JPH1141036A - Ｉ−ｖ変換増幅器 - Google Patents
Ｉ−ｖ変換増幅器Info
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- JPH1141036A JPH1141036A JP9189526A JP18952697A JPH1141036A JP H1141036 A JPH1141036 A JP H1141036A JP 9189526 A JP9189526 A JP 9189526A JP 18952697 A JP18952697 A JP 18952697A JP H1141036 A JPH1141036 A JP H1141036A
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- Japan
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- amplifier
- stage
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- resistor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 出力電圧の製造ばらつき、温度依存性が小さ
く、高速なＩ−Ｖ変換増幅器を実現する。 【解決手段】 ２段構成のＩ−Ｖ変換回路とし、初段の
帰還抵抗７と２段目の入力抵抗８をＮ-ポリシリ抵抗で
形成する。これにより、寄生容量の少ないポリシリ抵抗
による高速化の特徴を生かしたまま、ポリシリ抵抗の製
造ばらつきに直接依存しない出力電圧、温度係数を得
る。
く、高速なＩ−Ｖ変換増幅器を実現する。 【解決手段】 ２段構成のＩ−Ｖ変換回路とし、初段の
帰還抵抗７と２段目の入力抵抗８をＮ-ポリシリ抵抗で
形成する。これにより、寄生容量の少ないポリシリ抵抗
による高速化の特徴を生かしたまま、ポリシリ抵抗の製
造ばらつきに直接依存しない出力電圧、温度係数を得
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｉ−Ｖ変換増幅
器、特に光学式記録再生装置のＩ−Ｖ変換増幅器に関す
る。
器、特に光学式記録再生装置のＩ−Ｖ変換増幅器に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の光ディスク装置等の光学式記録再
生装置１１４を図６に示す。図６に示すように、半導体
レーザ１０１から出射された光はレンズ１０５により集
光され、記録媒体としてのディスク１１０に当たり、そ
こで反射された光は光受信素子１０６に照射され、電気
信号へ変換された後に制御回路１１２に入力される。１
０２はグレーティングプレート、１０３はハーフプリズ
ム、１０４はコリメートレンズである。
生装置１１４を図６に示す。図６に示すように、半導体
レーザ１０１から出射された光はレンズ１０５により集
光され、記録媒体としてのディスク１１０に当たり、そ
こで反射された光は光受信素子１０６に照射され、電気
信号へ変換された後に制御回路１１２に入力される。１
０２はグレーティングプレート、１０３はハーフプリズ
ム、１０４はコリメートレンズである。
【０００３】光受信素子１０６はフォーカス及びトラッ
キングサーボを制御できるように複数のフォトダイオー
ドを備え、さらにそれぞれのフォトダイオードに対し
て、光電流を電圧信号に変換するＩ−Ｖ変換増幅器が接
続されている。１０７はシリンドリカルレンズ、１０８
はフォーカスアクチュエータ、１０９はトラッキングア
クチュエータ、１１３はサーボコントロールである。
キングサーボを制御できるように複数のフォトダイオー
ドを備え、さらにそれぞれのフォトダイオードに対し
て、光電流を電圧信号に変換するＩ−Ｖ変換増幅器が接
続されている。１０７はシリンドリカルレンズ、１０８
はフォーカスアクチュエータ、１０９はトラッキングア
クチュエータ、１１３はサーボコントロールである。
【０００４】近年、装置の小型化、記録媒体（ディス
ク）１１０の高速回転化にともない、光受信素子１０６
は、フォトダイオードとＩ−Ｖ変換増幅器とを同一チッ
プ上に形成するものが主流となってきている。そして電
気的特性については、広帯域化の要求が高まってきてい
る。
ク）１１０の高速回転化にともない、光受信素子１０６
は、フォトダイオードとＩ−Ｖ変換増幅器とを同一チッ
