JPH11297704A - 酸素析出物密度の評価方法 - Google Patents
酸素析出物密度の評価方法Info
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- JPH11297704A JPH11297704A JP12178298A JP12178298A JPH11297704A JP H11297704 A JPH11297704 A JP H11297704A JP 12178298 A JP12178298 A JP 12178298A JP 12178298 A JP12178298 A JP 12178298A JP H11297704 A JPH11297704 A JP H11297704A
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板内部の比抵抗が０．０５Ωｃｍ以下、酸
素濃度が（１０〜１８）×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ
3（ｏｌｄ ＡＳＴＭ法）の半導体デバイス用シリコン
ウェーハ中の酸素析出物密度の評価方法。 【解決手段】 低温プロセスで析出物サイズが非常に小
さい場合であっても、９００〜１１００℃の温度範囲で
それぞれ最適な時間だけ熱処理を行った後、欠陥選択エ
ッチング法、赤外トモグラフ法、透過型電子顕微鏡（Ｔ
ＥＭ）法で析出物密度を測定することにより、低温プロ
セス後の析出物密度を高精度で評価でき、ウェーハのゲ
ッタリング能力の判断をすることができ、デバイスを高
歩留りで製造することが可能となる。
素濃度が（１０〜１８）×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ
3（ｏｌｄ ＡＳＴＭ法）の半導体デバイス用シリコン
ウェーハ中の酸素析出物密度の評価方法。 【解決手段】 低温プロセスで析出物サイズが非常に小
さい場合であっても、９００〜１１００℃の温度範囲で
それぞれ最適な時間だけ熱処理を行った後、欠陥選択エ
ッチング法、赤外トモグラフ法、透過型電子顕微鏡（Ｔ
ＥＭ）法で析出物密度を測定することにより、低温プロ
セス後の析出物密度を高精度で評価でき、ウェーハのゲ
ッタリング能力の判断をすることができ、デバイスを高
歩留りで製造することが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＬＳＩ（大規模
集積回路）等の回路素子の基板として使用されているシ
リコンエピタキシャルウェーハおよびシリコンウェーハ
の基板中の酸素析出物の評価方法に係り、９００〜１１
００℃の温度範囲でそれぞれ最適な時間だけ熱処理を行
った後、欠陥選択エッチング法、赤外トモグラフ法、透
過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）法で析出物密度を測定するこ
とにより、低温プロセス後の析出物密度を高精度で評価
できる酸素析出物の評価方法に関する。
集積回路）等の回路素子の基板として使用されているシ
リコンエピタキシャルウェーハおよびシリコンウェーハ
の基板中の酸素析出物の評価方法に係り、９００〜１１
００℃の温度範囲でそれぞれ最適な時間だけ熱処理を行
った後、欠陥選択エッチング法、赤外トモグラフ法、透
過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）法で析出物密度を測定するこ
とにより、低温プロセス後の析出物密度を高精度で評価
できる酸素析出物の評価方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン半導体デバイスの高集積化は急
速に進行しており、シリコンウェーハに要求される特性
はますます厳しくなってきている。高集積デバイスにお
いては、デバイス活性領域に結晶欠陥、あるいはドーパ
ント以外の金属不純物が含有されている場合、Ｐ／Ｎ接
合のリーク電流を増大させたり、ＭＯＳデバイスのゲー
ト酸化膜特性を劣化させることが知られている。
速に進行しており、シリコンウェーハに要求される特性
はますます厳しくなってきている。高集積デバイスにお
いては、デバイス活性領域に結晶欠陥、あるいはドーパ
ント以外の金属不純物が含有されている場合、Ｐ／Ｎ接
合のリーク電流を増大させたり、ＭＯＳデバイスのゲー
ト酸化膜特性を劣化させることが知られている。
【０００３】従来、このような高集積デバイスには、Ｃ
