JPH11292891A - メタロセン化合物の新規な合成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 架橋メタロセン化合物を立体選択的に効率よ
く合成する方法を提供する。 【解決手段】 一般式Ｉ の４族遷移金属化合物と、一般式ＩＩ （Ｍ²）⁺（Ｌ¹）^-−Ｃ−（Ｌ²）^-（Ｍ²）⁺ （ＩＩ） の化合物を反応させて一般式ＩＩＩ のメタロセン化合物を合成し、さらにハロゲン化して一
般式ＩＶ のハロゲン化メタロセン化合物を合成する。一般式ＩＶ
の化合物の具体例にはエチレンビス（１−インデニル）
ジルコニウム（Ｎ−メチルアニリド）クロライドがあ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、オレフィン類重合
用触媒、または有機合成用触媒として有用なメタロセン
化合物、並びにラセミ型構造を有するメタロセン化合物
の新規な合成方法に関する。

【０００２】

【従来技術】シクロペンタジエニル基、インデニル基、
アズレニル基、フルオレニル基、またはそれらの誘導体
を配位子とする架橋構造を有するメタロセン化合物は、
助触媒、例えばメチルアルモキサンの共存下、エチレ
ン、プロピレン等のオレフィン重合用触媒として有用で
ある。オレフィンを立体規則的に重合させるため、種々
の立体構造を有するメタロセン化合物が検討されてき
た。シンジオタクティックポリオレフィン製造のために
は、Ｃｓ対称性を有するメタロセン化合物が有効である
(J.Am.Chem.Soc.,110,6255,(1988))。また、アイソタク
ティックポリオレフィン製造のためには、ラセミ型構造
を有するメタロセン化合物が有効であることが報告され
ている（Angew.Chem.Int.Ed.Engl.,24,507(1985);Chem.
Rev.,92,965(1992)）。

【０００３】架橋メタロセン化合物の合成反応は、配位
子合成ステップ及び錯形成ステップから構成される。一
般的には配位子合成ステップは多段階を要するが、好収
率で合成可能な場合が多い。これに対して、錯形成ステ
ップではより高度な技術が必要であり、このため架橋メ
タロセン化合物の合成を工業的に実施するには特に困難
を伴なう。従来、架橋メタロセン化合物は、下記反応式
１に示される、配位子を脱プロトン化して生成したジア
ニオンと、金属四塩化物またはそのテトラヒドロフラン
付加物とをテトラヒドロフランを溶媒とした均一系反応
により行われている(J.Organomet.Chem.288,63(1985)；
日本化学会編、有機金属錯体（第４版実験化学講座1
8)、丸善(1991)p.81）。

【０００４】

【化５】反応式１

【０００５】しかしながら、この方法はタ−ル状の物
質、及びメソ型構造を有するメタロセン化合物が副生す
るため、生成物から目的のラセミ型メタロセン化合物を
分離する操作が非常に煩雑であり、収率が極めて低いと
いう問題点が存在する。一般に、メソ型メタロセン化合
物は、立体選択的な重合用触媒としての性能を低下させ
るため、カラムクロマトグラフィ−法、洗浄法、または
再結晶法等の精製操作を併用することによって除去され
ていた(J.Organomet.Chem.232,233(1982);Organometall
ics,13,954(1994))。 その後の改良法として、粉末状
に単離したジアニオンと金属四塩化物のテトラヒドロフ
ラン付加物を、ジエチルエ−テル溶媒中で低温にて不均
一系反応を行う方法（特開平１−１９７４９０）が提案
され、現時点では不均一系反応が架橋メタロセン化合物
の合成法として汎用されている。しかし、構造によって
は目的のメタロセン化合物が生成しないという問題点の
他、依然としてメソ型メタロセン化合物がラセミ型メタ
ロセン化合物のほぼ同量副生するため、収率が半減する
点、目的とするラセミ型メタロセン化合物との分離が煩
雑である点等の問題点が存在する。反応後の精製工程の
改良法として、メタロセン化合物を合成する際、使用す
る反応溶媒を選択することで、反応終了後にラセミ型メ
タロセン化合物のみを析出させる方法（特開平６−１２
２６９２）が報告されているが、この方法では、本来メ
ソ型メタロセン化合物が約半分の割合で副生しているた
め、効率的な合成方法とは言い難い。

【０００６】また、メソ型メタロセン化合物をラセミ型
メタロセン化合物に変換する方法も検討されているが
(J.Organomet.Chem.,342,21(1988);Organometallics,1
1,1869(1992))、ラセミ型メタロセン化合物として充分
な純度のものが得られず、しかも、メタロセン化合物の
分解が生起する。なお、メソ型メタロセン化合物もある
目的においては産業上有用な化合物であることが報告さ
れている（特開平６−１５７６６２）。メソ型メタロセ
ン化合物を合成する場合においても、ラセミ型、及びメ
ソ型メタロセン化合物の混合物を一旦合成した後、精製
操作によってラセミ型メタロセン化合物を除去すること
が行われている。

【０００７】以上に記載した従来の合成方法は、錯形成
時に立体選択を伴わないためにメソ型またはラセミ型メ
タロセン化合物が相当量副生し、目的とする立体構造の
メタロセン化合物の収率が低く、また精製工程における
操作が煩雑となることから合成コストは割高であり、工
業的スケ−ルでの実施化も困難であった。

【０００８】上記問題を解決する試みとして、ラセミ型
メタロセン化合物の効率的合成を狙い、錯形成時に立体
選択を生じせしめる方法も報告されている。シクロペン
タジエニル骨格へかさ高い置換基を導入した配位子を用
いた方法、及び架橋部分にビナフチル骨格を有する配位
子を用いた方法では、その収率が低く、実用性に欠ける
（Organometallics,10,2349(1991);Organometallics,1
0,2998(1991))。また、低温にて不均一系反応を行うこ
とによる方法（特開平１−１９７４９０）では、期待さ
れる立体選択が殆どの例で認められない。Ｅｔ₃ＳｎＣ
ｌを使用した、ラセミ型配位子を分離後に錯形成を行う
方法（特開平８−２５９５８２；ＷＯ９６／２２９９
５）も、多段階を経て合成された配位子を約半分使用で
きない欠点を有し、Ｅｔ₃ＳｎＣｌの安全性にも大きな
問題がある。Ｂｕ₃ＳｎＣｌとＭｇ化合物を使用する方
法（特開平７−２６７９７４）も同様に安全、環境面で
の問題点の他、溶媒の残分が収率に大きく影響し、工業
的製造法としては問題がある。Ｂｕ₂ＺｒＣｌ₂を用いた
方法(J.Organomet.Chem.,535,29(1997))も報告された
が、錯形成時の立体選択は意図されておらず、そのラセ
ミ型選択性も充分とはいえない。

【０００９】これらに対し、テトラキス（ジアルキルア
ミド）金属化合物（一例としてＺｒ（ＮＭｅ₂）₄）を用
いて高収率でラセミ型メタロセン化合物を合成する方法
（ＷＯ９５／３２９７９；米国特許５４９５０３５；Or
ganometallics,14,5(1995);Organometallics,15,4030(1
996);Organometallics,15,4038(1996);Organometallic
s,15,4045(1996);Organometallics,17,281(1998);J.Am.
Chem.Soc.,118,8024(1996))が報告されており、特定構
造のメタロセン化合物の合成法としては有効である。し
かしこの方法は、種々の構造の配位子全般においては目
的のメタロセン化合物が生成しない場合が多く、適用可
能な配位子構造は限定されている。例えば重合用触媒と
して有用である、置換基を有するインデンがジメチルシ
リレン架橋されたメタロセン化合物を合成する際にはこ
の方法を適用することができない。さらに、錯形成反応
が進行してもラセミ型への立体選択が生じず、メソ型メ
タロセン化合物が多く副生する場合も存在する。

【００１０】さらに、この方法では、反応温度８０〜１
８０℃、通常は１００℃にて、３〜２４時間という長時
間反応を要する。この様に長時間加熱する反応条件で
は、熱に対して不安定な配位子は重合または分解する可
能性が高い。この反応系は高温でアミンを脱離させ、ガ
スの状態でアミンを系中に存在させることが必要である
故、使用可能なアミンは自ずから低沸点のものに限定さ
れる。この事実は、例えば或る構造の配位子と或る構造
のアミド化合物の反応を試みた際、反応が不調であって
も他に選択し得る組合せが少ないことを示している。以
上のように、従来報告されたラセミ型メタロセンの合成
法は、何れも種々問題点が存在した。さらにメソ型メタ
ロセンを効率的に合成する方法は、ほとんど知られてい
なかった。従って架橋メタロセン化合物の合成法として
は、ＺｒＣｌ₄と配位子のアニオンを不均一系で反応さ
せる方法が、非立体選択的で低収率な反応であるにも拘
らず一般的に行われている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の課題
は、上記の従来技術における問題点を解消するととも
に、ラセミ型、メソ型の立体選択が容易で、かつ有用な
架橋メタロセン化合物を効率的に合成する方法を提供す
ることにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、先に架橋
メタロセン化合物を効率的に合成できる新規な方法を開
発した（特願平８−２８１６４４）が、その後、架橋構
造を有するメタロセン化合物の合成を目的とした研究を
さらに進める中で、立体選択がより簡便な操作で、かつ
高い収率で架橋メタロセン化合物を効率的に合成できる
新規な方法を新たに見出し、本発明を完成するに至っ
た。本発明は特願平８−２８１６４４に記載された方法
と比較して、より多くの種類の配位子構造に適用可能で
あるため、ラセミ型、メソ型構造の生成割合を自由に制
御する選択肢がより豊富であることから錯形成反応時の
立体選択をより簡便に生じせしめることができる。

【００１３】即ち、本発明は、下記一般式（Ｉ）

【化６】 （式中、Ｍ¹は４族遷移金属原子を表わし、Ａは１５族
または１６族ヘテロ原子を表わし、Ｂは１４族典型元素
を表わし、Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ独立してヘテロ原子
を含んでもよい炭素原子数１〜３０の炭化水素基または
水素原子を表わし、Ｘは各々独立して互いに同じでも異
なってもよいハロゲン原子あるいは炭素原子数１〜１０
の酸素原子及び／又は硫黄原子含有基を表わし、Ｒ¹及
びＲ²は、Ｒ¹またはＲ²と各々結合してＡ、Ｂ、及び／
またはＭ¹を含む環を構成してもよく、Ｍ¹にはエ−テル
類またはアミン類が１〜５０の配位数で配位していても
よく、またｐ及びｑは夫々独立して０、１又は２を表わ
し、ｐ＋ｑは１又は２であり、ｒは１又は２を、ｓは２
又は３を表わし、ただしｒが１のとき、ｓは３であるも
のとし、ｒが２のとき、ｓは２、ｐは１又は２、ｑは０
又は１であるものとする。）で表される４族遷移金属化
合物と、下記一般式（ＩＩ） （Ｍ²）⁺（Ｌ¹）^-−Ｃ−（Ｌ²）^-（Ｍ²）⁺ （ＩＩ）

【００１４】（式中、Ｌ¹及びＬ²は互いに同じでも異な
ってもよいシクロペンタジエニル基、置換シクロペンタ
ジエニル基、インデニル基、置換インデニル基、アズレ
ニル基、置換アズレニル基、フルオレニル基、または置
換フルオレニル基を表わし、ＣはＬ¹及びＬ²を連結する
炭素原子数１〜２０の炭化水素基、炭素原子数１〜２０
の炭化水素基を有してもよいシリレン基、オリゴシリレ
ン基、またはゲルミレン基を表わし、Ｍ²は１族または
２族典型金属元素を表わし、また、Ｍ²にはエ−テル類
またはアミン類が１〜５０の配位数で配位していてもよ
い。）で表される化合物を反応させることを特徴とす
る、下記一般式（ＩＩＩ）

【００１５】

【化７】 （式中、Ｍ¹、Ａ、Ｂ、Ｒ¹、Ｒ²、Ｘ、Ｌ¹、Ｌ²、Ｃ、
ｐ、ｑ、ｒ、は各々前記と同義であり、またｔはｓ−２
を意味し、またＭ¹にはエ−テル類またはアミン類が１
〜５０の配位数で配位していてもよい。）で表されるメ
タロセン化合物の合成方法に関する。 さらに本発明
は、上記一般式（ＩＩＩ）で表されるメタロセン化合物
をハロゲン化することを特徴とする、下記一般式（Ｉ
Ｖ）

【００１６】

【化８】 （式中、Ｍ¹、Ｌ¹、Ｌ²、Ｃは夫々前記と同義であり、
Ｙはハロゲン原子であり、また、Ｍ¹にはエ−テル類ま
たはアミン類が１〜５０の配位数で配位していてもよ
い。）で表されるハロゲン化されたメタロセン化合物の
合成方法に関する。

【００１７】本発明の方法は、原料として広く知られて
いる４つのハロゲン原子を有する４族遷移金属化合物に
代えて、脱離基と、ヘテロ原子含有基（補助配位子）を
併せ持つ４族遷移金属化合物を用いることにより、メタ
ロセン化合物の生成に必要な錯形成を容易にするばかり
でなく、錯形成時における面選択性を制御し、ラセミ型
またはメソ型メタロセン化合物を選択的に合成すること
を可能にするものである。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
通常、メタロセン化合物の合成は、各々が等しい４つの
脱離基を有する４族遷移金属化合物（例として四塩化ジ
ルコニウム、テトラキスジメチルアミドジルコニウムが
挙げられる。）と、一般式（ＩＩ）または脱プロトン化
されていない配位子との反応によって行われている。

【００１９】これに対して本発明の方法は、一般式
（Ｉ）で表される化合物と一般式（ＩＩ）で表される化
合物を反応させて一般式（ＩＩＩ）で表される化合物を
得、さらに一般式（ＩＶ）で表される化合物に変換する
方法であり（下記反応式２参照）、このような反応は新
規な反応である。本反応においては、タ−ル状化合物を
生じさせるような副反応は抑制され、一般式（ＩＩＩ）
で表される化合物を効率よく合成することができる。従
来、配位子の構造によっては、ＺｒＣｌ４を原料とした
場合に錯形成が良好に進行しない場合があったが（一例
として、配位子として、イソプロピリデンビス（３−イ
ンデン）のアニオンは、ＺｒＣｌ₄を用いた場合には錯
体が生成し難い）、本発明の方法にて錯形成が進行する
ことが可能な場合がある。

【００２０】さらに、この反応においては、配位子アニ
オンに対して一般式（Ｉ）で表される化合物を適宜選択
することにより、立体選択を制御することが可能であ
り、生成する一般式（ＩＩＩ）で表される化合物のう
ち、ラセミ型メタロセン化合物またはメソ型メタロセン
化合物を任意に選択的に合成することが可能である。
一般式（ＩＩＩ）で表される化合物のハロゲン化反応で
は、ラセミ型、メソ型の立体構造をそのまま保持したま
ま、一般式（ＩＶ）で表されるメタロセン化合物に変換
することができる。従って本発明の方法では、オレフィ
ン重合用触媒として有用なラセミ型メタロセン化合物、
またはメソ型メタロセン化合物を高収率で合成すること
ができ、工業的に極めて有用な方法である。

【００２１】

【化９】反応式２

【００２２】本発明における一般式（Ｉ）で表わされる
有機遷移金属化合物の４族遷移金属原子（一般式（Ｉ）
中のＭ¹）に結合したヘテロ原子部分（一般式（Ｉ）中
のＡ）は、１５族または１６族のヘテロ原子であれば、
どのような原子でも用いることができるが、とくに窒素
原子、酸素原子、リン原子、イオウ原子が好ましく、よ
り好ましくは窒素原子又は酸素原子が用いられる。この
ヘテロ原子に結合する有機基部分としては、ヘテロ原子
を含んでもよい炭素原子数１〜３０の炭化水素基または
水素原子及び／又はヘテロ原子を含んでいてもよい１４
族典型元素を含む有機基を任意に選択することができ
る。さらに、一般式（Ｉ）中のＸとしては、ハロゲン原
子、あるいは炭素原子数１〜１０の酸素原子、及び／又
は硫黄原子含有基、例えばメトキシ基、エトキシ基、デ
シルオキシ基、エタノイルオキシ基、デカノイルオキシ
基、チオメトキシ基、チオプロポキシ基、メシル基、及
びトシル基が挙げられるが、好ましくはハロゲン原子、
とくに好ましくは塩素原子又は臭素原子が用いられる。

【００２３】一般式（Ｉ）で表される化合物の非制限的
な例は、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アミドジル
コニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメトキシ
シリル）アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−
ビス（トリイソプロピルシリル）アミドジルコニウムト
リクロライド、Ｎ，Ｎ−ビス（トリシクロヘキシルシリ
ル）アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ビス
（トリフェニルシリル）アミドジルコニウムトリクロラ
イド、Ｎ，Ｎ−ビス（トリトルイルシリル）アミドジル
コニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ビス（トリ（クロロ
フェニル）シリル）アミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ，Ｎ−ビス（トリ（メトキシフェニル）シリル）
アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ビス（ト
リ（ニトロフェニル）シリル）アミドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ，Ｎ−ビス（トリ（トリメチルシリル）
シリル）アミドジルコニウムトリクロライド、

【００２４】３，４−ジクロロピロ−ルイルジルコニウ
ムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ビス（ジメチルフェニルシ
リル）アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ビ
ス（ジメトキシフェニルシリル）アミドジルコニウムト
リクロライド、Ｎ，Ｎ−ビス（ジイソプロピルフェニル
シリル）アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−
ビス（ジシクロヘキシルフェニルシリル）アミドジルコ
ニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ビス（ジトルイルフェ
ニルシリル）アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，
Ｎ−ビス（ジ（クロロフェニル）フェニルシリル）アミ
ドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ビス（ジ（メ
トキシフェニル）フェニルシリル）アミドジルコニウム
トリクロライド、Ｎ，Ｎ−ビス（ジ（ニトロフェニル）
メチルシリル）アミドジルコニウムトリクロライド、

【００２５】Ｎ，Ｎ−ビス（ジ（トリメチルシリル）メ
チルシリル）アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，
Ｎ−ビス（クロロフェニル）アミドジルコニウムトリク
ロライド、Ｎ−トリメチルシリル−クロロフェニルアミ
ドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル
−メトキシフェニルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリメチルシリル−ニトロフェニルアミドジル
コニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル−アミ
ノフェニルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ト
リフェニルシリル−クロロフェニルアミドジルコニウム
トリクロライド、Ｎ−トリフェニルシリル−メトキシフ
ェニルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフ
ェニルシリル−ニトロフェニルアミドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ−トリフェニルシリル−アミノフェニル
アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシ
シリル−クロロフェニルアミドジルコニウムトリクロラ
イド、Ｎ−トリメトキシシリル−メトキシフェニルアミ
ドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシシリ
ル−ニトロフェニルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリメトキシシリル−アミノフェニルアミドジ
ルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリ
ル−クロロフェニルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、

【００２６】Ｎ−ジメチルフェニルシリル−メトキシフ
ェニルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチ
ルフェニルシリル−ニトロフェニルアミドジルコニウム
トリクロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−アミノ
フェニルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジフ
ェニルメチルシリル−クロロフェニルアミドジルコニウ
ムトリクロライド、Ｎ−ジフェニルメチルシリル−メト
キシフェニルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−
ジフェニルメチルシリル−ニトロフェニルアミドジルコ
ニウムトリクロライド、Ｎ−ジフェニルメチルシリル−
アミノフェニルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ
−トリメチルシリル−メチルアミドジルコニウムトリク
ロライド、Ｎ−トリメチルシリル−エチルアミドジルコ
ニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−プ
ロピルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメ
チルシリル−ｉｓｏ−プロピルアミドジルコニウムトリ
クロライド、

【００２７】Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ブチルアミド
ジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル−
ｔｅｒｔ−ブチルアミドジルコニウムトリクロライド、
Ｎ−トリメチルシリル−ｉｓｏ−ブチルアミドジルコニ
ウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ペン
チルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチ
ルシリル−ｉｓｏ−ペンチルアミドジルコニウムトリク
ロライド、Ｎ−トリメチルシリル−シクロペンチルアミ
ドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル
−ｎ−ヘキシルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ
−トリメチルシリル−ｉｓｏ−ヘキシルアミドジルコニ
ウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル−シクロヘ
キシルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメ
チルシリル−メチルシクロヘキシルアミドジルコニウム
トリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル−ジメチルシク
ロヘキシルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ト
リメチルシリル−トリメチルシクロヘキシルアミドジル
コニウムトリクロライド、

【００２８】Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ヘプチルアミ
ドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル
−ｉｓｏ−ヘプチルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリメチルシリル−シクロヘプチルアミドジル
コニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−
オクチルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリ
メチルシリル−ｉｓｏ−オクチルアミドジルコニウムト
リクロライド、Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ノニルアミ
ドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル
−ｉｓｏ−ノニルアミドジルコニウムトリクロライド、
Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−デシルアミドジルコニウム
トリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル−ｉｓｏ−デシ
ルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチル
シリル−アニリドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ト
リメチルシリル−トルイジドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリメチルシリル−ジメチルアニリドジルコニ
ウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル−エチルア
ニリドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシ
リル−シクロヘキシルアニリドジルコニウムトリクロラ
イド、Ｎ−トリメチルシリル−ナフチルアミドジルコニ
ウムトリクロライド、

【００２９】Ｎ−トリメチルシリル−ベンジルアミドジ
ルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフェニルシリル−
メチルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフ
ェニルシリル−エチルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリフェニルシリル−ｎ−プロピルアミドジル
コニウムトリクロライド、Ｎ−トリフェニルシリル−ｉ
ｓｏ−プロピルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ
−トリフェニルシリル−ｎ−ブチルアミドジルコニウム
トリクロライド、Ｎ−トリフェニルシリル−ｔｅｒｔ−
ブチルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフ
ェニルシリル−ｉｓｏ−ブチルアミドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ−トリフェニルシリル−ｎ−ペンチルア
ミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフェニルシ
リル−ｉｓｏ−ペンチルアミドジルコニウムトリクロラ
イド、Ｎ−トリフェニルシリル−シクロペンチルアミド
ジルコニウムトリクロライド、

【００３０】Ｎ−トリフェニルシリル−ｎ−ヘキシルア
ミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフェニルシ
リル−ｉｓｏ−ヘキシルアミドジルコニウムトリクロラ
イド、Ｎ−トリフェニルシリル−シクロヘキシルアミド
ジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフェニルシリル
−メチルシクロヘキシルアミドジルコニウムトリクロラ
イド、Ｎ−トリフェニルシリル−ジメチルシクロヘキシ
ルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフェニ
ルシリル−トリメチルシクロヘキシルアミドジルコニウ
ムトリクロライド、Ｎ−トリフェニルシリル−ｎ−ヘプ
チルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフェ
ニルシリル−ｉｓｏ−ヘプチルアミドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ−トリフェニルシリル−シクロヘプチル
アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフェニル
シリル−ｎ−オクチルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリフェニルシリル−ｉｓｏ−オクチルアミド
ジルコニウムトリクロライド、

【００３１】Ｎ−トリフェニルシリル−ｎ−ノニルアミ
ドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフェニルシリ
ル−ｉｓｏ−ノニルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリフェニルシリル−ｎ−デシルアミドジルコ
ニウムトリクロライド、Ｎ−トリフェニルシリル−ｉｓ
ｏ−デシルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ト
リフェニルシリル−アニリドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリフェニルシリル−トルイジドジルコニウム
トリクロライド、Ｎ−トリフェニルシリル−ジメチルア
ニリドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフェニル
シリル−エチルアニリドジルコニウムトリクロライド、
Ｎ−トリフェニルシリル−シクロヘキシルアニリドジル
コニウムトリクロライド、Ｎ−トリフェニルシリル−ナ
フチルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフ
ェニルシリル−ベンジルアミドチタニウムトリクロライ
ド、