プ上に形成するものが主流となってきている。そして電
気的特性については、広帯域化の要求が高まってきてい
る。
【０００５】このような要求に対応するＩ−Ｖ変換増幅
器としては、図５に示すようにアンプ２１、フォトダイ
オード２０、帰還抵抗２３を備えており、しかも帰還抵
抗２３を寄生容量の小さいポリシリコン抵抗で形成した
ものがある（特開平５−２５９４９８号参照）。
器としては、図５に示すようにアンプ２１、フォトダイ
オード２０、帰還抵抗２３を備えており、しかも帰還抵
抗２３を寄生容量の小さいポリシリコン抵抗で形成した
ものがある（特開平５−２５９４９８号参照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、出力電
圧は帰還抵抗（ポリシリコン抵抗）に比例し、ポリシリ
コン抵抗はポリシリコン間の結合のネットワークが柔軟
なため、イオン注入により抵抗ρsを制御しにくく、製
造ばらつきが大きいため、出力電圧に関して、プロセス
の製造ばらつきが大きいという課題があった。
圧は帰還抵抗（ポリシリコン抵抗）に比例し、ポリシリ
コン抵抗はポリシリコン間の結合のネットワークが柔軟
なため、イオン注入により抵抗ρsを制御しにくく、製
造ばらつきが大きいため、出力電圧に関して、プロセス
の製造ばらつきが大きいという課題があった。
【０００７】さらに、ポリシリコン抵抗の温度係数が大
きいため、出力電圧に関して温度依存性が大きいという
課題があった。
きいため、出力電圧に関して温度依存性が大きいという
課題があった。
【０００８】さらに、出力電圧を高くするためには、帰
還抵抗の値を大きくしなければならないが、帰還抵抗を
大きくすると、フォトダイオードの接合容量と帰還抵抗
の時定数が大きくなり、帯域が拡大されないため、高出
力電圧を得ようとしたとき、Ｉ−Ｖ変換増幅器の広帯域
化を実現できないという課題があった。
還抵抗の値を大きくしなければならないが、帰還抵抗を
大きくすると、フォトダイオードの接合容量と帰還抵抗
の時定数が大きくなり、帯域が拡大されないため、高出
力電圧を得ようとしたとき、Ｉ−Ｖ変換増幅器の広帯域
化を実現できないという課題があった。
【０００９】本発明の目的は、出力電圧のプロセス製造
ばらつきの低減、出力電圧の電圧依存性の低減、広帯域
化を実現したＩ−Ｖ変換回路を提供することにある。
ばらつきの低減、出力電圧の電圧依存性の低減、広帯域
化を実現したＩ−Ｖ変換回路を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るＩ−Ｖ変換増幅器は、Ｉ−Ｖ変換回路
と電圧増幅回路とによる二段増幅器として構成され、１
段目のＩ−Ｖ変換回路は、インピーダンス変換の機能を
もつものであり、２段目の電圧増幅回路は、前記Ｉ−Ｖ
変換回路からの出力を入力とし、利得を得るものであ
る。
め、本発明に係るＩ−Ｖ変換増幅器は、Ｉ−Ｖ変換回路
と電圧増幅回路とによる二段増幅器として構成され、１
段目のＩ−Ｖ変換回路は、インピーダンス変換の機能を
もつものであり、２段目の電圧増幅回路は、前記Ｉ−Ｖ
変換回路からの出力を入力とし、利得を得るものであ
る。
【００１１】また前記Ｉ−Ｖ変換回路及び前記電圧増幅
回路は、それぞれ帰還抵抗を有し、かつ前記電圧増幅回
路は、前記Ｉ−Ｖ変換回路からの出力が入力抵抗を通し
て入力するものである。
回路は、それぞれ帰還抵抗を有し、かつ前記電圧増幅回
路は、前記Ｉ−Ｖ変換回路からの出力が入力抵抗を通し
て入力するものである。
【００１２】また前記電圧増幅回路の有する帰還抵抗
は、直列接続した少なくとも２以上の抵抗からなるもの
である。
は、直列接続した少なくとも２以上の抵抗からなるもの
である。
【００１３】また前記Ｉ−Ｖ変換回路の有する帰還抵抗
及び前記入力抵抗は、寄生容量の少ない抵抗で構成した
ものである。
及び前記入力抵抗は、寄生容量の少ない抵抗で構成した
ものである。
【００１４】また前記寄生容量の少ない抵抗として、ポ
リシリ抵抗を用いたものである。
リシリ抵抗を用いたものである。
【００１５】また前記電圧増幅回路の有する帰還抵抗
は、寄生容量の少ない抵抗と製造ばらつきの小さい抵抗
の組合わせから構成されたものである。
は、寄生容量の少ない抵抗と製造ばらつきの小さい抵抗
の組合わせから構成されたものである。
【００１６】また前記寄生容量の少ない抵抗と製造ばら
つきの小さい抵抗の組合わせは、前記ポリシリ抵抗とベ
