JPH11340861A - 集積回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＴＶチューナ用集積回路における局部発振増
幅回路から出力される電圧制御発振信号の信号波形の歪
みを抑制することが可能な構成の集積回路を提供する。 【解決手段】 本発明に係る集積回路は、局部発振電圧
信号を発生する局部発振回路と、局部発振回路が発生し
た局部発振電圧信号を増幅して出力するバッファアンプ
と、バッファアンプから出力された局部発振電圧信号を
分割するとともに減衰させる第１及び第２の抵抗と、第
１の抵抗により減衰された局部発振電圧信号に応じて差
動バッファ出力信号を出力するミックスバッファと、第
２の抵抗により減衰された局部発振電圧信号に応じて電
圧制御発振信号を出力するエミッタフォロワ回路とを備
え、第１の抵抗の抵抗値は、局部発振電圧信号の振幅の
大きさが、ミックスバッファを構成するトランジスタを
飽和させる最小値よりも小さくなるように、設定される
ものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は集積回路に係り、特
に、ＴＶチューナ用集積回路における局部発振増幅回路
に関する。

【０００２】

【従来の技術】図３は、従来のＴＶチューナ用集積回路
の構成を示したブロック図である。

【０００３】図３に示した従来のＴＶチューナ用集積回
路は、局部発振電圧信号を発生する局部発振回路４と、
局部発振回路４からの局部発振電圧信号を増幅して出力
するバッファアンプ５と、バッファアンプ５からの局部
発振電圧信号により駆動されるＰＬＬアンプ６と、ＰＬ
Ｌアンプ６からのＰＬＬ出力信号に応じた電圧制御発振
（ＶＣＯ）信号Ｂを出力するエミッタフォロワアンプ７
と、バッファアンプ５からの局部発振電圧信号により駆
動される差動リミッタアンプ３と、差動リミッタアンプ
３からの差動出力信号に応じた差動バッファ出力信号Ｄ
を出力するミックスバッファ２と、ＲＦ信号Ａが入力さ
れ、ミックスバッファ２からの差動バッファ出力信号Ｄ
とＲＦ信号Ａとの差に応じたミックス出力信号Ｃを出力
するダブルバランスミキサ１とから構成されている。

【０００４】図４は、従来のＴＶチューナ用集積回路の
うちダブルバランスミキサ１以外の部分、即ち、ミック
スバッファ２及び差動リミッタアンプ３、局部発振回路
４、バッファアンプ５、ＰＬＬアンプ６、エミッタフォ
ロワアンプ７から構成される局部発振増幅回路の回路構
成を示した回路図である。

【０００５】局部発振回路４は、コレクタが電源電位ノ
ードＶccに接続されたＮＰＮトランジスタＱ１と、ＮＰ
ＮトランジスタＱ１のベースと接地電位ノードとの間に
順に直列接続されたキャパシタＣ１及びインダクタＬ１
と、ＮＰＮトランジスタＱ１のベースと接地電位ノード
との間に順に直列接続されたキャパシタＣ２及びキャパ
シタＣ３と、ＮＰＮトランジスタＱ１のコレクタと接地
電位ノードとの間に接続されたキャパシタＣ４と、ＮＰ
ＮトランジスタＱ１のエミッタと接地電位ノードとの間
に接続された抵抗Ｒ１とを備え、キャパシタＣ２とキャ
パシタＣ３との接続ノードとＮＰＮトランジスタＱ１の
エミッタとは相互に接続されている。

【０００６】バッファアンプ５は、電源電位ノードＶcc
と接地電位ノードとの間に順に直列接続された抵抗Ｒ４
及びＮＰＮトランジスタＱ２，抵抗Ｒ５を備え、ＮＰＮ
トランジスタＱ２のベースは、ＮＰＮトランジスタＱ１
のベース、即ち、キャパシタＣ１とキャパシタＣ２との
接続ノードに接続されている。尚、ＮＰＮトランジスタ
Ｑ２のエミッタをノードＰとする。

