JPH11354677A - 半導体装置の実装構造および実装方法 - Google Patents
半導体装置の実装構造および実装方法Info
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- JPH11354677A JPH11354677A JP10161646A JP16164698A JPH11354677A JP H11354677 A JPH11354677 A JP H11354677A JP 10161646 A JP10161646 A JP 10161646A JP 16164698 A JP16164698 A JP 16164698A JP H11354677 A JPH11354677 A JP H11354677A
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- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
Abstract
(57)【要約】
【課題】 互いに熱膨張係数が異なる半導体装置と実装
基板とを接続部材によって接続した場合に、接続部分に
応力が生じることがない半導体装置の実装構造および実
装方法を提供する。 【解決手段】 第１の面とこの第１の面に設けられた複
数のパッド１１とを有するプリント基板１０と、第１お
よび第２の主面と複数のパッド１１に対応する第２の主
面上の位置に設けられた複数の入出力端子３１とを有す
る半導体装置３０と、複数のパッド１１と複数の入出力
端子３１とを接続する複数の半田２０と、少なくとも１
つの面を有し、該面と半導体装置３０の第１の主面とが
結合されているとともに熱膨張係数がプリント基板１０
０の熱膨張係数と同一またはほぼ同一の値を有する金属
板５０とを含む。
基板とを接続部材によって接続した場合に、接続部分に
応力が生じることがない半導体装置の実装構造および実
装方法を提供する。 【解決手段】 第１の面とこの第１の面に設けられた複
数のパッド１１とを有するプリント基板１０と、第１お
よび第２の主面と複数のパッド１１に対応する第２の主
面上の位置に設けられた複数の入出力端子３１とを有す
る半導体装置３０と、複数のパッド１１と複数の入出力
端子３１とを接続する複数の半田２０と、少なくとも１
つの面を有し、該面と半導体装置３０の第１の主面とが
結合されているとともに熱膨張係数がプリント基板１０
０の熱膨張係数と同一またはほぼ同一の値を有する金属
板５０とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の実装
構造および実装方法に関し、特に、互いに熱膨張係数が
異なる半導体装置および実装基板を接続部材によって接
続した半導体装置の実装構造および実装方法に関する。
構造および実装方法に関し、特に、互いに熱膨張係数が
異なる半導体装置および実装基板を接続部材によって接
続した半導体装置の実装構造および実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の半導体装置の実装構造に
は、例えば、フリップチップ接続構造がある。フリップ
チップ接続構造は、半導体装置と実装基板とを半田また
は導電性接着剤によって接続した構造である。該構造
は、具体的には、半導体装置の下面に設けられた複数の
入出力端子の各々が実装基板の上面に設けられた複数の
パッドの各々に半田または導電性接着剤によって接続さ
れている。
は、例えば、フリップチップ接続構造がある。フリップ
チップ接続構造は、半導体装置と実装基板とを半田また
は導電性接着剤によって接続した構造である。該構造
は、具体的には、半導体装置の下面に設けられた複数の
入出力端子の各々が実装基板の上面に設けられた複数の
パッドの各々に半田または導電性接着剤によって接続さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述のフリップチップ
接続構造に代表される半導体装置の実装構造を製造する
場合、半導体装置と実装基板とを接続するため、半田ま
たは導電性接着剤を摂氏２００度程度に加熱して、半田
を溶融させたり、導電性接着剤を硬化させる。例えば、
共晶半田が用いられるとき、該共晶半田は摂氏１８３度
以上に加熱される。この加熱によって半導体装置および
実装基板にも熱が印加されるが、半導体装置と実装基板
とは熱膨張係数が異なるため、熱膨張したとき半導体装
置の入出力端子と実装基板のパッドとの相対的位置ずれ
が生じる。半導体装置、半田および実装基板への加熱が
停止されるか、または冷却が開始されると、相対的な位
置ずれが生じたまま接続部材が凝固していき半導体装置
の入出力端子とプリント基板のパッドとが接続部材によ
り接続される。同時に、半導体装置および実装基板は収
縮していく。入出力端子およびパッドはそれぞれ加熱前
の位置に戻ろうとする。ところが、接続部材は入出力端
子とパッドとを相対的位置がずれた状態で接続している
ため、半導体装置、半田および実装基板が常温に戻った
とき、接続部材に応力が発生してしまうという問題があ
る。この応力が接続部材の破壊応力を超えると入出力端
子とパッドとの接続が切断されてしまう。また、この応
力により半導体装置や実装基板が反ってしまったり、変
形してしまうという問題もある。特に、実装基板として
プリント基板が用いられる場合、プリント基板の熱膨張
係数は１５×１０-6／°Ｃから２０×１０-6／°Ｃ程度
であり、シリコンからなる半導体の熱膨張は、２．５乃
至３．５×１０-6／°Ｃ程度である。すなわち、プリン
ト基板と半導体装置とには、１２乃至１７×１０-6／°
Ｃの熱膨張係数差があるため、上述の応力が生じ実装部
品の接続信頼性が低下してしまう。このように、プリン
ト基板は半導体装置との熱膨張係数の差が大きいため、
接続部材に加わる応力は大きくなってしまう。
接続構造に代表される半導体装置の実装構造を製造する
場合、半導体装置と実装基板とを接続するため、半田ま
たは導電性接着剤を摂氏２００度程度に加熱して、半田
を溶融させたり、導電性接着剤を硬化させる。例えば、
共晶半田が用いられるとき、該共晶半田は摂氏１８３度
以上に加熱される。この加熱によって半導体装置および
実装基板にも熱が印加されるが、半導体装置と実装基板
とは熱膨張係数が異なるため、熱膨張したとき半導体装
置の入出力端子と実装基板のパッドとの相対的位置ずれ
が生じる。半導体装置、半田および実装基板への加熱が
停止されるか、または冷却が開始されると、相対的な位
置ずれが生じたまま接続部材が凝固していき半導体装置
の入出力端子とプリント基板のパッドとが接続部材によ
り接続される。同時に、半導体装置および実装基板は収
縮していく。入出力端子およびパッドはそれぞれ加熱前
の位置に戻ろうとする。ところが、接続部材は入出力端
子とパッドとを相対的位置がずれた状態で接続している
ため、半導体装置、半田および実装基板が常温に戻った
とき、接続部材に応力が発生してしまうという問題があ
る。この応力が接続部材の破壊応力を超えると入出力端
子とパッドとの接続が切断されてしまう。また、この応
力により半導体装置や実装基板が反ってしまったり、変
形してしまうという問題もある。特に、実装基板として
プリント基板が用いられる場合、プリント基板の熱膨張
係数は１５×１０-6／°Ｃから２０×１０-6／°Ｃ程度
であり、シリコンからなる半導体の熱膨張は、２．５乃
至３．５×１０-6／°Ｃ程度である。すなわち、プリン
