JPH11330710A - 基板の位置決め方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板を正確に位置決めできる基板の位置決め
方法を提供する。 【解決手段】 位置決めマークを形成し（第１工程）、
層間樹脂絶縁層を形成し（第２工程）、無電解めっき銅
膜を形成する（第３工程）。引き続き、レジストフィル
ムを塗布し（第４工程）、マスクにハロゲン光を照射
し、位置決めマークを読み取りマスクの位置を合わせる
（第５工程）、コア基板にＸ線を照射し、位置決めマー
クを読み取り位置を合わせる（第６工程）。その後、露
光・現像してレジストを形成し（第７工程）、該レジス
トの非形成部に電解めっき銅膜を形成し（第８工程）、
レジスト及びレジスト下の無電解めっき銅膜を剥離する
（第９工程）。位置決めにＸ線を用いるので、無電解め
っき銅膜を透過して位置決めマークを読み取れるため、
正確にコア基板の位置合わせを行える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ビルトアップ多
層プリント配線板を形成するための基板の位置決め方法
に関し、更に詳細には、マスクに対してコア基板の位置
を決める方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在、多層プリント配線板の高密度化を
実現するために、コア基板に絶縁層と導体層とを交互に
ビルトアップして行く方法が採用されている。ここで、
該ビルトアップの方法としては、フルアディティブとセ
ミアディティブとの２種類がある。このセミアディティ
ブによる多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層上への導
体回路の製造工程について、図１２を参照して説明す
る。

【０００３】先ず、コア基板１５０の両面に、バイアホ
ールとなる開口１５８ａを有する絶縁層１５８を形成す
る（図１２（Ａ））。次に、該層間樹脂絶縁層１５８の
表面に均一に無電解めっき銅膜１６２を形成する（図１
２（Ｂ））。そして、無電解めっき銅膜１６２の上にレ
ジストを形成するためのレジストフィルム１６４αを接
着させた後、該レジストフィルム１６４αを露光するた
めのマスク１７０を載置する（図１２（Ｃ））。該マス
ク１６０には、導体回路を形成するためのパターン１７
０ｂと、位置決めマーク１７０ａとが形成されており、
図中に示す下方からハロゲンランプ等の光を透過させ、
コア基板１５０に形成された位置決めマーク１５６Ｃ
と、該マスク１７０の位置決めマーク１７０ａとを合わ
せることによりマスクを位置決めする。次に、該レジス
トフィルム１６４αを露光・現像することによりメッキ
用レジスト１６４を形成する（図１２（Ｄ））。そし
て、電解めっき液にコア基板１５０を浸漬し、該無電解
めっき銅膜１６２を介して通電することで、レジスト１
６４の非形成部に電解めっき銅膜１６６を析出させる
（図１２（Ｅ））。そして、該レジスト１６４を剥離
し、該レジスト１６４下の無電解めっき銅膜１６２をエ
ッチングにより剥膜することで導体回路１８０を形成す
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た製造工程においては、導体回路１７０を正確な位置に
形成することができなかった。この原因は、上述した図
１２（Ｃ）に示すマスク１７０をコア基板１５０の位置
決めマーク１５６Ｃに対して正確に位置決めできないこ
とにあった。即ち、上述したように該マスク１７０の位
置合わせは、下方からハロゲンランプ等の光を透過さ
せ、コア基板１５０に形成された位置決めマーク１５６
Ｃと、該マスク１７０の位置決めマーク１７０ａとを上
方に配置したＣＣＤカメラ１３８で撮像し、両位置決め
マーク１５６Ｃ、１７０ａのシルエットを合わせること
により行っている。しかし、セミアディティブでは、マ
スク１７０を載置しめっきレジスト１６４を形成する以
前に、無電解めっき銅膜１６２が形成されているため、
位置合わせを該無電解めっき銅膜１６２を透過させて行
わねばならず、両位置決めマーク１５６Ｃ、１７０ａの
シルエットを鮮明に撮影することは、ハロゲンランプ等
では不可能で、これが位置合わせの精度を低下させてい
た。

