JPH11292890A - 新規な有機遷移金属化合物 - Google Patents

新規な有機遷移金属化合物

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JPH11292890A
JPH11292890A JP10716998A JP10716998A JPH11292890A JP H11292890 A JPH11292890 A JP H11292890A JP 10716998 A JP10716998 A JP 10716998A JP 10716998 A JP10716998 A JP 10716998A JP H11292890 A JPH11292890 A JP H11292890A
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JP
Japan
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methyl
atom
trichloride
compound
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Application number
JP10716998A
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English (en)
Inventor
Junichi Hori
順一 堀
Kunihiko Murata
邦彦 村田
Masahiro Yoshida
正広 吉田
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Kanto Chemical Co Inc
Original Assignee
Kanto Chemical Co Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【解決しようとする課題】ラセミ型またはメソ型構造を
有する架橋メタロセン化合物の選択的な合成に寄与する
中間体、及び該中間体を経て合成される架橋メタロセン
化合物を提供する。 【解決手段】一般式（Ｉ） 【化１】 で表わされる有機遷移金属化合物とする、前記製造方
法。（式中、Ｍ1、Ａ、Ｂ、Ｒ1、Ｒ2、Ｘ、ｐ、ｑ、
ｒ、ｓの各置換基の定義は、請求項１に記載のとお
り。）で表わされる有機遷移金属化合物。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、オレフィン類重合
用触媒、または有機合成用触媒として有用なメタロセン
化合物、並びにその中間体に関する。
【０００２】
【従来技術】シクロペンタジエニル基、インデニル基、
アズレニル基、フルオレニル基、またはそれらの誘導体
を配位子とする架橋構造を有するメタロセン化合物は、
助触媒、例えばメチルアルモキサンの共存下、エチレ
ン、プロピレン等のオレフィン重合用触媒として有用で
ある。オレフィンを立体規則的に重合させるため、種々
の立体構造を有するメタロセン化合物が検討されてき
た。シンジオタクティックポリオレフィン製造のために
は、Ｃｓ対称性を有するメタロセン化合物が有効である
(J.Am.Chem.Soc.,110,6255,(1988))。また、アイソタク
ティックポリオレフィン製造のためには、ラセミ型構造
を有するメタロセン化合物が有効であることが報告され
ている(Angew.Chem.Int.Ed.Engl.,24,507(1985);Chem.R
ev.,92,965(1992))。
【０００３】架橋メタロセン化合物の合成反応は、配位
子合成ステップ及び錯形成ステップから構成される。一
般的には配位子合成ステップは多段階を要するが、好収
率で合成可能な場合が多い。これに対して、錯形成ステ
ップではより高度な技術が必要であり、このため架橋メ
タロセン化合物の合成を工業的に実施するには特に困難
を伴なう。
【０００４】従来、架橋メタロセン化合物は、下記反応
式１に示される、配位子を脱プロトン化して生成したジ
アニオンと、金属四塩化物またはそのテトラヒドロフラ
ン付加物とをテトラヒドロフランを溶媒とした均一系反
応により行われている(J.Organomet.Chem.288,63(198
5)；日本化学会編、有機金属錯体（第４版実験化学講座
１８）、丸善(1991)p.81)。
【０００５】
【化６】反応式１
【０００６】しかしながら、この方法はタ−ル状の物
質、及びメソ型構造を有するメタロセン化合物が副生す
るため、生成物から目的のラセミ型メタロセン化合物を
分離する操作が非常に煩雑であり、収率が極めて低いと
いう問題点が存在する。一般に、メソ型メタロセン化合
物は、立体選択的な重合用触媒としての性能を低下させ
るため、カラムクロマトグラフィ−法、洗浄法、または
再結晶法等の精製操作を併用することによって除去され
ていた(J.Organomet.Chem.232,233(1982);Organometall
ics,13,954(1994))。
【０００７】その後の改良法として、粉末状に単離した
ジアニオンと金属四塩化物のテトラヒドロフラン付加物
を、ジエチルエ−テル溶媒中で低温にて不均一系反応を
行う方法（特開平１−１９７４９０）が提案され、現時
点では不均一系反応が架橋メタロセン化合物の合成法と
して汎用されている。しかし、構造によっては目的のメ
タロセン化合物が生成しないという問題点の他、依然と
してメソ型メタロセン化合物がラセミ型メタロセン化合
物のほぼ同量副生するため、収率が半減する点、目的と
するラセミ型メタロセン化合物との分離が煩雑である点
等の問題点が存在する。反応後の精製工程の改良法とし
て、メタロセン化合物を合成する際、使用する反応溶媒
を選択することで、反応終了後にラセミ型メタロセン化
合物のみを析出させる方法（特開平６−１２２６９２）
が報告されているが、この方法では、本来メソ型メタロ
セン化合物が約半分の割合で副生しているため、効率的
な合成方法とは言い難い。
【０００８】また、メソ型メタロセン化合物をラセミ型
メタロセン化合物に変換する方法も検討されているが
(J.Organomet.Chem.,342,21(1988);Organometallics,1
1,1869(1992))、ラセミ型メタロセン化合物として充分
な純度のものが得られず、しかも、メタロセン化合物の
分解が生起する。なお、メソ型メタロセン化合物もある
目的においては産業上有用な化合物であることが報告さ
れている（特開平６−１５７６６２）。メソ型メタロセ
ン化合物を合成する場合においても、ラセミ型及びメソ
型メタロセン化合物の混合物を一旦合成した後、精製操
作によってラセミ型メタロセン化合物を除去することが
行われている。
【０００９】以上に記載した従来の合成方法は、錯形成
時に立体選択を伴わないためにメソ型またはラセミ型メ
タロセン化合物が相当量副生し、目的とする立体構造の
メタロセン化合物の収率が低く、また精製工程における
操作が煩雑となることから合成コストは割高であり、工
業的スケ−ルでの実施化も困難であった。
【００１０】上記問題を解決する試みとして、ラセミ型
メタロセン化合物の効率的合成を狙い、錯形成時に立体
選択を生じせしめる方法も報告されている。シクロペン
タジエニル骨格へかさ高い置換基を導入した配位子を用
いた方法及び、架橋部分にビナフチル骨格を有する配位
子を用いた方法では、その収率が低く、実用性に欠ける
(Organometallics,10,2349(1991);Organometallics,10,
2998(1991))。また、低温にて不均一系反応を行うこと
による方法（特開平１−１９７４９０）では、期待され
る立体選択が殆どの例で認められない。Ｅｔ3ＳｎＣｌ
を使用した、ラセミ型配位子を分離後に錯形成を行う方
法（特開平８−２５９５８２；ＷＯ９６／２２９９５）
も、多段階を経て合成された配位子を約半分使用できな
い欠点を有し、Ｅｔ3ＳｎＣｌの安全性にも大きな問題
がある。Ｂｕ3ＳｎＣｌとＭｇ化合物を使用する方法
（特開平７−２６７９７４）も同様に安全、環境面での
問題点の他、溶媒の残分が収率に大きく影響し、工業的
製造法としては問題がある。Ｂｕ2ＺｒＣｌ2を用いた方
法(J.Organomet.Chem.,535,29(1997))も報告されたが、
錯形成時の立体選択は意図されておらず、そのラセミ型
選択性も充分とはいえない。
【００１１】これらに対し、テトラキス（ジアルキルア
ミド）金属化合物（一例としてＺｒ（ＮＭｅ2）4）を用
いて高収率でラセミ型メタロセン化合物を合成する方法
（ＷＯ９５／３２９７９；米国特許５４９５０３５；Or
ganometallics,14,5(1995);Organometallics,15,4030(1
996);Organometallics,15,4038(1996);Organometallic
s,15,4045(1996);Organometallics,17,281(1998);J.Am.
Chem.Soc.,118,8024(1996))が報告されており、特定構
造のメタロセン化合物の合成法としては有効である。し
かしこの方法は、種々の構造の配位子全般においては目
的のメタロセン化合物が生成しない場合が多く、適用可
能な配位子構造は限定されている。例えば重合用触媒と
して有用である、置換基を有するインデンがジメチルシ
リレン架橋されたメタロセン化合物を合成する際にはこ
の方法を適用することができない。さらに、錯形成反応
が進行してもラセミ型への立体選択が生じず、メソ型メ
タロセン化合物が多く副生する場合も存在する。
【００１２】さらに、この方法では、反応温度８０〜１
８０℃、通常は１００℃にて、３〜２４時間という長時
間反応を要する。この様に長時間加熱する反応条件で
は、熱に対して不安定な配位子は重合または分解する可
能性が高い。この反応系は高温でアミンを脱離させ、ガ
スの状態でアミンを系中に存在させることが必要である
故、使用可能なアミンは自ずから低沸点のものに限定さ
れる。この事実は、例えば或る構造の配位子と或る構造
のアミド化合物の反応を試みた際、反応が不調であって
も他に選択し得る組合せが少ない事を示している。以上
のように、従来報告されたラセミ型メタロセンの合成法
は、何れも種々問題点が存在した。さらにメソ型メタロ
センを効率的に合成する方法は、ほとんど知られていな
かった。従って架橋メタロセン化合物の合成法として
は、ＺｒＣｌ4と配位子のアニオンを不均一系で反応さ
せる方法が、非立体選択的で低収率な反応であるにも拘
らず一般的に行われている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の課題
は、上記の従来技術における問題点を解消するととも
に、架橋メタロセン化合物の生成に必要な錯形成が容易
で、かつ錯形成時における面選択性を制御し、ラセミ型
またはメソ型構造を有する架橋メタロセン化合物の選択
的な合成に寄与する中間体を提供し、また該中間体を経
て合成される架橋メタロセン化合物を提供することにあ
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、先に、架
橋メタロセン化合物を効率的に合成できる新規な化合物
を開発した（特願平８−２８１６４３）が、その後、架
橋構造を有するメタロセン化合物の合成を目的とした研
究をさらに進める中で、立体選択がより簡便な操作で、
かつ高い収率で架橋メタロセン化合物を効率的に合成で
きる新規な化合物を新たに見出し、本発明を完成するに
至った。本発明は特願平８−２８１６４３に記載された
化合物と比較して、より多くの種類の配位子構造に適用
可能であるため、ラセミ型、メソ型構造の生成割合を自
由に制御する上で極めて有用な化合物を提供するもので
ある。即ち、本発明は、下記一般式（Ｉ）
【００１５】
【化７】
【００１６】（式中、Ｍ1は４族遷移金属原子を表し、
Ａは１５族ヘテロ原子を表し、Ｂはケイ素原子、ゲルマ
ニウム原子、スズ原子又は鉛原子を表わし、Ｒ1はヘテ
ロ原子を含んでもよい炭素原子数１〜２０の炭化水素基
または水素原子を表し、Ｒ2は炭素原子数１〜２０の炭
化水素基または水素原子を表わし、Ｘは各々独立して互
いに同じでも異なってもよいハロゲン原子を表わし、Ｒ
1及びＲ2は、Ｒ1またはＲ2と各々結合してＡ、Ｂ、及び
／またはＭ1を含む環を構成してもよく、またｐ及びｑ
は夫々独立して０、１又は２を表わし、ｐ＋ｑは２であ
り、ｒは１又は２を、ｓは２又は３を表わし、ただしｒ
が１のとき、ｓは３であるものとし、ｒが２のとき、ｓ
は２、ｐは１又は２、ｑは０又は１であるものとし、さ
らにＡが窒素原子、Ｂがケイ素原子、ｒが２、ｐが１、
ｑが１のとき、
【００１７】ｉ）Ｘが塩素原子又はヨウ素原子で、Ｒ2
が夫々結合した化合物 ｉｉ）Ｒ2がｔｅｒｔ−ブチル、Ｘが塩素原子で、Ｍ1が
チタン原子である化合物、及び ｉｉｉ）Ｒ2がジ（イソプロピル）フェニル基で、Ｘが
塩素原子又はフッ素原子である化合物 を除き、またＡが窒素原子、Ｂがケイ素原子、Ｘが塩素
原子、ｒが２、ｐが２、ｑが０のとき、 ｉｖ）Ｒ1がメチル基である化合物 を除き、またＡが窒素原子、Ｂがケイ素原子、Ｘが塩素
原子、Ｍ1がチタン原子、ｒが１、ｐが２、ｑが０のと
き、 ｖ）Ｒ1がメチルである化合物 を除くものとする。）で表される有機遷移金属化合物に
関する。
【００１８】また本発明は、下記一般式（ＩＩ）
【化８】
【００１９】（式中、Ｍ1は４族遷移金属原子を表し、
Ａは１５族ヘテロ原子を表し、Ｂはケイ素原子、ゲルマ
ニウム原子、スズ原子又は鉛原子を表し、Ｒ1はヘテロ
原子を含んでもよい炭素原子数１〜２０の炭化水素基ま
たは水素原子を表し、Ｒ2は炭素原子数１〜２０の炭化
水素基または水素原子を表し、Ｒ1及びＲ2は、Ｒ1また
はＲ2と各々結合してＡ、Ｂ、及び／またはＭ1を含む環
を構成してもよく、Ｘはハロゲン原子を表し、Ｌ1及び
Ｌ2は互いに同じでも異なってもよいシクロペンタジエ
ニル基、置換シクロペンタジエニル基、インデニル基、
置換インデニル基、アズレニル基、置換アズレニル基、
フルオレニル基、または置換フルオレニル基を表し、Ｃ
はＬ1及びＬ2を連結する炭素原子数１〜２０の炭化水素
基、炭素原子数１〜２０の炭化水素基を有してもよいシ
リレン基、オリゴシリレン基、またはゲルミレン基を表
し、またｐ及びｑは夫々独立して０、１又は２を表わ
し、ｐ＋ｑは２であり、ｒは１又は２を、ｔは０又は１
を表わし、ただしｒが１のとき、ｔは１であるものと
し、ｒが２のとき、ｔは０、ｐは１又は２、ｑは０又は
１であるものとする）で表されるメタロセン化合物に関
する。
【００２０】さらに本発明は、前記一般式（Ｉ）で表わ
される有機遷移金属化合物の製造方法にも関する。即
ち、
【化９】 で表わせる化合物を脱プロトン化して、一般式（ＩＶ）
【００２１】
【化１０】 で表わされる化合物とし、次いで該化合物を一般式
（Ｖ） Ｍ1（Ｘ）4 （Ｖ） で表わされる化合物と反応させて、一般式（Ｉ）
【００２２】
【化１１】 で表わされる有機遷移金属化合物とする、前記製造方法
に関する。 （各一般式中、Ｍ1、Ａ、Ｂ、Ｒ1、Ｒ2、Ｘ、ｐ、ｑ、
ｒ、ｓは、夫々、請求項１で定義したものと同義であ
る。）
【００２３】本発明の一般式（Ｉ）で表される新規化合
物は、架橋メタロセン化合物の原料として広く知られて
いる４つのハロゲン原子を有する４族遷移金属化合物と
は異なり、脱離基と、ヘテロ原子含有基（補助配位子）
を併せ持つ４族遷移金属化合物であって、該化合物はメ
タロセン化合物の生成に必要な錯形成を容易にするばか
りでなく、錯形成時における面選択性を制御し、ラセミ
型またはメソ型構造を有する一般式（ＩＩ）で表される
化合物の選択的な合成に寄与するものである。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
通常、メタロセン化合物の合成は、各々が等しい４つの
脱離基を有する４族遷移金属化合物（一例として四塩化
ジルコニウムが挙げられる）と、脱プロトン化された配
位子との反応によって行われている。これに対して本発
明者らは、一般式（Ｉ）で表される化合物を用いること
により、一般式（ＩＩ）で表される化合物を得、さらに
ハロゲン化反応を行うことにより、メタロセン化合物を
合成する方法を見出した（下記反応式２参照）。このよ
うな反応は新規な反応である。本発明は、下記反応式２
において使用する一般式（Ｉ）で表される新規な化合
物、及び一般式（ＩＩ）で表される新規なメタロセン化
合物を提供する。
【００２５】下記反応式２における反応では、タ−ル状
化合物を生じさせるような副反応は抑制され、一般式
（ＩＩ）で表されるメタロセン化合物を効率良く合成す
ることができる。なお、ＺｒＣｌ4を原料とした従来の
場合には、配位子の構造によっては、錯形成が良好に進
行しない場合があったが（一例として、配位子として、
イソプロピリデンビス（３−インデン）のアニオンは、
ＺｒＣｌ4を用いた場合には錯体が生成し難い）、一般
式（Ｉ）で表される化合物を用いる反応式２の方法で
は、錯形成の進行が可能な場合がある。さらに本反応に
おいては、脱プロトン化された配位子に対して、一般式
（Ｉ）で表される化合物を適宜選択することにより、立
体選択を制御する事が可能である。則ち、一般式（Ｉ
Ｉ）で表されるメタロセン化合物の内、ラセミ型メタロ
セン化合物またはメソ型メタロセン化合物を任意に選択
的に合成する事が可能である。
【００２６】一般式（ＩＩ）で表される化合物のハロゲ
ン化反応では、ラセミ型、メソ型の立体構造をそのまま
保持したまま、産業上有用であるジハロゲノメタロセン
化合物に変換することができる。従って本発明記載の一
般式（Ｉ）で表される化合物、及び一般式（ＩＩ）で表
される化合物は、オレフィン重合用触媒として有用な架
橋メタロセン化合物、特にラセミ型メタロセン化合物、
またはメソ型メタロセン化合物を高収率で合成するため
の中間体として、工業的に極めて有用な化合物である。
【００２７】本発明における一般式（Ｉ）のＭ1は、４
族遷移金属原子、即ちチタン原子、ジルコニウム原子又
はハフニウム原子であり、該原子に結合したＡは、１５
族のヘテロ原子であればどのような原子でも用いること
ができるが、とくに窒素原子、リン原子が好ましく、よ
り好ましくは窒素原子である。また、このヘテロ原子に
結合する有機基部分である（（Ｒ1）3−Ｂ）として、Ｂ
はケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子又は鉛原子
であり、Ｒ1は、ヘテロ原子を含んでもよい炭素原子数
１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６
の炭化水素基または水素原子であり、一方、同じく有機
基部分であるＲ2は、炭素原子数１〜２０、好ましくは
１〜１０の炭化水素基または水素原子である。さらにＸ
は、ハロゲン原子、好ましくは塩素原子または臭素原子
である。
【００２８】
【化１２】反応式２
【００２９】一般式（Ｉ）で表される化合物の非制限的
な例は、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アミドジル
コニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメトキシ
シリル）アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−
ビス（トリイソプロピルシリル）アミドジルコニウムト
リクロライド、Ｎ，Ｎ−ビス（トリシクロヘキシルシリ
ル）アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ビス
（トリフェニルシリル）アミドジルコニウムトリクロラ
イド、Ｎ，Ｎ−ビス（トリトルイルシリル）アミドジル
コニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ビス（トリ（クロロ
フェニル）シリル）アミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ，Ｎ−ビス（トリ（メトキシフェニル）シリル）
アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ビス（ト
リ（ニトロフェニル）シリル）アミドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ，Ｎ−ビス（トリ（トリメチルシリル）
シリル）アミドジルコニウムトリクロライド、３，４−
ジクロロピロ−ルイルジルコニウムトリクロライド、
【００３０】Ｎ，Ｎ−ビス（ジメチルフェニルシリル）
アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ビス（ジ
メトキシフェニルシリル）アミドジルコニウムトリクロ
ライド、Ｎ，Ｎ−ビス（ジイソプロピルフェニルシリ
ル）アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ビス
（ジシクロヘキシルフェニルシリル）アミドジルコニウ
ムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ビス（ジトルイルフェニル
シリル）アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−
ビス（ジ（クロロフェニル）フェニルシリル）アミドジ
ルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ビス（ジ（メトキ
シフェニル）フェニルシリル）アミドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ，Ｎ−ビス（ジ（ニトロフェニル）メチ
ルシリル）アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ
−ビス（ジ（トリメチルシリル）メチルシリル）アミド
ジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ビス（クロロフ
ェニル）アミドジルコニウムトリクロライド、
【００３１】Ｎ−トリメチルシリル−クロロフェニルア
ミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリ
ル−メトキシフェニルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリメチルシリル−ニトロフェニルアミドジル
コニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル−アミ
ノフェニルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ト
リフェニルシリル−クロロフェニルアミドジルコニウム
トリクロライド、Ｎ−トリフェニルシリル−メトキシフ
ェニルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフ
ェニルシリル−ニトロフェニルアミドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ−トリフェニルシリル−アミノフェニル
アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシ
シリル−クロロフェニルアミドジルコニウムトリクロラ
イド、Ｎ−トリメトキシシリル−メトキシフェニルアミ
ドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシシリ
ル−ニトロフェニルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリメトキシシリル−アミノフェニルアミドジ
ルコニウムトリクロライド、
【００３２】Ｎ−ジメチルフェニルシリル−クロロフェ
ニルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチル
フェニルシリル−メトキシフェニルアミドジルコニウム
トリクロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ニトロ
フェニルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメ
チルフェニルシリル−アミノフェニルアミドジルコニウ
ムトリクロライド、Ｎ−ジフェニルメチルシリル−クロ
ロフェニルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジ
フェニルメチルシリル−メトキシフェニルアミドジルコ
ニウムトリクロライド、Ｎ−ジフェニルメチルシリル−
ニトロフェニルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ
−ジフェニルメチルシリル−アミノフェニルアミドジル
コニウムトリクロライド、
【００３３】Ｎ−トリメチルシリル−メチルアミドジル
コニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル−エチ
ルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチル
シリル−ｎ−プロピルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリメチルシリル−ｉｓｏ−プロピルアミドジ
ルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル−ｎ
−ブチルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリ
メチルシリル−ｔｅｒｔ−ブチルアミドジルコニウムト
リクロライド、Ｎ−トリメチルシリル−ｉｓｏ−ブチル
アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシ
リル−ｎ−ペンチルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリメチルシリル−ｉｓｏ−ペンチルアミドジ
ルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル−シ
クロペンチルアミドジルコニウムトリクロライド、
【００３４】Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ヘキシルアミ
ドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル
−ｉｓｏ−ヘキシルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリメチルシリル−シクロヘキシルアミドジル
コニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル−メチ
ルシクロヘキシルアミドジルコニウムトリクロライド、
Ｎ−トリメチルシリル−ジメチルシクロヘキシルアミド
ジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル−
トリメチルシクロヘキシルアミドジルコニウムトリクロ
ライド、Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ヘプチルアミドジ
ルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル−ｉ
