JPH11322662A - ５−シクロヘキサデセン−１−オンの製造法および製造装置 - Google Patents
５−シクロヘキサデセン−１−オンの製造法および製造装置Info
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- JPH11322662A JPH11322662A JP10124717A JP12471798A JPH11322662A JP H11322662 A JPH11322662 A JP H11322662A JP 10124717 A JP10124717 A JP 10124717A JP 12471798 A JP12471798 A JP 12471798A JP H11322662 A JPH11322662 A JP H11322662A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C49/00—Ketones; Ketenes; Dimeric ketenes; Ketonic chelates
- C07C49/587—Unsaturated compounds containing a keto groups being part of a ring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C45/00—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds
- C07C45/51—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by pyrolysis, rearrangement or decomposition
- C07C45/511—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by pyrolysis, rearrangement or decomposition involving transformation of singly bound oxygen functional groups to >C = O groups
- C07C45/512—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by pyrolysis, rearrangement or decomposition involving transformation of singly bound oxygen functional groups to >C = O groups the singly bound functional group being a free hydroxyl group
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/582—Recycling of unreacted starting or intermediate materials
Abstract
(57)【要約】
【目的】１，２−ジビニルシクロドデカノールから副反
応なく、短時間で効率よく５−シクロヘキサデセン−１
−オンを連続製造する方法を提供する。 【構成】真空ポンプ８により５ｍｍＨｇ以下の真空にさ
れた、加熱されたフラッシュ装置３に、原料容器１から
定量ポンプ２により原料である１，２−ジビニルシクロ
ドデカノールが供給される。フラッシュ装置で気化され
た１，２−ジビニルシクロドデカノールは、４００〜６
５０℃に加熱され、５ｍｍＨｇ以下の真空とされた反応
装置４に供給されて、１，２−ジビニルシクロドデカノ
ールが５−シクロヘキサデセン−１−オンに転換され
る。反応生成物は反応装置頂部から排出され、冷却され
て目的物である５−シクロヘキサデセン−１−オンが回
収容器６に回収される。装置を減圧する際、−７８〜−
１００℃に冷却されたソジュームメチラート／メタノー
ルなどからなる塩酸ガストラップ７を介して真空ポンプ
８により減圧を行うことが好ましい。
応なく、短時間で効率よく５−シクロヘキサデセン−１
−オンを連続製造する方法を提供する。 【構成】真空ポンプ８により５ｍｍＨｇ以下の真空にさ
れた、加熱されたフラッシュ装置３に、原料容器１から
定量ポンプ２により原料である１，２−ジビニルシクロ
ドデカノールが供給される。フラッシュ装置で気化され
た１，２−ジビニルシクロドデカノールは、４００〜６
５０℃に加熱され、５ｍｍＨｇ以下の真空とされた反応
装置４に供給されて、１，２−ジビニルシクロドデカノ
ールが５−シクロヘキサデセン−１−オンに転換され
る。反応生成物は反応装置頂部から排出され、冷却され
て目的物である５−シクロヘキサデセン−１−オンが回
収容器６に回収される。装置を減圧する際、−７８〜−
１００℃に冷却されたソジュームメチラート／メタノー
ルなどからなる塩酸ガストラップ７を介して真空ポンプ
８により減圧を行うことが好ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、５−シクロヘキサデセ
ン−１−オンの新規製造法およびその製造装置、更に詳
細には、１，２−ジビニルシクロドデカノールからオキ
シコープ反応により５−シクロヘキサデセン−１−オン
を製造する方法およびその製造装置に関する。
ン−１−オンの新規製造法およびその製造装置、更に詳
細には、１，２−ジビニルシクロドデカノールからオキ
シコープ反応により５−シクロヘキサデセン−１−オン
を製造する方法およびその製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】５−シクロヘキサデセン−１−オンは、
比較的強いムスク香を有し、香料の原料として有用な化
合物として広く知られている。この５−シクロヘキサデ
セン−１−オンは、通常次式に従って製造される。
比較的強いムスク香を有し、香料の原料として有用な化
合物として広く知られている。この５−シクロヘキサデ
セン−１−オンは、通常次式に従って製造される。
【０００３】
【化１】
【０００４】まずシクロドデカノン（１）をハロゲン化
して２−ハロゲノシクロドデカノン（２）を合成し、こ
れによって得られた２−ハロゲノシクロドデカノン
（２）とビニルマグネシウムグリニヤーとの反応により
１，２−ジビニルシクロドデカノール（３）を製造し、
更にこの１，２−ジビニルシクロドデカノール（３）を
オキシコープ反応により５−シクロヘキサデセン−１−
オン（４）に転換し、その後精製することにより目的物
である５−シクロヘキサデセン−１−オンを得る。
して２−ハロゲノシクロドデカノン（２）を合成し、こ
れによって得られた２−ハロゲノシクロドデカノン
（２）とビニルマグネシウムグリニヤーとの反応により
１，２−ジビニルシクロドデカノール（３）を製造し、
更にこの１，２−ジビニルシクロドデカノール（３）を
オキシコープ反応により５−シクロヘキサデセン−１−