【０００７】差動リミッタアンプ３は、それぞれ抵抗Ｒ
９，Ｒ１０を介して電源電位ノードＶccにコレクタが接
続されたＮＰＮトランジスタＱ３，Ｑ４と、共通接続さ
れたＮＰＮトランジスタＱ３及びＱ４のエミッタと接地
電位ノードとの間に接続された抵抗Ｒ１５と、ノードＰ
とＮＰＮトランジスタＱ３のベースとの間に接続された
抵抗Ｒ１６と、ＮＰＮトランジスタＱ３のベースと接地
電位ノードとの間に接続されたキャパシタＣ５と、ノー
ドＰとＮＰＮトランジスタＱ４のベースとの間に並列接
続された抵抗Ｒ１７及びキャパシタＣ６とを備え、ＮＰ
ＮトランジスタＱ３及びＱ４のコレクタ電位が差動出力
信号とされる。

【０００８】ミックスバッファ２は、それぞれ抵抗Ｒ
６，Ｒ７を介して電源電位ノードＶccにコレクタが接続
されたＮＰＮトランジスタＱ５，Ｑ６と、ＮＰＮトラン
ジスタＱ５，Ｑ６のエミッタにそれぞれ一端が接続され
た抵抗Ｒ１８，Ｒ１９と、共通接続された抵抗Ｒ１８及
びＲ１９の他端と接地電位ノードとの間に接続された抵
抗Ｒ８とを備え、ＮＰＮトランジスタＱ５及びＱ６のコ
レクタ電位が差動バッファ出力信号Ｄとされる。

【０００９】ＰＬＬアンプ６は、それぞれ抵抗Ｒ２３，
Ｒ２４を介して電源電位ノードＶccにコレクタが接続さ
れたＮＰＮトランジスタＱ７，Ｑ８と、ＮＰＮトランジ
スタＱ７，Ｑ８のエミッタにそれぞれ一端が接続された
抵抗Ｒ２５，Ｒ２６と、共通接続された抵抗Ｒ２５及び
Ｒ２６の他端と接地電位ノードとの間に接続された抵抗
Ｒ２７と、ノードＰとＮＰＮトランジスタＱ７のベース
との間に接続されたキャパシタＣ８と、電源電位ノード
Ｖccと接地電位ノードとの間に順に直列接続された抵抗
Ｒ２０及びＲ２１と、抵抗Ｒ２０及びＲ２１の接続ノー
ドとＮＰＮトランジスタＱ７のベースとの間に接続され
た抵抗Ｒ２２と、抵抗Ｒ２０及びＲ２１の接続ノードと
ＮＰＮトランジスタＱ８のベースとの間に接続された抵
抗Ｒ２８と、ＮＰＮトランジスタＱ８のベースと接地電
位ノードとの間に接続されたキャパシタＣ７とを備え、
ＮＰＮトランジスタＱ８のコレクタ電位が出力信号とさ
れる。

【００１０】エミッタフォロワアンプ７は、電源電位ノ
ードＶccと接地電位ノードとの間に順に直列接続された
抵抗Ｒ１３及びＮＰＮトランジスタＱ９，抵抗Ｒ１４を
備え、ＮＰＮトランジスタＱ９のエミッタ電位が電圧制
御発振信号Ｂとされる。

【００１１】図４に示した局部発振増幅回路の動作は、
以下の通りである。

【００１２】局部発振回路４は、ノイズ等に起因してト
ランジスタＱ１に流れた微小電流をトランジスタＱ１の
エミッタからベースに帰還させ、この電流によりインダ
クタＬ１及びキャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３は発振し始め
る。これによりトランジスタＱ１に流れた電流をさらに
トランジスタＱ１のエミッタからベースに帰還させるこ
とにより、トランジスタＱ１のベース・エミッタ間電圧
を徐々に上昇させていき、定常状態になると、インダク
タＬ１及びキャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３は、これらのイ
ンダクタンス及びキャパシタンスによって決まる同調周
波数で発振し、キャパシタＣ１とキャパシタＣ２との接
続ノードから一定の局部発振電圧信号を出力する。

【００１３】バッファアンプ５のトランジスタＱ２のベ
ースには、キャパシタＣ１とキャパシタＣ２との接続ノ
ードから出力された局部発振電圧信号が入力され、この
局部発振電圧信号は増幅されてトランジスタＱ２のエミ
ッタ、即ちノードＰから出力される。トランジスタＱ２
のエミッタ電位は、数Ｖの振幅で振動する。

