JPH11317495A - 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタモジュールおよび駆動回路付絶縁ゲート型バイポーラトランジスタモジュール - Google Patents
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタモジュールおよび駆動回路付絶縁ゲート型バイポーラトランジスタモジュールInfo
- Publication number
- JPH11317495A JPH11317495A JP12343198A JP12343198A JPH11317495A JP H11317495 A JPH11317495 A JP H11317495A JP 12343198 A JP12343198 A JP 12343198A JP 12343198 A JP12343198 A JP 12343198A JP H11317495 A JPH11317495 A JP H11317495A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- module
- gate bipolar
- insulated gate
- drive circuit
- bipolar transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 インバータ装置、直流チョッパ装置等に使用
される絶縁ゲート型バイポーラトランジスタモジュール
（ＩＧＢＴモジュール）の構成を、駆動回路との接続部
分からノイズが侵入しない構成を得る。 【解決手段】 ＩＧＢＴモジュールのエミッタ端子の側
部に駆動回路モジュールの装着スペースを設けた構成と
し、この装着スペースに回路接続端子を設けて駆動回路
モジュールを直付けして駆動回路への配線をなくし、配
線からのノイズの侵入が回避できる構成とした。
される絶縁ゲート型バイポーラトランジスタモジュール
（ＩＧＢＴモジュール）の構成を、駆動回路との接続部
分からノイズが侵入しない構成を得る。 【解決手段】 ＩＧＢＴモジュールのエミッタ端子の側
部に駆動回路モジュールの装着スペースを設けた構成と
し、この装着スペースに回路接続端子を設けて駆動回路
モジュールを直付けして駆動回路への配線をなくし、配
線からのノイズの侵入が回避できる構成とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、インバータ装
置、直流チョッパ装置等に使用される絶縁ゲート型バイ
ポーラトランジスタモジュールおよび駆動回路付絶縁ゲ
ート型バイポーラトランジスタモジュールに関するもの
である。
置、直流チョッパ装置等に使用される絶縁ゲート型バイ
ポーラトランジスタモジュールおよび駆動回路付絶縁ゲ
ート型バイポーラトランジスタモジュールに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】インバータ装置、直流チョッパ装置等に
使用される半導体として、絶縁ゲート型バイポーラトラ
ンジスタ（Insulated Gate Bipolar Transistor：以下
ＩＧＢＴという。）を集合した絶縁ゲート型バイポーラ
トランジスタモジュール（Insulated Gate Bipolar Tra
nsistor Modules：以下ＩＧＢＴモジュールという）
は、例えば、図１９、図２１、図２２に示すものが市販
されている。図１９は三菱半導体データブック１９９７
（大電力用半導体／スタック偏）１０−９に示された
３．３ｋＶ、１．２ｋＡのＩＧＢＴモジュールの外形
図、図２０は図１９の構成の接続図である。図２１はＥ
ｕｐｅｃ社製の３．３ｋＶ、１．２ｋＡのＩＧＢＴモジ
ュールの外形図、図２２はＡＢＢ社製の３．３ｋＶ、
１．２ｋＡのＩＧＢＴモジュールの外形図である。図１
９、図２１、図２２の（ａ）は平面図、（ｂ）は側面
図、（ｃ）は正面図である。図において、１はコレクタ
端子、２はエミッタ端子、３は駆動回路接続用エミッタ
端子、４は駆動回路接続用ゲート端子、５は駆動回路接
続用コレクタ端子、９はモジュールの取付穴である。図
１９、図２１、図２２のＩＧＢＴモジュールは、複数の
ＩＧＢＴが図２０のように接続されている。
使用される半導体として、絶縁ゲート型バイポーラトラ
ンジスタ（Insulated Gate Bipolar Transistor：以下
ＩＧＢＴという。）を集合した絶縁ゲート型バイポーラ
トランジスタモジュール（Insulated Gate Bipolar Tra
nsistor Modules：以下ＩＧＢＴモジュールという）
は、例えば、図１９、図２１、図２２に示すものが市販
されている。図１９は三菱半導体データブック１９９７
（大電力用半導体／スタック偏）１０−９に示された
３．３ｋＶ、１．２ｋＡのＩＧＢＴモジュールの外形
図、図２０は図１９の構成の接続図である。図２１はＥ
ｕｐｅｃ社製の３．３ｋＶ、１．２ｋＡのＩＧＢＴモジ
ュールの外形図、図２２はＡＢＢ社製の３．３ｋＶ、
１．２ｋＡのＩＧＢＴモジュールの外形図である。図１
９、図２１、図２２の（ａ）は平面図、（ｂ）は側面
図、（ｃ）は正面図である。図において、１はコレクタ
端子、２はエミッタ端子、３は駆動回路接続用エミッタ
端子、４は駆動回路接続用ゲート端子、５は駆動回路接
続用コレクタ端子、９はモジュールの取付穴である。図
１９、図２１、図２２のＩＧＢＴモジュールは、複数の
ＩＧＢＴが図２０のように接続されている。
【０００３】図１９、図２１、図２２を比較すると、各
モジュールの取付穴９の位置およびモジュールの取付穴
９に対するコレクタ端子１、エミッタ端子２および駆動
回路接続用エミッタ端子３、駆動回路接続用ゲート端子
４、および駆動回路接続用コレクタ端子５はそれぞれ同
じ位置になっており、各メーカの寸法は互換性があるよ
うに製作されている。
モジュールの取付穴９の位置およびモジュールの取付穴
９に対するコレクタ端子１、エミッタ端子２および駆動
回路接続用エミッタ端子３、駆動回路接続用ゲート端子
４、および駆動回路接続用コレクタ端子５はそれぞれ同
じ位置になっており、各メーカの寸法は互換性があるよ
うに製作されている。
【０００４】このＩＧＢＴモジュールにより装置を構成
する場合は、駆動回路をＩＧＢＴモジュールの周囲に配
置し、ＩＧＢＴモジュールの各駆動回路接続用端子へ配
線して接続する構成となる。
する場合は、駆動回路をＩＧＢＴモジュールの周囲に配
置し、ＩＧＢＴモジュールの各駆動回路接続用端子へ配
線して接続する構成となる。
【０００５】ＩＧＢＴモジュールの機能とＩＧＢＴを動
作させる駆動回路を一体化したものとして、例えば、図
２３に示す等価回路の三菱半導体データブック１９９８
（パワーモジュールＭＯＳ偏）３−９７に示されたＩＰ
Ｍ（インテリジェントパワーモジュール）がある。ＩＰ
ＭはＩＧＢＴモジュールの機能にＩＧＢＴの駆動回路を
内蔵し、過電流、短絡、加熱および電源電圧の低下の検
知、保護、エラー信号出力機能を加えてコンパクトに構
成し、信号印加でＩＧＢＴをＯＮ、ＯＦＦ動作させるこ
とができる使い勝手のよい構成となっている。
作させる駆動回路を一体化したものとして、例えば、図
２３に示す等価回路の三菱半導体データブック１９９８
（パワーモジュールＭＯＳ偏）３−９７に示されたＩＰ
Ｍ（インテリジェントパワーモジュール）がある。ＩＰ
ＭはＩＧＢＴモジュールの機能にＩＧＢＴの駆動回路を
内蔵し、過電流、短絡、加熱および電源電圧の低下の検
知、保護、エラー信号出力機能を加えてコンパクトに構
成し、信号印加でＩＧＢＴをＯＮ、ＯＦＦ動作させるこ
とができる使い勝手のよい構成となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のＩＧＢＴモジュ
ールは上記の図１９、図２１、図２２に示す外形寸法で
あり、このＩＧＢＴモジュールの駆動回路は離れた位置
に配置してＩＧＢＴモジュールの端子へ配線する構成と
なって配線が長くなり、長くなった配線から周囲のノイ
ズが入って誤動作することがあり、ノイズに対する配慮
を必要とすることおよび駆動回路の設置スペースが必要
であり、装置構成として大きくなる等の問題点があっ
た。また、パッケージ内にＩＧＢＴの機能と、これを駆
動する駆動回路の機能を有したＩＰＭでは、ノイズに対
しては問題ないが、駆動条件が一定条件に設定されてい
るので、ユーザサイドでのスイッチング速度、ＯＣレベ
ルの調整等の微調整ができない問題点があった。
ールは上記の図１９、図２１、図２２に示す外形寸法で
あり、このＩＧＢＴモジュールの駆動回路は離れた位置
に配置してＩＧＢＴモジュールの端子へ配線する構成と
なって配線が長くなり、長くなった配線から周囲のノイ
ズが入って誤動作することがあり、ノイズに対する配慮
を必要とすることおよび駆動回路の設置スペースが必要
であり、装置構成として大きくなる等の問題点があっ
た。また、パッケージ内にＩＧＢＴの機能と、これを駆
動する駆動回路の機能を有したＩＰＭでは、ノイズに対
しては問題ないが、駆動条件が一定条件に設定されてい
るので、ユーザサイドでのスイッチング速度、ＯＣレベ
ルの調整等の微調整ができない問題点があった。
【０００７】この発明は上記問題点を解消するためにな
されたものであり、従来のＩＧＢＴモジュールとの互換
性を確保し、駆動回路が一体に装着できるＩＧＢＴモジ
ュールを提供し、また、駆動回路をモジュール化した駆
動回路モジュールをＩＧＢＴモジュールに配線をしない
で装着でき、動作条件の調整が可能でＩＰＭと同等の機
能を有する駆動回路付ＩＧＢＴモジュールを提供するこ
とを目的とする。
されたものであり、従来のＩＧＢＴモジュールとの互換
性を確保し、駆動回路が一体に装着できるＩＧＢＴモジ
ュールを提供し、また、駆動回路をモジュール化した駆
動回路モジュールをＩＧＢＴモジュールに配線をしない
で装着でき、動作条件の調整が可能でＩＰＭと同等の機
能を有する駆動回路付ＩＧＢＴモジュールを提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
るＩＧＢＴモジュールは、複数のＩＧＢＴを集合し、コ
レクタ端子またはエミッタ端子の側部に段差面を設けて
部材装着スペースとし、部材装着スペースに回路接続端
子を配置し、複数のＩＧＢＴを絶縁部材で封止して集合
体に形成したものである。
るＩＧＢＴモジュールは、複数のＩＧＢＴを集合し、コ
レクタ端子またはエミッタ端子の側部に段差面を設けて
部材装着スペースとし、部材装着スペースに回路接続端
子を配置し、複数のＩＧＢＴを絶縁部材で封止して集合
体に形成したものである。
【０００９】この発明の請求項２に係る駆動回路付ＩＧ
ＢＴモジュールは、請求項１のＩＧＢＴモジュールと、
周囲からの誘導を遮蔽するシールドを設けた箱体内にＩ
ＧＢＴモジュールを駆動する駆動回路を収容し、ＩＧＢ
Ｔモジュールの部材装着スペースに装着した駆動回路モ
ジュールとで構成したものである。
ＢＴモジュールは、請求項１のＩＧＢＴモジュールと、
周囲からの誘導を遮蔽するシールドを設けた箱体内にＩ
ＧＢＴモジュールを駆動する駆動回路を収容し、ＩＧＢ
Ｔモジュールの部材装着スペースに装着した駆動回路モ
ジュールとで構成したものである。
【００１０】この発明の請求項３に係るＩＧＢＴモジュ
ールは、複数のＩＧＢＴを集合し、コレクタ端子または
エミッタ端子の側部に角形断面の空洞を設けて部材装着
部とし、部材装着部に回路接続端子を配置し、複数のＩ
ＧＢＴを絶縁部材で封止して集合体に形成したものであ
る。
ールは、複数のＩＧＢＴを集合し、コレクタ端子または
エミッタ端子の側部に角形断面の空洞を設けて部材装着
部とし、部材装着部に回路接続端子を配置し、複数のＩ
ＧＢＴを絶縁部材で封止して集合体に形成したものであ
る。
【００１１】この発明の請求項４に係る駆動回路付ＩＧ
ＢＴモジュールは、請求項３のＩＧＢＴモジュールと、
モジュールの角形断面の空洞に形成された部材装着部の
内壁にシールドを設け、部材装着部に装着され、ＩＧＢ
Ｔモジュールを駆動する駆動回路を組み込んだ回路基板
で構成された駆動回路モジュールとで構成したものであ
る。
ＢＴモジュールは、請求項３のＩＧＢＴモジュールと、