【００３２】Ｎ−トリメトキシシリル−メチルアミドジ
ルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシシリル−
エチルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメ
トキシシリル−ｎ−プロピルアミドジルコニウムトリク
ロライド、Ｎ−トリメトキシシリル−ｉｓｏ−プロピル
アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシ
シリル−ｎ−ブチルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリメトキシシリル−ｔｅｒｔ−ブチルアミド
ジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシシリル
−ｉｓｏ−ブチルアミドジルコニウムトリクロライド、
Ｎ−トリメトキシシリル−ｎ−ペンチルアミドジルコニ
ウムトリクロライド、

【００３３】Ｎ−トリメトキシシリル−ｉｓｏ−ペンチ
ルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキ
シシリル−シクロペンチルアミドジルコニウムトリクロ
ライド、Ｎ−トリメトキシシリル−ｎ−ヘキシルアミド
ジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシシリル
−ｉｓｏ−ヘキシルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリメトキシシリル−シクロヘキシルアミドジ
ルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシシリル−
メチルシクロヘキシルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリメトキシシリル−ジメチルシクロヘキシル
アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシ
シリル−トリメチルシクロヘキシルアミドジルコニウム
トリクロライド、Ｎ−トリメトキシシリル−ｎ−ヘプチ
ルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキ
シシリル−ｉｓｏ−ヘプチルアミドジルコニウムトリク
ロライド、Ｎ−トリメトキシシリル−シクロヘプチルア
ミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシシ
リル−ｎ−オクチルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、

【００３４】Ｎ−トリメトキシシリル−ｉｓｏ−オクチ
ルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキ
シシリル−ｎ−ノニルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリメトキシシリル−ｉｓｏ−ノニルアミドジ
ルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシシリル−
ｎ−デシルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ト
リメトキシシリル−ｉｓｏ−デシルアミドジルコニウム
トリクロライド、Ｎ−トリメトキシシリル−アニリドジ
ルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシシリル−
トルイジドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメト
キシシリル−ジメチルアニリドジルコニウムトリクロラ
イド、Ｎ−トリメトキシシリル−エチルアニリドジルコ
ニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシシリル−シク
ロヘキシルアニリドジルコニウムトリクロライド、

【００３５】Ｎ−トリメトキシシリル−ナフチルアミド
ジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシシリル
−ベンジルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジ
メチルフェニルシリル−メチルアミドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−エチルアミ
ドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチルフェニル
シリル−ｎ−プロピルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｉｓｏ−プロピルア
ミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチルフェニ
ルシリル−ｎ−ブチルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、

【００３６】Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｔｅｒｔ−
ブチルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチ
ルフェニルシリル−ｉｓｏ−ブチルアミドジルコニウム
トリクロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｎ−ペ
ンチルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチ
ルフェニルシリル−ｉｓｏ−ペンチルアミドジルコニウ
ムトリクロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−シク
ロペンチルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジ
メチルフェニルシリル−ｎ−ヘキシルアミドジルコニウ
ムトリクロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｉｓ
ｏ−ヘキシルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−
ジメチルフェニルシリル−シクロヘキシルアミドジルコ
ニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−
メチルシクロヘキシルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ジメチルシクロヘキ
シルアミドジルコニウムトリクロライド、

【００３７】Ｎ−ジメチルフェニルシリル−トリメチル
シクロヘキシルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ
−ジメチルフェニルシリル−ｎ−ヘプチルアミドジルコ
ニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−
ｉｓｏ−ヘプチルアミドジルコニウムトリクロライド、
Ｎ−ジメチルフェニルシリル−シクロヘプチルアミドジ
ルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリ
ル−ｎ−オクチルアミドジルコニウムトリクロライド、
Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｉｓｏ−オクチルアミド
ジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシ
リル−ｎ−ノニルアミドジルコニウムトリクロライド、
Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｉｓｏ−ノニルアミドジ
ルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリ
ル−ｎ−デシルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ
−ジメチルフェニルシリル−ｉｓｏ−デシルアミドジル
コニウムトリクロライド、

【００３８】Ｎ−ジメチルフェニルシリル−アニリドジ
ルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリ
ル−トルイジドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメ
チルフェニルシリル−ジメチルアニリドジルコニウムト
リクロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−エチルア
ニリドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチルフェ
ニルシリル−シクロヘキシルアニリドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ナフチルア
ミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチルフェニ
ルシリル−ベンジルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、

【００３９】Ｎ，Ｎ−ジメチルアミドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−プロピルアミドジルコニ
ウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−ｉｓｏ−プロピルア
ミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブ
チルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチルアミドジルコニウムトリクロライド、
Ｎ，Ｎ−ジ−ｉｓｏ−ブチルアミドジルコニウムトリク
ロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ペンチルアミドジルコニウ
ムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−ｉｓｏ−ペンチルアミ
ドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−シクロペ
ンチルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ
−ｎ−ヘキシルアミドジルコニウムトリクロライド、ジ
−ｉｓｏ−ヘキシルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ，Ｎ−ジ−シクロヘキシルアミドジルコニウムト
リクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−メチルシクロヘキシルアミ
ドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ビス（ジメチ
ルシクロヘキシル）アミドジルコニウムトリクロライ
ド、

【００４０】Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシクロヘキシ
ル）アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−
ｎ−ヘプチルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，
Ｎ−ジ−ｉｓｏ−ヘプチルアミドジルコニウムトリクロ
ライド、Ｎ，Ｎ−ジ−シクロヘプチルアミドジルコニウ
ムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミドジ
ルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−ｉｓｏ−オク
チルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−
ｎ−ノニルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ
−ジ−ｉｓｏ−ノニルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−デシルアミドジルコニウムトリク
ロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−ｉｓｏ−デシルアミドジルコニ
ウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミドジルコ
ニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジトルイルアミドジル
コニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジキシリルアミドジ
ルコニウムトリクロライド、

【００４１】Ｎ，Ｎ−ジ（エチルフェニル）アミドジル
コニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ（シクロヘキシ
ル）アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジナ
フチルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ
ベンジルアミドジルコニウムトリクロライド、ピロリジ
ドジルコニウムトリクロライド、ピロ−ルイルジルコニ
ウムトリクロライド、ピペリジドジルコニウムトリクロ
ライド、カルバゾ−ルイルジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−メチル−エチルアミドジルコニウムトリクロラ
イド、 Ｎ−メチル−ｎ−プロピルアミドジルコニウム
トリクロライド、 Ｎ−メチル−ｉｓｏ−プロピルアミ
ドジルコニウムトリクロライド、 Ｎ−メチル−ｎ−ブ
チルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−メチル−
ｔｅｒｔ−ブチルアミドジルコニウムトリクロライド、
Ｎ−メチル−ｉｓｏ−ブチルアミドジルコニウムトリク
ロライド、Ｎ−メチル−ｎ−ペンチルアミドジルコニウ
ムトリクロライド、Ｎ−メチル−ｉｓｏ−ペンチルアミ
ドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−メチル−シクロペ
ンチルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−メチル
−ｎ−ヘキシルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ
−メチル−ｉｓｏ−ヘキシルアミドジルコニウムトリク
ロライド、Ｎ−メチル−シクロヘキシルアミドジルコニ
ウムトリクロライド、

【００４２】Ｎ−メチルアニリドジルコニウムトリクロ
ライド、Ｎ−メチル−クロロアニリドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ−メチルトルイジドジルコニウムトリク
ロライド、Ｎ−メチル−ジメチルアニリドジルコニウム
トリクロライド、Ｎ−エチルアニリドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ−ｎ−プロピルアニリドジルコニウムト
リクロライド、Ｎ−ｉｓｏ−プロピルアニリドジルコニ
ウムトリクロライド、Ｎ−ｎ−ブチルアニリドジルコニ
ウムトリクロライド、Ｎ−ｉｓｏ−ブチルアニリドジル
コニウムトリクロライド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルアニリ
ドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ｎ−ペンチルアニ
リドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ｎ−ヘキシルア
ニリドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−メチル−シク
ロヘキシルアニリドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−
エチルトルイジドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ｎ
−プロピルトルイジドジルコニウムトリクロライド、Ｎ
−ｉｓｏ−プロピルトルイジドジルコニウムトリクロラ
イド、Ｎ−ｎ−ブチルトルイジドジルコニウムトリクロ
ライド、Ｎ−ｉｓｏ−ブチルトルイジドジルコニウムト
リクロライド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルトルイジドジルコ
ニウムトリクロライド、Ｎ−ｎ−ペンチルトルイジドジ
ルコニウムトリクロライド、Ｎ−ｎ−ヘキシルトルイジ
ドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−メチル−シクロヘ
キシルトルイジドジルコニウムトリクロライド、

【００４３】Ｎ−メチル−プロピルアニリドジルコニウ
ムトリクロライド、Ｎ−エチル−プロピルアニリドジル
コニウムトリクロライド、 Ｎ−メチル−ジプロピルア
ニリドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−エチル−ジプ
ロピルアニリドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−メチ
ル−ブチルアニリドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−
エチル−ブチルアニリドジルコニウムトリクロライド、
Ｎ−メチル−ジ−ｎ−ブチルアニリドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ−エチル−ジ−ｎ−ブチルアニリドジル
コニウムトリクロライド、Ｎ−メチル−ジ−ｔｅｒｔ−
ブチルアニリドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−エチ
ル−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアニリドジルコニウムトリク
ロライド、Ｎ−メチル−ナフチルアミドジルコニウムト
リクロライド、Ｎ−メチル−ベンジルアミドジルコニウ
ムトリクロライド、インド−ルイルジルコニウムトリク
ロライド、

【００４４】ビス（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）
アミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ，Ｎ−ビ
ス（トリメトキシシリル）アミド）ジルコニウムジクロ
ライド、ビス（Ｎ，Ｎ−ビス（トリフェニルシリル）ア
ミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ，Ｎ−ビス
（トリ（トリメチルシリル）シリル）アミド）ジルコニ
ウムジクロライド、ビス（Ｎ，Ｎ−ビス（ジメチルフェ
ニルシリル）アミド）ジルコニウムジクロライド、ビス
（Ｎ，Ｎ−ビス（ジメトキシフェニルシリル）アミド）
ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ，Ｎ−ビス（ジシ
クロヘキシルフェニルシリル）アミド）ジルコニウムジ
クロライド、ビス（Ｎ，Ｎ−ビス（ジ（メトキシフェニ
ル）フェニルシリル）アミド）ジルコニウムジクロライ
ド、ビス（Ｎ，Ｎ−ビス（ジ（トリメチルシリル）メチ
ルシリル）アミド）ジルコニウムジクロライド、ビス
（Ｎ，Ｎ−ビス（クロロフェニル）アミド）ジルコニウ
ムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−クロロ
フェニルアミド）ジルコニウムジクロライド、

【００４５】ビス（Ｎ−トリメチルシリル−メトキシフ
ェニルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−
トリメチルシリル−ニトロフェニルアミド）ジルコニウ
ムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−アミノ
フェニルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ
−トリフェニルシリル−クロロフェニルアミド）ジルコ
ニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメトキシシリル−
アミノフェニルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビ
ス（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−クロロフェニルアミ
ド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−ジメチルフ
ェニルシリル−ニトロフェニルアミド）ジルコニウムジ
クロライド、ビス（Ｎ−ジフェニルメチルシリル−クロ
ロフェニルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス
（Ｎ−トリメチルシリル−メチルアミド）ジルコニウム
ジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−エチルア
ミドジルコニウム）ジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチ
ルシリル−ｎ−プロピルアミド）ジルコニウムジクロラ
イド、

【００４６】ビス（Ｎ−トリメチルシリル−ｉｓｏ−プ
ロピルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−
トリメチルシリル−ｎ−ブチルアミド）ジルコニウムジ
クロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−ｔｅｒｔ−
ブチルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−
トリメチルシリル−ｉｓｏ−ブチルアミド）ジルコニウ
ムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ペ
ンチルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−
トリメチルシリル−ｉｓｏ−ペンチルアミド）ジルコニ
ウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−シク
ロペンチルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス
（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）ジルコ
ニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−ｉ
ｓｏ−ヘキシルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビ
ス（Ｎ−トリメチルシリル−シクロヘキシルアミド）ジ
ルコニウムジクロライド、

【００４７】ビス（Ｎ−トリメチルシリル−メチルシク
ロヘキシルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス
（Ｎ−トリメチルシリル−ジメチルシクロヘキシルアミ
ド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチル
シリル−トリメチルシクロヘキシルアミド）ジルコニウ
ムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ヘ
プチルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−
トリメチルシリル−ｉｓｏ−ヘプチルアミド）ジルコニ
ウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−シク
ロヘプチルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス
（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−オクチルアミド）ジルコ
ニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−ｉ
ｓｏ−オクチルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビ
ス（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ノニルアミド）ジルコ
ニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−ｉ
ｓｏ−ノニルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス
（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−デシルアミド）ジルコニ
ウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−ｉｓ
ｏ−デシルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス
（Ｎ−トリメチルシリル−アニリド）ジルコニウムジク
ロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−トルイジド）
ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリ
ル−ジメチルアニリド）ジルコニウムジクロライド、ビ
ス（Ｎ−トリメチルシリル−エチルアニリド）ジルコニ
ウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−シク
ロヘキシルアニリド）ジルコニウムジクロライド、

【００４８】ビス（Ｎ−トリメチルシリル−ナフチルア
ミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチ
ルシリル−ベンジルアミド）ジルコニウムジクロライ
ド、１，２−ビス（Ｎ−トリメチルシリル）−シクロヘ
キシルアミノジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−ト
リフェニルシリル−メチルアミド）ジルコニウムジクロ
ライド、ビス（Ｎ−トリフェニルシリル−ｎ−ブチルア
ミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリフェ
ニルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）ジルコニウムジクロ
ライド、ビス（Ｎ−トリフェニルシリル−ｉｓｏ−ヘキ
シルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−ト
リフェニルシリル−シクロヘキシルアミド）ジルコニウ
ムジクロライド、ビス（Ｎ−トリフェニルシリル−メチ
ルシクロヘキシルアミド）ジルコニウムジクロライド、
ビス（Ｎ−トリフェニルシリル−ｎ−デシルアミド）ジ
ルコニウムジクロライド、

【００４９】ビス（Ｎ−トリフェニルシリル−アニリ
ド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリフェニ
ルシリル−トルイジド）ジルコニウムジクロライド、ビ
ス（Ｎ−トリフェニルシリル−シクロヘキシルアニリ
ド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリフェニ
ルシリル−ナフチルアミド）ジルコニウムジクロライ
ド、ビス（Ｎ−トリフェニルシリル−ベンジルアミド）
ジルコニウムジクロライド、１，２−ビス（Ｎ−トリフ
ェニルシリル）−シクロヘキシルアミノジルコニウムジ
クロライドビス（Ｎ−トリメトキシシリル−メチルアミ
ド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメトキ
シシリル−ｎ−ブチルアミド）ジルコニウムジクロライ
ド、

【００５０】ビス（Ｎ−トリメトキシシリル−ｎ−ヘキ
シルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−ト
リメトキシシリル−ｉｓｏ−ヘキシルアミド）ジルコニ
ウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメトキシシリル−シ
クロヘキシルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス
（Ｎ−トリメトキシシリル−メチルシクロヘキシルアミ
ド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメトキ
シシリル−ｎ−デシルアミド）ジルコニウムジクロライ
ド、ビス（Ｎ−トリメトキシシリル−アニリド）ジルコ
ニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメトキシシリル−
トルイジド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−ト
リメトキシシリル−シクロヘキシルアニリド）ジルコニ
ウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメトキシシリル−ナ
フチルアミド）ジルコニウムジクロライド、

【００５１】ビス（Ｎ−トリメトキシシリル−ベンジル
アミド）ジルコニウムジクロライド、１，２−ビス（Ｎ
−トリメトキシシリル）−シクロヘキシルアミノジルコ
ニウムジクロライドビス（Ｎ−ジメチルフェニルシリル
−メチルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ
−ジメチルフェニルシリル−エチルアミド）ジルコニウ
ムジクロライド、ビス（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−
ｎ−プロピルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス
（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｉｓｏ−プロピルアミ
ド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−ジメチルフ
ェニルシリル−ｎ−ブチルアミド）ジルコニウムジクロ
ライド、ビス（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｔｅｒｔ
−ブチルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ
−ジメチルフェニルシリル−ｉｓｏ−ブチルアミド）ジ
ルコニウムジクロライド、

【００５２】ビス（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｎ−
ペンチルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ
−ジメチルフェニルシリル−ｉｓｏ−ペンチルアミド）
ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−ジメチルフェニ
ルシリル−シクロペンチルアミド）ジルコニウムジクロ
ライド、ビス（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｎ−ヘキ
シルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−ジ
メチルフェニルシリル−ｉｓｏ−ヘキシルアミド）ジル
コニウムジクロライド、ビス（Ｎ−ジメチルフェニルシ
リル−シクロヘキシルアミド）ジルコニウムジクロライ
ド、ビス（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−メチルシクロ
ヘキシルアミド）ジルコニウムジクロライド、

【００５３】ビス（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｎ−
オクチルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ
−ジメチルフェニルシリル−ｉｓｏ−オクチルアミド）
ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−フェニルシリル
−ｎ−デシルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス
（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｉｓｏ−デシルアミ
ド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−ジメチルフ
ェニルシリル−アニリド）ジルコニウムジクロライド、
ビス（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ジメチルアニリ
ド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−ジメチルフ
ェニルシリル−シクロヘキシルアニリド）ジルコニウム
ジクロライド、ビス（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ナ
フチルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−
ジメチルフェニルシリル−ベンジルアミド）ジルコニウ
ムジクロライド、１，２−ビス（Ｎ−ジメチルフェニル
シリル）−シクロヘキシルアミノジルコニウムジクロラ
イド、（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アミド）
（Ｎ，Ｎ−ビス（トリフェニルシリル）アミド）ジルコ
ニウムジクロライド、

【００５４】（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アミ
ド）（Ｎ−トリメチルシリル−クロロフェニルアミド）
ジルコニウムジクロライド、（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチ
ルシリル）アミド）（Ｎ−トリメチルシリル−メチルア
ミド）ジルコニウムジクロライド、１，２−ビス（Ｎ−
トリメチルシリル）−４−メチルシクロヘキシルアミノ
ジルコニウムジクロライド、（トリメチルシリル）オキ
シドジルコニウムトリクロライド、（トリメトキシシリ
ル）オキシドジルコニウムトリクロライド、（トリシク
ロヘキシルシリル）オキシドジルコニウムトリクロライ
ド、（トリフェニルシリル）オキシドジルコニウムトリ
クロライド、（トリ（ニトロフェニル）シリル）オキシ
ドジルコニウムトリクロライド、（トリ（トリメチルシ
リル）シリル）オキシドジルコニウムトリクロライド、
（ジメチルフェニルシリル）オキシドジルコニウムトリ
クロライド、（ジメトキシフェニルシリル）オキシドジ
ルコニウムトリクロライド、メチルオキシドジルコニウ
ムトリクロライド、エチルオキシドジルコニウムトリク
ロライド、ｎ−プロピルオキシドジルコニウムトリクロ
ライド、ｉｓｏ−プロピルオキシドジルコニウムトリク
ロライド、ｎ−ブチルオキシドジルコニウムトリクロラ
イド、

【００５５】ｔｅｒｔ−ブチルオキシドジルコニウムト
リクロライド、ｉｓｏ−ブチルオキシドジルコニウムト
リクロライド、ｎ−ペンチルオキシドジルコニウムトリ
クロライド、ｉｓｏ−ペンチルオキシドジルコニウムト
リクロライド、シクロペンチルオキシドジルコニウムト
リクロライド、ｎ−ヘキシルオキシドジルコニウムトリ
クロライド、ｉｓｏ−ヘキシルオキシドジルコニウムト
リクロライド、シクロヘキシルオキシドジルコニウムト
リクロライド、メチルシクロヘキシルオキシドジルコニ
ウムトリクロライド、ジメチルシクロヘキシルオキシド
ジルコニウムトリクロライド、トリメチルシクロヘキシ
ルオキシドジルコニウムトリクロライド、ｎ−ヘプチル
オキシドジルコニウムトリクロライド、ｉｓｏ−ヘプチ
ルオキシドジルコニウムトリクロライド、シクロヘプチ
ルオキシドジルコニウムトリクロライド、ｎ−オクチル
オキシドジルコニウムトリクロライド、

【００５６】ｉｓｏ−オクチルオキシドジルコニウムト
リクロライド、ｎ−ノニルオキシドジルコニウムトリク
ロライド、ｉｓｏ−ノニルオキシドジルコニウムトリク
ロライド、ｎ−デシルオキシドジルコニウムトリクロラ
イド、ｉｓｏ−デシルオキシドジルコニウムトリクロラ
イド、フェノキシドジルコニウムトリクロライド、クレ
ゾ−ルイルジルコニウムトリクロライド、シクロヘキシ
ルフェノキシドジルコニウムトリクロライド、ナフトキ
シドジルコニウムトリクロライド、ビス（トリメチルシ
リルオキシド）ジルコニウムジクロライド、ビス（トリ
メトキシシリルオキシド）ジルコニウムジクロライド、
ビス（トリシクロヘキシルシリルオキシド）ジルコニウ
ムジクロライド、ビス（トリフェニルシリルオキシド）
ジルコニウムジクロライド、ビス（トリ（ニトロフェニ
ル）シリルオキシド）ジルコニウムジクロライド、ビス
（トリ（トリメチルシリル）シリルオキシド）ジルコニ
ウムジクロライド、ビス（ジメチルフェニルシリルオキ
シド）ジルコニウムジクロライド、ビス（ジメトキシフ
ェニルシリルオキシド）ジルコニウムジクロライド、
（トリメチルシリルオキシド）（トリメトキシシリルオ
キシド）ジルコニウムジクロライド、（トリメチルシリ
ルオキシド）（ジメチルフェニルシリルオキシド）ジル
コニウムジクロライド、

【００５７】（トリメチルシリルオキシド）（メチルオ
キシド）ジルコニウムジクロライド、（トリメチルシリ
ルオキシド）（ｎ−プロピルオキシド）ジルコニウムジ
クロライド、（トリメチルシリルオキシド）（ｔｅｒｔ
−ブチルオキシド）ジルコニウムジクロライド、（トリ
メチルシリルオキシド）（シクロヘキシルオキシド）ジ
ルコニウムジクロライド、（トリメチルシリルオキシ
ド）（ｎ−デシルオキシド）ジルコニウムジクロライ
ド、（トリメチルシリルオキシド）（フェノキシド）ジ
ルコニウムジクロライド、（トリメチルシリルオキシ
ド）（ナフトキシド）ジルコニウムジクロライド、（Ｎ
−トリメチルシリルシクロヘキシルアミド）（フェノキ
シド）ジルコニウムジクロライド、

【００５８】上記化合物中のケイ素原子をゲルマニウム
原子に置き換えた化合物、ケイ素原子がスズ原子である
化合物、窒素原子がリン原子である化合物、酸素原子が
硫黄原子である化合物、ジルコニウム原子がチタン原子
である化合物、ジルコニウム原子がハフニウム原子であ
る化合物、塩素原子がフッ素原子である化合物、塩素原
子が臭素原子である化合物、塩素原子がヨウ素原子であ
る化合物、上記化合物に１分子のテトラヒドロフランが
配位した化合物、１分子のジエチルエ−テルが配位した
化合物、１分子のジメトキシエタンが配位した化合物、
１分子の１，４−ジオキサンが配位した化合物、１分子
のトリエチルアミンが配位した化合物、上記化合物に配
位したエ−テル類、またはアミン類の配位数が２である
化合物、配位数が３である化合物、配位数が４である化
合物、及び配位数が５である化合物等を挙げることがで
きるが、この限りではない。

