JPH11345918A - 半導体素子の実装方法とその実装体 - Google Patents
半導体素子の実装方法とその実装体Info
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- JPH11345918A JPH11345918A JP15136298A JP15136298A JPH11345918A JP H11345918 A JPH11345918 A JP H11345918A JP 15136298 A JP15136298 A JP 15136298A JP 15136298 A JP15136298 A JP 15136298A JP H11345918 A JPH11345918 A JP H11345918A
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15151—Shape the die mounting substrate comprising an aperture, e.g. for underfilling, outgassing, window type wire connections
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 信頼性の高い半導体素子の実装体、及びその
ような実装体を作業性よく得ることができる半導体素子
の実装方法を提供する。 【解決手段】 表面に微細な凹凸６を有する回路基板４
に半導体素子１をフェースダウンで実装し、半導体素子
１と回路基板４の間隙に樹脂８と微細な凹凸６よりも小
さな形状を有する無機フィラー９とを含有する液状の樹
脂組成物７を充填し、硬化する。
ような実装体を作業性よく得ることができる半導体素子
の実装方法を提供する。 【解決手段】 表面に微細な凹凸６を有する回路基板４
に半導体素子１をフェースダウンで実装し、半導体素子
１と回路基板４の間隙に樹脂８と微細な凹凸６よりも小
さな形状を有する無機フィラー９とを含有する液状の樹
脂組成物７を充填し、硬化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の実装
方法とその実装体に関し、特にフェースダウンで実装し
てなる半導体素子の実装方法とその実装体に関する。
方法とその実装体に関し、特にフェースダウンで実装し
てなる半導体素子の実装方法とその実装体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子の回路基板上への実装
方法としては、半田付けが一般的であった。しかし近
年、半導体素子のパッケージの小型化と接続端子数の増
加により、接続端子間の間隔が狭くなり、従来の半田付
け技術によって対処することが次第に困難になってき
た。
方法としては、半田付けが一般的であった。しかし近
年、半導体素子のパッケージの小型化と接続端子数の増
加により、接続端子間の間隔が狭くなり、従来の半田付
け技術によって対処することが次第に困難になってき
た。
【０００３】そこで最近では、裸の半導体素子を回路基
板上に直付けすることによって、実装面積の小型化と効
率的使用を図ろうとする方法が考え出されてきた。その
一例としては次のようなものがある。すなわち、半導体
素子を回路基板に接続する際に、端子電極上にあらかじ
め密着金属や拡散防止金属の蒸着膜と、メッキによって
形成された半田層とを積層した電極構造を有する半導体
素子をフェースダウンにし、高温に加熱して半田を回路
基板の接続電極に融着するようにしたものである。この
実装構造は、接続後の機械的強度が強く、接続を一括し
て行うことができることなどから、有効な方法であると
されている。また、米国特許第５１２１１９０号明細書
には、半田による接合部の安定性を確保するために樹脂
封止された半導体素子の実装体が開示されている。
板上に直付けすることによって、実装面積の小型化と効
率的使用を図ろうとする方法が考え出されてきた。その
一例としては次のようなものがある。すなわち、半導体
素子を回路基板に接続する際に、端子電極上にあらかじ
め密着金属や拡散防止金属の蒸着膜と、メッキによって
形成された半田層とを積層した電極構造を有する半導体
素子をフェースダウンにし、高温に加熱して半田を回路
基板の接続電極に融着するようにしたものである。この
実装構造は、接続後の機械的強度が強く、接続を一括し
