JPH1140690A - 電子部品用パッケージ - Google Patents
電子部品用パッケージInfo
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- JPH1140690A JPH1140690A JP9189860A JP18986097A JPH1140690A JP H1140690 A JPH1140690 A JP H1140690A JP 9189860 A JP9189860 A JP 9189860A JP 18986097 A JP18986097 A JP 18986097A JP H1140690 A JPH1140690 A JP H1140690A
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- metal
- brazing material
- electronic component
- package
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リフローの通過によって電子部品用パッケー
ジが長時間加熱されても、パッケージ内に収納された電
子部品の電気特性が変化することのない高精度の電子部
品用パッケージを提供する。 【解決手段】 圧電振動子２を収納するセラミックケー
ス３と、その外周枠４の上面４ａにメタライズ層５を介
して封着される蓋体６ａとからなり、この蓋体６ａを金
属板８と金属板８の少なくとも片面にクラッド化された
金属ろう材９とで構成し、この金属ろう材９側を封着面
１０にして上記メタライズ層５の上に蓋体６ａを載せ、
両者をビーム溶接によって封着した電子部品用パッケー
ジにおいて、前記蓋体６ａの封着面１０に金属ろう材５
とは種類の異なる金属薄膜１５を形成した。
ジが長時間加熱されても、パッケージ内に収納された電
子部品の電気特性が変化することのない高精度の電子部
品用パッケージを提供する。 【解決手段】 圧電振動子２を収納するセラミックケー
ス３と、その外周枠４の上面４ａにメタライズ層５を介
して封着される蓋体６ａとからなり、この蓋体６ａを金
属板８と金属板８の少なくとも片面にクラッド化された
金属ろう材９とで構成し、この金属ろう材９側を封着面
１０にして上記メタライズ層５の上に蓋体６ａを載せ、
両者をビーム溶接によって封着した電子部品用パッケー
ジにおいて、前記蓋体６ａの封着面１０に金属ろう材５
とは種類の異なる金属薄膜１５を形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電素子その他各
種の電子部品を収納する電子部品用パッケージに関する
ものである。
種の電子部品を収納する電子部品用パッケージに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】本件出願人は、この種の電子部品用パッ
ケージとして図５および図６に示したものを提案してい
る（特願平８−４５７１７号）。この電子部品用パッケ
ージ１は、圧電振動子２などの電子部品を収納する箱形
のセラミックケース３と、その外周枠４の上面４ａに形
成したメタライズ層５を介して封着される金属製の蓋体
６とで構成される。なお、メタライズ層５の表面には金
属メッキ７が施されている。蓋体６は、金属板８と、こ
の金属板８の下面全体に形成された金属ろう材９とで構
成されるが、金属ろう材９が圧延手段によって金属板８
にクラッド化されたものである。
ケージとして図５および図６に示したものを提案してい
る（特願平８−４５７１７号）。この電子部品用パッケ
ージ１は、圧電振動子２などの電子部品を収納する箱形
のセラミックケース３と、その外周枠４の上面４ａに形
成したメタライズ層５を介して封着される金属製の蓋体
６とで構成される。なお、メタライズ層５の表面には金
属メッキ７が施されている。蓋体６は、金属板８と、こ
の金属板８の下面全体に形成された金属ろう材９とで構
成されるが、金属ろう材９が圧延手段によって金属板８
にクラッド化されたものである。
【０００３】セラミックケース３の上面を蓋体６によっ