オン（４）に転換し、その後精製することにより目的物
である５−シクロヘキサデセン−１−オンを得る。
【０００５】１，２−ジビニルシクロドデカノール
（３）には、シス体とトランス体が存在し、トランス体
は定量的に５−シクロヘキサデセン−１−オンになり、
シス体は副反応を併発し定量的には５−シクロヘキサデ
セン−１−オンに転換しない。また、反応速度はトラン
ス体の方が早く、従って反応初期には理論収率はほぼ１
００％であるが、反応が進むにしたがって理論収率は下
がって行く。
（３）には、シス体とトランス体が存在し、トランス体
は定量的に５−シクロヘキサデセン−１−オンになり、
シス体は副反応を併発し定量的には５−シクロヘキサデ
セン−１−オンに転換しない。また、反応速度はトラン
ス体の方が早く、従って反応初期には理論収率はほぼ１
００％であるが、反応が進むにしたがって理論収率は下
がって行く。
【０００６】また、２−ハロゲノシクロドデカノン
（２）とビニルマグネシウムグリニヤーとの反応におい
ては１，２−ジビニルシクロドデカノール（３）ととも
に２−ビニルシクロドデカノン（５）が生成される。
１，２−ジビニルシクロドデカノール（３）は、２−ビ
ニルシクロドデカノン（５）を経て生成されるため、こ
の副生を抑えることは難しい。この２−ビニルシクロド
デカノン（５）は、再度ビニルマグネシウムグリニヤー
試薬と反応すれば目的物である１，２−ジビニルシクロ
ドデカノール（３）に容易に変換できるのであるが、反
応性が高く簡単に樹脂化や不要なエチリデンケトンに異
性化する。
（２）とビニルマグネシウムグリニヤーとの反応におい
ては１，２−ジビニルシクロドデカノール（３）ととも
に２−ビニルシクロドデカノン（５）が生成される。
１，２−ジビニルシクロドデカノール（３）は、２−ビ
ニルシクロドデカノン（５）を経て生成されるため、こ
の副生を抑えることは難しい。この２−ビニルシクロド
デカノン（５）は、再度ビニルマグネシウムグリニヤー
試薬と反応すれば目的物である１，２−ジビニルシクロ
ドデカノール（３）に容易に変換できるのであるが、反
応性が高く簡単に樹脂化や不要なエチリデンケトンに異
性化する。
【０００７】従来、１，２−ジビニルシクロドデカノー
ル（３）を５−シクロヘキサデセン−１−オン（４）に
転換する際に利用されるオキシコープ反応は、一般的に
は反応原料をそのまま、あるいは溶媒に溶解した後に加
熱することにより行なわれている（例えば、Ｔｅｔｒａ
ｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ Ｎｏ．７，ｐｐ．５０
９〜５１２，１９７０）。１，２−ジビニルシクロドデ
カノールから５−シクロヘキサデセン−１−オンを製造
する際にも同様な方法が従来採られており、例えば、特
公昭５２−４２７８７号公報には、１，２−ジビニルシ
クロドデカノールを好ましくは不活性ガス気流中、無溶
媒または適当な溶媒中で１８０〜２５０℃の温度で約３
時間加熱することにより５−シクロヘキサデセン−１−
オンを製造する方法が、特公昭５５−３４７８１号公報
には、精製あるいは未精製の１，２−ジビニルシクロド
デカノールをそのまま液状であるいは溶媒に溶解して加
熱処理することにより５−シクロヘキサデセン−１−オ
ンを製造する方法が、また特公昭５２−３９０２５号公
報には、１，２−ジビニルシクロドデカノールをＮ・Ｎ
−二置換カルボン酸アミド類、Ｎ−置換ラクタム類、ま
たはスルホキシド類の共存下に加熱処理することにより
５−シクロヘキサデセン−１−オンを製造する方法が、
特公昭５８−１３５２８号公報には、１，２−ジビニル
シクロドデカノールを特定のリン化合物の存在下に加熱
処理することにより５−シクロヘキサデセン−１−オン
を製造する方法が記載されている。
ル（３）を５−シクロヘキサデセン−１−オン（４）に
転換する際に利用されるオキシコープ反応は、一般的に
は反応原料をそのまま、あるいは溶媒に溶解した後に加
熱することにより行なわれている（例えば、Ｔｅｔｒａ
ｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ Ｎｏ．７，ｐｐ．５０
９〜５１２，１９７０）。１，２−ジビニルシクロドデ
カノールから５−シクロヘキサデセン−１−オンを製造
する際にも同様な方法が従来採られており、例えば、特
公昭５２−４２７８７号公報には、１，２−ジビニルシ
クロドデカノールを好ましくは不活性ガス気流中、無溶
媒または適当な溶媒中で１８０〜２５０℃の温度で約３
時間加熱することにより５−シクロヘキサデセン−１−
オンを製造する方法が、特公昭５５−３４７８１号公報
には、精製あるいは未精製の１，２−ジビニルシクロド
デカノールをそのまま液状であるいは溶媒に溶解して加
熱処理することにより５−シクロヘキサデセン−１−オ
ンを製造する方法が、また特公昭５２−３９０２５号公
報には、１，２−ジビニルシクロドデカノールをＮ・Ｎ
−二置換カルボン酸アミド類、Ｎ−置換ラクタム類、ま
たはスルホキシド類の共存下に加熱処理することにより
５−シクロヘキサデセン−１−オンを製造する方法が、
特公昭５８−１３５２８号公報には、１，２−ジビニル
シクロドデカノールを特定のリン化合物の存在下に加熱
処理することにより５−シクロヘキサデセン−１−オン
を製造する方法が記載されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】これら公知の製造法で
は、目的物である５−シクロヘキサデセン−１−オンが
高収率で得られるものの、反応を十分に行なうためには
１５０〜３５０℃の温度において数時間程度加熱処理す
ることが必要で、反応に長時間を要するとともに反応も
バッチ式となり製造効率が悪く、また溶媒を用いる場合
には高コストとなるとともに、反応終了後に溶媒を除去
する必要もあるし、減圧蒸留により目的物を回収する必
要もある。また、従来公知の方法においては、未精製の
１，２−ジビニルシクロドデカノールを原料としてオキ
シコープ反応を行なう場合、原料中に残存し、再度回収
することにより１，２−ジビニルシクロドデカノールの
製造原料として使用することができる２−ビニルシクロ
ドデカノンが、加熱処理によりエチリデンケトンに異性
化してしまうなどネガティブな副反応が起こることも挙
げられる。
は、目的物である５−シクロヘキサデセン−１−オンが
高収率で得られるものの、反応を十分に行なうためには
１５０〜３５０℃の温度において数時間程度加熱処理す
ることが必要で、反応に長時間を要するとともに反応も
バッチ式となり製造効率が悪く、また溶媒を用いる場合
には高コストとなるとともに、反応終了後に溶媒を除去
する必要もあるし、減圧蒸留により目的物を回収する必
要もある。また、従来公知の方法においては、未精製の
１，２−ジビニルシクロドデカノールを原料としてオキ
シコープ反応を行なう場合、原料中に残存し、再度回収
することにより１，２−ジビニルシクロドデカノールの
製造原料として使用することができる２−ビニルシクロ
ドデカノンが、加熱処理によりエチリデンケトンに異性
