液晶パネル基板１０の他の部分
との反射率差が０．０５以上となる膜厚で形成されてい
る。

【００２５】このように、本実施形態の液晶パネル基板
１０は、アラインメントマーク１４が形成された液晶パ
ネル基板１０の部分と、ＩＴＯ膜がない液晶パネル基板
１０の他の部分との反射率差を０．０５％以上確保する
ことによって、透明でありながら目視および画像認識に
よる識別が容易なアラインメントマーク１４を有する液
晶パネル基板１０となっている。

【００２６】また、図４（Ｄ）から明らかなように、ア
ラインメントマーク１４のＩＴＯ膜厚は、透明電極１８
のＩＴＯ膜厚より薄い。具体的には、本実施形態のアラ
インメントマーク１４のＩＴＯ膜厚は１１０ｎｍ以下で
あり、透明電極１８のＩＴＯ膜厚は１３０ｎｍないし１
８０ｎｍである。なお、この膜厚において、透明電極１
８の面積抵抗は８Ω／□程度であり、透明電極１８は低
抵抗のＩＴＯ膜２６となる。

【００２７】本実施形態のアラインメントマーク１４の
ＩＴＯ膜厚すなわち１１０ｎｍ以下の膜厚では、図５か
ら明らかなように、アラインメントマーク１４が形成さ
れた液晶パネル基板１０の部分と、ＩＴＯ膜がない液晶
パネル基板１０の他の部分との反射率差が０．０５％以
上であるため、本実施形態のアラインメントマーク１４
は、目視による視認性に優れている。また、可視領域の
光を用いた画像認識によってもアラインメントマーク１
４を容易に認識することができる。なお、本実施形態の
アラインメントマークのＩＴＯ膜厚は、加工精度の関連
すなわちエッチングによって膜がなくなってしまう部分
が発生したりしないようにするため、５０ｎｍ以上とい
う制限が加わり、通常５０ｎｍないし１１０ｎｍの膜厚
とされる。

【００２８】このように、本実施形態の液晶パネル基板
１０は、アラインメントマーク１４のＩＴＯ膜厚を１１
０ｎｍ以下とすることによって、アラインメントマーク
１４が形成された液晶パネル基板１０の部分と、ＩＴＯ
膜がない液晶パネル基板１０の部分の反射率差を０．０
５％以上確保することができ、透明でありながら目視お
よび画像認識による識別が容易なアラインメントマーク
１４を有する液晶パネル基板１０となっている。

【００２９】さらに好ましくは、本実施形態の液晶パネ
ル基板１０は、アラインメントマークを、膜厚が６０ｎ
ｍないし１００ｎｍの範囲内のＩＴＯ膜とする。これに
よって、ＩＴＯ膜が形成されていない部分の液晶パネル
基板１０より反射率が０．０７％以上高くなるため、目
視あるいは画像認識による識別性がさらに高いアライン
メントマークとなる。

【００３０】また、図５に示すように、本実施形態の液
晶パネル基板１０は、ＩＴＯ膜厚が、２００ｎｍないし
２６０ｎｍであっても、ＩＴＯがない部分との反射率差
は０．０５％以上となる。したがって、本実施形態の変
形例として、アラインメントマーク１４をこの範囲内の
ＩＴＯ膜厚とした場合でも、目視による視認性、および
画像認識の容易なアラインメントマーク１４となる。な
お、この場合には、アラインメントマーク１４の膜厚が
透明電極１８の膜厚より厚いことになる。

【００３１】本実施形態の透明電極１８は、ＩＴＯの膜
厚が１３０ｎｍないし１８０ｎｍであるため、ＩＴＯ膜
がある液晶パネル基板１０の部分とＩＴＯ膜がない液晶
パネル基板１０の部分との反射率差は、０．０３％以下
であり、目視によって殆ど見えない透明電極１８とな
る。

【００３２】さらに好ましくは、本実施形態の液晶パネ
ル基板１０は、透明電極１８のＩＴＯ膜厚が、１５０ｎ
ｍないし１７０ｎｍである。この場合、本実施形態の液
晶パネル基板１０は、透明電極１８の部分と、ＩＴＯ膜
がない部分との反射率差が０．００５％以下となり、目
視によってはまず見えることのない透明電極を有する液
晶パネル基板１０となる。