Ｚ法で育成されたＣＺ‐Ｓｉウェーハが用いられてき
た。ＣＺ‐Ｓｉウェーハには過飽和の格子間酸素が（１
０〜１８）×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の濃度で含有さ
れており、デバイスプロセスにおいて酸素析出物や転
位、積層欠陥などの結晶欠陥が誘起されることは周知で
ある。
Ｚ法で育成されたＣＺ‐Ｓｉウェーハが用いられてき
た。ＣＺ‐Ｓｉウェーハには過飽和の格子間酸素が（１
０〜１８）×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の濃度で含有さ
れており、デバイスプロセスにおいて酸素析出物や転
位、積層欠陥などの結晶欠陥が誘起されることは周知で
ある。
【０００４】デバイス活性領域から充分に離れたウェー
ハ内部に発生した酸素析出物や結晶欠陥は汚染重金属の
ゲッタリング効果を有することが広く知られている。こ
のため、ウェーハ内部における酸素折出物や結晶欠陥の
存在は、デバイスを高歩留りで製造するために不可欠と
なっている。
ハ内部に発生した酸素析出物や結晶欠陥は汚染重金属の
ゲッタリング効果を有することが広く知られている。こ
のため、ウェーハ内部における酸素折出物や結晶欠陥の
存在は、デバイスを高歩留りで製造するために不可欠と
なっている。
【０００５】一方、ウェーハ表面近傍のいわゆるデバイ
ス活性領域においては、ＬＯＣＯＳやＷＥＬＬ拡散層の
形成における１１００〜１２００℃の高温熱処理中に外
方拡散により酸素濃度が大幅に低下し、結晶欠陥の発生
が抑制されていた。
ス活性領域においては、ＬＯＣＯＳやＷＥＬＬ拡散層の
形成における１１００〜１２００℃の高温熱処理中に外
方拡散により酸素濃度が大幅に低下し、結晶欠陥の発生
が抑制されていた。
【０００６】しかし、半導体デバイスの微細化に伴い、
ＷＥＬＬ拡散層の形成に高エネルギーイオン注入が用い
られるようになり、また、接合深さをより浅くするため
に、デバイスプロセスの温度は１０００℃以下の低温で
行われるようになってきた。そのため、酸素の外方拡散
が不十分となり、デバイス活性領域での結晶欠陥の発生
を抑制することが困難になり始めている。
ＷＥＬＬ拡散層の形成に高エネルギーイオン注入が用い
られるようになり、また、接合深さをより浅くするため
に、デバイスプロセスの温度は１０００℃以下の低温で
行われるようになってきた。そのため、酸素の外方拡散
が不十分となり、デバイス活性領域での結晶欠陥の発生
を抑制することが困難になり始めている。
【０００７】このような状況から、結晶欠陥をほぼ完全
に含まない高品質のエピタキシャル層をＣＺ‐Ｓｉ基板
上に成膜したシリコンエピタキシャルウェーハが、今日
の高集積デバイスに多く用いられるようになってきた。
に含まない高品質のエピタキシャル層をＣＺ‐Ｓｉ基板
上に成膜したシリコンエピタキシャルウェーハが、今日
の高集積デバイスに多く用いられるようになってきた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】かかるエピタキシャル
ウェーハの基板にボロンがドープされ、基板の比抵抗が
０．０５Ωｃｍ以下のｐ／ｐ+ウェーハ（以後、ｐ／ｐ+
ウェーハと呼ぶ）が一般に用いられている。
ウェーハの基板にボロンがドープされ、基板の比抵抗が
０．０５Ωｃｍ以下のｐ／ｐ+ウェーハ（以後、ｐ／ｐ+
ウェーハと呼ぶ）が一般に用いられている。
【０００９】また、汚染重金属のゲッタリング能力は、
一般に酸素析出物密度が高いほど大きいことが、よく知
られている。
一般に酸素析出物密度が高いほど大きいことが、よく知
られている。
【００１０】しかしながら、デバイスプロセスの低温化
に伴い、酸素析出物のサイズが高々数十ｎｍと非常に小
さくなり、欠陥選択エッチング（検出限界は１００ｎｍ
程度）や赤外トモグラフ法（検出限界は３０ｎｍ程度）
による析出物密度の定量評価が同じく困難となってい
る。それ故、ウェーハのゲッタリング能力を判断できな
いという問題点があった。
に伴い、酸素析出物のサイズが高々数十ｎｍと非常に小
さくなり、欠陥選択エッチング（検出限界は１００ｎｍ
程度）や赤外トモグラフ法（検出限界は３０ｎｍ程度）
による析出物密度の定量評価が同じく困難となってい
る。それ故、ウェーハのゲッタリング能力を判断できな
いという問題点があった。
【００１１】なお、ボロン濃度が低いｐ-ウェーハにつ
いては、１０００℃で１６時間の熱処理を行った後、赤
外吸収法で酸素析出量を測定することにより、ゲッタリ
