JPH11296917A

JPH11296917A - 光ディスク原盤の製造方法および原盤製造装置

Info

Publication number: JPH11296917A
Application number: JP9455598A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Miyauchi; 靖宮内; Kimio Nakamura; 公夫中村; Minoru Chokai; 実鳥海
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1998-04-07
Filing date: 1998-04-07
Publication date: 1999-10-29

Abstract

(57)【要約】【課題】高密度記録の一つの方法として、ＳＩＬ(Solid
Immersion Lens)を用いた近接場記録があるが、このよ
うな記録に対応した光ディスク原盤（基板）を作製す
る。【解決手段】原盤カッティングにおいて、ＳＩＬの研磨
面（平面部）５に、超解像膜６を形成する。超解像膜６
として、主にフォトクロミック材料を用い、多光子吸
収、光退色性（光消色性）、吸収飽和等を利用する。超
解像膜６と原盤７との間の間隔を近接場領域を保持した
状態（レーザビームの波長をλとしたとき、この間隔は
λ／４以下とする）でレーザビームを照射し、原盤７上
のホトレジスト膜を露光、現像して照射領域のホトレジ
スト膜を溶解除去する。【効果】ＳＩＬによる近接場記録と超解像膜による効果
により高密度カッティングが可能となった。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク原盤の
製造方法および原盤製造装置に係り、特に光学的に細く
絞られたビームで光ディスク原盤をカッテングするに好
適な光ディスク原盤の製造方法および原盤製造装置に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、情報の大容量化に伴い、光記録を
用いた高密度記録技術の開発が活発に行われている。光
記録では、その限界が光の回折により、記録ビット径が
500nm前後といわれている。この回折限界は光の波長
（λ）に比例し、さらに、レンズの性能指数(NA)に反比
例する。このため、高密度化の１つの方向は、光の波長
を短波長化すること、絞り込みレンズを高NA化すること
にある。

【０００３】また、別の方法としては、この回折限界に
よらない光学現象を利用する方法がある。たとえば、米
国特許第５，１２１，２５６号にみられるように、Ｓ
ＩＬ(Solid Immersion Lens、以下、ＳＩＬと略称)を用
いて高NA化を実現し、通常の光学レンズを用いたものよ
り小さなスポット径を得ている。

【０００４】以下、この従来技術の原理を説明する。ま
ず、ＳＩＬは屈折率ｎが大きな透明物質からなる球面レ
ンズを例えば半球面に研磨し作製する。次に絞り込みレ
ンズで絞られたレーザ光の焦点をこの研磨面に合せる。
ＳＩＬの中に入ったレーザ光の速度は屈折率の分だけ遅
くなり、波長は１／ｎに短くなっている。つまり、ＳＩ
Ｌ中での回折限界は通常の１／ｎと小さくなる。見方を
変えれば対物レンズのNAをｎ倍に増やせたといってもよ
い。

【０００５】この時、ＳＩＬの内部ではNAを高められて
もレーザ光がＳＩＬを抜けて空気中に出ると、再び元の
ビームスポット径に戻ってしまう。しかし、ＳＩＬの底
面である研磨面と試料（ディスクの記録膜上など）との
間がλ／４以下と接近した場合（近接場領域と云う）、
入射光の波長λに対して波長が１／ｎのまま試料に伝播
するため、分解能がｎ倍になる。すなわち、通常の１／
ｎの回折限界が得られる。このような方法によって高密
度記録が可能となっている。

【０００６】従来から用いられている光記録用基板に
は、原盤カッティング手段により予めプリピットやトラ
ッキング用のグルーブなどが形成されている。ここで上
記のようなＳＩＬを用いた高密度記録では、このプリピ
ットやトラッキング用のグルーブの幅を従来よりも狭く
した基板が必要となる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、上記従来技術よりも更なる高密度カッティング
を実現するための光ディスクの原盤製造方法および原盤
製造装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明では、光ディスク
の原盤のもととなるガラス円板上に塗布したホトレジス
トなどにプリピットやトラッキング用のグルーブをカッ
ティングする時に、例えば超解像膜を形成したＳＩＬを
用いる事により従来よりも更なる高密度カッティングが
可能となる。