【００３３】さらに、本実施形態の液晶パネル基板１０
は、基板７０上のアラインメントマーク１４が、透明電
極１８と同一材料で形成されているため、透明電極１８
と同時の膜形成により形成することができる。しかも、
透明電極１８と同一の透明材料でアラインメントマーク
１４が形成されてるため、目立たないアラインメントマ
ーク１４を有する液晶パネル基板１０となる。

【００３４】次に、本実施形態のアラインメントマーク
付きの液晶パネル基板１０の製造方法について説明す
る。

【００３５】液晶パネル基板１０は、アラインメントマ
ーク１４となるＩＴＯ膜２２を透明電極１８のＩＴＯ膜
２６と同じ厚さで形成するＩＴＯ膜形成工程と、アライ
ンメントマーク１４となる部分のＩＴＯ膜２２をエッチ
ングして透明電極１８の部分のＩＴＯ膜２６より薄いＩ
ＴＯ膜２２とするエッチング工程を含んで製造される。

【００３６】まず、ＩＴＯ膜形成工程においては、図２
のＳ−Ｓ線に沿った部分に対応する断面図として、図３
（Ａ）〜（Ｅ）に示した工程にしたがって、アラインメ
ントマーク１４となる部分のＩＴＯ膜２２が透明電極１
８となるＩＴＯ膜２６と共に形成される。

【００３７】具体的には、最初に、図３（Ａ）に示すよ
うに、スパッタリングによってガラス基板の一方の全面
にＩＴＯ膜７４を、１３０ｎｍないし１８０ｎｍの膜厚
で形成する。

【００３８】次に、図３（Ｂ）に示すように、ＩＴＯ膜
７４を均一に覆うレジスト膜を、ロールコータまたはス
ピンコータを用いて形成する。

【００３９】そして、透明電極１８のパターン形状およ
びアラインメントマーク１４の形状に対応したマスクを
用いてレジスト膜を露光し、現像して、洗浄することに
よって、図３（Ｃ）に示すように、透明電極１８のパタ
ーン形状およびアラインメントマーク１４の形状に対応
したレジスト膜７８が残った状態とする。

【００４０】次いで、ウエットエッチングまたはドライ
エッチングによって、図３（Ｄ）に示すように、透明電
極１８およびアラインメントマーク１４の形状に対応し
たＩＴＯ膜２２，２６を残して、ＩＴＯ膜をエッチング
する。

【００４１】そして、アッシング等によって、ＩＴＯ膜
２２，２６上に残っているレジストを除去することによ
って、図３（Ｅ）に示した断面形状のように、アライン
メントマーク１４となるＩＴＯ膜２２と、透明電極１８
となるＩＴＯ膜２６とが同じ厚さで形成されて、ＩＴＯ
膜形成工程が終了する。

【００４２】エッチング工程においては、図４（Ａ）〜
（Ｄ）に示した工程にしたがって、アラインメントマー
ク１４となる部分のＩＴＯ膜２２の膜厚を所定の厚さま
で薄くする。

【００４３】具体的には、まず、前述のＩＴＯ膜形成工
程において形成されたＩＴＯ膜２２，２６を含む基板７
０の一方の全面をレジスト膜で覆い、図４（Ａ）に模式
的な断面図として示した状態とする。

【００４４】次に、露光、現像、および洗浄のプロセス
を経て、図４（Ｂ）に示したように、アラインメントマ
ーク１４の上面のみレジスト膜を除去する。

【００４５】次いで、ウエットエッチングまたはドライ
エッチングによって、アラインメントマーク１４となる
部分のＩＴＯ膜２２の膜厚が１１０ｎｍ以下となるまで
エッチング（ハーフエッチング）することによって、図
４（Ｃ）に断面図として示した状態とする。なお、本実
施形態のアラインメントマークのＩＴＯ膜厚は、加工精
度の関連すなわちエッチングによって膜がなくなってし
まう部分が発生したりしないようにするため、５０ｎｍ
以上という制限が加わり、通常５０ｎｍないし１１０ｎ
ｍの膜厚とされる。

【００４６】そして、アッシング等によってレジスト膜
を取り除くと、図４（Ｄ）に模式的な断面図として示し
たようにアラインメントマーク１４および透明電極１８
が形成される。そして、個々の液晶パネル基板１０の大
きさに切断することによって、本実施形態のアラインメ
ントマーク１４を有する液晶パネル基板１０が完成す
る。