ｓｏ−ヘプチルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ
−トリメチルシリル−シクロヘプチルアミドジルコニウ
ムトリクロライド、
【００３５】Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−オクチルアミ
ドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル
−ｉｓｏ−オクチルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ノニルアミドジルコニ
ウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル−ｉｓｏ−
ノニルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメ
チルシリル−ｎ−デシルアミドジルコニウムトリクロラ
イド、Ｎ−トリメチルシリル−ｉｓｏ−デシルアミドジ
ルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル−ア
ニリドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシ
リル−トルイジドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ト
リメチルシリル−ジメチルアニリドジルコニウムトリク
ロライド、Ｎ−トリメチルシリル−エチルアニリドジル
コニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル−シク
ロヘキシルアニリドジルコニウムトリクロライド、
【００３６】Ｎ−トリメチルシリル−ナフチルアミドジ
ルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメチルシリル−ベ
ンジルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフ
ェニルシリル−メチルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリフェニルシリル−エチルアミドジルコニウ
ムトリクロライド、Ｎ−トリフェニルシリル−ｎ−プロ
ピルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフェ
ニルシリル−ｉｓｏ−プロピルアミドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ−トリフェニルシリル−ｎ−ブチルアミ
ドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフェニルシリ
ル−ｔｅｒｔ−ブチルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリフェニルシリル−ｉｓｏ−ブチルアミドジ
ルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフェニルシリル−
ｎ−ペンチルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−
トリフェニルシリル−ｉｓｏ−ペンチルアミドジルコニ
ウムトリクロライド、
【００３７】Ｎ−トリフェニルシリル−シクロペンチル
アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフェニル
シリル−ｎ−ヘキシルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリフェニルシリル−ｉｓｏ−ヘキシルアミド
ジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフェニルシリル
−シクロヘキシルアミドジルコニウムトリクロライド、
Ｎ−トリフェニルシリル−メチルシクロヘキシルアミド
ジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフェニルシリル
−ジメチルシクロヘキシルアミドジルコニウムトリクロ
ライド、
【００３８】Ｎ−トリフェニルシリル−トリメチルシク
ロヘキシルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ト
リフェニルシリル−ｎ−ヘプチルアミドジルコニウムト
リクロライド、Ｎ−トリフェニルシリル−ｉｓｏ−ヘプ
チルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフェ
ニルシリル−シクロヘプチルアミドジルコニウムトリク
ロライド、Ｎ−トリフェニルシリル−ｎ−オクチルアミ
ドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフェニルシリ
ル−ｉｓｏ−オクチルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリフェニルシリル−ｎ−ノニルアミドジルコ
ニウムトリクロライド、Ｎ−トリフェニルシリル−ｉｓ
ｏ−ノニルアミドジルコニウムトリクロライド、
【００３９】Ｎ−トリフェニルシリル−ｎ−デシルアミ
ドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフェニルシリ
ル−ｉｓｏ−デシルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリフェニルシリル−アニリドジルコニウムト
リクロライド、Ｎ−トリフェニルシリル−トルイジドジ
ルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフェニルシリル−
ジメチルアニリドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ト
リフェニルシリル−エチルアニリドジルコニウムトリク
ロライド、Ｎ−トリフェニルシリル−シクロヘキシルア
ニリドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリフェニル
シリル−ナフチルアミドジルコニウムトリクロライド、
Ｎ−トリフェニルシリル−ベンジルアミドチタニウムト
リクロライド、Ｎ−トリメトキシシリル−メチルアミド
ジルコニウムトリクロライド、
【００４０】Ｎ−トリメトキシシリル−エチルアミドジ
ルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシシリル−
ｎ−プロピルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−
トリメトキシシリル−ｉｓｏ−プロピルアミドジルコニ
ウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシシリル−ｎ−ブ
チルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメト
キシシリル−ｔｅｒｔ−ブチルアミドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ−トリメトキシシリル−ｉｓｏ−ブチル
アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシ
シリル−ｎ−ペンチルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリメトキシシリル−ｉｓｏ−ペンチルアミド
ジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシシリル
−シクロペンチルアミドジルコニウムトリクロライド、
【００４１】Ｎ−トリメトキシシリル−ｎ−ヘキシルア
ミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシシ
リル−ｉｓｏ−ヘキシルアミドジルコニウムトリクロラ
イド、Ｎ−トリメトキシシリル−シクロヘキシルアミド
ジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシシリル
−メチルシクロヘキシルアミドジルコニウムトリクロラ
イド、Ｎ−トリメトキシシリル−ジメチルシクロヘキシ
ルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキ
シシリル−トリメチルシクロヘキシルアミドジルコニウ
ムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシシリル−ｎ−ヘプ
チルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメト
キシシリル−ｉｓｏ−ヘプチルアミドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ−トリメトキシシリル−シクロヘプチル
アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシ
シリル−ｎ−オクチルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、
【００４２】Ｎ−トリメトキシシリル−ｉｓｏ−オクチ
ルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキ
シシリル−ｎ−ノニルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−トリメトキシシリル−ｉｓｏ−ノニルアミドジ
ルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシシリル−
ｎ−デシルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ト
リメトキシシリル−ｉｓｏ−デシルアミドジルコニウム
トリクロライド、Ｎ−トリメトキシシリル−アニリドジ
ルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシシリル−
トルイジドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−トリメト
キシシリル−ジメチルアニリドジルコニウムトリクロラ
イド、Ｎ−トリメトキシシリル−エチルアニリドジルコ
ニウムトリクロライド、Ｎ−トリメトキシシリル−シク
ロヘキシルアニリドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−
トリメトキシシリル−ナフチルアミドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ−トリメトキシシリル−ベンジルアミド
ジルコニウムトリクロライド、
【００４３】Ｎ−ジメチルフェニルシリル−メチルアミ
ドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチルフェニル
シリル−エチルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ
−ジメチルフェニルシリル−ｎ−プロピルアミドジルコ
ニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−
ｉｓｏ−プロピルアミドジルコニウムトリクロライド、
Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｎ−ブチルアミドジルコ
ニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−
ｔｅｒｔ−ブチルアミドジルコニウムトリクロライド、
【００４４】Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｉｓｏ−ブ
チルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチル
フェニルシリル−ｎ−ペンチルアミドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｉｓｏ−ペ
ンチルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチ
ルフェニルシリル−シクロペンチルアミドジルコニウム
トリクロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｎ−ヘ
キシルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチ
ルフェニルシリル−ｉｓｏ−ヘキシルアミドジルコニウ
ムトリクロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−シク
ロヘキシルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジ
メチルフェニルシリル−メチルシクロヘキシルアミドジ
ルコニウムトリクロライド、
【００４５】Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ジメチルシ
クロヘキシルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−
ジメチルフェニルシリル−トリメチルシクロヘキシルア
ミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチルフェニ
ルシリル−ｎ−ヘプチルアミドジルコニウムトリクロラ
イド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｉｓｏ−ヘプチル
アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチルフェ
ニルシリル−シクロヘプチルアミドジルコニウムトリク
ロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｎ−オクチル
アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチルフェ
ニルシリル−ｉｓｏ−オクチルアミドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｎ−ノニル
アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチルフェ
ニルシリル−ｉｓｏ−ノニルアミドジルコニウムトリク
ロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｎ−デシルア
ミドジルコニウムトリクロライド、
【００４６】Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｉｓｏ−デ
シルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチル
フェニルシリル−アニリドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−トルイジドジルコニ
ウムトリクロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ジ
メチルアニリドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメ
チルフェニルシリル−エチルアニリドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−シクロヘキ
シルアニリドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ジメチ
ルフェニルシリル−ナフチルアミドジルコニウムトリク
ロライド、Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ベンジルアミ
ドジルコニウムトリクロライド、
【００４７】Ｎ，Ｎ−ジメチルアミドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−プロピルアミドジルコニ
ウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−ｉｓｏ−プロピルア
ミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブ
チルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチルアミドジルコニウムトリクロライド、
Ｎ，Ｎ−ジ−ｉｓｏ−ブチルアミドジルコニウムトリク
ロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ペンチルアミドジルコニウ
ムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−ｉｓｏ−ペンチルアミ
ドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−シクロペ
ンチルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ
−ｎ−ヘキシルアミドジルコニウムトリクロライド、ジ
−ｉｓｏ−ヘキシルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ，Ｎ−ジ−シクロヘキシルアミドジルコニウムト
リクロライド、
【００４８】Ｎ，Ｎ−ジ−メチルシクロヘキシルアミド
ジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ビス（ジメチル
シクロヘキシル）アミドジルコニウムトリクロライド、
Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシクロヘキシル）アミドジル
コニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ヘプチルア
ミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−ｉｓｏ
−ヘプチルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ
−ジ−シクロヘプチルアミドジルコニウムトリクロライ
ド、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−ｉｓｏ−オクチルアミドジル
コニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ノニルアミ
ドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ−ｉｓｏ−
ノニルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ
−ｎ−デシルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，
Ｎ−ジ−ｉｓｏ−デシルアミドジルコニウムトリクロラ
イド、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミドジルコニウムトリクロ
ライド、
【００４９】Ｎ，Ｎ−ジトルイルアミドジルコニウムト
リクロライド、Ｎ，Ｎ−ジキシリルアミドジルコニウム
トリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ（エチルフェニル）アミド
ジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ（シクロヘキ
シル）アミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−ジ
ナフチルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ，Ｎ−
ジベンジルアミドジルコニウムトリクロライド、ピロリ
ジドジルコニウムトリクロライド、ピロ−ルイルジルコ
ニウムトリクロライド、ピペリジドジルコニウムトリク
ロライド、カルバゾ−ルイルジルコニウムトリクロライ
ド、
【００５０】Ｎ−メチル−エチルアミドジルコニウムト
リクロライド、 Ｎ−メチル−ｎ−プロピルアミドジル
コニウムトリクロライド、 Ｎ−メチル−ｉｓｏ−プロ
ピルアミドジルコニウムトリクロライド、 Ｎ−メチル
−ｎ−ブチルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−
メチル−ｔｅｒｔ−ブチルアミドジルコニウムトリクロ
ライド、Ｎ−メチル−ｉｓｏ−ブチルアミドジルコニウ
ムトリクロライド、Ｎ−メチル−ｎ−ペンチルアミドジ
ルコニウムトリクロライド、Ｎ−メチル−ｉｓｏ−ペン
チルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−メチル−
シクロペンチルアミドジルコニウムトリクロライド、Ｎ
−メチル−ｎ−ヘキシルアミドジルコニウムトリクロラ
イド、Ｎ−メチル−ｉｓｏ−ヘキシルアミドジルコニウ
ムトリクロライド、Ｎ−メチル−シクロヘキシルアミド
ジルコニウムトリクロライド、
【００５１】Ｎ−メチルアニリドジルコニウムトリクロ
ライド、Ｎ−メチル−クロロアニリドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ−メチルトルイジドジルコニウムトリク
ロライド、Ｎ−メチル−ジメチルアニリドジルコニウム
トリクロライド、Ｎ−エチルアニリドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ−ｎ−プロピルアニリドジルコニウムト
リクロライド、Ｎ−ｉｓｏ−プロピルアニリドジルコニ
ウムトリクロライド、Ｎ−ｎ−ブチルアニリドジルコニ
ウムトリクロライド、Ｎ−ｉｓｏ−ブチルアニリドジル
コニウムトリクロライド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルアニリ
ドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ｎ−ペンチルアニ
リドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ｎ−ヘキシルア
ニリドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−メチル−シク
ロヘキシルアニリドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−
エチルトルイジドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−ｎ
−プロピルトルイジドジルコニウムトリクロライド、Ｎ
−ｉｓｏ−プロピルトルイジドジルコニウムトリクロラ
イド、Ｎ−ｎ−ブチルトルイジドジルコニウムトリクロ
ライド、Ｎ−ｉｓｏ−ブチルトルイジドジルコニウムト
リクロライド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルトルイジドジルコ
ニウムトリクロライド、Ｎ−ｎ−ペンチルトルイジドジ
ルコニウムトリクロライド、Ｎ−ｎ−ヘキシルトルイジ
ドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−メチル−シクロヘ
キシルトルイジドジルコニウムトリクロライド、
【００５２】Ｎ−メチル−プロピルアニリドジルコニウ
ムトリクロライド、Ｎ−エチル−プロピルアニリドジル
コニウムトリクロライド、 Ｎ−メチル−ジプロピルア
ニリドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−エチル−ジプ
ロピルアニリドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−メチ
ル−ブチルアニリドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−
エチル−ブチルアニリドジルコニウムトリクロライド、
Ｎ−メチル−ジ−ｎ−ブチルアニリドジルコニウムトリ
クロライド、Ｎ−エチル−ジ−ｎ−ブチルアニリドジル
コニウムトリクロライド、Ｎ−メチル−ジ−ｔｅｒｔ−
ブチルアニリドジルコニウムトリクロライド、Ｎ−エチ
ル−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアニリドジルコニウムトリク
ロライド、Ｎ−メチル−ナフチルアミドジルコニウムト
リクロライド、Ｎ−メチル−ベンジルアミドジルコニウ
ムトリクロライド、インド−ルイルジルコニウムトリク
ロライド、
【００５３】ビス（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメトキシシリ
ル）アミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ，Ｎ
−ビス（トリフェニルシリル）アミド）ジルコニウムジ
クロライド、ビス（Ｎ，Ｎ−ビス（トリ（トリメチルシ
リル）シリル）アミド）ジルコニウムジクロライド、ビ
ス（Ｎ，Ｎ−ビス（ジメチルフェニルシリル）アミド）
ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ，Ｎ−ビス（ジメ
トキシフェニルシリル）アミド）ジルコニウムジクロラ
イド、ビス（Ｎ，Ｎ−ビス（ジシクロヘキシルフェニル
シリル）アミド）ジルコニウムジクロライド、ビス
（Ｎ，Ｎ−ビス（ジ（メトキシフェニル）フェニルシリ
ル）アミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ，Ｎ
−ビス（ジ（トリメチルシリル）メチルシリル）アミ
ド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ，Ｎ−ビス
（クロロフェニル）アミド）ジルコニウムジクロライ
ド、
【００５４】ビス（Ｎ−トリメチルシリル−クロロフェ
ニルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−ト
リメチルシリル−メトキシフェニルアミド）ジルコニウ
ムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−ニトロ
フェニルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ
−トリメチルシリル−アミノフェニルアミド）ジルコニ
ウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリフェニルシリル−ク
ロロフェニルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス
（Ｎ−トリメトキシシリル−アミノフェニルアミド）ジ
ルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−ジメチルフェニル
シリル−クロロフェニルアミド）ジルコニウムジクロラ
イド、ビス（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ニトロフェ
ニルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−ジ
