JPH11340542A - 磁気抵抗効果型素子 - Google Patents
磁気抵抗効果型素子Info
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- JPH11340542A JPH11340542A JP10145914A JP14591498A JPH11340542A JP H11340542 A JPH11340542 A JP H11340542A JP 10145914 A JP10145914 A JP 10145914A JP 14591498 A JP14591498 A JP 14591498A JP H11340542 A JPH11340542 A JP H11340542A
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- ferromagnetic conductor
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/3213—Exchange coupling of magnetic semiconductor multilayers, e.g. MnSe/ZnSe superlattices
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、大きな磁気抵抗効果を有する磁気
抵抗効果型素子を提供することが目的である。 【解決手段】 第１の強磁性導電体３と、非磁性導電体
４と、第２の強磁性導電体５と、をこの順序で備える磁
気抵抗効果型素子であって、前記第１、第２の強磁性導
電体３、５の少なくとも一方がペロブスカイト型マンガ
ン酸化物からなる。
抵抗効果型素子を提供することが目的である。 【解決手段】 第１の強磁性導電体３と、非磁性導電体
４と、第２の強磁性導電体５と、をこの順序で備える磁
気抵抗効果型素子であって、前記第１、第２の強磁性導
電体３、５の少なくとも一方がペロブスカイト型マンガ
ン酸化物からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気抵抗効果型素子
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、強磁性金属、非磁性金属、強磁性
金属をこの順序に積層した金属人工格子を備えた、巨大
磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用する磁気抵抗効果型素子
が活発に研究されている。
金属をこの順序に積層した金属人工格子を備えた、巨大
磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用する磁気抵抗効果型素子
が活発に研究されている。
【０００３】上記金属人工格子としては、例えばＦｅ／
Ｃｕ／Ｆｅ、Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ、パーマロイ／Ｃｕ／パ
ーマロイなどが代表的なものとして知られている。
Ｃｕ／Ｆｅ、Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ、パーマロイ／Ｃｕ／パ
ーマロイなどが代表的なものとして知られている。
【０００４】斯る磁気抵抗効果型素子はハードディスク
用のＭＲヘッドとして注目を集めている他、前記非磁性
金属を挟む両強磁性金属のスピン方向の違いに起因する
抵抗値の変化を利用した新規なトランジスタとしてのス
ピントランジスタの研究が開始されている。
用のＭＲヘッドとして注目を集めている他、前記非磁性
金属を挟む両強磁性金属のスピン方向の違いに起因する
抵抗値の変化を利用した新規なトランジスタとしてのス
ピントランジスタの研究が開始されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ｍ
Ｒヘッドはより高密度な記録媒体を再生するためにも、
より磁気抵抗効果が大きいことが望まれている。
Ｒヘッドはより高密度な記録媒体を再生するためにも、
より磁気抵抗効果が大きいことが望まれている。
【０００６】また、上記スピントランジスタはより利得
