JPH11340542A - 磁気抵抗効果型素子 - Google Patents
磁気抵抗効果型素子Info
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- JPH11340542A JPH11340542A JP10145914A JP14591498A JPH11340542A JP H11340542 A JPH11340542 A JP H11340542A JP 10145914 A JP10145914 A JP 10145914A JP 14591498 A JP14591498 A JP 14591498A JP H11340542 A JPH11340542 A JP H11340542A
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- ferromagnetic conductor
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/3213—Exchange coupling of magnetic semiconductor multilayers, e.g. MnSe/ZnSe superlattices
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- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、大きな磁気抵抗効果を有する磁気
抵抗効果型素子を提供することが目的である。 【解決手段】 第1の強磁性導電体3と、非磁性導電体
4と、第2の強磁性導電体5と、をこの順序で備える磁
気抵抗効果型素子であって、前記第1、第2の強磁性導
電体3、5の少なくとも一方がペロブスカイト型マンガ
ン酸化物からなる。
抵抗効果型素子を提供することが目的である。 【解決手段】 第1の強磁性導電体3と、非磁性導電体
4と、第2の強磁性導電体5と、をこの順序で備える磁
気抵抗効果型素子であって、前記第1、第2の強磁性導
電体3、5の少なくとも一方がペロブスカイト型マンガ
ン酸化物からなる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気抵抗効果型素子
に関する。
に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、強磁性金属、非磁性金属、強磁性
金属をこの順序に積層した金属人工格子を備えた、巨大
磁気抵抗効果(GMR)を利用する磁気抵抗効果型素子
が活発に研究されている。
金属をこの順序に積層した金属人工格子を備えた、巨大
磁気抵抗効果(GMR)を利用する磁気抵抗効果型素子
が活発に研究されている。
【0003】上記金属人工格子としては、例えばFe/
Cu/Fe、Co/Cu/Co、パーマロイ/Cu/パ
ーマロイなどが代表的なものとして知られている。
Cu/Fe、Co/Cu/Co、パーマロイ/Cu/パ
ーマロイなどが代表的なものとして知られている。
【0004】斯る磁気抵抗効果型素子はハードディスク
用のMRヘッドとして注目を集めている他、前記非磁性
金属を挟む両強磁性金属のスピン方向の違いに起因する
抵抗値の変化を利用した新規なトランジスタとしてのス
ピントランジスタの研究が開始されている。
用のMRヘッドとして注目を集めている他、前記非磁性
金属を挟む両強磁性金属のスピン方向の違いに起因する
抵抗値の変化を利用した新規なトランジスタとしてのス
ピントランジスタの研究が開始されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記M
Rヘッドはより高密度な記録媒体を再生するためにも、
より磁気抵抗効果が大きいことが望まれている。
Rヘッドはより高密度な記録媒体を再生するためにも、
より磁気抵抗効果が大きいことが望まれている。
【0006】また、上記スピントランジスタはより利得
を上げるため、またメモリとして使用するタイプではそ
のメモリ機能の信頼性を向上させるために、より磁気抵
抗効果が大きいことが要求される。
を上げるため、またメモリとして使用するタイプではそ
のメモリ機能の信頼性を向上させるために、より磁気抵
抗効果が大きいことが要求される。
【0007】本発明は上述の問題点を鑑み成されたもの
であり、より大きな磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果
型素子を提供することが目的である。
であり、より大きな磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果