て封着する場合には、図６に示したように、金属ろう材
９側を封着面１０（パッケージ内露出面）としてメタラ
イズ層５の上に蓋体６を載せ、金属板８の上から外周枠
４に沿って電子ビーム１１を照射することにより金属ろ
う材９を加熱溶融し、メタライズ層５に金属ろう材９を
ビーム溶接することで蓋体６を封着することができる。
本件出願人の提案した電子部品用パッケージ１によれ
ば、従来のような合金リングを用いることなく、直接メ
タライズ層５に蓋体６を封着することができるので、パ
ッケージの小型化、製作コストの低減化を図ることがで
きる。
て封着する場合には、図６に示したように、金属ろう材
９側を封着面１０（パッケージ内露出面）としてメタラ
イズ層５の上に蓋体６を載せ、金属板８の上から外周枠
４に沿って電子ビーム１１を照射することにより金属ろ
う材９を加熱溶融し、メタライズ層５に金属ろう材９を
ビーム溶接することで蓋体６を封着することができる。
本件出願人の提案した電子部品用パッケージ１によれ
ば、従来のような合金リングを用いることなく、直接メ
タライズ層５に蓋体６を封着することができるので、パ
ッケージの小型化、製作コストの低減化を図ることがで
きる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の電子
部品用パッケージ１にあっては、金属ろう材９のクラッ
ド化の一手段として圧延方法が採用され、金属板８と金
属ろう材９を一対の圧延ローラの間を通してはり合わせ
るが、圧延ローラには金属板８や金属ろう材９が巻付か
ないように剥離油が塗布されているために、これらの剥
離油がクラッド化した後の金属板８や金属ろう材９の表
面に付着してしまう。そして、金属板８や金属ろう材９
の粒界にまで入り込んだ剥離油は、超音波洗浄によって
も除去されずに残ってしまうといった問題があった。
部品用パッケージ１にあっては、金属ろう材９のクラッ
ド化の一手段として圧延方法が採用され、金属板８と金
属ろう材９を一対の圧延ローラの間を通してはり合わせ
るが、圧延ローラには金属板８や金属ろう材９が巻付か
ないように剥離油が塗布されているために、これらの剥
離油がクラッド化した後の金属板８や金属ろう材９の表
面に付着してしまう。そして、金属板８や金属ろう材９
の粒界にまで入り込んだ剥離油は、超音波洗浄によって
も除去されずに残ってしまうといった問題があった。
【０００５】一方、上述した電子部品用パッケージ１
は、マザーボード（図示せず）に実装される際に外部電
極１２がリフロー半田されるが、その際の加熱によって
金属ろう材９のろう成分や金属ろう材９の粒界に残存し
ていた微量の剥離油、その他の有機物が真空気密のパッ
ケージ内で蒸発して圧電振動子２に付着するおそれがあ
った。その結果、圧電振動子２の質量が変化したり、圧
電振動子２の蒸着膜１３ａ，１３ｂに化学変化が生じ、
圧電振動子２の発振周波数などの電気特性が変化してし
まうことがあった。同様な問題は、パッケージ化された
電子部品が、耐熱試験で長時間加熱された状態に置かれ
ることでも発生し、高精度に安定した電気特性を有する
電子部品を提供することが困難であった。
は、マザーボード（図示せず）に実装される際に外部電
極１２がリフロー半田されるが、その際の加熱によって
金属ろう材９のろう成分や金属ろう材９の粒界に残存し
ていた微量の剥離油、その他の有機物が真空気密のパッ
ケージ内で蒸発して圧電振動子２に付着するおそれがあ
った。その結果、圧電振動子２の質量が変化したり、圧
電振動子２の蒸着膜１３ａ，１３ｂに化学変化が生じ、
圧電振動子２の発振周波数などの電気特性が変化してし
まうことがあった。同様な問題は、パッケージ化された
電子部品が、耐熱試験で長時間加熱された状態に置かれ
ることでも発生し、高精度に安定した電気特性を有する
電子部品を提供することが困難であった。
【０００６】そこで、本発明はリフロー等により電子部
品用パッケージが長時間加熱されても、パッケージ内に
収納された電子部品の電気特性が変化することのない高
精度の電子部品用パッケージを提供することを目的とす
る。
品用パッケージが長時間加熱されても、パッケージ内に
