JPH11250501A - 情報の記録媒体及び記録方法 - Google Patents
情報の記録媒体及び記録方法Info
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- JPH11250501A JPH11250501A JP10047338A JP4733898A JPH11250501A JP H11250501 A JPH11250501 A JP H11250501A JP 10047338 A JP10047338 A JP 10047338A JP 4733898 A JP4733898 A JP 4733898A JP H11250501 A JPH11250501 A JP H11250501A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＳＩＬの効果を利用した高密度化を、ＳＩＬを
備えた浮上ヘッドを用いることなく実現することが可能
な情報の記録媒体及び記録方法を提供すること。 【解決手段】レーザビーム照射によって半球状に変形す
る屈折率が高い光透過膜を記録膜の前面に形成する。光
透過膜膜と記録膜との間に超解像膜を形成することが望
ましい。記録膜と透明な膜の間に超解像膜や保護膜等か
らなる中間層を設ける場合は、中間層の厚さ合計を２０
０ｎｍ以下とする。
備えた浮上ヘッドを用いることなく実現することが可能
な情報の記録媒体及び記録方法を提供すること。 【解決手段】レーザビーム照射によって半球状に変形す
る屈折率が高い光透過膜を記録膜の前面に形成する。光
透過膜膜と記録膜との間に超解像膜を形成することが望
ましい。記録膜と透明な膜の間に超解像膜や保護膜等か
らなる中間層を設ける場合は、中間層の厚さ合計を２０
０ｎｍ以下とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光等の記録
用ビームによって情報、例えば映像や音声などのアナロ
グ信号にＦＭ変調を施した信号或いは電子計算機のデー
タやディジタルオーディオ信号などのディジタル信号を
記録する情報記録装置に適用して好適な記録技術に係
り、特にこれら情報をリアルタイムで記録することが可
能な情報の記録媒体及び記録方法に関する。
用ビームによって情報、例えば映像や音声などのアナロ
グ信号にＦＭ変調を施した信号或いは電子計算機のデー
タやディジタルオーディオ信号などのディジタル信号を
記録する情報記録装置に適用して好適な記録技術に係
り、特にこれら情報をリアルタイムで記録することが可
能な情報の記録媒体及び記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報の大容量化に伴い、光記録を
用いた高密度記録技術の開発が活発に行なわれている。
光記録では、記録ビット径が光の回折によって定まる。
この回折限界は、光の波長に比例し、更に、レンズの性
能指数であるＮＡ（NumericalAperture）に反比例す
る。このため、光の波長を短波長化することと、絞り込
みレンズを高ＮＡ化することが高密度化のために盛んに
行なわれている。しかし、このような光の回折に着目し
た方法によって得られる記録ビット径の限界は、５００
ｎｍ程度である。
用いた高密度記録技術の開発が活発に行なわれている。
光記録では、記録ビット径が光の回折によって定まる。
この回折限界は、光の波長に比例し、更に、レンズの性
能指数であるＮＡ（NumericalAperture）に反比例す
る。このため、光の波長を短波長化することと、絞り込
みレンズを高ＮＡ化することが高密度化のために盛んに
行なわれている。しかし、このような光の回折に着目し
た方法によって得られる記録ビット径の限界は、５００
ｎｍ程度である。
【０００３】最近、この回折限界によらない他の光学現
象を利用して記録密度を上げる方法が注目されている。
光における近接場に注目する方法は、その一例である。
ＳＩＬ(Solid Immersion Lens)は、同方法を具体化した
もので、通常の光学レンズを用いたものより小さいスポ
ット径を得ている（例えば米国特許United States Pate
nt 5,121,256号公報参照）。ＳＩＬは、顕微鏡で用いら
れる液浸対物レンズと同様の効果を有するレンズであ