ース抵抗との組合わせである。
つきの小さい抵抗の組合わせは、前記ポリシリ抵抗とベ
ース抵抗との組合わせである。
【００１７】また前記ポリシリ抵抗とベース抵抗の構成
比は、ｎ：（１−ｎ）（ｎ≦１）に設定したものであ
る。
比は、ｎ：（１−ｎ）（ｎ≦１）に設定したものであ
る。
【００１８】
【作用】本発明によれば、２段増幅器構成とし、初段の
帰還抵抗と２段目の入力抵抗とをＮ-ポリシリ抵抗で構
成している。このため、出力電圧の製造ばらつきには、
２段目の帰還抵抗の製造ばらつきが反映され、２段目の
帰還抵抗を製造ばらつきの少ないＰ-ベース抵抗で構成
することにより、出力電圧の製造ばらつきを低減するこ
とが可能となる。
帰還抵抗と２段目の入力抵抗とをＮ-ポリシリ抵抗で構
成している。このため、出力電圧の製造ばらつきには、
２段目の帰還抵抗の製造ばらつきが反映され、２段目の
帰還抵抗を製造ばらつきの少ないＰ-ベース抵抗で構成
することにより、出力電圧の製造ばらつきを低減するこ
とが可能となる。
【００１９】また２段目の帰還抵抗をＮ-ポリシリとＰ-
ベース抵抗との組合わせで構成すれば、温度係数は、そ
れぞれ−３０００ｐｐｎ、−１４００ｐｐｎであるた
め、組み合わせの比を温度係数の小さくなるような値に
設定できる。
ベース抵抗との組合わせで構成すれば、温度係数は、そ
れぞれ−３０００ｐｐｎ、−１４００ｐｐｎであるた
め、組み合わせの比を温度係数の小さくなるような値に
設定できる。
【００２０】２段構成の増幅器のうち１段目は、インピ
ーダンス変換の機能をもつため、２段目の増幅器で利得
を得ることにより、高出力で広帯域を実現することが可
能となる。
ーダンス変換の機能をもつため、２段目の増幅器で利得
を得ることにより、高出力で広帯域を実現することが可
能となる。
【００２１】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して詳細に説明する。
図面を参照して詳細に説明する。
【００２２】（実施形態）図１において、本発明の実施
形態に係るＩ−Ｖ変換増幅器は、フォトダイオード２の
光電流を電圧に変換する２段増幅器、すなわち、増幅器
（Ｉ−Ｖ変換回路）３と増幅器（電圧増幅回路）４とに
よる二段増幅器として構成したものである。そして、１
段目の増幅器（Ｉ−Ｖ変換回路）３には、インピーダン
ス変換の機能をもたせ、２段目の増幅器（電圧増幅回
路）４は、１段目の増幅器３からの出力を入力とし、利
得を得るようにしたものである。
形態に係るＩ−Ｖ変換増幅器は、フォトダイオード２の
光電流を電圧に変換する２段増幅器、すなわち、増幅器
（Ｉ−Ｖ変換回路）３と増幅器（電圧増幅回路）４とに
よる二段増幅器として構成したものである。そして、１
段目の増幅器（Ｉ−Ｖ変換回路）３には、インピーダン
ス変換の機能をもたせ、２段目の増幅器（電圧増幅回
路）４は、１段目の増幅器３からの出力を入力とし、利
得を得るようにしたものである。
【００２３】１段目の増幅器３の帰還抵抗７は、寄生容
量の少ない抵抗で形成する。２段目の入力抵抗８は、１
段目の増幅器３の帰還抵抗７と同種類の抵抗で形成し、
２段目の増幅器４の帰還抵抗は、入力抵抗８と同種類の
抵抗９と、製造ばらつきの小さい抵抗１０とで形成され
ている。抵抗９と抵抗１０の比は、要求される出力温度
係数に応じて任意に設定できる。
量の少ない抵抗で形成する。２段目の入力抵抗８は、１
段目の増幅器３の帰還抵抗７と同種類の抵抗で形成し、
２段目の増幅器４の帰還抵抗は、入力抵抗８と同種類の
抵抗９と、製造ばらつきの小さい抵抗１０とで形成され
ている。抵抗９と抵抗１０の比は、要求される出力温度
係数に応じて任意に設定できる。
【００２４】具体的には、抵抗７、抵抗８、抵抗９は、
Ｎ-ポリシリ抵抗又はＮ+ポリシリ抵抗、抵抗１０はＰ-
ベース抵抗又はＰ+ベース抵抗により形成することがが
望ましい。
Ｎ-ポリシリ抵抗又はＮ+ポリシリ抵抗、抵抗１０はＰ-
ベース抵抗又はＰ+ベース抵抗により形成することがが
望ましい。
【００２５】また、１段目及び２段目の増幅器３、４
は、差動入力型の増幅器又はオペアンプであることが望
ましい。さらに、フォトダイオード２は、光電流Ｉｐが
図１の矢印の方向に流れるものが望ましい。
は、差動入力型の増幅器又はオペアンプであることが望
ましい。さらに、フォトダイオード２は、光電流Ｉｐが
図１の矢印の方向に流れるものが望ましい。
