JP2000215798A - 透明電極の製造方法および透明電極用転写フィルム - Google Patents

透明電極の製造方法および透明電極用転写フィルム

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JP2000215798A
JP2000215798A JP1610299A JP1610299A JP2000215798A JP 2000215798 A JP2000215798 A JP 2000215798A JP 1610299 A JP1610299 A JP 1610299A JP 1610299 A JP1610299 A JP 1610299A JP 2000215798 A JP2000215798 A JP 2000215798A
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Shiro Takahashi
至郎 高橋
Hideaki Masuko
英明 増子
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 PDP、LCD、有機EL材料のようなディ
スプレイ材料の各表示セルを構成する透明電極の形成に
おいて、高精細パターンの形成が可能となり、また転写
フィルムを使用することにより従来の方法に比べて実質
的に作業性を向上させることができる透明電極の製造方
法および転写フィルムを提供する。 【解決手段】 支持フィルム上に形成された導電性粒子
含有層を基板上に転写し、基板上に転写された導電性粒
子含有層上にレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露
光処理して、レジストパターンの潜像を形成し、当該レ
ジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化さ
せ、導電性粒子含有層をエッチング処理してレジストパ
ターンに対応する導電性粒子含有層のパターンを形成
し、当該パターンを焼成処理する工程を含むことを特徴
とする透明電極の製造方法を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、PDP、LCD、
有機EL材料のようなディスプレイ材料の各表示セルを
構成する透明電極の形成において、高精細パターンの形
成が可能となり、また転写フィルムを使用することによ
り従来の方法に比べて実質的に作業性を向上させること
ができる透明電極の製造方法および転写フィルムに関す
る。
【0002】
【従来の技術】PDP、LCD、有機EL材料などに用
いられる、透明電極の製造方法としては、従来、(1)
非感光性の導電性粒子含有組成物を基板上にスクリーン
印刷してパターンを得、これを焼成するスクリーン印刷
法、(2)感光性の導電性粒子含有組成物の膜を基板上
に形成し、この膜にフォトマスクを介して紫外線を照射
した上で現像することにより基板上にパターンを残存さ
せ、これを焼成するフォトリソグラフィー法、(3)導
電性粒子を真空中で蒸発させて、基板上に付着させる真
空蒸発法、(4)酸化物ターゲットや金属ターゲットを
用いるスパッタリング法などが知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記ス
クリーン印刷法では、各ディスプレイにおけるパネルの
大型化、高精細化などに伴い、パターンの位置精度の要
求が非常に厳しくなり、通常の印刷では対応できないと
いう問題がある。また、前記フォトリソグラフィー法で
は、一回の露光および現像の工程で10〜100μmの
膜厚を有するパターンを形成する際、導電性粒子含有層
の深さ方向に対する感度が不十分であり、必ずしもエッ
ジがシャープな高精細パターンが得られるものとはなら
なかった。また真空蒸着法、スパッタリング法において
も各パネル毎に雰囲気を制御して処理しなければなら
ず、皮膜形成に多大なコストがかかり、実用的な透明電
極の製造には極めて不都合である。
【0004】本発明の第1の目的は、新規な透明電極の
形成方法を提供することにある。本発明の第2の目的
は、寸法精度の高いパターンを形成することのできる透
明電極の製造方法を提供することにある。本発明の第3
の目的は、従来の製造方法に比べて、実質的に作業性を
向上することができる製造効率の優れた透明電極の製造
方法を提供することにある。本発明の第4の目的は、上
記透明電極の製造方法に好適に用いられる、透明電極用
転写フィルムを提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の透明電極の製造
方法は、支持フィルム上に形成されたITO分散ペース
ト層などの導電性粒子含有層を用いて、透明電極を形成
することを特徴とする。本発明の透明電極の製造方法と
しては、2つの方法が挙げられる。第1の製造方法(以
下、「透明電極の製造方法」ともいう)は、支持フィ
ルム上に形成された導電性粒子含有層を基板上に転写
し、基板上に転写された導電性粒子含有層上にレジスト
膜を形成し、当該レジスト膜を露光処理して、レジスト
パターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理し
てレジストパターンを顕在化させ、導電性粒子含有層を
エッチング処理してレジストパターンに対応する導電性
粒子含有層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処
理する工程を含む方法により、透明電極を形成すること
を特徴とする。
【0006】また、本発明に係る第2の透明電極の製造
方法(以下、「透明電極の製造方法」ともいう)は、
レジスト膜と導電性粒子含有層との積層膜を支持フィル
ム上に形成し、支持フィルム上に形成された積層膜を基
板上に転写し、当該積層膜を構成するレジスト膜を露光
処理してレジストパターンの潜像を形成し、当該レジス
ト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化させ導電
性粒子含有層をエッチング処理してレジストパターンに
対応する導電性粒子含有層のパターンを形成し、当該パ
ターンを焼成処理し導電性粒子パターンを形成する工程
を含む方法により、透明電極を形成することを特徴とす
る。
【0007】本発明の透明電極の製造方法における好ま
しい実施形態は次のとおりである (a)エッチング液に対して溶解性が異なる複数の積層
からなる導電性粒子含有層を、基板上に転写形成するこ
と。 (b)支持フィルム上に形成された層をn回(但し、n
=2〜10の整数である。)にわたって転写することに
より、n層の積層からなる導電性粒子含有層を基板上に
形成すること。 (c)支持フィルム上に形成されたn層(但し、n=2
〜10の整数である。)の積層からなる導電性粒子含有
層を一括転写することにより、導電性粒子含有層を基板
