JP2021163605A - 試料支持体 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 164
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 57
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 57
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 28
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 description 5
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001269 time-of-flight mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
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- H01J49/04—Arrangements for introducing or extracting samples to be analysed, e.g. vacuum locks; Arrangements for external adjustment of electron- or ion-optical components
- H01J49/0409—Sample holders or containers
- H01J49/0418—Sample holders or containers for laser desorption, e.g. matrix-assisted laser desorption/ionisation [MALDI] plates or surface enhanced laser desorption/ionisation [SELDI] plates
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
- G03F7/0044—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists involving an interaction between the metallic and non-metallic component, e.g. photodope systems
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
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Abstract
Description
図1〜図3に示される試料支持体1は、試料の成分をイオン化するために用いられる。試料支持体1は、基板2と、ベース(第1部材)3と、カバー(第2部材)4と、接着部材5と、導電層6と、を備えている。基板2は、表面(第1表面)2a、及び表面2aとは反対側の表面(第2表面)2bを有している。基板2には、表面2a及び表面2bに開口する複数の貫通孔2cが形成されている。各貫通孔2cは、基板2の厚さ方向D(以下、単に「方向D」という)に沿って延在している。方向Dは、表面2a及び表面2bが向かい合う方向である。
図5及び図6に示されるアダプタ10は、上述した試料支持体1を質量分析装置に装着するために用いられる。アダプタ10は、保持部11を備えている。保持部11は、本体部材12と、複数のストッパ13と、複数組のワッシャ14及びボルト15と、を有している。本体部材12は、例えば、金属材料によって矩形枠状に形成されている。複数のストッパ13は、本体部材12の内側に突出するように本体部材12に設けられている。複数組のワッシャ14及びボルト15は、本体部材12の一方の表面12aに対して着脱可能である。複数組のワッシャ14及びボルト15が本体部材12の表面12aに固定されている状態で、各ワッシャ14の一部は、方向Dにおいて、所定距離を介して各ストッパ13と向かい合っている。保持部11は、質量分析装置においてレーザ光の焦点と同一平面(レーザ光の光軸に平行な同一平面)上に位置する基準面11aを有している。本実施形態では、当該基準面11aは、本体部材12の表面12aである。方向Dにおけるベース3の表面3aと表面3dとの間の距離は、各ワッシャ14の一部と各ストッパ13との間の所定距離と略等しくてもよい。
上述した試料支持体1及びアダプタ10を用いたイオン化法及び質量分析方法について、図7を参照して説明する。まず、試料支持体1を用意する。続いて、試料支持体1の各測定領域Rに試料Sを配置する。本実施形態では、例えば、試料Sを含む溶液を基板2の表面2b側から各測定領域Rに滴下する。これにより、各測定領域Rにおいて、複数の貫通孔2cに余分な溶液がしみ込み、試料Sの成分S1が導電層6上に適切に保持される。続いて、アダプタ10を用いて、各測定領域Rに試料Sが配置された試料支持体1を質量分析装置100に装着する。
以上説明したように、試料支持体1では、カバー4が有する複数の開口4cのそれぞれが、基板2が有する複数の第1貫通孔2dを介して、ベース3が有する複数の開口3cのそれぞれと連通している。これにより、基板2において複数の開口4cに対応する複数の領域のそれぞれを測定領域Rとして用いることができる。ここで、試料支持体1を製造する場合においては、接着部材5を用いて基板2、ベース3及びカバー4をユニット化し、その後に、カバー4側から導電層6を設けることができる。これにより、カバー4側から導電層6を設ける際には、接着部材5がベース3とカバー4との間に配置されているため、導電層6及び接着部材5からアウトガスが発生し難くなり、その結果、当該アウトガスに起因する混合層が基板2に堆積するのを抑制することができる。よって、試料支持体1によれば、高精度な質量分析が可能となる。
接着部材5が、複数の開口3cのそれぞれの間において、ベース3と基板2とを接着していると共に、複数の開口4cのそれぞれの間において、カバー4と基板2とを接着している例を示したが、これに限定されない。図10に示されるように、接着部材5は、複数の開口3cのそれぞれの間において、ベース3と基板2とを接着してなくてもよい。つまり、接着部材5は、複数の開口3cのそれぞれの間においては、ベース3の隔壁部31と基板2との間に配置されていなくてもよい。なお、接着部材5は、複数の開口3cの外側(基板2の外縁部)においては、ベース3の隔壁部31と基板2との間に配置されていてもよいし、配置されていなくてもよい。また、接着部材5は、基板2の側面とベース3の突出部34との間には配置されていてもよいし、配置されていなくてもよい。また、図11に示されるように、接着部材5は、複数の開口4cのそれぞれの間において、カバー4と基板2とを接着してなくてもよい。つまり、接着部材5は、複数の開口4cのそれぞれの間においては、カバー4の隔壁部41と基板2との間に配置されていなくてもよい。なお、接着部材5は、複数の開口4cの外側(基板2の外縁部)においては、カバー4の隔壁部41と基板2との間に配置されていてもよいし、配置されていなくてもよい。以上のように、接着部材5は、ベース3とカバー4との間に配置され、ベース3及びカバー4の少なくとも一方と基板2とを接着していればよい。
