JP4035888B2

JP4035888B2 - 電極の製造方法および転写フィルム

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Publication number: JP4035888B2
Application number: JP11079598A
Authority: JP
Inventors: 英明増子; 隆徳山下; 宏明根本; 信夫別所
Original assignee: JSR Corp
Current assignee: JSR Corp
Priority date: 1998-04-21
Filing date: 1998-04-21
Publication date: 2008-01-23
Anticipated expiration: 2018-04-21
Also published as: JPH11307907A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント回路基板、多層回路基板、マルチチップモジュール、ＬＣＤおよびＬＳＩ等の電極配線や突起電極を構成する電極の形成において、高精細パターンの形成が可能となり、また転写フィルムを使用することにより従来の方法に比べて実質的に作業性を向上させることができる電極の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、プリント回路基板、多層回路基板、マルチチップモジュール、ＬＣＤおよびＬＳＩ等の電極配線や突起電極に対して、小型化、高精細化、高密度化の要求が高まっている。
【０００３】
従来、このような電極の製造方法としては、（１）金属薄膜をスパッタや蒸着などで形成し、レジストを塗布、露光、現像後にエッチング液により金属薄膜のパターンを形成するエッチング法、（２）非感光性の導電性ペースト組成物を基板上にスクリーン印刷してパターンを得、これを焼成するスクリーン印刷法、（３）感光性の導電性ペースト組成物の膜を基板上に形成し、この膜にフォトマスクを介して紫外線を照射した上で現像することにより基板上にパターンを残存させ、これを焼成するフォトリソグラフィー法などが知られている。
【０００４】
しかしながら、前記エッチング法では、真空設備が必要なこと、工程上のスループットが遅いなどの問題がある。
前記スクリーン印刷法では、高精細化に伴い１００μｍ以下のパターン形成に限界があり、解像度の点で通常の印刷では対応できないという問題がある。
また、前記フォトリソグラフィー法では、５〜２０μｍの膜厚を有するパターンを形成する際、導電性ペースト層の深さ方向に対する感度が不十分であり、現像マージンの広い材料が得られるものとはならなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記のようなエッチング法、スクリーン印刷法およびフォトリソグラフィー法では達成しえなかった高精細パターンを簡便な方法で形成できる電極材料を提供することにある。
すなわち、本発明者らは、感光性成分であるレジスト膜と導電性ペースト層を分離し、さらにレジスト膜と導電性ペースト層との積層膜を支持フィルム上に形成し、支持フィルム上に形成された積層膜を基板上に転写し、当該積層膜を構成するレジスト膜を露光処理してレジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、導電性ペースト層をエッチング処理してレジストパターンに対応する導電性ペースト層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理する工程を含む方法により、電極を形成する。
このような製造方法によれば、高精細パターンの形成が可能で表面の均一性に優れた電極を形成することができ、また、膜形成材料層が支持フィルム上に形成されてなる複合フィルム（以下、「転写フィルム」ともいう。）は、これをロール状に巻き取って保存することができる点でも有利である。
【０００６】
本発明の第１の目的は、新規な電極の形成方法を有する電極の製造方法を提供することにある。
本発明の第２の目的は、寸法精度の高いパターンを形成することのできる電極の製造方法を提供することにある。
本発明の第３の目的は、従来の製造方法に比べて、実質的に作業性を向上することができる製造効率の優れた電極の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の電極の製造方法は、支持フィルム上に形成された導電性ペースト層を用いて、電極を形成することを特徴とする。具体的には、支持フィルム上に形成された導電性ペースト層を基板上に転写し、導電性ペースト層上にレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光処理して、レジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、導電性ペースト層をエッチング処理してレジストパターンに対応する導電性ペースト層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理する工程を含む方法により、電極を形成することを特徴とする。
【０００８】
本発明の製造方法における好ましい実施形態は次のとおりである
（ａ）エッチング液がアルカリ性溶液であること。
（ｂ）現像処理に使用する現像液と、エッチング処理に使用するエッチング液が同一の溶液であること。
【０００９】
また、本発明の製造方法は、レジスト膜と導電性ペースト層との積層膜を支持フィルム上に形成し、支持フィルム上に形成された積層膜を基板上に転写し、当該積層膜を構成するレジスト膜を露光処理してレジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、導電性ペースト層をエッチング処理してレジストパターンに対応する導電性ペースト層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理する工程を含む方法により、電極を形成することを特徴とする。
【００１０】
【作用】