フェニルメチルシリル−クロロフェニルアミド）ジルコ
ニウムジクロライド、
【００５５】ビス（Ｎ−トリメチルシリル−メチルアミ
ド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチル
シリル−エチルアミドジルコニウム）ジクロライド、ビ
ス（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−プロピルアミド）ジル
コニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−
ｉｓｏ−プロピルアミド）ジルコニウムジクロライド、
ビス（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ブチルアミド）ジル
コニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−
ｔｅｒｔ−ブチルアミド）ジルコニウムジクロライド、
ビス（Ｎ−トリメチルシリル−ｉｓｏ−ブチルアミド）
ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリ
ル−ｎ−ペンチルアミド）ジルコニウムジクロライド、
ビス（Ｎ−トリメチルシリル−ｉｓｏ−ペンチルアミ
ド）ジルコニウムジクロライド、
【００５６】ビス（Ｎ−トリメチルシリル−シクロペン
チルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−ト
リメチルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）ジルコニウムジ
クロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−ｉｓｏ−ヘ
キシルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−
トリメチルシリル−シクロヘキシルアミド）ジルコニウ
ムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−メチル
シクロヘキシルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビ
ス（Ｎ−トリメチルシリル−ジメチルシクロヘキシルア
ミド）ジルコニウムジクロライド、
【００５７】ビス（Ｎ−トリメチルシリル−トリメチル
シクロヘキシルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビ
ス（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ヘプチルアミド）ジル
コニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−
ｉｓｏ−ヘプチルアミド）ジルコニウムジクロライド、
ビス（Ｎ−トリメチルシリル−シクロヘプチルアミド）
ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリ
ル−ｎ−オクチルアミド）ジルコニウムジクロライド、
ビス（Ｎ−トリメチルシリル−ｉｓｏ−オクチルアミ
ド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチル
シリル−ｎ−ノニルアミド）ジルコニウムジクロライ
ド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−ｉｓｏ−ノニルアミ
ド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチル
シリル−ｎ−デシルアミド）ジルコニウムジクロライ
ド、
【００５８】ビス（Ｎ−トリメチルシリル−ｉｓｏ−デ
シルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−ト
リメチルシリル−アニリド）ジルコニウムジクロライ
ド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−トルイジド）ジルコ
ニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−ジ
メチルアニリド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ
−トリメチルシリル−エチルアニリド）ジルコニウムジ
クロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−シクロヘキ
シルアニリド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−
トリメチルシリル−ナフチルアミド）ジルコニウムジク
ロライド、ビス（Ｎ−トリメチルシリル−ベンジルアミ
ド）ジルコニウムジクロライド、
【００５９】１，２−ビス（Ｎ−トリメチルシリル）−
シクロヘキシルアミノジルコニウムジクロライド、ビス
（Ｎ−トリフェニルシリル−メチルアミド）ジルコニウ
ムジクロライド、ビス（Ｎ−トリフェニルシリル−ｎ−
ブチルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−
トリフェニルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）ジルコニウ
ムジクロライド、ビス（Ｎ−トリフェニルシリル−ｉｓ
ｏ−ヘキシルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス
（Ｎ−トリフェニルシリル−シクロヘキシルアミド）ジ
ルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリフェニルシリ
ル−メチルシクロヘキシルアミド）ジルコニウムジクロ
ライド、
【００６０】ビス（Ｎ−トリフェニルシリル−ｎ−デシ
ルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリ
フェニルシリル−アニリド）ジルコニウムジクロライ
ド、ビス（Ｎ−トリフェニルシリル−トルイジド）ジル
コニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリフェニルシリル
−シクロヘキシルアニリド）ジルコニウムジクロライ
ド、ビス（Ｎ−トリフェニルシリル−ナフチルアミド）
ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリフェニルシ
リル−ベンジルアミド）ジルコニウムジクロライド、
１，２−ビス（Ｎ−トリフェニルシリル）−シクロヘキ
シルアミノジルコニウムジクロライド
【００６１】ビス（Ｎ−トリメトキシシリル−メチルア
ミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメト
キシシリル−ｎ−ブチルアミド）ジルコニウムジクロラ
イド、ビス（Ｎ−トリメトキシシリル−ｎ−ヘキシルア
ミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメト
キシシリル−ｉｓｏ−ヘキシルアミド）ジルコニウムジ
クロライド、ビス（Ｎ−トリメトキシシリル−シクロヘ
キシルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−
トリメトキシシリル−メチルシクロヘキシルアミド）ジ
ルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメトキシシリ
ル−ｎ−デシルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビ
ス（Ｎ−トリメトキシシリル−アニリド）ジルコニウム
ジクロライド、ビス（Ｎ−トリメトキシシリル−トルイ
ジド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメト
キシシリル−シクロヘキシルアニリド）ジルコニウムジ
クロライド、ビス（Ｎ−トリメトキシシリル−ナフチル
アミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−トリメ
トキシシリル−ベンジルアミド）ジルコニウムジクロラ
イド、１，２−ビス（Ｎ−トリメトキシシリル）−シク
ロヘキシルアミノジルコニウムジクロライド
【００６２】ビス（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−メチ
ルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−ジメ
チルフェニルシリル−エチルアミド）ジルコニウムジク
ロライド、ビス（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｎ−プ
ロピルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−
ジメチルフェニルシリル−ｉｓｏ−プロピルアミド）ジ
ルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−ジメチルフェニル
シリル−ｎ−ブチルアミド）ジルコニウムジクロライ
ド、ビス（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｔｅｒｔ−ブ
チルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−ジ
メチルフェニルシリル−ｉｓｏ−ブチルアミド）ジルコ
ニウムジクロライド、
【００６３】ビス（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｎ−
ペンチルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ
−ジメチルフェニルシリル−ｉｓｏ−ペンチルアミド）
ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−ジメチルフェニ
ルシリル−シクロペンチルアミド）ジルコニウムジクロ
ライド、ビス（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｎ−ヘキ
シルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−ジ
メチルフェニルシリル−ｉｓｏ−ヘキシルアミド）ジル
コニウムジクロライド、ビス（Ｎ−ジメチルフェニルシ
リル−シクロヘキシルアミド）ジルコニウムジクロライ
ド、ビス（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−メチルシクロ
ヘキシルアミド）ジルコニウムジクロライド、
【００６４】ビス（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｎ−
オクチルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ
−ジメチルフェニルシリル−ｉｓｏ−オクチルアミド）
ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−フェニルシリル
−ｎ−デシルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス
（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｉｓｏ−デシルアミ
ド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−ジメチルフ
ェニルシリル−アニリド）ジルコニウムジクロライド、
ビス（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ジメチルアニリ
ド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−ジメチルフ
ェニルシリル−シクロヘキシルアニリド）ジルコニウム
ジクロライド、ビス（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ナ
フチルアミド）ジルコニウムジクロライド、ビス（Ｎ−
ジメチルフェニルシリル−ベンジルアミド）ジルコニウ
ムジクロライド、１，２−ビス（Ｎ−ジメチルフェニル
シリル−シクロヘキシルアミド）ジルコニウムジクロラ
イド、
【００６５】（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アミ
ド）（Ｎ，Ｎ−ビス（トリフェニルシリル）アミド）ジ
ルコニウムジクロライド、（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチル
シリル）アミド）（Ｎ−トリメチルシリル−クロロフェ
ニルアミド）ジルコニウムジクロライド、（Ｎ，Ｎ−ビ
ス（トリメチルシリル）アミド）（Ｎ−トリメチルシリ
ル−メチルアミド）ジルコニウムジクロライド、１，２
−ビス（Ｎ−トリメチルシリル）−４−メチルシクロヘ
キシルアミノジルコニウムジクロライド、
【００６６】上記化合物中のケイ素原子をゲルマニウム
原子に置き換えた化合物、ケイ素原子がスズ原子である
化合物、窒素原子がリン原子である化合物、ジルコニウ
ム原子がチタン原子である化合物、ジルコニウム原子が
ハフニウム原子である化合物、塩素原子がフッ素原子で
ある化合物、塩素原子が臭素原子である化合物、塩素原
子がヨウ素原子である化合物、上記化合物に１分子のテ
トラヒドロフランが配位した化合物、１分子のジエチル
エ−テルが配位した化合物、１分子のジメトキシエタン
が配位した化合物、１分子の１，４−ジオキサンが配位
した化合物、１分子のトリエチルアミンが配位した化合
物、上記化合物に配位したエ−テル類、またはアミン類
の配位数が２である化合物、配位数が３である化合物、
配位数が４である化合物、及び配位数が５である化合物
等を挙げることができるが、この限りではない。
【００６７】一般式（Ｉ）で表される化合物の類似体を
合成する方法として、ビス（ジメチルアミド）チタニウ
ムジクロライドの場合、テトラハロゲノチタニウム化合
物をテトラキス（アミド）チタニウム化合物へ変換した
後、テトラハロゲノチタニウム化合物とテトラキス（ア
ミド）チタニウムとを、溶媒中不均化によって行われ
（特公昭４２−２２６９１、Organometallics,13,2907
(1994);Z.Anorg.Allg.Chem.,621,2021(1995))、ビス
（イソプロポキシド）チタニウムジクロライドの合成
も、不均化によって行われている(Spectrochimica.Act
a.,24A,1213(1968))。すなわちこの方法は、テトラハロ
ゲノメタル化合物と、４つの補助配位子を有する金属化
合物との不均化反応である。
【００６８】本発明者らは、テトラハロゲノメタル化合
物へ補助配位子を直接導入する方法（下記反応式３）に
よって、一般式（Ｉ）で表される化合物を高収率で合成
することを見出した。この際原則として、テトラハロゲ
ノメタル化合物に対して、補助配位子のアニオンを１当
量使用した場合、一般式（Ｉ）で表される化合物のうち
ｒ＝１である化合物の合成を行うことができ、テトラハ
ロゲノメタル化合物に対して、補助配位子のアニオンを
２当量使用した場合、一般式（Ｉ）で表される化合物の
うちｒ＝２である化合物の合成を行うことができる。但
し、補助配位子がジアミンのような多座配位子の場合に
は、補助配位子は１５族または１６族ヘテロ原子を２個
有するため、テトラハロゲノメタル化合物に対して補助
配位子のアニオンを１当量使用しても、一般式（Ｉ）で
表される化合物のうちｒ＝２である化合物が合成され
る。
【００６９】
【化１３】反応式３
【００７０】本反応における脱プロトン化反応は、一般
式（ＩＩＩ）で表される化合物を有機溶媒に溶解させて
冷却し、脱プロトン化剤を加えた後室温にて３０分間〜
一夜撹拌することにより行われ、一般式（ＩＶ）で表さ
れる化合物が得られる。脱プロトン化剤は１族元素、２
族元素及びこれらを含む化合物が挙げられ、Ｌｉ、Ｎ
ａ、Ｋ、ＬｉＨ、ＮａＨ、ＫＨ、ＭｅＬｉ、ｎ−ＢｕＬ
ｉ、ｓｅｃ−ＢｕＬｉ、ｔｅｒｔ−ＢｕＬｉ、あるいは
これらをｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、またはジエチ
ルエ−テル等の有機溶媒に溶解した溶液等が例示され
る。使用する有機溶媒は、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサ
ン、またはトルエン等の炭化水素系溶媒全般、またはＴ
ＨＦ、ジエチルエ−テル等のエ−テル系溶媒全般、また
はその混合溶媒を用いることができるが、好ましくはＴ
ＨＦ、ジエチルエ−テルである。
【００７１】また、一般式（ＩＶ）で表される化合物
と、一般式（Ｖ）で表される化合物の反応は、反応容器
中一般式（Ｖ）で表される化合物を有機溶媒に溶解さ
せ、脱プロトン化反応で得られた一般式（ＩＶ）で表さ
れる化合物を時間をかけて加えた後、室温にて１時間〜
一夜撹拌することにより行われ、一般式（Ｉ）で表され
る化合物が得られる。使用する有機溶媒は、ｎ−ペンタ
ン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、石油エ−テル、ベ
ンゼン、またはトルエン等を非制限的例示として挙げる
ことのできる炭化水素系溶媒全般、及びＴＨＦ、ジエチ
ルエ−テル、またはジイソプロピルエ−テル等を非制限
的例示として挙げることのできるエ−テル系溶媒全般、
またはその混合溶媒を用いることができるが、好ましく
はＴＨＦ、ジエチルエ−テル、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキ
サン、トルエン、及びこれらの混合溶媒である。尚、エ
−テル系溶媒は一般式（Ｖ）で表される化合物へ激しく
配位するため、エ−テル系溶媒を反応に用いる場合には
一般式（Ｖ）で表される化合物へ炭化水素系溶媒を少量
加えてスラリ−状となし、これを冷却してからエ−テル
系溶媒を加えてゆく事が好ましい。冷却は配位時の熱を
奪うために行うものであり、−２０℃以下が望ましい。
一般式（ＩＶ）で表される化合物の滴下時間は反応スケ
−ルに依り増減するが、１０分間〜１時間程度以上にて
行うことが好ましい。反応は３０分間〜一夜にて行うこ
とができるが、不均化を考慮して３時間以上撹拌するこ
とが好ましく、特に好ましくは終夜撹拌である。以上の
操作にて一般式（Ｉ）で表される化合物が生成し、反応
溶媒から副生した塩を除去し、場合によっては精製を行
うことにより、一般式（Ｉ）で表される化合物が得られ
る。
【００７２】以上に示した、一般式（Ｉ）で表される化
合物の合成方法はあくまでその一例であって、不均化法
またはその他の方法により合成できる可能性が存在す
る。一般式（Ｉ）で表される化合物のＭ1には、エ−テ
ル類、またはアミン類が１〜５０の配位数で配位してい
てもよい。エ−テル類及びアミン類の非制限的な例とし
て、ジエチルエ−テル、ジイソプロピルエ−テル、ジ−
ｎ−プロピルエーテル、ｎ−ブチルエーテル、アニソー
ル、フェネトール、ジフェニルエーテル、１，４−ジオ
キサン、ジメトキシエタン、フラン、テトラヒドロフラ
ン、ピリジン、トリメチルアミン、トリエチルアミン等
が挙げられるが、この限りではない。
【００７３】前記反応式２に記載した「脱プロトン化し
た配位子」は、これまでもメタロセン化合物の合成原料
として種々合成されており、シクロペンタジエン環と架
橋部分からなる基本骨格構造を有する配位子を脱プロト
ン化した化合物である。メタロセン化合物は、その構造
の違いによってオレフィン重合用触媒としての性能は大
きく異なることが知られており、例えば、２つのシクロ
ペンタジエン環の置換基を種々変更したり、架橋構造と
して炭素架橋、またはケイ素架橋を用いることで、様々
な重合性能が報告されている。今後も新規な構造が提案
され、その各々には新規な触媒性能が見いだされる事が
期待される。
【００７４】本発明記載の一般式（Ｉ）で表される化合
物は、既知構造のメタロセン化合物の合成中間体として
適用可能なだけではなく、新規構造のメタロセン化合物
であってもその適用は可能であることが容易に推測され
る。
【００７５】一般式（ＩＩ）を構成するＬ1及びＬ2は、
シクロペンタジエニル基、置換シクロペンタジエニル
基、インデニル基、置換インデニル基、アズレニル基、
置換アズレニル基、フルオレニル基及び置換フルオレニ
ル基であるが、これらは何れもシクロペンタジエニル骨
格を有しており、インデニル基、置換インデニル基、ア
ズレニル基、置換アズレニル基、フルオレニル基及び置
換フルオレニル基も、広義には総て置換シクロペンタジ
エニル基と理解することができる。本発明はこれらＬ1
及びＬ2の構造が、シクロペンタジエニル基、及び広義
に定義される置換シクロペンタジエニル基であれば、特
定の構造に限定されない。
【００７６】Ｌ1及びＬ2の非制限的な例としては、シク
ロペンタジエニル基、２−メチルシクロペンタジエニル
基、３−メチルシクロペンタジエニル基、２，３−ジメ
チルシクロペンタジエニル基、２，４−ジメチルシクロ
ペンタジエニル基、２，５−ジメチルシクロペンタジエ
ニル基、２，３，５−トリメチルシクロペンタジエニル
基、２，３，４，５−テトラメチルシクロペンタジエニ
ル基、２−エチルシクロペンタジエニル基、３−エチル
シクロペンタジエニル基、２−ｎ−プロピルシクロペン
タジエニル基、３−ｎ−プロピルシクロペンタジエニル
基、２−ｉｓｏ−プロピルシクロペンタジエニル基、３
−ｉｓｏ−プロピルシクロペンタジエニル基、２−ｔｅ
ｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル基、２−ｎ−ブチル
シクロペンタジエニル基、２−ｉｓｏ−ブチルシクロペ
ンタジエニル基、３−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジ
エニル基、３−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル基、
【００７７】３−ｉｓｏ−ブチルシクロペンタジエニル
基、２−メチル−４−エチルシクロペンタジエニル基、
２−メチル−４−ｎ−プロピルシクロペンタジエニル
基、２−メチル−４−ｉｓｏ−プロピルシクロペンタジ
エニル基、２−メチル−４−ｎ−ブチルシクロペンタジ
エニル基、２−メチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペ
ンタジエニル基、２−メチル−４−ｉｓｏ−ブチルシク
ロペンタジエニル基、２−フェニルシクロペンタジエニ
ル基、３−フェニルシクロペンタジエニル基、２−メチ
ル−４−フェニルシクロペンタジエニル基、２−メチル
−３−フェニルシクロペンタジエニル基、２，５−ジメ
チル−３−フェニルシクロペンタジエニル基、
【００７８】２−トリフルオロメチルシクロペンタジエ
ニル基、３−トリフルオロメチルシクロペンタジエニル
基、２−トリメチルシリルシクロペンタジエニル基、３
−トリメチルシリルシクロペンタジエニル基２−ジフェ
ニルホスフィノシクロペンタジエニル基、３−ジフェニ
ルホスフィノシクロペンタジエニル基、２−ニトロシク
ロペンタジエニル基、３−ニトロシクロペンタジエニル
基、２−フルオロシクロペンタジエニル基、３−フルオ
ロシクロペンタジエニル基、２−クロロシクロペンタジ
エニル基、３−クロロシクロペンタジエニル基、２−ブ
ロモシクロペンタジエニル基、３−ブロモシクロペンタ
ジエニル基、
【００７９】インデニル基、２−メチルインデニル基、
３−メチルインデニル基、４−メチルインデニル基、５
−メチルインデニル基、６−メチルインデニル基、７−
メチルインデニル基、２，３−ジメチルインデニル基、
２，４−ジメチルインデニル基、２，５−ジメチルイン
デニル基、２，６−ジメチルインデニル基、２，７−ジ
メチルインデニル基、３，４−ジメチルインデニル基、
３，５−ジメチルインデニル基、３，６−ジメチルイン
デニル基、３，７−ジメチルインデニル基、４，５−ジ
メチルインデニル基、５，７−ジメチルインデニル基、
６，７−ジメチルインデニル基、４，７−ジメチルイン
デニル基、５，６−ジメチルインデニル基、４，６−ジ
メチルインデニル基、２−エチルインデニル基、３−エ
チルインデニル基、４−エチルインデニル基、５−エチ
ルインデニル基、６−エチルインデニル基、７−エチル
インデニル基、４，７−ジエチルインデニル基、５，６
−ジエチルインデニル基、４，６−ジエメチルインデニ
ル基、
【００８０】２−ｉｓｏ−プロピルインデニル基、３−
ｉｓｏ−プロピルインデニル基、４−ｉｓｏ−プロピル
インデニル基、５−ｉｓｏ−プロピルインデニル基、６
−ｉｓｏ−プロピルインデニル基、７−ｉｓｏ−プロピ
ルインデニル基、４，６−ジ−ｉｓｏ−プロピルインデ
ニル基、５，７−ジ−ｉｓｏ−プロピルインデニル基、
４，７−ジ−ｉｓｏ−プロピルインデニル基、２−ｎ−
プロピルインデニル基、３−ｎ−プロピルインデニル
基、４−ｎ−プロピルインデニル基、５−ｎ−プロピル
インデニル基、６−ｎ−プロピルインデニル基、７−ｎ
−プロピルインデニル基、４，６−ジ−ｎ−プロピルイ
ンデニル基、５，７−ジ−ｎ−プロピルインデニル基、
４，７−ジ−ｎ−プロピルインデニル基、２−ｔｅｒｔ
−ブチルインデニル基、２−ｎ−ブチルインデニル基、
２−ｉｓｏ−ブチルインデニル基、３−ｔｅｒｔ−ブチ
ルインデニル基、３−ｎ−ブチルインデニル基、３−ｉ
ｓｏ−ブチルインデニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルイン
デニル基、４−ｎ−ブチルインデニル基、４−ｉｓｏ−
ブチルインデニル基、６−ｔｅｒｔ−ブチルインデニル
基、６−ｎ−ブチルインデニル基、６−ｉｓｏ−ブチル
インデニル基、
【００８１】４，６−ジ−ｎ−ブチルインデニル基、
５，７−ジ−ｎ−ブチルインデニル基、４，７−ジ−ｎ
−ブチルインデニル基、４，６−ジ−ｉｓｏ−ブチルイ
ンデニル基、５，７−ジ−ｉｓｏ−ブチルインデニル
基、４，７−ジ−ｉｓｏ−ブチルインデニル基、２−シ
クロペンチルインデニル基、２−ｎ−ペンチルインデニ
ル基、２−ｉｓｏ−ペンチルインデニル基、４−シクロ
ペンチルインデニル基、４−ｎ−ペンチルインデニル
基、４−ｉｓｏ−ペンチルインデニル基、６−シクロペ
ンチルインデニル基、６−ｎ−ペンチルインデニル基、
６−ｉｓｏ−ペンチルインデニル基、４，６−ジ−シク
ロペンチルインデニル基、４，６−ジ−ｎ−ペンチルイ
ンデニル基、４，６−ジ−ｉｓｏ−ペンチルインデニル
基、２−シクロヘキシルインデニル基、２−ｎ−ヘキシ
ルインデニル基、２−ｉｓｏ−ヘキシルインデニル基、
４−シクロヘキシルインデニル基、４−ｎ−ヘキシルイ
ンデニル基、４−ｉｓｏ−ヘキシルインデニル基、６−
シクロヘキシルインデニル基、６−ｎ−ヘキシルインデ
ニル基、６−ｉｓｏ−ヘキシルインデニル基、４，６−
ジ−シクロヘキシルインデニル基、４，６−ジ−ｎ−ヘ
キシルインデニル基、４，６−ジ−ｉｓｏ−ヘキシルイ
ンデニル基、
【００８２】２−フェニルインデニル基、３−フェニル
インデニル基、４−フェニルインデニル基、５−フェニ
ルインデニル基、６−フェニルインデニル基、７−フェ
ニルインデニル基、４，６−ジ−フェニルインデニル
基、５，７−ジ−フェニルインデニル基、２−（１−ナ
フチル）インデニル基、２−（２−ナフチル）インデニ