ング能力を判断する方法が報告（竹野博ら、第５８回応
用物理学会学術講演会議演予稿集２ｐ‐Ｎ‐１５（１９
９７））されている。
いては、１０００℃で１６時間の熱処理を行った後、赤
外吸収法で酸素析出量を測定することにより、ゲッタリ
ング能力を判断する方法が報告（竹野博ら、第５８回応
用物理学会学術講演会議演予稿集２ｐ‐Ｎ‐１５（１９
９７））されている。
【００１２】しかしながら、ｐ／ｐ+ウェーハにおいて
は、基板中のフリーキャリアにより赤外線が吸収されて
しまうため、赤外吸収法により酸素析出量を測定するこ
とができない。
は、基板中のフリーキャリアにより赤外線が吸収されて
しまうため、赤外吸収法により酸素析出量を測定するこ
とができない。
【００１３】この発明は、上記問題点を克服するため、
表面にシリコンのエピタキシャル膜を有し、基板内部の
比抵抗が０．０５Ωｃｍ以下、酸素濃度が（１０〜１
８）×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3（ｏｌｄ ＡＳＴＭ
法）の半導体デバイス用シリコンウェーハ中の酸素析出
物密度の評価方法を提供し、ウェーハのゲッタリング能
力の判断を可能とすることを目的としている。
表面にシリコンのエピタキシャル膜を有し、基板内部の
比抵抗が０．０５Ωｃｍ以下、酸素濃度が（１０〜１
８）×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3（ｏｌｄ ＡＳＴＭ
法）の半導体デバイス用シリコンウェーハ中の酸素析出
物密度の評価方法を提供し、ウェーハのゲッタリング能
力の判断を可能とすることを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】発明者らは、酸素析出物
密度の評価方法を目的に、まず、基板の比抵抗が０．０
５ΩＣｍ以下、酸素濃度が（１０〜１８）×１０17ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3（ｏｌｄ ＡＳＴＭ法）のｐ／ｐ＋ウェ
ーハに低温プロセス熱処理を施し、次いで種々の条件で
追加熱処理を行いウェーハ内部の酸素析出物を成長させ
て、種々の評価方法を適用して析出物密度の定量評価の
可能性を調査した。
密度の評価方法を目的に、まず、基板の比抵抗が０．０
５ΩＣｍ以下、酸素濃度が（１０〜１８）×１０17ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3（ｏｌｄ ＡＳＴＭ法）のｐ／ｐ＋ウェ
ーハに低温プロセス熱処理を施し、次いで種々の条件で
追加熱処理を行いウェーハ内部の酸素析出物を成長させ
て、種々の評価方法を適用して析出物密度の定量評価の
可能性を調査した。
【００１５】発明者らは、前記調査の結果、（１）９０
０〜１１００℃の温度範囲で４時間以上の熱処理を行っ
た後、欠陥選択エッチング法で析出物密度を測定するこ
と、（２）９００〜１１００℃の温度範囲で１時間以上
の熱処理を行った後、赤外トモグラフ法で析出物密度を
測定すること、（３）９００〜１１００℃の温度範囲で
０．５時間以上の熱処理を行った後、透過型電子顕微鏡
（ＴＥＭ）法で析出物密度を測定することにより、低温
プロセス後の酸素析出物密度を高精度で評価できること
を知見し、この発明を完成した。
０〜１１００℃の温度範囲で４時間以上の熱処理を行っ
た後、欠陥選択エッチング法で析出物密度を測定するこ
と、（２）９００〜１１００℃の温度範囲で１時間以上
の熱処理を行った後、赤外トモグラフ法で析出物密度を
測定すること、（３）９００〜１１００℃の温度範囲で
０．５時間以上の熱処理を行った後、透過型電子顕微鏡
（ＴＥＭ）法で析出物密度を測定することにより、低温
プロセス後の酸素析出物密度を高精度で評価できること
を知見し、この発明を完成した。
【００１６】すなわち、この発明は、表面にシリコンの
エピタキシャル膜を有し、基板内部の比抵抗が０．０５
Ωｃｍ以下、酸素濃度が（１０〜１８）×１０17ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ3（ｏｌｄ ＡＳＴＭ法）の半導体デバイス
用シリコンウェーハ中の酸素析出物密度の評価方法にお
いて、９００〜１１００℃の温度範囲で熱処理すること
を特徴とする酸素析出物密度の評価方法である。
エピタキシャル膜を有し、基板内部の比抵抗が０．０５
Ωｃｍ以下、酸素濃度が（１０〜１８）×１０17ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ3（ｏｌｄ ＡＳＴＭ法）の半導体デバイス