本発明の製造方法において、導電性ペースト層は、導電性粒子を分散させた導電性ペースト組成物を、剛性を有する基板上に直接塗布して形成されるのではなく、可撓性を有する支持フィルム上に塗布することにより形成される。このため、当該ペースト状組成物の塗布方法として、ロールコータなどによる塗布方法を採用することができ、これにより、膜厚が大きくて、かつ、膜厚の均一性に優れた導電性ペースト層（例えば１〜２０μｍ±１μｍ）を支持フィルム上に形成することが可能となる。そして、このようにして形成された導電性ペースト層を基板の表面に対して転写するという簡単な操作により、当該導電性ペースト層を基板上に確実に形成することができる。従って本発明の製造方法によれば、導電性ペースト層の形成工程における工程改善（高効率化）を図ることができるとともに、形成されるパターンの品質の向上（高精細化）を図ることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の製造方法について詳細に説明する。本発明の製造方法においては、〔１〕導電性ペースト層の転写工程、〔２〕レジスト膜の形成工程、〔３〕レジスト膜の露光工程、〔４〕レジスト膜の現像工程、〔５〕導電性ペースト層のエッチング工程、〔６〕導電性ペースト層パターンの焼成工程により、電極を形成する。
【００１２】
＜導電性ペースト層の転写工程＞
本発明の製造方法においては、転写フィルムを使用し、当該転写フィルムを構成する導電性ペースト層を基板の表面に転写する点に特徴を有するものである。ここに、転写フィルムは、支持フィルムと、この支持フィルム上に形成された導電性ペースト層とを有してなり、当該導電性ペースト層の表面には保護フィルム層が設けられていてもよい。転写フィルムの具体的構成については後述する。
【００１３】
転写工程の一例を示せば以下のとおりである。必要に応じて使用される転写フィルムの保護フィルム層を剥離した後、基板１１の表面に、導電性ペースト層２１の表面が当接されるように転写フィルム２０を重ね合わせ、この転写フィルム２０を加熱ローラなどにより熱圧着した後、導電性ペースト層２１から支持フィルム２２を剥離除去する。これにより、図１（ハ）に示すように、基板１１の表面に導電性ペースト層２１が転写されて密着した状態となる。ここで、転写条件としては、例えば、加熱ローラの表面温度が８０〜１４０℃、加熱ローラによるロール圧が１〜５ｋｇ／ｃｍ²、加熱ローラの移動速度が０．１〜１０．０ｍ／分を示すことができる。また、基板は予熱されていてもよく、予熱温度としては例えば４０〜１２０℃とすることができる。
また、導電性ペースト層を転写する際、基板と転写フィルムの間に下層反射防止層を設けても良い。該反射防止層は、例えばカーボンブラックなどを含有するペーストを塗布して乾燥させて得られる。また、後述するように、導電性ペースト層と反射防止層からなる積層膜を有する転写フィルムを用い、反射防止層と導電性ペースト層の一括転写を行っても良い。
【００１４】
＜レジスト膜の形成工程＞
この工程においては、図１（二）に示すように、転写された導電性ペースト層２１の表面にレジスト膜３１を形成する。このレジスト膜３１を構成するレジストとしては、ポジ型レジストおよびネガ型レジストのいずれであってもよく、その具体的組成については後述する。
また、レジスト膜３１の形成工程においては、転写された導電性ペースト層上に染料等の紫外線吸収剤を含有した反射防止層を一層設け、その反射防止膜上にレジスト膜を形成しても良い。
レジスト膜３１は、スクリーン印刷法、ロール塗布法、回転塗布法、流延塗布法等種々の方法によってレジストを塗布した後、塗膜を乾燥することにより形成することができる。
また、支持フィルム上に形成されたレジスト組成物を導電性ペースト層２１の表面に転写することによって形成してもよい。このような形成方法によれば、レジスト膜の形成工程における工程改善（高効率化）を図ることができるとともに、形成される導電性パターンの膜厚均一性を図ることができる。
レジスト膜３１の膜厚としては、通常、０．１〜４０μｍ、好ましくは０．５〜２０μｍである。
【００１５】
〈レジスト膜の露光工程〉
この工程においては、図１（ホ）に示すように、導電性ペースト層２１上に形成されたレジスト膜３１の表面に、露光用マスクＭを介して、紫外線などの放射線を選択的照射（露光）して、レジストパターンの潜像を形成する。同図において、ＭＡおよびＭＢは、それぞれ、露光用マスクＭにおける光透過部および遮光部である。
ここに、放射線照射装置としては、前記フォトリソグラフィー法で使用されている紫外線照射装置、半導体および液晶表示装置を製造する際に使用されている露光装置など特に限定されるものではない。
【００１６】
〈レジスト膜の現像工程〉
この工程においては、露光されたレジスト膜を現像処理することにより、レジストパターン（潜像）を顕在化させる。
ここに、現像処理条件としては、レジスト膜３１の種類などに応じて、現像液の種類・組成・濃度、現像時間、現像温度、現像方法（例えば浸漬法、揺動法、シャワー法、スプレー法、パドル法）、現像装置などを適宜選択することができる。
この現像工程により、図２（ヘ）に示すように、レジスト残留部３５Ａと、レジスト除去部３５Ｂとから構成されるレジストパターン３５（露光用マスクＭに対応するパターン）が形成される。
このレジストパターン３５は、次工程（エッチング工程）におけるエッチングマスクとして作用するものであり、レジスト残留部３５Ａの構成材料は、導電性ペースト層２１の構成材料よりもエッチング液に対する溶解速度が小さいことが必要である。
【００１７】
〈導電性ペースト層のエッチング工程〉
この工程においては、導電性ペースト層をエッチング処理し、レジストパターンに対応する導電性ペースト層のパターンを形成する。
すなわち、図２（ト）に示すように、導電性ペースト層２１のうち、レジストパターン３５のレジスト除去部３５Ｂに対応する部分がエッチング液に溶解されて選択的に除去される。ここに、図２（ト）は、エッチング処理中の状態を示している。
そして、更にエッチング処理を継続すると、図２（チ）に示すように、導電性ペースト層２１におけるレジスト除去部に対応する部分で基板表面が露出する。ここに、エッチング処理条件としては、導電性ペースト層２１の種類などに応じて、エッチング液の種類・組成・濃度、処理時間、処理温度、処理方法（例えば浸漬法、揺動法、シャワー法、スプレー法、パドル法）、処理装置などを適宜選択することができる。
なお、エッチング液として、現像工程で使用した現像液と同一の溶液を使用することができるよう、レジスト膜３１、導電性ペースト層２１の種類を選択することにより、現像工程と、エッチング工程とを連続的に実施することが可能となり、工程の簡略化による製造効率の向上を図ることができる。
ここに、レジストパターン３５を構成するレジスト残留部３５Ａは、エッチング処理の際に徐々に溶解され、導電性ペースト層パターンが形成された段階（エッチング処理の終了時）で完全に除去されるものであることが好ましい。