ト基板と半導体装置とには、１２乃至１７×１０-6／°
Ｃの熱膨張係数差があるため、上述の応力が生じ実装部
品の接続信頼性が低下してしまう。このように、プリン
ト基板は半導体装置との熱膨張係数の差が大きいため、
接続部材に加わる応力は大きくなってしまう。
【０００４】また、この半導体装置と実装基板との熱膨
張差の問題は、小さいサイズのＬＳＩに比べ、半導体装
置の大型化するに伴い、信頼性を低下させてしまうとい
う問題がある。
張差の問題は、小さいサイズのＬＳＩに比べ、半導体装
置の大型化するに伴い、信頼性を低下させてしまうとい
う問題がある。
【０００５】一方、特開平８−１４８５９２号公報に
は、実装基板に半田バンプを介して実装した半導体装置
の上面に、該半導体装置の熱膨張係数とほぼ等しい熱膨
張係数を有する材料からなるキャップを固着させた半導
体集積回路装置が開示されている。該公報記載の装置で
は、半導体装置の発熱による温度変化により半導体装置
とキャップとが半導体装置の熱膨張係数に応じて伸縮す
る。すなわち、該公報記載の装置では、半導体装置は半
導体装置の熱膨張係数で収縮するため、接続部材に応力
が生じてしまうという上記問題を解決することはできな
い。
は、実装基板に半田バンプを介して実装した半導体装置
の上面に、該半導体装置の熱膨張係数とほぼ等しい熱膨
張係数を有する材料からなるキャップを固着させた半導
体集積回路装置が開示されている。該公報記載の装置で
は、半導体装置の発熱による温度変化により半導体装置
とキャップとが半導体装置の熱膨張係数に応じて伸縮す
る。すなわち、該公報記載の装置では、半導体装置は半
導体装置の熱膨張係数で収縮するため、接続部材に応力
が生じてしまうという上記問題を解決することはできな
い。
【０００６】本発明の目的は、互いに熱膨張係数が異な
る半導体装置および実装基板を接続部材によって接続し
た場合に、接続部分に応力が生じることがない半導体装
置の実装構造および実装方法を提供することにある。
る半導体装置および実装基板を接続部材によって接続し
た場合に、接続部分に応力が生じることがない半導体装
置の実装構造および実装方法を提供することにある。
【０００７】また、本発明の他の目的は、外形が大きい
半導体装置を実装基板に実装した場合の信頼性を向上さ
せることができる半導体装置の実装構造および実装方法
を提供することにある。
半導体装置を実装基板に実装した場合の信頼性を向上さ
せることができる半導体装置の実装構造および実装方法
を提供することにある。
【０００８】さらに、本発明の他の目的は、実装基板と
してプリント基板を用いた場合のプリント基板と半導体
装置との接続の信頼性を向上させることができる半導体
装置の実装構造および実装方法を提供することにある。
してプリント基板を用いた場合のプリント基板と半導体
装置との接続の信頼性を向上させることができる半導体
装置の実装構造および実装方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の半導体装置の実装構造は、第１の面とこの第
１の面に設けられた複数のパッドとを有する実装基板
と、第１および第２の主面と前記複数のパッドに対応す
る前記第２の主面上の位置に設けられた複数の端子とを
有する半導体装置と、前記複数のパッドと前記複数の端
子とを接続する複数の接続部材と、少なくとも１つの面
を有し、該面と前記半導体装置の第１の主面とが結合さ
れているとともに熱膨張係数が前記実装基板の熱膨張係
数と同一またはほぼ同一の値を有する部材とを含む。
に本発明の半導体装置の実装構造は、第１の面とこの第
１の面に設けられた複数のパッドとを有する実装基板
と、第１および第２の主面と前記複数のパッドに対応す
る前記第２の主面上の位置に設けられた複数の端子とを
有する半導体装置と、前記複数のパッドと前記複数の端
子とを接続する複数の接続部材と、少なくとも１つの面
を有し、該面と前記半導体装置の第１の主面とが結合さ
れているとともに熱膨張係数が前記実装基板の熱膨張係
数と同一またはほぼ同一の値を有する部材とを含む。
【００１０】また、本発明の他の半導体装置の実装構造
は、前記部材は金属板を含むことを特徴とする。
は、前記部材は金属板を含むことを特徴とする。
【００１１】さらに、本発明の他の半導体装置の実装構
造は、前記部材は有機基板を含むことを特徴とする。
造は、前記部材は有機基板を含むことを特徴とする。
【００１２】また、本発明の他の半導体装置の実装構造
は、前記実装基板はプリント配線基板であり、前記部材
は銅または黄銅により形成されていることを特徴とす
る。
は、前記実装基板はプリント配線基板であり、前記部材
は銅または黄銅により形成されていることを特徴とす
る。
【００１３】さらに、本発明の他の半導体装置の実装構
造は、前記実装基板はセラミック基板であり、前記部材
は窒化アルミニウム、アルミナセラミックまたはタング
ステンにより形成されていることを特徴とする。
造は、前記実装基板はセラミック基板であり、前記部材
は窒化アルミニウム、アルミナセラミックまたはタング
ステンにより形成されていることを特徴とする。
【００１４】また、本発明の他の半導体装置の実装構造
は、前記半導体装置と前記部材との間に設けられ前記半
導体装置と前記部材とを接着する接着剤層をさらに含
む。
は、前記半導体装置と前記部材との間に設けられ前記半
導体装置と前記部材とを接着する接着剤層をさらに含
む。
【００１５】さらに、本発明の他の半導体装置の実装構
造は、前記部材がヒートシンクであることを特徴とす
る。
造は、前記部材がヒートシンクであることを特徴とす
る。
【００１６】本発明の半導体装置の実装構造は、第１の
面とこの第１の面に設けられた複数のパッドとを有する
実装基板と、第１および第２の主面と前記複数のパッド
に対応する前記第２の主面上の位置に設けられた複数の
端子とを有する半導体装置と、前記複数のパッドと前記
複数の端子とを接続する複数の接続部材と、前記半導体
装置の第１の主面に結合されて前記実装基板と共に前記
半導体装置を封止するとともに熱膨張係数が前記実装基
板の熱膨張係数と同一またはほぼ同一の値を有するキャ
ップとを含む。
面とこの第１の面に設けられた複数のパッドとを有する
実装基板と、第１および第２の主面と前記複数のパッド
に対応する前記第２の主面上の位置に設けられた複数の
端子とを有する半導体装置と、前記複数のパッドと前記
複数の端子とを接続する複数の接続部材と、前記半導体
装置の第１の主面に結合されて前記実装基板と共に前記
半導体装置を封止するとともに熱膨張係数が前記実装基
板の熱膨張係数と同一またはほぼ同一の値を有するキャ
ップとを含む。
【００１７】本発明の半導体装置の実装構造は、第１の
面とこの第１の面に設けられた複数のパッドとを有する
実装基板と、第１および第２の主面と前記複数のパッド
に対応する前記第２の主面上の位置に設けられた複数の
端子とを有する半導体装置と、前記複数のパッドと前記
複数の端子とを接続する複数の接続部材と、前記半導体
装置の第１の主面に結合され熱膨張係数が前記実装基板
の熱膨張係数と同一またはほぼ同一の値を有する板と、
この部材に熱的に結合された冷却部材とを含むことを特
徴とする。
面とこの第１の面に設けられた複数のパッドとを有する
実装基板と、第１および第２の主面と前記複数のパッド
に対応する前記第２の主面上の位置に設けられた複数の
端子とを有する半導体装置と、前記複数のパッドと前記
複数の端子とを接続する複数の接続部材と、前記半導体