【０００９】ここでの超解像膜とは、入射してきたビー
ムが超解像膜中を透過し出射するとき、入射してきたビ
ームのスポット径よりも出射したビームスポット径の方
が小さくなる機能を有する薄膜の事をいう。どの程度ビ
ームスポット径が小さくなるかは、用いる超解像膜の種
類によって異なる。

【００１０】また、超解像膜はＳＩＬの平面部分（たと
えば研磨面など）に形成するが、ビームスポットが照射
される原盤上に直接形成することもできる。本発明の超
解像膜として、主にフォトクロミック材料を用い、多光
子吸収、光退色性（光消色性）、吸収飽和等を利用す
る。

【００１１】多光子吸収は、１光子の波長では光吸収が
なく、２光子のネルギー領域(１光子波長の半分の波長)
で光吸収を持つ材料であればよい。２光子吸収の反応は
光強度の２乗で効くため、光変化領域は照射光のスポッ
トサイズを２乗した形状となる。これはまた別な見方を
すれば、波長→光強度に、また吸収→透過に置き換えて
もよい。例えば、弱い光強度では多光子吸収膜の透過率
は変化せず、それよりも十分強い光強度で２光子吸収が
起こり、その領域では透過率が高くなる。このような多
光子吸収膜としては、例えばアクリル樹脂などがある。

【００１２】また、光退色性とは、強い光強度の照射部
分では光反応が生じて退色が進み光を透過するが、弱い
光強度の照射部分では退色が進まず光が透過しない膜で
ある。光退色性膜として、水溶性ジアゾニウム塩やフッ
素環系ジアリールエテン分子（FC-124）などがある。

【００１３】また、吸収飽和膜として例えばナフタロシ
アニン色素のように、あるしきい値を越える程度のレー
ザ光が照射されると基底状態にある色素が無くなり、そ
れ以上は光を吸収しなくなる性質を持っている材料も使
用可能である。

【００１４】以上のように、照射ビームの中心部分の透
過率が高くなるためこの領域だけビームが透過する。そ
の結果、見かけ上ビームスポット径が小さくなっている
ことになる（超解像効果）。

【００１５】あるいは、超解像膜として、予め入射ビー
ムの照射位置付近に入射ビーム径よりも小さい穴（ピン
ホールなど）を１個以上形成した膜を用いても同様な効
果が得られる。例えば、入射ビームの中に穴を２個形成
する事により、１回転でグルーブを２本同時にカッティ
ングする事が可能となった。ここで、小さな穴を形成す
る方法では、超解像膜として、薄い板状のものを代用し
てもよい。なお、この種のピンホールを形成する膜とし
ては、ビームが照射されても変化しない膜が用いられ、
例えばアルミ合金等の金属膜が使用できる。

【００１６】更に、上記のような超解像膜を第一の超解
像膜として形成したＳＩＬを用い、なおかつ第二の超解
像膜を原盤となる試料側にも設けることにより更なる高
密度カッテングが可能となる。ただし、この場合、レー
ザ波長に対する感度は、ＳＩＬに形成した第一の超解像
膜の方を良くする必要がある。ここでの超解像膜の好ま
しい組み合わせとしては、ＳＩＬ側に多光子吸収膜を形
成し、試料（原盤）側に光退色性膜を形成する場合であ
る。

【００１７】本発明で用いる超解像膜は、ビームが照射
されている間だけ超解像効果が生じていても（可逆
性）、またビーム照射が中止されても中心部の透過率が
高い状態でそのまま残っていてもよい（非可逆性）。ビ
ームが照射されている間だけ超解像効果が生じている方
がカッテングの制御性の点で好ましい。