【００２６】図２は、図１に示す実施形態において、光
入力信号に対する各部の波形を示している。
入力信号に対する各部の波形を示している。
【００２７】図２（ａ）はレーザ光パワー、図２（ｂ）
はフォトダイオード２で発生する光電流を示す。
はフォトダイオード２で発生する光電流を示す。
【００２８】図２（ｃ）は、図（ｂ）の光電流が１段目
の増幅器３でＩ−Ｖ変換されたときのＶ01の電圧を示し
ている。基準電圧Ｖcに対して負側に信号は振れてい
る。
の増幅器３でＩ−Ｖ変換されたときのＶ01の電圧を示し
ている。基準電圧Ｖcに対して負側に信号は振れてい
る。
【００２９】図２（ｄ）は、２段目の増幅器４からの出
力電圧を示している。ここでは、Ｖ01に対して４倍の利
得を設定している。信号は、基準電圧Ｖcに対して正に
振れている。
力電圧を示している。ここでは、Ｖ01に対して４倍の利
得を設定している。信号は、基準電圧Ｖcに対して正に
振れている。
【００３０】（実施例１）次に本発明の実施形態の具体
例を実施例として説明する。図１に示す実施例１におい
て、ベースエピ形フォトダイオード２のエピ側の端子１
は通常電源Ｖccに接続され、他端は２段構成のＩ−Ｖ変
換増幅器に接続される。
例を実施例として説明する。図１に示す実施例１におい
て、ベースエピ形フォトダイオード２のエピ側の端子１
は通常電源Ｖccに接続され、他端は２段構成のＩ−Ｖ変
換増幅器に接続される。
【００３１】１段目の増幅器３は、オペアンプと、Ｎ-
ポリシリ抵抗で形成された帰還抵抗７とから構成されて
おり、フォトダイオード２に発生した光電流を電圧出力
に変換するようになっている。
ポリシリ抵抗で形成された帰還抵抗７とから構成されて
おり、フォトダイオード２に発生した光電流を電圧出力
に変換するようになっている。
【００３２】２段目の増幅器４は、オペアンプと、Ｎ-
ポリシリ抵抗の入力抵抗８とを含み、帰還抵抗９、１０
はそれぞれＮ-ポリシリ抵抗、Ｐ-ベース抵抗で構成され
ている。帰還抵抗９、１０の抵抗値Ｒ3、Ｒ4の抵抗比
は、ｎ：（１−ｎ）（ｎ≦１）に設定している。この構
成により、出力電圧Ｖ0は、 Ｖ0＝Ｉp×Ｒ1（Ｎ-）×（Ｒ3（Ｎ-）＋Ｒ4（Ｐ-））／
Ｒ2（Ｎ-） で表わされるから、出力電圧の製造バラツキ、温度係数
は、Ｒ3（Ｎ-）＋Ｒ4（Ｐ-）の項で決定される。
ポリシリ抵抗の入力抵抗８とを含み、帰還抵抗９、１０
はそれぞれＮ-ポリシリ抵抗、Ｐ-ベース抵抗で構成され
ている。帰還抵抗９、１０の抵抗値Ｒ3、Ｒ4の抵抗比
は、ｎ：（１−ｎ）（ｎ≦１）に設定している。この構
成により、出力電圧Ｖ0は、 Ｖ0＝Ｉp×Ｒ1（Ｎ-）×（Ｒ3（Ｎ-）＋Ｒ4（Ｐ-））／
Ｒ2（Ｎ-） で表わされるから、出力電圧の製造バラツキ、温度係数
は、Ｒ3（Ｎ-）＋Ｒ4（Ｐ-）の項で決定される。
【００３３】今、Ｎ-ポリシリ抵抗の製造バラツキ｜２
０％｜、Ｐ-ベース抵抗の製造バラツキを｜１５％｜と
すると、出力電圧の製造バラツキは、 ΔＶ0（％）＝２０×ｎ＋１５（１−ｎ）となる。
０％｜、Ｐ-ベース抵抗の製造バラツキを｜１５％｜と
すると、出力電圧の製造バラツキは、 ΔＶ0（％）＝２０×ｎ＋１５（１−ｎ）となる。
【００３４】また、出力電圧の温度係数ΔＴは、 ΔＴ（ｐｐｍ）＝−３０００×ｎ＋１４００×（１−
ｎ） （ただし、Ｎ-ポリシリ抵抗温度係数を−３０００ｐｐ
ｍ、Ｐ-ベース抵抗温度係数を−１４００ｐｐｍとす
る）となる。
ｎ） （ただし、Ｎ-ポリシリ抵抗温度係数を−３０００ｐｐ
ｍ、Ｐ-ベース抵抗温度係数を−１４００ｐｐｍとす
る）となる。
【００３５】また、本実施例は、２段構成であるため、
高出力を得るために、１段の増幅器のときのように、フ
ォトダイオードに直結する帰還抵抗を必要以上に大きく
することなく、２段目の増幅器の電圧利得を上げること
で対処できるため、容易に広帯域化できる。
高出力を得るために、１段の増幅器のときのように、フ
ォトダイオードに直結する帰還抵抗を必要以上に大きく
することなく、２段目の増幅器の電圧利得を上げること
で対処できるため、容易に広帯域化できる。
【００３６】次に、本発明の実施例１により得られる効
果を図４に示す。抵抗９と１０の抵抗値Ｒ3とＲ4の比ｎ
を変えることにより、出力電圧の温度係数を任意に調整
できることがわかる。また、Ｎ-ポリシリ抵抗のみで回
路を構成したとき（ｎ＝１のとき）より、製造バラツキ
が低減されることが分かる。
果を図４に示す。抵抗９と１０の抵抗値Ｒ3とＲ4の比ｎ