て行うことができることなどから、有効な方法であると
されている。また、米国特許第５１２１１９０号明細書
には、半田による接合部の安定性を確保するために樹脂
封止された半導体素子の実装体が開示されている。
【０００４】以下、従来の半導体素子の実装方法とその
実装体の一例について説明する。
実装体の一例について説明する。
【０００５】図３は従来技術による半導体素子の実装方
法とその実装体の要部断面図である。図３において、１
は半導体素子、２は半導体素子１の端子電極、４は回路
基板、５は接続電極、１１は半田による接合部、１２は
封止樹脂である。
法とその実装体の要部断面図である。図３において、１
は半導体素子、２は半導体素子１の端子電極、４は回路
基板、５は接続電極、１１は半田による接合部、１２は
封止樹脂である。
【０００６】以下、このような構成を有する半導体素子
の実装体の実装方法について概説する。
の実装体の実装方法について概説する。
【０００７】まず、半田バンプが端子電極２の上に形成
された半導体素子１を、回路基板４の接続端子５の所定
の位置に位置合わせを行ってフェースダウンで搭載す
る。ついで、２００℃〜３００℃の高温に加熱すること
により、半田バンプを溶融して接続端子５に融着し、半
導体素子１を半田による接合部１１によって接続する。
ついで、半導体素子１と回路基板４との間隙に液状の封
止樹脂を充填し、１５０℃程度の温度で加熱硬化する。
これにより、半導体素子１を封止樹脂１２で封止した実
装体を得ることができる。
された半導体素子１を、回路基板４の接続端子５の所定
の位置に位置合わせを行ってフェースダウンで搭載す
る。ついで、２００℃〜３００℃の高温に加熱すること
により、半田バンプを溶融して接続端子５に融着し、半
導体素子１を半田による接合部１１によって接続する。
ついで、半導体素子１と回路基板４との間隙に液状の封
止樹脂を充填し、１５０℃程度の温度で加熱硬化する。
これにより、半導体素子１を封止樹脂１２で封止した実
装体を得ることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
従来の半導体素子の実装体には、次のような問題点があ
る。すなわち、半導体素子を使用する際に、半導体素子
１と回路基板４の熱膨張係数の差によって生ずる熱応力
が半田による接合部１１に加わる。更に、高温領域で使
用する場合には、半導体素子１と回路基板４との間隙の
封止樹脂１２の熱膨張によって生ずる新たな熱応力も半
田による接合部１１に加わる。このため、半導体素子１
と回路基板４との接続の信頼性に乏しいといった問題点
がある。
従来の半導体素子の実装体には、次のような問題点があ
る。すなわち、半導体素子を使用する際に、半導体素子
１と回路基板４の熱膨張係数の差によって生ずる熱応力
が半田による接合部１１に加わる。更に、高温領域で使
用する場合には、半導体素子１と回路基板４との間隙の
封止樹脂１２の熱膨張によって生ずる新たな熱応力も半
田による接合部１１に加わる。このため、半導体素子１
と回路基板４との接続の信頼性に乏しいといった問題点
がある。
【０００９】これを避けるには、封止樹脂１２として熱
膨張係数の小さなものを用いることにより、半田による
接合部１１の安定性を確保する必要がある。そして、こ
れを実現するためには、封止樹脂１２に無機フィラーを
約４０〜７５重量％（さらに好ましくは約５０〜６０重
量％）含有させなければならない。
膨張係数の小さなものを用いることにより、半田による
接合部１１の安定性を確保する必要がある。そして、こ
れを実現するためには、封止樹脂１２に無機フィラーを
約４０〜７５重量％（さらに好ましくは約５０〜６０重
量％）含有させなければならない。
【００１０】しかし、このように封止樹脂１２に無機フ
ィラーを約４０〜７５重量％も含有させると、封止樹脂
１２は硬化前の液状の状態でも粘度が高くなり、半導体
素子１と回路基板４との狭い間隙に充填する際の作業性
が悪いといった問題点がある。
ィラーを約４０〜７５重量％も含有させると、封止樹脂
１２は硬化前の液状の状態でも粘度が高くなり、半導体
素子１と回路基板４との狭い間隙に充填する際の作業性
が悪いといった問題点がある。
【００１１】本発明は、従来技術における前記課題を解
決し、信頼性の高い半導体素子の実装体と、そのような
実装体を作業性よく得ることができる半導体素子の実装
方法を提供することを目的とする。