上に形成すること。 (d)レジスト膜を転写することにより、導電性粒子含
有層上にレジスト膜を形成すること。 (e)エッチング液がアルカリ性溶液であること。 (f)現像処理に使用する現像液と、エッチング処理に
使用するエッチング液が同一の溶液であること。
【0008】
【作用】本発明の製造方法において導電性粒子含有層
は、導電性粒子を分散させたペースト状の導電性粒子含
有組成物(電極形成用組成物)を、剛性を有する基板上
に直接塗布して形成されるのではなく、可撓性を有する
支持フィルム上に塗布することにより形成される。この
ため、当該組成物の塗布方法として、ロールコータなど
による塗布方法を採用することができ、これにより、膜
厚が大きくて、かつ、膜厚の均一性に優れた導電性粒子
含有層(例えば10μm±1μm)を支持フィルム上に
形成することが可能となる。そして、このようにして形
成された導電性粒子含有層を基板の表面に対して一括転
写するという簡単な操作により、当該導電性粒子含有層
を基板上に確実に形成することができる。従って本発明
の製造方法によれば、導電性粒子含有層の形成工程にお
ける工程改善(高効率化)を図ることができるととも
に、形成されるパターンの品質の向上(高精細化)を図
ることができる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。透明電極の製造方法 透明電極の製造方法においては、〔1〕導電性粒子含
有層の転写工程、〔2〕レジスト膜の形成工程、〔3〕
レジスト膜の露光工程、〔4〕レジスト膜の現像工程、
〔5〕導電性粒子含有層のエッチング工程、〔6〕導電
性粒子含有層パターンの焼成工程により、電極を形成す
る。
【0010】<導電性粒子含有層の転写工程>図1およ
び図2は、本発明の製造方法における導電性粒子含有層
の形成工程の一例を示す概略断面図である。図1(イ)
において、11は基板である。本発明の製造方法におい
ては、本発明の転写フィルムを使用し、当該転写フィル
ムを構成する導電性粒子含有層を基板の表面に転写する
点に特徴を有するものである。ここに、転写フィルム
は、支持フィルムと、この支持フィルム上に形成された
導電性粒子含有層とを有してなり、当該導電性粒子含有
層の表面には保護フィルム層が設けられていてもよい。
転写フィルムの具体的構成については後述する。
【0011】転写工程の一例を示せば以下のとおりであ
る。必要に応じて使用される転写フィルムの保護フィル
ム層を剥離した後、図1(ロ)に示すように、基板11
の表面に、導電性粒子含有層21の表面が当接されるよ
うに転写フィルム20を重ね合わせ、この転写フィルム
20を加熱ローラなどにより熱圧着した後、導電性粒子
含有層21から支持フィルム22を剥離除去する。これ
により、図1(ハ)に示すように、基板11の表面に導
電性粒子含有層21が転写されて密着した状態となる。
ここで、転写条件としては、例えば、加熱ローラの表面
温度が80〜140℃、加熱ローラによるロール圧が1
〜5kg/cm2 、加熱ローラの移動速度が0.1〜1
0.0m/分を示すことができる。また、基板は予熱さ
れていてもよく、予熱温度としては例えば40〜100
℃とすることができる。
【0012】<レジスト膜の形成工程>この工程におい
ては、図1(ニ)に示すように、転写された導電性粒子
含有層21の表面にレジスト膜31を形成する。このレ
ジスト膜31を構成するレジストとしては、ポジ型レジ
ストおよびネガ型レジストのいずれであってもよく、そ
の具体的組成については後述する。レジスト膜31は、
スクリーン印刷法、ロール塗布法、回転塗布法、流延塗
布法等種々の方法によってレジストを塗布した後、塗膜
を乾燥することにより形成することができる。また、レ
ジスト膜を導電性粒子含有層21の表面に転写すること
によって形成してもよい。この場合には、支持フィルム
上にレジスト膜を設けた転写フィルムを用いる。このよ
うな形成方法によれば、レジスト膜の形成工程における
工程改善(高効率化)を図ることができるとともに、形
成される透明電極パターンの膜厚均一性を図ることがで
きる。レジスト膜31の膜厚としては、通常、0.1〜
40μm、好ましくは0.5〜20μmである。
【0013】<レジスト膜の露光工程>この工程におい
ては、図1(ホ)に示すように、導電性粒子含有層21
上に形成されたレジスト膜31の表面に、露光用マスク
Mを介して、紫外線などの放射線を選択的照射(露光)
して、レジストパターンの潜像を形成する。同図におい
て、MAおよびMBは、それぞれ、露光用マスクMにお
ける光透過部および遮光部である。ここに、放射線照射
装置としては、前記フォトリソグラフィー法で使用され
ている紫外線照射装置、半導体および液晶表示装置を製
造する際に使用されている露光装置など特に限定される
ものではない。
【0014】<レジスト膜の現像工程>この工程におい
ては、露光されたレジスト膜を現像処理することによ
り、レジストパターン(潜像)を顕在化させる。ここ
に、現像処理条件としては、レジスト膜31の種類など
に応じて、現像液の種類・組成・濃度、現像時間、現像
温度、現像方法(例えば浸漬法、揺動法、シャワー法、
スプレー法、パドル法)、現像装置などを適宜選択する
ことができる。この現像工程により、図2(ヘ)に示す
ように、レジスト残留部35Aと、レジスト除去部35
Bとから構成されるレジストパターン35(露光用マス
クMに対応するパターン)が形成される。このレジスト
パターン35は、次工程(エッチング工程)におけるエ
ッチングマスクとして作用するものであり、レジスト残
留部35Aの構成材料(光硬化されたレジスト)は、導
電性粒子含有層21の構成材料よりもエッチング液に対
する溶解速度が小さいことが必要である。
【0015】<導電性粒子含有層のエッチング工程>こ
の工程においては、導電性粒子含有層をエッチング処理
し、レジストパターンに対応する導電性粒子含有層のパ
ターンを形成する。すなわち、図2(ト)に示すよう
に、導電性粒子含有層21のうち、レジストパターン3
5のレジスト除去部35Bに対応する部分がエッチング
液に溶解されて選択的に除去される。ここに、図2
(ト)は、エッチング処理中の状態を示している。そし
て、更にエッチング処理を継続すると、図2(チ)に示
すように、導電性粒子含有層21におけるレジスト除去
部に対応する部分で基板表面が露出する。これにより、
材料層残留部25Aと材料層除去部25Bとから構成さ
れる導電性粒子含有層パターン25が形成される。ここ
に、エッチング処理条件としては、導電性粒子含有層2
1の種類などに応じて、エッチング液の種類・組成・濃
度、処理時間、処理温度、処理方法(例えば浸漬法、揺
動法、シャワー法、スプレー法、パドル法)、処理装置
などを適宜選択することができる。なお、エッチング液
として、現像工程で使用した現像液と同一の溶液を使用
することができるよう、レジスト膜31および導電性粒