化してしまうなどネガティブな副反応が起こることも挙
げられる。
【０００９】本発明は、このような従来の５−シクロヘ
キサデセン−１−オンの製造法における問題点を有さな
い、即ち短時間の反応により高収率で５−シクロヘキサ
デセン−１−オンを製造することができるとともに、製
造工程の簡素化、連続化により製造効率を高めることが
でき、しかも５−シクロヘキサデセン−１−オンへの転
換の際にオキシコープ反応以外の副反応のない５−シク
ロヘキサデセン−１−オンの製造法およびそのための製
造装置を提供することを目的とするものである。
キサデセン−１−オンの製造法における問題点を有さな
い、即ち短時間の反応により高収率で５−シクロヘキサ
デセン−１−オンを製造することができるとともに、製
造工程の簡素化、連続化により製造効率を高めることが
でき、しかも５−シクロヘキサデセン−１−オンへの転
換の際にオキシコープ反応以外の副反応のない５−シク
ロヘキサデセン−１−オンの製造法およびそのための製
造装置を提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成すべく鋭意検討を行なった結果、１，２−ジビニル
シクロドデカノールを減圧下、気相状態において高温で
加熱処理を行なうことにより、従来の問題点を一挙に解
決することができることを見出して本発明を成したもの
である。
達成すべく鋭意検討を行なった結果、１，２−ジビニル
シクロドデカノールを減圧下、気相状態において高温で
加熱処理を行なうことにより、従来の問題点を一挙に解
決することができることを見出して本発明を成したもの
である。
【００１１】即ち、本第１の発明は、１，２−ジビニル
シクロドデカノールを減圧下、気相状態において４００
〜６５０℃で加熱することを特徴とする５−シクロヘキ
サデセン−１−オンの製造法である。
シクロドデカノールを減圧下、気相状態において４００
〜６５０℃で加熱することを特徴とする５−シクロヘキ
サデセン−１−オンの製造法である。
【００１２】本第２の発明は、１，２−ジビニルシクロ
ドデカノールを含有する原料液体を減圧下、４００℃未
満の温度に加熱して少なくとも１，２−ジビニルシクロ
ドデカノールを予め気化させ、気化されたガスを減圧下
４００〜６５０℃の反応領域に導入し、反応終了後反応
領域から流出される反応ガスを冷却することを特徴とす
る５−シクロヘキサデセン−１−オンの製造法である。
ドデカノールを含有する原料液体を減圧下、４００℃未
満の温度に加熱して少なくとも１，２−ジビニルシクロ
ドデカノールを予め気化させ、気化されたガスを減圧下
４００〜６５０℃の反応領域に導入し、反応終了後反応
領域から流出される反応ガスを冷却することを特徴とす
る５−シクロヘキサデセン−１−オンの製造法である。
【００１３】本第３の発明は、上記第１または第２の発
明において、圧力を１，２−ジビニルシクロドデカノー
ルの飽和蒸気圧以下の減圧度、例えば５ｍｍＨｇ以下の
圧力とすることを特徴とする５−シクロヘキサデセン−
１−オンの製造法である。
明において、圧力を１，２−ジビニルシクロドデカノー
ルの飽和蒸気圧以下の減圧度、例えば５ｍｍＨｇ以下の
圧力とすることを特徴とする５−シクロヘキサデセン−
１−オンの製造法である。
【００１４】本第４の発明は、上記第２または第３の発
明において、反応領域から排出されたガスを冷却して５
−シクロヘキサデセン−１−オンを回収する際に精留し
たのち回収することを特徴とする５−シクロヘキサデセ
ン−１−オンの製造法である。
明において、反応領域から排出されたガスを冷却して５
−シクロヘキサデセン−１−オンを回収する際に精留し
たのち回収することを特徴とする５−シクロヘキサデセ
ン−１−オンの製造法である。
【００１５】本第５の発明は、上記第２〜第４の発明に
おいて、反応領域から排出された反応ガスからまたは該
反応ガスを冷却して得た粗５−シクロヘキサデセン−１
−オンから２−ビニルシクロドデカノンを回収し、この
回収した２−ビニルシクロドデカノンを１，２−ジビニ
ルシクロドデカノールの合成原料としてリサイクル使用
することを特徴とする５−シクロヘキサデセン−１−オ
ンの製造法である。
おいて、反応領域から排出された反応ガスからまたは該
反応ガスを冷却して得た粗５−シクロヘキサデセン−１
−オンから２−ビニルシクロドデカノンを回収し、この
回収した２−ビニルシクロドデカノンを１，２−ジビニ
ルシクロドデカノールの合成原料としてリサイクル使用
することを特徴とする５−シクロヘキサデセン−１−オ
ンの製造法である。
【００１６】本第６の発明は、上記第１〜第５の発明に
おいて、少なくとも反応領域を減圧する減圧手段と反応
領域の間に、冷却され、アルカリ金属アルコラートある
いはアルカリ金属水酸化物を含有するハロゲン化水素ト
ラップ手段を設け、反応領域を該ハロゲン化水素トラッ
プ手段を介して減圧することを特徴とする５−シクロヘ
キサデセン−１−オンの製造法である。
おいて、少なくとも反応領域を減圧する減圧手段と反応
領域の間に、冷却され、アルカリ金属アルコラートある
いはアルカリ金属水酸化物を含有するハロゲン化水素ト
ラップ手段を設け、反応領域を該ハロゲン化水素トラッ
プ手段を介して減圧することを特徴とする５−シクロヘ
キサデセン−１−オンの製造法である。
【００１７】本第７の発明は、少なくとも１，２−ジビ
ニルシクロドデカノールを含有する原料を気化する気化
手段、４００〜６５０℃に加熱された、気相状態の１，
２−ジビニルシクロドデカノールを５−シクロヘキサデ
セン−１−オンに転換する反応手段、形成された５−シ
クロヘキサデセン−１−オンを回収する回収手段および
前記気相手段、反応手段、回収手段を減圧するための減
圧手段を有することを特徴とする５−シクロヘキサデセ
ン−１−オンの製造装置である。
ニルシクロドデカノールを含有する原料を気化する気化
手段、４００〜６５０℃に加熱された、気相状態の１，
２−ジビニルシクロドデカノールを５−シクロヘキサデ
セン−１−オンに転換する反応手段、形成された５−シ
クロヘキサデセン−１−オンを回収する回収手段および
前記気相手段、反応手段、回収手段を減圧するための減
圧手段を有することを特徴とする５−シクロヘキサデセ
ン−１−オンの製造装置である。
【００１８】本第８の発明は、上記第７の発明におい
て、反応手段に充填材が充填されていることを特徴とす
る５−シクロヘキサデセン−１−オンの製造装置であ
る。
て、反応手段に充填材が充填されていることを特徴とす
る５−シクロヘキサデセン−１−オンの製造装置であ
る。
【００１９】本第９の発明は、上記第７または第８の発
明において、アルカリ金属アルコラートあるいはアルカ
リ金属水酸化物を含有するハロゲン化水素トラップ手段
が更に設けられていることを特徴とする５−シクロヘキ
サデセン−１−オンの製造装置である。
明において、アルカリ金属アルコラートあるいはアルカ
リ金属水酸化物を含有するハロゲン化水素トラップ手段
が更に設けられていることを特徴とする５−シクロヘキ