決し、信頼性の高い半導体素子の実装体と、そのような
実装体を作業性よく得ることができる半導体素子の実装
方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は以下の構成とする。
め、本発明は以下の構成とする。
【００１３】即ち、本発明に係る半導体素子の実装方法
は、半導体素子をフェースダウンで回路基板に実装する
半導体素子の実装方法であって、表面に微細な凹凸を有
する回路基板に半導体素子を実装し、前記半導体素子と
前記回路基板の間隙に少なくとも樹脂と回路基板の前記
微細な凹凸よりも小さな形状を有する無機フィラーとを
含有する液状の樹脂組成物を充填し、前記液状の樹脂組
成物を硬化することを特徴とする。
は、半導体素子をフェースダウンで回路基板に実装する
半導体素子の実装方法であって、表面に微細な凹凸を有
する回路基板に半導体素子を実装し、前記半導体素子と
前記回路基板の間隙に少なくとも樹脂と回路基板の前記
微細な凹凸よりも小さな形状を有する無機フィラーとを
含有する液状の樹脂組成物を充填し、前記液状の樹脂組
成物を硬化することを特徴とする。
【００１４】上記の構成によれば、半導体素子と表面に
微細な凹凸が形成された回路基板の間隙に樹脂と無機フ
ィラーとを含有する液状の樹脂組成物を充填する際に、
無機フィラーが回路基板の表面の微細な凹凸よりも小さ
な形状を有するので、液状の樹脂組成物中の樹脂だけで
なく無機フィラーをも、回路基板に形成された微細な凹
凸に充填することができる。その結果、半導体素子と回
路基板の間隙の無機フィラー濃度が各箇所で一定に保た
れ、無機フィラーが微細な凹凸に入り込めず、無機フィ
ラー濃度が高くなるということに起因する半導体素子と
回路基板との間隙中での無機フィラーを含有する液状の
樹脂組成物の詰まりを抑制することができる。したがっ
て、封止樹脂の充填工程の作業性が向上する。また、無
機フィラーを高濃度に含有でき、しかもこれを均一に分
散できるので、封止樹脂の熱膨張むらが少なく、接合部
の信頼性が高い実装体を得ることができる。よって、本
発明において無機フィラーが「回路基板の微細な凹凸よ
りも小さな形状を有する」とは、上記趣旨より、回路基
板表面に形成された微細な凹凸の凹部に無機フィラーが
入り込むことが可能であるほどに無機フィラーが凹凸よ
り小さいことを意味し、より詳しくは、無機フィラーが
前記凹部に入った場合に当該凹部の両側の凸部の頂点を
結ぶ直線より無機フィラーが上にはみ出さないほどに無
機フィラーが凹凸より小さいことを意味する。
微細な凹凸が形成された回路基板の間隙に樹脂と無機フ
ィラーとを含有する液状の樹脂組成物を充填する際に、
無機フィラーが回路基板の表面の微細な凹凸よりも小さ
な形状を有するので、液状の樹脂組成物中の樹脂だけで
なく無機フィラーをも、回路基板に形成された微細な凹
凸に充填することができる。その結果、半導体素子と回
路基板の間隙の無機フィラー濃度が各箇所で一定に保た
れ、無機フィラーが微細な凹凸に入り込めず、無機フィ
ラー濃度が高くなるということに起因する半導体素子と
回路基板との間隙中での無機フィラーを含有する液状の
樹脂組成物の詰まりを抑制することができる。したがっ
て、封止樹脂の充填工程の作業性が向上する。また、無
機フィラーを高濃度に含有でき、しかもこれを均一に分
散できるので、封止樹脂の熱膨張むらが少なく、接合部
の信頼性が高い実装体を得ることができる。よって、本
発明において無機フィラーが「回路基板の微細な凹凸よ
りも小さな形状を有する」とは、上記趣旨より、回路基
板表面に形成された微細な凹凸の凹部に無機フィラーが
入り込むことが可能であるほどに無機フィラーが凹凸よ
り小さいことを意味し、より詳しくは、無機フィラーが
前記凹部に入った場合に当該凹部の両側の凸部の頂点を
結ぶ直線より無機フィラーが上にはみ出さないほどに無
機フィラーが凹凸より小さいことを意味する。
【００１５】上記の構成において、前記半導体素子を半
田バンプを用いて前記回路基板に実装するのが好まし
い。かかる好ましい構成によれば、接続を一括して行う
ことができるので、実装の作業性が向上する。また、半
導体素子を回路基板に接続した後の機械的強度が強く、
信頼性も向上する。
田バンプを用いて前記回路基板に実装するのが好まし
い。かかる好ましい構成によれば、接続を一括して行う
ことができるので、実装の作業性が向上する。また、半