ル基、３−（１−ナフチル）インデニル基、３−（２−
ナフチル）インデニル基、４−（１−ナフチル）インデ
ニル基、４−（２−ナフチル）インデニル基、５−（１
−ナフチル）インデニル基、５−（２−ナフチル）イン
デニル基、６−（１−ナフチル）インデニル基、６−
（２−ナフチル）インデニル基、７−（１−ナフチル）
インデニル基、７−（２−ナフチル）インデニル基、
４，５−ベンゾインデニル基、５，６−ベンゾインデニ
ル基、６，７−ベンゾインデニル基、４，５−ナフトイ
ンデニル基（シクロペンタ［ｃ］フェナンスリル基）、
４，５，６，７−ジベンゾインデニル基（シクロペンタ
［ｌ］フェナンスリル基）、α−アセナフトインデニル
基、４，５，６，７−テトラヒドロインデニル基、４，
５，６，７−テトラヒドロベンゾ［ｅ］インデニル基
【００８３】２，３，４−トリメチルインデニル基、
２，３，５−トリメチルインデニル基、２，３，６−ト
リメチルインデニル基、２，３，７−トリメチルインデ
ニル基、２，４，５−トリメチルインデニル基、２，
４，６−トリメチルインデニル基、２，４，７−トリメ
チルインデニル基、２，５，６−トリメチルインデニル
基、２，５，７−トリメチルインデニル基、２，６，７
−トリメチルインデニル基、３，４，５−トリメチルイ
ンデニル基、３，４，６−トリメチルインデニル基、
３，４，７−トリメチルインデニル基、３，５，６−ト
リメチルインデニル基、３，５，７−トリメチルインデ
ニル基、４，５，６−トリメチルインデニル基、４，
５，７−トリメチルインデニル基、５，６，７−トリメ
チルインデニル基、２−トリフルオロメチルインデニル
基、４−トリフルオロメチルインデニル基、２−トリメ
チルシリルインデニル基、４−トリメチルシリルインデ
ニル基、
【００８４】２−トリメチルゲルマニウムインデニル
基、４−トリメチルゲルマニウムインデニル基、２−ジ
フェニルホスフィノインデニル基、４−ジフェニルホス
フィノインデニル基、２−ニトロインデニル基、４−ニ
トロインデニル基、２−メチル−３−エチルインデニル
基、２−メチル−４−エチルインデニル基、２−メチル
−５−エチルインデニル基、２−メチル−６−エチルイ
ンデニル基、２−メチル−７−エチルインデニル基、２
−メチル−４，７−ジエチルインデニル基、２−メチル
−５，６−ジエチルインデニル基、２−メチル−４，６
−ジエメチルインデニル基、
【００８５】２−メチル−３−ｉｓｏ−プロピルインデ
ニル基、２−メチル−４−ｉｓｏ−プロピルインデニル
基、２−メチル−５−ｉｓｏ−プロピルインデニル基、
２−メチル−６−ｉｓｏ−プロピルインデニル基、２−
メチル−７−ｉｓｏ−プロピルインデニル基、２−メチ
ル−４，６−ジ−ｉｓｏ−プロピルインデニル基、２−
メチル−５，７−ジ−ｉｓｏ−プロピルインデニル基、
２−メチル−４，７−ジ−ｉｓｏ−プロピルインデニル
基、２−メチル−３−ｎ−プロピルインデニル基、２−
メチル−４−ｎ−プロピルインデニル基、２−メチル−
５−ｎ−プロピルインデニル基、２−メチル−６−ｎ−
プロピルインデニル基、２−メチル−７−ｎ−プロピル
インデニル基、２−メチル−４，６−ジ−ｎ−プロピル
インデニル基、
【００８６】２−メチル−５，７−ジ−ｎ−プロピルイ
ンデニル基、２−メチル−４，７−ジ−ｎ−プロピルイ
ンデニル基、２−メチル−３−ｔｅｒｔ−ブチルインデ
ニル基、２−メチル−３−ｎ−ブチルインデニル基、２
−メチル−３−ｉｓｏ−ブチルインデニル基、２−メチ
ル−４−ｔｅｒｔ−ブチルインデニル基、２−メチル−
４−ｎ−ブチルインデニル基、２−メチル−４−ｉｓｏ
−ブチルインデニル基、２−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブ
チルインデニル基、２−メチル−６−ｎ−ブチルインデ
ニル基、２−メチル−６−ｉｓｏ−ブチルインデニル
基、２−メチル−４，６−ジ−ｎ−ブチルインデニル
基、２−メチル−５，７−ジ−ｎ−ブチルインデニル
基、２−メチル−４，７−ジ−ｎ−ブチルインデニル
基、２−メチル−４，６−ジ−ｉｓｏ−ブチルインデニ
ル基、２−メチル−５，７−ジ−ｉｓｏ−ブチルインデ
ニル基、２−メチル−４，７−ジ−ｉｓｏ−ブチルイン
デニル基、２−メチル−４−シクロペンチルインデニル
基、
【００８７】２−メチル−４−ｎ−ペンチルインデニル
基、２−メチル−４−ｉｓｏ−ペンチルインデニル基、
２−メチル−６−シクロペンチルインデニル基、２−メ
チル−６−ｎ−ペンチルインデニル基、２−メチル−６
−ｉｓｏ−ペンチルインデニル基、２−メチル−４，６
−ジ−シクロペンチルインデニル基、２−メチル−４，
６−ジ−ｎ−ペンチルインデニル基、２−メチル−４，
６−ジ−ｉｓｏ−ペンチルインデニル基、２−メチル−
４−シクロヘキシルインデニル基、２−メチル−４−ｎ
−ヘキシルインデニル基、２−メチル−４−ｉｓｏ−ヘ
キシルインデニル基、２−メチル−６−シクロヘキシル
インデニル基、２−メチル−６−ｎ−ヘキシルインデニ
ル基、２−メチル−６−ｉｓｏ−ヘキシルインデニル
基、２−メチル−４，６−ジ−シクロヘキシルインデニ
ル基、２−メチル−４，６−ジ−ｎ−ヘキシルインデニ
ル基、２−メチル−４，６−ジ−ｉｓｏ−ヘキシルイン
デニル基、
【００８８】２−メチル−３−フェニルインデニル基、
２−メチル−４−フェニルインデニル基、２−メチル−
５−フェニルインデニル基、２−メチル−６−フェニル
インデニル基、２−メチル−７−フェニルインデニル
基、２−メチル−４，６−ジ−フェニルインデニル基、
２−メチル−３−（１−ナフチル）インデニル基、２−
メチル−３−（２−ナフチル）インデニル基、２−メチ
ル−４−（１−ナフチル）インデニル基、２−メチル−
４−（２−ナフチル）インデニル基、２−メチル−５−
（１−ナフチル）インデニル基、２−メチル−５−（２
−ナフチル）インデニル基、２−メチル−６−（１−ナ
フチル）インデニル基、２−メチル−６−（２−ナフチ
ル）インデニル基、２−メチル−７−（１−ナフチル）
インデニル基、２−メチル−７−（２−ナフチル）イン
デニル基、
【００８９】２−メチル−４，５−ベンゾインデニル
基、２−メチル−５，６−ベンゾインデニル基、２−メ
チル−６，７−ベンゾインデニル基、２−メチル−４，
５−ナフトインデニル基（メチルシクロペンタ［ｃ］フ
ェナンスリル基）、２−メチル−４，５，６，７−ジベ
ンゾインデニル基（メチルシクロペンタ［ｌ］フェナン
スリル基）、２−メチル−α−アセナフトインデニル
基、２−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロインデ
ニル基、２−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロベ
ンゾ［ｅ］インデニル基、２−メチル−４−トリフルオ
ロメチルインデニル基、２−メチル−４−トリメチルシ
リルインデニル基、２−メチル−４−トリメチルゲルマ
ニウムインデニル基、２−メチル−４−ジフェニルホス
フィノインデニル基、２−メチル−４−ニトロインデニ
ル基、
【００９０】アズレニル基、４−メチルアズレニル基、
４−エチルアズレニル基、４−ｎ−プロピルアズレニル
基、４−ｉｓｏ−プロピルアズレニル基、４−ｎ−ブチ
ルアズレニル基、４−ｉｓｏ−ブチルアズレニル基、４
−ｔｅｒｔ−ブチルアズレニル基、４−フェニルアズレ
ニル基、４，４−ジメチルアズレニル基、４，４−ジフ
ェニルアズレニル基、４，４−ジエチルアズレニル基、
４，４−ジ−ｎ−プロピルアズレニル基、４，４−ジ−
ｉｓｏ−プロピルアズレニル基、４，４−ジ−ｎ−ブチ
ルアズレニル基、４，４−ジ−ｉｓｏ−ブチルアズレニ
ル基、４，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアズレニル基、
【００９１】２−メチルアズレニル基、２，４−ジメチ
ルアズレニル基、２−メチル−４−エチルアズレニル
基、２−メチル−４−ｎ−プロピルアズレニル基、２−
メチル−４−ｉｓｏ−プロピルアズレニル基、２−メチ
ル−４−ｎ−ブチルアズレニル基、２−メチル−４−ｉ
ｓｏ−ブチルアズレニル基、２−メチル−４−ｔｅｒｔ
−ブチルアズレニル基、２−メチル−４−フェニルアズ
レニル基、２，４，４−トリメチルアズレニル基、２−
メチル−４，４−ジフェニルアズレニル基、２−メチル
−４，４−ジエチルアズレニル基、２−メチル−４，４
−ジ−ｎ−プロピルアズレニル基、２−メチル−４，４
−ジ−ｉｓｏ−プロピルアズレニル基、２−メチル−
４，４−ジ−ｎ−ブチルアズレニル基、２−メチル−
４，４−ジ−ｉｓｏ−ブチルアズレニル基、２−メチル
−４，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアズレニル基、
【００９２】ヘキサヒドロアズレニル基、４−メチルヘ
キサヒドロアズレニル基、４−エチルヘキサヒドロアズ
レニル基、４−ｎ−プロピルヘキサヒドロアズレニル
基、４−ｉｓｏ−プロピルヘキサヒドロアズレニル基、
４−ｎ−ブチルヘキサヒドロアズレニル基、４−ｉｓｏ
−ブチルヘキサヒドロアズレニル基、４−ｔｅｒｔ−ブ
チルヘキサヒドロアズレニル基、４−フェニルヘキサヒ
ドロアズレニル基、４，４−ジメチルヘキサヒドロアズ
レニル基、４，４−ジフェニルヘキサヒドロアズレニル
基、４，４−ジエチルヘキサヒドロアズレニル基、４，
４−ジ−ｎ−プロピルヘキサヒドロアズレニル基、４，
４−ジ−ｉｓｏ−プロピルヘキサヒドロアズレニル基、
４，４−ジ−ｎ−ブチルヘキサヒドロアズレニル基、
４，４−ジ−ｉｓｏ−ブチルヘキサヒドロアズレニル
基、４，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルヘキサヒドロアズレ
ニル基、
【００９３】２−メチルヘキサヒドロアズレニル基、
２，４−ジメチルヘキサヒドロアズレニル基、２−メチ
ル−４−エチルヘキサヒドロアズレニル基、２−メチル
−４−ｎ−プロピルヘキサヒドロアズレニル基、２−メ
チル−４−ｉｓｏ−プロピルヘキサヒドロアズレニル
基、２−メチル−４−ｎ−ブチルヘキサヒドロアズレニ
ル基、２−メチル−４−ｉｓｏ−ブチルヘキサヒドロア
ズレニル基、２−メチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルヘキサ
ヒドロアズレニル基、２−メチル−４−フェニルヘキサ
ヒドロアズレニル基、２，４，４−トリメチルヘキサヒ
ドロアズレニル基、２−メチル−４，４−ジフェニルヘ
キサヒドロアズレニル基、２−メチル−４，４−ジエチ
ルヘキサヒドロアズレニル基、２−メチル−４，４−ジ
−ｎ−プロピルヘキサヒドロアズレニル基、２−メチル
−４，４−ジ−ｉｓｏ−プロピルヘキサヒドロアズレニ
ル基、
【００９４】２−メチル−４，４−ジ−ｎ−ブチルヘキ
サヒドロアズレニル基、２−メチル−４，４−ジ−ｉｓ
ｏ−ブチルヘキサヒドロアズレニル基、２−メチル−
４，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルヘキサヒドロアズレニル
基、フルオレニル基、２−メチルフルオレニル基、４−
メチルフルオレニル基、２−エチルフルオレニル基、４
−エチルフルオレニル基、２−ｎ−プロピルフルオレニ
ル基、４−ｎ−プロピルフルオレニル基、２−ｉｓｏ−
プロピルフルオレニル基、４−ｉｓｏ−プロピルフルオ
レニル基、２−ｎ−ブチルフルオレニル基、２−ｉｓｏ
−ブチルフルオレニル基、２−ｔｅｒｔ−ブチルフルオ
レニル基、４−ｎ−ブチルフルオレニル基、４−ｉｓｏ
−ブチルフルオレニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフルオ
レニル基、２−ｎ−ペンチルフルオレニル基、２−ｉｓ
ｏ−ペンチルフルオレニル基、２−シクロペンチルフル
オレニル基、４−ｎ−ペンチルフルオレニル基、４−ｉ
ｓｏ−ペンチルフルオレニル基、４−シクロペンチルフ
ルオレニル基、２−ｎ−ヘキシルフルオレニル基、２−
ｉｓｏ−ヘキシルフルオレニル基、２−シクロヘキシル
フルオレニル基、４−ｎ−ヘキシルフルオレニル基、４
−ｉｓｏ−ヘキシルフルオレニル基、４−シクロヘキシ
ルフルオレニル基、２−ジメチルアミノフルオレニル
基、４−ジメチルアミノフルオレニル基、
【００９５】２，５−ジメチルフルオレニル基、２，７
−ジメチルフルオレニル基、４，５−ジメチルフルオレ
ニル基、２，５−ジエチルフルオレニル基、２，７−ジ
エチルフルオレニル基、４，５−ジエチルフルオレニル
基、２，５−ジ−（ｎ−プロピル）フルオレニル基、
２，７−ジ−（ｎ−プロピル）フルオレニル基、４，５
−ジ−（ｎ−プロピル）フルオレニル基、２，５−ジ
（ｉｓｏ−プロピル）フルオレニル基、２，７−ジ（ｉ
ｓｏ−プロピル）フルオレニル基、４，５−ジ（ｉｓｏ
−プロピル）フルオレニル基、２，５−ジ（ｎ−ブチ
ル）フルオレニル基、２，７−ジ（ｎ−ブチル）フルオ
レニル基、４，５−ジ（ｎ−ブチル）フルオレニル基、
２，５−ジ（ｉｓｏ−ブチル）フルオレニル基、２，７
−ジ（ｉｓｏ−ブチル）フルオレニル基、４，５−ジ
（ｉｓｏ−ブチル）フルオレニル基、２，５−ジ（ｔｅ
ｒｔ−ブチル）フルオレニル基、２，７−ジ（ｔｅｒｔ
−ブチル）フルオレニル基、４，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブ
チル）フルオレニル基、２，５−ジ（ｎ−ペンチル）フ
ルオレニル基、２，７−ジ（ｎ−ペンチル）フルオレニ
ル基、４，５−ジ（ｎ−ペンチル）フルオレニル基、
２，５−ジ（ｉｓｏ−ペンチル）フルオレニル基、
【００９６】２，７−ジ（ｉｓｏ−ペンチル）フルオレ
ニル基、４，５−ジ（ｉｓｏ−ペンチル）フルオレニル
基、２，５−ジ（シクロペンチル）フルオレニル基、
２，７−ジ（シクロペンチル）フルオレニル基、４，５
−ジ（シクロペンチル）フルオレニル基、２，５−ジ
（ｎ−ヘキシル）フルオレニル基、２，７−ジ（ｎ−ヘ
キシル）フルオレニル基、４，５−ジ（ｎ−ヘキシル）
フルオレニル基、２，５−ジ（ｉｓｏ−ヘキシル）フル
オレニル基、２，７−ジ（ｉｓｏ−ヘキシル）フルオレ
ニル基、４，５−ジ（ｉｓｏ−ヘキシル）フルオレニル
基、２，５−ジ（シクロヘキシル）フルオレニル基、
２，７−ジ（シクロヘキシル）フルオレニル基、４，５
−ジ（シクロヘキシル）フルオレニル基、
【００９７】２，５−ビス（ジメチルアミノ）フルオレ
ニル基、２，７−ビス（ジメチルアミノ）フルオレニル
基、及び４，５−ビス（ジメチルアミノ）フルオレニル
基等を挙げることができるが、この限りではない。ま
た、一般式（ＩＩ）を構成するＣは、Ｌ1及びＬ2を連結
する炭素原子数１〜２０の炭化水素基、炭素原子数１〜
２０の炭化水素基を有してもよいシリレン基、オリゴシ
リレン基、またはゲルミレン基であり、Ｃの非制限的な
例としては、メチレン基、メチルメチレン基、イソプロ
ピリデン基、エチルメチレン基、ジエチルメチレン基、
ジ−ｎ−プロピルメチレン基、ジ−ｉｓｏ−プロピルメ
チレン基、
【００９８】ジ−ｎ−ブチルメチレン基、ジ−ｉｓｏ−
ブチルメチレン基、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルメチレン基、
ジ−ｎ−ペンチルメチレン基、ジ−ｉｓｏ−ペンチルメ
チレン基、ジ−シクロペンチルメチレン基、ジ−ｎ−ヘ
キシルメチレン基、ジ−ｉｓｏ−ヘキシルメチレン基、
ジ−シクロヘキシルメチレン基、ジフェニルメチレン
基、ジトルイルメチレン基、エチレン基、１−メチルエ
チレン基、１，１−ジメチルエチレン基、１，２−ジメ
チルエチレン基、プロピレン基、２，２−ジメチルプロ
ピレン基、シクロヘキシレン基、ジメチルシリレン基、
ジエチルシリレン基、ジフェニルシリレン基、ビス（ジ
メチルシリレン）基、ビス（ジエチルシリレン）基、ビ
ス（ジフェニルシリレン）基、トリス（ジメチルシリレ
ン）基、トリス（ジエチルシリレン）基、トリス（ジフ
ェニルシリレン）基、ジメチルゲルミレン基、ジエチル
ゲルミレン基、ジフェニルゲルミレン基、ビス（ジメチ
ルゲルミレン）基、ビス（ジエチルゲルミレン）基、ビ
ス（ジフェニルゲルミレン）基、トリス（ジメチルゲル
ミレン）基、トリス（ジエチルゲルミレン）基、及びト
リス（ジフェニルゲルミレン）基等を挙げることができ
るが、この限りではない。
【００９９】以上例示したＬ1、Ｌ2、及びＣの組合せに
より、種々のＬ1−Ｃ−Ｌ2ユニットが存在する。その非
制限的具体例を極く少数のみ例示すると、メチレンビス
（シクロペンタジエニル）基、エチレンビス（シクロペ
ンタジエニル）基、イソプロピリデンビス（シクロペン
タジエニル）基、ジメチルシリレンビス（シクロペンタ
ジエニル）基、メチレンビス（１−（２−メチルシクロ
ペンタジエニル））基、エチレンビス（１−（２−メチ
ルシクロペンタジエニル））基、イソプロピリデンビス
（１−（２−メチルシクロペンタジエニル））基、ジメ
チルシリレンビス（１−（２−メチルシクロペンタジエ
ニル））基、メチレンビス（１−（２，４−ジメチルシ
クロペンタジエニル））基、
【０１００】エチレンビス（１−（２，４−ジメチルシ
クロペンタジエニル））基、イソプロピリデンビス（１
−（２，４−ジメチルシクロペンタジエニル））基、ジ
メチルシリレンビス（１−（２，４−ジメチルシクロペ
ンタジエニル））基、メチレンビス（１−（２，３，５
−トリメチルシクロペンタジエニル））基、エチレンビ
ス（１−（２，３，５−トリメチルシクロペンタジエニ
ル））基、イソプロピリデンビス（１−（２，３，５−
トリメチルシクロペンタジエニル））基、ジメチルシリ
レンビス（１−（２，３，５−トリメチルシクロペンタ
ジエニル））基、メチレンビス（１−（２−メチル−４
−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル））基、エチ
レンビス（１−（２−メチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルシ
クロペンタジエニル））基、イソプロピリデンビス（１
−（２−メチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジ
エニル））基、ジメチルシリレンビス（１−（２−メチ
ル−４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル））
基、
【０１０１】メチレンビス（１−インデニル）基、エチ
レンビス（１−インデニル）基、イソプロピリデンビス
（１−インデニル）基、ジメチルシリレンビス（１−イ
ンデニル）基、メチレンビス（２−インデニル）基、エ
チレンビス（２−インデニル）基、イソプロピリデンビ
ス（２−インデニル）基、ジメチルシリレンビス（２−
インデニル）基、メチレンビス（１−（２−メチルイン
デニル））基、エチレンビス（１−（２−メチルインデ
ニル））基、イソプロピリデンビス（１−（２−メチル
インデニル））基、ジメチルシリレンビス（１−（２−
メチルインデニル））基、メチレンビス（１−（２，４
−ジメチルインデニル））基、エチレンビス（１−
（２，４−ジメチルインデニル））基、イソプロピリデ
ンビス（１−（２，４−ジメチルインデニル））基、ジ
メチルシリレンビス（１−（２，４−ジメチルインデニ
ル））基、メチレンビス（１−（４，６−ジ−ｉｓｏ−
プロピルインデニル））基、エチレンビス（１−（４，
６−ジ−ｉｓｏ−プロピルインデニル））基、イソプロ
ピリデンビス（１−（４，６−ジ−ｉｓｏ−プロピルイ
ンデニル））基、ジメチルシリレンビス（１−（４，６
−ジ−ｉｓｏ−プロピルインデニル））基、メチレンビ
ス（１−（２−メチル−４−ｉｓｏ−プロピルインデニ
ル））基、
【０１０２】エチレンビス（１−（２−メチル−４−ｉ
ｓｏ−プロピルインデニル））基、イソプロピリデンビ
ス（１−（２−メチル−４−ｉｓｏ−プロピルインデニ
ル））基、ジメチルシリレンビス（１−（２−メチル−
４−ｉｓｏ−プロピルインデニル））基、メチレンビス
（１−（２，４，６−トリメチルインデニル））基、エ
チレンビス（１−（２，４，６−トリメチルインデニ
ル））基、イソプロピリデンビス（１−（２，４，６−
トリメチルインデニル））基、ジメチルシリレンビス
（１−（２，４，６−トリメチルインデニル））基、メ
チレンビス（１−（４−ｔｅｒｔ−ブチルインデニ
ル））基、エチレンビス（１−（４−ｔｅｒｔ−ブチル
インデニル））基、イソプロピリデンビス（１−（４−
ｔｅｒｔ−ブチルインデニル））基、ジメチルシリレン
ビス（１−（４−ｔｅｒｔ−ブチルインデニル））基、
【０１０３】メチレンビス（１−（２−フルオロインデ
ニル））基、エチレンビス（１−（２−フルオロインデ
ニル））基、イソプロピリデンビス（１−（２−フルオ
ロインデニル））基、ジメチルシリレンビス（１−（２
−フルオロインデニル））基、メチレンビス（１−（２
−クロロインデニル））基、エチレンビス（１−（２−
クロロインデニル））基、イソプロピリデンビス（１−
（２−クロロインデニル））基、ジメチルシリレンビス
（１−（２−クロロインデニル））基、メチレンビス
（１−（４−フェニルインデニル））基、エチレンビス
（１−（４−フェニルインデニル））基、イソプロピリ
デンビス（１−（４−フェニルインデニル））基、ジメ
チルシリレンビス（１−（４−フェニルインデニル））
基、メチレンビス（１−（４−（１−ナフチル）インデ
ニル））基、エチレンビス（１−（４−（１−ナフチ
ル）インデニル））基、イソプロピリデンビス（１−
（４−（１−ナフチル）インデニル））基、ジメチルシ
リレンビス（１−（４−（１−ナフチル）インデニ
ル））基、メチレンビス（１−（４−（２−ナフチル）
インデニル））基、エチレンビス（１−（４−（２−ナ
フチル）インデニル））基、イソプロピリデンビス（１
−（４−（２−ナフチル）インデニル））基、ジメチル
シリレンビス（１−（４−（２−ナフチル）インデニ
ル））基、メチレンビス（１−（４，５−ベンゾインデ
ニル））基、
【０１０４】エチレンビス（１−（４，５−ベンゾイン
デニル））基、イソプロピリデンビス（１−（４，５−
ベンゾインデニル））基、ジメチルシリレンビス（１−
（４，５−ベンゾインデニル））基、メチレンビス（１
−（５，６−ベンゾインデニル））基、エチレンビス
（１−（５，６−ベンゾインデニル））基、イソプロピ
リデンビス（１−（５，６−ベンゾインデニル））基、
ジメチルシリレンビス（１−（５，６−ベンゾインデニ
ル））基、メチレンビス（１−（４，５−ナフトインデ
ニル））基、エチレンビス（１−（４，５−ナフトイン
デニル））基、イソプロピリデンビス（１−（４，５−
ナフトインデニル））基、ジメチルシリレンビス（１−
（４，５−ナフトインデニル））基、メチレンビス（１
−（４，５，６，７−ジベンゾインデニル））基、エチ
レンビス（１−（４，５，６，７−ジベンゾインデニ
ル））基、イソプロピリデンビス（１−（４，５，６，
７−ジベンゾインデニル））基、ジメチルシリレンビス
（１−（４，５，６，７−ジベンゾインデニル））基、
メチレンビス（１−（α−アセナフトインデニル））
基、エチレンビス（１−（α−アセナフトインデニ
ル））基、イソプロピリデンビス（１−（α−アセナフ
トインデニル））基、ジメチルシリレンビス（１−（α
−アセナフトインデニル））基、メチレンビス（１−
（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル））基、
【０１０５】エチレンビス（１−（４，５，６，７−テ
トラヒドロインデニル））基、イソプロピリデンビス
（１−（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル））
基、ジメチルシリレンビス（１−（４，５，６，７−テ
トラヒドロインデニル））基、メチレンビス（１−
（４，５，６，７−テトラヒドロベンゾ［ｅ］インデニ
ル））基、エチレンビス（１−（４，５，６，７−テト
ラヒドロベンゾ［ｅ］インデニル））基、イソプロピリ
デンビス（１−（４，５，６，７−テトラヒドロベンゾ
［ｅ］インデニル））基、ジメチルシリレンビス（１−
（４，５，６，７−テトラヒドロベンゾ［ｅ］インデニ
ル））基、
【０１０６】メチレンビス（１−（４−フルオロインデ
ニル））基、エチレンビス（１−（４−フルオロインデ
ニル））基、イソプロピリデンビス（１−（４−フルオ
ロインデニル））、ジメチルシリレンビス（１−（４−
フルオロインデニル））基、メチレンビス（１−（４−
クロロインデニル））基、エチレンビス（１−（４−ク
ロロインデニル））基、イソプロピリデンビス（１−
（４−クロロインデニル））基、ジメチルシリレンビス
（１−（４−クロロインデニル））基、メチレンビス
（１−（５−クロロインデニル））基、エチレンビス
（１−（５−クロロインデニル））基、イソプロピリデ
ンビス（１−（５−クロロインデニル））基、ジメチル
シリレンビス（１−（５−クロロインデニル））基、メ
チレンビス（１−（３−メトキシインデニル））基、エ
チレンビス（１−（３−メトキシインデニル））基、イ
ソプロピリデンビス（１−（３−メトキシインデニ
ル））基、ジメチルシリレンビス（１−（３−メトキシ
インデニル））基、
【０１０７】メチレンビス（１−（２−メチル−４−フ
ェニルインデニル））基、エチレンビス（１−（２−メ
チル−４−フェニルインデニル））基、イソプロピリデ
ンビス（１−（２−メチル−４−フェニルインデニ
ル））基、ジメチルシリレンビス（１−（２−メチル−
４−フェニルインデニル））基、メチレンビス（１−
（２−メチル−４−（１−ナフチル）インデニル））
基、エチレンビス（１−（２−メチル−４−（１−ナフ
チル）インデニル））基、イソプロピリデンビス（１−
（２−メチル−４−（１−ナフチル）インデニル））
基、ジメチルシリレンビス（１−（２−メチル−４−
（１−ナフチル）フェニルインデニル））基、メチレン
ビス（１−（２−メチル−４−（２−ナフチル）インデ
ニル））基、
【０１０８】エチレンビス（１−（２−メチル−４−
（２−ナフチル）インデニル））基、イソプロピリデン
ビス（１−（２−メチル−４−（２−ナフチル）インデ
ニル））基、ジメチルシリレンビス（１−（２−メチル
−４−（２−ナフチル）フェニルインデニル））基、メ
チレンビス（１−（２−メチル−４，５−ベンゾインデ
ニル））基、エチレンビス（１−（２−メチル−４，５
−ベンゾインデニル））基、イソプロピリデンビス（１
−（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル））基、ジ
メチルシリレンビス（１−（２−メチル−４，５−ベン
ゾインデニル））基、メチレンビス（１−（２−メチル
−５，６−ベンゾインデニル））基、エチレンビス（１
−（２−メチル−５，６−ベンゾインデニル））基、イ
ソプロピリデンビス（１−（２−メチル−５，６−ベン
ゾインデニル））基、ジメチルシリレンビス（１−（２
−メチル−５，６−ベンゾインデニル））基、
【０１０９】メチレンビス（１−（２−メチル−４，５
−ナフトインデニル））基、エチレンビス（１−（２−
メチル−４，５−ナフトインデニル））基、イソプロピ
リデンビス（１−（２−メチル−４，５−ナフトインデ
ニル））基、ジメチルシリレンビス（１−（２−メチル
−４，５−ナフトインデニル））基、メチレンビス（１
−（２−メチル−４，５，６，７−ジベンゾインデニ
ル））基、エチレンビス（１−（２−メチル−４，５，
６，７−ジベンゾインデニル））基、イソプロピリデン
ビス（１−（２−メチル−４，５，６，７−ジベンゾイ
ンデニル））基、ジメチルシリレンビス（１−（２−メ