サデセン−１−オンの製造装置である。
【００２０】以下、本発明を図を参照しつつ詳細に説明
する。
する。
【００２１】図１は、本発明の製造装置の一例である。
図１中、１は原料容器、２は定量ポンプ、３は気化手段
であるフラッシュ装置、４は反応装置、５は冷却装置、
６は反応生成物回収容器、７は塩酸ガストラップ装置、
８は減圧装置、９は非気化物回収容器である。フラッシ
ュ装置３、反応装置４、反応生成物回収容器６は減圧装
置８により同時に減圧される。原料として用いられる
１，２−ジビニルシクロドデカノールは、精製されたも
のでもよいし、精製されていない粗製品であってもよ
い。
図１中、１は原料容器、２は定量ポンプ、３は気化手段
であるフラッシュ装置、４は反応装置、５は冷却装置、
６は反応生成物回収容器、７は塩酸ガストラップ装置、
８は減圧装置、９は非気化物回収容器である。フラッシ
ュ装置３、反応装置４、反応生成物回収容器６は減圧装
置８により同時に減圧される。原料として用いられる
１，２−ジビニルシクロドデカノールは、精製されたも
のでもよいし、精製されていない粗製品であってもよ
い。
【００２２】まず、反応原料である１，２−ジビニルシ
クロドデカノールは、原料容器１から定量ポンプ２によ
りフラッシュ装置３に供給される。フラッシュ装置３
は、本例においては、外部よりヒーターにより加熱され
た筒状部材からなっており、少なくとも１，２−ジビニ
ルシクロドデカノールがフラッシュ装置内の圧力におい
て気化するに必要な温度とされる。気化温度は、副反応
など不必要な反応が起こらない範囲の温度で行うのが好
ましい。本発明においては、後述するように反応領域は
４００℃以上とされるので、４００℃未満の温度とされ
る。好ましい温度は、減圧の程度により異なるが、２ｍ
ｍＨｇ以下の圧力においては、一般的にはフラッシュ気
化の場合１５０〜２５０℃であり、好ましくは２００〜
２５０℃である。フラッシュ装置３内での熱効率あるい
は熱容量を大きくするためにボール状、中空状等適宜の
形状をした充填材を適宜の量充填しておいてもよい。原
料容器１から反応原料である１，２−ジビニルシクロド
デカノールがフラッシュ装置３に定量ポンプ２により連
続的に導入されると、１，２−ジビニルシクロドデカノ
ールは即座に気化し、気化物は反応装置４へと送られ
る。一方フラッシュ装置３内での圧力及び温度の下では
気化しない物質はフラッシュ装置３と反応装置４との間
に設けられた非気化物回収容器９に回収される。回収さ
れた原料内の不純物、重合物などについては、非気化物
回収容器９から適宜抜き出せるようにしておくとよい。
なお、単に１，２−ジビニルシクロドデカノールを気化
させるだけであれば、フラッシュ装置を設けることな
く、原料の１，２−ジビニルシクロドデカノールを減圧
下直接加熱して気化させればよい。また非気化物回収容
器９に気化装置としての機能を持たせ、フラッシュ装置
と非気化物回収容器とを一体のものとすることもでき
る。本発明においては、１，２−ジビニルシクロドデカ
ノールの気化、オキシコープ反応、５−シクロヘキサデ
セン−１−オンの回収は通常同一の圧力下において行わ
れる。従って、気化の際の圧力は、通常反応領域の圧力
として適した圧力である、１，２−ジビニルシクロドデ
カノールの飽和蒸気圧以下の減圧度、例えば５ｍｍＨｇ
以下、好ましくは０．１〜２ｍｍＨｇ程度、更に好まし
くは０．２〜１ｍｍＨｇ程度とされる。
クロドデカノールは、原料容器１から定量ポンプ２によ
りフラッシュ装置３に供給される。フラッシュ装置３
は、本例においては、外部よりヒーターにより加熱され
た筒状部材からなっており、少なくとも１，２−ジビニ
ルシクロドデカノールがフラッシュ装置内の圧力におい
て気化するに必要な温度とされる。気化温度は、副反応
など不必要な反応が起こらない範囲の温度で行うのが好
ましい。本発明においては、後述するように反応領域は
４００℃以上とされるので、４００℃未満の温度とされ
る。好ましい温度は、減圧の程度により異なるが、２ｍ
ｍＨｇ以下の圧力においては、一般的にはフラッシュ気
化の場合１５０〜２５０℃であり、好ましくは２００〜
２５０℃である。フラッシュ装置３内での熱効率あるい
は熱容量を大きくするためにボール状、中空状等適宜の
形状をした充填材を適宜の量充填しておいてもよい。原
料容器１から反応原料である１，２−ジビニルシクロド
デカノールがフラッシュ装置３に定量ポンプ２により連
続的に導入されると、１，２−ジビニルシクロドデカノ
ールは即座に気化し、気化物は反応装置４へと送られ
る。一方フラッシュ装置３内での圧力及び温度の下では
気化しない物質はフラッシュ装置３と反応装置４との間
に設けられた非気化物回収容器９に回収される。回収さ
れた原料内の不純物、重合物などについては、非気化物
回収容器９から適宜抜き出せるようにしておくとよい。
なお、単に１，２−ジビニルシクロドデカノールを気化
させるだけであれば、フラッシュ装置を設けることな
く、原料の１，２−ジビニルシクロドデカノールを減圧
下直接加熱して気化させればよい。また非気化物回収容
器９に気化装置としての機能を持たせ、フラッシュ装置
と非気化物回収容器とを一体のものとすることもでき
る。本発明においては、１，２−ジビニルシクロドデカ
ノールの気化、オキシコープ反応、５−シクロヘキサデ
セン−１−オンの回収は通常同一の圧力下において行わ
れる。従って、気化の際の圧力は、通常反応領域の圧力
として適した圧力である、１，２−ジビニルシクロドデ
カノールの飽和蒸気圧以下の減圧度、例えば５ｍｍＨｇ
以下、好ましくは０．１〜２ｍｍＨｇ程度、更に好まし
くは０．２〜１ｍｍＨｇ程度とされる。
【００２３】反応装置４は気化されて気相状態となった
１，２−ジビニルシクロドデカノールに対し反応領域を
提供するために用いられるもので、反応装置４自体の形
状は特に限定されるものではないが、通常管状の反応装
置（反応管）１１が用いられる。反応装置４を構成する
材質としては、減圧下での高温反応に耐えられ、反応に
悪影響を与えないものであればどのようなものでもよ
い。本反応においては、原料中に微量の塩化物不純物が
存在することが多く、このため反応を行う際に脱塩化水
素反応が起こり、塩酸ガスが発生することがあるため、
反応装置の材質は酸に侵されないものであることがより
好ましい。このような材料としては、金属、例えば銅、
銅合金、工業用ニッケル、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金、金、
銀、タンタル、ステンレス等、非金属のガラス、石英、
炭素などが挙げられる。これらの中では、機械的強度に
優れ、熱の良導体である金属が好ましいものである。ま
た、反応装置として管状のものを用いる場合、通常内径
５〜２００ｍｍ、長さ５０〜３０００ｍｍ程度のものが
用いられる。必要であれば、反応装置内には反応装置の
熱効率を上げまた反応装置内の均一加熱効果を得るた
め、充填物１２を充填することができる。この充填物
は、反応装置の熱効率を上げまた反応装置内の均一加熱
