JPH11353648A - 規則合金薄膜からなる情報記録媒体の製造方法 - Google Patents
規則合金薄膜からなる情報記録媒体の製造方法Info
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- JPH11353648A JPH11353648A JP10162318A JP16231898A JPH11353648A JP H11353648 A JPH11353648 A JP H11353648A JP 10162318 A JP10162318 A JP 10162318A JP 16231898 A JP16231898 A JP 16231898A JP H11353648 A JPH11353648 A JP H11353648A
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- G11B5/7377—Physical structure of underlayer, e.g. texture
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度情報記録、特に磁気記録における情報
の保存安定性に優れる記録媒体の製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 磁場や光を用い情報の記録再生を行う情
報記録媒体の製造方法において、結晶格子面のミラー指
数（１００）の結晶面が基板と平行になるように制御さ
れたＣｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＭｇＯ又は
ＮｉＯから選ばれる元素もしくは化合物を主成分とした
下地層を少なくとも一層作製し、更にＬ１ ０形規則合金
層を、Ｐ×Ｄ＞３０００（但し、Ｐ：Ａｒガス圧(Pa)、
Ｄ：ターゲット基板間距離(mm)）を満たす範囲でスパッ
タ成膜により作製する。この様な規則合金薄膜からなる
記録媒体の製造方法を工業用ハードディスク用ガラス基
板に適用し、このガラス基板が使用できる低温において
大きな結晶磁気異方性発現に必要な規則化を促進させ、
記録媒体としての記録保存安定性を向上させる。
の保存安定性に優れる記録媒体の製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 磁場や光を用い情報の記録再生を行う情
報記録媒体の製造方法において、結晶格子面のミラー指
数（１００）の結晶面が基板と平行になるように制御さ
れたＣｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＭｇＯ又は
ＮｉＯから選ばれる元素もしくは化合物を主成分とした
下地層を少なくとも一層作製し、更にＬ１ ０形規則合金
層を、Ｐ×Ｄ＞３０００（但し、Ｐ：Ａｒガス圧(Pa)、
Ｄ：ターゲット基板間距離(mm)）を満たす範囲でスパッ
タ成膜により作製する。この様な規則合金薄膜からなる
記録媒体の製造方法を工業用ハードディスク用ガラス基
板に適用し、このガラス基板が使用できる低温において
大きな結晶磁気異方性発現に必要な規則化を促進させ、
記録媒体としての記録保存安定性を向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高密度情報記録技術
に係わり、例えば磁気記録における情報の保存安定性に
優れた記録媒体の製造方法に関する。
に係わり、例えば磁気記録における情報の保存安定性に
優れた記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体は、膨大な情報量を
記録する手段として盛んに研究開発が行われており、特
にコンピュータ用ハードディスク装置に用いられる磁気
記録媒体においては、非常な勢いでその記録面密度の高
密度化が進んでいる。
記録する手段として盛んに研究開発が行われており、特
にコンピュータ用ハードディスク装置に用いられる磁気
記録媒体においては、非常な勢いでその記録面密度の高
密度化が進んでいる。
【０００３】現在、この記録媒体には「長手記録方式」
と呼ばれる記録膜の面内方向に磁化ベクトルを向け信号
を記録する記録方式が用いられているが、更なる高密度
記録を実現する方法として、記録膜の垂直方向に磁化ベ
クトルを向け信号を記録する「垂直記録方式」(S. Iwas
aki and Y. Nakamura; IEEE Trans. Magn., vol. MAG-1
3, pp. 1272-1277, 1977)が注目されている。
と呼ばれる記録膜の面内方向に磁化ベクトルを向け信号
を記録する記録方式が用いられているが、更なる高密度
記録を実現する方法として、記録膜の垂直方向に磁化ベ
クトルを向け信号を記録する「垂直記録方式」(S. Iwas
aki and Y. Nakamura; IEEE Trans. Magn., vol. MAG-1
3, pp. 1272-1277, 1977)が注目されている。
【０００４】一方、磁気記録材料としては、いずれの記
録方式においても記録層としてＣｏ−Ｃｒ系合金が主に
用いられている。この際、下地層の種類、結晶配向性あ
るいは格子定数により、この層の直上に設けられたＣｏ
−Ｃｒ系合金の結晶配向性を制御することができ、した
がって、磁化ベクトルの方向を決める磁化容易軸の方向
を制御することができる。現在この様な手法を用いて、
Ｃｏ−Ｃｒ系合金から成る長手記録媒体または垂直記録
媒体を作製できる。
録方式においても記録層としてＣｏ−Ｃｒ系合金が主に
用いられている。この際、下地層の種類、結晶配向性あ
るいは格子定数により、この層の直上に設けられたＣｏ
−Ｃｒ系合金の結晶配向性を制御することができ、した
がって、磁化ベクトルの方向を決める磁化容易軸の方向
を制御することができる。現在この様な手法を用いて、
Ｃｏ−Ｃｒ系合金から成る長手記録媒体または垂直記録
媒体を作製できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし長手記録方式に
おいて、このＣｏ−Ｃｒ系合金を用いる際、記録の高密
度化に伴い「磁気緩和」と呼ばれる記録情報が保存時間
内に減少していくという現象が発生することがP. L. Lu
and S. H. Charap (IEEE Trans. Magn., vol.30, 4230
(1994))等により報告されている。