収納された電子部品の電気特性が変化することのない高
精度の電子部品用パッケージを提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の請求項１に係る電子部品用パッケージは、電
子部品を収納するセラミックケースと、その上面の外周
枠にメタライズ層を介して封着される蓋体とからなり、
この蓋体を金属板とこの金属板の少なくとも片面にクラ
ッド化された金属ろう材とで構成し、この金属ろう材側
を封着面にして上記メタライズ層の上に蓋体を載せ、両
者をビーム溶接によって封着した電子部品用パッケージ
において、前記蓋体の封着面に金属ろう材とは種類の異
なる金属薄膜を形成したことを特徴とする。
に本発明の請求項１に係る電子部品用パッケージは、電
子部品を収納するセラミックケースと、その上面の外周
枠にメタライズ層を介して封着される蓋体とからなり、
この蓋体を金属板とこの金属板の少なくとも片面にクラ
ッド化された金属ろう材とで構成し、この金属ろう材側
を封着面にして上記メタライズ層の上に蓋体を載せ、両
者をビーム溶接によって封着した電子部品用パッケージ
において、前記蓋体の封着面に金属ろう材とは種類の異
なる金属薄膜を形成したことを特徴とする。
【０００８】また、本発明の請求項２に係る電子部品用
パッケージは、前記金属薄膜の溶融温度が前記金属ろう
材よりも高いことを特徴とする。
パッケージは、前記金属薄膜の溶融温度が前記金属ろう
材よりも高いことを特徴とする。
【０００９】また、本発明の請求項３に係る電子部品用
パッケージは、前記金属薄膜が、ニッケル、金、白金、
クロム、銅、アルミニウム及びこれらの金属を主成分と
した合金のいずれかを材料として、メッキ、蒸着、スパ
ッタリングのいずれかの方法によって形成されることを
特徴とする。
パッケージは、前記金属薄膜が、ニッケル、金、白金、
クロム、銅、アルミニウム及びこれらの金属を主成分と
した合金のいずれかを材料として、メッキ、蒸着、スパ
ッタリングのいずれかの方法によって形成されることを
特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
に係る電子部品用パッケージの実施の形態を詳細に説明
する。図１及び図２は、本発明に係る電子部品用パッケ
ージの第１の形態を示したものである。この実施の形態
において電子部品用パッケージ１ａは、従来と同様、圧
電振動子２などの電子部品を収納する箱形のセラミック
ケース３と、その外周枠４の上面４ａに形成されたメタ
ライズ層５を介して封着される金属製の蓋体６ａとで構
成される。メタライズ層５は、タングステン又はモリブ
デン等の金属メタライズ層で構成され、セラミックケー
ス３と同時焼成によって形成される。なお、メタライズ
層５の表面にはニッケルメッキや金メッキ等の金属メッ
キ層７が施されている。
に係る電子部品用パッケージの実施の形態を詳細に説明
する。図１及び図２は、本発明に係る電子部品用パッケ
ージの第１の形態を示したものである。この実施の形態
において電子部品用パッケージ１ａは、従来と同様、圧
電振動子２などの電子部品を収納する箱形のセラミック
ケース３と、その外周枠４の上面４ａに形成されたメタ
ライズ層５を介して封着される金属製の蓋体６ａとで構
成される。メタライズ層５は、タングステン又はモリブ
デン等の金属メタライズ層で構成され、セラミックケー
ス３と同時焼成によって形成される。なお、メタライズ
層５の表面にはニッケルメッキや金メッキ等の金属メッ
キ層７が施されている。
【００１１】メタライズ層５の上に直接封止される金属
製の蓋体６ａは、セラミックケース３の平面形状とほぼ
同一形状の金属板８と、金属板８の下面全体にクラッド
化された金属ろう材９とで構成される。金属板８は、４
２アロイやコバールその他の鉄系合金で構成され、一
方、金属ろう材９は銀合金やアルミニウム合金等の金属
材で構成される。クラッド化は、上述したように金属板
８と金属ろう材９とを圧延することによって行われる。
製の蓋体６ａは、セラミックケース３の平面形状とほぼ
同一形状の金属板８と、金属板８の下面全体にクラッド
化された金属ろう材９とで構成される。金属板８は、４