を変えることにより、出力電圧の温度係数を任意に調整
できることがわかる。また、Ｎ-ポリシリ抵抗のみで回
路を構成したとき（ｎ＝１のとき）より、製造バラツキ
が低減されることが分かる。
【００３７】（実施例２）図３は、本発明の実施例２を
示す図である。図１に示した実施例１では、増幅器への
入力を差動入力としたものであるが、図３に示した実施
例２では、２段構成の増幅器１３，１４に片側入力させ
るようにしたことを特徴とするものである。
示す図である。図１に示した実施例１では、増幅器への
入力を差動入力としたものであるが、図３に示した実施
例２では、２段構成の増幅器１３，１４に片側入力させ
るようにしたことを特徴とするものである。
【００３８】実施例２によっても、実施例１と同等の効
果を得ることができる。
果を得ることができる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、２
段構成のＩ−Ｖ変換回路で初段の帰還抵抗と２段目の入
力抵抗を寄生容量の少ない抵抗で形成することにより、
製造ばらつきの影響を低減することができるとともに、
出力電圧の温度係数を小さくすることができる。
段構成のＩ−Ｖ変換回路で初段の帰還抵抗と２段目の入
力抵抗を寄生容量の少ない抵抗で形成することにより、
製造ばらつきの影響を低減することができるとともに、
出力電圧の温度係数を小さくすることができる。
【００４０】さらに、増幅器を２段構成にし、初段をイ
ンピーダンス変換回路にし、利得を２段目で設定するた
め、高出力電圧に設定してもＩ−Ｖ変換増幅器の広帯域
化を図ることができる。
ンピーダンス変換回路にし、利得を２段目で設定するた
め、高出力電圧に設定してもＩ−Ｖ変換増幅器の広帯域
化を図ることができる。
【図１】本発明の実施例１を示す回路図である。
【図２】本発明の実施例１の各部の波形を示す特性図で
ある。
ある。
【図３】本発明の実施例２を示す回路図である。
【図４】本発明の実施例１における出力電圧の温度係数
と製造ばらつきとの関係を示す特性図である。
と製造ばらつきとの関係を示す特性図である。
【図５】従来例を示す回路図である。
【図６】光学式記録再生装置を示す構成図である。
２ フォトダイオード ３，１３ 増幅器 ４，１４ 増幅器 ７ Ｎ-ポリシリ抵抗（帰還抵抗） ８ Ｎ-ポリシリ抵抗（入力抵抗） ９ Ｎ-ポリシリ抵抗（帰還抵抗） １０ Ｐ-ベース抵抗（帰還抵抗）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０４Ｂ 10/14 10/04 10/06
Claims (8)
- 【請求項１】 Ｉ−Ｖ変換回路と電圧増幅回路とによる
二段増幅器として構成され、 １段目のＩ−Ｖ変換回路は、インピーダンス変換の機能
をもつものであり、 ２段目の電圧増幅回路は、前記Ｉ−Ｖ変換回路からの出
力を入力とし、利得を得るものであることを特徴とする
Ｉ−Ｖ変換増幅器。 - 【請求項２】 前記Ｉ−Ｖ変換回路及び前記電圧増幅回
路は、それぞれ帰還抵抗を有し、かつ前記電圧増幅回路
は、前記Ｉ−Ｖ変換回路からの出力が入力抵抗を通して
入力するものであることを特徴とする請求項１に記載の
Ｉ−Ｖ変換増幅器。 - 【請求項３】 前記電圧増幅回路の有する帰還抵抗は、
直列接続した少なくとも２以上の抵抗からなるものであ
ることを特徴とする請求項２に記載のＩ−Ｖ変換増幅
器。 - 【請求項４】 前記Ｉ−Ｖ変換回路の有する帰還抵抗及
び前記入力抵抗は、寄生容量の少ない抵抗で構成したも
のであることを特徴とする請求項２又は３に記載のＩ−
Ｖ変換増幅器。 - 【請求項５】 前記寄生容量の少ない抵抗として、ポリ
シリ抵抗を用いたものであることを特徴とする請求項４
に記載のＩ−Ｖ変換増幅器。 - 【請求項６】 前記電圧増幅回路の有する帰還抵抗は、
寄生容量の少ない抵抗と製造ばらつきの小さい抵抗の組
合わせから構成されたものであることを特徴とする請求
項２又は３に記載のＩ−Ｖ変換増幅器。 - 【請求項７】 前記寄生容量の少ない抵抗と製造ばらつ
きの小さい抵抗の組合わせは、前記ポリシリ抵抗とベー
ス抵抗との組合わせであることを特徴とする請求項６に
記載のＩ−Ｖ変換増幅器。 - 【請求項８】 前記ポリシリ抵抗とベース抵抗の構成比
は、ｎ：（１−ｎ）（ｎ≦１）に設定したものであるこ