【０００５】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、コア基
板又は絶縁層をマスクに対して正確に位置決めできる基
板の位置決め方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１は、上記目的を
達成するため、ビルトアップ多層プリント配線板を形成
するための基板の位置決め方法であって、コア基板又は
絶縁層に位置決めマークを形成する工程と、前記コア基
板に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層に均一に金属
層を形成する工程と、前記絶縁層及び金属層の積層され
たコア基板にＸ線を照射し、前記位置決めマークを読み
取り該コア基板又は絶縁層の位置を合わせる工程と、を
備えることを技術的特徴とする。

【０００７】また、請求項２は、ビルトアップ多層プリ
ント配線板を形成するための基板の位置決め方法であっ
て、コア基板又は絶縁層に位置決めマークを形成する工
程と、前記コア基板に絶縁層を形成する工程と、前記絶
縁層に均一に金属層を形成する工程と、前記金属層の上
にレジストとなる樹脂を塗布する工程と、前記絶縁層及
び金属層の積層されたコア基板にＸ線を照射し、前記位
置決めマークを読み取り該コア基板又は絶縁層の位置を
合わせる工程と、を備えることを技術的特徴とする。

【０００８】請求項３は、ビルトアップ多層プリント配
線板を形成するための基板の位置決め方法であって、コ
ア基板又は絶縁層に位置決めマークを形成する工程と、
前記コア基板に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層に
均一に金属層を形成する工程と、マスクに可視光線を照
射し、位置決めマークを読み取り該マスクに位置を合わ
せる工程と、前記絶縁層及び金属層の積層されたコア基
板にＸ線を照射し、前記位置決めマークを読み取り該コ
ア基板又は絶縁層の位置を合わせる工程と、を備えるこ
とを技術的特徴とする。

【０００９】請求項４は、ビルトアップ多層プリント配
線板を形成するための基板の位置決め方法であって、コ
ア基板又は絶縁層に位置決めマークを形成する工程と、
前記コア基板に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層に
均一に金属層を形成する工程と、前記金属層の上にレジ
ストとなる樹脂を塗布する工程と、マスクに可視光線を
照射し、位置決めマークを読み取り該マスクに位置を合
わせる工程と、前記絶縁層及び金属層の積層されたコア
基板又は絶縁層にＸ線を照射し、前記位置決めマークを
読み取りコア基板の位置を合わせる工程と、を備えるこ
とを特徴とする。

【００１０】本発明の好適な態様においては、前記Ｘ線
として波長１０^-8〜１０^-10 m の軟Ｘ線を用いる。

【００１１】請求項１又は２では、ビルトアップ多層プ
リント配線板を形成する際に、位置決めマークを基準と
してコア基板又は絶縁層の位置合わせを行う。ここで、
絶縁層に金属層が形成されているが、位置決めにＸ線を
用いるので、該金属層を透過して位置決めマークを読み
取れる。このため、コア基板又は絶縁層の位置合わせを
正確に行える。なお、絶縁層上の位置決めマークは、金
属層と同時に形成することができる。

【００１２】請求項３又は４では、ビルトアップ多層プ
リント配線板を形成する際に、位置決めマークを基準と
してコア基板又は絶縁層の位置合わせを行う。ここで、
まず、マスクの位置決めマークを基準に該マスクの位置
合わせを行う。このため、マスクの位置を適切に合わせ
ることができる。次に、コア基板の位置合わせを行う
が、該コア基板には、絶縁層に金属層が形成されている
が、位置決めにＸ線を用いるので、該金属層を透過して
位置決めマークを読み取れる。このため、マスクに対し
てコア基板の位置合わせを正確に行える。なお、絶縁層
上の位置決めマークは、金属層と同時に形成することが
できる。

【００１３】本発明の好適な態様では、Ｘ線として波長
１０^-8〜１０^-10 m の軟Ｘ線を用いる。特に、管電圧が
４０〜５０ｋｖの軟Ｘ線が望ましい。これにより、もと
もとＸ線を容易に透過する樹脂層と、Ｘ線を透過しにく
い金属層との間のＸ線の透過の度合いに差を設けて、検
出像のコントラストを高めて、より高精度な位置決めが
可能になる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係る基
板の位置決め方法について図を参照して説明する。図１
は本発明の第１実施態様に係るマスクの位置決め装置の
構成を示している。該位置決め装置は、マスク７０を保
持し所定位置で固定する固定アーム１７と、コア基板５
０を載置して位置調整を行うテーブル装置２０とを備え
る。ここで、マスク７０の四隅には位置決めマーク７０
ａが、また、コア基板５０の四隅には位置決めマーク５
４Ｃが設けられている。このマスク７０の位置決めマー
ク７０ａを読みとるため、マスク７０の下方にはハロゲ
ン光源３０が配設され、また、上方には、撮像装置３２
が配設されている。一方、コア基板５０の位置決めマー
ク５４Ｃを読みとるため、コア基板５０の下方にはＸ線
発生器４０が配設され、上方には、Ｘ線撮像装置４２が
配設されている。該Ｘ線発生器４０とＸ線撮像装置４２
との保持機構を図３中に示す。Ｘ線撮像装置４２は、Ｘ
線検出器４２ＢとＣＣＤカメラ４２Ａから成り、図１中
には示さない支柱４６により、Ｘ線発生器４０に対して
固定されている。