【００４７】本実施形態の液晶パネル基板１０の製造方
法によれば、前述したＩＴＯ膜形成工程が、従来の透明
電極の形成工程と共通な工程であり、透明電極１８とな
るＩＴＯ膜２６とアラインメントマーク１４となるＩＴ
Ｏ膜２２とを同時に形成することが可能であるため、透
明電極１８を形成する工程を利用してアラインメントマ
ーク１４を効率的に形成することができる。

【００４８】また、前述のエッチング工程においては、
透明電極１８の部分より大幅に表面積の小さいアライン
メントマーク１４の部分のみをエッチングして、透明電
極１８の部分とアラインメントマーク１４の部分との間
に膜厚差を生じさせているため、ＩＴＯの無駄が少ない
アラインメントマーク付き液晶パネル基板の製造方法と
なる。

【００４９】さらに、前述のエッチング工程において
は、厳密な厚さ精度の確保が困難なエッチングは、アラ
インメントマーク１４となるＩＴＯ膜２２に対してのみ
行われ、透明電極１８となるＩＴＯ膜２６はエッチング
されないため、透明電極１８の厚さ精度の劣化による表
示品質の低下を招くことがない液晶パネル基板１０の製
造方法となる。

【００５０】また、透明電極１８は、膜厚が１３０ｎｍ
ないし１８０ｎｍのＩＴＯ膜として形成され、透明電極
の周囲のＩＴＯ膜が形成されていない基板部分との反射
率差が非常に小さいため、透明電極の存在が視認される
ことは殆どない液晶パネル基板の製造方法となる。しか
も、透明電極の面積抵抗は十分に小さな値となる。

【００５１】そして、アラインメントマーク１４となる
ＩＴＯ膜２２は、エッチング工程においてエッチングさ
れて、１１０ｎｍ以下の膜厚となるため、図５を示して
前述したように、ＩＴＯ膜が形成されていない基板部分
すなわちアラインメントマーク１４の周囲との十分な反
射率差が確保され、透明であるにも拘わらず、視認性が
高く、画像認識可能なアラインメントマーク１４を有す
る液晶パネル基板１０が得られる。

【００５２】上述のようにしてアラインメントマーク１
４および透明電極１８を含んで形成された液晶パネル基
板１０を用いて、図６に模式的な断面図として示した本
実施形態の液晶表示パネル４０は、下記のようにして製
造される。この製造は、印刷、組立、液晶注入、そして
偏光板および反射板貼付の各工程を含んで行われる。

【００５３】印刷工程では、一対の液晶パネル基板１
０，１０の対向して配置される各面に配向膜４２を印刷
する。そして、対向する配向膜４２間の距離を一定に保
つためのスペーサ４４を片側の液晶パネル基板１０上に
分散させて配置し、焼成する。そして、配向膜４２を布
等でこするラビングを行い、配向膜４２に配向性を持た
せる。

【００５４】組立工程では、まず、片側の液晶パネル基
板１０の周囲にシール材４６を印刷する。そして、２枚
の液晶パネル基板１０をアラインメントマーク１４を利
用して位置合わせして貼り合わせ、シール材４６を熱や
紫外線によって硬化させる。

【００５５】次工程である液晶４８の注入工程では、液
晶パネル基板１０，１０間の空の空間を注入口（図示せ
ず）を下にして、下部に液晶貯めがある容器（図示せ
ず）内の液晶から離した位置に置き、その容器内を真空
引きする。その後、注入口を液晶貯めに入れた状態で、
容器内を大気圧に戻す。すると、圧力差と毛細管現象と
によって、液晶が液晶パネル基板の間の空間内に充填さ
れる。そして、注入口を封止する。

【００５６】次の、偏光板貼付工程では、液晶パネル基
板１０，１０の外面に偏光板５０を貼付する。そして、
反射型液晶表示パネルとする場合は、さらに、一方の偏
光板５０の外面に反射板５２を貼付する。

【００５７】上述のような各工程を経て、本実施形態の
液晶表示パネル４０が完成する。

【００５８】本実施形態の液晶表示パネル４０の製造方
法によれば、前述したような特徴を持つ液晶パネル基板
１０を有する液晶表示パネル４０を得ることができる。
また、アラインメントマーク１４を一方の液晶パネル基
板１０の対向する液晶パネル基板１０のない部分に設け
ることによって、接続基板やＴＡＢ基板等を液晶表示パ
ネル４０に接続する際に、目視あるいは画像認識によっ
て容易にアラインメントマーク１４を識別することがで
きるため、効率よく接続基板やＴＡＢ基板を接続するこ
とが可能な液晶表示パネル４０となる。