チル−４，５，６，７−ジベンゾインデニル））基、メ
チレンビス（１−（２−メチル−α−アセナフトインデ
ニル））基、エチレンビス（１−（２−メチル−α−ア
セナフトインデニル））基、イソプロピリデンビス（１
−（２−メチル−α−アセナフトインデニル））基、ジ
メチルシリレンビス（１−（２−メチル−α−アセナフ
トインデニル））基、メチレンビス（１−（２−メチル
−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル））基、エ
チレンビス（１−（２−メチル−４，５，６，７−テト
ラヒドロインデニル））基、イソプロピリデンビス（１
−（２−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロインデ
ニル））基、
【０１１０】ジメチルシリレンビス（１−（２−メチル
−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル））基、メ
チレンビス（１−（２−メチル−４，５，６，７−テト
ラヒドロベンゾ［ｅ］インデニル））基、エチレンビス
（１−（２−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロベ
ンゾ［ｅ］インデニル））基、イソプロピリデンビス
（１−（２−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロベ
ンゾ［ｅ］インデニル））基、ジメチルシリレンビス
（１−（２−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロベ
ンゾ［ｅ］インデニル））基、
【０１１１】メチレンビス（１−（２−メチル−４−フ
ルオロインデニル））基、エチレンビス（１−（２−メ
チル−４−フルオロインデニル））基、イソプロピリデ
ンビス（１−（２−メチル−４−フルオロインデニ
ル））基、ジメチルシリレンビス（１−（２−メチル−
４−フルオロインデニル））基、メチレンビス（１−
（２−メチル−４−クロロインデニル））基、エチレン
ビス（１−（２−メチル−４−クロロインデニル））
基、イソプロピリデンビス（１−（２−メチル−４−ク
ロロインデニル））基、ジメチルシリレンビス（１−
（２−メチル−４−クロロインデニル））基、メチレン
ビス（１−（２−メチル−５−クロロインデニル））
基、エチレンビス（１−（２−メチル−５−クロロイン
デニル））基、イソプロピリデンビス（１−（２−メチ
ル−５−クロロインデニル））基、ジメチルシリレンビ
ス（１−（２−メチル−５−クロロインデニル））基、
メチレンビス（１−（２−メチル−３−メトキシインデ
ニル））基、エチレンビス（１−（２−メチル−３−メ
トキシインデニル））基、イソプロピリデンビス（１−
（２−メチル−３−メトキシインデニル））基、ジメチ
ルシリレンビス（１−（２−メチル−３−メトキシイン
デニル））基、
【０１１２】メチレンビス（４−インデニル）基、エチ
レンビス（４−インデニル）基、イソプロピリデンビス
（４−インデニル）基、ジメチルシリレンビス（４−イ
ンデニル）基、メチレンビス（４−（２，７−ジメチル
インデニル））基、エチレンビス（４−（２，７−ジメ
チルインデニル））基、イソプロピリデンビス（４−
（２，７−ジメチルインデニル）基、ジメチルシリレン
ビス（４−（２，７−ジメチルインデニル））基、メチ
レンビス（４−（２−ｔｅｒｔ−ブチルインデニル））
基、エチレンビス（４−（２−ｔｅｒｔ−ブチルインデ
ニル））基、イソプロピリデンビス（４−（２−ｔｅｒ
ｔ−ブチルインデニル））基のジリチオ塩、ジメチルシ
リレンビス（４−（２−ｔｅｒｔ−ブチルインデニ
ル））基、
【０１１３】メチレンビス（１−（アズレニル））基、
エチレンビス（１−（アズレニル））基、イソプロピリ
デンビス（１−（アズレニル））基、ジメチルシリレン
ビス（１−（アズレニル））基、メチレンビス（１−
（４−メチルアズレニル））基、エチレンビス（１−
（４−メチルアズレニル））基、イソプロピリデンビス
（１−（４−メチルアズレニル））基、ジメチルシリレ
ンビス（１−（４−メチルアズレニル））基、メチレン
ビス（１−（４，４−ジメチルアズレニル））基、エチ
レンビス（１−（４，４−ジメチルアズレニル））基、
イソプロピリデンビス（１−（４，４−ジメチルアズレ
ニル））基、ジメチルシリレンビス（１−（４，４−ジ
メチルアズレニル））基、メチレンビス（１−（４，４
−ジフェニルアズレニル））基、エチレンビス（１−
（４，４−ジフェニルアズレニル））基、イソプロピリ
デンビス（１−（４，４−ジフェニルアズレニル））
基、
【０１１４】ジメチルシリレンビス（１−（４，４−ジ
フェニルアズレニル））基、メチレンビス（１−（２，
４−ジメチルアズレニル））基、エチレンビス（１−
（２，４−ジメチルアズレニル））基、イソプロピリデ
ンビス（１−（２，４−ジメチルアズレニル））基、ジ
メチルシリレンビス（１−（２，４−ジメチルアズレニ
ル））基、メチレンビス（１−（２−メチル−４−ｉｓ
ｏ−プロピルアズレニル））基、エチレンビス（１−
（２−メチル−４−ｉｓｏ−プロピルアズレニル））
基、イソプロピリデンビス（１−（２−メチル−４−ｉ
ｓｏ−プロピルアズレニル））基、ジメチルシリレンビ
ス（１−（２−メチル−４−ｉｓｏ−プロピルアズレニ
ル））基、メチレンビス（１−（２−メチル−４−フェ
ニルアズレニル））基、エチレンビス（１−（２−メチ
ル−４−フェニルアズレニル））基、
【０１１５】イソプロピリデンビス（１−（２−メチル
−４−フェニルアズレニル））基、ジメチルシリレンビ
ス（１−（２−メチル−４−フェニルアズレニル））
基、メチレンビス（１−（２，４，４−トリメチルアズ
レニル））基、エチレンビス（１−（２，４，４−トリ
メチルアズレニル））基、イソプロピリデンビス（１−
（２，４，４−トリメチルアズレニル））基、ジメチル
シリレンビス（１−（２，４，４−トリメチルアズレニ
ル））基、メチレンビス（１−（２−メチル−４，４−
ジフェニルアズレニル））基、エチレンビス（１−（２
−メチル−４，４−ジフェニルアズレニル））基、イソ
プロピリデンビス（１−（２−メチル−４，４−ジフェ
ニルアズレニル））基、ジメチルシリレンビス（１−
（２−メチル−４，４−ジフェニルアズレニル））基、
【０１１６】メチレンビス（１−（ヘキサヒドロアズレ
ニル））基、エチレンビス（１−（ヘキサヒドロアズレ
ニル））基、イソプロピリデンビス（１−（ヘキサヒド
ロアズレニル））基、ジメチルシリレンビス（１−（ヘ
キサヒドロアズレニル））基、メチレンビス（１−（４
−メチルヘキサヒドロアズレニル））基、エチレンビス
（１−（４−メチルヘキサヒドロアズレニル））基、イ
ソプロピリデンビス（１−（４−メチルヘキサヒドロア
ズレニル））基、ジメチルシリレンビス（１−（４−メ
チルヘキサヒドロアズレニル））基、メチレンビス（１
−（４，４−ジメチルヘキサヒドロアズレニル））基、
エチレンビス（１−（４，４−ジメチルヘキサヒドロア
ズレニル））基、イソプロピリデンビス（１−（４，４
−ジメチルヘキサヒドロアズレニル））基、ジメチルシ
リレンビス（１−（４，４−ジメチルヘキサヒドロアズ
レニル））基、メチレンビス（１−（４，４−ジフェニ
ルヘキサヒドロアズレニル））基、エチレンビス（１−
（４，４−ジフェニルヘキサヒドロアズレニル））基、
【０１１７】イソプロピリデンビス（１−（４，４−ジ
フェニルヘキサヒドロアズレニル））基、ジメチルシリ
レンビス（１−（４，４−ジフェニルヘキサヒドロアズ
レニル））基、メチレンビス（１−（２，４−ジメチル
ヘキサヒドロアズレニル））基、エチレンビス（１−
（２，４−ジメチルヘキサヒドロアズレニル））基、イ
ソプロピリデンビス（１−（２，４−ジメチルヘキサヒ
ドロアズレニル））基、ジメチルシリレンビス（１−
（２，４−ジメチルヘキサヒドロアズレニル））基、メ
チレンビス（１−（２−メチル−４−ｉｓｏ−プロピル
ヘキサヒドロアズレニル））基、エチレンビス（１−
（２−メチル−４−ｉｓｏ−プロピルヘキサヒドロアズ
レニル））基、
【０１１８】イソプロピリデンビス（１−（２−メチル
−４−ｉｓｏ−プロピルヘキサヒドロアズレニル））
基、ジメチルシリレンビス（１−（２−メチル−４−ｉ
ｓｏ−プロピルヘキサヒドロアズレニル））基、メチレ
ンビス（１−（２−メチル−４−フェニルヘキサヒドロ
アズレニル））基、エチレンビス（１−（２−メチル−
４−フェニルヘキサヒドロアズレニル））基、イソプロ
ピリデンビス（１−（２−メチル−４−フェニルヘキサ
ヒドロアズレニル））基、ジメチルシリレンビス（１−
（２−メチル−４−フェニルヘキサヒドロアズレニ
ル））基、メチレンビス（１−（２，４，４−トリメチ
ルヘキサヒドロアズレニル））基、エチレンビス（１−
（２，４，４−トリメチルヘキサヒドロアズレニル））
基、イソプロピリデンビス（１−（２，４，４−トリメ
チルヘキサヒドロアズレニル））基、ジメチルシリレン
ビス（１−（２，４，４−トリメチルヘキサヒドロアズ
レニル））基、メチレンビス（１−（２−メチル−４，
４−ジフェニルヘキサヒドロアズレニル））基、エチレ
ンビス（１−（２−メチル−４，４−ジフェニルヘキサ
ヒドロアズレニル））基、イソプロピリデンビス（１−
（２−メチル−４，４−ジフェニルヘキサヒドロアズレ
ニル））基、ジメチルシリレンビス（１−（２−メチル
−４，４−ジフェニルヘキサヒドロアズレニル））基、
【０１１９】メチレンビス（９−フルオレニル）基、エ
チレンビス（９−フルオレニル）基、イソプロピリデン
ビス（９−フルオレニル）基、ジフェニリデンビス（９
−フルオレニル）基、ジメチルシリレンビス（９−フル
オレニル）基、ジフェニルシリレンビス（９−フルオレ
ニル）基、メチレンビス（９−（２−メチルフルオレニ
ル））基、エチレンビス（９−（２−メチルフルオレニ
ル））基、イソプロピリデンビス（９−（２−メチルフ
ルオレニル））基、ジフェニリデンビス（９−（２−メ
チルフルオレニル））基、ジメチルシリレンビス（９−
（２−メチルフルオレニル））基、ジフェニルシリレン
ビス（９−（２−メチルフルオレニル））基、メチレン
ビス（９−（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフルオレニ
ル））基、
【０１２０】エチレンビス（９−（２，７−ジ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフルオレニル））基、イソプロピリデンビス
（９−（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフルオレニ
ル））基、ジフェニリデンビス（９−（２，７−ジ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフルオレニル））基、ジメチルシリレン
ビス（９−（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフルオレニ
ル））基、ジフェニルシリレンビス（９−（２，７−ビ
ス（ジメチルアミノ）フルオレニル））基、メチレンビ
ス（９−（２，７−ビス（ジメチルアミノ）フルオレニ
ル））基、エチレンビス（９−（２，７−ビス（ジメチ
ルアミノ）フルオレニル））基、イソプロピリデンビス
（９−（２，７−ビス（ジメチルアミノ）フルオレニ
ル））基、ジフェニリデンビス（９−（２，７−ビス
（ジメチルアミノ）フルオレニル））基、ジメチルシリ
レンビス（９−（２，７−ビス（ジメチルアミノ）フル
オレニル））基、ジフェニルシリレンビス（９−（２，
７−ビス（ジメチルアミノ）フルオレンニル））基、
【０１２１】メチレン（９−フルオレニル）（１−シク
ロペンタジエニル）基、エチレン（９−フルオレニル）
（１−シクロペンタジエニル）基、イソプロピリデン
（９−フルオレニル）（１−シクロペンタジエニル）
基、ジフェニリデン（９−フルオレニル）（１−シクロ
ペンタジエニル）基、ジメチルシリレン（９−フルオレ
ニル）（１−シクロペンタジエニル）基、ジフェニルシ
リレン（９−フルオレニル）（１−シクロペンタジエニ
ル）基、メチレン（９−（２，７−ジメチルフルオレニ
ル））（１−シクロペンタジエニル）基、エチレン（９
−（２，７−ジメチルフルオレニル））（１−シクロペ
ンタジエニル）基、イソプロピリデン（９−（２，７−
ジメチルフルオレニル））（１−シクロペンタジエニ
ル）基、ジフェニリデン（９−（２，７−ジメチルフル
オレニル））（１−シクロペンタジエニル）基、ジメチ
ルシリレン（９−（２，７−ジメチルフルオレニル））
（１−シクロペンタジエニル）基、ジフェニルシリレン
（９−（２，７−ジメチルフルオレニル））（１−シク
ロペンタジエニル）基、
【０１２２】メチレン（９−（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−
ブチルフルオレニル））（１−シクロペンタジエニル）
基、エチレン（９−（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ルオレニル））（１−シクロペンタジエニル）基、イソ
プロピリデン（９−（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ルオレニル））（１−シクロペンタジエニル）基、ジフ
ェニリデン（９−（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフル
オレニル））（１−シクロペンタジエニル）基、ジメチ
ルシリレン（９−（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフル
オレニル））（１−シクロペンタジエニル）基、ジフェ
ニルシリレン（９−（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ルオレニル））（１−シクロペンタジエニル）基、メチ
レン（１−インデニル）（１−シクロペンタジエニル）
基、エチレン（１−インデニル）（１−シクロペンタジ
エニル）基、イソプロピリデン（１−インデニル）（１
−シクロペンタジエニル）基、ジフェニリデン（１−イ
ンデニル）（１−シクロペンタジエニル）基、ジメチル
シリレン（１−インデニル）（１−シクロペンタジエニ
ル）基、ジフェニルシリレン（１−インデニル）（１−
シクロペンタジエニル）基、
【０１２３】メチレン（１−（３−ｔｅｒｔ−ブチルイ
ンデニル））（１−（３−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペン
タジエニル））基、エチレン（１−（３−ｔｅｒｔ−ブ
チルインデニル））（１−（３−ｔｅｒｔ−ブチルシク
ロペンタジエニル））基、イソプロピリデン（１−（３
−ｔｅｒｔ−ブチルインデニル））（１−（３−ｔｅｒ
ｔ−ブチルシクロペンタジエニル））基、ジフェニリデ
ン（１−（３−ｔｅｒｔ−ブチルインデンニル）（１−
（３−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル））基、
ジメチルシリレン（１−（３−ｔｅｒｔ−ブチルインデ
ニル））（１−（３−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジ
エニル））基、ジフェニルシリレン（１−（３−ｔｅｒ
ｔ−ブチルインデニル））（１−（３−ｔｅｒｔ−ブチ
ルシクロペンタジエニル））基、
【０１２４】メチレン（１−（３−ｔｅｒｔ−ブチルイ
ンデニル））（１−（テトラメチルシクロペンタジエニ
ル））基、エチレン（１−（３−ｔｅｒｔ−ブチルイン
デニル））（１−（テトラメチルシクロペンタジエニ
ル））基、イソプロピリデン（１−（３−ｔｅｒｔ−ブ
チルインデニル））（１−（テトラメチルシクロペンタ
ジエニル））基、ジフェニリデン（１−（３−ｔｅｒｔ
−ブチルインデニル））（１−（テトラメチルシクロペ
ンタジエニル））基、ジメチルシリレン（１−（３−ｔ
ｅｒｔ−ブチルインデニル））（１−（テトラメチルシ
クロペンタジエニル））基、ジフェニルシリレン（１−
（３−ｔｅｒｔ−ブチルインデニル））（１−（テトラ
メチルシクロペンタジエニル））基、
【０１２５】メチレン（１−インデニル）（９−フルオ
レニル）基、エチレン（１−インデニル）（９−フルオ
レニル）基、イソプロピリデン（１−インデニル）（９
−フルオレニル）基、ジフェニリデン（１−インデニ
ル）（９−フルオレニル）基、ジメチルシリレン（１−
インデニル）（９−フルオレニル）基、ジフェニルシリ
レン（１−インデニル）（９−フルオレニル）基、メチ
レン（１−（２−メチルインデニル））（９−フルオレ
ニル）基、エチレン（１−（２−メチルインデニル））
（９−フルオレニル）基、イソプロピリデン（１−（２
−メチルインデニル））（９−フルオレニル）基、ジフ
ェニリデン（１−（２−メチルインデニル））（９−フ
ルオレニル）基、ジメチルシリレン（１−（２−メチル
インデニル））（９−フルオレニル）基、及びジフェニ
ルシリレン（１−（２−メチルインデニル））（９−フ
ルオレニル）基が例示される。
【０１２６】一般式（ＩＩ）で表される化合物のＭ1に
は、エ−テル類、またはアミン類が１〜５０の配位数で
配位していてもよい。エ−テル類及びアミン類の非制限
的な例として、ジエチルエ−テル、ジイソプロピルエ−
テル、ジ−ｎ−プロピルエーテル、ｎ−ブチルエーテ
ル、アニソール、フェネトール、ジフェニルエーテル、
１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、フラン、テト
ラヒドロフラン、ピリジン、トリメチルアミン、トリエ
チルアミン等が挙げられるが、この限りではない。
【０１２７】一般式（Ｉ）で表される化合物と、脱プロ
トン化した配位子の反応によって、一般式（ＩＩ）で表
される化合物を合成する際、任意の組合せにおいて反応
は進行する。但し、より好ましくは、脱プロトン化した
配位子を構成するＬ1及びＬ2が立体的にかさ高い場合に
は、一般式（Ｉ）で表される化合物がより立体的に小さ
くなるように選択することが、錯形成反応をより支障な
く進行させるために望ましい。一般式（ＩＩ）で表され
る化合物はその構造が多岐に亘るため、個々の事例にお
いては以上の限りではないが、さらに反応を良好に進行
させることを所望する場合、組合せを種々試行錯誤によ
り最適化すればよい。
【０１２８】なお、脱プロトン化した配位子の構造に依
り、一般式（ＩＩ）で表される化合物は構造異性体が存
在し得る場合がある。すなわち、シクロペンタジエン環
の２、３位の側と、４、５位の側が非対称であり、かつ
Ｌ1及びＬ2が同一の構造である場合には、ラセミ型、及
びメソ型構造を有するメタロセン化合物が存在する筈で
ある。しかし驚くべきことに、一般式（Ｉ）で表される
化合物を用いた場合には、その組合せを選択することに
より、ラセミ型選択的、またはメソ型選択的に反応が進
行し、対応する立体構造を有する一般式（ＩＩ）で表さ
れるメタロセン化合物を選択的に合成することができ
る。従ってラセミ型、またはメソ型のうち、必要な立体
構造から一般式（Ｉ）で表される化合物の選択を考慮す
ることにより、生成するメタロセン化合物の立体構造を
自由に制御することができる。その非制限的例を示せ
ば、次のようになる。
【０１２９】脱プロトン化した配位子の構造として１，
２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチウム塩の場
合、一般式（Ｉ）で表される化合物としてＮ−メチルア
ニリドジルコニウムトリクロライド・ビステトラヒドロ
フランとの組合せでは、ラセミ型：メソ型の比率が８
０：２０の一般式（ＩＩ）で表されるメタロセン化合物
が生成する。これに対し、一般式（Ｉ）で表される化合
物としてＮ−トリメチルシリル−ｔｅｒｔ−ブチルアミ
ドジルコニウムトリクロライド・ビステトラヒドロフラ
ンとの組合せでは、立体選択性が逆転してラセミ型：メ
ソ型の比率が３４：６６の一般式（ＩＩ）で表されるメ
タロセン化合物が生成する。
【０１３０】また、脱プロトン化した配位子の構造とし
てジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾ
インデン）のジリチウム塩の場合、一般式（Ｉ）で表さ
れる化合物としてＮ−メチルアニリドジルコニウムトリ
クロライド・ビステトラヒドロフランの組合せでは、ラ
セミ型：メソ型の比率が７０：３０の一般式（ＩＩ）で
表されるメタロセン化合物が生成する。これに対し、一
般式（Ｉ）で表される化合物としてビス（Ｎ−トリメチ
ルシリル−シクロヘキシルアミド）ジルコニウムジクロ
ライド・ビステトラヒドロフランの組合せでは、立体選
択性が逆転してラセミ型：メソ型の比率が４１：５９の
一般式（ＩＩ）で表されるメタロセン化合物が生成す
る。
【０１３１】尚、一般式（Ｉ）で表される化合物、また
は配位子の構造によって、一般式（ＩＩ）で表されるラ
セミ型、またはメソ型メタロセン化合物には、さらに各
々異性体が存在する場合がある。一例を示せば一般式
（Ｉ）で表される化合物がｒ＝１の場合、一般式（Ｉ
Ｉ）で表される化合物としてメソ型が生成すれば、Ｘの
位置に因る２種類のメソ型ジアステレオマ−が存在し得
る。しかし引き続いて行うハロゲン化反応により、この
２種類のメソ型ジアステレオマ−は１種類のメソ型メタ
ロセン化合物に集約される。
【０１３２】本発明においては、このジアステレオマ−
のうち立体障害の少ない異性体が優先的に生成する傾向
が認められるが、一般式（Ｉ）で表される化合物と、脱
プロトン化した配位子の組合せを選択することにより、
ジアステレオマ−の生成比率を変化させる事も可能であ
ることが推測される。
【０１３３】一般式（ＩＩ）で表される化合物はその構
造が多岐に亘り、個々の事例における立体選択性は以上
の限りではないが、立体選択をより所望する割合にて反
応を進行させたい場合には、組合せを種々試行錯誤によ
り最適化すればよい。
【０１３４】尚、ラセミ型、またはメソ型メタロセン化
合物の合成において、ラセミ型及びメソ型の溶解度の差
が僅少である場合ほど、錯形成時の立体選択性がより高
いことが当然望ましい。ラセミ型及びメソ型の溶解度の
差が僅少な場合、錯形成時に立体選択性が無ければ一方
の構造を単離することは難しい。しかし立体選択性が少
しでも発現して一方の構造が優先的に生成していれば、
優先的に生成した構造の単離はかなり容易となる。この
ような場合の一例を示せば、ラセミ型：メソ型の割合が
５０：５０の混合物から一方の構造を単離することは困
難を伴うが、ラセミ型：メソ型の割合が６０：４０の混
合物から一方の構造を単離することはかなり容易とな
る。従って立体選択性が完全な場合のみ目的が達成され
るのではなく、ラセミ型：メソ型の割合を調整すること
は、その有意性が存在する。
【０１３５】配位子の脱プロトン化反応は、配位子に溶
媒を加え冷却し、脱プロトン化剤を添加した後、室温に
て３０分間〜一夜撹拌することによって行うことができ
る。この反応は公知技術であるが、既知、新規を問わず
他の方法にて配位子の脱プロトン化反応を行った場合で
も、一般式（ＩＩ）で表される化合物の合成には影響を
及ぼさない。脱プロトン化剤は１族元素、２族元素及び
これらを含む化合物が挙げられ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ
Ｈ、ＮａＨ、ＫＨ、ＭｅＬｉ、ｎ−ＢｕＬｉ、ｓｅｃ−
ＢｕＬｉ、ｔｅｒｔ−ＢｕＬｉ、あるいはこれらをｎ−
ヘキサン、シクロヘキサン、またはジエチルエ−テル等
の有機溶媒に溶解した溶液等が例示される。使用する溶
媒は、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、またはトルエン
等の炭化水素系溶媒全般、及びＴＨＦ、ジエチルエ−テ
ル等のエ−テル系溶媒全般及びその混合溶媒を使用する
ことができる。
【０１３６】一般式（ＩＩ）で表される化合物の合成
は、以下の通り行うことができる。反応容器中、脱プロ
トン化した配位子と一般式（ＩＩ）で表される化合物
を、有機溶媒の存在下混合することにより行われる。反
応に用いることのできる有機溶媒は、ｎ−ヘキサン、シ
クロヘキサン、石油エ−テル、ベンゼン、またはトルエ
ン等を非制限的例示として挙げる事のできる炭化水素系
溶媒全般、クロロホルム、ジクロロメタン、またはクロ
ロベンゼン等を非制限的例示として挙げる事のできるハ
ロゲン化炭化水素系溶媒全般、及びＴＨＦ、ジエチルエ
−テル、ジイソプロピルエ−テル等を非制限的例示とし
て挙げる事のできるエ−テル系溶媒全般であり、これら
を任意に混合した溶媒も用いることができる。好ましく
は反応試剤が僅かかそれ以上に溶解し得る、極性を有す
る有機溶媒であり、具体的には、トルエン、クロロホル
ム、ジクロロメタン、ＴＨＦ、ジエチルエ−テル、ジイ
ソプロピルエ−テル、及びこれらを任意に混合した溶媒
等を非制限的に例示することができる。当然ここに例示
しなかったその他の溶媒でも、本反応を進行させること
ができ、本発明の実施において溶媒の選択は重要な意味
をもたない。但し、アミン系溶媒を本反応において用い
た場合には、反応性等が影響を受ける可能性があるた
め、注意は必要である。
【０１３７】一般式（Ｉ）で表される化合物のＭ1に
は、エ−テル類、またはアミン類が任意の配位数で配位
していてもよい事は前述したが、この理由は脱プロトン
化された配位子と、一般式（ＩＩ）で表される化合物と
の反応が主に溶媒中にて行われるからである。本反応系
中において、脱プロトン化された配位子は反応溶媒に対
して僅かかそれ以上に溶解していることがより好ましい
が、このような条件下においては、脱プロトン化された
配位子には溶媒分子が多数配位した状況にあり、元来配
位していたエ−テル類、またはアミン類が反応に及ぼす
影響は無視できる程小さい。従って、一般式（Ｉ）で表
される化合物に配位した化合物、またはその配位数によ
って、一般式（ＩＩ）で表される化合物の合成反応は影
響を受けない。しかし、一般式（Ｉ）で表される化合物
にアミン類が配位数５以上で配位している場合には、反
応性、立体選択性が影響を受ける可能性があるため、注
意は必要である。
【０１３８】尚、本反応は脱プロトン化した配位子、ま
たは一般式（ＩＩ）で表される化合物の何れかが液体状
である場合、溶媒は必ずしも必要ではない。本反応にお
ける各々の反応試剤のモル比は、一般式（Ｉ）で表され
る化合物を基準とした場合、脱プロトン化した配位子の
仕込み量を０．５〜２当量用いることができる。好まし
くは、０．８〜１．３当量である。
【０１３９】本反応は−８０℃〜１５０℃の温度範囲に
おいて、１分間〜一夜撹拌するのみで反応は完結する。
しかし本反応において温度範囲、反応時間は限定的なも
のではなく、任意の温度範囲、反応時間において実施す
ることができる。通常は室温にて、３０分間〜３時間程
度の条件にて反応が完結する。この反応溶液から、副生
した塩を除去することで、一般式（ＩＩ）で表される化
合物が得られる。一般式（Ｉ）で表される化合物、及び
一般式（ＩＩ）で表される化合物は、単独、またはメチ
ルアルモキサン等の助触媒存在下、オレフィン重合用触
媒としての性能を示す可能性が期待される。
【０１４０】一般式（ＩＩ）で表される化合物は、ハロ
ゲン化剤を作用させる事により通常オレフィンの重合用
触媒として用いられるジハロゲノメタロセン化合物への
変換を行うことができる。このハロゲン化反応では、一
般式（ＩＩ）で表される化合物のラセミ型、メソ型の立
