JPH11330558A - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents
窒化物半導体発光素子Info
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- JPH11330558A JPH11330558A JP13346598A JP13346598A JPH11330558A JP H11330558 A JPH11330558 A JP H11330558A JP 13346598 A JP13346598 A JP 13346598A JP 13346598 A JP13346598 A JP 13346598A JP H11330558 A JPH11330558 A JP H11330558A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光特性の良好な窒化物半導体発光素子を提
供する。 【構成】 ｐ層の略全面に形成された透光性のオーミッ
ク層７Ａと、酸化物からなる保護膜１２との間に、酸化
防止層７Ｂを備えている。
供する。 【構成】 ｐ層の略全面に形成された透光性のオーミッ
ク層７Ａと、酸化物からなる保護膜１２との間に、酸化
防止層７Ｂを備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化物半導体（Ｉ
ｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ，０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１）が積
層されてなる、発光ダイオード、レーザダイオード等の
発光素子に係る。
ｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ，０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１）が積
層されてなる、発光ダイオード、レーザダイオード等の
発光素子に係る。
【０００２】
【従来の技術】現在、窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ
1-X-YＮ，０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１）を用いた青色ＬＥ
Ｄ、緑色ＬＥＤ等の発光素子が実用化されている。
1-X-YＮ，０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１）を用いた青色ＬＥ
Ｄ、緑色ＬＥＤ等の発光素子が実用化されている。
【０００３】斯かる窒化物半導体発光素子としては、ｐ
側電極とｎ側電極とを同一面側に有し、且つｐ側電極を
ｐ層上の略全面に形成した透光性の電極とすると共に、
この透光性のｐ側電極を介して発光を外部に取出すよう
にした構造が知られている（例えば、特開平７−９４７
８３号）。
側電極とｎ側電極とを同一面側に有し、且つｐ側電極を
ｐ層上の略全面に形成した透光性の電極とすると共に、
この透光性のｐ側電極を介して発光を外部に取出すよう
にした構造が知られている（例えば、特開平７−９４７
８３号）。
【０００４】図４は斯かる従来の窒化物半導体発光素子
の素子構造断面図であり、１は例えばサファイアなどの
透光性を有する基板、２はＧａＮよりなる膜厚２００Å
の中間層、３はＳｉドープｎ型ＧａＮよりなる膜厚４μ
ｍのｎ型コンタクト層である。また、このｎ型コンタク
ト層３上には、ノンドープＩｎＧａＮよりなる単一量子
井戸構造の活性層４（膜厚３０Å）、Ｍｇドープｐ型Ａ
ｌＧａＮよりなるｐ型クラッド層５が積層され、そして
これらｎ型コンタクト層３、活性層４及びｐ型クラッド
層５によりダブルヘテロ構造とされている。
の素子構造断面図であり、１は例えばサファイアなどの
透光性を有する基板、２はＧａＮよりなる膜厚２００Å
の中間層、３はＳｉドープｎ型ＧａＮよりなる膜厚４μ
ｍのｎ型コンタクト層である。また、このｎ型コンタク
ト層３上には、ノンドープＩｎＧａＮよりなる単一量子
井戸構造の活性層４（膜厚３０Å）、Ｍｇドープｐ型Ａ
ｌＧａＮよりなるｐ型クラッド層５が積層され、そして
