JPH11283893A - デバイス製造装置 - Google Patents
デバイス製造装置Info
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- JPH11283893A JPH11283893A JP9997598A JP9997598A JPH11283893A JP H11283893 A JPH11283893 A JP H11283893A JP 9997598 A JP9997598 A JP 9997598A JP 9997598 A JP9997598 A JP 9997598A JP H11283893 A JPH11283893 A JP H11283893A
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- device manufacturing
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Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/30—Computing systems specially adapted for manufacturing
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Management, Administration, Business Operations System, And Electronic Commerce (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- General Factory Administration (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 管理計算機側を改造することなく、オペレー
タのオペレーションミスがあった場合にも管理計算機に
よる管理が好適に行なえるデバイス製造装置を提供す
る。 【解決手段】 自らの装置状態を計測可能な機能を有
し、計測データ収集モードの開始と終了を行なうことが
できるデバイス製造装置１と、各デバイス製造装置の状
態を管理する管理計算機２とをオンライン接続し、オン
ラインにより、オペレータが製造装置側の計測コマンド
を実行することにより管理計算機にその結果を報告する
システムにおいて、オペレータのオペレーションミスに
よる誤計測を製造装置から管理計算機に報告しないよう
に構成する。
タのオペレーションミスがあった場合にも管理計算機に
よる管理が好適に行なえるデバイス製造装置を提供す
る。 【解決手段】 自らの装置状態を計測可能な機能を有
し、計測データ収集モードの開始と終了を行なうことが
できるデバイス製造装置１と、各デバイス製造装置の状
態を管理する管理計算機２とをオンライン接続し、オン
ラインにより、オペレータが製造装置側の計測コマンド
を実行することにより管理計算機にその結果を報告する
システムにおいて、オペレータのオペレーションミスに
よる誤計測を製造装置から管理計算機に報告しないよう
に構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、管理計算機に接続
されて半導体デバイスや液晶デバイスの製造ラインを構
成するデバイス製造装置に関する。
されて半導体デバイスや液晶デバイスの製造ラインを構
成するデバイス製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイスの製造
ラインでは各半導体製造装置がオンラインにより、管理
計算機に接続されているのが一般的である。このような
製造ラインでは各装置状態の管理のために、装置のメン
テナンス用計測を行なうが、管理計算機がこの計測値を
管理する場合、各装置から管理計算機に送信された計測
値を管理することになる。この計測値を管理計算機に送
信するタイミングとしては、管理計算機が装置に計測指
令を送信しその結果として計測値を送信するものと、オ
ペレータが装置を操作して計測指令を出しその結果を管
理計算機に送信するものとがある。この時、計測を行な
う前準備およびその確認については、前者は管理計算機
が行ない、後者はオペレータが行なう。
ラインでは各半導体製造装置がオンラインにより、管理
計算機に接続されているのが一般的である。このような
製造ラインでは各装置状態の管理のために、装置のメン
テナンス用計測を行なうが、管理計算機がこの計測値を
管理する場合、各装置から管理計算機に送信された計測
値を管理することになる。この計測値を管理計算機に送
信するタイミングとしては、管理計算機が装置に計測指
令を送信しその結果として計測値を送信するものと、オ
ペレータが装置を操作して計測指令を出しその結果を管
理計算機に送信するものとがある。この時、計測を行な
う前準備およびその確認については、前者は管理計算機
が行ない、後者はオペレータが行なう。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、オペレ
ータが装置を操作し、計測を行なう場合は、計測のため
の前準備のミスやオペレーションミスなどにより異常デ
ータが計測されても、その結果をそのまま報告してしま
う。例としては半導体露光装置にパターンマスクをレン
ズ上に載せたまま、照度ムラ計測を行なった場合などで
ある。
ータが装置を操作し、計測を行なう場合は、計測のため
の前準備のミスやオペレーションミスなどにより異常デ
ータが計測されても、その結果をそのまま報告してしま
う。例としては半導体露光装置にパターンマスクをレン
ズ上に載せたまま、照度ムラ計測を行なった場合などで
ある。
【０００４】そのため装置に異常がない状態であって
も、管理計算機は異常があったと認識してしまう問題が
ある。
も、管理計算機は異常があったと認識してしまう問題が
ある。
【０００５】また、管理計算機により装置の過渡変化を
診断したり、データの編集を行なうためにも、このオペ
レーションミスによる異常データは診断やデータの管理
に大きな不具合となる。
診断したり、データの編集を行なうためにも、このオペ