おいて、このＣｏ−Ｃｒ系合金を用いる際、記録の高密
度化に伴い「磁気緩和」と呼ばれる記録情報が保存時間
内に減少していくという現象が発生することがP. L. Lu
and S. H. Charap (IEEE Trans. Magn., vol.30, 4230
(1994))等により報告されている。
【０００６】これに対して垂直記録方式は、高密度記録
の可能性だけでなく、この磁気緩和に関しても長手記録
方式に対して優位であるということがS. Iwasaki, K. O
uchi and N. Honda (IEEE, vol. 32, 3795 (1996))等に
より報告されている。
の可能性だけでなく、この磁気緩和に関しても長手記録
方式に対して優位であるということがS. Iwasaki, K. O
uchi and N. Honda (IEEE, vol. 32, 3795 (1996))等に
より報告されている。
【０００７】しかしながら、姜、村岡、田河、中村（日
本応用磁気学会誌、21、293、(1997)）らによる計算機
シミュレーションで示されるように、垂直記録媒体にお
いても磁気緩和に関する指摘がなされている。
本応用磁気学会誌、21、293、(1997)）らによる計算機
シミュレーションで示されるように、垂直記録媒体にお
いても磁気緩和に関する指摘がなされている。
【０００８】この様な磁気緩和は、磁性材料における磁
気粒子の磁気エネルギー（Ｋu×ｖ）と、その置かれた
周りの環境からの熱エネルギー（ｋＢ×Ｔ）との比が小
さくなるに従ってより顕著に起こる。
気粒子の磁気エネルギー（Ｋu×ｖ）と、その置かれた
周りの環境からの熱エネルギー（ｋＢ×Ｔ）との比が小
さくなるに従ってより顕著に起こる。
【０００９】 （Ｋu×ｖ）／（ｋＢ×Ｔ） …（式２） 但し、Ｋuは結晶磁気異方性定数、ｖは磁気粒子の大き
さ、ｋＢはボルツマン定数、Ｔは環境の絶対温度をそれ
ぞれ表わす。
さ、ｋＢはボルツマン定数、Ｔは環境の絶対温度をそれ
ぞれ表わす。
【００１０】これは、記録の高密度化に伴なって、磁気
粒子の大きさはより小さくなるので、高密度記録時ほど
磁気緩和が顕在化することになる。したがって、このエ
ネルギー比を大きくする為には、記録材料がもつ結晶磁
気異方性定数を大きくすることが必要になることが解
る。
粒子の大きさはより小さくなるので、高密度記録時ほど
磁気緩和が顕在化することになる。したがって、このエ
ネルギー比を大きくする為には、記録材料がもつ結晶磁
気異方性定数を大きくすることが必要になることが解
る。
【００１１】高い結晶性磁気異方性を有する材料とし
て、K. R. Coffey, M. A. Parker and J. K. Howard (I
EEE Trans. Mag., vol.31, 2737 (1995))等は、Ｌ１０
形規則合金を用いた配向の制御を行っていない薄膜を作
製し、長手記録を行っているが、この技術によると、成
膜後にアニールを行うことで高い結晶磁気異方性を発現
する規則相の形成を行っており、また得られる垂直磁化
成分が小さいことから、この方法は高密度記録が期待で
きる垂直記録方式に用いることは困難である。
て、K. R. Coffey, M. A. Parker and J. K. Howard (I
EEE Trans. Mag., vol.31, 2737 (1995))等は、Ｌ１０
形規則合金を用いた配向の制御を行っていない薄膜を作
製し、長手記録を行っているが、この技術によると、成
膜後にアニールを行うことで高い結晶磁気異方性を発現
する規則相の形成を行っており、また得られる垂直磁化
成分が小さいことから、この方法は高密度記録が期待で
きる垂直記録方式に用いることは困難である。
【００１２】さらに、T. Suzuki, N. Honda and K. Ouc
hi (J. Magn. Soc. Jpn., 21-S2,177 (1997))には、Ｌ
１０形規則合金膜の垂直結晶配向を達成する為のスパッ
タ成膜法及び層構造に関する提案がなされている。しか
しながら、この技術によっては充分な垂直異方性が得ら
れているとは言えず、また実際の磁気記録媒体で用いら
れる５０ｎｍ程度以下の膜厚では、硬質特性を示してい
ない。従って、このままでは磁気記録媒体として用いる
ことはできない。
hi (J. Magn. Soc. Jpn., 21-S2,177 (1997))には、Ｌ
１０形規則合金膜の垂直結晶配向を達成する為のスパッ
タ成膜法及び層構造に関する提案がなされている。しか
しながら、この技術によっては充分な垂直異方性が得ら
れているとは言えず、また実際の磁気記録媒体で用いら
れる５０ｎｍ程度以下の膜厚では、硬質特性を示してい
ない。従って、このままでは磁気記録媒体として用いる
ことはできない。
【００１３】一方、Ｌ１０形規則合金薄膜の垂直異方性
を得る方法としてＭｇＯ単結晶基板を用いたスパッタ成
膜法がM. Watanabe and M. Homma (Jpn. J. Appl. Phy
s.Vol. 66, 1692 (1995))により開示されているが、Ｍ
ｇＯ単結晶基板は高価である故に、工業的にハードディ
スク基板として採用することは困難である。また、６０
０℃という高い基板温度にて実施されている為に、工業
用ハードディスク用ガラス基板に適用することはできな
い。さらにこの方法により得られている磁気特性は「磁
壁移動型」であり、信号を記録した場合には、媒体ノイ
ズが大きくて充分なＳ／Ｎが得られない故に、磁気記録
媒体としては不適であることが容易に予想される。
を得る方法としてＭｇＯ単結晶基板を用いたスパッタ成
膜法がM. Watanabe and M. Homma (Jpn. J. Appl. Phy
s.Vol. 66, 1692 (1995))により開示されているが、Ｍ
ｇＯ単結晶基板は高価である故に、工業的にハードディ
スク基板として採用することは困難である。また、６０
０℃という高い基板温度にて実施されている為に、工業
用ハードディスク用ガラス基板に適用することはできな
い。さらにこの方法により得られている磁気特性は「磁
壁移動型」であり、信号を記録した場合には、媒体ノイ
ズが大きくて充分なＳ／Ｎが得られない故に、磁気記録
媒体としては不適であることが容易に予想される。
【００１４】このようなことから、工業的に使用可能な
ハードディスク用基板を用い、かつ媒体ノイズの低い、
即ち微細な磁区構造をもつ、結晶磁気異方性の高い垂直
磁気異方性薄膜の作製方法が切望されている。
