JPH11283495A - プラズマディスプレイパネルの製造方法および転写フィルム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラズマディスプレイパネルの各表示セルを
構成する電極の形成において、高精細パターンの形成が
可能となり、また従来の方法に比べて実質的に作業性を
向上させることができるプラズマディスプレイパネルの
製造方法を提供する。 【解決手段】 支持フィルム上に形成された反射防止膜
形成用ペースト層を基板上に転写し、別の支持フィルム
上に形成された導電性ペースト層を反射防止膜形成用ペ
ースト層上に転写し、導電性ペースト層上にレジスト膜
を形成し、当該レジスト膜を露光処理して、レジストパ
ターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理して
レジストパターンを顕在化させ、導電性ペースト層およ
び反射防止膜形成用ペースト層をエッチング処理してレ
ジストパターンに対応する導電性ペースト層および反射
防止膜形成用ペースト層のパターンを形成し、当該パタ
ーンを焼成処理する工程を含む方法により、電極を形成
することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製
造方法を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネルの各表示セルを構成する電極の形成におい
て、高精細パターンの形成が可能となり、また転写フィ
ルムを使用することにより従来の方法に比べて実質的に
作業性を向上させることができるプラズマディスプレイ
パネルの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
は、大型パネルでありながら製造プロセスが容易である
こと、視野角が広いこと、自発光タイプで表示品位が高
いこと等の理由から、フラットパネル表示技術の中で注
目されており、特にカラープラズマディスプレイパネル
は、２０インチ以上の壁掛けＴＶ用の表示デバイスとし
て将来主流になるものと期待されている。カラーＰＤＰ
は、ガス放電により発生する紫外線を蛍光体に照射する
ことによってカラー表示が可能になる。そして、一般
に、カラーＰＤＰにおいては、赤色発光用の蛍光体部
位、緑色発光用の蛍光体部位及び青色発光用の蛍光体部
位が基板上に形成されることにより、各色の発光表示セ
ルが全体に均一に混在した状態に構成されている。具体
的には、ガラス等からなる基板の表面に、バリアリブと
称される絶縁性材料からなる隔壁が設けられており、こ
の隔壁によって多数の表示セルが区画され、当該表示セ
ルの内部がプラズマ作用空間になる。そして、このプラ
ズマ作用空間に螢光体部位が設けられるとともに、この
螢光体部位にプラズマを作用させる電極が設けられるこ
とにより、各々の表示セルを表示単位とするプラズマデ
ィスプレイパネルが構成される。

【０００３】ＡＣ型ＰＤＰの構造の一例を図１に示す。
前面基板ガラスには、透明電極上にバス電極が形成され
た一対の維持電極をストライプ状に複数形成し、その上
を誘電体層で覆い、さらにその上に保護膜であるＭｇＯ
膜を蒸着する。また、プラズマディスプレイパネルのコ
ントラストを向上させるために、赤色、緑色、青色のカ
ラーフィルターやブラックマトリックスを誘電体層の下
に設ける場合がある。一方背面基板ガラス上には、信号
電極をストライプ状に複数形成し、信号電極間に隔壁を
設け、この隔壁の側面および底面に蛍光体層を形成す
る。前記前面基板の維持電極と背面基板の信号電極が垂
直方向になるように張り合わせてシールし、内部にネオ
ンとキセノンの混合ガスを導入する。

【０００４】ＤＣ型ＰＤＰの構造の一例を図２に示す。
前面基板ガラスには、陰極電極をストライプ状に複数形
成する。一方、背面基板ガラス上には、表示陽極と補助
陽極の電極端子およびリードを形成し、さらに陽極端子
と陽極リードの間、補助陽極端子と補助陽極リードの間
には抵抗体を設ける。また、背面基板上の表示陽極端子
と補助陽極端子の部分を除いて誘電体で絶縁する。次い
で放電空間を区画するために隔壁を格子状に設け、この
隔壁側面と陽極端子を除く底面には蛍光体層を形成す
る。前記前面基板の陰極と背面基板の表示陽極、補助陽
極が垂直方向になるように張り合わせてシールし、内部
にネオンとキセノンの混合ガスを導入する。

【０００５】例えば、このようなプラズマディスプレイ
パネルの前面基板に形成される透明電極上のバス電極の
製造方法としては、（１）金属薄膜をスパッタや蒸着な
どで形成し、レジストを塗布、露光、現像後にエッチン
グ液により金属薄膜のパターンを形成するエッチング
法、（２）非感光性の導電性ペースト組成物を基板上に
スクリーン印刷してパターンを得、これを焼成するスク
リーン印刷法、（３）感光性の導電性ペースト組成物の
膜を基板上に形成し、この膜にフォトマスクを介して紫
外線を照射した上で現像することにより基板上にパター
ンを残存させ、これを焼成するフォトリソグラフィー法
などが知られている。また、上記の製造方法を用いて電
極を形成する場合、例えば導電性ペースト層に銀を主成
分とした導電性物質を使用すると、前面基板上に形成さ
れる電極はシルバー色の金属光沢を有するものとなり、
パネルとして画像表示を行うと外光反射が大きく、コン
トラストの低い表示しか得られないという問題がある。
この場合は、導電性ペーストの下に反射防止膜を設ける
ことで外光反射を低減する方法が知られている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記エ
ッチング法では、大型の真空設備が必要なこと、工程上
のスループットが遅いなどの問題がある。前記スクリー
ン印刷法では、パネルの大型化および高精細化に伴い、
パターンの位置精度の要求が非常に厳しくなり、通常の
印刷では対応できないという問題がある。また、前記フ
ォトリソグラフィー法では、５〜２０μｍの膜厚を有す
るパターンを形成する際、導電性ペースト層の深さ方向
に対する感度が不十分であり、現像マージンの広い材料
が得られるものとはならなかった。さらに、上記製造方
法において、外光反射を防止するために反射防止膜を設
ける場合、反射防止膜形成用ペースト組成物を塗布、乾
燥後、導電性ペースト組成物を塗布、乾燥して、反射防
止膜形成用ペースト層と導電性ペースト層を形成しなけ
ればならず、工程数が多いという問題がある。

【０００７】そこで、上記のようなエッチング法、スク
リーン印刷法およびフォトリソグラフィー法で見られる
問題を解決する手段として、本発明者らは、感光性成分
であるレジスト膜と導電性ペースト層を分離し、さらに
レジスト膜と導電性ペースト層との積層膜を支持フィル
ム上に形成し、支持フィルム上に形成された積層膜を基
板上に転写し、当該積層膜を構成するレジスト膜を露光
処理してレジストパターンの潜像を形成し、当該レジス
ト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、導
電性ペースト層をエッチング処理してレジストパターン
に対応する導電性ペースト層のパターンを形成し、当該
パターンを焼成処理する工程を含む方法により、前記基
板の表面に電極を形成する工程を含むＰＤＰの製造方法
を提案している（特願平９−３４０５１４号明細書参
照）。このような製造方法によれば、高精細パターンの
形成が可能で表面の均一性に優れた電極を形成すること
ができ、また、膜形成材料層が支持フィルム上に形成さ
れてなる複合フィルム（以下、「転写フィルム」ともい
う。）は、これをロール状に巻き取って保存することが
できる点でも有利である。

【０００８】本発明の第１の目的は、新規な電極の形成
方法を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法を
提供することにある。本発明の第２の目的は、寸法精度
の高いパターンを形成することのできるプラズマディス
プレイパネルの製造方法を提供することにある。本発明
の第３の目的は、従来の製造方法に比べて、実質的に作
業性を向上することができる製造効率の優れたプラズマ
ディスプレイパネルの製造方法を提供することにある。
本発明の第４の目的は、電極層の下に黒色層を設けるこ
とで、外光反射を抑制でき、コントラストの高いディス
プレイを形成することのできるプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明のプラズマディス
プレイパネルの製造方法は、支持フィルム上に形成され
た導電性ペースト層と反射防止膜形成用ペースト層を用
いて、電極を形成することを特徴とする。具体的には、
支持フィルム上に形成された反射防止膜形成用ペースト
層を基板上に転写し、別の支持フィルム上に形成された
導電性ペースト層を反射防止膜形成用ペースト層上に転
写し、導電性ペースト層上にレジスト膜を形成し、当該
レジスト膜を露光処理して、レジストパターンの潜像を
形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパター
ンを顕在化させ、導電性ペースト層および無機顔料含有
ペースト層をエッチング処理してレジストパターンに対
応する導電性ペースト層および反射防止膜形成用ペース
ト層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理する
工程を含む方法により、電極を形成することを特徴とす
る。

