JPH11340060A - インバータトランス - Google Patents
インバータトランスInfo
- Publication number
- JPH11340060A JPH11340060A JP10158584A JP15858498A JPH11340060A JP H11340060 A JPH11340060 A JP H11340060A JP 10158584 A JP10158584 A JP 10158584A JP 15858498 A JP15858498 A JP 15858498A JP H11340060 A JPH11340060 A JP H11340060A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core
- bobbin
- inverter transformer
- secondary winding
- flat plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Coils Of Transformers For General Uses (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】磁束漏れの少ないインバータトランスの著しい
低背化が難しい。 【解決手段】 ベース部11及び巻軸12を有するボビン10
と、平板部51に突出部52が設けられた断面Ｔ字形のコア
50と、コア50に突き合わされて閉磁路を形成する断面Ｕ
字形のコア60と、巻軸12に巻回された二次巻線30と、二
次巻線30の外側に巻回された一次巻線40とを備える。コ
ア50の突出部52をボビンの巻軸12の孔の中に挿入し、一
次巻線40と二次巻線30をコア50の平板部51に直接対向さ
せる。
低背化が難しい。 【解決手段】 ベース部11及び巻軸12を有するボビン10
と、平板部51に突出部52が設けられた断面Ｔ字形のコア
50と、コア50に突き合わされて閉磁路を形成する断面Ｕ
字形のコア60と、巻軸12に巻回された二次巻線30と、二
次巻線30の外側に巻回された一次巻線40とを備える。コ
ア50の突出部52をボビンの巻軸12の孔の中に挿入し、一
次巻線40と二次巻線30をコア50の平板部51に直接対向さ
せる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置の背面を
照明する冷陰極線管等を点灯するためのＤＣ／ＡＣイン
バータに用いられるインバータトランスの構成に関する
ものである。
照明する冷陰極線管等を点灯するためのＤＣ／ＡＣイン
バータに用いられるインバータトランスの構成に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】インバータトランスはデジタル電子スチ
ルカメラや８ｍｍビデオカメラ等の携帯機器の狭いスペ
ースに取付けられるために薄型に構成する必要がある。
従来のインバータトランスとしては、まず図３に示すよ
うなものがある。端子１を植設した合成樹脂からなるベ
ース２の上に、二枚の鍔を有するドラム形の絶縁性の磁
性体からなるコア３が固定してある。コア３の円柱状の
巻軸３ａには二次巻線４を巻回し、その外側に一次巻線
５が巻回してある。そして、コア３を囲むようにしてリ
ング状のコア６が取付けてある。
ルカメラや８ｍｍビデオカメラ等の携帯機器の狭いスペ
ースに取付けられるために薄型に構成する必要がある。
従来のインバータトランスとしては、まず図３に示すよ
うなものがある。端子１を植設した合成樹脂からなるベ
ース２の上に、二枚の鍔を有するドラム形の絶縁性の磁
性体からなるコア３が固定してある。コア３の円柱状の
巻軸３ａには二次巻線４を巻回し、その外側に一次巻線
５が巻回してある。そして、コア３を囲むようにしてリ
ング状のコア６が取付けてある。
【０００３】また、図４に示すインバータトランスも知
られている。これは上鍔７ａと下鍔７ｂを有する合成樹
脂ボビン７の円筒形の巻軸７ｃに二次巻線４及び一次巻
線５を巻回したものである。互いに突き合わせた一対の
コア８、９が閉磁路を形成している。図には表れていな
いが、ボビン７には端子が植設されている。
られている。これは上鍔７ａと下鍔７ｂを有する合成樹
脂ボビン７の円筒形の巻軸７ｃに二次巻線４及び一次巻
線５を巻回したものである。互いに突き合わせた一対の
コア８、９が閉磁路を形成している。図には表れていな
いが、ボビン７には端子が植設されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前者のインバータトラ
ンスは絶縁性コア３の巻軸３ａに直接巻線しており低背
化しやすい閉磁路構造であるが、上部から磁束が漏れや
すい問題がある。一方、後者のインバータトランスは磁
束漏れの少ない閉磁路構造であるが、ボビン７を使用し
ているため低背化するのが難しい欠点がある。本発明は
磁束漏れが少なく、かつ低背化が可能なインバータトラ
ンスを提供することを目的とする。
ンスは絶縁性コア３の巻軸３ａに直接巻線しており低背
化しやすい閉磁路構造であるが、上部から磁束が漏れや
すい問題がある。一方、後者のインバータトランスは磁
束漏れの少ない閉磁路構造であるが、ボビン７を使用し
ているため低背化するのが難しい欠点がある。本発明は
磁束漏れが少なく、かつ低背化が可能なインバータトラ
ンスを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、対向する二側
面にそれぞれ端子を植設したベース部及びこのベース部
の中央から上方に突出した円筒形の巻軸を有する絶縁性
