JPS60105320A - レベル変換回路 - Google Patents

レベル変換回路

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JPS60105320A
JPS60105320A JP58213783A JP21378383A JPS60105320A JP S60105320 A JPS60105320 A JP S60105320A JP 58213783 A JP58213783 A JP 58213783A JP 21378383 A JP21378383 A JP 21378383A JP S60105320 A JPS60105320 A JP S60105320A
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JP
Japan
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amplifier circuit
inverting amplifier
circuit
input
cmo3
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Pending
Application number
JP58213783A
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English (en)
Inventor
Ryuji Habuka
羽深 龍二
Tadakatsu Kimura
木村 忠勝
Masataka Kairin
海琳 正隆
Takashi Matsuura
孝 松浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/0185Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
    • H03K19/018507Interface arrangements
    • H03K19/018521Interface arrangements of complementary type, e.g. CMOS

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  • Computing Systems (AREA)
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  • Logic Circuits (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、低い電圧のディジタル入力信号を論理回路の
動作電圧のディジタル信号に変換するためのレベル変換
回路に関する。特に、CMO3反転増幅回路を用いた自
動バイアス形の血路を含むレベル変換回路の改良に関す
る。
〔従来技術の説明〕
論理回路を駆動する場合に、入力信号の電圧レベルが低
いときには、その論理回路の動作電圧まで信号のレベル
変換を行うことが必要である。たとえば、振幅5■のい
わゆるTTLレベルで動作する論理回路を駆動するため
の入力信号レベルの振幅がIVであると、1■の電圧を
5■の電圧に変換するためのレベル変換回路が用いられ
る。
従来このための回路として、CMO3反転増幅回路を利
用した自動バイアス形の回路が知られている。第1図は
この従来例回路図である。この回路は、CMO3反転増
幅回路A1の出力と入力との間に抵抗器Rを接続し、負
帰還を施すように構成されたもので、この構成によりこ
のCMO3反転増幅回路A1の入力バイアス電圧は、自
動的に最良の状態に設定される。すなわち、CMO3反
転増幅回路A1の入力出力動作特性は、第2図に示すよ
うに入力電圧が■1の付近で出力電圧が急激に変化する
特性である。したがって、抵抗器Rにより負帰還を施し
入力信号を与えると、このCMO3反転増幅回路A1は
その増幅度の最大の点、すなわち第2図の破線で表示す
る点に自動的に安定する。この電圧V1に入力をバイア
スしておけば、小さい振幅の入力信号を0と電源電圧と
の間に振幅の出力信号に変換することができる。
このような従来例回路は、素子数の少ない優れた回路で
あり広く使用されているが、この回路を集積回路に形成
するとつぎのような欠点がある。
■ この回路の利得を大きくするには抵抗器Rを大きい
抵抗値に選ぶことが必要であるが、大きい抵抗値の抵抗
器は集積回路上で大きい面積を占める。
■ 第1図に示すように抵抗器Rで負帰還をかけると、
出力端子OUTの出力インピーダンスが低くなり、この
値はこの出力端子OUTに接続される後段の論理回路の
入力インピーダンスより不要に低くなる。したがって、
このCMO3反転増幅回路A1の駆動電力が大きくなる
〔発明の目的〕
本発明はこれを改良するもので、余分の回路面積を必要
とせず、消費電力が小さい、集積回路に適するレベル変
換回路を提供することを目的とする。
〔発明の特徴〕
本発明は、CMO3反転増幅回路A1の入出力に接続さ
れていた負帰還用の抵抗器Rを除き、このCMO3反転
増幅回路A1の利得を大きくするとともに、出力インピ
ーダンスを高くして、このCMO3反転増幅回路A1の
入力に、第二のCMO8反転増幅回路A2を接続し、こ
の第二のCMO8反転増幅回路A2の入出力を低いイン
ピーダンスで結合して、この第二のCMO3反転増幅回
路A2により最適の自動バイアス電圧を与えるように構
成されたことを特徴とする。
〔実施例による説明〕
第3図は本発明実施例回路の構成図である。入力端子I
Nには、電圧レベルの小さいディジタル信号入力が与え
られる。この入力端子INの信号はコンデンサCを介し
てCMO3反転増幅回路A□の入力に与えられる。この
CMO3反転増幅回路A1の出力は出力端子OUTから
、後段の論理回路に接続される。ここで本発明の特徴と
するところは、このCMO3反転増幅回路A1に負帰還
用の抵抗器を用いず、別に第二のCMO3反転増幅回路
A2を設け、この第二のCMO3反転増幅回路A2の出
力と入力とを結合して、これを第一のCMO3反転増幅
回路A1の入力に直接接続するところにある。
この構成により、第一のCMO3反転増幅回路A1はそ
の利得が大きくなり、その出力インピーダンスは高くな
る。しかし、上述の自動バイアスの機能は失われ、別に
入力にバイアス電圧を与えなければ最適な動作をするこ
とができなくなる。
このバイアス電圧は第二のCMO3反転増幅回路A2か
ら与えられる。すなわち、第二のCMOS反転増幅回路
A2は、その入出力電圧特性が第一のCMO3反転増幅
回路A1の入出力電圧特性とほぼ等しいので、その出力
と入力とを結合して大きい負帰還をかけておくことによ
り、入力信号があるとそのバイアス電圧は自動的に、第
2図に示すように入出力電圧特性の最も急峻な点v1に
設定される。この電圧■1がCMO3反転増幅回路A1
の入力に供給され、CMO3反転増幅回路A1も最適の
バイアス電圧で動作することになる。
一般にCMO3反転増幅回路は、同一の集積回路上に形
成すると、その大きさにかかわらず入出力電圧特性はほ
ぼ等しくなる。したがって、敢えて二つのCMO3反転
