JPH11345499A - ウェハ上の複数のメモリチップを検査するための装置 - Google Patents

ウェハ上の複数のメモリチップを検査するための装置

Info

Publication number
JPH11345499A
JPH11345499A JP11122764A JP12276499A JPH11345499A JP H11345499 A JPH11345499 A JP H11345499A JP 11122764 A JP11122764 A JP 11122764A JP 12276499 A JP12276499 A JP 12276499A JP H11345499 A JPH11345499 A JP H11345499A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
logic
needles
memory chip
memory chips
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11122764A
Other languages
English (en)
Inventor
Dieter Haerle
ヘールレ ディーター
Patrick Heyne
ハイネ パトリック
Martin Buck
ブック マーティン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of JPH11345499A publication Critical patent/JPH11345499A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/006Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation at wafer scale level, i.e. wafer scale integration [WSI]
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/18Address generation devices; Devices for accessing memories, e.g. details of addressing circuits
    • G11C29/26Accessing multiple arrays
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/48Arrangements in static stores specially adapted for testing by means external to the store, e.g. using direct memory access [DMA] or using auxiliary access paths
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 これまで検査過程でプローブカードによって
検査できたよりもはるかに多くのメモリチップを検査で
きる、ウェハ上の複数のメモリチップを検査するための
装置を提供することである。 【解決手段】 上記課題は、本発明の装置においてアド
レス信号、データ信号及び制御信号の少なくとも幾つか
がメモリチップのカーフに配置されたロジックで発生さ
れ、このメモリチップに直接供給されることによって解
決される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、針を使用してメモ
リチップに給電電圧、初期化信号、読み出し信号、クロ
ック信号が供給されならびにアドレス信号、データ信号
及び制御信号が供給される、ウェハ上の複数のメモリチ
ップを検査するための装置に関する。
【0002】
【従来の技術】これまでは例えば64MbitDRAM
のチップは小グループでプローブカード(Nadelkarte)
の針を用いて検査される。この場合、多数のチップに、
有利にはウェハの全チップに針によって検査過程の間に
接触するために、十分な針を有するプローブカードを製
造することは問題をもたらす。
【0003】プローブカードにおける針の上限は今日で
はほぼ1000針である。従って、ほぼ20〜50個の
規模でチップが検査される。というのも、各々のチップ
に針を介して様々なアドレス信号、データ給電信号及び
制御信号を供給しなくてはならないからである。
【0004】よって、公知の装置には1000本までの
針を有するプローブカードが設けられている。これらの
針によって同時にほぼ20〜50個のチップが検査でき
る。この場合、問題なのは、1000本の針によってこ
れら20〜50個のチップに対して加えられる比較的大
きな表面圧力である。また、ウェハ上の各チップが確実
に検査されるように、チップ毎に50本の規模の針が置
かれている各チップに対してこれほど多くの針をこれら
の針の先端部において共平面に形成することも困難であ
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、これ
まで検査過程でプローブカードによって検査できたより
もはるかに多くのメモリチップを検査できる、ウェハ上
の複数のメモリチップを検査するための装置を提供する
ことである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題は、冒頭に挙げ
たタイプの装置において、本発明では、アドレス信号、
データ信号及び制御信号のうちの少なくとも幾つかがメ
モリチップのカーフ(マスクの検査構造及びセンタリン
グ補助部を含む鋸切断用周縁部(Saegerand))に配置
されたロジックで発生され、このメモリチップに直接供
給されることによって解決される。この場合、有利には
全てのアドレス信号、データ信号及び制御信号がカーフ
に設けられたこのロジックで発生される。ここで注意し
ておくが、例えば、カーフによって隔てられた2つのメ
モリチップのように、複数のメモリチップを個別のメモ
リチップと解釈してもらいたい。
【0007】本発明はこれによりこれまでの従来技術と
は完全に異なるやり方を記述する。すなわち、これ自体
開発途中にあるのだろうが、プローブカード乃至は針の
改善に努める代わりに、別個のロジックをメモリチップ
のカーフに配置し、このロジックによってアドレス信
号、データ信号及び制御信号をローカルにこのカーフに
おいて各メモリチップ毎に発生し、直接このメモリチッ
プに供給する。これは、給電電圧及び符号化された少数
の出力信号だけを各メモリチップ毎にプローブカードを
介して供給しさえすればよい、という重要な利点を有す
る。つまり、プローブカードを介して給電電圧、初期化
信号、読み出し信号及びクロック信号に対するたった5
個の接触部が必要であり、この結果、ほぼ1000針を
有するプローブカードによって200個までのチップが
検査できるのである。
【0008】従って、カーフに配置されるローカルロジ
ックは個々のメモリチップに対して全ての必要とされる
アドレス信号、データ信号及び制御信号を発生し、これ
らを評価する。エラーが発生すればエラー信号が出力さ
れ、このエラー信号は検査機器にエラー発生を通報す
る。相応に符号化された信号を介して簡単にどこにこの
エラーが存在するのかが検出される。4つのワードライ
ンが同時にブーストされる場合には、このために例えば
2つの符号化された信号が必要となる。エラーが発生し
た時点及びn個の符号化された信号を介して、正確なエ
ラー箇所が検出できる。
【0009】
【実施例】本発明を次に図面に基づいて詳しく説明す
る。
【0010】唯一の図はメモリチップ1を示している。
このメモリチップ1はカーフ乃至は鋸切断用周縁部2に
よって取り囲まれている。このカーフ2はウェハを鋸に
よって切断し個々のメモリチップ1に分割する際に脱落
する。この結果、この分割の後にはカーフ2を持たない
個々のメモリチップ1だけが残る。
【0011】メモリチップ1には異なるパッド(接触ク
ッション)3、4、7が設けられている。これら異なる
パッド3、4、7には検査過程の際にプローブカードの
針が接触する。従って、初期化信号I、クロック信号C
LK及びセレクト乃至は選択信号CS用のパッド3及び
給電電圧VDD乃至はVSS用のパッド7が存在する。
さらにこのメモリチップ1はアドレス信号、データ信号
及び制御信号用の針によって接触されるパッド4を有す
る。実際には検査過程では例えば11個のアドレス信
号、8〜17個のデータ信号及び5個の制御信号が印加
されるのだが、簡略化するためにこの図では3つのこの
ようなパッド4だけが示されている。従って、既述の通
り、多数の針が必要とされ、この結果、比較的少数のメ
モリチップだけがグループで共にほぼ1000針を有す
るプローブカードによって検査される。
【0012】本発明ではカーフ2にロジック5が設けら
れ、このロジック5は出力側Oに接続されており、アド
レス信号、データ信号、制御信号を直接パッド4に送出
する。従って、これらのパッド4に対してもはや針は必
要ではなく、このためメモリチップ1の検査に必要な針
の数は大幅に低減される。
【0013】針は実際には基本的にパッド3へと図の平
面に対して垂直に延在しているのだが、これらの針は概
略的に示されており、参照符号6が付けられている。
【0014】よって、ロジック5はアドレス信号、デー
タ信号及び制御信号による検査機能を引き受ける。この
結果、全体として必要とされる針の数は相応に低減され
る。当然、これらの信号のうちのいくつかだけをロジッ
ク5を介してメモリチップ1に供給することも可能であ
る。
【0015】テスト過程の後でカーフ2は鋸によって除
去され、これによってそれ以後はもはや必要ないロジッ
ク5が分離される。
【0016】付加的なロジック5の助けをかりて必要な
針6の数の低減を行うために、本発明は有利なやり方で
カーフによって与えられる場所を利用するのである。
【0017】場合によっては、ロジック5が複数の半導
体チップに相応のアドレス信号、データ信号及び制御信
号を供給するように、このロジック5をカーフに配置す
ることもできる。この結果、例えば1つのロジック5が
2つ又はそれ以上の複数のメモリチップ1に配属され
る。
【0018】本発明の装置においては、プローブカード
の針の数を増大することも可能である。というのも、こ
れらの針自体を互いにより広い間隔をおいて配置するこ
とができるからである。これは個々のメモリチップに必
要な針がより少なくなることに起因する。
【図面の簡単な説明】
【図1】カーフを有するメモリチップの平面図である。
【符号の説明】
1 メモリチップ 2 カーフ 3 パッド 4 パッド 5 ロジック 6 針 7 パッド
フロントページの続き (72)発明者 マーティン ブック ドイツ連邦共和国 ミュンヘン ホーエン エックシュトラーセ 28