導体素子を回路基板に接続した後の機械的強度が強く、
信頼性も向上する。
【００１６】また、上記の構成において、前記半導体素
子を導電性接着剤を用いて前記回路基板に実装するのが
好ましい。かかる好ましい構成によれば、半導体素子を
回路基板に搭載するだけで簡単に実装することができる
ので、実装の作業性が向上する。なお、この際、半導体
素子に突起電極を形成し、突起電極に導電性接着剤を付
着させて回路基板に搭載してもよい。かかる構成によれ
ば、導電性接着剤の突起電極への付着を、突起電極を導
電性接着剤浴へ浸すことにより容易に一括して転写でき
るので、作業性が向上する。
子を導電性接着剤を用いて前記回路基板に実装するのが
好ましい。かかる好ましい構成によれば、半導体素子を
回路基板に搭載するだけで簡単に実装することができる
ので、実装の作業性が向上する。なお、この際、半導体
素子に突起電極を形成し、突起電極に導電性接着剤を付
着させて回路基板に搭載してもよい。かかる構成によれ
ば、導電性接着剤の突起電極への付着を、突起電極を導
電性接着剤浴へ浸すことにより容易に一括して転写でき
るので、作業性が向上する。
【００１７】また、上記の構成において、前記微細な凹
凸が、回路基板にドリル又はレーザー等で形成されるの
が好ましい。かかる好ましい構成によれば、任意の形状
及び大きさの凹凸を形成することが容易にできるので、
無機フィラーの選択の幅が広がる。また、無機フィラー
の径に応じて凹凸の大きさ変えれば、無機フィラーを確
実に凹凸に充填させることができる。
凸が、回路基板にドリル又はレーザー等で形成されるの
が好ましい。かかる好ましい構成によれば、任意の形状
及び大きさの凹凸を形成することが容易にできるので、
無機フィラーの選択の幅が広がる。また、無機フィラー
の径に応じて凹凸の大きさ変えれば、無機フィラーを確
実に凹凸に充填させることができる。
【００１８】また、上記の構成において、前記微細な凹
凸が、回路基板表面を化学的処理を施すことにより形成
されるのが好ましい。かかる好ましい構成によれば、一
括して凹凸を形成することができるので作業性が向上す
る。また、化学的処理の時間を選択することにより、任
意の大きさの凹凸を形成することが容易にできるので、
無機フィラーの選択の幅が広がる。また、無機フィラー
の径に応じて凹凸の大きさ変えれば、無機フィラーを確
実に凹凸に充填させることができる。
凸が、回路基板表面を化学的処理を施すことにより形成
されるのが好ましい。かかる好ましい構成によれば、一
括して凹凸を形成することができるので作業性が向上す
る。また、化学的処理の時間を選択することにより、任
意の大きさの凹凸を形成することが容易にできるので、
無機フィラーの選択の幅が広がる。また、無機フィラー
の径に応じて凹凸の大きさ変えれば、無機フィラーを確
実に凹凸に充填させることができる。
【００１９】また、上記の構成において、前記表面に微
細な凹凸を有する回路基板が、多孔質の回路基板である
のが好ましい。かかる好ましい構成によれば、多孔質の
凹凸の大きさに応じて無機フィラーの径を変えれば、無
機フィラーを確実に凹凸に充填させることができる。
細な凹凸を有する回路基板が、多孔質の回路基板である
のが好ましい。かかる好ましい構成によれば、多孔質の
凹凸の大きさに応じて無機フィラーの径を変えれば、無
機フィラーを確実に凹凸に充填させることができる。
【００２０】また、本発明にかかる半導体素子の実装体
は、表面に微細な凹凸を有する回路基板と、前記回路基
板にフェースダウンで実装された半導体素子と、前記半
導体素子と前記回路基板の間隙に充填された、少なくと
も樹脂と回路基板の前記微細な凹凸よりも小さな形状を
有する無機フィラーを含有した樹脂組成物とを備えたこ
とを特徴とする。
は、表面に微細な凹凸を有する回路基板と、前記回路基
板にフェースダウンで実装された半導体素子と、前記半
導体素子と前記回路基板の間隙に充填された、少なくと
も樹脂と回路基板の前記微細な凹凸よりも小さな形状を
有する無機フィラーを含有した樹脂組成物とを備えたこ
とを特徴とする。
【００２１】上記の構成によれば、半導体素子と回路基
板との間の封止樹脂に含有された無機フィラーが回路基
板の表面の微細な凹凸よりも小さな形状を有するので、
無機フィラーは微細な凹凸部にも均一に入り込むことが
できる。したがって、封止樹脂中に無機フィラーを高濃
度かつ均一に分散した実装体とすることができ、封止樹