【００１８】ＳＩＬの中に多光子吸収をする成分のもの
を分散させたり、色素を混入させたりしてビーム形状を
小さくしても良い。

【００１９】また、ＳＩＬに形成する超解像膜の膜厚
は、入射ビームの波長をλ、超解像膜の屈折率をｎとす
ると、（λ／２ｎ）程度が好ましい。

【００２０】また、場合によっては、超解像膜付きＳＩ
Ｌと試料との間に潤滑剤を入れてもよい。この時、ＳＩ
Ｌに形成した超解像膜と試料の表面とが潤滑剤で接して
いても良い。潤滑剤としてＳＩＬと略同じ屈折率を有す
る材料が好ましい。

【００２１】本発明に用いる原盤製造装置は、レーザを
搭載し、レーザから出射されたビームを絞り込みレンズ
によりＳＩＬに形成した超解像膜に集光する手段、ＳＩ
Ｌの超解像膜面とカッティングしようとしている試料表
面との間の間隔を制御する手段、記録媒体を回転させる
手段を少なくとも有している。この間隔制御は、超解像
膜の効果を有効に発揮させるために重要であり、レーザ
ビームに代表されるエネルギービームの波長をλとした
とき、λ／４以下の近接場領域を保持させることであ
る。

【００２２】ここで、ＳＩＬの超解像膜面とカッティン
グしようとしている試料表面との間の間隔を制御する１
つの手段としては、浮上型スライダーにＳＩＬを取り付
け、試料を一定回転で回転させる事により一定の浮上量
が得られる。また、絞り込みレンズとＳＩＬとを一体化
構造とし、同様に浮上スライダーに乗せたり、あるいは
浮上スライダーを用いないで絞り込みレンズと試料との
距離をレーザなどにより正確に制御する（自動焦点制御
など）ことなどにより可能となる。

【００２３】また、光源としては、アルゴンレーザに限
らずエキシマレーザやＳＨＧなど短波長のものほど好ま
しい。また、本発明は、ディスク状のみならず、カード
状などの他の形態の記録媒体の原盤カッティングにも適
用可能である。

【００２４】

【発明の実施の形態】本発明の光ディスクの原盤製造方
法および製造装置の構成について更に具体的に詳述す
る。（１）上記本発明の目的を達成することのできる光ディ
スクの原盤製造方法は、エネルギービームをＳＩＬを介
して光ディスク原盤上に照射し、プリピットおよびグル
ーブの少なくとも一方を形成する原盤カッティング工程
を有する光ディスク原盤の製造方法であって、前記ＳＩ
Ｌと前記原盤との間に超解像膜を介在させ、かつ前記超
解像膜と前記原盤間の間隔を近接場領域を保持した状態
で前記エネルギービームを照射することを特徴とする。

【００２５】そして好ましくは、前記ＳＩＬの出射面に
超解像膜を形成した超解像膜付きＳＩＬを使用すること
である。また、前記超解像膜を前記光ディスク原盤上に
形成して、前記エネルギービームを照射するようにして
もよい。さらには、これら両者を組み合わせ、ＳＩＬの
出射面に第一の超解像膜を形成し、光ディスク原盤上に
第二の超解像膜を形成する構成としてもよい。

【００２６】更に具体的な構成例としては、細く絞られ
たエネルギービームをＳＩＬを介して予めホトレジスト
膜が形成された光ディスク原盤上に照射、露光し、現像
することによって前記ホトレジスト膜にプリピットおよ
びグルーブの少なくとも一方を形成する原盤カッティン
グ工程を有する光ディスク原盤の製造方法であって、前
記ＳＩＬとホトレジスト膜との間に超解像膜を介在させ
て前記エネルギービームを照射、露光することを特徴と
する。

【００２７】この場合も、ＳＩＬの出射面に超解像膜を
形成した超解像膜付きＳＩＬを介してエネルギービーム
をホトレジスト膜に照射、露光する構成とすることが望
ましい。また、超解像膜はホトレジスト膜上に形成する
こともでき、さらには前述のようにＳＩＬに第一の超解
像膜、ホトレジスト膜上に第二の超解像膜を形成する構
成としてもよい。