【００１０】本発明の製造方法における好ましい実施形
態は次のとおりである （ａ）エッチング液がアルカリ性溶液であること。 （ｂ）現像処理に使用する現像液と、エッチング処理に
使用するエッチング液が同一の溶液であること。 （ｃ）反射防止膜形成用ペーストおよび導電性ペースト
の構成成分である結着樹脂が、アクリル樹脂であるこ
と。

【００１１】また、本発明の製造方法は、レジスト膜と
導電性ペースト層および反射防止膜形成用ペースト層と
の積層膜を支持フィルム上に形成し、支持フィルム上に
形成された積層膜を基板上に転写し、当該積層膜を構成
するレジスト膜を露光処理してレジストパターンの潜像
を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパタ
ーンを顕在化させ、導電性ペースト層および反射防止膜
形成用ペースト層をエッチング処理してレジストパター
ンに対応する導電性ペースト層および反射防止膜形成用
ペースト層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処
理する工程を含む方法により、電極を形成することを特
徴とする。

【００１２】

【作用】本発明の製造方法において、導電性ペースト層
は、導電性粒子を分散させた導電性ペースト組成物を、
また反射防止膜形成用ペースト層は、無機顔料を分散さ
せた反射防止膜形成用ペースト組成物を、剛性を有する
基板上に直接塗布して形成されるのではなく、可撓性を
有する支持フィルム上に塗布することにより形成され
る。このため、当該ペースト状組成物の塗布方法とし
て、ロールコータなどによる塗布方法を採用することが
でき、これにより、膜厚が大きくて、かつ、膜厚の均一
性に優れた導電性ペースト層および反射防止膜形成用ペ
ースト層（例えば１〜２０μｍ±１μｍ）を支持フィル
ム上に形成することが可能となる。そして、このように
して形成された導電性ペースト層および反射防止膜形成
用ペースト層を基板の表面に対して一括転写するという
簡単な操作により、当該導電性ペースト層および反射防
止膜形成用ペースト層を基板上に確実に形成することが
できる。従って本発明の製造方法によれば、導電性ペー
スト層および反射防止膜形成用ペースト層の形成工程に
おける工程改善（高効率化）を図ることができるととも
に、形成されるパターンの品質の向上（高精細化）を図
ることができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の製造方法について
詳細に説明する。本発明の製造方法においては、〔１〕
反射防止膜形成用ペースト層の転写工程、〔２〕導電性
ペースト層の転写工程、〔３〕レジスト膜の形成工程、
〔４〕レジスト膜の露光工程、〔５〕レジスト膜の現像
工程、〔６〕導電性ペースト層および反射防止膜形成用
ペースト層のエッチング工程、〔７〕導電性ペースト層
および反射防止膜形成用ペースト層パターンの焼成工程
により、電極を形成する。

【００１４】＜反射防止膜形成用ペースト層の転写工程
＞図３および図４は、本発明の製造方法における反射防
止膜形成用ペースト層の形成工程の一例を示す概略断面
図である。図３（イ）において、１１はガラス基板、２
１はパターニングされた透明電極である。

【００１５】本発明の製造方法においては、転写フィル
ムを使用し、当該転写フィルムを構成する反射防止膜形
成用ペースト層を透明電極付き基板の表面に転写する点
に特徴を有するものである。ここに、転写フィルムは、
支持フィルムと、この支持フィルム上に形成された反射
防止膜形成用ペースト層とを有してなり、当該反射防止
膜形成用ペースト層の表面には保護フィルム層が設けら
れていてもよい。転写フィルムの具体的構成については
後述する。

【００１６】転写工程の一例を示せば以下のとおりであ
る。必要に応じて使用される転写フィルムの保護フィル
ム層を剥離した後、図３（ロ）に示すように、透明電極
２１付きのガラス基板１１の表面に、反射防止膜形成用
ペースト層３１の表面が当接されるように転写フィルム
３０を重ね合わせ、この転写フィルム３０を加熱ローラ
などにより熱圧着した後、反射防止膜形成用ペースト層
３１から支持フィルム３２を剥離除去する。これによ
り、図３（ハ）に示すように、透明電極２１付きのガラ
ス基板１１の表面に反射防止膜形成用ペースト層３１が
転写されて密着した状態となる。ここで、転写条件とし
ては、例えば、加熱ローラの表面温度が８０〜１４０
℃、加熱ローラによるロール圧が１〜５ｋｇ／ｃｍ² 、
加熱ローラの移動速度が０．１〜１０．０ｍ／分を示す
ことができる。また、ガラス基板は予熱されていてもよ
く、予熱温度としては例えば４０〜１００℃とすること
ができる。

【００１７】＜導電性ペースト層の転写工程＞本発明の
製造方法においては、転写フィルムを使用し、当該転写
フィルムを構成する導電性ペースト層を反射防止膜形成
用ペースト層上に転写する点に特徴を有するものであ
る。ここに、転写フィルムは、支持フィルムと、この支
持フィルム上に形成された導電性ペースト層とを有して
なり、当該導電性ペースト層の表面には保護フィルム層
が設けられていてもよい。転写フィルムの具体的構成に
ついては後述する。

【００１８】転写工程の一例を示せば以下のとおりであ
る。必要に応じて使用される転写フィルムの保護フィル
ム層を剥離した後、図３（ニ）に示すように、反射防止
膜形成用ペースト層３１の表面に、導電性ペースト層４
１の表面が当接されるように転写フィルム４０を重ね合
わせ、この転写フィルム４０を加熱ローラなどにより熱
圧着した後、導電性ペースト層４１から支持フィルム４
２を剥離除去する。これにより、図３（ホ）に示すよう
に、反射防止膜形成用ペースト層３１の表面に導電性ペ
ースト層４１が転写されて密着した状態となる。ここ
で、転写条件としては、例えば、反射防止膜形成用ペー
スト層の転写と同様の条件で行うことができる。

【００１９】＜レジスト膜の形成工程＞この工程におい
ては、図３（ヘ）に示すように、転写された導電性ペー
スト層４１の表面にレジスト膜５１を形成する。このレ
ジスト膜５１を構成するレジストとしては、ポジ型レジ
ストおよびネガ型レジストのいずれであってもよく、そ
の具体的組成については後述する。また、レジスト膜５
１の形成工程においては、転写された導電性ペースト層
上に染料等の紫外線吸収剤を含有した反射防止層を一層
設け、その反射防止膜上にレジスト膜を形成しても良
い。レジスト膜５１は、スクリーン印刷法、ロール塗布
法、回転塗布法、流延塗布法等種々の方法によってレジ
ストを塗布した後、塗膜を乾燥することにより形成する
ことができる。また、支持フィルム上に形成されたレジ
スト組成物を導電性ペースト層４１の表面に転写するこ
とによって形成してもよい。このような形成方法によれ
ば、レジスト膜の形成工程における工程改善（高効率
化）を図ることができるとともに、形成される無機粉体
パターンの膜厚均一性を図ることができる。レジスト膜
５１の膜厚としては、通常、０．１〜４０μｍ、好まし
くは０．５〜２０μｍである。

【００２０】〈レジスト膜の露光工程〉この工程におい
ては、図４（ト）に示すように、導電性ペースト層４１
上に形成されたレジスト膜５１の表面に、露光用マスク
Ｍを介して、紫外線などの放射線を選択的照射（露光）
して、レジストパターンの潜像を形成する。同図におい
て、ＭＡおよびＭＢは、それぞれ、露光用マスクＭにお
ける光透過部および遮光部である。ここに、放射線照射
装置としては、前記フォトリソグラフィー法で使用され
ている紫外線照射装置、半導体および液晶表示装置を製
造する際に使用されている露光装置など特に限定される
ものではない。

【００２１】〈レジスト膜の現像工程〉この工程におい
ては、露光されたレジスト膜を現像処理することによ
り、レジストパターン（潜像）を顕在化させる。ここ
に、現像処理条件としては、レジスト膜５１の種類など
に応じて、現像液の種類・組成・濃度、現像時間、現像
温度、現像方法（例えば浸漬法、揺動法、シャワー法、
スプレー法、パドル法）、現像装置などを適宜選択する
ことができる。この現像工程により、図４（チ）に示す
ように、レジスト残留部５５Ａと、レジスト除去部５５
Ｂとから構成されるレジストパターン５５（露光用マス
クＭに対応するパターン）が形成される。このレジスト
パターン５５は、次工程（エッチング工程）におけるエ
ッチングマスクとして作用するものであり、レジスト残
留部５５Ａの構成材料は、導電性ペースト層４１および
反射防止膜形成用ペースト層３１の構成材料よりもエッ
チング液に対する溶解速度が小さいことが必要である。