子含有層21の種類を選択することにより、現像工程
と、エッチング工程とを連続的に実施することが可能と
なり、工程の簡略化による製造効率の向上を図ることが
できる。ここに、レジストパターン35を構成するレジ
スト残留部35Aは、エッチング処理の際に徐々に溶解
され、導電性粒子含有層パターン25が形成された段階
(エッチング処理の終了時)で完全に除去されるもので
あることが好ましい。なお、エッチング処理後にレジス
ト残留部35Aの一部または全部が残留していても、当
該レジスト残留部35Aは、次の焼成工程で除去され
る。
【0016】<導電性粒子含有層パターンの焼成工程>
この工程においては、導電性粒子含有層パターン25を
焼成処理して電極を形成する。これにより、材料層残留
部中の有機物質が焼失して、導電性粒子層が形成され、
図2(リ)に示すような、基板の表面に透明電極パター
ン40が形成されてなるパネル材料50を得ることがで
きる。ここに、焼成処理の温度としては、材料層残留部
25A中の有機物質が焼失される温度であることが必要
であり、通常、400〜600℃とされる。また、焼成
時間は、通常10〜90分間とされる。
【0017】透明電極の製造方法 透明電極の製造方法においては、支持フィルム上にレ
ジスト膜が形成され、当該レジスト膜上に導電性粒子含
有層が積層形成された本発明の転写フィルムが用いられ
る。ここに、レジスト膜および導電性粒子含有層を形成
する際には、ロールコータなどを使用することができ、
これにより、膜厚の均一性に優れた積層膜を支持フィル
ム上に形成することができる。製造工程としては、
〔1〕積層膜(導電性粒子含有層およびレジスト膜)の
転写工程、〔2〕レジスト膜の露光工程、〔3〕レジス
ト膜の現像工程、〔4〕導電性粒子含有層のエッチング
工程、〔5〕導電性粒子含有層パターンの焼成工程が挙
げられ、当該〔2〕、〔3〕、〔4〕、〔5〕の工程は
それぞれ、透明電極の製造方法における〔3〕、
〔4〕、〔5〕、〔6〕のそれぞれの工程における条件
と同様でよい。透明電極の製造方法によれば、導電性
粒子含有層とレジスト膜とが基板上に一括転写されるの
で、工程の簡略化による製造効率を更に向上させること
ができる。
【0018】好ましい実施形態 本発明の透明電極の製造方法においては、エッチング液
に対して溶解性が異なる複数の積層からなる導電性粒子
含有層を基板上に転写形成することが好ましい。このよ
うな積層をエッチング処理することにより、エッチング
に対する深さ方向の異方性が生じるため、矩形状または
矩形に近い好ましい断面形状を有する材料層残留部を形
成することができる。なお、導電性粒子含有層における
積層数は、通常10以下とされ、好ましくは2〜5とさ
れる。ここに、n層の積層からなる導電性粒子含有層を
基板上に形成する方法としては、(1)透明電極の製造
方法において、支持フィルム上に形成された導電性粒
子含有層(一層)をn回にわたって基板に転写する方
法、(2)透明電極の製造方法またはにおいて、n
層の積層からなる導電性粒子含有層を有する転写フィル
ムを形成し、当該積層膜を基板に一括転写する方法のい
ずれの方法であってもよいが、転写工程の簡略化の観点
からは前記(2)の方法が好ましい。
【0019】用いられる材料、条件 以下に、前記の各工程に用いられる材料、各種条件など
について説明する。 <基板>基板材料としては、例えばガラス、シリコン、
ポリカーボネート、ポリエステル、芳香族アミド、ポリ
アミドイミド、ポリイミドなどの絶縁性材料からなる板
状部材である。この板状部材の表面に対しては、必要に
応じて、シランカップリング剤などによる薬品処理;プ
ラズマ処理;イオンプレーティング法、スパッタリング
法、気相反応法、真空蒸着法などによる薄膜形成処理の
ような適宜の前処理を施されていてもよい。 <転写フィルム>後述する、本発明の透明電極用転写フ
ィルムが用いられる。
【0020】<レジスト膜(レジスト組成物)>本発明
の製造方法においては、基板上に転写された導電性粒子
含有層上にレジスト膜が形成され、当該レジスト膜に露
光処理および現像処理を施すことにより、前記導電性粒
子含有層上にレジストパターンが形成される。レジスト
膜を形成するために使用するレジスト組成物としては、
(1)アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物、
(2)有機溶剤現像型感放射線性レジスト組成物、
(3)水性現像型感放射線性レジスト組成物などを例示
することができる。以下、これらのレジスト組成物につ
いて説明する。
【0021】(1)アルカリ現像型感放射線性レジスト
組成物 アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物は、アルカリ
可溶性樹脂と感放射線性成分を必須成分として含有して
なる。アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物を構成
するアルカリ可溶性樹脂としては、後述する、導電性粒
子含有組成物の結着樹脂を構成するものとして例示した
アルカリ可溶性樹脂を挙げることができる。アルカリ現
像型感放射線性レジスト組成物を構成する感放射線性成
分としては、例えば、(イ)多官能性モノマーと光重合
開始剤との組み合わせ、(ロ)メラミン樹脂と放射線照
射により酸を形成する光酸発生剤との組み合わせなどを
好ましいものとして例示することができ、上記(イ)の
組み合わせのうち、多官能性(メタ)アクリレートと光
重合開始剤との組み合わせが特に好ましい。
【0022】感放射線性成分を構成する多官能性(メ
タ)アクリレートの具体例としては、エチレングリコー
ル、プロピレングリコールなどのアルキレングリコール
のジ(メタ)アクリレート類;ポリエチレングリコー
ル、ポリプロピレングリコールなどのポリアルキレング
リコールのジ(メタ)アクリレート類;両末端ヒドロキ
シポリブタジエン、両末端ヒドロキシポリイソプレン、
両末端ヒドロキシポリカプロラクトンなどの両末端ヒド
ロキシル化重合体のジ(メタ)アクリレート類;グリセ
リン、1,2,4−ブタントリオール、トリメチロール
アルカン、テトラメチロールアルカン、ジペンタエリス
リトールなどの3価以上の多価アルコールのポリ(メ
タ)アクリレート類;3価以上の多価アルコールのポリ
アルキレングリコール付加物のポリ(メタ)アクリレー
ト類;1,4−シクロヘキサンジオール、1,4−ベン
ゼンジオール類などの環式ポリオールのポリ(メタ)ア
クリレート類;ポリエステル(メタ)アクリレート、エ
ポキシ(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリ
レート、アルキド樹脂(メタ)アクリレート、シリコー
ン樹脂(メタ)アクリレート、スピラン樹脂(メタ)ア
クリレート等のオリゴ(メタ)アクリレート類などを挙
げることができ、これらは単独でまたは2種以上を組み