ハードディスク用基板を用い、かつ媒体ノイズの低い、
即ち微細な磁区構造をもつ、結晶磁気異方性の高い垂直
磁気異方性薄膜の作製方法が切望されている。
【００１５】そこで本発明は以上の現状に鑑みて成され
たものであり、その目的とする処は、高密度情報記録、
特に磁気記録における情報の保存安定性に優れる記録媒
体の製造方法を提供することにある。
たものであり、その目的とする処は、高密度情報記録、
特に磁気記録における情報の保存安定性に優れる記録媒
体の製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、次のような手段を講じている。即ち、
本発明は、高い垂直磁気異方性を有しかつ微細な磁区構
造を達成する為の新しい薄膜作製方法を、特許請求の範
囲に記載の如くの方法で提案するものである。 ［１］ 磁場もしくは光を用いて情報の記録再生を行う
情報記録媒体の製造方法において、結晶格子面のミラー
指数（１００）の結晶面が基板と平行になるように制御
されたＣｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＭｇＯ又
はＮｉＯの何れから選ばれる元素もしくは化合物を主成
分とする下地層を少なくとも一層作製し、更にＬ１０形
規則合金層を次式、 Ｐ×Ｄ ＞ ３０００ を満たす範
囲においてスパッタ成膜により作製することを特徴とす
る処の、規則合金薄膜からなる情報記録媒体の製造方法
を提供する。但し、ＰはＡｒガス圧（Ｐａ）、Ｄはター
ゲット基板間距離（ｍｍ）。
達成するために、次のような手段を講じている。即ち、
本発明は、高い垂直磁気異方性を有しかつ微細な磁区構
造を達成する為の新しい薄膜作製方法を、特許請求の範
囲に記載の如くの方法で提案するものである。 ［１］ 磁場もしくは光を用いて情報の記録再生を行う
情報記録媒体の製造方法において、結晶格子面のミラー
指数（１００）の結晶面が基板と平行になるように制御
されたＣｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＭｇＯ又
はＮｉＯの何れから選ばれる元素もしくは化合物を主成
分とする下地層を少なくとも一層作製し、更にＬ１０形
規則合金層を次式、 Ｐ×Ｄ ＞ ３０００ を満たす範
囲においてスパッタ成膜により作製することを特徴とす
る処の、規則合金薄膜からなる情報記録媒体の製造方法
を提供する。但し、ＰはＡｒガス圧（Ｐａ）、Ｄはター
ゲット基板間距離（ｍｍ）。
【００１７】さらに、［２］ 前記下地層がＣｒ合金か
ら成ることが特徴の［１］記載の製造方法と、［３］
前記Ｌ１０形規則合金層は、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、Ｆｅ
Ｐｄ、及びこれらの合金から成ることが特徴の［１］記
載の製造方法を提供する。
ら成ることが特徴の［１］記載の製造方法と、［３］
前記Ｌ１０形規則合金層は、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、Ｆｅ
Ｐｄ、及びこれらの合金から成ることが特徴の［１］記
載の製造方法を提供する。
【００１８】
【作用】本発明のようなＬ１０形の規則合金を用いて薄
膜からなる情報記録媒体の製造に適用した一例として、
例えば、基板材料に工業用ハードディスク用ガラス基板
を用いた場合でも、この基板が使用できる範囲の比較的
低い温度で、大きな結晶磁気異方性発現に必要な規則化
が促進されることにより、従来技術に比較して優れた垂
直磁気異方性を示す。さらに微細な磁区構造が得られ磁
気記録上も好ましい。
膜からなる情報記録媒体の製造に適用した一例として、
例えば、基板材料に工業用ハードディスク用ガラス基板
を用いた場合でも、この基板が使用できる範囲の比較的
低い温度で、大きな結晶磁気異方性発現に必要な規則化
が促進されることにより、従来技術に比較して優れた垂
直磁気異方性を示す。さらに微細な磁区構造が得られ磁
気記録上も好ましい。
【００１９】したがって、本発明のこの製造方法によれ
ば、基板の種類によらず優れた垂直磁気異方性を備えた
薄膜を作製でき、この製造方法で作られた薄膜は、実用
上の垂直記録方式に適する磁気特性を充分に示し、かつ
安価な基板が使用できることにより製造コストを低減す
ることができる。
ば、基板の種類によらず優れた垂直磁気異方性を備えた
薄膜を作製でき、この製造方法で作られた薄膜は、実用
上の垂直記録方式に適する磁気特性を充分に示し、かつ
安価な基板が使用できることにより製造コストを低減す
ることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明に係わる１つの実施の形態
を例に製造方法について具体的に説明する。
を例に製造方法について具体的に説明する。
【００２１】磁場もしくは光を用いて情報の記録再生を
行う情報記録媒体の製造方法において、特に本発明の情
報記録媒体の製造方法としては、例えば、結晶格子面の
ミラー指数が（１００）の結晶面が基板と平行になるよ
うに制御された例えばＣｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｆｅ、
Ｎｉ、ＭｇＯ又はＮｉＯの何れから適宜選んだ元素もし
くは化合物を主成分とする下地層を少なくとも一層作製
し、そしてその後更に、Ｌ１０形規則合金層を下記の
（式１）を満たすような範囲においてスパッタ成膜によ
って作製するということを特徴としている。
行う情報記録媒体の製造方法において、特に本発明の情
報記録媒体の製造方法としては、例えば、結晶格子面の
ミラー指数が（１００）の結晶面が基板と平行になるよ
うに制御された例えばＣｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｆｅ、
Ｎｉ、ＭｇＯ又はＮｉＯの何れから適宜選んだ元素もし
くは化合物を主成分とする下地層を少なくとも一層作製
し、そしてその後更に、Ｌ１０形規則合金層を下記の
（式１）を満たすような範囲においてスパッタ成膜によ
って作製するということを特徴としている。
【００２２】Ｐ×Ｄ ＞ ３０００ …（式１） ただしこの条件式では、ＰはＡｒガス圧（Ｐａ）を表わ
し、Ｄはターゲット基板間距離（ｍｍ）を表している。
つまり、作製時におけるガス圧とターゲット基板間の距
離との積が所定数（即ち３０００）よりも大きくなるよ
うな条件下に設定して、スパッタ成膜により記録媒体用