Claims (12)
- 試料の成分のイオン化に用いられる試料支持体であって、
第1表面、及び前記第1表面とは反対側の第2表面、並びに、前記第1表面及び前記第2表面に開口する複数の貫通孔を有する基板と、
複数の第1開口を有し、前記第1表面に配置された第1部材と、
それぞれが前記基板の厚さ方向において前記複数の第1開口のそれぞれに対応する複数の第2開口を有し、前記第2表面に配置された第2部材と、
前記第1部材と前記第2部材との間に配置され、前記第1部材及び前記第2部材の少なくとも一方と前記基板とを接着する接着部材と、
前記第2表面のうち前記複数の第2開口のそれぞれに対応する領域、前記第2部材における前記基板とは反対側の表面、及び前記複数の第2開口のそれぞれの内面に、一体で設けられた導電層と、を備え、
前記複数の貫通孔は、
前記複数の第1開口のそれぞれと前記複数の第2開口のそれぞれとの間に位置する複数の第1貫通孔と、
前記第1部材と前記第2部材との間に位置する複数の第2貫通孔と、を含み、
前記複数の第2開口のそれぞれは、前記複数の第1貫通孔を介して、前記複数の第1開口のそれぞれと連通している、試料支持体。 - 前記接着部材は、前記複数の第2貫通孔内に配置されている、請求項1に記載の試料支持体。
- 前記接着部材は、前記複数の第1開口のそれぞれの間において、前記第1部材と前記基板とを接着していると共に、前記複数の第2開口のそれぞれの間において、前記第2部材と前記基板とを接着している、請求項2に記載の試料支持体。
- 前記第1部材及び前記第2部材のそれぞれは、金属材料によって形成されている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の試料支持体。
- 前記接着部材は、導電性を有している、請求項1〜4のいずれか一項に記載の試料支持体。
- 前記接着部材は、光硬化性材料によって形成されている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の試料支持体。
- 前記接着部材は、アクリル系材料又はエポキシ系材料によって形成されている、請求項6に記載の試料支持体。
- 前記第1部材を前記基板とは反対側から見た場合に前記複数の第1開口のそれぞれを示す複数の第1標識、及び、前記第2部材を前記基板とは反対側から見た場合に前記複数の第2開口のそれぞれを示す複数の第2標識の少なくとも一方を更に備える、請求項1〜7のいずれか一項に記載の試料支持体。
- 前記第1部材は、前記基板が配置された第3表面、及び前記基板の外側において前記第3表面と同じ側を向いた第4表面を有し、
前記第2表面に設けられた前記導電層における前記基板とは反対側の表面と前記第4表面との距離は、前記基板の厚さよりも小さい、請求項1〜8のいずれか一項に記載の試料支持体。 - 前記第4表面は、前記厚さ方向から見た場合に、前記基板を囲むように延在している、請求項9に記載の試料支持体。
- 前記複数の第2開口のそれぞれの外縁は、前記厚さ方向から見た場合に、前記複数の第1開口のそれぞれの外縁の内側に位置している、請求項1〜10のいずれか一項に記載の試料支持体。
- 前記第2部材の厚さは、前記第1部材の厚さよりも小さい、請求項1〜11のいずれか一項に記載の試料支持体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020063689A JP6918170B1 (ja) | 2020-03-31 | 2020-03-31 | 試料支持体 |
US17/913,211 US11947260B2 (en) | 2020-03-31 | 2021-01-14 | Sample support |
EP21780318.8A EP4092717A4 (en) | 2020-03-31 | 2021-01-14 | SAMPLE HOLDER |
PCT/JP2021/001075 WO2021199573A1 (ja) | 2020-03-31 | 2021-01-14 | 試料支持体 |
CN202180025325.3A CN115349161A (zh) | 2020-03-31 | 2021-01-14 | 试样支承体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020063689A JP6918170B1 (ja) | 2020-03-31 | 2020-03-31 | 試料支持体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6918170B1 JP6918170B1 (ja) | 2021-08-11 |
JP2021163605A true JP2021163605A (ja) | 2021-10-11 |
Family
ID=77172715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020063689A Active JP6918170B1 (ja) | 2020-03-31 | 2020-03-31 | 試料支持体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11947260B2 (ja) |
EP (1) | EP4092717A4 (ja) |
JP (1) | JP6918170B1 (ja) |
CN (1) | CN115349161A (ja) |
WO (1) | WO2021199573A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023119738A1 (ja) * | 2021-12-22 | 2023-06-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体ユニット、及び試料のイオン化方法 |
WO2024024194A1 (ja) * | 2022-07-29 | 2024-02-01 | 株式会社島津製作所 | 質量分析装置用サンプルプレートホルダ |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003510776A (ja) * | 1999-09-27 | 2003-03-18 | ルドウイッヒ インスティテュート フォア キャンサー リサーチ | 液体maldimsで使用される改良イオン源ターゲット |
JP2004354376A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-16 | Becton Dickinson & Co | 生物的または化学的試料の処理方法および装置 |
JP2007192673A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Shimadzu Corp | サンプルプレート |
JP2014021048A (ja) * | 2012-07-23 | 2014-02-03 | Jeol Ltd | サンプルプレートおよび質量分析装置 |
JP2016121968A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | シチズンファインデバイス株式会社 | 試料積載プレート |
JP6539801B1 (ja) * | 2017-09-21 | 2019-07-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体 |