これらｎ型コンタクト層３、活性層４及びｐ型クラッド
層５によりダブルヘテロ構造とされている。
【０００５】さらに、６はＭｇドープｐ型ＧａＮよりな
るｐ型コンタクト層、７は該ｐ型コンタクト層６上の略
全面に形成された透光性を有するｐ側電極、８はボンデ
イング用のパッド電極であり、このパッド電極８にボン
ディングワイヤ９が接続されている。
るｐ型コンタクト層、７は該ｐ型コンタクト層６上の略
全面に形成された透光性を有するｐ側電極、８はボンデ
イング用のパッド電極であり、このパッド電極８にボン
ディングワイヤ９が接続されている。
【０００６】また、１０はｎ型コンタクト層３上に設け
られたｎ側電極であり、このｎ側電極１０にもボンディ
ングワイヤ１１が接続されている。
られたｎ側電極であり、このｎ側電極１０にもボンディ
ングワイヤ１１が接続されている。
【０００７】さらに、１２はｐ側電極７に製造工程中に
傷が入ることを防止するための、或いはｐ側及びｎ側電
極７，１０間の短絡を防止するための保護膜であり、ｐ
側電極７上からｎ側電極１０上にまで連なって設けられ
ている。斯かる保護膜１２は、例えばＳｉＯ2，Ｔｉ
Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｓｉ3Ｎ4等の透光性且つ絶縁性を有す
る材料から構成されている。
傷が入ることを防止するための、或いはｐ側及びｎ側電
極７，１０間の短絡を防止するための保護膜であり、ｐ
側電極７上からｎ側電極１０上にまで連なって設けられ
ている。斯かる保護膜１２は、例えばＳｉＯ2，Ｔｉ
Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｓｉ3Ｎ4等の透光性且つ絶縁性を有す
る材料から構成されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
窒化物半導体素子におけるｐ側電極としては従来Ｎｉが
知られている（例えば特開平５−２９１６２１号）。ま
た、本発明者等は、Ｎｉの代わりにＰｄを用いた電極を
用いた発光素子を既に出願している（特願平９−５３４
７７号）。即ち、Ｐｄを用いたｐ側電極によれば、Ｎｉ
を用いたｐ側電極に比べｐ型コンタクト層との間で良好
なオーミック特性と強固な付着力とを同時に満たすこと
ができる。
窒化物半導体素子におけるｐ側電極としては従来Ｎｉが
知られている（例えば特開平５−２９１６２１号）。ま
た、本発明者等は、Ｎｉの代わりにＰｄを用いた電極を
用いた発光素子を既に出願している（特願平９−５３４
７７号）。即ち、Ｐｄを用いたｐ側電極によれば、Ｎｉ
を用いたｐ側電極に比べｐ型コンタクト層との間で良好
なオーミック特性と強固な付着力とを同時に満たすこと
ができる。
【０００９】然し乍ら、一般に金属は酸化され易く、酸
化物からなる保護膜形成時に金属からなるｐ側電極が酸
化されるため、抵抗率が増加し、電極としての特性が劣
化する、という課題があった。
化物からなる保護膜形成時に金属からなるｐ側電極が酸
化されるため、抵抗率が増加し、電極としての特性が劣
化する、という課題があった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】斯かる課題を解決するた
めに、本発明窒化物半導体発光素子は、ｐ層の略全面に
形成された透光性のｐ側電極と、該ｐ側電極の表面を覆
う透光性且つ絶縁性を有する酸化物よりなる保護膜と、
を備えた窒化物半導体発光素子であって、前記ｐ側電極
が前記ｐ層の略全面に被着されたオーミック層と、前記
オーミック層と保護膜との間に形成された酸化防止層を
有することを特徴とする。
めに、本発明窒化物半導体発光素子は、ｐ層の略全面に
形成された透光性のｐ側電極と、該ｐ側電極の表面を覆
う透光性且つ絶縁性を有する酸化物よりなる保護膜と、
を備えた窒化物半導体発光素子であって、前記ｐ側電極
が前記ｐ層の略全面に被着されたオーミック層と、前記
オーミック層と保護膜との間に形成された酸化防止層を
有することを特徴とする。
【００１１】また、前記オーミック層がＰｄからなるこ
とを特徴とし、さらには前記酸化防止層が、Ｎｉ，Ｃ
ｒ，Ｔｉ，Ｐｔのうちのいずれか、又はこれらのうちか
ら選択される複数の材料の合金からなることを特徴とす
る。
とを特徴とし、さらには前記酸化防止層が、Ｎｉ，Ｃ