【００１５】テーブル装置２０の構成について、図１を
参照して説明を続ける。テーブル装置２０は、Ｘステー
ジ２２Ｘ、Ｙステージ２２Ｙ、θステージ２２θにより
構成される。θステージ２２θは、図示しないモータに
よりＹステージ２２Ｘ及びＹステージ２２Ｙを矢印θに
沿って回転する。また、Ｙステージ２２Ｙは、モータ２
４ＹによりＸステージを載置した状態でＹ方向へ移動す
る。更に、Ｘステージ２２Ｘは、モータ２４ＸによりＸ
方向へ移動する。

【００１６】この位置決め装置の制御構成について、図
２を参照して説明する。制御装置１２は、位置制御部１
８を介してテーブル装置２０を制御すると共に、固定装
置１６を介してマスク７０を保持した固定アーム１７
（図１参照）を制御する。更に、該制御部１２は、ハロ
ゲン光源３０を制御してハロゲン光（可視光線）をマス
ク７０側へ照射し、該マスク７０の位置決めマーク７０
ａを撮像装置３２にて撮像し、画像処理部１４にて画像
処理されたデータを読み込み、固定アーム１７を調整す
ることで、マスク７０を基準位置で固定する。このマス
ク７０を固定した状態で、該制御部１２は、Ｘ線発生器
４０を制御してＸ線をコア基板５０側に照射し、該コア
基板５０を透過して位置決めマーク５４Ｃ（図１参照）
をＸ線撮像装置４２にて撮影し、画像処理部１４にて画
像処理されたデータを読み込み、テーブル装置２０の上
記Ｘステージ２２Ｘ、Ｙステージ２２Ｙ、θステージ２
２θを調整することで、コア基板５０との位置合わせ、
即ち、基準位置に固定されたマスク７０に対してコア基
板５０との位置合わせを行う。その後、露光装置４８に
よりコア基板５０を露光する。

【００１７】次に、該位置決め装置を用いるビルトアッ
プ多層プリント配線板の製造工程について図６を参照し
て説明する。先ず、コア基板又は層間樹脂絶縁層に位置
決めマークを形成する（第１工程）。次に、コア基板に
層間樹脂絶縁層（絶縁層）を形成する（第２工程）。そ
して、層間樹脂絶縁層に均一に無電解めっき銅膜（金属
層）を形成する（第３工程）。引き続き、無電解めっき
銅膜の上にレジストとなるレジストフィルム（樹脂）を
塗布する（第４工程）。そして、ハロゲン光をマスク７
０側へ照射し、該マスク７０の位置決めマーク７０ａを
読み込み、マスク７０を基準位置へ固定する（第５工
程）。次に、コア基板にＸ線を照射し、位置決めマーク
を読み取りマスクの位置を合わせる（第６工程）。その
後、該マスクを介してレジストフィルムを露光・現像し
てレジストを形成する（第７工程）。更に、該レジスト
の非形成部に電解めっき銅膜を形成し（第８工程）、レ
ジスト及びレジスト下の無電解めっき銅膜を剥離するこ
とで導体回路を形成する（第９工程）。

【００１８】引き続き、図４及び図５を参照して上述し
た各工程について具体的に説明する。まず、位置決めマ
ーク５６Ａ、５６Ｂ、５６Ｃ、５６Ｄを配設したコア基
板５０を製造する（第１工程：図４（Ａ））。このコア
基板５０は、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させたプ
リプレグを積層して成り、スルーホール５２と共に表面
に導体回路５４が形成されている。位置決めマーク５６
Ａ、５６Ｂ、５６Ｃ、５６Ｄは、コア基板５０の端部
（図１中のコア基板の四隅）に導体回路５４と共にエッ
チングにより２５±５μｍの厚さで形成されている。

