JPS60105320A - レベル変換回路 - Google Patents
レベル変換回路Info
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- JPS60105320A JPS60105320A JP58213783A JP21378383A JPS60105320A JP S60105320 A JPS60105320 A JP S60105320A JP 58213783 A JP58213783 A JP 58213783A JP 21378383 A JP21378383 A JP 21378383A JP S60105320 A JPS60105320 A JP S60105320A
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- JP
- Japan
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- amplifier circuit
- inverting amplifier
- circuit
- input
- cmo3
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0175—Coupling arrangements; Interface arrangements
- H03K19/0185—Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
- H03K19/018507—Interface arrangements
- H03K19/018521—Interface arrangements of complementary type, e.g. CMOS
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、低い電圧のディジタル入力信号を論理回路の
動作電圧のディジタル信号に変換するためのレベル変換
回路に関する。特に、CMO3反転増幅回路を用いた自
動バイアス形の血路を含むレベル変換回路の改良に関す
る。
動作電圧のディジタル信号に変換するためのレベル変換
回路に関する。特に、CMO3反転増幅回路を用いた自
動バイアス形の血路を含むレベル変換回路の改良に関す
る。
論理回路を駆動する場合に、入力信号の電圧レベルが低
いときには、その論理回路の動作電圧まで信号のレベル
変換を行うことが必要である。たとえば、振幅5■のい
わゆるTTLレベルで動作する論理回路を駆動するため
の入力信号レベルの振幅がIVであると、1■の電圧を
5■の電圧に変換するためのレベル変換回路が用いられ
る。
いときには、その論理回路の動作電圧まで信号のレベル
変換を行うことが必要である。たとえば、振幅5■のい
わゆるTTLレベルで動作する論理回路を駆動するため
の入力信号レベルの振幅がIVであると、1■の電圧を
5■の電圧に変換するためのレベル変換回路が用いられ
る。
従来このための回路として、CMO3反転増幅回路を利
用した自動バイアス形の回路が知られている。第1図は
この従来例回路図である。この回路は、CMO3反転増
幅回路A1の出力と入力との間に抵抗器Rを接続し、負
帰還を施すように構成されたもので、この構成によりこ
のCMO3反転増幅回路A1の入力バイアス電圧は、自
動的に最良の状態に設定される。すなわち、CMO3反
転増幅回路A1の入力出力動作特性は、第2図に示すよ
うに入力電圧が■1の付近で出力電圧が急激に変化する
特性である。したがって、抵抗器Rにより負帰還を施し
入力信号を与えると、このCMO3反転増幅回路A1は
その増幅度の最大の点、すなわち第2図の破線で表示す
る点に自動的に安定する。この電圧V1に入力をバイア
スしておけば、小さい振幅の入力信号を0と電源電圧と
の間に振幅の出力信号に変換することができる。
用した自動バイアス形の回路が知られている。第1図は
この従来例回路図である。この回路は、CMO3反転増
幅回路A1の出力と入力との間に抵抗器Rを接続し、負
帰還を施すように構成されたもので、この構成によりこ
のCMO3反転増幅回路A1の入力バイアス電圧は、自
動的に最良の状態に設定される。すなわち、CMO3反
転増幅回路A1の入力出力動作特性は、第2図に示すよ
うに入力電圧が■1の付近で出力電圧が急激に変化する
特性である。したがって、抵抗器Rにより負帰還を施し
入力信号を与えると、このCMO3反転増幅回路A1は
その増幅度の最大の点、すなわち第2図の破線で表示す
る点に自動的に安定する。この電圧V1に入力をバイア
スしておけば、小さい振幅の入力信号を0と電源電圧と
の間に振幅の出力信号に変換することができる。
このような従来例回路は、素子数の少ない優れた回路で
あり広く使用されているが、この回路を集積回路に形成
するとつぎのような欠点がある。
あり広く使用されているが、この回路を集積回路に形成