ｒ，Ｔｉ，Ｐｔのうちのいずれか、又はこれらのうちか
ら選択される複数の材料の合金からなることを特徴とす
る。
【００１２】加えて、前記オーミック層と酸化防止層と
の間に、Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕのいずれか、又はこれらのう
ちから選択される複数の材料の合金からなる中間層が介
在することを特徴とする。
の間に、Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕのいずれか、又はこれらのう
ちから選択される複数の材料の合金からなる中間層が介
在することを特徴とする。
【００１３】或いは、同一面側にｐ側電極とｎ側電極と
を備えるとともに、前記ｐ側電極上から前記ｎ側電極上
にまで連なって設けられた透光性且つ絶縁性の保護膜を
有する窒化物半導体発光素子であって、前記保護膜は窒
化物からなり、且つ前記ｐ側電極が前記ｐ層の略全面に
被着されたＰｄからなるオーミック層を有すると共に、
前記オーミック層と保護膜との間に、Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕ
のいずれか、又はこれらのうちから選択される複数の材
料の合金からなる中間層が介挿せしめられたことを特徴
とする。
を備えるとともに、前記ｐ側電極上から前記ｎ側電極上
にまで連なって設けられた透光性且つ絶縁性の保護膜を
有する窒化物半導体発光素子であって、前記保護膜は窒
化物からなり、且つ前記ｐ側電極が前記ｐ層の略全面に
被着されたＰｄからなるオーミック層を有すると共に、
前記オーミック層と保護膜との間に、Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕ
のいずれか、又はこれらのうちから選択される複数の材
料の合金からなる中間層が介挿せしめられたことを特徴
とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）本発明の第
１の実施形態に係る窒化物半導体発光素子について、図
１に示した素子構造断面図を参照して説明する。尚、同
図において図４と同一の機能を呈する部分には同一の符
号を付している。
１の実施形態に係る窒化物半導体発光素子について、図
１に示した素子構造断面図を参照して説明する。尚、同
図において図４と同一の機能を呈する部分には同一の符
号を付している。
【００１５】本実施形態に係る窒化物半導体発光素子が
従来と異なる点は、ｐ側電極７がｐ型コンタクト層６上
の略全面に形成されたオーミック層７Ａと、このオーミ
ック層７Ａを覆って設けられた酸化防止層７Ｂと、から
なる点である。
従来と異なる点は、ｐ側電極７がｐ型コンタクト層６上
の略全面に形成されたオーミック層７Ａと、このオーミ
ック層７Ａを覆って設けられた酸化防止層７Ｂと、から
なる点である。
【００１６】即ち、本実施形態によれば、オーミック層
７Ａと保護膜１２との間に酸化防止層７Ｂを備えている
ので、この酸化防止層７Ｂが酸化物から保護膜１２を形
成する際に酸素をブロックする役割を果たし、オーミッ
ク層７Ｂの酸化を抑制する。従って、保護膜１２として
ＳｉＯ2，ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等の酸化物を用いても、保
護膜１２形成時におけるオーミック層７Ａの酸化が抑制
され、オーミック層７Ａの抵抗が増加することがないの
で、発光効率の良好な発光素子を得ることができる。
７Ａと保護膜１２との間に酸化防止層７Ｂを備えている
ので、この酸化防止層７Ｂが酸化物から保護膜１２を形
成する際に酸素をブロックする役割を果たし、オーミッ
ク層７Ｂの酸化を抑制する。従って、保護膜１２として
ＳｉＯ2，ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等の酸化物を用いても、保
護膜１２形成時におけるオーミック層７Ａの酸化が抑制
され、オーミック層７Ａの抵抗が増加することがないの
で、発光効率の良好な発光素子を得ることができる。
【００１７】上記のようにオーミック層７Ａの酸化を抑
制するにあたっては、該オーミック層の側面も含んで全
面を覆うように酸化防止層７Ｂを設けることが好まし
い。斯かる構成とすることで、オーミック層７Ａの側面
