JP6539801B1 - 試料支持体 - Google Patents
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Abstract
Description
図1〜図3を参照して、第1実施形態に係る試料支持体1について説明する。図1は、試料支持体1の平面図である。図2は、図1に示されるII−II線に沿った試料支持体1の断面図である。図3は、試料支持体1のイオン化基板3及び導電層4の概略構成を示す要部拡大断面図である。図1〜図3に示されるように、試料支持体1は、基板2と、イオン化基板3と、導電層4と、支持部5と、テープ6(固定部材)と、を備えている。基板2は、例えば長方形板状に形成されている。以下では、便宜上、基板2の長辺に沿った方向をX方向、基板2の短辺に沿った方向をY方向、基板2の厚み方向をZ方向と言う場合がある。Z方向は、基板2とイオン化基板3とが対向する方向でもある。
Desorption/Ionization)の概略を示している。比較例に係るレーザ脱離イオン化法では、表面に微細な凹凸構造を有する基板300が使用される。具体的には、まず、基板300の1つの測定スポット(基板300の凹凸構造が設けられた面)に対して試料Sが滴下される(図6の(A))。ここで、基板300には、試料支持体1のように、試料Sの過剰分を逃すための空間が設けられていない。このため、試料Sの滴下量が適量よりも多い場合、試料Sが基板300の表面に浸透した後(試料Sの乾燥後)、試料Sの過剰分が基板300の凹凸構造から溢れ出た状態(すなわち、凹凸構造が試料S中に埋没した状態)となる(図6の(B))。このため、いわゆる凹凸効果(凹凸構造によりレーザ光のエネルギーが試料に伝わり易くなる効果)が発揮されず、レーザ光を基板300の表面に対して照射した際の試料Sのイオン化効率が低下してしまう(図6の(C))。一方、上述したように、試料支持体1を用いたレーザ脱離イオン化法によれば、試料Sの過剰分がイオン化基板3の第2表面3b上に溢れることが防止されるため、試料Sのイオン化効率の低下を抑制することができる。
図7及び図8を参照して、第2実施形態に係る試料支持体1Aについて説明する。図7の(A)は、試料支持体1Aの平面図である。図7の(B)は、(A)におけるB−B線に沿った試料支持体1Aの断面図である。図8は、図7に示される破線Aで囲まれた部分の概略構成を示す要部拡大断面図である。図7及び図8に示されるように、試料支持体1Aは、フレーム7を備えると共に導電層4及びテープ6の配置が一部変更されている点において、試料支持体1と相違しており、その他の構成については試料支持体1と同様である。
図9を参照して、第3実施形態に係る試料支持体1Bについて説明する。図9の(A)は、試料支持体1Bの平面図である。図9の(B)は、(A)におけるB−B線に沿った試料支持体1Bの断面図(基板12の平面図)である。図9に示されるように、試料支持体1Bは、基板2の代わりに基板12を備える点において、試料支持体1と相違しており、その他の構成については試料支持体1と同様である。
図10の(A)は、第4実施形態に係る試料支持体1Cを示す図である。試料支持体1Cは、基板12の代わりに基板22を備える点において、試料支持体1Bと相違しており、その他の構成については試料支持体1Bと同様である。
図10の(B)は、第5実施形態に係る試料支持体1Dを示す図である。試料支持体1Dは、基板12の代わりに基板32を備える点において、試料支持体1Bと相違しており、その他の構成については試料支持体1Bと同様である。