合わせて使用することができる。
【0023】また、感放射線性成分を構成する光重合開
始剤の具体例としては、ベンジル、ベンゾイン、ベンゾ
フェノン、カンファーキノン、2−ヒドロキシ−2−メ
チル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−ヒドロキ
シシクロヘキシルフェニルケトン、2,2−ジメトキシ
−2−フェニルアセトフェノン、2−メチル−〔4’−
(メチルチオ)フェニル〕−2−モルフォリノ−1−プ
ロパノン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−
(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オンなど
のカルボニル化合物;アゾイソブチロニトリル、4−ア
ジドベンズアルデヒドなどのアゾ化合物あるいはアジド
化合物;メルカプタンジスルフィドなどの有機硫黄化合
物;ベンゾイルパーオキシド、ジ−tret−ブチルパ
ーオキシド、tret−ブチルハイドロパーオキシド、
クメンハイドロパーオキシド、パラメタンハイドロパー
オキシドなどの有機パーオキシド;1,3−ビス(トリ
クロロメチル)−5−(2’−クロロフェニル)−1,
3,5−トリアジン、2−〔2−(2−フラニル)エチ
レニル〕−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,
3,5−トリアジンなどのトリハロメタン類;2,2’
−ビス(2−クロロフェニル)4,5,4’,5’−テ
トラフェニル1,2’−ビイミダゾールなどのイミダゾ
ール二量体などを挙げることができ、これらは単独でま
たは2種以上を組み合わせて使用することができる。
【0024】このアルカリ現像型感放射線性レジスト組
成物における感放射線性成分の含有割合としては、アル
カリ可溶性樹脂100重量部当たり、通常1〜300重
量部とされ、好ましくは10〜200重量部である。ま
た、アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物について
は、良好な膜形成性付与するために、適宜有機溶剤が含
有される。
【0025】(2)有機溶剤現像型感放射線性レジスト
組成物:有機溶剤現像型感放射線性レジスト組成物は、
天然ゴム、合成ゴム、およびこれらを環化されてなる環
化ゴムなどから選ばれた少なくとも1種と、アジド化合
物とを必須成分として含有してなる。有機溶剤現像型感
放射線性レジスト組成物を構成するアジド化合物の具体
例としては、4,4’−ジアジドベンゾフェノン、4,
4’−ジアジドジフェニルメタン、4,4’−ジアジド
スチルベン、4,4’−ジアジドカルコン、4,4’−
ジアジドベンザルアセトン、2,6−ジ(4’−アジド
ベンザル)シクロヘキサノン、2,6−ジ(4’−アジ
ドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノンなどを挙げ
ることができ、これらは単独でまたは2種以上を組み合
わせて使用することができる。また有機溶剤現像型感放
射線性レジスト組成物には、良好な膜形成性を付与する
ために、通常有機溶剤が含有される。
【0026】(3)水性現像型感放射線性レジスト組成
物:水性現像型感放射線性レジスト組成物は、例えばポ
リビニルアルコールなどの水溶性樹脂と、ジアゾニウム
化合物および重クロム酸化合物から選ばれた少なくとも
1種とを必須成分として含有してなる。
【0027】本発明の製造方法において使用するレジス
ト組成物には、任意成分として、現像促進剤、接着助
剤、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、酸化防
止剤、紫外線吸収剤、フィラー、蛍光体、顔料、染料な
どの各種添加剤が含有されていてもよい。
【0028】<露光用マスク>レジスト膜の露光工程に
おいて使用される露光用マスクMの露光パターンとして
は、材料によって異なるが、一般的に10〜500μm
幅のストライプである。
【0029】<現像液>レジスト膜の現像工程で使用さ
れる現像液としては、レジスト膜(レジスト組成物)の
種類に応じて適宜選択することができる。具体的には、
アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物によるレジス
ト膜にはアルカリ現像液を使用することができ、有機溶
剤型感放射線性レジスト組成物によるレジスト膜には有
機溶剤現像液を使用することができ、水性現像型感放射
線性レジスト組成物によるレジスト膜には水性現像液を
使用することができる。
【0030】アルカリ現像液の有効成分としては、例え
ば水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、リン酸水素ナトリウム、リン酸水素二アンモニウ
ム、リン酸水素二カリウム、リン酸水素二ナトリウム、
リン酸二水素アンモニウム、リン酸二水素カリウム、リ
ン酸二水素ナトリウム、ケイ酸リチウム、ケイ酸ナトリ
ウム、ケイ酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム、ホウ酸リチウム、ホウ酸ナトリウ
ム、ホウ酸カリウム、アンモニアなどの無機アルカリ性
化合物;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、トリ
メチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、モ
ノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、
モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミ
ン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、
エタノールアミンなどの有機アルカリ性化合物などを挙
げることができる。レジスト膜の現像工程で使用される
アルカリ現像液は、前記アルカリ性化合物の1種または
2種以上を水などに溶解させることにより調整すること
ができる。ここに、アルカリ性現像液におけるアルカリ
性化合物の濃度は、通常0.001〜10重量%とさ
れ、好ましくは0.01〜5重量%とされる。なお、ア
ルカリ現像液による現像処理がなされた後は、通常、水
洗処理が施される。
【0031】有機溶剤現像液の具体例としては、トルエ
ン、キシレン、酢酸ブチルなどの有機溶剤を挙げること
ができ、これらは単独でまたは2種以上を組み合わせて
使用することができる。なお、有機溶剤現像液による現
像処理がなされた後は、必要に応じて貧溶媒によるリン
ス処理が施される。水性現像液の具体例としては、水、
アルコールなどを挙げることができる。
【0032】<エッチング液>導電性粒子含有層のエッ
チング工程で使用されるエッチング液としては、アルカ