においても保護膜１２形成時における酸化を抑制するこ
とができる。
制するにあたっては、該オーミック層の側面も含んで全
面を覆うように酸化防止層７Ｂを設けることが好まし
い。斯かる構成とすることで、オーミック層７Ａの側面
においても保護膜１２形成時における酸化を抑制するこ
とができる。
【００１８】本発明における上記酸化防止層７Ｂの材料
としては、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｔのうちのいずれか、
又はこれらのうちから選択される複数の材料の合金を用
いることが好ましい。これらの材料からなる酸化防止層
７Ｂを用いることで、オーミック層７Ａの酸化を充分抑
制することができる。
としては、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｔのうちのいずれか、
又はこれらのうちから選択される複数の材料の合金を用
いることが好ましい。これらの材料からなる酸化防止層
７Ｂを用いることで、オーミック層７Ａの酸化を充分抑
制することができる。
【００１９】尚、ｐ側電極７全体の厚さが増加すると、
該電極７に活性層からの発光が吸収される割合が増大す
るため、ｐ側電極７全体の厚さは１５０Å以下とするこ
とが好ましい。
該電極７に活性層からの発光が吸収される割合が増大す
るため、ｐ側電極７全体の厚さは１５０Å以下とするこ
とが好ましい。
【００２０】さらに、上記酸化防止層７Ｂの厚さが薄す
ぎるとオーミック層の酸化を抑制する効果が減少するた
め、酸化防止層７Ｂの厚さは２０Å以上とすることが好
ましい。
ぎるとオーミック層の酸化を抑制する効果が減少するた
め、酸化防止層７Ｂの厚さは２０Å以上とすることが好
ましい。
【００２１】加えて、上記オーミック層７ＡをＰｄより
構成することで、ｐ型コンタクト層６とのオーミック性
が良好となると共に付着力も向上するのでさらに好まし
い。
構成することで、ｐ型コンタクト層６とのオーミック性
が良好となると共に付着力も向上するのでさらに好まし
い。
【００２２】本実施形態に係る他の実施の形態について
説明する。
説明する。
【００２３】本実施の形態においては、Ｐｄからなるオ
ーミック層と酸化防止層との間に、Ａｕ、Ａｌ，Ｃｕの
いずれか、又はこれらのなかから選択される複数の材料
の合金からなる中間層を設けたことを特徴としている。
ーミック層と酸化防止層との間に、Ａｕ、Ａｌ，Ｃｕの
いずれか、又はこれらのなかから選択される複数の材料
の合金からなる中間層を設けたことを特徴としている。
【００２４】即ち、Ｐｄからなるオーミック層７Ａは、
Ｐ型の窒化物半導体とのオーミック性は良好である一
方、抵抗率は１×１０-5Ω・ｃｍ程度と若干大きい値を
有する。また、酸化防止層として用いられるＮｉ，Ｃ
ｒ，Ｔｉ，Ｐｔの抵抗率についても夫々６．８×１
０-6、１．３×１０-5、４．２×１０-5、及び１．１×
１０-5Ω・ｃｍ程度である。
Ｐ型の窒化物半導体とのオーミック性は良好である一
方、抵抗率は１×１０-5Ω・ｃｍ程度と若干大きい値を
有する。また、酸化防止層として用いられるＮｉ，Ｃ
ｒ，Ｔｉ，Ｐｔの抵抗率についても夫々６．８×１
０-6、１．３×１０-5、４．２×１０-5、及び１．１×
１０-5Ω・ｃｍ程度である。
【００２５】これに対し、本実施形態の特徴である中間
層を構成するＡｌ，Ｃｕ及びＡｕの抵抗率は、夫々２．
７×１０-6、１．７×１０-6、及び２．４×１０-6Ω・
ｃｍ程度であり、上述したＰｄ或いは酸化防止層の材料
の抵抗率に比して極めて小さい値を有している。
層を構成するＡｌ，Ｃｕ及びＡｕの抵抗率は、夫々２．
７×１０-6、１．７×１０-6、及び２．４×１０-6Ω・
ｃｍ程度であり、上述したＰｄ或いは酸化防止層の材料
の抵抗率に比して極めて小さい値を有している。
【００２６】従って、本実施例によれば、Ｐｄからなる
オーミック層がｐ型窒化物半導体とのオーミック特性を
良好なものとし、酸化防止層が酸化物からなる保護膜形
成時のダメージを抑制すると共に、中間層が電流経路の
役割を果たすため、オーミック層或いは酸化防止層にお
ける抵抗損失を低減することが可能となり、より一層発
光特性の向上した発光素子を得ることができる。 （実施例）次に、本発明の実施例につき説明する。