効果を達成することが出来、また反応装置内に適宜の連
続した空間を形成しうるものであればどのようなもので
もよい。充填物の一例を挙げると、例えば適宜の大きさ
のボールベアリング等の金属製の球状物や、蒸留塔の充
填物として一般に用いられている充填物、例えばヘリパ
ック（東京特殊金網株式会社製）あるいはスルーザパッ
キング（住友重機工業株式会社製）などが挙げられる。
１，２−ジビニルシクロドデカノールに対し反応領域を
提供するために用いられるもので、反応装置４自体の形
状は特に限定されるものではないが、通常管状の反応装
置（反応管）１１が用いられる。反応装置４を構成する
材質としては、減圧下での高温反応に耐えられ、反応に
悪影響を与えないものであればどのようなものでもよ
い。本反応においては、原料中に微量の塩化物不純物が
存在することが多く、このため反応を行う際に脱塩化水
素反応が起こり、塩酸ガスが発生することがあるため、
反応装置の材質は酸に侵されないものであることがより
好ましい。このような材料としては、金属、例えば銅、
銅合金、工業用ニッケル、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金、金、
銀、タンタル、ステンレス等、非金属のガラス、石英、
炭素などが挙げられる。これらの中では、機械的強度に
優れ、熱の良導体である金属が好ましいものである。ま
た、反応装置として管状のものを用いる場合、通常内径
５〜２００ｍｍ、長さ５０〜３０００ｍｍ程度のものが
用いられる。必要であれば、反応装置内には反応装置の
熱効率を上げまた反応装置内の均一加熱効果を得るた
め、充填物１２を充填することができる。この充填物
は、反応装置の熱効率を上げまた反応装置内の均一加熱
効果を達成することが出来、また反応装置内に適宜の連
続した空間を形成しうるものであればどのようなもので
もよい。充填物の一例を挙げると、例えば適宜の大きさ
のボールベアリング等の金属製の球状物や、蒸留塔の充
填物として一般に用いられている充填物、例えばヘリパ
ック（東京特殊金網株式会社製）あるいはスルーザパッ
キング（住友重機工業株式会社製）などが挙げられる。
【００２４】反応装置４は、例えば加熱体１３であるリ
ボンヒーター、マントルヒーターなど従来公知の任意の
手段により外部から加熱される。反応領域、即ち反応装
置内の温度は、例えば反応管１１の外壁の反応領域中央
部付近に設置された温度計１０により測定される。反応
装置内の温度は、本発明の目的を達成しうる範囲の温度
であれば良く、好ましい反応温度は反応装置内の減圧の
程度、反応装置の形状、長さ、管径、原料供給量など種
々の条件により異なるため特に限定されるものではない
が、５ｍｍＨｇ以下の減圧下において４００〜６５０℃
である。反応温度が４００℃より低い場合には、一般的
に反応速度が低くなり、１，２−ジビニルシクロドデカ
ノールの５−シクロヘキサデセン−１−オンへの転化率
が下がる傾向があり、工業的に効率がよい方法とはいえ
なくなる。また、６５０℃を越えると分解あるいは副反
応などによると考えられるが５−シクロヘキサデセン−
１−オンの収量が低下する傾向が大きくなり、実用的で
なくなる。また、加熱処理時間は、減圧度、加熱温度な
どにより異なるが、一般にごく短時間で起こる。原料の
供給量は、反応装置の径、長さ、加熱温度、減圧度など
により異なり、例えば反応装置として２５ｍｍ程度の管
径のものを用いる場合には、一般に３０ｇ／５分程度と
される。しかし、供給量がこれより多くても少なくても
よいことは勿論である。
ボンヒーター、マントルヒーターなど従来公知の任意の
手段により外部から加熱される。反応領域、即ち反応装
置内の温度は、例えば反応管１１の外壁の反応領域中央
部付近に設置された温度計１０により測定される。反応
装置内の温度は、本発明の目的を達成しうる範囲の温度
であれば良く、好ましい反応温度は反応装置内の減圧の
程度、反応装置の形状、長さ、管径、原料供給量など種
々の条件により異なるため特に限定されるものではない
が、５ｍｍＨｇ以下の減圧下において４００〜６５０℃
である。反応温度が４００℃より低い場合には、一般的
に反応速度が低くなり、１，２−ジビニルシクロドデカ
ノールの５−シクロヘキサデセン−１−オンへの転化率
が下がる傾向があり、工業的に効率がよい方法とはいえ
なくなる。また、６５０℃を越えると分解あるいは副反
応などによると考えられるが５−シクロヘキサデセン−
１−オンの収量が低下する傾向が大きくなり、実用的で
なくなる。また、加熱処理時間は、減圧度、加熱温度な
どにより異なるが、一般にごく短時間で起こる。原料の
供給量は、反応装置の径、長さ、加熱温度、減圧度など
により異なり、例えば反応装置として２５ｍｍ程度の管
径のものを用いる場合には、一般に３０ｇ／５分程度と
される。しかし、供給量がこれより多くても少なくても
よいことは勿論である。
【００２５】反応生成物は反応装置４の頂部より排出さ
れ、冷却装置５により冷却されて目的物である５−シク
ロヘキサデセン−１−オンとともに２−ビニルシクロド
デカノンなどの未反応原料が回収容器６に回収される。
液相反応では不安定な２−ビニルシクロドデカノンも、
本発明の方法においてはほぼ定量的に回収される。本発
明の方法においては、５−シクロヘキサデセン−１−オ
ンは１，２−ジビニルシクロドデカノールより沸点が上
昇するため、原料段階で１，２−ジビニルシクロドデカ
ノールから２−ビニルシクロドデカノンを分離する場合
に比べ２−ビニルシクロドデカノンの分離が容易になる
というメリットがある。また、気相反応では高価な溶媒
も不要であり、単位容積あたりの生産効率も液相反応に
比較して、格段に改善される。また本発明の方法は粗蒸
留も兼ね留出物に高沸点物を全く含まないため、１，２
−ジビニルシクロドデカノールの分離も容易になる。そ
して、本発明の最大のメリットは５−シクロヘキサデセ
ン−１−オンを連続製造することができ、無人化が容易
に達成できることである。
れ、冷却装置５により冷却されて目的物である５−シク
ロヘキサデセン−１−オンとともに２−ビニルシクロド
デカノンなどの未反応原料が回収容器６に回収される。
液相反応では不安定な２−ビニルシクロドデカノンも、
本発明の方法においてはほぼ定量的に回収される。本発
明の方法においては、５−シクロヘキサデセン−１−オ
ンは１，２−ジビニルシクロドデカノールより沸点が上
昇するため、原料段階で１，２−ジビニルシクロドデカ
ノールから２−ビニルシクロドデカノンを分離する場合
に比べ２−ビニルシクロドデカノンの分離が容易になる
というメリットがある。また、気相反応では高価な溶媒
も不要であり、単位容積あたりの生産効率も液相反応に
比較して、格段に改善される。また本発明の方法は粗蒸
留も兼ね留出物に高沸点物を全く含まないため、１，２
−ジビニルシクロドデカノールの分離も容易になる。そ
して、本発明の最大のメリットは５−シクロヘキサデセ
ン−１−オンを連続製造することができ、無人化が容易
に達成できることである。