するとつぎのような欠点がある。
■ この回路の利得を大きくするには抵抗器Rを大きい
抵抗値に選ぶことが必要であるが、大きい抵抗値の抵抗
器は集積回路上で大きい面積を占める。
抵抗値に選ぶことが必要であるが、大きい抵抗値の抵抗
器は集積回路上で大きい面積を占める。
■ 第1図に示すように抵抗器Rで負帰還をかけると、
出力端子OUTの出力インピーダンスが低くなり、この
値はこの出力端子OUTに接続される後段の論理回路の
入力インピーダンスより不要に低くなる。したがって、
このCMO3反転増幅回路A1の駆動電力が大きくなる
。
出力端子OUTの出力インピーダンスが低くなり、この
値はこの出力端子OUTに接続される後段の論理回路の
入力インピーダンスより不要に低くなる。したがって、
このCMO3反転増幅回路A1の駆動電力が大きくなる
。
本発明はこれを改良するもので、余分の回路面積を必要
とせず、消費電力が小さい、集積回路に適するレベル変
換回路を提供することを目的とする。
とせず、消費電力が小さい、集積回路に適するレベル変
換回路を提供することを目的とする。
本発明は、CMO3反転増幅回路A1の入出力に接続さ
れていた負帰還用の抵抗器Rを除き、このCMO3反転
増幅回路A1の利得を大きくするとともに、出力インピ
ーダンスを高くして、このCMO3反転増幅回路A1の
入力に、第二のCMO8反転増幅回路A2を接続し、こ
の第二のCMO8反転増幅回路A2の入出力を低いイン
ピーダンスで結合して、この第二のCMO3反転増幅回
路A2により最適の自動バイアス電圧を与えるように構
成されたことを特徴とする。
れていた負帰還用の抵抗器Rを除き、このCMO3反転
増幅回路A1の利得を大きくするとともに、出力インピ
ーダンスを高くして、このCMO3反転増幅回路A1の
入力に、第二のCMO8反転増幅回路A2を接続し、こ
の第二のCMO8反転増幅回路A2の入出力を低いイン
ピーダンスで結合して、この第二のCMO3反転増幅回
路A2により最適の自動バイアス電圧を与えるように構
成されたことを特徴とする。
第3図は本発明実施例回路の構成図である。入力端子I
Nには、電圧レベルの小さいディジタル信号入力が与え
られる。この入力端子INの信号はコンデンサCを介し
てCMO3反転増幅回路A□の入力に与えられる。この
CMO3反転増幅回路A1の出力は出力端子OUTから
、後段の論理回路に接続される。ここで本発明の特徴と
するところは、このCMO3反転増幅回路A1に負帰還
用の抵抗器を用いず、別に第二のCMO3反転増幅回路
A2を設け、この第二のCMO3反転増幅回路A2の出
力と入力とを結合して、これを第一のCMO3反転増幅
回路A1の入力に直接接続するところにある。
Nには、電圧レベルの小さいディジタル信号入力が与え
られる。この入力端子INの信号はコンデンサCを介し
てCMO3反転増幅回路A□の入力に与えられる。この
CMO3反転増幅回路A1の出力は出力端子OUTから
、後段の論理回路に接続される。ここで本発明の特徴と
するところは、このCMO3反転増幅回路A1に負帰還
用の抵抗器を用いず、別に第二のCMO3反転増幅回路
A2を設け、この第二のCMO3反転増幅回路A2の出
力と入力とを結合して、これを第一のCMO3反転増幅
回路A1の入力に直接接続するところにある。
この構成により、第一のCMO3反転増幅回路A1はそ
の利得が大きくなり、その出力インピーダンスは高くな
る。しかし、上述の自動バイアスの機能は失われ、別に
入力にバイアス電圧を与えなければ最適な動作をするこ
とができなくなる。
の利得が大きくなり、その出力インピーダンスは高くな
る。しかし、上述の自動バイアスの機能は失われ、別に
入力にバイアス電圧を与えなければ最適な動作をするこ
とができなくなる。
このバイアス電圧は第二のCMO3反転増幅回路A2か
ら与えられる。すなわち、第二のCMOS反転増幅回路
A2は、その入出力電圧特性が第一のCMO3反転増幅
回路A1の入出力電圧特性とほぼ等しいので、その出力
と入力とを結合して大きい負帰還をかけておくことによ
り、入力信号があるとそのバイアス電圧は自動的に、第
2図に示すように入出力電圧特性の最も急峻な点v1に
設定される。この電圧■1がCMO3反転増幅回路A1
の入力に供給され、CMO3反転増幅回路A1も最適の
バイアス電圧で動作することになる。
ら与えられる。すなわち、第二のCMOS反転増幅回路
A2は、その入出力電圧特性が第一のCMO3反転増幅
回路A1の入出力電圧特性とほぼ等しいので、その出力
と入力とを結合して大きい負帰還をかけておくことによ
り、入力信号があるとそのバイアス電圧は自動的に、第
2図に示すように入出力電圧特性の最も急峻な点v1に
設定される。この電圧■1がCMO3反転増幅回路A1
の入力に供給され、CMO3反転増幅回路A1も最適の
バイアス電圧で動作することになる。
一般にCMO3反転増幅回路は、同一の集積回路上に形
成すると、その大きさにかかわらず入出力電圧特性はほ