の薄膜の積層構造を形成するものである。
し、Ｄはターゲット基板間距離（ｍｍ）を表している。
つまり、作製時におけるガス圧とターゲット基板間の距
離との積が所定数（即ち３０００）よりも大きくなるよ
うな条件下に設定して、スパッタ成膜により記録媒体用
の薄膜の積層構造を形成するものである。
【００２３】このようにして本発明の製造方法では、Ｃ
ｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＭｇＯ又はＮｉＯ
から選ばれる元素もしくは化合物を主成分とした下地層
を、例えばスパッタ成膜法を用いて作製する。
ｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＭｇＯ又はＮｉＯ
から選ばれる元素もしくは化合物を主成分とした下地層
を、例えばスパッタ成膜法を用いて作製する。
【００２４】これら下地層の（１００）結晶面における
原子の配列を表わす対称性は、Ｌ１０形規則合金層の
（００１）結晶面における対称性と同じであり、またそ
れぞれの原子面間隔の差を表わすミスフィット（例えば
麻蒔立男著による薄膜作成の基礎、第３版(日刊工業新
聞社)110ページ参照）の絶対値も１０％以下と小さいこ
とから、Ｌ１０形規則合金層の配向性制御に特に優れた
効果を発現することができる。
原子の配列を表わす対称性は、Ｌ１０形規則合金層の
（００１）結晶面における対称性と同じであり、またそ
れぞれの原子面間隔の差を表わすミスフィット（例えば
麻蒔立男著による薄膜作成の基礎、第３版(日刊工業新
聞社)110ページ参照）の絶対値も１０％以下と小さいこ
とから、Ｌ１０形規則合金層の配向性制御に特に優れた
効果を発現することができる。
【００２５】さらに、下地層の（１００）結晶面の配向
性を向上させる為、もしくは記録特性の制御の為に複数
の層を作製することが可能である。
性を向上させる為、もしくは記録特性の制御の為に複数
の層を作製することが可能である。
【００２６】なお、本発明における「Ｌ１０形規則合
金」には、例えば、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ又はＦｅＰｄ、
及びこれらの合金などが採用される。
金」には、例えば、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ又はＦｅＰｄ、
及びこれらの合金などが採用される。
【００２７】ただし、この場合にも（式１）の条件は厳
守される。その理由は、このＬ１０形規則合金層をスパ
ッタ成膜法により作製する際に、Ｐ×Ｄ の値がもし３
０００以下であると、規則化が進まず、充分な磁気異方
性を得ることができない。また逆に、このＰ×Ｄ の値
が１００００以上であると、成膜中に異常放電などが発
生しやすいばかりでなく、成膜速度が極端に遅くなり、
実用上の理由からは好ましくない。またこの１００００
以上というような条件を満たして作製できる装置は極め
て大掛かりになり、簡単には実施が難しい。よって、
（式１）が示すＰ×Ｄ の値の範囲、即ち３０００以上
と、１００００以下には特に留意している。
守される。その理由は、このＬ１０形規則合金層をスパ
ッタ成膜法により作製する際に、Ｐ×Ｄ の値がもし３
０００以下であると、規則化が進まず、充分な磁気異方
性を得ることができない。また逆に、このＰ×Ｄ の値
が１００００以上であると、成膜中に異常放電などが発
生しやすいばかりでなく、成膜速度が極端に遅くなり、
実用上の理由からは好ましくない。またこの１００００
以上というような条件を満たして作製できる装置は極め
て大掛かりになり、簡単には実施が難しい。よって、
（式１）が示すＰ×Ｄ の値の範囲、即ち３０００以上
と、１００００以下には特に留意している。
【００２８】Ｌ１０形規則合金層作製時の基板の温度の
範囲は、組成もしくは合金種により最適温度は異なる
が、例えば組成がＦｅＰｔの場合、約４００℃〜５００
℃程度の範囲が好ましい。
範囲は、組成もしくは合金種により最適温度は異なる
が、例えば組成がＦｅＰｔの場合、約４００℃〜５００
℃程度の範囲が好ましい。
【００２９】また、この種の規則合金層の膜厚は記録再
生特性の観点から決めることができ、特に制約はない
が、約５ｎｍ〜２００ｎｍ程度の範囲が好ましい。
生特性の観点から決めることができ、特に制約はない
が、約５ｎｍ〜２００ｎｍ程度の範囲が好ましい。
【００３０】なお、請求項２におけるＣｒ合金層の（１
００）結晶面の配向性の制御について、例えばＭｇＯ、
Ｔａをあらかじめ形成する方法はそれぞれ次の２つの文
献に開示されているので、それらに基づいて行えばよい
故にその詳しい説明は省略する。 （文献１） Li-Lien Lee, B. K. Cheong, D. E. Laugh
hlin, and D. N. Lamberth (Appl. Phys. Lett. 67 (19
95) 3638)； （文献２） H. Kataoka, T. Kanabe, and H. Kashiwas
e (IEEE. Trans. Magn.,31 (1995) 2734)。
００）結晶面の配向性の制御について、例えばＭｇＯ、
Ｔａをあらかじめ形成する方法はそれぞれ次の２つの文
献に開示されているので、それらに基づいて行えばよい
故にその詳しい説明は省略する。 （文献１） Li-Lien Lee, B. K. Cheong, D. E. Laugh
hlin, and D. N. Lamberth (Appl. Phys. Lett. 67 (19
95) 3638)； （文献２） H. Kataoka, T. Kanabe, and H. Kashiwas
e (IEEE. Trans. Magn.,31 (1995) 2734)。
【００３１】なお、Ｃｒ（１００）面配向性は、ロッキ
ングカーブ半値幅で良好であればある程、その上層の結
晶配向性も良好となり、磁気異方性の向上をもたらす。
ングカーブ半値幅で良好であればある程、その上層の結
晶配向性も良好となり、磁気異方性の向上をもたらす。
【００３２】さらに本発明におけるＣｒ合金層は、通常
のＣｏ−Ｃｒ系合金薄膜媒体の下地層と同様に、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｍｏ、などの遷移金属や、Ｓｉ、Ｇｅなどの半金
属、Ａｌなどの両性金属であり、Ｃｒの結晶構造である
処の体心立方格子を維持できる範囲で添加することがで
