JPH11284345A - 多層回路基板 - Google Patents
多層回路基板Info
- Publication number
- JPH11284345A JPH11284345A JP10086376A JP8637698A JPH11284345A JP H11284345 A JPH11284345 A JP H11284345A JP 10086376 A JP10086376 A JP 10086376A JP 8637698 A JP8637698 A JP 8637698A JP H11284345 A JPH11284345 A JP H11284345A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- insulating
- insulating base
- surface conductor
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】表層導体の接着強度を向上できるとともに、表
層導体間の絶縁性を充分に確保できる多層回路基板を提
供する。 【解決手段】絶縁層１ａ〜１ｇを複数積層してなる絶縁
基体１０と、この絶縁基体１０の表面１０ａに露出する
表層導体４とを有する多層回路基板であって、表層導体
４が絶縁基体１０内に埋設されており、表層導体４の絶
縁基体１０の表面１０ａからの突出量ａが、表層導体４
の全膜厚ｔの２０％以下のものである。ここで、絶縁基
体１０の表面１０ａに露出する表層導体４の露出面４ａ
と、絶縁基体１０の表面１０ａが同一面であることが望
ましい。
層導体間の絶縁性を充分に確保できる多層回路基板を提
供する。 【解決手段】絶縁層１ａ〜１ｇを複数積層してなる絶縁
基体１０と、この絶縁基体１０の表面１０ａに露出する
表層導体４とを有する多層回路基板であって、表層導体
４が絶縁基体１０内に埋設されており、表層導体４の絶
縁基体１０の表面１０ａからの突出量ａが、表層導体４
の全膜厚ｔの２０％以下のものである。ここで、絶縁基
体１０の表面１０ａに露出する表層導体４の露出面４ａ
と、絶縁基体１０の表面１０ａが同一面であることが望
ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多層回路基板に関
し、例えば電圧制御発信器（ＶＣＯ）、ミキサ部、フィ
ルタ素子、発振子、コイル、コンデンサ等を内蔵する多
層回路基板に関するものである。
し、例えば電圧制御発信器（ＶＣＯ）、ミキサ部、フィ
ルタ素子、発振子、コイル、コンデンサ等を内蔵する多
層回路基板に関するものである。
【０００２】
【従来技術】セラミック回路基板には、大別するとアル
ミナ等で形成されたセラミック基板の上に、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ａｕ、Ｗ、Ｍｏ等の導体ペーストを印刷、焼成して
回路パターンを形成し、その上にアルミナ、ガラス等の
絶縁膜を被覆した厚膜回路基板と、内部配線になる導体
膜とテープ化されたアルミナ等のセラミックを交互に積
層し、表層導体を印刷し、その表層導体の一部分を絶縁
膜で被覆した多層回路基板とがある。
ミナ等で形成されたセラミック基板の上に、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ａｕ、Ｗ、Ｍｏ等の導体ペーストを印刷、焼成して
回路パターンを形成し、その上にアルミナ、ガラス等の
絶縁膜を被覆した厚膜回路基板と、内部配線になる導体
膜とテープ化されたアルミナ等のセラミックを交互に積
層し、表層導体を印刷し、その表層導体の一部分を絶縁
膜で被覆した多層回路基板とがある。
【０００３】近年においては、低コスト化、高信頼性
化、高機能化の観点から、基板材料に低温で焼成可能な
ガラスセラミック材料を用い、表層、内層導体用の導体
材料に大気中で焼成可能で、低い導体抵抗値を有するＡ
ｇ等の導体を用い、一体的に焼成してなる低温焼成多層
回路基板が主流となっている。
化、高機能化の観点から、基板材料に低温で焼成可能な
ガラスセラミック材料を用い、表層、内層導体用の導体
材料に大気中で焼成可能で、低い導体抵抗値を有するＡ
ｇ等の導体を用い、一体的に焼成してなる低温焼成多層
回路基板が主流となっている。
【０００４】この低温焼成多層基板においては、例え
ば、ガラスセラミック材料からなるグリーンシートに、
内層導体材料からなるペーストを塗布し、このようなペ
ートスを塗布したグリーンシートを複数積層し、さらに
表層導体材料からなるペーストを所定パターンに印刷し
たグリーンシートを積層した積層成形体を作製し、これ
をプレス装置により加圧処理し、焼成していた。
ば、ガラスセラミック材料からなるグリーンシートに、
内層導体材料からなるペーストを塗布し、このようなペ
ートスを塗布したグリーンシートを複数積層し、さらに
表層導体材料からなるペーストを所定パターンに印刷し
たグリーンシートを積層した積層成形体を作製し、これ
をプレス装置により加圧処理し、焼成していた。
【０００５】また、表層導体間の絶縁信頼性を確保する
ために、従来、他のチップ部品等との接続部分等を除い
て表層導体の一部を覆うように絶縁膜を形成することが
行なわれている。絶縁膜はガラス粉末等の絶縁粉末をペ
ースト化し、このペーストをスクリーン印刷によって凹
凸のある基板と表層導体間や表層導体間に塗布し、熱処
理して形成していた。
ために、従来、他のチップ部品等との接続部分等を除い
て表層導体の一部を覆うように絶縁膜を形成することが
行なわれている。絶縁膜はガラス粉末等の絶縁粉末をペ
ースト化し、このペーストをスクリーン印刷によって凹
凸のある基板と表層導体間や表層導体間に塗布し、熱処
理して形成していた。
【０００６】表層導体には、ＩＣチップやコンデンサ等