モジュールの角形断面の空洞に形成された部材装着部の
内壁にシールドを設け、部材装着部に装着され、ＩＧＢ
Ｔモジュールを駆動する駆動回路を組み込んだ回路基板
で構成された駆動回路モジュールとで構成したものであ
る。
【００１２】この発明の請求項５に係るＩＧＢＴモジュ
ールは、複数のＩＧＢＴを集合し、エミッタ端子の側
部、コレクタ端子の側部およびコレクタ端子、エミッタ
端子の一端側にコの字形の段差面を設けて部材装着スペ
ースとし、部材装着スペースに回路接続端子を配置し、
複数のＩＧＢＴを絶縁部材で封止して集合体に形成した
ものである。
ールは、複数のＩＧＢＴを集合し、エミッタ端子の側
部、コレクタ端子の側部およびコレクタ端子、エミッタ
端子の一端側にコの字形の段差面を設けて部材装着スペ
ースとし、部材装着スペースに回路接続端子を配置し、
複数のＩＧＢＴを絶縁部材で封止して集合体に形成した
ものである。
【００１３】この発明の請求項６に係る駆動回路付ＩＧ
ＢＴモジュールは、請求項５のＩＧＢＴモジュールと、
周囲からの誘導を遮蔽するシールドを設けたコの字形に
形成された箱体内にＩＧＢＴモジュールを駆動する駆動
回路を収容し、ＩＧＢＴモジュールのコの字形に形成さ
れた部材装着スペースに装着した駆動回路モジュールと
で構成したものである。
ＢＴモジュールは、請求項５のＩＧＢＴモジュールと、
周囲からの誘導を遮蔽するシールドを設けたコの字形に
形成された箱体内にＩＧＢＴモジュールを駆動する駆動
回路を収容し、ＩＧＢＴモジュールのコの字形に形成さ
れた部材装着スペースに装着した駆動回路モジュールと
で構成したものである。
【００１４】この発明の請求項７に係るＩＧＢＴモジュ
ールは、複数のＩＧＢＴを集合し、コレクタ端子または
エミッタ端子の引出部を周回する電流検出コイルを装着
し、コレクタ端子またはエミッタ端子の側部に段差面を
設けて部材装着スペースとし、部材装着スペースに回路
接続端子を配置し、複数のＩＧＢＴおよび電流検出コイ
ルを絶縁部材で封止して集合体に形成したものである。
ールは、複数のＩＧＢＴを集合し、コレクタ端子または
エミッタ端子の引出部を周回する電流検出コイルを装着
し、コレクタ端子またはエミッタ端子の側部に段差面を
設けて部材装着スペースとし、部材装着スペースに回路
接続端子を配置し、複数のＩＧＢＴおよび電流検出コイ
ルを絶縁部材で封止して集合体に形成したものである。
【００１５】この発明の請求項８に係るＩＧＢＴモジュ
ールは、複数のＩＧＢＴを集合し、コレクタ端子または
エミッタ端子を周回する両端部および両側部に段差面を
設けて部材装着スペースとし、部材装着スペースに回路
接続端子を配置し、部材装着スペースの形状に合わせ、
所定の位置に導電層を配置した複数の基板を積層して電
流検出コイルを形成して部材装着スペースに装着したも
のである。
ールは、複数のＩＧＢＴを集合し、コレクタ端子または
エミッタ端子を周回する両端部および両側部に段差面を
設けて部材装着スペースとし、部材装着スペースに回路
接続端子を配置し、部材装着スペースの形状に合わせ、
所定の位置に導電層を配置した複数の基板を積層して電
流検出コイルを形成して部材装着スペースに装着したも
のである。
【００１６】この発明の請求項９に係るＩＧＢＴモジュ
ールは、請求項７または請求項８の構成の電流検出コイ
ルが検出した電流に比例した電圧波形を電流波形に変換
して回路接続端子に出力する電流波形変換手段を電流検
出コイルと回路接続端子の間に付加したものである。
ールは、請求項７または請求項８の構成の電流検出コイ
ルが検出した電流に比例した電圧波形を電流波形に変換
して回路接続端子に出力する電流波形変換手段を電流検
出コイルと回路接続端子の間に付加したものである。
【００１７】この発明の請求項１０に係る駆動回路付Ｉ
ＧＢＴモジュールは、請求項７または請求項８のＩＧＢ
Ｔモジュールと、周囲からの誘導を遮蔽するシールドを
設けた箱体内にＩＧＢＴモジュールを駆動する駆動回路
と、電流に比例した電圧波形を電流波形に変換して回路
接続端子に出力する電流波形変換手段を収容し、ＩＧＢ
Ｔモジュールの部材装着スペースに装着した駆動回路モ
ジュールとで構成したものである。
ＧＢＴモジュールは、請求項７または請求項８のＩＧＢ
Ｔモジュールと、周囲からの誘導を遮蔽するシールドを
設けた箱体内にＩＧＢＴモジュールを駆動する駆動回路
と、電流に比例した電圧波形を電流波形に変換して回路
接続端子に出力する電流波形変換手段を収容し、ＩＧＢ
Ｔモジュールの部材装着スペースに装着した駆動回路モ
ジュールとで構成したものである。
【００１８】この発明の請求項１１に係るＩＧＢＴモジ
ュールは、複数のＩＧＢＴの１つがコレクタ電流に比例
した微小電流を検出する電流センス素子を備えたＩＧＢ
Ｔを含む複数のＩＧＢＴを集合し、エミッタ端子の側部
に部材装着スペースを設け、部材装着スペースに回路接
続端子を配置し、複数のＩＧＢＴを絶縁部材で包囲して
集合体を形成したものである。
ュールは、複数のＩＧＢＴの１つがコレクタ電流に比例
した微小電流を検出する電流センス素子を備えたＩＧＢ
Ｔを含む複数のＩＧＢＴを集合し、エミッタ端子の側部
に部材装着スペースを設け、部材装着スペースに回路接
続端子を配置し、複数のＩＧＢＴを絶縁部材で包囲して
集合体を形成したものである。
【００１９】この発明の請求項１２に係る駆動回路付Ｉ
ＧＢＴモジュールは、請求項１１の構成のＩＧＢＴモジ
ュールと、周囲からの誘導を遮蔽するシールドを設けた
箱体内にＩＧＢＴモジュールを駆動する駆動回路と電流
信号出力回路を収容し、ＩＧＢＴモジュールの部材装着
スペースに装着した駆動回路モジュールとで構成したも
のである。
ＧＢＴモジュールは、請求項１１の構成のＩＧＢＴモジ
ュールと、周囲からの誘導を遮蔽するシールドを設けた
箱体内にＩＧＢＴモジュールを駆動する駆動回路と電流
信号出力回路を収容し、ＩＧＢＴモジュールの部材装着
スペースに装着した駆動回路モジュールとで構成したも
のである。
【００２０】この発明の請求項１３に係る駆動回路付Ｉ
ＧＢＴモジュールは、請求項２、請求項４、請求項６、
請求項１０および請求項１２のいずれかの構成のＩＧＢ
Ｔモジュールの部材装着スペースの適正位置に温度検出
手段を装着したものである。
ＧＢＴモジュールは、請求項２、請求項４、請求項６、
請求項１０および請求項１２のいずれかの構成のＩＧＢ
Ｔモジュールの部材装着スペースの適正位置に温度検出
手段を装着したものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】実施の形態１．実施の形態１は、
従来のＩＧＢＴモジュールにおいて、駆動回路への配線
からノイズが侵入して誤動作することがある問題点を解
消する実施の形態である。その構成を図１に示す。図に
おいて、１１はコレクタ端子、１２はエミッタ端子、１
３は駆動回路接続用エミッタ端子、１４は駆動回路接続
用ゲート端子、１５は駆動回路接続用コレクタ端子、１
６はＩＧＢＴを駆動する駆動回路モジュールを接続する
着脱自在の回路接続端子、１７はエミッタ端子の側部に
設けられた駆動回路モジュールを装着する部材装着スペ
ース、１７ａは駆動回路モジュールを固定する固定用ね
じ穴である。１８は集合したＩＧＢＴを封止し、所定の
形状に形成した絶縁部材、１９は取付用穴である。２０
は１１〜１９で構成されたＩＧＢＴモジュールである。
従来のＩＧＢＴモジュールにおいて、駆動回路への配線
からノイズが侵入して誤動作することがある問題点を解
消する実施の形態である。その構成を図１に示す。図に
おいて、１１はコレクタ端子、１２はエミッタ端子、１
３は駆動回路接続用エミッタ端子、１４は駆動回路接続
用ゲート端子、１５は駆動回路接続用コレクタ端子、１
６はＩＧＢＴを駆動する駆動回路モジュールを接続する
着脱自在の回路接続端子、１７はエミッタ端子の側部に
設けられた駆動回路モジュールを装着する部材装着スペ
ース、１７ａは駆動回路モジュールを固定する固定用ね
じ穴である。１８は集合したＩＧＢＴを封止し、所定の
形状に形成した絶縁部材、１９は取付用穴である。２０
は１１〜１９で構成されたＩＧＢＴモジュールである。
【００２２】図１の構成では、内部に３個のＩＧＢＴを
集合し、各ＩＧＢＴの１１〜１５の各端子、取付用穴１
９の位置は従来の図１９、図２１、図２２の構成と同一
として従来品との互換性を確保し、エミッタ端子１２の
側部に座面と平行な平面を形成した部材装着スペース１
７を確保し、各ＩＧＢＴのコレクタ端子１１、エミッタ
端子１２を個別に設け、駆動回路接続用エミッタ端子１
３、駆動回路接続用ゲート端子１４、駆動回路接続用コ
レクタ端子１５はまとめて回路接続端子１６に接続し、
集合した各ＩＧＢＴの周囲を絶縁部材１９で封止し、外
形を図示のように形成してＩＧＢＴモジュールを形成し
たものである。
集合し、各ＩＧＢＴの１１〜１５の各端子、取付用穴１
９の位置は従来の図１９、図２１、図２２の構成と同一
として従来品との互換性を確保し、エミッタ端子１２の
側部に座面と平行な平面を形成した部材装着スペース１
７を確保し、各ＩＧＢＴのコレクタ端子１１、エミッタ
端子１２を個別に設け、駆動回路接続用エミッタ端子１
３、駆動回路接続用ゲート端子１４、駆動回路接続用コ
レクタ端子１５はまとめて回路接続端子１６に接続し、
集合した各ＩＧＢＴの周囲を絶縁部材１９で封止し、外
形を図示のように形成してＩＧＢＴモジュールを形成し
たものである。
【００２３】図１のようにＩＧＢＴモジュール２０を構
成すると、部材装着スペース１７に使用される条件に合
わせた駆動回路モジュールが直接着脱自在に装着するこ
とができ、従来のように駆動回路を離れた位置に配置し
て接続する必要がなくなり、配線部分より侵入するノイ
ズの心配がないＩＧＢＴモジュールが構成できる。図１
の構成は部材装着スペース１７をエミッタ端子１２の側
部に設けた構成としたが、部材装着スペースは１７はコ
レクタ端子１１の側部に設けても同様の機能を有する構
成となる。
成すると、部材装着スペース１７に使用される条件に合
わせた駆動回路モジュールが直接着脱自在に装着するこ
とができ、従来のように駆動回路を離れた位置に配置し
て接続する必要がなくなり、配線部分より侵入するノイ
ズの心配がないＩＧＢＴモジュールが構成できる。図１
の構成は部材装着スペース１７をエミッタ端子１２の側
部に設けた構成としたが、部材装着スペースは１７はコ
レクタ端子１１の側部に設けても同様の機能を有する構
成となる。
【００２４】図１のＩＧＢＴモジュールに装着する駆動
回路を組み込んだ駆動回路モジュールの構成例を図２、
図２の駆動回路モジュールを図１に装着した状態を図３
に示す。図において、２１は駆動回路を組み込むケー
ス、２２はケース２１の内面に設けたシールド、２３は
駆動回路を組み込んだ駆動回路基板、２４はＯＮ／ＯＦ
Ｆ指令を光信号で制御するＯＮ／ＯＦＦ指令用Ｏ／Ｅ素
子、２５はエラー信号用Ｏ／Ｅ素子、２６は回路接続端
子、２７は電源ケーブル、２８は取付用ねじである。３
０は２１〜２７で構成された駆動回路モジュールであ
る。
回路を組み込んだ駆動回路モジュールの構成例を図２、
図２の駆動回路モジュールを図１に装着した状態を図３
に示す。図において、２１は駆動回路を組み込むケー
ス、２２はケース２１の内面に設けたシールド、２３は
駆動回路を組み込んだ駆動回路基板、２４はＯＮ／ＯＦ
Ｆ指令を光信号で制御するＯＮ／ＯＦＦ指令用Ｏ／Ｅ素
子、２５はエラー信号用Ｏ／Ｅ素子、２６は回路接続端
子、２７は電源ケーブル、２８は取付用ねじである。３
０は２１〜２７で構成された駆動回路モジュールであ
る。
【００２５】図１のＩＧＢＴモジュール２０に図２のよ
うに構成した駆動回路モジュール３０を回路接続端子１
６と回路接続端子２６を結合して装着すると、従来のＩ
ＧＢＴモジュールの寸法で、動作条件が任意に設定でき
る駆動回路を有し、ＩＧＢＴモジュールと駆動回路モジ
ュールとの間の配線がなく、配線からのノイズの侵入の
ない駆動回路付ＩＧＢＴモジュールが得られる。
うに構成した駆動回路モジュール３０を回路接続端子１
６と回路接続端子２６を結合して装着すると、従来のＩ
ＧＢＴモジュールの寸法で、動作条件が任意に設定でき
る駆動回路を有し、ＩＧＢＴモジュールと駆動回路モジ
ュールとの間の配線がなく、配線からのノイズの侵入の
ない駆動回路付ＩＧＢＴモジュールが得られる。