る。以下、このＳＩＬを備える光ヘッドを用いた記録技
術を説明する。
象を利用して記録密度を上げる方法が注目されている。
光における近接場に注目する方法は、その一例である。
ＳＩＬ(Solid Immersion Lens)は、同方法を具体化した
もので、通常の光学レンズを用いたものより小さいスポ
ット径を得ている（例えば米国特許United States Pate
nt 5,121,256号公報参照）。ＳＩＬは、顕微鏡で用いら
れる液浸対物レンズと同様の効果を有するレンズであ
る。以下、このＳＩＬを備える光ヘッドを用いた記録技
術を説明する。
【０００４】ＳＩＬは、屈折率ｎが大きい透明物質から
なる球面レンズを例えば半球面に研磨して作製したもの
である。記録を行なう場合、絞り込みレンズで絞られた
レーザ光の焦点をＳＩＬの研磨面に合せる。ＳＩＬの中
に入ったレーザ光の速度は、屈折率の分だけ遅くなり、
波長が１／ｎに短くなっている。即ち、ＳＩＬの中での
回折限界は、通常の１／ｎと小さくなる。見方を変えれ
ば、対物レンズのＮＡをｎ倍に増大させたと云うことが
できる。
なる球面レンズを例えば半球面に研磨して作製したもの
である。記録を行なう場合、絞り込みレンズで絞られた
レーザ光の焦点をＳＩＬの研磨面に合せる。ＳＩＬの中
に入ったレーザ光の速度は、屈折率の分だけ遅くなり、
波長が１／ｎに短くなっている。即ち、ＳＩＬの中での
回折限界は、通常の１／ｎと小さくなる。見方を変えれ
ば、対物レンズのＮＡをｎ倍に増大させたと云うことが
できる。
【０００５】このとき、ＮＡが高くなるのは、ＳＩＬの
内部だけであり、レーザ光がＳＩＬを抜けて空気中に出
ると、ビームスポットは、再び元の径に戻ってしまう。
しかし、ＳＩＬの底面である研磨面と記録媒体の記録膜
との間を２００ｎｍ以下と接近させておくと（近接
場）、入射光の波長がほぼ１／ｎのまま試料に伝播す
る。それによって分解能がｎ倍になる。即ち、通常の１
／ｎの回折限界が得られる。なお、通常の光記録では、
記録媒体の基板側から、即ち基板を介して記録膜に光ビ
ームを照射するのが普通であるが、それに対して、ＳＩ
Ｌを利用する場合は、上記と反対側から、即ち、記録膜
側から光ビームを記録膜に照射する。それによって狭い
間隔を保つようにする。
内部だけであり、レーザ光がＳＩＬを抜けて空気中に出
ると、ビームスポットは、再び元の径に戻ってしまう。
しかし、ＳＩＬの底面である研磨面と記録媒体の記録膜
との間を２００ｎｍ以下と接近させておくと（近接
場）、入射光の波長がほぼ１／ｎのまま試料に伝播す
る。それによって分解能がｎ倍になる。即ち、通常の１
／ｎの回折限界が得られる。なお、通常の光記録では、
記録媒体の基板側から、即ち基板を介して記録膜に光ビ
ームを照射するのが普通であるが、それに対して、ＳＩ
Ｌを利用する場合は、上記と反対側から、即ち、記録膜
側から光ビームを記録膜に照射する。それによって狭い
間隔を保つようにする。
【０００６】しかしながら、このようなＳＩＬと試料と
の間の狭い間隔の制御は難しく、一般的には浮上ヘッド
にＳＩＬを搭載して行われるが、２００ｎｍ以下の間隔
を安定に保つことが困難という問題点があった。
の間の狭い間隔の制御は難しく、一般的には浮上ヘッド
にＳＩＬを搭載して行われるが、２００ｎｍ以下の間隔
を安定に保つことが困難という問題点があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術の前記問題点を解決し、ＳＩＬの効果を利用した高
密度化をＳＩＬを備えた浮上ヘッドを用いることなく実
現することが可能な新規の情報の記録媒体及び記録方法
を提供することにある。
技術の前記問題点を解決し、ＳＩＬの効果を利用した高
密度化をＳＩＬを備えた浮上ヘッドを用いることなく実
現することが可能な新規の情報の記録媒体及び記録方法
を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の前記課題は、記
録膜の前面にレーザビーム照射によって半球状に変形す
る屈折率が高い光透過膜を形成することによって効果的
に解決することができる。そのような手段を採用すれ
ば、記録膜と光透過膜の間に従来のような空間による隙
間が形成されず、半球状に変形し部分がＳＩＬとなって