【００２６】なお、本発明においては、反応装置に続け
て分離・精製工程を設け、反応混合物の分離、回収を行
うことができる。反応混合物の分離には、一般に蒸留法
が用いられる。工業的に大量処理する場合には、自動化
に有利な連続蒸留方式を採用するのが望ましい。この連
続蒸留方式の一例を示すと、蒸留塔を４本使用し、各塔
頂留分として、各々、前留、２−ビニルシクロドデカノ
ン、中間留分、５−シクロヘキサデセン−１−オンを回
収することがあげられる。最後の第４塔の塔底からは後
留分が得られる。このようにして分離、回収された２−
ビニルシクロドデカノンはグリニア反応工程に戻され、
また５−シクロヘキサデセン−１−オンはそのまま、ま
たは更に蒸留、晶析工程などの精製工程を経て製品とさ
れる。これらの分離、精製には、１０〜４０段程度の通
常の精留塔を用いればよい。
て分離・精製工程を設け、反応混合物の分離、回収を行
うことができる。反応混合物の分離には、一般に蒸留法
が用いられる。工業的に大量処理する場合には、自動化
に有利な連続蒸留方式を採用するのが望ましい。この連
続蒸留方式の一例を示すと、蒸留塔を４本使用し、各塔
頂留分として、各々、前留、２−ビニルシクロドデカノ
ン、中間留分、５−シクロヘキサデセン−１−オンを回
収することがあげられる。最後の第４塔の塔底からは後
留分が得られる。このようにして分離、回収された２−
ビニルシクロドデカノンはグリニア反応工程に戻され、
また５−シクロヘキサデセン−１−オンはそのまま、ま
たは更に蒸留、晶析工程などの精製工程を経て製品とさ
れる。これらの分離、精製には、１０〜４０段程度の通
常の精留塔を用いればよい。
【００２７】また、反応混合物の分離、精製は、必ずし
も反応に引き続いて行う必要はない。すなわち、反応装
置から排出された反応混合物を一旦冷却して、反応混合
物の液からなる粗製５−シクロヘキサデセン−１−オン
液を得たのち、上記のごとき蒸留法等により、２−ビニ
ルシクロドデカノンおよび５−シクロヘキサデセン−１
−オンを分離してもよい。これらの物質は、上記と同
様、２−ビニルシクロドデカノンはグリニア反応工程に
戻されて１，２−ジビニルシクロドデカノールの合成原
料として用いられ、また５−シクロヘキサデセン−１−
オンはそのまま、または更に蒸留、晶析工程などの精製
工程を経て製品とされる。
も反応に引き続いて行う必要はない。すなわち、反応装
置から排出された反応混合物を一旦冷却して、反応混合
物の液からなる粗製５−シクロヘキサデセン−１−オン
液を得たのち、上記のごとき蒸留法等により、２−ビニ
ルシクロドデカノンおよび５−シクロヘキサデセン−１
−オンを分離してもよい。これらの物質は、上記と同
様、２−ビニルシクロドデカノンはグリニア反応工程に
戻されて１，２−ジビニルシクロドデカノールの合成原
料として用いられ、また５−シクロヘキサデセン−１−
オンはそのまま、または更に蒸留、晶析工程などの精製
工程を経て製品とされる。
【００２８】ところで、フラッシュ装置３、反応装置
４、回収容器６は、例えば真空ポンプなどの減圧装置８
により全体が減圧されるが、原料中にハロゲン化物、例
えば塩化物不純物などが存在する場合、反応時に脱塩化
水素反応が起こり、発生した塩酸ガスにより減圧装置８
が傷むおそれがある。これを防ぐためためには、ハロゲ
ン化水素トラップ、例えば塩酸ガストラップ７を介して
減圧を行うことが好ましい。このハロゲン化水素トラッ
プとしては、冷却された、アルカリ金属アルコラートあ
るいはアルカリ金属水酸化物を含有するもの、例えばア
セトンドライアイスバスあるいは液体窒素などにより−
７８℃〜−１００℃に冷却されたソジュームメチラート
／メタノールを用いることが好ましい。これにより、塩
酸ガスなどによる減圧装置の傷みなく、装置全体を高真
空に維持することができる。
４、回収容器６は、例えば真空ポンプなどの減圧装置８
により全体が減圧されるが、原料中にハロゲン化物、例
えば塩化物不純物などが存在する場合、反応時に脱塩化
水素反応が起こり、発生した塩酸ガスにより減圧装置８
が傷むおそれがある。これを防ぐためためには、ハロゲ
ン化水素トラップ、例えば塩酸ガストラップ７を介して
減圧を行うことが好ましい。このハロゲン化水素トラッ
プとしては、冷却された、アルカリ金属アルコラートあ
るいはアルカリ金属水酸化物を含有するもの、例えばア
セトンドライアイスバスあるいは液体窒素などにより−
７８℃〜−１００℃に冷却されたソジュームメチラート
／メタノールを用いることが好ましい。これにより、塩
酸ガスなどによる減圧装置の傷みなく、装置全体を高真
空に維持することができる。
【００２９】本発明においては、反応原料として１，２
−ジビニルシクロドデカノールが用いられる。原料とし
て用いられる１，２−ジビニルシクロドデカノールは種
々の方法で製造できるが、前記したように一般的には、
過剰量のグリニヤー試薬を使用して１−クロルシクロド
デカノン（２）とのグリニヤー反応を行い加熱転移反応
により２−ビニルシクロドデカノン（５）とし、引き続
いて残りのグリニヤー試薬との反応により、１，２−ジ
ビニルシクロドデカノール（３）が生成される。これら
の工程は通常ワンポットで行われ、反応生成物は酸性下
で水洗後トルエンで抽出され、抽出物を少量の１ないし
５０％ＮａＯＨ水溶液で洗浄し、乾燥濾過後濃縮するこ
とにより粗１，２−ジビニルシクロドデカノールとされ
る。この粗１，２−ジビニルシクロドデカノールには、
目的物である１，２−ジビニルシクロドデカノール以外
に、最終生成物にまで達しなかった２−ビニルシクロド
デカノン、その異性化体、クロル化合物の副生物、塩ビ
グリニヤー付加反応体、その他の高沸点化合物など種々
の化合物が含有されている。この粗１，２−ジビニルシ
クロドデカノールには通常５０重量％前後の１，２−ジ
ビニルシクロドデカノールが含まれており、減圧蒸留に
より精製１，２−ジビニルシクロドデカノールを得るこ
とができる。以下の実施例では、精製されていない粗
１，２−ジビニルシクロドデカノールが原料として用い
られるが、精製された１，２−ジビニルシクロドデカノ
ールを用いても同様に５−シクロヘキサデセン−１−オ
ンを製造することができる。
−ジビニルシクロドデカノールが用いられる。原料とし
て用いられる１，２−ジビニルシクロドデカノールは種
々の方法で製造できるが、前記したように一般的には、
過剰量のグリニヤー試薬を使用して１−クロルシクロド
デカノン（２）とのグリニヤー反応を行い加熱転移反応
により２−ビニルシクロドデカノン（５）とし、引き続
いて残りのグリニヤー試薬との反応により、１，２−ジ
ビニルシクロドデカノール（３）が生成される。これら
の工程は通常ワンポットで行われ、反応生成物は酸性下
で水洗後トルエンで抽出され、抽出物を少量の１ないし
５０％ＮａＯＨ水溶液で洗浄し、乾燥濾過後濃縮するこ
とにより粗１，２−ジビニルシクロドデカノールとされ
る。この粗１，２−ジビニルシクロドデカノールには、
目的物である１，２−ジビニルシクロドデカノール以外