【００２６】実施の形態２．実施の形態２は、エミッタ
端子の側部に角形断面の空洞を形成して駆動回路等を装
着する部材装着部とした構成である。その構成を図４に
示す。コレクタ端子１１、エミッタ端子１２、駆動回路
接続用エミッタ端子１３、駆動回路接続用ゲート端子１
４、駆動回路接続用コレクタ端子１５、および取付用穴
１９は従来の図１９に示す構成と同じ位置に配置してい
る。３１はコレクタ端子１１の側部に設けられた角形断
面の空洞に形成した部材装着部であり、内側面に基板装
着溝３１ａが設けられている。３２は部材装着部３１の
内面に板状の導電体を貼着したシールド、３６は回路接
続端子、３８はＩＧＢＴを封止し、所定の形状に形成す
る絶縁部材、３９は取付用穴である。４０は１１〜１
５、３１、３２、３６、３８、３９で構成されたＩＧＢ
Ｔモジュールである。
端子の側部に角形断面の空洞を形成して駆動回路等を装
着する部材装着部とした構成である。その構成を図４に
示す。コレクタ端子１１、エミッタ端子１２、駆動回路
接続用エミッタ端子１３、駆動回路接続用ゲート端子１
４、駆動回路接続用コレクタ端子１５、および取付用穴
１９は従来の図１９に示す構成と同じ位置に配置してい
る。３１はコレクタ端子１１の側部に設けられた角形断
面の空洞に形成した部材装着部であり、内側面に基板装
着溝３１ａが設けられている。３２は部材装着部３１の
内面に板状の導電体を貼着したシールド、３６は回路接
続端子、３８はＩＧＢＴを封止し、所定の形状に形成す
る絶縁部材、３９は取付用穴である。４０は１１〜１
５、３１、３２、３６、３８、３９で構成されたＩＧＢ
Ｔモジュールである。
【００２７】図４のようにＩＧＢＴモジュールを構成す
ると、ＩＧＢＴの動作条件に合わせた駆動回路を駆動回
路基板に組み込んだ駆動回路モジュールを部材装着部３
１に挿入し、回路接続端子４６を回路接続端子３６に結
合して接続することにより簡単に装着でき、駆動回路モ
ジュールが基板に組み込んだ簡単な構成の駆動回路モジ
ュールとなり、実施の形態１と同様に、配線部分がなく
なり配線部分から侵入するノイズの心配がないＩＧＢＴ
モジュールが構成できる。図４の構成は部材装着部３１
をコレクタ端子の側部に配置した構成としたが、部材装
着部は３１エミッタ端子の側部であっても同様の機能を
有する構成となる。
ると、ＩＧＢＴの動作条件に合わせた駆動回路を駆動回
路基板に組み込んだ駆動回路モジュールを部材装着部３
１に挿入し、回路接続端子４６を回路接続端子３６に結
合して接続することにより簡単に装着でき、駆動回路モ
ジュールが基板に組み込んだ簡単な構成の駆動回路モジ
ュールとなり、実施の形態１と同様に、配線部分がなく
なり配線部分から侵入するノイズの心配がないＩＧＢＴ
モジュールが構成できる。図４の構成は部材装着部３１
をコレクタ端子の側部に配置した構成としたが、部材装
着部は３１エミッタ端子の側部であっても同様の機能を
有する構成となる。
【００２８】図４の構成のＩＧＢＴモジュールに装着す
る駆動回路モジュールの構成例を図５に示す。図６に図
４のＩＧＢＴモジュールに、図５の駆動回路モジュール
を装着した駆動回路付ＩＧＢＴモジュールの構成を示
す。図において、４１は駆動回路を組み込んだ駆動回路
基板、４３は電源ケーブル、４４はＯＮ／ＯＦＦ指令用
Ｏ／Ｅ素子、４５はエラー信号用Ｏ／Ｅ素子、４６は駆
動回路基板４１に取り付けられた回路接続端子、４７は
駆動回路モジュール４１が装着された駆動回路基板４１
を固定する固定金具、４８は固定金具４７を係止するボ
ルトである。５０は４１、４３〜４６で構成された駆動
回路モジュールである。
る駆動回路モジュールの構成例を図５に示す。図６に図
４のＩＧＢＴモジュールに、図５の駆動回路モジュール
を装着した駆動回路付ＩＧＢＴモジュールの構成を示
す。図において、４１は駆動回路を組み込んだ駆動回路
基板、４３は電源ケーブル、４４はＯＮ／ＯＦＦ指令用
Ｏ／Ｅ素子、４５はエラー信号用Ｏ／Ｅ素子、４６は駆
動回路基板４１に取り付けられた回路接続端子、４７は
駆動回路モジュール４１が装着された駆動回路基板４１
を固定する固定金具、４８は固定金具４７を係止するボ
ルトである。５０は４１、４３〜４６で構成された駆動
回路モジュールである。
【００２９】ＩＧＢＴモジュール４０の部材装着部３１
の内面にはシールド３２を貼着して周囲からのノイズを
遮蔽し、駆動回路基板４１に駆動回路を組み込み付属品
が取り付けられた駆動回路モジュール５０を部材装着部
３１の基板装着溝３１ａに挿入してＩＧＢＴモジュール
４０の回路接続端子３６と駆動回路モジュールの回路接
続端子４６を結合し、固定金具４７、固定ボルト４８に
より固定して駆動回路付ＩＧＢＴモジュール４０が組み
立てられる。
の内面にはシールド３２を貼着して周囲からのノイズを
遮蔽し、駆動回路基板４１に駆動回路を組み込み付属品
が取り付けられた駆動回路モジュール５０を部材装着部
３１の基板装着溝３１ａに挿入してＩＧＢＴモジュール
４０の回路接続端子３６と駆動回路モジュールの回路接
続端子４６を結合し、固定金具４７、固定ボルト４８に
より固定して駆動回路付ＩＧＢＴモジュール４０が組み
立てられる。
【００３０】このようにして駆動回路付ＩＧＢＴモジュ
ールを構成すると、駆動回路モジュール５０は駆動回路
および付属品を装着した駆動回路基板４１のみの構成と
なり、簡単に組立ができる駆動回路付ＩＧＢＴモジュー
ルが得られ、実施の形態１と同様に、従来のＩＧＢＴモ
ジュールの寸法で、動作条件を任意に設定できる駆動回
路を有し、ＩＧＢＴモジュール４０と駆動回路モジュー
ル５０の間の配線がなく、配線からノイズの侵入のない
駆動回路付ＩＧＢＴモジュールが得られる。
ールを構成すると、駆動回路モジュール５０は駆動回路
および付属品を装着した駆動回路基板４１のみの構成と
なり、簡単に組立ができる駆動回路付ＩＧＢＴモジュー
ルが得られ、実施の形態１と同様に、従来のＩＧＢＴモ
ジュールの寸法で、動作条件を任意に設定できる駆動回
路を有し、ＩＧＢＴモジュール４０と駆動回路モジュー
ル５０の間の配線がなく、配線からノイズの侵入のない
駆動回路付ＩＧＢＴモジュールが得られる。
【００３１】実施の形態３．実施の形態３は、ＩＧＢＴ
モジュールの駆動回路の装着スペースを大きく必要とす
る場合にも適用可能なＩＧＢＴの構成である。その構成
を図７に示す。コレクタ端子１１、エミッタ端子１２、
駆動回路接続用エミッタ端子１３、駆動回路接続用ゲー
ト端子１４、駆動回路接続用コレクタ端子１５、および
取付穴５９は従来の図１９に示す構成と同じ位置に配置
している。５６は回路接続端子、５７はコレクタ端子１
１の側部およびエミッタ端子１２の側部と一端部のコの
字状の段差を設けた部材装着スペースであり、複数の取
付用穴５７ａが設けられている。５８は複数のＩＧＢＴ
を封止し、所定の形状に形成された絶縁部材、５９は取
付用穴である。６０は１１〜１５、５６〜５９で構成さ
れたＩＧＢＴモジュールである。
モジュールの駆動回路の装着スペースを大きく必要とす
る場合にも適用可能なＩＧＢＴの構成である。その構成
を図７に示す。コレクタ端子１１、エミッタ端子１２、
駆動回路接続用エミッタ端子１３、駆動回路接続用ゲー
ト端子１４、駆動回路接続用コレクタ端子１５、および
取付穴５９は従来の図１９に示す構成と同じ位置に配置
している。５６は回路接続端子、５７はコレクタ端子１
１の側部およびエミッタ端子１２の側部と一端部のコの
字状の段差を設けた部材装着スペースであり、複数の取
付用穴５７ａが設けられている。５８は複数のＩＧＢＴ
を封止し、所定の形状に形成された絶縁部材、５９は取
付用穴である。６０は１１〜１５、５６〜５９で構成さ
れたＩＧＢＴモジュールである。
【００３２】図７に示すように、ＩＧＢＴモジュール６
０部材装着スペース５７をコの字状に形成したことによ
り、ＩＧＢＴモジュールを駆動する駆動回路モジュール
の装着スペースを大きく必要とする場合にも対応でき
る。
０部材装着スペース５７をコの字状に形成したことによ
り、ＩＧＢＴモジュールを駆動する駆動回路モジュール
の装着スペースを大きく必要とする場合にも対応でき
る。
【００３３】図７の構成のＩＧＢＴモジュールに装着す
る駆動回路モジュールの構成例を図８、図９に示す。図
８は駆動回路を組み込んだ駆動回路モジュールの構成を
示し、図９は図７のＩＧＢＴモジュールに、図８の駆動
回路モジュールを組み込んだ駆動回路を装着した状態を
示す。図において、６１は駆動回路を収納するケース、
６２はケース内面に設けられたシールド、６３は駆動回
路を組み込む駆動回路基板、６４はＯＮ／ＯＦＦ指令用
Ｏ／Ｅ素子、６５はエラー信号用Ｏ／Ｅ素子、６６は回
路接続端子、６７は電源ケーブル、６８は駆動回路モジ
ュールを固定する固定金具である。７０は６１〜６８で
構成された駆動回路モジュールである。
る駆動回路モジュールの構成例を図８、図９に示す。図
８は駆動回路を組み込んだ駆動回路モジュールの構成を
示し、図９は図７のＩＧＢＴモジュールに、図８の駆動
回路モジュールを組み込んだ駆動回路を装着した状態を
示す。図において、６１は駆動回路を収納するケース、
６２はケース内面に設けられたシールド、６３は駆動回
路を組み込む駆動回路基板、６４はＯＮ／ＯＦＦ指令用
Ｏ／Ｅ素子、６５はエラー信号用Ｏ／Ｅ素子、６６は回
路接続端子、６７は電源ケーブル、６８は駆動回路モジ
ュールを固定する固定金具である。７０は６１〜６８で
構成された駆動回路モジュールである。
【００３４】ＩＧＢＴモジュール６０の部材装着スペー
ス５７に駆動回路モジュール７０を装着し、ＩＧＢＴモ
ジュール６０の回路接続端子５６に駆動回路モジュール
７０の回路接続端子６６と結合し、固定金具６８を固定
することにより駆動回路付ＩＧＢＴモジュールが構成さ
れる。
ス５７に駆動回路モジュール７０を装着し、ＩＧＢＴモ
ジュール６０の回路接続端子５６に駆動回路モジュール
７０の回路接続端子６６と結合し、固定金具６８を固定
することにより駆動回路付ＩＧＢＴモジュールが構成さ
れる。
【００３５】このようにして駆動回路付ＩＧＢＴモジュ
ールを構成すると、駆動回路および付属品を組み込んだ
駆動回路モジュール７０の寸法が大きくなる場合におい
ても対応可能であり、実施の形態１と同様に、従来のＩ
ＧＢＴモジュールの寸法で、動作条件を任意に設定でき
る駆動回路を有し、ＩＧＢＴモジュール６０と駆動回路
モジュール７０との間の配線がなく、配線からのノイズ
侵入がない駆動回路付ＩＧＢＴモジュールが得られる。
ールを構成すると、駆動回路および付属品を組み込んだ
駆動回路モジュール７０の寸法が大きくなる場合におい
ても対応可能であり、実施の形態１と同様に、従来のＩ
ＧＢＴモジュールの寸法で、動作条件を任意に設定でき
る駆動回路を有し、ＩＧＢＴモジュール６０と駆動回路
モジュール７０との間の配線がなく、配線からのノイズ
侵入がない駆動回路付ＩＧＢＴモジュールが得られる。
【００３６】実施の形態４．実施の形態４は、実施の形
態１〜３の構成のＩＧＢＴモジュールのエミッタ端子に
流れる電流が検出できるように構成したものである。図
１０にその構成を示す。図１０は実施の形態１〜３の構
成のエミッタ端子１２の周囲の部分構成図である。図に
おいて、７５は複数のエミッタ端子１２を周回するよう
に配置した電流検出コイルである。７６は回路接続端
子、７７は部材装着スペース、７８は絶縁部材である。
８０は複数のＩＧＢＴを集合して付属品を設けたＩＧＢ
Ｔモジュールである。
態１〜３の構成のＩＧＢＴモジュールのエミッタ端子に
流れる電流が検出できるように構成したものである。図
１０にその構成を示す。図１０は実施の形態１〜３の構
成のエミッタ端子１２の周囲の部分構成図である。図に
おいて、７５は複数のエミッタ端子１２を周回するよう
に配置した電流検出コイルである。７６は回路接続端
子、７７は部材装着スペース、７８は絶縁部材である。
８０は複数のＩＧＢＴを集合して付属品を設けたＩＧＢ
Ｔモジュールである。
【００３７】電流検出コイル７５は、図１１に示すよう
に電線をコイル状に巻回し、リターン回路をコイル状に
巻回した内径部をリターンする構成のロゴスキーコイル
であり、これをエミッタ端子１１を周回するように配置
し、コイル端部を回路接続端子７６に接続し、電流検出
コイル７５を埋設した状態に絶縁部材７８で全体を封止