のボビンと、平板部の中央に下方への突出部を有しこの
突出部をボビンの巻軸の孔の中に挿入した断面Ｔ字形の
絶縁性の磁性体からなる第１のコアと、第１のコアに突
き合わされて閉磁路を形成する断面Ｕ字形の磁性体から
なる第２のコアと、ボビンの巻軸に巻回された二次巻線
と、二次巻線の外側に巻回された一次巻線とを備え、一
次巻線と二次巻線を第１のコアの平板部に直接対向させ
た構成を特徴とする。
面にそれぞれ端子を植設したベース部及びこのベース部
の中央から上方に突出した円筒形の巻軸を有する絶縁性
のボビンと、平板部の中央に下方への突出部を有しこの
突出部をボビンの巻軸の孔の中に挿入した断面Ｔ字形の
絶縁性の磁性体からなる第１のコアと、第１のコアに突
き合わされて閉磁路を形成する断面Ｕ字形の磁性体から
なる第２のコアと、ボビンの巻軸に巻回された二次巻線
と、二次巻線の外側に巻回された一次巻線とを備え、一
次巻線と二次巻線を第１のコアの平板部に直接対向させ
た構成を特徴とする。
【０００６】
【実施例】図１及び図２は本発明のインバータトランス
の一実施例を示している。合成樹脂からなるボビン10
は、図４に示したボビン７の上鍔７ａを省いた形に近い
もので、ベース部11の中央に上方に突出した円筒形の巻
軸12を一体に成形してある。ベース部11の対向する二側
面には、図２から明らかなように複数の端子20がそれぞ
れ植設してある。巻軸12には二次巻線30を巻回し、リー
ド線をベース部11の一方の側面に取付けた端子20に接続
してあり、二次巻線30の外側に巻回した一次巻線40のリ
ード線はベース部11の他方の側面に取付けた端子20に接
続してある。
の一実施例を示している。合成樹脂からなるボビン10
は、図４に示したボビン７の上鍔７ａを省いた形に近い
もので、ベース部11の中央に上方に突出した円筒形の巻
軸12を一体に成形してある。ベース部11の対向する二側
面には、図２から明らかなように複数の端子20がそれぞ
れ植設してある。巻軸12には二次巻線30を巻回し、リー
ド線をベース部11の一方の側面に取付けた端子20に接続
してあり、二次巻線30の外側に巻回した一次巻線40のリ
ード線はベース部11の他方の側面に取付けた端子20に接
続してある。
【０００７】50は平板部51の中央に下方への円柱状の突
出部52を有する断面がＴ字形のコアであり、60は平板部
61の両端に上方に延びた脚部62を有する断面Ｕ字形のコ
アである。コア50は絶縁性の高いＮｉ−Ｚｎ系フェライ
ト材料で形成してある。コア60はコア50と同じＮｉ−Ｚ
ｎ系フェライト材でもよいが、より飽和磁束密度を高め
るとともにコアロスを低減するためにはＭｎ−Ｚｎ系フ
ェライト材で形成するのが望ましい。
出部52を有する断面がＴ字形のコアであり、60は平板部
61の両端に上方に延びた脚部62を有する断面Ｕ字形のコ
アである。コア50は絶縁性の高いＮｉ−Ｚｎ系フェライ
ト材料で形成してある。コア60はコア50と同じＮｉ−Ｚ
ｎ系フェライト材でもよいが、より飽和磁束密度を高め
るとともにコアロスを低減するためにはＭｎ−Ｚｎ系フ
ェライト材で形成するのが望ましい。
【０００８】コア50は突出部52を円筒形の巻軸12の孔の
中に挿入するとともに、平板部51がコア60の脚部62に突
き合わされて閉磁路を形成している。一次巻線40と二次
巻線30の上面はコア50の平板部51に直接対向している。
中に挿入するとともに、平板部51がコア60の脚部62に突
き合わされて閉磁路を形成している。一次巻線40と二次
巻線30の上面はコア50の平板部51に直接対向している。
【０００９】二次巻線30及び一次巻線40を巻軸12に巻回
する方法としては、コア50とボビン10を合体させて巻溝
を形成させた後で巻線するか、あるいは予め巻き固めた
二次巻線30及び一次巻線40を巻軸12に挿入することによ
り行えばよい。
する方法としては、コア50とボビン10を合体させて巻溝
を形成させた後で巻線するか、あるいは予め巻き固めた
二次巻線30及び一次巻線40を巻軸12に挿入することによ
り行えばよい。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、磁束漏れの少ない閉磁
路構造なので効率が良く低ノイズであある上、一層の低
背化が可能なインバータトランスが得られる。試作した
ところ図４の従来構造では高さ３ｍｍが限界であったの
が２．５ｍｍと２０％近く低背化できた。ボビンの構造
がシンプルになるので製造が容易になりコストを低減で
きる効果もある。
路構造なので効率が良く低ノイズであある上、一層の低
背化が可能なインバータトランスが得られる。試作した
ところ図４の従来構造では高さ３ｍｍが限界であったの
が２．５ｍｍと２０％近く低背化できた。ボビンの構造
がシンプルになるので製造が容易になりコストを低減で
きる効果もある。
【図１】 本発明のインバータトランスの一実施例を示
す正面断面図
す正面断面図
【図２】 同トランスの側面図
【図３】 インバータトランスの従来例を示す正面断面
図
図
【図４】 別な従来例を示す正面断面図
10 ボビン 11 ベース部 12 巻軸 30 二次巻線 40 一次巻線 50 コア 52 突出部 60 コア
Claims (2)
- 【請求項１】 対向する二側面にそれぞれ端子を植設し
たベース部及び該ベース部の中央から上方に突出した円
筒形の巻軸を有する絶縁性のボビンと、平板部の中央に
下方への突出部を有し該突出部をボビンの巻軸の孔の中
に挿入した断面Ｔ字形の絶縁性の磁性体からなる第１の
コアと、第１のコアに突き合わされて閉磁路を形成する
断面Ｕ字形の磁性体からなる第２のコアと、ボビンの巻
軸に巻回された二次巻線と、該二次巻線の外側に巻回さ