リ性溶液であることが好ましい。これにより、導電性粒
子含有層に含有されるアルカリ可溶性樹脂を容易に溶解
除去することができる。なお、導電性粒子含有層に含有
される導電性粒子は、アルカリ可溶性樹脂により均一に
分散されているため、アルカリ性溶液でバインダーであ
るアルカリ可溶性樹脂を溶解させ、洗浄することによ
り、導電性粒子も同時に除去される。ここに、エッチン
グ液として使用されるアルカリ性溶液としては、現像液
と同一組成の溶液を挙げることができる。そして、エッ
チング液が、現像工程で使用するアルカリ現像液と同一
の溶液である場合には、現像工程と、エッチング工程と
を連続的に実施することが可能となり、工程の簡略化に
よる製造効率の向上を図ることができる。なお、アルカ
リ性溶液によるエッチング処理がなされた後は、通常、
水洗処理が施される。
【0033】また、エッチング液として、導電性粒子含
有層のバインダーを溶解することのできる有機溶剤を使
用することもできる。なお、有機溶剤によるエッチング
処理がなされた後は、必要に応じて貧溶媒によるリンス
処理が施される。
【0034】透明電極用転写フィルム 本発明の透明電極用転写フィルムは、上記透明電極の製
造方法において用いられる転写フィルムとしては、支
持フィルムと、この支持フィルム上に形成された導電性
粒子含有層とを有してなり、当該導電性粒子含有層の表
面に保護フィルム層が設けられていてもよい。また、上
記透明電極の製造方法において用いられる転写フィル
ムとしては、支持フィルムと、この支持フィルム上に形
成されたレジスト膜と、当該レジスト膜上に形成された
導電性粒子含有層とを有してなり、当該導電性粒子含有
層の表面に保護フィルム層が設けられていてもよい。
【0035】<支持フィルム>本発明の転写フィルムを
構成する支持フィルムは、耐熱性および耐溶剤性を有す
ると共に可撓性を有する樹脂フィルムであることが好ま
しい。支持フィルムが可撓性を有することにより、ロー
ルコータによってペースト状組成物を塗布することがで
き、導電性粒子含有層をロール状に巻回した状態で保存
し、供給することができる。支持フィルムを形成する樹
脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリ
エステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレ
ン、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニ
ル、ポリフロロエチレンなどの含フッ素樹脂、ナイロ
ン、セルロースなどを挙げることができる。支持フィル
ムの厚さとしては、例えば20〜100μmとされる。
【0036】<導電性粒子含有層>本発明の転写フィル
ムを構成する導電性粒子含有層は、(a)導電性粒子、
(b)結着樹脂および(c)溶剤を必須成分として含有
するペースト状の導電性粒子含有組成物(透明電極形成
用組成物)を前記支持フィルム上に塗布し、塗膜を乾燥
して溶剤の一部または全部を除去することにより形成す
ることができる。
【0037】(a)導電性粒子 本発明の導電性粒子含有組成物に使用される導電性粒子
としては、酸化インジウム、酸化錫、錫含有酸化インジ
ウム(ITO)、アンチモン含有酸化錫(ATO)、フ
ッ素添加酸化インジウム(FIO)、フッ素添加酸化錫
(FTO)、フッ素添加酸化亜鉛(FZO)ならびに、
Al、Co、Fe、In、SnおよびTiから選ばれた
一種もしくは二種以上の金属を含有する酸化亜鉛微粉体
などが挙げられる。
【0038】(b)結着樹脂 導電性粒子含有組成物に使用される結着樹脂としては、
種々の樹脂を用いることができるが、アルカリ可溶性樹
脂を30〜100重量%の割合で含有する結着樹脂を用
いることが特に好ましい。ここに、「アルカリ可溶性」
とは、前述したアルカリ性のエッチング液によって溶解
し、目的とするエッチング処理が遂行される程度に溶解
性を有する性質をいう。かかるアルカリ可溶性樹脂の具
体例としては、例えば(メタ)アクリル系樹脂、ヒドロ
キシスチレン樹脂、ノボラック樹脂、ポリエステル樹脂
などを挙げることができる。このようなアルカリ可溶性
樹脂のうち、特に好ましいものとしては、下記のモノマ
ー(イ)とモノマー(ロ)との共重合体、又はモノマー
(イ)と、モノマー(ロ)とモノマー(ハ)との共重合
体を挙げることができる。
【0039】モノマー(イ):アクリル酸、メタクリル
酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イタコン酸、
シトラコン酸、メサコン酸、ケイ皮酸などのカルボキシ
ル基含有モノマー類;(メタ)アクリル酸2−ヒドロキ
シエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピ
ル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシプロピルなどの
水酸基含有モノマー類;o−ヒドロキシスチレン、m−
ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシスチレンなどのフ
ェノール性水酸基含有モノマー類などに代表されるアル
カリ可溶性官能基含有モノマー類。 モノマー(ロ):(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)
アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メ
タ)アクリル酸ベンジル、グリシジル(メタ)アクリレ
ート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレートなどの
モノマー(イ)以外の(メタ)アクリル酸エステル類;
スチレン、α−メチルスチレンなどの芳香族ビニル系モ
ノマー類;ブタジエン、イソプレンなどの共役ジエン類
などに代表されるモノマー(イ)と共重合可能なモノマ
ー類。 モノマー(ハ):ポリスチレン、ポリ(メタ)アクリル
酸メチル、ポリ(メタ)アクリル酸エチル、ポリ(メ
タ)アクリル酸ベンジル等のポリマー鎖の一方の末端
に、(メタ)アクリロイル基などの重合性不飽和基を有
するマクロモノマーなどに代表される マクロモノマー類:
【0040】導電性粒子含有組成物における結着樹脂の
含有割合としては、導電性粒子100重量部に対して、
通常1〜50重量部とされ、好ましくは1〜40重量部
とされる。
【0041】(c)溶剤 導電性粒子含有組成物を構成する溶剤は、当該導電性粒
子含有組成物に、適当な流動性または可塑性、良好な膜
形成性を付与するために含有される。導電性粒子含有組
成物を構成する溶剤としては、特に制限されるものでは
なく、例えばエーテル類、エステル類、エーテルエステ
ル類、ケトン類、ケトンエステル類、アミド類、アミド
エステル類、ラクタム類、ラクトン類、スルホキシド