に、最終生成物にまで達しなかった２−ビニルシクロド
デカノン、その異性化体、クロル化合物の副生物、塩ビ
グリニヤー付加反応体、その他の高沸点化合物など種々
の化合物が含有されている。この粗１，２−ジビニルシ
クロドデカノールには通常５０重量％前後の１，２−ジ
ビニルシクロドデカノールが含まれており、減圧蒸留に
より精製１，２−ジビニルシクロドデカノールを得るこ
とができる。以下の実施例では、精製されていない粗
１，２−ジビニルシクロドデカノールが原料として用い
られるが、精製された１，２−ジビニルシクロドデカノ
ールを用いても同様に５−シクロヘキサデセン−１−オ
ンを製造することができる。
【００３０】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に具体的に説
明するが、これによって本発明が限定されるものではな
い。
明するが、これによって本発明が限定されるものではな
い。
【００３１】実施例１ 原料である粗１，２−ジビニルシクロドデカノール２０
ｇを５０ｍｌ蒸留フラスコに仕込み、この蒸留フラスコ
をヘリオパックＮｏ．４を充填した塔長１５０ｍｍ、塔
径２５ｍｍのステンレス製反応装置にセットした。装置
全体を０．５〜０．２ｍＨｇに減圧し、原料が仕込まれ
たフラスコを１３０〜１５０℃に加熱して、１，２−ジ
ビニルシクロドデカノールを気化させ、一方、反応装置
はリボンヒーターで４５０〜５００℃に加熱し、塔頂の
温度を１１５〜１２０℃として通常の減圧蒸留と同様に
操作、留出させた。生成物中に分解物はほとんどみられ
なかった。流出物を減圧蒸留して５−シクロヘキサデセ
ン−１−オンおよび２−ビニルシクロドデカノンを得
た。１，２−ジビニルシクロドデカノールから５−シク
ロヘキサデセン−１−オンへの理論収率は８７．５％
（転化率１００％）であった。なお、加熱温度は、反応
装置の外部中央部の温度である。
ｇを５０ｍｌ蒸留フラスコに仕込み、この蒸留フラスコ
をヘリオパックＮｏ．４を充填した塔長１５０ｍｍ、塔
径２５ｍｍのステンレス製反応装置にセットした。装置
全体を０．５〜０．２ｍＨｇに減圧し、原料が仕込まれ
たフラスコを１３０〜１５０℃に加熱して、１，２−ジ
ビニルシクロドデカノールを気化させ、一方、反応装置
はリボンヒーターで４５０〜５００℃に加熱し、塔頂の
温度を１１５〜１２０℃として通常の減圧蒸留と同様に
操作、留出させた。生成物中に分解物はほとんどみられ
なかった。流出物を減圧蒸留して５−シクロヘキサデセ
ン−１−オンおよび２−ビニルシクロドデカノンを得
た。１，２−ジビニルシクロドデカノールから５−シク
ロヘキサデセン−１−オンへの理論収率は８７．５％
（転化率１００％）であった。なお、加熱温度は、反応
装置の外部中央部の温度である。
【００３２】実施例２ 図１に示される装置を用いて、５−シクロヘキサデセン
−１−オンを連続製造した。まず、原料を反応原料容器
１から定量ポンプ２によりフラッシュ装置３に６ｇ／分
の供給量で供給した。フラッシュ装置は、内部にヘリオ
パックＮｏ．４が充填された内径が２５ｍｍ、長さ２５
０ｍｍのステンレス製の円筒からなり、リボンヒーター
により２００〜２５０℃に加熱されている。この加熱は
フラッシュ装置出口から反応装置４の入り口まで引き続
き行われる。反応装置４は、内部にヘリオパックＮｏ．
４が１６５ｍｌ充填され、内径が２５ｍｍ，長さが４０
０ｍｍのステンレス製の円筒からなり、２５０ｍｍの長
さがマントルヒーターにより周囲から加熱される。この
とき全装置内は真空ポンプ８により０．５ｍｍＨｇの圧
力に減圧されている。加熱部中央の反応管外表面温度が
５００℃、５３０℃、５６０℃、６００℃、６５０℃と
なるように加熱した条件で反応を行い、反応生成物を回
収した。それぞれの温度での５−シクロヘキサデセン−
１−オンの収率および２−ビニルシクロドデカノンの回
収率を図２に示す。図２において、■は５−シクロヘキ
サデセン−１−オンの収率を示し、●は２−ビニルシク
ロドデカノンの回収率を示す。図２に示されるように、
５００〜６００℃の加熱温度においては、５−シクロヘ
キサデセン−１−オンの収率は約８７％であり、２−ビ
ニルシクロドデカノンの回収率はほぼ１００％である。
また、６５０℃においては、５−シクロヘキサデセン−
１−オンの収率は６８％、２−ビニルシクロドデカノン
の回収率は６６％であった。
−１−オンを連続製造した。まず、原料を反応原料容器
１から定量ポンプ２によりフラッシュ装置３に６ｇ／分
の供給量で供給した。フラッシュ装置は、内部にヘリオ
パックＮｏ．４が充填された内径が２５ｍｍ、長さ２５
０ｍｍのステンレス製の円筒からなり、リボンヒーター
により２００〜２５０℃に加熱されている。この加熱は
フラッシュ装置出口から反応装置４の入り口まで引き続
き行われる。反応装置４は、内部にヘリオパックＮｏ．
４が１６５ｍｌ充填され、内径が２５ｍｍ，長さが４０
０ｍｍのステンレス製の円筒からなり、２５０ｍｍの長
さがマントルヒーターにより周囲から加熱される。この
とき全装置内は真空ポンプ８により０．５ｍｍＨｇの圧
力に減圧されている。加熱部中央の反応管外表面温度が
５００℃、５３０℃、５６０℃、６００℃、６５０℃と
なるように加熱した条件で反応を行い、反応生成物を回
収した。それぞれの温度での５−シクロヘキサデセン−
１−オンの収率および２−ビニルシクロドデカノンの回
収率を図２に示す。図２において、■は５−シクロヘキ
サデセン−１−オンの収率を示し、●は２−ビニルシク
ロドデカノンの回収率を示す。図２に示されるように、
５００〜６００℃の加熱温度においては、５−シクロヘ
キサデセン−１−オンの収率は約８７％であり、２−ビ
ニルシクロドデカノンの回収率はほぼ１００％である。
また、６５０℃においては、５−シクロヘキサデセン−
１−オンの収率は６８％、２−ビニルシクロドデカノン
の回収率は６６％であった。
【００３３】比較例 加熱温度を７００℃とすること以外は実施例２を繰り返
した。結果を図２に示すが、５−シクロヘキサデセン−
１−オンの収率は４４％であり、２−ビニルシクロドデ
カノンの回収率は２３％であった。
した。結果を図２に示すが、５−シクロヘキサデセン−
１−オンの収率は４４％であり、２−ビニルシクロドデ
カノンの回収率は２３％であった。
【００３４】なお、この比較例においては、分解のため
と考えられるが、減圧度は４．１ｍｍＨｇに落ちた。
と考えられるが、減圧度は４．１ｍｍＨｇに落ちた。
【００３５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の製造法およ
び製造装置により、次のような効果を得ることができ
る。
び製造装置により、次のような効果を得ることができ
る。
【００３６】（１）１，２−ジビニルシクロドデカノー
ルの５−シクロヘキサデセン−１−オンの転換を高真空
下、気相状態で行うため、液相反応に比べ分子間距離が
大きく、このため分子間の重合等の副反応が起きず、高
収率、短時間で副反応を伴うことなく５−シクロヘキサ