きる。例えばＴｉの場合、１０原子％程度でも可能であ
る。この様な元素の添加により、例えば格子定数、結晶
性、配向性および結晶粒径などの制御が可能である。
のＣｏ−Ｃｒ系合金薄膜媒体の下地層と同様に、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｍｏ、などの遷移金属や、Ｓｉ、Ｇｅなどの半金
属、Ａｌなどの両性金属であり、Ｃｒの結晶構造である
処の体心立方格子を維持できる範囲で添加することがで
きる。例えばＴｉの場合、１０原子％程度でも可能であ
る。この様な元素の添加により、例えば格子定数、結晶
性、配向性および結晶粒径などの制御が可能である。
【００３３】（効果１）本実施形態例の製造方法によれ
ば、基板の種類によらず優れた垂直磁気異方性を得るこ
とができる。実際的に製品として例えばハードディスク
用のガラス基板を採用した場合でも、従来技術に比較し
て優れた垂直磁気異方性を得ることができ、またその磁
気記録上も好ましい微細な磁区構造が得られる。なお、
これらについての詳しいデータは後述の実施例に例示さ
れている。よって、本発明は垂直記録方式の磁気媒体の
製造方法にも適合するものであることが解る。
ば、基板の種類によらず優れた垂直磁気異方性を得るこ
とができる。実際的に製品として例えばハードディスク
用のガラス基板を採用した場合でも、従来技術に比較し
て優れた垂直磁気異方性を得ることができ、またその磁
気記録上も好ましい微細な磁区構造が得られる。なお、
これらについての詳しいデータは後述の実施例に例示さ
れている。よって、本発明は垂直記録方式の磁気媒体の
製造方法にも適合するものであることが解る。
【００３４】（変形例１）例示した以外のその他の層構
造の作製方法としては、該規則合金をＣｒ合金層上に直
接成膜するか、もしくは格子定数の制御の為にＰｄ、Ｐ
ｔ又はＡｕなどを間に用いることも可能である。さらに
は、記録特性の制御の為に、Ｆｅ、ＦｅＳｉ合金、パー
マロイなどを用いることも可能である。
造の作製方法としては、該規則合金をＣｒ合金層上に直
接成膜するか、もしくは格子定数の制御の為にＰｄ、Ｐ
ｔ又はＡｕなどを間に用いることも可能である。さらに
は、記録特性の制御の為に、Ｆｅ、ＦｅＳｉ合金、パー
マロイなどを用いることも可能である。
【００３５】ここで、本発明の製造方法により形成され
た層構造が如何なる磁気特性を有しており、記録媒体と
しての優劣を有するかを評価するための評価方法として
は、次なる３つの評価方法に従っていることを明記して
おく。即ち、 （１） 結晶配向性及び結晶構造の評価に関しては、Ｃ
ｕ−Ｋα線を用いたＸ線回折により行う。また規則相の
形成量の評価は、T.Suzuki, N. Honda and K. Ouchi
(J. Magn. Soc. Jpn., 21-S2, 177 (1997))により示さ
れている処の面心正方晶ｆｃｔ（００１）回折線の面積
積分を膜厚で除算した値を指標とする。
た層構造が如何なる磁気特性を有しており、記録媒体と
しての優劣を有するかを評価するための評価方法として
は、次なる３つの評価方法に従っていることを明記して
おく。即ち、 （１） 結晶配向性及び結晶構造の評価に関しては、Ｃ
ｕ−Ｋα線を用いたＸ線回折により行う。また規則相の
形成量の評価は、T.Suzuki, N. Honda and K. Ouchi
(J. Magn. Soc. Jpn., 21-S2, 177 (1997))により示さ
れている処の面心正方晶ｆｃｔ（００１）回折線の面積
積分を膜厚で除算した値を指標とする。
【００３６】（２） 磁気特性の評価は、交番力磁力計
によりT.Suzuki, N. Honda and K.Ouchi (J. Magn. So
c. Jpn., 21-S2, 177 (1997))で示されているように行
う。尚、垂直磁気異方性の指標としては、下記の（式
３）及び（式４）を用いる。即ち、 Ｍｒ⊥／Ｍｒ‖ ＞ １ …（式３） 但しこの式において、”Ｍｒ⊥”および”Ｍｒ‖”は、
膜面に対してそれぞれ垂直方向と面内方向の残留磁化
（ｅｍｕ／ｃｍ３）を表わしており、式として垂直方向
の残留磁化と面内方向の残留磁化の比が１以上である事
を示している。
によりT.Suzuki, N. Honda and K.Ouchi (J. Magn. So
c. Jpn., 21-S2, 177 (1997))で示されているように行
う。尚、垂直磁気異方性の指標としては、下記の（式
３）及び（式４）を用いる。即ち、 Ｍｒ⊥／Ｍｒ‖ ＞ １ …（式３） 但しこの式において、”Ｍｒ⊥”および”Ｍｒ‖”は、
膜面に対してそれぞれ垂直方向と面内方向の残留磁化
（ｅｍｕ／ｃｍ３）を表わしており、式として垂直方向
の残留磁化と面内方向の残留磁化の比が１以上である事
を示している。
【００３７】 Ｈｃ⊥／Ｈｃ‖ ＞ １ …（式４） 但しこの式において、”Ｈｃ⊥”および”Ｈｃ‖”は、
膜面に対してそれぞれ垂直方向と面内方向の抗磁力（Ｏ
ｅ）を表わしており、式として垂直方向の抗磁力と面内
方向の抗磁力の比が１以上である事を示している。
膜面に対してそれぞれ垂直方向と面内方向の抗磁力（Ｏ
ｅ）を表わしており、式として垂直方向の抗磁力と面内
方向の抗磁力の比が１以上である事を示している。
【００３８】これら（式３）と（式４）は、膜面垂直方
向の異方性が面内方向の異方性より大きいことを示すも
のである。
向の異方性が面内方向の異方性より大きいことを示すも
のである。
【００３９】（３） 磁区の大きさの評価に関しては、
試料を交流消磁を行い、その後、磁気力顕微鏡にて磁気
像を観測しそのスペクトル解析から評価する。（文献は
例えば、齋藤恭子、本多直樹、大内一弘（日本応用磁気
学会誌，20, 77 (1996)）。
試料を交流消磁を行い、その後、磁気力顕微鏡にて磁気
像を観測しそのスペクトル解析から評価する。（文献は
例えば、齋藤恭子、本多直樹、大内一弘（日本応用磁気
学会誌，20, 77 (1996)）。
【００４０】続いて、本発明を適用した幾つかの詳しい
実施例を挙げ、それぞれを上記の評価方法にて従来技術
で得られたものと順次比較しながら、本発明がもたらす
作用効果について説明する。
実施例を挙げ、それぞれを上記の評価方法にて従来技術
で得られたものと順次比較しながら、本発明がもたらす
作用効果について説明する。
【００４１】
【実施例１】本発明の製造方法を適用した１つの実施例
によれば、次のように実施される。
によれば、次のように実施される。