【００１９】図４（Ａ）に示すコア基板５０の両面に、
層間樹脂絶縁層となる樹脂５８αを塗布する（図４
（Ｂ））。次に、図１及び図２を参照して上述した位置
決め装置を用いて、バイアホール形成用のマスク６０を
位置決めし、露光する。マスク６０には、バイアホール
形成位置に所定径の黒丸６０ｂが、また、四隅には位置
決めマーク６０ａが形成されており、該位置決めマーク
６０ａをコア基板上の位置決めマーク５６Ａに位置合わ
せすることにより、位置決めを行う。同様に、裏面側
は、位置決めマーク５６Ｂに位置合わせして、マスクを
載置し露光する。

【００２０】次に、マスク６０の黒丸６０ｂに対応する
非露光・即ち、未硬化の部位を溶剤にて溶解すること
で、バイアホール用の開口部５８ａを設けた層間樹脂絶
縁層５８を形成する（第２工程：図４（Ｄ））。そし
て、コア基板５０を無電解めっき溶液に浸漬すること
で、層間樹脂絶縁層５０の表面に２μｍの厚さの無電解
めっき銅膜６２を析出させる（第３工程：図４
（Ｅ））。その後、該無電解めっき銅膜６２の表面に、
めっき用レジストを形成するためのレジストフィルム６
４αを貼り付ける（第４工程）。ここでは、レジストフ
ィルムを用いているが、レジストを構成できる樹脂を塗
布することも可能である。

【００２１】引き続き、該レジストフィルムを露光する
ためのマスク７０を位置決め固定する（第５工程）。該
マスク７０には、導体回路を形成するためのパターン形
成部７０ｂと共に位置決めマーク７０ａが形成されてい
る。

【００２２】そして、該コア基板５０の位置を調整する
ことで、該コア基板５０をマスク７０に対して位置決め
する（第６工程：図５（Ｇ））。

【００２３】この位置決めについて、再び図１及び図２
を参照して詳細に説明する。位置決め装置１０の制御装
置１２は、ハロゲン光源３０を制御してハロゲン光（可
視光線）をマスク７０側へ照射し、該マスク７０の位置
決めマーク７０ａを撮像装置３２にて撮像し、画像処理
部１４にて画像処理されたデータを読み込む。図１中に
示すコア基板の四隅に配設された各位置決めマーク７０
ａに対して撮像したデータに基づき、制御部１２は、固
定アーム１７を調整し、所定の基準位置に合うようにマ
スク７０を固定する。

【００２４】次に、制御部１２は、Ｘ線発生器４０を制
御してＸ線をコア基板５０側に照射し、該コア基板５０
を透過して位置決めマーク５４ＣをＸ線撮像装置４２に
て撮影する。当該画像が、画像処理部１４にて画像処理
され、制御部１２へ入力される。図１中に示すコア基板
の四隅に配設された各位置決めマーク５４Ｃに対して撮
像したデータに基づき、基準位置に位置決めされたマス
ク６０に対してコア基板５０の位置が合うように、制御
部１２は、位置制御部１８を介してテーブル装置２０の
上記Ｘステージ２２Ｘ、Ｙステージ２２Ｙ、θステージ
２２θを調整する。この位置合わせ後、テーブル装置２
０を上昇させ、マスク７０とコア基板５０とを近接させ
る。

【００２５】第１実施形態の位置決め装置１０において
は、Ｘ線発生器４０からのＸ線をコア基板５０側へ照射
し、該コア基板５０を透過して位置決めマーク５４Ｃを
Ｘ線撮像装置４２にて撮影するため、図５（Ｇ）中に示
すようにコア基板５０の表面に均一に配設された厚さ２
μｍの無電解めっき銅層６２を透過して、厚さ２５±５
μｍの銅層からなる位置決めマーク５４Ｃを鮮明に撮像
することができる。更に、Ｘ線によりゴミ、或いは、パ
ターンのバリ等も該無電解めっき銅層６２と同様に透過
されるため、位置決めマーク５４Ｃを鮮明に撮像するこ
とが可能となる。なおここで、マスク７０側の位置決め
マーク５４Ｃとしては、２０μｍ以上の銅層を用いるこ
とも、また、Ｘ線を透過させ難い他の鉛等の金属、或い
は、鉛等の金属を含む樹脂塗料を用いることもできる。