を上げるため、またメモリとして使用するタイプではそ
のメモリ機能の信頼性を向上させるために、より磁気抵
抗効果が大きいことが要求される。
を上げるため、またメモリとして使用するタイプではそ
のメモリ機能の信頼性を向上させるために、より磁気抵
抗効果が大きいことが要求される。
【０００７】本発明は上述の問題点を鑑み成されたもの
であり、より大きな磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果
型素子を提供することが目的である。
であり、より大きな磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果
型素子を提供することが目的である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果型
素子は、第１の強磁性導電体と、非磁性導電体と、第２
の強磁性導電体と、をこの順序で備える磁気抵抗効果型
素子であって、前記第１、第２の強磁性導電体の少なく
とも一方がペロブスカイト型マンガン酸化物からなるこ
とを特徴とする。
素子は、第１の強磁性導電体と、非磁性導電体と、第２
の強磁性導電体と、をこの順序で備える磁気抵抗効果型
素子であって、前記第１、第２の強磁性導電体の少なく
とも一方がペロブスカイト型マンガン酸化物からなるこ
とを特徴とする。
【０００９】本発明は、第１、第２の強磁性導電体の少
なくとも一方がペロブスカイト型マンガン酸化物からな
る。このペロブスカイト型マンガン酸化物からなる強磁
性導電体はフェルミ面上のスピン偏極を大きく、５０％
以上、更に言えば７０％台から略１００％にすることが
可能である。従って、本発明の磁気抵抗効果型素子の磁
気抵抗効果が大幅に大きくなる。
なくとも一方がペロブスカイト型マンガン酸化物からな
る。このペロブスカイト型マンガン酸化物からなる強磁
性導電体はフェルミ面上のスピン偏極を大きく、５０％
以上、更に言えば７０％台から略１００％にすることが
可能である。従って、本発明の磁気抵抗効果型素子の磁
気抵抗効果が大幅に大きくなる。
【００１０】この結果、この磁気抵抗効果型素子をＭＲ
ヘッドとして用いる場合、より高密度記録媒体の再生が
可能となる。また、この磁気抵抗効果型素子をスピント
ランジスタとして用いる場合、利得の大幅な向上やメモ
リ機能の信頼性の向上が可能となる。
ヘッドとして用いる場合、より高密度記録媒体の再生が
可能となる。また、この磁気抵抗効果型素子をスピント
ランジスタとして用いる場合、利得の大幅な向上やメモ
リ機能の信頼性の向上が可能となる。
【００１１】更に、第１、第２の強磁性導電体の両方が
ペロブスカイト型マンガン酸化物からなることが好まし
い。
ペロブスカイト型マンガン酸化物からなることが好まし
い。
【００１２】また、第１、第２の強磁性導電体の一方に
ペロブスカイト型マンガン酸化物を用いる場合、電子注
入側の強磁性導電体にペロブスカイト型マンガン酸化物
を用いるのが伝導電子のスピンの偏極が大きくなるので
好ましい。
ペロブスカイト型マンガン酸化物を用いる場合、電子注
入側の強磁性導電体にペロブスカイト型マンガン酸化物
を用いるのが伝導電子のスピンの偏極が大きくなるので
好ましい。
【００１３】上記ペロブスカイト型マンガン酸化物とし
ては、ＬａＳｒＭｎＯ3、ＰｒＣａＭｎＯ3、又はＮｄＳ
ｒＭｎＯ3等が利用可能である。
ては、ＬａＳｒＭｎＯ3、ＰｒＣａＭｎＯ3、又はＮｄＳ
ｒＭｎＯ3等が利用可能である。
【００１４】特に、上記非磁性導電体は、ペロブスカイ
ト型酸化物からなることを特徴とする。このペロブスカ
イト型酸化物としては、Ｎｂ高ドープのＳｒＴｉＯ3、
又はＬａ高ドープのＳｒＴｉＯ3等が利用可能である。
ト型酸化物からなることを特徴とする。このペロブスカ
イト型酸化物としては、Ｎｂ高ドープのＳｒＴｉＯ3、
又はＬａ高ドープのＳｒＴｉＯ3等が利用可能である。
【００１５】この場合、製造が容易になると共に、素子
特性の劣化を抑制できる。
特性の劣化を抑制できる。
【００１６】更に、上記第１、第２の強磁性導電体、上
記非磁性導電体、更には反強磁性体を形成するための基
板としては、ペロブスカイト型酸化物を用いるのが好ま
