JPH11297710A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH11297710A JPH11297710A JP9772598A JP9772598A JPH11297710A JP H11297710 A JPH11297710 A JP H11297710A JP 9772598 A JP9772598 A JP 9772598A JP 9772598 A JP9772598 A JP 9772598A JP H11297710 A JPH11297710 A JP H11297710A
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大電流を必要とする大きなエミッタ面積を有
する縦型ＰＮＰトランジスタのｈFE低下をなくし、消費
電力を削減する。 【解決手段】 一定面積のエミッタとエミッタコンタク
トを有する第１の縦型ＰＮＰトランジスタの縦方向の長
さと横方向の長さが各々整数倍のＰ型エミッタ２１を有
する第２の縦型ＰＮＰトランジスタを構成する。そして
この第２の縦型ＰＮＰトランジスタの縦方向長さと横方
向長さを各々第１の縦型ＰＮＰトランジスタと同じ長さ
にＰ型エミッタ２１を分割したときに、第１の縦型ＰＮ
Ｐトランジスタと同じ面積でかつ同じ位置にエミッタコ
ンタクト２２を配置する。
する縦型ＰＮＰトランジスタのｈFE低下をなくし、消費
電力を削減する。 【解決手段】 一定面積のエミッタとエミッタコンタク
トを有する第１の縦型ＰＮＰトランジスタの縦方向の長
さと横方向の長さが各々整数倍のＰ型エミッタ２１を有
する第２の縦型ＰＮＰトランジスタを構成する。そして
この第２の縦型ＰＮＰトランジスタの縦方向長さと横方
向長さを各々第１の縦型ＰＮＰトランジスタと同じ長さ
にＰ型エミッタ２１を分割したときに、第１の縦型ＰＮ
Ｐトランジスタと同じ面積でかつ同じ位置にエミッタコ
ンタクト２２を配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路装置
に係わり、特に縦型ＰＮＰトランジスタを含む半導体集
積回路装置に関するものである。
に係わり、特に縦型ＰＮＰトランジスタを含む半導体集
積回路装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】モータドライブ用等の大電流を必要とす
る半導体集積回路装置では、大電流を出力するため従来
は図３に例示するようにＰ型エミッタ３１のエミッタ面
積を必要電流量に合わせて拡大することにより大電流を
出力している。この場合、従来はエミッタコンタクト３
２を設計の容易さからＰ型エミッタ３１のエミッタ面積
の拡大に合わせ拡大していた。
る半導体集積回路装置では、大電流を出力するため従来
は図３に例示するようにＰ型エミッタ３１のエミッタ面
積を必要電流量に合わせて拡大することにより大電流を
出力している。この場合、従来はエミッタコンタクト３
２を設計の容易さからＰ型エミッタ３１のエミッタ面積
の拡大に合わせ拡大していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、エミッタ面積を拡大する場合、同時にエ
ミッタコンタクトも拡大していたため、ベース電流が増
加し、図４の特性４３に示すように、コレクタ電流（Ｉ
ｃ）とベース電流（Ｉｂ）の比、つまりｈFEが低下す
る。このため、大電流を出力するためには大きなベース
電流を必要とし、消費電流が大きくなるという課題を有
していた。
うな構成では、エミッタ面積を拡大する場合、同時にエ
ミッタコンタクトも拡大していたため、ベース電流が増
加し、図４の特性４３に示すように、コレクタ電流（Ｉ
ｃ）とベース電流（Ｉｂ）の比、つまりｈFEが低下す