【００５９】以上、本発明の実施形態を説明したが、本
発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、本
発明の要旨の範囲内または特許請求の範囲の均等範囲内
で各種の変形実施が可能である。

【００６０】例えば、上記実施形態では、ＩＴＯ膜から
成るアラインメントマークおよび透明電極をガラス製の
基板の一面上に形成した液晶パネル基板の例を示した
が、ＩＴＯ膜から成るアラインメントマークおよび透明
電極をプラスチック製の基板上に形成した液晶パネル基
板としてもよい。

【００６１】また、上記実施形態では、透明電極および
アラインメントマークがＩＴＯ膜で形成される例を示し
たが、酸化インジウムや酸化スズ等の導電性の透明膜で
形成してもよい。その場合、透明電極およびアラインメ
ントマークの好ましい膜厚は、ＩＴＯ膜の場合の前述し
た値とは異なったものとなるが、アラインメントマーク
を透明電極と異なった膜厚に形成することによって、透
明電極より反射率を大きくし、目視や画像認識による識
別性の高い液晶パネル基板とできることは、上記実施形
態の場合と同様である。

【００６２】さらに、上記実施形態では、液晶表示パネ
ルとして、ＳＴＮ形の単純マトリックス駆動液晶表示パ
ネルの例を示したが、ＴＦＴで代表される三端子スイッ
チング素子あるいはＭＩＭで代表される二端子スイッチ
ング素子を用いたアクティブマトリックス液晶表示パネ
ルであってもよい。さらに、電気光学特性で言えば、Ｓ
ＴＮ形だけでなく、ＴＮ形、ゲストホスト形、高分子分
散形、相転移形、強誘電形など、種々のタイプの液晶表
示パネルであってもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】複数枚の本実施形態の液晶パネル基板となるガ
ラス製の基板の模式的な平面図である。

【図２】図１において円Ｅで囲まれた部分の拡大平面図
である。

【図３】（Ａ）〜（Ｅ）は、図２のＳ−Ｓ線に沿った部
分に対応する断面図としてＩＴＯ膜形成工程を説明する
図である。

【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は、図２のＳ−Ｓ線に沿った部
分に対応する断面図としてエッチング工程を説明する図
である。

【図５】実施形態の液晶パネル基板について、ＩＴＯ膜
がある基板部分とＩＴＯ膜がない基板部分との反射率差
を、ＩＴＯ膜の膜厚の関数として示すグラフである。

【図６】実施形態の液晶表示パネルの模式的な断面図で
ある。

【符号の説明】

１０ 液晶パネル基板 １４ アラインメントマーク １８ 透明電極 ２２，２６ ＩＴＯ膜 ４０ 液晶表示パネル

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に膜形成された透明電極およびア
   ラインメントマークを有する液晶パネル基板であって、 前記アラインメントマークは前記透明電極と同一材料か
   らなり、 前記アラインメントマークが膜形成されている基板部分
   と、前記透明電極または前記アラインメントマークが膜
   形成されていない他の基板部分との反射率差が、０．０
   ５％以上であることを特徴とするアラインメントマーク
   付き液晶パネル基板。
2. 【請求項２】 基板上に膜形成された透明電極およびア
   ラインメントマークを有する液晶パネル基板であって、 前記透明電極および前記アラインメントマークは、前記
   基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜として形成さ
   れ、 前記アラインメントマークの膜厚は、１１０ｎｍ以下で
   あることを特徴とするアラインメントマーク付き液晶パ
   ネル基板。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の液晶パ
   ネル基板を有することを特徴とする液晶表示パネル。
4. 【請求項４】 基板上に膜形成された透明電極およびア
   ラインメントマークを有する液晶パネル基板の製造方法
   であって、 前記アラインメントマークおよび前記透明電極を、膜厚
   が１３０ｎｍないし１８０ｎｍのＩＴＯ膜として形成す
   るＩＴＯ膜形成工程と、 前記アラインメントマークを、厚さ方向の途中までエッ
   チングし、膜厚が１１０ｎｍ以下のＩＴＯ膜とするエッ
   チング工程と、 を有することを特徴とするアラインメントマーク付き液
   晶パネル基板の製造方法。