しい。この基板としては、ＳｒＴｉＯ3基板を用いてよ
い。
記非磁性導電体、更には反強磁性体を形成するための基
板としては、ペロブスカイト型酸化物を用いるのが好ま
しい。この基板としては、ＳｒＴｉＯ3基板を用いてよ
い。
【００１７】この場合、更に製造が容易になると共に、
素子特性の劣化を抑制できる。
素子特性の劣化を抑制できる。
【００１８】また、第１、第２の強磁性導電体のいずれ
か一方の外側には、この外側に位置する第１の強磁性導
電体又は第２の強磁性導電体の磁化を一方向に揃え、固
定するための反強磁性体を備えるのが好ましく、より好
ましくは密接させるのがよい。この反強磁性体として
は、ペロブスカイト型マンガン酸化物を用いるのが好ま
しい。斯る反強磁性体としては、ＰｒＣａＭｎＯ3、Ｌ
ａＣａＭｎＯ3を用いてよい。
か一方の外側には、この外側に位置する第１の強磁性導
電体又は第２の強磁性導電体の磁化を一方向に揃え、固
定するための反強磁性体を備えるのが好ましく、より好
ましくは密接させるのがよい。この反強磁性体として
は、ペロブスカイト型マンガン酸化物を用いるのが好ま
しい。斯る反強磁性体としては、ＰｒＣａＭｎＯ3、Ｌ
ａＣａＭｎＯ3を用いてよい。
【００１９】本発明の磁気抵抗効果型素子は、第１の強
磁性導電体と、非磁性導電体と、第２の強磁性導電体
と、をこの順序で備えるスピン素子であって、前記第
１、第２の強磁性導電体の少なくとも一方がフェルミ面
上でのスピン偏極が５０％以上１００％以下であること
を特徴とする。
磁性導電体と、非磁性導電体と、第２の強磁性導電体
と、をこの順序で備えるスピン素子であって、前記第
１、第２の強磁性導電体の少なくとも一方がフェルミ面
上でのスピン偏極が５０％以上１００％以下であること
を特徴とする。
【００２０】本発明は、少なくとも一方の強磁性導電体
はフェルミ面上のスピン偏極が５０％以上と大きいの
で、磁気抵抗効果が大幅に大きくなる。
はフェルミ面上のスピン偏極が５０％以上と大きいの
で、磁気抵抗効果が大幅に大きくなる。
【００２１】この結果、この磁気抵抗効果型素子をＭＲ
ヘッドとして用いる場合、より高密度記録媒体の再生が
可能となる。また、この磁性体素子をスピントランジス
タとして用いる場合、利得の大幅な向上やメモリ機能の
信頼性の向上が可能となる。
ヘッドとして用いる場合、より高密度記録媒体の再生が
可能となる。また、この磁性体素子をスピントランジス
タとして用いる場合、利得の大幅な向上やメモリ機能の
信頼性の向上が可能となる。
【００２２】更に、第１、第２の強磁性導電体の両方が
フェルミ面上でのスピン偏極が５０％以上１００％以下
であることが望ましい。
フェルミ面上でのスピン偏極が５０％以上１００％以下
であることが望ましい。
【００２３】また、本発明の磁気抵抗効果型素子は、第
１、第２の強磁性導電体間に電流が流れるようにして抵
抗変化を検出するための電極を備えてもよい。
１、第２の強磁性導電体間に電流が流れるようにして抵
抗変化を検出するための電極を備えてもよい。
【００２４】更に、本発明の磁気抵抗効果型素子をメモ
リ素子として使用する場合は、第１、第２の強磁性導電
体のうち、磁化が固定されていない方の磁化方向を変え
るために、外部磁場発生手段が準備され、この手段とし
てこの素子の近傍に導電線を備えるようにしてよい。
リ素子として使用する場合は、第１、第２の強磁性導電
体のうち、磁化が固定されていない方の磁化方向を変え
るために、外部磁場発生手段が準備され、この手段とし
てこの素子の近傍に導電線を備えるようにしてよい。
【００２５】また、第１、第２の強磁性導電体の一方が
フェルミ面上でのスピン偏極が５０％以上１００％以下
である場合、電子注入側の強磁性導電体にスピン偏極が
５０％以上１００％以下であるものを、即ちスピン偏極
が大きいものを用いるのが伝導電子のスピンの偏極を大
きくできるので好ましい。
フェルミ面上でのスピン偏極が５０％以上１００％以下
である場合、電子注入側の強磁性導電体にスピン偏極が
５０％以上１００％以下であるものを、即ちスピン偏極
が大きいものを用いるのが伝導電子のスピンの偏極を大
きくできるので好ましい。
【００２６】本発明の第１、第２の強磁性導電体には強
磁性金属を、非磁性導電体には非磁性金属を使える。