【００２６】第１実施形態では、Ｘ線発生器４０により
発生されるＸ線として波長１０^-8〜１０^-10 m の軟Ｘ線
を用いることが好適である。特に、管電圧が４０〜５０
ｋｖの軟Ｘ線が望ましい。これにより、もともとＸ線を
容易に透過する樹脂層と、Ｘ線を透過しにくい無電解め
っき銅膜６２との間のＸ線の透過の度合いに差を設け
て、検出像のコントラストを高めて、より高精度な位置
決めが可能になる。更に、該波長は、人体に対する影響
が更に波長の短い硬Ｘ線よりも少なく、扱い易い利点が
あるからである。

【００２７】上述したマスク７０を位置合わせした後、
露光し、レジストフィルム６４αに対してマスク７０上
のパターン形成部７０ａ以外の部位を硬化させる。同様
に、コア基板５０の裏面側について、位置決めマーク５
６Ｄに位置合わせすることで、マスクを載置し、下面側
のレジストフィルム６４αを露光する。

【００２８】引き続き、溶剤により該レジストフィルム
６４αの非露光・未硬化部分を溶解して、図５（Ｈ）に
示すようにメッキ形成部分に開口６４ａを設けたレジス
ト６４を形成する（第７工程）。そして、該コア基板５
０を電解めっき用の溶液に浸漬し、無電解めっき銅膜６
２を介して電流を流すことで、レジスト６４の非形成部
分（開口部分）６４ａに電解めっき銅膜６６を形成する
（第８工程：図５（Ｉ））。最後に、該レジスト６４を
溶剤により剥離すると共に、レジスト下の無電解めっき
銅膜６２をエッチングにより剥膜することにより、図５
（Ｊ）に示すように、無電解めっき銅膜６２及び電解め
っき銅膜６６からなるバイアホール８２、位置決めマー
ク５６Ｅ、５６Ｆ及び導体回路８０を形成する（第９工
程、第１工程）。そして、図４（Ｂ）〜図５（Ｊ）の工
程を繰り返すことにより、更に、図５（Ｋ）に示すよう
に層間樹脂絶縁層２５８を形成した後、バイアホール２
８２及び導体回路２８０を積層する。なお、該バイアホ
ール２８２及び導体回路２８０を形成する際には、層間
樹脂絶縁層５８上に形成された位置決めマーク５６Ｅ、
５６Ｆ（図５（Ｊ）参照）をＸ線で読み出し、該層間樹
脂絶縁層５８に対する位置決めを行う。

【００２９】第１実施形態によれば、電解めっきを行う
ためのレジストを形成するマスク７０を正確に位置合わ
せすることができるため、導体回路８０を正しい位置に
正確に形成することが可能となる。このため、セミアデ
ティブにより層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積層
して多層プリント配線板を製造する際に、層間樹脂絶縁
層を介在させて上下層の導体回路を適切に接続できるた
め、歩留まりを高めることが可能となる。

【００３０】なお、上述した多層プリント配線板の製造
工程において、下層に無電解めっき銅膜を形成する以前
の図４（Ｃ）に示すマスク６０の位置合わせの工程にお
いて、Ｘ線を用いる第１実施形態の位置決め装置を用い
て、マスク６０とコア基板５０との位置合わせを行っ
た。しかし、ここでの位置合わせは、従来技術の位置合
わせ装置を用いることも可能である。

【００３１】引き続き、本発明の第２実施形態について
説明する。図１を参照して上述した第１実施形態におい
ては、位置決め装置が、ハロゲン光でマスク７０の位置
決めマーク７０ａを撮像し、Ｘ線でコア基板５０の位置
決めマーク５０Ｃを撮像した。これに対し、第２実施形
態の位置決め装置は、Ｘ線でコア基板の位置決めマーク
と共にマスク７０の位置決めマーク７０ａも同時に撮像
する。