【００２２】〈導電性ペースト層および反射防止膜形成
用ペースト層のエッチング工程〉この工程においては、
導電性ペースト層および反射防止膜形成用ペースト層を
エッチング処理し、レジストパターンに対応する導電性
ペースト層および反射防止膜形成用ペースト層のパター
ンを形成する。すなわち、図４（リ）に示すように、導
電性ペースト層４１および反射防止膜形成用ペースト層
３１のうち、レジストパターン５５のレジスト除去部５
５Ｂに対応する部分がエッチング液に溶解されて選択的
に除去される。ここに、図４（リ）は、エッチング処理
中の状態を示している。そして、更にエッチング処理を
継続すると、図４（ヌ）に示すように、導電性ペースト
層４１および反射防止膜形成用ペースト層３１における
レジスト除去部に対応する部分でガラス基板表面と透明
電極表面が露出する。ここに、エッチング処理条件とし
ては、導電性ペースト層４１および反射防止膜形成用ペ
ースト層３１の種類などに応じて、エッチング液の種類
・組成・濃度、処理時間、処理温度、処理方法（例えば
浸漬法、揺動法、シャワー法、スプレー法、パドル
法）、処理装置などを適宜選択することができる。な
お、エッチング液として、現像工程で使用した現像液と
同一の溶液を使用することができるよう、レジスト膜５
１、導電性ペースト層４１および反射防止膜形成用ペー
スト層３１の種類を選択することにより、現像工程と、
エッチング工程とを連続的に実施することが可能とな
り、工程の簡略化による製造効率の向上を図ることがで
きる。ここに、レジストパターン５５を構成するレジス
ト残留部５５Ａは、エッチング処理の際に徐々に溶解さ
れ、導電性ペースト層パターンおよび反射防止膜形成用
ペースト層パターンが形成された段階（エッチング処理
の終了時）で完全に除去されるものであることが好まし
い。なお、エッチング処理後にレジスト残留部５５Ａの
一部または全部が残留していても、当該レジスト残留部
５５Ａは、次の焼成工程で除去される。

【００２３】＜導電性ペースト層および反射防止膜形成
用ペースト層の焼成工程＞この工程においては、導電性
ペースト層パターンおよび反射防止膜形成用ペースト層
パターンを焼成処理して、電極を形成する。これによ
り、材料層残留部中の有機物質が焼失して、金属層、顔
料層などの無機物層が形成され、図４（ル）に示すよう
な、ガラス基板上の透明電極２１の表面に反射防止膜６
０と導電性パターン７０が形成されてなるバス電極８０
を得ることができる。ここに、焼成処理の温度として
は、材料層残留部中の有機物質が焼失される温度である
ことが必要であり、通常、４００〜６００℃とされる。
また、焼成時間は、通常１０〜９０分間とされる。

【００２４】＜導電性パターンおよび反射防止膜を形成
するための他の方法＞本発明における導電性パターンお
よび反射防止膜の形成方法は、図３および図４に示した
ような方法に限定されるものではない。ここに、導電性
パターンおよび反射防止膜を形成するための他の方法と
して、下記（１）〜（３）の工程による形成方法を挙げ
ることができる。 （１）支持フィルム上にレジスト膜を形成した後、当該
レジスト膜上に導電性ペースト層、反射防止膜形成用ペ
ースト層を積層形成する。ここに、レジスト膜、導電性
ペースト層および反射防止膜形成用ペースト層を形成す
る際には、ロールコータなどを使用することができ、こ
れにより、膜厚の均一性に優れた積層膜を支持フィルム
上に形成することができる。 （２）支持フィルム上に形成されたレジスト膜、導電性
ペースト層および反射防止膜形成用ペースト層との積層
膜を基板上に転写する。ここに、転写条件としては前記
『反射防止膜形成用ペースト層の転写工程』における条
件と同様でよい。 （３）前記『レジスト膜の露光工程』、『レジスト膜の
現像工程』、『導電性ペースト層および反射防止膜形成
用ペースト層のエッチング工程』および『導電性ペース
ト層および反射防止膜形成用ペースト層の焼成工程』と
同様の操作を行う。 以上のような方法によれば、反射防止膜形成用ペースト
層、導電性ペースト層およびレジスト膜とが基板上に一
括転写されるので、工程の簡略化による製造効率を更に
向上させることができる。また、さらに他の方法とし
て、導電性ペースト層と反射防止膜形成用ペースト層と
を有する転写フィルムを形成し、当該転写フィルムを基
板上に転写した後、得られた導電性ペースト層の上にレ
ジスト膜を設ける方法を挙げることもできる。

【００２５】以下に、前記の各工程に用いられる材料、
各種条件などについて説明する。 ＜基板＞基板材料としては、例えばガラス、シリコン、
ポリカーボネート、ポリエステル、芳香族アミド、ポリ
アミドイミド、ポリイミドなどの絶縁性材料からなる板
状部材である。この板状部材の表面に対しては、必要に
応じて、シランカップリング剤などによる薬品処理；プ
ラズマ処理；イオンプレーティング法、スパッタリング
法、気相反応法、真空蒸着法などによる薄膜形成処理の
ような適宜の前処理を施されていてもよい。

【００２６】＜転写フィルム＞本発明の製造方法に用い
る転写フィルムは、支持フィルムと、この支持フィルム
上に形成された導電性ペースト層および／または反射防
止膜形成用ペースト層とを有してなり、当該導電性ペー
スト層および／または反射防止膜形成用ペースト層の表
面に保護フィルム層が設けられていてもよい。

【００２７】（１）支持フィルム：転写フィルムを構成
する支持フィルムは、耐熱性および耐溶剤性を有すると
共に可撓性を有する樹脂フィルムであることが好まし
い。支持フィルムが可撓性を有することにより、ロール
コータによってペースト状組成物を塗布することがで
き、導電性ペースト層および反射防止膜形成用ペースト
層をロール状に巻回した状態で保存し、供給することが
できる。支持フィルムを形成する樹脂としては、例えば
ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリエチ
レン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイミド、ポ
リビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリフロロエチ
レンなどの含フッ素樹脂、ナイロン、セルロースなどを
挙げることができる。支持フィルムの厚さとしては、例
えば２０〜１００μｍとされる。

【００２８】（２）反射防止膜形成用ペースト層：転写
フィルムを構成する反射防止膜形成用ペースト層は、反
射防止効果を有する黒色、灰色などの着色物質、結着樹
脂および溶剤を必須成分として含有するペースト状の反
射防止膜形成用ペースト組成物を前記支持フィルム上に
塗布し、塗膜を乾燥して溶剤の一部又は全部を除去する
ことにより形成することができる。

【００２９】（３）反射防止膜形成用ペースト組成物 転写フィルムを作製するために使用される反射防止膜形
成用ペースト組成物は、（ａ）着色物質、（ｂ）結着樹
脂および（ｃ）溶剤を含有してなるペースト状の組成物
である。

【００３０】（ａ）着色物質 電極形成材料に使用される、上記反射防止効果を有する
黒色、灰色などの着色物質としては、例えば、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎなどの金属およびその酸化
物、複合酸化物、炭化物、窒化物、けい化物、ほう化物
やカーボンブラックなどの無機顔料を挙げることができ
る。

【００３１】（ｂ）結着樹脂 本発明の反射防止膜形成用ペースト組成物に使用される
結着樹脂としては、種々の樹脂を用いることができる
が、アルカリ可溶性樹脂を３０〜１００重量％の割合で
含有するバインダーを用いることが特に好ましい。ここ
に、「アルカリ可溶性」とは、後述するアルカリ性のエ
ッチング液によって溶解し、目的とするエッチング処理
が遂行される程度に溶解性を有する性質をいう。かかる
アルカリ可溶性樹脂の具体例としては、例えば（メタ）
アクリル系樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、ノボラック
樹脂、ポリエステル樹脂などを挙げることができる。こ
のようなアルカリ可溶性樹脂のうち、特に好ましいもの
としては、下記のモノマー（イ）とモノマー（ロ）との
共重合体、又はモノマー（イ）と、モノマー（ロ）とモ
ノマー（ハ）との共重合体などのアクリル樹脂を挙げる
ことができる。