高密度記録が可能となるからである。
録膜の前面にレーザビーム照射によって半球状に変形す
る屈折率が高い光透過膜を形成することによって効果的
に解決することができる。そのような手段を採用すれ
ば、記録膜と光透過膜の間に従来のような空間による隙
間が形成されず、半球状に変形し部分がＳＩＬとなって
高密度記録が可能となるからである。
【０００９】なお、ＳＩＬの効果を得るには、半球状
は、球体を正確に半分にしたものでなくてもよく、球体
の一部を切り出した球面を有する概ね半球状のものであ
ればよい。
は、球体を正確に半分にしたものでなくてもよく、球体
の一部を切り出した球面を有する概ね半球状のものであ
ればよい。
【００１０】レーザビーム照射によってＳＩＬを呈する
前記光透過膜（以下「ＳＩＬ膜」という）と記録膜の間
に超解像膜を形成することにより更なる高密度化が可能
になると云う好ましい結果を得ることができる。超解像
膜は、入射してきたビームが超解像膜中を透過し出射す
るとき、入射してきたビームのスポット径よりも出射し
たビームスポット径の方が小さくなる薄膜である。本発
明においては超解像膜として、主にフォトクロミック材
料を用い、その多光子吸収、光退色性（光消色性）、吸
収飽和等を利用する。
前記光透過膜（以下「ＳＩＬ膜」という）と記録膜の間
に超解像膜を形成することにより更なる高密度化が可能
になると云う好ましい結果を得ることができる。超解像
膜は、入射してきたビームが超解像膜中を透過し出射す
るとき、入射してきたビームのスポット径よりも出射し
たビームスポット径の方が小さくなる薄膜である。本発
明においては超解像膜として、主にフォトクロミック材
料を用い、その多光子吸収、光退色性（光消色性）、吸
収飽和等を利用する。
【００１１】多光子吸収は、１光子の波長では光吸収が
なく、２光子のネルギー領域(１光子波長の半分の波長)
で光吸収を持つ材料によって得ることができる。２光子
吸収の反応が光強度の２乗で効くため、２光子吸収の反
応を起こす光ビームの強度分布は、半値幅が狭まった鋭
い形状のものとなり、ビームのスポット径が小さくな
る。即ち、弱い光強度では多光子吸収膜の透過率は、透
過率が低いまま変化せず、それよりも十分強い光強度で
２光子吸収が起こり、その光変化領域で透過率が高くな
る。多光子吸収膜として、アクリル樹脂などがある。
なく、２光子のネルギー領域(１光子波長の半分の波長)
で光吸収を持つ材料によって得ることができる。２光子
吸収の反応が光強度の２乗で効くため、２光子吸収の反
応を起こす光ビームの強度分布は、半値幅が狭まった鋭
い形状のものとなり、ビームのスポット径が小さくな
る。即ち、弱い光強度では多光子吸収膜の透過率は、透
過率が低いまま変化せず、それよりも十分強い光強度で
２光子吸収が起こり、その光変化領域で透過率が高くな
る。多光子吸収膜として、アクリル樹脂などがある。
【００１２】光退色性は、強い光強度の照射部分では光
反応が生じて退色が進み光を透過するが、弱い光強度の
照射部分では退色が進まず光を透過しない膜である。光
退色性膜として、水溶性ジアゾニウム塩やフッ素環系ジ
アリールエテン分子（FC-124）などがある。また、ナフ
タロシアニン色素のように、ある閾値を越えるレーザ光
が照射されると、基底状態にある色素が無くなり従って
光を吸収せず、透明になる性質を持っている材料も使用
可能である。
反応が生じて退色が進み光を透過するが、弱い光強度の
照射部分では退色が進まず光を透過しない膜である。光
退色性膜として、水溶性ジアゾニウム塩やフッ素環系ジ
アリールエテン分子（FC-124）などがある。また、ナフ
タロシアニン色素のように、ある閾値を越えるレーザ光
が照射されると、基底状態にある色素が無くなり従って
光を吸収せず、透明になる性質を持っている材料も使用
可能である。
【００１３】なお、記録膜と光透過膜との間に超解像膜
や保護膜等からなる中間層を設ける場合は、中間層の厚
さ合計を２００ｎｍ以下とする。
や保護膜等からなる中間層を設ける場合は、中間層の厚
さ合計を２００ｎｍ以下とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る情報の記録媒
体及び記録方法を図面に示した実施例による発明の実施
の形態を参照して更に詳細に説明する。