２アロイやコバールその他の鉄系合金で構成され、一
方、金属ろう材９は銀合金やアルミニウム合金等の金属
材で構成される。クラッド化は、上述したように金属板
８と金属ろう材９とを圧延することによって行われる。
【００１２】また、この実施の形態では、クラッド化さ
れた金属板８と金属ろう材９の表面全体に金属薄膜１５
が形成されている。この金属薄膜１５は、金属板８や金
属ろう材９とは異なった金属材料が用いられ、例えばニ
ッケル、金、白金、クロム、銅、アルミニウム及びこれ
らの金属を主成分とした合金等が好ましい。これらの金
属は、金属ろう材９よりも溶融温度が高いのは勿論であ
るが、蓋体６ａのビーム溶接時には金属ろう材９と共に
溶融する必要があることから、この点も考慮して選択さ
れる。また、金属薄膜１５は、メッキ、蒸着、スパッタ
リング等の方法によって形成することができる。金属薄
膜１５の厚さは２μｍ以下、好ましくは０．０５〜１．
０μｍのごく薄いものである。これは、金属ろう材９の
表面を金属薄膜１５で被覆することによってリフロー時
における金属ろう材９からの悪影響、即ち金属ろう材９
のろう成分の蒸発や圧延工程で付着した剥離油などの蒸
発を抑え込むようにする一方で、ビーム溶接をする際に
はメタライズ層５との溶着部分で金属ろう材９と共に金
属薄膜１５を溶融させる必要があるからである。なお、
この実施の形態では金属ろう材９の表面に均一の厚さで
金属薄膜１５を形成しているが、メタライズ層５に対応
する部分をその他の部分より薄く形成することも可能で
ある。
れた金属板８と金属ろう材９の表面全体に金属薄膜１５
が形成されている。この金属薄膜１５は、金属板８や金
属ろう材９とは異なった金属材料が用いられ、例えばニ
ッケル、金、白金、クロム、銅、アルミニウム及びこれ
らの金属を主成分とした合金等が好ましい。これらの金
属は、金属ろう材９よりも溶融温度が高いのは勿論であ
るが、蓋体６ａのビーム溶接時には金属ろう材９と共に
溶融する必要があることから、この点も考慮して選択さ
れる。また、金属薄膜１５は、メッキ、蒸着、スパッタ
リング等の方法によって形成することができる。金属薄
膜１５の厚さは２μｍ以下、好ましくは０．０５〜１．
０μｍのごく薄いものである。これは、金属ろう材９の
表面を金属薄膜１５で被覆することによってリフロー時
における金属ろう材９からの悪影響、即ち金属ろう材９
のろう成分の蒸発や圧延工程で付着した剥離油などの蒸
発を抑え込むようにする一方で、ビーム溶接をする際に
はメタライズ層５との溶着部分で金属ろう材９と共に金
属薄膜１５を溶融させる必要があるからである。なお、
この実施の形態では金属ろう材９の表面に均一の厚さで
金属薄膜１５を形成しているが、メタライズ層５に対応
する部分をその他の部分より薄く形成することも可能で
ある。
【００１３】図２は、上記蓋体６ａでセラミックケース
３を気密封着した状態を示したものである。封着に際し
ては、蓋体６ａの金属ろう材９側を封着面１０（パッケ
ージ内露出面）にしてメタライズ層５の上に載せ置き、
蓋体６ａの上方から外周枠４に沿って電子ビーム１１を
照射する。電子ビーム１１の照射によって金属ろう材９
が加熱溶融し、メタライズ層５に溶着する。この時、金
属ろう材９はメタライズ層５と接する面が金属薄膜１５
によって被覆されているが、金属薄膜１５は非常に薄い
ことから金属ろう材９が局所的に加熱溶融されると、そ
の個所で金属薄膜１５も一緒に溶融され、金属ろう材９
がメタライズ層５に溶着される。このように、金属薄膜
１５は金属ろう材９のメタライズ層５への溶着を妨げる
ことがない他、局所的に溶融されるだけなので、ビーム
溶接時に蒸発した金属ろう材９のろう成分がパッケージ
内に漏れ出るのを有効に阻止することが出来る。なお、
蓋体６ａを溶着する際のビーム溶接は、上述した電子ビ
ームに限られることなく、光ビームやレーザビーム、イ
オンビームを用いたものであってもよい。
３を気密封着した状態を示したものである。封着に際し
ては、蓋体６ａの金属ろう材９側を封着面１０（パッケ
ージ内露出面）にしてメタライズ層５の上に載せ置き、
蓋体６ａの上方から外周枠４に沿って電子ビーム１１を