型素子を提供することが目的である。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果型
素子は、第1の強磁性導電体と、非磁性導電体と、第2
の強磁性導電体と、をこの順序で備える磁気抵抗効果型
素子であって、前記第1、第2の強磁性導電体の少なく
とも一方がペロブスカイト型マンガン酸化物からなるこ
とを特徴とする。
素子は、第1の強磁性導電体と、非磁性導電体と、第2
の強磁性導電体と、をこの順序で備える磁気抵抗効果型
素子であって、前記第1、第2の強磁性導電体の少なく
とも一方がペロブスカイト型マンガン酸化物からなるこ
とを特徴とする。
【0009】本発明は、第1、第2の強磁性導電体の少
なくとも一方がペロブスカイト型マンガン酸化物からな
る。このペロブスカイト型マンガン酸化物からなる強磁
性導電体はフェルミ面上のスピン偏極を大きく、50%
以上、更に言えば70%台から略100%にすることが
可能である。従って、本発明の磁気抵抗効果型素子の磁
気抵抗効果が大幅に大きくなる。
なくとも一方がペロブスカイト型マンガン酸化物からな
る。このペロブスカイト型マンガン酸化物からなる強磁
性導電体はフェルミ面上のスピン偏極を大きく、50%
以上、更に言えば70%台から略100%にすることが
可能である。従って、本発明の磁気抵抗効果型素子の磁
気抵抗効果が大幅に大きくなる。
【0010】この結果、この磁気抵抗効果型素子をMR
ヘッドとして用いる場合、より高密度記録媒体の再生が
可能となる。また、この磁気抵抗効果型素子をスピント
ランジスタとして用いる場合、利得の大幅な向上やメモ
リ機能の信頼性の向上が可能となる。
ヘッドとして用いる場合、より高密度記録媒体の再生が
可能となる。また、この磁気抵抗効果型素子をスピント
ランジスタとして用いる場合、利得の大幅な向上やメモ
リ機能の信頼性の向上が可能となる。
【0011】更に、第1、第2の強磁性導電体の両方が
ペロブスカイト型マンガン酸化物からなることが好まし
い。
ペロブスカイト型マンガン酸化物からなることが好まし
い。
【0012】また、第1、第2の強磁性導電体の一方に
ペロブスカイト型マンガン酸化物を用いる場合、電子注
入側の強磁性導電体にペロブスカイト型マンガン酸化物
を用いるのが伝導電子のスピンの偏極が大きくなるので
好ましい。
ペロブスカイト型マンガン酸化物を用いる場合、電子注
入側の強磁性導電体にペロブスカイト型マンガン酸化物
を用いるのが伝導電子のスピンの偏極が大きくなるので
好ましい。
【0013】上記ペロブスカイト型マンガン酸化物とし
ては、LaSrMnO3、PrCaMnO3、又はNdS
rMnO3等が利用可能である。
ては、LaSrMnO3、PrCaMnO3、又はNdS
rMnO3等が利用可能である。
【0014】特に、上記非磁性導電体は、ペロブスカイ
ト型酸化物からなることを特徴とする。このペロブスカ
イト型酸化物としては、Nb高ドープのSrTiO3、
又はLa高ドープのSrTiO3等が利用可能である。
ト型酸化物からなることを特徴とする。このペロブスカ
イト型酸化物としては、Nb高ドープのSrTiO3、
又はLa高ドープのSrTiO3等が利用可能である。
【0015】この場合、製造が容易になると共に、素子
特性の劣化を抑制できる。
特性の劣化を抑制できる。
【0016】更に、上記第1、第2の強磁性導電体、上
記非磁性導電体、更には反強磁性体を形成するための基
板としては、ペロブスカイト型酸化物を用いるのが好ま
しい。この基板としては、SrTiO3基板を用いてよ
い。
記非磁性導電体、更には反強磁性体を形成するための基
板としては、ペロブスカイト型酸化物を用いるのが好ま
しい。この基板としては、SrTiO3基板を用いてよ
い。
【0017】この場合、更に製造が容易になると共に、
素子特性の劣化を抑制できる。
素子特性の劣化を抑制できる。
【0018】また、第1、第2の強磁性導電体のいずれ
か一方の外側には、この外側に位置する第1の強磁性導
電体又は第2の強磁性導電体の磁化を一方向に揃え、固
定するための反強磁性体を備えるのが好ましく、より好
ましくは密接させるのがよい。この反強磁性体として
は、ペロブスカイト型マンガン酸化物を用いるのが好ま
しい。斯る反強磁性体としては、PrCaMnO3、L
aCaMnO3を用いてよい。
か一方の外側には、この外側に位置する第1の強磁性導
電体又は第2の強磁性導電体の磁化を一方向に揃え、固
定するための反強磁性体を備えるのが好ましく、より好
ましくは密接させるのがよい。この反強磁性体として
は、ペロブスカイト型マンガン酸化物を用いるのが好ま
しい。斯る反強磁性体としては、PrCaMnO3、L
aCaMnO3を用いてよい。
【0019】本発明の磁気抵抗効果型素子は、第1の強
磁性導電体と、非磁性導電体と、第2の強磁性導電体