レーションミスによる異常データは診断やデータの管理
に大きな不具合となる。
【０００６】このような欠点を解消するために、管理計
算機が装置に各指令を与える方式に変更し計測前の準備
などを自動または管理計算機からの指令で行なうように
する場合、管理計算機および装置双方に改造が必要とな
り多大な経費や手間が生じる。
算機が装置に各指令を与える方式に変更し計測前の準備
などを自動または管理計算機からの指令で行なうように
する場合、管理計算機および装置双方に改造が必要とな
り多大な経費や手間が生じる。
【０００７】本発明は、上述の従来例における問題点に
鑑みてなされたもので、管理計算機側の改造を要するこ
となく、オペレータのオペレーションミスがあった場合
にも管理計算機による管理が好適に行なえるデバイス製
造装置を提供することを目的とする。
鑑みてなされたもので、管理計算機側の改造を要するこ
となく、オペレータのオペレーションミスがあった場合
にも管理計算機による管理が好適に行なえるデバイス製
造装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明では、自らの装置状態を自動的に計測する手
段を有する単数または複数のデバイス製造装置と、該デ
バイス製造装置を管理する管理計算機と、管理計算機と
デバイス製造装置間の情報を結ぶネットワークとを持つ
デバイス製造ラインに用いられるデバイス製造装置であ
って、前記自動計測したデータのなかで有効なデータの
みを管理計算機に報告する手段を有することを特徴とす
る。
め、本発明では、自らの装置状態を自動的に計測する手
段を有する単数または複数のデバイス製造装置と、該デ
バイス製造装置を管理する管理計算機と、管理計算機と
デバイス製造装置間の情報を結ぶネットワークとを持つ
デバイス製造ラインに用いられるデバイス製造装置であ
って、前記自動計測したデータのなかで有効なデータの
みを管理計算機に報告する手段を有することを特徴とす
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態において
は、デバイス製造装置としての半導体製造装置側に計測
データの収集を行なうモードを設け、該半導体製造装置
はその収集モードである間のみ該当するデータの収集を
行なう。そして、装置側の収集モード終了時に計測デー
タを管理計算機に報告する。この報告するデータは対象
となる計測の最新の結果のみを報告する。
は、デバイス製造装置としての半導体製造装置側に計測
データの収集を行なうモードを設け、該半導体製造装置
はその収集モードである間のみ該当するデータの収集を
行なう。そして、装置側の収集モード終了時に計測デー
タを管理計算機に報告する。この報告するデータは対象
となる計測の最新の結果のみを報告する。
【００１０】これによりオペレータの操作による計測に
おいて、計測失敗はオペレータが計測後その結果を見る
ことや、計測条件の再確認を行なうことにより判断でき
るため、計測失敗時は再度計測を行なうことにより、収
集モード終了時に管理計算機に報告する計測データは正
常な計測データのみを報告することが可能になるので、
管理計算機は正常な計測データのみを管理することが可
能となる。
おいて、計測失敗はオペレータが計測後その結果を見る
ことや、計測条件の再確認を行なうことにより判断でき
るため、計測失敗時は再度計測を行なうことにより、収
集モード終了時に管理計算機に報告する計測データは正
常な計測データのみを報告することが可能になるので、
管理計算機は正常な計測データのみを管理することが可
能となる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図１は本発明の実施例に係る半導体製造ラインの構
成を示す。同図において、１は露光装置などの半導体製
造装置、２は各製造装置の状態を管理する管理計算機、
３は各製造装置と管理計算機をオンラインで結ぶための
ネットワーク網である。
る。図１は本発明の実施例に係る半導体製造ラインの構
成を示す。同図において、１は露光装置などの半導体製
造装置、２は各製造装置の状態を管理する管理計算機、
３は各製造装置と管理計算機をオンラインで結ぶための
ネットワーク網である。
【００１２】図２は図１の半導体製造ラインにおける製
造装置１側での計測データ収集および送信のフローチャ
ートを示す。先に計測データ収集モードの開始および終
了について説明する。計測データ収集モードの開始と終
了はオペレータが開始または終了を装置に対しスイッチ
操作またはコマンド入力を行なうことにより設定され
る。
造装置１側での計測データ収集および送信のフローチャ
ートを示す。先に計測データ収集モードの開始および終
了について説明する。計測データ収集モードの開始と終
了はオペレータが開始または終了を装置に対しスイッチ
操作またはコマンド入力を行なうことにより設定され
る。
【００１３】収集モード開始は、開始のスイッチ操作や
コマンド入力が行なわれた時からでも良いし、装置立ち
上がりおよびステップ１の収集モード終了判定後ステッ
プ４に行った時点でそのまま収集モード開始としても良
い。
コマンド入力が行なわれた時からでも良いし、装置立ち
上がりおよびステップ１の収集モード終了判定後ステッ
プ４に行った時点でそのまま収集モード開始としても良
い。
【００１４】収集モード開始にスイッチやコマンドを設
ける前者の場合、スイッチまたはコマンドにより収集モ
ードを開始した時から収集モードの終了のスイッチやコ
マンドにより収集モードを終了した時までがデータ収集
モード中となる。
ける前者の場合、スイッチまたはコマンドにより収集モ
ードを開始した時から収集モードの終了のスイッチやコ
マンドにより収集モードを終了した時までがデータ収集
モード中となる。
【００１５】収集モード開始に装置立ち上がりおよびス
テップ１の収集モード終了判定後のステップ４でそのま
ま収集モード開始とする後者の場合は常時データ収集モ
ードであり、収集モード終了のスイッチ操作またはコマ
ンド入力が行なわれた時が収集データの送信タイミング
となる。
テップ１の収集モード終了判定後のステップ４でそのま
ま収集モード開始とする後者の場合は常時データ収集モ
ードであり、収集モード終了のスイッチ操作またはコマ