体構造はそのまま保持されたまま、ジハロゲノメタロセ
ン化合物に変換される。
【０１４１】ハロゲン化反応は、反応容器中、一般式
（ＩＩ）で表される化合物を、有機溶媒の存在下ハロゲ
ン化剤を加えて撹拌させることにより行われる。反応に
用いることのできる有機溶媒は、ｎ−ヘキサン、シクロ
ヘキサン、石油エ−テル、ベンゼン、またはトルエン等
を非制限的例示として挙げる事のできる炭化水素系溶媒
全般、クロロホルム、ジクロロメタン、またはクロロベ
ンゼン等を非制限的例示として挙げる事のできるハロゲ
ン化炭化水素系溶媒全般、ＴＨＦ、ジエチルエ−テル、
ジイソプロピルエ−テル等を非制限的例示として挙げる
事のできるのエ−テル系溶媒全般、及びこれらを任意に
混合した溶媒である。好ましくは反応試剤または一般式
（ＩＩ）で表される化合物が僅かかそれ以上に溶解し得
る、極性を有する有機溶媒であり、具体的には、トルエ
ン、クロロホルム、ジクロロメタン、ＴＨＦ、ジエチル
エ−テル、ジイソプロピルエ−テル、及びこれらを任意
に混合した溶媒等を非制限的に例示することができる。
【０１４２】尚、本反応は一般式（ＩＩ）で表される化
合物が液体状である場合、溶媒は必ずしも必要ではな
い。本反応は−１００℃〜１５０℃の温度範囲において
実施可能であるが、好ましくは−８０℃〜室温である。
ハロゲン化剤としては、Ｍｅ3ＳｉＣｌ、及びＭｅ3Ｓｉ
Ｉ等のトリアルキルシリルハロゲノイド、ならびにＭｅ
2ＮＨ・ＨＦ、Ｍｅ2ＮＨ・ＨＣｌ、Ｅｔ2ＮＨ・ＨＣ
ｌ、及びアニリン・ＨＣｌ等を例示できるアミンハロゲ
ン塩、ならびにＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、及びＨＩ等のハ
ロゲン化水素ガス、ならびにフッ酸水溶液、及び塩酸等
のハロゲン化水素水溶液を用いることができる。好まし
くはジアルキルアミンの塩酸塩、及びハロゲン化水素ガ
スである。本反応は１分間〜３時間程度撹拌するのみで
完結する。
【０１４３】しかし本反応において温度範囲、反応時間
は限定的なものではなく、任意の温度範囲、反応時間に
おいて実施することができる。本反応における各々の反
応試剤のモル比は、一般式（ＩＩ）で表される化合物を
基準とした場合、ハロゲン化剤の仕込み量は０．５当量
以上必要である。好ましくは、一般式（ＩＩ）で表され
る化合物の内、ｒ＝１の場合には、ハロゲン化剤の仕込
み量は０．９当量以上用いることが望ましく、一般式
（ＩＩ）で表される化合物の内、ｒ＝２の場合には、ハ
ロゲン化剤の仕込み量は１．８当量以上用いることが望
ましい。また、ハロゲン化剤として、トリアルキルシリ
ルハロゲノイド、またはアミンハロゲン塩を用いる場合
には、ハロゲン化剤の仕込み量の上限を、一般式（Ｉ
Ｉ）で表される化合物の内、ｒ＝１の場合には、ハロゲ
ン化剤の仕込み量を１．５当量以下用いることが望まし
く、一般式（ＩＩ）で表される化合物の内、ｒ＝２の場
合には、ハロゲン化剤の仕込み量は３当量以下用いるこ
とが望ましい。この反応溶液から、再結晶等の通常の精
製操作により、ジハロゲノメタロセン化合物を高収率で
得ることが出来る。
【０１４４】
【実施例、参考例及び比較例】次に、本発明を実施例、
参考例、及び比較例によりさらに具体的に説明するが、
本発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。なお、本実施例、参考例、及び比較例においては、
反応はアルゴンガスまたは窒素ガス等の不活性ガス雰囲
気下にて行った。また、反応に使用した溶媒は、乾燥、
脱気したものを用いた。一般式（Ｉ）で表される化合物
の合成
【０１４５】実施例１ （Ｎ−メチルアニリド）ジルコニウムトリクロライドの
合成 ５００ｍｌのシュレンクチュ−ブへ、Ｎ−メチルアニリ
ンを１６．７ｇ（０．１５６ｍｏｌ）、テトラヒドロフ
ラン３１２ｍｌを仕込み、０℃に冷却した。ｎ−ＢｕＬ
ｉのｎ−ヘキサン溶液（１．５７Ｎ）１０４ｍｌ（０．
１６４ｍｏｌ）を１分間かけて滴下し、室温にて２．５
時間撹拌保持した。別の５００ｍｌシュレンクチュ−ブ
へ、ＺｒＣｌ4を３６．３ｇ（０．１５６ｍｏｌ）、ｎ
−ペンタンを３０ｍｌ仕込み、−８０℃に冷却後、撹拌
しながらテトラヒドロフランを１００ｍｌ加え、室温に
戻した。ここに、先に調整したＮ−メチルアニリンのア
ニオン溶液を２５分間かけて滴下し、反応熱は水冷によ
り吸収した。滴下終了後には反応液が淡黄色溶液にな
り、室温にて終夜撹拌を行った。反応後溶媒を減圧下に
て留去し、４５０ｍｌの塩化メチレンにて抽出して不溶
の塩化リチウムを除いた。溶媒を減圧留去し、粗生成物
を８０．９ｇ得た（粗収率１１６％）。この粗生成物
は、１３０ｍｌのテトラヒドロフラン、４０ｍｌのｎ−
ペンタンからなる混合溶媒を加えて撹拌し、静置後二層
に分離した液相のうち上層を除くことにより精製し、赤
褐色粘性液体である（Ｎ−メチルアニリド）ジルコニウ
ムトリクロライド・ビステトラヒドロフランを得た。収
量６２．４ｇ 収率８９％1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 1.7〜2.2(m,THF,8H)
3.73(s,N-Me,3H) 3.7〜4.7(m,THF,8H) 6.6〜7.3(m,Ph,
5H)
【０１４６】実施例２ （Ｎ−メチルアニリド）ハフニウムトリクロライドの合
成 実施例１と同様な操作で、ＨｆＣｌ4を１分子のＮ−メ
チルアニリンで修飾し、赤茶色粘性液体である（Ｎ−メ
チルアニリド）ハフニウムトリクロライド・ビステトラ
ヒドロフランを得た。収量１３．９ｇ 収率８１％1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 1.7〜2.2(broad,TH
F,8H) 3.69(s,N-Me,3H)3.7〜4.7(broad,THF,8H) 6.6〜
7.3(m,Ph,5H)
【０１４７】実施例３ （Ｎ−エチルアニリド）ジルコニウムトリクロライドの
合成 実施例１と同様な操作で、 ＺｒＣｌ4を１分子のＮ−
エチルアニリンで修飾し、赤褐色粘性液体である（Ｎ−
エチルアニリド）ジルコニウムトリクロライド・ビステ
トラヒドロフランを得た。収量３３．０ｇ 粗収率１０
９％1 H-NMR(90MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 1.12(t,J=6.6Hz,CH3,
3H) 1.7〜2.1(broad,THF,8H) 3.8〜4.1(broad,THF,8H)
4.28(q,J=6.6Hz,N-CH2,2H) 6.6〜7.4(m,Ph,5H)
【０１４８】実施例４ （Ｎ−フェニルアニリド）ジルコニウムトリクロライド
の合成 実施例１と同様の操作で、ＺｒＣｌ4を１分子のジフェ
ニルアミンで修飾し、黄土色粘性液体である（Ｎ−フェ
ニルアニリド）ジルコニウムトリクロライド・ビステト
ラヒドロフランを得た。収量２１．２ｇ 粗収率１１５
％1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 1.8〜2.2(broad,TH
F,8H) 3.6〜4.6(broad,THF,8H) 6.6〜7.3(m,Ph,10H)
【０１４９】実施例５ （Ｎ−ベンジルアニリド）ジルコニウムトリクロライド
の合成 実施例１と同様の操作で、ＺｒＣｌ4を１分子のＮ−ベ
ンジルアニリンで修飾し、黄色粘性液体である（Ｎ−ベ
ンジルアニリド）ジルコニウムトリクロライド・ビステ
トラヒドロフランを得た。収量９．５６ｇ 粗収率１１
０％1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 1.8〜2.1(broad,TH
F,8H) 3.7〜4.1(broad,THF,8H) 4.8(s,N-CH2,2H) 6.6〜
7.3(m,Ph,10H)
【０１５０】実施例６ （ピロ−ルイル）ジルコニウムトリクロライドの合成 実施例１と同様の操作で、ＺｒＣｌ4を１分子のピロ−
ルで修飾し、茶色粘性液体である（ピロ−ルイル）ジル
コニウムトリクロライド・ビステトラヒドロフランを得
た。収量２２．０ｇ 粗収率１２４％1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 1.7〜2.2(broad,TH
F,8H) 3.7〜4.7(broad,THF,8H) 5.99,6.04,7.29,7.43
(d,pyrrole,4H)
【０１５１】実施例７ （Ｎ−メチルベンジルアミド）ジルコニウムトリクロラ
イドの合成 実施例１と同様の操作で、ＺｒＣｌ4を１分子のＮ−メ
チルベンジルアミンで修飾し、淡黄色粘性液体である
（Ｎ−メチルベンジルアミド）ジルコニウムトリクロラ
イド・ビステトラヒドロフランを得た。収量３．５９ｇ
粗収率９４％1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 1.7〜2.2(broad,TH
F,8H) 3.2(s,N-Me,3H) 3.7〜4.7(broad,THF,8H) 4.9(s,
N-CH2,2H) 7.2〜7.5(m,Ph,5H)
【０１５２】実施例８ （Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ブチルアミド）ジルコニ
ウムトリクロライドの合成 実施例１と同様の操作で、ＺｒＣｌ4を１分子のＮ−ト
リメチルシリル−ｎ−ブチルアミンで修飾し、淡黄色粘
性液体である（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ブチルアミ
ド）ジルコニウムトリクロライド・ビステトラヒドロフ
ランを得た。収量０．６０７ｇ 粗収率１１６％1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) -0.10(s,TMS,9H) 0.
7〜0.8(m,CH3,3H) 1.2〜1.6（m,CH2,4H) 1.7〜2.2(broa
d,THF,8H) 3.3(m,N-CH2,2H) 3.7〜4.7(m,THF,8H)
【０１５３】実施例９ （Ｎ−トリメチルシリル−ｔｅｒｔ−ブチルアミド）ジ
ルコニウムトリクロライドの合成 実施例１と同様の操作で、 ＺｒＣｌ4を１分子のＮ−
トリメチルシリル−ｔｅｒｔ−ブチルアミンで修飾し、
淡黄色粘性液体である（Ｎ−トリメチルシリル−ｔｅｒ
ｔ−ブチルアミド）ジルコニウムトリクロライド・ビス
テトラヒドロフランを得た。収量４．６０ｇ 粗収率８
８％1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.40(s,TMS,9H) 1.5
0(s,tert-butyl,9H) 1.7〜2.2(broad,THF,8H) 3.7〜4.7
(broad,THF,8H)
【０１５４】実施例１０ （Ｎ−トリメチルシリル−シクロペンチルアミド）ジル
コニウムトリクロライドの合成 実施例１と同様の操作で、ＺｒＣｌ4を１分子のＮ−ト
リメチルシリル−シクロペンチルアミンで修飾し、淡黄
色粘性液体である（Ｎ−トリメチルシリル−シクロペン
チルアミド）ジルコニウムトリクロライド・ビステトラ
ヒドロフランを得た。収量３．７９ｇ 粗収率１０１％1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.40(s,TMS,9H) 1.2
〜2.2(m,C5ring-CH2,8H) 1.7〜2.2(broad,THF,8H) 3.2
(m N-CH,1H) 3.7〜4.7(broad,THF,8H)
【０１５５】実施例１１ （Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）ジルコ
ニウムトリクロライドの合成 実施例１と同様の操作で、ＺｒＣｌ4を１分子のＮ−ト
リメチルシリル−ｎ−ヘキシルアミンで修飾し、淡黄色
粘性液体である（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ヘキシル
アミド）ジルコニウムトリクロライド・ビステトラヒド
ロフランを得た。収量３．１０ｇ 粗収率１００％1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.40(s,TMS,9H) 0.8
5(m,CH3,3H) 1.2〜1.6(m,CH2,8H) 1.7〜2.2(broad,THF,
8H) 3.3(m N-CH2,2H) 3.7〜4.7(broad,THF,8H)
【０１５６】実施例１２ （Ｎ−トリメチルシリル−シクロヘキシルアミド）ジル
コニウムトリクロライドの合成 実施例１と同様の操作で、ＺｒＣｌ4を１分子のＮ−ト
リメチルシリル−シクロヘキシルアミンで修飾し、再結
晶により白色粉末である（Ｎ−トリメチルシリル−シク
ロヘキシルアミド）ジルコニウムトリクロライド・ビス
テトラヒドロフランを得た。収量１５．５ｇ 収率７５
％1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.42(s,TMS,9H) 1.2
〜2.3(m,C6ring-CH2,10H) 3.5(m N-CH,1H) 3.7〜4.0(br
oad,THF,8H)
【０１５７】実施例１３ （Ｎ−トリメチルシリル−２−メチルシクロヘキシルア
ミド）ジルコニウムトリクロライド（ｃｉｓ、ｔｒａｎ
ｓ混合物）の合成 実施例１と同様の操作で、 ＺｒＣｌ4を１分子のＮ−
トリメチルシリル−２−メチルシクロヘキシルアミンで
修飾し、淡黄色粘性液体である（Ｎ−トリメチルシリル
−２−メチルシクロヘキシルアミド）ジルコニウムトリ
クロライド・ビステトラヒドロフラン（ｃｉｓ、ｔｒａ
ｎｓ混合物）を得た。収量６．８２ｇ粗収率７６％1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) -0.01(s,TMS,9H) 0.
77〜1.60(m,C6ring-CH2, C6ring-CH3,12H) 1.7〜2.2(br
oad,THF,8H) 3.3(m,N-CH,1H) 3.7〜4.0(broad,THF,8H)
【０１５８】実施例１４ （Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−オクチルアミド）ジルコ
ニウムトリクロライドの合成 実施例１と同様の操作で、 ＺｒＣｌ4を１分子のＮ−
トリメチルシリル−ｎ−オクチルアミンで修飾し、淡茶
色粘性液体である（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−オクチ
ルアミド）ジルコニウムトリクロライド・ビステトラヒ
ドロフランを得た。収量１４．５ｇ 収率６２％1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.11(s,TMS,9H) 0.8
5(m,CH3,3H) 1.2〜1.6(m,CH2,12H) 1.7〜2.2(broad,TH
F,8H) 3.4(m N-CH2,2H) 3.8〜4.6(broad,THF,8H)
【０１５９】実施例１５ （Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−オクチルアミド）チタニ
ウムトリクロライドの合成 実施例１と同様の操作で、ＴｉＣｌ4を１分子のＮ−ト
リメチルシリル−ｎ−オクチルアミンで修飾し、淡茶色
粘性液体である（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−オクチル
アミド）チタニウムトリクロライド・テトラヒドロフラ
ンを得た。収量１７．０ｇ 収率７５％1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.06,0.14(s,TMS,9
H) 0.86(m,CH3,3H) 1.5〜2.3(broad,CH2,12H) 1.9(broa
d,THF,4H) 3.2〜4.3(broad,N-CH2,THF,6H)
【０１６０】実施例１６ （Ｎ−ジメチルフェニルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）
ジルコニウムトリクロライドの合成 実施例１と同様の操作で、ＺｒＣｌ4を１分子のＮ−ジ
メチルフェニルシリル−ｎ−ヘキシルアミンで修飾し、
淡赤色粘性液体である（Ｎ−ジメチルフェニルシリル−
ｎ−ヘキシルアミド）ジルコニウムトリクロライド・ビ
ステトラヒドロフランを得た。収量１１．７ｇ 粗収率
１０７％1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.21(s,SiMe2,6H)
0.79(m,CH3,3H) 0.9〜1.4(m,CH2,8H) 1.7〜2.2(broad,T
HF,8H) 3.25(m N-CH2,2H) 3.8〜4.6(broad,THF,8H) 7.2
5〜7.50(m,Ph,5H)
【０１６１】実施例１７ （Ｎ−ジメチルフェニルシリル−シクロヘキシルアミ
ド）ジルコニウムトリクロライドの合成 実施例１と同様の操作で、ＺｒＣｌ4を１分子のＮ−ジ
メチルフェニルシリル−シクロヘキシルアミンで修飾
し、淡茶色粘性液体である（Ｎ−ジメチルフェニルシリ
ル−シクロヘキシルアミド）ジルコニウムトリクロライ
ド・ビステトラヒドロフランを得た。収量１１．０ｇ
粗収率１１５％1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.25(s,SiMe2,6H)
0.5〜1.5(m,C6ring-CH2,10H) 1.7〜2.2(broad,THF,8H)
3.1(m N-CH,1H) 3.7〜4.0(broad,THF,8H) 7.25〜7.70
(m,Ph,5H)
【０１６２】実施例１８ （ Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アミドジルコニ
ウムトリクロライドの合成 実施例１と同様の操作で、ＺｒＣｌ4を１分子のヘキサ
メチルジシラザンで修飾し、黄土色粘性液体であるＮ，
Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アミドジルコニウムトリ
クロライド・ビステトラヒドロフランを得た。収量９．
７２ｇ 粗収率１０８％1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.02(s,SiMe3,18H)
1.7〜2.2(m,THF,8H) 3.7〜4.7(m,THF,8H)
【０１６３】実施例１９ ビス（ Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ブチルアミド）ジ
ルコニウムジクロライドの合成 実施例１と同様の操作で、ＺｒＣｌ4を２分子のＮ−ト
リメチルシリル−ｎ−ブチルアミンで修飾し、褐色粘性
液体であるビス（ Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ブチル
アミド）ジルコニウムジクロライド・テトラヒドロフラ
ンを得た。収量３．９５ｇ 収率２８％1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.12(s,TMS,18H) 0.
93(m,CH3,6H) 1.3〜1.6(m,CH2,8H) 1.7〜2.2(broad,TH
F,4H) 3.41(m,N-CH2,4H) 3.7〜4.7(m,THF,4H)
【０１６４】実施例２０ ビス（ Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）
ジルコニウムジクロライドの合成 実施例１と同様の操作で、ＺｒＣｌ4を２分子のＮ−ト
リメチルシリル−ｎ−ヘキシルアミンで修飾し、黄色粉
末であるビス（ Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ヘキシル
アミド）ジルコニウムジクロライド・テトラヒドロフラ
ンを得た。収量２．５２ｇ 収率２１％1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.42(s,TMS,18H) 0.
82(m,CH3,6H) 1.3〜1.5(m,CH2,16H) 1.7〜2.2(broad,TH
F,4H) 3.5(m,N-CH2,4H) 3.8〜4.6(m,THF,4H)
【０１６５】実施例２１ ビス（ Ｎ−トリメチルシリル−シクロヘキシルアミ
ド）ジルコニウムジクロライドの合成 実施例１と同様の操作で、ＺｒＣｌ4を２分子のＮ−ト
リメチルシリル−シクロヘキシルアミンで修飾し、淡オ
レンジ色粉末であるビス（ Ｎ−トリメチルシリル−シ
クロヘキシルアミド）ジルコニウムジクロライド・テト
ラヒドロフランを得た。収量６．０８ｇ 粗収率１００
％1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.17(s,TMS,18H) 0.
9〜2.2(m,C6ring,20H)1.7〜2.2(broad,THF,4H) 3.45(m
N-CH,2H) 3.7〜4.0(broad,THF,4H)
【０１６６】実施例２２ ビス（ Ｎ−トリメチルシリル−２−メチルシクロヘキ
シルアミド）ジルコニウムジクロライド（ｃｉｓ、ｔｒ
ａｎｓ混合物）の合成 実施例１と同様の操作で、ＺｒＣｌ4を２分子のＮ−ト
リメチルシリル−２−メチルシクロヘキシルアミン（ｃ
ｉｓ、ｔｒａｎｓ混合物）で修飾し、オレンジ色粘性液
体であるビス（ Ｎ−トリメチルシリル−２−メチルシ
クロヘキシルアミド）ジルコニウムジクロライド・テト
ラヒドロフラン（ｃｉｓ、ｔｒａｎｓ混合物）を得た。
収量６．５６ｇ 粗収率１００％1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) -0.03(s,TMS,18H)
0.1〜2.2(m,C6ring, C6ring-Me,24H) 1.7〜2.2(broad,T
HF,4H) 3.75(m N-CH,2H) 3.7〜4.0(broad,THF,4H) 一般式（ＩＩ）で表される化合物の合成と誘導化
【０１６７】実施例２３ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−メ
チルアニリド）クロライドの合成 １００ｍｌのシュレンクチュ−ブへ、１，２−ビス（３
−インデニル）エタンを５．００ｇ（１９．３ｍｍｏ
ｌ）を仕込み、テトラヒドロフランを４０ｍｌを加えて
溶解させた。０℃に冷却後、ｎ−ＢｕＬｉのｎ−ヘキサ
ン溶液（１．６１Ｎ）２５．２ｍｌ（４０．６ｍｍｏ
ｌ）を１分間かけて滴下した。滴下終了時には赤褐色溶
液となった。室温にて２．５時間撹拌保持し、１，２−
ビス（３−インデニル）エタンのジリチウム塩溶液を得
た。
【０１６８】実施例１にて合成した（Ｎ−メチルアニリ
ド）ジルコニウムトリクロライド・ビステトラヒドロフ
ラン８．６６ｇ（１９．３４ｍｍｏｌ）のテトラヒドロ
フラン溶液（３７．２ｍｌ）を２分間かけて加えると、
直ちに反応が進行し溶液は濃赤褐色に変化した。室温に
て１時間撹拌を行い、反応終了後、溶媒を減圧留去して
得られた粘性液体を塩化メチレン１００ｍｌにて抽出
し、不溶の塩化リチウムを除いた。溶媒を減圧下で濃
縮、析出した結晶を集め、エチレンビス（１−インデニ
ル）ジルコニウム（Ｎ−メチルアニリド）クロライドを
８．９１ｇ（収率９４％）濃赤色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 2.7(s,N-Me,3H) 3.6
〜4.0(m,Et,4H) 5.6〜8.1(m,Ind,Ph,17H)
【０１６９】参考例１ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−メ
チルアニリド）クロライドの塩素化反応 １００ｍｌシュレンクチュ−ブへ、実施例２３で合成し
たエチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−
メチルアニリド）クロライドを８．９１ｇ仕込み、塩化
メチレンを３０ｍｌ加えて溶解させた。−８０℃に冷却
し、ＨＣｌガスを少しずつバブリングし、溶液の色が赤
褐色から黄色に変化したのちＨＣｌガスの導入を止め
た。１Ｈ−ＮＭＲによる分析では、エチレンビス（１−
インデニル）ジルコニウムジクロライドが、ラセミ型：
メソ型＝８１：１９の割合にて存在しており、実施例２
３で合成した化合物の立体構造がラセミ型：メソ型＝８
１：１９であったこと、及び実施例２３にて合成した化
合物が、産業上有用なエチレンビス（１−インデニル）
ジルコニウムジクロライドに容易に変換可能であること
が示された。
【０１７０】ラセミ型 1H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ
(ppm) 3.75(m,Et,4H) 6.21(d,J=3.2Hz,C5ring,2H) 6.59
(d,J=3.2Hz,C5ring,2H) 7.2〜7.6(m,C6ring,8H) メソ型 1H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 3.60,4.0
0(m,Et,4H) 6.55(d,J=3.2Hz,C5ring,2H) 6.70(d,J=3.2H
z,C5ring,2H) 7.2〜7.6(m,C6ring,8H) 溶媒を減圧下で濃縮し、再結晶を行い、（ラセミ）−エ
チレンビス（１−インデニル）ジルコニウムジクロライ
ドを２．８ｇ得た。収率３５％（１，２−ビス（３−イ
ンデニル）エタン基準）1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 3.75(m,Et,4H) 6.21
(d,J=3.2Hz,C5ring,2H)6.59(d,J=3.2Hz,C5ring,2H) 7.2
〜7.6(m,C6ring,8H)
【０１７１】実施例２４ ジメチルシリレンビス（１−インデニル）ジルコニウム
（Ｎ−メチルアニリド）クロライドの合成 実施例２３と同様な操作で、実施例１にて合成した化合
物とジメチルシリレンビスインデンのジリチウム塩の反
応を行い、標記化合物を６．９１ｇ（収率９６％）赤褐
色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 1.19(s,Me2Si,6H)
2.94(s,N-Me,3H) 6.2〜7.9(m,Ind,Ph,17H)
【０１７２】参考例２ ジメチルシリレンビス（１−インデニル）ジルコニウム
（Ｎ−メチルアニリド）クロライドの塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝９５：５のジメチルシリレンビス（１−インデニ
ル）ジルコニウムジクロライドが生成した。実施例２４
にて合成した化合物の立体構造がラセミ型：メソ型＝９
５：５であったことが示された。 ラセミ型 1H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 1.14(s,
SiMe2,6H) 6.10(d,J=3.3Hz,C5ring,2H) 6.85(d,J=3.2H
z,C5ring,2H) 7.0〜7.6(m,C6ring,8H) メソ型 1H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.95,1.35
(s,SiMe2,6H) 6.15(d,J=3.3Hz,C5ring,2H) 6.87(d,J=3.