増幅回路の入出力電圧特性を一致させなくとも、はとん
ど自動的に一致した特性のCMO3反転増幅回路を形成
することができる。
第4図は本発明実施例回路の具体的な回路図である。C
MO3反転増幅回路A1およびA2はともに、Pチャン
ネルMO3)ランジスタおよびNチャンネルMO3I−
ランジスタの組合せにより構成される。図でVDDは電
源電圧、GNDは共通電位点を示す。この実施例回路に
は抵抗器はないので、集積回路製造上では抵抗器の形成
工程は不要である。
このように構成された回路では、従来回路と同様に、入
力端子INに到来するたとえば1■の入力ディジタル信
号を電源電圧に等しい5■の出力電圧に変換して出力す
ることができる。
第二のCMO3反転増幅回路A2は、第一のCMO3反
転増幅回路A1に直流バイアス電圧を与えるための回路
であるから、その出力電力はきわめて小さいもので十分
であり、CMO3反転増幅回路A2は駆動電力のきわめ
て小さいCMO3反転増幅回路で構成することができる
。したがって、集積回路上では、この第二のCMO3反
転増幅回路A2は上記従来回路の抵抗器Rの占める面積
よりはるかに小さく形成することができるとともに、第
一のCMO3反転増幅回路A1と同一の製造手順で並行
して製作することができるので、集積回路上に抵抗器R
を形成する場合に比べてはるかに有利である。
また、CMO3反転増幅回路A1は負帰還がなくなるた
め電圧利得が大きくなり、出力インピーダンスが高くな
るので、出力端子OUTに接続される後段の論理回路と
の整合がよくなり、駆動電力は小さいものでよい。すな
わち第一のCMO3反転増幅回路A1は、従来回路より
小さいCMO8反転増幅回路で同等の回路を実現するこ
とができることになる。二つのCMO3反転増幅回路A
□およびA2を合わせた消費電力は、同等の出力を得る
ために、従来回路のCMO3反転増幅回路A1ひとつの
消費電力よりはるかに小さくすることができる。
上記例に示したPチャンネルMOSトランジスタとNチ
ャンネルMO3I−ランジスタとの組合せにるCMO5
反転増幅回路はあくまでも一例であり、このほかのCM
O3反転増幅回路を用いて同様に本発明を実施すること
ができる。
上記例では第二のCMO3反転増幅回路の入力と出力と
は直結するように接続したが、直結でなりトモ低いイン
ピーダンスにより同様に本発明ヲ実施することができる
。この場合には、第一のCMO3反転増幅回路の入力に
、第二のCMO3反転増幅回路の入力または出力のいず
れを結合してもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明のレベル変換回路は、信号
を増幅する第一のCMO3反転増幅回路には負帰還を施
さず、自動バイアス電圧は別の第二のCMO3反転増幅
回路をもちいて発生し、これを第一のCMO3反転増幅
回路の入力に与えるように構成するので、従来回路に比
べて消費電力が小さく、集積回路上での面積を小さくす
ることができるレベル変換回路が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例回路の構成図。 第2図はCMO3反転増幅回路の入出力電圧特性図。 第3図は本発明実施例回路の構成図。 第4図は本発明実施例回路の具体的な回路図。 特許出)N人 日本電信電話公社 日本電気株式会社 代理人弁理士 井 出 直 孝 昂 1 l 蔦 2 図 第 3 図 M 4 図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 入力端子と、この入力端子に一端が接続された
    交流結合用コンデンサと、 この交流結合用コンデンサの他端に入力が接続された第
    一のCMO3反転増幅回路と を備えたレベル変換回路において、 入出力電圧特性が上記第一のCMO5反転増幅回路とほ
    ぼ等しい第二のCMO3反転増幅回路を備え、 その第二のCMO3反転増幅回路の出力と入力とが低い
    インピーダンスを介して結合され、その入力または出力
    が上記第一のCMO3反転増幅回路の入力に接続された
    ことを特徴とするレベル変換回路。
  2. (2)低いインピーダンスが導体で直接結合された回路
    である特許請求の範囲第(1)項に記載のレベル変換回
    路。
  3. (3)第一のCMO3反転増幅回路と第二のCMO8反
    転増幅回路とが同一の集積回路に形成された特許請求の
    範囲第(11項または第(2)項に記載のレベル変換回
    路。
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6240819A (ja) * 1985-08-16 1987-02-21 Mitsubishi Electric Corp しきい値電圧検出回路
JPS62196426U (ja) * 1986-06-05 1987-12-14
JPH01138813A (ja) * 1987-11-26 1989-05-31 Toshiba Corp Ecl―cmosレベル変換回路
US6034549A (en) * 1996-10-30 2000-03-07 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Level shift circuit
JP2003110419A (ja) * 2001-06-26 2003-04-11 Seiko Epson Corp レベルシフタ及びそれを用いた電気光学装置
JP2007194987A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Sony Corp 遅延回路及びそれを備えたアナログ/デジタルコンバータ回路
JP2008054134A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd リング発振器及びそれを備えた半導体集積回路及び電子機器
JP2008067365A (ja) * 2006-08-08 2008-03-21 Hitachi Ltd 信号遅延回路およびこれを用いたパルス発生回路
JP2008527797A (ja) * 2004-12-30 2008-07-24 エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ 完全集積化超広帯域送信機回路及びシステム
JPWO2007116468A1 (ja) * 2006-03-31 2009-08-20 富士通株式会社 閾値補正回路,回路および閾値補正機能付き回路基板
WO2009147770A1 (ja) * 2008-06-02 2009-12-10 パナソニック株式会社 クロック信号増幅回路
US8258847B2 (en) 2003-02-12 2012-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device having the same, and driving method of the same
JP2013187602A (ja) * 2012-03-06 2013-09-19 Nippon Koden Corp クロック供給回路