なお、エッチング処理後にレジスト残留部３５Ａの一部または全部が残留していても、当該レジスト残留部３５Ａは、次の焼成工程で除去される。
【００１８】
＜導電性ペースト層の焼成工程＞
この工程においては、導電性ペースト層パターンを焼成処理して、電極を形成する。これにより、材料層残留部中の有機物質が焼失して、金属層が形成され、図２（リ）に示すような、基板上の表面に導電性パターン４０が形成されてなる電極材料５０を得ることができる。
ここに、焼成処理の温度としては、材料層残留部中の有機物質が焼失される温度であることが必要であり、通常、４００〜２０００℃とされる。また、焼成時間は、通常１０〜１００分間とされる。
【００１９】
＜導電性パターンを形成するための他の方法＞
本発明における導電性パターンの形成方法は、図１および図２に示したような方法に限定されるものではない。
ここに、導電性パターンを形成するための他の方法として、下記（１）〜（３）の工程による形成方法を挙げることができる。
（１）支持フィルム上にレジスト膜を形成した後、当該レジスト膜上に導電性ペースト層を積層形成する。ここに、レジスト膜、導電性ペースト層を形成する際には、ロールコータなどを使用することができ、これにより、膜厚の均一性に優れた積層膜を支持フィルム上に形成することができる。
（２）支持フィルム上に形成されたレジスト膜、導電性ペースト層との積層膜を基板上に転写する。ここに、転写条件としては前記『導電性ペースト層の転写工程』における条件と同様でよい。
（３）前記『レジスト膜の露光工程』、『レジスト膜の現像工程』、『導電性ペースト層のエッチング工程』および『導電性ペースト層の焼成工程』と同様の操作を行う。
以上のような方法によれば、導電性ペースト層およびレジスト膜とが基板上に一括転写されるので、工程の簡略化による製造効率を更に向上させることができる。
【００２０】
以下に、前記の各工程に用いられる材料、各種条件などについて説明する。
＜基板＞
基板材料としては、例えばセラミック、ガラス、シリコン、ポリカーボネート、ポリエステル、芳香族アミド、ポリアミドイミド、ポリイミドなどの絶縁性材料からなる板状部材である。この板状部材の表面に対しては、必要に応じて、シランカップリング剤などによる薬品処理；プラズマ処理；イオンプレーティング法、スパッタリング法、気相反応法、真空蒸着法などによる薄膜形成処理のような適宜の前処理を施されていてもよい。
【００２１】
＜転写フィルム＞
本発明の製造方法に用いる転写フィルムは、支持フィルムと、この支持フィルム上に形成された導電性ペースト層を有してなり、当該導電性ペースト層の表面に保護フィルム層が設けられていてもよい。
【００２２】
（１）支持フィルム：
転写フィルムを構成する支持フィルムは、耐熱性および耐溶剤性を有すると共に可撓性を有する樹脂フィルムであることが好ましい。支持フィルムが可撓性を有することにより、ロールコータによってペースト状組成物を塗布することができ、導電性ペースト層および反射防止膜形成用ペースト層をロール状に巻回した状態で保存し、供給することができる。支持フィルムを形成する樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリフロロエチレンなどの含フッ素樹脂、ナイロン、セルロースなどを挙げることができる。支持フィルムの厚さとしては、例えば２０〜１００μｍとされる。
【００２３】
（２）導電性ペースト層：
転写フィルムを構成する導電性ペースト層は、導電性粒子、結着樹脂および溶剤を必須成分として含有するペースト状の導電性ペースト組成物を前記支持フィルム上に塗布し、塗膜を乾燥して溶剤の一部又は全部を除去することにより形成することができる。
【００２４】
（３）導電性ペースト組成物
転写フィルムを作製するために使用される導電性ペースト組成物は、（ａ）導電性、（ｂ）結着樹脂および（ｃ）溶剤を含有してなるペースト状の組成物である。
【００２５】
（ａ）導電性粒子
電極形成材料に使用される導電性粒子としては、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ｃｕなどを挙げることができる。
【００２６】
（ｂ）結着樹脂
本発明の導電性ペースト組成物に使用される結着樹脂としては、種々の樹脂を用いることができるが、アルカリ可溶性樹脂を３０〜１００重量％の割合で含有するバインダーを用いることが特に好ましい。
ここに、「アルカリ可溶性」とは、後述するアルカリ性のエッチング液によって溶解し、目的とするエッチング処理が遂行される程度に溶解性を有する性質をいう。
かかるアルカリ可溶性樹脂の具体例としては、例えば（メタ）アクリル系樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、ノボラック樹脂、ポリエステル樹脂などを挙げることができる。
このようなアルカリ可溶性樹脂のうち、特に好ましいものとしては、下記のモノマー（イ）とモノマー（ロ）との共重合体、又はモノマー（イ）と、モノマー（ロ）とモノマー（ハ）との共重合体などのアクリル樹脂を挙げることができる。
【００２７】
モノマー（イ）：
アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸、ケイ皮酸などのカルボキシル基含有モノマー類；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシプロピルなどの水酸基含有モノマー類；ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレンなどのフェノール性水酸基含有モノマー類などに代表されるアルカリ可溶性官能基含有モノマー類。
モノマー（ロ）：
（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸ベンジル、グリシジル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレートなどのモノマー（イ）以外の（メタ）アクリル酸エステル類；スチレン、α−メチルスチレンなどの芳香族ビニル系モノマー類；ブタジエン、イソプレンなどの共役ジエン類などに代表されるモノマー（イ）と共重合可能なモノマー類。
モノマー（ハ）：
ポリスチレン、ポリ（メタ）アクリル酸メチル、ポリ（メタ）アクリル酸エチル、ポリ（メタ）アクリル酸ベンジル等のポリマー鎖の一方の末端に、（メタ）アクリロイル基などの重合性不飽和基を有するマクロモノマーなどに代表されるマクロモノマー類：