オーミック層がｐ型窒化物半導体とのオーミック特性を
良好なものとし、酸化防止層が酸化物からなる保護膜形
成時のダメージを抑制すると共に、中間層が電流経路の
役割を果たすため、オーミック層或いは酸化防止層にお
ける抵抗損失を低減することが可能となり、より一層発
光特性の向上した発光素子を得ることができる。 （実施例）次に、本発明の実施例につき説明する。
【００２７】本実施例においては、サファイア基板上に
ＭＯＣＶＤ法により形成した膜厚３μｍ程度のＰ型Ｇａ
Ｎ（キャリア濃度約５×１０17ｃｍ-3）上に、オーミッ
ク層となる膜厚約２ｎｍのＰｄ層、中間層となる膜厚約
４ｎｍのＡｕ層及び酸化防止層となる膜厚約２ｎｍのＮ
ｉ層をこの順序で積層してｐ側電極を形成した。そし
て、このようにして形成した試料を約３００℃の酸素雰
囲気中に保持し、この時の電極のシート抵抗の時間変化
を測定した。この結果を図２に示す。
ＭＯＣＶＤ法により形成した膜厚３μｍ程度のＰ型Ｇａ
Ｎ（キャリア濃度約５×１０17ｃｍ-3）上に、オーミッ
ク層となる膜厚約２ｎｍのＰｄ層、中間層となる膜厚約
４ｎｍのＡｕ層及び酸化防止層となる膜厚約２ｎｍのＮ
ｉ層をこの順序で積層してｐ側電極を形成した。そし
て、このようにして形成した試料を約３００℃の酸素雰
囲気中に保持し、この時の電極のシート抵抗の時間変化
を測定した。この結果を図２に示す。
【００２８】図２はｐ側電極のシート抵抗の変化を示す
特性図であり、本実施例に係る測定点を丸印で示してい
る。また、比較のために、Ｎｉ層を備えない以外は上記
と同様にして形成した試料について同様の実験を行った
結果を黒丸で示している。
特性図であり、本実施例に係る測定点を丸印で示してい
る。また、比較のために、Ｎｉ層を備えない以外は上記
と同様にして形成した試料について同様の実験を行った
結果を黒丸で示している。
【００２９】同図から明らかに、Ｎｉ層を備えない試料
によれば３００℃程度の酸素雰囲気中に１０分程度保持
しただけでシート抵抗の増加が始まり、６０分経過後で
は初期値に対してシート抵抗が約９倍にまで増加してい
る。
によれば３００℃程度の酸素雰囲気中に１０分程度保持
しただけでシート抵抗の増加が始まり、６０分経過後で
は初期値に対してシート抵抗が約９倍にまで増加してい
る。
【００３０】一方、本願によれば６０分経過後でもシー
ト抵抗の値は約４０Ω／□であり、初期と略同程度の値
を保持している。
ト抵抗の値は約４０Ω／□であり、初期と略同程度の値
を保持している。
【００３１】従って、酸化防止層を備えたことにより、
酸化物からなる保護膜形成時に生じるオーミック層の酸
化を抑制できるため、ｐ側電極の抵抗の増大を低減で
き、良好な発光特性を有する発光素子を得ることができ
る。
酸化物からなる保護膜形成時に生じるオーミック層の酸
化を抑制できるため、ｐ側電極の抵抗の増大を低減で
き、良好な発光特性を有する発光素子を得ることができ
る。
【００３２】尚、本実施例においてはＮｉからなる酸化
防止層を用いたが、Ｎｉの代わりにＣｒ，Ｔｉ又はＰｔ
を用いても良い。さらには、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｔｉ又はＰｔ
のうちのいずれかを選択して得られた合金を用いても同
様の効果を奏することができる。 （第２の実施の形態）次に、本発明に係る第２の実施の
形態について、図３を参照して説明する。尚、同図にお
いて図１と同様の機能を呈する部分には同じ符号を付し
て説明する。
防止層を用いたが、Ｎｉの代わりにＣｒ，Ｔｉ又はＰｔ
を用いても良い。さらには、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｔｉ又はＰｔ
のうちのいずれかを選択して得られた合金を用いても同
様の効果を奏することができる。 （第２の実施の形態）次に、本発明に係る第２の実施の
形態について、図３を参照して説明する。尚、同図にお
いて図１と同様の機能を呈する部分には同じ符号を付し
て説明する。
【００３３】同図において図１に示した第１の実施形態
に係る発光素子と異なる点は、ｐ型コンタクト層６上の
略全面に形成されたオーミック層７Ａと、Ｓｉ3Ｎ4、Ｔ
ｉＮ等の窒化物からなる保護膜１２とを備えると共に、
オーミック層７Ａと保護膜１２との間に、Ａｕ，Ａｌ、