体及び記録方法を図面に示した実施例による発明の実施
の形態を参照して更に詳細に説明する。
【００１５】
【実施例】＜実施例１＞本実施例で用いたディスクの構
造を図１に示す。１は、ポリカーボネイトを材料とする
基板で、基板１の上に反射膜２、保護膜３、記録膜４、
保護膜５、超解像膜６、ＳＩＬ膜７を順に形成してい
る。それぞれ、反射膜２としてＡl合金膜を２００ｎ
ｍ、保護膜３としてＺnＳ−ＳiＯ2膜を２０ｎｍ、記録
膜４として相変化膜であるＧe2Ｓb2Ｔe5膜を２０ｎｍ、
保護膜５としてＺnＳ−ＳiＯ2膜を１００ｎｍ、超解像
膜６として水溶性ジアゾニウム塩からなる光退色性膜を
１００ｎｍ、ＳＩＬ膜７として屈折率が約１．８の樹脂
を１００ｎｍ形成した。
造を図１に示す。１は、ポリカーボネイトを材料とする
基板で、基板１の上に反射膜２、保護膜３、記録膜４、
保護膜５、超解像膜６、ＳＩＬ膜７を順に形成してい
る。それぞれ、反射膜２としてＡl合金膜を２００ｎ
ｍ、保護膜３としてＺnＳ−ＳiＯ2膜を２０ｎｍ、記録
膜４として相変化膜であるＧe2Ｓb2Ｔe5膜を２０ｎｍ、
保護膜５としてＺnＳ−ＳiＯ2膜を１００ｎｍ、超解像
膜６として水溶性ジアゾニウム塩からなる光退色性膜を
１００ｎｍ、ＳＩＬ膜７として屈折率が約１．８の樹脂
を１００ｎｍ形成した。
【００１６】次に、本実施例における記録方法を図２に
示した記録装置の概念図を用いて説明する。図中の矢印
は、ディスクの回転方向を表している。記録媒体は、模
式的に基板１と記録膜４とＳＩＬ膜７とをもって示し、
簡略化して示した。まず、図２ａに示すように、記録膜
４に焦点が合うようにレーザビーム８を絞り込みレンズ
９により絞り込み込む。そして、記録を行なう場所でレ
ーザパワーを記録可能なレベルまで高くする。これによ
り、図２ｂのようにＳＩＬ膜７がほぼ半球状に変形す
る。同時に、記録膜４に記録マーク１０が形成される。
この記録マーク１０は、ＳＩＬ膜７を用いないときに比
べて小さくなっている。その後、記録の終了と共にレー
ザパワーを下げる。これにより、図２ｃのようにＳＩＬ
膜７は元の平面状態に戻り、新たに次の記録を行なうこ
とにより、記録マーク１０ａが形成される。以上の動作
を繰り返すことにより、高密度記録が可能となった。
示した記録装置の概念図を用いて説明する。図中の矢印
は、ディスクの回転方向を表している。記録媒体は、模
式的に基板１と記録膜４とＳＩＬ膜７とをもって示し、
簡略化して示した。まず、図２ａに示すように、記録膜
４に焦点が合うようにレーザビーム８を絞り込みレンズ
９により絞り込み込む。そして、記録を行なう場所でレ
ーザパワーを記録可能なレベルまで高くする。これによ
り、図２ｂのようにＳＩＬ膜７がほぼ半球状に変形す
る。同時に、記録膜４に記録マーク１０が形成される。
この記録マーク１０は、ＳＩＬ膜７を用いないときに比
べて小さくなっている。その後、記録の終了と共にレー
ザパワーを下げる。これにより、図２ｃのようにＳＩＬ
膜７は元の平面状態に戻り、新たに次の記録を行なうこ
とにより、記録マーク１０ａが形成される。以上の動作
を繰り返すことにより、高密度記録が可能となった。
【００１７】本実施例では、記録が終了してレーザパワ
ーを下げることによりＳＩＬ膜の変形部分は元に戻った
が、変形がそのままの状態で残る材料を用いてもよい。
このときには、別のレーザビームを照射することによっ
て変形を元に戻すことができる。例えば、２つのレーザ
ビームを進行方向に続けて配置し、１つのレーザビーム
によりＳＩＬ膜を変形させて記録を行なった後、続くも
う１つのレーザビームの照射によってＳＩＬ膜を元に戻
すことができる。
ーを下げることによりＳＩＬ膜の変形部分は元に戻った
が、変形がそのままの状態で残る材料を用いてもよい。
このときには、別のレーザビームを照射することによっ
て変形を元に戻すことができる。例えば、２つのレーザ
ビームを進行方向に続けて配置し、１つのレーザビーム
によりＳＩＬ膜を変形させて記録を行なった後、続くも
う１つのレーザビームの照射によってＳＩＬ膜を元に戻
すことができる。
【００１８】本発明に用いた記録再生装置は、レーザを
搭載し、レーザから出射したビーム８を絞り込みレンズ
９によりＳＩＬ膜７を通って記録膜４に集光する手段、
記録媒体を回転させる手段を少なくとも有している。そ