照射する。電子ビーム１１の照射によって金属ろう材９
が加熱溶融し、メタライズ層５に溶着する。この時、金
属ろう材９はメタライズ層５と接する面が金属薄膜１５
によって被覆されているが、金属薄膜１５は非常に薄い
ことから金属ろう材９が局所的に加熱溶融されると、そ
の個所で金属薄膜１５も一緒に溶融され、金属ろう材９
がメタライズ層５に溶着される。このように、金属薄膜
１５は金属ろう材９のメタライズ層５への溶着を妨げる
ことがない他、局所的に溶融されるだけなので、ビーム
溶接時に蒸発した金属ろう材９のろう成分がパッケージ
内に漏れ出るのを有効に阻止することが出来る。なお、
蓋体６ａを溶着する際のビーム溶接は、上述した電子ビ
ームに限られることなく、光ビームやレーザビーム、イ
オンビームを用いたものであってもよい。
【００１４】一方、金属薄膜１５は、上記ビーム溶接に
よってメタライズ層５に対応する部分が溶融された以外
では金属ろう材９を被覆しているので、図２に示したよ
うに、セラミックケース３の内部に露出する金属ろう材
９の封着面１０は、蓋体６ａをセラミックケース３に封
着した後も金属薄膜１５によって被覆されている。この
ため、この実施の形態に係る電子部品用パッケージ１ａ
の外部電極１２をマザーボード（図示せず）に半田付け
すべくリフローを通して加熱しても、真空気密のパッケ
ージ１ａ内で、金属ろう材９からろう成分が蒸発するこ
と、及び金属ろう材９に圧延工程で付着した剥離油や有
機物等が蒸発することを金属薄膜２４によって抑えるこ
とができる。その結果、ろう成分が圧電振動子２に付着
して質量変化したり、圧電振動子２の金属蒸着膜１３
ａ，１２ｂが化学変化することがなく、圧電振動子２の
発振周波数等の電気特性が安定して高精度で得られる。
なお、上記の実施の形態では、金属薄膜１５を蓋体６ａ
の金属板８側にも形成しているため、蓋体６ａの上面の
汚れ及び酸化を防止する効果もある。
よってメタライズ層５に対応する部分が溶融された以外
では金属ろう材９を被覆しているので、図２に示したよ
うに、セラミックケース３の内部に露出する金属ろう材
９の封着面１０は、蓋体６ａをセラミックケース３に封
着した後も金属薄膜１５によって被覆されている。この
ため、この実施の形態に係る電子部品用パッケージ１ａ
の外部電極１２をマザーボード（図示せず）に半田付け
すべくリフローを通して加熱しても、真空気密のパッケ
ージ１ａ内で、金属ろう材９からろう成分が蒸発するこ
と、及び金属ろう材９に圧延工程で付着した剥離油や有
機物等が蒸発することを金属薄膜２４によって抑えるこ
とができる。その結果、ろう成分が圧電振動子２に付着
して質量変化したり、圧電振動子２の金属蒸着膜１３
ａ，１２ｂが化学変化することがなく、圧電振動子２の
発振周波数等の電気特性が安定して高精度で得られる。
なお、上記の実施の形態では、金属薄膜１５を蓋体６ａ
の金属板８側にも形成しているため、蓋体６ａの上面の
汚れ及び酸化を防止する効果もある。
【００１５】図３及び図４は、本発明に係る電子部品用
パッケージの第２の実施形態を示したものである。この
実施形態に係る電子部品用パッケージ１ｂは、蓋体６ｂ
を構成する金属板８と金属ろう材９の内、金属ろう材９
の表面のみに金属膜１５を形成したものである。この実
施の形態においても金属ろう材９側がセラミックケース
３の封着面１０となるので、上記第１の実施の形態と同
様の効果を得ることが出来る他、金属薄膜１５を蓋体６
ｂの片面だけに形成しているので、製造コストを低く抑
えることができる。
パッケージの第２の実施形態を示したものである。この
実施形態に係る電子部品用パッケージ１ｂは、蓋体６ｂ
を構成する金属板８と金属ろう材９の内、金属ろう材９
の表面のみに金属膜１５を形成したものである。この実
施の形態においても金属ろう材９側がセラミックケース
３の封着面１０となるので、上記第１の実施の形態と同
様の効果を得ることが出来る他、金属薄膜１５を蓋体６
ｂの片面だけに形成しているので、製造コストを低く抑
えることができる。
【００１６】
【実施例】上記第１の実施形態において構成された電子
部品用パッケージ１ａをリフローに通したときの圧電振
