JPH1131766A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH1131766A JPH1131766A JP9185090A JP18509097A JPH1131766A JP H1131766 A JPH1131766 A JP H1131766A JP 9185090 A JP9185090 A JP 9185090A JP 18509097 A JP18509097 A JP 18509097A JP H1131766 A JPH1131766 A JP H1131766A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放熱部材８ａの放熱性を高め、形成コス
トを低め、剛性を強めて変形を阻むことにより半導体装
置の外部端子（半田ボール）６における例えばプリント
配線基板への接続性の低下を防止し、半田ボール６のリ
フロー工程で封止用等の樹脂７、１３から発生し放熱部
材８ａと半導体素子１との間の空隙に溜まったガスが熱
により膨張高圧化して気密性が減少することを防止す
る。 【解決手段】 フィルム回路３の各リード５に半導体素
子１の各電極２をボンディングし、半導体素子１・フィ
ルム回路３間を封止し、ヒートスプレッダ９と補強体１
０とを一体化した放熱部材８の該ヒートスプレッダ９を
半導体素子１の底面に、補強体１０をフィルム回路３の
底面に接着してなる。更に、放熱部材８にガス抜き孔２
０を設ける。
トを低め、剛性を強めて変形を阻むことにより半導体装
置の外部端子（半田ボール）６における例えばプリント
配線基板への接続性の低下を防止し、半田ボール６のリ
フロー工程で封止用等の樹脂７、１３から発生し放熱部
材８ａと半導体素子１との間の空隙に溜まったガスが熱
により膨張高圧化して気密性が減少することを防止す
る。 【解決手段】 フィルム回路３の各リード５に半導体素
子１の各電極２をボンディングし、半導体素子１・フィ
ルム回路３間を封止し、ヒートスプレッダ９と補強体１
０とを一体化した放熱部材８の該ヒートスプレッダ９を
半導体素子１の底面に、補強体１０をフィルム回路３の
底面に接着してなる。更に、放熱部材８にガス抜き孔２
０を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、特に
外部端子を成す複数の電極ボール及び該各電極ボールと
半導体素子の各電極との間を接続するリード配線を有す
るフィルム回路の該各リード配線に半導体素子の各電極
をボンディングし、該半導体素子・フィルム回路間を封
止し、該半導体素子の底面からの放熱を促すヒートスプ
レッダと該半導体素子を囲繞し上記フィルム回路を補強
する補強体とからなる放熱部材のヒートスプレッダを成
す部分を半導体素子の底面に、補強体を成す部分をフィ
ルム回路の底面に接着してなる半導体装置に関する。
外部端子を成す複数の電極ボール及び該各電極ボールと
半導体素子の各電極との間を接続するリード配線を有す
るフィルム回路の該各リード配線に半導体素子の各電極
をボンディングし、該半導体素子・フィルム回路間を封
止し、該半導体素子の底面からの放熱を促すヒートスプ
レッダと該半導体素子を囲繞し上記フィルム回路を補強
する補強体とからなる放熱部材のヒートスプレッダを成
す部分を半導体素子の底面に、補強体を成す部分をフィ
ルム回路の底面に接着してなる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５（Ａ）、（Ｂ）は半導体素子をフィ
ルム回路を用いて実装し更に放熱部材により放熱性を高
めた半導体装置の各別の従来例を示す断面図である。図
面において、１は半導体素子、２は該半導体素子１の周
辺部に配設された電極パッド、３は該半導体素子１の実
装に用いられたフィルム回路で、絶縁フィルム４の一方
の面（下側の面）にインナーリード５を形成し、他方の
面に該インナーリード５表面と開口を通じて接続された
半田ボール６を形成してなる。該半田ボール６は半導体
装置の外部電極を成す。
ルム回路を用いて実装し更に放熱部材により放熱性を高
めた半導体装置の各別の従来例を示す断面図である。図
面において、１は半導体素子、２は該半導体素子１の周
辺部に配設された電極パッド、３は該半導体素子１の実
装に用いられたフィルム回路で、絶縁フィルム４の一方
の面（下側の面）にインナーリード５を形成し、他方の
面に該インナーリード５表面と開口を通じて接続された
半田ボール６を形成してなる。該半田ボール６は半導体
装置の外部電極を成す。
【０００３】上記フィルム回路３はその各インナーリー
ド５がその先端にて上記半導体素子１の電極パッド２に
ボンディングされて半導体素子１に組み付けられてな
る。７は半導体素子１とフィルム回路３との接続部を封
止する樹脂である。
ド５がその先端にて上記半導体素子１の電極パッド２に
ボンディングされて半導体素子１に組み付けられてな
る。７は半導体素子１とフィルム回路３との接続部を封
止する樹脂である。
【０００４】８ａは放熱部材で、アルミニウムからなる
ヒートスプレッダ９と、それと別体の同じくアルミニウ
ムからなる補強板１０からなり、該ヒートスプレッド９
は矩形状の薄板（厚さ例えば０．３mm）、補強板１０は
矩形枠状の薄板（厚さ例えば０．５mm）であり、ヒート