磁性金属を、非磁性導電体には非磁性金属を使える。
【００２７】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態に係る磁気抵
抗効果を用いたメモリ素子としてのスピントランジスタ
について詳細に説明する。図１は本実施形態のスピント
ランジスタの概略模式構成図である。
抗効果を用いたメモリ素子としてのスピントランジスタ
について詳細に説明する。図１は本実施形態のスピント
ランジスタの概略模式構成図である。
【００２８】図１中、１はＳｒＴｉＯ3基板、２は基板
１上に１部を露出した状態で形成された１００Å厚のＰ
ｒ1-xＣａxＭｎＯ3（ＰｒＣａＭｎＯ3と略記する。：
０．３＜ｘ＜０．５）からなる反強磁性導電体層、３は
反強磁性導電体層２上に形成されたは２００〜５００Å
厚のＬａ1-xＳｒxＭｎＯ3（ＬａＳｒＭｎＯ3と略記す
る。：０．１６＜ｘ＜０．５）からなる第１の強磁性導
電体層、４は第１の強磁性導電体層３の一部を露出して
この第１の強磁性導電体層３上に形成された１００〜５
００Å厚のＳｒＴｉＯ3（Ｎｂドープ、ドープ量：０．
０１〜０．５ｗｔ％）からなる常磁性導電体層（非磁性
導電体層）、５は常磁性導電体層４上に形成された２０
０〜５００Å厚のＬａＳｒＭｎＯ3からなる第２の強磁
性導電体層である。
１上に１部を露出した状態で形成された１００Å厚のＰ
ｒ1-xＣａxＭｎＯ3（ＰｒＣａＭｎＯ3と略記する。：
０．３＜ｘ＜０．５）からなる反強磁性導電体層、３は
反強磁性導電体層２上に形成されたは２００〜５００Å
厚のＬａ1-xＳｒxＭｎＯ3（ＬａＳｒＭｎＯ3と略記す
る。：０．１６＜ｘ＜０．５）からなる第１の強磁性導
電体層、４は第１の強磁性導電体層３の一部を露出して
この第１の強磁性導電体層３上に形成された１００〜５
００Å厚のＳｒＴｉＯ3（Ｎｂドープ、ドープ量：０．
０１〜０．５ｗｔ％）からなる常磁性導電体層（非磁性
導電体層）、５は常磁性導電体層４上に形成された２０
０〜５００Å厚のＬａＳｒＭｎＯ3からなる第２の強磁
性導電体層である。
【００２９】６は前記露出した基板１上から前記露出し
た第１の強磁性導電体層３上に連なって形成された２０
００Å厚の金からなる電極、７は第２の強磁性導電体層
５上に形成された２０００Å厚の金からなる電極であ
る。この素子では、前記電極６とこれと対をなす前記電
極７とで電気抵抗変化を検出する。尚、本実施形態で
は、第１の強磁性導電体層３側の電極６を電子の注入側
とし、第２の強磁性導電体層５側の電極７を電子の出る
側となるように構成している。
た第１の強磁性導電体層３上に連なって形成された２０
００Å厚の金からなる電極、７は第２の強磁性導電体層
５上に形成された２０００Å厚の金からなる電極であ
る。この素子では、前記電極６とこれと対をなす前記電
極７とで電気抵抗変化を検出する。尚、本実施形態で
は、第１の強磁性導電体層３側の電極６を電子の注入側
とし、第２の強磁性導電体層５側の電極７を電子の出る
側となるように構成している。
【００３０】８は前記電極６、常磁性導電体層４、第２
の強磁性導電体層５、電極７上を覆う１μｍ厚のレジス
トからなる絶縁層、９は絶縁層８上に形成された図１中
紙面の垂直方向に延在する１０００Å厚の金からなる磁
場発生のための導電線である。
の強磁性導電体層５、電極７上を覆う１μｍ厚のレジス
トからなる絶縁層、９は絶縁層８上に形成された図１中
紙面の垂直方向に延在する１０００Å厚の金からなる磁
場発生のための導電線である。
【００３１】この磁気抵抗効果型素子であるスピントラ
ンジスタは、反強磁性導電体層２が第１の強磁性導電体
層３の磁化（スピン）方向を一方向に固定化するための
層である。よって、この反強磁性導電体層２の存在によ
り第１の強磁性導電体層３の磁化方向は一方向に強く固
定される。本実施形態の場合、第１の強磁性導電体層３
の磁化方向は導電線９の延在方向に垂直方向に固定され
ている。
ンジスタは、反強磁性導電体層２が第１の強磁性導電体
層３の磁化（スピン）方向を一方向に固定化するための
層である。よって、この反強磁性導電体層２の存在によ
り第１の強磁性導電体層３の磁化方向は一方向に強く固
定される。本実施形態の場合、第１の強磁性導電体層３