【００２８】（２）上記本発明の目的を達成することの
できる光ディスクの原盤製造装置は、光ディスク原盤を
回転する手段と、ＳＩＬを介して前記光ディスク原盤上
に細く絞られたエネルギービームを照射する手段とを具
備して、前記光ディスク原盤にプリピットおよびグルー
ブの少なくとも一方を形成する光ディスク原盤製造装置
であって、前記光ディスク原盤上に細く絞られたエネル
ギービームを照射する手段を、ＳＩＬと光ディスク原盤
との間に超解像膜を介在させて前記エネルギービームを
照射する手段で構成することを特徴とする。

【００２９】更に具体的には、予めホトレジスト膜が形
成された光ディスク原盤を回転する手段と、ＳＩＬを介
して前記光ディスク原盤上に細く絞られたエネルギービ
ームを照射する手段とを具備して、前記ホトレジスト膜
にプリピットおよびグルーブの少なくとも一方を形成す
る光ディスク原盤製造装置であって、前記光ディスク原
盤上に細く絞られたエネルギービームを照射する手段
を、ＳＩＬと光ディスク原盤との間に超解像膜を介在さ
せて前記エネルギービームを照射する手段で構成するこ
とを特徴とする。

【００３０】そして好ましくは、前記光ディスク原盤を
回転する手段と、前記光ディスク原盤の回転によって光
ディスク原盤上を浮上するヘッドと、前記ヘッドに少な
くともＳＩＬを搭載しエネルギービームを照射する手段
と、前記光ディスク原盤の回転速度を制御してＳＩＬと
光ディスク原盤との間隔を所定間隔に制御するヘッド位
置制御手段とを具備することである。

【００３１】更には、前記ＳＩＬの出射面に超解像膜が
形成された超解像膜付きＳＩＬと、前記超解像膜と光デ
ィスク原盤との間隔を近接場領域が形成されるように前
記光ディスク原盤の回転速度を制御してヘッドの浮上量
を制御するヘッド位置制御手段とを有していることであ
る。

【００３２】超解像膜の膜厚は、屈折率をｎ、入射ビー
ムの波長をλとしたとき、λ／２ｎとするのが好まし
い。

【００３３】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面にしたがって
具体的に説明する。〈実施例１〉図１は、本実施例における光ディスクの原
盤カッティングにおけるエネルギービーム照射光学系の
概要を示したものである。ＳＩＬ(Solid Immersion Len
s)１が取り付けられた浮上型ヘッド２に、アルゴンレー
ザ（波長351nm）から出射され、絞り込みレンズ（開口
数：０．９）３を通ってきたレーザビーム４をＳＩＬの
球面のほぼ中央部に入射する。レーザビーム４の焦点は
ＳＩＬの研磨面５に合うようになっている。なお、浮上
型ヘッド２は、磁気ディスク装置の浮上型ヘッドと同様
の原理構成によるもので、ディスクの回転によって空気
力でヘッド（実際にはスライダーにヘッドが搭載されて
いる）がディスク上に浮上する。

【００３４】更にＳＩＬの研磨面（平面部）５に、超解
像膜６を形成している。また、この浮上型ヘッド２とデ
ィスク７との間の距離は、約80nmと近づいている（近接
場領域）。この距離は、浮上型ヘッド２の形状やディス
ク７の回転数などで制御されほぼ一定に保たれる。

【００３５】図２にヘッド要部の拡大図を示した。ここ
で、ＳＩＬの研磨面５でのビームスポット径（Φ）は、
以下の式で表される。ＳＩＬの屈折率をｎ、レーザ波長
をλ、絞り込みレンズの開口数をNAとすると、

【００３６】

【数１】 Φ≒（１／ｎ）×（λ／ＮＡ）となる。

【００３７】すなわち、通常の１／ｎの回折限界が得ら
れる。また、球の大半を残しながら一部だけを平面で切
り取った「超半球」の形状にする事により、

【００３８】

【数２】 Φ≒λ／ｎ² とビーム径を更に小さくできる。

【００３９】本実施例では、超解像膜６として、多光子
吸収膜を用いた。具体的にはアクリル樹脂を80nm形成し
た。アクリル樹脂は、１光子の波長である351nm付近で
は光吸収がなく、２光子のネルギー領域(１光子波長の
半分の波長)である176nm付近の波長において光吸収を持
つ材料である。