スプレッダ９の表面に接着剤１１に接着されている。従
来における放熱部材８ａはこのようにヒートスプレッダ
９に接着剤１１により補強板１０を接着することにより
一体化されていた。
ヒートスプレッダ９と、それと別体の同じくアルミニウ
ムからなる補強板１０からなり、該ヒートスプレッド９
は矩形状の薄板（厚さ例えば０．３mm）、補強板１０は
矩形枠状の薄板（厚さ例えば０．５mm）であり、ヒート
スプレッダ９の表面に接着剤１１に接着されている。従
来における放熱部材８ａはこのようにヒートスプレッダ
９に接着剤１１により補強板１０を接着することにより
一体化されていた。
【０００５】上記放熱部材８ａのヒートスプレッド９の
補強板１０に囲繞された部分の表面に半導体素子１の裏
面を接着剤１１により接着し、補強板１０の表面に上記
フィルム回路３の周辺部裏面を接着剤１３により接着す
ることにより放熱部材８ａを半導体素子１に取り付けて
なる。尚、図５（Ｂ）における１４は外形リングであ
り、フィルム回路３の一部を成す。
補強板１０に囲繞された部分の表面に半導体素子１の裏
面を接着剤１１により接着し、補強板１０の表面に上記
フィルム回路３の周辺部裏面を接着剤１３により接着す
ることにより放熱部材８ａを半導体素子１に取り付けて
なる。尚、図５（Ｂ）における１４は外形リングであ
り、フィルム回路３の一部を成す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の半導
体装置には、第１に、放熱部材８ａによる放熱抵抗を小
さくすることに限界があった。というのは、放熱部材８
ａが別体に形成されたヒートスプレッダ９と補強板１０
からなり、その間に接着剤１１が介在し、該接着剤１１
の熱抵抗がアルミニウム等の放熱部材８ａ形成材料と比
較して相当に大きいからである。
体装置には、第１に、放熱部材８ａによる放熱抵抗を小
さくすることに限界があった。というのは、放熱部材８
ａが別体に形成されたヒートスプレッダ９と補強板１０
からなり、その間に接着剤１１が介在し、該接着剤１１
の熱抵抗がアルミニウム等の放熱部材８ａ形成材料と比
較して相当に大きいからである。
【０００７】第２に、放熱部材８ａは、ヒートスプレッ
ダ９と補強板１０とを別々に形成し、それを接着剤１１
により接着することにより形成していたので、形成に要
する工程が多く、コストが無視できないほど高く、半導
体装置の製造コストの低減を阻む一つの要因になるとい
う問題があった。
ダ９と補強板１０とを別々に形成し、それを接着剤１１
により接着することにより形成していたので、形成に要
する工程が多く、コストが無視できないほど高く、半導
体装置の製造コストの低減を阻む一つの要因になるとい
う問題があった。
【０００８】第３に、放熱部材８ａの主要部を成すヒー
トスプレッダ９は半導体装置の薄型化、軽量化等の要請
から例えば０．３mmというように薄いことが要求され、
そのため、変形し易く、そのため、半田ボール６の高さ
が不均一になり易く、その結果、例えばプリント配線基
板の配線膜にボンディングするときのボンディングに支
障を来すおそれがあるという問題があった。
トスプレッダ９は半導体装置の薄型化、軽量化等の要請
から例えば０．３mmというように薄いことが要求され、
そのため、変形し易く、そのため、半田ボール６の高さ
が不均一になり易く、その結果、例えばプリント配線基
板の配線膜にボンディングするときのボンディングに支
障を来すおそれがあるという問題があった。
【０００９】第４に、半導体装置の組み付け後、半導体
装置をリフロー炉に通して半田ボール６をドーム状に整
形するときに、接着用の樹脂１１、封止用の樹脂７内か
ら半導体素子１と放熱部材８ａとの間の空隙１５に放出
されたガス（例えば水分）が熱により膨張し、ヒートス
プレッダ９と補強板１０との間の接着剤１１がその圧力
により剥離する、或いは封止効果が低下するという不良
が発生するという問題があった。
装置をリフロー炉に通して半田ボール６をドーム状に整
形するときに、接着用の樹脂１１、封止用の樹脂７内か
ら半導体素子１と放熱部材８ａとの間の空隙１５に放出
されたガス（例えば水分）が熱により膨張し、ヒートス
プレッダ９と補強板１０との間の接着剤１１がその圧力
により剥離する、或いは封止効果が低下するという不良
が発生するという問題があった。
【００１０】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、放熱部材の放熱性を高め、放熱部材
の形成コストを低め、放熱部材の剛性を強めることによ
り変形を阻んで半導体装置の外部端子における他の部
材、例えばプリント配線基板への接続性の低下を防止
し、更には、半田ボールのリフロー工程で封止用等の樹
脂から発生し放熱部材と半導体素子との間の空隙に溜ま
ったガスが熱により膨張してその圧力により剥離が生じ
る等して気密性が喪失乃至減少する不良の発生を防止す
ることを目的とする。
されたものであり、放熱部材の放熱性を高め、放熱部材
の形成コストを低め、放熱部材の剛性を強めることによ
り変形を阻んで半導体装置の外部端子における他の部
材、例えばプリント配線基板への接続性の低下を防止
し、更には、半田ボールのリフロー工程で封止用等の樹
脂から発生し放熱部材と半導体素子との間の空隙に溜ま
ったガスが熱により膨張してその圧力により剥離が生じ