して形成した構成である。８０は電流検出コイル７５を
埋設したＩＧＢＴモジュールである。図１１（ａ）はコ
イルの断面を示す。
に電線をコイル状に巻回し、リターン回路をコイル状に
巻回した内径部をリターンする構成のロゴスキーコイル
であり、これをエミッタ端子１１を周回するように配置
し、コイル端部を回路接続端子７６に接続し、電流検出
コイル７５を埋設した状態に絶縁部材７８で全体を封止
して形成した構成である。８０は電流検出コイル７５を
埋設したＩＧＢＴモジュールである。図１１（ａ）はコ
イルの断面を示す。
【００３８】電流検出コイル７５は、端子７６ａから電
線をコイル状に巻回し、リターン回路をコイルの内径部
に挿通して端子７６ｂにリターンする回路を形成し、巻
回したコイルの全長でエミッタ端子を周回するように配
置することにより、エミッタ端子に流れる電流が作る磁
界のコイルに鎖交する磁束によりエミッタ電流に比例し
た電圧が検出できるものである。
線をコイル状に巻回し、リターン回路をコイルの内径部
に挿通して端子７６ｂにリターンする回路を形成し、巻
回したコイルの全長でエミッタ端子を周回するように配
置することにより、エミッタ端子に流れる電流が作る磁
界のコイルに鎖交する磁束によりエミッタ電流に比例し
た電圧が検出できるものである。
【００３９】電流検出コイル７５は次のようにして電流
を検出することができる。導体に流れる電流Ｉによって
生じた磁界の電流検出コイル７５に鎖交する総磁束φの
変化量に比例した電圧が電流検出コイル７５の端子７６
ａ、７６ｂの間に発生する。今、磁束密度をＢ、コイル
断面積をＳ、巻数をＮ、磁界の強さをＨ、透磁率をμ、
リングの直径をＤ、リングの全長をＬとすると、μ＝μ
0 ＝４π×１０-7、Ｌ＝πＤであり、検出される電圧Ｖ
P は、（式１）のようになる。 ＶP ＝−（ｄφ／ｄｔ） φ＝ＢＳＮ Ｂ＝μＨ Ｈ＝Ｉ／（πＤ）＝Ｉ／Ｌであり、 φ＝（４ＳＮＩ／Ｄ）×１０-7 ＶP ＝−（４ＳＮ／Ｄ）・（ｄＩ／ｄｔ）×１０-7・・・（式１） 電流検出コイル７５の端子７６ａ、７６ｂの間の電圧Ｖ
P は、ｄＩ／ｄｔに比例した電圧であり、これを積分し
て増幅回路で増幅してゲイン調整すれば電流Ｉが得られ
る。
を検出することができる。導体に流れる電流Ｉによって
生じた磁界の電流検出コイル７５に鎖交する総磁束φの
変化量に比例した電圧が電流検出コイル７５の端子７６
ａ、７６ｂの間に発生する。今、磁束密度をＢ、コイル
断面積をＳ、巻数をＮ、磁界の強さをＨ、透磁率をμ、
リングの直径をＤ、リングの全長をＬとすると、μ＝μ
0 ＝４π×１０-7、Ｌ＝πＤであり、検出される電圧Ｖ
P は、（式１）のようになる。 ＶP ＝−（ｄφ／ｄｔ） φ＝ＢＳＮ Ｂ＝μＨ Ｈ＝Ｉ／（πＤ）＝Ｉ／Ｌであり、 φ＝（４ＳＮＩ／Ｄ）×１０-7 ＶP ＝−（４ＳＮ／Ｄ）・（ｄＩ／ｄｔ）×１０-7・・・（式１） 電流検出コイル７５の端子７６ａ、７６ｂの間の電圧Ｖ
P は、ｄＩ／ｄｔに比例した電圧であり、これを積分し
て増幅回路で増幅してゲイン調整すれば電流Ｉが得られ
る。
【００４０】実施の形態１〜３の図１、図４、図７のエ
ミッタ端子１２を周回するように電流検出コイル７５を
埋設した構成にすると、エミッタ端子１２に流れる電流
検出機能を備えたＩＧＢＴモジュールが得られる。電流
検出コイル７５はエミッタ端子１２の１つに巻回してＶ
P を検出し、全体電流を推定しても同様に電流検出機能
が得られる。図１０の構成は電流検出コイル７５をエミ
ッタ端子１２を周回するように配置したが、電流検出コ
イルをコレクタ端子１１を周回するように配置しても同
様に電流検出機能が得られる。
ミッタ端子１２を周回するように電流検出コイル７５を
埋設した構成にすると、エミッタ端子１２に流れる電流
検出機能を備えたＩＧＢＴモジュールが得られる。電流
検出コイル７５はエミッタ端子１２の１つに巻回してＶ
P を検出し、全体電流を推定しても同様に電流検出機能
が得られる。図１０の構成は電流検出コイル７５をエミ
ッタ端子１２を周回するように配置したが、電流検出コ
イルをコレクタ端子１１を周回するように配置しても同
様に電流検出機能が得られる。
【００４１】このように電流検出機能を備えたＩＧＢＴ
モジュールとすると、電流の検出以外に、ｄｉ／ｄｔが
検出できることから、ｄｉ／ｄｔを制御する駆動回路を
構成する場合に駆動回路モジュールを容易に構成するこ
ともできる。
モジュールとすると、電流の検出以外に、ｄｉ／ｄｔが
検出できることから、ｄｉ／ｄｔを制御する駆動回路を
構成する場合に駆動回路モジュールを容易に構成するこ
ともできる。
【００４２】実施の形態５．実施の形態４では、エミッ
タ電流の検出を電流検出コイルを埋設した構成とした
が、この実施の形態５では、電流検出コイルを平板状に
形成し、必要とするときに装着するように構成したもの
である。その構成のＩＧＢＴモジュールに電流検出コイ
ルを装着した状態を図１２、電流検出コイルの構成を図
１３に示す。図において、８５は平板状に形成された電
流検出コイル、８６は回路接続端子、８７はエミッタ端
子１２の両側および両端部のエミッタ端子１２を周回す
る部分に段差を設けた部材装着スペース、８８はＩＧＢ
Ｔの周囲を封止し、所定の形状に成型された絶縁部材、
８９は取付用穴である。
タ電流の検出を電流検出コイルを埋設した構成とした
が、この実施の形態５では、電流検出コイルを平板状に
形成し、必要とするときに装着するように構成したもの
である。その構成のＩＧＢＴモジュールに電流検出コイ
ルを装着した状態を図１２、電流検出コイルの構成を図
１３に示す。図において、８５は平板状に形成された電
流検出コイル、８６は回路接続端子、８７はエミッタ端
子１２の両側および両端部のエミッタ端子１２を周回す
る部分に段差を設けた部材装着スペース、８８はＩＧＢ
Ｔの周囲を封止し、所定の形状に成型された絶縁部材、
８９は取付用穴である。
【００４３】電流検出コイルは、図１３に示すように基
板８３を４枚積層し、図中（ａ）に示すように４層に積
層した構成とし、最下層に第１層基板８３ａ、最上層に
第４層基板８３ｄを配置して絶縁層を形成し、第２層基
板８３ｂ、第３層基板８３ｃは図示のように複数の挿通
穴８３ｈを設け、第２層基板８３ｂの下面に周回方向の
横の挿通穴８３ｈの相互間に導電層８４ａを形成し、第
３層基板８３ｃの上面には図示のように斜め方向の挿通
穴８３ｈの相互間に導電層８４ｂを形成し、第３層基板
８３ｃの下面にはリターン回路の導電層８４ｃを形成
し、初端部の回路接続端子８６ａから各挿通穴８３ｈに
接続導体８４ｄをそれぞれ挿通して導電層８４ａと導電
層８４ｂとの間をそれそれ接続し、終端部の導電層８４
ｂからはリターン回路の導電層８４ｃに接続して初端部
にリターンさせて回路接続端子８６ｂに接続して電流検
出コイルを形成したものである。
板８３を４枚積層し、図中（ａ）に示すように４層に積
層した構成とし、最下層に第１層基板８３ａ、最上層に
第４層基板８３ｄを配置して絶縁層を形成し、第２層基
板８３ｂ、第３層基板８３ｃは図示のように複数の挿通
穴８３ｈを設け、第２層基板８３ｂの下面に周回方向の
横の挿通穴８３ｈの相互間に導電層８４ａを形成し、第
３層基板８３ｃの上面には図示のように斜め方向の挿通
穴８３ｈの相互間に導電層８４ｂを形成し、第３層基板
８３ｃの下面にはリターン回路の導電層８４ｃを形成
し、初端部の回路接続端子８６ａから各挿通穴８３ｈに
接続導体８４ｄをそれぞれ挿通して導電層８４ａと導電
層８４ｂとの間をそれそれ接続し、終端部の導電層８４
ｂからはリターン回路の導電層８４ｃに接続して初端部
にリターンさせて回路接続端子８６ｂに接続して電流検
出コイルを形成したものである。
【００４４】ＩＧＢＴモジュール９０のエミッタ端子１
２を周回する部分の部材装着スペース８７に平板状に形
成された電流検出コイル８５を配置することにより、エ
ミッタ端子１２の電流が検出できるＩＧＢＴモジュール
となる。図１２は電流検出コイルはエミッタ端子１２を
周回するように配置したが、コレクタ端子１１を周回す
るように配置しても同様に電流検出機能が得られる。
２を周回する部分の部材装着スペース８７に平板状に形
成された電流検出コイル８５を配置することにより、エ
ミッタ端子１２の電流が検出できるＩＧＢＴモジュール
となる。図１２は電流検出コイルはエミッタ端子１２を
周回するように配置したが、コレクタ端子１１を周回す
るように配置しても同様に電流検出機能が得られる。
【００４５】このように構成すると、駆動回路付ＩＧＢ
Ｔを構成するときに、電流検出機能を必要とするときの
みに平板状に形成された電流検出コイル８５をＩＧＢＴ
の部材装着スペース８７に装着し、その上面に駆動回路
モジュールを装着すれば、電流検出機能を備えた駆動回
路付ＩＧＢＴモジュールが得られる。したがってこの構
成では電流検出機能の必要性に応じて選択できる利点が
ある。
Ｔを構成するときに、電流検出機能を必要とするときの
みに平板状に形成された電流検出コイル８５をＩＧＢＴ
の部材装着スペース８７に装着し、その上面に駆動回路
モジュールを装着すれば、電流検出機能を備えた駆動回
路付ＩＧＢＴモジュールが得られる。したがってこの構
成では電流検出機能の必要性に応じて選択できる利点が
ある。
【００４６】実施の形態６．実施の形態４、実施の形態
５では電流検出コイルを備えた構成としたが、電流検出
コイルのみでは電流値として検出できない。この実施の
形態６では、電流検出コイルが検出した電流に比例した
電圧波形を電流波形に変換する電流波形変換手段を付加
したものである。実施の形態４の図１０の構成に電流波
形変換手段を付加した構成を図１４に示す。電流検出コ
イルを埋設したＩＧＢＴモジュールの構成は実施の形態
４の図１０に示すものである。図において、９１は電流
波形変換手段であり、９６は回路接続端子である。電流
波形変換手段９１の内部構成は図１５のように構成され
ており、９１ａの部分が積分回路であり、９１ｂの部分
が増幅回路である。電流波形変換手段９１の入力端子９
１ｉには電流検出コイル７５の出力回路を接続し、出力
端子９１ｕは回路接続端子９６に接続されている。電流
波形変換手段９１は電流検出コイル７５が検出した電流
に比例した電圧波形、すなわち、実施の形態４に説明し
た（式１）のＶP を電流波形変換手段９１に入力する
と、積分回路９１ａ、増幅回路９１ｂで電流波形に比例
した電圧波形に変換されて回路接続端子９１ｕに出力さ
れる。
５では電流検出コイルを備えた構成としたが、電流検出
コイルのみでは電流値として検出できない。この実施の
形態６では、電流検出コイルが検出した電流に比例した
電圧波形を電流波形に変換する電流波形変換手段を付加
したものである。実施の形態４の図１０の構成に電流波
形変換手段を付加した構成を図１４に示す。電流検出コ
イルを埋設したＩＧＢＴモジュールの構成は実施の形態
４の図１０に示すものである。図において、９１は電流
波形変換手段であり、９６は回路接続端子である。電流
波形変換手段９１の内部構成は図１５のように構成され
ており、９１ａの部分が積分回路であり、９１ｂの部分
が増幅回路である。電流波形変換手段９１の入力端子９
１ｉには電流検出コイル７５の出力回路を接続し、出力
端子９１ｕは回路接続端子９６に接続されている。電流
波形変換手段９１は電流検出コイル７５が検出した電流
に比例した電圧波形、すなわち、実施の形態４に説明し
た（式１）のＶP を電流波形変換手段９１に入力する
と、積分回路９１ａ、増幅回路９１ｂで電流波形に比例
した電圧波形に変換されて回路接続端子９１ｕに出力さ
れる。
【００４７】このように電流検出コイルと、電流波形変
換手段９１を備えた構成にすると、電流検出機能が全て
ＩＧＢＴモジュール内に装備され、ＩＧＢＴモジュール
の過電流保護、短絡保護の回路が簡単になり駆動回路に
容易に組み込むことができ、電流波形変換手段９１に接
続する部分が短く、周囲からのノイズの侵入がなくなり
信頼性の高い駆動回路付ＩＧＢＴモジュールが得られ
る。
換手段９１を備えた構成にすると、電流検出機能が全て
ＩＧＢＴモジュール内に装備され、ＩＧＢＴモジュール
の過電流保護、短絡保護の回路が簡単になり駆動回路に
容易に組み込むことができ、電流波形変換手段９１に接
続する部分が短く、周囲からのノイズの侵入がなくなり
信頼性の高い駆動回路付ＩＧＢＴモジュールが得られ