【００５９】一般式（Ｉ）で表される化合物の類似体を
合成する方法として、ビス（ジメチルアミド）チタニウ
ムジクロライドの場合、テトラハロゲノチタニウム化合
物をテトラキス（アミド）チタニウム化合物へ変換した
後、テトラハロゲノチタニウム化合物とテトラキス（ア
ミド）チタニウムとを、溶媒中不均化によって行われ
（特公昭４２−２２６９１、Organometallics,13,2907
(1994);Z.Anorg.Allg.Chem.,621,2021(1995)）、ビス
（イソプロポキシド）チタニウムジクロライドの合成
も、不均化によって行われている（Spectrochimica.Act
a.,24A,1213(1968)）。すなわちこの方法は、テトラハ
ロゲノメタル化合物と、４つの補助配位子を有する金属
化合物との不均化反応であり、一般式（Ｉ）で表わされ
る化合物を合成することができる。

【００６０】さらに、テトラハロゲノメタル化合物へ補
助配位子を直接導入する方法（下記反応式３）によって
も、一般式（Ｉ）で表される化合物を高収率で合成する
ことができる。この際原則として、テトラハロゲノメタ
ル化合物に対して、補助配位子のアニオンを１当量使用
した場合、一般式（Ｉ）で表される化合物のうちｒ＝１
である化合物の合成を行うことができ、テトラハロゲノ
メタル化合物に対して、補助配位子のアニオンを２当量
使用した場合、一般式（Ｉ）で表される化合物のうちｒ
＝２である化合物の合成を行うことができる。但し、補
助配位子がジアミンのような多座配位子の場合には、補
助配位子は１５族または１６族ヘテロ原子を２個有する
ため、テトラハロゲノメタル化合物に対して補助配位子
のアニオンを１当量使用しても、一般式（Ｉ）で表され
る化合物のうちｒ＝２である化合物が合成される。

【００６１】

【化１０】反応式３ 一般式（Ｉ）で表される化合物のＭ¹には、エ−テル
類、またはアミン類が１〜５０の配位数で配位していて
もよい。エ−テル類及びアミン類の非制限的な例とし
て、ジエチルエ−テル、ジイソプロピルエ−テル、ジ−
ｎ−プロピルエーテル、ｎ−ブチルエーテル、アニソー
ル、フェネトール、ジフェニルエーテル、１，４−ジオ
キサン、ジメトキシエタン、フラン、テトラヒドロフラ
ン、ピリジン、トリメチルアミン、トリエチルアミン等
が挙げられるが、この限りではない。

【００６２】一般式（ＩＩ）で表される化合物は、これ
までもメタロセン化合物の合成原料として種々合成され
ており、シクロペンタジエン環と架橋部分からなる基本
骨格構造を有する配位子を脱プロトン化した化合物であ
る。メタロセン化合物は、その構造の違いによってオレ
フィン重合用触媒としての性能は大きく異なることが知
られており、例えば、２つのシクロペンタジエン環の置
換基を種々変更したり、架橋構造として炭素架橋、また
はケイ素架橋を用いることで、様々な重合性能が報告さ
れている。今後も一般式（ＩＶ）で表される化合物とし
て新規な構造が提案され、その各々には新規な触媒性能
が見いだされることが期待される。

【００６３】本発明は、既知構造の一般式（ＩＶ）で表
される化合物の合成法として適用可能なだけではなく、
新規化合物であってもその構造が一般式（ＩＶ）で表さ
れれば、その適用は可能であることが容易に推測され
る。換言すれば本発明は、原料となる化合物が一般式
（ＩＩ）で表される構造であれば、任意の構造のメタロ
セン化合物合成法として適用することができる。

【００６４】一般式（ＩＩ）を構成するＬ¹及びＬ²は、
シクロペンタジエニル基、置換シクロペンタジエニル
基、インデニル基、置換インデニル基、アズレニル基、
置換アズレニル基、フルオレニル基及び置換フルオレニ
ル基であるが、これらは何れもシクロペンタジエニル骨
格を有しており、インデニル基、置換インデニル基、ア
ズレニル基、置換アズレニル基、フルオレニル基及び置
換フルオレニル基も、広義には総て置換シクロペンタジ
エニル基と理解することができる。本発明はこれらＬ¹
及びＬ²の構造が、シクロペンタジエニル基、及び広義
に定義される置換シクロペンタジエニル基であれば、任
意の構造に適用することができる。

【００６５】Ｌ¹及びＬ²の非制限的な例としては、シク
ロペンタジエニル基、２−メチルシクロペンタジエニル
基、３−メチルシクロペンタジエニル基、２，３−ジメ
チルシクロペンタジエニル基、２，４−ジメチルシクロ
ペンタジエニル基、２，５−ジメチルシクロペンタジエ
ニル基、２，３，５−トリメチルシクロペンタジエニル
基、２，３，４，５−テトラメチルシクロペンタジエニ
ル基、２−エチルシクロペンタジエニル基、３−エチル
シクロペンタジエニル基、２−ｎ−プロピルシクロペン
タジエニル基、３−ｎ−プロピルシクロペンタジエニル
基、２−ｉｓｏ−プロピルシクロペンタジエニル基、

【００６６】３−ｉｓｏ−プロピルシクロペンタジエニ
ル基、２−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル基、
２−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル基、２−ｉｓｏ−
ブチルシクロペンタジエニル基、３−ｔｅｒｔ−ブチル
シクロペンタジエニル基、３−ｎ−ブチルシクロペンタ
ジエニル基、３−ｉｓｏ−ブチルシクロペンタジエニル
基、２−メチル−４−エチルシクロペンタジエニル基、
２−メチル−４−ｎ−プロピルシクロペンタジエニル
基、２−メチル−４−ｉｓｏ−プロピルシクロペンタジ
エニル基、２−メチル−４−ｎ−ブチルシクロペンタジ
エニル基、２−メチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペ
ンタジエニル基、２−メチル−４−ｉｓｏ−ブチルシク
ロペンタジエニル基、２−フェニルシクロペンタジエニ
ル基、３−フェニルシクロペンタジエニル基、２−メチ
ル−４−フェニルシクロペンタジエニル基、

【００６７】２−メチル−３−フェニルシクロペンタジ
エニル基、２，５−ジメチル−３−フェニルシクロペン
タジエニル基、２−トリフルオロメチルシクロペンタジ
エニル基、３−トリフルオロメチルシクロペンタジエニ
ル基、２−トリメチルシリルシクロペンタジエニル基、
３−トリメチルシリルシクロペンタジエニル基２−ジフ
ェニルホスフィノシクロペンタジエニル基、３−ジフェ
ニルホスフィノシクロペンタジエニル基、２−ニトロシ
クロペンタジエニル基、３−ニトロシクロペンタジエニ
ル基、２−フルオロシクロペンタジエニル基、３−フル
オロシクロペンタジエニル基、２−クロロシクロペンタ
ジエニル基、３−クロロシクロペンタジエニル基、２−
ブロモシクロペンタジエニル基、

【００６８】３−ブロモシクロペンタジエニル基、イン
デニル基、２−メチルインデニル基、３−メチルインデ
ニル基、４−メチルインデニル基、５−メチルインデニ
ル基、６−メチルインデニル基、７−メチルインデニル
基、２，３−ジメチルインデニル基、２，４−ジメチル
インデニル基、２，５−ジメチルインデニル基、２，６
−ジメチルインデニル基、２，７−ジメチルインデニル
基、３，４−ジメチルインデニル基、３，５−ジメチル
インデニル基、３，６−ジメチルインデニル基、３，７
−ジメチルインデニル基、４，５−ジメチルインデニル
基、５，７−ジメチルインデニル基、６，７−ジメチル
インデニル基、４，７−ジメチルインデニル基、５，６
−ジメチルインデニル基、４，６−ジメチルインデニル
基２−エチルインデニル基、３−エチルインデニル基、
４−エチルインデニル基、５−エチルインデニル基、

【００６９】６−エチルインデニル基、７−エチルイン
デニル基、４，７−ジエチルインデニル基、５，６−ジ
エチルインデニル基、４，６−ジエメチルインデニル
基、２−ｉｓｏ−プロピルインデニル基、３−ｉｓｏ−
プロピルインデニル基、４−ｉｓｏ−プロピルインデニ
ル基、５−ｉｓｏ−プロピルインデニル基、６−ｉｓｏ
−プロピルインデニル基、７−ｉｓｏ−プロピルインデ
ニル基、４，６−ジ−ｉｓｏ−プロピルインデニル基、
５，７−ジ−ｉｓｏ−プロピルインデニル基、４，７−
ジ−ｉｓｏ−プロピルインデニル基、２−ｎ−プロピル
インデニル基、３−ｎ−プロピルインデニル基、４−ｎ
−プロピルインデニル基、５−ｎ−プロピルインデニル
基、６−ｎ−プロピルインデニル基、７−ｎ−プロピル
インデニル基、４，６−ジ−ｎ−プロピルインデニル
基、５，７−ジ−ｎ−プロピルインデニル基、４，７−
ジ−ｎ−プロピルインデニル基、

【００７０】２−ｔｅｒｔ−ブチルインデニル基、２−
ｎ−ブチルインデニル基、２−ｉｓｏ−ブチルインデニ
ル基、３−ｔｅｒｔ−ブチルインデニル基、３−ｎ−ブ
チルインデニル基、３−ｉｓｏ−ブチルインデニル基、
４−ｔｅｒｔ−ブチルインデニル基、４−ｎ−ブチルイ
ンデニル基、４−ｉｓｏ−ブチルインデニル基、６−ｔ
ｅｒｔ−ブチルインデニル基、６−ｎ−ブチルインデニ
ル基、６−ｉｓｏ−ブチルインデニル基、４，６−ジ−
ｎ−ブチルインデニル基、５，７−ジ−ｎ−ブチルイン
デニル基、４，７−ジ−ｎ−ブチルインデニル基、４，
６−ジ−ｉｓｏ−ブチルインデニル基、

【００７１】５，７−ジ−ｉｓｏ−ブチルインデニル
基、４，７−ジ−ｉｓｏ−ブチルインデニル基、２−シ
クロペンチルインデニル基、２−ｎ−ペンチルインデニ
ル基、２−ｉｓｏ−ペンチルインデニル基、４−シクロ
ペンチルインデニル基、４−ｎ−ペンチルインデニル
基、４−ｉｓｏ−ペンチルインデニル基、６−シクロペ
ンチルインデニル基、６−ｎ−ペンチルインデニル基、
６−ｉｓｏ−ペンチルインデニル基、４，６−ジ−シク
ロペンチルインデニル基、４，６−ジ−ｎ−ペンチルイ
ンデニル基、４，６−ジ−ｉｓｏ−ペンチルインデニル
基、２−シクロヘキシルインデニル基、２−ｎ−ヘキシ
ルインデニル基、２−ｉｓｏ−ヘキシルインデニル基、
４−シクロヘキシルインデニル基、４−ｎ−ヘキシルイ
ンデニル基、４−ｉｓｏ−ヘキシルインデニル基、６−
シクロヘキシルインデニル基、６−ｎ−ヘキシルインデ
ニル基、６−ｉｓｏ−ヘキシルインデニル基、４，６−
ジ−シクロヘキシルインデニル基、

【００７２】４，６−ジ−ｎ−ヘキシルインデニル基、
４，６−ジ−ｉｓｏ−ヘキシルインデニル基、２−フェ
ニルインデニル基、３−フェニルインデニル基、４−フ
ェニルインデニル基、５−フェニルインデニル基、６−
フェニルインデニル基、７−フェニルインデニル基、
４，６−ジ−フェニルインデニル基、５，７−ジ−フェ
ニルインデニル基、２−（１−ナフチル）インデニル
基、２−（２−ナフチル）インデニル基、３−（１−ナ
フチル）インデニル基、３−（２−ナフチル）インデニ
ル基、４−（１−ナフチル）インデニル基、４−（２−
ナフチル）インデニル基、５−（１−ナフチル）インデ
ニル基、５−（２−ナフチル）インデニル基、６−（１
−ナフチル）インデニル基、６−（２−ナフチル）イン
デニル基、７−（１−ナフチル）インデニル基、７−
（２−ナフチル）インデニル基、４，５−ベンゾインデ
ニル基、５，６−ベンゾインデニル基、６，７−ベンゾ
インデニル基、４，５−ナフトインデニル基（シクロペ
ンタ［ｃ］フェナンスリル基）、

【００７３】４，５，６，７−ジベンゾインデニル基
（シクロペンタ［ｌ］フェナンスリル基）、α−アセナ
フトインデニル基、４，５，６，７−テトラヒドロイン
デニル基、４，５，６，７−テトラヒドロベンゾ［ｅ］
インデニル基２，３，４−トリメチルインデニル基、
２，３，５−トリメチルインデニル基、２，３，６−ト
リメチルインデニル基、２，３，７−トリメチルインデ
ニル基、２，４，５−トリメチルインデニル基、２，
４，６−トリメチルインデニル基、２，４，７−トリメ
チルインデニル基、２，５，６−トリメチルインデニル
基、２，５，７−トリメチルインデニル基、２，６，７
−トリメチルインデニル基、３，４，５−トリメチルイ
ンデニル基、３，４，６−トリメチルインデニル基、
３，４，７−トリメチルインデニル基、３，５，６−ト
リメチルインデニル基、３，５，７−トリメチルインデ
ニル基、４，５，６−トリメチルインデニル基、４，
５，７−トリメチルインデニル基、５，６，７−トリメ
チルインデニル基、

【００７４】２−トリフルオロメチルインデニル基、４
−トリフルオロメチルインデニル基、２−トリメチルシ
リルインデニル基、４−トリメチルシリルインデニル
基、２−トリメチルゲルマニウムインデニル基、４−ト
リメチルゲルマニウムインデニル基、２−ジフェニルホ
スフィノインデニル基、４−ジフェニルホスフィノイン
デニル基、２−ニトロインデニル基、４−ニトロインデ
ニル基、２−メチル−３−エチルインデニル基、２−メ
チル−４−エチルインデニル基、２−メチル−５−エチ
ルインデニル基、２−メチル−６−エチルインデニル
基、２−メチル−７−エチルインデニル基、２−メチル
−４，７−ジエチルインデニル基、２−メチル−５，６
−ジエチルインデニル基、２−メチル−４，６−ジエチ
ルインデニル基、２−メチル−３−ｉｓｏ−プロピルイ
ンデニル基、２−メチル−４−ｉｓｏ−プロピルインデ
ニル基、２−メチル−５−ｉｓｏ−プロピルインデニル
基、

【００７５】２−メチル−６−ｉｓｏ−プロピルインデ
ニル基、２−メチル−７−ｉｓｏ−プロピルインデニル
基、２−メチル−４，６−ジ−ｉｓｏ−プロピルインデ
ニル基、２−メチル−５，７−ジ−ｉｓｏ−プロピルイ
ンデニル基、２−メチル−４，７−ジ−ｉｓｏ−プロピ
ルインデニル基、２−メチル−３−ｎ−プロピルインデ
ニル基、２−メチル−４−ｎ−プロピルインデニル基、
２−メチル−５−ｎ−プロピルインデニル基、２−メチ
ル−６−ｎ−プロピルインデニル基、２−メチル−７−
ｎ−プロピルインデニル基、２−メチル−４，６−ジ−
ｎ−プロピルインデニル基、２−メチル−５，７−ジ−
ｎ−プロピルインデニル基、２−メチル−４，７−ジ−
ｎ−プロピルインデニル基、２−メチル−３−ｔｅｒｔ
−ブチルインデニル基、２−メチル−３−ｎ−ブチルイ
ンデニル基、２−メチル−３−ｉｓｏ−ブチルインデニ
ル基、２−メチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルインデニル
基、２−メチル−４−ｎ−ブチルインデニル基、２−メ
チル−４−ｉｓｏ−ブチルインデニル基、２−メチル−
６−ｔｅｒｔ−ブチルインデニル基、

【００７６】２−メチル−６−ｎ−ブチルインデニル
基、２−メチル−６−ｉｓｏ−ブチルインデニル基、２
−メチル−４，６−ジ−ｎ−ブチルインデニル基、２−
メチル−５，７−ジ−ｎ−ブチルインデニル基、２−メ
チル−４，７−ジ−ｎ−ブチルインデニル基、２−メチ
ル−４，６−ジ−ｉｓｏ−ブチルインデニル基、２−メ
チル−５，７−ジ−ｉｓｏ−ブチルインデニル基、２−
メチル−４，７−ジ−ｉｓｏ−ブチルインデニル基、２
−メチル−４−シクロペンチルインデニル基、２−メチ
ル−４−ｎ−ペンチルインデニル基、２−メチル−４−
ｉｓｏ−ペンチルインデニル基、２−メチル−６−シク
ロペンチルインデニル基、２−メチル−６−ｎ−ペンチ
ルインデニル基、２−メチル−６−ｉｓｏ−ペンチルイ
ンデニル基、２−メチル−４，６−ジ−シクロペンチル
インデニル基、２−メチル−４，６−ジ−ｎ−ペンチル
インデニル基、２−メチル−４，６−ジ−ｉｓｏ−ペン
チルインデニル基、２−メチル−４−シクロヘキシルイ
ンデニル基、

【００７７】２−メチル−４−ｎ−ヘキシルインデニル
基、２−メチル−４−ｉｓｏ−ヘキシルインデニル基、
２−メチル−６−シクロヘキシルインデニル基、２−メ
チル−６−ｎ−ヘキシルインデニル基、２−メチル−６
−ｉｓｏ−ヘキシルインデニル基、２−メチル−４，６
−ジ−シクロヘキシルインデニル基、２−メチル−４，
６−ジ−ｎ−ヘキシルインデニル基、２−メチル−４，
６−ジ−ｉｓｏ−ヘキシルインデニル基、２−メチル−
３−フェニルインデニル基、２−メチル−４−フェニル
インデニル基、２−メチル−５−フェニルインデニル
基、２−メチル−６−フェニルインデニル基、２−メチ
ル−７−フェニルインデニル基、２−メチル−４，６−
ジ−フェニルインデニル基、

【００７８】２−メチル−３−（１−ナフチル）インデ
ニル基、２−メチル−３−（２−ナフチル）インデニル
基、２−メチル−４−（１−ナフチル）インデニル基、
２−メチル−４−（２−ナフチル）インデニル基、２−
メチル−５−（１−ナフチル）インデニル基、２−メチ
ル−５−（２−ナフチル）インデニル基、２−メチル−
６−（１−ナフチル）インデニル基、２−メチル−６−
（２−ナフチル）インデニル基、２−メチル−７−（１
−ナフチル）インデニル基、２−メチル−７−（２−ナ
フチル）インデニル基、２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル基、

【００７９】２−メチル−５，６−ベンゾインデニル
基、２−メチル−６，７−ベンゾインデニル基、２−メ
チル−４，５−ナフトインデニル基（メチルシクロペン
タ［ｃ］フェナンスリル基）、２−メチル−４，５，
６，７−ジベンゾインデニル基（メチルシクロペンタ
［ｌ］フェナンスリル基）、２−メチル−α−アセナフ
トインデニル基、２−メチル−４，５，６，７−テトラ
ヒドロインデニル基、２−メチル−４，５，６，７−テ
トラヒドロベンゾ［ｅ］インデニル基、２−メチル−４
−トリフルオロメチルインデニル基、２−メチル−４−
トリメチルシリルインデニル基、２−メチル−４−トリ
メチルゲルマニウムインデニル基、２−メチル−４−ジ
フェニルホスフィノインデニル基、２−メチル−４−ニ
トロインデニル基、アズレニル基、４−メチルアズレニ
ル基、４−エチルアズレニル基、４−ｎ−プロピルアズ
レニル基、４−ｉｓｏ−プロピルアズレニル基、

【００８０】４−ｎ−ブチルアズレニル基、４−ｉｓｏ
−ブチルアズレニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルアズレニ
ル基、４−フェニルアズレニル基、４，４−ジメチルア
ズレニル基、４，４−ジフェニルアズレニル基、４，４
−ジエチルアズレニル基、４，４−ジ−ｎ−プロピルア
ズレニル基、４，４−ジ−ｉｓｏ−プロピルアズレニル
基、４，４−ジ−ｎ−ブチルアズレニル基、４，４−ジ
−ｉｓｏ−ブチルアズレニル基、４，４−ジ−ｔｅｒｔ
−ブチルアズレニル基、２−メチルアズレニル基、２，
４−ジメチルアズレニル基、２−メチル−４−エチルア
ズレニル基、２−メチル−４−ｎ−プロピルアズレニル
基、２−メチル−４−ｉｓｏ−プロピルアズレニル基、
２−メチル−４−ｎ−ブチルアズレニル基、２−メチル
−４−ｉｓｏ−ブチルアズレニル基、２−メチル−４−
ｔｅｒｔ−ブチルアズレニル基、２−メチル−４−フェ
ニルアズレニル基、２，４，４−トリメチルアズレニル
基、

【００８１】２−メチル−４，４−ジフェニルアズレニ
ル基、２−メチル−４，４−ジエチルアズレニル基、２
−メチル−４，４−ジ−ｎ−プロピルアズレニル基、２
−メチル−４，４−ジ−ｉｓｏ−プロピルアズレニル
基、２−メチル−４，４−ジ−ｎ−ブチルアズレニル
基、２−メチル−４，４−ジ−ｉｓｏ−ブチルアズレニ
ル基、２−メチル−４，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアズ
レニル基、

【００８２】ヘキサヒドロアズレニル基、４−メチルヘ
キサヒドロアズレニル基、４−エチルヘキサヒドロアズ
レニル基、４−ｎ−プロピルヘキサヒドロアズレニル
基、４−ｉｓｏ−プロピルヘキサヒドロアズレニル基、
４−ｎ−ブチルヘキサヒドロアズレニル基、４−ｉｓｏ
−ブチルヘキサヒドロアズレニル基、４−ｔｅｒｔ−ブ
チルヘキサヒドロアズレニル基、４−フェニルヘキサヒ
ドロアズレニル基、４，４−ジメチルヘキサヒドロアズ
レニル基、４，４−ジフェニルヘキサヒドロアズレニル
基、４，４−ジエチルヘキサヒドロアズレニル基、４，
４−ジ−ｎ−プロピルヘキサヒドロアズレニル基、４，
４−ジ−ｉｓｏ−プロピルヘキサヒドロアズレニル基、
４，４−ジ−ｎ−ブチルヘキサヒドロアズレニル基、
４，４−ジ−ｉｓｏ−ブチルヘキサヒドロアズレニル
基、４，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルヘキサヒドロアズレ
ニル基、２−メチルヘキサヒドロアズレニル基、２，４
−ジメチルヘキサヒドロアズレニル基、２−メチル−４
−エチルヘキサヒドロアズレニル基、

【００８３】２−メチル−４−ｎ−プロピルヘキサヒド
ロアズレニル基、２−メチル−４−ｉｓｏ−プロピルヘ
キサヒドロアズレニル基、２−メチル−４−ｎ−ブチル
ヘキサヒドロアズレニル基、２−メチル−４−ｉｓｏ−
ブチルヘキサヒドロアズレニル基、２−メチル−４−ｔ
ｅｒｔ−ブチルヘキサヒドロアズレニル基、２−メチル
−４−フェニルヘキサヒドロアズレニル基、２，４，４
−トリメチルヘキサヒドロアズレニル基、２−メチル−
４，４−ジフェニルヘキサヒドロアズレニル基、２−メ
チル−４，４−ジエチルヘキサヒドロアズレニル基、２
−メチル−４，４−ジ−ｎ−プロピルヘキサヒドロアズ
レニル基、２−メチル−４，４−ジ−ｉｓｏ−プロピル
ヘキサヒドロアズレニル基、２−メチル−４，４−ジ−
ｎ−ブチルヘキサヒドロアズレニル基、２−メチル−
４，４−ジ−ｉｓｏ−ブチルヘキサヒドロアズレニル
基、２−メチル−４，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルヘキサ
ヒドロアズレニル基、フルオレニル基、２−メチルフル
オレニル基、４−メチルフルオレニル基、２−エチルフ
ルオレニル基、４−エチルフルオレニル基、

