JPH11343832A - 内燃機関の排気浄化装置 - Google Patents
内燃機関の排気浄化装置Info
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Abstract
C脱離開始温度付近まで上昇させておき、この状態から
の加速時などにできるだけ短時間のうちに触媒温度を活
性化温度まで到達するようにして、HCの放出を極力低
減させる。 【解決手段】HC吸着剤及び触媒とを含む排気処理装置
7を内値機関の排気通路13に介装する。HC吸着剤の
温度を検出する手段6と、排気処理装置の温度を上昇さ
せる昇温手段を備える。排気ガスボリュームに基づいて
HC吸着剤のHC脱離開始温度を演算し、HC吸着剤の
温度がHC脱離開始温度よりも低いときに昇温手段を作
動させてHC脱離開始温度付近まで上昇させる。この制
御は好ましくは低負荷状態のときに行われる。
Description
能をもつ触媒を備えた内燃機関の排気浄化装置に関す
る。
される排気中のHC、COを酸化し、NOxを還元処理
することにより、排気の浄化を図る装置が多く提案、実
用化されているが、このうち、とくに排気温度の低い機
関始動直後などのように、触媒が十分に活性化していな
い状態では、相対的に排気浄化性能が低下することは否
めない。
公報などによって、通常の触媒の上流に排気中のHCを
吸着するHC吸着剤、またはHC吸着剤と触媒成分を担
持したHC吸着触媒を配置し、排気低温時に排気中のH
Cを吸着し、外部への放出を防ぐ試みがなされている。
ただし、このHC吸着触媒は排気温度がある程度上昇す
ると、吸着したHCが脱離するため、排気温度の低温時
にのみ有効に機能する。そして、このHC脱離開始温度
は一般的には下流の触媒の活性化温度よりも低く、この
ため排気温度が脱離開始温度から触媒活性温度までの間
は、HCを処理することできない。
媒(HC吸着剤)のHCの脱離開始温度は、そのときの
排気流量によって変動し、排気流量が小さいときに比較
して排気流量が増加するほど比例的に脱離開始温度が低
下する。このため、排気流量が大きくなるほど、触媒の
活性化温度との温度差が大きくなり、例えば排気温度の
低い状態での加速時などのように急激に排気流量が増え
るときには、それまで吸着されていたHCが大量に放出
されてしまう。そしてこの放出は触媒が活性化温度に達
するまでの間に継続することになる。
提案されたもので、機関の低温時など、触媒の温度をH
C吸着剤のHC脱離開始温度付近まで上昇させておき、
この状態からの加速時などにできるだけ短時間のうちに
触媒温度を活性化温度まで到達するようにして、HCの
放出を極力低減させることを目的とする。
剤及び触媒とを含む排気処理装置を排気通路に介装した
内燃機関の排気浄化装置において、排気ガスボリューム
を検出または推定する手段と、前記HC吸着剤の温度を
検出または推定する手段と、前記排気ガスボリュームに
基づいてHC吸着剤のHC脱離開始温度を演算する手段
と、前記排気処理装置の温度を上昇させる昇温手段と、
前記HC吸着剤の温度がHC脱離開始温度よりも低いと
きに前記昇温手段を作動させてHC脱離開始温度を越え
ずにその付近まで上昇させる制御手段とを備えたことを
特徴とする。
低負荷状態にあることを検出または推定する手段を備
え、前記制御手段は所定の低負荷状態のときにのみ排温
上昇制御を実行するように構成される。
いて、前記制御手段はHC吸着剤の温度が所定の低温基
準値以上のときにのみ温度上昇制御を実行するように構
成される。
て、前記制御手段は始動後所定の時間が経過したときに
は温度上昇制御を中止するように構成される。
て、前記昇温手段が点火時期のリタード制御、燃料供給
量制御等により機関排気温度を上昇させる構成である。
て、前記排気処理装置が、触媒担体にHC吸着層と触媒
層をもつHC吸着触媒として構成される。
ときは、排気中のHCはHC吸着剤に吸着保持される。
HC吸着剤はHCの脱離開始温度になるとそれまで吸着
しいてたHCを脱離する。触媒が活性化温度に達するま
での間は、HCが脱離されても触媒ではHCを酸化でき
ず、したがって脱離開始後はできるだけ短時間のうちに
触媒が活性化されることが好ましい。とくにHC脱離開
始温度はそのときの排気ガスボリューム(排気流量)が
増えるほど低下する傾向があり、脱離開始温度以下の状
態から加速により排気流量が増えたときなど、これに伴
って排気温度が上昇するにしても、触媒活性化の温度に
到達するまでの時間が相対的に長くかかる。
C脱離開始温度付近まで高めておくと、活性化までの温