【００３２】モノマー（イ）：アクリル酸、メタクリル
酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イタコン酸、
シトラコン酸、メサコン酸、ケイ皮酸などのカルボキシ
ル基含有モノマー類；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキ
シエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピ
ル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシプロピルなどの
水酸基含有モノマー類；ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−
ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレンなどのフ
ェノール性水酸基含有モノマー類などに代表されるアル
カリ可溶性官能基含有モノマー類。 モノマー（ロ）：（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）
アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メ
タ）アクリル酸ベンジル、グリシジル（メタ）アクリレ
ート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレートなどの
モノマー（イ）以外の（メタ）アクリル酸エステル類；
スチレン、α−メチルスチレンなどの芳香族ビニル系モ
ノマー類；ブタジエン、イソプレンなどの共役ジエン類
などに代表されるモノマー（イ）と共重合可能なモノマ
ー類。 モノマー（ハ）：ポリスチレン、ポリ（メタ）アクリル
酸メチル、ポリ（メタ）アクリル酸エチル、ポリ（メ
タ）アクリル酸ベンジル等のポリマー鎖の一方の末端
に、（メタ）アクリロイル基などの重合性不飽和基を有
するマクロモノマーなどに代表されるマクロモノマー
類：

【００３３】反射防止膜形成用ペースト組成物における
結着樹脂の含有割合としては、上記着色物質（無機顔
料）１００重量部に対して、通常１〜１０００重量部と
され、好ましくは１〜１００重量部とされる。

【００３４】（ｃ）溶剤 反射防止膜形成用ペースト組成物を構成する溶剤は、当
該反射防止膜形成用ペースト組成物に、適当な流動性ま
たは可塑性、良好な膜形成性を付与するために含有され
る。反射防止膜形成用ペースト組成物を構成する溶剤と
しては、特に制限されるものではなく、例えばエーテル
類、エステル類、エーテルエステル類、ケトン類、ケト
ンエステル類、アミド類、アミドエステル類、ラクタム
類、ラクトン類、スルホキシド類、スルホン類、炭化水
素類、ハロゲン化炭化水素類などを挙げることができ
る。かかる溶剤の具体例としては、テトラヒドロフラ
ン、アニソール、ジオキサン、エチレングリコールモノ
アルキルエーテル類、ジエチレングリコールジアルキル
エーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテ
ル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、酢
酸エステル類、ヒドロキシ酢酸エステル類、アルコキシ
酢酸エステル類、プロピオン酸エステル類、ヒドロキシ
プロピオン酸エステル類、アルコキシプロピオン酸エス
テル類、乳酸エステル類、エチレングリコールモノアル
キルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノ
アルキルエーテルアセテート類、アルコキシ酢酸エステ
ル類、環式ケトン類、非環式ケトン類、アセト酢酸エス
テル類、ピルビン酸エステル類、Ｎ，Ｎ−ジアルキルホ
ルムアミド類、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアセトアミド類、Ｎ
−アルキルピロリドン類、γ−ラクトン類、ジアルキル
スルホキシド類、ジアルキルスルホン類、ターピネオー
ル、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどを挙げることがで
き、これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて用い
ることができる。反射防止膜形成用ペースト組成物にお
ける溶剤の含有割合としては、良好な膜形成性（流動性
または可塑性）が得られる範囲内において適宜選択する
ことができる。

【００３５】反射防止膜形成用ペースト組成物には、任
意成分として、導電性粒子、可塑剤、現像促進剤、接着
助剤、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、酸化
防止剤、紫外線吸収剤、フィラー、低融点ガラス等の各
種添加剤が含有されていてもよい。特に、得られた電極
の導電性を上げる目的で、後述する導電性ペースト組成
物に用いられる導電性粒子を含有させることが好まし
い。

【００３６】反射防止膜形成用ペースト組成物を支持フ
ィルム上に塗布する方法としては、膜厚の均一性に優れ
た膜厚の大きい（例えば１μｍ以上）塗膜を効率よく形
成することができるものであることが必要とされ、具体
的には、ロールコータによる塗布方法、ドクターブレー
ドによる塗布方法、カーテンコーターによる塗布方法、
ワイヤーコーターによる塗布方法などを好ましいものと
して挙げることができる。なお、反射防止膜形成用ペー
スト組成物が塗布される支持フィルムの表面には離型処
理が施されていることが好ましい。これにより、後述す
る転写工程において、支持フィルムの剥離操作を容易に
行うことができる。

【００３７】塗膜の乾燥条件としては、例えば、５０〜
１５０℃で０．５〜３０分間程度とされ、乾燥後におけ
る溶剤の残存割合（反射防止膜形成用ペースト層中の含
有率）は、通常２重量％以内とされる。

【００３８】上記のようにして支持フィルム上に形成さ
れる反射防止膜形成用ペースト層の厚さとしては、無機
顔料の含有率、部材の種類やサイズなどによっても異な
るが、例えば１〜２０μｍとされる。なお、反射防止膜
形成用ペースト層の表面に設けられることのある保護フ
ィルム層としては、ポリエチレンフィルム、ポリビニル
アルコール系フィルムなどを挙げることができる。

【００３９】（４）導電性ペースト層：転写フィルムを
構成する導電性ペースト層は、導電性粒子、結着樹脂お
よび溶剤を必須成分として含有するペースト状の導電性
ペースト組成物を前記支持フィルム上に塗布し、塗膜を
乾燥して溶剤の一部又は全部を除去することにより形成
することができる。

【００４０】（５）反射防止膜形成用ペースト組成物 転写フィルムを作製するために使用される導電性ペース
ト組成物は、（ａ）導電性粒子、（ｂ）結着樹脂および
（ｃ）溶剤を含有してなるペースト状の組成物である。

【００４１】（ａ）導電性粒子 電極形成材料に使用される導電性粒子としては、Ａｇ、
Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ｃｕなどを
挙げることができる。

【００４２】（ｂ）結着樹脂 本発明の導電性ペースト組成物に使用される結着樹脂と
しては、反射防止膜形成用ペースト組成物と同様のもの
を使用できる。導電性ペースト組成物における結着樹脂
の含有割合としては、導電性粒子１００重量部に対し
て、通常１〜５０重量部とされ、好ましくは１〜４０重
量部とされる。

【００４３】（ｃ）溶剤 導電性ペースト組成物を構成する溶剤は、反射防止膜形
成用ペースト組成物と同様のものを使用できる。

【００４４】導電性ペースト組成物には、任意成分とし
て、可塑剤、現像促進剤、接着助剤、ハレーション防止
剤、保存安定剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、
フィラー、低融点ガラス等の各種添加剤が含有されてい
てもよい。

【００４５】導電性ペースト組成物を支持フィルム上に
塗布する方法としては、反射防止膜形成用ペースト組成
物と同様の方法を用いることができる。なお、導電性ペ
ースト組成物が塗布される支持フィルムの表面には離型
処理が施されていることが好ましい。これにより、後述
する転写工程において、支持フィルムの剥離操作を容易
に行うことができる。

【００４６】塗膜の乾燥条件としては、例えば、５０〜
１５０℃で０．５〜３０分間程度とされ、乾燥後におけ
る溶剤の残存割合（導電性ペースト層中の含有率）は、
通常２重量％以内とされる。

【００４７】上記のようにして支持フィルム上に形成さ
れる反射防止膜形成用ペースト層の厚さとしては、無機
顔料の含有率、部材の種類やサイズなどによっても異な
るが、例えば１〜２０μｍとされる。なお、導電性ペー
スト層の表面に設けられることのある保護フィルム層と
しては、ポリエチレンフィルム、ポリビニルアルコール
系フィルムなどを挙げることができる。

【００４８】＜レジスト膜（レジスト組成物）＞本発明
の製造方法においては、導電性ペースト層上にレジスト
膜が形成され、当該レジスト膜に露光処理および現像処
理を施すことにより、前記導電性ペースト層上にレジス
トパターンが形成される。レジスト膜を形成するために
使用するレジスト組成物としては、（１）アルカリ現像
型感放射線性レジスト組成物、（２）有機溶剤現像型感
放射線性レジスト組成物、（３）水性現像型感放射線性
レジスト組成物などを例示することができる。以下、こ
れらのレジスト組成物について説明する。