のチップ部品を半田で基板に接合するダイボンディング
工程、ＩＣチップと表層導体とワイヤで接続するワイヤ
ボンディング工程等に受ける熱的、機械的ダメージに耐
えうる接着強度が必要となる。
のチップ部品を半田で基板に接合するダイボンディング
工程、ＩＣチップと表層導体とワイヤで接続するワイヤ
ボンディング工程等に受ける熱的、機械的ダメージに耐
えうる接着強度が必要となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
表層導体は、ペートスを塗布したグリーンシートを複数
積層し、さらに表層導体材料からなるペーストを所定パ
ターンに印刷したグリーンシートを積層した積層成形体
を作製し、これをプレス装置により加圧処理し、焼成し
て作製されていたため、図５に示すように、絶縁基体４
１の表面に表層導体４３の一部がめり込んだ状態で付着
しており、上記ダイボンディング工程やワイヤボンディ
ング工程等に受ける熱的、機械的ダメージに弱く、接着
強度が低いという問題があった。
表層導体は、ペートスを塗布したグリーンシートを複数
積層し、さらに表層導体材料からなるペーストを所定パ
ターンに印刷したグリーンシートを積層した積層成形体
を作製し、これをプレス装置により加圧処理し、焼成し
て作製されていたため、図５に示すように、絶縁基体４
１の表面に表層導体４３の一部がめり込んだ状態で付着
しており、上記ダイボンディング工程やワイヤボンディ
ング工程等に受ける熱的、機械的ダメージに弱く、接着
強度が低いという問題があった。
【０００８】このような接着強度を向上させるため、こ
れまで表層導体にＶ2 Ｏ3 等の添加物を含有させ、表層
導体と絶縁基体との接着強度を化学的に向上させる手法
が多く検討されているが、未だ充分な接着強度が得られ
ないという問題があった。
れまで表層導体にＶ2 Ｏ3 等の添加物を含有させ、表層
導体と絶縁基体との接着強度を化学的に向上させる手法
が多く検討されているが、未だ充分な接着強度が得られ
ないという問題があった。
【０００９】また、近年においては、部品の小型化、高
機能化の市場の要求に対し、多層回路基板の表層導体の
線幅、表層導体間のファインライン化が急速に進んい
る。ファインライン化の達成には、絶縁膜による表層導
体間の絶縁信頼性が必要になるが、従来の表層導体で
は、絶縁基体表面から表層導体が大きく突出することに
なり、絶縁基体と表層導体との凹凸が大きくなったり、
また、ファインライン化のため、表層導体の間隔を小さ
くすると表層導体間の凹凸が原因となり、絶縁ペースト
を印刷する際に凹凸間でペーストカスレやピンホール等
の欠陥が発生し、表層導体間の絶縁性を充分に確保する
ことが困難であった。
機能化の市場の要求に対し、多層回路基板の表層導体の
線幅、表層導体間のファインライン化が急速に進んい
る。ファインライン化の達成には、絶縁膜による表層導
体間の絶縁信頼性が必要になるが、従来の表層導体で
は、絶縁基体表面から表層導体が大きく突出することに
なり、絶縁基体と表層導体との凹凸が大きくなったり、
また、ファインライン化のため、表層導体の間隔を小さ
くすると表層導体間の凹凸が原因となり、絶縁ペースト
を印刷する際に凹凸間でペーストカスレやピンホール等
の欠陥が発生し、表層導体間の絶縁性を充分に確保する
ことが困難であった。
【００１０】本発明は、表層導体の接着強度を大きく向
上できるとともに、表層導体間の絶縁性を充分に確保で
きる多層回路基板を提供することを目的とする。
上できるとともに、表層導体間の絶縁性を充分に確保で
きる多層回路基板を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の多層回路基板
は、絶縁層を複数積層してなる絶縁基体と、この絶縁基
体の表面に露出する表層導体とを具備する多層回路基板
であって、前記表層導体が前記絶縁基体内に埋設されて
おり、前記表層導体の前記絶縁基体表面からの突出量
が、前記表層導体の全膜厚の２０％以下のものである。
は、絶縁層を複数積層してなる絶縁基体と、この絶縁基
体の表面に露出する表層導体とを具備する多層回路基板
であって、前記表層導体が前記絶縁基体内に埋設されて
おり、前記表層導体の前記絶縁基体表面からの突出量
が、前記表層導体の全膜厚の２０％以下のものである。
【００１２】ここで、絶縁基体表面に露出する表層導体
の露出面と、前記絶縁基体表面が同一面であることが望
ましい。また、絶縁基体内に埋設された表層導体の最大
幅が、前記絶縁基体表面と同一平面における前記表層導
体の幅よりも大きいことが望ましい。さらに、一部の表
層導体が絶縁膜で被覆されていることが望ましい。
の露出面と、前記絶縁基体表面が同一面であることが望
ましい。また、絶縁基体内に埋設された表層導体の最大
幅が、前記絶縁基体表面と同一平面における前記表層導
体の幅よりも大きいことが望ましい。さらに、一部の表
層導体が絶縁膜で被覆されていることが望ましい。
【００１３】
【作用】本発明によれば、表層導体の絶縁基体表面から
の突出量が、表層導体の全膜厚の２０％以下となるよう
に、表層導体が絶縁基体内に埋設されているため、絶縁
基体への接着強度を大きく向上できる。しかも、表層導
体の全膜厚の２０％以下が絶縁基体内に埋設されている
ため、表層導体間の間隔を狭めたとしても表層導体間に
おける凹凸がそれ程発生せず、表層導体間の絶縁性を向
上するための絶縁膜を被覆するとしても、絶縁ペースト
を印刷する際にペーストカスレやピンホール等の欠陥が
発生せず、表層導体間の絶縁性を充分に確保することが
できる。
の突出量が、表層導体の全膜厚の２０％以下となるよう
に、表層導体が絶縁基体内に埋設されているため、絶縁
基体への接着強度を大きく向上できる。しかも、表層導
体の全膜厚の２０％以下が絶縁基体内に埋設されている
ため、表層導体間の間隔を狭めたとしても表層導体間に
おける凹凸がそれ程発生せず、表層導体間の絶縁性を向
上するための絶縁膜を被覆するとしても、絶縁ペースト
を印刷する際にペーストカスレやピンホール等の欠陥が
発生せず、表層導体間の絶縁性を充分に確保することが
できる。
【００１４】また、絶縁基体表面に露出する表層導体の
露出面と、絶縁基体表面を同一面とすることにより、表
層導体の絶縁基体への接着強度をさらに向上できるとと
もに、表層導体間の凹凸を無くして絶縁性をさらに向上
でき、ファインライン化を促進できる。
露出面と、絶縁基体表面を同一面とすることにより、表
層導体の絶縁基体への接着強度をさらに向上できるとと
もに、表層導体間の凹凸を無くして絶縁性をさらに向上
でき、ファインライン化を促進できる。
【００１５】さらに絶縁基体に埋設された表層導体の最
大幅を、絶縁基体表面と同一平面における表層導体の幅
よりも大きくしたので、絶縁基体内に埋設された部分に
よりアンカー効果が発生し、表層導体の絶縁基体への接
着強度がさらに向上する。
大幅を、絶縁基体表面と同一平面における表層導体の幅
よりも大きくしたので、絶縁基体内に埋設された部分に
よりアンカー効果が発生し、表層導体の絶縁基体への接
着強度がさらに向上する。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１および図２は、本発明に係る
多層回路基板を示すもので、絶縁基体１０は、絶縁層１
ａ〜１ｇ、内部配線２、ビアホール導体３とからなり、
絶縁基体１０の表面には表層導体４が露出し、厚膜抵抗
体膜５、各種電子部品６が実装されている。
多層回路基板を示すもので、絶縁基体１０は、絶縁層１
ａ〜１ｇ、内部配線２、ビアホール導体３とからなり、
絶縁基体１０の表面には表層導体４が露出し、厚膜抵抗
体膜５、各種電子部品６が実装されている。
【００１７】絶縁層１ａ〜１ｇは、ガラス−セラミック
材料からなり、その厚みは、例えば４０〜１５０μｍと
されている。このような複数の絶縁層１ａ〜１ｇ間に
は、内部配線２が配置されている。内部配線２は、金
系、銀系、銅系の金属材料、例えば銀系導体からなって
いる。また、異なる絶縁層１ａ〜１ｇ間の内部配線２
は、絶縁層１ａ〜１ｇの厚みを貫くビアホール導体３に
よって接続されている。このビアホール導体３も内部配
線２と同様に金系、銀系、銅系の金属材料、例えば銀系
導体からなっている。
材料からなり、その厚みは、例えば４０〜１５０μｍと
されている。このような複数の絶縁層１ａ〜１ｇ間に
は、内部配線２が配置されている。内部配線２は、金
系、銀系、銅系の金属材料、例えば銀系導体からなって
いる。また、異なる絶縁層１ａ〜１ｇ間の内部配線２
は、絶縁層１ａ〜１ｇの厚みを貫くビアホール導体３に
よって接続されている。このビアホール導体３も内部配
線２と同様に金系、銀系、銅系の金属材料、例えば銀系
導体からなっている。
【００１８】絶縁基体１０の表面には、絶縁層１ｂのビ
アホール導体３と接続する表層導体４が形成されてお
り、この表層導体４上には、必要に応じて、厚膜抵抗体
膜５や図示していないが絶縁膜が形成されたり、メッキ
処理されたり、またＩＣを含む各種電子部品６が半田や
ボンディング細線によって接合されている。
アホール導体３と接続する表層導体４が形成されてお
り、この表層導体４上には、必要に応じて、厚膜抵抗体
膜５や図示していないが絶縁膜が形成されたり、メッキ
処理されたり、またＩＣを含む各種電子部品６が半田や
ボンディング細線によって接合されている。
【００１９】そして、本発明の多層回路基板では、表層
導体４が絶縁層１ａ内に埋設されており、その上面が絶
縁基体１０の表面に露出している。
導体４が絶縁層１ａ内に埋設されており、その上面が絶
縁基体１０の表面に露出している。
【００２０】この表層導体４は、図２に示すように、絶
縁基体１０の表面１０ａからの突出量ａが、表層導体４
の全膜厚ｔの２０％以下とされている。絶縁基体１０の
表面１０ａからの突出量ａが、表層導体４の全膜厚ｔの
２０％よりも厚いと、絶縁基体１０への接着強度が低下
するからである。このような表層導体４は、図３に示す
ように、絶縁基体１０に露出する表層導体４の露出面４
ａと、絶縁基体１０の表面１０ａが同一面であることが
望ましい。また、絶縁層１ａに埋設された表層導体４の
最大幅Ｌmax が、絶縁基体１０の表面１０ａと同一平面
における表層導体４の幅Ｌよりも大きいことが望まし
い。さらに、電子部品６等と接続しない表層導体４の部
分など、一部の表層導体４が絶縁膜で被覆されているこ
とが、表層導体４間の絶縁性を向上する点から望まし
い。
縁基体１０の表面１０ａからの突出量ａが、表層導体４
の全膜厚ｔの２０％以下とされている。絶縁基体１０の
表面１０ａからの突出量ａが、表層導体４の全膜厚ｔの
２０％よりも厚いと、絶縁基体１０への接着強度が低下
するからである。このような表層導体４は、図３に示す
ように、絶縁基体１０に露出する表層導体４の露出面４
ａと、絶縁基体１０の表面１０ａが同一面であることが
望ましい。また、絶縁層１ａに埋設された表層導体４の
最大幅Ｌmax が、絶縁基体１０の表面１０ａと同一平面
における表層導体４の幅Ｌよりも大きいことが望まし
い。さらに、電子部品６等と接続しない表層導体４の部
分など、一部の表層導体４が絶縁膜で被覆されているこ
とが、表層導体４間の絶縁性を向上する点から望まし
い。
【００２１】このような多層回路基板は、図４に示す製
造工程によって製造される。先ず、絶縁層１ａ〜１ｇと
なるスリップ材を作成する。
造工程によって製造される。先ず、絶縁層１ａ〜１ｇと
なるスリップ材を作成する。
【００２２】スリップ材は、例えば、セラミック原料粉
末と、光硬化可能なモノマー、例えばポリオキシエチル
化トリメチロールプロパントリアクリレートと、有機バ
インダ、例えばアルキルメタクリレートと、可塑剤と
を、有機溶剤、例えばエチルカルビトールアセテートに
混合し、ボールミルで混練して作製される。
末と、光硬化可能なモノマー、例えばポリオキシエチル
化トリメチロールプロパントリアクリレートと、有機バ
インダ、例えばアルキルメタクリレートと、可塑剤と
を、有機溶剤、例えばエチルカルビトールアセテートに
混合し、ボールミルで混練して作製される。
【００２３】セラミック原料粉末としては、例えば、金
属元素として少なくともＭｇ、Ｔｉ、Ｃａを含有する複
合酸化物であって、その金属元素酸化物による組成式を
（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 −ｘＣａＴｉＯ3 （但し、式中
ｘは重量比を表し、０．０１≦ｘ≦０．１５）で表され
る主成分１００重量部に対して、硼素含有化合物をＢ2
Ｏ3 換算で３〜３０重量部、アルカリ金属含有化合物を
アルカリ金属炭酸塩換算で１〜２５重量部添加含有して
なるものが用いられる。
属元素として少なくともＭｇ、Ｔｉ、Ｃａを含有する複
合酸化物であって、その金属元素酸化物による組成式を
（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 −ｘＣａＴｉＯ3 （但し、式中
ｘは重量比を表し、０．０１≦ｘ≦０．１５）で表され
る主成分１００重量部に対して、硼素含有化合物をＢ2
Ｏ3 換算で３〜３０重量部、アルカリ金属含有化合物を
アルカリ金属炭酸塩換算で１〜２５重量部添加含有して
なるものが用いられる。
【００２４】尚、上述の実施例では溶剤系スリップ材を
作製しているが、上述のように親水性の官能基を付加し
た光硬化可能なモノマー、例えば多官能基メタクリレー
トモノマー、有機バインダ、例えばカルボキシル変性ア
ルキルメタクリレートを用いて、イオン交換水で混練し
た水系スリップ材であっても良い。
作製しているが、上述のように親水性の官能基を付加し
た光硬化可能なモノマー、例えば多官能基メタクリレー
トモノマー、有機バインダ、例えばカルボキシル変性ア
ルキルメタクリレートを用いて、イオン交換水で混練し
た水系スリップ材であっても良い。
【００２５】セラミック原料粉末としては、例えば、ガ
ラス材料であるＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、Ｍｇ
Ｏ、Ｂ2 Ｏ3 を主成分とする結晶化ガラス粉末７０重量
％とセラミック材料であるアルミナ粉末３０重量％とか
らなるものも用いられる。セラミック原料粉末は、特に
限定されるものではない。
ラス材料であるＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、Ｍｇ
Ｏ、Ｂ2 Ｏ3 を主成分とする結晶化ガラス粉末７０重量
％とセラミック材料であるアルミナ粉末３０重量％とか
らなるものも用いられる。セラミック原料粉末は、特に
限定されるものではない。
【００２６】また、ビアホール導体３、内部配線２およ
び表層導体４となる導電性ペーストを作製する。導電性
ペーストは、低融点で且つ低抵抗の金属材料である例え
ば銀粉末と、硼珪酸系低融点ガラス、例えばＢ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 −ＢａＯガラス、ＣａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
ガラス、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ガラ
スと、有機バインダ、例えばエチルセルロースとを、有
機溶剤、例えば２，２，４−トリメチル−１，３−ペン
タジオ−ルモノイソブチレ−トに混合し、３本ローラー
により均質混練して作製される。
び表層導体４となる導電性ペーストを作製する。導電性
ペーストは、低融点で且つ低抵抗の金属材料である例え
ば銀粉末と、硼珪酸系低融点ガラス、例えばＢ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 −ＢａＯガラス、ＣａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
ガラス、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ガラ
スと、有機バインダ、例えばエチルセルロースとを、有
機溶剤、例えば２，２，４−トリメチル−１，３−ペン
タジオ−ルモノイソブチレ−トに混合し、３本ローラー
により均質混練して作製される。
【００２７】そして、図４（ａ）に示すように、まず、
支持基板１５上に、上述のスリップ材をドクターブレー
ド法によって塗布・乾燥して、絶縁層１ｆを形成する絶
縁層成形体３１ｆを形成する。ここで、支持基板１５と
しては、マイラーフイルムを用い、焼成工程前に取り外
される。
支持基板１５上に、上述のスリップ材をドクターブレー
ド法によって塗布・乾燥して、絶縁層１ｆを形成する絶
縁層成形体３１ｆを形成する。ここで、支持基板１５と
しては、マイラーフイルムを用い、焼成工程前に取り外
される。
【００２８】次に、絶縁層成形体３１ｆに貫通穴の形成
を行う。貫通穴の形成は、露光処理、現像処理、洗浄・
乾燥処理により行う。露光処理は、図４（ｂ）に示すよ
うに、絶縁層成形体３１ｆ上に、貫通穴が形成される領
域が遮光されるようなフォトターゲット３３を載置し
て、超高圧水銀灯（１０ｍＷ／ｃｍ2 ）を光源として用
いて露光を行なう。
を行う。貫通穴の形成は、露光処理、現像処理、洗浄・
乾燥処理により行う。露光処理は、図４（ｂ）に示すよ
うに、絶縁層成形体３１ｆ上に、貫通穴が形成される領
域が遮光されるようなフォトターゲット３３を載置し
て、超高圧水銀灯（１０ｍＷ／ｃｍ2 ）を光源として用
いて露光を行なう。
【００２９】これにより、貫通穴が形成される領域の絶
縁層成形体３１ｆにおいては、光硬化可能なモノマの光
重合反応がおこらず、貫通穴が形成される領域以外の絶
縁層成形体３１ｆにおいては、光重合反応が起こる。こ
こで光重合反応が起こった部位を不溶化部といい、光重
合反応が起こらない部位を溶化部という。
縁層成形体３１ｆにおいては、光硬化可能なモノマの光
重合反応がおこらず、貫通穴が形成される領域以外の絶
縁層成形体３１ｆにおいては、光重合反応が起こる。こ
こで光重合反応が起こった部位を不溶化部といい、光重
合反応が起こらない部位を溶化部という。
【００３０】現像処理は、絶縁層成形体３１ｆの溶化部
を現像液で除去するもので、具体的にはトリエタノール
アミン水溶液を現像液として用いてスプレー現像を行
う。この現像処理により、図４（ｃ）に示すように、絶
縁層成形体３１ｆに８０〜１００μｍ径の貫通穴３５を
形成することができる。その後、絶縁層成形体３１ｆを
現像により生じる不要なカスなどを洗浄、乾燥工程によ
り完全に除去する。
を現像液で除去するもので、具体的にはトリエタノール
アミン水溶液を現像液として用いてスプレー現像を行
う。この現像処理により、図４（ｃ）に示すように、絶
縁層成形体３１ｆに８０〜１００μｍ径の貫通穴３５を
形成することができる。その後、絶縁層成形体３１ｆを
現像により生じる不要なカスなどを洗浄、乾燥工程によ
り完全に除去する。
【００３１】次に、貫通穴３５へ導体ペーストの充填・
乾燥して、ビアホール導体３となる導体部材を形成す
る。具体的には、図４（ｄ）に示すように、上述の工程
で形成した貫通穴３５内に上述の導電性ペーストを充填
し、乾燥する。貫通穴３５に相当する部位のみに印刷可
能なスクリーンを用いて印刷によって導体部材３６を形
成し、その後、８０℃で１０分乾燥する。
乾燥して、ビアホール導体３となる導体部材を形成す
る。具体的には、図４（ｄ）に示すように、上述の工程
で形成した貫通穴３５内に上述の導電性ペーストを充填
し、乾燥する。貫通穴３５に相当する部位のみに印刷可
能なスクリーンを用いて印刷によって導体部材３６を形
成し、その後、８０℃で１０分乾燥する。
【００３２】次に、図４（ｅ）に示すように、絶縁層成
形体３１ｆ上に上述の導電性ペーストを塗布し、内部配
線パターン３９を形成する。尚、膜厚の厚い内部配線パ
ターン３９を形成するには、スリップ材をドクターブレ
ード法によって塗布・乾燥して、内部配線パターンの厚
みに相当する絶縁層成形体を作製し、この絶縁層成形体
に露光現像により内部配線パターンの形状に貫通孔を形
成し、この貫通孔に導電性ペーストを充填することによ
り作製できる。
形体３１ｆ上に上述の導電性ペーストを塗布し、内部配
線パターン３９を形成する。尚、膜厚の厚い内部配線パ
ターン３９を形成するには、スリップ材をドクターブレ
ード法によって塗布・乾燥して、内部配線パターンの厚
みに相当する絶縁層成形体を作製し、この絶縁層成形体
に露光現像により内部配線パターンの形状に貫通孔を形
成し、この貫通孔に導電性ペーストを充填することによ
り作製できる。
【００３３】上記のような工程を繰り返して、絶縁層成
形体３１ｇ〜３１ｂが形成された積層体を作製する。こ
の後、スリップ材をドクターブレード法によって塗布・
乾燥して、絶縁基体１０の最表面の絶縁層成形体３１ａ
を形成する。
形体３１ｇ〜３１ｂが形成された積層体を作製する。こ
の後、スリップ材をドクターブレード法によって塗布・
乾燥して、絶縁基体１０の最表面の絶縁層成形体３１ａ
を形成する。
【００３４】この絶縁層成形体３１ａに上記した露光処
理を施し、表層導体４用の貫通孔を作製し、この貫通孔
に上記した導電性ペーストを充填し、導体部材４０を形
成する。露光処理での露光が強いと表層導体４用の貫通
孔がビアホール導体３用の貫通孔のように直線的な貫通
孔が作製でき、その露光が少々弱いと、図２、３に示す
ような絶縁層成形体３１ａの下方が広がるような貫通孔
を作製できる。絶縁層に埋設された表層導体の最大幅
が、絶縁基体表面と同一平面における表層導体の幅より
も大きくするには、上記したように、露光の強度を調整
し、下方に広がるような貫通孔を作製することにより達
成できる。また、同じ露光量である場合には、照射時間
や、現像時間等を制御することにより、図２、３に示す
ような絶縁層成形体３１ａの下方が広がるような貫通孔
を作製できる。
理を施し、表層導体４用の貫通孔を作製し、この貫通孔
に上記した導電性ペーストを充填し、導体部材４０を形
成する。露光処理での露光が強いと表層導体４用の貫通
孔がビアホール導体３用の貫通孔のように直線的な貫通
孔が作製でき、その露光が少々弱いと、図２、３に示す
ような絶縁層成形体３１ａの下方が広がるような貫通孔
を作製できる。絶縁層に埋設された表層導体の最大幅
が、絶縁基体表面と同一平面における表層導体の幅より
も大きくするには、上記したように、露光の強度を調整
し、下方に広がるような貫通孔を作製することにより達
成できる。また、同じ露光量である場合には、照射時間
や、現像時間等を制御することにより、図２、３に示す
ような絶縁層成形体３１ａの下方が広がるような貫通孔
を作製できる。
【００３５】このようにして作製された積層成形体を、
必要に応じて、プレスで形状を整えたり、分割溝を形成
したり、また、支持基板１５を取り外す。次に、脱バイ
ンダー工程と、本焼成工程からなる焼成を行ない、脱バ
インダー工程において、含まれている有機バインダ、光
硬化可能なモノマを消失し、本焼成工程により焼結す
る。
必要に応じて、プレスで形状を整えたり、分割溝を形成
したり、また、支持基板１５を取り外す。次に、脱バイ
ンダー工程と、本焼成工程からなる焼成を行ない、脱バ
インダー工程において、含まれている有機バインダ、光
硬化可能なモノマを消失し、本焼成工程により焼結す
る。
【００３６】その後、表面処理として、さらに、厚膜抵
抗体膜５や絶縁膜の印刷・焼きつけを行ない、メッキ処
理、さらにＩＣチップを含む電子部品６の接合を行うこ
とにより、本発明の多層回路基板が作製される。
抗体膜５や絶縁膜の印刷・焼きつけを行ない、メッキ処
理、さらにＩＣチップを含む電子部品６の接合を行うこ
とにより、本発明の多層回路基板が作製される。
【００３７】以上のように構成された多層回路基板で
は、表層導体４が絶縁層１ａ内に埋設されており、表層
導体４の絶縁基体１０の表面１０ａからの突出量ａが、
表層導体４の全膜厚ｔの２０％以下であるため、絶縁基
体１０への接着強度を大きく向上できる。しかも、表層
導体４の全膜厚の２０％以下が絶縁層１ａ内に埋設され
ているため、表層導体４間の間隔を狭めたとしても表層
導体４間における凹凸がそれ程発生せず、表層導体４間
の絶縁性を向上するための絶縁膜を被覆したとしても、
絶縁ペーストを印刷する際にペーストカスレやピンホー
ル等の欠陥が発生せず、表層導体４間の絶縁性を充分に
確保することができる。
は、表層導体４が絶縁層１ａ内に埋設されており、表層
導体４の絶縁基体１０の表面１０ａからの突出量ａが、
表層導体４の全膜厚ｔの２０％以下であるため、絶縁基
体１０への接着強度を大きく向上できる。しかも、表層
導体４の全膜厚の２０％以下が絶縁層１ａ内に埋設され
ているため、表層導体４間の間隔を狭めたとしても表層
導体４間における凹凸がそれ程発生せず、表層導体４間
の絶縁性を向上するための絶縁膜を被覆したとしても、
絶縁ペーストを印刷する際にペーストカスレやピンホー
ル等の欠陥が発生せず、表層導体４間の絶縁性を充分に
確保することができる。
【００３８】また、図３に示すように、絶縁基体１０の
表面１０ａに露出する表層導体４の露出面４ａと、絶縁
基体１０の表面１０ａを同一面とすることにより、表層
導体４の絶縁基体１０への接着強度をさらに向上できる
とともに、表層導体４間の凹凸を無くして表層導体４間
の絶縁性をさらに向上でき、ファインライン化を促進で
きる。
表面１０ａに露出する表層導体４の露出面４ａと、絶縁
基体１０の表面１０ａを同一面とすることにより、表層
導体４の絶縁基体１０への接着強度をさらに向上できる
とともに、表層導体４間の凹凸を無くして表層導体４間
の絶縁性をさらに向上でき、ファインライン化を促進で
きる。
【００３９】さらに、絶縁層１ａに埋設された表層導体
４の最大幅Ｌmax を、絶縁基体１０の表面１０ａと同一
平面における表層導体４の幅Ｌよりも大きくしたので、
絶縁基体１０内に埋設された部分によりアンカー効果が
発生し、表層導体４の絶縁基体１０への接着強度がさら
に向上する。
４の最大幅Ｌmax を、絶縁基体１０の表面１０ａと同一
平面における表層導体４の幅Ｌよりも大きくしたので、
絶縁基体１０内に埋設された部分によりアンカー効果が
発生し、表層導体４の絶縁基体１０への接着強度がさら
に向上する。
【００４０】
【実施例】上記の低温焼成用セラミック材料と表層導体
材料を用い、接着強度を測定した。試料として、焼成後
の総膜厚が５０μｍの表層導体に対して、基板表面より
突出した部分の膜厚を変化させたものを作製した。比較
のために、図５に示したような、平坦な絶縁基体表面上
に表層導体を形成した試料を作製した。
材料を用い、接着強度を測定した。試料として、焼成後
の総膜厚が５０μｍの表層導体に対して、基板表面より
突出した部分の膜厚を変化させたものを作製した。比較
のために、図５に示したような、平坦な絶縁基体表面上
に表層導体を形成した試料を作製した。
【００４１】接着強度は、露出面の面積が２ｍｍ×２ｍ
ｍの表層導体に直径０．６ｍｍの鉛メッキ導線を半田接
合して、ピール法で、初期状態の接着強度、１５０
℃で５００時間加熱後放冷（エージング）した後の接着
強度、−４０℃から３０分で１２５℃まで温度を上昇
し、その後室温まで放冷する工程を１００回繰り返す温
度サイクル試験後の接着強度を測定した。その結果を表
１に記載する。
ｍの表層導体に直径０．６ｍｍの鉛メッキ導線を半田接
合して、ピール法で、初期状態の接着強度、１５０
℃で５００時間加熱後放冷（エージング）した後の接着
強度、−４０℃から３０分で１２５℃まで温度を上昇
し、その後室温まで放冷する工程を１００回繰り返す温
度サイクル試験後の接着強度を測定した。その結果を表
１に記載する。
【００４２】
【表１】
【００４３】この表１より、比較例に対して、表層導体
を絶縁基体内部に埋め込むことで、初期の接着強度、エ
ージング後の接着強度、温度サイクル試験後の接着強度
が全て大きく向上していることが判る。
を絶縁基体内部に埋め込むことで、初期の接着強度、エ
ージング後の接着強度、温度サイクル試験後の接着強度
が全て大きく向上していることが判る。
【００４４】また、基板表面より突出量が少ない程、初
期の接着強度、エージング後の接着強度、温度サイクル
試験後の接着強度が高くなり、２０％以下であると大き
く向上することが判る。
期の接着強度、エージング後の接着強度、温度サイクル
試験後の接着強度が高くなり、２０％以下であると大き
く向上することが判る。
【００４５】接着強度試験後の試料を観察したところ、
破壊は本発明品および比較品ともに同様な破壊のモード
であることから、接着強度の向上は、本発明品の表層導
体の形状変更の効果であることが判る。
破壊は本発明品および比較品ともに同様な破壊のモード
であることから、接着強度の向上は、本発明品の表層導
体の形状変更の効果であることが判る。
【００４６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、表層導
体が絶縁層内に埋設されており、表層導体の絶縁基体表
面からの突出量が、表層導体の全膜厚の２０％以下であ
るため、基板への接着強度を大きく向上できる。しか
も、表層導体の全膜厚の２０％以下が絶縁層内に埋設さ
れているため、表層導体間の間隔を狭めたとしても表層
導体間における凹凸がそれ程発生せず、表層導体間の絶
縁性を向上するための絶縁膜を被覆したとしても、絶縁
ペーストを印刷する際にペーストカスレやピンホール等
の欠陥が発生せず、表層導体間の絶縁性を充分に確保す
ることができる。
体が絶縁層内に埋設されており、表層導体の絶縁基体表
面からの突出量が、表層導体の全膜厚の２０％以下であ
るため、基板への接着強度を大きく向上できる。しか
も、表層導体の全膜厚の２０％以下が絶縁層内に埋設さ
れているため、表層導体間の間隔を狭めたとしても表層
導体間における凹凸がそれ程発生せず、表層導体間の絶
縁性を向上するための絶縁膜を被覆したとしても、絶縁
ペーストを印刷する際にペーストカスレやピンホール等
の欠陥が発生せず、表層導体間の絶縁性を充分に確保す
ることができる。
【図１】本発明に係る多層回路基板の断面図である。
【図２】表層導体を説明するための断面図である。
【図３】表層導体の露出面が、絶縁基体の表面と同一面
である状態の断面図である。
である状態の断面図である。
【図４】本発明の多層回路基板の製造工程を示す断面図
である。
である。
【図５】従来の表層導体が形成された多層回路基板を示
す断面図である。
す断面図である。
１ａ〜１ｇ・・・絶縁層 ４・・・・・・・表層導体 ４ａ・・・・・・・露出面 １０・・・・・絶縁基体 １０ａ・・・・・絶縁基体の表面
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁層を複数積層してなる絶縁基体と、こ
の絶縁基体の表面に露出する表層導体とを具備する多層
回路基板であって、前記表層導体が前記絶縁基体内に埋
設されており、前記表層導体の前記絶縁基体表面からの
突出量が、前記表層導体の全膜厚の２０％以下であるこ
とを特徴とする多層回路基板。 - 【請求項２】絶縁基体表面に露出する表層導体の露出面
と、前記絶縁基体表面が同一面であることを特徴とする
請求項１記載の多層回路基板。 - 【請求項３】絶縁基体内に埋設された表層導体の最大幅
が、前記絶縁基体表面と同一平面における前記表層導体
の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１または２記
載の多層回路基板。 - 【請求項４】一部の表層導体が絶縁膜で被覆されている
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の多
層回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10086376A JPH11284345A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 多層回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10086376A JPH11284345A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 多層回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11284345A true JPH11284345A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=13885171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10086376A Pending JPH11284345A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 多層回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11284345A (ja) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04179297A (ja) * | 1990-11-14 | 1992-06-25 | Hitachi Cable Ltd | 多層配線基板における回路パターン接続方法 |
| JPH06196860A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-15 | Nippondenso Co Ltd | 厚膜多層基板 |
| JPH06232516A (ja) * | 1993-02-04 | 1994-08-19 | Ngk Insulators Ltd | セラミックス配線基板およびその製造方法 |
| JPH06338682A (ja) * | 1993-05-31 | 1994-12-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 多層基板の製造方法 |
| JPH07307571A (ja) * | 1994-05-12 | 1995-11-21 | Ibiden Co Ltd | 多層セラミックス基板の製造方法 |
| JPH0818236A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Kyocera Corp | 積層セラミック回路基板の製造方法 |
| JPH08333157A (ja) * | 1994-08-19 | 1996-12-17 | Hitachi Ltd | 配線基板、その製造方法、非晶質ガラス、配線基板用セラミック組成物、電子回路装置、電子計算機用モジュール、および電子計算機 |
| JPH09130018A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-05-16 | Kyocera Corp | 配線基板及びその製造方法 |
| JPH09260845A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk | セラミック多層配線基板およびその製造方法 |
-
1998
- 1998-03-31 JP JP10086376A patent/JPH11284345A/ja active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04179297A (ja) * | 1990-11-14 | 1992-06-25 | Hitachi Cable Ltd | 多層配線基板における回路パターン接続方法 |
| JPH06196860A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-15 | Nippondenso Co Ltd | 厚膜多層基板 |
| JPH06232516A (ja) * | 1993-02-04 | 1994-08-19 | Ngk Insulators Ltd | セラミックス配線基板およびその製造方法 |
| JPH06338682A (ja) * | 1993-05-31 | 1994-12-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 多層基板の製造方法 |
| JPH07307571A (ja) * | 1994-05-12 | 1995-11-21 | Ibiden Co Ltd | 多層セラミックス基板の製造方法 |
| JPH0818236A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Kyocera Corp | 積層セラミック回路基板の製造方法 |
| JPH08333157A (ja) * | 1994-08-19 | 1996-12-17 | Hitachi Ltd | 配線基板、その製造方法、非晶質ガラス、配線基板用セラミック組成物、電子回路装置、電子計算機用モジュール、および電子計算機 |
| JPH09130018A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-05-16 | Kyocera Corp | 配線基板及びその製造方法 |
| JPH09260845A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk | セラミック多層配線基板およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3677301B2 (ja) | セラミック回路基板及びセラミック回路基板の製造方法 | |
| JP3231987B2 (ja) | 多層セラミック回路基板の製造方法 | |
| JP2000277916A (ja) | 基板および分割基板 | |
| JP2002043758A (ja) | 多層基板及びその製造方法 | |
| JP2002043757A (ja) | 多層基板及びその製造方法 | |
| JPH11284345A (ja) | 多層回路基板 | |
| EP1189495A1 (en) | Method of manufacturing multilayer ceramic substrate, and conductor paste | |
| JP3236769B2 (ja) | セラミック基板及びその製造方法並びに分割回路基板 | |
| JP4693284B2 (ja) | 多層配線基板およびその製造方法 | |
| JP2004031699A (ja) | セラミック回路基板及びその製造方法 | |
| JP2003224338A (ja) | ガラスセラミック配線基板 | |
| JP2002141646A (ja) | 回路基板 | |
| JP3493294B2 (ja) | 回路基板 | |
| JP2005085995A (ja) | セラミック基板の製造方法 | |
| JP2010232257A (ja) | 多層配線基板 | |
| JP3559310B2 (ja) | 積層セラミック回路基板の製造方法 | |
| JP3495203B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JP3393676B2 (ja) | 多層セラミック回路基板の製造方法 | |
| JP3152873B2 (ja) | 低温焼成回路基板 | |
| JP2004063703A (ja) | セラミック多層回路基板及びその製造方法 | |
| JP2000049431A (ja) | セラミック回路基板 | |
| JP2002231860A (ja) | 電子部品装置 | |
| JP2001185851A (ja) | 多層基板の製法 | |
| JP2000165043A (ja) | 回路基板 | |
| JPH11186733A (ja) | 高周波複合回路ブロック |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040113 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040323 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040521 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040819 |