装置の第１の主面に結合され熱膨張係数が前記実装基板
の熱膨張係数と同一またはほぼ同一の値を有する板と、
この部材に熱的に結合された冷却部材とを含むことを特
徴とする。
【００１８】また、本発明の他の半導体装置の実装構造
は、前記板に設けられ前記冷却部材を前記部材に熱的に
取り付ける取付部材をさらに含むことを特徴とする。
は、前記板に設けられ前記冷却部材を前記部材に熱的に
取り付ける取付部材をさらに含むことを特徴とする。
【００１９】さらに、本発明の他の半導体装置の実装構
造は、前記取付部材は前記板に窮孔されたネジ穴と、前
記ネジ穴に挿入されたネジとを含むことを特徴とする。
造は、前記取付部材は前記板に窮孔されたネジ穴と、前
記ネジ穴に挿入されたネジとを含むことを特徴とする。
【００２０】また、本発明の他の半導体装置の実装構造
は、前記取付部材はスタッドを含むことを特徴とする。
は、前記取付部材はスタッドを含むことを特徴とする。
【００２１】さらに、本発明の他の半導体装置の実装構
造は、前記接続部材は半田であることを特徴とする。
造は、前記接続部材は半田であることを特徴とする。
【００２２】また、本発明の他の半導体装置の実装構造
は、前記接続部剤は導電性接着剤であることを特徴とす
る。
は、前記接続部剤は導電性接着剤であることを特徴とす
る。
【００２３】本発明の半導体装置の実装方法は、半導体
装置を実装基板に実装する半導体装置の実装方法におい
て、少なくとも１つの面を有するとともに前記実装基板
の熱膨張係数と同一またはほぼ同一の値の熱膨張係数を
有する部材の前記面と前記半導体装置の上面とを結合す
るステップと、前記実装基板の上面のパッドと前記半導
体装置の下面の端子とが接続部剤を介して対向するよう
前記半導体装置を位置づけるステップと、前記半導体装
置、前記部材および前記実装基板を加熱し前記接続部材
を溶融させたのち常温に戻すステップとを含む。
装置を実装基板に実装する半導体装置の実装方法におい
て、少なくとも１つの面を有するとともに前記実装基板
の熱膨張係数と同一またはほぼ同一の値の熱膨張係数を
有する部材の前記面と前記半導体装置の上面とを結合す
るステップと、前記実装基板の上面のパッドと前記半導
体装置の下面の端子とが接続部剤を介して対向するよう
前記半導体装置を位置づけるステップと、前記半導体装
置、前記部材および前記実装基板を加熱し前記接続部材
を溶融させたのち常温に戻すステップとを含む。
【００２４】また、本発明の他の半導体装置の実装方法
は、前記板と前記半導体装置とを接着剤により結合させ
ることを特徴とする。
は、前記板と前記半導体装置とを接着剤により結合させ
ることを特徴とする。
【００２５】
【発明の実施の形態】次に本発明の半導体装置の実装構
造および実装方法の実施の形態について図面を参照して
詳細に説明する。
造および実装方法の実施の形態について図面を参照して
詳細に説明する。
【００２６】図１を参照すると、本発明の半導体装置の
実装構造は、プリント基板１０と、半導体装置３０と、
金属板５０とを含む。
実装構造は、プリント基板１０と、半導体装置３０と、
金属板５０とを含む。
【００２７】プリント基板１０は、複数のパッド１１を
有する。複数のパッド１１は、プリント基板１０の上面
に設けられており、プリント基板１０の表面または内層
に配置された配線に接続されている。
有する。複数のパッド１１は、プリント基板１０の上面
に設けられており、プリント基板１０の表面または内層
に配置された配線に接続されている。
【００２８】半導体装置３０はプリント基板１０の上面
に搭載されている。半導体装置３０は、例えば集積回路
（Integrated circuit：ＩＣ）や大規模集積回路（Larg
e Scale Integration：ＬＳＩ）である。半導体装置３
０は、複数の入出力端子３１を有する。複数の入出力端
子３１は、半導体装置３０の下面に設けられている。複
数の入出力端子３１の各々は、格子状に配列され、プリ
ント基板１０上の複数のパッド１１の各々と対応する位
置に設けられている。複数の入出力端子３１と複数のパ
ッド１１の対応するもの同士は半田２０により接続され
ている。本実施の形態において、半田２０は半田ボール
である。
に搭載されている。半導体装置３０は、例えば集積回路
（Integrated circuit：ＩＣ）や大規模集積回路（Larg
e Scale Integration：ＬＳＩ）である。半導体装置３
０は、複数の入出力端子３１を有する。複数の入出力端
子３１は、半導体装置３０の下面に設けられている。複
数の入出力端子３１の各々は、格子状に配列され、プリ
ント基板１０上の複数のパッド１１の各々と対応する位
置に設けられている。複数の入出力端子３１と複数のパ
ッド１１の対応するもの同士は半田２０により接続され
ている。本実施の形態において、半田２０は半田ボール
である。
【００２９】半導体装置３０はシリコンによって形成さ
れており、その熱膨張係数は、約３×１０-6／°Ｃであ
る。半導体装置３０の厚さは約０．５ミリメートルであ
る。半導体装置３０の外形は、本実施の形態では、一辺
が１２ミリメートルの正方形である。例えば、入出力端
子３１の数は、８００個である。入出力端子３１のピッ
チは、０．２５ミリメートルである。端子３１の直径
は、０．１５ミリメートルである。
れており、その熱膨張係数は、約３×１０-6／°Ｃであ
る。半導体装置３０の厚さは約０．５ミリメートルであ
る。半導体装置３０の外形は、本実施の形態では、一辺
が１２ミリメートルの正方形である。例えば、入出力端
子３１の数は、８００個である。入出力端子３１のピッ
チは、０．２５ミリメートルである。端子３１の直径
は、０．１５ミリメートルである。
【００３０】金属板５０は、半導体装置３０の上面に結
合されている。金属板５０の熱膨張係数は、プリント基
板１のそれと同一またはほぼ同一の値を有する。本実施
の形態では、金属板５０の材料は、銅または黄銅であ
る。銅および黄銅の熱膨張係数はそれぞれ１６．５×１
０-6／°Ｃおよび１７．３×１０-6／°Ｃであり、プリ
ント基板１の熱膨張係数（１５乃至２０×１０-6／°
Ｃ）とほぼ同一の値であるからである。金属板５０の材
料は、半導体装置３０の大きさが大きくなるに従って該
半導体装置３０の熱膨張係数と近い熱膨張係数を有する
ものを適用するのが好ましい。例えば、半導体装置３０
の一辺が１０ミリメートル程度であれば、半導体装置３
０の熱膨張係数と金属板５０の熱膨張係数との差は大き
くても問題はないが、一辺が２０ミリメートル程度また
は２０ミリメートルを超える場合には、半導体装置３０
の熱膨張係数と金属板５０の熱膨張係数とがほぼ同一の
値にするのがよい。
合されている。金属板５０の熱膨張係数は、プリント基
板１のそれと同一またはほぼ同一の値を有する。本実施
の形態では、金属板５０の材料は、銅または黄銅であ
る。銅および黄銅の熱膨張係数はそれぞれ１６．５×１
０-6／°Ｃおよび１７．３×１０-6／°Ｃであり、プリ
ント基板１の熱膨張係数（１５乃至２０×１０-6／°
Ｃ）とほぼ同一の値であるからである。金属板５０の材
料は、半導体装置３０の大きさが大きくなるに従って該
半導体装置３０の熱膨張係数と近い熱膨張係数を有する
ものを適用するのが好ましい。例えば、半導体装置３０
の一辺が１０ミリメートル程度であれば、半導体装置３
０の熱膨張係数と金属板５０の熱膨張係数との差は大き
くても問題はないが、一辺が２０ミリメートル程度また
は２０ミリメートルを超える場合には、半導体装置３０