【００１４】差動リミッタアンプ３のトランジスタＱ３
のベースには、ノードＰから出力された局部発振電圧信
号が抵抗Ｒ１６を介して入力され、トランジスタＱ４の
ベースには、ノードＰから出力された局部発振電圧信号
がキャパシタＣ６を介して入力される。これにより、ト
ランジスタＱ３及びＱ４のコレクタから差動出力信号が
出力される。

【００１５】ミックスバッファ２のトランジスタＱ５，
Ｑ６のベースには、トランジスタＱ３及びＱ４のコレク
タから出力された差動出力信号がそれぞれ入力されるこ
とにより、トランジスタＱ５及びＱ６のコレクタから差
動バッファ出力信号Ｄが出力される。この差動バッファ
出力信号Ｄは、ダブルバランスミキサ１に入力される。

【００１６】ＰＬＬアンプ６のトランジスタＱ７のベー
スには、ノードＰから出力された局部発振電圧信号がキ
ャパシタＣ８を介して入力され、トランジスタＱ８のベ
ースには、ノードＰから出力された局部発振電圧信号が
キャパシタＣ８及び抵抗Ｒ２２，Ｒ２８を介して入力さ
れる。これにより、トランジスタＱ８のコレクタからＰ
ＬＬ出力信号が出力される。

【００１７】エミッタフォロワアンプ７のトランジスタ
Ｑ９のベースには、トランジスタＱ８のコレクタから出
力されたＰＬＬ出力信号が入力され、このＰＬＬ出力信
号は増幅されてトランジスタＱ９のエミッタから電圧制
御発振信号Ｂとして出力される。

【００１８】図５は、バッファアンプ５から出力される
局部発振電圧信号の信号波形を示したグラフであり、図
６は、エミッタフォロワアンプ７から出力される電圧制
御発振信号Ｂの理想的な信号波形を示したグラフであ
る。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来のＴＶチューナ用集積回路における局部発振増幅回
路においては、バッファアンプ５のトランジスタＱ２の
エミッタ、即ちノードＰに数Ｖの振幅の局部発振電圧信
号が発生し、これにより差動リミッタアンプ３のトラン
ジスタＱ３，Ｑ４及びＰＬＬアンプ６のトランジスタＱ
７，Ｑ８を同時に駆動するため、特に差動リミッタアン
プ３の入力インピーダンスが変化する影響により、ＰＬ
Ｌアンプ６からのＰＬＬ出力信号に応じて出力される電
圧制御発振信号Ｂの信号波形がひずんでしまうという問
題点があった。

【００２０】図７は、従来のＴＶチューナ用集積回路に
おける局部発振増幅回路のエミッタフォロワアンプ７か
ら実際に出力される電圧制御発振信号Ｂの信号波形を示
したグラフである。

【００２１】バッファアンプ５のトランジスタＱ２のエ
ミッタ、即ちノードＰからみた差動リミッタアンプ３の
入力インピーダンスは、トランジスタＱ３，Ｑ４が飽和
しない範囲の局部発振電圧信号の振幅では、トランジス
タＱ３，Ｑ４のエミッタ抵抗をｒe3，ｒe4，エミッタ接
地小信号短絡順方向電流増幅率をｈfe3，ｈfe4とする
と、（ｒe3×ｈfe3）＋（ｒe4×ｈfe4）となる。しか
し、トランジスタＱ３，Ｑ４が飽和する範囲の局部発振
電圧信号の振幅では、例えばトランジスタＱ３のオフ時
におけるトランジスタＱ４のベースからみた入力インピ
ーダンスは、上記の値より高くなる。

【００２２】従って、バッファアンプ５のトランジスタ
Ｑ２のエミッタ、即ちノードＰからみた差動リミッタア
ンプ３の入力インピーダンスが、電圧制御発振信号Ｂの
振幅により変化することになり、図７に示した電圧制御
発振信号Ｂの信号波形の歪みの原因となっていた。