の磁化方向は導電線９の延在方向に垂直方向に固定され
ている。
【００３２】一方、前記第２の強磁性導電体層５は、第
１の強磁性導電体層３に比べ磁化方向が外部磁場によっ
て変化しやくすく構成されている。
１の強磁性導電体層３に比べ磁化方向が外部磁場によっ
て変化しやくすく構成されている。
【００３３】従って、前記導電線９に電流が印加される
ことによって、その周囲、具体的には第２の強磁性導電
体層５に及ぶ磁場が発生する。この磁場の方向は電流の
流れる方向を正逆にすることによって反転するので、導
電線９に電流の流れる方向を選択して印加することによ
り、第１の強磁性導電体層３の磁化方向と第２の強磁性
導電体層５の磁化方向を同方向及び逆方向のいずれか一
方になるように選択できる。
ことによって、その周囲、具体的には第２の強磁性導電
体層５に及ぶ磁場が発生する。この磁場の方向は電流の
流れる方向を正逆にすることによって反転するので、導
電線９に電流の流れる方向を選択して印加することによ
り、第１の強磁性導電体層３の磁化方向と第２の強磁性
導電体層５の磁化方向を同方向及び逆方向のいずれか一
方になるように選択できる。
【００３４】第１の強磁性導電体層３の磁化方向と第２
の強磁性導電体層５の磁化方向が逆方向である場合、電
極６、７による電気抵抗は大きく検出され、第１の強磁
性導電体層３の磁化方向と第２の強磁性導電体層５の磁
化方向が同方向である場合、電極６、７による電気抵抗
は小さく検出される。
の強磁性導電体層５の磁化方向が逆方向である場合、電
極６、７による電気抵抗は大きく検出され、第１の強磁
性導電体層３の磁化方向と第２の強磁性導電体層５の磁
化方向が同方向である場合、電極６、７による電気抵抗
は小さく検出される。
【００３５】即ち、例えば、第１の強磁性導電体層３の
磁化方向と第２の強磁性導電体層５の磁化方向が逆方向
の場合を「０」とし、前記磁化方向が同方向の場合を
「１」として、デジタル的なメモリ素子として用いられ
る。
磁化方向と第２の強磁性導電体層５の磁化方向が逆方向
の場合を「０」とし、前記磁化方向が同方向の場合を
「１」として、デジタル的なメモリ素子として用いられ
る。
【００３６】斯る磁気抵抗効果型素子では、第１、第２
の強磁性導電体層３、５に用いられているペロブスカイ
ト型マンガン酸化物は、スピン偏極が７０％程度と他の
強磁性導電体（例えば、パーマロイや鉄などのスピン偏
極は、せいぜい１０％程度）に比べて遥かに大きい。
の強磁性導電体層３、５に用いられているペロブスカイ
ト型マンガン酸化物は、スピン偏極が７０％程度と他の
強磁性導電体（例えば、パーマロイや鉄などのスピン偏
極は、せいぜい１０％程度）に比べて遥かに大きい。
【００３７】従って、このように第１、第２の強磁性導
電体層３、５では、電子のスピン偏極が大きいので、第
１、第２の強磁性導電体層３、５の中には伝導電子との
散乱に強く相関する磁化方向にスピン整列された電子が
多く存在する。しかも、第１の強磁性導電体層３から注
入される電子（即ち伝導電子）も第１の強磁性導電体層
３を経るので、伝導電子のスピンも第１の強磁性導電体
層３の磁化方向に整列されたものが多くなる。
電体層３、５では、電子のスピン偏極が大きいので、第
１、第２の強磁性導電体層３、５の中には伝導電子との
散乱に強く相関する磁化方向にスピン整列された電子が
多く存在する。しかも、第１の強磁性導電体層３から注
入される電子（即ち伝導電子）も第１の強磁性導電体層
３を経るので、伝導電子のスピンも第１の強磁性導電体
層３の磁化方向に整列されたものが多くなる。
【００３８】そして、第１、第２の強磁性導電体層３、
５中の電子のスピン方向が平行の場合は、該スピン方向
と平行のスピンをもつ伝導電子との散乱断面積は小さ
く、第１、第２の強磁性導電体層３、５中の電子のスピ
ン方向が逆方向の場合は伝導電子との散乱断面積が大き
くなるので、従来に比べてスピン整列がなされるように
している本発明は、従来に比べ、第１の強磁性導電体層
３の磁化方向と第２の強磁性導電体層５の磁化方向が同
方向の場合には、抵抗がより小さく、逆方向の場合は抵
抗が大きくなる。この結果、メモリの信頼性が従来に比
べ向上する。
５中の電子のスピン方向が平行の場合は、該スピン方向