る等して気密性が喪失乃至減少する不良の発生を防止す
ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の半導体装置
は、フィルム回路の各リード配線に半導体素子の各電極
をボンディングし、半導体素子・フィルム回路間を封止
し、ヒートスプレッダと補強体とを一体化した放熱部材
の該ヒートスプレッダを半導体素子の底面に、補強体を
フィルム回路の底面に接着してなることを特徴とする。
は、フィルム回路の各リード配線に半導体素子の各電極
をボンディングし、半導体素子・フィルム回路間を封止
し、ヒートスプレッダと補強体とを一体化した放熱部材
の該ヒートスプレッダを半導体素子の底面に、補強体を
フィルム回路の底面に接着してなることを特徴とする。
【００１２】従って、請求項１の半導体装置によれば、
放熱部材がヒートスプレッダと補強体とを一体化してな
るので、その間（ヒートスプレッダ・補強体間）に接着
剤という熱抵抗の大きなものが介在しないので、半導体
素子で発生し放熱部材のヒートスプレッダに伝わった熱
が補強部材を通じても外部に有効に放熱され得る。従っ
て、従来よりも放熱性が高くなる。
放熱部材がヒートスプレッダと補強体とを一体化してな
るので、その間（ヒートスプレッダ・補強体間）に接着
剤という熱抵抗の大きなものが介在しないので、半導体
素子で発生し放熱部材のヒートスプレッダに伝わった熱
が補強部材を通じても外部に有効に放熱され得る。従っ
て、従来よりも放熱性が高くなる。
【００１３】そして、放熱部材がヒートスプレッダと補
強体を一体化してなるので、組立が必要でなく、形成に
要する工程を少なくでき、形成価格を低下することがで
き、延いては半導体装置の製造コストを低下することが
できる。特に、粉末冶金法による金属成形により放熱部
材を形成することととすれば、成型用型を用いて型成形
により極めて簡単に放熱部材を形成することができ、放
熱部材の形成コストの著しい低減を図ることができる。
強体を一体化してなるので、組立が必要でなく、形成に
要する工程を少なくでき、形成価格を低下することがで
き、延いては半導体装置の製造コストを低下することが
できる。特に、粉末冶金法による金属成形により放熱部
材を形成することととすれば、成型用型を用いて型成形
により極めて簡単に放熱部材を形成することができ、放
熱部材の形成コストの著しい低減を図ることができる。
【００１４】また、放熱部材がヒートスプレッダと補強
体を一体化してなるので、ヒートスプレッダが補強体に
より補強され、放熱部材としての剛性が強まる。従っ
て、放熱部材が変形しにくくなり、半導体装置の外部端
子における他の部材、例えばプリント配線基板への接続
性の低下を防止することができる。
体を一体化してなるので、ヒートスプレッダが補強体に
より補強され、放熱部材としての剛性が強まる。従っ
て、放熱部材が変形しにくくなり、半導体装置の外部端
子における他の部材、例えばプリント配線基板への接続
性の低下を防止することができる。
【００１５】請求項２の半導体装置は、フィルム回路の
該各リード配線に半導体素子の各電極をボンディング
し、該半導体素子・フィルム回路間を封止し、ヒートス
プレッダと補強体とからなる放熱部材のヒートスプレッ
ダを半導体素子の底面に、補強体をフィルム回路の底面
に接着してなり、上記放熱部材に、該放熱部材自身と上
記半導体素子との間の空隙と、放熱部材の外面との間を
連通するガス抜き孔を形成してなることを特徴とする。
該各リード配線に半導体素子の各電極をボンディング
し、該半導体素子・フィルム回路間を封止し、ヒートス
プレッダと補強体とからなる放熱部材のヒートスプレッ
ダを半導体素子の底面に、補強体をフィルム回路の底面
に接着してなり、上記放熱部材に、該放熱部材自身と上
記半導体素子との間の空隙と、放熱部材の外面との間を
連通するガス抜き孔を形成してなることを特徴とする。
【００１６】従って、請求項２の半導体装置によれば、
接着用等の樹脂内から半導体素子と放熱部材との間の空
隙に放出されたガス（例えば水分）がガス抜き孔を通じ
て外部に放出されるので、リフロー時における熱により
そのガスが膨張して高圧となり剥離が生じる等して半導
体装置の気密性が低下乃至喪失するというおそれがな
い。
接着用等の樹脂内から半導体素子と放熱部材との間の空
隙に放出されたガス（例えば水分）がガス抜き孔を通じ
て外部に放出されるので、リフロー時における熱により
そのガスが膨張して高圧となり剥離が生じる等して半導
体装置の気密性が低下乃至喪失するというおそれがな
い。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明半導体装置の第１のもの
は、フィルム回路の各リード配線に半導体素子の各電極
をボンディングし、半導体素子・フィルム回路間を封止
し、ヒートスプレッダと補強体とを一体化した放熱部材
の該ヒートスプレッダを半導体素子の底面に、補強体を
フィルム回路の底面に接着してなる。フィルム回路は、
絶縁層が例えばポリイミド或いはエポキシ等の樹脂から
なり、インナーリードが例えば銅からなり、外部端子が
例えばニッケル、半田のメッキにより形成され、リフロ
ー工程でドーム状に整形してなる。フィルム回路は半導
体素子を囲繞し、フィルム回路自身を補強し静電シール
ドする外形リングを有するものもあれば、有しないもの