れた一次巻線とを備え、一次巻線と二次巻線を第１のコ
アの平板部に直接対向させたことを特徴とするインバー
タトランス。 - 【請求項２】 第２のコアを導電性の磁性体で形成した
請求項１のインバータトランス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15858498A JP3469464B2 (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | インバータトランス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15858498A JP3469464B2 (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | インバータトランス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340060A true JPH11340060A (ja) | 1999-12-10 |
| JP3469464B2 JP3469464B2 (ja) | 2003-11-25 |
Family
ID=15674893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15858498A Expired - Fee Related JP3469464B2 (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | インバータトランス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3469464B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10840005B2 (en) | 2013-01-25 | 2020-11-17 | Vishay Dale Electronics, Llc | Low profile high current composite transformer |
| US10998124B2 (en) | 2016-05-06 | 2021-05-04 | Vishay Dale Electronics, Llc | Nested flat wound coils forming windings for transformers and inductors |
| US11049638B2 (en) | 2016-08-31 | 2021-06-29 | Vishay Dale Electronics, Llc | Inductor having high current coil with low direct current resistance |
| US11948724B2 (en) | 2021-06-18 | 2024-04-02 | Vishay Dale Electronics, Llc | Method for making a multi-thickness electro-magnetic device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105281152A (zh) * | 2014-06-20 | 2016-01-27 | 深圳中德世纪新能源有限公司 | 一种igbt并联母排 |
-
1998
- 1998-05-22 JP JP15858498A patent/JP3469464B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10840005B2 (en) | 2013-01-25 | 2020-11-17 | Vishay Dale Electronics, Llc | Low profile high current composite transformer |
| US10998124B2 (en) | 2016-05-06 | 2021-05-04 | Vishay Dale Electronics, Llc | Nested flat wound coils forming windings for transformers and inductors |
| US11049638B2 (en) | 2016-08-31 | 2021-06-29 | Vishay Dale Electronics, Llc | Inductor having high current coil with low direct current resistance |
| US11875926B2 (en) | 2016-08-31 | 2024-01-16 | Vishay Dale Electronics, Llc | Inductor having high current coil with low direct current resistance |
| US11948724B2 (en) | 2021-06-18 | 2024-04-02 | Vishay Dale Electronics, Llc | Method for making a multi-thickness electro-magnetic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3469464B2 (ja) | 2003-11-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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