【００４２】ハードディスク用ガラス基板上に、ＭｇＯ
を「ＲＦマグネトロンスパッタ法」により膜厚１０ｎ
ｍ、更にＣｒを「ＤＣマグネトロンスパッタ法」により
膜厚７０ｎｍ作製し、更にＦｅＰｔ合金ターゲットを用
い「ＲＦスパッタ法」により基板温度４５０℃にて膜厚
４３ｎｍを作製する。これらＭｇＯ及びＣｒを作製する
際のガス圧は０．２Ｐａであり、ＦｅＰｔ作製時のガス
圧（Ｐ）は１００Ｐａであり、この時のターゲット基板
間距離（Ｄ）は５０ｍｍである。よって、Ｐ×Ｄ＝５０
００であるような条件を満たす状態で薄膜の製造を行
う。
を「ＲＦマグネトロンスパッタ法」により膜厚１０ｎ
ｍ、更にＣｒを「ＤＣマグネトロンスパッタ法」により
膜厚７０ｎｍ作製し、更にＦｅＰｔ合金ターゲットを用
い「ＲＦスパッタ法」により基板温度４５０℃にて膜厚
４３ｎｍを作製する。これらＭｇＯ及びＣｒを作製する
際のガス圧は０．２Ｐａであり、ＦｅＰｔ作製時のガス
圧（Ｐ）は１００Ｐａであり、この時のターゲット基板
間距離（Ｄ）は５０ｍｍである。よって、Ｐ×Ｄ＝５０
００であるような条件を満たす状態で薄膜の製造を行
う。
【００４３】（作用効果１）図１には、上述の方法で形
成された薄膜のＸ線回折パターンを示している。図示の
如く、ＦｅＰｔ規則合金の形成とその配向性としては垂
直磁気異方性に必要な結晶格子面のミラー指数（００
１）を示す回折パターンが得られていることがわかる。
即ち、面心正方晶のｆｃｔ（００１）が回折線の強度が
大きいことを示している。
成された薄膜のＸ線回折パターンを示している。図示の
如く、ＦｅＰｔ規則合金の形成とその配向性としては垂
直磁気異方性に必要な結晶格子面のミラー指数（００
１）を示す回折パターンが得られていることがわかる。
即ち、面心正方晶のｆｃｔ（００１）が回折線の強度が
大きいことを示している。
【００４４】なお、Ｃｒ（２００）のロッキングカーブ
半値幅は２．８度であり、ＦｅＰｔ（００１）について
は４．３度である。
半値幅は２．８度であり、ＦｅＰｔ（００１）について
は４．３度である。
【００４５】［表１］中のデータによれば例えば、垂直
方向と面内方向の残留磁化の比の値、即ちＭｒ⊥／Ｍｒ
‖ ＝ ２４．４８であることと、垂直方向と面内方向の
抗磁力の比の値、即ちＨｃ⊥／Ｈｃ‖ ＝ ５．８３であ
ることとがわかる、つまり、実施例１においては、Ｐ×
Ｄ＝５０００の条件で製造して得られた薄膜の垂直磁気
特性の指標ともなる値が、残留磁化の比＝２４．４８、
抗磁力の比＝５．８３という結果となった。これらの値
はかなり大きく、特に垂直方向の値がかなり大きいこと
を示している。
方向と面内方向の残留磁化の比の値、即ちＭｒ⊥／Ｍｒ
‖ ＝ ２４．４８であることと、垂直方向と面内方向の
抗磁力の比の値、即ちＨｃ⊥／Ｈｃ‖ ＝ ５．８３であ
ることとがわかる、つまり、実施例１においては、Ｐ×
Ｄ＝５０００の条件で製造して得られた薄膜の垂直磁気
特性の指標ともなる値が、残留磁化の比＝２４．４８、
抗磁力の比＝５．８３という結果となった。これらの値
はかなり大きく、特に垂直方向の値がかなり大きいこと
を示している。
【００４６】また、図２のグラフからは本発明の製造方
法により作製された薄膜の磁気特性がわかり、次に例示
する比較例の従来技術による薄膜の磁気特性（図８）と
比べて、Ｍｒ⊥／Ｍｒ‖ 及び Ｈｃ⊥／Ｈｃ‖ が大
きいことを示している。即ち、この薄膜が優れた垂直磁
気異方性を示すことがわかる。
法により作製された薄膜の磁気特性がわかり、次に例示
する比較例の従来技術による薄膜の磁気特性（図８）と
比べて、Ｍｒ⊥／Ｍｒ‖ 及び Ｈｃ⊥／Ｈｃ‖ が大
きいことを示している。即ち、この薄膜が優れた垂直磁
気異方性を示すことがわかる。
【００４７】（比較例１）本発明の製造方法に対する１
つの比較例として、次のような従来技術で製造してみ
た。すなわち、ハードディスク用ガラス基板上に、直接
ＦｅＰｔ合金ターゲットを用いＲＦスパッタ法により５
２ｎｍ作製した一例である。ただし、このＦｅＰｔ作製
時のガス圧（Ｐ）は１００Ｐａであり、ターゲット基板
間距離（Ｄ）は５０ｍｍであるような（式１）を満たす
Ｐ×Ｄ＝５０００の場合の例である。
つの比較例として、次のような従来技術で製造してみ
た。すなわち、ハードディスク用ガラス基板上に、直接
ＦｅＰｔ合金ターゲットを用いＲＦスパッタ法により５
２ｎｍ作製した一例である。ただし、このＦｅＰｔ作製
時のガス圧（Ｐ）は１００Ｐａであり、ターゲット基板
間距離（Ｄ）は５０ｍｍであるような（式１）を満たす
Ｐ×Ｄ＝５０００の場合の例である。
【００４８】しかし、図７にこの従来技術で形成された
薄膜のＸ線回折パターンを示すと、この従来技術で得ら
れるものは、図示された回折パターンが示す如く、（１
１１）配向であり、これは垂直磁気異方性に優位な配向
ではないことがわかる。
薄膜のＸ線回折パターンを示すと、この従来技術で得ら
れるものは、図示された回折パターンが示す如く、（１
１１）配向であり、これは垂直磁気異方性に優位な配向
ではないことがわかる。
【００４９】（比較例２）また、本発明の製造方法に対
するもう１つの比較例として、次のような従来技術でも
製造してみる。すなわち、ＦｅＰｔ作製時のガス圧
（Ｐ）を５０Ｐａで行い、膜厚５２ｎｍに設定した以外
は、前述の［実施例１］と同じ方法にて薄膜媒体を作製
した。即ちこれは（式１）を満たさないＰ×Ｄ＝２５０
０の場合の一例である。
するもう１つの比較例として、次のような従来技術でも
製造してみる。すなわち、ＦｅＰｔ作製時のガス圧
（Ｐ）を５０Ｐａで行い、膜厚５２ｎｍに設定した以外
は、前述の［実施例１］と同じ方法にて薄膜媒体を作製
した。即ちこれは（式１）を満たさないＰ×Ｄ＝２５０
０の場合の一例である。
【００５０】この結果得られた図８によれば、この薄膜
の磁気特性において、例えば垂直方向と面内方向の残留
磁化の比の値、即ちＭｒ⊥／Ｍｒ‖ ＝ ０．８であり、
垂直方向と面内方向の抗磁力の比の値、即ちＨｃ⊥／Ｈ
ｃ‖ ＝ ０．９１である。このように垂直方向の値が小
さいことから、この従来技術で製造されたものは充分な
垂直磁気異方性を示すことができていないことがわか
る。
の磁気特性において、例えば垂直方向と面内方向の残留
磁化の比の値、即ちＭｒ⊥／Ｍｒ‖ ＝ ０．８であり、
垂直方向と面内方向の抗磁力の比の値、即ちＨｃ⊥／Ｈ
ｃ‖ ＝ ０．９１である。このように垂直方向の値が小
さいことから、この従来技術で製造されたものは充分な