と、をこの順序で備えるスピン素子であって、前記第
1、第2の強磁性導電体の少なくとも一方がフェルミ面
上でのスピン偏極が50%以上100%以下であること
を特徴とする。
磁性導電体と、非磁性導電体と、第2の強磁性導電体
と、をこの順序で備えるスピン素子であって、前記第
1、第2の強磁性導電体の少なくとも一方がフェルミ面
上でのスピン偏極が50%以上100%以下であること
を特徴とする。
【0020】本発明は、少なくとも一方の強磁性導電体
はフェルミ面上のスピン偏極が50%以上と大きいの
で、磁気抵抗効果が大幅に大きくなる。
はフェルミ面上のスピン偏極が50%以上と大きいの
で、磁気抵抗効果が大幅に大きくなる。
【0021】この結果、この磁気抵抗効果型素子をMR
ヘッドとして用いる場合、より高密度記録媒体の再生が
可能となる。また、この磁性体素子をスピントランジス
タとして用いる場合、利得の大幅な向上やメモリ機能の
信頼性の向上が可能となる。
ヘッドとして用いる場合、より高密度記録媒体の再生が
可能となる。また、この磁性体素子をスピントランジス
タとして用いる場合、利得の大幅な向上やメモリ機能の
信頼性の向上が可能となる。
【0022】更に、第1、第2の強磁性導電体の両方が
フェルミ面上でのスピン偏極が50%以上100%以下
であることが望ましい。
フェルミ面上でのスピン偏極が50%以上100%以下
であることが望ましい。
【0023】また、本発明の磁気抵抗効果型素子は、第
1、第2の強磁性導電体間に電流が流れるようにして抵
抗変化を検出するための電極を備えてもよい。
1、第2の強磁性導電体間に電流が流れるようにして抵
抗変化を検出するための電極を備えてもよい。
【0024】更に、本発明の磁気抵抗効果型素子をメモ
リ素子として使用する場合は、第1、第2の強磁性導電
体のうち、磁化が固定されていない方の磁化方向を変え
るために、外部磁場発生手段が準備され、この手段とし
てこの素子の近傍に導電線を備えるようにしてよい。
リ素子として使用する場合は、第1、第2の強磁性導電
体のうち、磁化が固定されていない方の磁化方向を変え
るために、外部磁場発生手段が準備され、この手段とし
てこの素子の近傍に導電線を備えるようにしてよい。
【0025】また、第1、第2の強磁性導電体の一方が
フェルミ面上でのスピン偏極が50%以上100%以下
である場合、電子注入側の強磁性導電体にスピン偏極が
50%以上100%以下であるものを、即ちスピン偏極
が大きいものを用いるのが伝導電子のスピンの偏極を大
きくできるので好ましい。
フェルミ面上でのスピン偏極が50%以上100%以下
である場合、電子注入側の強磁性導電体にスピン偏極が
50%以上100%以下であるものを、即ちスピン偏極
が大きいものを用いるのが伝導電子のスピンの偏極を大
きくできるので好ましい。
【0026】本発明の第1、第2の強磁性導電体には強
磁性金属を、非磁性導電体には非磁性金属を使える。
磁性金属を、非磁性導電体には非磁性金属を使える。
【0027】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態に係る磁気抵
抗効果を用いたメモリ素子としてのスピントランジスタ
について詳細に説明する。図1は本実施形態のスピント
ランジスタの概略模式構成図である。
抗効果を用いたメモリ素子としてのスピントランジスタ
について詳細に説明する。図1は本実施形態のスピント
ランジスタの概略模式構成図である。
【0028】図1中、1はSrTiO3基板、2は基板
1上に1部を露出した状態で形成された100Å厚のP
r1-xCaxMnO3(PrCaMnO3と略記する。:
0.3<x<0.5)からなる反強磁性導電体層、3は
反強磁性導電体層2上に形成されたは200〜500Å
厚のLa1-xSrxMnO3(LaSrMnO3と略記す
る。:0.16<x<0.5)からなる第1の強磁性導
電体層、4は第1の強磁性導電体層3の一部を露出して
この第1の強磁性導電体層3上に形成された100〜5
00Å厚のSrTiO3(Nbドープ、ドープ量:0.
01〜0.5wt%)からなる常磁性導電体層(非磁性
導電体層)、5は常磁性導電体層4上に形成された20
0〜500Å厚のLaSrMnO3からなる第2の強磁
性導電体層である。
1上に1部を露出した状態で形成された100Å厚のP
r1-xCaxMnO3(PrCaMnO3と略記する。:
0.3<x<0.5)からなる反強磁性導電体層、3は
反強磁性導電体層2上に形成されたは200〜500Å
厚のLa1-xSrxMnO3(LaSrMnO3と略記す
る。:0.16<x<0.5)からなる第1の強磁性導
電体層、4は第1の強磁性導電体層3の一部を露出して
この第1の強磁性導電体層3上に形成された100〜5
00Å厚のSrTiO3(Nbドープ、ドープ量:0.