【００８４】２−ｎ−プロピルフルオレニル基、４−ｎ
−プロピルフルオレニル基、２−ｉｓｏ−プロピルフル
オレニル基、４−ｉｓｏ−プロピルフルオレニル基、２
−ｎ−ブチルフルオレニル基、２−ｉｓｏ−ブチルフル
オレニル基、２−ｔｅｒｔ−ブチルフルオレニル基、４
−ｎ−ブチルフルオレニル基、４−ｉｓｏ−ブチルフル
オレニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフルオレニル基、２
−ｎ−ペンチルフルオレニル基、２−ｉｓｏ−ペンチル
フルオレニル基、２−シクロペンチルフルオレニル基、
４−ｎ−ペンチルフルオレニル基、４−ｉｓｏ−ペンチ
ルフルオレニル基、４−シクロペンチルフルオレニル
基、２−ｎ−ヘキシルフルオレニル基、２−ｉｓｏ−ヘ
キシルフルオレニル基、２−シクロヘキシルフルオレニ
ル基、４−ｎ−ヘキシルフルオレニル基、４−ｉｓｏ−
ヘキシルフルオレニル基、４−シクロヘキシルフルオレ
ニル基、２−ジメチルアミノフルオレニル基、

【００８５】４−ジメチルアミノフルオレニル基、２，
５−ジメチルフルオレニル基、２，７−ジメチルフルオ
レニル基、４，５−ジメチルフルオレニル基、２，５−
ジエチルフルオレニル基、２，７−ジエチルフルオレニ
ル基、４，５−ジエチルフルオレニル基、２，５−ジ−
（ｎ−プロピル）フルオレニル基、２，７−ジ−（ｎ−
プロピル）フルオレニル基、４，５−ジ−（ｎ−プロピ
ル）フルオレニル基、２，５−ジ（ｉｓｏ−プロピル）
フルオレニル基、２，７−ジ（ｉｓｏ−プロピル）フル
オレニル基、４，５−ジ（ｉｓｏ−プロピル）フルオレ
ニル基、２，５−ジ（ｎ−ブチル）フルオレニル基、
２，７−ジ（ｎ−ブチル）フルオレニル基、４，５−ジ
（ｎ−ブチル）フルオレニル基、２，５−ジ（ｉｓｏ−
ブチル）フルオレニル基、２，７−ジ（ｉｓｏ−ブチ
ル）フルオレニル基、

【００８６】４，５−ジ（ｉｓｏ−ブチル）フルオレニ
ル基、２，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）フルオレニル
基、２，７−ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）フルオレニル基、
４，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）フルオレニル基、２，
５−ジ（ｎ−ペンチル）フルオレニル基、２，７−ジ
（ｎ−ペンチル）フルオレニル基、４，５−ジ（ｎ−ペ
ンチル）フルオレニル基、２，５−ジ（ｉｓｏ−ペンチ
ル）フルオレニル基、２，７−ジ（ｉｓｏ−ペンチル）
フルオレニル基、４，５−ジ（ｉｓｏ−ペンチル）フル
オレニル基、２，５−ジ（シクロペンチル）フルオレニ
ル基、２，７−ジ（シクロペンチル）フルオレニル基、
４，５−ジ（シクロペンチル）フルオレニル基、２，５
−ジ（ｎ−ヘキシル）フルオレニル基、２，７−ジ（ｎ
−ヘキシル）フルオレニル基、４，５−ジ（ｎ−ヘキシ
ル）フルオレニル基、２，５−ジ（ｉｓｏ−ヘキシル）
フルオレニル基、２，７−ジ（ｉｓｏ−ヘキシル）フル
オレニル基、４，５−ジ（ｉｓｏ−ヘキシル）フルオレ
ニル基、２，５−ジ（シクロヘキシル）フルオレニル
基、２，７−ジ（シクロヘキシル）フルオレニル基、
４，５−ジ（シクロヘキシル）フルオレニル基、２，５
−ビス（ジメチルアミノ）フルオレニル基、２，７−ビ
ス（ジメチルアミノ）フルオレニル基、４，５−ビス
（ジメチルアミノ）フルオレニル基、等を挙げることが
できるが、この限りではない。

【００８７】また、一般式（ＩＩ）を構成するＣは、Ｌ
¹及びＬ²を連結する炭素原子数１〜２０の炭化水素基、
炭素原子数１〜２０の炭化水素基を有してもよいシリレ
ン基、オリゴシリレン基、またはゲルミレン基であり、
Ｃの非制限的な例としては、メチレン基、メチルメチレ
ン基、イソプロピリデン基、エチルメチレン基、ジエチ
ルメチレン基、ジ−ｎ−プロピルメチレン基、ジ−ｉｓ
ｏ−プロピルメチレン基、ジ−ｎ−ブチルメチレン基、
ジ−ｉｓｏ−ブチルメチレン基、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
メチレン基、ジ−ｎ−ペンチルメチレン基、ジ−ｉｓｏ
−ペンチルメチレン基、ジ−シクロペンチルメチレン
基、ジ−ｎ−ヘキシルメチレン基、ジ−ｉｓｏ−ヘキシ
ルメチレン基、ジ−シクロヘキシルメチレン基、ジフェ
ニルメチレン基、ジトルイルメチレン基、エチレン基、
１−メチルエチレン基、１，１−ジメチルエチレン基、
１，２−ジメチルエチレン基、プロピレン基、２，２−
ジメチルプロピレン基、

【００８８】シクロヘキシレン基、ジメチルシリレン
基、ジエチルシリレン基、ジフェニルシリレン基、ビス
（ジメチルシリレン）基、ビス（ジエチルシリレン）
基、ビス（ジフェニルシリレン）基、トリス（ジメチル
シリレン）基、トリス（ジエチルシリレン）基、トリス
（ジフェニルシリレン）基、ジメチルゲルミレン基、ジ
エチルゲルミレン基、ジフェニルゲルミレン基、ビス
（ジメチルゲルミレン）基、ビス（ジエチルゲルミレ
ン）基、ビス（ジフェニルゲルミレン）基、トリス（ジ
メチルゲルミレン）基、トリス（ジエチルゲルミレン）
基、トリス（ジフェニルゲルミレン）基等を挙げること
ができるが、この限りではない。

【００８９】また、一般式（ＩＩ）を構成するＭ²は、
１族または２族典型金属元素を表し、とくにリチウム原
子、ナトリウム原子、カリウム原子、マグネシウム原
子、カルシウム原子が好ましく、とくに好ましくはリチ
ウム原子、ナトリウム原子又はカリウム原子が用いられ
る。

【００９０】以上例示したＬ¹、Ｌ²、Ｃ及びＭ²の組合
せにより、種々の一般式（ＩＩ）で表される化合物が存
在する。その非制限的具体例を極く少数のみ例示する
と、メチレンビス（シクロペンタジエン）のジリチウム
塩、エチレンビス（シクロペンタジエン）のジリチウム
塩、イソプロピリデンビス（シクロペンタジエン）のジ
リチウム塩、ジメチルシリレンビス（シクロペンタジエ
ン）のジリチウム塩、メチレンビス（１−（２−メチル
シクロペンタジエン））のジリチウム塩、エチレンビス
（１−（２−メチルシクロペンタジエン））のジリチウ
ム塩、イソプロピリデンビス（１−（２−メチルシクロ
ペンタジエン））のジリチウム塩、ジメチルシリレンビ
ス（１−（２−メチルシクロペンタジエン））のジリチ
ウム塩、メチレンビス（１−（２，４−ジメチルシクロ
ペンタジエン））のジリチウム塩、

【００９１】エチレンビス（１−（２，４−ジメチルシ
クロペンタジエン））のジリチウム塩、イソプロピリデ
ンビス（１−（２，４−ジメチルシクロペンタジエ
ン））のジリチウム塩、ジメチルシリレンビス（１−
（２，４−ジメチルシクロペンタジエン））のジリチウ
ム塩、メチレンビス（１−（２，３，５−トリメチルシ
クロペンタジエン））のジリチウム塩、エチレンビス
（１−（２，３，５−トリメチルシクロペンタジエ
ン））のジリチウム塩、イソプロピリデンビス（１−
（２，３，５−トリメチルシクロペンタジエン））のジ
リチウム塩、ジメチルシリレンビス（１−（２，３，５
−トリメチルシクロペンタジエン））のジリチウム塩、

【００９２】メチレンビス（１−（２−メチル−４−ｔ
ｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエン））のジリチウム
塩、エチレンビス（１−（２−メチル−４−ｔｅｒｔ−
ブチルシクロペンタジエン））のジリチウム塩、イソプ
ロピリデンビス（１−（２−メチル−４−ｔｅｒｔ−ブ
チルシクロペンタジエン））のジリチウム塩、ジメチル
シリレンビス（１−（２−メチル−４−ｔｅｒｔ−ブチ
ルシクロペンタジエン））のジリチウム塩、メチレンビ
ス（１−インデン）のジリチウム塩、エチレンビス（１
−インデン）のジリチウム塩、イソプロピリデンビス
（１−インデン）のジリチウム塩、ジメチルシリレンビ
ス（１−インデン）のジリチウム塩、メチレンビス（２
−インデン）のジリチウム塩、エチレンビス（２−イン
デン）のジリチウム塩、イソプロピリデンビス（２−イ
ンデン）のジリチウム塩、ジメチルシリレンビス（２−
インデン）のジリチウム塩、

【００９３】メチレンビス（１−（２−メチルインデ
ン））のジリチウム塩、エチレンビス（１−（２−メチ
ルインデン））のジリチウム塩、イソプロピリデンビス
（１−（２−メチルインデン））のジリチウム塩、ジメ
チルシリレンビス（１−（２−メチルインデン））のジ
リチウム塩、メチレンビス（１−（２，４−ジメチルイ
ンデン））のジリチウム塩、エチレンビス（１−（２，
４−ジメチルインデン））のジリチウム塩、イソプロピ
リデンビス（１−（２，４−ジメチルインデン））のジ
リチウム塩、ジメチルシリレンビス（１−（２，４−ジ
メチルインデン））のジリチウム塩、メチレンビス（１
−（４，６−ジ−ｉｓｏ−プロピルインデン））のジリ
チウム塩、エチレンビス（１−（４，６−ジ−ｉｓｏ−
プロピルインデン））のジリチウム塩、

【００９４】イソプロピリデンビス（１−（４，６−ジ
−ｉｓｏ−プロピルインデン））のジリチウム塩、ジメ
チルシリレンビス（１−（４，６−ジ−ｉｓｏ−プロピ
ルインデン））のジリチウム塩、メチレンビス（１−
（２−メチル−４−ｉｓｏ−プロピルインデン））のジ
リチウム塩、エチレンビス（１−（２−メチル−４−ｉ
ｓｏ−プロピルインデン））のジリチウム塩、イソプロ
ピリデンビス（１−（２−メチル−４−ｉｓｏ−プロピ
ルインデン））のジリチウム塩、ジメチルシリレンビス
（１−（２−メチル−４−ｉｓｏ−プロピルインデ
ン））のジリチウム塩、メチレンビス（１−（２，４，
６−トリメチルインデン））のジリチウム塩、エチレン
ビス（１−（２，４，６−トリメチルインデン））のジ
リチウム塩、

【００９５】イソプロピリデンビス（１−（２，４，６
−トリメチルインデン））のジリチウム塩、ジメチルシ
リレンビス（１−（２，４，６−トリメチルインデ
ン））のジリチウム塩、メチレンビス（１−（４−ｔｅ
ｒｔ−ブチルインデン））のジリチウム塩、エチレンビ
ス（１−（４−ｔｅｒｔ−ブチルインデン））のジリチ
ウム塩、イソプロピリデンビス（１−（４−ｔｅｒｔ−
ブチルインデン））のジリチウム塩、ジメチルシリレン
ビス（１−（４−ｔｅｒｔ−ブチルインデン））のジリ
チウム塩、メチレンビス（１−（２−フルオロインデ
ン））のジリチウム塩、エチレンビス（１−（２−フル
オロインデン））のジリチウム塩、イソプロピリデンビ
ス（１−（２−フルオロインデン））のジリチウム塩、
ジメチルシリレンビス（１−（２−フルオロインデ
ン））のジリチウム塩、メチレンビス（１−（２−クロ
ロインデン））のジリチウム塩、エチレンビス（１−
（２−クロロインデン））のジリチウム塩、イソプロピ
リデンビス（１−（２−クロロインデン））のジリチウ
ム塩、

【００９６】ジメチルシリレンビス（１−（２−クロロ
インデン））のジリチウム塩、メチレンビス（１−（４
−フェニルインデン））のジリチウム塩、エチレンビス
（１−（４−フェニルインデン））のジリチウム塩、イ
ソプロピリデンビス（１−（４−フェニルインデン））
のジリチウム塩、ジメチルシリレンビス（１−（４−フ
ェニルインデン））のジリチウム塩、メチレンビス（１
−（４−（１−ナフチル）インデン））のジリチウム
塩、エチレンビス（１−（４−（１−ナフチル）インデ
ン））のジリチウム塩、イソプロピリデンビス（１−
（４−（１−ナフチル）インデン））のジリチウム塩、
ジメチルシリレンビス（１−（４−（１−ナフチル）イ
ンデン））のジリチウム塩、メチレンビス（１−（４−
（２−ナフチル）インデン））のジリチウム塩、エチレ
ンビス（１−（４−（２−ナフチル）インデン））のジ
リチウム塩、イソプロピリデンビス（１−（４−（２−
ナフチル）インデン））のジリチウム塩、

【００９７】ジメチルシリレンビス（１−（４−（２−
ナフチル）インデン））のジリチウム塩、メチレンビス
（１−（４，５−ベンゾインデン））のジリチウム塩、
エチレンビス（１−（４，５−ベンゾインデン））のジ
リチウム塩、イソプロピリデンビス（１−（４，５−ベ
ンゾインデン））のジリチウム塩、ジメチルシリレンビ
ス（１−（４，５−ベンゾインデン））のジリチウム
塩、メチレンビス（１−（５，６−ベンゾインデン））
のジリチウム塩、エチレンビス（１−（５，６−ベンゾ
インデン））のジリチウム塩、イソプロピリデンビス
（１−（５，６−ベンゾインデン））のジリチウム塩、
ジメチルシリレンビス（１−（５，６−ベンゾインデ
ン））のジリチウム塩、

【００９８】メチレンビス（１−（４，５−ナフトイン
デン））のジリチウム塩、エチレンビス（１−（４，５
−ナフトインデン））のジリチウム塩、イソプロピリデ
ンビス（１−（４，５−ナフトインデン））のジリチウ
ム塩、ジメチルシリレンビス（１−（４，５−ナフトイ
ンデン））のジリチウム塩、メチレンビス（１−（４，
５，６，７−ジベンゾインデン））のジリチウム塩、エ
チレンビス（１−（４，５，６，７−ジベンゾインデ
ン））のジリチウム塩、イソプロピリデンビス（１−
（４，５，６，７−ジベンゾインデン））のジリチウム
塩、

【００９９】ジメチルシリレンビス（１−（４，５，
６，７−ジベンゾインデン））のジリチウム塩、メチレ
ンビス（１−（α−アセナフトインデン））のジリチウ
ム塩、エチレンビス（１−（α−アセナフトインデ
ン））のジリチウム塩、イソプロピリデンビス（１−
（α−アセナフトインデン））のジリチウム塩、ジメチ
ルシリレンビス（１−（α−アセナフトインデン））の
ジリチウム塩、メチレンビス（１−（４，５，６，７−
テトラヒドロインデン））のジリチウム塩、エチレンビ
ス（１−（４，５，６，７−テトラヒドロインデン））
のジリチウム塩、イソプロピリデンビス（１−（４，
５，６，７−テトラヒドロインデン））のジリチウム
塩、ジメチルシリレンビス（１−（４，５，６，７−テ
トラヒドロインデン））のジリチウム塩、メチレンビス
（１−（４，５，６，７−テトラヒドロベンゾ［ｅ］イ
ンデン））のジリチウム塩、エチレンビス（１−（４，
５，６，７−テトラヒドロベンゾ［ｅ］インデン））の
ジリチウム塩、

【０１００】イソプロピリデンビス（１−（４，５，
６，７−テトラヒドロベンゾ［ｅ］インデン））のジリ
チウム塩、ジメチルシリレンビス（１−（４，５，６，
７−テトラヒドロベンゾ［ｅ］インデン））のジリチウ
ム塩、メチレンビス（１−（４−フルオロインデン））
のジリチウム塩、エチレンビス（１−（４−フルオロイ
ンデン））のジリチウム塩、イソプロピリデンビス（１
−（４−フルオロインデン））のジリチウム塩、ジメチ
ルシリレンビス（１−（４−フルオロインデン））のジ
リチウム塩、メチレンビス（１−（４−クロロインデ
ン））のジリチウム塩、エチレンビス（１−（４−クロ
ロインデン））のジリチウム塩、イソプロピリデンビス
（１−（４−クロロインデン））のジリチウム塩、ジメ
チルシリレンビス（１−（４−クロロインデン））のジ
リチウム塩、

【０１０１】メチレンビス（１−（５−クロロインデ
ン））のジリチウム塩、エチレンビス（１−（５−クロ
ロインデン））のジリチウム塩、イソプロピリデンビス
（１−（５−クロロインデン））のジリチウム塩、ジメ
チルシリレンビス（１−（５−クロロインデン））のジ
リチウム塩、メチレンビス（１−（３−メトキシインデ
ン））のジリチウム塩、エチレンビス（１−（３−メト
キシインデン））のジリチウム塩、イソプロピリデンビ
ス（１−（３−メトキシインデン））のジリチウム塩、
ジメチルシリレンビス（１−（３−メトキシインデ
ン））のジリチウム塩、メチレンビス（１−（２−メチ
ル−４−フェニルインデン））のジリチウム塩、エチレ
ンビス（１−（２−メチル−４−フェニルインデン））
のジリチウム塩、イソプロピリデンビス（１−（２−メ
チル−４−フェニルインデン））のジリチウム塩、ジメ
チルシリレンビス（１−（２−メチル−４−フェニルイ
ンデン））のジリチウム塩、

【０１０２】メチレンビス（１−（２−メチル−４−
（１−ナフチル）インデン））のジリチウム塩、エチレ
ンビス（１−（２−メチル−４−（１−ナフチル）イン
デン））のジリチウム塩、イソプロピリデンビス（１−
（２−メチル−４−（１−ナフチル）インデン））のジ
リチウム塩、ジメチルシリレンビス（１−（２−メチル
−４−（１−ナフチル）フェニルインデン））のジリチ
ウム塩、メチレンビス（１−（２−メチル−４−（２−
ナフチル）インデン））のジリチウム塩、エチレンビス
（１−（２−メチル−４−（２−ナフチル）インデ
ン））のジリチウム塩、イソプロピリデンビス（１−
（２−メチル−４−（２−ナフチル）インデン））のジ
リチウム塩、ジメチルシリレンビス（１−（２−メチル
−４−（２−ナフチル）フェニルインデン））のジリチ
ウム塩、メチレンビス（１−（２−メチル−４，５−ベ
ンゾインデン））のジリチウム塩、エチレンビス（１−
（２−メチル−４，５−ベンゾインデン））のジリチウ
ム塩、イソプロピリデンビス（１−（２−メチル−４，
５−ベンゾインデン））のジリチウム塩、ジメチルシリ
レンビス（１−（２−メチル−４，５−ベンゾインデ
ン））のジリチウム塩、

【０１０３】メチレンビス（１−（２−メチル−５，６
−ベンゾインデン））のジリチウム塩、エチレンビス
（１−（２−メチル−５，６−ベンゾインデン））のジ
リチウム塩、イソプロピリデンビス（１−（２−メチル
−５，６−ベンゾインデン））のジリチウム塩、ジメチ
ルシリレンビス（１−（２−メチル−５，６−ベンゾイ
ンデン））のジリチウム塩、メチレンビス（１−（２−
メチル−４，５−ナフトインデン））のジリチウム塩、
エチレンビス（１−（２−メチル−４，５−ナフトイン
デン））のジリチウム塩、イソプロピリデンビス（１−
（２−メチル−４，５−ナフトインデン））のジリチウ
ム塩、ジメチルシリレンビス（１−（２−メチル−４，
５−ナフトインデン））のジリチウム塩、

【０１０４】メチレンビス（１−（２−メチル−４，
５，６，７−ジベンゾインデン））のジリチウム塩、エ
チレンビス（１−（２−メチル−４，５，６，７−ジベ
ンゾインデン））のジリチウム塩、イソプロピリデンビ
ス（１−（２−メチル−４，５，６，７−ジベンゾイン
デン））のジリチウム塩、ジメチルシリレンビス（１−
（２−メチル−４，５，６，７−ジベンゾインデン））
のジリチウム塩、メチレンビス（１−（２−メチル−α
−アセナフトインデン））のジリチウム塩、エチレンビ
ス（１−（２−メチル−α−アセナフトインデン））の
ジリチウム塩、イソプロピリデンビス（１−（２−メチ
ル−α−アセナフトインデン））のジリチウム塩、ジメ
チルシリレンビス（１−（２−メチル−α−アセナフト
インデン））のジリチウム塩、メチレンビス（１−（２
−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロインデン））
のジリチウム塩、

【０１０５】エチレンビス（１−（２−メチル−４，
５，６，７−テトラヒドロインデン））のジリチウム
塩、イソプロピリデンビス（１−（２−メチル−４，
５，６，７−テトラヒドロインデン））のジリチウム
塩、ジメチルシリレンビス（１−（２−メチル−４，
５，６，７−テトラヒドロインデン））のジリチウム
塩、メチレンビス（１−（２−メチル−４，５，６，７
−テトラヒドロベンゾ［ｅ］インデン））のジリチウム
塩、エチレンビス（１−（２−メチル−４，５，６，７
−テトラヒドロベンゾ［ｅ］インデン））のジリチウム
塩、イソプロピリデンビス（１−（２−メチル−４，
５，６，７−テトラヒドロベンゾ［ｅ］インデン））の
ジリチウム塩、ジメチルシリレンビス（１−（２−メチ
ル−４，５，６，７−テトラヒドロベンゾ［ｅ］インデ
ン））のジリチウム塩、メチレンビス（１−（２−メチ
ル−４−フルオロインデン））のジリチウム塩、エチレ
ンビス（１−（２−メチル−４−フルオロインデン））
のジリチウム塩、

【０１０６】イソプロピリデンビス（１−（２−メチル
−４−フルオロインデン））のジリチウム塩、ジメチル
シリレンビス（１−（２−メチル−４−フルオロインデ
ン））のジリチウム塩、メチレンビス（２−メチル−４
−クロロインデン）のジリチウム塩、エチレンビス（１
−（２−メチル−４−クロロインデン））のジリチウム
塩、イソプロピリデンビス（１−（２−メチル−４−ク
ロロインデン））のジリチウム塩、ジメチルシリレンビ
ス（１−（２−メチル−４−クロロインデン））のジリ
チウム塩、メチレンビス（１−（２−メチル−５−クロ
ロインデン））のジリチウム塩、エチレンビス（１−
（２−メチル−５−クロロインデン））のジリチウム
塩、

【０１０７】イソプロピリデンビス（１−（２−メチル
−５−クロロインデン））のジリチウム塩、ジメチルシ
リレンビス（１−（２−メチル−５−クロロインデ
ン））のジリチウム塩、メチレンビス（１−（２−メチ
ル−３−メトキシインデン））のジリチウム塩、エチレ
ンビス（１−（２−メチル−３−メトキシインデン））
のジリチウム塩、イソプロピリデンビス（１−（２−メ
チル−３−メトキシインデン））のジリチウム塩、ジメ
チルシリレンビス（１−（２−メチル−３−メトキシイ
ンデン））のジリチウム塩、メチレンビス（４−インデ
ン）のジリチオ塩、エチレンビス（４−インデン）のジ
リチオ塩、イソプロピリデンビス（４−インデン）のジ
リチオ塩、ジメチルシリレンビス（４−インデン）のジ
リチオ塩、メチレンビス（４−（２，７−ジメチルイン
デン））のジリチオ塩、エチレンビス（４−（２，７−
ジメチルインデン））のジリチオ塩、