【００２８】
導電性ペースト組成物における結着樹脂の含有割合としては、上記導電性粒子１００重量部に対して、通常１〜１０００重量部とされ、好ましくは１〜１００重量部とされる。
【００２９】
（ｃ）溶剤
導電性ペースト組成物を構成する溶剤は、当該導電性ペースト組成物に、適当な流動性または可塑性、良好な膜形成性を付与するために含有される。
導電性ペースト組成物を構成する溶剤としては、特に制限されるものではなく、例えばエーテル類、エステル類、エーテルエステル類、ケトン類、ケトンエステル類、アミド類、アミドエステル類、ラクタム類、ラクトン類、スルホキシド類、スルホン類、炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類などを挙げることができる。
かかる溶剤の具体例としては、テトラヒドロフラン、アニソール、ジオキサン、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、酢酸エステル類、ヒドロキシ酢酸エステル類、アルコキシ酢酸エステル類、プロピオン酸エステル類、ヒドロキシプロピオン酸エステル類、アルコキシプロピオン酸エステル類、乳酸エステル類、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、アルコキシ酢酸エステル類、環式ケトン類、非環式ケトン類、アセト酢酸エステル類、ピルビン酸エステル類、Ｎ，Ｎ−ジアルキルホルムアミド類、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアセトアミド類、Ｎ−アルキルピロリドン類、γ−ラクトン類、ジアルキルスルホキシド類、ジアルキルスルホン類、ターピネオール、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどを挙げることができ、これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
導電性ペースト組成物における溶剤の含有割合としては、良好な膜形成性（流動性または可塑性）が得られる範囲内において適宜選択することができる。
【００３０】
導電性ペースト組成物には、任意成分として、可塑剤、現像促進剤、接着助剤、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、フィラー、低融点ガラス等の各種添加剤が含有されていてもよい。
【００３１】
導電性ペースト組成物を支持フィルム上に塗布する方法としては、膜厚の均一性に優れた膜厚の大きい（例えば１μｍ以上）塗膜を効率よく形成することができるものであることが必要とされ、具体的には、ロールコータによる塗布方法、ドクターブレードによる塗布方法、カーテンコーターによる塗布方法、ワイヤーコーター、スリットダイによる塗布方法などを好ましいものとして挙げることができる。
なお、導電性ペースト組成物が塗布される支持フィルムの表面には離型処理が施されていることが好ましい。これにより、後述する転写工程において、支持フィルムの剥離操作を容易に行うことができる。
【００３２】
塗膜の乾燥条件としては、例えば、５０〜１５０℃で０．５〜３０分間程度とされ、乾燥後における溶剤の残存割合（反射防止膜形成用ペースト層中の含有率）は、通常２重量％以内とされる。
【００３３】
上記のようにして支持フィルム上に形成される導電性ペースト層の厚さとしては、導電性粒子の含有率、部材の種類やサイズなどによっても異なるが、例えば１〜４０μｍとされる。
なお、導電性ペースト層の表面に設けられることのある保護フィルム層としては、ポリエチレンフィルム、ポリビニルアルコール系フィルムなどを挙げることができる。
【００３４】
＜レジスト膜（レジスト組成物）＞
本発明の製造方法においては、導電性ペースト層上にレジスト膜が形成され、当該レジスト膜に露光処理および現像処理を施すことにより、前記導電性ペースト層上にレジストパターンが形成される。
レジスト膜を形成するために使用するレジスト組成物としては、（１）アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物、（２）有機溶剤現像型感放射線性レジスト組成物、（３）水性現像型感放射線性レジスト組成物などを例示することができる。以下、これらのレジスト組成物について説明する。
【００３５】
（１）アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物
アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物は、アルカリ可溶性樹脂と感放射線性成分を必須成分として含有してなる。
アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物を構成するアルカリ可溶性樹脂としては、導電性ペースト組成物のバインダー成分を構成するものとして例示したアルカリ可溶性樹脂を挙げることができる。
アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物を構成する感放射線性成分としては、例えば、（イ）多官能性モノマーと光重合開始剤との組み合わせ、（ロ）メラミン樹脂と放射線照射により酸を形成する光酸発生剤との組み合わせ、（ハ）放射線照射によりアルカリ難溶性のものがアルカリ可溶性になる化合物などを例示することができ、上記（イ）の組み合わせのうち、多官能性（メタ）アクリレートと光重合開始剤とのネガタイプの組み合わせと（ハ）のポジタイプが特に好ましい。
【００３６】
ネガタイプの感放射線性成分を構成する多官能性（メタ）アクリレートの具体例としては、エチレングリコール、プロピレングリコールなどのアルキレングリコールのジ（メタ）アクリレート類；ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールなどのポリアルキレングリコールのジ（メタ）アクリレート類；両末端ヒドロキシポリブタジエン、両末端ヒドロキシポリイソプレン、両末端ヒドロキシポリカプロラクトンなどの両末端ヒドロキシル化重合体のジ（メタ）アクリレート類；