と平行のスピンをもつ伝導電子との散乱断面積は小さ
く、第１、第２の強磁性導電体層３、５中の電子のスピ
ン方向が逆方向の場合は伝導電子との散乱断面積が大き
くなるので、従来に比べてスピン整列がなされるように
している本発明は、従来に比べ、第１の強磁性導電体層
３の磁化方向と第２の強磁性導電体層５の磁化方向が同
方向の場合には、抵抗がより小さく、逆方向の場合は抵
抗が大きくなる。この結果、メモリの信頼性が従来に比
べ向上する。
【００３９】しかも、基板１、常磁性導電体層４は第
１、第２の強磁性導電体層３、５と同様のペロブスカイ
ト型酸化物であり、反強磁性導電体層２は第１、第２の
強磁性導電体層３、５と同様のペロブスカイト型マンガ
ン酸化物で構成しているので、製造が容易で、素子に歪
み等を小さくでき、素子特性の低下を抑制できる。
１、第２の強磁性導電体層３、５と同様のペロブスカイ
ト型酸化物であり、反強磁性導電体層２は第１、第２の
強磁性導電体層３、５と同様のペロブスカイト型マンガ
ン酸化物で構成しているので、製造が容易で、素子に歪
み等を小さくでき、素子特性の低下を抑制できる。
【００４０】上述の第１、第２の強磁性導電体層３、５
には上記ＬａＳｒＭｎＯ3に代えて、温度１５０Ｋより
小さい環境下でＰｒ1-xＣａxＭｎＯ3（０．１３＜ｘ＜
０．３）を用いてもよく、その他にＮｄ0.5Ｓｒ0.5Ｍｎ
Ｏ3や（Ｎｄ0.06Ｓｍ0.94）0 .5Ｓｒ0.5ＭｎＯ3など適宜
使用できる。
には上記ＬａＳｒＭｎＯ3に代えて、温度１５０Ｋより
小さい環境下でＰｒ1-xＣａxＭｎＯ3（０．１３＜ｘ＜
０．３）を用いてもよく、その他にＮｄ0.5Ｓｒ0.5Ｍｎ
Ｏ3や（Ｎｄ0.06Ｓｍ0.94）0 .5Ｓｒ0.5ＭｎＯ3など適宜
使用できる。
【００４１】更に、非磁性導電体層４には、Ｎｂドープ
に代えて同様のドープ量のＬａドープのものを使用して
もよい。
に代えて同様のドープ量のＬａドープのものを使用して
もよい。
【００４２】また、反強磁性導電体層２にはＬａ0.5Ｃ
ａ0.5ＭｎＯ3などを使用してもよい。上記第１、第２の
強磁性導電体層３、５の少なくとも一方をペロブスカイ
ト型マンガン酸化物で構成しても効果はあるが、本実施
形態のように両方ともペロブスカイト型マンガン酸化物
で構成した方がより効果がある。
ａ0.5ＭｎＯ3などを使用してもよい。上記第１、第２の
強磁性導電体層３、５の少なくとも一方をペロブスカイ
ト型マンガン酸化物で構成しても効果はあるが、本実施
形態のように両方ともペロブスカイト型マンガン酸化物
で構成した方がより効果がある。
【００４３】上述のように少なくとも一方にペロブスカ
イト型マンガン酸化物を用いる場合、電子注入側の強磁
性導電体層にペロブスカイト型マンガン酸化物を用いる
のが伝導電子のスピンの偏極が大きくなるので好まし
い。
イト型マンガン酸化物を用いる場合、電子注入側の強磁
性導電体層にペロブスカイト型マンガン酸化物を用いる
のが伝導電子のスピンの偏極が大きくなるので好まし
い。
【００４４】また、上述の実施形態では、メモリ素子と
しての磁気抵抗効果型素子について説明したが、本発明
はＭＲヘッド等の他の機能をもつ素子にも適用できる。
しての磁気抵抗効果型素子について説明したが、本発明
はＭＲヘッド等の他の機能をもつ素子にも適用できる。
【００４５】
【発明の効果】本発明は、大きな磁気抵抗効果を有する
磁気抵抗効果型素子を提供することができる。
磁気抵抗効果型素子を提供することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る磁気抵抗効果型素子
の概略模式構成図である。
の概略模式構成図である。
３ 第１の強磁性導電体層 ４ 非磁性体層 ５ 第２の強磁性導電体層
Claims (3)
- 【請求項１】 第１の強磁性導電体と、非磁性導電体
と、第２の強磁性導電体と、をこの順序で備える磁気抵
抗効果型素子であって、前記第１、第２の強磁性導電体
の少なくとも一方がペロブスカイト型マンガン酸化物か
らなることを特徴とする磁気抵抗効果型素子。 - 【請求項２】 前記非磁性導電体は、ペロブスカイト型
酸化物からなることを特徴とする請求項１記載の磁気抵
抗効果型素子。 - 【請求項３】 第１の強磁性導電体と、非磁性導電体