垂直磁気異方性を示すことができていないことがわか
る。
【００５１】
【実施例２〜６】本発明の製造方法を適用した複数の実
施例によれば、次のように実施される。
施例によれば、次のように実施される。
【００５２】上記実施例１の記載と同様な層構造を、例
えばＦｅＰｔ成膜時の条件を［表１］に示すような各条
件で、前記（式１）を満たす種々の状態で薄膜媒体の製
造を行う。その主な条件としては、［表１］に列挙され
た何れも前記（式１）を満たしたものである。すなわ
ち、 実施例２：Ｐ×Ｄ＝３５００、残留磁化の比＝４．７
７、抗磁力の比＝３．０６、 実施例３：Ｐ×Ｄ＝４０００、残留磁化の比＝２．３
０、抗磁力の比＝１．２８、 実施例４：Ｐ×Ｄ＝４５５０、残留磁化の比＝１２．
３、抗磁力の比＝６．３４、 実施例５：Ｐ×Ｄ＝４７５０、残留磁化の比＝３．７
０、抗磁力の比＝１．６１、 実施例６：Ｐ×Ｄ＝５６００、残留磁化の比＝５．７
６、抗磁力の比＝４．８７。
えばＦｅＰｔ成膜時の条件を［表１］に示すような各条
件で、前記（式１）を満たす種々の状態で薄膜媒体の製
造を行う。その主な条件としては、［表１］に列挙され
た何れも前記（式１）を満たしたものである。すなわ
ち、 実施例２：Ｐ×Ｄ＝３５００、残留磁化の比＝４．７
７、抗磁力の比＝３．０６、 実施例３：Ｐ×Ｄ＝４０００、残留磁化の比＝２．３
０、抗磁力の比＝１．２８、 実施例４：Ｐ×Ｄ＝４５５０、残留磁化の比＝１２．
３、抗磁力の比＝６．３４、 実施例５：Ｐ×Ｄ＝４７５０、残留磁化の比＝３．７
０、抗磁力の比＝１．６１、 実施例６：Ｐ×Ｄ＝５６００、残留磁化の比＝５．７
６、抗磁力の比＝４．８７。
【００５３】本発明の製造方法における実施例１〜６の
具体的データを次の一覧表で示す。
具体的データを次の一覧表で示す。
【００５４】
【表１】 なお、これらの条件の違い以外、それぞれの詳しい製造
方法は、前述した［実施例１］の方法とほぼ同様である
のでその説明は省略し、以下にその得られた結果をもと
にして従来技術と比較する。
方法は、前述した［実施例１］の方法とほぼ同様である
のでその説明は省略し、以下にその得られた結果をもと
にして従来技術と比較する。
【００５５】（作用効果２〜６）［表１］及び図３に
は、上述した各条件のもとで形成された薄膜のＸ線回折
による解析に基づき、（００１）ピークの面積強度を示
している。
は、上述した各条件のもとで形成された薄膜のＸ線回折
による解析に基づき、（００１）ピークの面積強度を示
している。
【００５６】図３からは、破線で示す分布域Ａに分布す
る面積強度についての実施結果が得られる。この結果か
ら本発明の指標とするＰ×Ｄ が大きくなるにしたがっ
て、規則相の形成量が増加することがわかる。
る面積強度についての実施結果が得られる。この結果か
ら本発明の指標とするＰ×Ｄ が大きくなるにしたがっ
て、規則相の形成量が増加することがわかる。
【００５７】さらに、垂直異方性の指標である処の例え
ば、垂直方向と面内方向の残留磁化の比の値Ｍｒ⊥／Ｍ
ｒ‖、及び、垂直方向と面内方向の抗磁力の比の値Ｈｃ
⊥／Ｈｃ‖については、それぞれ［表１］、図４及び図
５に示す。
ば、垂直方向と面内方向の残留磁化の比の値Ｍｒ⊥／Ｍ
ｒ‖、及び、垂直方向と面内方向の抗磁力の比の値Ｈｃ
⊥／Ｈｃ‖については、それぞれ［表１］、図４及び図
５に示す。
【００５８】得られた結果を白丸でプロットした図４及
び図５からは、本発明のＰ×Ｄ ＞３０００という範囲
においては、同様に破線で示す分布域Ｂおよび分布域Ｃ
にそれぞれ分布する実施結果が得られる。これらの実施
結果からは、製造された薄膜が優れた垂直磁気異方性を
示すことがわかる。
び図５からは、本発明のＰ×Ｄ ＞３０００という範囲
においては、同様に破線で示す分布域Ｂおよび分布域Ｃ
にそれぞれ分布する実施結果が得られる。これらの実施
結果からは、製造された薄膜が優れた垂直磁気異方性を
示すことがわかる。
【００５９】（比較例３〜５）なお、本発明の製造方法
に対する比較例として、次のような従来技術で製造して
みた。すなわち、上記［実施例１］の記載と同様な層構
造をＦｅＰｔ成膜時の条件を、従来技術により作製され
たもののデータを挙げた［表２」に示すような種々の条
件により作製して比較している。形成された薄膜のＸ線
回折による解析に基づき、（００１）ピークの面積強度
を［表２］に一覧し、図３にも黒丸でプロットして示し
ている。
に対する比較例として、次のような従来技術で製造して
みた。すなわち、上記［実施例１］の記載と同様な層構
造をＦｅＰｔ成膜時の条件を、従来技術により作製され
たもののデータを挙げた［表２」に示すような種々の条
件により作製して比較している。形成された薄膜のＸ線
回折による解析に基づき、（００１）ピークの面積強度
を［表２］に一覧し、図３にも黒丸でプロットして示し
ている。
【００６０】従来技術の製造方法による比較例２〜５と
してのデータを次の一覧表で示す。
してのデータを次の一覧表で示す。
【００６１】
【表２】 また垂直異方性の指標である処の例えば、垂直方向と面
内方向の残留磁化の比の値Ｍｒ⊥／Ｍｒ‖、及び垂直方
向と面内方向の抗磁力の比の値Ｈｃ⊥／Ｈｃ‖について
は、従来技術のデータを示す［表２］に、そして図４及
び図５にも黒丸でプロットして示している。
内方向の残留磁化の比の値Ｍｒ⊥／Ｍｒ‖、及び垂直方
向と面内方向の抗磁力の比の値Ｈｃ⊥／Ｈｃ‖について
は、従来技術のデータを示す［表２］に、そして図４及
び図５にも黒丸でプロットして示している。
【００６２】この結果得られた図３によれば、本発明の
Ｐ×Ｄ ＞ ３０００に合致する試料に比べ、規則相の形
成量が不充分であることがわかる。
Ｐ×Ｄ ＞ ３０００に合致する試料に比べ、規則相の形
成量が不充分であることがわかる。
【００６３】さらに図４と図５に黒丸でプロットされた
分布からは、Ｐ×Ｄ ＜ ３０００という範囲において
は、垂直方向の異方性が優位で無いことがわかる。
分布からは、Ｐ×Ｄ ＜ ３０００という範囲において
は、垂直方向の異方性が優位で無いことがわかる。
【００６４】
【実施例７】最後に、本発明の製造方法を適用したもう
１つの実施例によれば、次のように実施される。すなわ
ち、ＦｅＰｔ作製時のガス圧（Ｐ）は７０Ｐａで、ター
ゲット基板間距離（Ｄ）は９５ｍｍで行う。この条件で
はＰ×Ｄ＝６６５０となり、前記（式１）を充分に満た
す。またこのときの膜厚を１３ｎｍに設定した以外は、
前述の［実施例１］と同様な方法に従って薄膜媒体を作
製する。