グリセリン、１，２，４−ブタントリオール、トリメチロールアルカン、テトラメチロールアルカン、ジペンタエリスリトールなどの３価以上の多価アルコールのポリ（メタ）アクリレート類；３価以上の多価アルコールのポリアルキレングリコール付加物のポリ（メタ）アクリレート類；１，４−シクロヘキサンジオール、１，４−ベンゼンジオール類などの環式ポリオールのポリ（メタ）アクリレート類；ポリエステル（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、アルキド樹脂（メタ）アクリレート、シリコーン樹脂（メタ）アクリレート、スピラン樹脂（メタ）アクリレート等のオリゴ（メタ）アクリレート類などを挙げることができ、これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００３７】
また、ネガタイプの感放射線性成分を構成する光重合開始剤の具体例としては、ベンジル、ベンゾイン、ベンゾフェノン、カンファーキノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２−メチル−〔４’−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノ−１−プロパノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オンなどのカルボニル化合物；アゾイソブチロニトリル、４−アジドベンズアルデヒドなどのアゾ化合物あるいはアジド化合物；メルカプタンジスルフィドなどの有機硫黄化合物；ベンゾイルパーオキシド、ジ−ｔｒｅｔ−ブチルパーオキシド、ｔｒｅｔ−ブチルハイドロパーオキシド、クメンハイドロパーオキシド、パラメタンハイドロパーオキシドなどの有機パーオキシド；１，３−ビス（トリクロロメチル）−５−（２’−クロロフェニル）−１，３，５−トリアジン、２−〔２−（２−フラニル）エチレニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジンなどのトリハロメタン類；２，２’−ビス（２−クロロフェニル）４，５，４’，５’−テトラフェニル１，２’−ビイミダゾールなどのイミダゾール二量体などを挙げることができ、これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００３８】
一方、ポジタイプの感放射線性化合物としては、ポリヒドロキシ化合物の１,２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１,２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルおよび１,２−ナフトキノンジアジド−６−スルホン酸エステルなどが挙げられ、特に、１,２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルが好ましい。
感放射線性化合物は、例えば、ポリヒドロキシ化合物とキノンジアジドスルホニルクロリドとを塩基性触媒の存在下で反応させることにより得られる。通常、ポリヒドロキシ化合物の全水酸基に対するキノンジアジドスルホン酸エステルの割合（平均エステル化率）は、２０％以上１００％以下であり、好ましくは４０％以上９５％以下である。平均エステル化率が低すぎると、パターン形成が難しく、高すぎると感度の低下を招くことがある。
ここで、用いられるポリヒドロキシ化合物としては、特に限定される物ではないが、具体例として下記に示す化合物が挙げられる。
【００３９】
【化１】

【００４０】
（式中、Ｘ₁〜Ｘ₁₅は、それぞれ相互に同一または異なり、水素原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₆〜Ｃ₁₀のアリール基または水酸基である。ただし、Ｘ₁〜Ｘ₅およびＸ₆〜Ｘ₁₀のそれぞれの組み合わせにおいて少なくとも１つは水酸基である。また、Ｙ₁は、水素原子またはＣ₁〜Ｃ₄のアルキル基である。）
【００４１】
【化２】

【００４２】
（式中、Ｘ₁₆〜Ｘ₃₀は、前記Ｘ₁〜Ｘ₁₅と同様である。ただし、Ｘ₁₆〜Ｘ₂₀、Ｘ₂₁〜Ｘ₂₅およびＸ₂₆〜Ｘ₃₀のそれぞれの組み合わせにおいて少なくとも１つは水酸基である。また、Ｙ₂〜Ｙ₄は、それぞれ相互に同一または異なり、水素原子またはＣ₁〜Ｃ₄のアルキル基である。）
【００４３】
【化３】

【００４４】
（式中、Ｘ₃₁〜Ｘ₄₄は、前記Ｘ₁〜Ｘ₁₅と同様である。ただし、Ｘ₃₁〜Ｘ₃₅において少なくとも１つは水酸基である。また、Ｙ₅〜Ｙ₈は、それぞれ相互に同一または異なり水素原子またはＣ₁〜Ｃ₄のアルキル基である。）
【００４５】
【化４】

【００４６】
（式中、Ｘ₄₅〜Ｘ₅₈は、それぞれ相互に同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₅〜Ｃ₇のシクロアルキル基または水酸基である。ただし、Ｘ₄₅〜Ｘ₄₈およびＸ₄₉〜Ｘ₅₃のそれぞれの組み合わせにおいて少なくとも１つは水酸基である。また、Ｙ₉およびＹ₁₀は、それぞれ相互に同一または異なり水素原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基またはＣ₅〜Ｃ₇のシクロアルキル基である。）
【００４７】
【化５】

【００４８】
（式中、Ｘ₅₉〜Ｘ₈₀は、前記Ｘ₄₅〜Ｘ₅₈と同様である。ただし、Ｘ₅₉〜Ｘ₆₃、Ｘ₆₄〜Ｘ₆₇、Ｘ₇₂〜Ｘ₇₅およびＸ₇₆〜Ｘ₈₀のそれぞれの組み合わせにおいて少なくとも１つは水酸基である。また、Ｙ₁₁〜Ｙ₁₈は、それぞれ相互に同一または異なり水素原子またはＣ₁〜Ｃ₄のアルキル基である。）
【００４９】
【化６】

【００５０】
（式中、Ｘ₈₁〜Ｘ₉₀はそれぞれ相互に同一または異なり、水素原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₆〜Ｃ₁₀のアリール基または水酸基である。ただし、Ｘ₈₁〜Ｘ₉₀の組み合わせにおいて少なくとも１つは水酸基である。）
【００５１】
このアルカリ現像型感放射線性レジスト組成物における感放射線性成分の含有割合としては、アルカリ可溶性樹脂１００重量部当たり、通常１〜２００重量部とされ、好ましくは５〜１００重量部である。
また、アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物については、良好な膜形成性付与するために、適宜有機溶剤が含有される。かかる有機溶剤としては、導電性ペースト組成物を構成するものとして例示した溶剤を挙げることができる。
【００５２】
（２）有機溶剤現像型感放射線性レジスト組成物：
有機溶剤現像型感放射線性レジスト組成物は、天然ゴム、合成ゴム、およびこれらを環化されてなる環化ゴムなどから選ばれた少なくとも１種と、アジド化合物とを必須成分として含有してなる。