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウェハ上の複数のメモリチップ(1)を
    検査するための装置であって、 針(6)を使用して前記メモリチップ(1)に給電電圧
    (VDD,VSS)、初期化信号(I)、読み出し信号
    (CS)、クロック信号(CLK)が供給されならびに
    アドレス信号、データ信号及び制御信号が供給される、
    ウェハ上の複数のメモリチップ(1)を検査するための
    装置において、 前記アドレス信号、前記データ信号及び前記制御信号の
    うちの少なくとも一部分が前記メモリチップ(1)のカ
    ーフ(鋸切断用周縁部)(2)に配置されたロジック
    (5)で発生され、前記メモリチップ(1)に直接供給
    されることを特徴とするウェハ上の複数のメモリチップ
    (1)を検査するための装置。
  2. 【請求項2】 アドレス信号、データ信号及び制御信号
    は全てロジック(5)で発生され、メモリチップ(1)
    に直接供給されることを特徴とする請求項1記載の装
    置。
JP11122764A 1998-04-30 1999-04-28 ウェハ上の複数のメモリチップを検査するための装置 Pending JPH11345499A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19819570.2 1998-04-30
DE19819570A DE19819570C2 (de) 1998-04-30 1998-04-30 Anordnung zum Testen mehrerer Speicherchips auf einem Wafer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11345499A true JPH11345499A (ja) 1999-12-14