用シリコンウェーハ中の酸素析出物密度の評価方法にお
いて、９００〜１１００℃の温度範囲で熱処理すること
を特徴とする酸素析出物密度の評価方法である。
【００１７】
【発明の実施の形態】この発明において、評価対象とす
るシリコンウェーハの特性を、比抵抗が０．０５ΩＣｍ
以下、酸素濃度が（１０〜１８）×１０17ａｔｏｍｓ／
ｃｍ3（ｏｌｄ ＡＳＴＭ法）に限定するのは、かかる
ウェーハは、酸素析出物のサイズが非常に小さくなり、
欠陥選択エッチングや赤外トモグラフ法ではこれが検出
できず、この発明の熱処理によりこの問題を解消するも
のである。
るシリコンウェーハの特性を、比抵抗が０．０５ΩＣｍ
以下、酸素濃度が（１０〜１８）×１０17ａｔｏｍｓ／
ｃｍ3（ｏｌｄ ＡＳＴＭ法）に限定するのは、かかる
ウェーハは、酸素析出物のサイズが非常に小さくなり、
欠陥選択エッチングや赤外トモグラフ法ではこれが検出
できず、この発明の熱処理によりこの問題を解消するも
のである。
【００１８】この発明において、評価に先駆けて９００
〜１１００℃の温度範囲で熱処理するのは、酸素析出物
のサイズを所要サイズにするためであるが、雰囲気とし
ては、実施例の窒素雰囲気の他、酸素、アルゴンなどで
もよく、９００℃未満では、成長が遅く酸素析出物を顕
在化させるのに長時間を要して好ましくなく、１１００
℃を超えると、酸素析出物のうち溶体化するものも存在
するために、密度の定量評価が困難となる。
〜１１００℃の温度範囲で熱処理するのは、酸素析出物
のサイズを所要サイズにするためであるが、雰囲気とし
ては、実施例の窒素雰囲気の他、酸素、アルゴンなどで
もよく、９００℃未満では、成長が遅く酸素析出物を顕
在化させるのに長時間を要して好ましくなく、１１００
℃を超えると、酸素析出物のうち溶体化するものも存在
するために、密度の定量評価が困難となる。
【００１９】この発明において、９００〜１１００℃の
温度範囲で熱処理するが、欠陥選択エッチング法で析出
物密度を測定するには、酸素析出物のサイズが１００ｎ
ｍを超える必要があり、少なくとも４時間の熱処理が必
要であり、また、赤外トモグラフ法で析出物密度を測定
するには、酸素析出物のサイズが３０ｎｍを超える必要
があり、少なくとも１時間の熱処理が必要であり、さら
に透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）法で析出物密度を測定す
るには、酸素析出物のサイズが１０ｎｍを超える必要が
あり、少なくとも０．５時間の熱処理が必要である。
温度範囲で熱処理するが、欠陥選択エッチング法で析出
物密度を測定するには、酸素析出物のサイズが１００ｎ
ｍを超える必要があり、少なくとも４時間の熱処理が必
要であり、また、赤外トモグラフ法で析出物密度を測定
するには、酸素析出物のサイズが３０ｎｍを超える必要
があり、少なくとも１時間の熱処理が必要であり、さら
に透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）法で析出物密度を測定す
るには、酸素析出物のサイズが１０ｎｍを超える必要が
あり、少なくとも０．５時間の熱処理が必要である。
【００２０】この発明において、析出物密度の測定方法
として、好ましい条件は、欠陥選択エッチング法の場
合、１０００℃で８時間、赤外トモグラフ法の場合、１
０００℃で４時間、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）法の場
合、１０００℃で１時間、である。
として、好ましい条件は、欠陥選択エッチング法の場
合、１０００℃で８時間、赤外トモグラフ法の場合、１
０００℃で４時間、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）法の場
合、１０００℃で１時間、である。
【００２１】
【実施例】比較例１ 比抵抗が１０ｍΩｃｍ、酸素濃度が１５．５×１０17ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ3（ｏｌｄ ＡＳＴＭ法）のＣＺ‐Ｓｉ
ウェーハを用意し、試料を以下の手順で作成した。この
ウェーハをランプ加熱方式の横型ＣＶＤエピタキシャル
装置において水素雰囲気中で１１５０℃で８０秒問ベー
キングを行った後、エピタキシャル膜の成膜処理を行っ
た。成膜処理はトリクロロシランを原料ガスとし、１０
８０℃で４μｍのエピタキシャル膜を成膜した。