【００３２】図７は本発明の第２実施態様に係るマスク
の位置決め装置の構成を示している。該位置決め装置
は、マスク７０を保持し所定位置で固定する固定アーム
１７と、コア基板５０を載置して位置調整を行うテーブ
ル装置２０とを備える。ここで、マスク７０の四隅には
位置決めマーク７０ａが、また、コア基板５０の四隅に
は位置決めマーク５４Ｃが設けられており、両位置決め
マークが適合するように位置決めがなされる。この位置
決めマーク７０ａ、５４Ｃを読みとるため、コア基板５
０の下方にはＸ線発生器４０が配設され、また、上方に
は、Ｘ線撮像装置４２が配設されている。なお、テーブ
ル装置２０の構成については、図１を参照して上述した
第１実施形態と同様であるため説明を省略する。

【００３３】この位置決め装置の制御構成について、図
８を参照して説明する。制御装置１２は、位置制御部１
８を介してテーブル装置２０を制御すると共に、固定装
置１６を介してマスク７０を保持した固定アーム１７
（図７参照）を制御する。更に、該制御部１２は、Ｘ線
発生器４０を制御してＸ線をコア基板５０側に照射し、
該コア基板５０を透過して位置決めマーク５４Ｃ、７０
ａ（図７参照）をＸ線撮像装置４２にて撮影し、画像処
理部１４にて画像処理されたデータを読み込み、テーブ
ル装置２０の上記Ｘステージ２２Ｘ、Ｙステージ２２
Ｙ、θステージ２２θを調整することで、マスク７０と
コア基板５０との位置合わせを行う。その後、露光装置
４８によりコア基板５０を露光する。

【００３４】次に、該位置決め装置を用いるビルトアッ
プ多層プリント配線板の製造工程について図１１を参照
して説明する。先ず、コア基板又は層間樹脂絶縁層に位
置決めマークを形成する（第１工程）。次に、コア基板
に層間樹脂絶縁層（絶縁層）を形成する（第２工程）。
そして、層間樹脂絶縁層に均一に無電解めっき銅膜（金
属層）を形成する（第３工程）。引き続き、無電解めっ
き銅膜の上にレジストとなるレジストフィルム（樹脂）
を塗布する（第４工程）。そして、コア基板にＸ線を照
射し、位置決めマークを読み取りマスクの位置を合わせ
る（第５工程）。その後、該マスクを介してレジストフ
ィルムを露光・現像してレジストを形成する（第７工
程）。更に、該レジストの非形成部に電解めっき銅膜を
形成し（第８工程）、レジスト及びレジスト下の無電解
めっき銅膜を剥離することで導体回路を形成する（第９
工程）。

【００３５】引き続き、図９及び図１０を参照して上述
した各工程について具体的に説明する。なお、上述した
第１〜第４工程までは、図４を参照して上述した第１実
施形態と同様であるため、説明を省略する。図４（Ｆ）
に示すように無電解めっき銅膜６２の表面に、めっき用
レジストを形成するためのレジストフィルム６４αを貼
り付けた後（第４工程）、引き続き、該レジストフィル
ムを露光するためのマスク７０を位置決めする（第５工
程：図９（Ｇ））。該マスク７０には、導体回路を形成
するためのパターン形成部７０ｂと共に位置決めマーク
７０ａが形成されている。ここでは、図７及び図８を参
照して上述した位置決め装置を用いて、バイアホール形
成用のマスク６０を位置決めする。

【００３６】この位置決めについて、再び図７及び図８
を参照して詳細に説明する。位置決め装置１０の制御装
置１２は、固定装置１６を介して固定アーム１７を制御
し、コア基板５０の上方の所定基準位置にマスク７０を
固定する。次に、該制御部１２は、Ｘ線発生器４０を制
御してＸ線をコア基板５０側に照射し、該コア基板５０
を透過して位置決めマーク５４Ｃ及びマスク７０の位置
決めマーク７０ａをＸ線撮像装置４２にて撮影する。こ
の撮像された位置決めマーク５４Ｃ、７０ａを図９に示
す。当該画像が、画像処理部１４にて画像処理され、制
御部１２へ入力される。図７中に示すコア基板の四隅に
配設された各位置決めマーク５４Ｃに対して撮像したデ
ータに基づき、マスク６０に対してコア基板５０の位置
が合うように、制御部１２は、位置制御部１８を介して
テーブル装置２０の上記Ｘステージ２２Ｘ、Ｙステージ
２２Ｙ、θステージ２２θを調整する。