る。このため、大電流を出力するためには大きなベース
電流を必要とし、消費電流が大きくなるという課題を有
していた。
【０００４】本発明は上記課題に鑑み、大電流を必要と
するエミッタ面積の大きな縦型ＰＮＰトランジスタでも
ｈFEの低下がなく、消費電流の少ない半導体集積回路装
置を提供することを目的とする。
するエミッタ面積の大きな縦型ＰＮＰトランジスタでも
ｈFEの低下がなく、消費電流の少ない半導体集積回路装
置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
し目的を達成するために、一定面積のエミッタとエミッ
タコンタクトを有する第１の縦型ＰＮＰトランジスタの
縦方向の長さと横方向の長さが各々整数倍のエミッタを
有する第２の縦型ＰＮＰトランジスタを構成し、前記縦
方向の長さと横方向の長さを各々前記第１の縦型ＰＮＰ
トランジスタと同じ長さにエミッタを分割したときに、
当該第１の縦型ＰＮＰトランジスタと同じ面積でかつ同
じ位置にエミッタコンタクトを配置することにより、大
電流を必要とする大きなエミッタ面積を有する縦型ＰＮ
ＰトランジスタでもｈFEの低下をなくすことが可能とな
り、少ないベース電流で大きな電流を出力することがで
き、消費電流の少ない半導体集積回路装置を提供するこ
とが可能となる。
し目的を達成するために、一定面積のエミッタとエミッ
タコンタクトを有する第１の縦型ＰＮＰトランジスタの
縦方向の長さと横方向の長さが各々整数倍のエミッタを
有する第２の縦型ＰＮＰトランジスタを構成し、前記縦
方向の長さと横方向の長さを各々前記第１の縦型ＰＮＰ
トランジスタと同じ長さにエミッタを分割したときに、
当該第１の縦型ＰＮＰトランジスタと同じ面積でかつ同
じ位置にエミッタコンタクトを配置することにより、大
電流を必要とする大きなエミッタ面積を有する縦型ＰＮ
ＰトランジスタでもｈFEの低下をなくすことが可能とな
り、少ないベース電流で大きな電流を出力することがで
き、消費電流の少ない半導体集積回路装置を提供するこ
とが可能となる。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図１から図５を参照しながら説明する。
て図１から図５を参照しながら説明する。
【０００７】図１は、一定面積のエミッタとエミッタコ
ンタクトを有する第１の縦型ＰＮＰトランジスタの構成
図である。図１において、１１はＰ型エミッタ、１２は
エミッタコンタクト、１３はＮ型ベース、１４はベース
コンタクト、１５はＰ型コレクタ、１６はコレクタコン
タクトである。
ンタクトを有する第１の縦型ＰＮＰトランジスタの構成
図である。図１において、１１はＰ型エミッタ、１２は
エミッタコンタクト、１３はＮ型ベース、１４はベース
コンタクト、１５はＰ型コレクタ、１６はコレクタコン
タクトである。
【０００８】図２は、本発明の実施の形態における第２
の縦型ＰＮＰトランジスタの構成図である。図２におい
て、２１は図１に示す第１の縦型ＰＮＰトランジスタの
Ｐ型エミッタ１１の縦方向に２倍、横方向に２倍の長さ
を有するＰ型エミッタ、２２はエミッタコンタクト、２
３はＮ型ベース、２４はベースコンタクト、２５はＰ型
コレクタ、２６はコレクタコンタクトであり、第２の縦
型ＰＮＰトランジスタを構成する。
の縦型ＰＮＰトランジスタの構成図である。図２におい
て、２１は図１に示す第１の縦型ＰＮＰトランジスタの
Ｐ型エミッタ１１の縦方向に２倍、横方向に２倍の長さ
を有するＰ型エミッタ、２２はエミッタコンタクト、２
３はＮ型ベース、２４はベースコンタクト、２５はＰ型
コレクタ、２６はコレクタコンタクトであり、第２の縦
型ＰＮＰトランジスタを構成する。
【０００９】図３は、前述した従来の縦型ＰＮＰトラン