有機溶剤現像型感放射線性レジスト組成物を構成するアジド化合物の具体例としては、4，４’−ジアジドベンゾフェノン、４，４’−ジアジドジフェニルメタン、４，４’−ジアジドスチルベン、４，４’−ジアジドカルコン、４，４’−ジアジドベンザルアセトン、２，６−ジ（４’−アジドベンザル）シクロヘキサノン、２，６−ジ（４’−アジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサノンなどを挙げることができ、これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。
また有機溶剤現像型感放射線性レジスト組成物には、良好な膜形成性を付与するために、通常有機溶剤が含有される。かかる有機溶剤としては、反射防止膜形成用ペースト組成物を構成するものとして例示した溶剤を挙げることができる。
【００５３】
（３）水性現像型感放射線性レジスト組成物：
水性現像型感放射線性レジスト組成物は、例えばポリビニルアルコールなどの水溶性樹脂と、ジアゾニウム化合物および重クロム酸化合物から選ばれた少なくとも１種とを必須成分として含有してなる。
【００５４】
本発明の製造方法において使用するレジスト組成物には、任意成分として、現像促進剤、接着助剤、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、フィラー、蛍光体、顔料、染料などの各種添加剤が含有されていてもよい。
【００５５】
＜露光用マスク＞
レジスト膜の露光工程において使用される露光用マスクＭの露光パターンとしては、材料によって異なるが、一般的に１０〜５００μｍ幅のストライプである。
【００５６】
＜現像液＞
レジスト膜の現像工程で使用される現像液としては、レジスト膜（レジスト組成物）の種類に応じて適宜選択することができる。具体的には、アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物によるレジスト膜にはアルカリ現像液を使用することができ、有機溶剤型感放射線性レジスト組成物によるレジスト膜には有機溶剤現像液を使用することができ、水性現像型感放射線性レジスト組成物によるレジスト膜には水性現像液を使用することができる。
【００５７】
アルカリ現像液の有効成分としては、例えば水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、リン酸水素ナトリウム、リン酸水素二アンモニウム、リン酸水素二カリウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素アンモニウム、リン酸二水素カリウム、リン酸二水素ナトリウム、ケイ酸リチウム、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、ホウ酸リチウム、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カリウム、アンモニアなどの無機アルカリ性化合物；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、エタノールアミンなどの有機アルカリ性化合物などを挙げることができる。
レジスト膜の現像工程で使用されるアルカリ現像液は、前記アルカリ性化合物の１種または２種以上を水などに溶解させることにより調整することができる。ここに、アルカリ性現像液におけるアルカリ性化合物の濃度は、通常０．００１〜１０重量％とされ、好ましくは０．０１〜５重量％とされる。なお、アルカリ現像液による現像処理がなされた後は、通常、水洗処理が施される。
【００５８】
有機溶剤現像液の具体例としては、トルエン、キシレン、酢酸ブチルなどの有機溶剤を挙げることができ、これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。なお、有機溶剤現像液による現像処理がなされた後は、必要に応じて貧溶媒によるリンス処理が施される。
水性現像液の具体例としては、水、アルコールなどを挙げることができる。
【００５９】
＜エッチング液＞
導電性ペースト層のエッチング工程で使用されるエッチング液としては、アルカリ性溶液であることが好ましい。これにより、導電性ペースト層に含有されるアルカリ可溶性樹脂を容易に溶解除去することができる。
なお、導電性ペースト層に含有される導電性粒子は、アルカリ可溶性樹脂により均一に分散されているため、アルカリ性溶液でバインダーであるアルカリ可溶性樹脂を溶解させ、洗浄することにより、導電性粒子も同時に除去される。
ここに、エッチング液として使用されるアルカリ性溶液としては、現像液と同一組成の溶液を挙げることができる。
そして、エッチング液が、現像工程で使用するアルカリ現像液と同一の溶液である場合には、現像工程と、エッチング工程とを連続的に実施することが可能となり、工程の簡略化による製造効率の向上を図ることができる。
なお、アルカリ性溶液によるエッチング処理がなされた後は、通常、水洗処理が施される。
【００６０】
また、エッチング液として、導電性ペースト層のバインダーを溶解することのできる有機溶剤を使用することもできる。かかる有機溶剤としては、導電性ペースト組成物を構成するものとして例示した溶剤を挙げることができる。
なお、有機溶剤によるエッチング処理がなされた後は、必要に応じて貧溶媒によるリンス処理が施される。
【００６１】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。なお、以下において、「部」および「％」は、それぞれ「重量部」および「重量％」を示す。
また、重量平均分子量（Ｍｗ）は、東ソー株式会社製ゲルパーミィエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（商品名ＨＬＣ−８０２Ａ）により測定したポリスチレン換算の平均分子量である。
【００６２】
〔合成例１〕
Ｎ−メチル−２−ピロリドン２００部、ｎ−ブチルメタクリレート８０部、メタクリル酸２０部、アゾビスイソブチロニトリル１部からなる単量体組成物を、攪拌機付きオートクレーブに仕込み、窒素雰囲気下において、室温で均一になるまで攪拌した後、８０℃で３時間重合させ、さらに１００℃で１時間重合反応を継続させた後室温まで冷却してポリマー溶液を得た。ここに、重合率は９８％であり、このポリマー溶液から析出した共重合体〔以下、「ポリマー（Ａ）」という。〕の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１００，０００であった。