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0218747B1 (en) * 1985-10-15 1991-05-08 International Business Machines Corporation Sense amplifier for amplifying signals on a biased line
LU86787A1 (de) * 1986-06-19 1987-07-24 Siemens Ag Breitbandsignal-koppeleinrichtung
DE58908391D1 (de) * 1988-07-22 1994-10-27 Siemens Ag ECL-CMOS-Wandler.
JPH05243956A (ja) * 1991-06-28 1993-09-21 Texas Instr Inc <Ti> Ecl型信号をcmos信号に変換する装置および方法
EP1164699A1 (de) * 2000-06-14 2001-12-19 Infineon Technologies AG Schaltungsanordnung zur Umsetzung von Logikpegeln

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54118157A (en) * 1978-03-07 1979-09-13 Nittan Co Ltd Comparator circuit
JPS56140719A (en) * 1980-04-02 1981-11-04 Toshiba Corp Semiconductor circuit
JPS57147328A (en) * 1981-03-05 1982-09-11 Nec Corp Input circuit

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1451732A (en) * 1973-03-19 1976-10-06 Motorola Inc Signal shaping circuit
JPS549544A (en) * 1977-06-24 1979-01-24 Citizen Watch Co Ltd Mutual complement type insulation gate type electric field effect transistor circuit
US4208730A (en) * 1978-08-07 1980-06-17 Rca Corporation Precharge circuit for memory array
US4270190A (en) * 1979-12-27 1981-05-26 Rca Corporation Small signal memory system with reference signal

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54118157A (en) * 1978-03-07 1979-09-13 Nittan Co Ltd Comparator circuit
JPS56140719A (en) * 1980-04-02 1981-11-04 Toshiba Corp Semiconductor circuit
JPS57147328A (en) * 1981-03-05 1982-09-11 Nec Corp Input circuit

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6240819A (ja) * 1985-08-16 1987-02-21 Mitsubishi Electric Corp しきい値電圧検出回路
JPS62196426U (ja) * 1986-06-05 1987-12-14
JPH01138813A (ja) * 1987-11-26 1989-05-31 Toshiba Corp Ecl―cmosレベル変換回路
US6034549A (en) * 1996-10-30 2000-03-07 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Level shift circuit
JP2003110419A (ja) * 2001-06-26 2003-04-11 Seiko Epson Corp レベルシフタ及びそれを用いた電気光学装置
US8786349B2 (en) 2003-02-12 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device having the same, and driving method of the same
US8258847B2 (en) 2003-02-12 2012-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device having the same, and driving method of the same
JP2008527797A (ja) * 2004-12-30 2008-07-24 エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ 完全集積化超広帯域送信機回路及びシステム
JP2007194987A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Sony Corp 遅延回路及びそれを備えたアナログ/デジタルコンバータ回路
JPWO2007116468A1 (ja) * 2006-03-31 2009-08-20 富士通株式会社 閾値補正回路,回路および閾値補正機能付き回路基板
JP4638939B2 (ja) * 2006-03-31 2011-02-23 富士通株式会社 閾値補正回路,回路および閾値補正機能付き回路基板
JP2008067365A (ja) * 2006-08-08 2008-03-21 Hitachi Ltd 信号遅延回路およびこれを用いたパルス発生回路
JP2008054134A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd リング発振器及びそれを備えた半導体集積回路及び電子機器
WO2009147770A1 (ja) * 2008-06-02 2009-12-10 パナソニック株式会社 クロック信号増幅回路
JP2013187602A (ja) * 2012-03-06 2013-09-19 Nippon Koden Corp クロック供給回路

Also Published As

Publication number Publication date
EP0142167A3 (en) 1986-08-06
CA1210085A (en) 1986-08-19
EP0142167A2 (en) 1985-05-22

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