度差を小さくでき、したがってこの状態から加速などに
より排気流量が増え、HCの脱離が始まったとしても、
触媒温度は短時間のうちに活性化温度に達することがで
き、排出されるHC量を極力低減できる。
量の比較的小さい所定の低負荷状態において実行される
ので、触媒温度を比較的高いHC脱離開始温度付近に維
持することができ、このため触媒活性化温度までの温度
差を相対的に小さくでき、HCの脱離開始後に短時間の
うちに触媒を活性化し、HCを酸化処理することが可能
となる。
の基準値以下のときはHC脱離開始温度までの温度差が
大きく、温度上昇制御をしても時間が長くかかったり、
温度上昇効果が低くなったりするので、制御を行わず、
これにより温度上昇制御に伴う燃費の悪化を回避する。
してもHC脱離開始温度付近まで温度が上昇しないとき
は、制御を中止し、同じく燃費の損失を避けられる。
ることにより温度上昇を行うので、特別な加熱装置が不
要で、効率よく温度上昇させられる。
通の触媒担体に担持されるので、触媒温度をHC脱離温
度に近づけられ、応答のよい制御が行える。
添付図面に基づいて説明する。
11の吸気通路12にはスロットルバルブ2の下流に位
置して、エンジン11に供給する燃料を噴射する燃料噴
射弁3が設けられる。排気通路13の上流には三元触媒
9が設けられ、排気中のHC、COを酸化すると共にN
Oxを還元する。さらにその下流にはHC吸着剤と三元
触媒との機能を備えた処理装置としてのHC吸着触媒7
が設置され、これにより後述するように、排気低温時な
ど排気中のHCを吸着保持し、温度上昇後には脱離され
たHCの酸化を含む、排気の酸化、還元を行う。
燃比、すなわち理論空燃比に制御するために、コントロ
ーラ8に、吸気通路12に設置した吸入空気量センサ1
からの吸入空気量信号、スロットルバルブ2のスロット
ル開度信号、排気通路13に設置した空燃比(酸素濃
度)センサ5からの排気空燃比信号、さらにはエンジン
回転数信号などが入力し、これらに基づいてエンジン回
転に同期して燃料噴射弁3から噴射される燃料量が理論
空燃比の混合気を生成するように、燃料噴射弁3に燃料
噴射信号が出力され、また点火栓4にも点火信号が出力
される。
燃比となるようにフィードバック制御されるが、運転状
態によって、例えば低温始動時などは、理論空燃比より
もリッチな空燃比に設定され、オープン制御される。
6が設けられ、HC吸着触媒7の温度を検出し、低負荷
運転状態のときなど、吸入空気量などから推定する排気
流量に基づいてそのときのHC脱離開始温度を求め、検
出した温度がHC脱離開始温度よりも低いときには、コ
ントローラ8が排気温度(触媒温度)を例えば点火時期
や燃料噴射量を制御することにより、HC脱離開始温度
付近(ただし脱離温度以下)まで上昇させる。
間は、吸着されたHCが脱離されてもこれを酸化でき
ず、したがって脱離開始後はできるだけ短時間のうちに
触媒が活性化されることが好ましい。とくにHC脱離開
始温度はそのときの排気ガスボリューム(排気流量)が
増えるほど低下する傾向があり、脱離開始温度以下の状
態から加速により排気流量が増えたときなど、これに伴
って排気温度が上昇するにしても、触媒活性化の温度に
到達するまでの時間が相対的に長くかかる。
C脱離開始温度付近まで高めておくと、この状態から加
速などにより排気流量が増え、HCの脱離が始まったと
しても、触媒温度は短時間のうちに活性化温度に達する
ことができ、未処理のまま排出されるHC量を極力低減
できるのである。
排温上昇制御内容について、図2、図3のフローチャー
トによりさらに詳しく説明する。
ーで、まずステップS1は触媒活性化状態にあるかどう
か判断するもので、スタータスイッチSWがONで、か
つHC吸着触媒温度が所定値T0℃以下かどうか判定
し、もしそうでなければ触媒が活性化しているものとし
て、ステップS9に移り、排温上昇制御実行フラグUP
TEPF=0にして排温上昇制御には入らない。
水温を所定値TW0と比較することにより行うこともで
きる。
で、そのとき排気流量EXVOLを、運転条件に基づい
て、例えば吸入空気量センサ出力、あるいは機関回転数
と負荷から推定し、または算出する。そして、ステップ
S3ではそのときの触媒温度CATEPを低温側の所定
値t0(図5参照)と比較し、もしそれ以下ならば、触
媒温度が低すぎるものとして、ステップS10に移り、
UPTEPF=0として、排温上昇制御に入らない。触
媒温度が低すぎるときは排温が所定値まで上昇するまで
の時間が長くかかり、その間の燃費への影響が大きいの
で、制御は行わない。
低負荷状態にあるかどうか判断するもので、アイドルス