Ｃｕのいずれか又はこれらの合金からなる中間層７Ｃを
備えた点にある。
に係る発光素子と異なる点は、ｐ型コンタクト層６上の
略全面に形成されたオーミック層７Ａと、Ｓｉ3Ｎ4、Ｔ
ｉＮ等の窒化物からなる保護膜１２とを備えると共に、
オーミック層７Ａと保護膜１２との間に、Ａｕ，Ａｌ、
Ｃｕのいずれか又はこれらの合金からなる中間層７Ｃを
備えた点にある。
【００３４】即ち、本実施の形態によれば、保護膜１２
を窒化物から構成することでＰｄからなるオーミック層
７Ａの酸化による特性低下を防止することが可能とな
る。さらに、オーミック層７Ａと保護膜１２との間に抵
抗率の低いＡｕ，Ａｌ，Ｃｕ又はこれらの合金からなる
中間層７Ｃを介在させたため、この中間層７Ｃが電流経
路となり、電極７における抵抗ロスを低減することが可
能となる。従って、本実施形態により発光特性の良好な
窒化物半導体発光素子が得られる。
を窒化物から構成することでＰｄからなるオーミック層
７Ａの酸化による特性低下を防止することが可能とな
る。さらに、オーミック層７Ａと保護膜１２との間に抵
抗率の低いＡｕ，Ａｌ，Ｃｕ又はこれらの合金からなる
中間層７Ｃを介在させたため、この中間層７Ｃが電流経
路となり、電極７における抵抗ロスを低減することが可
能となる。従って、本実施形態により発光特性の良好な
窒化物半導体発光素子が得られる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明に係る窒化物
半導体発光素子によれば、ｐ側電極の酸化による特性低
下を抑制することが可能となり、発光特性の良好な発光
素子を提供することができる。
半導体発光素子によれば、ｐ側電極の酸化による特性低
下を抑制することが可能となり、発光特性の良好な発光
素子を提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る窒化物半導体
発光素子の素子構造断面図である。
発光素子の素子構造断面図である。
【図２】ｐ側電極のシート抵抗の変化を示した特性図で
ある。
ある。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る窒化物半導体
発光素子の素子構造断面図である。
発光素子の素子構造断面図である。
【図４】従来の窒化物半導体発光素子の素子構造断面図
である。
である。
１…基板、２…中間層２、３…ｎ型コンタクト層、４…
活性層、５…ｐ型クラッド層、６…ｐ型コンタクト層、
７…ｐ側電極、８…パッド電極、９，１１…ボンディン
グワイヤ、１０…ｎ側電極、１２…保護膜
活性層、５…ｐ型クラッド層、６…ｐ型コンタクト層、
７…ｐ側電極、８…パッド電極、９，１１…ボンディン
グワイヤ、１０…ｎ側電極、１２…保護膜
Claims (5)
- 【請求項１】 ｐ層の略全面に形成された透光性のｐ側
電極と、該ｐ側電極の表面を覆う透光性且つ絶縁性を有
する酸化物よりなる保護膜と、を備えた窒化物半導体発
光素子であって、 前記ｐ側電極が前記ｐ層の略全面に被着されたオーミッ
ク層と、 前記オーミック層と保護膜との間に形成された酸化防止
層を有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - 【請求項２】 前記オーミック層がＰｄからなることを
特徴とする請求項１記載の窒化物半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記酸化防止層が、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，
Ｐｔのうちのいずれか、又はこれらのうちから選択され
る複数の材料の合金からなることを特徴とする請求項１
又は２記載の記載の窒化物半導体発光素子。 - 【請求項４】 前記オーミック層と酸化防止層との間
に、Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕのいずれか、又はこれらのうちか
ら選択される複数の材料の合金からなる中間層が介在す
ることを特徴とする請求項２又は３記載の窒化物半導体
発光素子。 - 【請求項５】 同一面側にｐ側電極とｎ側電極とを備え
るとともに、前記ｐ側電極上から前記ｎ側電極上にまで
連なって設けられた透光性且つ絶縁性の保護膜を有する