【００２３】このことは、ＰＬＬアンプ６のＰＬＬ動作
において重大な問題となる。即ち、ＴＶチューナに過大
なＲＦ信号（＋０ｄＢ（ｍＷ）以上）が入力されると、
エミッタフォロワアンプ７の出力に、本来の電圧制御発
振信号Ｂ以外に、ＩＦ信号、ＩＦ信号の高調波及びＲＦ
信号が漏れてくることにより、電圧制御発振信号Ｂの信
号波形が揺れてきて歪みを生じ、その結果、ＰＬＬアン
プ６が誤動作し、ＴＶチューナがチャンネル選局をする
ことができなくなる。

【００２４】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
で、その目的は、ＴＶチューナ用集積回路における局部
発振増幅回路から出力される電圧制御発振信号の信号波
形の歪みを抑制することが可能な構成の集積回路を提供
することである。

【００２５】

【課題を解決するための手段】本発明に係る集積回路、
即ち、ＴＶチューナ用集積回路における局部発振増幅回
路によれば、局部発振電圧信号を発生する局部発振回路
と、局部発振回路が発生した局部発振電圧信号を増幅し
て出力するバッファアンプと、バッファアンプから出力
された局部発振電圧信号を分割するとともに減衰させる
第１及び第２の抵抗と、第１の抵抗により減衰された局
部発振電圧信号に応じて差動バッファ出力信号を出力す
るミックスバッファと、第２の抵抗により減衰された局
部発振電圧信号に応じて電圧制御発振信号を出力するエ
ミッタフォロワ回路とを備え、第１の抵抗の抵抗値は、
局部発振電圧信号の振幅の大きさが、ミックスバッファ
を構成するトランジスタを飽和させる最小値よりも小さ
くなるように、設定されるものであることを特徴とし、
この構成により、ミックスバッファの入力インピーダン
スの変動が抑制され、さらに、第２の抵抗により、ミッ
クスバッファの入力インピーダンスの変動によるエミッ
タフォロワアンプへの影響が減殺されるので、エミッタ
フォロワアンプから出力される電圧制御発振信号の信号
波形の歪みは非常に小さく抑制され、理想波形に非常に
近い信号波形を得ることができる。その結果、ＴＶチュ
ーナ実装時に、過大なＲＦ信号が入力されても、ＰＬＬ
誤動作が発生せず、ＴＶチューナがチャンネル選局不能
になることもなくなる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る集積回路、即
ち、ＴＶチューナ用集積回路における局部発振増幅回路
の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。

【００２７】図１は、本発明に係る集積回路、即ち、Ｔ
Ｖチューナ用集積回路における局部発振増幅回路の回路
構成を示した回路図である。

【００２８】図１に示した本発明に係るＴＶチューナ用
集積回路における局部発振増幅回路は、局部発振電圧信
号を発生する局部発振回路４と、局部発振回路４からの
局部発振電圧信号を増幅して出力するバッファアンプ５
と、バッファアンプ５からの局部発振電圧信号を減衰さ
せる抵抗Ｒ１及びＲ２と、抵抗Ｒ１を介して入力される
局部発振電圧信号に応じた差動バッファ出力信号Ｄを出
力するミックスバッファ２と、抵抗Ｒ２を介して入力さ
れる局部発振電圧信号に応じた電圧制御発振（ＶＣＯ）
信号Ｂを出力するエミッタフォロワアンプ７とから構成
されている。即ち、本発明に係るＴＶチューナ用集積回
路における局部発振増幅回路の概略構成は、図４に示し
た従来のＴＶチューナ用集積回路における局部発振増幅
回路を構成していた差動リミッタアンプ３及びＰＬＬア
ンプ６の代わりに、バッファアンプ５からの局部発振電
圧信号を減衰させる抵抗Ｒ１及びＲ２を用いて、バッフ
ァアンプ５とミックスバッファ２及びエミッタフォロワ
アンプ７とを結合したものである。

【００２９】局部発振回路４は、コレクタが電源電位ノ
ードＶccに接続されたＮＰＮトランジスタＱ１と、ＮＰ
ＮトランジスタＱ１のベースと接地電位ノードとの間に
順に直列接続されたキャパシタＣ１及びインダクタＬ１
と、ＮＰＮトランジスタＱ１のベースと接地電位ノード
との間に順に直列接続されたキャパシタＣ２及びキャパ
シタＣ３と、ＮＰＮトランジスタＱ１のコレクタと接地
電位ノードとの間に接続されたキャパシタＣ４と、ＮＰ
ＮトランジスタＱ１のエミッタと接地電位ノードとの間
に接続された抵抗Ｒ１とを備え、キャパシタＣ２とキャ
パシタＣ３との接続ノードとＮＰＮトランジスタＱ１の
エミッタとは相互に接続されている。