ジスタの構成図である。図３において、３１は図１に示
す縦型ＰＮＰトランジスタのＰ型エミッタ１１の縦方向
に２倍、横方向に２倍の長さを有するＰ型エミッタ、３
２はエミッタコンタクト、３３はＮ型ベース、３４はベ
ースコンタクト、３５はＰ型コレクタ、３６はコレクタ
コンタクトである。
ジスタの構成図である。図３において、３１は図１に示
す縦型ＰＮＰトランジスタのＰ型エミッタ１１の縦方向
に２倍、横方向に２倍の長さを有するＰ型エミッタ、３
２はエミッタコンタクト、３３はＮ型ベース、３４はベ
ースコンタクト、３５はＰ型コレクタ、３６はコレクタ
コンタクトである。
【００１０】図２に示す本実施の形態における第２の縦
型ＰＮＰトランジスタと図３に示す従来例の縦型ＰＮＰ
トランジスタでは、エミッタコンタクト２２，３２が各
々異なり、図２の本実施の形態における第２の縦型ＰＮ
Ｐトランジスタにおいては、縦方向の長さと横方向の長
さを各々図１に示す第１の縦型ＰＮＰトランジスタと同
じ長さにＰ型エミッタ２１を分割したときに、第１の縦
型ＰＮＰトランジスタと同じ面積でかつ同じ位置にエミ
ッタコンタクト２２を配置しているのに対し、図３に示
す従来例の縦型ＰＮＰトランジスタにおいては、図１に
示す第１の縦型ＰＮＰトランジスタのＰ型エミッタ１１
とエミッタコンタクト１２を縦方向と横方向に各々拡大
しているため、１つのエミッタコンタクト３２となって
いる点が異なる。
型ＰＮＰトランジスタと図３に示す従来例の縦型ＰＮＰ
トランジスタでは、エミッタコンタクト２２，３２が各
々異なり、図２の本実施の形態における第２の縦型ＰＮ
Ｐトランジスタにおいては、縦方向の長さと横方向の長
さを各々図１に示す第１の縦型ＰＮＰトランジスタと同
じ長さにＰ型エミッタ２１を分割したときに、第１の縦
型ＰＮＰトランジスタと同じ面積でかつ同じ位置にエミ
ッタコンタクト２２を配置しているのに対し、図３に示
す従来例の縦型ＰＮＰトランジスタにおいては、図１に
示す第１の縦型ＰＮＰトランジスタのＰ型エミッタ１１
とエミッタコンタクト１２を縦方向と横方向に各々拡大
しているため、１つのエミッタコンタクト３２となって
いる点が異なる。
【００１１】図４は、図１，図２，図３で示した各縦型
ＰＮＰトランジスタのＩｃ−ｈFE特性を示す図である。
図４において、４１は図１に示す第１の縦型ＰＮＰトラ
ンジスタのＩｃ−ｈFE特性、４２は図２に示す本実施の
形態における第２の縦型ＰＮＰトランジスタのＩｃ−ｈ
FE特性、４３は図３に示す従来例の縦型ＰＮＰトランジ
スタのＩｃ−ｈFE特性である。図４に示したように、本
実施の形態における第２の縦型ＰＮＰトランジスタのＩ
ｃ−ｈFE特性４２は、図１に示す第１の縦型ＰＮＰトラ
ンジスタのＩｃ−ｈFE特性４１と同じ値を示すのに対
し、従来例の縦型ＰＮＰトランジスタのＩｃ−ｈFE特性
４３は、図１に示す第１の縦型ＰＮＰトランジスタのＩ
ｃ−ｈFE特性４１に比べ可成り低下している。
ＰＮＰトランジスタのＩｃ−ｈFE特性を示す図である。
図４において、４１は図１に示す第１の縦型ＰＮＰトラ
ンジスタのＩｃ−ｈFE特性、４２は図２に示す本実施の
形態における第２の縦型ＰＮＰトランジスタのＩｃ−ｈ
FE特性、４３は図３に示す従来例の縦型ＰＮＰトランジ
スタのＩｃ−ｈFE特性である。図４に示したように、本
実施の形態における第２の縦型ＰＮＰトランジスタのＩ
ｃ−ｈFE特性４２は、図１に示す第１の縦型ＰＮＰトラ
ンジスタのＩｃ−ｈFE特性４１と同じ値を示すのに対
し、従来例の縦型ＰＮＰトランジスタのＩｃ−ｈFE特性
４３は、図１に示す第１の縦型ＰＮＰトランジスタのＩ
ｃ−ｈFE特性４１に比べ可成り低下している。
【００１２】図５は、図１，図２，図３で示した各縦型
ＰＮＰトランジスタのベース−エミッタ間電圧（ＶBE）