脂の熱膨張むらが少なく、接合部の信頼性が高い実装体
を得ることができる。
板との間の封止樹脂に含有された無機フィラーが回路基
板の表面の微細な凹凸よりも小さな形状を有するので、
無機フィラーは微細な凹凸部にも均一に入り込むことが
できる。したがって、封止樹脂中に無機フィラーを高濃
度かつ均一に分散した実装体とすることができ、封止樹
脂の熱膨張むらが少なく、接合部の信頼性が高い実装体
を得ることができる。
【００２２】上記の構成において、前記微細な凹凸が、
半導体素子が実装された表面にのみ形成されているのが
好ましい。かかる好ましい構成によれば、裏面に別の要
領で実装する場合、その実装の妨げにならない。
半導体素子が実装された表面にのみ形成されているのが
好ましい。かかる好ましい構成によれば、裏面に別の要
領で実装する場合、その実装の妨げにならない。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、実施例を用いて本発明をさ
らに具体的に説明する。
らに具体的に説明する。
【００２４】図１は本発明に関わる半導体素子の実装方
法の一実施例を示す工程図、図２は本発明に関わる半導
体素子の実装体の一実施例を示す要部断面図である。
法の一実施例を示す工程図、図２は本発明に関わる半導
体素子の実装体の一実施例を示す要部断面図である。
【００２５】図１、図２において、１は半導体素子、２
は端子電極、３は導電性接着剤、４は回路基板、５は接
続電極、６は回路基板４に施された微細な凹凸、７は液
状の樹脂組成物、８は樹脂、９は無機フィラー、１０は
硬化後の樹脂組成物である。
は端子電極、３は導電性接着剤、４は回路基板、５は接
続電極、６は回路基板４に施された微細な凹凸、７は液
状の樹脂組成物、８は樹脂、９は無機フィラー、１０は
硬化後の樹脂組成物である。
【００２６】以下、このような構成を有する半導体素子
の実装方法について、図１を参照しながら説明する。
の実装方法について、図１を参照しながら説明する。
【００２７】まず、図１（ａ）に示すように、半導体素
子１の端子電極２にあらかじめ導電性接着剤３を形成し
ておく。この場合、導電性接着剤３は端子電極２の上に
直接形成してもよいし、端子電極２にあらかじめ形成し
た突起電極（バンプ）上に形成してもよい。一方、回路
基板４の表面には、ドリルやレーザーなどであらかじめ
微細な凹凸６を施しておく。この場合、化学的処理によ
って回路基板４の表面に微細な凹凸を施してもよい。ま
た、多孔質の基板材料を回路基板４として用いてもよ
い。
子１の端子電極２にあらかじめ導電性接着剤３を形成し
ておく。この場合、導電性接着剤３は端子電極２の上に
直接形成してもよいし、端子電極２にあらかじめ形成し
た突起電極（バンプ）上に形成してもよい。一方、回路
基板４の表面には、ドリルやレーザーなどであらかじめ
微細な凹凸６を施しておく。この場合、化学的処理によ
って回路基板４の表面に微細な凹凸を施してもよい。ま
た、多孔質の基板材料を回路基板４として用いてもよ
い。
【００２８】次いで、この半導体素子１をフェースダウ
ン（下向き）にして回路基板４の接続電極５の所定の位
置に位置合わせを行い、回路基板４の上に半導体素子１
を搭載する。これにより、半導体素子１の端子電極２と
回路基板４の接続電極５とが導電性接着剤３によって電
気的に接続される（図１（ｂ））。
ン（下向き）にして回路基板４の接続電極５の所定の位
置に位置合わせを行い、回路基板４の上に半導体素子１
を搭載する。これにより、半導体素子１の端子電極２と
回路基板４の接続電極５とが導電性接着剤３によって電
気的に接続される（図１（ｂ））。
【００２９】次いで、図１（ｃ）に示すように、半導体
素子１と回路基板４との間隙に液状の樹脂組成物７を充
填する。そして、１５０℃程度の温度で加熱することに
より、液状の樹脂組成物７を硬化する。
素子１と回路基板４との間隙に液状の樹脂組成物７を充
填する。そして、１５０℃程度の温度で加熱することに
より、液状の樹脂組成物７を硬化する。
【００３０】これにより、図２に示すような半導体素子
１の実装体を得ることができる。
１の実装体を得ることができる。
【００３１】このとき用いる液状の樹脂組成物７には、
少なくとも樹脂８（例えばエポキシ樹脂）と無機フィラ
ー９（例えばシリカ）とが含有されており、かつ、無機
フィラー９としては回路基板４に形成された微細な凹凸
６よりも小さな形状のものが用いられている。これによ