の他に、少なくとも２個のレーザを搭載し、一方のレー
ザから出射したビームを一方の絞り込みレンズによりＳ
ＩＬ膜を通って記録膜に集光する手段、他方のレーザか
ら出射したビームを他方の絞り込みレンズによりＳＩＬ
膜を通って記録膜に集光し変形したＳＩＬ膜を元の状態
に戻す手段、記録媒体を回転させる手段を少なくとも有
している記録再生装置を用いることができる。
搭載し、レーザから出射したビーム８を絞り込みレンズ
９によりＳＩＬ膜７を通って記録膜４に集光する手段、
記録媒体を回転させる手段を少なくとも有している。そ
の他に、少なくとも２個のレーザを搭載し、一方のレー
ザから出射したビームを一方の絞り込みレンズによりＳ
ＩＬ膜を通って記録膜に集光する手段、他方のレーザか
ら出射したビームを他方の絞り込みレンズによりＳＩＬ
膜を通って記録膜に集光し変形したＳＩＬ膜を元の状態
に戻す手段、記録媒体を回転させる手段を少なくとも有
している記録再生装置を用いることができる。
【００１９】本実施例では、超解像膜６として光退色性
膜を用いたが、多光子吸収膜や吸収飽和膜などを用いて
も同様な効果があった。なお、本発明は、超解像膜６を
使用することに限定するものではなく、超解像膜６を省
略してもＳＩＬ効果によって従来よりも高い記録密度を
得ることができることは云うまでもない。なお、保護膜
５も、ＳＩＬ膜７が記録膜４に対して外気を遮断する効
果を持つので、省略することが可能になる場合がある。
膜を用いたが、多光子吸収膜や吸収飽和膜などを用いて
も同様な効果があった。なお、本発明は、超解像膜６を
使用することに限定するものではなく、超解像膜６を省
略してもＳＩＬ効果によって従来よりも高い記録密度を
得ることができることは云うまでもない。なお、保護膜
５も、ＳＩＬ膜７が記録膜４に対して外気を遮断する効
果を持つので、省略することが可能になる場合がある。
【００２０】一方、ＳＩＬ膜７の上に保護膜を形成する
ことが可能である。保護膜は１００ｎｍと極めて薄くす
ることができるので、ＳＩＬ膜７の変形と同時に保護膜
も変形し、前記と同様のＳＩＬ効果を得ることができ
る。
ことが可能である。保護膜は１００ｎｍと極めて薄くす
ることができるので、ＳＩＬ膜７の変形と同時に保護膜
も変形し、前記と同様のＳＩＬ効果を得ることができ
る。
【００２１】また、記録膜として相変化膜を用いたが、
これに限らず光磁気膜などを用いても良く、更に、例え
ば、磁気的超解像技術（ＭＳＲ）の採用が可能な光磁気
ディスクなどを用いることにより高密度記録が可能とな
る。
これに限らず光磁気膜などを用いても良く、更に、例え
ば、磁気的超解像技術（ＭＳＲ）の採用が可能な光磁気
ディスクなどを用いることにより高密度記録が可能とな
る。
【００２２】本実施例で用いたＳＩＬ膜は、比較的パワ
ーが大きい記録用ビームが照射されたときに変形が生じ
るが、低いパワーの再生用ビームでも変形が生じるＳＩ
Ｌ膜を用いることにより高密度再生が可能となる。
ーが大きい記録用ビームが照射されたときに変形が生じ
るが、低いパワーの再生用ビームでも変形が生じるＳＩ
Ｌ膜を用いることにより高密度再生が可能となる。
【００２３】また、本発明は、ディスク状のみならず、
カード状などの他の形態の記録媒体にも適用可能であ
る。
カード状などの他の形態の記録媒体にも適用可能であ
る。
【００２４】＜実施例２＞本発明を原盤カッティングに
適用した実施例を説明する。本実施例において用いたデ
ィスクの構造を図３に示す。１７は、直径２００ｍｍ、
厚さ１０ｍｍのガラス基板であり、ガラス基板１７上に
ホトレジスト膜１８、超解像膜１９、ＳＩＬ膜２０が順
に形成されている。それぞれ、ホトレジスト膜１８は８
０ｎｍ、超解像膜１９として水溶性ジアゾニウム塩から
なる光退色性膜を２００ｎｍ、ＳＩＬ膜２０として屈折
率が約１．８の樹脂を１００ｎｍ形成した。
適用した実施例を説明する。本実施例において用いたデ
ィスクの構造を図３に示す。１７は、直径２００ｍｍ、
厚さ１０ｍｍのガラス基板であり、ガラス基板１７上に
ホトレジスト膜１８、超解像膜１９、ＳＩＬ膜２０が順
に形成されている。それぞれ、ホトレジスト膜１８は８
０ｎｍ、超解像膜１９として水溶性ジアゾニウム塩から
なる光退色性膜を２００ｎｍ、ＳＩＬ膜２０として屈折