もある。
は、フィルム回路の各リード配線に半導体素子の各電極
をボンディングし、半導体素子・フィルム回路間を封止
し、ヒートスプレッダと補強体とを一体化した放熱部材
の該ヒートスプレッダを半導体素子の底面に、補強体を
フィルム回路の底面に接着してなる。フィルム回路は、
絶縁層が例えばポリイミド或いはエポキシ等の樹脂から
なり、インナーリードが例えば銅からなり、外部端子が
例えばニッケル、半田のメッキにより形成され、リフロ
ー工程でドーム状に整形してなる。フィルム回路は半導
体素子を囲繞し、フィルム回路自身を補強し静電シール
ドする外形リングを有するものもあれば、有しないもの
もある。
【００１８】放熱部材はヒートスプレッダと補強板を一
体化してなるが、それは例えばアルミニウム或いは銅等
の熱導電性の良好な金属を用いて粉末冶金法により型を
用いて型成形加工することにより形成することができ
る。
体化してなるが、それは例えばアルミニウム或いは銅等
の熱導電性の良好な金属を用いて粉末冶金法により型を
用いて型成形加工することにより形成することができ
る。
【００１９】本発明半導体装置の第２のものは、放熱部
材に、該放熱部材自身と上記半導体素子との間の空隙
と、放熱部材の外面との間を連通するガス抜き孔を形成
してなる。その孔は矩形状の半導体素子の例えば４つの
コーナー（隅角部）の近傍に設け、孔径は例えば０．３
〜１．０mmにする。
材に、該放熱部材自身と上記半導体素子との間の空隙
と、放熱部材の外面との間を連通するガス抜き孔を形成
してなる。その孔は矩形状の半導体素子の例えば４つの
コーナー（隅角部）の近傍に設け、孔径は例えば０．３
〜１．０mmにする。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を図示実施例に従って詳細に説
明する。
明する。
【００２１】図１は本発明半導体装置の第１の実施例を
示す断面図である。図面において、１は半導体素子、２
は該半導体素子１の周辺部に配設された電極パッド、３
は該半導体素子１の実装に用いられたフィルム回路で、
絶縁フィルム４の一方の面（下側の面）にインナーリー
ド５を形成し、他方の面に該インナーリード５表面と開
口を通じて接続された半田ボール６を形成してなる。該
半田ボール６は半導体装置の外部電極を成し、上記イン
ナーリード５を下地とする電解メッキにより形成されて
いる。本例では、先ずニッケルメッキし、次に半田メッ
キすることにより高さ０．５mm、幅０．６mmの大きさの
二層構造を有する半田ボール６が形成され、その形成ピ
ッチは例えば１．０mmにされている。１４は外形リング
で、例えば１５０μｍ程度の厚さを有する。
示す断面図である。図面において、１は半導体素子、２
は該半導体素子１の周辺部に配設された電極パッド、３
は該半導体素子１の実装に用いられたフィルム回路で、
絶縁フィルム４の一方の面（下側の面）にインナーリー
ド５を形成し、他方の面に該インナーリード５表面と開
口を通じて接続された半田ボール６を形成してなる。該
半田ボール６は半導体装置の外部電極を成し、上記イン
ナーリード５を下地とする電解メッキにより形成されて
いる。本例では、先ずニッケルメッキし、次に半田メッ
キすることにより高さ０．５mm、幅０．６mmの大きさの
二層構造を有する半田ボール６が形成され、その形成ピ
ッチは例えば１．０mmにされている。１４は外形リング
で、例えば１５０μｍ程度の厚さを有する。
【００２２】上記フィルム回路３はその各インナーリー
ド５がその先端にて上記半導体素子１の電極パッド２に
ボンディングされて半導体素子１に組み付けられてな
る。７は半導体素子１とフィルム回路３との接続部を封
止する樹脂である。
ド５がその先端にて上記半導体素子１の電極パッド２に
ボンディングされて半導体素子１に組み付けられてな
る。７は半導体素子１とフィルム回路３との接続部を封
止する樹脂である。
【００２３】８は放熱部材で、例えばアルミニウム或い
は銅等の熱伝導率の高い金属を用い粉末冶金法を用いて
型成形により、図２に示すように、ヒートスプレッダ９
と、補強板１０とを一体に形成してなる。図２における
２点鎖線はヒートスプレッダ９と補強板１０との観念的
境界を示すものであるが、両者９・１０が一体に形成さ
れているので実際には斯かる境界は存在しない。該放熱
部材８の周辺部における厚さ（換言すればヒートスプレ
ッド９と補強板１０との厚さの和）は例えば０．５〜
２．０mm、補強板１０の厚さは、例えば半導体チップ１
の厚さ＋０〜０．２mm程度にされている。
は銅等の熱伝導率の高い金属を用い粉末冶金法を用いて
型成形により、図２に示すように、ヒートスプレッダ９
と、補強板１０とを一体に形成してなる。図２における
２点鎖線はヒートスプレッダ９と補強板１０との観念的
境界を示すものであるが、両者９・１０が一体に形成さ
れているので実際には斯かる境界は存在しない。該放熱
部材８の周辺部における厚さ（換言すればヒートスプレ
ッド９と補強板１０との厚さの和）は例えば０．５〜
２．０mm、補強板１０の厚さは、例えば半導体チップ１
の厚さ＋０〜０．２mm程度にされている。
【００２４】２０は放熱部材８のヒートスプレッダ９に
形成されたガス抜き孔で、その径は例えば０．３〜１．
０mmで、矩形状の半導体素子１の例えば４つのコーナー