類、スルホン類、炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類な
どを挙げることができる。かかる溶剤の具体例として
は、テトラヒドロフラン、アニソール、ジオキサン、エ
チレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレン
グリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコー
ルモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジア
ルキルエーテル類、酢酸エステル類、ヒドロキシ酢酸エ
ステル類、アルコキシ酢酸エステル類、プロピオン酸エ
ステル類、ヒドロキシプロピオン酸エステル類、アルコ
キシプロピオン酸エステル類、乳酸エステル類、エチレ
ングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロ
ピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、
アルコキシ酢酸エステル類、環式ケトン類、非環式ケト
ン類、アセト酢酸エステル類、ピルビン酸エステル類、
N,N−ジアルキルホルムアミド類、N,N−ジアルキ
ルアセトアミド類、N−アルキルピロリドン類、γ−ラ
クトン類、ジアルキルスルホキシド類、ジアルキルスル
ホン類、ターピネオール、N−メチル−2−ピロリドン
などを挙げることができ、これらは単独でまたは2種以
上を組み合わせて用いることができる。導電性粒子含有
組成物における溶剤の含有割合としては、良好な膜形成
性(流動性または可塑性)が得られる範囲内において適
宜選択することができる。
【0042】導電性粒子含有組成物には、任意成分とし
て、可塑剤、現像促進剤、接着助剤、ハレーション防止
剤、保存安定剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、
フィラー、低融点ガラス等の各種添加剤が含有されてい
てもよい。
【0043】<レジスト膜>本発明の転写フィルムを構
成するレジスト膜は、上記透明電極の製造方法において
用いられるレジスト膜の形成に用いられるレジスト組成
物を支持フィルム上に塗布し、塗膜を乾燥して溶剤の一
部または全部を除去することにより形成することができ
る。
【0044】<転写フィルムの形成方法>導電性粒子含
有組成物を支持フィルム上(あるいはレジスト膜上)に
塗布する方法としては、膜厚の均一性に優れた膜厚の大
きい塗膜を効率よく形成することができるものであるこ
とが必要とされ、具体的には、ロールコータによる塗布
方法、ドクターブレードによる塗布方法、カーテンコー
ターによる塗布方法、ワイヤーコーターによる塗布方法
などを好ましいものとして挙げることができる。また、
レジスト組成物を塗布する方法としては、上記本発明の
透明電極の製造方法においてレジスト膜を形成する方法
に準ずる。なお、導電性粒子含有組成物が塗布される支
持フィルムの表面には離型処理が施されていることが好
ましい。これにより、前述の転写工程において、支持フ
ィルムの剥離操作を容易に行うことができる。塗膜の乾
燥条件としては、例えば、50〜150℃で0.5〜3
0分間程度とされ、乾燥後における溶剤の残存割合(導
電性粒子含有層中の含有率)は、通常2重量%以内とさ
れる。上記のようにして支持フィルム上に形成される導
電性粒子含有層の厚さとしては、導電性粒子粉末の含有
率、部材の種類やサイズなどによっても異なるが、例え
ば10〜100μmとされる。なお、導電性粒子含有層
の表面に設けられることのある保護フィルム層として
は、ポリエチレンフィルム、ポリビニルアルコール系フ
ィルムなどを挙げることができる。
【0045】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらによって限定されるものではない。な
お、以下において、「部」および「%」は、それぞれ
「重量部」および「重量%」を示す。また、重量平均分
子量(Mw)は、東ソー株式会社製ゲルパーミィエーシ
ョンクロマトグラフィー(GPC)(商品名HLC−8
02A)により測定したポリスチレン換算の平均分子量
である。
【0046】〔合成例1〕プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート200部、エチルヘキシルメタ
クリレート40部、ヒドロキシプロピルメタクリレート
25部、メタクリル酸15部、アゾビスイソブチロニト
リル1部からなる単量体組成物を、攪拌機付きオートク
レーブに仕込み、窒素雰囲気下において、室温で均一に
なるまで攪拌した後、80℃で3時間重合させ、さらに
100℃で1時間重合反応を継続させた後室温まで冷却
してポリマー溶液を得た。ここに、重合率は98%であ
り、このポリマー溶液から析出した共重合体(以下、
「ポリマー(A)」という)の重量平均分子量(Mw)
は、70,000であった。
【0047】〔合成例2〕プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート200部、エチルヘキシルメタ
クリレート40部、ヒドロキシプロピルメタクリレート
25部、メタクリル酸15部、アゾビスイソブチロニト
リル1部からなる単量体組成物をオートクレーブに仕込
んだこと以外は合成例1と同様にしてポリマー溶液を得
た。ここに、重合率は97%であり、このポリマー溶液
から析出した共重合体(以下、「ポリマー(B)」とい
う)の重量平均分子量(Mw)は、100,000であ
った。
【0048】〔合成例3〕プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート200部、メチルメタクリレー
ト80部、 メタクリル酸20部、アゾビスイソブチロ
ニトリル1部からなる単量体組成物をオートクレーブに
仕込んだこと以外は合成例1と同様にしてポリマー溶液
を得た。ここに、重合率は98%であり、このポリマー
溶液から析出した共重合体(以下、「ポリマー(C)」
という)の重量平均分子量(Mw)は、50,000で
あった。
【0049】〔実施例1(転写フィルムの形成)〕導電
性粒子としてITO粉末750部、アルカリ可溶性樹脂
としてポリマー(A)600部、可塑剤としてポリプロ
ピレングリコール〔分子量400、和光純薬(株)製〕
20部および溶剤としてプロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート400部を混練りすることによ
り、導電性粒子含有組成物(以下、「導電性粒子含有組
成物(1)」という)を調製した。次いで、得られた導
電性粒子含有組成物(1)を、予め離型処理したポリエ
チレンテレフタレート(PET)フィルムよりなる支持
フィルム(幅200mm,長さ30m,厚さ38μm)