の熱膨張係数と金属板５０の熱膨張係数とがほぼ同一の
値にするのがよい。
【００３１】金属板５０は半導体装置３０と同一の外形
を有するか、または半導体装置３０の外形よりも大きい
外形を有する。金属板５０は、この金属板５０の熱膨張
に追従させて半導体装置３０を伸長させるのに十分な強
度を有する。金属板５０の強度が不十分であると、半導
体装置３０を金属板５０の熱膨張係数に応じて伸長させ
ることができず、半導体装置３０は金属板５０の熱膨張
ではなく、半導体装置５０自体の熱膨張に従ってしまう
ためである。このため、金属板５０の厚さは、半導体装
置３０からの発熱を放熱するという観点からは薄い方が
好ましいが、半導体装置３０を金属板５０の熱膨張係数
に従って伸長させるための厚さが少なくとも必要であ
る。具体的には、金属板５０の厚さは２ミリメートルか
ら５ミリメートル程度であり、本実施の形態では、３ミ
リメートルである。
を有するか、または半導体装置３０の外形よりも大きい
外形を有する。金属板５０は、この金属板５０の熱膨張
に追従させて半導体装置３０を伸長させるのに十分な強
度を有する。金属板５０の強度が不十分であると、半導
体装置３０を金属板５０の熱膨張係数に応じて伸長させ
ることができず、半導体装置３０は金属板５０の熱膨張
ではなく、半導体装置５０自体の熱膨張に従ってしまう
ためである。このため、金属板５０の厚さは、半導体装
置３０からの発熱を放熱するという観点からは薄い方が
好ましいが、半導体装置３０を金属板５０の熱膨張係数
に従って伸長させるための厚さが少なくとも必要であ
る。具体的には、金属板５０の厚さは２ミリメートルか
ら５ミリメートル程度であり、本実施の形態では、３ミ
リメートルである。
【００３２】金属板５０と半導体装置３０とは、加熱冷
却を経ても金属板５０の熱膨張に追従して半導体装置３
０を伸縮させるのに十分な結合力で結合されている。よ
り具体的には、金属板５０と半導体装置３０とは接着剤
４０によって結合されている。接着剤４０は、加熱時に
半導体装置３０が金属板５０の熱膨張に応じて伸長させ
るために必要な接着力が得られるものが選択される。本
実施の形態では、接着剤４０はエポキシ系接着剤であ
る。エポキシ系接着剤であれば十分な接着力が得られ
る。接着剤４０により、金属板５０と半導体装置３０と
の間に形成される接着剤層の厚さは数十ミクロンであ
る。
却を経ても金属板５０の熱膨張に追従して半導体装置３
０を伸縮させるのに十分な結合力で結合されている。よ
り具体的には、金属板５０と半導体装置３０とは接着剤
４０によって結合されている。接着剤４０は、加熱時に
半導体装置３０が金属板５０の熱膨張に応じて伸長させ
るために必要な接着力が得られるものが選択される。本
実施の形態では、接着剤４０はエポキシ系接着剤であ
る。エポキシ系接着剤であれば十分な接着力が得られ
る。接着剤４０により、金属板５０と半導体装置３０と
の間に形成される接着剤層の厚さは数十ミクロンであ
る。
【００３３】次に、本発明の半導体装置の実装方法につ
いて図面を参照して詳細に説明する。
いて図面を参照して詳細に説明する。
【００３４】まず、半導体装置３０が用意される。半導
体装置３０の下面の複数の入出力端子の各々には、半田
ボールが設けられる。また、半導体装置３０が実装され
る実装基板の種類に応じて、該実装基板の熱膨張係数と
同一またはほぼ同一の熱膨張係数を有する金属が選択さ
れる。この金属を、半導体装置３０の上面よりも大きい
かまたは同一の大きさを有する面を少なくとも有する形
状に成形することにより、金属板５０が形成される。
体装置３０の下面の複数の入出力端子の各々には、半田
ボールが設けられる。また、半導体装置３０が実装され
る実装基板の種類に応じて、該実装基板の熱膨張係数と
同一またはほぼ同一の熱膨張係数を有する金属が選択さ
れる。この金属を、半導体装置３０の上面よりも大きい
かまたは同一の大きさを有する面を少なくとも有する形
状に成形することにより、金属板５０が形成される。
【００３５】図２（Ａ）を参照すると、第１のステップ
において、半導体装置３０の上面に数十ミクロン程度の
厚さでエポキシ系接着剤が塗布される。接着剤４０が塗
布された半導体装置３０の上面と金属板５０の下面とが
対向させられ、位置合わせされる。なお、接着剤４０は
金属板５０の下面に塗布するようにしてもよい。
において、半導体装置３０の上面に数十ミクロン程度の
厚さでエポキシ系接着剤が塗布される。接着剤４０が塗
布された半導体装置３０の上面と金属板５０の下面とが
対向させられ、位置合わせされる。なお、接着剤４０は
金属板５０の下面に塗布するようにしてもよい。
【００３６】図２（Ｂ）を参照すると、第２のステップ
では、金属板５０が接着剤４０によって半導体装置３０
に取り付けられ接合体１００が形成される。より詳細に
は、半導体装置３０の接着剤塗布面が金属板５０の下面
と当接される。半導体装置３０、接着剤４０および金属
板５０に熱が印加され、接着剤４０が硬化して半導体装
置３０と金属板５０とが接着される。
では、金属板５０が接着剤４０によって半導体装置３０
に取り付けられ接合体１００が形成される。より詳細に
は、半導体装置３０の接着剤塗布面が金属板５０の下面
と当接される。半導体装置３０、接着剤４０および金属
板５０に熱が印加され、接着剤４０が硬化して半導体装
置３０と金属板５０とが接着される。
【００３７】図２（Ｃ）を参照すると、第３のステップ
では、第２のステップにおいて形成された接合体１００
がプリント基板１０の上面に位置づけられ、プリント基
板１０上に置かれる。このとき、半導体装置３０の下面
の複数の入出力端子３１の各々は、プリント基板１０の
上面の複数のパッド１１の各々に対向するよう位置合わ
せされる。
では、第２のステップにおいて形成された接合体１００
がプリント基板１０の上面に位置づけられ、プリント基
板１０上に置かれる。このとき、半導体装置３０の下面
の複数の入出力端子３１の各々は、プリント基板１０の
上面の複数のパッド１１の各々に対向するよう位置合わ
せされる。
【００３８】図２（Ｄ）を参照すると、第４のステップ
において、プリント基板１０、半田２０、半導体装置３
０および金属板５０が加熱される。熱によりプリント基
板１０、半導体装置３０および金属板５０は熱膨張す
る。半導体装置３０は、金属板５０と結合されているた
め、半導体装置３０自体の熱膨張ではなく金属板５０の
熱膨張に従って膨張する。プリント基板１０と金属板５
０とは同一またはほぼ同一の熱膨張係数を有するため、
半導体装置３０もプリント基板１０と同一またはほぼ同
一の熱膨張をすることになる。したがって、加熱により
プリント基板１０および半導体装置３０が熱膨張して
も、プリント基板１０の複数のパッド１１の各々と半導
体装置３０の複数の入出力端子３１の各々との対応する
もの同士の位置は、相対的にずれることがなく整列して
いる。あるいは、位置ずれはわずかであり入出力端子１
１とパッド３１とは実質的に同一の位置であるとみなす
ことができる。
において、プリント基板１０、半田２０、半導体装置３
０および金属板５０が加熱される。熱によりプリント基
板１０、半導体装置３０および金属板５０は熱膨張す
る。半導体装置３０は、金属板５０と結合されているた
め、半導体装置３０自体の熱膨張ではなく金属板５０の
熱膨張に従って膨張する。プリント基板１０と金属板５
０とは同一またはほぼ同一の熱膨張係数を有するため、
半導体装置３０もプリント基板１０と同一またはほぼ同