01〜0.5wt%)からなる常磁性導電体層(非磁性
導電体層)、5は常磁性導電体層4上に形成された20
0〜500Å厚のLaSrMnO3からなる第2の強磁
性導電体層である。
【0029】6は前記露出した基板1上から前記露出し
た第1の強磁性導電体層3上に連なって形成された20
00Å厚の金からなる電極、7は第2の強磁性導電体層
5上に形成された2000Å厚の金からなる電極であ
る。この素子では、前記電極6とこれと対をなす前記電
極7とで電気抵抗変化を検出する。尚、本実施形態で
は、第1の強磁性導電体層3側の電極6を電子の注入側
とし、第2の強磁性導電体層5側の電極7を電子の出る
側となるように構成している。
た第1の強磁性導電体層3上に連なって形成された20
00Å厚の金からなる電極、7は第2の強磁性導電体層
5上に形成された2000Å厚の金からなる電極であ
る。この素子では、前記電極6とこれと対をなす前記電
極7とで電気抵抗変化を検出する。尚、本実施形態で
は、第1の強磁性導電体層3側の電極6を電子の注入側
とし、第2の強磁性導電体層5側の電極7を電子の出る
側となるように構成している。
【0030】8は前記電極6、常磁性導電体層4、第2
の強磁性導電体層5、電極7上を覆う1μm厚のレジス
トからなる絶縁層、9は絶縁層8上に形成された図1中
紙面の垂直方向に延在する1000Å厚の金からなる磁
場発生のための導電線である。
の強磁性導電体層5、電極7上を覆う1μm厚のレジス
トからなる絶縁層、9は絶縁層8上に形成された図1中
紙面の垂直方向に延在する1000Å厚の金からなる磁
場発生のための導電線である。
【0031】この磁気抵抗効果型素子であるスピントラ
ンジスタは、反強磁性導電体層2が第1の強磁性導電体
層3の磁化(スピン)方向を一方向に固定化するための
層である。よって、この反強磁性導電体層2の存在によ
り第1の強磁性導電体層3の磁化方向は一方向に強く固
定される。本実施形態の場合、第1の強磁性導電体層3
の磁化方向は導電線9の延在方向に垂直方向に固定され
ている。
ンジスタは、反強磁性導電体層2が第1の強磁性導電体
層3の磁化(スピン)方向を一方向に固定化するための
層である。よって、この反強磁性導電体層2の存在によ
り第1の強磁性導電体層3の磁化方向は一方向に強く固
定される。本実施形態の場合、第1の強磁性導電体層3
の磁化方向は導電線9の延在方向に垂直方向に固定され
ている。
【0032】一方、前記第2の強磁性導電体層5は、第
1の強磁性導電体層3に比べ磁化方向が外部磁場によっ
て変化しやくすく構成されている。
1の強磁性導電体層3に比べ磁化方向が外部磁場によっ
て変化しやくすく構成されている。
【0033】従って、前記導電線9に電流が印加される
ことによって、その周囲、具体的には第2の強磁性導電
体層5に及ぶ磁場が発生する。この磁場の方向は電流の
流れる方向を正逆にすることによって反転するので、導
電線9に電流の流れる方向を選択して印加することによ
り、第1の強磁性導電体層3の磁化方向と第2の強磁性
導電体層5の磁化方向を同方向及び逆方向のいずれか一
方になるように選択できる。
ことによって、その周囲、具体的には第2の強磁性導電
体層5に及ぶ磁場が発生する。この磁場の方向は電流の
流れる方向を正逆にすることによって反転するので、導
電線9に電流の流れる方向を選択して印加することによ
り、第1の強磁性導電体層3の磁化方向と第2の強磁性
導電体層5の磁化方向を同方向及び逆方向のいずれか一
方になるように選択できる。
【0034】第1の強磁性導電体層3の磁化方向と第2
の強磁性導電体層5の磁化方向が逆方向である場合、電
極6、7による電気抵抗は大きく検出され、第1の強磁
性導電体層3の磁化方向と第2の強磁性導電体層5の磁
化方向が同方向である場合、電極6、7による電気抵抗
は小さく検出される。
の強磁性導電体層5の磁化方向が逆方向である場合、電
極6、7による電気抵抗は大きく検出され、第1の強磁
性導電体層3の磁化方向と第2の強磁性導電体層5の磁
化方向が同方向である場合、電極6、7による電気抵抗
は小さく検出される。
【0035】即ち、例えば、第1の強磁性導電体層3の
磁化方向と第2の強磁性導電体層5の磁化方向が逆方向
の場合を「0」とし、前記磁化方向が同方向の場合を
「1」として、デジタル的なメモリ素子として用いられ
る。
磁化方向と第2の強磁性導電体層5の磁化方向が逆方向
の場合を「0」とし、前記磁化方向が同方向の場合を
「1」として、デジタル的なメモリ素子として用いられ
る。
【0036】斯る磁気抵抗効果型素子では、第1、第2
の強磁性導電体層3、5に用いられているペロブスカイ
ト型マンガン酸化物は、スピン偏極が70%程度と他の
強磁性導電体(例えば、パーマロイや鉄などのスピン偏
極は、せいぜい10%程度)に比べて遥かに大きい。
の強磁性導電体層3、5に用いられているペロブスカイ
ト型マンガン酸化物は、スピン偏極が70%程度と他の
強磁性導電体(例えば、パーマロイや鉄などのスピン偏