に対するコレクタ電流（Ｉｃ）、ベース電流（Ｉｂ）特
性を示す図である。図５において、５１ｃは図１に示す
第１の縦型ＰＮＰトランジスタのＶBE−Ｉｃ特性、５２
ｃは図２に示す本実施の形態の第２の縦型ＰＮＰトラン
ジスタのＶBE−Ｉｃ特性、５３ｃは図３に示す従来例の
縦型ＰＮＰトランジスタのＶBE−Ｉｃ特性、５１ｂは図
１に示す第１の縦型ＰＮＰトランジスタのＶBE−Ｉｂ特
性、５２ｂは図２に示す本実施の形態における第２の縦
型ＰＮＰトランジスタのＶBE−Ｉｂ特性、５３ｂは図３
に示す従来例の縦型ＰＮＰトランジスタのＶBE−Ｉｂ特
性である。
ＰＮＰトランジスタのベース−エミッタ間電圧（ＶBE）
に対するコレクタ電流（Ｉｃ）、ベース電流（Ｉｂ）特
性を示す図である。図５において、５１ｃは図１に示す
第１の縦型ＰＮＰトランジスタのＶBE−Ｉｃ特性、５２
ｃは図２に示す本実施の形態の第２の縦型ＰＮＰトラン
ジスタのＶBE−Ｉｃ特性、５３ｃは図３に示す従来例の
縦型ＰＮＰトランジスタのＶBE−Ｉｃ特性、５１ｂは図
１に示す第１の縦型ＰＮＰトランジスタのＶBE−Ｉｂ特
性、５２ｂは図２に示す本実施の形態における第２の縦
型ＰＮＰトランジスタのＶBE−Ｉｂ特性、５３ｂは図３
に示す従来例の縦型ＰＮＰトランジスタのＶBE−Ｉｂ特
性である。
【００１３】図５より、本実施の形態における第２の縦
型ＰＮＰトランジスタでは、コレクタ電流Ｉｃ、ベース
電流Ｉｂは各々図１に示す第１の縦型ＰＮＰトランジス
タのコレクタ電流Ｉｃ、ベース電流Ｉｂに対して、エミ
ッタ面積に比例して大きくなっており、図４に示すよう
にｈFEの低下は発生しない。これに対し、従来例の縦型
ＰＮＰトランジスタでは、コレクタ電流Ｉｃは図１に示
す縦型ＰＮＰトランジスタのコレクタ電流Ｉｃに対して
エミッタ面積に比例して大きくなっているが、ベース電
流Ｉｂが図１に示す第１の縦型ＰＮＰトランジスタのエ
ミッタ面積比以上に増加するため、図４に示すようにｈ
FEが低下する。
型ＰＮＰトランジスタでは、コレクタ電流Ｉｃ、ベース
電流Ｉｂは各々図１に示す第１の縦型ＰＮＰトランジス
タのコレクタ電流Ｉｃ、ベース電流Ｉｂに対して、エミ
ッタ面積に比例して大きくなっており、図４に示すよう
にｈFEの低下は発生しない。これに対し、従来例の縦型
ＰＮＰトランジスタでは、コレクタ電流Ｉｃは図１に示
す縦型ＰＮＰトランジスタのコレクタ電流Ｉｃに対して
エミッタ面積に比例して大きくなっているが、ベース電
流Ｉｂが図１に示す第１の縦型ＰＮＰトランジスタのエ
ミッタ面積比以上に増加するため、図４に示すようにｈ
FEが低下する。
【００１４】以下、この特性について説明する。
【００１５】縦型ＰＮＰトランジスタのｈFE（Ｉｃ／Ｉ
ｂ）は、エミッタからベースへ注入された正孔の注入量
とベース内での再結合量、またベースへ注入された電子
のベース内での再結合量とベースからエミッタへ注入さ
れた電子の再結合量によって決まる。ここで、エミッタ
からベースへ注入される正孔の注入量はエミッタの面積
と濃度で決まり、正孔のベース内での再結合量はベース
濃度によって決まる。
ｂ）は、エミッタからベースへ注入された正孔の注入量
とベース内での再結合量、またベースへ注入された電子
のベース内での再結合量とベースからエミッタへ注入さ
れた電子の再結合量によって決まる。ここで、エミッタ
からベースへ注入される正孔の注入量はエミッタの面積
と濃度で決まり、正孔のベース内での再結合量はベース
濃度によって決まる。
【００１６】一方、ベースへ注入された電子のベース内
での再結合量はエミッタからの正孔の注入量で決まる。
したがって、正孔の注入量と正孔のベース内での再結合
量、ベース内での電子の再結合量は、エミッタ濃度、ベ
ース濃度、ベース幅が一定であればエミッタ面積によっ
てきまる。ところが、ベースからエミッタへ注入された