デセン−１−オンを得ることができる。
ルの５−シクロヘキサデセン−１−オンの転換を高真空
下、気相状態で行うため、液相反応に比べ分子間距離が
大きく、このため分子間の重合等の副反応が起きず、高
収率、短時間で副反応を伴うことなく５−シクロヘキサ
デセン−１−オンを得ることができる。
【００３７】（２）反応に際し溶媒を用いず、反応と同
時に蒸留も行われるため、ヤニ抜き蒸留、溶媒回収等の
後処理が不要で、しかも連続運転が可能で、量産化、自
動化（無人化）が可能であり、工業的に優れている。
時に蒸留も行われるため、ヤニ抜き蒸留、溶媒回収等の
後処理が不要で、しかも連続運転が可能で、量産化、自
動化（無人化）が可能であり、工業的に優れている。
【００３８】（３）反応原料として粗製品を使用した場
合においても、反応原料中の２−ビニルシクロドデカノ
ンなどの有用物質の分解、異性化反応などの副反応が起
きず、未反応の有用物質をほぼ１００％反応後回収でき
る。
合においても、反応原料中の２−ビニルシクロドデカノ
ンなどの有用物質の分解、異性化反応などの副反応が起
きず、未反応の有用物質をほぼ１００％反応後回収でき
る。
【図１】本発明の５−シクロヘキサデセン−１−オン製
造装置の一実施例である。
造装置の一実施例である。
【図２】反応装置の加熱温度を変えた場合における、５
−シクロヘキサデセン−１−オンの収率（■）および２
−ビニルシクロドデカノンの回収率（●）を示すグラフ
である。
−シクロヘキサデセン−１−オンの収率（■）および２
−ビニルシクロドデカノンの回収率（●）を示すグラフ
である。
１ 原料容器 ２ 定量ポンプ ３ フラッシュ装置 ４ 反応装置 ５ 冷却装置 ６ 反応生成物回収容器 ７ 塩酸ガストラップ装置 ８ 減圧装置 ９ 非気化物回収容器 １０ 温度計 １１ 反応管 １２ 充填物 １３ 加熱体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 天野 章 神奈川県平塚市西八幡一丁目４番11号 高 砂香料工業株式会社総合研究所内
Claims (9)
- 【請求項１】１，２−ジビニルシクロドデカノールを減
圧下、気相状態において４００〜６５０℃で加熱するこ
とを特徴とする５−シクロヘキサデセン−１−オンの製
造法。 - 【請求項２】１，２−ジビニルシクロドデカノールを含
有する原料液体を減圧下、４００℃未満の温度に加熱し
て、少なくとも１，２−ジビニルシクロドデカノールを
予め気化させ、気化されたガスを減圧下４００〜６５０
℃の反応領域に導入し、反応終了後反応領域から排出さ
れる反応ガスを冷却することを特徴とする５−シクロヘ
キサデセン−１−オンの製造法。 - 【請求項３】上記圧力が５ｍｍＨｇ以下であることを特
徴とする請求項１または２記載の５−シクロヘキサデセ
ン−１−オンの製造法。 - 【請求項４】反応領域から排出された反応ガスを冷却し
て５−シクロヘキサデセン−１−オンを回収する際に精
留したのち回収することを特徴とする請求項２または３
記載の５−シクロヘキサデセン−１−オンの製造法。 - 【請求項５】反応領域から排出された反応ガスからまた
は該反応ガスを冷却して得た粗５−シクロヘキサデセン
−１−オンから２−ビニルシクロドデカノンを回収し、
回収した２−ビニルシクロドデカノンを１，２−ジビニ
ルシクロドデカノールの合成原料としてリサイクル使用
することを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項記載
の５−シクロヘキサデセン−１−オンの製造法。 - 【請求項６】少なくとも反応領域を減圧する減圧手段と
反応領域の間に、冷却され、アルカリ金属アルコラート
あるいはアルカリ金属水酸化物を含有するハロゲン化水
素トラップ手段を設け、反応領域を該ハロゲン化水素ト
ラップ手段を介して減圧することを特徴とする請求項１
〜５のいずれか１項に記載の５−シクロヘキサデセン−
１−オンの製造法。 - 【請求項７】少なくとも１，２−ジビニルシクロドデカ
ノールを含有する原料を気化する気化手段、４００〜６
５０℃に加熱された、気相状態の１，２−ジビニルシク
ロドデカノールを５−シクロヘキサデセン−１−オンに
転換する反応手段、形成された５−シクロヘキサデセン
−１−オンを回収する回収手段および前記気化手段、反
応手段、回収手段を減圧するための減圧手段を有するこ
とを特徴とする５−シクロヘキサデセン−１−オンの製
造装置。 - 【請求項８】上記反応手段に充填材が充填されているこ
とを特徴とする請求項７記載の５−シクロヘキサデセン
−１−オンの製造装置。 - 【請求項９】請求項７または８記載の５−シクロヘキサ
デセン−１−オンの製造装置において、アルカリ金属ア
ルコラートあるいはアルカリ金属水酸化物を含有するハ
ロゲン化水素トラップ手段が更に設けられていることを
特徴とする５−シクロヘキサデセン−１−オンの製造装
置。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP10124717A JPH11322662A (ja) | 1998-05-07 | 1998-05-07 | ５−シクロヘキサデセン−１−オンの製造法および製造装置 |
| EP99401101A EP0955285B1 (en) | 1998-05-07 | 1999-05-05 | Process and apparatus for production of 5-cyclohexadecen-1-one |
| DE69900448T DE69900448T2 (de) | 1998-05-07 | 1999-05-05 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von 5-Cyclohexadecen-1-on |
| US09/304,256 US6169211B1 (en) | 1998-05-07 | 1999-05-06 | Process and apparatus for production of 5-cyclohexadecen-1-one |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10124717A JPH11322662A (ja) | 1998-05-07 | 1998-05-07 | ５−シクロヘキサデセン−１−オンの製造法および製造装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family Applications (1)
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- 1999-05-06 US US09/304,256 patent/US6169211B1/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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