【００３７】第１実施形態の位置決め装置１０において
は、Ｘ線発生器４０からのＸ線をコア基板５０側へ照射
し、該コア基板５０を透過して位置決めマーク５４Ｃ及
びマスク７０の位置決めマーク７０ａをＸ線撮像装置４
２にて撮影するため、図８（Ｇ）中に示すようにコア基
板５０の表面に均一に配設された厚さ２μｍの無電解め
っき銅層６２を透過して、厚さ２５±５μｍの銅層から
なる位置決めマーク５４Ｃを鮮明に撮像することができ
る。更に、Ｘ線によりゴミ、或いは、パターンのバリ等
も該無電解めっき銅層６２と同様に透過されるため、位
置決めマーク５４Ｃを鮮明に撮像することが可能とな
る。なおここで、マスク７０側の位置決めマーク５４Ｃ
としては、２０μｍ以上の銅層を用いることも、また、
Ｘ線を透過させ難い他の鉛等の金属、或いは、鉛等の金
属を含む樹脂塗料を用いることもできる。

【００３８】第２実施形態では、Ｘ線発生器４０により
発生されるＸ線として波長１０^-8〜１０^-10 m の軟Ｘ線
を用いることが好適である。特に、管電圧が４０〜５０
ｋｖの軟Ｘ線が望ましい。これにより、もともとＸ線を
容易に透過する樹脂層と、Ｘ線を透過しにくい無電解め
っき銅膜６２との間のＸ線の透過の度合いに差を設け
て、検出像のコントラストを高めて、より高精度な位置
決めが可能になる。更に、該波長は、人体に対する影響
が更に波長の短い硬Ｘ線よりも少なく、扱い易い利点が
あるからである。

【００３９】上述したマスク７０を位置合わせした後、
露光し、レジストフィルム６４αに対してマスク７０上
のパターン形成部７０ａ以外の部位を硬化させる。同様
に、コア基板５０の裏面側について、位置決めマーク５
６Ｄに位置合わせすることで、マスクを載置し、下面側
のレジストフィルム６４αを露光する。

【００４０】引き続き、溶剤により該レジストフィルム
６４αの非露光・未硬化部分を溶解して、図９（Ｈ）に
示すようにメッキ形成部分に開口６４ａを設けたレジス
ト６４を形成する（第７工程）。そして、該コア基板５
０を電解めっき用の溶液に浸漬し、無電解めっき銅膜６
２を介して電流を流すことで、レジスト６４の非形成部
分（開口部分）６４ａに電解めっき銅膜６６を形成する
（第８工程：図７（Ｉ））。最後に、該レジスト６４を
溶剤により剥離すると共に、レジスト下の無電解めっき
銅膜６２をエッチングにより剥膜することにより、図８
（Ｊ）に示すように、無電解めっき銅膜６２及び電解め
っき銅膜６６からなるバイアホール８２及び導体回路８
０を形成する（第９工程）。そして、上述した工程を繰
り返すことにより、更に、図５（Ｋ）を参照して上述し
た第１実施形態と同様に層間樹脂絶縁層及び導体回路を
積層して行く。

【００４１】第２実施形態によれば、電解めっきを行う
ためのレジストを形成するマスク７０を正確に位置合わ
せすることができるため、導体回路８０を正しい位置に
正確に形成することが可能となる。このため、セミアデ
ティブにより層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積層
して多層プリント配線板を製造する際に、層間樹脂絶縁
層を介在させて上下層の導体回路を適切に接続できるた
め、歩留まりを高めることが可能となる。

【００４２】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、絶縁層に
金属層が形成された多層プリント配線板の位置決めマー
クを基準として位置合わせを行う際に、位置決めにＸ線
を用いるため、該金属層を透過して位置決めマークを読
み取れるため、正確にコア基板の位置をマスクに対して
合わせれる。このため、正しい位置に導体回路を形成す
ることが可能となり、多層プリント配線板の歩留まりを
高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係る位置決め装置の斜
視図である。

【図２】図１に示す位置決め装置の制御構成を表すブロ
ック図である。

【図３】図１中のＸ線発生器及びＸ線撮像装置を示す側
面図である。

【図４】図４（Ａ）、図４（Ｂ）、図４（Ｃ）、図４
（Ｄ）、図４（Ｅ）、図４（Ｆ）は、第１実施形態に係
る位置決め装置を用いる多層プリント配線板の製造工程
を示す工程図である。