動子２の発振周波数変化を調べた。実施の対象として
は、蓋体６の表面を金蒸着によって被覆した場合（Ａｕ
蒸着）、金メッキによって被覆した場合（Ａｕメッ
キ）、ニッケルメッキによって被覆した場合（Ｎｉメッ
キ）と、従来の蓋体６に金属薄膜１５を形成しない場合
（処理なし）とに場合分けし、蓋体の表面処理の違いに
よる発振周波数のリフロー変化をそれぞれ比較した。な
お、リフローに通す前の圧電振動子の発振周波数は２０
ＭＨｚに設定した。
部品用パッケージ１ａをリフローに通したときの圧電振
動子２の発振周波数変化を調べた。実施の対象として
は、蓋体６の表面を金蒸着によって被覆した場合（Ａｕ
蒸着）、金メッキによって被覆した場合（Ａｕメッ
キ）、ニッケルメッキによって被覆した場合（Ｎｉメッ
キ）と、従来の蓋体６に金属薄膜１５を形成しない場合
（処理なし）とに場合分けし、蓋体の表面処理の違いに
よる発振周波数のリフロー変化をそれぞれ比較した。な
お、リフローに通す前の圧電振動子の発振周波数は２０
ＭＨｚに設定した。
【００１７】測定した結果、蓋体６の表面に金属薄膜１
５を形成しない場合には、リフローを通過させた時の加
熱によって金属ろう材９からろう成分等の有機物が蒸発
し、この有機物が圧電振動子２に悪影響を及ぼすために
て発振周波数の低下が見られた。この発振周波数の低下
は、リフロー通過回数が増加するに従ってその傾向が大
きくなる。これに対して、Ａｕ蒸着、Ａｕメッキ、Ｎｉ
メッキいずれの場合も、リフロー通過回数を増やしても
発振周波数の大幅な低下は認められなかった。また、初
期設定周波数からほとんど変化せずに常に安定した発振
周波数を得ることができるため、高精度の発振周波数を
保持する圧電振動子２が得られることになる。なお、Ａ
ｕ蒸着及びＡｕメッキの場合は、Ｎｉメッキの場合に比
べて発振周波数の変化をより小さくすることができる。
これは、金がニッケルよりも蒸発が少なく、安定した金
属だからである。
５を形成しない場合には、リフローを通過させた時の加
熱によって金属ろう材９からろう成分等の有機物が蒸発
し、この有機物が圧電振動子２に悪影響を及ぼすために
て発振周波数の低下が見られた。この発振周波数の低下
は、リフロー通過回数が増加するに従ってその傾向が大
きくなる。これに対して、Ａｕ蒸着、Ａｕメッキ、Ｎｉ
メッキいずれの場合も、リフロー通過回数を増やしても
発振周波数の大幅な低下は認められなかった。また、初
期設定周波数からほとんど変化せずに常に安定した発振
周波数を得ることができるため、高精度の発振周波数を
保持する圧電振動子２が得られることになる。なお、Ａ
ｕ蒸着及びＡｕメッキの場合は、Ｎｉメッキの場合に比
べて発振周波数の変化をより小さくすることができる。
これは、金がニッケルよりも蒸発が少なく、安定した金
属だからである。
【００１８】
【発明の効果】以上、説明したように本発明に係る電子
部品用パッケージによれば、セラミックケースに対して
封着面を構成する蓋体の金属ろう材側に金属薄膜を形成
したので、リフロー半田等の加熱によっても金属ろう材
からろう成分が蒸発したり金属ろう材の表面に付着して
いる剥離油等の有機物が蒸発するのを押え込むことがで
き、パッケージ内に収納された電子部品の電気特性など
に悪影響を与えることがなく、経時変化の少ない高精度
の電子部品用パッケージが得られる。
部品用パッケージによれば、セラミックケースに対して
封着面を構成する蓋体の金属ろう材側に金属薄膜を形成
したので、リフロー半田等の加熱によっても金属ろう材
からろう成分が蒸発したり金属ろう材の表面に付着して
いる剥離油等の有機物が蒸発するのを押え込むことがで
き、パッケージ内に収納された電子部品の電気特性など
に悪影響を与えることがなく、経時変化の少ない高精度
の電子部品用パッケージが得られる。
【図１】本発明に係る電子部品用パッケージの第１実施
形態を示す封着前の断面図である。
形態を示す封着前の断面図である。
【図２】上記第１実施形態における封着後の状態を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明に係る電子部品用パッケージの第２実施