【０１０８】イソプロピリデンビス（４−（２，７−ジ
メチルインデン））のジリチオ塩、ジメチルシリレンビ
ス（４−（２，７−ジメチルインデン））のジリチオ
塩、メチレンビス（４−（２−ｔｅｒｔ−ブチルインデ
ン））のジリチオ塩、エチレンビス（４−（２−ｔｅｒ
ｔ−ブチルインデン））のジリチオ塩、イソプロピリデ
ンビス（４−（２−ｔｅｒｔ−ブチルインデン））のジ
リチオ塩、ジメチルシリレンビス（４−（２−ｔｅｒｔ
−ブチルインデン））のジリチオ塩、メチレンビス（１
−（アズレン））のジリチウム塩、エチレンビス（１−
（アズレン））のジリチウム塩、イソプロピリデンビス
（１−（アズレン））のジリチウム塩、ジメチルシリレ
ンビス（１−（アズレン））のジリチウム塩、メチレン
ビス（１−（４−メチルアズレン））のジリチウム塩、

【０１０９】エチレンビス（１−（４−メチルアズレ
ン））のジリチウム塩、イソプロピリデンビス（１−
（４−メチルアズレン））のジリチウム塩、ジメチルシ
リレンビス（１−（４−メチルアズレン））のジリチウ
ム塩、メチレンビス（１−（４，４−ジメチルアズレ
ン））のジリチウム塩、エチレンビス（１−（４，４−
ジメチルアズレン））のジリチウム塩、イソプロピリデ
ンビス（１−（４，４−ジメチルアズレン））のジリチ
ウム塩、ジメチルシリレンビス（１−（４，４−ジメチ
ルアズレン））のジリチウム塩、

【０１１０】メチレンビス（１−（４，４−ジフェニル
アズレン））のジリチウム塩、エチレンビス（１−
（４，４−ジフェニルアズレン））のジリチウム塩、イ
ソプロピリデンビス（１−（４，４−ジフェニルアズレ
ン））のジリチウム塩、ジメチルシリレンビス（１−
（４，４−ジフェニルアズレン））のジリチウム塩、メ
チレンビス（１−（２，４−ジメチルアズレン））のジ
リチウム塩、エチレンビス（１−（２，４−ジメチルア
ズレン））のジリチウム塩、イソプロピリデンビス（１
−（２，４−ジメチルアズレン））のジリチウム塩、ジ
メチルシリレンビス（１−（２，４−ジメチルアズレ
ン））のジリチウム塩、メチレンビス（１−（２−メチ
ル−４−ｉｓｏ−プロピルアズレン））のジリチウム
塩、エチレンビス（１−（２−メチル−４−ｉｓｏ−プ
ロピルアズレン））のジリチウム塩、イソプロピリデン
ビス（１−（２−メチル−４−ｉｓｏ−プロピルアズレ
ン））のジリチウム塩、ジメチルシリレンビス（１−
（２−メチル−４−ｉｓｏ−プロピルアズレン））のジ
リチウム塩、

【０１１１】メチレンビス（１−（２−メチル−４−フ
ェニルアズレン））のジリチウム塩、エチレンビス（１
−（２−メチル−４−フェニルアズレン））のジリチウ
ム塩、イソプロピリデンビス（１−（２−メチル−４−
フェニルアズレン））のジリチウム塩、ジメチルシリレ
ンビス（１−（２−メチル−４−フェニルアズレン））
のジリチウム塩、メチレンビス（１−（２，４，４−ト
リメチルアズレン））のジリチウム塩、エチレンビス
（１−（２，４，４−トリメチルアズレン））のジリチ
ウム塩、イソプロピリデンビス（１−（２，４，４−ト
リメチルアズレン））のジリチウム塩、ジメチルシリレ
ンビス（１−（２，４，４−トリメチルアズレン））の
ジリチウム塩、メチレンビス（１−（２−メチル−４，
４−ジフェニルアズレン））のジリチウム塩、エチレン
ビス（１−（２−メチル−４，４−ジフェニルアズレ
ン））のジリチウム塩、

【０１１２】イソプロピリデンビス（１−（２−メチル
−４，４−ジフェニルアズレン））のジリチウム塩、ジ
メチルシリレンビス（１−（２−メチル−４，４−ジフ
ェニルアズレン））のジリチウム塩、メチレンビス（１
−（ヘキサヒドロアズレン））のジリチウム塩、エチレ
ンビス（１−（ヘキサヒドロアズレン））のジリチウム
塩、イソプロピリデンビス（１−（ヘキサヒドロアズレ
ン））のジリチウム塩、ジメチルシリレンビス（１−
（ヘキサヒドロアズレン））のジリチウム塩、メチレン
ビス（１−（４−メチルヘキサヒドロアズレン））のジ
リチウム塩、エチレンビス（１−（４−メチルヘキサヒ
ドロアズレン））のジリチウム塩、イソプロピリデンビ
ス（１−（４−メチルヘキサヒドロアズレン））のジリ
チウム塩、

【０１１３】ジメチルシリレンビス（１−（４−メチル
ヘキサヒドロアズレン））のジリチウム塩、メチレンビ
ス（１−（４，４−ジメチルヘキサヒドロアズレン））
のジリチウム塩、エチレンビス（１−（４，４−ジメチ
ルヘキサヒドロアズレン））のジリチウム塩、イソプロ
ピリデンビス（１−（４，４−ジメチルヘキサヒドロア
ズレン））のジリチウム塩、ジメチルシリレンビス（１
−（４，４−ジメチルヘキサヒドロアズレン））のジリ
チウム塩、メチレンビス（１−（４，４−ジフェニルヘ
キサヒドロアズレン））のジリチウム塩、エチレンビス
（１−（４，４−ジフェニルヘキサヒドロアズレン））
のジリチウム塩、イソプロピリデンビス（１−（４，４
−ジフェニルヘキサヒドロアズレン））のジリチウム
塩、ジメチルシリレンビス（１−（４，４−ジフェニル
ヘキサヒドロアズレン））のジリチウム塩、メチレンビ
ス（１−（２，４−ジメチルヘキサヒドロアズレン））
のジリチウム塩、エチレンビス（１−（２，４−ジメチ
ルヘキサヒドロアズレン））のジリチウム塩、イソプロ
ピリデンビス（１−（２，４−ジメチルヘキサヒドロア
ズレン））のジリチウム塩、ジメチルシリレンビス（１
−（２，４−ジメチルヘキサヒドロアズレン））のジリ
チウム塩、

【０１１４】メチレンビス（１−（２−メチル−４−ｉ
ｓｏ−プロピルヘキサヒドロアズレン））のジリチウム
塩、エチレンビス（１−（２−メチル−４−ｉｓｏ−プ
ロピルヘキサヒドロアズレン））のジリチウム塩、イソ
プロピリデンビス（１−（２−メチル−４−ｉｓｏ−プ
ロピルヘキサヒドロアズレン））のジリチウム塩、ジメ
チルシリレンビス（１−（２−メチル−４−ｉｓｏ−プ
ロピルヘキサヒドロアズレン））のジリチウム塩、メチ
レンビス（１−（２−メチル−４−フェニルヘキサヒド
ロアズレン））のジリチウム塩、エチレンビス（１−
（２−メチル−４−フェニルヘキサヒドロアズレン））
のジリチウム塩、イソプロピリデンビス（１−（２−メ
チル−４−フェニルヘキサヒドロアズレン））のジリチ
ウム塩、

【０１１５】ジメチルシリレンビス（１−（２−メチル
−４−フェニルヘキサヒドロアズレン））のジリチウム
塩、メチレンビス（１−（２，４，４−トリメチルヘキ
サヒドロアズレン））のジリチウム塩、エチレンビス
（１−（２，４，４−トリメチルヘキサヒドロアズレ
ン））のジリチウム塩、イソプロピリデンビス（１−
（２，４，４−トリメチルヘキサヒドロアズレン））の
ジリチウム塩、ジメチルシリレンビス（１−（２，４，
４−トリメチルヘキサヒドロアズレン））のジリチウム
塩、メチレンビス（１−（２−メチル−４，４−ジフェ
ニルヘキサヒドロアズレン））のジリチウム塩、エチレ
ンビス（１−（２−メチル−４，４−ジフェニルヘキサ
ヒドロアズレン））のジリチウム塩、イソプロピリデン
ビス（１−（２−メチル−４，４−ジフェニルヘキサヒ
ドロアズレン））のジリチウム塩、ジメチルシリレンビ
ス（１−（２−メチル−４，４−ジフェニルヘキサヒド
ロアズレン））のジリチウム塩、メチレンビス（９−フ
ルオレン）のジリチウム塩、

【０１１６】エチレンビス（９−フルオレン）のジリチ
ウム塩、イソプロピリデンビス（９−フルオレン）のジ
リチウム塩、ジフェニリデンビス（９−フルオレン）の
ジリチウム塩、ジメチルシリレンビス（９−フルオレ
ン）のジリチウム塩、ジフェニルシリレンビス（９−フ
ルオレン）のジリチウム塩、メチレンビス（９−（２−
メチルフルオレン））のジリチウム塩、エチレンビス
（９−（２−メチルフルオレン））のジリチウム塩、イ
ソプロピリデンビス（９−（２−メチルフルオレン））
のジリチウム塩、ジフェニリデンビス（９−（２−メチ
ルフルオレン））のジリチウム塩、ジメチルシリレンビ
ス（９−（２−メチルフルオレン））のジリチウム塩、
ジフェニルシリレンビス（９−（２−メチルフルオレ
ン））のジリチウム塩、

【０１１７】メチレンビス（９−（２，７−ジ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフルオレン））のジリチウム塩、エチレンビ
ス（９−（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフルオレ
ン））のジリチウム塩、イソプロピリデンビス（９−
（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフルオレン））のジリ
チウム塩、ジフェニリデンビス（９−（２，７−ジ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフルオレン））のジリチウム塩、ジメチ
ルシリレンビス（９−（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
フルオレン））のジリチウム塩、ジフェニルシリレンビ
ス（９−（２，７−ビス（ジメチルアミノ）フルオレ
ン））のジリチウム塩、メチレンビス（９−（２，７−
ビス（ジメチルアミノ）フルオレン））のジリチウム
塩、エチレンビス（９−（２，７−ビス（ジメチルアミ
ノ）フルオレン））のジリチウム塩、

【０１１８】イソプロピリデンビス（９−（２，７−ビ
ス（ジメチルアミノ）フルオレン））のジリチウム塩、
ジフェニリデンビス（９−（２，７−ビス（ジメチルア
ミノ）フルオレン））のジリチウム塩、ジメチルシリレ
ンビス（９−（２，７−ビス（ジメチルアミノ）フルオ
レン））のジリチウム塩、ジフェニルシリレンビス（９
−（２，７−ビス（ジメチルアミノ）フルオレン））の
ジリチウム塩、メチレン（９−フルオレン）（１−シク
ロペンタジエン）のジリチウム塩、エチレン（９−フル
オレン）（１−シクロペンタジエン）のジリチウム塩、
イソプロピリデン（９−フルオレン）（１−シクロペン
タジエン）のジリチウム塩、ジフェニリデン（９−フル
オレン）（１−シクロペンタジエン）のジリチウム塩、
ジメチルシリレン（９−フルオレン）（１−シクロペン
タジエン）のジリチウム塩、ジフェニルシリレン（９−
フルオレン）（１−シクロペンタジエン）のジリチウム
塩、

【０１１９】メチレン（９−（２，７−ジメチルフルオ
レン））（１−シクロペンタジエン）のジリチウム塩、
エチレン（９−（２，７−ジメチルフルオレン））（１
−シクロペンタジエン）のジリチウム塩、イソプロピリ
デン（９−（２，７−ジメチルフルオレン））（１−シ
クロペンタジエン）のジリチウム塩、ジフェニリデン
（９−（２，７−ジメチルフルオレン））（１−シクロ
ペンタジエン）のジリチウム塩、ジメチルシリレン（９
−（２，７−ジメチルフルオレン））（１−シクロペン
タジエン）のジリチウム塩、ジフェニルシリレン（９−
（２，７−ジメチルフルオレン））（１−シクロペンタ
ジエン）のジリチウム塩、

【０１２０】メチレン（９−（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−
ブチルフルオレン））（１−シクロペンタジエン）のジ
リチウム塩、エチレン（９−（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−
ブチルフルオレン））（１−シクロペンタジエン）のジ
リチウム塩、イソプロピリデン（９−（２，７−ジ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフルオレン））（１−シクロペンタジエ
ン）のジリチウム塩、ジフェニリデン（９−（２，７−
ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフルオレン））（１−シクロペン
タジエン）のジリチウム塩、ジメチルシリレン（９−
（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフルオレン））（１−
シクロペンタジエン）のジリチウム塩、ジフェニルシリ
レン（９−（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフルオレ
ン））（１−シクロペンタジエン）のジリチウム塩、

【０１２１】メチレン（１−インデン）（１−シクロペ
ンタジエン）のジリチウム塩、エチレン（１−インデ
ン）（１−シクロペンタジエン）のジリチウム塩、イソ
プロピリデン（１−インデン）（１−シクロペンタジエ
ン）のジリチウム塩、ジフェニリデン（１−インデン）
（１−シクロペンタジエン）のジリチウム塩、ジメチル
シリレン（１−インデン）（１−シクロペンタジエン）
のジリチウム塩、ジフェニルシリレン（１−インデン）
（１−シクロペンタジエン）のジリチウム塩、メチレン
（１−（３−ｔｅｒｔ−ブチルインデン））（１−（３
−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエン））のジリチウ
ム塩、エチレン（１−（３−ｔｅｒｔ−ブチルインデ
ン））（１−（３−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエ
ン））のジリチウム塩、イソプロピリデン（１−（３−
ｔｅｒｔ−ブチルインデン））（１−（３−ｔｅｒｔ−
ブチルシクロペンタジエン））のジリチウム塩、ジフェ
ニリデン（１−（３−ｔｅｒｔ−ブチルインデン））
（１−（３−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエン））
のジリチウム塩、ジメチルシリレン（１−（３−ｔｅｒ
ｔ−ブチルインデン））（１−（３−ｔｅｒｔ−ブチル
シクロペンタジエン））のジリチウム塩、

【０１２２】ジフェニルシリレン（１−（３−ｔｅｒｔ
−ブチルインデン））（１−（３−ｔｅｒｔ−ブチルシ
クロペンタジエン））のジリチウム塩、メチレン（１−
（３−ｔｅｒｔ−ブチルインデン））（１−（テトラメ
チルシクロペンタジエン））のジリチウム塩、エチレン
（１−（３−ｔｅｒｔ−ブチルインデン））（１−（テ
トラメチルシクロペンタジエン））のジリチウム塩、イ
ソプロピリデン（１−（３−ｔｅｒｔ−ブチルインデ
ン））（１−（テトラメチルシクロペンタジエン））の
ジリチウム塩、ジフェニリデン（１−（３−ｔｅｒｔ−
ブチルインデン））（１−（テトラメチルシクロペンタ
ジエン））のジリチウム塩、ジメチルシリレン（１−
（３−ｔｅｒｔ−ブチルインデン））（１−（テトラメ
チルシクロペンタジエン））のジリチウム塩、

【０１２３】ジフェニルシリレン（１−（３−ｔｅｒｔ
−ブチルインデン））（１−（テトラメチルシクロペン
タジエン））のジリチウム塩、メチレン（１−インデ
ン）（９−フルオレン）のジリチウム塩、エチレン（１
−インデン）（９−フルオレン）のジリチウム塩、イソ
プロピリデン（１−インデン）（９−フルオレン）のジ
リチウム塩、ジフェニリデン（１−インデン）（９−フ
ルオレン）のジリチウム塩、ジメチルシリレン（１−イ
ンデン）（９−フルオレン）のジリチウム塩、ジフェニ
ルシリレン（１−インデン）（９−フルオレン）のジリ
チウム塩、メチレン（１−（２−メチルインデン））
（９−フルオレン）のジリチウム塩、エチレン（１−
（２−メチルインデン））（９−フルオレン）のジリチ
ウム塩、イソプロピリデン（１−（２−メチルインデ
ン））（９−フルオレン）のジリチウム塩、ジフェニリ
デン（１−（２−メチルインデン））（９−フルオレ
ン）のジリチウム塩、

【０１２４】ジメチルシリレン（１−（２−メチルイン
デン））（９−フルオレン）のジリチウム塩、ジフェニ
ルシリレン（１−（２−メチルインデン））（９−フル
オレン）のジリチウム塩、及び上記化合物中のリチウム
原子が次に記載した原子で置換された各々の化合物、則
ちナトリウム原子で置換されたジナトリウム塩化合物、
ジカリウム塩化合物、リチウム原子のうち一方がナトリ
ウム原子で置換された形態のリチウムナトリウム塩化合
物、１族原子であるリチウム原子、ナトリウム原子、及
び／またはカリウム原子等から選ばれる複塩化合物、な
らびに２族原子であるマグネシウム原子、またはカルシ
ウム原子等から選ばれる塩化合物が例示される。

【０１２５】一般式（ＩＩ）で表わされる化合物のＭ¹
には、エ−テル類、またはアミン類が１〜５０の配位数
で配位していてもよい。エ−テル類及びアミン類の非制
限的な例として、ジエチルエ−テル、ジイソプロピルエ
−テル、ジ−ｎ−プロピルエーテル、ｎ−ブチルエーテ
ル、アニソール、フェネトール、ジフェニルエーテル、
１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、フラン、テト
ラヒドロフラン、ピリジン、トリメチルアミン、トリエ
チルアミン等が挙げられるが、この限りではない。

【０１２６】一般式（Ｉ）で表わされる化合物と、一般
式（ＩＩ）で表される化合物の組合せにおいては、任意
の組合せにおいて反応が進行し得るため、本発明は特定
の組合せには限定されない。好ましくは、一般式（Ｉ
Ｉ）で表される化合物を構成するＬ¹及びＬ²が立体的に
かさ高い場合には、一般式（Ｉ）で表される化合物がよ
り立体的に小さくなるように選択することが、錯形成反
応をより支障なく進行させる為には望ましい。一般式
（ＩＩ）で表される化合物はその構造が広範囲に亘るた
め、個々の事例においては以上の限りではないが、さら
に反応を良好に進行させることを所望する場合、組合せ
を種々試行錯誤により最適化すればよい。

【０１２７】なお、一般式（ＩＩ）で表される化合物の
構造に依り、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は構造
異性体が存在し得る場合がある。すなわち、シクロペン
タジエン環の２、３位の側と、４、５位の側が非対称で
あり、かつＬ１及びＬ２が同一の構造である場合には、
ラセミ型、及びメソ型構造を有するメタロセン化合物が
生成し得る。しかし驚くべきことに、一般式（Ｉ）で表
される化合物と、一般式（ＩＩ）で表される化合物との
反応においては、その組合せを選択することにより、一
般式（ＩＩＩ）で表される化合物を、ラセミ型選択的、
またはメソ型選択的に生成させ、対応する立体構造を有
するメタロセン化合物を選択的に合成することができ
る。

【０１２８】なお、一般式（Ｉ）で表される化合物、ま
たは一般式（ＩＩ）で表される化合物の構造によって、
一般式（ＩＩＩ）で表されるラセミ型、またはメソ型メ
タロセン化合物には、さらに各々異性体が存在する場合
がある。一例を示せば一般式（Ｉ）で表される化合物が
ｒ＝１の場合、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物とし
てメソ型が生成すれば、Ｘの位置に因る２種類のメソ型
ジアステレオマ−が存在し得る。しかし引き続いて行う
ハロゲン化反応により、この２種類のメソ型ジアステレ
オマ−は一般式（ＩＶ）で表される１種類のメソ型メタ
ロセン化合物に集約される。

【０１２９】本発明においては、このジアステレオマ−
のうち立体障害の少ない異性体が優先的に生成する傾向
が認められるが、一般式（Ｉ）で表される化合物と、一
般式（ＩＩ）で表される化合物の組合せを選択すること
により、ジアステレオマ−の生成比率を変化させる事も
可能であることが推測される。前述の組合せによって得
られる一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は、その組合
せによってラセミ型、またはメソ型の立体選択性が異な
る。従ってラセミ型、またはメソ型のうち、必要な立体
構造を考慮して組合せを選ぶことにより、生成するメタ
ロセン化合物の立体構造を自由に制御することができ
る。その非制限的例を示せば、次のようになる。

【０１３０】一般式（ＩＩ）で表される化合物として
１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチウム塩
の場合、一般式（Ｉ）で表される化合物としてＮ−メチ
ルアニリドジルコニウムトリクロライド・ビステトラヒ
ドロフランとの組合せでは、ラセミ型：メソ型の比率が
８０：２０でメタロセン化合物が生成する。これに対
し、一般式（Ｉ）で表される化合物としてＮ−トリメチ
ルシリル−ｔｅｒｔ−ブチルアミドジルコニウムトリク
ロライド・ビステトラヒドロフランとの組合せでは、立
体選択性が逆転してラセミ型：メソ型の比率が３４：６
６でメタロセン化合物が生成する。

【０１３１】また、一般式（ＩＩ）で表される化合物と
してジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベン
ゾインデン）のジリチウム塩の場合、一般式（Ｉ）で表
される化合物としてＮ−メチルアニリドジルコニウムト
リクロライド・ビステトラヒドロフランの組合せでは、
ラセミ型：メソ型の比率が７０：３０でメタロセン化合
物が生成する。これに対し、一般式（Ｉ）で表される化
合物としてビス（Ｎ−トリメチルシリル−シクロヘキシ
ルアミド）ジルコニウムジクロライド・ビステトラヒド
ロフランの組合せでは、立体選択性が逆転してラセミ
型：メソ型の比率が４１：５９でメタロセン化合物が生
成する。

【０１３２】一般式（ＩＩ）で表される化合物はその構
造が多岐に亘り、個々の事例における立体選択性は以上
の限りではないが、立体選択をより所望する割合にて反
応を進行させたい場合には、組合せを種々試行錯誤によ
り最適化すればよい。尚、ラセミ型、またはメソ型メタ
ロセン化合物の合成において、ラセミ型及びメソ型の溶
解度の差が僅少である場合ほど、錯形成時の立体選択性
がより高いことが当然望ましい。ラセミ型及びメソ型の
溶解度の差が僅少な場合、錯形成時に立体選択性が無け
れば一方の構造を単離することは難しい。しかし立体選
択性が少しでも発現して一方の構造が優先的に生成して
いれば、優先的に生成した構造の単離はかなり容易とな
る。このような場合の一例を示せば、ラセミ型：メソ型
の割合が５０：５０の混合物から一方の構造を単離する
ことは困難を伴うが、ラセミ型：メソ型の割合が６０：
４０の混合物から一方の構造を単離することはかなり容
易となる。従って立体選択性が完全な場合のみ本発明の
目的が達成されるのではなく、ラセミ型：メソ型の割合
を調整することは、その有意性が存在する。

【０１３３】一般式（ＩＩ）で表される化合物の合成法
としては、一例として下記一般式（Ｖ） （Ｌ¹）Ｈ−Ｃ−（Ｌ²）Ｈ （Ｖ） （式中、Ｌ¹及びＬ²は各々独立して互いに同じでも異な
ってもよいシクロペンタジエニル基、置換シクロペンタ
ジエニル基、インデニル基、置換インデニル基、アズレ
ニル基、置換アズレニル基、フルオレニル基、または置
換フルオレニル基を表わし、ＣはＬ¹及びＬ²を連結する
炭素原子数１〜２０の炭化水素基、炭素原子数１〜２０
の炭化水素基を有してもよいシリレン基、オリゴシリレ
ン基、またはゲルミレン基を表す。）で表される化合物
を溶媒中冷却し、脱プロトン化剤を添加した後、室温に
て３０分間〜一夜撹拌することによって得ることができ
る。ここに例示した、一般式（Ｖ）で表される化合物か
ら、一般式（ＩＩ）で表される化合物を合成する方法は
公知技術であるが、既知、新規を問わず他の方法にて一
般式（ＩＩ）で表される化合物を合成した場合でも、本
発明には影響を及ぼさない。脱プロトン化剤は１族元
素、２族元素及びこれらを含む化合物が挙げられ、Ｌ
ｉ、Ｎａ、Ｋ、ＬｉＨ、ＮａＨ、ＫＨ、ＭｅＬｉ、ｎ−
ＢｕＬｉ、ｓｅｃ−ＢｕＬｉ、ｔｅｒｔ−ＢｕＬｉ、あ
るいはこれらをｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、または
ジエチルエ−テル等の有機溶媒に溶解した溶液等が例示
される。使用する有機溶媒は、ｎ−ヘキサン、シクロヘ
キサン、またはトルエン等の炭化水素系溶媒全般、及び
ＴＨＦ、ジエチルエ−テル等のエ−テル系溶媒全般、ま
たはその混合溶媒を使用することができる。