る。
【００４８】実施の形態７．ＩＧＢＴには、メインチッ
プの面積に対して数千分の１の面積を有し、コレクタ電
流に対して、この比率で電流が流れるようになった電流
センス用素子を備えるものが市販されている。実施の形
態７は、複数のＩＧＢＴの１つを電流センス用素子付Ｉ
ＧＢＴを使用して電流検出機能を持たせたものである。
その構成の接続図を図１６に示す。図において、１０１
は電流センス用素子１０１ｍを備えた電流センス用素子
付ＩＧＢＴ、１０２は通常の電流センス用素子がないＩ
ＧＢＴである。１０３は回路の異常電圧からＩＧＢＴを
保護するツェナーダイオードである。３つのＩＧＢＴは
並列に接続され、例えば、ＩＧＢＴのチップとセンス用
半導体のチップの比率が１／６０００に製作されている
とすると、ＩＧＢＴモジュールのコレクタ電流に対して
１／（６０００×３）の電流がセンス用素子に流れ、電
流センス用素子のエミッタ端子を取り出しておくことに
より、コレクタ電流を知ることができる。
プの面積に対して数千分の１の面積を有し、コレクタ電
流に対して、この比率で電流が流れるようになった電流
センス用素子を備えるものが市販されている。実施の形
態７は、複数のＩＧＢＴの１つを電流センス用素子付Ｉ
ＧＢＴを使用して電流検出機能を持たせたものである。
その構成の接続図を図１６に示す。図において、１０１
は電流センス用素子１０１ｍを備えた電流センス用素子
付ＩＧＢＴ、１０２は通常の電流センス用素子がないＩ
ＧＢＴである。１０３は回路の異常電圧からＩＧＢＴを
保護するツェナーダイオードである。３つのＩＧＢＴは
並列に接続され、例えば、ＩＧＢＴのチップとセンス用
半導体のチップの比率が１／６０００に製作されている
とすると、ＩＧＢＴモジュールのコレクタ電流に対して
１／（６０００×３）の電流がセンス用素子に流れ、電
流センス用素子のエミッタ端子を取り出しておくことに
より、コレクタ電流を知ることができる。
【００４９】ツェナーダイオード１０３は、ゲートと電
流センス用素子のエミッタ端子間の靜電容量が非常に小
さく異常電圧の吸収能力が小さく、モジュールの外部に
取り出されることとなるので設けたものであり、保護対
策として必要不可欠のものである。
流センス用素子のエミッタ端子間の靜電容量が非常に小
さく異常電圧の吸収能力が小さく、モジュールの外部に
取り出されることとなるので設けたものであり、保護対
策として必要不可欠のものである。
【００５０】このように集合するＩＧＢＴの１つを電流
センス用素子付のＩＧＢＴにすることにより、別に電流
検出手段を設けることなく電流検出機能を有するＩＧＢ
Ｔモジュールとなり構成が簡単になる。
センス用素子付のＩＧＢＴにすることにより、別に電流
検出手段を設けることなく電流検出機能を有するＩＧＢ
Ｔモジュールとなり構成が簡単になる。
【００５１】実施の形態８．実施の形態８は、ＩＧＢＴ
モジュールに温度検出手段を設けた構成である。ＩＧＢ
Ｔモジュールに温度検出手段を設けた部分の部分構成を
図１７に示す。図において、１１１はＩＧＢＴモジュー
ルの駆動回路モジュールの回路基板の銅ベース部分、１
１２は絶縁基板、１１３はゲート中継基板である。１１
５は温度検出手段である。１１６は回路接続端子であ
る。図１７の構成はＩＧＢＴモジュールの駆動回路モジ
ュールの回路基板には直接温度検出手段を付加すること
はできないので、駆動回路モジュールの銅基板１１１の
上面のゲート中継基板１１２上の銅基板１１３に温度検
出手段１１５を装着したものである。図１７は温度検出
手段１１５として、サーミスタを装着した例を示したも
のである。
モジュールに温度検出手段を設けた構成である。ＩＧＢ
Ｔモジュールに温度検出手段を設けた部分の部分構成を
図１７に示す。図において、１１１はＩＧＢＴモジュー
ルの駆動回路モジュールの回路基板の銅ベース部分、１
１２は絶縁基板、１１３はゲート中継基板である。１１
５は温度検出手段である。１１６は回路接続端子であ
る。図１７の構成はＩＧＢＴモジュールの駆動回路モジ
ュールの回路基板には直接温度検出手段を付加すること
はできないので、駆動回路モジュールの銅基板１１１の
上面のゲート中継基板１１２上の銅基板１１３に温度検
出手段１１５を装着したものである。図１７は温度検出
手段１１５として、サーミスタを装着した例を示したも
のである。
【００５２】サーミスタは、温度変化に伴う抵抗値の変
化を利用して通常の抵抗との組み合わせで、電圧レベル
の変化を検出し、ある電圧になったときに駆動回路に信
号として出力して温度を検出するものである。例えば電
源電圧が５Ｖの場合、抵抗値Ｒの抵抗体とサーミスタを
直列に接続して電源電圧の５Ｖを印加しておき、サーミ
スタの温度が２５℃のときに抵抗値がＲであるとすると
サーミスタの分圧電圧は２．５Ｖであり、１００℃のと
きにはサーミスタの抵抗値がＲ／２になるものとすると
サーミスタの分圧電圧は１．６７Ｖとなる。このように
温度が変化することにより抵抗値Ｒが変化したことによ
り変わるサーミスタの分圧電圧を検出して温度を推定す
ることができる。
化を利用して通常の抵抗との組み合わせで、電圧レベル
の変化を検出し、ある電圧になったときに駆動回路に信
号として出力して温度を検出するものである。例えば電
源電圧が５Ｖの場合、抵抗値Ｒの抵抗体とサーミスタを
直列に接続して電源電圧の５Ｖを印加しておき、サーミ
スタの温度が２５℃のときに抵抗値がＲであるとすると
サーミスタの分圧電圧は２．５Ｖであり、１００℃のと
きにはサーミスタの抵抗値がＲ／２になるものとすると
サーミスタの分圧電圧は１．６７Ｖとなる。このように
温度が変化することにより抵抗値Ｒが変化したことによ
り変わるサーミスタの分圧電圧を検出して温度を推定す
ることができる。
【００５３】温度検出手段としては温度変化に対して、
抵抗の変化であっても、電圧の変化であってもよく、図
１７では抵抗値の変化で温度を検出するサーミスタを使
用したが、電圧の変化で温度を検出する例として温度セ
ンサ用ＩＣを使用した例を図１８に示す。図において、
１１１、１１２、１１３、１１６は図１７の場合と同一
のものであり、１２５が温度センサ用ＩＣであり、図１
７と同様に駆動回路モジュール基板部分に装着したもの
である。温度センサ用ＩＣには、温度変化に比例した電
圧を出力するものである。限界となる温度に設定してお
き、その温度に達すると出力信号が反転するものなどが
あり、使用目的に応じて適宜選択することができる。
抵抗の変化であっても、電圧の変化であってもよく、図
１７では抵抗値の変化で温度を検出するサーミスタを使
用したが、電圧の変化で温度を検出する例として温度セ
ンサ用ＩＣを使用した例を図１８に示す。図において、
１１１、１１２、１１３、１１６は図１７の場合と同一
のものであり、１２５が温度センサ用ＩＣであり、図１
７と同様に駆動回路モジュール基板部分に装着したもの
である。温度センサ用ＩＣには、温度変化に比例した電
圧を出力するものである。限界となる温度に設定してお
き、その温度に達すると出力信号が反転するものなどが
あり、使用目的に応じて適宜選択することができる。
【００５４】このようにＩＧＢＴモジュールの使用中の
温度を検出するように構成すると、運転時の運度上昇に
対する保護が確実に行えるようになりＩＧＢＴモジュー
ルの信頼性が高くなる。
温度を検出するように構成すると、運転時の運度上昇に
対する保護が確実に行えるようになりＩＧＢＴモジュー
ルの信頼性が高くなる。
【００５５】
【発明の効果】この発明の請求項１に係るＩＧＢＴモジ
ュールは、複数のＩＧＢＴを集合し、コレクタ端子また
はエミッタ端子の側部に段差面を設けて部材装着スペー
スとし、部材装着スペースに回路接続端子を配置し、複
数のＩＧＢＴを絶縁部材で包囲して集合体に形成したの
で、ＩＧＢＴモジュールの動作条件に合わせた駆動回路
が直接着脱自在に装着でき、駆動回路との間の配線がな
くなり、配線部分からのノイズの心配がないＩＧＢＴモ
ジュールが構成できる。
ュールは、複数のＩＧＢＴを集合し、コレクタ端子また
はエミッタ端子の側部に段差面を設けて部材装着スペー
スとし、部材装着スペースに回路接続端子を配置し、複
数のＩＧＢＴを絶縁部材で包囲して集合体に形成したの
で、ＩＧＢＴモジュールの動作条件に合わせた駆動回路
が直接着脱自在に装着でき、駆動回路との間の配線がな
くなり、配線部分からのノイズの心配がないＩＧＢＴモ
ジュールが構成できる。
【００５６】この発明の請求項２に係る駆動回路付ＩＧ
ＢＴモジュールは、請求項１のＩＧＢＴモジュールと、
周囲からの誘導を遮蔽するシールドを設けた箱体内にＩ
ＧＢＴモジュールを駆動する駆動回路を収容し、ＩＧＢ
Ｔモジュールの部材装着スペースに装着した駆動回路モ
ジュールとで構成したので、従来のＩＧＢＴモジュール
の寸法で、動作条件を任意に設定できる駆動回路を有
し、ＩＧＢＴモジュールと駆動回路モジュールとの間の
配線がなく、配線からノイズの侵入のない構成となる。
ＢＴモジュールは、請求項１のＩＧＢＴモジュールと、
周囲からの誘導を遮蔽するシールドを設けた箱体内にＩ
ＧＢＴモジュールを駆動する駆動回路を収容し、ＩＧＢ
Ｔモジュールの部材装着スペースに装着した駆動回路モ
ジュールとで構成したので、従来のＩＧＢＴモジュール
の寸法で、動作条件を任意に設定できる駆動回路を有
し、ＩＧＢＴモジュールと駆動回路モジュールとの間の
配線がなく、配線からノイズの侵入のない構成となる。
【００５７】この発明の請求項３に係るＩＧＢＴモジュ
ールは、複数の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを
集合し、コレクタ端子またはエミッタ端子の側部に角形
断面の空洞を設けて部材装着部とし、部材装着部に回路
接続端子を配置し、複数のＩＧＢＴを絶縁部材で包囲し
て集合体に形成したので、駆動回路モジュールが回路基
板に組み込んだだけの簡単な構成の駆動回路モジュール
になり、配線部分がなくなり配線部分から侵入するノイ
ズの心配がないＩＧＢＴモジュールが構成できる。
ールは、複数の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを
集合し、コレクタ端子またはエミッタ端子の側部に角形
断面の空洞を設けて部材装着部とし、部材装着部に回路
接続端子を配置し、複数のＩＧＢＴを絶縁部材で包囲し
て集合体に形成したので、駆動回路モジュールが回路基
板に組み込んだだけの簡単な構成の駆動回路モジュール
になり、配線部分がなくなり配線部分から侵入するノイ
ズの心配がないＩＧＢＴモジュールが構成できる。
【００５８】この発明の請求項４に係る駆動回路付ＩＧ
ＢＴモジュールは、請求項３のＩＧＢＴモジュールと、
モジュールの角形断面の空洞に形成された部材装着部の
内壁にシールドを設け、部材装着部に装着され、ＩＧＢ
Ｔモジュールを駆動する駆動回路を組み込んだ回路基板
で構成した駆動回路モジュールとで構成したので、従来
のＩＧＢＴモジュールの寸法で、動作条件を任意に設定
できる駆動回路を有し、ＩＧＢＴモジュールと駆動回路
モジュールとの間の配線がなく、配線からノイズの侵入
のない構成となる。
ＢＴモジュールは、請求項３のＩＧＢＴモジュールと、
モジュールの角形断面の空洞に形成された部材装着部の
内壁にシールドを設け、部材装着部に装着され、ＩＧＢ
Ｔモジュールを駆動する駆動回路を組み込んだ回路基板
で構成した駆動回路モジュールとで構成したので、従来
のＩＧＢＴモジュールの寸法で、動作条件を任意に設定
できる駆動回路を有し、ＩＧＢＴモジュールと駆動回路
モジュールとの間の配線がなく、配線からノイズの侵入
のない構成となる。
【００５９】この発明の請求項５に係るＩＧＢＴモジュ
ールは、複数のＩＧＢＴを集合し、エミッタ端子の側
部、コレクタ端子の側部およびコレクタ端子、エミッタ
端子の一端側にコの字形の段差面を設けて部材装着スペ
ースとし、部材装着スペースに回路接続端子を配置し、
複数のＩＧＢＴを絶縁部材で包囲して集合体に形成した
ので、ＩＧＢＴを駆動する駆動回路モジュールの装着ス
ペースが大きく必要とする場合にも対応できる。
ールは、複数のＩＧＢＴを集合し、エミッタ端子の側
部、コレクタ端子の側部およびコレクタ端子、エミッタ
端子の一端側にコの字形の段差面を設けて部材装着スペ
ースとし、部材装着スペースに回路接続端子を配置し、