り、無機フィラー９が回路基板４に形成されている微細
な凹凸６に入り込めず、無機フィラー９の濃度が高くな
ることに起因する半導体素子１と回路基板４との間隙中
での無機フィラー９を含有する液状の樹脂組成物７の詰
まりを抑制することができる。したがって、封止樹脂の
充填工程の作業性が向上する。また、半導体素子１と回
路基板４との間隙に存する硬化後の樹脂組成物１０にお
いて、無機フィラー９の濃度を高濃度としても、無機フ
ィラー９の濃度が各箇所において一定となり、封止樹脂
の熱膨張むらが少なくなり、接合部の信頼性が向上す
る。以上の結果、半導体素子１の実装体は信頼性高いも
のを得ることができる。
少なくとも樹脂８（例えばエポキシ樹脂）と無機フィラ
ー９（例えばシリカ）とが含有されており、かつ、無機
フィラー９としては回路基板４に形成された微細な凹凸
６よりも小さな形状のものが用いられている。これによ
り、無機フィラー９が回路基板４に形成されている微細
な凹凸６に入り込めず、無機フィラー９の濃度が高くな
ることに起因する半導体素子１と回路基板４との間隙中
での無機フィラー９を含有する液状の樹脂組成物７の詰
まりを抑制することができる。したがって、封止樹脂の
充填工程の作業性が向上する。また、半導体素子１と回
路基板４との間隙に存する硬化後の樹脂組成物１０にお
いて、無機フィラー９の濃度を高濃度としても、無機フ
ィラー９の濃度が各箇所において一定となり、封止樹脂
の熱膨張むらが少なくなり、接合部の信頼性が向上す
る。以上の結果、半導体素子１の実装体は信頼性高いも
のを得ることができる。
【００３２】尚、半導体素子１は導電性接着剤３を用い
て回路基板４に実装されているが、必ずしも導電性接着
剤３に限定されるものではなく、例えば半田バンプを用
いて実装するなど、他の方法で半導体素子１を実装して
もよい。
て回路基板４に実装されているが、必ずしも導電性接着
剤３に限定されるものではなく、例えば半田バンプを用
いて実装するなど、他の方法で半導体素子１を実装して
もよい。
【００３３】また、回路基板４の表面にドリルやレーザ
ーなどであらかじめ微細な凹凸６を施す場合、用いるド
リルやレーザーによって微細な凹凸の大きさを制御する
ことができる。そこで、使用する無機フィラーに応じて
形成する凹凸の大きさを制御すれば、微細な凹凸よりも
小さな径を有する無機フィラーを含有する液状の樹脂組
成物を確実に選択できるので、微細な凹凸に樹脂だけで
なく無機フィラーをも確実に充填することができる。
ーなどであらかじめ微細な凹凸６を施す場合、用いるド
リルやレーザーによって微細な凹凸の大きさを制御する
ことができる。そこで、使用する無機フィラーに応じて
形成する凹凸の大きさを制御すれば、微細な凹凸よりも
小さな径を有する無機フィラーを含有する液状の樹脂組
成物を確実に選択できるので、微細な凹凸に樹脂だけで
なく無機フィラーをも確実に充填することができる。
【００３４】更に、回路基板４の表面に化学的処理によ
ってあらかじめ微細な凹凸６を施す場合、化学的処理を
施す時間によって微細な凹凸の大きさを制御することが
できる。そこで、使用する無機フィラーに応じて形成す
る凹凸の大きさを制御すれば、微細な凹凸よりも小さな
径を有する無機フィラーを含有する液状の樹脂組成物を
確実に選択できるので、微細な凹凸に樹脂だけでなく無
機フィラーをも確実に充填することができる。また、一
括して凹凸を施すことができるので作業性がよい。
ってあらかじめ微細な凹凸６を施す場合、化学的処理を
施す時間によって微細な凹凸の大きさを制御することが
できる。そこで、使用する無機フィラーに応じて形成す
る凹凸の大きさを制御すれば、微細な凹凸よりも小さな
径を有する無機フィラーを含有する液状の樹脂組成物を
確実に選択できるので、微細な凹凸に樹脂だけでなく無
機フィラーをも確実に充填することができる。また、一
括して凹凸を施すことができるので作業性がよい。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に関わる半
導体素子の実装方法によれば、液状の樹脂組成物中の樹
脂のみだけでなく無機フィラーをも、回路基板に施され
た微細な凹凸に充填することができる。このため、半導
体素子と回路基板の間隙に液状の樹脂組成物を注入する
際、無機フィラーが回路基板上の微細な凹凸に入り込め
ず、無機フィラーの濃度が高くなるということに起因す