率が約１．８の樹脂を１００ｎｍ形成した。
【００２５】次に、本実施例における記録方法を図４に
示した記録装置の概念図を用いて説明する。レーザ及び
絞り込みレンズを２個づつ用いた。ディスクは、超解像
膜１９の図示を省略して簡略化して示した。まず、図４
ａに示すように、ホトレジスト膜１８に焦点が合うよう
に波長３５１ｎｍのレーザから出てきたレーザビーム２
１を絞り込みレンズ２２により絞り込む。そして、カッ
ティングを行なう場所でレーザパワーを高くする。
示した記録装置の概念図を用いて説明する。レーザ及び
絞り込みレンズを２個づつ用いた。ディスクは、超解像
膜１９の図示を省略して簡略化して示した。まず、図４
ａに示すように、ホトレジスト膜１８に焦点が合うよう
に波長３５１ｎｍのレーザから出てきたレーザビーム２
１を絞り込みレンズ２２により絞り込む。そして、カッ
ティングを行なう場所でレーザパワーを高くする。
【００２６】これにより図４ｂに示すように、ＳＩＬ膜
２０がほぼ半球状に変形する。同時に、ホトレジスト膜
１８に潜像２３が形成される。この潜像２３は、ＳＩＬ
膜２１及び超解像膜１９の効果により従来よりも大幅に
小さくなっている。その後、カッティングが終了すると
レーザパワーを下げる。本実施例で用いたＳＩＬ膜２０
は、図５ｃに示したように、変形した後そのままの状態
で残っている。この変形は、別の波長６６３ｎｍのレー
ザから出射したレーザビーム２４を絞り込みレンズ２５
を介して続けて照射する。これにより、図５ｄ示したよ
うに、ＳＩＬ膜２０は元の平面状態に戻る。この照射で
は潜像２３は変化しない。以上の動作を繰り返すことに
より、高密度のカッティングが可能となった。カッティ
ングが終了した後、ＳＩＬ膜２０と超解像膜１９を除去
し、ホトレジスト膜１８を現像することにより潜像の場
所が取り除かれ、原盤が完成する。
２０がほぼ半球状に変形する。同時に、ホトレジスト膜
１８に潜像２３が形成される。この潜像２３は、ＳＩＬ
膜２１及び超解像膜１９の効果により従来よりも大幅に
小さくなっている。その後、カッティングが終了すると
レーザパワーを下げる。本実施例で用いたＳＩＬ膜２０
は、図５ｃに示したように、変形した後そのままの状態
で残っている。この変形は、別の波長６６３ｎｍのレー
ザから出射したレーザビーム２４を絞り込みレンズ２５
を介して続けて照射する。これにより、図５ｄ示したよ
うに、ＳＩＬ膜２０は元の平面状態に戻る。この照射で
は潜像２３は変化しない。以上の動作を繰り返すことに
より、高密度のカッティングが可能となった。カッティ
ングが終了した後、ＳＩＬ膜２０と超解像膜１９を除去
し、ホトレジスト膜１８を現像することにより潜像の場
所が取り除かれ、原盤が完成する。
【００２７】本実施例では、カッティングが終了してレ
ーザパワーを下げたときもＳＩＬ膜２０の変形はそのま
まの状態で残ったが、ＳＩＬ膜２０を選ぶことにより、
レーザ照射が終了した後すぐに元に戻すことも可能であ
る。
ーザパワーを下げたときもＳＩＬ膜２０の変形はそのま
まの状態で残ったが、ＳＩＬ膜２０を選ぶことにより、
レーザ照射が終了した後すぐに元に戻すことも可能であ
る。
【００２８】本実施例では、超解像膜１９として光退色
性膜を用いたが、多光子吸収膜や吸収飽和膜などを用い
ても同様な効果があった。なお、本発明は、超解像膜１
９を使用することに限定するものではなく、超解像膜１
９を省略してもＳＩＬ効果によって従来よりも高い記録
密度を得ることができることは云うまでもない。
性膜を用いたが、多光子吸収膜や吸収飽和膜などを用い
ても同様な効果があった。なお、本発明は、超解像膜１
９を使用することに限定するものではなく、超解像膜１
９を省略してもＳＩＬ効果によって従来よりも高い記録
密度を得ることができることは云うまでもない。
【００２９】本発明に用いたカッティング装置は、少な
くとも２個のレーザを搭載し、一方のレーザから出射し
たビーム２１を一方の絞り込みレンズ２２によりＳＩＬ
膜２０を通ってホトレジスト膜１８に集光する手段、他
方のレーザから出射したビーム２４を他方の絞り込みレ
ンズ２５によりＳＩＬ膜２０を通ってホトレジスト膜１
８に集光し、変形したＳＩＬ膜２０を元の状態に戻す手
段、記録媒体を回転させる手段を少なくとも有してい
る。
くとも２個のレーザを搭載し、一方のレーザから出射し