複数のＩＧＢＴを絶縁部材で包囲して集合体に形成した
ので、ＩＧＢＴを駆動する駆動回路モジュールの装着ス
ペースが大きく必要とする場合にも対応できる。
【００６０】この発明の請求項６に係る駆動回路付ＩＧ
ＢＴモジュールは、請求項５のＩＧＢＴモジュールと、
周囲からの誘導を遮蔽するシールドを設けたコの字形に
形成された箱体内にＩＧＢＴモジュールを駆動する駆動
回路を収容し、ＩＧＢＴモジュールのコの字形に形成さ
れた部材装着スペースに装着した駆動回路モジュールと
で構成したので、従来のＩＧＢＴモジュールの寸法で、
動作条件を任意に設定できる駆動回路を有し、ＩＧＢＴ
モジュールと駆動回路モジュールとの間の配線がなく、
配線からのノイズ侵入のない構成となる。
ＢＴモジュールは、請求項５のＩＧＢＴモジュールと、
周囲からの誘導を遮蔽するシールドを設けたコの字形に
形成された箱体内にＩＧＢＴモジュールを駆動する駆動
回路を収容し、ＩＧＢＴモジュールのコの字形に形成さ
れた部材装着スペースに装着した駆動回路モジュールと
で構成したので、従来のＩＧＢＴモジュールの寸法で、
動作条件を任意に設定できる駆動回路を有し、ＩＧＢＴ
モジュールと駆動回路モジュールとの間の配線がなく、
配線からのノイズ侵入のない構成となる。
【００６１】この発明の請求項７に係るＩＧＢＴモジュ
ールは、複数のＩＧＢＴを集合し、コレクタ端子または
エミッタ端子の引出部を周回する電流検出コイルを装着
し、エミッタ端子の側部に段差面を設けて部材装着スペ
ースとし、部材載置スペースに回路接続端子を配置し、
複数のＩＧＢＴおよび電流検出コイルを絶縁部材で包囲
して集合体に形成したので、電流検出機能を備えたＩＧ
ＢＴモジュールが得られ、電流の検出以外に、ｄｉ／ｄ
ｔが検出できるので、ｄｉ／ｄｔを制御する駆動回路を
構成する場合に駆動回路モジュールを容易に構成するこ
ともできる。
ールは、複数のＩＧＢＴを集合し、コレクタ端子または
エミッタ端子の引出部を周回する電流検出コイルを装着
し、エミッタ端子の側部に段差面を設けて部材装着スペ
ースとし、部材載置スペースに回路接続端子を配置し、
複数のＩＧＢＴおよび電流検出コイルを絶縁部材で包囲
して集合体に形成したので、電流検出機能を備えたＩＧ
ＢＴモジュールが得られ、電流の検出以外に、ｄｉ／ｄ
ｔが検出できるので、ｄｉ／ｄｔを制御する駆動回路を
構成する場合に駆動回路モジュールを容易に構成するこ
ともできる。
【００６２】この発明の請求項８に係るＩＧＢＴモジュ
ールは、複数のＩＧＢＴを集合し、コレクタ端子または
エミッタ端子を周回する両端部および両側部に段差面を
設けて部材装着スペースとし、部材装着スペースに回路
接続端子を配置し、部材装着スペースの形状に合わせ、
所定の位置に導電層を配置した複数の基板を積層して電
流検出コイルを形成して部材装着スペースに装着したの
で、駆動回路付ＩＧＢＴを構成するとき、電流検出機能
を必要とするときに電流検出コイルをＩＧＢＴの部材装
着スペースに装着し、その上面に駆動回路モジュールを
装着すれば、電流検出機能を備えた駆動回路付ＩＧＢＴ
モジュールが得られ、電流検出機能の必要性に応じて選
択できる利点がある。
ールは、複数のＩＧＢＴを集合し、コレクタ端子または
エミッタ端子を周回する両端部および両側部に段差面を
設けて部材装着スペースとし、部材装着スペースに回路
接続端子を配置し、部材装着スペースの形状に合わせ、
所定の位置に導電層を配置した複数の基板を積層して電
流検出コイルを形成して部材装着スペースに装着したの
で、駆動回路付ＩＧＢＴを構成するとき、電流検出機能
を必要とするときに電流検出コイルをＩＧＢＴの部材装
着スペースに装着し、その上面に駆動回路モジュールを
装着すれば、電流検出機能を備えた駆動回路付ＩＧＢＴ
モジュールが得られ、電流検出機能の必要性に応じて選
択できる利点がある。
【００６３】この発明の請求項９に係るＩＧＢＴモジュ
ールは、請求項７または請求項８の構成の電流検出コイ
ルが検出した電流に比例した電圧波形を電流波形に変換
して回路接続端子に出力する電流波形変換手段を電流検
出コイルと回路接続端子の間に付加したので、電流検出
機能が全てＩＧＢＴモジュール内に装備され、ＩＧＢＴ
モジュールの過電流保護、短絡保護の回路が簡単になり
駆動回路に容易に組み込むことができ、波形変換手段に
接続する部分が短く、周囲からのノイズの侵入が殆どな
くなり信頼性の高い構成となる。
ールは、請求項７または請求項８の構成の電流検出コイ
ルが検出した電流に比例した電圧波形を電流波形に変換
して回路接続端子に出力する電流波形変換手段を電流検
出コイルと回路接続端子の間に付加したので、電流検出
機能が全てＩＧＢＴモジュール内に装備され、ＩＧＢＴ
モジュールの過電流保護、短絡保護の回路が簡単になり
駆動回路に容易に組み込むことができ、波形変換手段に
接続する部分が短く、周囲からのノイズの侵入が殆どな
くなり信頼性の高い構成となる。
【００６４】この発明の請求項１０に係る駆動回路付Ｉ
ＧＢＴモジュールは、請求項７または請求項８のＩＧＢ
Ｔモジュールと、周囲からの誘導を遮蔽するシールドを
設けた箱体内にＩＧＢＴモジュールを駆動する駆動回路
と、電流に比例した電圧波形を電流波形に変換して回路
接続端子に出力する電流波形変換手段を収容し、ＩＧＢ
Ｔモジュールの部材装着スペースに装着した駆動回路モ
ジュールとで構成したので、電流検出機能が全てＩＧＢ
Ｔモジュール内に装備され、ＩＧＢＴモジュールの過電
流保護、短絡保護の回路が簡単になり駆動回路に容易に
組み込むことができ、波形変換手段に接続する部分が短
く、周囲からのノイズの侵入が殆どなくなり信頼性の高
い構成が得られる。
ＧＢＴモジュールは、請求項７または請求項８のＩＧＢ
Ｔモジュールと、周囲からの誘導を遮蔽するシールドを
設けた箱体内にＩＧＢＴモジュールを駆動する駆動回路
と、電流に比例した電圧波形を電流波形に変換して回路
接続端子に出力する電流波形変換手段を収容し、ＩＧＢ
Ｔモジュールの部材装着スペースに装着した駆動回路モ
ジュールとで構成したので、電流検出機能が全てＩＧＢ
Ｔモジュール内に装備され、ＩＧＢＴモジュールの過電
流保護、短絡保護の回路が簡単になり駆動回路に容易に
組み込むことができ、波形変換手段に接続する部分が短
く、周囲からのノイズの侵入が殆どなくなり信頼性の高
い構成が得られる。
【００６５】この発明の請求項１１に係るＩＧＢＴモジ
ュールは、複数のＩＧＢＴの１つがコレクタ電流に比例
した微小電流を検出する電流センス素子を備えたＩＧＢ
Ｔを含む複数のＩＧＢＴを集合し、コレクタ端子または
エミッタ端子の側部に部材装着スペースを設け、部材装
着スペースに回路接続端子を配置し、複数のＩＧＢＴを
絶縁部材で包囲して集合体を形成したので、別に電流検
出手段を設けることなく電流検出機能を有するＩＧＢＴ
モジュールとなり、装置構成が簡単になる。
ュールは、複数のＩＧＢＴの１つがコレクタ電流に比例
した微小電流を検出する電流センス素子を備えたＩＧＢ
Ｔを含む複数のＩＧＢＴを集合し、コレクタ端子または
エミッタ端子の側部に部材装着スペースを設け、部材装
着スペースに回路接続端子を配置し、複数のＩＧＢＴを
絶縁部材で包囲して集合体を形成したので、別に電流検
出手段を設けることなく電流検出機能を有するＩＧＢＴ
モジュールとなり、装置構成が簡単になる。
【００６６】この発明の請求項１２に係る駆動回路付Ｉ
ＧＢＴモジュールは、請求項１１の構成のＩＧＢＴモジ
ュールと、周囲からの誘導を遮蔽するシールドを設けた
箱体内にＩＧＢＴモジュールを駆動する駆動回路と電流
信号出力回路を収容し、ＩＧＢＴモジュールの部材装着
スペースに装着した駆動回路モジュールとで構成したの
で、電流検出機能を備えても簡単な構成となる。
ＧＢＴモジュールは、請求項１１の構成のＩＧＢＴモジ
ュールと、周囲からの誘導を遮蔽するシールドを設けた
箱体内にＩＧＢＴモジュールを駆動する駆動回路と電流
信号出力回路を収容し、ＩＧＢＴモジュールの部材装着
スペースに装着した駆動回路モジュールとで構成したの
で、電流検出機能を備えても簡単な構成となる。
【００６７】この発明の請求項１３に係る駆動回路付Ｉ
ＧＢＴモジュールは、請求項２、請求項４、請求項６、
請求項１０および請求項１２のいずれかの構成のＩＧＢ
Ｔモジュールの部材装着スペースの適正位置に温度検出
手段を装着したので、運転時の運度上昇に対する保護が
確実に行えるようになり、駆動回路付ＩＧＢＴモジュー
ルの信頼性が高くなる。
ＧＢＴモジュールは、請求項２、請求項４、請求項６、
請求項１０および請求項１２のいずれかの構成のＩＧＢ
Ｔモジュールの部材装着スペースの適正位置に温度検出
手段を装着したので、運転時の運度上昇に対する保護が
確実に行えるようになり、駆動回路付ＩＧＢＴモジュー
ルの信頼性が高くなる。
【図１】 実施の形態１のＩＧＢＴモジュールの構成図
である。
である。
【図２】 図１のＩＧＢＴモジュールの駆動回路モジュ
ールの構成例を示す構成図である。
ールの構成例を示す構成図である。
【図３】 図１の構成に図２の駆動回路モジュールを装
着した状態を示す構成図である。
着した状態を示す構成図である。
【図４】 実施の形態２のＩＧＢＴモジュールの構成図
である。
である。
【図５】 図４のＩＧＢＴモジュールの駆動回路モジュ
ールの構成例を示す構成図である。
ールの構成例を示す構成図である。
【図６】 図４の構成に図５の駆動回路モジュールを装
着した状態を示す構成図である。
着した状態を示す構成図である。
【図７】 実施の形態３のＩＧＢＴモジュールの構成図
である。
である。
【図８】 図７のＩＧＢＴモジュールの駆動回路モジュ
ールの構成例を示す構成図である。
ールの構成例を示す構成図である。
【図９】 図７の構成に図８の駆動回路モジュールを装
着した状態を示す構成図である。
着した状態を示す構成図である。
【図１０】 実施の形態４のＩＧＢＴモジュールの電流
検出コイルの装着部の部分構成図である。
検出コイルの装着部の部分構成図である。
【図１１】 電流検出コイルの構造説明図である。
【図１２】 実施の形態５のＩＧＢＴモジュールの電流
検出コイルの装着状態を示す構成図である。
検出コイルの装着状態を示す構成図である。
【図１３】 図１２の電流検出コイルの構成を示す構成
図である。
図である。
【図１４】 実施の形態６のＩＧＢＴモジュールの電流
検出コイルの装着部の部分構成図である。
検出コイルの装着部の部分構成図である。
【図１５】 実施の形態６の電流波形変換手段の回路図
である。
である。
【図１６】 実施の形態７のＩＧＢＴモジュールの回路
図である。
図である。
【図１７】 実施の形態８のＩＧＢＴモジュールの温度
検出手段の装着部の構成を示す構成図である。
検出手段の装着部の構成を示す構成図である。
【図１８】 実施の形態８の図１７とは別の温度検出手
段の装着部の構成図である。
段の装着部の構成図である。
【図１９】 従来のＩＧＢＴモジュールの外形寸法図で
ある。
ある。
【図２０】 図１９のＩＧＢＴモジュールの回路図であ
る。
る。
【図２１】 従来のＩＧＢＴモジュールの図１９とは異
なるメーカ製の外形寸法図である。
なるメーカ製の外形寸法図である。
【図２２】 従来のＩＧＢＴモジュールの図１９、図２
０とは異なるメーカ製の外形寸法図である。
０とは異なるメーカ製の外形寸法図である。
【図２３】 従来のＩＧＢＴの機能と駆動回路の機能を
一体化したパワーモジュールの回路図である。
一体化したパワーモジュールの回路図である。
１１ コレクタ端子、１２ エミッタ端子、１３ 駆動
回路接続用エミッタ端子、１４ 駆動回路接続用ゲート
端子、１５ 駆動回路接続用コレクタ端子、１６ 回路
接続端子、１７ 部材装着スペース、１８ 絶縁部材、
１９ 取付用穴、２０ ＩＧＢＴモジュール、２１ ケ
ース、２２ シールド、２３ 駆動回路基板、２４ Ｏ
Ｎ／ＯＦＦ指令用Ｏ／Ｅ素子、２５ エラー信号用Ｏ／
Ｅ素子、２６ 回路接続端子、２７ 電源ケーブル、２
８ 取付用ねじ、３０ 駆動回路モジュール、３１ 部
材装着部、３２ シールド、３６ 回路接続端子、３８
絶縁部材、３９ 取付用穴、４０ ＩＧＢＴモジュー
ル、４１ 駆動回路基板、４３ 電源ケーブル、４４
ＯＮ／ＯＦＦ指令用Ｏ／Ｅ素子、４５ エラー信号用Ｏ
／Ｅ素子、４６ 回路接続端子、４７ 固定金具、４８