一の熱膨張をすることになる。したがって、加熱により
プリント基板１０および半導体装置３０が熱膨張して
も、プリント基板１０の複数のパッド１１の各々と半導
体装置３０の複数の入出力端子３１の各々との対応する
もの同士の位置は、相対的にずれることがなく整列して
いる。あるいは、位置ずれはわずかであり入出力端子１
１とパッド３１とは実質的に同一の位置であるとみなす
ことができる。
【００３９】プリント基板１０、半田２０、半導体装置
３０および金属板５０に対し、加熱を停止するか、また
は冷却することにより、溶融した半田２０が凝固し始め
る。半田２０は、同一の位置もしくはほぼ同一の位置に
あるとみなせる入出力端子１１とパッド３１とを接続す
る。プリント基板１０、半導体装置３０および金属板５
０は冷えていくに応じて収縮し始める。この冷却過程に
おいても、半導体装置３０はプリント基板１０と同一ま
たはほぼ同一の熱膨張係数に従って収縮するため、プリ
ント基板１０の複数のパッド１１の各々と半導体装置３
０の複数の入出力端子３１の各々との対応するもの同士
の位置は、相対的にずれることがなく整列している。ま
たは、位置ずれはわずかであり、入出力端子１１とパッ
ド３１とは実質的に同一の位置にあるとみなすことがで
きる。プリント基板１０、半田２０、半導体装置３０お
よび金属板５０が常温に戻り、入出力端子１１とパッド
３１との接続が完了したとき、半田２０には応力が全く
生じていないか、またはほとんど生じていない。
３０および金属板５０に対し、加熱を停止するか、また
は冷却することにより、溶融した半田２０が凝固し始め
る。半田２０は、同一の位置もしくはほぼ同一の位置に
あるとみなせる入出力端子１１とパッド３１とを接続す
る。プリント基板１０、半導体装置３０および金属板５
０は冷えていくに応じて収縮し始める。この冷却過程に
おいても、半導体装置３０はプリント基板１０と同一ま
たはほぼ同一の熱膨張係数に従って収縮するため、プリ
ント基板１０の複数のパッド１１の各々と半導体装置３
０の複数の入出力端子３１の各々との対応するもの同士
の位置は、相対的にずれることがなく整列している。ま
たは、位置ずれはわずかであり、入出力端子１１とパッ
ド３１とは実質的に同一の位置にあるとみなすことがで
きる。プリント基板１０、半田２０、半導体装置３０お
よび金属板５０が常温に戻り、入出力端子１１とパッド
３１との接続が完了したとき、半田２０には応力が全く
生じていないか、またはほとんど生じていない。
【００４０】このように、本発明では、半導体装置３０
の上面に結合されプリント基板１０の熱膨張係数と同一
またはほぼ同一の熱膨張係数を有する金属板５０を設け
たため、熱を加えて半導体装置３０をプリント基板１０
に実装したのちに、プリント基板１０の複数のパッド１
１の各々と半導体装置３０の複数の入出力端子３１の各
々とを接続する半田４０に応力が生じることを防ぐこと
ができる。
の上面に結合されプリント基板１０の熱膨張係数と同一
またはほぼ同一の熱膨張係数を有する金属板５０を設け
たため、熱を加えて半導体装置３０をプリント基板１０
に実装したのちに、プリント基板１０の複数のパッド１
１の各々と半導体装置３０の複数の入出力端子３１の各
々とを接続する半田４０に応力が生じることを防ぐこと
ができる。
【００４１】次に、実施の形態の実施態様について説明
する。
する。
【００４２】本実施の形態の実施態様では、金属板５０
に代えて有機基板を用いる。実装基板としてプリント基
板１０を用いている場合は、有機基板はプリント基板を
用いる。このとき、半導体装置３０に結合されたプリン
ト基板は、その熱膨張係数が実装基板であるプリント基
板１０の熱膨張係数と同一であるため、半導体装置３０
とプリント基板１０との接続の信頼性をより向上させる
ことができる。
に代えて有機基板を用いる。実装基板としてプリント基
板１０を用いている場合は、有機基板はプリント基板を
用いる。このとき、半導体装置３０に結合されたプリン
ト基板は、その熱膨張係数が実装基板であるプリント基
板１０の熱膨張係数と同一であるため、半導体装置３０
とプリント基板１０との接続の信頼性をより向上させる
ことができる。
【００４３】また、本実施の形態の別の実施態様では、
プリント基板１０に代えてセラミック基板を用いる。セ
ラミック基板の熱膨張係数は、６〜７×１０-6／°Ｃ程
度であるため、金属板５０としては窒化アルミニウム、
アルミナセラミックまたはタングステンが用いられる。
窒化アルミニウム、アルミナセラミックおよびタングス
テンの熱膨張係数はそれぞれ３乃至４×１０-6／°Ｃ、
４乃至６×１０-6／°Ｃおよび４乃至６×１０-6／°Ｃ
であり、セラミック基板のそれにほぼ同一の値を有する
ためである。この場合、より信頼性を向上させることが
できる。
プリント基板１０に代えてセラミック基板を用いる。セ
ラミック基板の熱膨張係数は、６〜７×１０-6／°Ｃ程
度であるため、金属板５０としては窒化アルミニウム、
アルミナセラミックまたはタングステンが用いられる。
窒化アルミニウム、アルミナセラミックおよびタングス
テンの熱膨張係数はそれぞれ３乃至４×１０-6／°Ｃ、
４乃至６×１０-6／°Ｃおよび４乃至６×１０-6／°Ｃ
であり、セラミック基板のそれにほぼ同一の値を有する
ためである。この場合、より信頼性を向上させることが
できる。
【００４４】次に、本発明の第２の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。この第２の実施の
形態の特徴は金属板に代えてキャップを設けた点にあ
る。他の構成は、第１の実施の形態のそれと同様であ
る。
て、図面を参照して詳細に説明する。この第２の実施の
形態の特徴は金属板に代えてキャップを設けた点にあ
る。他の構成は、第１の実施の形態のそれと同様であ
る。
【００４５】図３参照すると、半導体装置３０の上面に
キャップ５１が設けられている。キャップ５１は、凹部
が設けられており、断面が凹状の形状を呈している。凹
部の底面に半導体装置３０の上面が接着剤４０により接
着されている。キャップ５１の端縁は接着剤６０により
プリント基板１０の上面に接着されている。キャップ５
１、接着剤６０およびプリント基板１０により、半導体
装置３０は完全に封止される。キャップ５１の熱膨張係
数は、プリント基板１０の熱膨張係数と同一またはほぼ
同一の値を有する。キャップ５１の他の構成は、第１の
実施の形態の金属板５０のそれと同様である。
キャップ５１が設けられている。キャップ５１は、凹部
が設けられており、断面が凹状の形状を呈している。凹
部の底面に半導体装置３０の上面が接着剤４０により接
着されている。キャップ５１の端縁は接着剤６０により
プリント基板１０の上面に接着されている。キャップ５
１、接着剤６０およびプリント基板１０により、半導体
装置３０は完全に封止される。キャップ５１の熱膨張係
数は、プリント基板１０の熱膨張係数と同一またはほぼ
同一の値を有する。キャップ５１の他の構成は、第１の
実施の形態の金属板５０のそれと同様である。
【００４６】このように、本発明では、プリント基板１
０の熱膨張係数と同一またはほぼ同一の値の熱膨張係数
を有するキャップ５１を設けたため、半田２０に応力が
加わるのを防ぐことができるとともに半導体装置３０を
封止することができる構造を少ない部品数で実現でき
る。また、キャップ５１とプリント基板１０との接続部
分にも応力が加わることがないという効果もある。
０の熱膨張係数と同一またはほぼ同一の値の熱膨張係数