の稍外側にあたる部分に形成されている。このガス抜き
孔２０は半導体素子１と放熱部材８との間の空隙１５と
放熱部材８外部とを連通するものであり、樹脂７等に存
在していたガスが後の半田ボール６の整形のためのリフ
ロー時に空隙１５に溜まって膨張するのを防止する役割
を果たす。
形成されたガス抜き孔で、その径は例えば０．３〜１．
０mmで、矩形状の半導体素子１の例えば４つのコーナー
の稍外側にあたる部分に形成されている。このガス抜き
孔２０は半導体素子１と放熱部材８との間の空隙１５と
放熱部材８外部とを連通するものであり、樹脂７等に存
在していたガスが後の半田ボール６の整形のためのリフ
ロー時に空隙１５に溜まって膨張するのを防止する役割
を果たす。
【００２５】該放熱部材２０のヒートスプレッダ９の底
面には例えば０〜０．２mmの深さを有する溝２１が例え
ば０〜１．０mmのピッチで形成されている。該溝２１は
ヒートスプレッダ９の底面の表面積を広くし、放熱性を
高めるために形成されたものである。２２は１ピンマー
ク等の表示を成す溝であり、溝２１と同じ深さを有し、
溝２１とは異なる幅、形状を有している。溝２１、２２
は放熱部材８の粉末冶金法を用いての型成形加工の際に
形成される。
面には例えば０〜０．２mmの深さを有する溝２１が例え
ば０〜１．０mmのピッチで形成されている。該溝２１は
ヒートスプレッダ９の底面の表面積を広くし、放熱性を
高めるために形成されたものである。２２は１ピンマー
ク等の表示を成す溝であり、溝２１と同じ深さを有し、
溝２１とは異なる幅、形状を有している。溝２１、２２
は放熱部材８の粉末冶金法を用いての型成形加工の際に
形成される。
【００２６】上記放熱部材８のヒートスプレッド９の補
強板１０に囲繞された部分の表面に半導体素子１の裏面
を例えば熱導電性接着剤（導電性ペースト）２３により
或いは接着剤（ポリオレフィン系接着剤シート或いはエ
ポキシ／ニトリル系接着剤等厚さ例えば２０〜１００μ
ｍ）１３により接着し、補強板１０の表面に上記フィル
ム回路３の周辺部裏面を接着剤（ポリオレフィン系接着
剤シート或いはエポキシ／ニトリル系接着剤等 厚さ例
えば２０〜１００μｍ）１３により接着することにより
放熱部材８を半導体素子１に取り付けてなる。
強板１０に囲繞された部分の表面に半導体素子１の裏面
を例えば熱導電性接着剤（導電性ペースト）２３により
或いは接着剤（ポリオレフィン系接着剤シート或いはエ
ポキシ／ニトリル系接着剤等厚さ例えば２０〜１００μ
ｍ）１３により接着し、補強板１０の表面に上記フィル
ム回路３の周辺部裏面を接着剤（ポリオレフィン系接着
剤シート或いはエポキシ／ニトリル系接着剤等 厚さ例
えば２０〜１００μｍ）１３により接着することにより
放熱部材８を半導体素子１に取り付けてなる。
【００２７】半導体素子１と放熱部材８との間を熱導電
性接着剤２３により接着した場合、該接着剤２３は半導
体素子１と放熱部材８との間における熱抵抗をより小さ
くする役割を果たす。具体的には、ダイボンディング用
銀ペーストを用いる。２４は上記外形リング１４と放熱
部材８との間を電気的に接続する導電性ペーストで、該
外形リング１４をグランド（アース）に落とし、静電シ
ールド機能を発揮させる役割を果たす。従って、耐高周
波ノイズ性を強めることができる。
性接着剤２３により接着した場合、該接着剤２３は半導
体素子１と放熱部材８との間における熱抵抗をより小さ
くする役割を果たす。具体的には、ダイボンディング用
銀ペーストを用いる。２４は上記外形リング１４と放熱
部材８との間を電気的に接続する導電性ペーストで、該
外形リング１４をグランド（アース）に落とし、静電シ
ールド機能を発揮させる役割を果たす。従って、耐高周
波ノイズ性を強めることができる。
【００２８】本半導体装置によれば、放熱部材８がヒー
トスプレッダ９と補強板１０とを一体化してなるので、
その間（ヒートスプレッダ９・補強板１０間）に接着剤
という熱抵抗の大きなものが介在しない。従って、半導
体素子１で発生し放熱部材８のヒートスプレッダ９に伝
わった熱が補強部材８を通じても外部に有効に放熱され
得る。従って、従来よりも放熱性が高くなる。
トスプレッダ９と補強板１０とを一体化してなるので、
その間（ヒートスプレッダ９・補強板１０間）に接着剤
という熱抵抗の大きなものが介在しない。従って、半導
体素子１で発生し放熱部材８のヒートスプレッダ９に伝
わった熱が補強部材８を通じても外部に有効に放熱され
得る。従って、従来よりも放熱性が高くなる。
【００２９】そして、放熱部材８がヒートスプレッダ９
と補強板１０を一体化してなるので、組立が必要でな
く、形成に要する工程を少なくでき、形成価格を低下す
ることができ、延いては半導体装置の製造コストを低減
することができる。特に、粉末冶金法による金属成形に
より放熱部材８を形成することととすれば、成型用型を
用いて型成形により極めて簡単に放熱部材８を形成する
ことができ、放熱部材８の形成コストの著しい低減を図
ることができる。
と補強板１０を一体化してなるので、組立が必要でな
く、形成に要する工程を少なくでき、形成価格を低下す
ることができ、延いては半導体装置の製造コストを低減
することができる。特に、粉末冶金法による金属成形に
より放熱部材８を形成することととすれば、成型用型を
用いて型成形により極めて簡単に放熱部材８を形成する