【図５】図５（Ｇ）、図５（Ｈ）、図５（Ｉ）、図５
（Ｊ）、図５（Ｋ）は、第１実施形態に係る位置決め装
置を用いる多層プリント配線板の製造工程を示す工程図
である。

【図６】第１実施形態に係る多層プリント配線板の工程
表である。

【図７】本発明の第２実施形態に係る位置決め装置の斜
視図である。

【図８】図７に示す位置決め装置の制御構成を表すブロ
ック図である。

【図９】図９（Ｇ）、図９（Ｈ）、図９（Ｉ）、図９
（Ｊ）は、第２実施形態に係る位置決め装置を用いる多
層プリント配線板の製造工程を示す工程図である。

【図１０】撮像された位置決めマークの説明図である。

【図１１】第２実施形態に係る多層プリント配線板の工
程表である。

【図１２】図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）、図１２
（Ｃ）、図１２（Ｄ）、図１２（Ｅ）、図１２（Ｆ）
は、従来技術に係る多層プリント配線板の製造工程を示
す工程図である。

【符号の説明】

１０ 位置決め装置 １２ 制御部 １４ 画像処理部 １６ 固定装置 １８ 位置制御部 ２０ テーブル装置 ４０ Ｘ線発生器 ４２ Ｘ線撮像器 ５０ コア基板 ５６Ａ、５６Ｂ、５６Ｃ、５６Ｄ、５６Ｅ、５６Ｆ 位
置決めマーク ５８ 層間樹脂絶縁層（絶縁層） ６２ 無電解めっき銅膜（金属膜） ６４α レジスト用フィルム（樹脂） ６４ レジスト ７０ マスク ７０ａ 位置決めマーク ８０ 導体回路

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ビルトアップ多層プリント配線板を形成
   するための基板の位置決め方法であって、 コア基板又は絶縁層に位置決めマークを形成する工程
   と、 前記コア基板に絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層に均一に金属層を形成する工程と、 前記絶縁層及び金属層の積層されたコア基板にＸ線を照
   射し、前記位置決めマークを読み取りコア基板又は絶縁
   層の位置を合わせる工程と、を備えることを特徴とする
   基板の位置決め方法。
2. 【請求項２】 ビルトアップ多層プリント配線板を形成
   するための基板の位置決め方法であって、 コア基板又は絶縁層に位置決めマークを形成する工程
   と、 前記コア基板に絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層に均一に金属層を形成する工程と、 前記金属層の上にレジストとなる樹脂を塗布する工程
   と、 前記絶縁層及び金属層の積層されたコア基板にＸ線を照
   射し、前記位置決めマークを読み取りコア基板又は絶縁
   層の位置を合わせる工程と、を備えることを特徴とする
   基板の位置決め方法。
3. 【請求項３】 ビルトアップ多層プリント配線板を形成
   するための基板の位置決め方法であって、 コア基板又は絶縁層に位置決めマークを形成する工程
   と、 前記コア基板に絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層に均一に金属層を形成する工程と、 マスクに可視光線を照射し、位置決めマークを読み取り
   該マスクに位置を合わせる工程と、前記絶縁層及び金属
   層の積層されたコア基板にＸ線を照射し、前記位置決め
   マークを読み取り該コア基板又は絶縁層の位置を合わせ
   る工程と、を備えることを特徴とする基板の位置決め方
   法。
4. 【請求項４】 ビルトアップ多層プリント配線板を形成
   するための基板の位置決め方法であって、 コア基板又は絶縁層に位置決めマークを形成する工程
   と、 前記コア基板に絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層に均一に金属層を形成する工程と、 前記金属層の上にレジストとなる樹脂を塗布する工程
   と、 マスクに可視光線を照射し、位置決めマークを読み取り
   該マスクに位置を合わせる工程と、 前記絶縁層及び金属層の積層されたコア基板にＸ線を照
   射し、前記位置決めマークを読み取りコア基板又は絶縁
   層の位置を合わせる工程と、を備えることを特徴とする
   基板の位置決め方法。
5. 【請求項５】 前記Ｘ線として波長１０^-8〜１０^-10 m
   の軟Ｘ線を用いることを特徴とする請求項１〜４のいず
   れかに記載の基板の位置決め方法。