形態を示す封着前の断面図である。
形態を示す封着前の断面図である。
【図４】上記第２実施形態における封着後の状態を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】従来の電子部品用パッケージの蓋体とケースを
示す断面図である。
示す断面図である。
【図６】上記従来例における電子部品用パッケージの封
着後の状態を示す断面図である。
着後の状態を示す断面図である。
１ａ，１ｂ 電子部品用パッケージ ２ 圧電振動子（電子部品） ３ セラミックケース ４ 外周枠 ４ａ 上面 ５ メタライズ層 ６ａ，６ｂ 蓋体 ８ 金属板 ９ 金属ろう材 １０ 封着面 １５ 金属薄膜
Claims (3)
- 【請求項１】 電子部品を収納するセラミックケース
と、その外周枠の上面にメタライズ層を介して封着され
る蓋体とからなり、この蓋体を金属板とこの金属板の少
なくとも片面にクラッド化された金属ろう材とで構成
し、この金属ろう材側を封着面にして上記メタライズ層
の上に蓋体を載せ、両者をビーム溶接によって封着した
電子部品用パッケージにおいて、 前記蓋体の封着面に金属ろう材とは種類の異なる金属薄
膜を形成したことを特徴とする電子部品用パッケージ。 - 【請求項２】 前記金属薄膜は、前記金属ろう材よりも
溶融温度が高いことを特徴とする請求項１記載の電子部
品用パッケージ。 - 【請求項３】 前記金属薄膜は、ニッケル、金、白金、
クロム、銅、アルミニウム及びこれらの金属を主成分と
した合金のいずれかを材料として、メッキ、蒸着、スパ
ッタリングのいずれかの方法によって形成されることを
特徴とする請求項１又は２記載の電子部品用パッケー
ジ。
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|---|---|---|---|
| JP18986097A JP3807822B2 (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | 電子部品用パッケージ |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18986097A JP3807822B2 (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | 電子部品用パッケージ |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140690A true JPH1140690A (ja) | 1999-02-12 |
| JP3807822B2 JP3807822B2 (ja) | 2006-08-09 |
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| JP (1) | JP3807822B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006020001A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電振動子の製造方法 |
-
1997
- 1997-07-15 JP JP18986097A patent/JP3807822B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006020001A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電振動子の製造方法 |
| JP4512186B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2010-07-28 | 京セラキンセキ株式会社 | 圧電振動子の製造方法 |
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| JP3807822B2 (ja) | 2006-08-09 |
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