【０１３４】一般式（Ｉ）で表される化合物と、一般式
（ＩＩ）で表される化合物の反応は、以下の通り行うこ
とができる。反応容器中、一般式（Ｉ）で表される化合
物と、一般式（ＩＩ）で表される化合物を、有機溶媒の
存在下混合することにより行われる。反応に用いること
のできる有機溶媒は、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、
石油エ−テル、ベンゼン、またはトルエン等を非制限的
例示として挙げることのできる炭化水素系溶媒全般、ク
ロロホルム、ジクロロメタン、またはクロロベンゼン等
を非制限的例示として挙げることのできるハロゲン化炭
化水素系溶媒全般、及びＴＨＦ、ジエチルエ−テル、ジ
イソプロピルエ−テル等を非制限的例示として挙げるこ
とのできるエ−テル系溶媒全般、またはその混合溶媒で
ある。好ましくは反応試剤が僅かかそれ以上に溶解し得
る、極性を有する有機溶媒であり、具体的には、トルエ
ン、クロロホルム、ジクロロメタン、ＴＨＦ、ジエチル
エ−テル、またはジイソプロピルエ−テル等を非制限的
に例示することができる。当然ここに例示しなかったそ
の他の溶媒でも、本反応を進行させることができ、本発
明の実施において溶媒の選択は重要な意味をもたない。
但し、アミン系溶媒を本反応において用いた場合には、
反応性等が影響を受ける可能性があるため、注意は必要
である。

【０１３５】一般式（Ｉ）または一般式（ＩＩ）で表さ
れる化合物のＭ¹には、エ−テル類、またはアミン類が
任意の配位数で配位していてもよいことは前述したが、
この理由は一般式（Ｉ）で表される化合物と、一般式
（ＩＩ）で表される化合物の反応が主に溶媒中にて行わ
れるからである。本反応において、一般式（Ｉ）で表さ
れる化合物は反応溶媒に対して僅かかそれ以上に溶解し
ていることがより好ましいが、このような条件下におい
ては、一般式（Ｉ）で表される化合物には溶媒分子が多
数配位した状況にあり、元来配位していたエ−テル類、
またはアミン類が反応に及ぼす影響は無視できる程小さ
い。従って、一般式（Ｉ）で表される化合物に配位した
化合物、またはその配位数によって、本反応は影響を受
けない。しかし、一般式（Ｉ）で表される化合物にアミ
ン類が配位数５以上で配位している場合には、反応性、
立体選択性が影響を受ける可能性があるため、注意は必
要である。

【０１３６】尚、本反応は一般式（Ｉ）で表される化合
物、または一般式（ＩＩ）で表される化合物の何れかが
液体状である場合、溶媒は必ずしも必要ではない。本反
応における各々の反応試剤のモル比は、一般式（Ｉ）で
表される化合物を基準とした場合、一般式（ＩＩ）で表
される化合物の仕込み量を０．５〜２当量用いることが
できる。好ましくは、０．８〜１．３当量である。本反
応は−８０℃〜１５０℃の温度範囲において、１分間〜
一夜撹拌するのみで反応は完結する。しかし本反応にお
いて温度範囲、反応時間は限定的なものではなく、任意
の温度範囲、反応時間において実施することができる。
通常は室温にて、３０分間〜３時間程度の条件にて反応
が完結する。この反応溶液から、副生した塩を除去する
ことで、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物が得られ
る。

【０１３７】一般式（ＩＩＩ）で表される化合物のＭ¹
には、エ−テル類、またはアミン類が１〜５０の配位数
で配位していてもよい。エ−テル類及びアミン類の非制
限的な例として、ジエチルエ−テル、ジイソプロピルエ
−テル、ジ−ｎ−プロピルエーテル、ｎ−ブチルエーテ
ル、アニソール、フェネトール、ジフェニルエーテル、
１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、フラン、テト
ラヒドロフラン、ピリジン、トリメチルアミン、トリエ
チルアミン等が挙げられるが、この限りではない。

【０１３８】一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は、メ
チルアルモキサン等の助触媒存在下、オレフィン重合用
触媒としての性能を示す可能性が期待される。

【０１３９】一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は、ハ
ロゲン化剤を作用させることにより通常オレフィンの重
合用触媒として用いられる一般式（ＩＶ）で表されるジ
ハロゲノメタロセン化合物への変換を行うことができ
る。このハロゲン化反応では、一般式（ＩＩＩ）で表さ
れる化合物のラセミ型、メソ型の立体構造はそのまま保
持されたまま、一般式（ＩＶ）で表される化合物に変換
される。一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の類似体と
して、エチレンビス（インデニル）ジルコニウムビス
（ジメチルアミド）、ジメチルシリレンビス（インデニ
ル）ジルコニウムビス（ジメチルアミド）、及びジメチ
ルシリレンビス（インデニル）ハフニウムビス（ジメチ
ルアミド）を、Ｍｅ₃ＳｉＣｌ、またはＭｅ₂ＮＨ・ＨＣ
ｌを用いて塩素化した例が知られている（ＷＯ９５／３
２９７９；米国特許５４９５０３５；Organometallics,
14,5(1995);J.Am.Chem.Soc.,118,8024(1996)）。しか
し、本特許記載の一般式（ＩＩＩ）で表される化合物を
ハロゲン化した例は知られていない。

【０１４０】ハロゲン化反応は、反応容器中一般式（Ｉ
ＩＩ）で表される化合物を、有機溶媒の存在下ハロゲン
化剤を加えて撹拌させることにより行われる。反応に用
いることのできる有機溶媒は、ｎ−ヘキサン、シクロヘ
キサン、石油エ−テル、ベンゼン、またはトルエン等を
非制限的例示として挙げることのできる炭化水素系溶媒
全般、クロロホルム、ジクロロメタン、またはクロロベ
ンゼン等を非制限的例示として挙げることのできるハロ
ゲン化炭化水素系溶媒全般、及びＴＨＦ、ジエチルエ−
テル、ジイソプロピルエ−テル等を非制限的例示として
挙げることのできるのエ−テル系溶媒全般、またはその
混合溶媒である。好ましくは反応試剤または一般式（Ｉ
ＩＩ）で表される化合物が僅かかそれ以上に溶解し得
る、極性を有する有機溶媒であり、具体的には、トルエ
ン、クロロホルム、ジクロロメタン、ＴＨＦ、ジエチル
エ−テル、またはジイソプロピルエ−テル等を非制限的
に例示することができる。尚、本反応は一般式（ＩＩ
Ｉ）で表される化合物が液体状である場合、溶媒は必ず
しも必要ではない。本反応は−１００℃〜１５０℃の温
度範囲において実施可能であるが、好ましくは−８０℃
〜室温である。ハロゲン化剤としては、Ｍｅ₃ＳｉＣ
ｌ、及びＭｅ₃ＳｉＩ等のトリアルキルシリルハロゲノ
イド、ならびにＭｅ₂ＮＨ・ＨＦ、Ｍｅ₂ＮＨ・ＨＣｌ、
Ｅｔ₂ＮＨ・ＨＣｌ、及びアニリン・ＨＣｌ等を例示で
きるアミンハロゲン塩、ならびにＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢ
ｒ、及びＨＩ等のハロゲン化水素ガス、ならびにフッ酸
水溶液、及び塩酸等のハロゲン化水素水溶液を用いるこ
とができる。好ましくはジアルキルアミンの塩酸塩、及
びハロゲン化水素ガスである。本反応は１分間〜３時間
程度撹拌するのみで完結する。

【０１４１】しかし本反応において温度範囲、反応時間
は限定的なものではなく、任意の温度範囲、反応時間に
おいて実施することができる。本反応における各々の反
応試剤のモル比は、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物
を基準とした場合、ハロゲン化剤の仕込み量は０．５当
量以上必要である。好ましくは、一般式（ＩＩＩ）で表
される化合物のうち、ｒ＝１の場合には、ハロゲン化剤
の仕込み量は０．９当量以上用いることが望ましく、一
般式（ＩＩＩ）で表される化合物のうち、ｒ＝２の場合
には、ハロゲン化剤の仕込み量は１．８当量以上用いる
ことが望ましい。また、ハロゲン化剤として、トリアル
キルシリルハロゲノイド、またはアミンハロゲン塩を用
いる場合には、ハロゲン化剤の仕込み量の上限を、一般
式（ＩＩＩ）で表される化合物のうち、ｒ＝１の場合に
は、ハロゲン化剤の仕込み量を１．５当量以下用いるこ
とが望ましく、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物のう
ち、ｒ＝２の場合には、ハロゲン化剤の仕込み量は３当
量以下用いることが望ましい。

【０１４２】この反応溶液から、再結晶等の通常の精製
操作により、一般式（ＩＶ）で表される化合物を高収率
で得ることが出来る。

【実施例、参考例及び比較例】次に、本発明を実施例、
参考例、及び比較例によりさらに具体的に説明するが、
本発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。なお、本実施例、参考例、及び比較例においては、
反応はアルゴンガスまたは窒素ガス等の不活性ガス雰囲
気下にて行った。また、反応に使用した溶媒は、乾燥、
脱気したものを用いた。

【０１４３】参考例１ 一般式（Ｉ）で表される化合物の合成 （Ｎ−メチルアニリド）ジルコニウムトリクロライドの
合成 ５００ｍｌのシュレンクチュ−ブへ、Ｎ−メチルアニリ
ンを１６．７ｇ（０．１５６ｍｏｌ）、テトラヒドロフ
ラン３１２ｍｌを仕込み、０℃に冷却した。ｎ−ＢｕＬ
ｉのｎ−ヘキサン溶液（１．５７Ｎ）１０４ｍｌ（０．
１６４ｍｏｌ）を１分間かけて滴下し、室温にて２．５
時間撹拌保持した。別の５００ｍｌシュレンクチュ−ブ
へ、ＺｒＣｌ₄を３６．３ｇ（０．１５６ｍｏｌ）、ｎ
−ペンタンを３０ｍｌ仕込み、−８０℃に冷却後、撹拌
しながらテトラヒドロフランを１００ｍｌ加え、室温に
戻した。ここに、先に調整したＮ−メチルアニリンのア
ニオン溶液を２５分間かけて滴下し、反応熱は水冷によ
り吸収した。滴下終了後には反応液が淡黄色溶液にな
り、室温にて終夜撹拌を行った。反応後溶媒を減圧下に
て留去し、４５０ｍｌの塩化メチレンにて抽出して不溶
の塩化リチウムを除いた。溶媒を減圧留去し、粗生成物
を８０．９ｇ得た。この粗生成物は、１３０ｍｌのテト
ラヒドロフラン、４０ｍｌのｎ−ペンタンからなる混合
溶媒を加えて撹拌し、静置後二層に分離した液相のうち
上層を除くことにより精製し、赤褐色粘性液体である
（Ｎ−メチルアニリド）ジルコニウムトリクロライド・
ビステトラヒドロフランを得た。収量６２．４ｇ 収率
８９％¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 1.7〜2.2(m,THF,8H)
3.73(s,N-Me,3H) 3.7〜4.7(m,THF,8H) 6.6〜7.3(m,Ph,
5H)

【０１４４】実施例１ （Ｎ−メチルアニリド）ジルコニウムトリクロライド・
ビステトラヒドロフランと、１，２−ビス（３−インデ
ニル）エタンのジリチウム塩の反応 １００ｍｌのシュレンクチュ−ブへ、１，２−ビス（３
−インデニル）エタンを５．００ｇ（１９．３ｍｍｏ
ｌ）を仕込み、テトラヒドロフランを４０ｍｌを加えて
溶解させた。０℃に冷却後、ｎ−ＢｕＬｉのｎ−ヘキサ
ン溶液（１．６１Ｎ）２５．２ｍｌ（４０．６ｍｍｏ
ｌ）を１分間かけて滴下した。滴下終了時には赤褐色溶
液となった。室温にて２．５時間撹拌保持し、１，２−
ビス（３−インデニル）エタンのジリチウム塩溶液を得
た。（Ｎ−メチルアニリド）ジルコニウムトリクロライ
ド・ビステトラヒドロフラン８．６６ｇ（１９．３４ｍ
ｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液（３７．２ｍｌ）を
２分間かけて加えると、直ちに反応が進行し溶液は濃赤
褐色に変化した。室温にて１時間撹拌を行い、反応終了
後、溶媒を減圧留去して得られた粘性液体を塩化メチレ
ン１００ｍｌにて抽出し、不溶の塩化リチウムを除い
た。溶媒を減圧下で濃縮、析出した結晶を集め、エチレ
ンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−メチルア
ニリド）クロライドを８．９１ｇ（収率９４％）濃赤色
粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 2.7(s,N-Me,3H) 3.6
〜4.0(m,Et,4H) 5.6〜8.1(m,Ind,Ph,17H)

【０１４５】実施例２ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−メ
チルアニリド）クロライドの塩素化による、エチレンビ
ス（１−インデニル）ジルコニウムジクロライドの合成 １００ｍｌシュレンクチュ−ブへ、実施例１で合成した
エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−メ
チルアニリド）クロライドを８．９１ｇ仕込み、塩化メ
チレンを３０ｍｌ加えて溶解させた。−８０℃に冷却
し、ＨＣｌガスを少しずつバブリングし、溶液の色が赤
褐色から黄色に変化したのちＨＣｌガスの導入を止め
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、エチレンビス（１−
インデニル）ジルコニウムジクロライドが、ラセミ型：
メソ型＝８１：１９の割合にて存在しており、実施例１
に記載した錯形成反応が、ラセミ型：メソ型＝８１：１
９の立体選択性にて進行していたことが示された。 ラセミ型 ¹H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 3.75
(m,Et,4H) 6.21(d,J=3.2Hz,C₅ring,2H) 6.59(d,J=3.2H
z,C₅ring,2H) 7.2〜7.6(m,C₆ring,8H) メソ型 1H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 3.60,4.00
(m,Et,4H) 6.55(d,J=3.2Hz,C₅ring,2H) 6.70(d,J=3.2H
z,C₅ring,2H) 7.2〜7.6(m,C₆ring,8H) 溶媒を減圧下で濃縮し、再結晶を行い、（ラセミ）−エ
チレンビス（１−インデニル）ジルコニウムジクロライ
ドを２．８ｇ得た。収率３５％（１，２−ビス（３−イ
ンデニル）エタン基準）¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 3.75(m,Et,4H) 6.21
(d,J=3.2Hz,C₅ring,2H)6.59(d,J=3.2Hz,C₅ring,2H) 7.2
〜7.6(m,C₆ring,8H)

【０１４６】実施例３ （Ｎ−メチルアニリド）ジルコニウムトリクロライド・
ビステトラヒドロフランと、ジメチルシリレンビスイン
デンのジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、ビ
ス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−メチルアニリ
ド）クロライドを６．９１ｇ（収率９６％）赤褐色粉末
として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 1.19(s,Me₂Si,6H)
2.94(s,N-Me,3H) 6.2〜7.9(m,Ind,Ph,17H)

【０１４７】実施例４ ジメチルシリレンビス（１−インデニル）ジルコニウム
（Ｎ−メチルアニリド）クロライドの塩素化による、ジ
メチルシリレンビス（１−インデニル）ジルコニウムジ
クロライドの合成 ハロゲン化反応の際に使用する溶媒としてトルエンを用
いた他は実施例２と同様な操作により、標記化合物の反
応を行った。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、ジメチルシ
リレンビス（１−インデニル）ジルコニウムジクロライ
ドが、ラセミ型：メソ型＝９５：５の割合にて存在して
おり、実施例３に記載した錯形成反応が、ラセミ型：メ
ソ型＝９５：５の立体選択性にて進行していたことが示
された。 ラセミ型 ¹H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 1.14(s,S
iMe₂,6H) 6.10(d,J=3.3Hz,C₅ring,2H) 6.85(d,J=3.2Hz,
C₅ring,2H) 7.0〜7.6(m,C₆ring,8H) メソ型 ¹H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.95,1.3
5(s,SiMe₂,6H) 6.15(d,J=3.3Hz,C₅ring,2H) 6.87(d,J=
3.2Hz,C₅ring,2H) 7.0〜7.6(m,C₆ring,8H)

【０１４８】実施例５ （Ｎ−メチルアニリド）ジルコニウムトリクロライド・
ビステトラヒドロフランと、ジメチルシリレンビス（２
−メチル−４，５−ベンゾインデン）のジリチウム塩の
反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイン
デニル）ジルコニウム（Ｎ−メチルアニリド）クロライ
ドを３．１５ｇ（収率１０２％）緑がかった濃赤色粉末
として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 1.20(s,Me₂Si,6H)
2.3〜2.7(m,N-Me,Ind-Me,9H) 6.7〜8.2(m,Ind,Ph,19H)

【０１４９】実施例６ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−メチルアニリド）クロラ
イドの塩素化による、ジメチルシリレンビス（２−メチ
ル−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロラ
イドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、（２−メチル−４，
５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロライドが、
ラセミ型：メソ型＝７０：３０の割合にて存在してお
り、実施例５に記載した錯形成反応が、ラセミ型：メソ
型＝７０：３０の立体選択性にて進行していたことが示
された。 ラセミ型 ¹H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 1.36(s,S
iMe₂,6H) 2.37(s,Ind-Me,6H) 7.2〜7.9(m,Ind,14H) メソ型 ¹H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 1.27,1.46
(s,SiMe₂,6H) 2.56(s,Ind-Me,6H) 7.2〜7.9(m,Ind,14H) 溶媒を減圧下で濃縮し、再結晶を行い、（ラセミ）−ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイン
デニル）ジルコニウムジクロライドを０．６０ｇ得た。
収率２２％（ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，
５−ベンゾインデン）基準）¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 1.36(s,SiMe₂,6H)
2.37(s,Ind-Me,6H) 7.2〜7.9(m,ind,14H)

【０１５０】実施例７ （Ｎ−メチルアニリド）ジルコニウムトリクロライド・
ビステトラヒドロフランと、ジメチルシリレンビス（２
−メチル−４−フェニルインデン）のジリチウム塩の反
応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４−フェニルインデ
ニル）ジルコニウム（Ｎ−メチルアニリド）クロライド
を１．０６ｇ（収率１０４％）オレンジ色粉末として得
た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 1.0〜1.2(m,Me₂Si,6
H) 1.8〜2.7(m,N-Me,Ind-Me,9H) 5.6〜7.8(m,Ind,Ph,23
H)

【０１５１】実施例８ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４−フェニルイン
デニル）ジルコニウム（Ｎ−メチルアニリド）クロライ
ドの塩素化による、ジメチルシリレンビス（２−メチル
−４−フェニルインデニル）ジルコニウムジクロライド
の合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、ジメチルシリレンビ
ス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジルコニウ
ムジクロライドが、ラセミ型：メソ型＝７４：２６の割
合にて存在しており、実施例７に記載した錯形成反応
が、ラセミ型：メソ型＝７４：２６の立体選択性にて進
行していたことが示された。 ラセミ型 ¹H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 1.35(s,S
iMe₂,6H) 2.26(s,Ind-Me,6H) 6.8〜7.7(m,Ind,18H) メソ型 ¹H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 1.26,1.49
(s,SiMe₂,6H) 2.46(s,Ind-Me,6H) 6.8〜7.7(m,Ind,18H) 溶媒を減圧下で濃縮し、再結晶を行い、（ラセミ）−ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４−フェニルインデ
ニル）ジルコニウムジクロライドを０．１７ｇ得た。収
率１８％（ジメチルシリレンビス（２−メチル−４−フ
ェニルインデン）基準）¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 1.35(s,SiMe₂,6H)
2.26(s,Ind-Me,6H) 6.8〜7.7(m,Ind,18H)

【０１５２】実施例９ （Ｎ−メチルアニリド）ジルコニウムトリクロライド・
ビステトラヒドロフランと、イソプロピリデンビス（１
−インデン）のジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、イ
ソプロピリデンビス（１−インデニル）ジルコニウム
（Ｎ−メチルアニリド）クロライドを１．０４ｇ（収率
８１％）赤褐色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 2.2〜2.8(m,C-Me₂,N
-Me,9H) 5.75〜8.20(m,Ind,Ph,21H)

【０１５３】実施例１０ イソプロピリデンビス（１−インデニル）ジルコニウム
（Ｎ−メチルアニリド）クロライドの塩素化による、イ
ソプロピリデンビス（１−インデニル）ジルコニウムジ
クロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、（ラセミ）−イソプ
ロピリデンビス（１−インデニル）ジルコニウムジクロ
ライドが存在しており、実施例９に記載した錯形成反応
が、ラセミ型選択的に進行していたことが示された。 ラセミ型 ¹H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 2.37(s,C
-Me₂,6H) 6.16(d,J=3.7Hz,C₅ring,2H) 6.70(dd,J=0.7H
z,J=3.7Hz,C₅ring,2H) 6.8〜7.8(m,Ind,12H) 溶媒を減圧下で濃縮し、再結晶を行い、（ラセミ）−イ
ソプロピリデンビス（１−インデニル）ジルコニウムジ
クロライドを０．１７ｇ得た。収率２０％（イソプロピ
リデンビス（１−インデン）基準）

【０１５４】実施例１１ （Ｎ−メチルアニリド）ジルコニウムトリクロライド・
ビステトラヒドロフランと、ジフェニリデン（９−フル
オレン）（１−シクロペンタジエン）のジリチウム塩の
反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、ジ
フェニリデン（フルオレニル）（シクロペンタジエニ
ル）ジルコニウム（Ｎ−メチルアニリド）クロライドを
３．０３ｇ（収率１００％）濃赤褐色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 2.68(s,N-Me,3H) 5.
5〜8.3(m,Cp,Flu,Ph,29H)

【０１５５】実施例１２ ジフェニリデン（フルオレニル）（シクロペンタジエニ
ル）ジルコニウム（Ｎ−メチルアニリド）クロライドの
塩素化による、ジフェニリデン（フルオレニル）（シク
ロペンタジエニル）ジルコニウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物が合成され
た。溶媒を減圧下で濃縮し、再結晶を行い、ジフェニリ
デン（フルオレニル）（シクロペンタジエニル）ジルコ
ニウムジクロライドを０．９０ｇ得た。収率３３％（ジ
フェニリデン（９−フルオレン）（１−シクロペンタジ
エン）基準）¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 5.80(t,J=2.9Hz,Cp,
2H) 6.40(m,Ph,Flu,4H)7.02(t,Cp,2H) 7.2〜8.2(m,Flu,
Ph,14H)

【０１５６】実施例１３ （Ｎ−メチルアニリド）ハフニウムトリクロライド・ビ
ステトラヒドロフランと、１，２−ビス（３−インデニ
ル）エタンのジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、エ
チレンビス（１−インデニル）ハフニウム（Ｎ−メチル
アニリド）クロライドを４．２２ｇ（収率９２％）黄褐
色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 2.7(s,N-Me,3H) 3.6
〜4.0(m,Et,4H) 5.4〜8.0(m,Ind,Ph,17H)