図10の(C)は、第6実施形態に係る試料支持体1Eを示す図である。試料支持体1Eは、支持部5を備えておらず、イオン化基板3の第1表面3aが基板12の表面に接触している点において、試料支持体1Bと相違しており、その他の構成については試料支持体1Bと同様である。試料支持体1Eにおいては、支持部5が省略されたことにより、イオン化基板3の第1表面3aと基板12との間に隙間が形成されていない。このような試料支持体1Eにおいても、試料支持体1Bと同様に、基板12に形成された貫通孔12aにより、イオン化基板3の貫通孔3cの第1表面3a側の開口から基板12側に流れ出た試料Sを、基板12の貫通孔12a内に移動させることができる。すなわち、このような試料支持体1Eによっても、上述した試料支持体1B〜1Dと同様に、試料Sの過剰分が第2表面3b上に溢れ出すことを抑制し、試料Sの滴下量に起因するイオン化効率の低下を抑制することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。例えば、上述した試料支持体1,1A〜1Eの構成は、適宜組み合わせられてもよい。例えば、試料支持体1Aのフレーム7は、基板に加工が施された試料支持体1B〜1Eにも設けられてもよい。
Claims (11)
- 基板と、
前記基板上に配置されるイオン化基板と、
前記イオン化基板における前記基板に対向する第1表面と前記基板とが互いに離間するように、前記基板に対して前記イオン化基板を支持する支持部と、
前記基板と前記イオン化基板とが対向する方向から見て、前記イオン化基板における前記第1表面とは反対側の第2表面の周縁部上に少なくとも形成されたフレームと、
を備え、
前記イオン化基板は、前記第2表面において試料を滴下するための複数の測定領域を有し、
前記イオン化基板の少なくとも各前記測定領域には、前記第1表面及び前記第2表面に開口する複数の貫通孔が形成されており、
少なくとも前記第2表面における前記貫通孔の周縁部には、導電層が設けられており、
前記フレームは、前記基板と前記イオン化基板とが対向する方向から見て、前記複数の測定領域を区切るように、前記第2表面における各前記測定領域の周縁部上に設けられた壁部を有する、
試料支持体。 - 前記導電層は、前記フレームの表面を更に覆うように形成されている、
請求項1に記載の試料支持体。 - 導電性を有し、前記導電層における前記フレームの表面を覆う部分に接触した状態で前記イオン化基板と前記基板とを互いに固定する固定部材を更に備える、
請求項2に記載の試料支持体。 - 前記支持部は、前記基板と前記イオン化基板とが対向する方向から見て、前記複数の測定領域を区切るように、前記第1表面における各前記測定領域の周縁部と前記基板との間に設けられた第1支持部を有する、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の試料支持体。 - 前記第1支持部は、前記イオン化基板と前記基板とを接着する接着部材である、
請求項4に記載の試料支持体。 - 前記支持部は、前記イオン化基板の周縁部と前記基板との間に設けられた第2支持部を有する、
請求項1〜5のいずれか一項に記載の試料支持体。 - 前記第2支持部は、前記イオン化基板と前記基板とを接着する接着部材である、
請求項6に記載の試料支持体。 - 前記基板は、導電性を有するスライドガラス又は金属により形成されている、
請求項1〜7のいずれか一項に記載の試料支持体。 - 前記イオン化基板は、バルブ金属又はシリコンを陽極酸化することにより形成されている、
請求項1〜8のいずれか一項に記載の試料支持体。 - 前記貫通孔の幅は、1nm〜700nmである、
請求項1〜9のいずれか一項に記載の試料支持体。 - 基板と、
導電性を有し、前記基板上に配置されるイオン化基板と、
前記イオン化基板における前記基板に対向する第1表面と前記基板とが互いに離間するように、前記基板に対して前記イオン化基板を支持する支持部と、
前記基板と前記イオン化基板とが対向する方向から見て、前記イオン化基板における前記第1表面とは反対側の第2表面の周縁部上に少なくとも形成されたフレームと、
を備え、
前記イオン化基板は、前記第2表面において試料を滴下するための複数の測定領域を有し、
前記イオン化基板の少なくとも各前記測定領域には、前記第1表面及び前記第2表面に開口する複数の貫通孔が形成されており、
前記フレームは、前記基板と前記イオン化基板とが対向する方向から見て、前記複数の測定領域を区切るように、前記第2表面における各前記測定領域の周縁部上に設けられた壁部を有する、
試料支持体。
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