ｔｏｍｓ／ｃｍ3（ｏｌｄ ＡＳＴＭ法）のＣＺ‐Ｓｉ
ウェーハを用意し、試料を以下の手順で作成した。この
ウェーハをランプ加熱方式の横型ＣＶＤエピタキシャル
装置において水素雰囲気中で１１５０℃で８０秒問ベー
キングを行った後、エピタキシャル膜の成膜処理を行っ
た。成膜処理はトリクロロシランを原料ガスとし、１０
８０℃で４μｍのエピタキシャル膜を成膜した。
【００２２】次に、このｐ／ｐ+ウェーハに標準的な低
温プロセス熱処理（最高温度１０００℃）を施し、試料
とした。低温プロセス直後にライトエッチング液による
欠陥選択エッチング法、赤外トモグラフ法およびＴＥＭ
法により酸素析出物密度を評価した。しかしながら、い
ずれの方法においても酸素析出物の存在は確認されなか
った。
温プロセス熱処理（最高温度１０００℃）を施し、試料
とした。低温プロセス直後にライトエッチング液による
欠陥選択エッチング法、赤外トモグラフ法およびＴＥＭ
法により酸素析出物密度を評価した。しかしながら、い
ずれの方法においても酸素析出物の存在は確認されなか
った。
【００２３】実施例１ 次に、本発明に係る酸素析出物密度の評価方法の実施例
を述べる。まず、低温プロセス直後に観測できない酸素
析出物を成長させることを目的として、試料に８００
℃，９００℃，１０００℃，１１００℃，１２００℃の
各温度で５時間の熱処理を窒素雰囲気中で行い、熱処理
後の析出物密度を欠陥選択エッチング法で測定した。図
１にその結果を示す。
を述べる。まず、低温プロセス直後に観測できない酸素
析出物を成長させることを目的として、試料に８００
℃，９００℃，１０００℃，１１００℃，１２００℃の
各温度で５時間の熱処理を窒素雰囲気中で行い、熱処理
後の析出物密度を欠陥選択エッチング法で測定した。図
１にその結果を示す。
【００２４】これより、折出物密度は９００〜１１００
℃まではほぼ一定で、約１×１０7／ｃｍ2であるのに対
し、８００℃、１２００℃ではそれより数桁小さい値と
なっていることがわかる。これは、８００℃では酸素析
出物の成長が遅いためであり、１２００℃では酸素析出
物が溶体化したためであると考えられる。従って、酸素
析出物を顕在化させる熱処理の温度としては９００〜１
１００℃が最適であるといえる。なお、この温度領域の
熱処理で酸素析出物が新たに発生しない。
℃まではほぼ一定で、約１×１０7／ｃｍ2であるのに対
し、８００℃、１２００℃ではそれより数桁小さい値と
なっていることがわかる。これは、８００℃では酸素析
出物の成長が遅いためであり、１２００℃では酸素析出
物が溶体化したためであると考えられる。従って、酸素
析出物を顕在化させる熱処理の温度としては９００〜１
１００℃が最適であるといえる。なお、この温度領域の
熱処理で酸素析出物が新たに発生しない。
【００２５】次に、この温度領域に含まれる熱処理温度
において、熱処理時間と種々の評価方法による定量評価
の関係の実施例を示す。図２に１０００℃の追加熱処理
時間を変更した際の、欠陥選択エッチング法、赤外トモ
グラフ法とＴＥＭ法による酸素析出物密度の測定結果を
示す。
において、熱処理時間と種々の評価方法による定量評価
の関係の実施例を示す。図２に１０００℃の追加熱処理
時間を変更した際の、欠陥選択エッチング法、赤外トモ
グラフ法とＴＥＭ法による酸素析出物密度の測定結果を
示す。
【００２６】図２より、欠陥選択エッチング法では約４
時間以上で、赤外トモグラフ法では約１時間以上で、Ｔ
ＥＭ法では約０．５時間以上で析出物密度は飽和し、各
々それ以下の時間では析出物はほとんど観測されないこ
とがわかる。なお、欠陥選択エッチング法の測定結果は
エッチング量を考慮して体積密度に換算してある。
時間以上で、赤外トモグラフ法では約１時間以上で、Ｔ
ＥＭ法では約０．５時間以上で析出物密度は飽和し、各
々それ以下の時間では析出物はほとんど観測されないこ
とがわかる。なお、欠陥選択エッチング法の測定結果は
エッチング量を考慮して体積密度に換算してある。
【００２７】以上の結果から、欠陥選択エッチング法で
は４時間以上の、赤外トモグラフ法では１時間以上の、
ＴＥＭ法では約０．５時間以上の熱処理で析出物密度が
高精度で測定可能であるといえる。
は４時間以上の、赤外トモグラフ法では１時間以上の、
ＴＥＭ法では約０．５時間以上の熱処理で析出物密度が
高精度で測定可能であるといえる。
【００２８】なお、ボロン濃度が低いＣＺ‐Ｓｉウェー
ハおよびｐ／ｐ‐エピウェーハについても同様な検討を
実施したが、本発明に係る熱処理条件と評価方法で酸素