【０１５７】実施例１４ エチレンビス（１−インデニル）ハフニウム（Ｎ−メチ
ルアニリド）クロライドの塩素化による、エチレンビス
（１−インデニル）ハフニウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、エチレンビス（１−
インデニル）ハフニウムジクロライドが、ラセミ型：メ
ソ型＝６８：３２の割合にて存在しており、実施例１３
に記載した錯形成反応が、ラセミ型：メソ型＝６８：３
２の立体選択性にて進行していたことが示された。 ラセミ型 ¹H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 3.80(m,E
t,4H) 6.10(d,J=3.4Hz,C₅ring,2H) 6.46(d,J=3.4Hz,C₅r
ing,2H) 7.2〜7.6(m,C₆ring,8H) メソ型 ¹H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 3.70,4.00
(m,Et,4H) 6.48(d,J=3.4Hz,C₅ring,2H) 6.60(d,J=3.4H
z,C₅ring,2H) 7.2〜7.6(m,C₆ring,8H) 溶媒を減圧下で濃縮し、再結晶を行い、（ラセミ）−エ
チレンビス（１−インデニル）ハフニウムジクロライド
を０．８３９ｇ得た。収率２１％（エチレンビス（１−
インデン）基準）¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 3.80(m,Et,4H) 6.10
(d,J=3.4Hz,C₅ring,2H)6.46(d,J=3.4Hz,C₅ring,2H) 7.2
〜7.6(m,C₆ring,8H)

【０１５８】実施例１５ （Ｎ−エチルアニリド）ジルコニウムトリクロライド・
ビステトラヒドロフランと、１，２−ビス（３−インデ
ニル）エタンのジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、エ
チレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−エチ
ルアニリド）クロライドを１．２９ｇ（収率８９％）赤
褐色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.7〜1.0(m,N-Et-CH
₃,3H) 3.2〜4.0(m,Et,Et-CH2,6H) 5.4〜7.9(m,Ind,Ph,1
7H)

【０１５９】実施例１６ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−エ
チルアニリド）クロライドの塩素化による、エチレンビ
ス（１−インデニル）ジルコニウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、エチレンビス（１−
インデニル）ジルコニウムジクロライドが、ラセミ型：
メソ型＝４５：５５の割合にて存在しており、実施例１
５に記載した錯形成反応が、ラセミ型：メソ型＝４５：
５５の立体選択性にて進行していたことが示された。

【０１６０】実施例１７ （Ｎ−エチルアニリド）ジルコニウムトリクロライド・
ビステトラヒドロフランと、ジメチルシリレンビス（２
−メチル−４，５−ベンゾインデン）のジリチウム塩の
反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイン
デニル）ジルコニウム（Ｎ−エチルアニリド）クロライ
ドを０．８２４ｇ（収率９２％）オレンジ色粉末として
得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.8〜1.3(m,N-Et-CH
₃,SiMe₂,9H) 2.2〜2.5(m,Ind-Me,6H) 3.2〜3.7(m,CH₂,2
H) 6.1〜8.2(m,Ind,Ph,19H)

【０１６１】実施例１８ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−エチルアニリド）クロラ
イドの塩素化による、ジメチルシリレンビス（２−メチ
ル−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロラ
イドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、ジメチルシリレンビ
ス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニ
ウムジクロライドが、ラセミ型：メソ型＝５８：４２の
割合にて存在しており、実施例１７に記載した錯形成反
応が、ラセミ型：メソ型＝５８：４２の立体選択性にて
進行していたことが示された。

【０１６２】実施例１９ （Ｎ−ベンジルアニリド）ジルコニウムトリクロライド
・ビステトラヒドロフランと、１，２−ビス（３−イン
デニル）エタンのジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、エ
チレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ベン
ジルアニリド）クロライドを１．１９ｇ（収率７９％）
赤色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 3.3〜4.2(m,Et,CH₂,
6H) 6.0〜8.0(m,Ind,Ph,22H)

【０１６３】実施例２０ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ベ
ンジルアニリド）クロライドの塩素化による、エチレン
ビス（１−インデニル）ジルコニウムジクロライドの合
成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、エチレンビス（１−
インデニル）ジルコニウムジクロライドが、ラセミ型：
メソ型＝４９：５１の割合にて存在しており、実施例１
９に記載した錯形成反応が、ラセミ型：メソ型＝４９：
５１の立体選択性にて進行していたことが示された。

【０１６４】実施例２１ （ピロ−ルイル）ジルコニウムトリクロライド・ビステ
トラヒドロフランと、１，２−ビス（３−インデニル）
エタンのジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、エ
チレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（ピロ−ル
イル）クロライドを１．０８ｇ（収率９２％）赤色粉末
として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 3.6〜4.2(m,Et,4H)
5.9〜7.8(m,Ind,Pyrrole,16H)

【０１６５】実施例２２ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（ピロ−
ルイル）クロライドの塩素化による、エチレンビス（１
−インデニル）ジルコニウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、エチレンビス（１−
インデニル）ジルコニウムジクロライドが、ラセミ型：
メソ型＝４５：５５の割合にて存在しており、実施例２
１に記載した錯形成反応が、ラセミ型：メソ型＝４５：
５５の立体選択性にて進行していたことが示された。

【０１６６】実施例２３ （ピロ−ルイル）ジルコニウムトリクロライド・ビステ
トラヒドロフランと、ジメチルシリレンビス（２−メチ
ル−４，５−ベンゾインデン）のジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイン
デニル）ジルコニウム（ピロ−ルイル）クロライドを
１．１８ｇ（収率１１２％）赤色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 1.2〜1.5(m,SiMe₂,6
H) 2.2〜2.6(m,Ind-Me,6H) 5.5〜8.2(m,Ind,Pyrrole,18
H)

【０１６７】実施例２４ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（ピロ−ルイル）クロライドの
塩素化による、ジメチルシリレンビス（２−メチル−
４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロライド
の合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、ジメチルシリレンビ
ス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニ
ウムジクロライドが、ラセミ型：メソ型＝５４：４６の
割合にて存在しており、実施例２３に記載した錯形成反
応が、ラセミ型：メソ型＝５４：４６の立体選択性にて
進行していたことが示された。

【０１６８】実施例２５ （Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ブチルアミド）ジルコニ
ウムトリクロライド・ビステトラヒドロフランと、１，
２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチウム塩の反
応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、エ
チレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリ
メチルシリル−ｎ−ブチルアミド）クロライドを０．９
１４ｇ（収率８７％）濃褐色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.03(s,Me₃Si,9H)
0.75〜1.40(m,Butyl,7H)3.3〜4.2(m,Et,N-CH₂,6H) 6.0
〜7.7(m,Ind,12H)

【０１６９】実施例２６ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ト
リメチルシリル−ｎ−ブチルアミド）クロライドの塩素
化による、エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウ
ムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、エチレンビス（１−
インデニル）ジルコニウムジクロライドが、ラセミ型：
メソ型＝５７：４３の割合にて存在しており、実施例２
５に記載した錯形成反応が、ラセミ型：メソ型＝５７：
４３の立体選択性にて進行していたことが示された。

【０１７０】実施例２７ （Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ブチルアミド）ジルコニ
ウムトリクロライド・ビステトラヒドロフランと、ジメ
チルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデ
ン）のジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイン
デニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ブ
チルアミド）クロライドを０．８６５ｇ（収率１００
％）濃緑色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.04(s,SiMe₃,9H)
0.89(m,CH₃,3H) 1.25〜1.50(m,CH₂,SiMe₂,10H) 2.2〜3.
3(m,N-CH₂,Ind-Me,8H) 6.8〜8.1(m,Ind,14H)

【０１７１】実施例２８ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−
ブチルアミド）クロライドの塩素化による、ジメチルシ
リレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）
ジルコニウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、ジメチルシリレンビ
ス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニ
ウムジクロライドが、ラセミ型：メソ型＝５５：４５の
割合にて存在しており、実施例２７に記載した錯形成反
応が、ラセミ型：メソ型＝５５：４５の立体選択性にて
進行していたことが示された。

【０１７２】実施例２９ （Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）ジルコ
ニウムトリクロライド・ビステトラヒドロフランと、
１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチウム塩
の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、エ
チレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリ
メチルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）クロライドを０．
７０１ｇ（収率８３％）褐色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.1(s,Me₃Si,9H) 0.
8〜0.9(m,CH₃,3H) 1.0〜1.6(m,CH₂,8H) 3.3〜4.1(m,Et,
N-CH₂,6H) 6.0〜7.7(m,Ind,12H)

【０１７３】実施例３０ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ト
リメチルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）クロライドの塩
素化による、エチレンビス（１−インデニル）ジルコニ
ウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、エチレンビス（１−
インデニル）ジルコニウムジクロライドが、ラセミ型：
メソ型＝４５：５５の割合にて存在しており、実施例２
９に記載した錯形成反応が、ラセミ型：メソ型＝４５：
５５の立体選択性にて進行していたことが示された。

【０１７４】実施例３１ （Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）ジルコ
ニウムトリクロライド・ビステトラヒドロフランと、ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイン
デン）のジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイン
デニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ヘ
キシルアミド）クロライドを０．７１６ｇ（収率９９
％）黄色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.07(s,SiMe₃,9H)
0.7〜0.9(m,CH₃,3H) 1.3〜1.5(m,CH₂,SiMe₂,14H) 2.2〜
2.7(m,Ind-Me,6H) 3.25〜3.45(m,N-CH₂,2H) 7.0〜8.0
(m,Ind,14H)

【０１７５】実施例３２ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−
ヘキシルアミド）クロライドの塩素化による、ジメチル
シリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニ
ル）ジルコニウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、ジメチルシリレンビ
ス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニ
ウムジクロライドが、ラセミ型：メソ型＝６３：３７の
割合にて存在しており、実施例３１に記載した錯形成反
応が、ラセミ型：メソ型＝６３：３７の立体選択性にて
進行していたことが示された。

【０１７６】実施例３３ （Ｎ−トリメチルシリル−ｔｅｒｔ−ブチルアミド）ジ
ルコニウムトリクロライド・ビステトラヒドロフラン
と、１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチウ
ム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、エ
チレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリ
メチルシリル−ｔｅｒｔ−ブチルアミド）クロライドを
０．６８２ｇ（収率７８％）褐色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) -0.14(s,Me₃Si,9H)
1.19(s,tert-butyl,9H)3.2〜4.1(m,Et,4H) 6.0〜7.9(m,
Ind,12H)

【０１７７】実施例３４ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ト
リメチルシリル−ｔｅｒｔ−ブチルアミド）クロライド
の塩素化による、エチレンビス（１−インデニル）ジル
コニウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、エチレンビス（１−
インデニル）ジルコニウムジクロライドが、ラセミ型：
メソ型＝３４：６６の割合にて存在しており、実施例３
３に記載した錯形成反応が、ラセミ型：メソ型＝３４：
６６の立体選択性にて進行していたことが示された。

【０１７８】実施例３５ （Ｎ−トリメチルシリル−ｔｅｒｔ−ブチルアミド）ジ
ルコニウムトリクロライド・ビステトラヒドロフラン
と、ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベン
ゾインデン）のジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイン
デニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−ｔｅｒ
ｔ−ブチルアミド）クロライドを０．５９１ｇ（収率９
２％）黄色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.07(s,SiMe₃,9H)
1.15(tert-butyl,9H) 1.1〜1.4(m,SiMe₂,6H) 2.2〜2.8
(m,Ind-Me,6H) 6.8〜8.2(m,Ind,14H)

【０１７９】実施例３６ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−ｔｅ
ｒｔ−ブチルアミド）クロライドの塩素化による、ジメ
チルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデ
ニル）ジルコニウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、ジメチルシリレンビ
ス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニ
ウムジクロライドが、ラセミ型：メソ型＝５６：４４の
割合にて存在しており、実施例３５に記載した錯形成反
応が、ラセミ型：メソ型＝５６：４４の立体選択性にて
進行していたことが示された。

【０１８０】実施例３７ （Ｎ−トリメチルシリル−シクロペンチルアミド）ジル
コニウムトリクロライド・ビステトラヒドロフランと、
１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチウム塩
の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、エ
チレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリ
メチルシリル−シクロペンチルアミド）クロライドを
０．７７０ｇ（収率８６％）オレンジ色粉末として得
た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.04(s,SiMe₃,9H)
0.8〜1.2(m,C₅ring,8H)3.3〜4.2(m,Et,N-CH,5H) 6.0〜
8.0(m,Ind,12H)

【０１８１】実施例３８ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ト
リメチルシリル−シクロペンチルアミド）クロライドの
塩素化による、エチレンビス（１−インデニル）ジルコ
ニウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、エチレンビス（１−
インデニル）ジルコニウムジクロライドが、ラセミ型：
メソ型＝４１：５９の割合にて存在しており、実施例３
７に記載した錯形成反応が、ラセミ型：メソ型＝４１：
５９の立体選択性にて進行していたことが示された。

【０１８２】実施例３９ （Ｎ−トリメチルシリル−シクロペンチルアミド）ジル
コニウムトリクロライド・ビステトラヒドロフランと、
ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデン）のジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイン
デニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−シクロ
ペンチルアミド）クロライドを０．６９９ｇ（収率９２
％）黄色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.05(s,Me₃Si,9H)
0.8〜2.6(m,C₅ring-CH₂,Ind-Me,SiMe₂,20H) 3.2(m,N-C
H,1H) 6.8〜8.2(m,Ind,14H)

【０１８３】実施例４０ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−シク
ロペンチルアミド）クロライドの塩素化による、ジメチ
ルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニ
ル）ジルコニウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、ジメチルシリレンビ
ス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニ
ウムジクロライドが、ラセミ型：メソ型＝５６：４４の
割合にて存在しており、実施例３９に記載した錯形成反
応が、ラセミ型：メソ型＝５６：４４の立体選択性にて
進行していたことが示された。

【０１８４】実施例４１ （Ｎ−トリメチルシリル−シクロヘキシルアミド）ジル
コニウムトリクロライド・ビステトラヒドロフランと、
１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチウム塩
の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、エ
チレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリ
メチルシリル−シクロヘキシルアミド）クロライドを
０．６２６ｇ（収率７６％）赤色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) -0.14(s,SiMe₃,9H)
0.8〜2.3(m,C₆ring,10H) 3.0〜4.2(m,Et,N-CH,5H) 5.8
〜8.0(m,Ind,12H)

【０１８５】実施例４２ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ト
リメチルシリル−シクロヘキシルアミド）クロライドの
塩素化による、エチレンビス（１−インデニル）ジルコ
ニウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、エチレンビス（１−
インデニル）ジルコニウムジクロライドが、ラセミ型：
メソ型＝６２：３８の割合にて存在しており、実施例４
１に記載した錯形成反応が、ラセミ型：メソ型＝６２：
３８の立体選択性にて進行していたことが示された。

【０１８６】実施例４３ （Ｎ−トリメチルシリル−シクロヘキシルアミド）ジル
コニウムトリクロライド・ビステトラヒドロフランと、
ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデン）のジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイン
デニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−シクロ
ヘキシルアミド）クロライドを０．６２２ｇ（収率９０
％）黄緑色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.07(s,Me₃Si,9H)
0.7〜1.7(m,C₆ring-CH₂,SiMe₂,16H) 2.0〜2.7(m,Ind-M
e,6H) 3.4〜3.5(m,N-CH,1H) 6.8〜8.2(m,Ind,14H)

【０１８７】実施例４４ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−シク
ロヘキシルアミド）クロライドの塩素化による、ジメチ
ルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニ
ル）ジルコニウムジクロライドの合成実施例２と同様な
操作により、標記化合物の反応を行った。 ¹Ｈ−ＮＭＲ
による分析では、ジメチルシリレンビス（２−メチル−
４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロライド
が、ラセミ型：メソ型＝５６：４４の割合にて存在して
おり、実施例４３に記載した錯形成反応が、ラセミ型：
メソ型＝５６：４４の立体選択性にて進行していたこと
が示された。

【０１８８】実施例４５ （Ｎ−トリメチルシリル−シクロヘキシルアミド）ジル
コニウムトリクロライド・ビステトラヒドロフランと、
イソプロピリデンビス（４，５−ベンゾインデン）のジ
リチウム塩の反応 副生する塩化リチウムを除去しないことを除き、実施例
１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、塩を含ん
だイソプロピリデンビス（４，５−ベンゾインデニル）
ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−シクロヘキシル
アミド）クロライドを２．０４ｇ（粗収率１１４％）茶
色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) -0.60(s,Me₃Si,9H)
1.4〜2.5(m,C₆ring-CH₂,10H) 2.36,2.46(s,C-Me,6H) 3.
4〜3.5(m,N-CH,1H) 6.18,6.50,6.74,7.14(d,C₅ring,4H)
6.6〜8.2(m,C₆ring,12H)

【０１８９】実施例４６ イソプロピリデンビス（４，５−ベンゾインデニル）ジ
ルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−シクロヘキシルア
ミド）クロライドの塩素化による、イソプロピリデンビ
ス（４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロラ
イドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、イソプロピリデンビ
ス（４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロラ
イドが、ラセミ型：メソ型＝５０：５０の割合にて存在
しており、実施例４５に記載した錯形成反応が、ラセミ
型：メソ型＝５０：５０の立体選択性にて進行していた
ことが示された。 ラセミ型 ¹H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 2.42(s,C
-Me,6H) 6.26(d,J=3.7Hz,C₅-ring,2H) 6.6〜8.1(m,C₅ri
ng,C₆ring,14H) メソ型 ¹H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 2.36,2.47
(s,C-Me,6H) 6.18(d,J=3.7Hz,C₅-ring,2H) 6.6〜8.1(m,
C₅ring,C₆ring,14H) 溶媒を減圧下で濃縮し、テトラヒドロフラン２０ｍｌに
て１回洗浄、塩化メチレン２０ｍｌにて３回洗浄し、少
量の塩を含んだ（ラセミ）−イソプロピリデンビス
（４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロライ
ドを０．７４４ｇ得た。粗収率５２％（イソプロピリデ
ンビス（４，５−ベンゾインデン）基準）¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 2.42(s,C-Me,6H) 6.
26(d,J=3.7Hz,C₅-ring,2H) 6.6〜8.1(m,C₅ring,C₆ring,
14H)

【０１９０】実施例４７ （Ｎ−トリメチルシリル−２−メチルシクロヘキシルア
ミド）ジルコニウムトリクロライド・ビステトラヒドロ
フラン（ｃｉｓ、ｔｒａｎｓ混合物）と、１，２−ビス
（３−インデニル）エタンのジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、エ
チレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリ
メチルシリル−２−メチルシクロヘキシルアミド）クロ
ライド（ｃｉｓ、ｔｒａｎｓ混合物）を１．１１ｇ（収
率８６％）褐色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.01(s,Me₃Si,9H)
0.7〜2.1(m,C₆ring-CH₂,C₆ring-Me,12H) 2.8〜3.9(m,E
t,N-CH,5H) 5.8〜7.9(m,Ind,12H)

【０１９１】実施例４８ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ト
リメチルシリル−２−メチルシクロヘキシルアミド）ク
ロライド（ｃｉｓ、ｔｒａｎｓ混合物）の塩素化によ
る、エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウムジク
ロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、エチレンビス（１−
インデニル）ジルコニウムジクロライドが、ラセミ型：
メソ型＝２０：８０の割合にて存在しており、実施例４
７に記載した錯形成反応が、ラセミ型：メソ型＝２０：
８０の立体選択性にて進行していたことが示された。

【０１９２】実施例４９ （Ｎ−トリメチルシリル−２−メチルシクロヘキシルア
ミド）ジルコニウムトリクロライド・ビステトラヒドロ
フラン（ｃｉｓ、ｔｒａｎｓ混合物）と、ジメチルシリ
レンビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデン）のジ
リチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイン
デニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−２−メ
チルシクロヘキシルアミド）クロライド（ｃｉｓ、ｔｒ
ａｎｓ混合物）を０．８２６ｇ（収率９９％）黄緑色粉
末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.02(s,Me₃Si,9H)
0.7〜2.6(m,C₆ring-CH₂,C₆ring-Me,Ind-Me,SiMe₂,24H)
3.5〜4.1(m,N-CH,1H) 6.8〜8.2(m,Ind,14H)

【０１９３】実施例５０ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−２−
メチルシクロヘキシルアミド）クロライド（ｃｉｓ、ｔ
ｒａｎｓ混合物）の塩素化による、ジメチルシリレンビ
ス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニ
ウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、ジメチルシリレンビ
ス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニ
ウムジクロライドが、ラセミ型：メソ型＝５９：４１の
割合にて存在しており、実施例４９に記載した錯形成反
応が、ラセミ型：メソ型＝５９：４１の立体選択性にて
進行していたことが示された。

【０１９４】実施例５１ （Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−オクチルアミド）ジルコ
ニウムトリクロライド・ビステトラヒドロフランと、
１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチウム塩
の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、エ
チレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリ
メチルシリル−ｎ−オクチルアミド）クロライドを０．
５３８ｇ（収率６２％）赤色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.03(s,Me₃Si,9H)
0.87(m,CH₃,3H) 0.9〜1.9(m,CH₂,12H) 3.4〜4.2(m,Et,N
-CH₂,6H) 5.8〜8.0(m,Ind,12H)

【０１９５】実施例５２ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ト
リメチルシリル−ｎ−オクチルアミド）クロライドの塩
素化による、エチレンビス（１−インデニル）ジルコニ
ウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、エチレンビス（１−
インデニル）ジルコニウムジクロライドが、ラセミ型：
メソ型＝５８：４１の割合にて存在しており、実施例５
１に記載した錯形成反応が、ラセミ型：メソ型＝５８：
４１の立体選択性にて進行していたことが示された。

【０１９６】実施例５３ （Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−オクチルアミド）ジルコ
ニウムトリクロライド・ビステトラヒドロフランと、ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイン
デン）のジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイン
デニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−オ
クチルアミド）クロライドを０．４７３ｇ（収率８２
％）黄色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.00(s,Me₃Si,9H)
0.85(m,CH₃,3H) 1.1〜1.5(m,CH₂,SiMe₂,18H) 1.9〜2.7
(m,Ind-Me,6H) 3.3〜3.5(m,N-CH₂,2H) 6.8〜8.2(m,Ind,
14H)

【０１９７】実施例５４ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−
オクチルアミド）クロライドの塩素化による、ジメチル
シリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニ
ル）ジルコニウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、ジメチルシリレンビ
ス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニ
ウムジクロライドが、ラセミ型：メソ型＝６４：３６の
割合にて存在しており、実施例５３に記載した錯形成反
応が、ラセミ型：メソ型＝６４：３６の立体選択性にて
進行していたことが示された。溶媒を減圧下で濃縮し、
再結晶を行い、（ラセミ）−ジメチルシリレンビス（２
−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジ
クロライドを０．０９８４ｇ得た。収率２２％（ジメチ
ルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデ
ン）基準）

【０１９８】実施例５５ （Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）
ジルコニウムトリクロライド・ビステトラヒドロフラン
と、１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチウ
ム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、エ
チレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ジメ
チルフェニルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）クロライド
を１．００ｇ（収率８４％）褐色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.60(s,Me₂Si,6H)
0.80(m,CH₃,3H) 0.95〜1.40(m,CH₂,8H) 3.2〜4.2(m,Et,
N-CH₂,6H) 5.8〜7.8(m,Ind,Si-Ph,17H)

【０１９９】実施例５６ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ジ
メチルフェニルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）クロライ
ドの塩素化による、エチレンビス（１−インデニル）ジ
ルコニウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、エチレンビス（１−
インデニル）ジルコニウムジクロライドが、ラセミ型：
メソ型＝４１：５９の割合にて存在しており、実施例５
５に記載した錯形成反応が、ラセミ型：メソ型＝４１：
５９の立体選択性にて進行していたことが示された。

【０２００】実施例５７ （Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）
ジルコニウムトリクロライド・ビステトラヒドロフラン
と、ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベン
ゾインデン）のジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイン
デニル）ジルコニウム（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−
ｎ−ヘキシルアミド）クロライドを０．６５９ｇ（収率
９２％）黄土色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.30(s,Me₂Si,6H)
0.88(m,CH₃,3H) 1.5〜1.6(m,CH₂,SiMe₂,14H) 2.2〜2.4
(m,Ind-Me,6H) 3.2〜3.5(m,N-CH₂,2H) 7.0〜8.2(m,Ind,
Ph,19H)