ぼ等しくなる。したがって、敢えて二つのCMO3反転
増幅回路の入出力電圧特性を一致させなくとも、はとん
ど自動的に一致した特性のCMO3反転増幅回路を形成
することができる。
成すると、その大きさにかかわらず入出力電圧特性はほ
ぼ等しくなる。したがって、敢えて二つのCMO3反転
増幅回路の入出力電圧特性を一致させなくとも、はとん
ど自動的に一致した特性のCMO3反転増幅回路を形成
することができる。
第4図は本発明実施例回路の具体的な回路図である。C
MO3反転増幅回路A1およびA2はともに、Pチャン
ネルMO3)ランジスタおよびNチャンネルMO3I−
ランジスタの組合せにより構成される。図でVDDは電
源電圧、GNDは共通電位点を示す。この実施例回路に
は抵抗器はないので、集積回路製造上では抵抗器の形成
工程は不要である。
MO3反転増幅回路A1およびA2はともに、Pチャン
ネルMO3)ランジスタおよびNチャンネルMO3I−
ランジスタの組合せにより構成される。図でVDDは電
源電圧、GNDは共通電位点を示す。この実施例回路に
は抵抗器はないので、集積回路製造上では抵抗器の形成
工程は不要である。
このように構成された回路では、従来回路と同様に、入
力端子INに到来するたとえば1■の入力ディジタル信
号を電源電圧に等しい5■の出力電圧に変換して出力す
ることができる。
力端子INに到来するたとえば1■の入力ディジタル信
号を電源電圧に等しい5■の出力電圧に変換して出力す
ることができる。
第二のCMO3反転増幅回路A2は、第一のCMO3反
転増幅回路A1に直流バイアス電圧を与えるための回路
であるから、その出力電力はきわめて小さいもので十分
であり、CMO3反転増幅回路A2は駆動電力のきわめ
て小さいCMO3反転増幅回路で構成することができる
。したがって、集積回路上では、この第二のCMO3反
転増幅回路A2は上記従来回路の抵抗器Rの占める面積
よりはるかに小さく形成することができるとともに、第
一のCMO3反転増幅回路A1と同一の製造手順で並行
して製作することができるので、集積回路上に抵抗器R
を形成する場合に比べてはるかに有利である。
転増幅回路A1に直流バイアス電圧を与えるための回路
であるから、その出力電力はきわめて小さいもので十分
であり、CMO3反転増幅回路A2は駆動電力のきわめ
て小さいCMO3反転増幅回路で構成することができる
。したがって、集積回路上では、この第二のCMO3反
転増幅回路A2は上記従来回路の抵抗器Rの占める面積
よりはるかに小さく形成することができるとともに、第
一のCMO3反転増幅回路A1と同一の製造手順で並行
して製作することができるので、集積回路上に抵抗器R
を形成する場合に比べてはるかに有利である。
また、CMO3反転増幅回路A1は負帰還がなくなるた
め電圧利得が大きくなり、出力インピーダンスが高くな
るので、出力端子OUTに接続される後段の論理回路と
の整合がよくなり、駆動電力は小さいものでよい。すな
わち第一のCMO3反転増幅回路A1は、従来回路より
小さいCMO8反転増幅回路で同等の回路を実現するこ
とができることになる。二つのCMO3反転増幅回路A
□およびA2を合わせた消費電力は、同等の出力を得る
ために、従来回路のCMO3反転増幅回路A1ひとつの
消費電力よりはるかに小さくすることができる。
め電圧利得が大きくなり、出力インピーダンスが高くな
るので、出力端子OUTに接続される後段の論理回路と
の整合がよくなり、駆動電力は小さいものでよい。すな
わち第一のCMO3反転増幅回路A1は、従来回路より
小さいCMO8反転増幅回路で同等の回路を実現するこ
とができることになる。二つのCMO3反転増幅回路A
□およびA2を合わせた消費電力は、同等の出力を得る
ために、従来回路のCMO3反転増幅回路A1ひとつの
消費電力よりはるかに小さくすることができる。
上記例に示したPチャンネルMOSトランジスタとNチ
ャンネルMO3I−ランジスタとの組合せにるCMO5
反転増幅回路はあくまでも一例であり、このほかのCM
O3反転増幅回路を用いて同様に本発明を実施すること
ができる。
ャンネルMO3I−ランジスタとの組合せにるCMO5
反転増幅回路はあくまでも一例であり、このほかのCM
O3反転増幅回路を用いて同様に本発明を実施すること
ができる。
上記例では第二のCMO3反転増幅回路の入力と出力と
は直結するように接続したが、直結でなりトモ低いイン
ピーダンスにより同様に本発明ヲ実施することができる
。この場合には、第一のCMO3反転増幅回路の入力に
、第二のCMO3反転増幅回路の入力または出力のいず
れを結合してもよい。
は直結するように接続したが、直結でなりトモ低いイン
ピーダンスにより同様に本発明ヲ実施することができる
。この場合には、第一のCMO3反転増幅回路の入力に
、第二のCMO3反転増幅回路の入力または出力のいず
れを結合してもよい。
以上説明したように、本発明のレベル変換回路は、信号