JP2020020587A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、試料のイオン化方法、及び質量分析方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3238750C1 (de) | 1982-10-20 | 1988-03-03 | Festo-Maschinenfabrik Gottlieb Stoll, 7300 Esslingen | Schaltkarte |
WO2005001443A1 (en) | 2003-06-25 | 2005-01-06 | Waters Investments Limited | An apparatus used to prevent cross-contamination along a platform and methods of manufacturing the same |
US7064318B2 (en) | 2003-08-26 | 2006-06-20 | Thermo Finnigan Llc | Methods and apparatus for aligning ion optics in a mass spectrometer |
JP7026121B2 (ja) | 2017-09-21 | 2022-02-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体 |
JP6962831B2 (ja) | 2018-02-09 | 2021-11-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | イオン化方法及び試料支持体 |
JP7233268B2 (ja) * | 2019-03-19 | 2023-03-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化方法、及び質量分析方法 |
JP7236295B2 (ja) * | 2019-03-19 | 2023-03-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化方法、及び質量分析方法 |
JP6743224B1 (ja) * | 2019-03-20 | 2020-08-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、試料支持体の製造方法、イオン化法及び質量分析方法 |
JP7278894B2 (ja) * | 2019-07-05 | 2023-05-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、アダプタ、イオン化法及び質量分析方法 |
JP7471174B2 (ja) * | 2020-08-19 | 2024-04-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体 |
JP7404195B2 (ja) * | 2020-09-04 | 2023-12-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化法、及び質量分析方法 |
-
2020
- 2020-03-31 JP JP2020063689A patent/JP6918170B1/ja active Active
-
2021
- 2021-01-14 CN CN202180025325.3A patent/CN115349161A/zh active Pending
- 2021-01-14 EP EP21780318.8A patent/EP4092717A4/en active Pending
- 2021-01-14 US US17/913,211 patent/US11947260B2/en active Active
- 2021-01-14 WO PCT/JP2021/001075 patent/WO2021199573A1/ja unknown
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003510776A (ja) * | 1999-09-27 | 2003-03-18 | ルドウイッヒ インスティテュート フォア キャンサー リサーチ | 液体maldimsで使用される改良イオン源ターゲット |
JP2004354376A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-16 | Becton Dickinson & Co | 生物的または化学的試料の処理方法および装置 |
JP2007192673A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Shimadzu Corp | サンプルプレート |
JP2014021048A (ja) * | 2012-07-23 | 2014-02-03 | Jeol Ltd | サンプルプレートおよび質量分析装置 |
JP2016121968A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | シチズンファインデバイス株式会社 | 試料積載プレート |
JP6539801B1 (ja) * | 2017-09-21 | 2019-07-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体 |
JP2019194604A (ja) * | 2017-09-21 | 2019-11-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体 |
JP2020020587A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、試料のイオン化方法、及び質量分析方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023119738A1 (ja) * | 2021-12-22 | 2023-06-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体ユニット、及び試料のイオン化方法 |
WO2024024194A1 (ja) * | 2022-07-29 | 2024-02-01 | 株式会社島津製作所 | 質量分析装置用サンプルプレートホルダ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4092717A4 (en) | 2024-02-21 |
JP6918170B1 (ja) | 2021-08-11 |
US11947260B2 (en) | 2024-04-02 |
EP4092717A1 (en) | 2022-11-23 |
US20230131548A1 (en) | 2023-04-27 |
CN115349161A (zh) | 2022-11-15 |
WO2021199573A1 (ja) | 2021-10-07 |
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