【０２０１】実施例５８ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−ジメチルフェニルシリル
−ｎ−ヘキシルアミド）クロライドの塩素化による、ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイン
デニル）ジルコニウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、ジメチルシリレンビ
ス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニ
ウムジクロライドが、ラセミ型：メソ型＝５６：４４の
割合にて存在しており、実施例５７に記載した錯形成反
応が、ラセミ型：メソ型＝５６：４４の立体選択性にて
進行していたことが示された。

【０２０２】実施例５９ （Ｎ−ジメチルフェニルシリル−シクロヘキシルアミ
ド）ジルコニウムトリクロライド・ビステトラヒドロフ
ランと、１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリ
チウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、エ
チレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ジメ
チルフェニルシリル−シクロヘキシルアミド）クロライ
ドを０．５０５ｇ（収率４１％）濃オレンジ色粉末とし
て得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.28(s,Me₂Si,6H)
0.80〜1.90(m,C₆-ring,CH₂,10H) 3.3〜3.7(m,Et,N-CH,5
H) 5.8〜7.8(m,Ind,Si-Ph,17H)

【０２０３】実施例６０ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ジ
メチルフェニルシリル−シクロヘキシルアミド）クロラ
イドの塩素化による、エチレンビス（１−インデニル）
ジルコニウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、エチレンビス（１−
インデニル）ジルコニウムジクロライドが、ラセミ型：
メソ型＝４８：５２の割合にて存在しており、実施例５
９に記載した錯形成反応が、ラセミ型：メソ型＝４８：
５２の立体選択性にて進行していたことが示された。

【０２０４】実施例６１ （Ｎ−ジメチルフェニルシリル−シクロヘキシルアミ
ド）ジルコニウムトリクロライド・ビステトラヒドロフ
ランと、ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−
ベンゾインデン）のジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイン
デニル）ジルコニウム（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−
シクロヘキシルアミド）クロライドを０．６８９ｇ（収
率９５％）黄色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.21(s,Me₂Si,6H)
0.5〜1.7(m,C₆ring-CH₂,SiMe₂,16H) 2.2〜2.6(m,Ind-M
e,6H) 3.3〜3.5(m,N-CH,1H) 6.7〜8.1(m,Ind,Ph,19H)

【０２０５】実施例６２ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−ジメチルフェニルシリル
−シクロヘキシルアミド）クロライドの塩素化による、
ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、ジメチルシリレンビ
ス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニ
ウムジクロライドが、ラセミ型：メソ型＝５８：４２の
割合にて存在しており、実施例６１に記載した錯形成反
応が、ラセミ型：メソ型＝５８：４２の立体選択性にて
進行していたことが示された。

【０２０６】実施例６３ （Ｎ−ジメチルフェニルシリル−シクロヘキシルアミ
ド）ジルコニウムトリクロライド・ビステトラヒドロフ
ランと、ジメチルシリレンビス（２，３，５−トリメチ
ルシクロペンタジエン）のジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、ジ
メチルシリレンビス（２，３，５−トリメチルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウム（Ｎ−ジメチルフェニルシ
リル−シクロヘキシルアミド）クロライドを１．３５ｇ
（収率１０３％）オレンジ色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.00(s,Me₂Si,6H)
0.5〜1.2(m,C₆ring-CH₂,10H) 1.2〜2.3(m,SiMe₂,Cp-Me,
24H) 3.2〜3.5(m,N-CH,1H) 5.7〜6.2(m,Cp-H,2H)7.0〜
7.4(m,Ph,5H)

【０２０７】実施例６４ ジメチルシリレンビス（２，３，５−トリメチルシクロ
ペンタジエニル）ジルコニウム（Ｎ−ジメチルフェニル
シリル−シクロヘキシルアミド）クロライドの塩素化に
よる、ジメチルシリレンビス（２，３，５−トリメチル
シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロライドの合
成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、ジメチルシリレンビ
ス（２，３，５−トリメチルシクロペンタジエニル）ジ
ルコニウムジクロライドが、ラセミ型：メソ型＝５２：
４８の割合にて存在しており、実施例６３に記載した錯
形成反応が、ラセミ型：メソ型＝５２：４８の立体選択
性にて進行していたことが示された。 ラセミ型 ¹H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.95(s,M
e₂Si,6H) 1.98,2.12,2.16(s,Cp-Me,9H) 6.50(s,Cp-H,2
H) メソ型 ¹H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.93,0.98
(s,SiMe₂,6H) 1.88,2.22,2.45(s,Cp-Me,9H) 6.38(s,Cp-
H,2H)

【０２０８】実施例６５ Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アミドジルコニウム
トリクロライド・ビステトラヒドロフランと、１，２−
ビス（３−インデニル）エタンのジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、エ
チレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ，Ｎ−
ビス（トリメチルシリル）アミド）クロライドを０．９
５７ｇ（収率９３％）赤褐色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.06(s,Me₃Si,18H)
3.3〜4.0(m,Et,4H) 5.8〜8.0(m,Ind,12H)

【０２０９】実施例６６ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ，Ｎ
−ビス（トリメチルシリル）アミド）クロライドの塩素
化による、エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウ
ムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、エチレンビス（１−
インデニル）ジルコニウムジクロライドが、ラセミ型：
メソ型＝３５：６５の割合にて存在しており、実施例６
５に記載した錯形成反応が、ラセミ型：メソ型＝３５：
６５の立体選択性にて進行していたことが示された。

【０２１０】実施例６７ （Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アミド）ジルコニ
ウムトリクロライド・ビステトラヒドロフランと、ジメ
チルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデ
ン）のジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイン
デニル）ジルコニウム（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリ
ル）アミド）クロライドを０．６８９ｇ（収率１０１
％）緑色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.06(s,Me₃Si,18H)
1.2〜1.5(m,Me₂Si,6H)2.1〜2.5(m,Ind-Me,6H) 7.0〜8.2
(m,Ind,14H)

【０２１１】実施例６８ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシ
リル）アミド）クロライドの塩素化による、ジメチルシ
リレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）
ジルコニウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、ジメチルシリレンビ
ス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニ
ウムジクロライドが、ラセミ型：メソ型＝５２：４８の
割合にて存在しており、実施例６７に記載した錯形成反
応が、ラセミ型：メソ型＝５２：４８の立体選択性にて
進行していたことが示された。

【０２１２】実施例６９ （Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アミド）ジルコニ
ウムトリクロライド・ビステトラヒドロフランと、ジメ
チルシリレンビス（２，３，５−トリメチルシクロペン
タジエン）のジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、ジ
メチルシリレンビス（２，３，５−トリメチルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウム（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチ
ルシリル）アミド）クロライドを１．１３ｇ（収率８６
％）淡黄色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.05(s,Me₃Si,18H)
0.8〜1.2(m,Me₂Si,6H)1.8〜2.3(m,Cp-Me,18H) 6.0〜6.5
(m,Cp-H,2H)

【０２１３】実施例７０ ジメチルシリレンビス（２，３，５−トリメチルシクロ
ペンタジエニル）ジルコニウム（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメ
チルシリル）アミド）クロライドの塩素化による、ジメ
チルシリレンビス（２，３，５−トリメチルシクロペン
タジエニル）ジルコニウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、ジメチルシリレンビ
ス（２，３，５−トリメチルシクロペンタジエニル）ジ
ルコニウムジクロライドが、ラセミ型：メソ型＝４８：
５２の割合にて存在しており、実施例６９に記載した錯
形成反応が、ラセミ型：メソ型＝４８：５２の立体選択
性にて進行していたことが示された。

【０２１４】実施例７１ （Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アミド）ジルコニ
ウムトリクロライド・ビステトラヒドロフランと、ジメ
チルシリレンビス（２−メチル−４−フェニルインデ
ン）のジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、ジ
メチルシリレンビス（２−メチル４−フェニルインデニ
ル）ジルコニウム（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）
アミド）クロライドを０．７００ｇ（収率１１１％）黄
色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.06(s,Me₃Si,18H)
1.2〜1.4(m,Me₂Si,6H) 2.1〜2.4(m,Ind-Me,6H) 6.7〜8.
0(m,Ind,18H)

【０２１５】実施例７２ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４−フェニルイン
デニル）ジルコニウム（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリ
ル）アミド）クロライドの塩素化による、ジメチルシリ
レンビス（２−メチル４−フェニルインデニル）ジルコ
ニウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、ジメチルシリレンビ
ス（２−メチル４−フェニルインデニル）ジルコニウム
ジクロライドが、ラセミ型：メソ型＝７５：２５の割合
にて存在しており、実施例７１に記載した錯形成反応
が、ラセミ型：メソ型＝７５：２５の立体選択性にて進
行していたことが示された。

【０２１６】実施例７３ ビス（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ブチルアミド）ジル
コニウムジクロライド・テトラヒドロフランと、１，２
−ビス（３−インデニル）エタンのジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、エ
チレンビス（１−インデニル）ジルコニウムビス（Ｎ−
トリメチルシリル−ｎ−ブチルアミド）０．９６１ｇ
（収率７８％）黄土色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.04(s,Me₃Si,18H)
0.7〜0.9(m,CH₃,6H) 1.0〜1.4(m,CH₂,8H) 3.2〜4.2(m,N
-CH₂,Et,8H) 6.0〜7.8(m,Ind,12H)

【０２１７】実施例７４ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウムビス（Ｎ
−トリメチルシリル−ｎ−ブチルアミド）の塩素化によ
る、エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウムジク
ロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、エチレンビス（１−
インデニル）ジルコニウムジクロライドが、ラセミ型：
メソ型＝６７：３３の割合にて存在しており、実施例７
３に記載した錯形成反応が、ラセミ型：メソ型＝６７：
３３の立体選択性にて進行していたことが示された。

【０２１８】実施例７５ ビス（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ブチルアミド）ジル
コニウムジクロライド・テトラヒドロフランと、ジメチ
ルシリレンビス（２−メチル４，５−ベンゾインデン）
のジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイン
デニル）ジルコニウムビス（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ
−ブチルアミド）を０．５４７ｇ（収率８５％）濃黄色
粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.03(s,Me₃Si,18H)
0.8〜1.0(m,CH₃,6H) 1.2〜1.5(m,CH₂,Me₂Si,14H) 2.1〜
2.7(m,Ind-Me,6H) 3.2〜3.6(m, N-CH₂,4H) 6.9〜8.2(m,
Ind,14H)

【０２１９】実施例７６ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウムビス（Ｎ−トリメチルシリル−
ｎ−ブチルアミド）の塩素化による、ジメチルシリレン
ビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジルコ
ニウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、ジメチルシリレンビ
ス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニ
ウムジクロライドが、ラセミ型：メソ型＝６３：３７の
割合にて存在しており、実施例７５に記載した錯形成反
応が、ラセミ型：メソ型＝６３：３７の立体選択性にて
進行していたことが示された。

【０２２０】実施例７７ ビス（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）ジ
ルコニウムジクロライド・テトラヒドロフランと、１，
２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチウム塩の反
応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、エ
チレンビス（１−インデニル）ジルコニウムビス（Ｎ−
トリメチルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）を０．５４２
ｇ（収率６８％）黄土色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) -0.14(s,Me₃Si,18H)
0.88(m,CH₃,6H) 1.2〜1.9(m,CH₂,16H) 3.3〜4.1(m,N-C
H₂,Et,8H) 6.0〜8.0(m,Ind,12H)

【０２２１】実施例７８ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウムビス（Ｎ
−トリメチルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）の塩素化に
よる、エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウムジ
クロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、エチレンビス（１−
インデニル）ジルコニウムジクロライドが、ラセミ型：
メソ型＝６５：３５の割合にて存在しており、実施例７
７に記載した錯形成反応が、ラセミ型：メソ型＝６５：
３５の立体選択性にて進行していたことが示された。

【０２２２】実施例７９ ビス（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）ジ
ルコニウムジクロライド・テトラヒドロフランと、ジメ
チルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデ
ン）のジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイン
デニル）ジルコニウムビス（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ
−ヘキシルアミド）を０．６０７ｇ（収率８０％）緑色
粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.07(s,Me₃Si,18H)
0.88(m,CH₃,6H) 1.2〜1.7(m,CH₂,Me₂Si,22H) 2.0〜2.7
(m,Ind-Me,6H) 3.3〜3.7(m,N-CH₂,4H) 6.8〜8.2(m,Ind,
14H)

【０２２３】実施例８０ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウムビス（Ｎ−トリメチルシリル−
ｎ−ヘキシルアミド）の塩素化による、ジメチルシリレ
ンビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジル
コニウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、ジメチルシリレンビ
ス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニ
ウムジクロライドが、ラセミ型：メソ型＝５７：４３の
割合にて存在しており、実施例７９に記載した錯形成反
応が、ラセミ型：メソ型＝５７：４３の立体選択性にて
進行していたことが示された。

【０２２４】実施例８１ ビス（Ｎ−トリメチルシリル−シクロヘキシルアミド）
ジルコニウムジクロライド・テトラヒドロフランと、
１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチウム塩
の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、エ
チレンビス（１−インデニル）ジルコニウムビス（Ｎ−
トリメチルシリル−シクロヘキシルアミド）を０．５８
２ｇ（収率６５％）赤色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.43(s,Me₃Si,18H)
0.8〜2.2(m,C₆ring,20H) 3.2〜4.2(m,N-CH,Et,6H) 6.0
〜8.0(m,Ind,12H)

【０２２５】実施例８２ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウムビス（Ｎ
−トリメチルシリル−シクロヘキシルアミド）の塩素化
による、エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム
ジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、エチレンビス（１−
インデニル）ジルコニウムジクロライドが、ラセミ型：
メソ型＝８３：１７の割合にて存在しており、実施例８
１に記載した錯形成反応が、ラセミ型：メソ型＝８３：
１７の立体選択性にて進行していたことが示された。

【０２２６】実施例８３ ビス（Ｎ−トリメチルシリル−シクロヘキシルアミド）
ジルコニウムジクロライド・テトラヒドロフランと、ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイン
デン）のジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイン
デニル）ジルコニウムビス（Ｎ−トリメチルシリル−シ
クロヘキシルアミド）を０．５９２ｇ（収率７０％）黄
緑色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.03(s,Me₃Si,18H)
0.7〜1.7(m,C₆ring,Me₂Si,26H) 2.0〜2.6(m,Ind-Me,6H)
3.2〜3.6(m,N-CH,2H) 6.8〜8.2(m,Ind,14H)

【０２２７】実施例８４ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウムビス（Ｎ−トリメチルシリル−
シクロヘキシルアミド）の塩素化による、ジメチルシリ
レンビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジ
ルコニウムジクロライドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、ジメチルシリレンビ
ス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニ
ウムジクロライドが、ラセミ型：メソ型＝４１：５９の
割合にて存在しており、実施例８３に記載した錯形成反
応が、ラセミ型：メソ型＝４１：５９の立体選択性にて
進行していたことが示された。

【０２２８】実施例８５ ビス（Ｎ−トリメチルシリル−２−メチルシクロヘキシ
ルアミド）ジルコニウムジクロライド・テトラヒドロフ
ラン（ｃｉｓ、ｔｒａｎｓ混合物）と、１，２−ビス
（３−インデニル）エタンのジリチウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、エ
チレンビス（１−インデニル）ジルコニウムビス（Ｎ−
トリメチルシリル−２−メチルシクロヘキシルアミド）
（ｃｉｓ、ｔｒａｎｓ混合物）を１．２５ｇ（収率９０
％）褐色粉末として得た。¹ H-NMR(400MHz,CDCl₃/TMS)δ(ppm) 0.01(s,Me₃Si,18H)
0.0〜2.0(m,C₆ring,C₆-Me,24H) 3.3〜3.7(m,N-CH,Et,6
H) 6.7〜7.7(m,Ind,12H)

【０２２９】実施例８６ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウムビス（Ｎ
−トリメチルシリル−２−メチルシクロヘキシルアミ
ド）（ｃｉｓ、ｔｒａｎｓ混合物）の塩素化による、エ
チレンビス（１−インデニル）ジルコニウムジクロライ
ドの合成 実施例２と同様な操作により、標記化合物の反応を行っ
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲによる分析では、エチレンビス（１−
インデニル）ジルコニウムジクロライドが、ラセミ型：
メソ型＝２１：７９の割合にて存在しており、実施例８
５に記載した錯形成反応が、ラセミ型：メソ型＝２１：
７９の立体選択性にて進行していたことが示された。

【０２３０】実施例８７ ビス（Ｎ−トリメチルシリル−２−メチルシクロヘキシ
ルアミド）ジルコニウムジクロライド・テトラヒドロフ
ラン（ｃｉｓ、ｔｒａｎｓ混合物）と、ジメチルシリレ
ンビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデン）のジリ
チウム塩の反応 実施例１と同様な操作で、標記化合物の反応を行なった
が、ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベン
ゾインデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−
２−メチルシクロヘキシルアミド）クロライド（ｃｉ
ｓ、ｔｒａｎｓ混合物）は生成しなかった。一般式
（Ｉ）で表される化合物と、一般式（ＩＩ）で表される
化合物の組合せにおいて、立体障害により反応が阻害さ
れた。

【０２３１】比較例１ ＺｒＣｌ₄を用いたイソプロピリデンビス（１−インデ
ン）の錯形成反応 （錯形成が不良の例 実施例９、１０との比較） １００ｍｌのシュレンクチュ−ブへ、イソプロピリデン
ビス（１−インデン）のジリチウム塩（５．３８ｍｏ
ｌ）と、ＺｒＣｌ₄（５．３８ｍｏｌ）を仕込み、−７
８℃に冷却した。−７８℃に冷却した５３ｍｌの塩化メ
チレンを加え室温にて撹拌した。反応液の ¹Ｈ−ＮＭＲ
による分析では、原料である配位子に由来するシグナル
のみが観測され、生成物中に目的物は確認できなかっ
た。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｍ¹は４族遷移金属原子を表わし、Ａは１５族
   または１６族ヘテロ原子を表わし、Ｂは１４族典型元素
   を表わし、Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ独立してヘテロ原子
   を含んでもよい炭素原子数１〜３０の炭化水素基または
   水素原子を表わし、Ｘは各々独立して互いに同じでも異
   なってもよいハロゲン原子あるいは炭素原子数１〜１０
   の酸素原子及び／又は硫黄原子含有基を表わし、Ｒ¹及
   びＲ²は、Ｒ¹またはＲ²と各々結合してＡ、Ｂ、及び／
   またはＭ¹を含む環を構成してもよく、Ｍ¹にはエ−テル
   類またはアミン類が１〜５０の配位数で配位していても
   よく、またｐ及びｑは夫々独立して０、１又は２を表わ
   し、ｐ＋ｑは１又は２であり、ｒは１又は２を、ｓは２
   又は３を表わし、ただしｒが１のとき、ｓは３であるも
   のとし、ｒが２のとき、ｓは２、ｐは１又は２、ｑは０
   又は１であるものとする。）で表される４族遷移金属化
   合物と、下記一般式（ＩＩ） （Ｍ²）⁺（Ｌ¹）^-−Ｃ−（Ｌ²）^-（Ｍ²）⁺ （ＩＩ） （式中、Ｌ¹及びＬ²は互いに同じでも異なってもよいシ
   クロペンタジエニル基、置換シクロペンタジエニル基、
   インデニル基、置換インデニル基、アズレニル基、置換
   アズレニル基、フルオレニル基、または置換フルオレニ
   ル基を表わし、ＣはＬ¹及びＬ²を連結する炭素原子数１
   〜２０の炭化水素基、炭素原子数１〜２０の炭化水素基
   を有してもよいシリレン基、オリゴシリレン基、または
   ゲルミレン基を表わし、Ｍ²は１族または２族典型金属
   元素を表わし、また、Ｍ²にはエ−テル類またはアミン
   類が１〜５０の配位数で配位していてもよい。）で表さ
   れる化合物を反応させることを特徴とする、下記一般式
   （ＩＩＩ） 【化２】 （式中、Ｍ¹、Ａ、Ｂ、Ｒ¹、Ｒ²、Ｘ、Ｌ¹、Ｌ²、Ｃ、
   ｐ、ｑ、ｒは夫々前記と同義であり、またｔはｓ−２を
   意味し、またＭ¹にはエ−テル類またはアミン類が１〜
   ５０の配位数で配位していてもよい。）で表されるメタ
   ロセン化合物の合成方法。
2. 【請求項２】 一般式（Ｉ）で表される化合物と、一般
   式（ＩＩ）で表される化合物とを選択することにより、
   合成される一般式（ＩＩＩ）で表される化合物のラセミ
   型、メソ型の割合を調整することを特徴とする、請求項
   １に記載の方法。
3. 【請求項３】 一般式（Ｉ）で表される化合物と、一般
   式（ＩＩ）で表される化合物とを選択することにより、
   ラセミ型に偏よった一般式（ＩＩＩ）で表される化合物
   を合成することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
4. 【請求項４】 一般式（Ｉ）において、式中のＸがハロ
   ゲン原子であり、Ａが窒素原子または酸素原子であり、
   Ｂがケイ素原子である請求項１〜３のいずれかに記載の
   方法。
5. 【請求項５】 一般式（ＩＩＩ） 【化３】 （式中、Ｍ¹は４族遷移金属原子を表わし、Ａは１５族
   または１６族ヘテロ原子を表わし、Ｂは１４族典型元素
   を表わし、Ｒ¹及びＲ²は夫々独立してヘテロ原子を含ん
   でもよい炭素原子数１〜３０の炭化水素基または水素原
   子を表わし、Ｘはハロゲン原子、あるいは炭素原子数１
   〜１０の酸素原子及び／又は硫黄原子含有基を表わし、
   Ｒ¹及びＲ²は、Ｒ¹またはＲ²と各々結合してＡ、Ｂ、及
   び／またはＭ¹を含む環を構成してもよく、Ｌ¹及びＬ²
   は互いに同じでも異なってもよいシクロペンタジエニル
   基、置換シクロペンタジエニル基、インデニル基、置換
   インデニル基、アズレニル基、置換アズレニル基、フル
   オレニル基、または置換フルオレニル基を表わし、Ｃは
   Ｌ¹及びＬ²を連結する炭素原子数１〜２０の炭化水素
   基、炭素原子数１〜２０の炭化水素基を有してもよいシ
   リレン基、オリゴシリレン基、またはゲルミレン基を表
   わし、Ｍ¹にはエ−テル類またはアミン類が１〜５０の
   配位数で配位していてもよく、またｐ及びｑは夫々独立
   して０、１又は２を表わし、ｐ＋ｑは１又は２であり、
   ｒは１又は２を、ｔは０又は１を表わし、ただしｒが１
   のとき、ｔは１であるものとし、ｒが２のとき、ｔは
   ０、ｐは１又は２、ｑは０又は１であるものとする。）
   で表されるメタロセン化合物をハロゲン化することを特
   徴とする、下記一般式（ＩＶ） 【化４】 （式中、Ｍ¹、Ｌ¹、Ｌ²、Ｃは夫々前記と同義であり、
   Ｙはハロゲン原子であり、また、Ｍ¹にはエ−テル類ま
   たはアミン類が１〜５０の配位数で配位していてもよ
   い。）で表されるハロゲン化されたメタロセン化合物の
   合成方法。
6. 【請求項６】 一般式（ＩＩＩ）で表わされるメタロセ
   ン化合物が請求項１〜４のいずれかに記載された方法に
   より得られたものであることを特徴とする、請求項５に
   記載の方法。
7. 【請求項７】 合成される一般式（ＩＶ）で表される化
   合物のラセミ型、メソ型の立体構造がラセミ型に偏よっ
   ていることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
8. 【請求項８】 合成される一般式（ＩＶ）で表される化
   合物のラセミ型、メソ型の立体構造がメソ型に偏よって
   いることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
9. 【請求項９】 一般式（ＩＩＩ）において、式中のＸが
   ハロゲン原子であり、Ａが窒素原子または酸素原子であ
   り、Ｂがケイ素原子である請求項５〜８のいずれかに記
   載の方法。