【００３０】バッファアンプ５は、電源電位ノードＶcc
と接地電位ノードとの間に順に直列接続された抵抗Ｒ４
及びＮＰＮトランジスタＱ２，抵抗Ｒ５を備え、ＮＰＮ
トランジスタＱ２のベースは、ＮＰＮトランジスタＱ１
のベース、即ち、キャパシタＣ１とキャパシタＣ２との
接続ノードに接続されている。尚、ＮＰＮトランジスタ
Ｑ２のエミッタをノードＰとする。

【００３１】ＮＰＮトランジスタＱ２のエミッタ、即ち
ノードＰには、抵抗Ｒ１，Ｒ２の一端がそれぞれ接続さ
れている。

【００３２】ミックスバッファ２は、それぞれ抵抗Ｒ
６，Ｒ７を介して電源電位ノードＶccにコレクタが接続
され、それぞれ抵抗Ｒ９，Ｒ１０を介して電源電位ノー
ドＶccにベースが接続されたＮＰＮトランジスタＱ５，
Ｑ６と、共通接続されたＮＰＮトランジスタＱ５及びＱ
６のエミッタと接地電位ノードとの間に接続された抵抗
Ｒ８と、抵抗Ｒ１の他端に一方側電極が接続され、ＮＰ
ＮトランジスタＱ５のベースに他方側電極が接続された
キャパシタＣ５と、ＮＰＮトランジスタＱ６のベースと
接地電位ノードとの間に接続されたキャパシタＣ６とを
備え、ＮＰＮトランジスタＱ５及びＱ６のコレクタ電位
が差動バッファ出力信号Ｄとされる。

【００３３】エミッタフォロワアンプ７は、電源電位ノ
ードＶccと接地電位ノードとの間に順に直列接続された
抵抗Ｒ１３及びＮＰＮトランジスタＱ９，抵抗Ｒ１４
と、抵抗Ｒ２の他端に一方側電極が接続され、ＮＰＮト
ランジスタＱ９のベースに他方側電極が接続されたキャ
パシタＣ７と、電源電位ノードＶccとＮＰＮトランジス
タＱ９のベースとの間に接続された抵抗Ｒ１１と、ＮＰ
ＮトランジスタＱ９のベースと接地電位ノードとの間に
接続された抵抗Ｒ１２とを備え、ＮＰＮトランジスタＱ
９のエミッタ電位が電圧制御発振信号Ｂとされる。

【００３４】本発明に係るＴＶチューナ用集積回路にお
ける局部発振増幅回路の構成が、従来の回路構成と異な
る点は、バッファアンプ５とミックスバッファ２，エミ
ッタフォロワアンプ７との間に、それぞれリミッタアン
プ３，ＰＬＬアンプ６を設けずに、抵抗Ｒ１，Ｒ２をそ
れぞれ設けた点である。

【００３５】本発明に係る局部発振増幅回路の上記構成
において、トランジスタＱ５，Ｑ６のエミッタ抵抗をｒ
e5，ｒe6，エミッタ接地小信号短絡順方向電流増幅率を
ｈfe5，ｈfe6とすると、抵抗Ｒ１の抵抗値は、 Ｒ１＞（ｒe5×ｈfe5）＋（ｒe6×ｈfe6） となるように設定する。上式の右辺は、ミックスバッフ
ァ２の入力インピーダンスである。抵抗Ｒ１の抵抗値を
このように設定するのは、前述した従来技術における問
題点に対応し、ミックスバッファ２に入力される局部発
振電圧信号の振幅を、トランジスタＱ５，Ｑ６が飽和し
ない範囲内の大きさとなるように減衰させるためであ
る。これにより、トランジスタＱ５，Ｑ６のコレクタ・
エミッタ間電圧が０．５Ｖ以上に保持される。