【００４９】（１）アルカリ現像型感放射線性レジスト
組成物 アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物は、アルカリ
可溶性樹脂と感放射線性成分を必須成分として含有して
なる。アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物を構成
するアルカリ可溶性樹脂としては、反射防止膜形成用ペ
ースト組成物および導電性ペースト組成物のバインダー
成分を構成するものとして例示したアルカリ可溶性樹脂
を挙げることができる。アルカリ現像型感放射線性レジ
スト組成物を構成する感放射線性成分としては、例え
ば、（イ）多官能性モノマーと光重合開始剤との組み合
わせ、（ロ）メラミン樹脂と放射線照射により酸を形成
する光酸発生剤との組み合わせ、（ハ）放射線照射によ
りアルカリ難溶性のものがアルカリ可溶性になる化合物
などを例示することができ、上記（イ）の組み合わせの
うち、多官能性（メタ）アクリレートと光重合開始剤と
のネガタイプの組み合わせと（ハ）のポジタイプが特に
好ましい。

【００５０】ネガタイプの感放射線性成分を構成する多
官能性（メタ）アクリレートの具体例としては、エチレ
ングリコール、プロピレングリコールなどのアルキレン
グリコールのジ（メタ）アクリレート類；ポリエチレン
グリコール、ポリプロピレングリコールなどのポリアル
キレングリコールのジ（メタ）アクリレート類；両末端
ヒドロキシポリブタジエン、両末端ヒドロキシポリイソ
プレン、両末端ヒドロキシポリカプロラクトンなどの両
末端ヒドロキシル化重合体のジ（メタ）アクリレート
類；グリセリン、１，２，４−ブタントリオール、トリ
メチロールアルカン、テトラメチロールアルカン、ジペ
ンタエリスリトールなどの３価以上の多価アルコールの
ポリ（メタ）アクリレート類；３価以上の多価アルコー
ルのポリアルキレングリコール付加物のポリ（メタ）ア
クリレート類；１，４−シクロヘキサンジオール、１，
４−ベンゼンジオール類などの環式ポリオールのポリ
（メタ）アクリレート類；ポリエステル（メタ）アクリ
レート、エポキシ（メタ）アクリレート、ウレタン（メ
タ）アクリレート、アルキド樹脂（メタ）アクリレー
ト、シリコーン樹脂（メタ）アクリレート、スピラン樹
脂（メタ）アクリレート等のオリゴ（メタ）アクリレー
ト類などを挙げることができ、これらは単独でまたは２
種以上を組み合わせて使用することができる。

【００５１】また、ネガタイプの感放射線性成分を構成
する光重合開始剤の具体例としては、ベンジル、ベンゾ
イン、ベンゾフェノン、カンファーキノン、２−ヒドロ
キシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、
１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２，２
−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２−メチ
ル−〔４’−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォ
リノ−１−プロパノン、２−ベンジル−２−ジメチルア
ミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１
−オンなどのカルボニル化合物；アゾイソブチロニトリ
ル、４−アジドベンズアルデヒドなどのアゾ化合物ある
いはアジド化合物；メルカプタンジスルフィドなどの有
機硫黄化合物；ベンゾイルパーオキシド、ジ−ｔｒｅｔ
−ブチルパーオキシド、ｔｒｅｔ−ブチルハイドロパー
オキシド、クメンハイドロパーオキシド、パラメタンハ
イドロパーオキシドなどの有機パーオキシド；１，３−
ビス（トリクロロメチル）−５−（２’−クロロフェニ
ル）−１，３，５−トリアジン、２−〔２−（２−フラ
ニル）エチレニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチ
ル）−１，３，５−トリアジンなどのトリハロメタン
類；２，２’−ビス（２−クロロフェニル）４，５，
４’，５’−テトラフェニル１，２’−ビイミダゾール
などのイミダゾール二量体などを挙げることができ、こ
れらは単独でまたは２種以上を組み合わせて使用するこ
とができる。

【００５２】一方、ポジタイプの感放射線性化合物とし
ては、ポリヒドロキシ化合物の１,２−ベンゾキノンジ
アジド−４−スルホン酸エステル、１,２−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホン酸エステル、１,２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸エステルおよび１,２
−ナフトキノンジアジド−６−スルホン酸エステルなど
が挙げられ、特に、１,２−ナフトキノンジアジド−４
−スルホン酸エステル、１,２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸エステルが好ましい。感放射線性化合
物は、例えば、ポリヒドロキシ化合物とキノンジアジド
スルホニルクロリドとを塩基性触媒の存在下で反応させ
ることにより得られる。通常、ポリヒドロキシ化合物の
全水酸基に対するキノンジアジドスルホン酸エステルの
割合（平均エステル化率）は、２０％以上１００％以下
であり、好ましくは４０％以上９５％以下である。平均
エステル化率が低すぎると、パターン形成が難しく、高
すぎると感度の低下を招くことがある。ここで、用いら
れるポリヒドロキシ化合物としては、特に限定される物
ではないが、具体例として下記に示す化合物が挙げられ
る。

【００５３】

【化１】

【００５４】（式中、Ｘ₁ 〜Ｘ₁₅は、それぞれ相互に同
一または異なり、水素原子、Ｃ₁ 〜Ｃ₄ のアルキル基、
Ｃ₁ 〜Ｃ₄ のアルコキシ基、Ｃ₆ 〜Ｃ₁₀のアリール基ま
たは水酸基である。ただし、Ｘ₁ 〜Ｘ₅ およびＸ₆ 〜Ｘ
₁₀のそれぞれの組み合わせにおいて少なくとも１つは水
酸基である。また、Ｙ₁ は、水素原子またはＣ₁ 〜Ｃ₄
のアルキル基である。）

【００５５】

【化２】

【００５６】（式中、Ｘ₁₆〜Ｘ₃₀は、前記Ｘ₁ 〜Ｘ₁₅と
同様である。ただし、Ｘ₁₆〜Ｘ₂₀、Ｘ₂₁〜Ｘ₂₅およびＸ
₂₆〜Ｘ₃₀のそれぞれの組み合わせにおいて少なくとも１
つは水酸基である。また、Ｙ₂ 〜Ｙ₄ は、それぞれ相互
に同一または異なり、水素原子またはＣ₁ 〜Ｃ₄ のアル
キル基である。）

【００５７】

【化３】

【００５８】（式中、Ｘ₃₁〜Ｘ₄₄は、前記Ｘ₁ 〜Ｘ₁₅と
同様である。ただし、Ｘ₃₁〜Ｘ₃₅において少なくとも１
つは水酸基である。また、Ｙ₅ 〜Ｙ₈ は、それぞれ相互
に同一または異なり水素原子またはＣ₁ 〜Ｃ₄ のアルキ
ル基である。）

【００５９】

【化４】

【００６０】（式中、Ｘ₄₅〜Ｘ₅₈は、それぞれ相互に同
一または異なり、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ₁ 〜Ｃ₄
のアルキル基、Ｃ₁ 〜Ｃ₄ のアルコキシ基、Ｃ₅ 〜Ｃ₇
のシクロアルキル基または水酸基である。ただし、Ｘ₄₅
〜Ｘ₄₈およびＸ₄₉〜Ｘ₅₃のそれぞれの組み合わせにおい
て少なくとも１つは水酸基である。また、Ｙ₉ およびＹ
₁₀は、それぞれ相互に同一または異なり水素原子、Ｃ₁
〜Ｃ₄ のアルキル基またはＣ₅ 〜Ｃ₇ のシクロアルキル
基である。）

【００６１】

【化５】

【００６２】（式中、Ｘ₅₉〜Ｘ₈₀は、前記Ｘ₄₅〜Ｘ₅₈と
同様である。ただし、Ｘ₅₉〜Ｘ₆₃、Ｘ₆₄〜Ｘ₆₇、Ｘ₇₂〜
Ｘ₇₅およびＸ₇₆〜Ｘ₈₀のそれぞれの組み合わせにおいて
少なくとも１つは水酸基である。また、Ｙ₁₁〜Ｙ₁₈は、
それぞれ相互に同一または異なり水素原子またはＣ₁ 〜
Ｃ₄ のアルキル基である。）

【００６３】

【化６】

【００６４】（式中、Ｘ₈₁〜Ｘ₉₀はそれぞれ相互に同一
または異なり、水素原子、Ｃ₁ 〜Ｃ₄のアルコキシ基、
Ｃ₆ 〜Ｃ₁₀のアリール基または水酸基である。ただし、
Ｘ₈₁〜Ｘ₉₀の組み合わせにおいて少なくとも１つは水酸
基である。）