とを特徴とする請求項５に記載のＩ−Ｖ変換増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18952697A JP3173429B2 (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | Ｉ−ｖ変換増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18952697A JP3173429B2 (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | Ｉ−ｖ変換増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1141036A true JPH1141036A (ja) | 1999-02-12 |
| JP3173429B2 JP3173429B2 (ja) | 2001-06-04 |
Family
ID=16242774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18952697A Expired - Fee Related JP3173429B2 (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | Ｉ−ｖ変換増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3173429B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7470886B2 (en) | 2005-04-13 | 2008-12-30 | Panasonic Corporation | Light receiving circuit, semiconductor laser device, and optical pickup device |
| US7800439B2 (en) * | 2006-10-27 | 2010-09-21 | Ut-Battelle, Llc | High speed preamplifier circuit, detection electronics, and radiation detection systems therefrom |
| US8227739B2 (en) | 2008-07-24 | 2012-07-24 | Renesas Electronics Corporation | Photodetector amplifier circuit for controlling an on state or an off state of an output transistor |
| JP2018195703A (ja) * | 2017-05-17 | 2018-12-06 | アズビル株式会社 | 光電センサ |
-
1997
- 1997-07-15 JP JP18952697A patent/JP3173429B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7470886B2 (en) | 2005-04-13 | 2008-12-30 | Panasonic Corporation | Light receiving circuit, semiconductor laser device, and optical pickup device |
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| US8227739B2 (en) | 2008-07-24 | 2012-07-24 | Renesas Electronics Corporation | Photodetector amplifier circuit for controlling an on state or an off state of an output transistor |
| JP2018195703A (ja) * | 2017-05-17 | 2018-12-06 | アズビル株式会社 | 光電センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3173429B2 (ja) | 2001-06-04 |
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