固定ボルト、５０ 駆動回路モジュール、５６ 回路
接続端子、５７ 部材取付スペース、５８ 絶縁部材、
５９ 取付用穴、６０ ＩＧＢＴモジュール、６１ ケ
ース、６２ シールド、６３ 駆動回路基板、６４ Ｏ
Ｎ／ＯＦＦ指令用Ｏ／Ｅ素子、６５ エラー信号用０／
Ｅ素子、６６ 回路接続端子、６７ 電源ケーブル、６
８ 固定金具、７０ 駆動回路モジュール、７５ 電流
検出コイル、７６ 回路接続端子、７７ 部材取付スペ
ース、７８ 絶縁部材、８０ ＩＧＢＴモジュール、８
２ 部材取付スペース、８３ａ，８３ｂ，８３ｃ，８３
ｄ 基板、８３ｈ 挿通穴、８４ａ，８４ｂ，８４ｃ
導電層、８４ｄ 接続導体、８５ 電流検出コイル、８
６ 回路接続端子、８７ 部材装着スペース、８８ 絶
縁部材、９０ ＩＧＢＴモジュール、９１ 電流波形変
換手段、９１ａ 積分回路、９１ｂ 増幅回路、９６
回路接続端子、１０１ 電流センス用素子付ＩＧＢＴモ
ジュール、１０２ ＩＧＢＴモジュール、１０３ ツェ
ナーダイオード、１０６ 回路接続端子、１１１ 銅ベ
ース部分、１１２ 絶縁基板、１１３ ゲート中継基
板、１１５ 温度検出手段、１２５ 温度検出手段。
回路接続用エミッタ端子、１４ 駆動回路接続用ゲート
端子、１５ 駆動回路接続用コレクタ端子、１６ 回路
接続端子、１７ 部材装着スペース、１８ 絶縁部材、
１９ 取付用穴、２０ ＩＧＢＴモジュール、２１ ケ
ース、２２ シールド、２３ 駆動回路基板、２４ Ｏ
Ｎ／ＯＦＦ指令用Ｏ／Ｅ素子、２５ エラー信号用Ｏ／
Ｅ素子、２６ 回路接続端子、２７ 電源ケーブル、２
８ 取付用ねじ、３０ 駆動回路モジュール、３１ 部
材装着部、３２ シールド、３６ 回路接続端子、３８
絶縁部材、３９ 取付用穴、４０ ＩＧＢＴモジュー
ル、４１ 駆動回路基板、４３ 電源ケーブル、４４
ＯＮ／ＯＦＦ指令用Ｏ／Ｅ素子、４５ エラー信号用Ｏ
／Ｅ素子、４６ 回路接続端子、４７ 固定金具、４８
固定ボルト、５０ 駆動回路モジュール、５６ 回路
接続端子、５７ 部材取付スペース、５８ 絶縁部材、
５９ 取付用穴、６０ ＩＧＢＴモジュール、６１ ケ
ース、６２ シールド、６３ 駆動回路基板、６４ Ｏ
Ｎ／ＯＦＦ指令用Ｏ／Ｅ素子、６５ エラー信号用０／
Ｅ素子、６６ 回路接続端子、６７ 電源ケーブル、６
８ 固定金具、７０ 駆動回路モジュール、７５ 電流
検出コイル、７６ 回路接続端子、７７ 部材取付スペ
ース、７８ 絶縁部材、８０ ＩＧＢＴモジュール、８
２ 部材取付スペース、８３ａ，８３ｂ，８３ｃ，８３
ｄ 基板、８３ｈ 挿通穴、８４ａ，８４ｂ，８４ｃ
導電層、８４ｄ 接続導体、８５ 電流検出コイル、８
６ 回路接続端子、８７ 部材装着スペース、８８ 絶
縁部材、９０ ＩＧＢＴモジュール、９１ 電流波形変
換手段、９１ａ 積分回路、９１ｂ 増幅回路、９６
回路接続端子、１０１ 電流センス用素子付ＩＧＢＴモ
ジュール、１０２ ＩＧＢＴモジュール、１０３ ツェ
ナーダイオード、１０６ 回路接続端子、１１１ 銅ベ
ース部分、１１２ 絶縁基板、１１３ ゲート中継基
板、１１５ 温度検出手段、１２５ 温度検出手段。
Claims (13)
- 【請求項１】 複数の絶縁ゲート型バイポーラトランジ
スタを集合し、コレクタ端子またはエミッタ端子の側部
に段差面を設けて部材装着スペースとし、該部材装着ス
ペースに回路接続端子を配置し、上記複数の絶縁ゲート
型バイポーラトランジスタを絶縁部材で封止して集合体
に形成したことを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラト
ランジスタモジュール。 - 【請求項２】 請求項１の絶縁ゲート型バイポーラトラ
ンジスタモジュールと、周囲からの誘導を遮蔽するシー
ルドを設けた箱体内に上記絶縁ゲート型バイポーラトラ
ンジスタモジュールを駆動する駆動回路が収容され、上
記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタモジュールの部
材装着スペースに装着された駆動回路モジュールとで構
成された駆動回路付絶縁ゲート型バイポーラトランジス
タモジュール。 - 【請求項３】 複数の絶縁ゲート型バイポーラトランジ
スタを集合し、コレクタ端子またはエミッタ端子の側部
に角形断面の空洞を設けて部材装着部とし、該部材装着
部に回路接続端子を配置し、上記複数の絶縁ゲート型バ
イポーラトランジスタを絶縁部材で封止して集合体に形
成したことを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトラン
ジスタモジュール。 - 【請求項４】 請求項３の絶縁ゲート型バイポーラトラ
ンジスタモジュールと、該モジュールの角形断面の空洞
に形成された部材装着部の内壁にシールドを設け、部材
装着部に装着され、上記絶縁ゲート型バイポーラトラン
ジスタモジュールを駆動する駆動回路が組み込まれた回
路基板で構成された駆動回路モジュールとで構成された
駆動回路付絶縁ゲート型バイポーラトランジスタモジュ
ール。 - 【請求項５】 複数の絶縁ゲート型バイポーラトランジ
スタを集合し、エミッタ端子の側部、コレクタ端子の側
部およびコレクタ端子、エミッタ端子の一端側にコの字
形の段差面を設けて部材装着スペースとし、該部材装着
スペースに回路接続端子を配置し、上記複数の絶縁ゲー
ト型バイポーラトランジスタを絶縁部材で封止して集合
体に形成したことを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラ
トランジスタモジュール。 - 【請求項６】 請求項５の絶縁ゲート型バイポーラトラ
ンジスタモジュールと、周囲からの誘導を遮蔽するシー
ルドを設けたコの字形に形成された箱体内に上記絶縁ゲ
ート型バイポーラトランジスタモジュールを駆動する駆
動回路が収容され、上記絶縁ゲート型バイポーラトラン
ジスタモジュールのコの字形に形成された部材装着スペ
ースに装着された駆動回路モジュールとで構成された駆
動回路付絶縁ゲート型バイポーラトランジスタモジュー
ル。 - 【請求項７】 複数の絶縁ゲート型バイポーラトランジ
スタを集合し、コレクタ端子またはエミッタ端子の引出
部を周回する電流検出コイルを装着し、コレクタ端子ま
たはエミッタ端子の側部に段差面を設けて部材装着スペ
ースとし、該部材装着スペースには回路接続端子を配置
し、上記複数の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタお
よび上記電流検出コイルを絶縁部材で封止して集合体に
形成したことを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトラ
ンジスタモジュール。 - 【請求項８】 複数の絶縁ゲート型バイポーラトランジ
スタを集合し、コレクタ端子またはエミッタ端子の両端
部および両側部の周回する位置に段差面を設けて部材装
着スペースとし、該部材装着スペースには回路接続端子
を配置し、上記部材装着スペースの形状に合わせ、所定
の位置に導電層を配置した複数の基板を積層して平板状
の電流検出コイルを形成し、上記部材装着スペースに装
着したことを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトラン
ジスタモジュール。 - 【請求項９】 電流検出コイルが検出した電流に比例し
た電圧波形を電流波形に変換して回路接続端子に出力す
る電流波形変換手段を電流検出コイルと回路接続端子の
間に付加したことを特徴とする請求項７または請求項８
記載の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタモジュー
ル。 - 【請求項１０】 請求項７または請求項８の絶縁ゲート
型バイポーラトランジスタモジュールと、周囲からの誘
導を遮蔽するシールドを設けた箱体内に上記絶縁ゲート
型バイポーラトランジスタモジュールを駆動する駆動回
路と、電流に比例した電圧波形を電流波形に変換して回
路接続端子に出力する電流変換手段を収容し、上記絶縁
ゲート型バイポーラトランジスタモジュールの部材装着
スペースに装着された駆動回路モジュールとで構成され
た駆動回路付絶縁ゲート型バイポーラトランジスタモジ
ュール。 - 【請求項１１】 １つがコレクタ電流に比例した微小電
流を検出する電流センス用素子を備えた絶縁ゲート型バ
イポーラトランジスタを含む複数の絶縁ゲート型バイポ
ーラトランジスタを集合し、エミッタ端子の側部に部材
装着スペースを設け、該部材装着スペースに回路接続端
子を配置し、複数の絶縁ゲート型バイポーラトランジス
タを絶縁部材で封止して集合体を形成したことを特徴と
する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタモジュール。 - 【請求項１２】 請求項１１の構成の絶縁ゲート型バイ
ポーラトランジスタモジュールと、周囲からの誘導を遮
蔽するシールドを設けた箱体内に上記絶縁ゲート型バイ
ポーラトランジスタモジュールを駆動する駆動回路と電
流信号出力回路を収容し、上記絶縁ゲート型バイポーラ
トランジスタモジュールの部材装着スペースに装着され
た駆動回路モジュールとで構成された駆動回路付絶縁ゲ
ート型バイポーラトランジスタモジュール。 - 【請求項１３】 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
モジュールの駆動回路の駆動回路モジュールの基板部分
の適正位置に温度検出手段を装着したことを特徴とする
請求項２、請求項４、請求項６、請求項１０および請求
項１２のいずれかに記載の駆動回路付絶縁ゲート型バイ
ポーラトランジスタモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12343198A JP3877428B2 (ja) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタモジュールおよび駆動回路付絶縁ゲート型バイポーラトランジスタモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12343198A JP3877428B2 (ja) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタモジュールおよび駆動回路付絶縁ゲート型バイポーラトランジスタモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11317495A true JPH11317495A (ja) | 1999-11-16 |
| JP3877428B2 JP3877428B2 (ja) | 2007-02-07 |
Family
ID=14860409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12343198A Expired - Fee Related JP3877428B2 (ja) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタモジュールおよび駆動回路付絶縁ゲート型バイポーラトランジスタモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3877428B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003007966A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2006253568A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体モジュールおよびその駆動回路 |
| JP2008042091A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Honda Motor Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2008042950A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