【００６５】このアルカリ現像型感放射線性レジスト組
成物における感放射線性成分の含有割合としては、アル
カリ可溶性樹脂１００重量部当たり、通常１〜２００重
量部とされ、好ましくは５〜１００重量部である。ま
た、アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物について
は、良好な膜形成性付与するために、適宜有機溶剤が含
有される。かかる有機溶剤としては、反射防止膜形成用
ペースト組成物を構成するものとして例示した溶剤を挙
げることができる。

【００６６】（２）有機溶剤現像型感放射線性レジスト
組成物：有機溶剤現像型感放射線性レジスト組成物は、
天然ゴム、合成ゴム、およびこれらを環化されてなる環
化ゴムなどから選ばれた少なくとも１種と、アジド化合
物とを必須成分として含有してなる。有機溶剤現像型感
放射線性レジスト組成物を構成するアジド化合物の具体
例としては、4，４’−ジアジドベンゾフェノン、４，
４’−ジアジドジフェニルメタン、４，４’−ジアジド
スチルベン、４，４’−ジアジドカルコン、４，４’−
ジアジドベンザルアセトン、２，６−ジ（４’−アジド
ベンザル）シクロヘキサノン、２，６−ジ（４’−アジ
ドベンザル）−４−メチルシクロヘキサノンなどを挙げ
ることができ、これらは単独でまたは２種以上を組み合
わせて使用することができる。また有機溶剤現像型感放
射線性レジスト組成物には、良好な膜形成性を付与する
ために、通常有機溶剤が含有される。かかる有機溶剤と
しては、無機粉体分散ペースト組成物を構成するものと
して例示した溶剤を挙げることができる。

【００６７】（３）水性現像型感放射線性レジスト組成
物：水性現像型感放射線性レジスト組成物は、例えばポ
リビニルアルコールなどの水溶性樹脂と、ジアゾニウム
化合物および重クロム酸化合物から選ばれた少なくとも
１種とを必須成分として含有してなる。

【００６８】本発明の製造方法において使用するレジス
ト組成物には、任意成分として、現像促進剤、接着助
剤、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、酸化防
止剤、紫外線吸収剤、フィラー、蛍光体、顔料、染料な
どの各種添加剤が含有されていてもよい。

【００６９】＜露光用マスク＞レジスト膜の露光工程に
おいて使用される露光用マスクＭの露光パターンとして
は、材料によって異なるが、一般的に１０〜５００μｍ
幅のストライプである。

【００７０】＜現像液＞レジスト膜の現像工程で使用さ
れる現像液としては、レジスト膜（レジスト組成物）の
種類に応じて適宜選択することができる。具体的には、
アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物によるレジス
ト膜にはアルカリ現像液を使用することができ、有機溶
剤型感放射線性レジスト組成物によるレジスト膜には有
機溶剤現像液を使用することができ、水性現像型感放射
線性レジスト組成物によるレジスト膜には水性現像液を
使用することができる。

【００７１】アルカリ現像液の有効成分としては、例え
ば水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、リン酸水素ナトリウム、リン酸水素二アンモニウ
ム、リン酸水素二カリウム、リン酸水素二ナトリウム、
リン酸二水素アンモニウム、リン酸二水素カリウム、リ
ン酸二水素ナトリウム、ケイ酸リチウム、ケイ酸ナトリ
ウム、ケイ酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム、ホウ酸リチウム、ホウ酸ナトリウ
ム、ホウ酸カリウム、アンモニアなどの無機アルカリ性
化合物；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、トリ
メチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、モ
ノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、
モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミ
ン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、
エタノールアミンなどの有機アルカリ性化合物などを挙
げることができる。レジスト膜の現像工程で使用される
アルカリ現像液は、前記アルカリ性化合物の１種または
２種以上を水などに溶解させることにより調整すること
ができる。ここに、アルカリ性現像液におけるアルカリ
性化合物の濃度は、通常０．００１〜１０重量％とさ
れ、好ましくは０．０１〜５重量％とされる。なお、ア
ルカリ現像液による現像処理がなされた後は、通常、水
洗処理が施される。

【００７２】有機溶剤現像液の具体例としては、トルエ
ン、キシレン、酢酸ブチルなどの有機溶剤を挙げること
ができ、これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて
使用することができる。なお、有機溶剤現像液による現
像処理がなされた後は、必要に応じて貧溶媒によるリン
ス処理が施される。水性現像液の具体例としては、水、
アルコールなどを挙げることができる。

【００７３】＜エッチング液＞導電性ペースト層および
反射防止膜形成用ペースト層のエッチング工程で使用さ
れるエッチング液としては、アルカリ性溶液であること
が好ましい。これにより、導電性ペースト層および反射
防止膜形成用ペースト層に含有されるアルカリ可溶性樹
脂を容易に溶解除去することができる。なお、導電性ペ
ースト層および反射防止膜形成用ペースト層に含有され
る導電性粒子や無機顔料は、アルカリ可溶性樹脂により
均一に分散されているため、アルカリ性溶液でバインダ
ーであるアルカリ可溶性樹脂を溶解させ、洗浄すること
により、導電性粒子や無機顔料も同時に除去される。こ
こに、エッチング液として使用されるアルカリ性溶液と
しては、現像液と同一組成の溶液を挙げることができ
る。そして、エッチング液が、現像工程で使用するアル
カリ現像液と同一の溶液である場合には、現像工程と、
エッチング工程とを連続的に実施することが可能とな
り、工程の簡略化による製造効率の向上を図ることがで
きる。なお、アルカリ性溶液によるエッチング処理がな
された後は、通常、水洗処理が施される。

【００７４】また、エッチング液として、導電性ペース
ト層および反射防止膜形成用ペースト層のバインダーを
溶解することのできる有機溶剤を使用することもでき
る。かかる有機溶剤としては、導電性ペースト組成物や
反射防止膜形成用ペースト組成物を構成するものとして
例示した溶剤を挙げることができる。なお、有機溶剤に
よるエッチング処理がなされた後は、必要に応じて貧溶
媒によるリンス処理が施される。

【００７５】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらによって限定されるものではない。な
お、以下において、「部」および「％」は、それぞれ
「重量部」および「重量％」を示す。また、重量平均分
子量（Ｍｗ）は、東ソー株式会社製ゲルパーミィエーシ
ョンクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（商品名ＨＬＣ−８
０２Ａ）により測定したポリスチレン換算の平均分子量
である。

【００７６】〔合成例１〕Ｎ−メチル−２−ピロリドン
２００部、ｎ−ブチルメタクリレート８０部、メタクリ
ル酸２０部、アゾビスイソブチロニトリル１部からなる
単量体組成物を、攪拌機付きオートクレーブに仕込み、
窒素雰囲気下において、室温で均一になるまで攪拌した
後、８０℃で３時間重合させ、さらに１００℃で１時間
重合反応を継続させた後室温まで冷却してポリマー溶液
を得た。ここに、重合率は９８％であり、このポリマー
溶液から析出した共重合体〔以下、「ポリマー（Ａ）」
という。〕の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１００，００
０であった。

【００７７】〔合成例２〕３−エトキシプロピオン酸エ
チル２００部、ｎ−ブチルメタクリレート８５部、メタ
クリル酸１５部、アゾビスイソブチロニトリル１部から
なる単量体組成物をオートクレーブに仕込んだこと以外
は合成例１と同様にしてポリマー溶液を得た。ここに、
重合率は９８％であり、このポリマー溶液から析出した
共重合体〔以下、「ポリマー（Ｂ）」という。〕の重量
平均分子量（Ｍｗ）は、５０，０００であった。

【００７８】〔合成例３〕（ＰＡＣ−１の合成） 下記式（イ）で表される化合物４.２８ｇ（０.０１ｍｏ
ｌ）をテトラヒドロフラン３０ｇに溶解し、トリエチル
アミン２.８ｇ（０.０２８ｍｏｌ）を添加した。該溶液
を０〜５℃に冷却しながら、３０分をかけて、１,２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド７.１
１ｇ（０.０２５ｍｏｌ）を添加した。５時間後、析出
したトリエチルアミン塩酸塩をろ過した後、脱イオン水
で希釈した０.２％重量塩酸水２,０００ｍｌに再沈し、
ろ過した後、３度水洗を繰り返した後、４０℃で真空乾
燥させた後、９.２ｇの縮合化合物を得た。この化合物
をＰＡＣ−１（ＰＡＣ；Ｐｈｏｔｏ Ａｃｉｄ Ｃｏｍ
ｐｏｕｎｄ）とした。