【００４０】２光子吸収の反応は光強度の２乗で効くた
め、光変化領域は照射光のスポットサイズを２乗した形
状となる。また、３光子吸収の反応は光強度の３乗で効
くため、光変化領域は照射光のスポットサイズを３乗し
た形状となる。本実施例における１／ｅ² でのスポッ
ト径は、ＳＩＬのみの場合のスポット径を１００％とす
ると、多光子吸収膜を出たところでは２光子吸収で約７
４％、３光子吸収で約６１％となった。スポット径の制
御は、超解像膜の材質の選択と、レーザビームの出力制
御とによって容易にできる。

【００４１】また、超解像膜として、多光子吸収膜の代
わりに、光退色性（光消色性）を利用した光退色性膜
〔水溶性ジアゾニウム塩やフッ素環系ジアリールエテン
分子（FC-124）など〕や吸収飽和膜（ナフタロシアニン
色素など）などのフォトクロミック材料を用いても同様
な効果があった。この場合、水溶性ジアゾニウム塩など
の光退色性のものでは、ビーム照射が中止されても中心
部の透過率が高い状態でそのまま残っているものもある
が、ディスクに照射されるスポット径は小さいままなの
で問題無い。

【００４２】以上のように、ＳＩＬ１の研磨面５に超解
像膜６を形成する事により、ビームスポット径を従来よ
りも更に小さくでき、高密度カッティングが可能となっ
た。

【００４３】ＳＩＬの研磨面５に形成した超解像膜６と
ディスク７の記録膜面上との距離は、近接場を用いるた
めλ／４以下と近づいている。この距離はディスク７の
回転速度を制御することによりヘッド２を所定量浮上さ
せることによって設定できる。

【００４４】回転速度が低い場合には、ヘッド２が浮上
しないので、その時には、このスペース部分に透明な潤
滑剤を設け、この潤滑剤を介して超解像膜表面と原盤表
面とが接するようにしてもよい。この場合には、潤滑剤
の厚さで距離を制御することになる。潤滑剤としては、
特にＳＩＬと同じ高屈折率の材料ならさらに好ましい。

【００４５】本発明に用いる原盤製造装置は、レーザを
搭載し、レーザから出射されたビーム４を絞り込みレン
ズ３によりＳＩＬ１に形成した超解像膜６に集光する手
段、ＳＩＬの超解像膜面とカッティングしようとしてい
る試料（ディスク）表面との間の間隔を制御する手段、
ディスクを回転させる手段を少なくとも有している。

【００４６】ここで、ＳＩＬの超解像膜面とカッティン
グしようとしている試料表面との間の間隔を制御する手
段としては、本実施例のように浮上型スライダーにＳＩ
Ｌを取り付ける事により可能となるが、場合によっては
回転数が遅いなどの理由により浮上しない場合がある。
その時は、絞り込みレンズとＳＩＬとを一体化し、絞り
込みレンズと試料との距離をレーザなどにより正確に制
御する事により可能となる。

【００４７】〈実施例２〉本実施例では、超解像膜付き
のＳＩＬを用い、更に超解像膜を形成した光ディスク原
盤にカッティングを行う方法について説明する。ここで
は、１周上でランドとグルーブが交互に現れるシングル
スパイラル基板の作製方法を述べる。

【００４８】まず、ディスク原盤として光学研磨した厚
さ１０mmのガラス円板にポジ型ホトレジストを塗布し、
９０℃、１時間のプリベークを行った。そして、ホトレ
ジストの上に光退色性超解像膜として、水溶性ジアゾニ
ウム塩を塗布した。