イッチ(IdleSW)ONか、排気流量EXVOLが
所定値V0以下かどうかにより判断する。もし、低負荷
状態にないときは、ステップS10に移り、上記と同じ
く排温上昇制御に入らない。
C脱離開始温度も高いので、この付近まで触媒温度を高
めておくことは、触媒活性化温度までの到達時間を短く
できて有効なのだが、負荷が大きいときは排気流量も増
え、HC脱離開始温度も低くなるため、仮にその付近に
触媒温度を維持したとしても、HC脱離開始後に触媒活
性化温度まで上昇するのに時間がかかり、効果が薄いの
で、排温上昇制御による燃費の悪化分を考慮してこの制
御は実行しない。
5に進み、HC吸着触媒でのHC脱離開始温度RTを算
出する。この脱離開始温度は、図4にもあるように、排
気流量が所定値以下のときほぼ一定の温度にあるもの
が、それよりも排気流量が増加すると、これに一次的に
比例して温度が低下していく傾向があり、したがってこ
のように設定したマップに基づいて、排気流量からその
ときの脱離開始温度RTを推定、または算出する。
Pがこの脱離開始温度RT以下かどうか判断し、脱離開
始温度以下ならば、ステップS7で排温上昇制御実行フ
ラグUPTEPF=1にセットし、排温上昇制御に移行
する。ただし、既に脱離開始温度RTに達したときに
は、それ以上の排温上昇は不要であるので、ステップS
10に移り、排温上昇制御を止め、HC脱離開始温度付
近に維持する。
t1と比較し、もし所定値t1を経過しているならば、
長時間の排温上昇制御は燃費の点から好ましくないの
で、ステップS9に進み、UPTEPF=0として制御
を中止する。
明する。ここでは、排温上昇を点火時期をリタードさせ
ることにより実行する例を示してある。
おける回転数、負荷などと、要求点火進角ADVを読み
込み、さらにステップS12でこの状態での点火時期の
リタード限界値RADVを算出する。これはそれ以上に
点火時期をリタードするとトルク変動などが大きくな
り、運転性が損なわれてしまう限界値から決まる。
UPTEPF=1かどうかを判断し、排温上昇制御の実
行が許可されているときは、ステップS14に進み現在
の点火時期FADVをリタード限界値RADVと比較
し、もしリタード限界値に達していなければ、ステップ
S15に進んで現在の点火時期FADVから所定値ΔA
DVだけ点火時期をリタードする。
れることにより排気温度を上昇させることができる。
フラグから制御が許可されていないときは、ステップS
16で現在の点火時期FADVをそのときの運転状態か
ら求めた点火時期ADVと比較し、もしもADVよりも
遅れているときは、ステップS17に進んで所定値ΔA
DVだけ点火時期を進め、FADV=FADV+ΔAD
Vとする。
脱離開始温度よりも低いときには、排温上昇制御に入
り、触媒温度を脱離温度付近まで上昇させ、これによ
り、排気低温状態から加速されたようなときなど、吸着
されていたHCが脱離されても、短時間のうち触媒温度
を高め、これらHCの酸化を可能として外部への放出を
極力低減するのである。
がら説明する。
く、三元触媒9、HC吸着触媒7が活性化されていない
状態にあっては、とくに始動直後に排気中に比較的多く
含まれるHCは、HC吸着触媒7のHC吸着層により吸
着保持され、外部への放出が抑制される。時間の経過と
共に触媒温度が上昇し、やがてHC吸着触媒7のHC脱
離開始温度に近づいていく。このHC脱離開始温度は触
媒活性化温度よりも低く、排気温度がこの脱離開始温度
よりも高く、かつ活性化温度よりも低いときは、吸着さ
れたHCが脱離してもこれを酸化することはできない。
そのときの排気流量に比例して変化し、排気流量が増え
ると脱離開始温度が低下する。したがって、排気低温状
態から加速が行われ、急速に排気流量が増えるようなと
きは、脱離開始温度が低下する分だけ吸着されていたH
Cの脱離が進むにもかかわらず、触媒活性化温度との温
度差が大きいために、HC脱離開始後に、加速による排
気温度上昇があっても、触媒活性化温度に達するまでの
時間が長くなる(この状態が図5のER2)。
温時には低負荷状態にあることを条件にして、触媒温度
がt0を越えた時点で排温上昇制御が実行され、例えば
点火時期のリタード制御により、排気温度が上昇させる
ような制御が行われる。これにより排気温度はそのとき
の排気流量との関係にもとづいて決まるHC吸着触媒7
のHC脱離開始温度付近まで上昇させられる。ただし、
脱離開始温度を越えることはない。
C吸着触媒7は吸着していたHCを脱離するには至らな
い。このため、その状態から加速されると、触媒温度は
HC脱離限界のぎりぎりまで上昇しているため、加速に