Family

ID=7866437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11122764A Pending JPH11345499A (ja) 1998-04-30 1999-04-28 ウェハ上の複数のメモリチップを検査するための装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6529028B1 (ja)
EP (1) EP0953986A3 (ja)
JP (1) JPH11345499A (ja)
KR (1) KR100347660B1 (ja)
CN (1) CN1132193C (ja)
DE (1) DE19819570C2 (ja)
TW (1) TW419666B (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19930169B4 (de) 1999-06-30 2004-09-30 Infineon Technologies Ag Testeinrichtung und Verfahren zum Prüfen eines Speichers
DE10028145C2 (de) 2000-06-07 2002-04-18 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltungsanordnung zum Testen von Transistoren und Halbleiterscheibe mit einer solchen Schaltungsanordnung
DE10043350C2 (de) 2000-08-22 2003-01-02 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Untersuchung von Strukturen auf einem Wafer
CN100440381C (zh) * 2003-06-13 2008-12-03 钰创科技股份有限公司 使用一低速测试器以进行高速记忆体测试的方法
DE102004042074A1 (de) * 2004-08-31 2006-03-09 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Testen eines Speichers mittels externem Testchip und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US7516293B2 (en) * 2006-09-08 2009-04-07 International Business Machines Corporation Increased performance using mixed memory types
CN101196546B (zh) * 2006-12-04 2011-02-02 上海华虹Nec电子有限公司 可供不同ip产品进行老化测试的方法及其所用测试板
CN101452010B (zh) * 2007-11-30 2011-12-14 上海华虹Nec电子有限公司 用于芯片测试的探针卡的测试方法
CN103364706B (zh) * 2013-07-26 2017-03-08 上海华虹宏力半导体制造有限公司 验收测试装置及一次性可编程器件的验收测试方法
CN105988906B (zh) * 2015-03-02 2018-07-06 中山市云创知识产权服务有限公司 测试卡及应用该测试卡的主板

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3526485A1 (de) * 1985-07-24 1987-02-05 Heinz Krug Schaltungsanordnung zum pruefen integrierter schaltungseinheiten
US5053700A (en) * 1989-02-14 1991-10-01 Amber Engineering, Inc. Method for wafer scale testing of redundant integrated circuit dies
US5442282A (en) * 1992-07-02 1995-08-15 Lsi Logic Corporation Testing and exercising individual, unsingulated dies on a wafer
US5648661A (en) * 1992-07-02 1997-07-15 Lsi Logic Corporation Integrated circuit wafer comprising unsingulated dies, and decoder arrangement for individually testing the dies
FR2700063B1 (fr) * 1992-12-31 1995-02-10 Sgs Thomson Microelectronics Procédé de test de puces de circuit intégré et dispositif intégré correspondant.
US5418452A (en) * 1993-03-25 1995-05-23 Fujitsu Limited Apparatus for testing integrated circuits using time division multiplexing
DE19630316A1 (de) * 1996-07-26 1998-01-29 Siemens Ag Vorrichtung zur elektrischen Kontaktierung eines Bauelements

Also Published As

Publication number Publication date
KR100347660B1 (ko) 2002-08-07
CN1233841A (zh) 1999-11-03
KR19990083552A (ko) 1999-11-25
DE19819570A1 (de) 1999-11-04
US6529028B1 (en) 2003-03-04
DE19819570C2 (de) 2000-06-15
EP0953986A3 (de) 2005-05-11
TW419666B (en) 2001-01-21
CN1132193C (zh) 2003-12-24
EP0953986A2 (de) 1999-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100283030B1 (ko) 반도체 장치의 레이 아웃 구조
US7781890B2 (en) Structure and method for parallel testing of dies on a semiconductor wafer
JP3808570B2 (ja) 半導体装置
JP2007287770A (ja) 半導体集積回路
JPH11345499A (ja) ウェハ上の複数のメモリチップを検査するための装置
US5995428A (en) Circuit for burn-in operation on a wafer of memory devices
US6535009B1 (en) Configuration for carrying out burn-in processing operations of semiconductor devices at wafer level
US6366110B1 (en) Configuration for testing chips
JP2001035187A (ja) 半導体装置およびその冗長救済方法
US6981199B2 (en) Method for arranging data output by semiconductor testers to packet-based devices under test
JPS61292300A (ja) オンチツプメモリテスト容易化回路
JPS62283641A (ja) 半導体集積回路装置
JP2000040792A (ja) 半導体装置
KR20140080941A (ko) Da 모드시 테스트 효율을 향상시킨 반도체 메모리 장치의 채널 제어 회로
JPS5998389A (ja) 半導体メモリ
KR100543867B1 (ko) 메모리 혹은 임베디드 메모리 디바이스에서 쉽게 결함을 찾는 와이드 메모리 패턴
JP2001337134A (ja) 半導体集積回路装置
JPS6222853Y2 (ja)
JP3220353B2 (ja) 半導体集積回路装置
KR20000009911A (ko) 메모리 장치들의 웨이퍼상에서 번-인을 수행하기 위한 회로 및방법
JP2001237285A (ja) 多数の半導体チップをテストする装置
KR0124047B1 (ko) 웨이퍼 및 웨이퍼의 다이배치방법
CN100392838C (zh) 用于存储器集成电路的晶圆等级烧录
JPH02141813A (ja) 半導体装置
JPH04322441A (ja) 半導体集積回路装置、その検査方法及びそれに使用する検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040413

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040519

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20041210

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050308

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20050311

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20050415