【００４９】この光退色性の超解像膜は強度の強い露光
に対して光反応が進み光を透過するが、強度の弱い露光
に対して退色が進まず光が透過しない膜である。これに
より、強度分布の強い部分のみが透過するので見かけ上
レーザスポット径が小さくなる効果がある。そして、こ
の光退色性超解像膜はホトレジスト上に積層でき、また
ホトレジストと同時に露光する事が可能で、水溶性であ
る。などの特徴があるため、プロセスが大幅に増加しな
い利点もある。

【００５０】次に、このガラス円板を６００ｒｐｍで回
転させながら、波長３５１ｎｍのアルゴンレーザ光を照
射することにより露光した（カッティング）。ここで
は、少なくともアドレスなどのプリフォーマット部およ
びグルーブ部を形成する。この時、アルゴンレーザ光を
照射しながらガラス円板が１回転する間に記録トラック
ピッチとなる量だけビームスポットを移動させる事によ
って、スパイラル上にグルーブとなる領域が露光され
る。ここでアルゴンレーザ光のＯＮ、ＯＦＦをガラス円
板が１回転する毎に１回行えば良い（プリフォーマット
部でのＯＮ、ＯＦＦの回数は除く）。

【００５１】このようにして露光されたガラス円板を現
像液で現像する事によって露光（記録）された部分が溶
解し除去され原盤となる。ここでは露光し、現像して露
光部分を溶解、除去することをカッテングと称してい
る。通常の光ディスクプロセスでは、このようにカッテ
ングされた原盤からＮｉメッキ法によりスタンパを作製
し、射出成形法でポリカーボネイト基板を作製する。

【００５２】上記のカッティングでは、予め膜中に入射
ビームよりも小さな穴（ピンホール：約0．2μｍ）が１
個あいている超解像膜を研磨平面に形成したＳＩＬを用
いた。ここでは、ＳＩＬの研磨表面に金属薄膜を100nm
程度スパッタ法により形成し、その後、収束イオンビー
ム加工により穴を開けた。このように、ホトレジストに
入射する光のビーム径を超解像膜付きＳＩＬとホトレジ
スト上に形成した超解像膜の両者の効果により、従来に
比べて２倍以上の高密度カッティングが可能となった。

【００５３】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明により所期
の目的を達成することができた。すなわち、ＳＩＬと超
解像膜との構成により、ビームスポット径を従来よりも
更に小さくでき、高密度カッティングが可能となった。
特に、ＳＩＬの出射面に超解像膜を形成した構成が好ま
しく、従来技術では実現することのできない信頼性の高
い高密度のプリピットおよびグルーブの形成を可能にし
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例となる光ディスクの原盤カッテ
ィングにおけるエネルギービーム照射光学系の概略を示
した説明図。