を有するキャップ５１を設けたため、半田２０に応力が
加わるのを防ぐことができるとともに半導体装置３０を
封止することができる構造を少ない部品数で実現でき
る。また、キャップ５１とプリント基板１０との接続部
分にも応力が加わることがないという効果もある。
【００４７】本実施の形態において、キャップ５１の端
縁とプリント基板１０との接続は、接着剤６０のみに限
定されず。リング等の他の封止部材を用いることができ
る。
縁とプリント基板１０との接続は、接着剤６０のみに限
定されず。リング等の他の封止部材を用いることができ
る。
【００４８】次に、本発明の第３の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。第３の実施の形態
の特徴は金属板が冷却部材を取り付けるための構造を有
する点にある。他の構成は、第１の実施の形態のそれと
同様である。
て、図面を参照して詳細に説明する。第３の実施の形態
の特徴は金属板が冷却部材を取り付けるための構造を有
する点にある。他の構成は、第１の実施の形態のそれと
同様である。
【００４９】図４参照すると、第３の実施の形態の半導
体装置の実装構造は、金属板５２とヒートシンク７０と
を含む。
体装置の実装構造は、金属板５２とヒートシンク７０と
を含む。
【００５０】ヒートシンク７０は、金属板５２の上面に
ネジ８０によって取り付けられている。金属板５２の上
面には、ネジ穴５２０が設けられている。金属板５２の
他の構成は、第１の実施の形態の金属板５０のそれと同
様である。ヒートシンク７０には、穴７００が設けられ
ている。穴７００は、貫通孔であり、金属板５２のネジ
穴と対応する位置に設けられている。ネジ８０は、ヒー
トシンク７０の穴７００を貫通し、金属板５２のネジ穴
５２０に螺設されている。
ネジ８０によって取り付けられている。金属板５２の上
面には、ネジ穴５２０が設けられている。金属板５２の
他の構成は、第１の実施の形態の金属板５０のそれと同
様である。ヒートシンク７０には、穴７００が設けられ
ている。穴７００は、貫通孔であり、金属板５２のネジ
穴と対応する位置に設けられている。ネジ８０は、ヒー
トシンク７０の穴７００を貫通し、金属板５２のネジ穴
５２０に螺設されている。
【００５１】以上のように、本実施の形態では、金属板
５２にヒートシンク７０を設けるためのネジ穴５２０を
設けたため、ヒートシンクを設けるための取り付け部材
を別に設ける必要がなくなる。
５２にヒートシンク７０を設けるためのネジ穴５２０を
設けたため、ヒートシンクを設けるための取り付け部材
を別に設ける必要がなくなる。
【００５２】本実施の形態において、ヒートシンク７０
の穴７００は貫通孔としたが、ネジ穴であってもよい。
の穴７００は貫通孔としたが、ネジ穴であってもよい。
【００５３】次に、本発明の第４の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。この第４の実施の
形態の特徴は、上記第３の実施の形態と同様、金属板に
冷却部材を取り付けるための構造が設けられている点に
ある。他の構成は、第１の実施の形態のそれと同様であ
る。
て、図面を参照して詳細に説明する。この第４の実施の
形態の特徴は、上記第３の実施の形態と同様、金属板に
冷却部材を取り付けるための構造が設けられている点に
ある。他の構成は、第１の実施の形態のそれと同様であ
る。
【００５４】図５を参照すると、第４の実施の形態の半
導体装置の実装構造は、金属板５３とヒートシンク７１
とを含む。ヒートシンク７１は金属板５３の上面に設け
られている。
導体装置の実装構造は、金属板５３とヒートシンク７１
とを含む。ヒートシンク７１は金属板５３の上面に設け
られている。
【００５５】金属板５３の上面には、スタッド５３０が
形成されている。スタッド５３０にはネジ山が設けられ
ている。ヒートシンク７１の下面には、ネジ穴７１０が
設けられている。ネジ穴７１０は、金属板５３のスタッ
ド５３０と対応する位置に設けられ、スタッド５３０が
螺合されている。
形成されている。スタッド５３０にはネジ山が設けられ
ている。ヒートシンク７１の下面には、ネジ穴７１０が
設けられている。ネジ穴７１０は、金属板５３のスタッ
ド５３０と対応する位置に設けられ、スタッド５３０が
螺合されている。
【００５６】第４の実施の形態の効果は、第３の実施の
形態のそれと同様である。
形態のそれと同様である。
【００５７】次に、本発明の第５の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。この第５の実施の
形態の特徴は金属板に代えてヒートシンクを用いた点に
ある。他の構成は、第１の実施の形態のそれと同様であ
る。
て、図面を参照して詳細に説明する。この第５の実施の
形態の特徴は金属板に代えてヒートシンクを用いた点に
ある。他の構成は、第１の実施の形態のそれと同様であ
る。
【００５８】図６を参照すると、ヒートシンク７２は半
導体装置３０の上面に接着剤４０によって取り付けられ
ている。ヒートシンク７２は放熱性の優れた金属からな
り、その熱膨張係数はプリント基板１の熱膨張係数と同
一またはほぼ同一の値を有する。ヒートシンク７２の他
の構成は、第１の実施の形態の金属板５０のそれと同様
である。
導体装置３０の上面に接着剤４０によって取り付けられ
ている。ヒートシンク７２は放熱性の優れた金属からな
り、その熱膨張係数はプリント基板１の熱膨張係数と同
一またはほぼ同一の値を有する。ヒートシンク７２の他
の構成は、第１の実施の形態の金属板５０のそれと同様
である。
【００５９】本実施の形態において、ヒートシンク７２
に限定されず、少なくとも１つの主面を有する金属部材
を適用することができる。金属部材の少なくとも１つの
面の大きさは、半導体装置３０の上面より大きいかまた
は同一であればよい。このとき、金属部材の１つの主面
と半導体装置３０の上面とが接着剤４０により結合され
る。
に限定されず、少なくとも１つの主面を有する金属部材
を適用することができる。金属部材の少なくとも１つの
面の大きさは、半導体装置３０の上面より大きいかまた
は同一であればよい。このとき、金属部材の１つの主面
と半導体装置３０の上面とが接着剤４０により結合され
る。
【００６０】このように、本実施の形態では、プリント
基板１０の熱膨張係数と同一またはほぼ同一の熱膨張係
数を有するヒートシンク７２を半導体装置３０の上面に
結合させたため、半田２０に応力が加わるのを防ぐこと
ができるとともに半導体装置３０の発熱を放熱すること
ができる構造を少ない部品点数で実現できる。
基板１０の熱膨張係数と同一またはほぼ同一の熱膨張係
数を有するヒートシンク７２を半導体装置３０の上面に
結合させたため、半田２０に応力が加わるのを防ぐこと
ができるとともに半導体装置３０の発熱を放熱すること
ができる構造を少ない部品点数で実現できる。
【００６１】本発明は半導体装置の種々の実装構造およ
び実装方法に適用できる。例えば、チップキャリアに適
用する場合には、金属板または有機基板は、半導体装置
が実装されたキャリア基板の上面における、該キャリア
基板の下面の接続部材が設けられた領域と対応する領域
に設けられる。具体的には、チップキャリア上面の半導
体装置が実装された領域を除く領域に設けられる。
び実装方法に適用できる。例えば、チップキャリアに適
用する場合には、金属板または有機基板は、半導体装置
が実装されたキャリア基板の上面における、該キャリア