伴う排気温度上昇により触媒活性化温度まで速やかに温
度上昇する(図5のER1の期間)。
に活性化温度に達し、この間に放出されるHCの脱離量
を最小限に抑制することができる。
に、単純に排温上昇させた場合を参考に示してあるが、
この場合は、触媒温度がHC脱離開始温度を越えると、
HCの脱離が始まってしまい、触媒活性化温度に達する
までのHC排出量はかえって多くなる。
気流量の比較的小さい所定の低負荷状態において実行す
るので、触媒温度を比較的高いHC脱離開始温度付近に
維持することができ、このため触媒活性化温度までの温
度差を相対的に小さくでき、HCの脱離開始後に短時間
のうちに触媒を活性化し、HCを酸化処理することが可
能となるのである。
触媒との機能をもつ処理装置としてのHC吸着触媒7
は、例えば、触媒担体の触媒コート層として、その深層
部にHC吸着剤からなる吸着層を、表層部に触媒層を担
持させ、触媒層を透過してHCを吸着層に吸着させた
り、放出させたりするHC吸着触媒としたり、さらに
は、HC吸着層に触媒成分を混合して触媒コート層を形
成したHC吸着触媒、または触媒担体の上流側にHC吸
着層、下流側の触媒層を形成したHC吸着触媒とするこ
ともでき、あるいは上流側にHC吸着剤を配置し、その
下流側に触媒を配置した2つの触媒の組み合わせであっ
てもよい。
ードすることにより行う例を示したが、これに限らず、
例えば燃料をエンジン圧縮行程と膨脹行程でそれぞれ噴
射(2度噴射)して排気温度を高めたり、複数の気筒に
ついてリッチ気筒とリーン気筒に設定し、各気筒からの
排気を排気管内で酸化させて排気温度を高めたり、ある
いは触媒部分に電熱ヒータを設けて加熱することなども
できる。ただし、この電熱ヒータによるものは、HC吸
着剤と触媒とが同一の触媒担体に担持されているときに
有効となる。
センサにより検出する以外にも、機関冷却水温から推定
したり、機関始動からの運転状態(負荷、回転数など)
の履歴から推定してもよい。また排気ガスボリュームに
ついても、吸入空気量や、負荷、回転数に基づいて算出
する以外に、直接的に流量センサなどにより計量しても
よい。
態に記載した内容に限られるわけではなく、本発明の技
術的な思想の範囲内において、種々の変更が可能である
ことは明白である。
ャートである。
る。
Claims (6)
- 【請求項1】HC吸着剤及び触媒とを含む排気処理装置
を排気通路に介装した内燃機関の排気浄化装置におい
て、 排気ガスボリュームを検出または推定する手段と、 前記HC吸着剤の温度を検出または推定する手段と、 前記排気ガスボリュームに基づいてHC吸着剤のHC脱
離開始温度を演算する手段と、 前記排気処理装置の温度を上昇させる昇温手段と、 前記HC吸着剤の温度がHC脱離開始温度よりも低いと
きに前記昇温手段を作動させてHC脱離開始温度を越え
ずにその付近まで上昇させる制御手段とを備えたことを
特徴とする内燃機関の排気浄化装置。 - 【請求項2】機関低負荷状態にあることを検出または推
定する手段を備え、前記制御手段は所定の低負荷状態の
ときにのみ排温上昇制御を実行する請求項1に記載の内
燃機関の排気浄化装置。 - 【請求項3】前記制御手段はHC吸着剤の温度が所定の
低温基準値以上のときにのみ温度上昇制御を実行する請
求項1または2に記載の内燃機関の排気浄化装置。 - 【請求項4】前記制御手段は始動後所定の時間が経過し
たときには温度上昇制御を中止する請求項1〜3のいず
れか一つに記載の内燃機関の排気浄化装置。 - 【請求項5】前記昇温手段が点火時期のリタード制御、
燃料供給量制御等により機関排気温度を上昇させる請求
項1〜4のいずれか一つに記載の内燃機関の排気浄化装
置。 - 【請求項6】前記排気処理装置が、触媒担体にHC吸着
層と触媒層をもつHC吸着触媒として構成される請求項
1〜5のいずれか一つに記載の内燃機関の排気浄化装
置。
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JP15140898A JP3409696B2 (ja) | 1998-06-01 | 1998-06-01 | 内燃機関の排気浄化装置 |
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- 1998-06-01 JP JP15140898A patent/JP3409696B2/ja not_active Expired - Fee Related
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