ンド入力が行なわれた時が収集データの送信タイミング
となる。
【００１６】製造装置が立ち上がると、データを収集す
るか否かの判断のために計測データ収集モードか否かの
判断を行なう（ステップ１）。計測データ収集モード中
であれば収集するデータが有るか無いかを判断するステ
ップ２に進む。収集モード中でなければ終了であり、そ
れまでにステップ３で収集したデータが有るか無いかを
判別するステップ４に進む。
るか否かの判断のために計測データ収集モードか否かの
判断を行なう（ステップ１）。計測データ収集モード中
であれば収集するデータが有るか無いかを判断するステ
ップ２に進む。収集モード中でなければ終了であり、そ
れまでにステップ３で収集したデータが有るか無いかを
判別するステップ４に進む。
【００１７】収集する計測データはオペレータが計測操
作を行なうことにより生成される。計測データ収集モー
ドであれば、新たに生成された収集データが有るか無い
か確認する（ステップ２）。新たに生成された収集デー
タがなければステップ１に戻り、オペレータ操作により
新たに生成された収集データが存在した時は、データの
編集を行なうステップ３に進む。
作を行なうことにより生成される。計測データ収集モー
ドであれば、新たに生成された収集データが有るか無い
か確認する（ステップ２）。新たに生成された収集デー
タがなければステップ１に戻り、オペレータ操作により
新たに生成された収集データが存在した時は、データの
編集を行なうステップ３に進む。
【００１８】新たな収集データがあった場合、収集する
計測データの項目毎に有効データのみを残すように編集
する。この編集においては、各収集項目毎の最新の計測
データを有効なデータとし、それ以前に収集されたデー
タは破棄する（ステップ３）。
計測データの項目毎に有効データのみを残すように編集
する。この編集においては、各収集項目毎の最新の計測
データを有効なデータとし、それ以前に収集されたデー
タは破棄する（ステップ３）。
【００１９】ステップ１でデータ収集モードでない（終
了）と判断したら、ステップ３で編集されている有効な
データが有るか無いかの判定を行なう（ステップ４）。
データが有れば管理計算機にデータを送信するステップ
５に進む。データが無い場合はステップ１に戻る。
了）と判断したら、ステップ３で編集されている有効な
データが有るか無いかの判定を行なう（ステップ４）。
データが有れば管理計算機にデータを送信するステップ
５に進む。データが無い場合はステップ１に戻る。
【００２０】ステップ４において、ステップ３で編集さ
れた有効なデータがあると判断されたら、そのデータを
管理計算機に送信する。データを送信し終えたら、ステ
ップ３で編集されたデータを破棄する（ステップ５）。
この後ステップ１に戻る。
れた有効なデータがあると判断されたら、そのデータを
管理計算機に送信する。データを送信し終えたら、ステ
ップ３で編集されたデータを破棄する（ステップ５）。
この後ステップ１に戻る。
【００２１】図３は図２で示したフローチャートに沿っ
た実施例に係る計測データの流れを示す。この例は、半
導体露光装置がＳＥＣＳの規定に従いオンラインにより
管理計算機接続されており、計測データの収集の対象
は、照明モード１のレンズ照度ムラ計測、照明モード２
のレンズ照度ムラ測定、レンズディストーション測定の
３つを収集データの対象としている。計測データ収集モ
ードが開始してから、照明モード１のレンズ照度ムラ計
測、照明モード２のレンズ照度ムラ計測、レンズディス
トーション測定、照明モード１のレンズ照度ムラ計測と
いう順番で計測を行なった例である。
た実施例に係る計測データの流れを示す。この例は、半
導体露光装置がＳＥＣＳの規定に従いオンラインにより
管理計算機接続されており、計測データの収集の対象
は、照明モード１のレンズ照度ムラ計測、照明モード２
のレンズ照度ムラ測定、レンズディストーション測定の
３つを収集データの対象としている。計測データ収集モ
ードが開始してから、照明モード１のレンズ照度ムラ計
測、照明モード２のレンズ照度ムラ計測、レンズディス
トーション測定、照明モード１のレンズ照度ムラ計測と
いう順番で計測を行なった例である。
【００２２】まず、オペレータが計測データ収集モード
開始のスイッチを入れると、計測モード開始のストリー
ムファンクションＳ６Ｆ１１が装置１から管理計算機２
に報告される（オペレーション１）。
開始のスイッチを入れると、計測モード開始のストリー
ムファンクションＳ６Ｆ１１が装置１から管理計算機２
に報告される（オペレーション１）。
【００２３】次にオペレータが照明モード１のレンズ照
度ムラ計測を行なう。この計測データ（データ１）はこ
の時点では管理計算機へは報告されず照明モード１のレ
ンズ照度ムラ計測の計測結果格納場所１１に保存される
（オペレーション２）。
度ムラ計測を行なう。この計測データ（データ１）はこ
の時点では管理計算機へは報告されず照明モード１のレ
ンズ照度ムラ計測の計測結果格納場所１１に保存される
（オペレーション２）。
【００２４】次にオペレータが照明モード２のレンズ照
度ムラ計測を行なう。この計測データ（データ２）は照
明モード２のレンズ照度ムラ計測の計測結果格納場所１
２に保存される（オペレーション３）。
度ムラ計測を行なう。この計測データ（データ２）は照
明モード２のレンズ照度ムラ計測の計測結果格納場所１
２に保存される（オペレーション３）。
【００２５】次にオペレータがレンズディストーション
測定を行なう。この計測データ（データ３）はレンズデ
ィストーション測定の計測結果格納場所１３に保存され
る（オペレーション４）。
測定を行なう。この計測データ（データ３）はレンズデ
ィストーション測定の計測結果格納場所１３に保存され
る（オペレーション４）。
【００２６】次にオペレータは先ほど行なった照明モー
ド１のレンズ照度ムラ計測のオペレーションミスに気が
付き再度照明モード１のレンズ照度ムラ計測を行なう。
この計測データ（データ４）は照明モード１のレンズ照
度ムラ計測の計測結果格納場所１１に保存されデータ１
は破棄される（オペレーション５）。
ド１のレンズ照度ムラ計測のオペレーションミスに気が
付き再度照明モード１のレンズ照度ムラ計測を行なう。