【００３６】また、抵抗Ｒ２の抵抗値は、エミッタフォ
ロワアンプ７から出力される電圧制御発振信号Ｂの大き
さを設定するため、及び、トランジスタＱ２のエミッタ
からみたミックスバッファ２の入力インピーダンスのト
ランジスタＱ９への影響を抑制するために、数ｋΩに設
定する。

【００３７】図２は、本発明に係るＴＶチューナ用集積
回路における局部発振増幅回路のエミッタフォロワアン
プ７から出力される電圧制御発振信号Ｂの信号波形を示
したグラフである。

【００３８】上述した本発明に係る局部発振増幅回路の
構成によれば、ミックスバッファ２に入力される局部発
振電圧信号の振幅は、抵抗Ｒ１により、トランジスタＱ
５，Ｑ６が飽和しない範囲内の大きさに減衰されるの
で、ミックスバッファ２の入力インピーダンスの変動が
抑制され、さらに、抵抗Ｒ２により、ミックスバッファ
２の入力インピーダンスの変動によるエミッタフォロワ
アンプ７への影響が減殺されるので、図２に示すよう
に、エミッタフォロワアンプ７から出力される電圧制御
発振信号Ｂの信号波形の歪みは非常に小さく抑制され、
図６に示した理想波形に非常に近い信号波形を得ること
ができる。その結果、ＴＶチューナ実装時に、過大なＲ
Ｆ信号が入力されても、ＰＬＬ誤動作が発生せず、ＴＶ
チューナがチャンネル選局不能になることもなくなる。

【００３９】

【発明の効果】本発明に係る集積回路、即ち、ＴＶチュ
ーナ用集積回路における局部発振増幅回路によれば、局
部発振回路が発生した局部発振電圧信号を増幅して出力
するバッファアンプと、ミックスバッファ、エミッタフ
ォロワ回路とを、それぞれ第１，第２の抵抗を介して接
続し、第１の抵抗の抵抗値は、局部発振電圧信号の振幅
の大きさが、ミックスバッファを構成するトランジスタ
を飽和させる最小値よりも小さくなるように、設定され
るものとしたので、ミックスバッファの入力インピーダ
ンスの変動が抑制され、さらに、第２の抵抗により、ミ
ックスバッファの入力インピーダンスの変動によるエミ
ッタフォロワアンプへの影響が減殺され、エミッタフォ
ロワアンプから出力される電圧制御発振信号の信号波形
の歪みは非常に小さく抑制され、理想波形に非常に近い
信号波形を得ることができる。その結果、ＴＶチューナ
実装時に、過大なＲＦ信号が入力されても、ＰＬＬ誤動
作が発生せず、ＴＶチューナがチャンネル選局不能にな
ることもなくなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る集積回路、即ち、ＴＶチューナ用
集積回路における局部発振増幅回路の回路構成を示した
回路図。