【００６３】
〔合成例２〕
３−エトキシプロピオン酸エチル２００部、ｎ−ブチルメタクリレート８５部、メタクリル酸１５部、アゾビスイソブチロニトリル１部からなる単量体組成物をオートクレーブに仕込んだこと以外は合成例１と同様にしてポリマー溶液を得た。ここに、重合率は９８％であり、このポリマー溶液から析出した共重合体〔以下、「ポリマー（Ｂ）」という。〕の重量平均分子量（Ｍｗ）は、５０，０００であった。
【００６４】
〔合成例３〕（ＰＡＣ−１の合成）
下記式（イ）で表される化合物４.２８ｇ（０.０１ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン３０ｇに溶解し、トリエチルアミン２.８ｇ（０.０２８ｍｏｌ）を添加した。該溶液を０〜５℃に冷却しながら、３０分をかけて、１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド７.１１ｇ（０.０２５ｍｏｌ）を添加した。５時間後、析出したトリエチルアミン塩酸塩をろ過した後、脱イオン水で希釈した０.２％重量塩酸水２,０００ｍｌに再沈し、ろ過した後、３度水洗を繰り返した後、４０℃で真空乾燥させた後、９.２ｇの縮合化合物を得た。この化合物をＰＡＣ−１（ＰＡＣ；ＰｈｏｔｏＡｃｉｄＣｏｍｐｏｕｎｄ）とした。
【００６５】
【化７】

【００６６】
〔作製例１〕
導電性粒子として銀粉末７５０部と、アルカリ可溶性樹脂としてポリマー（Ａ）１５０部と、可塑剤としてポリプロピレングリコール〔分子量４００、和光純薬（株）製〕２０部と、溶剤としてＮ−メチル−２−ピロリドン４００部とを混練りすることにより、電極形成用の導電性ペースト組成物〔以下、「導電性ペースト組成物（１）」という。〕を調整した。
次いで、得られた導電性ペースト組成物（１）を、予め離型処理したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムよりなる支持フィルム（幅２００ｍｍ，長さ３０ｍ，厚さ３８μｍ）上にロールコータにより塗布して塗膜を形成した。形成された塗膜を１００℃で５分間乾燥することにより溶剤を除去し、これにより、厚さ２０μｍの電極形成用の導電性ペースト層〔以下、「導電性ペースト層（１）」という。〕が支持フィルム上に形成されてなる転写フィルム〔以下、「転写フィルム（１）」という。〕を作製した。
【００６７】
〔作製例２〕
アルカリ可溶性樹脂としてポリマー（Ｂ）５０部と、多官能性モノマー（感放射線性成分）としてペンタエリスリトールテトラアクリレート４０部と、光重合開始剤（感放射線性成分）として２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オン５部と、溶剤として３−エトキシプロピオン酸エチル１５０部とを混練りすることにより、ペースト状のネガタイプのアルカリ現像型感放射線性レジスト組成物（１）を調製した。
【００６８】
次いで、得られたレジスト組成物を、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムよりなる支持フィルム（幅２００ｍｍ，長さ３０ｍ，厚さ３８μｍ）上にロールコータにより塗布して塗膜を形成した。形成された塗膜を１１０℃で５分間乾燥することにより溶剤を完全に除去し、これにより、厚さ５μｍのレジスト膜〔以下、「レジスト膜（１）」という。〕が支持フィルム上に形成されてなる転写フィルム〔以下、「転写フィルム（２）」という。〕を作製した。
【００６９】
〔作製例３〕
アルカリ可溶性樹脂としてポリマー（Ｂ）５０部と、感光剤（感放射線性成分）としてＰＡＣ−１を１０部と、溶剤として３−エトキシプロピオン酸エチル１５０部とを混練りすることにより、ペースト状のポジタイプのアルカリ現像型感放射線性レジスト組成物（２）を調製した。
【００７０】
次いで、得られたレジスト組成物を、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムよりなる支持フィルム（幅２００ｍｍ，長さ３０ｍ，厚さ３８μｍ）上にロールコータにより塗布して塗膜を形成した。形成された塗膜を１００℃で５分間乾燥することにより溶剤を完全に除去し、これにより、厚さ５μｍのレジスト膜〔以下、「レジスト膜（２）」という。〕が支持フィルム上に形成されてなる転写フィルム〔以下、「転写フィルム（３）」という。〕を作製した。
【００７１】
＜実施例１＞
〔導電性ペースト層の転写工程〕
１０センチ角のアルミナ基板の表面に、電極形成用の導電性ペースト層（１）の表面が当接されるよう転写フィルム（１）を重ね合わせ、この転写フィルム（１）を加熱ローラにより熱圧着した。ここで、圧着条件としては、加熱ローラの表面温度を１２０℃、ロール圧を４ｋｇ／ｃｍ²、加熱ローラの移動速度を０．５ｍ／分とした。熱圧着処理の終了後、導電性ペースト層（１）から支持フィルムを剥離除去した。これにより、アルミナ基板の表面に導電性ペースト層（１）が転写されて密着した状態となった。この導電性ペースト層について膜厚を測定したところ２０μｍ±１μｍの範囲にあった。
【００７２】
〔レジスト膜の形成工程〕
導電性ペースト層（１）の表面に、レジスト膜（１）の表面が当接されるよう転写フィルム（２）を重ね合わせ、この転写フィルム（２）を加熱ローラ上記と同一の圧着条件により熱圧着した。熱圧着処理の終了後、レジスト膜（１）から支持フィルムを剥離除去した。これにより、導電性ペースト層（１）の表面にレジスト膜（１）が転写されて密着した状態となった。
導電性ペースト層（１）の表面に転写されたレジスト膜（１）について膜厚を測定したところ５μｍ±１μｍの範囲にあった。
【００７３】
〔レジスト膜の露光工程〕
導電性ペースト層の積層体上に形成されたレジスト膜（１）に対して、露光用マスク（４０μｍ幅のストライプパターン）を介して、超高圧水銀灯により、ｉ線（波長３６５ｎｍの紫外線）を照射した。ここに、照射量は４００ｍＪ／ｃｍ²とした。
【００７４】
〔レジスト膜の現像工程〕
露光処理されたレジスト膜（１）に対して、０．１重量％の水酸化カリウム水溶液（２５℃）を現像液とするシャワー法による現像処理を３０秒かけて行った。次いで超純水による水洗処理を行い、これにより、紫外線が照射されていない未硬化のレジストを除去し、レジストパターンを形成した。
【００７５】
〔導電性ペースト層のエッチング工程〕
上記の工程に連続して、０．１重量％の水酸化カリウム水溶液（２５℃）をエッチング液とするシャワー法によるエッチング処理を３分かけて行った。