窒化物半導体発光素子であって、 前記保護膜は窒化物からなり、且つ前記ｐ側電極が前記
ｐ層の略全面に被着されたＰｄからなるオーミック層を
有すると共に、 前記オーミック層と保護膜との間に、Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕ
のいずれか、又はこれらのうちから選択される複数の材
料の合金からなる中間層が介挿せしめられたことを特徴
とする窒化物半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13346598A JPH11330558A (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 窒化物半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13346598A JPH11330558A (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 窒化物半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330558A true JPH11330558A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=15105426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13346598A Pending JPH11330558A (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 窒化物半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11330558A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001308383A (ja) * | 2000-04-19 | 2001-11-02 | Sharp Corp | 窒化物系半導体発光素子 |
| JP2005072594A (ja) * | 2003-08-23 | 2005-03-17 | Samsung Electronics Co Ltd | 高品位発光ダイオード及びレーザダイオードの具現のための透明薄膜電極 |
| US7323783B2 (en) | 2003-12-08 | 2008-01-29 | Nec Corporation | Electrode, method for producing same and semiconductor device using same |
-
1998
- 1998-05-15 JP JP13346598A patent/JPH11330558A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001308383A (ja) * | 2000-04-19 | 2001-11-02 | Sharp Corp | 窒化物系半導体発光素子 |
| JP4493153B2 (ja) * | 2000-04-19 | 2010-06-30 | シャープ株式会社 | 窒化物系半導体発光素子 |
| JP2005072594A (ja) * | 2003-08-23 | 2005-03-17 | Samsung Electronics Co Ltd | 高品位発光ダイオード及びレーザダイオードの具現のための透明薄膜電極 |
| US7323783B2 (en) | 2003-12-08 | 2008-01-29 | Nec Corporation | Electrode, method for producing same and semiconductor device using same |
| US7615868B2 (en) | 2003-12-08 | 2009-11-10 | Nec Corporation | Electrode, method for producing same and semiconductor device using same |
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