電子は、移動度が大きく再結合されにくいため、エミッ
タコンタクトに一部吸い込まれる。したがって、エミッ
タコンタクトを大きくするとエミッタ内で再結合されず
にエミッタコンタクトからエミッタ電極へ吸い込まれる
量が増える。
での再結合量はエミッタからの正孔の注入量で決まる。
したがって、正孔の注入量と正孔のベース内での再結合
量、ベース内での電子の再結合量は、エミッタ濃度、ベ
ース濃度、ベース幅が一定であればエミッタ面積によっ
てきまる。ところが、ベースからエミッタへ注入された
電子は、移動度が大きく再結合されにくいため、エミッ
タコンタクトに一部吸い込まれる。したがって、エミッ
タコンタクトを大きくするとエミッタ内で再結合されず
にエミッタコンタクトからエミッタ電極へ吸い込まれる
量が増える。
【００１７】図５において、本実施の形態における第２
の縦型ＰＮＰトランジスタのベース電流５２ｂが、図１
に示す縦型ＰＮＰトランジスタのエミッタ面積に比例し
て大きくなるのに対し、従来例の縦型ＰＮＰトランジス
タのベース電流５３ｂが、図１に示す第１の縦型ＰＮＰ
トランジスタのエミッタ面積比以上に大きくなっている
のはこのためである。
の縦型ＰＮＰトランジスタのベース電流５２ｂが、図１
に示す縦型ＰＮＰトランジスタのエミッタ面積に比例し
て大きくなるのに対し、従来例の縦型ＰＮＰトランジス
タのベース電流５３ｂが、図１に示す第１の縦型ＰＮＰ
トランジスタのエミッタ面積比以上に大きくなっている
のはこのためである。
【００１８】以上のように本実施の形態によれば、一定
面積のエミッタとエミッタコンタクトを有する第１の縦
型ＰＮＰトランジスタの縦方向の長さと横方向の長さが
各々整数倍のエミッタを有する第２の縦型ＰＮＰトラン
ジスタを構成し、前記縦方向の長さと横方向の長さを各
々前記第１の縦型ＰＮＰトランジスタと同じ長さにエミ
ッタを分割したときに、当該第１の縦型ＰＮＰトランジ
スタと同じ面積でかつ同じ位置にエミッタコンタクトを
配置することにより、エミッタ内で再結合されずにエミ
ッタコンタクトに吸い込まれる電子の量がエミッタ面積
に比例するので、大電流を必要とする大きな縦型ＰＮＰ
トランジスタでもｈFEの低下をなくすことが可能とな
る。
面積のエミッタとエミッタコンタクトを有する第１の縦
型ＰＮＰトランジスタの縦方向の長さと横方向の長さが
各々整数倍のエミッタを有する第２の縦型ＰＮＰトラン
ジスタを構成し、前記縦方向の長さと横方向の長さを各
々前記第１の縦型ＰＮＰトランジスタと同じ長さにエミ
ッタを分割したときに、当該第１の縦型ＰＮＰトランジ
スタと同じ面積でかつ同じ位置にエミッタコンタクトを
配置することにより、エミッタ内で再結合されずにエミ
ッタコンタクトに吸い込まれる電子の量がエミッタ面積
に比例するので、大電流を必要とする大きな縦型ＰＮＰ
トランジスタでもｈFEの低下をなくすことが可能とな
る。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、一定面積
のエミッタとエミッタコンタクトを有する第１の縦型Ｐ
ＮＰトランジスタの縦方向の長さと横方向の長さが各々
整数倍のエミッタを有する第２の縦型ＰＮＰトランジス
タを構成し、前記縦方向の長さと横方向の長さを各々前
記第１の縦型ＰＮＰトランジスタと同じ長さにエミッタ
を分割したときに、当該第１の縦型ＰＮＰトランジスタ
と同じ面積でかつ同じ位置にエミッタコンタクトを配置
することにより、エミッタ内で再結合されずにエミッタ
コンタクトに吸い込まれる電子の量がエミッタ面積に比
例するので、大電流を必要とする大きな縦型ＰＮＰトラ
ンジスタでもｈFEの低下をなくすことが可能となり、少
ないベース電流で大電流を出力することができ、消費電
力の削減が可能となる。