この計測データ（データ４）は照明モード１のレンズ照
度ムラ計測の計測結果格納場所１１に保存されデータ１
は破棄される（オペレーション５）。
【００２７】オペレータが計測データ収集モード終了の
スイッチを入れるとデータ２、３、４をストリームファ
ンクションＳ６Ｆ９にて報告した後、計測モード終了の
ストリームファンクションＳ６Ｆ１１が装置１から管理
計算機２に報告される。
スイッチを入れるとデータ２、３、４をストリームファ
ンクションＳ６Ｆ９にて報告した後、計測モード終了の
ストリームファンクションＳ６Ｆ１１が装置１から管理
計算機２に報告される。
【００２８】本実施例によれば、オペレータの操作によ
る計測において、計測失敗はオペレータが計測後その結
果を見ることや、計測条件の再確認を行なうことにより
判断できる。したがって、計測失敗時は再度計測を行な
うことにより、失敗した計測データは破棄されて再計測
による正常なデータのみが残る。すなわち、収集モード
終了時に管理計算機に報告する計測データは正常な計測
データのみとなる。これにより、管理計算機は正常な計
測データのみを報告され、正常な計測データのみを管理
することが可能となる。
る計測において、計測失敗はオペレータが計測後その結
果を見ることや、計測条件の再確認を行なうことにより
判断できる。したがって、計測失敗時は再度計測を行な
うことにより、失敗した計測データは破棄されて再計測
による正常なデータのみが残る。すなわち、収集モード
終了時に管理計算機に報告する計測データは正常な計測
データのみとなる。これにより、管理計算機は正常な計
測データのみを報告され、正常な計測データのみを管理
することが可能となる。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、管理計
算機側を改造することなく、オペレータのオペレーショ
ンミスがあった場合にも正常な計測データのみを管理計
算機に報告することができ、管理計算機による管理を好
適に行なうことができる。
算機側を改造することなく、オペレータのオペレーショ
ンミスがあった場合にも正常な計測データのみを管理計
算機に報告することができ、管理計算機による管理を好
適に行なうことができる。
【００３０】
【デバイス生産方法の実施例】次に上記説明した露光装
置を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
図４は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、
液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン
等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）で
はデバイスのパターン設計を行なう。ステップ２（マス
ク製作）では設計したパターンを形成したマスクを製作
する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコンや
ガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエ
ハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立
て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製された
ウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセ
ンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージ
ング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６
（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こう
した工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷
（ステップ７）される。
置を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
図４は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、
液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン
等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）で
はデバイスのパターン設計を行なう。ステップ２（マス
ク製作）では設計したパターンを形成したマスクを製作
する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコンや
ガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエ
ハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立
て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製された
ウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセ
ンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージ
ング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６
（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こう
した工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷
（ステップ７）される。
【００３１】図５は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した半導体製造ラインに
おける半導体露光装置によってマスクの回路パターンを
ウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光
したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）で
は現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ
１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要とな
ったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し
行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが
形成される。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した半導体製造ラインに
おける半導体露光装置によってマスクの回路パターンを
ウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光
したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）で
は現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ
１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要とな
ったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し
行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが
形成される。
【００３２】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
【図１】 本発明の実施例に係る半導体製造ラインの構
成を示す。
成を示す。
【図２】 図１の半導体製造ラインにおける製造装置１
側での計測データ収集および送信のフローチャートを示
す。
側での計測データ収集および送信のフローチャートを示
す。
【図３】 図２で示したフローチャートに沿った実施例
に係る計測データの流れを示す。
に係る計測データの流れを示す。
【図４】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。
【図５】 図４におけるウエハプロセスの詳細な流れを
示す図である。
示す図である。
１：半導体製造装置、２：半導体製造装置管理計算機、
３：半導体製造装置と半導体製造装置管理計算機を結ぶ
ネットワーク網。
３：半導体製造装置と半導体製造装置管理計算機を結ぶ
ネットワーク網。
Claims (4)
- 【請求項１】 自らの装置状態を自動的に計測する手段
を有する単数または複数のデバイス製造装置と、該デバ
イス製造装置を管理する管理計算機と、管理計算機とデ
バイス製造装置間の情報を結ぶネットワークとを持つデ
バイス製造ラインにおける前記デバイス製造装置であっ
て、前記自動計測したデータのなかで有効なデータのみ
を管理計算機に報告する手段を有することを特徴とする
デバイス製造装置。 - 【請求項２】 前記デバイス製造装置は、計測データを
収集するモードを有し、前記報告手段は、本収集モード
終了時に、その収集モード中に集計した計測データのな
かで計測項目毎の最後に計測したデータを有効データと
して管理計算機に報告することを特徴とする請求項１記
載のデバイス製造装置。 - 【請求項３】 前記収集モードは、オペレータにより設
定されることを特徴とする請求項２記載のデバイス製造
装置。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載のデバイ
ス製造装置を用いてデバイスを製造することを特徴とす
るデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9997598A JPH11283893A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | デバイス製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9997598A JPH11283893A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | デバイス製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11283893A true JPH11283893A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=14261679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9997598A Pending JPH11283893A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | デバイス製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11283893A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002217093A (ja) * | 2001-01-23 | 2002-08-02 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
-
1998
- 1998-03-30 JP JP9997598A patent/JPH11283893A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002217093A (ja) * | 2001-01-23 | 2002-08-02 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
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