ことができ、放熱部材８の形成コストの著しい低減を図
ることができる。
【００３０】また、放熱部材８がヒートスプレッダ９と
補強板１０を一体化してなるので、ヒートスプレッダ９
が補強板１０により補強され、放熱部材８としての剛性
が強まる。従って、放熱部材８が変形しにくくなり、半
導体装置の外部端子である半田ボール６における他の部
材、例えばプリント配線基板への接続性の放熱部材変形
による低下を防止することができる。
補強板１０を一体化してなるので、ヒートスプレッダ９
が補強板１０により補強され、放熱部材８としての剛性
が強まる。従って、放熱部材８が変形しにくくなり、半
導体装置の外部端子である半田ボール６における他の部
材、例えばプリント配線基板への接続性の放熱部材変形
による低下を防止することができる。
【００３１】更に、上記放熱部材８に、該放熱部材８自
身と上記半導体素子１との間の空隙１５と、放熱部材８
の外面との間を連通するガス抜き孔２０を形成してなる
ので、接着用、封止用等の樹脂７、１３内から半導体素
子１と放熱部材８との間の空隙１５に放出されたガス
（例えば水分）がガス抜き孔２０を通じて外部に放出さ
れ得るので、半田ボール６を整形するリフローの時にお
ける熱によりそのガスが膨張して高圧となるために剥離
等生じて半導体装置の気密性が低下乃至喪失するという
おそれがない。
身と上記半導体素子１との間の空隙１５と、放熱部材８
の外面との間を連通するガス抜き孔２０を形成してなる
ので、接着用、封止用等の樹脂７、１３内から半導体素
子１と放熱部材８との間の空隙１５に放出されたガス
（例えば水分）がガス抜き孔２０を通じて外部に放出さ
れ得るので、半田ボール６を整形するリフローの時にお
ける熱によりそのガスが膨張して高圧となるために剥離
等生じて半導体装置の気密性が低下乃至喪失するという
おそれがない。
【００３２】図３（Ａ）乃至（Ｅ）は図１に示した半導
体装置の製造方法の一例を工程順に示す断面図である。
体装置の製造方法の一例を工程順に示す断面図である。
【００３３】（Ａ）先ず、図３（Ａ）に示すように、複
数の半導体装置分のリードを一体的に形成したリードフ
レームを成すフィルム回路３を用意する。尚、この段階
ではフィルム回路３の外部端子を成す半田ボール６はリ
フロー処理されていないからメッキされたままの形状を
有し、ボール状にはなっていない。
数の半導体装置分のリードを一体的に形成したリードフ
レームを成すフィルム回路３を用意する。尚、この段階
ではフィルム回路３の外部端子を成す半田ボール６はリ
フロー処理されていないからメッキされたままの形状を
有し、ボール状にはなっていない。
【００３４】（Ｂ）次に、図３（Ｂ）に示すように、上
記フィルム回路３のインナーリード５をその先端部に形
成されたバンプ５ａにて半導体素子１の電極パッド２に
ボンディングする。バンプ５ａをアルミニウムにより形
成した場合はこのボンディングはシングルポイントボン
ディングにより行う必要があるが、金により形成した場
合にはギャングボンディングにより一括して行うことも
できる。
記フィルム回路３のインナーリード５をその先端部に形
成されたバンプ５ａにて半導体素子１の電極パッド２に
ボンディングする。バンプ５ａをアルミニウムにより形
成した場合はこのボンディングはシングルポイントボン
ディングにより行う必要があるが、金により形成した場
合にはギャングボンディングにより一括して行うことも
できる。
【００３５】（Ｃ）次に、図３（Ｃ）に示すように、封
止用樹脂７にて半導体素子１表面及び該素子１とフィル
ム回路３との接続部を封止する。
止用樹脂７にて半導体素子１表面及び該素子１とフィル
ム回路３との接続部を封止する。
【００３６】（Ｄ）次に、図３（Ｄ）に示すように、放
熱部材８（ヒートスプレッダ９と補強板１０を一体化し
てなる。）を接着剤１３、２３により半導体素子１底面
及びフィルム回路３の半田ボール形成部の裏面に接着す
る。
熱部材８（ヒートスプレッダ９と補強板１０を一体化し
てなる。）を接着剤１３、２３により半導体素子１底面
及びフィルム回路３の半田ボール形成部の裏面に接着す
る。
【００３７】（Ｅ）次に、リフロー処理をして半田ボー
ル６をドーム状に整形し、その後、フィルム回路３を個
々の半導体装置分毎に切断して分離し、その後、外形リ
ング１４と放熱部材８との間を導電性ペースト２４によ
り接続して外形リング１４に静電シールドとしての機能
を果たさせる。図３（Ｅ）は導電性ペースト２４による
その接続後の状態を示す。
ル６をドーム状に整形し、その後、フィルム回路３を個
々の半導体装置分毎に切断して分離し、その後、外形リ
ング１４と放熱部材８との間を導電性ペースト２４によ
り接続して外形リング１４に静電シールドとしての機能
を果たさせる。図３（Ｅ）は導電性ペースト２４による
その接続後の状態を示す。
【００３８】上記リフロー処理は半田ボール６が溶融す
る温度での処理であるので、樹脂７、１３等からガスが
放出されるが、そのガスが半導体素子１と放熱部材８と
の間の空隙１５に溜まり膨張高圧化することはない。な
ぜならば、その空隙１５と放熱部材８の外部と間がガス
抜き孔２０により連通され、該孔２０を通じてそのガス
がガス抜きされるからである。
る温度での処理であるので、樹脂７、１３等からガスが
放出されるが、そのガスが半導体素子１と放熱部材８と