のエミッタとエミッタコンタクトを有する第１の縦型Ｐ
ＮＰトランジスタの縦方向の長さと横方向の長さが各々
整数倍のエミッタを有する第２の縦型ＰＮＰトランジス
タを構成し、前記縦方向の長さと横方向の長さを各々前
記第１の縦型ＰＮＰトランジスタと同じ長さにエミッタ
を分割したときに、当該第１の縦型ＰＮＰトランジスタ
と同じ面積でかつ同じ位置にエミッタコンタクトを配置
することにより、エミッタ内で再結合されずにエミッタ
コンタクトに吸い込まれる電子の量がエミッタ面積に比
例するので、大電流を必要とする大きな縦型ＰＮＰトラ
ンジスタでもｈFEの低下をなくすことが可能となり、少
ないベース電流で大電流を出力することができ、消費電
力の削減が可能となる。
【図１】一定面積のエミッタとエミッタコンタクトを有
する第１の縦型ＰＮＰトランジスタの構成図
する第１の縦型ＰＮＰトランジスタの構成図
【図２】本発明の実施の形態における第２の縦型ＰＮＰ
トランジスタの構成図
トランジスタの構成図
【図３】従来例の縦型ＰＮＰトランジスタの構成図
【図４】図１〜図３の縦型ＰＮＰトランジスタのＩｃ−
ｈFEの特性図
ｈFEの特性図
【図５】図１〜図３の縦型ＰＮＰトランジスタのＶBE−
Ｉｃ、ＶBE−Ｉｂの特性図
Ｉｃ、ＶBE−Ｉｂの特性図
１１ 第１の縦型ＰＮＰトランジスタのＰ型エミッタ １２ 第１の縦型ＰＮＰトランジスタのエミッタコンタ
クト １３ 第１の縦型ＰＮＰトランジスタのＮ型ベース １４ 第１の縦型ＰＮＰトランジスタのベースコンタク
ト １５ 第１の縦型ＰＮＰトランジスタのＰ型コレクタ １６ 第１の縦型ＰＮＰトランジスタのコレクタコンタ
クト ２１ 本発明の実施の形態の縦型ＰＮＰトランジスタの
Ｐ型エミッタ ２２ 本発明の実施の形態の縦型ＰＮＰトランジスタの
エミッタコンタクト ２３ 本発明の実施の形態の縦型ＰＮＰトランジスタの
Ｎ型ベース ２４ 本発明の実施の形態の縦型ＰＮＰトランジスタの
ベースコンタクト ２５ 本発明の実施の形態の縦型ＰＮＰトランジスタの
Ｐ型コレクタ ２６ 本発明の実施の形態の縦型ＰＮＰトランジスタの
コレクタコンタクト ４１ 第１の縦型ＰＮＰトランジスタのＩｃ−ｈFE特性 ４２ 本発明の実施の形態の縦型ＰＮＰトランジスタの
Ｉｃ−ｈFE特性 ４３ 従来例の縦型ＰＮＰトランジスタのＩｃ−ｈFE特
性 ５１ｃ 第１の縦型ＰＮＰトランジスタのＶBE−Ｉｃ特
性 ５２ｃ 本発明の実施の形態の縦型ＰＮＰトランジスタ
のＶBE−Ｉｃ特性 ５３ｃ 従来例の縦型ＰＮＰトランジスタのＶBE−Ｉｃ
特性 ５１ｂ 第１の縦型ＰＮＰトランジスタのＶBE−Ｉｂ特
性 ５２ｂ 本発明の実施の形態の縦型ＰＮＰトランジスタ
のＶBE−Ｉｂ特性 ５３ｂ 従来例の縦型ＰＮＰトランジスタのＶBE−Ｉｂ
特性
クト １３ 第１の縦型ＰＮＰトランジスタのＮ型ベース １４ 第１の縦型ＰＮＰトランジスタのベースコンタク
ト １５ 第１の縦型ＰＮＰトランジスタのＰ型コレクタ １６ 第１の縦型ＰＮＰトランジスタのコレクタコンタ
クト ２１ 本発明の実施の形態の縦型ＰＮＰトランジスタの
Ｐ型エミッタ ２２ 本発明の実施の形態の縦型ＰＮＰトランジスタの
エミッタコンタクト ２３ 本発明の実施の形態の縦型ＰＮＰトランジスタの
Ｎ型ベース ２４ 本発明の実施の形態の縦型ＰＮＰトランジスタの
ベースコンタクト ２５ 本発明の実施の形態の縦型ＰＮＰトランジスタの
Ｐ型コレクタ ２６ 本発明の実施の形態の縦型ＰＮＰトランジスタの
コレクタコンタクト ４１ 第１の縦型ＰＮＰトランジスタのＩｃ−ｈFE特性 ４２ 本発明の実施の形態の縦型ＰＮＰトランジスタの
Ｉｃ−ｈFE特性 ４３ 従来例の縦型ＰＮＰトランジスタのＩｃ−ｈFE特
性 ５１ｃ 第１の縦型ＰＮＰトランジスタのＶBE−Ｉｃ特
性 ５２ｃ 本発明の実施の形態の縦型ＰＮＰトランジスタ