極は、せいぜい10%程度)に比べて遥かに大きい。
【0037】従って、このように第1、第2の強磁性導
電体層3、5では、電子のスピン偏極が大きいので、第
1、第2の強磁性導電体層3、5の中には伝導電子との
散乱に強く相関する磁化方向にスピン整列された電子が
多く存在する。しかも、第1の強磁性導電体層3から注
入される電子(即ち伝導電子)も第1の強磁性導電体層
3を経るので、伝導電子のスピンも第1の強磁性導電体
層3の磁化方向に整列されたものが多くなる。
電体層3、5では、電子のスピン偏極が大きいので、第
1、第2の強磁性導電体層3、5の中には伝導電子との
散乱に強く相関する磁化方向にスピン整列された電子が
多く存在する。しかも、第1の強磁性導電体層3から注
入される電子(即ち伝導電子)も第1の強磁性導電体層
3を経るので、伝導電子のスピンも第1の強磁性導電体
層3の磁化方向に整列されたものが多くなる。
【0038】そして、第1、第2の強磁性導電体層3、
5中の電子のスピン方向が平行の場合は、該スピン方向
と平行のスピンをもつ伝導電子との散乱断面積は小さ
く、第1、第2の強磁性導電体層3、5中の電子のスピ
ン方向が逆方向の場合は伝導電子との散乱断面積が大き
くなるので、従来に比べてスピン整列がなされるように
している本発明は、従来に比べ、第1の強磁性導電体層
3の磁化方向と第2の強磁性導電体層5の磁化方向が同
方向の場合には、抵抗がより小さく、逆方向の場合は抵
抗が大きくなる。この結果、メモリの信頼性が従来に比
べ向上する。
5中の電子のスピン方向が平行の場合は、該スピン方向
と平行のスピンをもつ伝導電子との散乱断面積は小さ
く、第1、第2の強磁性導電体層3、5中の電子のスピ
ン方向が逆方向の場合は伝導電子との散乱断面積が大き
くなるので、従来に比べてスピン整列がなされるように
している本発明は、従来に比べ、第1の強磁性導電体層
3の磁化方向と第2の強磁性導電体層5の磁化方向が同
方向の場合には、抵抗がより小さく、逆方向の場合は抵
抗が大きくなる。この結果、メモリの信頼性が従来に比
べ向上する。
【0039】しかも、基板1、常磁性導電体層4は第
1、第2の強磁性導電体層3、5と同様のペロブスカイ
ト型酸化物であり、反強磁性導電体層2は第1、第2の
強磁性導電体層3、5と同様のペロブスカイト型マンガ
ン酸化物で構成しているので、製造が容易で、素子に歪
み等を小さくでき、素子特性の低下を抑制できる。
1、第2の強磁性導電体層3、5と同様のペロブスカイ
ト型酸化物であり、反強磁性導電体層2は第1、第2の
強磁性導電体層3、5と同様のペロブスカイト型マンガ
ン酸化物で構成しているので、製造が容易で、素子に歪
み等を小さくでき、素子特性の低下を抑制できる。
【0040】上述の第1、第2の強磁性導電体層3、5
には上記LaSrMnO3に代えて、温度150Kより
小さい環境下でPr1-xCaxMnO3(0.13<x<
0.3)を用いてもよく、その他にNd0.5Sr0.5Mn
O3や(Nd0.06Sm0.94)0 .5Sr0.5MnO3など適宜
使用できる。
には上記LaSrMnO3に代えて、温度150Kより
小さい環境下でPr1-xCaxMnO3(0.13<x<
0.3)を用いてもよく、その他にNd0.5Sr0.5Mn
O3や(Nd0.06Sm0.94)0 .5Sr0.5MnO3など適宜
使用できる。
【0041】更に、非磁性導電体層4には、Nbドープ
に代えて同様のドープ量のLaドープのものを使用して
もよい。
に代えて同様のドープ量のLaドープのものを使用して
もよい。
【0042】また、反強磁性導電体層2にはLa0.5C
a0.5MnO3などを使用してもよい。上記第1、第2の
強磁性導電体層3、5の少なくとも一方をペロブスカイ
ト型マンガン酸化物で構成しても効果はあるが、本実施
形態のように両方ともペロブスカイト型マンガン酸化物
で構成した方がより効果がある。
a0.5MnO3などを使用してもよい。上記第1、第2の
強磁性導電体層3、5の少なくとも一方をペロブスカイ
ト型マンガン酸化物で構成しても効果はあるが、本実施
形態のように両方ともペロブスカイト型マンガン酸化物
で構成した方がより効果がある。
【0043】上述のように少なくとも一方にペロブスカ
イト型マンガン酸化物を用いる場合、電子注入側の強磁
性導電体層にペロブスカイト型マンガン酸化物を用いる
のが伝導電子のスピンの偏極が大きくなるので好まし
い。
イト型マンガン酸化物を用いる場合、電子注入側の強磁
性導電体層にペロブスカイト型マンガン酸化物を用いる
のが伝導電子のスピンの偏極が大きくなるので好まし
い。
【0044】また、上述の実施形態では、メモリ素子と
しての磁気抵抗効果型素子について説明したが、本発明
はMRヘッド等の他の機能をもつ素子にも適用できる。
しての磁気抵抗効果型素子について説明したが、本発明
はMRヘッド等の他の機能をもつ素子にも適用できる。
【0045】
【発明の効果】本発明は、大きな磁気抵抗効果を有する