上にロールコータにより塗布して塗膜を形成した。形成
された塗膜を110℃で5分間乾燥することにより溶剤
を完全に除去し、これにより、厚さ5μmの導電性粒子
含有層(以下、「導電性粒子含有層(1)」という)が
支持フィルム上に形成されてなる、本発明の透明電極用
転写フィルム(以下、「転写フィルム(1)」という)
を作製した。
【0050】〔実施例2(転写フィルムの形成)〕導電
性粒子としてITO粉末750部、アルカリ可溶性樹脂
としてポリマー(B)750部、可塑剤としてポリプロ
ピレングリコール〔分子量400、和光純薬(株)製〕
20部および溶剤としてプロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート400部を混練りすることによ
り、ペースト状の導電性粒子含有組成物(以下、「導電
性粒子含有組成物(2)」という)を調製した。次い
で、得られた導電性粒子含有組成物(2)を用いたこと
以外は実施例1と同様にして、導電性粒子含有組成物を
塗布して溶剤を完全に除去することにより、厚さ5μm
の導電性粒子含有層(以下、「導電性粒子含有層
(2)」という)が支持フィルム上に形成されてなる、
本発明の透明電極用転写フィルム(以下、「転写フィル
ム(2)」という)を作製した。
【0051】〔作製例(レジスト膜の形成)〕アルカリ
可溶性樹脂としてポリマー(C)50部、多官能性モノ
マー(感放射線性成分)としてペンタエリスリトールテ
トラアクリレート40部、光重合開始剤(感放射線性成
分)として2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−
(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン5部
および溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート20部を混練りすることにより、ペース
ト状のアルカリ現像型感放射線性レジスト組成物を調製
した。
【0052】次いで、得られたレジスト組成物を、予め
離型処理したポリエチレンテレフタレート(PET)フ
ィルムよりなる支持フィルム(幅200mm,長さ30
m,厚さ38μm)上にロールコータにより塗布して塗
膜を形成した。形成された塗膜を110℃で5分間乾燥
することにより溶剤を完全に除去し、これにより、厚さ
5μmのレジスト膜(以下、「レジスト膜(1)」とい
う)が支持フィルム上に形成されてなる転写フィルム
(以下、「転写フィルム(6)」という)を作製した。
【0053】〔実施例3(透明電極の製造)〕 (1)導電性粒子含有層の転写工程 6インチパネル用のガラス基板の表面に、導電性粒子含
有層(1)の表面が当接されるよう転写フィルム(1)
を重ね合わせ、この転写フィルム(1)を加熱ローラに
より熱圧着した。ここで、圧着条件としては、加熱ロー
ラの表面温度を120℃、ロール圧を4kg/cm2
加熱ローラの移動速度を0.5m/分とした。熱圧着処
理の終了後、導電性粒子含有層(1)から支持フィルム
を剥離除去した。これにより、ガラス基板の表面に導電
性粒子含有層(1)が転写されて密着した状態となっ
た。この導電性粒子含有層について膜厚を測定したとこ
ろ5μm±0.5μmの範囲にあった。
【0054】次いで、導電性粒子含有層(1)の表面
に、導電性粒子含有層(2)の表面が当接されるよう転
写フィルム(2)を重ね合わせ、この転写フィルム
(2)を加熱ローラにより上記と同一の圧着条件により
熱圧着した。熱圧着処理の終了後、導電性粒子含有層
(2)から支持フィルムを剥離除去した。これにより、
導電性粒子含有層(1)の表面に導電性粒子含有層
(2)が転写されて密着した状態となった。ガラス基板
上に形成された導電性粒子含有層(1)〜(2)の積層
体について膜厚を測定したところ8μm±0.8μmの
範囲にあった。
【0055】(2)レジスト膜の形成工程 導電性粒子含有層(2)の表面に、レジスト膜(1)の
表面が当接されるよう転写フィルム(3)を重ね合わ
せ、この転写フィルム(3)を加熱ローラ上記と同一の
圧着条件により熱圧着した。熱圧着処理の終了後、レジ
スト膜(1)から支持フィルムを剥離除去した。これに
より、導電性粒子含有層(2)の表面にレジスト膜
(1)が転写されて密着した状態となった。導電性粒子
含有層(2)の表面に転写されたレジスト膜(1)につ
いて膜厚を測定したところ5μm±0.5μmの範囲に
あった。
【0056】(3)レジスト膜の露光工程 導電性粒子含有層の積層体上に形成されたレジスト膜
(1)に対して、露光用マスク(70μm幅のストライ
プパターン)を介して、超高圧水銀灯により、i線(波
長365nmの紫外線)を照射した。ここに、照射量は
400mJ/cm 2とした。
【0057】(4)レジスト膜の現像工程 露光処理されたレジスト膜(1)に対して、0.2重量
%の水酸化カリウム水溶液(25℃)を現像液とするシ
ャワー法による現像処理を20秒かけて行った。次いで
超純水による水洗処理を行い、これにより、紫外線が照
射されていない未硬化のレジストを除去し、レジストパ
ターンを形成した。
【0058】(5)導電性粒子含有層のエッチング工程 上記の工程に連続して、0.2重量%の水酸化カリウム
水溶液(25℃)をエッチング液とするシャワー法によ
るエッチング処理を2分かけて行った。次いで、超純水
による水洗処理および乾燥処理を行った。、これによ
り、材料層残留部と、材料層除去部とから構成される導
電性粒子含有層のパターンを形成した。
【0059】(6)導電性粒子含有層の焼成工程 導電性粒子含有層のパターンが形成されたガラス基板を
焼成炉内で600℃の温度雰囲気下で30分間にわたり
焼成処理を行った。これにより、ガラス基板の表面に透
明電極(ITO電極)が形成されてなるパネル材料が得
られた。得られたパネル材料における透明電極の断面形
状を走査型電子顕微鏡により観察し、当該断面形状の底
面の幅および高さを測定したところ、底面の幅が300
μm±2μm、高さが1μm±0.2μmであり、寸法
精度がきわめて高いものであった。また透過率は84
%、表面抵抗値は30Ω/□と良好であった。
【0060】〔実施例4(透明電極の製造)〕 (1)転写フィルムの作製 下記(イ)〜(ハ)の操作により、導電性粒子含有層
(2層)と、レジスト膜との積層膜が支持フィルム上に
形成されてなる転写フィルムを作製した。 (イ)作製例で使用したレジスト組成物を離型処理した
PETフィルムよりなる支持フィルム(幅200mm、
長さ30m、厚さ38μm)上にロールコータを用いて
塗布し、塗膜を110℃で5分間乾燥して溶剤を完全に
除去し、厚さ5μmのレジスト膜(以下、「レジスト膜
(1’)」という)を支持フィルム上に形成した。 (ロ)実施例2で使用した導電性粒子含有組成物(2)
をレジスト膜(1’)上にロールコータを用いて塗布
し、塗膜を110℃で5分間乾燥して溶剤を完全に除去