る半導体素子と回路基板との間隙中での液状の樹脂組成
物の詰まりを抑制することができる。したがって、封止
樹脂の充填工程の作業性が向上する。また、無機フィラ
ーを高濃度に含有でき、しかもこれを均一に分散できる
ので、封止樹脂の熱膨張むらが少なく、接合部の信頼性
が高い実装体を得ることができる。以上の結果、半導体
素子を回路基板に信頼性高く実装することができる。
導体素子の実装方法によれば、液状の樹脂組成物中の樹
脂のみだけでなく無機フィラーをも、回路基板に施され
た微細な凹凸に充填することができる。このため、半導
体素子と回路基板の間隙に液状の樹脂組成物を注入する
際、無機フィラーが回路基板上の微細な凹凸に入り込め
ず、無機フィラーの濃度が高くなるということに起因す
る半導体素子と回路基板との間隙中での液状の樹脂組成
物の詰まりを抑制することができる。したがって、封止
樹脂の充填工程の作業性が向上する。また、無機フィラ
ーを高濃度に含有でき、しかもこれを均一に分散できる
ので、封止樹脂の熱膨張むらが少なく、接合部の信頼性
が高い実装体を得ることができる。以上の結果、半導体
素子を回路基板に信頼性高く実装することができる。
【００３６】また、本発明の半導体素子の実装体によれ
ば、半導体素子と回路基板との間の封止樹脂に含有され
た無機フィラーが回路基板の表面の微細な凹凸よりも小
さな形状を有するので、無機フィラーは微細な凹凸部に
も均一に入り込むことができる。したがって、封止樹脂
中に無機フィラーを高濃度かつ均一に分散した実装体と
することができ、封止樹脂の熱膨張むらが少なく、接合
部の信頼性が高い実装体を得ることができる。
ば、半導体素子と回路基板との間の封止樹脂に含有され
た無機フィラーが回路基板の表面の微細な凹凸よりも小
さな形状を有するので、無機フィラーは微細な凹凸部に
も均一に入り込むことができる。したがって、封止樹脂
中に無機フィラーを高濃度かつ均一に分散した実装体と
することができ、封止樹脂の熱膨張むらが少なく、接合
部の信頼性が高い実装体を得ることができる。
【図１】 本発明に関わる半導体素子の実装方法の一実
施例を示す工程図である。
施例を示す工程図である。
【図２】 本発明に関わる半導体素子の実装体の一実施
例を示す要部断面図である。
例を示す要部断面図である。
【図３】 従来の半導体素子の実装体を示す要部断面図
である。
である。
１ 半導体素子 ２ 端子電極 ３ 導電性接着剤 ４ 回路基板 ５ 接続電極 ６ 微細な凹凸 ７ 液状の樹脂組成物 ８ 樹脂 ９ 無機フィラー １０ 硬化後の樹脂組成物 １１ はんだバンプ １２ 封止樹脂
Claims (13)
- 【請求項１】 半導体素子をフェースダウンで回路基板
に実装する半導体素子の実装方法であって、表面に微細
な凹凸を有する回路基板に半導体素子を実装し、前記半
導体素子と前記回路基板の間隙に少なくとも樹脂と回路
基板の前記微細な凹凸よりも小さな形状を有する無機フ
ィラーとを含有する液状の樹脂組成物を充填し、前記液
状の樹脂組成物を硬化することを特徴とする半導体素子
の実装方法。 - 【請求項２】 前記半導体素子を半田バンプを用いて前
記回路基板に実装する請求項１に記載の半導体素子の実
装方法。 - 【請求項３】 前記半導体素子を導電性接着剤を用いて
前記回路基板に実装する請求項１に記載の半導体素子の
実装方法。 - 【請求項４】 前記微細な凹凸が、回路基板にドリル又
はレーザーで形成された請求項１に記載の半導体素子の
実装方法。 - 【請求項５】 前記微細な凹凸が、回路基板表面を化学
的処理を施すことにより形成された請求項１に記載の半
導体素子の実装方法。 - 【請求項６】 前記表面に微細な凹凸を有する回路基板
が、多孔質の回路基板である請求項１に記載の半導体素
子の実装方法。 - 【請求項７】 表面に微細な凹凸を有する回路基板と、
前記回路基板にフェースダウンで実装された半導体素子
と、前記半導体素子と前記回路基板の間隙に充填され
た、少なくとも樹脂と回路基板の前記微細な凹凸よりも
小さな形状を有する無機フィラーを含有した樹脂組成物
とを備えたことを特徴とする半導体素子の実装体。 - 【請求項８】 前記半導体素子が半田バンプを用いて前
記回路基板に実装されている請求項７に記載の半導体素
子の実装体。 - 【請求項９】 前記半導体素子が導電性接着剤を用いて
前記回路基板に実装されている請求項７に記載の半導体
素子の実装体。 - 【請求項１０】 前記微細な凹凸が、回路基板にドリル