の間の空隙１５に溜まり膨張高圧化することはない。な
ぜならば、その空隙１５と放熱部材８の外部と間がガス
抜き孔２０により連通され、該孔２０を通じてそのガス
がガス抜きされるからである。
【００３９】図４は本発明半導体装置の別の実施例であ
り、図１に示した半導体装置が図５（Ａ）に示すタイプ
の半導体装置に本発明を適用したものであるのに対し、
図５（Ｂ）に示した半導体装置に対して本発明を適用し
てなるものであり、適用される半導体装置のタイプが図
１に示した半導体装置と異なるに過ぎない。
り、図１に示した半導体装置が図５（Ａ）に示すタイプ
の半導体装置に本発明を適用したものであるのに対し、
図５（Ｂ）に示した半導体装置に対して本発明を適用し
てなるものであり、適用される半導体装置のタイプが図
１に示した半導体装置と異なるに過ぎない。
【００４０】
【発明の効果】請求項１の半導体装置によれば、放熱部
材がヒートスプレッダと補強体とを一体化してなるの
で、その間（ヒートスプレッダ・補強体間）に接着剤と
いう熱抵抗の大きなものが介在しないので、半導体素子
で発生し放熱部材のヒートスプレッダに伝わった熱が補
強体を通じても外部に有効に放熱され得る。従って、従
来よりも放熱性が高くなる。
材がヒートスプレッダと補強体とを一体化してなるの
で、その間（ヒートスプレッダ・補強体間）に接着剤と
いう熱抵抗の大きなものが介在しないので、半導体素子
で発生し放熱部材のヒートスプレッダに伝わった熱が補
強体を通じても外部に有効に放熱され得る。従って、従
来よりも放熱性が高くなる。
【００４１】そして、放熱部材がヒートスプレッダと補
強体を一体化してなるので、組立が必要でなく、形成に
要する工程を少なくでき、形成価格を低下することがで
き、延いては半導体装置の製造コストを低下することが
できる。特に、粉末冶金法による金属成形により放熱部
材を形成することとすれば、成型用型を用いて型成形に
より極めて簡単に放熱部材を形成することができ、放熱
部材の形成コストの著しい低減を図ることができる。
強体を一体化してなるので、組立が必要でなく、形成に
要する工程を少なくでき、形成価格を低下することがで
き、延いては半導体装置の製造コストを低下することが
できる。特に、粉末冶金法による金属成形により放熱部
材を形成することとすれば、成型用型を用いて型成形に
より極めて簡単に放熱部材を形成することができ、放熱
部材の形成コストの著しい低減を図ることができる。
【００４２】また、放熱部材がヒートスプレッダと補強
体を一体化してなるので、ヒートスプレッダが補強体に
より補強され、放熱部材としての剛性が強まる。従っ
て、放熱部材が変形しにくくなり、半導体装置の外部端
子における他の部材、例えばプリント配線基板への接続
性の低下を防止することができる。
体を一体化してなるので、ヒートスプレッダが補強体に
より補強され、放熱部材としての剛性が強まる。従っ
て、放熱部材が変形しにくくなり、半導体装置の外部端
子における他の部材、例えばプリント配線基板への接続
性の低下を防止することができる。
【００４３】請求項２の半導体装置によれば、接着用等
の樹脂内から半導体素子と放熱部材との間の空隙に放出
されたガス（例えば水分）がガス抜き孔を通じて外部に
放出されるので、リフロー時における熱によりそのガス
が膨張して高圧となるため剥離等生じて半導体装置の気
密性が低下乃至喪失するというおそれがない。
の樹脂内から半導体素子と放熱部材との間の空隙に放出
されたガス（例えば水分）がガス抜き孔を通じて外部に
放出されるので、リフロー時における熱によりそのガス
が膨張して高圧となるため剥離等生じて半導体装置の気
密性が低下乃至喪失するというおそれがない。
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は本発明半導体装置の第１の実
施例を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の
Ｂ−Ｂ線視拡大断面図である。
施例を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の
Ｂ−Ｂ線視拡大断面図である。
【図２】上記第１の実施例の放熱部材の断面図である。
【図３】（Ａ）乃至（Ｅ）は図１に示した半導体装置の
製造方法を工程順に示す断面図である。
製造方法を工程順に示す断面図である。
【図４】本発明半導体装置の第２の実施例を示す断面図
である。
である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）は半導体装置の各別の従来例を
示す断面図である。
示す断面図である。
１・・・半導体素子、３・・・フィルム回路、４・・・
絶縁層、５・・・リード、６・・・外部端子を成す電極
ボール（半田ボール）、７・・・封止用樹脂、８・・・
放熱部材、９・・・ヒートスプレッダ、１０・・・補強
体（補強板）、１１・・・接着剤、１３・・・接着剤、
１５・・・半導体素子と放熱部材との間の空隙、２０・
・・ガス抜き孔、２３・・・導電性接着剤。
絶縁層、５・・・リード、６・・・外部端子を成す電極
ボール（半田ボール）、７・・・封止用樹脂、８・・・
放熱部材、９・・・ヒートスプレッダ、１０・・・補強
体（補強板）、１１・・・接着剤、１３・・・接着剤、
１５・・・半導体素子と放熱部材との間の空隙、２０・