たビーム２１を一方の絞り込みレンズ２２によりＳＩＬ
膜２０を通ってホトレジスト膜１８に集光する手段、他
方のレーザから出射したビーム２４を他方の絞り込みレ
ンズ２５によりＳＩＬ膜２０を通ってホトレジスト膜１
８に集光し、変形したＳＩＬ膜２０を元の状態に戻す手
段、記録媒体を回転させる手段を少なくとも有してい
る。
【００３０】なお、レーザ照射が終了した後変形が元に
戻るＳＩＬ膜２０を採用する場合には、１個のレーザを
搭載し、レーザから出射したビームを絞り込みレンズに
よりＳＩＬ膜を通ってホトレジスト膜に集光する手段、
基板を回転させる手段を少なくとも有するカッティング
装置を用いることができる。
戻るＳＩＬ膜２０を採用する場合には、１個のレーザを
搭載し、レーザから出射したビームを絞り込みレンズに
よりＳＩＬ膜を通ってホトレジスト膜に集光する手段、
基板を回転させる手段を少なくとも有するカッティング
装置を用いることができる。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、記録媒体にＳＩＬ効果
を有する膜を形成するので、ＳＩＬを備えた浮上ヘッド
を用いることなくビームスポット径を従来よりも小さく
することが可能となり、従来よりも高い記録密度の記録
再生を実現することができる。更に、ＳＩＬ膜と記録膜
との間に超解像膜を形成することにより、記録密度を一
層高めることができる。
を有する膜を形成するので、ＳＩＬを備えた浮上ヘッド
を用いることなくビームスポット径を従来よりも小さく
することが可能となり、従来よりも高い記録密度の記録
再生を実現することができる。更に、ＳＩＬ膜と記録膜
との間に超解像膜を形成することにより、記録密度を一
層高めることができる。
【図１】本発明に係る情報の記録媒体及び記録方法の第
１の実施例を説明するためのディスク断面図。
１の実施例を説明するためのディスク断面図。
【図２】実施例１における記録方法を説明するための装
置概念図。
置概念図。
【図３】本発明の第２の実施例を説明するためのディス
ク断面図。
ク断面図。
【図４】実施例２における記録方法を説明するための装
置概念図。
置概念図。
１，１７…基板、２…反射膜、３，５…保護膜、４…記
録膜、６，１９…超解像膜、７，２０…ＳＩＬ膜、８，
２１，２４…レーザビーム、９，２２，２５…絞り込み
レンズ、１８…ホトレジスト膜。
録膜、６，１９…超解像膜、７，２０…ＳＩＬ膜、８，
２１，２４…レーザビーム、９，２２，２５…絞り込み
レンズ、１８…ホトレジスト膜。
Claims (10)
- 【請求項１】 レーザビーム照射時にレーザビームのス
ポット径を縮小するＳＩＬ（Solid Immersion Lens）を
形成する膜（以下「ＳＩＬ膜」という）を記録膜のレー
ザビーム照射側に設けたことを特徴とする情報の記録媒
体。 - 【請求項２】 前記ＳＩＬ膜は、レーザビームの照射に
よってほぼ半球状に変形する高屈折率の光透過膜からな
ることを特徴とする請求項１に記載の情報の記録媒体。 - 【請求項３】 前記ＳＩＬ膜と記録膜との間に超解像膜
を設けたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載
の情報の記録媒体。 - 【請求項４】 前記超解像膜は、フォトクロミック材料
からなることを特徴とする請求項３に記載の情報の記録
媒体。 - 【請求項５】 前記ＳＩＬ膜と記録膜との間に保護膜を
設けたことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか
一に記載の情報の記録媒体。 - 【請求項６】 前記ＳＩＬ膜と記録膜との間に形成され
る膜の厚さ合計が２００ｎｍ以下であることを特徴とす
る請求項３〜請求項５のいずれか一に記載の記録媒体。 - 【請求項７】 前記ＳＩＬ膜の上に保護膜を設けたこと
を特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか一に記載の
情報の記録媒体。 - 【請求項８】 レーザビームの照射によって記録媒体の
記録膜に情報を記録する情報の記録方法において、当該
記録媒体は、請求項１〜請求項７のいずれか一に記載の
記録媒体であることを特徴とする情報の記録方法。 - 【請求項９】 レーザを搭載し、レーザから出射したビ