又はレーザーで形成されたものである請求項７に記載の
半導体素子の実装体。 - 【請求項１１】 前記微細な凹凸が、回路基板表面に化
学的処理を施すことにより形成されたものである請求項
７に記載の半導体素子の実装体。 - 【請求項１２】 前記表面に微細な凹凸を有する回路基
板が、多孔質の回路基板である請求項７に記載の半導体
素子の実装体。 - 【請求項１３】 前記微細な凹凸が、半導体素子が実装
された表面にのみ形成されている請求項７に記載の半導
体素子の実装体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15136298A JP2914569B1 (ja) | 1998-06-01 | 1998-06-01 | 半導体素子の実装方法とその実装体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15136298A JP2914569B1 (ja) | 1998-06-01 | 1998-06-01 | 半導体素子の実装方法とその実装体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2914569B1 JP2914569B1 (ja) | 1999-07-05 |
| JPH11345918A true JPH11345918A (ja) | 1999-12-14 |
Family
ID=15516892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15136298A Expired - Fee Related JP2914569B1 (ja) | 1998-06-01 | 1998-06-01 | 半導体素子の実装方法とその実装体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2914569B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6806560B2 (en) | 2000-07-04 | 2004-10-19 | Nec Corporation | Semiconductor device and method for fabricating same |
| JP2008293820A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Panasonic Corp | 導電性ペーストおよび基板 |
| US8179686B2 (en) | 2007-11-09 | 2012-05-15 | Panasonic Corporation | Mounted structural body and method of manufacturing the same |
-
1998
- 1998-06-01 JP JP15136298A patent/JP2914569B1/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6806560B2 (en) | 2000-07-04 | 2004-10-19 | Nec Corporation | Semiconductor device and method for fabricating same |
| US7109067B2 (en) | 2000-07-04 | 2006-09-19 | Nec Corporation | Semiconductor device and method for fabricating same |
| JP2008293820A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Panasonic Corp | 導電性ペーストおよび基板 |
| US8179686B2 (en) | 2007-11-09 | 2012-05-15 | Panasonic Corporation | Mounted structural body and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2914569B1 (ja) | 1999-07-05 |
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