基板の下面の接続部材が設けられた領域と対応する領域
に設けられる。具体的には、チップキャリア上面の半導
体装置が実装された領域を除く領域に設けられる。
【００６２】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明で
は、半導体装置の上面に結合され実装基板の熱膨張係数
と同一またはほぼ同一の熱膨張係数を有する部材を設け
たため、熱を加えて半導体装置を実装基板に実装したの
ちに、実装基板の複数のパッドの各々と半導体装置の複
数の入出力端子の各々とを接続する接続部材に応力が生
じることを防ぐことができる。
は、半導体装置の上面に結合され実装基板の熱膨張係数
と同一またはほぼ同一の熱膨張係数を有する部材を設け
たため、熱を加えて半導体装置を実装基板に実装したの
ちに、実装基板の複数のパッドの各々と半導体装置の複
数の入出力端子の各々とを接続する接続部材に応力が生
じることを防ぐことができる。
【００６３】また、半導体装置の発熱によって半導体装
置および実装基板が熱膨張する場合にも、半導体装置お
よび実装基板がともに同一またはほぼ同一の熱膨張をす
るため、接続部材に加えられる応力を削減できるという
効果も本発明にはある。
置および実装基板が熱膨張する場合にも、半導体装置お
よび実装基板がともに同一またはほぼ同一の熱膨張をす
るため、接続部材に加えられる応力を削減できるという
効果も本発明にはある。
【図１】本発明の第１の実施の形態の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の実装方法を示す図
である。
である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の断面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態の断面図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態の断面図である。
【図６】本発明の第５の実施の形態の断面図である。
１０ プリント基板 ２０ 半田 ３０ 半導体装置 ４０ 接着剤 ５０、５２、５３ 金属板 ５１ キャップ
Claims (14)
- 【請求項１】 第１の面とこの第１の面に設けられた複
数のパッドとを有する実装基板と、 第１および第２の主面と前記複数のパッドに対応する前
記第２の主面上の位置に設けられた複数の端子とを有す
る半導体装置と、 前記複数のパッドと前記複数の端子とを接続する複数の
接続部材と、 少なくとも１つの面を有し、該面と前記半導体装置の第
１の主面とが結合されているとともに熱膨張係数が前記
実装基板の熱膨張係数と同一またはほぼ同一の値を有す
る部材とを含むことを特徴とする半導体装置の実装構
造。 - 【請求項２】 前記部材は金属板を含むことを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置の実装構造。 - 【請求項３】 前記部材は有機基板を含むことを特徴と
する請求項１記載の半導体装置の実装構造。 - 【請求項４】 前記実装基板はプリント配線基板であ
り、前記部材は銅または黄銅により形成されていること
を特徴とする請求項１記載の半導体装置の実装構造。 - 【請求項５】 前記実装基板はセラミック基板であり、
前記部材は窒化アルミニウム、アルミナセラミックまた
はタングステンにより形成されていることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置の実装構造。 - 【請求項６】 前記半導体装置と前記部材との間に設け
られ前記半導体装置と前記部材とを接着する接着剤層を
さらに含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置
の実装構造。 - 【請求項７】 前記部材がヒートシンクであることを特
徴とする請求項１記載の半導体装置の実装構造。 - 【請求項８】 第１の面とこの第１の面に設けられた複
数のパッドとを有する実装基板と、 第１および第２の主面と前記複数のパッドに対応する前
記第２の主面上の位置に設けられた複数の端子とを有す
る半導体装置と、 前記複数のパッドと前記複数の端子とを接続する複数の
接続部材と、 前記半導体装置の第１の主面に結合されて前記実装基板
と共に前記半導体装置を封止するとともに熱膨張係数が
前記実装基板の熱膨張係数と同一またはほぼ同一の値を
有するキャップとを含むことを特徴とする半導体装置の
実装構造。 - 【請求項９】 第１の面とこの第１の面に設けられた複
数のパッドとを有する実装基板と、 第１および第２の主面と前記複数のパッドに対応する前
記第２の主面上の位置に設けられた複数の端子とを有す
る半導体装置と、 前記複数のパッドと前記複数の端子とを接続する複数の
接続部材と、 前記半導体装置の第１の主面に結合され熱膨張係数が前
記実装基板の熱膨張係数と同一またはほぼ同一の値を有
する板と、 この部材に熱的に結合された冷却部材とを含むことを特
徴とする半導体装置の実装構造。 - 【請求項１０】 前記板に設けられ前記冷却部材を前記
部材に熱的に取り付ける取付部材をさらに含むことを特
徴とする請求項９記載の半導体装置の実装構造。 - 【請求項１１】 前記取付部材は前記板に窮孔されたネ
ジ穴と、前記ネジ穴に挿入されたネジとを含むことを特
徴とする請求項１０記載の半導体装置の実装構造。 - 【請求項１２】 前記取付部材はスタッドを含むことを
特徴とする請求項１０記載の半導体装置の実装構造。 - 【請求項１３】 半導体装置を実装基板に実装する半導
体装置の実装方法において、 少なくとも１つの面を有するとともに前記実装基板の熱
膨張係数と同一またはほぼ同一の値の熱膨張係数を有す
る部材の前記面と前記半導体装置の上面とを結合するス
テップと、 前記実装基板の上面のパッドと前記半導体装置の下面の
端子とが接続部剤を介して対向するよう前記半導体装置
を位置づけるステップと、 前記半導体装置、前記部材および前記実装基板を加熱し
前記接続部材を溶融させたのち常温に戻すステップと、
を含むことを特徴とする半導体装置の実装方法。 - 【請求項１４】 前記板と前記半導体装置とを接着剤に
より結合させることを特徴とする請求項１３記載の半導
体装置の実装方法。
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|---|---|---|---|
| JP10161646A JP3070579B2 (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 半導体装置の実装構造および実装方法 |
| FR9907262A FR2779867B1 (fr) | 1998-06-10 | 1999-06-09 | Structure de montage et procede de montage d'un dispositif a semi-conducteur |
| US09/328,894 US6574106B2 (en) | 1998-06-10 | 1999-06-09 | Mounting structure of semiconductor device |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10161646A JP3070579B2 (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 半導体装置の実装構造および実装方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354677A true JPH11354677A (ja) | 1999-12-24 |