ームを絞り込みレンズにより前記ＳＩＬ膜を通って記録
膜に集光する手段と、記録媒体を回転させる手段とを少
なくとも有している装置を用いて情報を記録することを
特徴とする請求項８に記載の情報の記録方法。 - 【請求項１０】 ２個のレーザを搭載し、一方のレーザ
から出射したビームを一方の絞り込みレンズにより前記
ＳＩＬ膜を通って記録膜に集光する手段と、続いて他方
のレーザから出射したビームを他方の絞り込みレンズに
よりＳＩＬ膜を通って記録膜に集光することによって前
記手段により変形したＳＩＬ膜を元の状態に戻す手段
と、記録媒体を回転させる手段とを少なくとも有してい
る装置を用いて情報を記録することを特徴とする請求項
８に記載の情報の記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10047338A JPH11250501A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 情報の記録媒体及び記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10047338A JPH11250501A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 情報の記録媒体及び記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11250501A true JPH11250501A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12772417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10047338A Pending JPH11250501A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 情報の記録媒体及び記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11250501A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7510818B2 (en) * | 2002-12-09 | 2009-03-31 | Pixelligent Technologies Llc | Reversible photobleachable materials based on nano-sized semiconductor particles and their optical applications |
| JP2010210893A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 光記録型表示媒体および記録装置 |
-
1998
- 1998-02-27 JP JP10047338A patent/JPH11250501A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7510818B2 (en) * | 2002-12-09 | 2009-03-31 | Pixelligent Technologies Llc | Reversible photobleachable materials based on nano-sized semiconductor particles and their optical applications |
| JP2010210893A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 光記録型表示媒体および記録装置 |
| US8334949B2 (en) | 2009-03-10 | 2012-12-18 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical recording display medium and recording apparatus |
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