【００７９】

【化７】

【００８０】〔作製例１〕無機顔料としてニッケル粉末
３００部、導電性粒子として銀粉末４５０部と、アルカ
リ可溶性樹脂としてポリマー（Ａ）１５０部と、可塑剤
としてポリプロピレングリコール〔分子量４００、和光
純薬（株）製〕２０部と、溶剤としてＮ−メチル−２−
ピロリドン４００部とを混練りすることにより、電極形
成用の反射防止膜形成用ペースト組成物〔以下、「反射
防止膜形成用ペースト組成物（１）」という。〕を調整
した。次いで、得られた反射防止膜形成用ペースト組成
物（１）を、予め離型処理したポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）フィルムよりなる支持フィルム（幅２０
０ｍｍ，長さ３０ｍ，厚さ３８μｍ）上にロールコータ
により塗布して塗膜を形成した。形成された塗膜を１０
０℃で５分間乾燥することにより溶剤を除去し、これに
より、厚さ４μｍの電極形成用の反射防止膜形成用ペー
スト層〔以下、「反射防止膜形成用ペースト層（１）」
という。〕が支持フィルム上に形成されてなる転写フィ
ルム〔以下、「転写フィルム（１）」という。〕を作製
した。

【００８１】〔作製例２〕導電性粒子として銀粉末７５
０部と、アルカリ可溶性樹脂としてポリマー（Ａ）１５
０部と、可塑剤としてポリプロピレングリコール〔分子
量４００、和光純薬（株）製〕２０部と、溶剤としてＮ
−メチル−２−ピロリドン４００部とを混練りすること
により、ペースト状の導電性ペースト組成物〔以下、
「導電性ペースト組成物（１）」という。〕を調整し
た。次いで、得られた導電性ペースト組成物（１）を用
いたこと以外は作製例１と同様にして、導電性ペースト
組成物を塗布して溶剤を除去することにより、厚さ９μ
ｍの電極形成用の導電性ペースト層〔以下、「導電性ペ
ースト層（１）」という。〕が支持フィルム上に形成さ
れてなる転写フィルム〔以下、「転写フィルム（２）」
という。〕を作製した。

【００８２】〔作製例３〕アルカリ可溶性樹脂としてポ
リマー（Ｂ）５０部と、多官能性モノマー（感放射線性
成分）としてペンタエリスリトールテトラアクリレート
４０部と、光重合開始剤（感放射線性成分）として２−
ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリ
ノフェニル）−ブタン−１−オン５部と、溶剤として３
−エトキシプロピオン酸エチル１５０部とを混練りする
ことにより、ペースト状のネガタイプのアルカリ現像型
感放射線性レジスト組成物（１）を調製した。

【００８３】次いで、得られたレジスト組成物を、ポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムよりなる支
持フィルム（幅２００ｍｍ，長さ３０ｍ，厚さ３８μ
ｍ）上にロールコータにより塗布して塗膜を形成した。
形成された塗膜を１１０℃で５分間乾燥することにより
溶剤を完全に除去し、これにより、厚さ５μｍのレジス
ト膜〔以下、「レジスト膜（１）」という。〕が支持フ
ィルム上に形成されてなる転写フィルム〔以下、「転写
フィルム（３）」という。〕を作製した。

【００８４】〔作製例４〕アルカリ可溶性樹脂としてポ
リマー（Ｂ）５０部と、感光剤（感放射線性成分）とし
てＰＡＣ−１を１０部と、溶剤として３−エトキシプロ
ピオン酸エチル１５０部とを混練りすることにより、ペ
ースト状のポジタイプのアルカリ現像型感放射線性レジ
スト組成物（２）を調製した。

【００８５】次いで、得られたレジスト組成物を、ポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムよりなる支
持フィルム（幅２００ｍｍ，長さ３０ｍ，厚さ３８μ
ｍ）上にロールコータにより塗布して塗膜を形成した。
形成された塗膜を１００℃で５分間乾燥することにより
溶剤を完全に除去し、これにより、厚さ５μｍのレジス
ト膜〔以下、「レジスト膜（２）」という。〕が支持フ
ィルム上に形成されてなる転写フィルム〔以下、「転写
フィルム（４）」という。〕を作製した。

【００８６】＜実施例１＞ 〔反射防止膜形成用ペースト層の転写工程〕６インチパ
ネル用のガラス基板の表面にＩＴＯの透明電極がパター
ニングされた基板上に、電極形成用の反射防止膜形成用
ペースト層（１）の表面が当接されるよう転写フィルム
（１）を重ね合わせ、この転写フィルム（１）を加熱ロ
ーラにより熱圧着した。ここで、圧着条件としては、加
熱ローラの表面温度を１２０℃、ロール圧を４ｋｇ／ｃ
ｍ² 、加熱ローラの移動速度を０．５ｍ／分とした。熱
圧着処理の終了後、反射防止膜形成用ペースト層（１）
から支持フィルムを剥離除去した。これにより、ガラス
基板の表面に反射防止膜形成用ペースト層（１）が転写
されて密着した状態となった。この反射防止膜形成用ペ
ースト層について膜厚を測定したところ４μｍ±１μｍ
の範囲にあった。

【００８７】〔導電性ペースト層の転写工程〕次いで、
反射防止膜形成用ペースト層（１）の表面に、導電性ペ
ースト層（１）の表面が当接されるよう転写フィルム
（２）を重ね合わせ、この転写フィルム（２）を加熱ロ
ーラにより上記と同一の圧着条件により熱圧着した。熱
圧着処理の終了後、導電性ペースト層（２）から支持フ
ィルムを剥離除去した。これにより、ど反射防止膜形成
用ペースト層（１）の表面に導電性ペースト層（２）が
転写されて密着した状態となった。ガラス基板上に形成
された反射防止膜形成用ペースト層（１）と導電性ペー
スト層（２）の積層体について膜厚を測定したところ１
３μｍ±１μｍの範囲にあった。

【００８８】〔レジスト膜の形成工程〕導電性ペースト
層（１）の表面に、レジスト膜（１）の表面が当接され
るよう転写フィルム（３）を重ね合わせ、この転写フィ
ルム（３）を加熱ローラ上記と同一の圧着条件により熱
圧着した。熱圧着処理の終了後、レジスト膜（１）から
支持フィルムを剥離除去した。これにより、導電性ペー
スト層（１）の表面にレジスト膜（１）が転写されて密
着した状態となった。導電性ペースト層（１）の表面に
転写されたレジスト膜（１）について膜厚を測定したと
ころ５μｍ±１μｍの範囲にあった。

【００８９】〔レジスト膜の露光工程〕導電性ペースト
層の積層体上に形成されたレジスト膜（１）に対して、
露光用マスク（４０μｍ幅のストライプパターン）を介
して、超高圧水銀灯により、ｉ線（波長３６５ｎｍの紫
外線）を照射した。ここに、照射量は４００ｍＪ／ｃｍ
²とした。

【００９０】〔レジスト膜の現像工程〕露光処理された
レジスト膜（１）に対して、０．２重量％の水酸化カリ
ウム水溶液（２５℃）を現像液とするシャワー法による
現像処理を２０秒かけて行った。次いで超純水による水
洗処理を行い、これにより、紫外線が照射されていない
未硬化のレジストを除去し、レジストパターンを形成し
た。

【００９１】〔導電性ペースト層および反射防止膜形成
用ペースト層のエッチング工程〕上記の工程に連続し
て、０．２重量％の水酸化カリウム水溶液（２５℃）を
エッチング液とするシャワー法によるエッチング処理を
２分かけて行った。次いで、超純水による水洗処理およ
び乾燥処理を行った。、これにより、材料層残留部と、
材料層除去部とから構成される導電性ペースト層および
反射防止膜形成用ペースト層のパターンを形成した。

【００９２】〔導電性ペースト層および反射防止膜形成
用ペースト層の焼成工程〕導電性ペースト層および反射
防止膜形成用ペーストのパターンが形成されたガラス基
板を焼成炉内で５８０℃の温度雰囲気下で２０分間にわ
たり焼成処理を行った。これにより、ガラス基板上のＩ
ＴＯ表面にバス電極が形成されてなるパネル材料が得ら
れた。得られたパネル材料における電極の断面形状を走
査型電子顕微鏡により観察し、当該断面形状の底面の幅
および高さを測定したところ、底面の幅が４０μｍ±２
μｍ、高さが１０μｍ±１μｍであり、寸法精度がきわ
めて高いものであった。また、パネルにしてディスプレ
イを観察したところ、銀ペースト由来のシルバー色が低
減されており、コントラストの高い画像であった。