を増幅する第一のCMO3反転増幅回路には負帰還を施
さず、自動バイアス電圧は別の第二のCMO3反転増幅
回路をもちいて発生し、これを第一のCMO3反転増幅
回路の入力に与えるように構成するので、従来回路に比
べて消費電力が小さく、集積回路上での面積を小さくす
ることができるレベル変換回路が得られる。
を増幅する第一のCMO3反転増幅回路には負帰還を施
さず、自動バイアス電圧は別の第二のCMO3反転増幅
回路をもちいて発生し、これを第一のCMO3反転増幅
回路の入力に与えるように構成するので、従来回路に比
べて消費電力が小さく、集積回路上での面積を小さくす
ることができるレベル変換回路が得られる。
第1図は従来例回路の構成図。
第2図はCMO3反転増幅回路の入出力電圧特性図。
第3図は本発明実施例回路の構成図。
第4図は本発明実施例回路の具体的な回路図。
特許出)N人 日本電信電話公社
日本電気株式会社
代理人弁理士 井 出 直 孝
昂 1 l
蔦 2 図
第 3 図
M 4 図
Claims (3)
- (1) 入力端子と、この入力端子に一端が接続された
交流結合用コンデンサと、 この交流結合用コンデンサの他端に入力が接続された第
一のCMO3反転増幅回路と を備えたレベル変換回路において、 入出力電圧特性が上記第一のCMO5反転増幅回路とほ
ぼ等しい第二のCMO3反転増幅回路を備え、 その第二のCMO3反転増幅回路の出力と入力とが低い
インピーダンスを介して結合され、その入力または出力
が上記第一のCMO3反転増幅回路の入力に接続された
ことを特徴とするレベル変換回路。 - (2)低いインピーダンスが導体で直接結合された回路
である特許請求の範囲第(1)項に記載のレベル変換回
路。 - (3)第一のCMO3反転増幅回路と第二のCMO8反
転増幅回路とが同一の集積回路に形成された特許請求の
範囲第(11項または第(2)項に記載のレベル変換回
路。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58213783A JPS60105320A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | レベル変換回路 |
CA000467611A CA1210085A (en) | 1983-11-14 | 1984-11-13 | Level shifting circuit |
EP84113700A EP0142167A3 (en) | 1983-11-14 | 1984-11-13 | Level shifting circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58213783A JPS60105320A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | レベル変換回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60105320A true JPS60105320A (ja) | 1985-06-10 |
Family
ID=16644963
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58213783A Pending JPS60105320A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | レベル変換回路 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0142167A3 (ja) |
JP (1) | JPS60105320A (ja) |
CA (1) | CA1210085A (ja) |
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- 1983-11-14 JP JP58213783A patent/JPS60105320A/ja active Pending
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- 1984-11-13 EP EP84113700A patent/EP0142167A3/en not_active Withdrawn
- 1984-11-13 CA CA000467611A patent/CA1210085A/en not_active Expired
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0142167A3 (en) | 1986-08-06 |
CA1210085A (en) | 1986-08-19 |
EP0142167A2 (en) | 1985-05-22 |
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