１つの実施例によれば、次のように実施される。すなわ
ち、ＦｅＰｔ作製時のガス圧（Ｐ）は７０Ｐａで、ター
ゲット基板間距離（Ｄ）は９５ｍｍで行う。この条件で
はＰ×Ｄ＝６６５０となり、前記（式１）を充分に満た
す。またこのときの膜厚を１３ｎｍに設定した以外は、
前述の［実施例１］と同様な方法に従って薄膜媒体を作
製する。
【００６５】（作用効果７）図８には、本発明のこの実
施例の製造方法に基づいて作製された薄膜を磁気力顕微
鏡を用いて拡大して得られた磁区の観察結果を示す。こ
の磁気像のスペクトル解析によれば、この作製された磁
区のサイズが約６７ｎｍであり、これが極めて微細な磁
区であることがわる。
施例の製造方法に基づいて作製された薄膜を磁気力顕微
鏡を用いて拡大して得られた磁区の観察結果を示す。こ
の磁気像のスペクトル解析によれば、この作製された磁
区のサイズが約６７ｎｍであり、これが極めて微細な磁
区であることがわる。
【００６６】また、この薄膜の磁気特性としては、垂直
方向と面内方向の残留磁化の比の値、即ちＭｒ⊥／Ｍｒ
‖ ＝ ３．９１であり、垂直方向と面内方向の抗磁力の
比の値、即ちＨｃ⊥／Ｈｃ‖ ＝ ５．８１であることか
ら、垂直方向の磁気特性にも優れ、よって本発明の例え
ばこの実施例で得られる薄膜は、垂直記録方式でも充分
な垂直磁気異方性を示すことがわかる。
方向と面内方向の残留磁化の比の値、即ちＭｒ⊥／Ｍｒ
‖ ＝ ３．９１であり、垂直方向と面内方向の抗磁力の
比の値、即ちＨｃ⊥／Ｈｃ‖ ＝ ５．８１であることか
ら、垂直方向の磁気特性にも優れ、よって本発明の例え
ばこの実施例で得られる薄膜は、垂直記録方式でも充分
な垂直磁気異方性を示すことがわかる。
【００６７】（その他の変形例）以上、実施の形態例と
具体的な複数の実施例に従って本発明を説明したが、本
発明はこれらにより限定されるものではなく、そのほか
にも本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形実施が
可能である。
具体的な複数の実施例に従って本発明を説明したが、本
発明はこれらにより限定されるものではなく、そのほか
にも本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形実施が
可能である。
【００６８】
【発明の効果】このように、本発明のＬ１０形規則合金
を用いる薄膜の製造方法によれば、工業用ハードディス
ク用ガラス基板が使用できる範囲の比較的低い温度で、
大きな結晶磁気異方性発現に必要な規則化を促進させる
ことができ、よって、高密度情報記録における特に磁気
記録情報の保存安定性に優れた記録媒体の製造方法を提
供できる。その結果、垂直記録方式にも最適な薄膜の製
造工程に適用することができる。
を用いる薄膜の製造方法によれば、工業用ハードディス
ク用ガラス基板が使用できる範囲の比較的低い温度で、
大きな結晶磁気異方性発現に必要な規則化を促進させる
ことができ、よって、高密度情報記録における特に磁気
記録情報の保存安定性に優れた記録媒体の製造方法を提
供できる。その結果、垂直記録方式にも最適な薄膜の製
造工程に適用することができる。
【図１】本発明の製造方法における実施例１のＸ線回折
パターンを示すグラフ。
パターンを示すグラフ。
【図２】本発明の製造方法における実施例１の磁気特性
を示すグラフ。
を示すグラフ。
【図３】本発明の製造方法による薄膜の、規則相形成に
関するそのピーク面積積分強度と膜厚との比の値が分布
する範囲を示す分布図。
関するそのピーク面積積分強度と膜厚との比の値が分布
する範囲を示す分布図。
【図４】本発明の製造方法による薄膜の、垂直磁気異方
性に関する指標である垂直方向と面内方向の残留磁化の
比の値が分布する範囲を示す分布図。
性に関する指標である垂直方向と面内方向の残留磁化の
比の値が分布する範囲を示す分布図。
【図５】本発明の製造方法による薄膜の、垂直磁気異方
性に関する指標である垂直方向と面内方向の抗磁力の比
の値が分布する範囲を示す分布図。
性に関する指標である垂直方向と面内方向の抗磁力の比
の値が分布する範囲を示す分布図。
【図６】本発明の製造方法における実施例７の磁気像を
磁気力顕微鏡によって観察した拡大図。
磁気力顕微鏡によって観察した拡大図。
【図７】従来技術の製造方法による比較例１としてのＸ
線回折パターンを示すグラフ。
線回折パターンを示すグラフ。
【図８】従来技術の製造方法による比較例２としての磁
気特性を示すグラフ。
気特性を示すグラフ。
Ａ…実施例で得られる面心正方晶（００１）のピーク面
積強度の分布域、 Ｂ…実施例で得られる垂直と面内方向との残留磁化の比
の値の分布域、 Ｃ…実施例で得られる垂直と面内方向との抗磁力の比の
値の分布域。
積強度の分布域、 Ｂ…実施例で得られる垂直と面内方向との残留磁化の比
の値の分布域、 Ｃ…実施例で得られる垂直と面内方向との抗磁力の比の
値の分布域。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年９月３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
Claims (3)
- 【請求項１】 磁場もしくは光を用いて情報の記録再生
を行う情報記録媒体の製造方法において、 結晶格子面のミラー指数（１００）の結晶面が基板と平
行になるように制御されたＣｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｆ
ｅ、Ｎｉ、ＭｇＯ又はＮｉＯの何れから選ばれる元素も
しくは化合物を主成分とする下地層を少なくとも一層作
製し、更にＬ１０形規則合金層を、 Ｐ×Ｄ ＞ ３０００ …（式１） 但し、ＰはＡｒガス圧（Ｐａ）、Ｄはターゲット基板間
距離（ｍｍ）、を満たす条件範囲においてスパッタ成膜
により作製することを特徴とする、規則合金薄膜からな
る情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 前記下地層は、Ｃｒ合金から成ることを
特徴とする、請求項１に記載の製造方法。 - 【請求項３】 前記Ｌ１０形規則合金層は、ＦｅＰｔ、
ＣｏＰｔ又はＦｅＰｄ、及びこれらの合金から成ること
を特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
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