のＶBE−Ｉｃ特性 ５３ｃ 従来例の縦型ＰＮＰトランジスタのＶBE−Ｉｃ
特性 ５１ｂ 第１の縦型ＰＮＰトランジスタのＶBE−Ｉｂ特
性 ５２ｂ 本発明の実施の形態の縦型ＰＮＰトランジスタ
のＶBE−Ｉｂ特性 ５３ｂ 従来例の縦型ＰＮＰトランジスタのＶBE−Ｉｂ
特性
Claims (1)
- 【請求項１】 一定面積のエミッタとエミッタコンタク
トを有する第１の縦型ＰＮＰトランジスタの縦方向の長
さと横方向の長さが各々整数倍のエミッタを有する第２
の縦型ＰＮＰトランジスタを構成し、前記縦方向の長さ
と横方向の長さを各々前記第１の縦型ＰＮＰトランジス
タと同じ長さにエミッタを分割したときに、当該第１の
縦型ＰＮＰトランジスタと同じ面積でかつ同じ位置にエ
ミッタコンタクトを配置することを特徴とする半導体集
積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9772598A JPH11297710A (ja) | 1998-04-09 | 1998-04-09 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9772598A JPH11297710A (ja) | 1998-04-09 | 1998-04-09 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11297710A true JPH11297710A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14199874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9772598A Withdrawn JPH11297710A (ja) | 1998-04-09 | 1998-04-09 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11297710A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005136290A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
| US7615805B2 (en) * | 2001-12-28 | 2009-11-10 | Texas Instruments Incorporated | Versatile system for optimizing current gain in bipolar transistor structures |
-
1998
- 1998-04-09 JP JP9772598A patent/JPH11297710A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7615805B2 (en) * | 2001-12-28 | 2009-11-10 | Texas Instruments Incorporated | Versatile system for optimizing current gain in bipolar transistor structures |
| JP2005136290A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
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|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
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