2Hz,C5ring,2H) 7.0〜7.6(m,C6ring,8H)
【０１７３】実施例２５ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−メチルアニリド）クロラ
イドの合成 実施例２３と同様な操作で、実施例１にて合成した化合
物と、ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベ
ンゾインデン）のジリチウム塩の反応を行い、標記化合
物を３．１５ｇ（収率１０２％）緑がかった濃赤色粉末
として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 1.20(s,Me2Si,6H)
2.3〜2.7(m,N-Me,Ind-Me,9H) 6.7〜8.2(m,Ind,Ph,19H)
【０１７４】参考例３ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−メチルアニリド）クロラ
イドの塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝７０：３０の（２−メチル−４，５−ベンゾイン
デニル）ジルコニウムジクロライドが生成した。実施例
２５にて合成した化合物の立体構造がラセミ型：メソ型
＝７０：３０であったことが示された。 ラセミ型 1H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 1.36(s,S
iMe2,6H) 2.37(s,Ind-Me,6H) 7.2〜7.9(m,Ind,14H) メソ型 1H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 1.27,1.46
(s,SiMe2,6H) 2.56(s,Ind-Me,6H) 7.2〜7.9(m,Ind,14H) 溶媒を減圧下で濃縮し、再結晶を行い、（ラセミ）−ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイン
デニル）ジルコニウムジクロライドを０．６０ｇ得た。
収率２２％（ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，
５−ベンゾインデン）基準）1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 1.36(s,SiMe2,6H)
2.37(s,Ind-Me,6H) 7.2〜7.9(m,ind,14H)
【０１７５】実施例２６ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４−フェニルイン
デニル）ジルコニウム（Ｎ−メチルアニリド）クロライ
ドの合成 実施例２３と同様な操作で、実施例１にて合成した化合
物とジメチルシリレンビス（２−メチル−４−フェニル
インデン）のジリチウム塩の反応を行い、標記化合物を
１．０６ｇ（収率１０４％）オレンジ色粉末として得
た。1H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 1.0〜1.2(m,Me2
Si,6H) 1.8〜2.7(m,N-Me,Ind-Me,9H) 5.6〜7.8(m,Ind,P
h,23H)
【０１７６】参考例４ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４−フェニルイン
デニル）ジルコニウム（Ｎ−メチルアニリド）クロライ
ドの塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝７４：２６のジメチルシリレンビス（２−メチル
−４−フェニルインデニル）ジルコニウムジクロライド
が生成した。実施例２６にて合成した化合物の立体構造
がラセミ型：メソ型＝７４：２６であったことが示され
た。 ラセミ型 1H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 1.35(s,S
iMe2,6H) 2.26(s,Ind-Me,6H) 6.8〜7.7(m,Ind,18H) メソ型 1H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 1.26,1.49
(s,SiMe2,6H) 2.46(s,Ind-Me,6H) 6.8〜7.7(m,Ind,18H) 溶媒を減圧下で濃縮し、再結晶を行い、（ラセミ）−ジ
メチルシリレンビス（２−メチル−４−フェニルインデ
ニル）ジルコニウムジクロライドを０．１７ｇ得た。収
率１８％（ジメチルシリレンビス（２−メチル−４−フ
ェニルインデン）基準）1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 1.35(s,SiMe2,6H)
2.26(s,Ind-Me,6H) 6.8〜7.7(m,Ind,18H)
【０１７７】実施例２７ イソプロピリデンビス（１−インデニル）ジルコニウム
（Ｎ−メチルアニリド）クロライドの合成 実施例２３と同様な操作で、実施例１にて合成した化合
物とイソプロピリデンビス（１−インデン）のジリチウ
ム塩の反応を行い、標記化合物を１．０４ｇ（収率８１
％）赤褐色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 2.2〜2.8(m,C-Me2,N
-Me,9H) 5.75〜8.20(m,Ind,Ph,21H)
【０１７８】参考例５ イソプロピリデンビス（１−インデニル）ジルコニウム
（Ｎ−メチルアニリド）クロライドの塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、（ラセミ）−
イソプロピリデンビス（１−インデニル）ジルコニウム
ジクロライドが生成した。実施例２７にて合成した化合
物の立体構造がラセミ型であったことが示された。 ラセミ型 1H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 2.37(s,C
-Me2,6H) 6.16(d,J=3.7Hz,C5ring,2H) 6.70(dd,J=0.7H
z,J=3.7Hz,C5ring,2H) 6.8〜7.8(m,Ind,12H) 溶媒を減圧下で濃縮し、再結晶を行い、（ラセミ）−イ
ソプロピリデンビス（１−インデニル）ジルコニウムジ
クロライドを０．１７ｇ得た。収率２０％（イソプロピ
リデンビス（１−インデン）基準）
【０１７９】実施例２８ （Ｎ−メチルアニリド）ジルコニウムトリクロライド・
ビステトラヒドロフランと、ジフェニリデン（９−フル
オレン）（１−シクロペンタジエン）のジリチウム塩の
反応 実施例２３と同様な操作で、標記化合物の反応を行い、
ジフェニリデン（フルオレニル）（シクロペンタジエニ
ル）ジルコニウム（Ｎ−メチルアニリド）クロライドを
３．０３ｇ（収率１００％）濃赤褐色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 2.68(s,N-Me,3H) 5.
5〜8.3(m,Cp,Flu,Ph,29H)
【０１８０】参考例６ ジフェニリデン（フルオレニル）（シクロペンタジエニ
ル）ジルコニウム（Ｎ−メチルアニリド）クロライドの
塩素化による、ジフェニリデン（フルオレニル）（シク
ロペンタジエニル）ジルコニウムジクロライドの合成 参考例１と同様な操作により、標記化合物が合成され
た。溶媒を減圧下で濃縮し、再結晶を行い、ジフェニリ
デン（フルオレニル）（シクロペンタジエニル）ジルコ
ニウムジクロライドを０．９０ｇ得た。収率３３％（ジ
フェニリデン（９−フルオレン）（１−シクロペンタジ
エン）基準）1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 5.80(t,J=2.9Hz,Cp,
2H) 6.40(m,Ph,Flu,4H)7.02(t,Cp,2H) 7.2〜8.2(m,Flu,
Ph,14H)
【０１８１】実施例２９ エチレンビス（１−インデニル）ハフニウム（Ｎ−メチ
ルアニリド）クロライドの合成 実施例２３と同様な操作で、実施例２にて合成した化合
物と１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチウ
ム塩の反応を行い、標記化合物を４．２２ｇ（収率９２
％）黄褐色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 2.7(s,N-Me,3H) 3.6
〜4.0(m,Et,4H) 5.4〜8.0(m,Ind,Ph,17H)
【０１８２】参考例７ エチレンビス（１−インデニル）ハフニウム（Ｎ−メチ
ルアニリド）クロライドの塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝６８：３２のエチレンビス（１−インデニル）ハ
フニウムジクロライドが生成した。実施例２９にて合成
した化合物の立体構造がラセミ型：メソ型＝６８：３２
であったことが示された。 ラセミ型 1H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 3.80(m,E
t,4H) 6.10(d,J=3.4Hz,C5ring,2H) 6.46(d,J=3.4Hz,C5r
ing,2H) 7.2〜7.6(m,C6ring,8H) メソ型 1H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 3.70,4.00
(m,Et,4H) 6.48(d,J=3.4Hz,C5ring,2H) 6.60(d,J=3.4H
z,C5ring,2H) 7.2〜7.6(m,C6ring,8H) 溶媒を減圧下で濃縮し、再結晶を行い、（ラセミ）−エ
チレンビス（１−インデニル）ハフニウムジクロライド
を０．８３９ｇ得た。収率２１％（エチレンビス（１−
インデン）基準）1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 3.80(m,Et,4H) 6.10
(d,J=3.4Hz,C5ring,2H)6.46(d,J=3.4Hz,C5ring,2H) 7.2
〜7.6(m,C6ring,8H)
【０１８３】実施例３０ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−エ
チルアニリド）クロライドの合成 実施例２３と同様の操作で、実施例３にて合成した化合
物と１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチウ
ム塩の反応を行い、標記化合物を１．２９ｇ（収率８９
％）赤褐色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.7〜1.0(m,N-Et-CH
3,3H) 3.2〜4.0(m,Et,Et-CH2,6H) 5.4〜7.9(m,Ind,Ph,1
7H)
【０１８４】参考例８ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−エ
チルアニリド）クロライドの塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝４５：５５のエチレンビス（１−インデニル）ジ
ルコニウムジクロライドが生成した。実施例３０にて合
成した化合物の立体構造がラセミ型：メソ型＝４５：５
５であったことが示された。
【０１８５】実施例３１ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−エチルアニリド）クロラ
イドの合成 実施例２３と同様な操作で、実施例３にて合成した化合
物とジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベン
ゾインデン）のジリチウム塩の反応を行い、標記化合物
を０．８２４ｇ（収率９２％）オレンジ色粉末として得
た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.8〜1.3(m,N-Et-CH
3,SiMe2,9H) 2.2〜2.5(m,Ind-Me,6H) 3.2〜3.7(m,CH2,2
H) 6.1〜8.2(m,Ind,Ph,19H)
【０１８６】参考例９ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−エチルアニリド）クロラ
イドの塩素化反応 比較例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝５８：４２のジメチルシリレンビス（２−メチル
−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロライ
ドが生成した。実施例３１にて合成した化合物の立体構
造がラセミ型：メソ型＝５８：４２であったことが示さ
れた。
【０１８７】実施例３２ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ベ
ンジルアニリド）クロライドの合成 実施例２３と同様な操作で、実施例４にて合成した化合
物と１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチウ
ム塩の反応を行い、標記化合物を１．１９ｇ（収率７９
％）赤色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 3.3〜4.2(m,Et,CH2,
6H) 6.0〜8.0(m,Ind,Ph,22H)
【０１８８】参考例１０ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ベ
ンジルアニリド）クロライドの塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝４９：５１のエチレンビス（１−インデニル）ジ
ルコニウムジクロライドが生成した。実施例３２にて合
成した化合物の立体構造がラセミ型：メソ型＝４９：５
１であったことが示された。
【０１８９】実施例３３ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（ピロ−
ルイル）クロライドの合成 実施例２３と同様な操作で、実施例６にて合成した化合
物と１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチウ
ム塩の反応を行い、標記化合物を１．０８ｇ（収率９２
％）赤色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 3.6〜4.2(m,Et,4H)
5.9〜7.8(m,Ind,Pyrrole,16H)
【０１９０】参考例１１ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（ピロ−
ルイル）クロライドの塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝４５：５５のエチレンビス（１−インデニル）ジ
ルコニウムジクロライドが生成した。実施例３３にて合
成した化合物の立体構造がラセミ型：メソ型＝４５：５
５であったことが示された。
【０１９１】実施例３４ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（ピロ−ルイル）クロライドの
合成 実施例２３と同様な操作で、実施例６にて合成した化合
物と、ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベ
ンゾインデン）のジリチウム塩の反応を行い、標記化合
物を１．１８ｇ（収率１１２％）赤色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 1.2〜1.5(m,SiMe2,6
H) 2.2〜2.6(m,Ind-Me,6H) 5.5〜8.2(m,Ind,Pyrrole,18
H)
【０１９２】参考例１２ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（ピロ−ルイル）クロライドの
塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝５４：４６のジメチルシリレンビス（２−メチル
−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロライ
ドが生成した。実施例３４にて合成した化合物の立体構
造がラセミ型：メソ型＝５４：４６であったことが示さ
れた。
【０１９３】実施例３５ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ト
リメチルシリル−ｎ−ブチルアミド）クロライドの合成 実施例２３と同様な操作で、実施例８にて合成した化合
物と、１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチ
ウム塩の反応を行い、標記化合物を０．９１４ｇ（収率
８７％）濃褐色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.03(s,Me3Si,9H)
0.75〜1.40(m,Butyl,7H)3.3〜4.2(m,Et,N-CH2,6H) 6.0
〜7.7(m,Ind,12H)
【０１９４】参考例１３ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ト
リメチルシリル−ｎ−ブチルアミド）クロライドの塩素
化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝５７：４３のエチレンビス（１−インデニル）ジ
ルコニウムジクロライドが生成した。実施例３５にて合
成した化合物の立体構造がラセミ型：メソ型＝５７：４
３であったことが示された。
【０１９５】実施例３６ ジメチルシリレンビス（２−メチル４，５−ベンゾイン
デニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ブ
チルアミド）クロライドの合成 実施例２３と同様の操作で、実施例８にて合成した化合
物とジメチルシリレンビス（２−メチル４，５−ベンゾ
インデン）のジリチウム塩の反応を行い、標記化合物を
０．８６５ｇ（収率１００％）濃緑色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.04(s,SiMe3,9H)
0.89(m,CH3,3H) 1.25〜1.50(m,CH2,SiMe2,10H) 2.2〜3.
3(m,N-CH2,Ind-Me,8H) 6.8〜8.1(m,Ind,14H)
【０１９６】参考例１４ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−
ブチルアミド）クロライドの塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝５５：４５のジメチルシリレンビス（２−メチル
−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロライ
ドが生成した。実施例３６にて合成した化合物の立体構
造がラセミ型：メソ型＝５５：４５であったことが示さ
れた。
【０１９７】実施例３７ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ト
リメチルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）クロライドの合
成 実施例２３と同様な操作で、実施例１１にて合成した化
合物と１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチ
ウム塩の反応を行い、標記化合物を０．７０１ｇ（収率
８３％）褐色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.1(s,Me3Si,9H) 0.
8〜0.9(m,CH3,3H) 1.0〜1.6(m,CH2,8H) 3.3〜4.1(m,Et,
N-CH2,6H) 6.0〜7.7(m,Ind,12H)
【０１９８】参考例１５ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ト
リメチルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）クロライドの塩
素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝４５：５５のエチレンビス（１−インデニル）ジ
ルコニウムジクロライドが生成した。実施例３７にて合
成した化合物の立体構造がラセミ型：メソ型＝４５：５
５であったことが示された。
【０１９９】実施例３８ ジメチルシリレンビス（２−メチル４，５−ベンゾイン
デニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−ヘ
キシルアミド）クロライドの合成 実施例２３と同様な操作で、実施例１１にて合成した化
合物とジメチルシリレンビス（２−メチル４，５−ベン
ゾインデン）のジリチウム塩の反応を行い、標記化合物
を０．７１６ｇ（収率９９％）黄色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.07(s,SiMe3,9H)
0.7〜0.9(m,CH3,3H) 1.3〜1.5(m,CH2,SiMe2,14H) 2.2〜
2.7(m,Ind-Me,6H) 3.25〜3.45(m,N-CH2,2H) 7.0〜8.0
(m,Ind,14H)
【０２００】参考例１６ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−
ヘキシルアミド）クロライドの塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝６３：３７のジメチルシリレンビス（２−メチル
−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロライ
ドが生成した。実施例３８にて合成した化合物の立体構
造がラセミ型：メソ型＝６３：３７であったことが示さ
れた。
【０２０１】実施例３９ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ト
リメチルシリル−ｔｅｒｔ−ブチルアミド）クロライド
の合成 実施例２３と同様な操作で、実施例９にて合成した化合
物と１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチウ
ム塩の反応を行い、標記化合物を０．６８２ｇ（収率７
８％）褐色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) -0.14(s,Me3Si,9H)
1.19(s,tert-butyl,9H)3.2〜4.1(m,Et,4H) 6.0〜7.9(m,
Ind,12H)
【０２０２】参考例１７ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ト
リメチルシリル−ｔｅｒｔ−ブチルアミド）クロライド
の塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝３４：６６のエチレンビス（１−インデニル）ジ
ルコニウムジクロライドが生成した。実施例３９にて合
成した化合物の立体構造がラセミ型：メソ型＝３４：６
６であったことが示された。
【０２０３】実施例４０ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−ｔｅ
ｒｔ−ブチルアミド）クロライドの合成 実施例２３と同様な操作で、実施例９にて合成した化合
物と、ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベ
ンゾインデン）のジリチウム塩の反応を行い、標記化合
物を０．５９１ｇ（収率９２％）黄色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.07(s,SiMe3,9H)
1.15(tert-butyl,9H) 1.1〜1.4(m,SiMe 2,6H) 2.2〜2.8
(m,Ind-Me,6H) 6.8〜8.2(m,Ind,14H)
【０２０４】参考例１８ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−ｔｅ
ｒｔ−ブチルアミド）クロライドの塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝５６：４４のジメチルシリレンビス（２−メチル
−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロライ
ドが生成した。実施例４０にて合成した化合物の立体構
造がラセミ型：メソ型＝５６：４４であったことが示さ
れた。
【０２０５】実施例４１ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ト
リメチルシリル−シクロペンチルアミド）クロライドの
合成 実施例２３と同様な操作で、実施例１０にて合成した化
合物と１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチ
ウム塩の反応を行い、標記化合物を０．７７０ｇ（収率
８６％）オレンジ色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.04(s,SiMe3,9H)
0.8〜1.2(m,C5ring,8H)3.3〜4.2(m,Et,N-CH,5H) 6.0〜
8.0(m,Ind,12H)
【０２０６】参考例１９ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ト
リメチルシリル−シクロペンチルアミド）クロライドの
塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝４１：５９のエチレンビス（１−インデニル）ジ
ルコニウムジクロライドが生成した。実施例４１にて合
成した化合物の立体構造がラセミ型：メソ型＝４１：５
９であったことが示された。
【０２０７】実施例４２ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−シク
ロペンチルアミド）クロライドの合成 実施例２３と同様な操作で、実施例１０にて合成した化
合物とジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベ
ンゾインデン）のジリチウム塩の反応を行い、標記化合
物を０．６９９ｇ（収率９２％）黄色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.05(s,Me3Si,9H)
0.8〜2.6(m,C 5ring-CH2,Ind-Me,SiMe2,20H) 3.2(m,N-C
H,1H) 6.8〜8.2(m,Ind,14H)
【０２０８】参考例２０ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−シク
ロペンチルアミド）クロライドの塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝５６：４４のジメチルシリレンビス（２−メチル
−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロライ
ドが生成した。実施例４２にて合成した化合物の立体構
造がラセミ型：メソ型＝５６：４４であったことが示さ
れた。
【０２０９】実施例４３ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ト
リメチルシリル−シクロヘキシルアミド）クロライドの
合成 実施例２３と同様の操作で、実施例１２にて合成した化
合物と１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチ
ウム塩の反応を行い、標記化合物を０．６２６ｇ（収率
７６％）赤色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) -0.14(s,SiMe3,9H)
0.8〜2.3(m,C6ring,10H) 3.0〜4.2(m,Et,N-CH,5H) 5.8
〜8.0(m,Ind,12H)
【０２１０】参考例２１ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ト
リメチルシリル−シクロヘキシルアミド）クロライドの
塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝６２：３８のエチレンビス（１−インデニル）ジ
ルコニウムジクロライドが生成した。実施例４３にて合
成した化合物の立体構造がラセミ型：メソ型＝６２：３
８であったことが示された。
【０２１１】実施例４４ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−シク
ロヘキシルアミド）クロライドの合成 実施例２３と同様な操作で、実施例１２にて合成した化
合物とジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベ
ンゾインデン）のジリチウム塩の反応を行い、標記化合
物を０．６２２ｇ（収率９０％）黄緑色粉末として得
た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.07(s,Me3Si,9H)
0.7〜1.7(m,C6ring-CH2,SiMe2,16H) 2.0〜2.7(m,Ind-M
e,6H) 3.4〜3.5(m,N-CH,1H) 6.8〜8.2(m,Ind,14H)
【０２１２】参考例２２ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−シク
ロヘキシルアミド）クロライドの塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝５６：４４のジメチルシリレンビス（２−メチル
−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロライ
ドが生成した。実施例４４にて合成した化合物の立体構
造がラセミ型：メソ型＝５６：４４であったことが示さ
れた。
【０２１３】実施例４５ イソプロピリデンビス（４，５−ベンゾインデニル）ジ
ルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−シクロヘキシルア
ミド）クロライドの合成 実施例２３と同様な操作で、実施例１２にて合成した化
合物とイソプロピリデンビス（４，５−ベンゾインデ
ン）のジリチウム塩の反応を行い、塩を含んだ標記化合
物を２．０４ｇ（粗収率１１４％）茶色粉末として得
た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) -0.60(s,Me3Si,9H)
1.4〜2.5(m,C6ring-CH2,10H) 2.36,2.46(s,C-Me,6H) 3.
4〜3.5(m,N-CH,1H) 6.18,6.50,6.74,7.14(d,C5ring,4H)
6.6〜8.2(m,C6ring,12H)
【０２１４】参考例２３ イソプロピリデンビス（４，５−ベンゾインデニル）ジ
ルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−シクロヘキシルア
ミド）クロライドの塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝５０：５０のイソプロピリデンビス（４，５−ベ
ンゾインデニル）ジルコニウムジクロライドが生成し
た。実施例４５にて合成した化合物の立体構造がラセミ
型：メソ型＝５０：５０であったことが示された。 ラセミ型 1H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 2.42(s,C
-Me,6H) 6.26(d,J=3.7Hz,C5-ring,2H) 6.6〜8.1(m,C5ri
ng,C6ring,14H) メソ型 1H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 2.36,2.47
(s,C-Me,6H) 6.18(d,J=3.7Hz,C5-ring,2H) 6.6〜8.1(m,
C5ring,C6ring,14H) 溶媒を減圧下で濃縮し、テトラヒドロフラン２０ｍｌに
て１回洗浄、塩化メチレン２０ｍｌにて３回洗浄し、少
量の塩を含んだ（ラセミ）−イソプロピリデンビス
（４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロライ
ドを０．７４４ｇ得た。粗収率５２％（イソプロピリデ
ンビス（４，５−ベンゾインデン）基準）1 H-NMR(400MHz,CDCl 3/TMS)δ(ppm) 2.42(s,C-Me,6H) 6.