析出物密度が高精度で測定可能であることもわかった。
ハおよびｐ／ｐ‐エピウェーハについても同様な検討を
実施したが、本発明に係る熱処理条件と評価方法で酸素
析出物密度が高精度で測定可能であることもわかった。
【００２９】
【発明の効果】この発明による酸素析出物密度の評価方
法は、低温プロセスで析出物サイズが非常に小さい場合
であっても、９００〜１１００℃の温度範囲でそれぞれ
最適な時間だけ熱処理を行った後、欠陥選択エッチング
法、赤外トモグラフ法、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）法
で析出物密度を測定することにより、低温プロセス後の
析出物密度を高精度で評価でき、ウェーハのゲッタリン
グ能力の判断をすることができ、デバイスを高歩留りで
製造することが可能となる。
法は、低温プロセスで析出物サイズが非常に小さい場合
であっても、９００〜１１００℃の温度範囲でそれぞれ
最適な時間だけ熱処理を行った後、欠陥選択エッチング
法、赤外トモグラフ法、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）法
で析出物密度を測定することにより、低温プロセス後の
析出物密度を高精度で評価でき、ウェーハのゲッタリン
グ能力の判断をすることができ、デバイスを高歩留りで
製造することが可能となる。
【図１】低温プロセス後の熱処理温度と析出物密度の関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図２】低温プロセス後の熱処理時間と析出物密度の関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
Claims (4)
- 【請求項１】 表面にシリコンのエピタキシャル膜を有
し、基板内部の比抵抗が０．０５Ωｃｍ以下、酸素濃度
が（１０〜１８）×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3（ｏｌｄ
ＡＳＴＭ法）の半導体デバイス用シリコンウェーハ中
の酸素析出物密度を測定する評価方法において、９００
〜１１００℃の温度範囲で熱処理する酸素析出物密度の
評価方法。 - 【請求項２】 請求項１において、９００〜１１００℃
の温度範囲で４時間以上の熱処理を行った後、欠陥選択
エッチング法で析出物密度を測定する酸素析出物密度の
評価方法。 - 【請求項３】 請求項１において、９００〜１１００℃
の温度範囲で１時間以上の熱処理を行った後、赤外トモ
グラフ法で折出物密度を測定する酸素析出物密度の評価
方法。 - 【請求項４】 請求項１において、９００〜１１００℃
の温度範囲で０．５時間以上の熱処理を行った後、透過
型電子顕微鏡法で析出物密度を測定する酸素析出物密度
の評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12178298A JPH11297704A (ja) | 1998-04-14 | 1998-04-14 | 酸素析出物密度の評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12178298A JPH11297704A (ja) | 1998-04-14 | 1998-04-14 | 酸素析出物密度の評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11297704A true JPH11297704A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14819766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12178298A Pending JPH11297704A (ja) | 1998-04-14 | 1998-04-14 | 酸素析出物密度の評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11297704A (ja) |
Cited By (5)
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- 1998-04-14 JP JP12178298A patent/JPH11297704A/ja active Pending
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