【００９３】＜実施例２＞実施例１において、転写フィ
ルム（３）を転写フィルム（４）に変更した以外は実施
例１と同様にしてＩＴＯの透明電極上にバス電極を形成
した。得られたパネル材料における電極の断面形状を走
査型電子顕微鏡により観察し、当該断面形状の底面の幅
および高さを測定したところ、底面の幅が４０μｍ±２
μｍ、高さが１０μｍ±１μｍであり、寸法精度がきわ
めて高いものであった。また、パネルにしてディスプレ
イを観察したところ、銀ペースト由来のシルバー色が低
減されており、コントラストの高い画像であった。

【００９４】＜実施例３＞ 〔転写フィルムの作製〕下記（イ）〜（ハ）の操作によ
り、反射防止膜形成用ペースト層、導電性ペースト層お
よびレジスト膜との積層膜が支持フィルム上に形成され
てなる転写フィルム（５）を作製した。 （イ）実施例２で使用したポジタイプのアルカリ現像型
感放射線性レジスト組成物（２）をＰＥＴフィルムより
なる支持フィルム（幅２００ｍｍ、長さ３０ｍ、厚さ３
８μｍ）上にロールコータを用いて塗布し、塗膜を１０
０℃で５分間乾燥して溶剤を完全に除去し、厚さ５μｍ
のレジスト膜〔以下、「レジスト膜（２’）」とい
う。〕を支持フィルム上に形成した。 （ロ）実施例１で使用した導電性ペースト組成物（１）
をレジスト膜（２’）上にロールコータを用いて塗布
し、塗膜を１００℃で５分間乾燥して溶剤を完全に除去
し、厚さ９μｍの導電性ペースト層〔以下、「導電性ペ
ースト層（１’）」という。〕をレジスト膜（２’）上
に形成した。 （ハ）実施例１で使用した反射防止膜形成用ペースト組
成物（１）を導電性ペースト層（１’）上にロールコー
タを用いて塗布し、塗膜を１００℃で５分間乾燥して溶
剤を完全に除去し、厚さ４μｍの反射防止膜形成用ペー
スト層〔以下、「反射防止膜形成用ペースト層
（１’）」という。〕を導電性ペースト層（１’）上に
形成した。

【００９５】〔積層膜の転写工程〕実施例１で使用した
のと同様のガラス基板上のＩＴＯ透明電極の表面に、反
射防止膜形成用ペースト層（１’）の表面が当接される
よう転写フィルムを重ね合わせ、この転写フィルムを加
熱ローラに熱圧着した。ここで、圧着条件としては、加
熱ローラの表面温度を１２０℃、ロール圧を４ｋｇ／ｃ
ｍ² 、加熱ローラの移動速度を０．５ｍ／分とした。熱
圧着処理の終了後、積層膜〔レジスト膜（２’）の表
面〕から支持フィルムを剥離除去した。これにより、ガ
ラス基板の表面に積層膜が転写されて密着した状態とな
った。この積層膜〔反射防止膜形成用ペースト層、導電
性ペースト層およびレジスト膜との積層膜〕ついて膜厚
を測定したところ１８μｍ±２μｍの範囲にあった。

【００９６】〔レジスト膜の露光工程・現像工程〕反射
防止膜形成用ペースト層と導電性ペースト層の積層体上
に形成されたレジスト膜（２’）に対して、実施例１と
同様の条件で、露光処理（紫外線照射）、水酸化カリウ
ム水溶液による現像処理および水洗処理を行うことによ
り、反射防止膜形成用ペースト層と導電性ペースト層の
積層体上にレジストパターンを形成した。

【００９７】〔導電性ペースト層および反射防止膜形成
用ペースト層のエッチング工程〕上記の工程に連続し
て、実施例１と同様の条件で、水酸化カリウム水溶液に
よるエッチング処理、水洗処理および乾燥処理を行うこ
とにより、導電性ペースト層および反射防止膜形成用ペ
ースト層のパターンを形成した。

【００９８】〔導電性ペースト層および反射防止膜形成
用ペースト層の焼成工程〕導電性ペースト層および反射
防止膜形成用ペースト層のパターンが形成されたガラス
基板を焼成炉内で５８０℃の温度雰囲気下で２０分間に
わたり焼成処理を行った。これにより、ガラス基板上の
ＩＴＯ透明電極の表面にバス電極が形成されてなるパネ
ル材料が得られた。得られたパネル材料における電極の
断面形状を走査型電子顕微鏡により観察し、当該断面形
状の底面の幅および高さを測定したところ、底面の幅が
４０μｍ±２μｍ、高さが１０μｍ±１μｍであり、寸
法精度がきわめて高いものであった。また、パネルにし
てディスプレイを観察したところ、銀ペースト由来のシ
ルバー色が低減されており、コントラストの高い画像で
あった。

【００９９】

【発明の効果】本発明のプラズマディスプレイパネルの
製造方法によれば、従来の方法に比べて実質的に工程数
が少なく、従って作業性を向上させるプラズマディスプ
レイパネルを製造することができる。特に導電性ペース
ト層の下に反射防止膜形成用ペースト層を設けることに
より、外光反射を低減でき、コントラストの高いディス
プレイを形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】一般的なＡＣ型ＰＤＰを示す説明用断面図であ
る。

【図２】一般的なＤＣ型ＰＤＰを示す説明用断面図であ
る。

【図３】本発明の一実施例に係るプラズマディスプレイ
パネルの製造方法を工程順に示す説明用断面図である。

【図４】本発明の一実施例に係る製造方法の、図３の工
程に続く工程を順に示す説明用断面図である。

【符号の説明】

１ 前面基板 ２ 背面基
板 ３ 誘電体 ３Ａ ＭｇＯ
層 ４ 蛍光体 ５ 障壁 ６Ａ 維持電極 ６Ｂ 信号電
極 ６ａ 陰極 ６ｂ 表示陽
極 ６ｂ’ 表示陽極リード ６ｃ 補助陽
極 ６ｃ’ 補助陽極リード ７ 抵抗 ８ 表示セル ９ 補助セ
ル １０ バスライン １１ ガラス
基板 ２１ 透明電極 ３０ 転写フ
ィルム ３１ 反射防止膜形成用ペースト層 ３２ 支持フィルム ４０ 転写フ
ィルム ４１ 導電性ペースト層 ４２ 支持フ
ィルム ５１ レジスト膜 Ｍ 露光用
マスク ＭＡ 光透過部（露光用マスク） ＭＢ 遮光部
（露光用マスク） ５５ レジストパターン ５５Ａ レジス
ト残留部 ５５Ｂ レジスト除去部 ６０ 反射防
止膜 ７０ 導電性パターン ８０ バス電
極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 根本 宏明 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 別所 信夫 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持フィルム上に形成された反射防止膜
   形成用ペースト層を基板上に転写し、別の支持フィルム
   上に形成された導電性ペースト層を反射防止膜形成用ペ
   ースト層上に転写し、導電性ペースト層上にレジスト膜
   を形成し、当該レジスト膜を露光処理して、レジストパ
   ターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理して
   レジストパターンを顕在化させ、導電性ペースト層およ
   び反射防止膜形成用ペースト層をエッチング処理してレ
   ジストパターンに対応する導電性ペースト層および反射
   防止膜形成用ペースト層のパターンを形成し、当該パタ
   ーンを焼成処理する工程を含む方法により、電極を形成
   することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製
   造方法。
2. 【請求項２】 レジスト膜、導電性ペースト層および反
   射防止膜形成用ペースト層を有する積層膜を支持フィル
   ム上に形成し、当該積層膜を基板上に転写し、当該積層
   膜を構成するレジスト膜を露光処理してレジストパター
   ンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジ
   ストパターンを顕在化させ、導電性ペースト層および反
   射防止膜形成用ペースト層をエッチング処理してレジス
   トパターンに対応する導電性ペースト層および反射防止
   膜形成用ペースト層のパターンを形成し、当該パターン
   を焼成処理する工程を含む方法により、電極を形成する
   ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方
   法。
3. 【請求項３】 レジスト膜、導電性ペースト層および反
   射防止膜形成用ペースト層を有する積層膜が支持フィル
   ム上に形成されていることを特徴とする、電極形成用転
   写フィルム。