・・ガス抜き孔、２３・・・導電性接着剤。
Claims (3)
- 【請求項１】 外部端子を成す複数の電極ボール及び該
各電極ボールと半導体素子の各電極との間を接続するリ
ード配線を有するフィルム回路の該各リード配線に半導
体素子の各電極をボンディングし、 上記半導体素子・フィルム回路間を封止し、 上記半導体素子の底面からの放熱を促すヒートスプレッ
ダと該半導体素子を囲繞し上記フィルム回路を補強する
補強体とを一体化した放熱部材のヒートスプレッダを成
す部分を半導体素子の底面に、補強体を成す部分を上記
フィルム回路の底面に接着してなることを特徴とする半
導体装置 - 【請求項２】 外部端子を成す複数の電極ボール及び該
各電極ボールと半導体素子の各電極との間を接続するリ
ード配線を有するフィルム回路の該各リード配線に半導
体素子の各電極をボンディングし、 上記半導体素子・フィルム回路間を封止し、 上記半導体素子の底面からの放熱を促すヒートスプレッ
ダと該半導体素子を囲繞し上記フィルム回路を補強する
補強体とからなる放熱部材のヒートスプレッダを成す部
分を半導体素子の底面に、補強体を成す部分をフィルム
回路の底面に接着してなり、 上記放熱部材に、該放熱部材自身と上記半導体素子との
間の空隙と、放熱部材の外面との間を連通するガス抜き
孔を形成してなることを特徴とする半導体装置 - 【請求項３】 放熱部材が粉末冶金法による金属成型体
からなることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体
装置
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9185090A JPH1131766A (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 半導体装置 |
| TW087110985A TW379431B (en) | 1997-07-10 | 1998-07-07 | Semiconductor device |
| SG1998001601A SG68064A1 (en) | 1997-07-10 | 1998-07-08 | Semiconductor device |
| KR1019980027863A KR19990013776A (ko) | 1997-07-10 | 1998-07-10 | 반도체 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9185090A JPH1131766A (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1131766A true JPH1131766A (ja) | 1999-02-02 |
Family
ID=16164672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9185090A Pending JPH1131766A (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 半導体装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1131766A (ja) |
| KR (1) | KR19990013776A (ja) |
| SG (1) | SG68064A1 (ja) |
| TW (1) | TW379431B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007333838A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像表示装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101009130B1 (ko) * | 2009-02-05 | 2011-01-18 | 삼성전기주식회사 | 웨이퍼 레벨 방열 패키지 및 그 제조방법 |
-
1997
- 1997-07-10 JP JP9185090A patent/JPH1131766A/ja active Pending
-
1998
- 1998-07-07 TW TW087110985A patent/TW379431B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-07-08 SG SG1998001601A patent/SG68064A1/en unknown
- 1998-07-10 KR KR1019980027863A patent/KR19990013776A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007333838A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990013776A (ko) | 1999-02-25 |
| TW379431B (en) | 2000-01-11 |
| SG68064A1 (en) | 1999-10-19 |
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