| JP3070579B2 JP3070579B2 (ja) | 2000-07-31 |
Family
ID=15739151
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10161646A Expired - Fee Related JP3070579B2 (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 半導体装置の実装構造および実装方法 |
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|---|---|
| US (1) | US6574106B2 (ja) |
| JP (1) | JP3070579B2 (ja) |
| FR (1) | FR2779867B1 (ja) |
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| US8334591B2 (en) | 2008-10-22 | 2012-12-18 | Sony Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
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| US7670962B2 (en) | 2002-05-01 | 2010-03-02 | Amkor Technology, Inc. | Substrate having stiffener fabrication method |
| US9691635B1 (en) | 2002-05-01 | 2017-06-27 | Amkor Technology, Inc. | Buildup dielectric layer having metallization pattern semiconductor package fabrication method |
| US7548430B1 (en) | 2002-05-01 | 2009-06-16 | Amkor Technology, Inc. | Buildup dielectric and metallization process and semiconductor package |
| US20080043447A1 (en) * | 2002-05-01 | 2008-02-21 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package having laser-embedded terminals |
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| US7752752B1 (en) | 2007-01-09 | 2010-07-13 | Amkor Technology, Inc. | Method of fabricating an embedded circuit pattern |
| US8872329B1 (en) | 2009-01-09 | 2014-10-28 | Amkor Technology, Inc. | Extended landing pad substrate package structure and method |
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| US8059409B2 (en) * | 2009-06-19 | 2011-11-15 | General Electric Company | Avionics chassis |
| US8222541B2 (en) * | 2009-06-19 | 2012-07-17 | General Electric Company | Avionics chassis |
| US7911796B2 (en) * | 2009-06-19 | 2011-03-22 | General Electric Company | Avionics chassis |
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| JPH0756887B2 (ja) * | 1988-04-04 | 1995-06-14 | 株式会社日立製作所 | 半導体パッケージ及びそれを用いたコンピュータ |
| JPH05326625A (ja) | 1992-04-06 | 1993-12-10 | Nec Corp | Ｌｓｉ実装構造 |
| JPH0661306A (ja) | 1992-08-12 | 1994-03-04 | Nec Corp | チップキャリアとその実装構造体 |
| US5396403A (en) * | 1993-07-06 | 1995-03-07 | Hewlett-Packard Company | Heat sink assembly with thermally-conductive plate for a plurality of integrated circuits on a substrate |
| DE69531126T2 (de) * | 1994-04-22 | 2004-05-06 | Nec Corp. | Trägerelement für Kühlvorrichtung und elektronisches Gehäuse mit einem solchen Element |
| MY112145A (en) * | 1994-07-11 | 2001-04-30 | Ibm | Direct attachment of heat sink attached directly to flip chip using flexible epoxy |
| JPH08148592A (ja) | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
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-
1998
- 1998-06-10 JP JP10161646A patent/JP3070579B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-06-09 FR FR9907262A patent/FR2779867B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1999-06-09 US US09/328,894 patent/US6574106B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| FR2779867A1 (fr) | 1999-12-17 |
| US20010040791A1 (en) | 2001-11-15 |
| US6574106B2 (en) | 2003-06-03 |
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