【図２】本発明に係るＴＶチューナ用集積回路における
局部発振増幅回路のエミッタフォロワアンプ７から出力
される電圧制御発振信号Ｂの信号波形を示したグラフ。

【図３】従来のＴＶチューナ用集積回路の構成を示した
ブロック図。

【図４】従来のＴＶチューナ用集積回路の局部発振増幅
回路の回路構成を示した回路図。

【図５】バッファアンプ５から出力される局部発振電圧
信号の信号波形を示したグラフ。

【図６】エミッタフォロワアンプ７から出力される電圧
制御発振信号Ｂの理想的な信号波形を示したグラフ。

【図７】従来のＴＶチューナ用集積回路における局部発
振増幅回路のエミッタフォロワアンプ７から実際に出力
される電圧制御発振信号Ｂの信号波形を示したグラフ。

【符号の説明】

１ ダブルバランスミキサ ２ ミックスバッファ ３ 差動リミッタアンプ ４ 局部発振回路 ５ バッファアンプ ６ ＰＬＬアンプ ７ エミッタフォロワアンプ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】局部発振電圧信号を発生する局部発振回路
   と、 前記局部発振回路が発生した前記局部発振電圧信号を増
   幅して出力するバッファアンプと、 前記バッファアンプから出力された前記局部発振電圧信
   号を分割するとともに減衰させる第１及び第２の抵抗
   と、 前記第１の抵抗により減衰された前記局部発振電圧信号
   に応じて差動バッファ出力信号を出力するミックスバッ
   ファと、 前記第２の抵抗により減衰された前記局部発振電圧信号
   に応じて電圧制御発振信号を出力するエミッタフォロワ
   回路とを備え、 前記第１の抵抗の抵抗値は、前記局部発振電圧信号の振
   幅の大きさが、前記ミックスバッファを構成するトラン
   ジスタを飽和させる最小値よりも小さくなるように、設
   定されるものであることを特徴とする集積回路。
2. 【請求項２】前記第２の抵抗の抵抗値は、必要とされる
   前記電圧制御発振信号の振幅の大きさに応じて、設定さ
   れるものであることを特徴とする請求項１に記載の集積
   回路。
3. 【請求項３】コレクタが電源電位ノードに接続された第
   １のＮＰＮトランジスタと、前記第１のＮＰＮトランジ
   スタのベースと接地電位ノードとの間に順に直列接続さ
   れた第１のキャパシタ及びインダクタと、前記第１のＮ
   ＰＮトランジスタのベースと接地電位ノードとの間に順
   に直列接続された第２，第３のキャパシタと、前記第１
   のＮＰＮトランジスタのコレクタと接地電位ノードとの
   間に接続された第４のキャパシタと、前記第１のＮＰＮ
   トランジスタのエミッタと接地電位ノードとの間に接続
   された第１の抵抗とから構成され、前記第２のキャパシ
   タと前記第３のキャパシタとの接続ノードと前記第１の
   ＮＰＮトランジスタのエミッタとが相互に接続された局
   部発振回路と、 電源電位ノードと接地電位ノードとの間に順に直列接続
   された第２の抵抗及び第２のＮＰＮトランジスタ、第３
   の抵抗から構成され、 前記第２のＮＰＮトランジスタのベースが、前記第１の
   キャパシタと前記第２のキャパシタとの接続ノードに接
   続されたバッファアンプと、 前記第２のＮＰＮトランジスタのエミッタに、それぞれ
   一端が接続された第４及び第５の抵抗と、 それぞれ第６，第７の抵抗を介して電源電位ノードにコ
   レクタが接続され、それぞれ第８，第９の抵抗を介して
   電源電位ノードにベースが接続された第３，第４のＮＰ
   Ｎトランジスタと、共通接続された前記第３，第４のＮ
   ＰＮトランジスタのエミッタと接地電位ノードとの間に
   接続された第１０の抵抗と、前記第４の抵抗の他端に一
   方側電極が接続され、前記第３のＮＰＮトランジスタの
   ベースに他方側電極が接続された第５のキャパシタと、
   前記第４のＮＰＮトランジスタのベースと接地電位ノー
   ドとの間に接続された第６のキャパシタとから構成さ
   れ、前記第３，第４のＮＰＮトランジスタのコレクタ電
   位が差動バッファ出力信号とされるミックスバッファ
   と、 電源電位ノードと接地電位ノードとの間に順に直列接続
   された第１１の抵抗及び第５のＮＰＮトランジスタ、第
   １２の抵抗と、前記第５の抵抗の他端に一方側電極が接
   続され、前記第５のＮＰＮトランジスタのベースに他方
   側電極が接続された第７のキャパシタと、電源電位ノー
   ドと前記第５のＮＰＮトランジスタのベースとの間に接
   続された第１３の抵抗と、前記第５のＮＰＮトランジス
   タのベースと接地電位ノードとの間に接続された第１４
   の抵抗とから構成され、前記第５のＮＰＮトランジスタ
   のエミッタ電位が電圧制御発振信号とされるエミッタフ
   ォロワアンプとを備え、 前記第４の抵抗の抵抗値は、前記局部発振電圧信号の振
   幅の大きさが、前記ミックスバッファを構成する前記第
   ３，第４のトランジスタを飽和させる最小値よりも小さ
   くなるように、設定されるものであることを特徴とする
   集積回路。
4. 【請求項４】前記第５の抵抗の抵抗値は、必要とされる
   前記電圧制御発振信号の振幅の大きさに応じて、設定さ
   れるものであることを特徴とする請求項３に記載の集積
   回路。