26(d,J=3.7Hz,C5-ring,2H) 6.6〜8.1(m,C5ring,C6ring,
14H)
【０２１５】実施例４６ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ト
リメチルシリル−２−メチルシクロヘキシルアミド）ク
ロライド（ｃｉｓ、ｔｒａｎｓ混合物）の合成 実施例２３と同様な操作で、実施例１３にて合成した化
合物と１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチ
ウム塩の反応を行い、標記化合物を１．１１ｇ（収率８
６％）褐色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.01(s,Me3Si,9H)
0.7〜2.1(m,C6ring-CH2,C6ring-Me,12H) 2.8〜3.9(m,E
t,N-CH,5H) 5.8〜7.9(m,Ind,12H)
【０２１６】参考例２４ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ト
リメチルシリル−２−メチルシクロヘキシルアミド）ク
ロライド（ｃｉｓ、ｔｒａｎｓ混合物）の塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝２０：８０のエチレンビス（１−インデニル）ジ
ルコニウムジクロライドが生成した。実施例４６にて合
成した化合物の立体構造がラセミ型：メソ型＝２０：８
０であったことが示された。
【０２１７】実施例４７ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−２−
メチルシクロヘキシルアミド）クロライド（ｃｉｓ、ｔ
ｒａｎｓ混合物）の合成 実施例２３と同様の操作で、実施例１３にて合成した化
合物とジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベ
ンゾインデン）のジリチウム塩の反応を行い、標記化合
物を０．８２６ｇ（収率９９％）黄緑色粉末として得
た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.02(s,Me3Si,9H)
0.7〜2.6(m,C6ring-CH2,C6ring-Me,Ind-Me,SiMe2,24H)
3.5〜4.1(m,N-CH,1H) 6.8〜8.2(m,Ind,14H)
【０２１８】参考例２５ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−２−
メチルシクロヘキシルアミド）クロライド（ｃｉｓ、ｔ
ｒａｎｓ混合物）の塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝５９：４１のジメチルシリレンビス（２−メチル
−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロライ
ドが生成した。実施例４７にて合成した化合物の立体構
造がラセミ型：メソ型＝５９：４１であったことが示さ
れた。
【０２１９】実施例４８ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ト
リメチルシリル−ｎ−オクチルアミド）クロライドの合
成 実施例２３と同様な操作で、実施例１４にて合成した化
合物と１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチ
ウム塩の反応を行い、標記化合物を０．５３８ｇ（収率
６２％）赤色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.03(s,Me3Si,9H)
0.87(m,CH3,3H) 0.9〜1.9(m,CH2,12H) 3.4〜4.2(m,Et,N
-CH2,6H) 5.8〜8.0(m,Ind,12H)
【０２２０】参考例２６ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ト
リメチルシリル−ｎ−オクチルアミド）クロライドの塩
素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝５８：４１のエチレンビス（１−インデニル）ジ
ルコニウムジクロライドが生成した。実施例４８にて合
成した化合物の立体構造がラセミ型：メソ型＝５８：４
１であったことが示された。
【０２２１】実施例４９ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−
オクチルアミド）クロライドの合成 実施例２３と同様な操作で、実施例１４にて合成した化
合物とジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベ
ンゾインデン）のジリチウム塩の反応を行い、標記化合
物を０．４７３ｇ（収率８２％）黄色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.00(s,Me3Si,9H)
0.85(m,CH3,3H) 1.1〜1.5(m,CH2,SiMe2,18H) 1.9〜2.7
(m,Ind-Me,6H) 3.3〜3.5(m,N-CH2,2H) 6.8〜8.2(m,Ind,
14H)
【０２２２】参考例２７ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル−ｎ−
オクチルアミド）クロライドの塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝６４：３６のジメチルシリレンビス（２−メチル
４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロライド
が生成した。実施例４９にて合成した化合物の立体構造
がラセミ型：メソ型＝６４：３６であったことが示され
た。溶媒を減圧下で濃縮し、再結晶を行い、（ラセミ）
−ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾ
インデニル）ジルコニウムジクロライドを０．０９８４
ｇ得た。収率２２％（ジメチルシリレンビス（２−メチ
ル−４，５−ベンゾインデン）基準）
【０２２３】実施例５０ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ジ
メチルフェニルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）クロライ
ドの合成 実施例２３と同様の操作で、実施例１６にて合成した化
合物と１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチ
ウム塩の反応を行い、標記化合物を１．００ｇ（収率８
４％）褐色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.60(s,Me2Si,6H)
0.80(m,CH3,3H) 0.95〜1.40(m,CH2,8H) 3.2〜4.2(m,Et,
N-CH2,6H) 5.8〜7.8(m,Ind,Si-Ph,17H) 参考例２８ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ジ
メチルフェニルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）クロライ
ドの塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝４１：５９のエチレンビス（１−インデニル）ジ
ルコニウムジクロライドが生成した。実施例５０にて合
成した化合物の立体構造がラセミ型：メソ型＝４１：５
９であったことが示された。
【０２２４】実施例５１ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−ジメチルフェニルシリル
−ｎ−ヘキシルアミド）クロライドの合成 実施例２３と同様な操作で、実施例１６にて合成した化
合物とジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベ
ンゾインデン）のジリチウム塩の反応を行い、標記化合
物を０．６５９ｇ（収率９２％）黄土色粉末として得
た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.30(s,Me2Si,6H)
0.88(m,CH3,3H) 1.5〜1.6(m,CH2,SiMe2,14H) 2.2〜2.4
(m,Ind-Me,6H) 3.2〜3.5(m,N-CH2,2H) 7.0〜8.2(m,Ind,
Ph,19H)
【０２２５】参考例２９ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−ジメチルフェニルシリル
−ｎ−ヘキシルアミド）クロライドの塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝５６：４４のジメチルシリレンビス（２−メチル
−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロライ
ドが生成した。実施例５１にて合成した化合物の立体構
造がラセミ型：メソ型＝５６：４４であったことが示さ
れた。
【０２２６】実施例５２ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ジ
メチルフェニルシリル−シクロヘキシルアミド）クロラ
イドの合成 実施例２３と同様の操作で、実施例１７にて合成した化
合物と１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチ
ウム塩の反応を行い、標記化合物を０．５０５ｇ（収率
４１％）濃オレンジ色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.28(s,Me2Si,6H)
0.80〜1.90(m,C6-ring,CH2,10H) 3.3〜3.7(m,Et,N-CH,5
H) 5.8〜7.8(m,Ind,Si-Ph,17H)
【０２２７】参考例３０ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ−ジ
メチルフェニルシリル−シクロヘキシルアミド）クロラ
イドの塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝４８：５２のエチレンビス（１−インデニル）ジ
ルコニウムジクロライドが生成した。実施例５２にて合
成した化合物の立体構造がラセミ型：メソ型＝４８：５
２であったことが示された。
【０２２８】実施例５３ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−ジメチルフェニルシリル
−シクロヘキシルアミド）クロライドの合成 実施例２３と同様の操作で、実施例１７にて合成した化
合物とジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベ
ンゾインデン）のジリチウム塩の反応を行い、標記化合
物を０．６８９ｇ（収率９５％）黄色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.21(s,Me2Si,6H)
0.5〜1.7(m,C6ring-CH2,SiMe2,16H) 2.2〜2.6(m,Ind-M
e,6H) 3.3〜3.5(m,N-CH,1H) 6.7〜8.1(m,Ind,Ph,19H)
【０２２９】参考例３１ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ−ジメチルフェニルシリル
−シクロヘキシルアミド）クロライドの塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝５８：４２のジメチルシリレンビス（２−メチル
−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロライ
ドが生成した。実施例５３にて合成した化合物の立体構
造がラセミ型：メソ型＝５８：４２であったことが示さ
れた。
【０２３０】実施例５４ ジメチルシリレンビス（２，３，５−トリメチルシクロ
ペンタジエニル）ジルコニウム（Ｎ−ジメチルフェニル
シリル−シクロヘキシルアミド）クロライドの合成 実施例２３と同様な操作で、実施例１７にて合成した化
合物とジメチルシリレンビス（２，３，５−トリメチル
シクロペンタジエン）のジリチウム塩の反応を行い、標
記化合物を１．３５ｇ（収率１０３％）オレンジ色粉末
として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.00(s,Me2Si,6H)
0.5〜1.2(m,C6ring-CH2,10H) 1.2〜2.3(m,SiMe2,Cp-Me,
24H) 3.2〜3.5(m,N-CH,1H) 5.7〜6.2(m,Cp-H,2H) 7.0〜
7.4(m,Ph,5H)
【０２３１】参考例３２ ジメチルシリレンビス（２，３，５−トリメチルシクロ
ペンタジエニル）ジルコニウム（Ｎ−ジメチルフェニル
シリル−シクロヘキシルアミド）クロライドの塩素化反
応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝５２：４８のジメチルシリレンビス（２，３，５
−トリメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジク
ロライドが生成した。実施例５４にて合成した化合物の
立体構造がラセミ型：メソ型＝５２：４８であったこと
が示された。 ラセミ型 1H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.95(s,M
e2Si,6H) 1.98,2.12,2.16(s,Cp-Me,9H) 6.50(s,Cp-H,2
H) メソ型 1H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.93,0.98
(s,SiMe2,6H) 1.88,2.22,2.45(s,Cp-Me,9H) 6.38(s,Cp-
H,2H)
【０２３２】実施例５５ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ，Ｎ
−ビス（トリメチルシリル）アミド）クロライドの合成 実施例２３と同様の操作で、実施例１８にて合成した化
合物と１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチ
ウム塩の反応を行い、標記化合物を０．９５７ｇ（収率
９３％）赤褐色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.06(s,Me3Si,18H)
3.3〜4.0(m,Et,4H) 5.8〜8.0(m,Ind,12H)
【０２３３】参考例３３ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウム（Ｎ，Ｎ
−ビス（トリメチルシリル）アミド）クロライドの塩素
化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝３５：６５のエチレンビス（１−インデニル）ジ
ルコニウムジクロライドが生成した。実施例５５にて合
成した化合物の立体構造がラセミ型：メソ型＝３５：６
５であったことが示された。
【０２３４】実施例５６ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシ
リル）アミド）クロライドの合成 実施例２３と同様の操作で、実施例１８にて合成した化
合物とジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベ
ンゾインデン）のジリチウム塩の反応を行い、標記化合
物を０．６８９ｇ（収率１０１％）緑色粉末として得
た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.06(s,Me3Si,18H)
1.2〜1.5(m,Me2Si,6H)2.1〜2.5(m,Ind-Me,6H) 7.0〜8.2
(m,Ind,14H)
【０２３５】参考例３４ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウム（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシ
リル）アミド）クロライドの塩素化反応 参考例１と同様にハロゲンか反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝５２：４８のジメチルシリレンビス（２−メチル
−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロライ
ドが生成した。実施例５６にて合成した化合物の立体構
造がラセミ型：メソ型＝５２：４８であったことが示さ
れた。
【０２３６】実施例５７ ジメチルシリレンビス（２，３，５−トリメチルシクロ
ペンタジエニル）ジルコニウム（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメ
チルシリル）アミド）クロライドの合成 実施例２３と同様な操作で、実施例１８にて合成した化
合物とジメチルシリレンビス（２，３，５−トリメチル
シクロペンタジエン）のジリチウム塩の反応を行い、標
記化合物を１．１３ｇ（収率８６％）淡黄色粉末として
得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.05(s,Me3Si,18H)
0.8〜1.2(m,Me2Si,6H)1.8〜2.3(m,Cp-Me,18H) 6.0〜6.5
(m,Cp-H,2H)
【０２３７】参考例３５ ジメチルシリレンビス（２，３，５−トリメチルシクロ
ペンタジエニル）ジルコニウム（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメ
チルシリル）アミド）クロライドの塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝４８：５２のジメチルシリレンビス（２，３，５
−トリメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジク
ロライドが生成した。実施例５７にて合成した化合物の
立体構造がラセミ型：メソ型＝４８：５２であったこと
が示された。
【０２３８】実施例５８ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４−フェニルイン
デニル）ジルコニウム（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリ
ル）アミド）クロライドの合成 実施例２３と同様の操作で、実施例１８にて合成した化
合物とジメチルシリレンビス（２−メチル−４−フェニ
ルインデン）のジリチウム塩の反応を行い、標記化合物
を０．７００ｇ（収率１１１％）黄色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.06(s,Me3Si,18H)
1.2〜1.4(m,Me2Si,6H) 2.1〜2.4(m,Ind-Me,6H) 6.7〜8.
0(m,Ind,18H)
【０２３９】参考例３６ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４−フェニルイン
デニル）ジルコニウム（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリ
ル）アミド）クロライドの塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝７５：２５のジメチルシリレンビス（２−メチル
−４−フェニルインデニル）ジルコニウムジクロライド
が生成した。実施例５８にて合成した化合物の立体構造
がラセミ型：メソ型＝７５：２５であったことが示され
た。
【０２４０】実施例５９ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウムビス（Ｎ
−トリメチルシリル−ｎ−ブチルアミド）の合成 実施例２３と同様の操作で、実施例１９にて合成した化
合物と１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチ
ウム塩の反応を行い、標記化合物を０．９６１ｇ（収率
７８％）黄土色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.04(s,Me3Si,18H)
0.7〜0.9(m,CH3,6H) 1.0〜1.4(m,CH2,8H) 3.2〜4.2(m,N
-CH2,Et,8H) 6.0〜7.8(m,Ind,12H)
【０２４１】参考例３７ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウムビス（Ｎ
−トリメチルシリル−ｎ−ブチルアミド）の塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝６７：３３のエチレンビス（１−インデニル）ジ
ルコニウムジクロライドが生成した。実施例５９にて合
成した化合物の立体構造がラセミ型：メソ型＝６７：３
３であったことが示された。
【０２４２】実施例６０ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウムビス（Ｎ−トリメチルシリル−
ｎ−ブチルアミド）の合成 実施例２３と同様の操作で、実施例１９にて合成した化
合物とジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベ
ンゾインデン）のジリチウム塩の反応を行い、標記化合
物を０．５４７ｇ（収率８５％）濃黄色粉末として得
た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.03(s,Me3Si,18H)
0.8〜1.0(m,CH3,6H) 1.2〜1.5(m,CH2,Me2Si,14H) 2.1〜
2.7(m,Ind-Me,6H) 3.2〜3.6(m, N-CH2,4H) 6.9〜8.2(m,
Ind,14H)
【０２４３】参考例３８ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウムビス（Ｎ−トリメチルシリル−
ｎ−ブチルアミド）の塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝６３：３７のジメチルシリレンビス（２−メチル
−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロライ
ドが生成した。実施例６０にて合成した化合物の立体構
造がラセミ型：メソ型＝６３：３７であったことが示さ
れた。
【０２４４】実施例６１ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウムビス（Ｎ
−トリメチルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）の合成 実施例２３と同様な操作で、実施例２０にて合成した化
合物と１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチ
ウム塩の反応を行い、標記化合物を０．５４２ｇ（収率
６８％）黄土色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) -0.14(s,Me3Si,18H)
0.88(m,CH3,6H) 1.2〜1.9(m,CH2,16H) 3.3〜4.1(m,N-C
H2,Et,8H) 6.0〜8.0(m,Ind,12H)
【０２４５】参考例３９ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウムビス（Ｎ
−トリメチルシリル−ｎ−ヘキシルアミド）の塩素化反
応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝６５：３５のエチレンビス（１−インデニル）ジ
ルコニウムジクロライドが生成した。実施例６１にて合
成した化合物の立体構造がラセミ型：メソ型＝６５：３
５であったことが示された。
【０２４６】実施例６２ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウムビス（Ｎ−トリメチルシリル−
ｎ−ヘキシルアミド）の合成 実施例２３と同様の操作で、実施例２０にて合成した化
合物とジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベ
ンゾインデン）のジリチウム塩の反応を行い、標記化合
物を０．６０７ｇ（収率８０％）緑色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.07(s,Me3Si,18H)
0.88(m,CH3,6H) 1.2〜1.7(m,CH2,Me2Si,22H) 2.0〜2.7
(m,Ind-Me,6H) 3.3〜3.7(m,N-CH2,4H) 6.8〜8.2(m,Ind,
14H)
【０２４７】参考例４０ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウムビス（Ｎ−トリメチルシリル−
ｎ−ヘキシルアミド）の塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝５７：４３のジメチルシリレンビス（２−メチル
−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロライ
ドが生成した。実施例６２にて合成した化合物の立体構
造がラセミ型：メソ型＝５７：４３であったことが示さ
れた。
【０２４８】実施例６３ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウムビス（Ｎ
−トリメチルシリル−シクロヘキシルアミド） 実施例２３と同様な操作で、実施例２１にて合成した化
合物と１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチ
ウム塩の反応を行い、標記化合物を０．５８２ｇ（収率
６５％）赤色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.43(s,Me3Si,18H)
0.8〜2.2(m,C6ring,20H) 3.2〜4.2(m,N-CH,Et,6H) 6.0
〜8.0(m,Ind,12H)
【０２４９】参考例４１ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウムビス（Ｎ
−トリメチルシリル−シクロヘキシルアミド）の塩素化
反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝８３：１７のエチレンビス（１−インデニル）ジ
ルコニウムジクロライドが生成した。実施例６３にて合
成した化合物の立体構造がラセミ型：メソ型＝８３：１
７の立体選択性であったことが示された。
【０２５０】実施例６４ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウムビス（Ｎ−トリメチルシリル−
シクロヘキシルアミド）の合成 実施例２３と同様の操作で、実施例２１にて合成した化
合物とジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベ
ンゾインデン）のジリチウム塩の反応を行い、標記化合
物を０．５９２ｇ（収率７０％）黄緑色粉末として得
た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.03(s,Me3Si,18H)
0.7〜1.7(m,C6ring,Me2Si,26H) 2.0〜2.6(m,Ind-Me,6H)
3.2〜3.6(m,N-CH,2H) 6.8〜8.2(m,Ind,14H)
【０２５１】参考例４２ ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウムビス（Ｎ−トリメチルシリル−
シクロヘキシルアミド）の塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝４１：５９のジメチルシリレンビス（２−メチル
−４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロライ
ドが生成した。実施例６４にて合成した化合物の立体構
造がラセミ型：メソ型＝４１：５９であったことが示さ
れた。
【０２５２】実施例６５ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウムビス（Ｎ
−トリメチルシリル−２−メチルシクロヘキシルアミ
ド）（ｃｉｓ、ｔｒａｎｓ混合物）の合成 実施例２３と同様な操作で、実施例２２にて合成した化
合物と１，２−ビス（３−インデニル）エタンのジリチ
ウム塩の反応を行い、標記化合物を１．２５ｇ（収率９
０％）褐色粉末として得た。1 H-NMR(400MHz,CDCl3/TMS)δ(ppm) 0.01(s,Me3Si,18H)
0.0〜2.0(m,C6ring,C6-Me,24H) 3.3〜3.7(m,N-CH,Et,6
H) 6.7〜7.7(m,Ind,12H)
【０２５３】参考例４３ エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウムビス（Ｎ
−トリメチルシリル−２−メチルシクロヘキシルアミ
ド）（ｃｉｓ、ｔｒａｎｓ混合物）の塩素化反応 参考例１と同様にハロゲン化反応を行い、ラセミ型：メ
ソ型＝２１：７９のエチレンビス（１−インデニル）ジ
ルコニウムジクロライドが生成した。実施例６５にて合
成した化合物の立体構造がラセミ型：メソ型＝２１：７
９であったことが示された。
【０２５４】実施例６６ ビス（Ｎ−トリメチルシリル−２−メチルシクロヘキシ
ルアミド）ジルコニウムジクロライド・ビステトラヒド
ロフラン（ｃｉｓ、ｔｒａｎｓ混合物）と、ジメチルシ
リレンビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデン）の
ジリチウム塩の反応 （一般式（Ｉ）で表される化合物と脱プロトン化された
配位子の組合せにおいて、立体障害により反応が阻害さ
れた例） 実施例２３と同様な操作で、標記化合物の反応を行なっ
たが、ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベ
ンゾインデニル）ジルコニウム（Ｎ−トリメチルシリル
−２−メチルシクロヘキシルアミド）クロライド（ｃｉ
ｓ、ｔｒａｎｓ混合物）は生成しなかった。
【０２５５】比較例１ ＺｒＣｌ4を用いたイソプロピリデンビス（１−インデ
ン）の錯形成反応 （ 錯形成が不良の例 実施例２７、参考例５との比
較） １００ｍｌのシュレンクチュ−ブへ、イソプロピリデン
ビス（１−インデン）のジリチウム塩（５．３８ｍｏ
ｌ）と、ＺｒＣｌ4（５．３８ｍｏｌ）を仕込み、−７
８℃に冷却した。−７８℃に冷却した５３ｍｌの塩化メ
チレンを加え室温にて撹拌した。反応液の 1Ｈ−ＮＭ
Ｒによる分析では、原料である配位子に由来するシグナ
ルのみが観測され、生成物中に目的物は確認できなかっ
た。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下記一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｍ1は４族遷移金属原子を表し、Ａは１５族ヘ
    テロ原子を表し、Ｂはケイ素原子、ゲルマニウム原子、
    スズ原子又は鉛原子を表わし、Ｒ1はヘテロ原子を含ん
    でもよい炭素原子数１〜２０の炭化水素基または水素原
    子を表し、Ｒ2は炭素原子数１〜２０の炭化水素基また
    は水素原子を表わし、Ｘは各々独立して互いに同じでも
    異なってもよいハロゲン原子を表わし、Ｒ1及びＲ2は、
    Ｒ1またはＲ2と各々結合してＡ、Ｂ、及び／またはＭ1
    を含む環を構成してもよく、またｐ及びｑは夫々独立し
    て０、１又は２を表わし、ｐ＋ｑは２であり、ｒは１又
    は２を、ｓは２又は３を表わし、ただしｒが１のとき、
    ｓは３であるものとし、ｒが２のとき、ｓは２、ｐは１
    又は２、ｑは０又は１であるものとし、さらにＡが窒素
    原子、Ｂがケイ素原子、ｒが２、ｐが１、ｑが１のと
    き、 ｉ）Ｘが塩素原子又はヨウ素原子で、Ｒ2が夫々結合し
    た化合物 ｉｉ）Ｒ2がｔｅｒｔ−ブチル、Ｘが塩素原子で、Ｍ1が
    チタン原子である化合物、及び ｉｉｉ）Ｒ2がジ（イソプロピル）フェニル基で、Ｘが
    塩素原子又はフッ素原子である化合物 を除き、またＡが窒素原子、Ｂがケイ素原子、Ｘが塩素
    原子、ｒが２、ｐが２、ｑが０のとき、 ｉｖ）Ｒ1がメチル基である化合物 を除き、またＡが窒素原子、Ｂがケイ素原子、Ｘが塩素
    原子、Ｍ1がチタン原子、ｒが１、ｐが２、ｑが０のと
    き、 ｖ）Ｒ1がメチルである化合物 を除くものとする。）で表わされる有機遷移金属化合
    物。
  2. 【請求項２】 一般式（Ｉ）において、Ｒ1は炭素原子
    数１〜１０の炭化水素基であり、Ｒ2は炭素原子数１〜
    １０の炭化水素基であり、Ａは窒素原子であり、Ｘは塩
    素原子である、請求項１に記載の化合物。
  3. 【請求項３】 一般式（Ｉ）において、Ｍ1にエ−テル
    類またはアミン類が１〜５０の配位数で配位した、請求
    項１または２に記載の化合物。
  4. 【請求項４】 下記一般式（ＩＩ） 【化２】 （式中、Ｍ1は４族遷移金属原子を表し、Ａは１５族ヘ
    テロ原子を表し、Ｂはケイ素原子、ゲルマニウム原子、
    スズ原子又は鉛原子を表し、Ｒ1はヘテロ原子を含んで
    もよい炭素原子数１〜２０の炭化水素基または水素原子
    を表し、Ｒ2は炭素原子数１〜２０の炭化水素基または
    水素原子を表し、Ｒ1及びＲ2は、Ｒ1またはＲ2と各々結
    合してＡ、Ｂ、及び／またはＭ1を含む環を構成しても
    よく、Ｘはハロゲン原子を表し、Ｌ1及びＬ2は互いに同
    じでも異なってもよいシクロペンタジエニル基、置換シ
    クロペンタジエニル基、インデニル基、置換インデニル
    基、アズレニル基、置換アズレニル基、フルオレニル
    基、または置換フルオレニル基を表し、ＣはＬ1及びＬ2
    を連結する炭素原子数１〜２０の炭化水素基、炭素原子
    数１〜２０の炭化水素基を有してもよいシリレン基、オ
    リゴシリレン基、またはゲルミレン基を表し、またｐ及
    びｑは夫々独立して０、１又は２を表わし、ｐ＋ｑは２
    であり、ｒは１又は２を、ｔは０又は１を表わし、ただ
    しｒが１のとき、ｔは１であるものとし、ｒが２のと
    き、ｔは０、ｐは１又は２、ｑは０又は１であるものと
    する。）で表されるメタロセン化合物。
  5. 【請求項５】 一般式（ＩＩ）において、Ｒ1は炭素原
    子数１〜１０の炭化水素基であり、Ｒ2は炭素原子数１
    〜１０の炭化水素基であり、Ａは窒素原子であり、Ｘは
    塩素原子である、請求項４に記載の化合物。
  6. 【請求項６】 一般式（ＩＩ）において、Ｍ1にエ−テ
    ル類またはアミン類が１〜５０の配位数で配位した、請
    求項４または５に記載の化合物。
  7. 【請求項７】 一般式（ＩＩ）において、ラセミ型の立
    体構造を有する、請求項４〜６のいずれかに記載の化合
    物。
  8. 【請求項８】 一般式（ＩＩ）において、メソ型の立体
    構造を有する、請求項４〜６のいずれかに記載の化合
    物。
  9. 【請求項９】 請求項１に記載された一般式（Ｉ）で表
    わされる有機遷移金属化合物の製造方法であって、一般
    式（ＩＩＩ） 【化３】 で表わせる化合物を脱プロトン化して、一般式（ＩＶ） 【化４】 で表わされる化合物とし、次いで該化合物を一般式
    （Ｖ） Ｍ1（Ｘ）4 （Ｖ） で表わされる化合物と反応させて、一般式（Ｉ） 【化５】 で表わされる有機遷移金属化合物とする、前記製造方
    法。 （各一般式中、Ｍ1、Ａ、Ｂ、Ｒ1、Ｒ2、Ｘ、ｐ、ｑ、
    ｒ、ｓは、夫々、請求項１で定義したものと同義であ
    る。）
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7033560B2 (en) * 2002-08-30 2006-04-25 Air Products And Chemicals, Inc. Single source mixtures of metal siloxides
KR100782278B1 (ko) 2005-01-26 2007-12-04 주식회사 엘지화학 새로운 할로겐 페놀계 또는 할로겐벤질 알코올계 반쪽메탈로센 촉매 및 이를 이용한 신디오탁틱 폴리스티렌의제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7033560B2 (en) * 2002-08-30 2006-04-25 Air Products And Chemicals, Inc. Single source mixtures of metal siloxides
KR100782278B1 (ko) 2005-01-26 2007-12-04 주식회사 엘지화학 새로운 할로겐 페놀계 또는 할로겐벤질 알코올계 반쪽메탈로센 촉매 및 이를 이용한 신디오탁틱 폴리스티렌의제조방법

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