と、第２の強磁性導電体と、をこの順序で備える磁気抵
抗効果型素子であって、前記第１、第２の強磁性導電体
の少なくとも一方がフェルミ面上でのスピン偏極が５０
％以上１００％以下であることを特徴とする磁気抵抗効
果型素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10145914A JPH11340542A (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 磁気抵抗効果型素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10145914A JPH11340542A (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 磁気抵抗効果型素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340542A true JPH11340542A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15396004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10145914A Pending JPH11340542A (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 磁気抵抗効果型素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11340542A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002009126A3 (en) * | 2000-07-24 | 2002-06-27 | Motorola Inc | Spin valve structure |
| WO2004086625A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Japan Science And Technology Agency | スピン依存伝達特性を有するトランジスタを用いた再構成可能な論理回路 |
-
1998
- 1998-05-27 JP JP10145914A patent/JPH11340542A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002009126A3 (en) * | 2000-07-24 | 2002-06-27 | Motorola Inc | Spin valve structure |
| WO2004086625A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Japan Science And Technology Agency | スピン依存伝達特性を有するトランジスタを用いた再構成可能な論理回路 |
| CN1333528C (zh) * | 2003-03-26 | 2007-08-22 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 使用了具有自旋相关转移特性的晶体管的可再构成的逻辑电路 |
| KR100789044B1 (ko) | 2003-03-26 | 2007-12-26 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 스핀 의존 전달 특성을 갖는 트랜지스터를 이용한 재구성가능한 논리 회로 |
| US7545013B2 (en) | 2003-03-26 | 2009-06-09 | Japan Science And Technology Agency | Reconfigurable logic circuit using a transistor having spin-dependent transfer characteristics |
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