磁気抵抗効果型素子を提供することができる。
磁気抵抗効果型素子を提供することができる。
【図1】本発明の一実施形態に係る磁気抵抗効果型素子
の概略模式構成図である。
の概略模式構成図である。
3 第1の強磁性導電体層 4 非磁性体層 5 第2の強磁性導電体層
Claims (3)
- 【請求項1】 第1の強磁性導電体と、非磁性導電体
と、第2の強磁性導電体と、をこの順序で備える磁気抵
抗効果型素子であって、前記第1、第2の強磁性導電体
の少なくとも一方がペロブスカイト型マンガン酸化物か
らなることを特徴とする磁気抵抗効果型素子。 - 【請求項2】 前記非磁性導電体は、ペロブスカイト型
酸化物からなることを特徴とする請求項1記載の磁気抵
抗効果型素子。 - 【請求項3】 第1の強磁性導電体と、非磁性導電体
と、第2の強磁性導電体と、をこの順序で備える磁気抵
抗効果型素子であって、前記第1、第2の強磁性導電体
の少なくとも一方がフェルミ面上でのスピン偏極が50
%以上100%以下であることを特徴とする磁気抵抗効
果型素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10145914A JPH11340542A (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 磁気抵抗効果型素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10145914A JPH11340542A (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 磁気抵抗効果型素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11340542A true JPH11340542A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15396004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10145914A Pending JPH11340542A (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 磁気抵抗効果型素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11340542A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002009126A3 (en) * | 2000-07-24 | 2002-06-27 | Motorola Inc | Spin valve structure |
WO2004086625A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Japan Science And Technology Agency | スピン依存伝達特性を有するトランジスタを用いた再構成可能な論理回路 |
-
1998
- 1998-05-27 JP JP10145914A patent/JPH11340542A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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WO2004086625A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Japan Science And Technology Agency | スピン依存伝達特性を有するトランジスタを用いた再構成可能な論理回路 |
CN1333528C (zh) * | 2003-03-26 | 2007-08-22 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 使用了具有自旋相关转移特性的晶体管的可再构成的逻辑电路 |
KR100789044B1 (ko) | 2003-03-26 | 2007-12-26 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 스핀 의존 전달 특성을 갖는 트랜지스터를 이용한 재구성가능한 논리 회로 |
US7545013B2 (en) | 2003-03-26 | 2009-06-09 | Japan Science And Technology Agency | Reconfigurable logic circuit using a transistor having spin-dependent transfer characteristics |
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