し、厚さ5μmの導電性粒子含有層(以下、「導電性粒
子含有層(2’)」という)をレジスト膜(1’)上に
形成した。 (ハ)実施例1で使用した導電性粒子含有組成物(1)
を導電性粒子含有層(2’)上にロールコータを用いて
塗布し、塗膜を110℃で5分間乾燥して溶剤を完全に
除去し、厚さ5μmの導電性粒子粉末分散ペースト層
(以下、「導電性粒子含有層(1’)」という)を導電
性粒子含有層(2’)上に形成した。
【0061】(2)積層膜の転写工程 実施例3で使用したのと同様のガラス基板の表面に、導
電性粒子含有層(1’)の表面が当接されるよう転写フ
ィルムを重ね合わせ、この転写フィルムを加熱ローラに
熱圧着した。ここで、圧着条件としては、加熱ローラの
表面温度を120℃、ロール圧を4kg/cm2 、加熱
ローラの移動速度を0.5m/分とした。熱圧着処理の
終了後、積層膜〔レジスト膜(1’)の表面〕から支持
フィルムを剥離除去した。これにより、ガラス基板の表
面に積層膜が転写されて密着した状態となった。この積
層膜〔導電性粒子含有層(2層)と、レジスト膜との積
層膜〕ついて膜厚を測定したところ15μm±1μmの
範囲にあった。
【0062】(3)レジスト膜の露光工程・現像工程 導電性粒子含有層の積層体上に形成されたレジスト膜
(1’)に対して、実施例3と同様の条件で、露光処理
(紫外線照射)、水酸化カリウム水溶液による現像処理
および水洗処理を行うことにより、導電性粒子含有層の
積層体上にレジストパターンを形成した。
【0063】(4)導電性粒子含有層のエッチング工程 上記の工程に連続して、実施例3と同様の条件で、水酸
化カリウム水溶液によるエッチング処理、水洗処理およ
び乾燥処理を行うことにより、導電性粒子含有層のパタ
ーンを形成した。
【0064】(5)導電性粒子含有層パターンの焼成工
程 導電性粒子含有層パターンが形成されたガラス基板を焼
成炉内で600℃の温度雰囲気下で30分間にわたり焼
成処理を行った。これにより、ガラス基板の表面に電極
が形成されてなるパネル材料が得られた。得られたパネ
ル材料における電極の断面形状を走査型電子顕微鏡によ
り観察し、当該断面形状の底面の幅および高さを測定し
たところ、底面の幅が300μm±2μm、高さが1μ
m±0.2μmであり、寸法精度がきわめて高いもので
あった。また透過率は84%、表面抵抗値は30Ω/□
と良好であった。
【0065】
【発明の効果】本発明の透明電極の製造方法は、工程数
が少なく、従って作業性を向上させることができる。特
に導電性粒子含有層を多層構造とすることにより、アル
カリ現像工程における導電性粒子含有層のエッチングに
対する深さ方向の異方性が生じるため、高精細のパター
ンを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例に係るプラズマディスプレ
イパネルの製造方法を工程順に示す説明用断面図であ
る。
【図2】 本発明の一実施例に係る製造方法の、図1の
工程に続く工程を順に示す説明用断面図である。
【符号の説明】
11 基板 20 転写フ
ィルム 21 導電性粒子含有層 22 支持フ
ィルム 25 導電性粒子含有層パターン 25A 材料層
残留部 25B 材料層除去部 31 レジス
ト膜 M 露光用マスク MA 光透過
部(露光用マスク) MB 遮光部(露光用マスク) 35 レジス
トパターン 35A レジスト残留部 35B レジス
ト除去部 40 透明電極パターン 50 パネル
材料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H025 AA02 AB11 AB17 AB20 DA14 DA29 DA40 EA03 FA29 FA39 2H092 GA17 GA25 MA15 MA16 MA18 MA22 MA32 MA37 PA01 2H096 AA26 AA27 CA20 HA11 5C027 AA01

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 支持フィルム上に形成された導電性粒子
    含有層を基板上に転写し、基板上に転写された導電性粒
    子含有層上にレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露
    光処理して、レジストパターンの潜像を形成し、当該レ
    ジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化さ
    せ、導電性粒子含有層をエッチング処理してレジストパ
    ターンに対応する導電性粒子含有層のパターンを形成
    し、当該パターンを焼成処理する工程を含む方法を特徴
    とする、透明電極の製造方法。
  2. 【請求項2】 導電性粒子含有層が、エッチング液に対
    して溶解性が異なる複数の積層からなることを特徴とす
    る、請求項1記載の透明電極の製造方法。
  3. 【請求項3】 支持フィルム上に形成された層をn回
    (但し、n=2〜10の整数である。)にわたって転写
    することにより、n層の積層からなる導電性粒子含有層
    を基板上に形成することを特徴とする、請求項2記載の
    透明電極の製造方法。
  4. 【請求項4】 支持フィルム上に形成されたn層(但
    し、n=2〜10の整数である。)の積層からなる導電
    性粒子含有層を一括転写することにより、導電性粒子含
    有層を基板上に形成することを特徴とする、請求項2記
    載の透明電極の製造方法。
  5. 【請求項5】 レジスト膜を転写することにより、導電
    性粒子含有層上にレジスト膜を形成することを特徴とす
    る、請求項1〜請求項4の何れかに記載の透明電極の製
    造方法。
  6. 【請求項6】 レジスト膜と導電性粒子含有層との積層
    膜を支持フィルム上に形成し、支持フィルム上に形成さ
    れた積層膜を基板上に転写し、当該積層膜を構成するレ
    ジスト膜を露光処理してレジストパターンの潜像を形成
    し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパターンを
    顕在化させ、導電性粒子含有層をエッチング処理してレ
    ジストパターンに対応する導電性粒子含有層のパターン
    を形成し、当該パターンを焼成処理する工程を含む方法
    を特徴とする、透明電極の製造方法。
  7. 【請求項7】 導電性粒子含有層が、支持フィルム上に
    形成されていることを特徴とする、透明電極用転写フィ
    ルム。
  8. 【請求項8】 レジスト膜と導電性粒子含有層との積層
    膜が、支持フィルム上に形成されていることを特徴とす
    る、透明電極用転写フィルム。
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