| JP2008235417A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | パワーモジュール |
| JP2009027883A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
| CN102569276A (zh) * | 2012-02-14 | 2012-07-11 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 一种igbt模块 |
| JP2013042133A (ja) * | 2011-08-18 | 2013-02-28 | General Electric Co <Ge> | ロゴスキーコイルアセンブリ及びこれを提供するための方法 |
| JP2014114388A (ja) * | 2012-12-10 | 2014-06-26 | Tosoh Corp | 大容量パワーモジュール用ケース |
| JP2014158326A (ja) * | 2013-02-14 | 2014-08-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電源供給装置 |
| US9263356B2 (en) | 2012-05-28 | 2016-02-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| JPWO2014064822A1 (ja) * | 2012-10-26 | 2016-09-05 | 株式会社日立産機システム | パワー半導体モジュールおよびこれを搭載した電力変換装置 |
| WO2018043076A1 (ja) * | 2016-09-01 | 2018-03-08 | 日立金属株式会社 | 絶縁基板およびこれを用いた半導体装置 |
| WO2018189035A1 (en) | 2017-04-10 | 2018-10-18 | Abb Schweiz Ag | Short-circuit current sensor for power electronics module |
| DE112021007004T5 (de) | 2021-02-02 | 2023-11-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitereinrichtung |
-
1998
- 1998-05-06 JP JP12343198A patent/JP3877428B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4540884B2 (ja) * | 2001-06-19 | 2010-09-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP2003007966A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2006253568A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体モジュールおよびその駆動回路 |
| JP4517901B2 (ja) * | 2005-03-14 | 2010-08-04 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体モジュールおよびその駆動回路 |
| JP2008042950A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
| JP2008042091A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Honda Motor Co Ltd | 半導体装置 |
| JP4695041B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2011-06-08 | 本田技研工業株式会社 | 半導体装置 |
| JP2008235417A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | パワーモジュール |
| JP2009027883A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2013042133A (ja) * | 2011-08-18 | 2013-02-28 | General Electric Co <Ge> | ロゴスキーコイルアセンブリ及びこれを提供するための方法 |
| CN102569276A (zh) * | 2012-02-14 | 2012-07-11 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 一种igbt模块 |
| US9263356B2 (en) | 2012-05-28 | 2016-02-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| JPWO2014064822A1 (ja) * | 2012-10-26 | 2016-09-05 | 株式会社日立産機システム | パワー半導体モジュールおよびこれを搭載した電力変換装置 |
| JP2014114388A (ja) * | 2012-12-10 | 2014-06-26 | Tosoh Corp | 大容量パワーモジュール用ケース |
| JP2014158326A (ja) * | 2013-02-14 | 2014-08-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電源供給装置 |
| WO2018043076A1 (ja) * | 2016-09-01 | 2018-03-08 | 日立金属株式会社 | 絶縁基板およびこれを用いた半導体装置 |
| US10559509B2 (en) | 2016-09-01 | 2020-02-11 | Hitachi Metals, Ltd. | Insulating substrate and semiconductor device using same |
| WO2018189035A1 (en) | 2017-04-10 | 2018-10-18 | Abb Schweiz Ag | Short-circuit current sensor for power electronics module |
| DE112021007004T5 (de) | 2021-02-02 | 2023-11-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitereinrichtung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3877428B2 (ja) | 2007-02-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11317495A (ja) | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタモジュールおよび駆動回路付絶縁ゲート型バイポーラトランジスタモジュール | |
| JP2812528B2 (ja) | インバータ回路 | |
| US6529062B2 (en) | Power module | |
| US20120063187A1 (en) | Inverter device | |
| JPH0513562A (ja) | 駆動制御装置 | |
| US8587298B2 (en) | Current measuring device by means of magnetically sensitive sensor for a power electronics system | |
| JP2001153017A (ja) | 内燃機関用点火装置 | |
| WO2011118057A1 (ja) | 電力変換装置 | |
| JP2017046529A (ja) | 半導体装置、インテリジェントパワーモジュールおよび電力変換装置 | |
| US20240113081A1 (en) | Systems and methods for power module for inverter for electric vehicle | |
| JP2006140217A (ja) | 半導体モジュール | |
| JP2023085877A (ja) | 半導体装置および半導体チップ | |
| CN110176446B (zh) | 半导体装置 | |
| WO2010084550A1 (ja) | 半導体モジュール及びその制御方法 | |
| JPH11136960A (ja) | 三相インバータ回路モジュール | |
| JP4305356B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2011135725A (ja) | 電力変換装置 | |
| US6835994B2 (en) | Power semiconductor module | |
| JP4860517B2 (ja) | パワーモジュール | |
| US9202766B2 (en) | Package for power device and method of making the same | |
| CN116207950A (zh) | 具有集成的栅极驱动器和功能部件的功率装置 | |
| JP2010183751A (ja) | 電源トランス、及びそれを用いた電力変換装置 | |
| JP2006165100A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3173614B2 (ja) | 回路基板に対する電気部品の実装構造 | |
| JP2002369549A (ja) | 電力用半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040409 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040412 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051128 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051206 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060130 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060808 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061003 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061031 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061031 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091110 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101110 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111110 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121110 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121110 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131110 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |