JPH11283958A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の表面構造が複雑化しても、基板表面を
洗浄するための洗浄液中に界面活性剤を添加する場合と
同様に基板表面に残存した不純物を完全に除去すること
が可能で、界面活性剤を用いた場合のようにデバイス特
性に悪影響を及ぼすことが無い方法を提供する。 【解決手段】 基板を洗浄液中に浸漬させて洗浄する洗
浄工程で洗浄液中にアルコール類を添加し、基板を乾燥
させる乾燥工程で基板を減圧乾燥させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置用ガラス基板、電子部品などの基板を洗浄
もしくはエッチングし純水で洗浄した後乾燥させる基板
処理方法および基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイス製造プロセスにお
いて、基板、例えばシリコンウエハの表面に付着した不
純物を除去することは極めて重要であり、フッ酸や燐酸
水溶液などの薬液を用いてウエハを洗浄もしくはエッチ
ングした後に、ウエハの表面を純水で十分に洗浄してウ
エハ上から不純物を除去するようにしている。そして、
純水による水洗後のウエハは、乾燥装置により乾燥させ
られる。

【０００３】また、ウエハの表面に付着した不純物を完
全に除去するための工夫もなされており、ウエハ表面を
洗浄するための純水等の洗浄液中に界面活性剤を添加す
る方法が試みられている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年におけ
る半導体デバイスの集積度の増加に伴い、ウエハの表面
構造は益々複雑化し、ウエハ表面のトレンチ（溝）部分
におけるアスペクト比（溝の深さ寸法に対する溝の開口
幅寸法の比）も高くなってきている。このため、ウエハ
表面が乾燥しにくくなり、ウエハの乾燥工程において、
純水による水洗後にウエハの表面のトレンチ部分に入り
込んだ純水を蒸発させて、ウエハ表面を十分に乾燥させ
るための処理時間が長くなって、スループットが低下す
る、といった問題点を生じている。

【０００５】また、ウエハの表面を洗浄するための洗浄
液中に界面活性剤を添加することにより、ウエハ表面の
トレンチ部分に残存した不純物を完全に除去することが
可能になるが、ウエハ表面のトレンチ部分に浸入した界
面活性剤は、純水による水洗だけでは完全に除去されな
いことがある。この結果、ウエハの表面に界面活性剤が
残存して、デバイス特性に悪影響を及ぼすことがある、
といった問題点がある。また、洗浄液中に界面活性剤を
添加するため、洗浄液を循環させてウエハの洗浄に使用
する場合に、循環系の経路中に目詰り等の不都合を生じ
ないように、洗浄装置の構成を工夫したり保守作業を行
ったりする必要があり、装置コストや保守費用が増加し
て、製品コストが高くなる、といった問題点がある。

【０００６】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、シリコンウエハ等の基板の表面構造
が複雑化しても、水洗後における基板の表面を乾燥させ
るための処理時間を短くして、スループットを向上させ
ることができる基板処理方法を提供すること、ならび
に、その方法を好適に実施することができる基板処理装
置を提供することを目的とする。

【０００７】また、シリコンウエハ等の基板の表面構造
が複雑化しても、基板表面を洗浄するための洗浄液中に
界面活性剤を添加する場合と同様に基板表面に残存した
不純物を完全に除去することが可能で、界面活性剤を用
いた場合のようにデバイス特性に悪影響を及ぼしたり装
置コストや保守費用が増加して製品コストが高くなった
りする、といったことがない基板処理方法を提供するこ
と、ならびに、その方法を好適に実施することができる
基板処理装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
基板を薬液中に浸漬させて洗浄もしくはエッチングする
洗浄もしくはエッチング工程と、基板を純水中に浸漬さ
せて水洗する水洗工程と、基板を乾燥させる乾燥工程と
を有する基板処理方法において、前記水洗工程で純水中
に低沸点溶媒を添加し、前記乾燥工程で基板を減圧乾燥
させることを特徴とする。

【０００９】請求項２に係る発明は、請求項１記載の基
板処理方法において、低沸点溶媒としてアルコール類を
使用することを特徴とする。

【００１０】請求項３に係る発明は、請求項１または請
求項２記載の基板処理方法において、洗浄もしくはエッ
チング工程および水洗工程を１つの処理槽内において行
うことを特徴とする。

【００１１】請求項４に係る発明は、基板を洗浄液中に
浸漬させて洗浄する洗浄工程と、基板を乾燥させる乾燥
工程とを有する基板処理方法において、前記洗浄工程で
洗浄液中にアルコール類を添加し、前記乾燥工程で基板
を減圧乾燥させることを特徴とする。

【００１２】請求項５に係る発明は、底部に液体供給口
を有するとともに上部に液体が溢れ出す溢流部を有し、
内部に基板が搬入されて収容される処理槽と、この処理
槽内へ前記液体供給口を通して基板の洗浄もしくはエッ
チングのための薬液を供給する薬液供給手段と、前記処
理槽内へ前記液体供給口を通して基板の水洗のための純
水を供給する純水供給手段と、前記薬液供給手段と純水
供給手段とを切り替えて前記処理槽内へ前記液体供給口
を通して薬液または純水を択一的に供給させるための供
給切替え手段と、基板を乾燥させる基板乾燥部とを備え
た基板処理装置において、前記純水供給手段によって前
記処理槽内へ供給される純水中に低沸点溶媒を添加する
低沸点溶媒供給手段を設け、前記基板乾燥部で基板を減
圧乾燥させるようにしたことを特徴とする。

【００１３】請求項６に係る発明は、底部に薬液供給口
を有するとともに上部に薬液が溢れ出す薬液溢流部を有
し、内部に基板が搬入されて収容される薬液槽と、この
薬液槽内へ前記薬液供給口を通して基板の洗浄もしくは
エッチングのための薬液を供給する薬液供給手段と、底
部に純水供給口を有するとともに上部に純水が溢れ出す
純水溢流部を有し、内部に基板が搬入されて収容される
純水槽と、この純水槽内へ前記純水供給口を通して基板
の水洗のための純水を供給する純水供給手段と、前記薬
液槽から前記純水槽へ基板を移送する基板移送手段と、
基板を乾燥させる基板乾燥部とを備えた基板処理装置に
おいて、前記純水供給手段によって前記純水槽内へ供給
される純水中に低沸点溶媒を添加する低沸点溶媒供給手
段を設け、前記基板乾燥部で基板を減圧乾燥させるよう
にしたことを特徴とする。

【００１４】請求項７に係る発明は、少なくとも、底部
に純水供給口を有するとともに上部に純水が溢れ出す純
水溢流部を有し内部に基板が搬入されて収容される最終
水洗槽と、この最終水洗槽内へ前記純水供給口を通して
基板の最終水洗のための純水を供給する純水供給手段
と、基板を乾燥させる基板乾燥部とを備えた基板処理装
置において、前記純水供給手段によって前記最終水洗槽
内へ供給される純水中に低沸点溶媒を添加する低沸点溶
媒供給手段を設け、前記基板乾燥部で基板を減圧乾燥さ
せるようにしたことを特徴とする。

【００１５】請求項８に係る発明は、底部に洗浄液供給
口を有するとともに上部に洗浄液が溢れ出す洗浄液溢流
部を有し、内部に基板が搬入されて収容される洗浄槽
と、この洗浄槽内へ前記洗浄液供給口を通して基板の洗
浄のための洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、基板を
乾燥させる基板乾燥部とを備えた基板処理装置におい
て、前記洗浄液供給手段によって前記洗浄槽内へ供給さ
れる洗浄液中にアルコール類を添加するアルコール供給
手段を設け、前記基板乾燥部で基板を減圧乾燥させるよ
うにしたことを特徴とする。

【００１６】請求項１に係る発明の基板処理方法による
と、水洗工程で純水中に低沸点溶媒が添加されるので、
純水だけで基板を水洗した場合に比べて、乾燥工程で基
板が乾燥し易くなり、しかも、基板は減圧乾燥させられ
るため、基板の表面構造が複雑化して、例えばシリコン
ウエハの表面のトレンチ部分におけるアスぺクト比が高
くなっても、基板の表面は速やかに乾燥させられる。

【００１７】請求項２に係る発明の基板処理方法では、
アルコール類、例えばイソプロピルアルコール（ＩＰ
Ａ）が基板の水洗のための純水中に添加され、純水中に
ＩＰＡが溶解した水は純水に比べて蒸発し易いので、基
板の表面が速やかに乾燥させられる。

【００１８】請求項３に係る発明の基板処理方法では、
洗浄もしくはエッチング工程および水洗工程が１つの処
理槽内において、処理槽内へ薬液および純水が順次供給
されることにより、いわゆるワンバス方式で行われる。

【００１９】請求項４に係る発明の基板処理方法では、
洗浄工程で洗浄液、例えば純水中にアルコール類、例え
ばＩＰＡが添加されるので、洗浄液中に界面活性剤を添
加した場合と同様に、基板の表面の疎水性部分の濡れ性
が高められ、洗浄液による基板表面の洗浄効率が高ま
る。このため、基板の表面構造が複雑化して、例えばシ
リコンウエハの表面のトレンチ部分におけるアスペクト
化が高くなっても、基板表面に残存した不純物を完全に
除去することが可能になる。そして、乾燥工程で基板が
減圧乾燥させられることにより、アルコール類は基板の
表面から完全に蒸発して除去されるので、界面活性剤を
用いた場合のような不都合を生じない。また、アルコー
ル類、例えばＩＰＡは液体であり、洗浄液を循環させて
基板の洗浄に使用する場合にも、循環系の経路中に目詰
り等の不都合を生じる恐れが無い。

【００２０】請求項５に係る発明の基板処理装置におい
ては、処理槽内へ薬液供給手段により薬液が供給され、
処理槽の内部にその底部から上部へ向かう薬液の流れが
形成されて、その薬液中に基板が浸漬させられることに
より、基板が洗浄もしくはエッチングされ、その後に、
処理槽内へ純水供給手段により純水が供給され、処理槽
の内部にその底部から上部へ向かう純水の流れが形成さ
れて、その純水中に基板が浸漬させられることにより、
基板が水洗され、その水洗後に、基板は基板乾燥部にお
いて乾燥させられる。そして、純水供給手段によって処
理槽内へ供給される純水中に、低沸点溶媒供給手段によ
り低沸点溶媒が添加されるので、純水だけで基板を水洗
した場合に比べて、基板乾燥部で基板が乾燥し易くな
り、しかも、基板は基板乾燥部で減圧乾燥させられるた
め、基板の表面は速やかに乾燥させられる。

【００２１】請求項６に係る発明の基板処理装置におい
ては、薬液槽内へ薬液供給手段により薬液が供給され、
薬液槽の内部にその底部から上部へ向かう薬液の流れが
形成されて、その薬液中に基板が浸漬させられることに
より、基板が洗浄もしくはエッチングされる。また、純
水槽内へ純水供給手段により純水が供給され、純水槽の
内部にその底部から上部へ向かう純水の流れが形成され
て、その純水中に、基板移送手段によって薬液槽から純
水槽へ移送された洗浄もしくはエッチング後の基板が浸
漬させられることにより、基板が水洗され、その水洗後
に、基板は基板乾燥部において乾燥させられる。そし
て、純水供給手段によって純水槽内へ供給される純水中
に、低沸点溶媒供給手段により低沸点溶媒が添加される
ので、純水だけで基板を水洗した場合に比べて、基板乾
燥部で基板が乾燥し易くなり、しかも、基板は基板乾燥
部で減圧乾燥させられるため、基板の表面は速やかに乾
燥させられる。

【００２２】請求項７に係る発明の基板処理装置におい
ては、最終水洗槽内へ純水供給手段により純水が供給さ
れ、最終水洗槽の内部にその底部から上部へ向かう純水
の流れが形成されて、その純水中に基板が浸漬させられ
ることにより、基板が最終水洗され、その後に、基板は
基板乾燥部において乾燥させられる。そして、純水供給
手段によって最終水洗槽内へ供給される純水中に、低沸
点溶媒供給手段により低沸点溶媒が添加されるので、純
水だけで基板を最終水洗した場合に比べて、基板乾燥部
で基板が乾燥し易くなり、しかも、基板は基板乾燥部で
減圧乾燥させられるため、基板の表面は速やかに乾燥さ
せられる。

【００２３】請求項８に係る発明の基板処理装置におい
ては、洗浄槽内へ洗浄液供給手段により純水等の洗浄液
が供給され、洗浄槽の内部にその底部から上部へ向かう
洗浄液の流れが形成されて、その洗浄液中に基板が浸漬
させられることにより、基板が洗浄され、その後に、基
板は基板乾燥部において乾燥させられる。そして、洗浄
液供給手段によって洗浄槽内へ供給される洗浄液中にＩ
ＰＡ等のアルコール類が添加されるので、洗浄液中に界
面活性剤を添加した場合と同様に、基板の表面の疎水性
部分の濡れ性が高められ、洗浄液による基板表面の洗浄
効率が高まる。このため、基板表面に残存した不純物を
完全に除去することが可能になる。そして、乾燥工程で
基板が減圧乾燥させられることにより、アルコール類は
基板の表面から完全に蒸発して除去されるので、洗浄液
中に界面活性剤を添加した場合のような不都合を生じな
い。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図１を参照しながら説明する。

【００２５】図１は、この発明に係る基板処理方法を実
施するのに使用される基板処理装置の概略構成の１例を
示す模式図である。この装置は、３つの処理槽１０、１
２、１４と最終水洗（リンス）・乾燥部１６とを備えて
いる。

【００２６】それぞれの処理槽１０、１２、１４には、
図示を省略したが、底部に液体供給口が形設され、上部
に溢流液受け部が付設されていて、処理槽１０、１２、
１４の上部から溢れ出た液体が溢流液受け部内へ流入す
るようになっている。溢流液受け部には排液管が連通し
ており、溢流液受け部内へ流入した溢流液は、排液管を
通って排出され、必要により循環使用されたりする。

【００２７】最終水洗・乾燥部１６は、図示を省略した
が、水洗槽およびその上方空間を閉鎖的に包囲する密閉
チャンバを備えている。水洗槽には、底部に純水供給口
が形設され、上部に溢流液受け部が付設されていて、水
洗槽の上部から溢れ出た純水が溢流水受け部内へ流入
し、溢流水受け部からそれに連通された排水管を通って
排水が行われるようになっている。また、密閉チャンバ
には排気口が形設されており、排気口は真空ポンプ等の
真空吸引源に流路接続されていて、その排気口を通して
密閉チャンバ内を真空排気することにより、密閉チャン
バの内部が減圧されるようになっている。さらに、密閉
チャンバの内部には、基板、例えばシリコンウエハを昇
降させるウエハ昇降機構が設けられており、そのウエハ
昇降機構により、ウエハを水洗槽の上方位置と水洗槽の
内部位置との間で昇降させることができるように構成さ
れている。

【００２８】第１、第２および第３の各処理槽１０、１
２、１４の液体供給口にそれぞれ連通接続した給液部１
８、２０、２２には、薬液Ａ、薬液Ｂおよび薬液Ｃのそ
れぞれの薬液供給源２６、２８、３０が流路接続してい
る。また、第１、第２および第３の各処理槽１０、１
２、１４の給液部１８、２０、２２、ならびに、最終水
洗・乾燥部１６の水洗槽の純水供給口に連通接続した給
水部２４には、純水供給源３２がそれぞれ流路接続して
いる。さらに、第１、第２および第３の各処理槽１０、
１２、１４の給液部１８、２０、２２ならびに最終水洗
・乾燥部１６の水洗槽の給水部２４には、アルコール
類、例えばＩＰＡの供給源３４がそれぞれ流路接続して
いる。

【００２９】次に、図１に示した基板処理装置を使用し
てシリコンウエハの処理を行う場合の基本操作の１例に
ついて説明する。まず、純水供給源３２から第１、第２
および第３の各処理槽１０、１２、１４内へそれぞれ純
水を連続して供給し、各処理槽１０、１２、１４内へそ
れぞれウエハを搬入して純水中にウエハを浸漬させ、ウ
エハを純水で洗浄する。その洗浄後に、純水の供給を停
止して、それぞれの薬液供給源２６、２８、３０から第
１、第２および第３の各処理槽１０、１２、１４内へそ
れぞれフッ酸等の薬液Ａ、薬液Ｂおよび薬液Ｃを連続し
て供給し、各処理槽１０、１２、１４の内部をそれぞれ
薬液Ａ、Ｂ、Ｃで置換して、ウエハを薬液Ａ、Ｂ、Ｃで
洗浄もしくはエッチングする。これに引き続いて、薬液
Ａ、Ｂ、Ｃの供給を停止した後、純水供給源３２から第
１、第２および第３の各処理槽１０、１２、１４内へそ
れぞれ純水を連続して供給し、各処理槽１０、１２、１
４の内部をそれぞれ純水で置換して、ウエハを水洗す
る。

【００３０】ウエハの水洗が終了すると、水洗の終了し
たウエハは、図示しないウエハ移送機構により処理槽１
０、１２、１４から最終水洗・乾燥部１６へ移送され
る。この際、最終水洗・乾燥部１６の水洗槽内には、純
水供給源３２から純水が連続して供給されており、その
水洗槽内の純水中にウエハを浸漬させることにより、ウ
エハを最終水洗する。最終水洗が終了すると、ウエハを
ウエハ昇降機構により上昇させて純水中から引き上げ
る。この際、水洗槽の上方空間を閉鎖的に包囲する密閉
チャンバの内部は、真空排気されて減圧されている。純
水中から引き上げられて密閉チャンバ内の減圧雰囲気中
に保持されたウエハは、速やかに減圧乾燥させられる。

【００３１】以上のような処理シーケンスにおいて、
（１）最初に各処理槽１０、１２、１４内の純水中にウ
エハを浸漬させてウエハを純水で洗浄する際に、ＩＰＡ
供給源３４から各給液部１８、２０、２２にそれぞれＩ
ＰＡを供給し、純水供給源３２から第１、第２および第
３の各処理槽１０、１２、１４内へそれぞれ供給される
純水中にＩＰＡを添加して混合する。そして、純水によ
るウエハの洗浄が終了すると、純水へのＩＰＡの混合比
率を徐々に低下させた後、純水の供給を停止して、それ
ぞれの薬液供給源２６、２８、３０から第１、第２およ
び第３の各処理槽１０、１２、１４内へそれぞれフッ酸
等の薬液Ａ、薬液Ｂおよび薬液Ｃを供給し、ウエハを薬
液Ａ、Ｂ、Ｃで洗浄もしくはエッチングするようにす
る。このようにしたときは、ウエハ洗浄用の純水中に界
面活性剤を添加した場合と同様に、ウエハの表面の疎水
性部分の濡れ性が高められ、純水によるウエハ表面の洗
浄効率が高まることになり、ウエハ表面に残存した不純
物を完全に除去することが可能になる。そして、この際
に純水中に添加されたＩＰＡは、水に容易に溶解するの
で、水洗工程や最終水洗工程において純水によってウエ
ハの表面から洗い流され、例え最終水洗工程後にウエハ
の表面にＩＰＡが残存することがあっても、最終水洗・
乾燥部１６の密閉チャンバ内においてウエハが減圧乾燥
させられることにより、ウエハ表面から完全に蒸発して
除去される。

【００３２】また、上記処理シーケンスにおいて、
（２）薬液によるウエハの洗浄もしくはエッチング後に
純水でウエハを水洗する際に、ＩＰＡ供給源３４から各
給液部１８、２０、２２にそれぞれＩＰＡを供給し、純
水供給源３２から第１、第２および第３の各処理槽１
０、１２、１４内へそれぞれ供給される純水中にＩＰＡ
を添加して混合する。このようにしたときは、純水だけ
でウエハを水洗した場合に比べて、最終水洗・乾燥部１
６の密閉チャンバ内においてウエハを減圧乾燥させたと
きに、ウエハの表面が速やかに乾燥して、乾燥処理時間
が短くなる。

【００３３】さらにまた、上記処理シーケンスにおい
て、（３）最終水洗・乾燥部１６の水洗槽においてウエ
ハを最終水洗する際に、ＩＰＡ供給源３４から給水部２
４にＩＰＡを供給し、純水供給源３２から水洗槽内へ供
給される純水中にＩＰＡを添加して混合する。このよう
にしたときも、純水だけでウエハを最終水洗した場合に
比べて、最終水洗・乾燥部１６の密閉チャンバ内におい
てウエハを減圧乾燥させたときに、ウエハの表面が速や
かに乾燥して、乾燥処理時間が短くなる。

【００３４】なお、上記処理シーケンスにおいて、
（１）の操作と（２）または（３）の操作とを組み合わ
せて、ウエハの処理を行うようにしてもよい。また、上
記処理シーケンスに別の工程を追加してもよく、例え
ば、さらに洗浄工程を追加したり、減圧乾燥に先だって
予備乾燥を行うようにしたりしてもよい。

【００３５】また、装置構成は、図１に示したものに限
らないことはもちろんである。例えば、上記した実施形
態では最終水洗・乾燥部１６を設けるようにしたが、そ
れを減圧乾燥部として、処理槽１０、１２、１４におい
て薬液による洗浄もしくはエッチングおよび純水による
水洗が終わったウエハを、減圧乾燥部においてそのまま
減圧乾燥させるようにしてもよい。また、薬液による洗
浄もしくはエッチングおよび純水による水洗から減圧乾
燥までの一連のウエハ処理操作を１つの処理槽で行うよ
うにしてもよい。さらに、上記実施形態では、純水によ
るウエハの洗浄、薬液によるウエハの洗浄もしくはエッ
チングおよび純水によるウエハの水洗の各処理を１つの
処理槽１０、１２、１４内において行うようにしたが、
洗浄槽、薬液槽および純水槽を別々に設置して、それら
各槽へ順次ウエハを移送して、いわゆる多槽方式でウエ
ハの処理を行う場合についても、この発明は同様に適用
し得るものである。

【００３６】

【発明の効果】請求項１に係る発明の基板処理方法によ
ると、シリコンウエハ等の基板の表面構造が複雑化して
も、水洗後における基板の表面を乾燥させるための処理
時間を短くすることができるので、スループットが向上
することになる。

【００３７】請求項２に係る発明の基板処理方法では、
基板の水洗のための純水中にアルコール類が添加される
ことにより、基板の表面が速やかに乾燥させられ、乾燥
処理時間が短くなる。

【００３８】請求項３に係る発明の基板処理方法では、
洗浄もしくはエッチング工程および水洗工程が１つの処
理槽内において、いわゆるワンバス方式で行われる。

【００３９】請求項４に係る発明の基板処理方法による
と、シリコンウエハ等の基板の表面構造が複雑化して
も、基板表面を洗浄するための洗浄液中に界面活性剤を
添加する場合と同様に基板表面に残存した不純物を完全
に除去することが可能であり、かつ、界面活性剤を用い
た場合のようにデバイス特性に悪影響を及ぼす、といっ
た不都合を生じることが無く、装置コストや保守費用が
低減して製品コストを低く抑えることができる。

【００４０】請求項５ないし請求項７に係る各発明の基
板処理装置を使用すると、それぞれ請求項１に係る発明
の基板処理方法を好適に実施することができて、上記効
果を得ることができる。

【００４１】請求項８に係る発明の基板処理装置を使用
すると、請求項４に係る発明の基板処理方法を好適に実
施することができて、上記効果を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る基板処理方法を実施するのに使
用される基板処理装置の概略構成の１例を示す模式図で
ある。

【符号の説明】

１０、１２、１４ 処理槽 １６ 最終水洗・乾燥部 １８、２０、２２ 給液部 ２４ 給水部 ２６、２８、３０ 薬液供給源 ３２ 純水供給源 ３４ ＩＰＡ供給源

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を薬液中に浸漬させて洗浄もしくは
   エッチングする洗浄もしくはエッチング工程と、 基板を純水中に浸漬させて水洗する水洗工程と、 基板を乾燥させる乾燥工程とを有する基板処理方法にお
   いて、 前記水洗工程で純水中に低沸点溶媒を添加し、前記乾燥
   工程で基板を減圧乾燥させることを特徴とする基板処理
   方法。
2. 【請求項２】 低沸点溶媒がアルコール類である請求項
   １記載の基板処理方法。
3. 【請求項３】 洗浄もしくはエッチング工程および水洗
   工程が１つの処理槽内において行われる請求項１または
   請求項２記載の基板処理方法。
4. 【請求項４】 基板を洗浄液中に浸漬させて洗浄する洗
   浄工程と、 基板を乾燥させる乾燥工程とを有する基板処理方法にお
   いて、 前記洗浄工程で洗浄液中にアルコール類を添加し、前記
   乾燥工程で基板を減圧乾燥させることを特徴とする基板
   処理方法。
5. 【請求項５】 底部に液体供給口を有するとともに上部
   に液体が溢れ出す溢流部を有し、内部に基板が搬入され
   て収容される処理槽と、 この処理槽内へ前記液体供給口を通して基板の洗浄もし
   くはエッチングのための薬液を供給する薬液供給手段
   と、 前記処理槽内へ前記液体供給口を通して基板の水洗のた
   めの純水を供給する純水供給手段と、 前記薬液供給手段と純水供給手段とを切り替えて前記処
   理槽内へ前記液体供給口を通して薬液または純水を択一
   的に供給させるための供給切替え手段と、 基板を乾燥させる基板乾燥部とを備えた基板処理装置に
   おいて、 前記純水供給手段によって前記処理槽内へ供給される純
   水中に低沸点溶媒を添加する低沸点溶媒供給手段を設
   け、前記基板乾燥部で基板を減圧乾燥させるようにした
   ことを特徴とする基板処理装置。
6. 【請求項６】 底部に薬液供給口を有するとともに上部
   に薬液が溢れ出す薬液溢流部を有し、内部に基板が搬入
   されて収容される薬液槽と、 この薬液槽内へ前記薬液供給口を通して基板の洗浄もし
   くはエッチングのための薬液を供給する薬液供給手段
   と、 底部に純水供給口を有するとともに上部に純水が溢れ出
   す純水溢流部を有し、内部に基板が搬入されて収容され
   る純水槽と、 この純水槽内へ前記純水供給口を通して基板の水洗のた
   めの純水を供給する純水供給手段と、 前記薬液槽から前記純水槽へ基板を移送する基板移送手
   段と、 基板を乾燥させる基板乾燥部とを備えた基板処理装置に
   おいて、 前記純水供給手段によって前記純水槽内へ供給される純
   水中に低沸点溶媒を添加する低沸点溶媒供給手段を設
   け、前記基板乾燥部で基板を減圧乾燥させるようにした
   ことを特徴とする基板処理装置。
7. 【請求項７】 少なくとも、底部に純水供給口を有する
   とともに上部に純水が溢れ出す純水溢流部を有し内部に
   基板が搬入されて収容される最終水洗槽と、 この最終水洗槽内へ前記純水供給口を通して基板の最終
   水洗のための純水を供給する純水供給手段と、 基板を乾燥させる基板乾燥部とを備えた基板処理装置に
   おいて、 前記純水供給手段によって前記最終水洗槽内へ供給され
   る純水中に低沸点溶媒を添加する低沸点溶媒供給手段を
   設け、前記基板乾燥部で基板を減圧乾燥させるようにし
   たことを特徴とする基板処理装置。
8. 【請求項８】 底部に洗浄液供給口を有するとともに上
   部に洗浄液が溢れ出す洗浄液溢流部を有し、内部に基板
   が搬入されて収容される洗浄槽と、 この洗浄槽内へ前記洗浄液供給口を通して基板の洗浄の
   ための洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、 基板を乾燥させる基板乾燥部とを備えた基板処理装置に
   おいて、 前記洗浄液供給手段によって前記洗浄槽内へ供給される
   洗浄液中にアルコール類を添加するアルコール供給手段
   を設け、前記基板乾燥部で基板を減圧乾燥させるように
   したことを特徴とする基板処理装置。