次いで、超純水による水洗処理および乾燥処理を行った。、これにより、材料層残留部と、材料層除去部とから構成される導電性ペースト層のパターンを形成した。
【００７６】
〔導電性ペースト層の焼成工程〕
導電性ペースト層のパターンが形成されたアルミナ基板を焼成炉内で８００℃の温度雰囲気下で２０分間にわたり焼成処理を行った。これにより、アルミナ基板上に電極配線が形成されてなる電極材料が得られた。
得られた電極材料における電極の断面形状を走査型電子顕微鏡により観察し、当該断面形状の底面の幅および高さを測定したところ、底面の幅が４０μｍ±２μｍ、高さが８μｍ±１μｍであり、寸法精度がきわめて高いものであった。
【００７７】
＜実施例２＞
実施例１において、転写フィルム（２）を転写フィルム（３）に変更した以外は実施例１と同様にしてアルミナ基板上に電極配線を形成した。
得られた電極材料における電極の断面形状を走査型電子顕微鏡により観察し、当該断面形状の底面の幅および高さを測定したところ、底面の幅が４０μｍ±２μｍ、高さが８μｍ±１μｍであり、寸法精度がきわめて高いものであった。
【００７８】
＜実施例３＞
〔転写フィルムの作製〕
下記（イ）〜（ロ）の操作により、導電性ペースト層およびレジスト膜との積層膜が支持フィルム上に形成されてなる転写フィルム（４）を作製した。
（イ）実施例１で使用したポジタイプのアルカリ現像型感放射線性レジスト組成物（１）をＰＥＴフィルムよりなる支持フィルム（幅２００ｍｍ、長さ３０ｍ、厚さ３８μｍ）上にロールコータを用いて塗布し、塗膜を１００℃で５分間乾燥して溶剤を完全に除去し、厚さ５μｍのレジスト膜〔以下、「レジスト膜（１’）」という。〕を支持フィルム上に形成した。
（ロ）実施例１で使用した導電性ペースト組成物（１）をレジスト膜（１’）上にロールコータを用いて塗布し、塗膜を１００℃で５分間乾燥して溶剤を完全に除去し、厚さ２０μｍの導電性ペースト層〔以下、「導電性ペースト層（１’）」という。〕をレジスト膜（１’）上に形成した。
【００７９】
〔積層膜の転写工程〕
実施例１で使用したのと同様のアルミナ基板上に、導電性ペースト層（１’）の表面が当接されるよう転写フィルムを重ね合わせ、この転写フィルムを加熱ローラに熱圧着した。ここで、圧着条件としては、加熱ローラの表面温度を１２０℃、ロール圧を４ｋｇ／ｃｍ²、加熱ローラの移動速度を０．５ｍ／分とした。熱圧着処理の終了後、積層膜〔レジスト膜（１’）の表面〕から支持フィルムを剥離除去した。これにより、アルミナ基板の表面に積層膜が転写されて密着した状態となった。この積層膜〔導電性ペースト層およびレジスト膜との積層膜〕ついて膜厚を測定したところ２５μｍ±２μｍの範囲にあった。
【００８０】
〔レジスト膜の露光工程・現像工程〕
導電性ペースト層の積層体上に形成されたレジスト膜（１’）に対して、実施例１と同様の条件で、露光処理（紫外線照射）、水酸化カリウム水溶液による現像処理および水洗処理を行うことにより、導電性ペースト層の積層体上にレジストパターンを形成した。
【００８１】
〔導電性ペースト層のエッチング工程〕
上記の工程に連続して、実施例１と同様の条件で、水酸化カリウム水溶液によるエッチング処理、水洗処理および乾燥処理を行うことにより、導電性ペースト層のパターンを形成した。
【００８２】
〔導電性ペースト層の焼成工程〕
導電性ペースト層のパターンが形成されたアルミナ基板を焼成炉内で８００℃の温度雰囲気下で２０分間にわたり焼成処理を行った。これにより、アルミナ基板上に電極配線が形成されてなる電極材料が得られた。
得られた電極材料における電極の断面形状を走査型電子顕微鏡により観察し、当該断面形状の底面の幅および高さを測定したところ、底面の幅が４０μｍ±２μｍ、高さが８μｍ±１μｍであり、寸法精度がきわめて高いものであった。
【００８３】
【発明の効果】
本発明の電極の製造方法によれば、従来の方法に比べて実質的に工程数が少なく、従って作業性を向上させる電極を製造することができる。
さらに、本発明の電極の製造方法によれば、従来の方法に比べて高精細パターンの形成が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る電極の製造方法を工程順に示す説明用断面図である。
【図２】本発明の一実施例に係る製造方法の、図１の工程に続く工程を順に示す説明用断面図である。
【符号の説明】
１１基板２０転写フィルム
２１導電性ペースト層２２支持フィルム
２５導電性ペースト層パターン２５Ａ材料層残留部
２５Ｂ材料層除去部３１レジスト膜
Ｍ露光用マスクＭＡ光透過部（露光用マスク）
ＭＢ遮光部（露光用マスク）３５レジストパターン
３５Ａレジスト残留部３５Ｂレジスト除去部
４０導電性パターン５０電極材料

Claims

支持フィルム上に形成された、結着樹脂としてアルカリ可溶性樹脂を用いた導電性ペースト層を基板上に転写し、基板上に転写された導電性ペースト層上にアルカリ現像型感放射線性レジスト組成物によるレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光処理して、レジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜をアルカリ現像液で現像処理してレジストパターンを顕在化させ、導電性ペースト層を、上記アルカリ現像液と同一組成を有するエッチング液を用いてエッチング処理してレジストパターンに対応する当該導電性ペースト層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理する工程を含む方法により形成することを特徴とする電極の製造方法。
アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物によるレジスト膜、結着樹脂としてアルカリ可溶性樹脂を用いた導電性ペースト層を有する積層膜を支持フィルム上に形成し、当該積層膜を基板上に転写し、当該積層膜を構成する当該レジスト膜を露光処理してレジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜をアルカリ現像液で現像処理してレジストパターンを顕在化させ、導電性ペースト層を、当該現像液と同一組成を有するエッチング液を用いてエッチング処理してレジストパターンに対応する当該導電性ペースト層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理する工程を含む方法により形成することを特徴とする電極の製造方法。