【図２】ＳＩＬの平面部分の拡大図。

【符号の説明】

１…ＳＩＬ(Solid Immersion Lens)、２…浮上型ヘッド、３…絞り込みレンズ、４…レーザビーム、５…ＳＩＬの研磨面、６…超解像膜、７…ディスク。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】エネルギービームをＳＩＬを介して光ディ
スク原盤上に照射し、プリピットおよびグルーブの少な
くとも一方を形成する原盤カッティング工程を有する光
ディスク原盤の製造方法であって、前記ＳＩＬと前記原
盤との間に超解像膜を介在させ、かつ前記超解像膜と前
記原盤間の間隔を近接場領域を保持した状態で前記エネ
ルギービームを照射することを特徴とする光ディスク原
盤の製造方法。
【請求項２】前記ＳＩＬの出射面に超解像膜を形成した
超解像膜付きＳＩＬを介して前記エネルギービームを照
射することを特徴とする請求項１記載の光ディスク原盤
の製造方法。
【請求項３】前記超解像膜を前記光ディスク原盤上に形
成して、前記エネルギービームを照射することを特徴と
する請求項１記載の光ディスク原盤の製造方法。
【請求項４】細く絞られたエネルギービームをＳＩＬを
介して予めホトレジスト膜が形成された光ディスク原盤
上に照射、露光し、現像することによって前記ホトレジ
スト膜にプリピットおよびグルーブの少なくとも一方を
形成する原盤カッティング工程を有する光ディスク原盤
の製造方法であって、前記ＳＩＬとホトレジスト膜との
間に超解像膜を介在させて前記エネルギービームを照
射、露光することを特徴とする光ディスク原盤の製造方
法。
【請求項５】前記ＳＩＬの出射面に超解像膜を形成した
超解像膜付きＳＩＬを介して前記エネルギービームを前
記ホトレジスト膜に照射、露光することを特徴とする請
求項４記載の光ディスク原盤の製造方法。
【請求項６】前記超解像膜をホトレジスト上に形成し
て、前記エネルギービームを前記ホトレジスト膜に照
射、露光することを特徴とする請求項４記載の光ディス
ク原盤の製造方法。
【請求項７】前記超解像膜として入射ビーム径よりも小
さな径のピンホールを形成し、前記ピンホールを介して
前記エネルギービームを前記ホトレジスト膜に照射、露
光することを特徴とする請求項１、２、４もしくは５記
載の光ディスク原盤の製造方法。
【請求項８】前記超解像膜をフォトクロミック材料で形
成することを特徴とする請求項１、２、４もしくは５記
載の光ディスク原盤の製造方法。
【請求項９】前記超解像膜を多光子吸収膜で形成したこ
とを特徴とする請求項１、２、４もしくは５記載の光デ
ィスク原盤の製造方法。
【請求項１０】前記超解像膜を光退色性膜で形成したこ
とを特徴とする請求項１、２、４もしくは５記載の光デ
ィスク原盤の製造方法。
【請求項１１】前記超解像膜を光吸収飽和膜で形成した
ことを特徴とする請求項１、２、４もしくは５記載の光
ディスク原盤の製造方法。
【請求項１２】光ディスク原盤を回転する手段と、ＳＩ
Ｌを介して前記光ディスク原盤上に細く絞られたエネル
ギービームを照射する手段とを具備して、前記光ディス
ク原盤にプリピットおよびグルーブの少なくとも一方を
形成する光ディスク原盤製造装置であって、前記光ディ
スク原盤上に細く絞られたエネルギービームを照射する
手段を、ＳＩＬと光ディスク原盤との間に超解像膜を介
在させて前記エネルギービームを照射する手段で構成し
て成る光ディスク原盤製造装置。
【請求項１３】予めホトレジスト膜が形成された光ディ
スク原盤を回転する手段と、ＳＩＬを介して前記光ディ
スク原盤上に細く絞られたエネルギービームを照射する
手段とを具備して、前記ホトレジスト膜にプリピットお
よびグルーブの少なくとも一方を形成する光ディスク原
盤製造装置であって、前記光ディスク原盤上に細く絞ら
れたエネルギービームを照射する手段を、ＳＩＬと光デ
ィスク原盤との間に超解像膜を介在させて前記エネルギ
ービームを照射する手段で構成して成る光ディスク原盤
製造装置。
【請求項１４】前記光ディスク原盤を回転する手段と、
前記光ディスク原盤の回転によって光ディスク原盤上を
浮上するヘッドと、前記ヘッドに少なくともＳＩＬを搭
載しエネルギービームを照射する手段と、前記光ディス
ク原盤の回転速度を制御してＳＩＬと光ディスク原盤と
の間隔を所定間隔に制御するヘッド位置制御手段とを具
備して成る請求項１２もしくは１３記載の光ディスク原
盤製造装置。
【請求項１５】前記ＳＩＬの出射面に超解像膜が形成さ
れた超解像膜付きＳＩＬと、前記超解像膜と光ディスク
原盤との間隔を近接場領域が形成されるように前記光デ
ィスク原盤の回転速度を制御してヘッドの浮上量を制御
するヘッド位置制御手段とを有して成る請求項１４記載
の光ディスク原盤製造装置。
【請求項１６】前記超解像膜の屈折率をｎ、入射ビーム
の波長をλとしたとき、前記超解像膜の膜厚をλ／２ｎ
として成る請求項１２乃至１５のいずれか一つに記載の
光ディスク原盤製造装置。